JP2011072905A - 水処理装置 - Google Patents
水処理装置 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2011072905A JP2011072905A JP2009226561A JP2009226561A JP2011072905A JP 2011072905 A JP2011072905 A JP 2011072905A JP 2009226561 A JP2009226561 A JP 2009226561A JP 2009226561 A JP2009226561 A JP 2009226561A JP 2011072905 A JP2011072905 A JP 2011072905A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- electrode
- cylindrical electrode
- injection holes
- water
- central axis
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Images
Abstract
【課題】放電によって発生するラジカル等の活性種を被処理水に効率よく作用させて、処理速度を向上させることができる水処理装置を提供する。
【解決手段】円筒状電極とこの円筒状電極の中心軸に沿って配置された線状電極との間に高電圧を印加することによって生じる放電空間内に噴射ノズルの複数の噴射孔72aから被処理水を水滴にして鉛直方向に噴射するとともに、前記複数の噴射孔72aを、円筒状電極の任意の水平断面において、円筒状電極の中心軸を始点とし前記水平断面に対する鉛直方向からの任意の噴射孔72aの投影位置を通過して円筒状電極の内壁面に達する全ての仮想線分Lが、他の噴射孔72aの投影位置を通過しないパターンに噴射孔72aを配置した。
【選択図】 図3
【解決手段】円筒状電極とこの円筒状電極の中心軸に沿って配置された線状電極との間に高電圧を印加することによって生じる放電空間内に噴射ノズルの複数の噴射孔72aから被処理水を水滴にして鉛直方向に噴射するとともに、前記複数の噴射孔72aを、円筒状電極の任意の水平断面において、円筒状電極の中心軸を始点とし前記水平断面に対する鉛直方向からの任意の噴射孔72aの投影位置を通過して円筒状電極の内壁面に達する全ての仮想線分Lが、他の噴射孔72aの投影位置を通過しないパターンに噴射孔72aを配置した。
【選択図】 図3
Description
本発明は、上水、下水、排水等に含有される有機物、無機物、微生物を放電により発生するラジカル、オゾン等の活性種により分解処理する水処理装置に関する。
従来から、上水、下水、産業排水、プールなどの分野で、水中の有機物の酸化分解、殺菌、脱臭等の処理のためにオゾンが用いられている(特許文献1参照)。
しかしながら、オゾンは酸化力が弱く、親水化、低分子化はできても無機化することはできない。また、ダイオキシン等の難分解性有機物は分解できない。
しかしながら、オゾンは酸化力が弱く、親水化、低分子化はできても無機化することはできない。また、ダイオキシン等の難分解性有機物は分解できない。
そこで、処理能力を向上させるために、放電によりオゾンを発生させるとともに、オゾンより酸化力が強いOHラジカルやOラジカル等を発生させ、このオゾン及びラジカルを含む放電空間に被処理水を曝すことによって、オゾンだけでなく、ラジカルによっても酸化処理するようにした水処理装置が提案されている(特許文献2参照)。
しかし、ラジカルは寿命が短く、消滅しやすく、そのため効率が悪く、上記のような先に提案された水処理装置ではラジカルによる酸化作用を十分に発揮させることができない。
しかし、ラジカルは寿命が短く、消滅しやすく、そのため効率が悪く、上記のような先に提案された水処理装置ではラジカルによる酸化作用を十分に発揮させることができない。
本発明は、上記事情に鑑みて、放電によって発生するラジカル等の活性種を被処理水に効率よく作用させて、処理速度を向上させることができる水処理装置を提供することを目的としている。
上記目的を達成するために、本発明にかかる水処理装置は、処理室内に、円筒状電極とこの円筒状電極の中心軸に沿って配置された線状電極とからなり、前記中心軸が鉛直線と平行である電極対を少なくとも1対有するとともに、各電極対の前記円筒状電極と線状電極との間に高電圧を印加することによって生じる放電空間内に電極対の上方に設けられた噴射ノズルの複数の噴射孔から被処理水を水滴状にして鉛直方向に噴射するようにした水処理装置であって、前記複数の噴射孔は、前記円筒状電極の任意の水平断面において、円筒状電極の前記中心軸を始点とし前記水平断面に対する鉛直方向からの任意の噴射孔の投影位置を通過して円筒状電極の内壁面に達する全ての仮想線分が、他の噴射孔の投影位置を非通過である配置の噴射孔を少なくとも1つ備えていることを特徴としている。
本発明の水処理装置において、複数の噴射孔は、仮想線分上に存在する噴射孔の数が増えるにしたがって、分解効率は低下するので、1つの噴射孔だけでなく、できるだけ多くの噴射孔が、上記全ての仮想線分が、他の噴射孔の投影位置を非通過であるパターンで配置されていることが好ましく、全ての噴射孔が、上記全ての仮想線分が、他の噴射孔の投影位置を非通過であるパターンで配置することが最も好ましい。
本発明において、噴射孔は、特に限定されないが、より処理効率が高くなることから、その円筒状電極の水平断面に対する投影位置が、線状電極近傍または円筒状電極の内壁面近傍に密となるように形成されていることが好ましい。
なお、円筒状電極の内壁面近傍とは、円筒状電極の中心軸を中心とする円筒半径の1/2径の仮想円筒と、円筒状電極の円筒内壁面とに囲まれた部分をいうが、円筒電極により近い位置に噴射孔が存在する方が好ましい。
一方、線状電極近傍とは、円筒状電極の中心軸を中心とする円筒半径の1/2径の仮想円筒と、線状電極の外周面とによって囲まれた部分をいうが、線状電極により近い位置に噴射孔が存在する方が好ましい。
一方、線状電極近傍とは、円筒状電極の中心軸を中心とする円筒半径の1/2径の仮想円筒と、線状電極の外周面とによって囲まれた部分をいうが、線状電極により近い位置に噴射孔が存在する方が好ましい。
噴射孔から噴射される水滴の径は、特に限定されないが、放電空間のプラズマに接触する体積あたりの表面積が大きくなり、処理効率が良くなるためで1500μm以下であることが好ましい。
円筒状電極及び線状電極の材質は、導電性があり耐食性に優れたものであれば、特に限定されないが、ステンレス鋼、チタンが好適である。
円筒状電極及び線状電極は、処理効率を考慮して複数対備えていても構わない。
円筒状電極及び線状電極は、処理効率を考慮して複数対備えていても構わない。
円筒状電極と線状電極との間に印加される放電電圧は、ストリーマ放電が起きる電圧であれば特に限定されない。
さらに、本発明の水処理装置においては、円筒状電極と線状電極との間に高電圧を印加する高圧電源や、水を受けて貯める貯水槽と、この貯水槽に貯められた水を被処理水として被処理水供給手段に送るポンプとからなる被処理水循環構造を備えていてもよい。
上記のように、本発明にかかる水処理装置は、処理室内に、円筒状電極とこの円筒状電極の中心軸に沿って配置された線状電極とからなり、前記中心軸が鉛直線と平行である電極対を少なくとも1対有するとともに、各電極対の前記円筒状電極と線状電極との間に高電圧を印加することによって生じる放電空間内に電極対の上方に設けられた噴射ノズルの複数の噴射孔から被処理水を水滴状にして鉛直方向に噴射するようにしたので、水滴状になった被処理水は、円筒状電極と線状電極との間で生じる縦長の円筒状をした放電空間内を落下していき、その間に、放電によって発生するオゾン、OHラジカル、Oラジカル等の活性種によって被処理水中に含まれる有機物が効率よく分解処理される。
しかも、本発明にかかる水処理装置は、円筒状電極の任意の水平断面において、円筒状電極の中心軸を始点とし前記水平断面に対する鉛直方向からの任意の噴射孔の投影位置を通過して円筒状電極の内壁面に達する全ての仮想線分が、他の噴射孔の投影位置を非通過である配置の噴射孔が少なくとも1つ存在するようにしたので、放電によって生じる高速電子が、各水滴に直接当たる確率が大きくなり、処理効率がより高くなる。
すなわち、円筒状電極の中心軸、すなわち、線状電極側からみて、水滴が立体的に重なると、高速電子が最初に当たった水滴によって消費されて、次の水滴に当たらない。
したがって、噴射孔の投影位置のみを通過する全ての仮想線分が、他の噴射孔の投影位置を非通過である噴射孔をできるだけ多く備えるパターンに複数の噴射孔を配置することが好ましく、全ての噴射孔が噴射孔の投影位置のみを通過する全ての仮想線分が、他の噴射孔の投影位置を非通過であるパターンに複数の噴射孔を配置することが最も好ましい。
しかも、本発明にかかる水処理装置は、円筒状電極の任意の水平断面において、円筒状電極の中心軸を始点とし前記水平断面に対する鉛直方向からの任意の噴射孔の投影位置を通過して円筒状電極の内壁面に達する全ての仮想線分が、他の噴射孔の投影位置を非通過である配置の噴射孔が少なくとも1つ存在するようにしたので、放電によって生じる高速電子が、各水滴に直接当たる確率が大きくなり、処理効率がより高くなる。
すなわち、円筒状電極の中心軸、すなわち、線状電極側からみて、水滴が立体的に重なると、高速電子が最初に当たった水滴によって消費されて、次の水滴に当たらない。
したがって、噴射孔の投影位置のみを通過する全ての仮想線分が、他の噴射孔の投影位置を非通過である噴射孔をできるだけ多く備えるパターンに複数の噴射孔を配置することが好ましく、全ての噴射孔が噴射孔の投影位置のみを通過する全ての仮想線分が、他の噴射孔の投影位置を非通過であるパターンに複数の噴射孔を配置することが最も好ましい。
以下に、本発明を、その実施の形態をあらわす図面を参照しつつ詳しく説明する。
図1は、本発明にかかる水処理装置の1つの実施の形態をあらわしている。
図1は、本発明にかかる水処理装置の1つの実施の形態をあらわしている。
図1に示すように、この水処理装置1は、処理室2と、円筒状電極3と、線状電極4と、被処理水タンク5と、ポンプ6と、噴射ノズルであるシャワーノズル7と、被処理水供給ホース71と、高圧電源である高電圧パルス発生装置8とを備えている。
処理室2は、例えば、アクリル樹脂等の絶縁材料で形成され、円筒状をした処理室本体21と、処理室本体21の下端を、通水孔22a部分を除いて閉鎖するように設けられた下部蓋部22とを備えている。
また、下部蓋部22は、被処理水タンク5の開口を上から塞ぐように設けられている。
処理室本体21内には、円筒状電極3及び線状電極4からなる1対の電極対が、円筒状電極3の中心軸が鉛直方向に向くように収容されている。
処理室2は、例えば、アクリル樹脂等の絶縁材料で形成され、円筒状をした処理室本体21と、処理室本体21の下端を、通水孔22a部分を除いて閉鎖するように設けられた下部蓋部22とを備えている。
また、下部蓋部22は、被処理水タンク5の開口を上から塞ぐように設けられている。
処理室本体21内には、円筒状電極3及び線状電極4からなる1対の電極対が、円筒状電極3の中心軸が鉛直方向に向くように収容されている。
円筒状電極3は、例えば、ステンレス鋼製の網を円筒状に加工することによって得られ、外径が処理室本体21の内径より少し小さくなっている。
線状電極4は、例えば、ステンレス鋼あるいはチタン製の線材で形成され、円筒状電極3の中心軸Oに沿うように設けられている。
線状電極4は、例えば、ステンレス鋼あるいはチタン製の線材で形成され、円筒状電極3の中心軸Oに沿うように設けられている。
ポンプ6は、被処理水タンク5内の被処理水Wを、被処理水供給ホース71を介してシャワーノズル7に送るようになっている。
シャワーノズル7は、被処理水供給ホース71を介して送られてきた被処理水Wを円筒状電極3の上部開口に向かって小さな水滴Mとして鉛直線に沿うように噴射するようになっている。
また、シャワーノズル7は、図2及び図3に示すように、平板状をした噴射部72を備え、この噴射部72に、多数の噴射孔72aが穿設されている。
各噴射孔72aは、円筒状電極3の任意の水平断面(以下、「投影面」と記す)に各噴射孔72aを投影したとき、各噴射孔72aの投影位置を通過する円筒状電極3の中心軸Oを始点とし円筒状電極3の内壁面に達する全ての仮想線分L(なお、図3では、噴射孔72aの投影位置の中心を通る一部の仮想線分Lのみを記している)が、それぞれ他の噴射孔72aの投影位置を非通過となるパターンで鉛直線に平行に穿設されている。
すなわち、投影面上にある無数の仮想線分は、いずれも2つ以上の噴射孔72aの投影位置を通過することがない。
また、噴射孔72aは、投影面での投影位置が円筒状電極3の内周面近傍のリング状部分にのみ設けられている。
また、シャワーノズル7は、図2及び図3に示すように、平板状をした噴射部72を備え、この噴射部72に、多数の噴射孔72aが穿設されている。
各噴射孔72aは、円筒状電極3の任意の水平断面(以下、「投影面」と記す)に各噴射孔72aを投影したとき、各噴射孔72aの投影位置を通過する円筒状電極3の中心軸Oを始点とし円筒状電極3の内壁面に達する全ての仮想線分L(なお、図3では、噴射孔72aの投影位置の中心を通る一部の仮想線分Lのみを記している)が、それぞれ他の噴射孔72aの投影位置を非通過となるパターンで鉛直線に平行に穿設されている。
すなわち、投影面上にある無数の仮想線分は、いずれも2つ以上の噴射孔72aの投影位置を通過することがない。
また、噴射孔72aは、投影面での投影位置が円筒状電極3の内周面近傍のリング状部分にのみ設けられている。
高電圧パルス発生装置8は、例えば、以下のように動作する。
高圧直流電源からの電流が抵抗を介してコンデンサに供給され、コンデンサが充電される。目標電圧までコンデンサが充電された後、トリガ回路からの高電圧のトリガパルスによりトリガトロンギャップスイッチがオン状態になる。このとき、コンデンサに充電された電荷がパルストランスの1次側に流れ込み、相互インダクタンスにより2次側にパルス状の誘起電圧が発生する。
高圧直流電源からの電流が抵抗を介してコンデンサに供給され、コンデンサが充電される。目標電圧までコンデンサが充電された後、トリガ回路からの高電圧のトリガパルスによりトリガトロンギャップスイッチがオン状態になる。このとき、コンデンサに充電された電荷がパルストランスの1次側に流れ込み、相互インダクタンスにより2次側にパルス状の誘起電圧が発生する。
すなわち、高圧パルス発生装置8は、このようにしてパルストランスの2次側に生じた高電圧パルスが、接地電極である円筒状電極3と高圧印加電極である線状電極4と間に印加されて、円筒状電極3と線状電極4との間でストリーマ放電を起こすようになっている。
この水処理装置1は、上記のようになっており、被処理水タンク5に有機物等を含む被処理水Wを仕込むとともに、高電圧パルス発生装置8によって、円筒状電極3と線状電極4との間に、高電圧をパルス状に印加し、円筒状電極3内に線状電極4から円筒状電極3に向かって放電し、見かけ上、上下方向に円柱状となったストリーマ放電空間を形成する。
そして、ポンプ6を駆動させて、被処理水タンク5内の被処理水Wを、ホース71を介してシャワーノズル7に送り、噴射部72の噴射孔72aから円筒状電極3の円筒内近傍に向かって噴射することによって被処理水Wを循環しながら処理するようになっている。
そして、ポンプ6を駆動させて、被処理水タンク5内の被処理水Wを、ホース71を介してシャワーノズル7に送り、噴射部72の噴射孔72aから円筒状電極3の円筒内近傍に向かって噴射することによって被処理水Wを循環しながら処理するようになっている。
すなわち、ストリーマ放電によって、オゾン、OHラジカル、Oラジカル等の活性種が放電空間内に発生し、シャワーノズル7から噴射された水滴Mが円筒状電極3内の円筒状をした放電空間内を落下していく間にこれら活性種に接触し、各水滴M中の有機物が効率よく酸化分解処理される。
また、各噴射孔72aの投影面に対する鉛直方向の投影位置が、投影面上で円筒状電極3の中心軸を始点とし円筒状電極3の内壁面に達する仮想線分Lが2つ以上の噴射孔72aの投影位置を通過しないパターンとなるように噴射孔72aが設けられているので、すなわち、円筒状電極3内を垂直方向に落下する各水滴が、円筒状電極3の中心軸に沿って配置される線状電極4からみて、オーバーラップすることがないので、放電によって生じる高速電子が確実に各水滴にあたり、処理効率がより高くなる。
また、各噴射孔72aの投影面に対する鉛直方向の投影位置が、投影面上で円筒状電極3の中心軸を始点とし円筒状電極3の内壁面に達する仮想線分Lが2つ以上の噴射孔72aの投影位置を通過しないパターンとなるように噴射孔72aが設けられているので、すなわち、円筒状電極3内を垂直方向に落下する各水滴が、円筒状電極3の中心軸に沿って配置される線状電極4からみて、オーバーラップすることがないので、放電によって生じる高速電子が確実に各水滴にあたり、処理効率がより高くなる。
なお、本発明は、上記の実施の形態に限定されない。例えば、上記の実施の形態では、高電圧パルス発生装置を備えていたが、高電圧パルス発生装置は市販のものを別途用意するようにしても構わない。
上記の実施の形態では、処理室がアクリル樹脂で形成されていたが、ストリーマ放電によって発生する活性種に対しての耐久性を備えたものが好ましく、例えば、金網入りの繊維強化樹脂(FRP)でも構わない。
上記の実施の形態では、処理室がアクリル樹脂で形成されていたが、ストリーマ放電によって発生する活性種に対しての耐久性を備えたものが好ましく、例えば、金網入りの繊維強化樹脂(FRP)でも構わない。
以下に、本発明の具体的な実施例を比較例と対比させて説明する。
(実施例1)
図1に示す水処理装置1を用い、以下の実験条件で精製水にインジゴカルミンが20ppmの濃度で含まれる被処理水を処理し、紫外可視分光光度計(島津製作所社製商品名UVmini−1240)を用いて610nmでの被処理水の吸光度の経時変化、すなわち、濃度変化を調べた。
〔実験条件〕
被処理水量:5.1リットル
被処理水の噴射速度(循環速度):7L/分
パルス電圧:20kV
放電回数:250回/秒
円筒状電極3のメッシュ:10メッシュ
円筒状電極3の内径:39.5mm
円筒状電極3の長さ(中心軸方向の長さ):300mm
円筒状電極3の材質:ステンレス鋼
線状電極4の直径:0.28mm
線状電極4の材質:ステンレス鋼
シャワーノズル7の噴射部から円筒状電極3までの距離:200mm
シャワーノズル7は、図2に示すように、噴射部となるステンレス鋼製の直径140mmの円板の中心より半径10mmの円周と、半径20mmの円周との間で直径0.4mmの噴射孔72aを3.8mmの間隔で均等に、かつ、図3に示すように、各噴射孔72aの投影位置を通過する全ての仮想線分Lがそれぞれ他の噴射孔72aの投影位置を通らないパターンとなるように、噴射孔72aを60個垂直に設けた。
(実施例1)
図1に示す水処理装置1を用い、以下の実験条件で精製水にインジゴカルミンが20ppmの濃度で含まれる被処理水を処理し、紫外可視分光光度計(島津製作所社製商品名UVmini−1240)を用いて610nmでの被処理水の吸光度の経時変化、すなわち、濃度変化を調べた。
〔実験条件〕
被処理水量:5.1リットル
被処理水の噴射速度(循環速度):7L/分
パルス電圧:20kV
放電回数:250回/秒
円筒状電極3のメッシュ:10メッシュ
円筒状電極3の内径:39.5mm
円筒状電極3の長さ(中心軸方向の長さ):300mm
円筒状電極3の材質:ステンレス鋼
線状電極4の直径:0.28mm
線状電極4の材質:ステンレス鋼
シャワーノズル7の噴射部から円筒状電極3までの距離:200mm
シャワーノズル7は、図2に示すように、噴射部となるステンレス鋼製の直径140mmの円板の中心より半径10mmの円周と、半径20mmの円周との間で直径0.4mmの噴射孔72aを3.8mmの間隔で均等に、かつ、図3に示すように、各噴射孔72aの投影位置を通過する全ての仮想線分Lがそれぞれ他の噴射孔72aの投影位置を通らないパターンとなるように、噴射孔72aを60個垂直に設けた。
(実施例2)
線状電極としてチタン製のものを用いた以外は、実施例1と同様にして、濃度変化を調べた。
線状電極としてチタン製のものを用いた以外は、実施例1と同様にして、濃度変化を調べた。
(実施例3)
図4に示すように、噴射孔72aを直径140mmの円板の中心より直径40mmの仮想円に囲まれた部分において、直径32mmの仮想円(図示せず)上に直径0.4mmの15個の噴射孔72aを扇角24°のピッチで設けた。また、直径24mmの仮想円(図示せず)上に直径0.4mmの15個の噴射孔72aを直径32mmの仮想円上の噴射孔72aに対して6°ずれた状態で扇角24°のピッチで設けた。
同様に、外側の仮想円上の噴射孔72aに対して6°ずれた状態で直径16mmの仮想円上及び直径8mmの仮想円上に15個ずつの噴射孔72aを設けた。
すなわち、図4に示すように、60個の噴射孔72aを上記のパターンで、垂直に設けた以外は、実施例1と同様にして、濃度変化を調べた。
なお、図4に示すLは、各噴射孔72aの中心を通る仮想線分である。
図4に示すように、噴射孔72aを直径140mmの円板の中心より直径40mmの仮想円に囲まれた部分において、直径32mmの仮想円(図示せず)上に直径0.4mmの15個の噴射孔72aを扇角24°のピッチで設けた。また、直径24mmの仮想円(図示せず)上に直径0.4mmの15個の噴射孔72aを直径32mmの仮想円上の噴射孔72aに対して6°ずれた状態で扇角24°のピッチで設けた。
同様に、外側の仮想円上の噴射孔72aに対して6°ずれた状態で直径16mmの仮想円上及び直径8mmの仮想円上に15個ずつの噴射孔72aを設けた。
すなわち、図4に示すように、60個の噴射孔72aを上記のパターンで、垂直に設けた以外は、実施例1と同様にして、濃度変化を調べた。
なお、図4に示すLは、各噴射孔72aの中心を通る仮想線分である。
(実施例4)
線状電極としてチタン製のものを用いた以外は、実施例3と同様にして、濃度変化を調べた。
線状電極としてチタン製のものを用いた以外は、実施例3と同様にして、濃度変化を調べた。
(実施例5)
図5に示すように、噴射孔72aを直径140mmの円板の中心より直径20mmの仮想円の内側において、直径16mmの仮想円(図示せず)上に直径0.4mmの15個の噴射孔72aを扇角24°のピッチで設けた。また、直径12mmの仮想円(図示せず)上に直径0.4mmの15個の噴射孔72aを直径16mmの仮想円上の噴射孔72aに対して6°ずれた状態で扇角24°のピッチで設けた。
同様に、外側の仮想円上の噴射孔72aに対して6°ずれた状態で直径8mmの仮想円上及び直径4mmの仮想円上に15個ずつの噴射孔72aを設けた。
なお、この実施例5においては、図6に示すように、最も中心軸O側に設けられた
噴射孔72aの投影位置を通る全ての仮想線分は実線で示す仮想線分Laと仮想線分Laとの間の扇形部分に存在し、中心軸Oから2段目に設けられた噴射孔72aの投影位置を通る全ての仮想線分は破線で示す仮想線分Ldと仮想線分Ldとの間の扇形部分に存在し、中心軸Oから3段目に設けられた噴射孔72aの投影位置を通る全ての仮想線分は二点鎖線で示す仮想線分Lcと仮想線分Lcとの間の扇形部分に存在し、中心軸Oから4段目に設けられた噴射孔72aの投影位置を通る全ての仮想線分は一点鎖線で示す仮想線分Lbと仮想線分Lbとの間の扇形部分に存在する。
したがって、この実施例5においては、最も中心軸O側に設けられた噴射孔72aの投影位置を通る仮想線分Lの一部が中心軸Oから2段目あるいは中心軸Oから4段目に設けられた噴射孔72aの投影位置を通る。すなわち、一部の仮想線分Lが2つの噴射孔72aの投影位置を通るようになっている。
なお、図5に示すLは、各噴射孔72aの中心を通る仮想線分である。
図5に示すように、噴射孔72aを直径140mmの円板の中心より直径20mmの仮想円の内側において、直径16mmの仮想円(図示せず)上に直径0.4mmの15個の噴射孔72aを扇角24°のピッチで設けた。また、直径12mmの仮想円(図示せず)上に直径0.4mmの15個の噴射孔72aを直径16mmの仮想円上の噴射孔72aに対して6°ずれた状態で扇角24°のピッチで設けた。
同様に、外側の仮想円上の噴射孔72aに対して6°ずれた状態で直径8mmの仮想円上及び直径4mmの仮想円上に15個ずつの噴射孔72aを設けた。
なお、この実施例5においては、図6に示すように、最も中心軸O側に設けられた
噴射孔72aの投影位置を通る全ての仮想線分は実線で示す仮想線分Laと仮想線分Laとの間の扇形部分に存在し、中心軸Oから2段目に設けられた噴射孔72aの投影位置を通る全ての仮想線分は破線で示す仮想線分Ldと仮想線分Ldとの間の扇形部分に存在し、中心軸Oから3段目に設けられた噴射孔72aの投影位置を通る全ての仮想線分は二点鎖線で示す仮想線分Lcと仮想線分Lcとの間の扇形部分に存在し、中心軸Oから4段目に設けられた噴射孔72aの投影位置を通る全ての仮想線分は一点鎖線で示す仮想線分Lbと仮想線分Lbとの間の扇形部分に存在する。
したがって、この実施例5においては、最も中心軸O側に設けられた噴射孔72aの投影位置を通る仮想線分Lの一部が中心軸Oから2段目あるいは中心軸Oから4段目に設けられた噴射孔72aの投影位置を通る。すなわち、一部の仮想線分Lが2つの噴射孔72aの投影位置を通るようになっている。
なお、図5に示すLは、各噴射孔72aの中心を通る仮想線分である。
(実施例6)
線状電極としてチタン製のものを用いた以外は、実施例5と同様にして、濃度変化を調べた。
線状電極としてチタン製のものを用いた以外は、実施例5と同様にして、濃度変化を調べた。
(比較例1)
図7に示すように、外側の仮想円上の噴射孔72aと内側の仮想円上の噴射孔72aとが6°ずれず、仮想線分Lが4つの噴射孔72aをそれぞれ通るようにした以外は、実施例3と同様にして、濃度変化を調べた。
なお、図7に示すLは、各噴射孔72aの中心を通る仮想線分である。
図7に示すように、外側の仮想円上の噴射孔72aと内側の仮想円上の噴射孔72aとが6°ずれず、仮想線分Lが4つの噴射孔72aをそれぞれ通るようにした以外は、実施例3と同様にして、濃度変化を調べた。
なお、図7に示すLは、各噴射孔72aの中心を通る仮想線分である。
(比較例2)
線状電極としてチタン製のものを用いた以外は、比較例1と同様にして、濃度変化を調べた。
線状電極としてチタン製のものを用いた以外は、比較例1と同様にして、濃度変化を調べた。
上記実施例1〜6及び比較例1,2で得られた濃度変化のデータから分解効率を演算し、その結果を、表1及び図8に示した。
なお、分解効率は、以下の演算式で求めた。
分解効率(%)=濃度低下率(%)÷消費電力(W)
なお、上記濃度低下率(%)は、(インジゴカルミン初期濃度(20ppm)と処理時間t分後のインジゴカルミン濃度(ppm)との差を、インジゴカルミン初期濃度で除することによって求めた値である。
上記消費電力(W)は、処理開始から処理時間t分後までの円筒状電極及び線状電極間の電圧波形および電流波形の積を積分して放電エネルギーを求め、この放電エネルギーに周波数を乗ずることによって求めた値である。
なお、分解効率は、以下の演算式で求めた。
分解効率(%)=濃度低下率(%)÷消費電力(W)
なお、上記濃度低下率(%)は、(インジゴカルミン初期濃度(20ppm)と処理時間t分後のインジゴカルミン濃度(ppm)との差を、インジゴカルミン初期濃度で除することによって求めた値である。
上記消費電力(W)は、処理開始から処理時間t分後までの円筒状電極及び線状電極間の電圧波形および電流波形の積を積分して放電エネルギーを求め、この放電エネルギーに周波数を乗ずることによって求めた値である。
上記表1及び図8から、複数の噴射孔を、その円筒状電極の水平断面に対する鉛直方向からの各噴射孔の投影位置を通るとともに、前記水平断面上で円筒状電極の前記中心軸から円筒状電極の内壁面に達する複数本の仮想線分のうち、少なくともいずれか1本の仮想線分が、1つ噴射孔の投影位置のみを通るパターンに配置すれば、より分解効率が向上することがわかる。
さらに、全体に均等に噴射孔72aを配置するよりも、円筒状電極3の近傍あるいは線状電極4の近傍に密に設ければより分解効率が向上することがよくわかる。
さらに、全体に均等に噴射孔72aを配置するよりも、円筒状電極3の近傍あるいは線状電極4の近傍に密に設ければより分解効率が向上することがよくわかる。
本発明の水処理装置は、特に限定されないが、例えば、有機物を含む排水の浄化、汚染水の殺菌などに用いることができる。
1 水処理装置
2 処理室
3 円筒状電極
4 線状電極
5 被処理水タンク
6 ポンプ
7 シャワーノズル(噴霧ノズル)
72 噴射部
72a 噴射孔
8 高電圧パルス発生装置(高圧電源)
L,La,Lb,Lc,Ld 仮想線分
W 被処理水
M 水滴
2 処理室
3 円筒状電極
4 線状電極
5 被処理水タンク
6 ポンプ
7 シャワーノズル(噴霧ノズル)
72 噴射部
72a 噴射孔
8 高電圧パルス発生装置(高圧電源)
L,La,Lb,Lc,Ld 仮想線分
W 被処理水
M 水滴
Claims (4)
- 処理室内に、円筒状電極とこの円筒状電極の中心軸に沿って配置された線状電極とからなり、前記中心軸が鉛直線と平行である電極対を少なくとも1対有するとともに、
各電極対の前記円筒状電極と線状電極との間に高電圧を印加することによって生じる放電空間内に電極対の上方に設けられた噴射ノズルの複数の噴射孔から被処理水を水滴状にして鉛直方向に噴射するようにした水処理装置であって、
前記複数の噴射孔は、前記円筒状電極の任意の水平断面において、円筒状電極の前記中心軸を始点とし前記水平断面に対する鉛直方向からの任意の噴射孔の投影位置を通過して円筒状電極の内壁面に達する全ての仮想線分が、他の噴射孔の投影位置を非通過である配置の噴射孔を少なくとも1つ備えていることを特徴とする水処理装置。 - 処理室内に、円筒状電極とこの円筒状電極の中心軸に沿って配置された線状電極とからなり、前記中心軸が鉛直線と平行である電極対を少なくとも1対有するとともに、
各電極対の前記円筒状電極と線状電極との間に高電圧を印加することによって生じる放電空間内に電極対の上方に設けられた噴射ノズルの複数の噴射孔から被処理水を水滴状にして鉛直方向に噴射するようにした水処理装置であって、
前記複数の噴射孔は、前記円筒状電極の任意の水平断面において、円筒状電極の前記中心軸を始点とし前記水平断面に対する鉛直方向からの任意の噴射孔の投影位置を通過して円筒状電極の内壁面に達する全ての仮想線分が、他の噴射孔の投影位置を非通過であるパターンで配置されていることを特徴とする水処理装置。 - 噴射孔は、その円筒状電極の水平断面に対する投影位置が、線状電極近傍または円筒状電極の内壁面近傍に密となるように形成されている請求項1または請求項2に記載の水処理装置。
- 噴射孔から噴射される水滴の径が1500μm以下である請求項1〜請求項3のいずれかに記載の水処理装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2009226561A JP2011072905A (ja) | 2009-09-30 | 2009-09-30 | 水処理装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2009226561A JP2011072905A (ja) | 2009-09-30 | 2009-09-30 | 水処理装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2011072905A true JP2011072905A (ja) | 2011-04-14 |
Family
ID=44017482
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2009226561A Pending JP2011072905A (ja) | 2009-09-30 | 2009-09-30 | 水処理装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2011072905A (ja) |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2012236130A (ja) * | 2011-05-11 | 2012-12-06 | Sekisui Chem Co Ltd | 水処理装置 |
JP2015171672A (ja) * | 2014-03-11 | 2015-10-01 | 三菱電機株式会社 | 水処理装置及び水処理方法 |
CN113041373A (zh) * | 2021-04-29 | 2021-06-29 | 北京航天三发高科技有限公司 | 一种切削液紫外线消毒装置及其消毒效率的确定方法 |
CN114728259A (zh) * | 2019-09-11 | 2022-07-08 | 博奥普缇赛普特科技公司 | 脉冲电场室 |
-
2009
- 2009-09-30 JP JP2009226561A patent/JP2011072905A/ja active Pending
Cited By (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2012236130A (ja) * | 2011-05-11 | 2012-12-06 | Sekisui Chem Co Ltd | 水処理装置 |
JP2015171672A (ja) * | 2014-03-11 | 2015-10-01 | 三菱電機株式会社 | 水処理装置及び水処理方法 |
CN114728259A (zh) * | 2019-09-11 | 2022-07-08 | 博奥普缇赛普特科技公司 | 脉冲电场室 |
CN114728259B (zh) * | 2019-09-11 | 2024-03-12 | 博奥普缇赛普特科技公司 | 脉冲电场室 |
CN113041373A (zh) * | 2021-04-29 | 2021-06-29 | 北京航天三发高科技有限公司 | 一种切削液紫外线消毒装置及其消毒效率的确定方法 |
CN113041373B (zh) * | 2021-04-29 | 2023-09-08 | 北京航天三发高科技有限公司 | 一种切削液紫外线消毒装置及其消毒效率的确定方法 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
Vanraes et al. | Electrical discharge in water treatment technology for micropollutant decomposition | |
Murugesan et al. | Water decontamination using non-thermal plasma: Concepts, applications, and prospects | |
WO2010055729A1 (ja) | 水処理装置 | |
JP4813443B2 (ja) | 水処理装置 | |
JP2009241055A (ja) | 水処理装置 | |
JP2011072905A (ja) | 水処理装置 | |
US9409800B2 (en) | Electric arc for aqueous fluid treatment | |
JP4934119B2 (ja) | 水処理装置 | |
Ghasemi et al. | A review of pulsed power systems for degrading water pollutants ranging from microorganisms to organic compounds | |
JP5654946B2 (ja) | 水処理装置 | |
KR200433568Y1 (ko) | 분사식 이온 발생장치 | |
JP2003320373A (ja) | ラジカル処理装置 | |
JP2011067790A (ja) | 水処理装置 | |
KR20070071805A (ko) | 고도산화방식의 과일 세척기 | |
JP2010207718A (ja) | 水処理装置 | |
JP2014117639A (ja) | 被処理水中のジオキサン分解処理方法 | |
JP5534846B2 (ja) | 水処理装置 | |
KR100304461B1 (ko) | 오수정화장치 | |
KR20180098435A (ko) | 플라즈마 발생장치 및 이를 구비한 수처리 시스템 | |
KR102268724B1 (ko) | 고밀도 융합 플라즈마 살균 및 탈취기 | |
KR102146200B1 (ko) | 고밀도 융합 플라즈마 살균 및 탈취기 | |
KR101479261B1 (ko) | 액체 공급 장치 및 이를 이용한 플라즈마 수처리 장치 | |
KR102035726B1 (ko) | 수처리용 기액접촉장치 | |
JP2011251275A (ja) | 水処理方法及びこの水処理方法に用いる水処理装置 | |
JP2013215682A (ja) | 水処理方法及びこの水処理方法に用いる水処理装置 |