JP2011070009A - Degassing device for pellicle and degassing method for the same - Google Patents

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Takahiro Matsuura
孝浩 松浦
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  • Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)

Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To reduce outgas from a pellicle and gas adsorbing onto the pellicle from the environment during storage. <P>SOLUTION: A degassing device for a pellicle is provided, including a chamber 3 holding a pellicle 1 inside, a gas inlet system 5 introducing an atmospheric gas into the chamber 3, and a controller 7 controlling the gas inlet system 5 so as to adjust the atmospheric gas to a required gas flow rate and required gas pressure and to introduce the gas into the chamber 3. <P>COPYRIGHT: (C)2011,JPO&INPIT

Description

本発明は、ペリクルから排出されるアウトガス及び保存環境から吸着するガスを低減するためのペリクルの脱ガス装置及びその脱ガス方法に関する。   The present invention relates to a pellicle degassing apparatus and a degassing method for reducing outgas discharged from a pellicle and gas adsorbed from a storage environment.

半導体素子や液晶表示素子の製造工程の1つであるフォトリソグラフィ工程では、ガラス板表面にクロムやモリブデンやケイ素及びその酸化物や窒化物を蒸着したものをパターニングしたフォトマスクを回路原版として使用している。このフォトマスクに光を照射し、レジスト塗布したシリコンウェハや液晶板上に回路パターンを転写している。   In the photolithography process, which is one of the manufacturing processes of semiconductor elements and liquid crystal display elements, a photomask is used as a circuit original plate, which is patterned on the glass plate surface by vapor deposition of chromium, molybdenum, silicon, and oxides and nitrides thereof. ing. The photomask is irradiated with light, and a circuit pattern is transferred onto a resist-coated silicon wafer or liquid crystal plate.

しかし、光の照射時にフォトマスク上に異物が付着していると、照射光の吸収,散乱,回折が起こり、形成されたマスクパターンとは異なる回路パターンがシリコンウェハや液晶板上に転写され、製品の歩留まり低下を引き起こす問題がある。   However, if foreign matter adheres to the photomask during light irradiation, absorption, scattering, and diffraction of the irradiation light occur, and a circuit pattern different from the formed mask pattern is transferred onto the silicon wafer or liquid crystal plate. There is a problem that causes a decrease in the yield of products.

そこで、フォトマスク製造工程では、フォトマスクを洗浄して異物が無い状態にした後、当該フォトマスクに目的波長の光を透過させる,いわゆる異物防護冶具であるペリクルによりパターンを覆うように貼り付ける方法が行われている。   Therefore, in the photomask manufacturing process, after the photomask is washed to make it free from foreign matter, the pattern is covered with a pellicle which is a so-called foreign matter protection jig that transmits light of a target wavelength to the photomask. Has been done.

従来の一般的なペリクルは、アルミニウムなどの金属及びその酸化物からなるフレームに、アクリル系樹脂やフッ素ポリマーからなる接着剤を用い、セルロースやフッ素ポリマーからなるメンブレン(ペリクル膜)を接着したもので、このペリクルをアクリル系樹脂やシリコーン樹脂からなる接着剤でフォトマスクに接着させる。   A conventional general pellicle is a frame made of a metal such as aluminum and its oxide, and an adhesive made of acrylic resin or fluoropolymer, and a membrane (pellicle film) made of cellulose or fluoropolymer adhered. The pellicle is bonded to the photomask with an adhesive made of acrylic resin or silicone resin.

ところで、近年,LSIなどの半導体素子では、パターンの微細化に伴って、リソグラフィの露光波長が、g線(436nm)からi線(365nm)、krFエキシマレーザー(248nm)、ArFエキシマレーザー(193nm)と、短波長化の方向に移行してきている。   By the way, in recent years, in semiconductor elements such as LSI, as the pattern becomes finer, the exposure wavelength of lithography changes from g-line (436 nm) to i-line (365 nm), krF excimer laser (248 nm), ArF excimer laser (193 nm). The trend is toward shorter wavelengths.

しかし、露光波長が短波長化すると、照射エネルギーが増加し、フォトマスク上及びペリクル上、またはフォトマスクとペリクルに囲まれた空間内に存在する各種物質の化学反応が促進され、成長性の異物が生成する。この成長性異物がフォトマスク上及びペリクル上に凝集したものは、クモリもしくはヘイズと呼ばれ、パターニングの観点から非常に問題視されている。特に、エキシマレーザーでは、露光雰囲気中に存在する酸素がオゾンに変化することから、各種物質の酸化反応が促進され、著しくフォトマスクの品質を低下させてしまう。   However, when the exposure wavelength is shortened, the irradiation energy increases, and the chemical reaction of various substances existing on the photomask and the pellicle or in the space surrounded by the photomask and the pellicle is promoted, so that a growing foreign substance Produces. Such a growth foreign material aggregated on a photomask and a pellicle is called a spider or haze and is regarded as a very problem from the viewpoint of patterning. In particular, in the excimer laser, oxygen present in the exposure atmosphere is changed to ozone, so that the oxidation reaction of various substances is promoted and the quality of the photomask is remarkably deteriorated.

そこで、従来、ヘイズの原因となり得るペリクル部材からのアウトガスに下限値を設けて低減する技術が提案されている(特許文献1)。   Therefore, conventionally, there has been proposed a technique for reducing the outgas from the pellicle member that may cause haze by providing a lower limit (Patent Document 1).

また、ペリクル付フォトマスク全体をガス置換可能としたユニットを有する露光装置ならびにその露光方法が提案されている。この露光装置及び露光方法では、露光中もフォトマスク上及びペリクル上、またはフォトマスクとペリクルに囲まれた空間を常に不活性ガスでパージする方法である(特許文献2)。   An exposure apparatus having a unit capable of gas replacement of the entire photomask with pellicle and an exposure method therefor have been proposed. This exposure apparatus and exposure method is a method in which the space on the photomask and pellicle or the space surrounded by the photomask and pellicle is always purged with an inert gas even during exposure (Patent Document 2).

特開2007−333910号公報JP 2007-333910 A 特開2002−196478号公報JP 2002-196478 A

ところで、特許文献1に記載される技術によれば、ペリクル部材そのもののアウトガスを低減することから、ヘイズの抑制に有効な手段となるが、フォトマスク製造工程でのペリクル部材の保管時に工程雰囲気中などから新たに吸着されるガス成分については制御することができない。   By the way, according to the technique described in Patent Document 1, since the outgas of the pellicle member itself is reduced, it becomes an effective means for suppressing haze, but in the process atmosphere when the pellicle member is stored in the photomask manufacturing process. Therefore, it is impossible to control the newly adsorbed gas component.

また、特許文献2に記載される技術では、ペリクル部材やフォトマスク部材に親和性、吸着性のある化学物質を不活性パージガスで完全に置換することが難しい上、装置の開発や改造にコストがかかるため、未だ実用の域に達していない。結果、フォトマスク上及びペリクル上の成長性異物は撲滅されていない。   In addition, in the technique described in Patent Document 2, it is difficult to completely replace a chemical substance having affinity and adsorptivity with a pellicle member or a photomask member with an inert purge gas, and the development and modification of the apparatus are costly. Therefore, it has not yet reached the practical range. As a result, the growing foreign matter on the photomask and the pellicle is not eradicated.

そこで、生成した成長性異物を除去するには、フォトマスクからペリクルを剥がし、フォトマスクを洗浄する必要がある。   Therefore, in order to remove the generated growth foreign matter, it is necessary to peel the pellicle from the photomask and clean the photomask.

以上のような作業は、半導体素子や液晶表示素子の製造工程における生産能力を低下させ、更には製造コストの増加を招くといった問題がある。   The above operations have a problem in that the production capacity in the manufacturing process of the semiconductor element and the liquid crystal display element is lowered, and further, the manufacturing cost is increased.

本発明は上記事情に鑑みて成されたものであって、ペリクル部材から発生するアウトガスやペリクル部材保管時に環境から吸着する吸着ガスを確実に脱ガスし低減するペリクルの脱ガス装置及びその脱ガス方法を提供することを目的とする。   The present invention has been made in view of the above circumstances, and a degassing device for a pellicle that reliably degass and reduces outgas generated from the pellicle member and adsorbed gas adsorbed from the environment when the pellicle member is stored, and its degassing. It aims to provide a method.

上記課題を解決するために、本発明は、ペリクルを内部に保持するチャンバーと、このチャンバー内に雰囲気ガスを導入するガス導入系と、このガス導入系を制御することにより、前記雰囲気ガスを所要のガス流量及び所要のガス圧力に調節して前記チャンバー内に導入するコントローラとを備え、ペリクルを内部に保持するチャンバーを通してペリクルを熱し、ペリクルからのアウトガスやペリクル部材保管時に環境から吸着するガスを離脱させるようにするペリクルの脱ガス装置である。   In order to solve the above-described problems, the present invention requires a chamber for holding a pellicle therein, a gas introduction system for introducing an atmospheric gas into the chamber, and controlling the gas introduction system to thereby supply the atmospheric gas. A controller that adjusts the gas flow rate and the required gas pressure to introduce the gas into the chamber, heats the pellicle through the chamber that holds the pellicle inside, and absorbs gas out of the pellicle and gas adsorbed from the environment when the pellicle member is stored. This is a degassing device for a pellicle to be detached.

また、本発明に係るペリクルの脱ガス装置は、チャンバーを加熱するための熱源を有し、前記コントローラの制御指令または自身により、前記チャンバー内のペリクル及び雰囲気ガスのガス温度を制御する加熱手段を付加し、ペリクルからのアウトガス及び保管時に環境から吸着したガスの脱ガス化を行う構成である。   The pellicle degassing apparatus according to the present invention has a heat source for heating the chamber, and includes a heating means for controlling the gas temperature of the pellicle and the atmospheric gas in the chamber by the control command of the controller or itself. In addition, it is configured to degas outgas from the pellicle and gas adsorbed from the environment during storage.

前記チャンバー内には、ペリクルを保持するためのペリクル保持治具を収容することを特徴とする。ペリクル保持治具としては、ペリクルを載置するための複数の棚を有し、この各棚にはそれぞれ通気窓を形成されている。   A pellicle holding jig for holding the pellicle is accommodated in the chamber. The pellicle holding jig has a plurality of shelves on which the pellicle is placed, and a ventilation window is formed in each shelf.

また、前記ガス導入系としては、雰囲気ガスをチャンバー内に送るためのガス送り配管と、このガス送り配管に設置され、コントローラの制御指令のもとに当該ガス送り配管を流れる雰囲気ガスのガス流量及びガス圧力を制御するガス導入ユニットとを有し、このガス導入ユニットから安定したガス流量及びガス圧力の雰囲気ガスを前記チャンバーに供給する構成である。   The gas introduction system includes a gas feed pipe for sending atmospheric gas into the chamber, and a gas flow rate of the atmosphere gas that is installed in the gas feed pipe and flows through the gas feed pipe under the control command of the controller. And a gas introduction unit for controlling the gas pressure, and an atmosphere gas having a stable gas flow rate and gas pressure is supplied from the gas introduction unit to the chamber.

また、本発明に係るペリクルの脱ガス装置は、チャンバーにはチャンバー内の雰囲気ガスを排気するガス排気系を接続する。このガス排気系は、チャンバー内の雰囲気ガスを外部に排気するためのガス排気配管と、このガス排気配管に設置され、コントローラの制御指令のもとに排気する雰囲気ガスのガス流量及びガス圧力を制御するガス排気ユニットとを有し、ガス排気ユニットから安定したガス流量及びガス圧力の雰囲気ガスを外部に排気する構成である。   In the pellicle degassing apparatus according to the present invention, a gas exhaust system for exhausting atmospheric gas in the chamber is connected to the chamber. This gas exhaust system includes a gas exhaust pipe for exhausting atmospheric gas in the chamber to the outside, and a gas flow rate and gas pressure of the atmospheric gas installed in the gas exhaust pipe and exhausted under the control command of the controller. A gas exhaust unit to be controlled, and the atmosphere exhaust gas having a stable gas flow rate and gas pressure is exhausted to the outside from the gas exhaust unit.

また、本発明に係るペリクルの脱ガス装置は、前記ガス導入ユニットよりも下流側となる前記ガス送り配管にフィルターを設置し、雰囲気ガス中に存在する異物や化学汚染物質を除去するものである。   The pellicle degassing apparatus according to the present invention is provided with a filter in the gas feed pipe on the downstream side of the gas introduction unit to remove foreign substances and chemical pollutants existing in the atmospheric gas. .

次に、本発明に係るペリクルの脱ガス方法は、チャンバー内にペリクルを保持させる保持ステップと、このペリクル保持中のチャンバー内に雰囲気ガスを供給するガス供給ステップと、このガス供給ステップで供給された前記雰囲気ガスをチャンバー内に置換した後、前記チャンバー内のペリクル及び前記雰囲気ガスを所定の温度となるように制御する加熱ステップとを有し、ペリクルからのアウトガス及び保管時に環境から吸着したガスの脱ガス化を行う方法である。   Next, the pellicle degassing method according to the present invention is supplied in the holding step of holding the pellicle in the chamber, the gas supply step of supplying atmospheric gas into the chamber holding the pellicle, and the gas supply step. And after the atmosphere gas is replaced in the chamber, the pellicle in the chamber and the heating step for controlling the atmosphere gas to have a predetermined temperature are included, and the outgas from the pellicle and the gas adsorbed from the environment during storage This is a method of degassing.

前記ガス供給ステップでは、雰囲気ガス中に存在する異物や化学汚染物質を除去し、ペリクル保持中のチャンバー内に供給することを特徴とする。   In the gas supply step, foreign substances and chemical contaminants present in the atmospheric gas are removed, and the gas is supplied into the chamber holding the pellicle.

なお、雰囲気ガスとしては、N2及び希ガスなどの不活性ガス、O2及びH2Oなどの活性ガス、空気であることを特徴とする。   The atmosphere gas is characterized by being an inert gas such as N2 and rare gas, an active gas such as O2 and H2O, and air.

このペリクルの脱ガス方法では、ペリクル保持中のチャンバー内に供給する雰囲気ガスを所要のガス流量及びガス圧力となるように制御し、一方、チャンバー内の雰囲気ガスを所要の流量及び圧力で外部に排気させることを特徴とする。   In this degassing method of the pellicle, the atmospheric gas supplied into the chamber holding the pellicle is controlled to have a required gas flow rate and gas pressure, while the atmospheric gas in the chamber is externally supplied at the required flow rate and pressure. It is characterized by exhausting.

また、ペリクルの脱ガス方法では、チャンバー内に、それぞれ通気窓を設けた各棚にペリクルを載置したペリクル保持治具を収容し、ペリクルと棚の間の空間が通気可能な状態に設定することを特徴とする。   Also, in the degassing method of the pellicle, a pellicle holding jig in which the pellicle is placed on each shelf provided with a ventilation window is accommodated in the chamber, and the space between the pellicle and the shelf is set to be in a ventable state. It is characterized by that.

本発明によれば、ペリクルからのアウトガスやペリクル部材保管時に環境から吸着するガスを低減できるペリクルの脱ガス装置及びその脱ガス方法を提供できる。   ADVANTAGE OF THE INVENTION According to this invention, the degassing apparatus and degassing method of a pellicle which can reduce the outgas from a pellicle and the gas adsorb | sucked from an environment at the time of pellicle member storage can be provided.

本発明に係るペリクルの脱ガス装置の一実施の形態を示す構成図。The block diagram which shows one Embodiment of the degassing apparatus of the pellicle which concerns on this invention. ペリクルの一構成例を示す図。The figure which shows the example of 1 structure of a pellicle. ペリクル保持治具の一構成例を示す図。The figure which shows the example of 1 structure of a pellicle holding jig.

以下、本発明の実施の形態について、図面を参照して説明する。
図1は本発明に係るペリクルの脱ガス装置の一実施の形態を示す構成図である。
Embodiments of the present invention will be described below with reference to the drawings.
FIG. 1 is a block diagram showing an embodiment of a pellicle degassing apparatus according to the present invention.

このペリクルの脱ガス装置は、ペリクル1を保持するペリクル保持治具2を収容するチャンバー3と、チャンバー3を加熱するための加熱装置4と、ガス導入系5と、ガス排気系6と、これら加熱装置4、ガス導入系5及びガス排気系6を制御するコントローラ7とによって構成される。   The pellicle degassing apparatus includes a chamber 3 that houses a pellicle holding jig 2 that holds the pellicle 1, a heating device 4 for heating the chamber 3, a gas introduction system 5, a gas exhaust system 6, and the like. It comprises a heating device 4, a gas introduction system 5, and a controller 7 that controls the gas exhaust system 6.

チャンバー3は、ペリクル1を保持したペリクル保持治具2を保持可能な構造となっている。例えばチャンバー3内に保持台を設けるとか、ペリクル保持治具2を保持するための保持フレームが設けられている。また、チャンバー3は、チャンバー自身からガスを発しないよう、また劣化強度を促進させない観点から、金属または石英で構成するのが望ましい。   The chamber 3 has a structure capable of holding the pellicle holding jig 2 holding the pellicle 1. For example, a holding base is provided in the chamber 3 or a holding frame for holding the pellicle holding jig 2 is provided. The chamber 3 is preferably made of metal or quartz from the viewpoint of not emitting gas from the chamber itself and not promoting the deterioration strength.

チャンバー3には吸気口3a及び排気口3bが設けられる。チャンバー3の吸気口3aは排気口3bより下方に位置するように設けるのが望ましい。   The chamber 3 is provided with an intake port 3a and an exhaust port 3b. It is desirable to provide the intake port 3a of the chamber 3 so as to be positioned below the exhaust port 3b.

チャンバー3の吸気口3a側にはガス導入系5が接続される。ガス導入系5は、吸気口3aに接続されるガス送り配管51と、ガス送り配管51に設置され、雰囲気ガスを導入するガス導入ユニット52と、このガス導入ユニット52から受け取る雰囲気ガス中の異物や化学汚染物質を除去してチャンバー3内に供給するフィルター53とを備える。   A gas introduction system 5 is connected to the inlet 3 a side of the chamber 3. The gas introduction system 5 includes a gas feed pipe 51 connected to the intake port 3 a, a gas introduction unit 52 that is installed in the gas feed pipe 51 and introduces atmospheric gas, and foreign substances in the atmospheric gas received from the gas introduction unit 52. And a filter 53 that removes chemical contaminants and supplies them into the chamber 3.

チャンバー3の排気口3bにはガス排気系6が接続される。ガス排気系6は、排気口3bに接続されるガス排気配管61と、このガス排気配管61に設置され、チャンバー3から雰囲気ガスを排気するガス排気ユニット62とを備える。   A gas exhaust system 6 is connected to the exhaust port 3 b of the chamber 3. The gas exhaust system 6 includes a gas exhaust pipe 61 connected to the exhaust port 3 b and a gas exhaust unit 62 that is installed in the gas exhaust pipe 61 and exhausts atmospheric gas from the chamber 3.

コントローラ7は、チャンバー3内に導入する雰囲気ガスの流量、気圧及び温度を監視制御する。コントローラ7は、ガス導入ユニット52及びガス排気ユニット62を制御し、チャンバー3内に所望の雰囲気ガス流量を導入し、かつ、チャンバー3内を所望のガス気圧となるように制御する。また、コントローラ7は、加熱装置4を介してチャンバー3内のガス温度ひいてはペリクル1の温度を可変制御する役割を持っている。   The controller 7 monitors and controls the flow rate, atmospheric pressure, and temperature of the atmospheric gas introduced into the chamber 3. The controller 7 controls the gas introduction unit 52 and the gas exhaust unit 62, introduces a desired atmospheric gas flow rate into the chamber 3, and controls the inside of the chamber 3 to have a desired gas pressure. Further, the controller 7 has a role of variably controlling the gas temperature in the chamber 3 and thus the temperature of the pellicle 1 via the heating device 4.

図2はペリクル1の一構成例を示す図である。
ペリクル1は、所定の間隔を有して配置される2つのフレーム1a,1aにメンブレン(ペリクル膜)1bを接着剤1cにて貼り付けたものである。このペリクル1は、ペリクルフレーム1a,1aのメンブレン1bとは反対面部に接着剤1dを付してフォトマスクに貼り付けられる。
FIG. 2 is a diagram illustrating a configuration example of the pellicle 1.
The pellicle 1 is obtained by attaching a membrane (pellicle film) 1b with an adhesive 1c to two frames 1a and 1a arranged at a predetermined interval. The pellicle 1 is affixed to a photomask with an adhesive 1d applied to the surface of the pellicle frame 1a, 1a opposite to the membrane 1b.

図3は、ペリクル保持治具2の一構成例を示す図であって、チャンバー3内に収容される。
ペリクル保持治具2は、例えば縦方向に伸びる箱型の外形形状を成す骨組み構造フレーム2a内にペリクル1を保持するために複数の棚2b,…が架設され、各棚2b,…及び棚の役割を果す底板2cには通気窓2dが開けられている。
FIG. 3 is a view showing a configuration example of the pellicle holding jig 2 and is housed in the chamber 3.
The pellicle holding jig 2 includes a plurality of shelves 2b,... For holding the pellicle 1 in a frame structure frame 2a having a box-shaped outer shape extending in the vertical direction, and each shelf 2b,. A vent window 2d is opened in the bottom plate 2c which plays a role.

なお、ペリクル保持治具2としては、骨組み構造フレーム2aのうち、必要な外面部に壁板材を貼り付け、これら壁板材に通気窓2dを開けたものでもよい。   The pellicle holding jig 2 may be one in which a wall plate material is attached to a necessary outer surface portion of the frame structure frame 2a, and a ventilation window 2d is opened in these wall plate materials.

さらに、棚の役割を果す底板2cに通気窓2dが形成された場合、例えばペリクル保持治具2の底部の4角に所定高さの脚部を取付け、底板2cに形成された通気窓2dから十分に通気できるような構成とする。   Further, when the ventilation window 2d is formed on the bottom plate 2c that plays the role of a shelf, for example, leg portions having a predetermined height are attached to the four corners of the bottom of the pellicle holding jig 2, and the ventilation window 2d formed on the bottom plate 2c is used. The structure should allow sufficient ventilation.

ペリクル保持治具2は、保持治具自身からガスを発しないよう、また自身の劣化強度を促進させない観点から、金属または石英で構成するのが望ましい。   The pellicle holding jig 2 is preferably made of metal or quartz from the viewpoint of preventing gas from being emitted from the holding jig itself and not promoting the deterioration strength of the pellicle holding jig 2 itself.

さらに、図1に戻り、ペリクルの脱ガス装置の構成要素について詳細に説明する。
チャンバー3の内部空間3cは所望の流量、気圧及び温度の雰囲気ガスで満たす必要がある。雰囲気ガスは、N2及び希ガスなどの不活性ガスやO2及びH2Oなどの活性ガスや空気及びそれらの混合ガスである。なお、混合ガスの種類や混合比、その流量、圧力、温度は、対象とするペリクル1の構成部材により、適宜必要に応じて選択することができる。
Further, returning to FIG. 1, the components of the degassing device for the pellicle will be described in detail.
The internal space 3c of the chamber 3 needs to be filled with an atmospheric gas having a desired flow rate, atmospheric pressure, and temperature. The atmospheric gas is an inert gas such as N2 or a rare gas, an active gas such as O2 or H2O, air, or a mixed gas thereof. Note that the type and mixing ratio of the mixed gas, the flow rate, the pressure, and the temperature can be appropriately selected as necessary depending on the constituent members of the target pellicle 1.

コントローラ7は、図示されていないが、ガス導入ユニット52出力側のガス導入配管51の適宜な位置に設置される流量計,圧力計などから計測値を受け取り、この計測値と予め定める設定値とに基づき、ガス導入ユニット52を制御し、チャンバー3内へ導入する雰囲気ガスを、設定流量,設定圧力に調節するようにする。そして、設定流量及び設定圧力となった雰囲気ガスは、フィルター53及び吸気口3aを経てチャンバー3内に導入する。コントローラ7は、ガス排気ユニット62を制御し、チャンバー3内の内部空間3cから所定の流量及び圧力の雰囲気ガスをガス排気配管61を経由してチャンバー3外部に排気することができる。   Although not shown, the controller 7 receives measurement values from a flow meter, a pressure gauge, etc. installed at an appropriate position of the gas introduction pipe 51 on the gas introduction unit 52 output side. Based on the above, the gas introduction unit 52 is controlled so that the atmospheric gas introduced into the chamber 3 is adjusted to the set flow rate and the set pressure. The atmospheric gas having the set flow rate and set pressure is introduced into the chamber 3 through the filter 53 and the intake port 3a. The controller 7 can control the gas exhaust unit 62 to exhaust the atmospheric gas having a predetermined flow rate and pressure from the internal space 3 c in the chamber 3 to the outside of the chamber 3 via the gas exhaust pipe 61.

また、コントローラ7は、加熱装置4またはチャンバー3に設置される温度計(図示せず)の計測値と予め定める設定温度とに基づき、加熱装置4を制御し、チャンバー3内の内部空間3cの雰囲気ガスを設定温度に加熱することができる。   Further, the controller 7 controls the heating device 4 based on a measured value of a thermometer (not shown) installed in the heating device 4 or the chamber 3 and a preset temperature, and the internal space 3 c in the chamber 3 is controlled. The atmospheric gas can be heated to a set temperature.

なお、チャンバー3内の雰囲気ガス温度の制御は、コントローラ7からの制御指令に基づき、加熱装置4自身がチャンバー3の内部空間3cの雰囲気ガス温度を取り込み、設定温度となるよう調節してもよい。加熱装置4の熱源としては、電熱線ヒーターを用いるが、ランプヒーターその他の熱源であっても構わない。   The control of the atmospheric gas temperature in the chamber 3 may be adjusted based on a control command from the controller 7 so that the heating device 4 itself takes in the atmospheric gas temperature in the internal space 3c of the chamber 3 and becomes the set temperature. . As a heat source of the heating device 4, a heating wire heater is used, but a heat source such as a lamp heater may be used.

次に、ペリクル1の脱ガス処理方法について説明する。
ペリクル1をペリクル保持治具2の棚2bに載せて保持し、チャンバー3に収容する。このとき、チャンバー3にはガス導入系5及びガス排気系6が接続され、コントローラ7による制御指示を受ける状態となっている。
Next, a method for degassing the pellicle 1 will be described.
The pellicle 1 is mounted on the shelf 2 b of the pellicle holding jig 2 and held in the chamber 3. At this time, the gas introduction system 5 and the gas exhaust system 6 are connected to the chamber 3 and are in a state of receiving a control instruction from the controller 7.

コントローラ7は、ガス導入ユニット52及びガス排気ユニット62を制御し、ガス送り配管51に導入される雰囲気ガスのガス流量、ガス圧力を設定値となるように制御しつつチャンバー3の内部空間3cに導入する。また、コントローラ7または加熱装置4は、チャンバー3の内部空間3cの雰囲気ガスを設定温度に制御する。   The controller 7 controls the gas introduction unit 52 and the gas exhaust unit 62 to control the gas flow rate and the gas pressure of the atmospheric gas introduced into the gas feed pipe 51 so as to become the set values. Introduce. Further, the controller 7 or the heating device 4 controls the atmospheric gas in the internal space 3 c of the chamber 3 to a set temperature.

そして、以上のような制御動作を実行することにより、チャンバー3の内部空間3cを十分に雰囲気ガスで置換するとともに、加熱装置4によりチャンバー3の内部空間3cを加熱していくと、ペリクル1が加熱される。   Then, by executing the control operation as described above, the internal space 3c of the chamber 3 is sufficiently replaced with the atmospheric gas, and when the internal space 3c of the chamber 3 is heated by the heating device 4, the pellicle 1 is Heated.

ここで、ペリクル1が加熱されると、ペリクル部材のアウトガスやペリクル部材の保管時に環境から吸着したガスが脱ガスされる。脱ガスは、ガス排気ユニット62の制御に従い、排気口3b及びガス排気配管61を経由し、チャンバー3外に排気される。   Here, when the pellicle 1 is heated, the outgas of the pellicle member and the gas adsorbed from the environment during storage of the pellicle member are degassed. The degassing is exhausted out of the chamber 3 via the exhaust port 3 b and the gas exhaust pipe 61 according to the control of the gas exhaust unit 62.

なお、脱ガス処理を行う場合、チャンバー3の内部空間3cの雰囲気ガスを常に導入し、かつ、排気させた状態にしてもよいが、例えばチャンバー3内に雰囲気ガスを導入後、一旦チャンバー3内を密閉し、ペリクル1を十分に加熱した後、チャンバー3内の雰囲気ガスを排気してもよい。   When degassing is performed, the atmospheric gas in the internal space 3c of the chamber 3 may be always introduced and evacuated. For example, after introducing the atmospheric gas into the chamber 3, After the pellicle 1 is sufficiently heated, the atmospheric gas in the chamber 3 may be exhausted.

また、脱ガス処理としては、雰囲気ガスの導入,加熱、排気の一連の処理を予め定めた処理時間内に一度行う場合と、当該処理時間内に複数回行う場合があるが、処理時間内に複数回行う方がペリクル1に接する雰囲気ガスがペリクル1の脱ガスにより汚染されないので好ましい。   In addition, as the degassing process, there are a case where a series of processes of introduction, heating, and exhaust of atmospheric gas are performed once within a predetermined processing time and a plurality of times within the processing time. It is preferable to perform the process a plurality of times because the atmospheric gas in contact with the pellicle 1 is not contaminated by the degassing of the pellicle 1.

以下、本発明の実施例について説明する。
フォトマスク工程内に放置されたペリクル1をペリクル保持治具2にセットし、チャンバー3内に収容する。このとき、チャンバー3にガス導入系5及びガス排気系6が接続されていない場合、チャンバー3にガス導入系5及びガス排気系6を接続し、準備を完了する。
Examples of the present invention will be described below.
The pellicle 1 left in the photomask process is set on the pellicle holding jig 2 and accommodated in the chamber 3. At this time, if the gas introduction system 5 and the gas exhaust system 6 are not connected to the chamber 3, the gas introduction system 5 and the gas exhaust system 6 are connected to the chamber 3 to complete the preparation.

コントローラ7は、ガス導入ユニット52を制御し、例えば室内空気による室温、流量1L/分を取り込んでフィルター53に導入し、異物や化学汚染物質のない状態の空気をチャンバー3に導入する。そして、空気を流した状態にし、加熱装置4にてチャンバー3の内部空間3cが40℃になるように5時間加熱する。   The controller 7 controls the gas introduction unit 52, for example, takes in room temperature and a flow rate of 1 L / min due to room air and introduces them into the filter 53, and introduces air in a state free of foreign substances and chemical contaminants into the chamber 3. Then, the air is made to flow, and the heating device 4 is heated for 5 hours so that the internal space 3c of the chamber 3 becomes 40 ° C.

しかる後、ペリクル保持治具2からペリクル1を取り出し、分析用サンプラにて80℃30分加熱し、発生したガスを吸着管に吸着させ、加熱脱着式のGC/MS法で分析を行ったところ、揮発性有機物質の合計は2.9ugだった。   After that, the pellicle 1 was taken out from the pellicle holding jig 2, heated at 80 ° C. for 30 minutes with an analysis sampler, the generated gas was adsorbed on an adsorption tube, and analyzed by a heat desorption type GC / MS method. The total of volatile organic substances was 2.9 ug.

実施例1と同様に、フォトマスク工程内に放置されたペリクル1をペリクル保持治具2にセットし、チャンバー3内に収容後、当該チャンバー3にガス導入系5及びガス排気系6を接続する。   As in the first embodiment, the pellicle 1 left in the photomask process is set on the pellicle holding jig 2 and accommodated in the chamber 3, and then the gas introduction system 5 and the gas exhaust system 6 are connected to the chamber 3. .

コントローラ7は、ガス導入ユニット52を制御し、例えば室内空気による室温、流量1L/分を取り込んでフィルター53に導入し、異物や化学汚染物質のない空気をチャンバー3に導入し、しばらく空気を流した後、チャンバー3の吸気口3a及び排気口3bを閉じ、チャンバー3を密閉状態にする。   The controller 7 controls the gas introduction unit 52, for example, takes room temperature and flow rate of 1 L / min by room air, introduces it into the filter 53, introduces air without foreign matter or chemical contaminants into the chamber 3, and flows the air for a while. After that, the inlet 3a and the outlet 3b of the chamber 3 are closed, and the chamber 3 is sealed.

以上のような状態において、加熱装置4にてチャンバー3の内部空間3cが40℃になるように10分間加熱した後、チャンバー3の吸気口3a及び排気口3bを開け、しばらく空気を流した後、再度チャンバー3を密閉状態にする。そして、再度、加熱装置4にてチャンバー3の内部空間3cが40℃になるように10分間加熱した。この後、この一連の操作を繰り返し行い、トータル的には28回繰り返した。   In the above state, after heating for 10 minutes so that the internal space 3c of the chamber 3 becomes 40 ° C. with the heating device 4, the intake port 3a and the exhaust port 3b of the chamber 3 are opened and air is allowed to flow for a while. Then, the chamber 3 is closed again. And it heated again for 10 minutes with the heating apparatus 4 so that the internal space 3c of the chamber 3 might be 40 degreeC. Thereafter, this series of operations was repeated, and the total was repeated 28 times.

しかる後、ペリクル保持治具2からペリクル1を取り出し、分析用サンプラにて80℃30分加熱し、発生したガスを吸着管に吸着させ、加熱脱着式のGC/MS法で分析を行ったところ、揮発性有機物質の合計は1.8ugだった。   Thereafter, the pellicle 1 was taken out from the pellicle holding jig 2, heated at 80 ° C. for 30 minutes with an analysis sampler, the generated gas was adsorbed on an adsorption tube, and analyzed by a heat desorption type GC / MS method. The total of volatile organic substances was 1.8 ug.

比較例1Comparative Example 1

実施例1,2と同様、フォトマスク工程内に放置されたペリクル1を分析用サンプラにて80℃30分加熱し、発生したガスを吸着管に吸着させ、加熱脱着式のGC/MS法で分析を行ったところ、揮発性有機物質の合計は6.3ugだった。   As in Examples 1 and 2, the pellicle 1 left in the photomask process was heated with an analysis sampler at 80 ° C. for 30 minutes, and the generated gas was adsorbed on an adsorption tube, and the heat-desorption GC / MS method was used. Upon analysis, the total amount of volatile organic substances was 6.3 ug.

そこで、以上のような実施例及び比較例をまとめると、図4に示すようなペリクル1枚当りの揮発性有機物質発生量が得られた。

Figure 2011070009
Therefore, when the above examples and comparative examples are summarized, the amount of volatile organic substances generated per pellicle as shown in FIG. 4 was obtained.
Figure 2011070009

従って、以上のような実施の形態及び実施例によれば、チャンバー3内でペリクル1を保持し、コントローラ7からの制御指示のもとにガス導入系5から雰囲気ガスを所要のガス流量及びガス圧力に調節してチャンバー3内に導入した後、コントローラ7の制御指令のもとに加熱装置4がチャンバー3内を加熱するので、ペリクル1のペリクル部材から発生するアウトガスやペリクル部材保管時に環境から吸着する吸着ガスを確実に脱ガスすることができる
その他、本発明は、上記実施の形態及び実施例に限定されることなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々変形して実施できる。
Therefore, according to the embodiments and examples as described above, the pellicle 1 is held in the chamber 3, and the ambient gas is supplied from the gas introduction system 5 under the control instruction from the controller 7. After the pressure is adjusted and introduced into the chamber 3, the heating device 4 heats the inside of the chamber 3 under the control command of the controller 7, so outgas generated from the pellicle member of the pellicle 1 In addition, the adsorbed gas to be adsorbed can be surely degassed. In addition, the present invention is not limited to the above-described embodiments and examples, and various modifications can be made without departing from the scope of the invention.

1…ペリクル、1a…ペリクルフレーム(ペリクル膜)、1c,1d…接着剤、2…ペリクル保持治具、2a…骨組み構造フレーム、2b…棚、2d…通気窓、3…チャンバー、3a…吸気口、3b…排気口、3c…チャンバーの内部空間、4…加熱装置、5…ガス導入系、6…ガス排気系、7…コントローラ、51…ガス送り配管、52…ガス導入ユニット、53…フィルター、61…ガス排気配管、62…ガス排気ユニット。   DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 ... Pellicle, 1a ... Pellicle frame (pellicle film), 1c, 1d ... Adhesive, 2 ... Pellicle holding jig, 2a ... Frame structure frame, 2b ... Shelf, 2d ... Ventilation window, 3 ... Chamber, 3a ... Intake port 3b ... exhaust port, 3c ... chamber internal space, 4 ... heating device, 5 ... gas introduction system, 6 ... gas exhaust system, 7 ... controller, 51 ... gas feed pipe, 52 ... gas introduction unit, 53 ... filter, 61 ... Gas exhaust pipe, 62 ... Gas exhaust unit.

Claims (14)

ペリクルを内部に保持するチャンバーと、このチャンバー内に雰囲気ガスを導入するガス導入系と、このガス導入系を制御することにより、前記雰囲気ガスを所要のガス流量及び所要のガス圧力に調節して前記チャンバー内に導入するコントローラとを備えたことを特徴とするペリクルの脱ガス装置。   A chamber for holding the pellicle inside, a gas introduction system for introducing atmospheric gas into the chamber, and controlling the gas introduction system to adjust the atmospheric gas to a required gas flow rate and a required gas pressure. A degassing device for a pellicle, comprising a controller to be introduced into the chamber. 請求項1に記載のペリクルの脱ガス装置において、
前記チャンバーを加熱するための熱源を有し、前記コントローラの制御指令または自身により、前記チャンバー内のペリクル及び雰囲気ガスのガス温度を制御する加熱手段を設けたことを特徴とするペリクルの脱ガス装置。
The pellicle degassing apparatus according to claim 1,
A pellicle degassing apparatus having a heat source for heating the chamber, and provided with heating means for controlling the temperature of the pellicle in the chamber and the atmospheric gas according to the control command of the controller or itself .
請求項1または請求項2に記載のペリクルの脱ガス装置において、
前記チャンバー内には、前記ペリクルを保持するためのペリクル保持治具を収容することを特徴とするペリクルの脱ガス装置。
The degassing apparatus for a pellicle according to claim 1 or 2,
A pellicle degassing apparatus, wherein a pellicle holding jig for holding the pellicle is accommodated in the chamber.
請求項3に記載のペリクルの脱ガス装置において、
前記ペリクル保持治具は、前記ペリクルを載置するための複数の棚を有し、この各棚にはそれぞれ通気窓が形成されていることを特徴とするペリクルの脱ガス装置。
The pellicle degassing apparatus according to claim 3,
2. The pellicle degassing apparatus according to claim 1, wherein the pellicle holding jig has a plurality of shelves on which the pellicle is placed, and a ventilation window is formed in each of the shelves.
請求項1または請求項2に記載のペリクルの脱ガス装置において、
前記ガス導入系は、前記雰囲気ガスを前記チャンバー内に送るためのガス送り配管と、このガス送り配管に設置され、前記コントローラの制御指令のもとに当該ガス送り配管を流れる前記雰囲気ガスのガス流量及びガス圧力を制御するガス導入ユニットとを有し、
前記ガス導入ユニットから安定したガス流量及びガス圧力の雰囲気ガスを前記チャンバーに供給することを特徴とするペリクルの脱ガス装置。
The degassing apparatus for a pellicle according to claim 1 or 2,
The gas introduction system includes a gas feed pipe for sending the atmospheric gas into the chamber and a gas feed pipe installed in the gas feed pipe and flowing through the gas feed pipe under the control command of the controller. A gas introduction unit for controlling the flow rate and gas pressure,
A degassing apparatus for a pellicle, wherein an atmospheric gas having a stable gas flow rate and gas pressure is supplied to the chamber from the gas introduction unit.
請求項1または請求項2に記載のペリクルの脱ガス装置において、
前記チャンバーには当該チャンバー内の雰囲気ガスを排気するガス排気系が接続され、
前記ガス排気系は、前記チャンバー内の雰囲気ガスを外部に排気するためのガス排気配管と、このガス排気配管に設置され、前記コントローラの制御指令のもとに排気する前記雰囲気ガスのガス流量及びガス圧力を制御するガス排気ユニットとを有し、
前記ガス排気ユニットから安定したガス流量及びガス圧力の雰囲気ガスを外部に排気することを特徴とするペリクルの脱ガス装置。
The degassing apparatus for a pellicle according to claim 1 or 2,
A gas exhaust system for exhausting atmospheric gas in the chamber is connected to the chamber,
The gas exhaust system includes a gas exhaust pipe for exhausting the atmospheric gas in the chamber to the outside, a gas flow rate of the atmospheric gas installed in the gas exhaust pipe and exhausted under a control command of the controller, and A gas exhaust unit for controlling the gas pressure,
A degassing device for a pellicle, wherein atmospheric gas having a stable gas flow rate and gas pressure is exhausted from the gas exhaust unit to the outside.
請求項1、請求項2及び請求項5の何れか一項に記載のペリクルの脱ガス装置において、
前記ガス導入ユニットよりも下流側となる前記ガス送り配管に設置され、前記雰囲気ガス中に存在する異物や化学汚染物質を除去するフィルターを設けたことを特徴とするペリクルの脱ガス装置。
In the degassing apparatus of the pellicle according to any one of claims 1, 2, and 5,
A degassing apparatus for a pellicle, provided with a filter that is installed in the gas feed pipe on the downstream side of the gas introduction unit and removes foreign substances and chemical contaminants existing in the atmospheric gas.
チャンバー内にペリクルを保持させる保持ステップと、このペリクル保持中のチャンバー内に雰囲気ガスを供給するガス供給ステップと、このガス供給ステップで供給された前記雰囲気ガスをチャンバー内に置換した後、前記チャンバー内のペリクル及び前記雰囲気ガスを所定の温度となるように制御する加熱ステップとを有し、
前記ペリクルからのアウトガス及び保管時に環境から吸着したガスの脱ガス化を行うことを特徴とするペリクルの脱ガス方法。
A holding step for holding the pellicle in the chamber; a gas supplying step for supplying atmospheric gas into the chamber holding the pellicle; and replacing the atmospheric gas supplied in the gas supplying step in the chamber, and then the chamber A pellicle in the inside and a heating step for controlling the atmospheric gas so as to have a predetermined temperature,
A method for degassing a pellicle, comprising degassing outgas from the pellicle and gas adsorbed from the environment during storage.
請求項8に記載のペリクルの脱ガス方法において、
前記ガス供給ステップでは、前記雰囲気ガス中に存在する異物や化学汚染物質を除去し、前記ペリクル保持中のチャンバー内に供給することを特徴とするペリクルの脱ガス方法。
The method for degassing a pellicle according to claim 8,
In the gas supply step, the foreign matter and chemical contaminants present in the atmospheric gas are removed and supplied to the pellicle holding chamber, and the pellicle degassing method.
請求項8または請求項9に記載のペリクルの脱ガス方法において、
前記雰囲気ガスとしては、N2及び希ガスなどの不活性ガス、O2及びH2Oなどの活性ガス、空気であることを特徴とするペリクルの脱ガス方法。
The method for degassing a pellicle according to claim 8 or 9,
The method for degassing a pellicle, wherein the atmospheric gas is an inert gas such as N2 or a rare gas, an active gas such as O2 or H2O, or air.
請求項8ないし請求項10の何れか一項に記載のペリクルの脱ガス方法において、
前記ペリクル保持中のチャンバー内に供給する雰囲気ガスを所要のガス流量及びガス圧力となるように制御することを特徴とするペリクルの脱ガス方法。
The method for degassing a pellicle according to any one of claims 8 to 10,
A method for degassing a pellicle, characterized in that the atmospheric gas supplied into the chamber holding the pellicle is controlled to have a required gas flow rate and gas pressure.
請求項8ないし請求項10の何れか一項に記載のペリクルの脱ガス方法において、
前記チャンバー内の雰囲気ガスを所要の流量及び圧力で外部に排気させることを特徴とするペリクルの脱ガス方法。
The method for degassing a pellicle according to any one of claims 8 to 10,
A method for degassing a pellicle, wherein the atmospheric gas in the chamber is exhausted outside at a required flow rate and pressure.
請求項11に記載する前記雰囲気ガスのチャンバー内供給と、請求項12に記載する前記雰囲気ガスの外部排気とを繰り返し、任意のタイミングで前記チャンバー内を所要の雰囲気に置換することを特徴とするペリクルの脱ガス方法。   The supply of the atmospheric gas according to claim 11 and the external exhaust of the atmospheric gas according to claim 12 are repeated, and the inside of the chamber is replaced with a required atmosphere at an arbitrary timing. Pellicle degassing method. 請求項8に記載のペリクルの脱ガス方法において、
前記チャンバーには、それぞれ通気窓を設けた各棚に前記ペリクルを載置したペリクル保持治具を収容し、前記ペリクルと前記棚の間の空間が通気可能な状態に設定されていることを特徴とするペリクルの脱ガス方法。
The method for degassing a pellicle according to claim 8,
The chamber accommodates a pellicle holding jig on which the pellicle is placed in each shelf provided with a ventilation window, and the space between the pellicle and the shelf is set in a state in which ventilation is possible. Pellicle degassing method.
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* Cited by examiner, † Cited by third party
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