JP2006250702A - Acceleration sensor - Google Patents
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Abstract
Description
本発明は、物理的力学量を感知する物理量センサにおける加速度センサにおいて、特に、固定電極と可動電極間の静電容量から加速度を検出する静電容量式センサに関する。 The present invention relates to an acceleration sensor in a physical quantity sensor that senses a physical mechanical quantity, and more particularly to a capacitive sensor that detects acceleration from the electrostatic capacity between a fixed electrode and a movable electrode.
従来より、物理量センサとして自動車等に搭載され各種の車両の運動制御に利用される加速度センサがあり、一般に加速度センサとしては、重り部と重り部に対向して備えられた電極面との間で構成される静電容量の変化を検出する静電容量式や、撓み部に加えられた機械的な歪みをピエゾ抵抗などによって電気抵抗の変化として検出するピエゾ抵抗式の半導体センサ等が知られている。 2. Description of the Related Art Conventionally, there are acceleration sensors mounted on automobiles and the like as physical quantity sensors that are used for motion control of various vehicles. Generally, acceleration sensors include a weight portion and an electrode surface provided facing the weight portion. Capacitance type that detects the change of the configured capacitance, and piezoresistive type semiconductor sensor that detects mechanical distortion applied to the flexure as piezoresistance as a change in electrical resistance are known. Yes.
静電容量式として、従来、固定電極と、固定電極に対向する可動電極、及び可動電極を支持し物理量により変位する重り部と、各電極及び重り部などを囲む枠状に形成された撓み自在の動きを成し、一端が重り部と連結された1乃至複数のビーム部と、このビーム部の他端が連結されるフレーム部とが半導体基板に加工して形成される静電容量式センサが種々提案されている。 Conventionally, as a capacitance type, a fixed electrode, a movable electrode facing the fixed electrode, a weight portion that supports the movable electrode and is displaced by a physical quantity, and a flexible shape formed in a frame shape surrounding each electrode and the weight portion, etc. 1 or a plurality of beam parts, one end of which is connected to the weight part, and a frame part to which the other end of the beam part is connected are formed on a semiconductor substrate. Various proposals have been made.
従来の静電容量式加速度センサの構成について図7を参照して説明する。図7(a)は、静電容量式加速度センサ100の外観を示し、(b)はパッケージに装着された同加速度センサの断面を示し、(c)は同加速度センサのセンサチップの断面を示す。
A configuration of a conventional capacitive acceleration sensor will be described with reference to FIG. FIG. 7A shows the appearance of the
これらの図において、加速度センサ100は、半導体基板からなる加速度センサチップ102と、加速度センサチップ102が装着されるガラス材からなる支持基板101と、加速度センサチップ102を覆うガラス部材からなる上部カバー103とを備え、それらが一体化されて加速度センサ100が形成される。そして、この加速度センサ100は、支持基板101の裏面全面でセラミック等のパッケージの底辺部104に接着材105で固定される。
In these drawings, the
加速度センサチップ102は、加速度に対応して位置が変位する重り部121と、重り部121を変位可能とするバネ性を有するビーム部122と、ビーム部122を介して重り部121を支持する支持部と、複数の固定電極を有する櫛形状の固定電極部124と、重り部121の両端に設けられ隣り合う固定電極の間に櫛形状に交互に入り込む複数の可動電極を備えている。これらの固定電極と可動電極は互いに平行を成し、加速度を測定する方向に対して直交に配置されている(特許文献1参照)。
The
この静電容量式センサは、物理量の印加により、ビームが変形することで固定電極と可動電極の間隔が変化し、この変化により2電極間に発生する静電容量の変化を半導体集積回路(IC)により電圧変化に変換することで加速度の大きさを測定している。 In this capacitance type sensor, the distance between the fixed electrode and the movable electrode changes due to the deformation of the beam due to the application of a physical quantity, and the change in the capacitance generated between the two electrodes due to this change is applied to the semiconductor integrated circuit (IC). ) To measure the magnitude of acceleration.
しかし、このような静電容量式センサでは、ビームは、数マイクロメートル〜数10マイクロメートルの厚みであるため、外部からセンサチップにわずかな歪が加わっても、加速度が加わったときと同様に、可動電極が変位し、容量が変化する。例えば、センサチップ単体を装着したセラミックやプラスチック製のパッケージを、プリント基板に半田付けして実装する場合、半田付けの熱により生じる歪によってセンサの出力が変化する。また、周囲温度の変化により、半田、プリント板、及びパッケージ材料間における熱膨張係数の違いからセンサの温度特性が劣化する。そこで、一般的には、センサチップの下部にガラス製の台座を接合し、外部からの歪をこのガラス台座で吸収する方法が取られてきた。 However, in such a capacitive sensor, the beam has a thickness of several micrometers to several tens of micrometers. Therefore, even if a slight distortion is applied to the sensor chip from the outside, it is the same as when acceleration is applied. The movable electrode is displaced and the capacitance changes. For example, when a ceramic or plastic package with a sensor chip alone is mounted on a printed circuit board by soldering, the output of the sensor changes due to distortion caused by soldering heat. In addition, due to the change in ambient temperature, the temperature characteristics of the sensor deteriorate due to differences in thermal expansion coefficients among the solder, the printed board, and the package material. Therefore, in general, a method has been adopted in which a glass pedestal is bonded to the lower part of the sensor chip and external strain is absorbed by the glass pedestal.
しかしながら、最近の自動方向制御技術などの高性能化に伴い、より高感度な加速度センサが求められてきており、これを実現するものとして、外部からの不要応力をできるだけ排除でき、より微小な加速度でも検出できる加速度センサが要求されてきている。このため、外部応力によるセンサへの影響を極力なくす必要があり、極めて微弱な外部応力をもセンサに伝わらないようにすることが必要とされている。 However, with the recent enhancement of performance such as automatic direction control technology, more sensitive acceleration sensors have been demanded. To achieve this, unnecessary stress from the outside can be eliminated as much as possible, and even smaller acceleration can be achieved. However, an acceleration sensor that can be detected has been demanded. For this reason, it is necessary to minimize the influence of external stress on the sensor, and it is necessary to prevent extremely weak external stress from being transmitted to the sensor.
一方、他の従来例として、ピエゾ抵抗型の加速度センサにおいて、図8に示すように、センサチップ220への実装基板250の熱歪の影響を少なくするために、センサチップ220をガラス製の上キャップ240と下キャップ230で上下から被い、下キャップ230を逆四角錘状に形成して、実装基板250との接合面を四角錐台とした下端面232を構成し、センサ底面の中心付近の一部分のみで実装基板250と接合するものが提案されている(特許文献2参照)。
On the other hand, as another conventional example, in a piezoresistive acceleration sensor, as shown in FIG. 8, in order to reduce the influence of thermal strain of the
しかしながら、上記従来例では、加速度センサ200の裏面と実装基板250との接合が点状又は線状の下端面232で行われるため、接触部の面積が小さくて接合時に装着し難く、接合位置及び接合バランスが不安定になり、加速度センサ200の裏面と実装基板250の平行性が保たれ難くなるので、加速度センサ200が斜めに装着されて姿勢精度が低下し、実装傾きによるセンサ精度が劣化する虞があった。
However, in the above conventional example, the back surface of the
本発明は、上記の問題を解決するためになされたものであり、パッケージを通じてセンサチップに伝わろうとする外部からの歪を抑制し、不要な応力の検出を削減することにより、加速度センサの感度と精度を向上することができる静電容量式加速度センサを提供することを目的とする。 The present invention has been made in order to solve the above-described problem, and suppresses the external strain that is transmitted to the sensor chip through the package and reduces the detection of unnecessary stress, thereby improving the sensitivity of the acceleration sensor. It is an object of the present invention to provide a capacitance type acceleration sensor capable of improving accuracy.
上記目的を達成するために請求項1の発明は、加速度の変化を可動電極と固定電極の間に発生する静電容量の変化によって検出する静電容量式の加速度センサにおいて、前記可動電極、固定電極、及び可動電極部を可動とするビームが半導体基板を加工して形成されたセンサチップと、該センサチップの上下をそれぞれ封止するガラス基板と、一方のガラス基板が接着剤を用いて固定されるセラミック製の凹型パッケージと、を備え、前記接着剤が塗布される前記ガラス基板の面には、少なくとも外周部の一部を残して座グリが設けられているものである。
In order to achieve the above object, the invention according to
請求項2の発明は、請求項1に記載の加速度センサにおいて、前記接着剤が塗布される前記ガラス基板の面の残す部位は、外周部の向かい合う2辺であるものである。 According to a second aspect of the present invention, in the acceleration sensor according to the first aspect, the portions of the surface of the glass substrate to which the adhesive is applied are two opposite sides of the outer peripheral portion.
請求項3の発明は、請求項1に記載の加速度センサにおいて、前記接着剤が塗布される前記ガラス基板の面の残す部位は、外周部の4隅であるものである。 According to a third aspect of the present invention, in the acceleration sensor according to the first aspect, the portions of the surface of the glass substrate to which the adhesive is applied are the four corners of the outer peripheral portion.
請求項4の発明は、請求項1乃至請求項3のいずれかに記載の加速度センサにおいて、前記ガラス基板の各々は、陽極接合によりセンサチップに接合され、センサチップを気密状態で封止しているものである。 According to a fourth aspect of the present invention, in the acceleration sensor according to any one of the first to third aspects, each of the glass substrates is bonded to the sensor chip by anodic bonding, and the sensor chip is sealed in an airtight state. It is what.
請求項1の発明によれば、パッケージとの接触面となるガラス台座に座グリを設けたことにより、パッケージを通じて、センサに伝わろうとする外部からの歪は、ガラス台座の座グリ部分が変形することで吸収され、センサチップには伝わり難くできる。これにより、不要な外部の応力の検出を抑制でき、センサの感度を向上することができると共に、斜め実装のない平行な姿勢精度を保ち、センサの精度を高めることができる。 According to the first aspect of the present invention, by providing the counterbore on the glass pedestal that is a contact surface with the package, the counterbore part of the glass pedestal is deformed from the external strain to be transmitted to the sensor through the package. Can be absorbed and difficult to be transmitted to the sensor chip. Thereby, detection of unnecessary external stress can be suppressed, the sensitivity of the sensor can be improved, parallel accuracy without oblique mounting can be maintained, and the accuracy of the sensor can be increased.
請求項2の発明によれば、パッケージを通じてセンサに伝わろうとする外部からの歪は、外周部の向かい合う2辺から成るガラス基板の座グリ部分が変形することで吸収されて、センサに伝わり難くなるので、高感度で高精度にしたセンサチップを実装することができ、感度と精度を向上することができる。 According to the second aspect of the present invention, the external strain to be transmitted to the sensor through the package is absorbed by deformation of the spot facing portion of the glass substrate composed of two opposite sides of the outer peripheral portion, and is not easily transmitted to the sensor. Therefore, a sensor chip with high sensitivity and high accuracy can be mounted, and sensitivity and accuracy can be improved.
請求項3の発明によれば、パッケージを通じてセンサに伝わろうとする外部からの歪は、外周部の4隅から成るガラス基板の座グリ部分が変形することで吸収されて、センサチップにはさらに伝わり難くなる。 According to the third aspect of the present invention, the external strain to be transmitted to the sensor through the package is absorbed by deformation of the spot facing portion of the glass substrate formed by the four corners of the outer peripheral portion, and further transmitted to the sensor chip. It becomes difficult.
請求項4の発明によれば、ガラス基板と半導体基板との接合は、陽極接合により固相で行われるので高精度の接合が得られ、上下からガラスで気密封止することにより、プラスチック成型材料を用いた低圧成型も可能な静電容量式加速度センサを実現することができる。
According to the invention of
以下、本発明の第1の実施形態に係る静電容量式加速度センサについて図1乃至図4を参照して説明する。図1は本実施形態による加速度センサ1の外観を示し、図2は同加速度センサ1が、凹型パッケージ10(以下、パッケージと略す)に装着された状態を示し、図3は上記加速度センサ1におけるセンサチップ2を示し、図3(b)は(a)における実線で囲んだA部を拡大して示し、図4は加速度センサ1の断面を示す。なお、各図の対応する部材と同等部材には同一符号を付している(以下同様)。
Hereinafter, a capacitive acceleration sensor according to a first embodiment of the present invention will be described with reference to FIGS. FIG. 1 shows an appearance of the
図1、図2において、加速度センサ1は、半導体基板23を加工して形成されたセンサチップ2と、このセンサチップ2を上下より封止する上ガラス3(ガラス基板)及びガラス台座4(ガラス基板)により構成される。そして、ガラス台座4の裏面には、少なくとも外周部の一部を残して座グリ5が設けられ、この残された外周部の一部は、接着剤7を用いてセラミック製のパッケージ10の底面11に接合されている。
1 and 2, an
このように、座グリ5を設けたことにより、パッケージ10とガラス台座4との接合面積が大幅に削減される。従って、従来のようにセンサチップ2の底面の全面でパッケージ10と接触する場合に比べ、パッケージ10の温度変化等による歪が直接にセンサチップ2に伝わリ難くなる。これに加え、ガラス台座4の座グリ5が変形することにより、さらに歪が吸収されるので、この歪は、さらにセンサチップ2に伝わり難くなる。これにより、不要な応力の検出を抑制できるので、高感度で高精度にしたセンサチップ2を実装することができて、加速度センサ1の感度と精度を高めることができる。さらに、センサチップ2の上下から上ガラス3とガラス台座4で気密封止することにより、プラスチック成型材料を用いた低圧成型も可能な静電容量式加速度センサ1を実現することができる。
Thus, by providing the spot facing 5, the bonding area between the
図3、図4において、センサチップ2は、ガラス台座4の上部側にガラス台座4から離間して配置された可動電極部21と、可動電極部21を変位可能とするバネ性を有するビーム部22と、ビーム部22を介して可動電極部21を支持する支持部25と、複数の固定電極24bを有する櫛形状の固定電極部24と、可動電極部21の両端に櫛形状に設けられた複数の可動電極21aとを備えている。これらの固定電極24bと可動電極21aは、平行を成し、ともに加速度を検出する方向に直交して配置されている。
3 and 4, the
そして、可動電極部21の両側では、加速度を検出する方向に沿って固定電極24bと可動電極21aとが交互に並んでおり、隣り合う固定電極24b間の櫛溝24cに1つの可動電極21aが入り込み、かつ隣り合う可動電極21a間の櫛溝21b間に1つの固定電極24bが入り込んでいる。各固定電極24bは、これらを連結する連結部24aにより繋がって固定電極部24を形成している。
On both sides of the
上記構成の加速度センサ1においては、加速度が印加されると、可動電極部21がX方向において変位し、X軸方向の変化量に応じて固定電極部24の固定電極24bと可動電極21aとのギャップdが変化して両者間の静電容量が変化し、この静電容量の変化の大きさを測定することで印加された加速度の方向とその大きさが検出される。これを半導体集積回路(IC)により電圧変化に変換することにより、検出電気信号が取り出される。
In the
そして、ガラス台座4の底面には、座グリ5が底面内にほぼ対称に設けられ、かつセンサチップ2とガラス台座4の底面は平行に配設されている。このことにより、センサチップ2とガラス台座4の各平面間に傾きがないため、特に、静電容量の変化の検出を半導体基板23の平面内に構成された固定電極24bと可動電極21a間で検出する静電容量式加速度センサにおいては、実装基板に対し平行性を確保でき、実装傾きによる他軸感度の発生を抑制することができる。なお、ガラス台座4の表面側に設けられた可動電極部21、ビーム部22、固定電極24b、固定電極部24、可動電極21aは、半導体基板23である単結晶のシリコン基板をエッチング加工することによりシリコン基板の一部により形成されている。
And the
次に、本発明の第2の実施形態に係る静電容量式加速度センサについて、図5を参照して説明する。図5は、本実施形態による加速度センサ1の外観を示す。この加速度センサ1は、上記第1の実施形態のそれと基本的に同じ機能を持ち、接着剤が塗布されるガラス台座4(ガラス基板)の面の残す部位が、外周部の向かい合う2辺である点で前記実施形態と異なっている。
Next, a capacitive acceleration sensor according to a second embodiment of the present invention will be described with reference to FIG. FIG. 5 shows the appearance of the
加速度センサ1のガラス台座4(ガラス基板)は、その底面に長方形型の溝を成す座グリ5aを設けて、底面の残す部位を低減すると共に、残された平行な外部周辺の2辺8でバランスよくパッケージ10と接合されるので、高感度で精度の高い静電容量式加速度センサが得られる。また、接合時に接合面内の空気を座グリ5aから逃がすことができ、接着をやり易くすることができる。
The glass pedestal 4 (glass substrate) of the
次に、本発明の第3の実施形態に係る静電容量式加速度センサについて、図6を参照して説明する。図6(a)は、本実施形態による加速度センサ1の外観を示し、同図(b)は同センサ1がパッケージ10の底面11に実装された状態を示す。この加速度センサ1は、上記第1の実施形態のそれと基本的に同じ機能を持ち、接着剤7が塗布されるガラス台座4の面の残す部位が、外周部の4箇所の隅部9である点で前記実施形態と異なっている。
Next, a capacitive acceleration sensor according to a third embodiment of the present invention will be described with reference to FIG. FIG. 6A shows the appearance of the
加速度センサ1のガラス台座4は、その底面に十字型の座グリ5bを設け、底面の残す部位を低減すると共に、残された外部周辺の対称な4箇所の隅部9でバランスよくパッケージ10と接合されるので、高感度で精度の高い静電容量式加速度センサが得られる。また、接合時に接合面内の空気を座グリ5bから逃がすことができ、接着をやり易くすることができる。
The
以上述べたように、本実施形態による加速度センサ1によれば、パッケージ10に接合するガラス台座4の底面に座グリ5を、残存される外周部6をガラス台座4の底面において対称に広く設けることにより、パッケージ10とガラス台座4の接合面積を平行に保ちながら低減できる。これにより、パッケージ10を通じてセンサチップ2に伝わろうとする外部からの歪を座グリ5部分で吸収でき、センサチップ2における不要な応力の検出を抑制し、実装の姿勢精度を低下させることなく高感度で高精度の加速度センサを得ることができる。
As described above, according to the
また、陽極接合によりガラス基板と半導体基板の高精度の接合が得られ、センサチップを上下からガラスで気密封止することにより、プラスチック成型材料を用いた低圧成型も可能な静電容量式加速度センサを実現することができる。 Capacitive acceleration sensor that enables high-precision bonding between a glass substrate and a semiconductor substrate by anodic bonding, and enables low-pressure molding using plastic molding material by hermetically sealing the sensor chip with glass from above and below. Can be realized.
1 静電容量式加速度センサ
2 センサチップ
3 上ガラス(ガラス基板)
4 ガラス台座(ガラス基板)
5、5a、5b 座グリ
7 接着剤
8 二辺
9 隅部(隅)
10 凹型パッケージ
21 可動電極部
21a 可動電極
22 ビーム
23 半導体基板
24、24a、24b 固定電極
DESCRIPTION OF
4 Glass base (glass substrate)
5, 5a, 5b Spot facing 7
DESCRIPTION OF
Claims (4)
前記可動電極、固定電極、及び可動電極部を可動とするビームが半導体基板を加工して形成されたセンサチップと、
該センサチップの上下をそれぞれ封止するガラス基板と、
一方のガラス基板が接着剤を用いて固定されるセラミック製の凹型パッケージと、を備え、
前記接着剤が塗布される前記ガラス基板の面には、少なくとも外周部の一部を残して座グリが設けられていることを特徴とする加速度センサ。 In a capacitance type acceleration sensor that detects a change in acceleration by a change in capacitance generated between a movable electrode and a fixed electrode,
A sensor chip formed by processing a movable substrate, a fixed electrode, and a beam that moves the movable electrode portion by processing a semiconductor substrate;
Glass substrates for sealing the upper and lower sides of the sensor chip,
A ceramic concave package to which one glass substrate is fixed using an adhesive,
An acceleration sensor, characterized in that a counterbore is provided on the surface of the glass substrate to which the adhesive is applied, leaving at least a part of the outer periphery.
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