JP2011060783A - Plasma display panel and method for manufacturing the same - Google Patents

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Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To improve image display quality and to stably maintain the image display quality for a long period of time in a plasma display panel used for an image display device, etc. <P>SOLUTION: In a plasma display panel, first and second electrodes constituting a pair of main electrodes are covered with an insulating layer against discharge gas. A protective film 14 is formed as at least a surface layer of the dielectric glass layer 13, the surface layer being in contact with the discharge gas. At least a part of the surface layer is covered with a material having a value of enthalpy lower than standard enthalpies of formation of magnesium hydroxide, magnesium carbonate, magnesium hydrogen carbonate, magnesium nitrate, magnesium sulfate, etc. <P>COPYRIGHT: (C)2011,JPO&INPIT

Description

本発明は、画像表示デバイスなどに用いるプラズマディスプレイパネルおよびその製造方法に関する。   The present invention relates to a plasma display panel used for an image display device or the like and a manufacturing method thereof.

従来のプラズマディスプレイパネルは、図6に示すような構成のものが一般的である。   A conventional plasma display panel is generally configured as shown in FIG.

このプラズマディスプレイパネルは、前面パネル100と背面パネル200とからなる。前面パネル100は、前面ガラス基板101上に走査電極102a、維持電極102bが交互にストライプ状に形成され、さらにそれが誘電体ガラス層103および酸化マグネシウム(MgO)からなる保護膜104により覆われて形成されたものである。   This plasma display panel includes a front panel 100 and a back panel 200. In the front panel 100, scan electrodes 102a and sustain electrodes 102b are alternately formed in a stripe shape on a front glass substrate 101, and further covered with a protective film 104 made of a dielectric glass layer 103 and magnesium oxide (MgO). It is formed.

背面パネル200は、背面ガラス基板201上に、ストライプ状にアドレス電極202が形成され、これを覆うように電極保護層203が形成され、更にアドレス電極202を挟むように電極保護層203上にストライプ状に隔壁204が形成され、更に隔壁204間に蛍光体層205が設けられて形成されたものである。そして、このような前面パネル100と背面パネル200とが貼り合わせられ、隔壁204で仕切られた空間210に放電ガスを封入することで放電空間が形成される。前記蛍光体層はカラー表示のために通常、赤、緑、青の3色の蛍光体層が順に配置されている。   In the rear panel 200, an address electrode 202 is formed in a stripe shape on a rear glass substrate 201, an electrode protective layer 203 is formed to cover the address electrode 202, and a stripe is formed on the electrode protective layer 203 so as to sandwich the address electrode 202. The barrier ribs 204 are formed in the shape, and the phosphor layer 205 is further provided between the barrier ribs 204. Then, the front panel 100 and the rear panel 200 are bonded together, and a discharge space is formed by enclosing the discharge gas in the space 210 partitioned by the partition wall 204. The phosphor layers are usually arranged in order of phosphor layers of three colors of red, green and blue for color display.

そして、放電空間210内には、例えばネオンおよびキセノンを混合してなる放電ガスが、通常0.67×105Pa程度の圧力で封入されている。   In the discharge space 210, for example, a discharge gas formed by mixing neon and xenon is normally sealed at a pressure of about 0.67 × 10 5 Pa.

次に、前記プラズマディスプレイパネルの駆動方式について説明する。   Next, a driving method of the plasma display panel will be described.

図7は、前記プラズマディスプレイパネルの駆動回路の構成を示したブロック図である。   FIG. 7 is a block diagram showing a configuration of a driving circuit of the plasma display panel.

当該駆動回路は、アドレス電極駆動部220と、走査電極駆動部230と、維持電極駆動部240とから構成されている。   The drive circuit includes an address electrode drive unit 220, a scan electrode drive unit 230, and a sustain electrode drive unit 240.

プラズマディスプレイパネルのアドレス電極202にアドレス電極駆動部220が接続され、走査電極102aに走査電極駆動部230が接続され、維持電極102bに維持電極駆動部240が接続されている。   The address electrode driver 220 is connected to the address electrode 202 of the plasma display panel, the scan electrode driver 230 is connected to the scan electrode 102a, and the sustain electrode driver 240 is connected to the sustain electrode 102b.

一般に交流型のプラズマディスプレイパネルでは1フレームの映像を複数のサブフィールド(SF)に分割することによって階調表現をする方式が用いられている。そして、この方式ではセル中の気体の放電を制御するために1SFを更に4つの期間に分割する。この4つの期間について図8を使用して説明する。図8は、1SF中の駆動波形である。   In general, in an AC plasma display panel, a method of expressing gradation by dividing one frame image into a plurality of subfields (SF) is used. In this method, 1SF is further divided into four periods in order to control the discharge of gas in the cell. These four periods will be described with reference to FIG. FIG. 8 shows drive waveforms during 1SF.

この図8において、セットアップ期間250では放電を生じやすくするためにPDP内の全セルに均一的に壁電荷を蓄積させる。アドレス期間260では点灯させるセルの書き込み放電を行う。サステイン期間270では前記アドレス期間260で書き込まれたセルを点灯させその点灯を維持させる。イレース期間280では壁電荷を消去させることによってセルの点灯を停止させる。   In FIG. 8, in the setup period 250, wall charges are uniformly accumulated in all the cells in the PDP in order to facilitate discharge. In the address period 260, the write discharge of the cells to be lit is performed. In the sustain period 270, the cells written in the address period 260 are turned on and kept on. In the erase period 280, lighting of the cells is stopped by erasing the wall charges.

セットアップ期間250では、走査電極102aにアドレス電極202および維持電極102bに比べ高い電圧を印加しセル内の気体を放電させる。それによって発生した電荷はアドレス電極202、走査電極102aおよび維持電極102b間の電位差を打ち消すようにセルの壁面に蓄積されるので、走査電極102a付近の保護膜表面には負の電荷が壁電荷として蓄積され、またアドレス電極付近の蛍光体層表面および維持電極付近の保護膜表面には正の電荷が壁電荷として蓄積される。この壁電荷により走査電極−アドレス電極間、走査電極−維持電極間には所定の値の壁電位が生じる。   In the setup period 250, a higher voltage is applied to the scan electrode 102a than the address electrode 202 and the sustain electrode 102b to discharge the gas in the cell. The charges generated thereby are accumulated on the wall of the cell so as to cancel the potential difference between the address electrode 202, the scan electrode 102a, and the sustain electrode 102b. Therefore, negative charges are generated as wall charges on the surface of the protective film near the scan electrode 102a. In addition, positive charges are accumulated as wall charges on the phosphor layer surface near the address electrodes and the protective film surface near the sustain electrodes. Due to this wall charge, a predetermined wall potential is generated between the scan electrode and the address electrode and between the scan electrode and the sustain electrode.

アドレス期間260では、セルを点灯させる場合には走査電極102aにアドレス電極202および維持電極102bに比べ低い電圧を印加させることにより、つまり走査電極−アドレス電極間には前記壁電位と同方向に電圧を印加させるとともに、走査電極−維持電極間に壁電位と同方向に電圧を印加させることにより書き込み放電を生じさせる。これにより、蛍光体層表面、保護膜表面には負の電荷が蓄積され、走査側電極付近の保護膜表面には正の電荷が壁電荷として蓄積される。これにより、維持−走査電極間には所定の値の壁電位が生じる。   In the address period 260, when the cell is turned on, a voltage lower than that of the address electrode 202 and the sustain electrode 102b is applied to the scan electrode 102a, that is, a voltage is applied between the scan electrode and the address electrode in the same direction as the wall potential. Is applied, and a voltage is applied in the same direction as the wall potential between the scan electrode and the sustain electrode, thereby generating a write discharge. As a result, negative charges are accumulated on the phosphor layer surface and the protective film surface, and positive charges are accumulated as wall charges on the protective film surface near the scanning side electrode. As a result, a predetermined wall potential is generated between the sustain and scan electrodes.

サステイン期間270では、走査電極102aに維持電極102bに比べ高い電圧を印加させることにより、つまり維持電極−走査電極間に前記壁電位と同方向に電圧を印加させることにより維持放電を生じさせる。これによりセル点灯を開始させることができる。そして、維持電極−走査電極交互に極性が入れ替わるようにパルスを印加することにより断続的にパルス発光させることができる。   In the sustain period 270, a sustain discharge is generated by applying a higher voltage to the scan electrode 102a than the sustain electrode 102b, that is, by applying a voltage in the same direction as the wall potential between the sustain electrode and the scan electrode. Thereby, cell lighting can be started. Then, pulse emission can be intermittently performed by applying a pulse so that the polarity is alternately switched between the sustain electrode and the scan electrode.

イレース期間280では、幅の狭い消去パルスを維持電極102bに印加することによって不完全な放電が発生し壁電荷が消滅するため消去が行われる。   In the erase period 280, erasing is performed because imperfect discharge is generated by applying a narrow erase pulse to the sustain electrode 102b and the wall charges disappear.

なお、この出願の発明に関連する先行技術文献情報としては、例えば、特許文献1が知られている。   As prior art document information related to the invention of this application, for example, Patent Document 1 is known.

特開2001−357787号公報JP 2001-357787 A

このように、プラズマディスプレイパネルは壁電荷を形成し、それによって生じた電位を利用して、放電に必要な電圧値を下げることを可能とした駆動方法を用いている。ところが、放電空間内に放電ガス以外の不純物ガスが存在した場合、あるいは保護膜がそのガス等によって変質した場合、この壁電荷を消去してしまう作用が生じてしまう。この作用により、通常の印加電圧ではアドレス放電の放電開始電圧に達せず、点灯・非点灯の選択がされないセルが発生する。すなわち維持放電が起こらず点灯不良となり、画像表示の際の不灯・ちらつきとなる。   As described above, the plasma display panel uses a driving method that forms wall charges and makes it possible to reduce a voltage value necessary for discharge by using a potential generated thereby. However, when an impurity gas other than the discharge gas is present in the discharge space, or when the protective film is altered by the gas or the like, an effect of erasing the wall charges occurs. Due to this action, a normal applied voltage does not reach the discharge start voltage of the address discharge, and a cell in which lighting / non-lighting is not selected is generated. In other words, sustain discharge does not occur and lighting failure occurs, resulting in non-lighting and flickering during image display.

また、この壁電荷消去の現象は経時的に程度を増して進行するため、点灯しようとするセルを選択する順が遅い箇所、すなわち走査が遅い箇所に顕著に現れる。図8を用いて示すならば、セットアップ期間250での壁電荷を蓄積させてから、アドレス期間260でのアドレス放電までの時間が長い箇所において、この現象はより顕著に現れてくることになる。   Further, this wall charge erasing phenomenon proceeds with increasing degree over time, so that the phenomenon appears remarkably at a place where the order of selecting cells to be lit is late, that is, a place where scanning is slow. As shown in FIG. 8, this phenomenon appears more prominently in a portion where the time from the accumulation of wall charges in the setup period 250 to the address discharge in the address period 260 is long.

ところで、テレビ映像を表示する場合、1フィールド=1/60[s]内で全てのシーケンスを終了させる必要があり、将来的には、セル構造の高精細化がすすむことに伴い、走査線数が増加することになる。すなわちこの現象がより一層顕著になって現れてくることになる。   By the way, when displaying a TV picture, it is necessary to finish all sequences within one field = 1/60 [s]. In the future, as the cell structure becomes more precise, the number of scanning lines is increased. Will increase. In other words, this phenomenon becomes even more pronounced.

また、さらにはこのような放電空間中の不純物ガスの存在は、蛍光体の劣化、保護膜の放電による耐摩耗性(スパッタ性)の低下を促進させることにもなり、このことは画像表示品位の寿命劣化が促進することにつながる。   Furthermore, the presence of such impurity gas in the discharge space also promotes deterioration of the phosphor and deterioration of wear resistance (sputtering property) due to discharge of the protective film, which means that image display quality is improved. This will lead to accelerated lifespan.

本発明は上記課題に鑑みなされたもので、放電空間への不純物ガスの取り込みを防止するのに効果的な構造を備えたプラズマディスプレイパネルおよびその製造方法を提供することを目的とする。   The present invention has been made in view of the above problems, and an object of the present invention is to provide a plasma display panel having a structure effective for preventing the incorporation of impurity gas into the discharge space and a method for manufacturing the same.

このような課題を解決するために本発明は、保護膜の表層の少なくとも一部が、保護膜の母材の水酸化物、炭酸化物、硝酸化物および硫酸化物のうちのいずれかよりも標準生成エンタルピー値が低い物質で覆われている構成としたものである。   In order to solve such a problem, the present invention provides that at least a part of the surface layer of the protective film is generated as a standard than any of hydroxide, carbonate, nitrate and sulfate of the base material of the protective film. The composition is covered with a substance having a low enthalpy value.

以上説明したように本発明は、主電極対を構成する第1および第2の電極が放電ガスに対して絶縁層で被覆されたプラズマディスプレイパネルであって、前記絶縁層のうちの少なくとも前記放電ガスと接する表層として、酸化マグネシウム[MgO]膜が設けられ、MgO膜の表層の少なくとも一部が、水酸化マグネシウム[Mg(OH)2]、炭酸マグネシウム[MgCO3]、炭酸水素マグネシウム[Mg(HCO32]、硝酸化マグネシウム[Mg(NO32]、硫酸化マグネシウム[MgSO4]等の標準生成エンタルピーよりも低い値を持つ物質で覆われることにより、MgO膜の変質層が形成されなくなり、かつパネル貼り合わせ後の放電空間への不純物ガスの取り込みを防止することが可能となり、その結果壁電荷消去問題が解決され、画像表示品位が向上し、かつその良好な品位が長寿命的に維持できるようになる。 As described above, the present invention is a plasma display panel in which the first and second electrodes constituting the main electrode pair are covered with an insulating layer against a discharge gas, and at least the discharge of the insulating layer As a surface layer in contact with the gas, a magnesium oxide [MgO] film is provided, and at least a part of the surface layer of the MgO film includes magnesium hydroxide [Mg (OH) 2 ], magnesium carbonate [MgCO 3 ], magnesium hydrogen carbonate [Mg ( An altered layer of the MgO film is formed by being covered with a material having a lower value than the standard enthalpy of formation such as HCO 3 ) 2 ], magnesium nitrate [Mg (NO 3 ) 2 ], magnesium sulfate [MgSO 4 ], etc. In addition, it is possible to prevent impurity gas from being taken into the discharge space after the panels are bonded together. There is resolved, improved image display quality, and its good quality will be able to maintain a long life basis.

本発明の一実施の形態によるプラズマディスプレイパネルを示す斜視図The perspective view which shows the plasma display panel by one embodiment of this invention (a)、(b)はそれぞれ保護膜の例を示す図1のA−A´線で切断した断面図(A), (b) is sectional drawing cut | disconnected by the AA 'line of FIG. 1 which shows the example of a protective film, respectively (a)、(b)は本発明と従来技術でのMgO膜へのH2O吸着量およびCO2吸着量の違いを示す特性図(A), (b) it is a characteristic diagram showing a difference of H 2 O adsorbed amount and CO 2 adsorption amount of the MgO film of the present invention and the prior art 本発明と従来技術の保護膜の寿命比較を示す特性図Characteristics chart showing life comparison of protective film of the present invention and the prior art MgO膜中のSi濃度に対するちらつきレベルの変化を示す特性図Characteristic diagram showing change of flicker level with respect to Si concentration in MgO film 従来のプラズマディスプレイパネルを示す斜視図A perspective view showing a conventional plasma display panel プラズマディスプレイパネルに駆動回路を接続して構成した画像表示装置を示すブロック図Block diagram showing an image display device configured by connecting a driving circuit to a plasma display panel プラズマディスプレイパネルの駆動波形を示すタイムチャートTime chart showing driving waveform of plasma display panel

まず、このような放電空間への不純物ガスの取り込みは、下記の3点の状態が考えられる。   First, the following three points can be considered for the incorporation of the impurity gas into the discharge space.

1.前面パネルの保護膜に不純物ガスが吸着している場合
2.背面パネルの蛍光体に不純物ガスが吸着している場合
3.前面パネル、背面パネル貼り合わせ後の排気工程が不十分である場合
上記1、2の場合、例えばH2O、CO2といった大気中に存在するガスが吸着する物質として考えられる。特に1においての状況は深刻である。
1. 1. Impurity gas is adsorbed on the protective film on the front panel. 2. Impurity gas is adsorbed on the phosphor on the rear panel. In the case where the exhaust process after bonding the front panel and the rear panel is insufficient In the cases 1 and 2, it can be considered as a substance that adsorbs gas existing in the atmosphere such as H 2 O and CO 2 . Especially the situation in 1 is serious.

保護膜が従来のMgOであった場合、このようなガスが吸着すると、吸着によってMg(OH)2、MgCO3等に変質すると考えられる。これらの物質は、MgOから解離するのに必要なエネルギーが非常に高い。そのため、貼り合わせ工程以前にこのようなMgO膜の変質があった場合、その後の封着・排気等の熱工程ではほとんど解離されなくなる。 In the case where the protective film is conventional MgO, it is considered that when such a gas is adsorbed, it is transformed into Mg (OH) 2 , MgCO 3, etc. by adsorption. These materials require very high energy to dissociate from MgO. Therefore, when there is such a change in the MgO film before the bonding process, it is hardly dissociated in the subsequent heat process such as sealing and exhaust.

ところが、これらMg(OH)2、MgCO3等は放電によるイオン衝撃等のエネルギーによってようやく解離し、H2O、CO2といった形、あるいはそのイオンの形にて放出される。すなわち、パネル形成後の画像表示時に、ようやくこれら変質層は不純物ガスとなって放出されることになり、放電空間に残留することになる。 However, these Mg (OH) 2 , MgCO 3, etc. are finally dissociated by energy such as ion bombardment caused by discharge, and are released in the form of H 2 O, CO 2 , or their ions. That is, when the image is displayed after the panel is formed, these deteriorated layers are finally released as impurity gases and remain in the discharge space.

よって、前述したような不純物ガスの影響が画像表示品位の劣化、その寿命劣化となって現れてくる。   Therefore, the influence of the impurity gas as described above appears as degradation of image display quality and degradation of its life.

また、さらに保護膜の膜成長が、柱状構造のような膜厚方向に対して垂直に界面が存在するような形態の場合、この柱状構造の界面にもMg(OH)2、MgCO3は形成されると考えられる。この界面に形成された変質層は、放電によって保護膜が摩耗される(イオン衝撃によってスパッタされる)と同時に、H2O、CO2への解離が随時進行し、放電空間への不純物ガスの供給が常時行われることになる。つまり、画像表示デバイスとして使用する時間とともに画像表示品位劣化が促進されることになる。 Further, when the protective film is grown in such a form that there is an interface perpendicular to the film thickness direction as in the columnar structure, Mg (OH) 2 and MgCO 3 are also formed at the interface of the columnar structure. It is thought that it is done. In the altered layer formed at this interface, the protective film is worn by the discharge (sputtered by ion bombardment), and at the same time, dissociation into H 2 O and CO 2 proceeds at any time, and the impurity gas into the discharge space Supply will always be made. That is, deterioration of image display quality is promoted with the time used as an image display device.

従って、この課題に対する根本的対策としては、貼り合わせ工程以前に、このようなH2O、CO2の保護膜のMgOへの吸着をさせなければ、上記のような様々な画像表示品位の劣化を防止することができる。 Therefore, as a fundamental countermeasure against this problem, various image display quality deteriorations as described above are required unless the H 2 O and CO 2 protective films are adsorbed to MgO before the bonding process. Can be prevented.

このための方法として、Mg(OH)2、MgCO3等よりも化学的に安定な物質で、これら変質層が形成される前にMgOを覆うことが効果的であると考えられる。 As a method for this purpose, it is considered that it is effective to cover MgO with a substance that is chemically more stable than Mg (OH) 2 , MgCO 3, etc. before these altered layers are formed.

従って、本発明者らは、新たな工程を全く加えることなく変質層であるMg(OH)2、MgCO3を生成させない保護膜材料を模索した結果、本発明に想到した。 Therefore, the present inventors have conceived the present invention as a result of searching for a protective film material that does not generate Mg (OH) 2 and MgCO 3 as altered layers without adding any new process.

なお、上記説明においてはMgOからの変質層としてMg(OH)2、MgCO3のみについて記述したが、これら以外にも、大気中のガスの吸着によって、MgOはMg(NO32、MgSO4、Mg(HCO32等への変質も考えられるが、本発明を実施することによってこれらの変質層の形成についても同様に防止することができ、かつ同様の効果が得られる。 In the above description, only Mg (OH) 2 and MgCO 3 are described as altered layers from MgO, but besides these, MgO is Mg (NO 3 ) 2 , MgSO 4 due to adsorption of gas in the atmosphere. Although alteration to Mg (HCO 3 ) 2 or the like is also conceivable, by implementing the present invention, formation of these alteration layers can be similarly prevented and the same effect can be obtained.

すなわち、本発明では、主電極対を構成する第1および第2の電極が放電ガスに対して絶縁層で覆われ、前記絶縁層が保護膜で覆われたプラズマディスプレイパネルであって、前記保護膜の表層の少なくとも一部が、前記保護膜の母材の水酸化物、炭酸化物、硝酸化物、硫酸化物のうちのいずれかよりも標準生成エンタルピー値が大きい物質で覆われていることを特徴とする。   That is, according to the present invention, there is provided a plasma display panel in which the first and second electrodes constituting the main electrode pair are covered with an insulating layer with respect to a discharge gas, and the insulating layer is covered with a protective film. At least a part of the surface layer of the membrane is covered with a substance having a larger standard generation enthalpy value than any of hydroxide, carbonate, nitrate, and sulfate of the base material of the protective membrane And

また、本発明では、前記保護膜が酸化マグネシウム[MgO]であることを特徴とする。   In the present invention, the protective film is magnesium oxide [MgO].

さらに、本発明では、前記酸化マグネシウムの表層の少なくとも一部が、水酸化マグネシウム[Mg(OH)2]、炭酸マグネシウム[MgCO3]、炭酸水素マグネシウム[Mg(HCO32]、硝酸化マグネシウム[Mg(NO32]および硫酸化マグネシウム[MgSO4]のうちのいずれかよりも標準生成エンタルピー値が低い物質で覆われていることを特徴とする。 Furthermore, in the present invention, at least a part of the surface layer of magnesium oxide is magnesium hydroxide [Mg (OH) 2 ], magnesium carbonate [MgCO 3 ], magnesium hydrogen carbonate [Mg (HCO 3 ) 2 ], magnesium nitrate. It is characterized by being covered with a substance having a standard enthalpy value lower than that of either [Mg (NO 3 ) 2 ] or magnesium sulfate [MgSO 4 ].

また、本発明では、前記酸化マグネシウムの表層の少なくとも一部が、標準生成エンタルピー値が−925kJ/molよりも低い物質、標準生成エンタルピー値が−1096kJ/molよりも低い物質、標準生成エンタルピー値が−791kJ/molよりも低い物質または標準生成エンタルピー値が−1284kJ/molよりも低い物質で覆われていることを特徴とする。   In the present invention, at least a part of the surface layer of magnesium oxide is a substance having a standard production enthalpy value lower than −925 kJ / mol, a substance having a standard production enthalpy value lower than −1096 kJ / mol, and a standard production enthalpy value. It is characterized by being covered with a substance lower than −791 kJ / mol or a substance with a standard production enthalpy value lower than −1284 kJ / mol.

また、本発明では前記酸化マグネシウムの表層の少なくとも一部が、燐[P]または珪素[Si]を含む物質で覆われていることを特徴とする。そして、その燐を含む物質は、Mg3(PO42であり、前記珪素を含む物質は、MgSiO3およびMg2SiO4の少なくとも一方である。 In the present invention, at least a part of the surface layer of magnesium oxide is covered with a substance containing phosphorus [P] or silicon [Si]. The substance containing phosphorus is Mg 3 (PO 4 ) 2 , and the substance containing silicon is at least one of MgSiO 3 and Mg 2 SiO 4 .

また、本発明では、主電極対を構成する第1および第2の電極が放電ガスに対して絶縁層で覆われ、前記絶縁層が酸化マグネシウムで覆われたプラズマディスプレイパネルであって、前記酸化マグネシウムに燐[P]を含んでいることを特徴とする。そして、その酸化マグネシウムに含まれる燐の濃度が、100〜15000ppmの範囲内であることを特徴とする。   According to the present invention, there is provided a plasma display panel in which the first and second electrodes constituting the main electrode pair are covered with an insulating layer with respect to a discharge gas, and the insulating layer is covered with magnesium oxide. Magnesium contains phosphorus [P]. And the density | concentration of the phosphorus contained in the magnesium oxide exists in the range of 100-15000 ppm, It is characterized by the above-mentioned.

また、前記酸化マグネシウムに含まれる燐の濃度は、前記酸化マグネシウムの膜の成長方向に対して分布差を有することを特徴とし、さらに前記酸化マグネシウムに含まれる燐の濃度の分布差は、前記誘電体層側と比較して前記放電ガスと接する側の濃度が密であることを特徴とする。   The concentration of phosphorus contained in the magnesium oxide has a distribution difference with respect to the growth direction of the magnesium oxide film, and the distribution difference in the concentration of phosphorus contained in the magnesium oxide Compared to the body layer side, the concentration on the side in contact with the discharge gas is dense.

また、前記酸化マグネシウムの膜は、燐を含む層と、燐を含まない層との多層構造であることを特徴としている。   The magnesium oxide film has a multilayer structure of a layer containing phosphorus and a layer not containing phosphorus.

また、本発明では、主電極対を構成する第1および第2の電極が放電ガスに対して絶縁層で覆われ、前記絶縁層が酸化マグネシウムで覆われたプラズマディスプレイパネルであって、前記酸化マグネシウムに、珪素[Si]を10000〜15000ppmの範囲内の割合で含んでいることを特徴とする。   According to the present invention, there is provided a plasma display panel in which the first and second electrodes constituting the main electrode pair are covered with an insulating layer with respect to a discharge gas, and the insulating layer is covered with magnesium oxide. Magnesium contains silicon [Si] at a ratio in the range of 10,000 to 15000 ppm.

さらに、本発明では、主電極対を構成する第1および第2の電極が放電ガスに対して絶縁層で覆われ、前記絶縁層が酸化マグネシウムで覆われたプラズマディスプレイパネルであって、前記酸化マグネシウムに、珪素[Si]を500〜15000ppmの範囲内の割合で含み、かつ前記酸化マグネシウムに含まれる珪素の濃度が、前記酸化マグネシウムの成長方向に対して分布差があることを特徴とする。そして、その酸化マグネシウムに含まれる珪素の濃度の分布差が前記誘電体側と比較して前記放電ガスと接する側の濃度が密であることを特徴とする。また、前記酸化マグネシウムの膜は、珪素を含有する層と、珪素を含有しない層との多層構造であることを特徴とする。   Furthermore, in the present invention, there is provided a plasma display panel in which the first and second electrodes constituting the main electrode pair are covered with an insulating layer with respect to a discharge gas, and the insulating layer is covered with magnesium oxide. Magnesium contains silicon [Si] at a ratio in the range of 500 to 15000 ppm, and the concentration of silicon contained in the magnesium oxide has a distribution difference with respect to the growth direction of the magnesium oxide. The concentration difference of the silicon contained in the magnesium oxide is characterized in that the concentration on the side in contact with the discharge gas is denser than that on the dielectric side. The magnesium oxide film has a multilayer structure of a layer containing silicon and a layer not containing silicon.

また、本発明では、主電極対を構成する第1および第2の電極が放電ガスに対して絶縁層で覆われ、前記絶縁層が酸化マグネシウムで覆われたプラズマディスプレイパネルであって、前記酸化マグネシウムに、燐および珪素が含まれていることを特徴とする。そして、その酸化マグネシウムに含まれる燐および珪素の濃度は、それぞれ、燐が100〜15000ppm、珪素が500〜15000ppmの範囲内であることを特徴とする。   According to the present invention, there is provided a plasma display panel in which the first and second electrodes constituting the main electrode pair are covered with an insulating layer with respect to a discharge gas, and the insulating layer is covered with magnesium oxide. Magnesium contains phosphorus and silicon. And the density | concentration of the phosphorus and silicon which are contained in the magnesium oxide is characterized by being in the range of 100-15000 ppm of phosphorus and 500-15000 ppm of silicon, respectively.

さらに、前記酸化マグネシウムに含まれる燐および珪素の濃度は、それぞれ前記酸化マグネシウムの膜の成長方向に対して分布差があることを特徴とし、また、前記酸化マグネシウムに含まれる燐および珪素の濃度の分布差は前記誘電体側と比較して前記放電ガスと接する側の濃度が密であることを特徴としている。また、前記酸化マグネシウムの膜は、燐および珪素を含む層と、燐、珪素いずれかを含む層と、燐および珪素を含まない層との多層構造であることを特徴とする。   Further, the concentration of phosphorus and silicon contained in the magnesium oxide has a distribution difference with respect to the growth direction of the magnesium oxide film, respectively, and the concentration of phosphorus and silicon contained in the magnesium oxide The distribution difference is characterized in that the concentration on the side in contact with the discharge gas is denser than that on the dielectric side. The magnesium oxide film has a multilayer structure of a layer containing phosphorus and silicon, a layer containing either phosphorus or silicon, and a layer not containing phosphorus and silicon.

さらに、本発明による保護膜は、放電に面した表面に配設されかつ主構成材料以外に少なくとも1つの元素を含む保護膜であって、前記主構成材料以外の元素が、放電のエネルギーにより解離し表面に再付着する際に、常に放電に面する表面側に移動するものであることを特徴とする。そして、その主構成材料が酸化マグネシウムであり、主構成材料以外の元素が珪素または燐であることを特徴とする。   Furthermore, the protective film according to the present invention is a protective film disposed on the surface facing the discharge and containing at least one element other than the main constituent material, and the elements other than the main constituent material are dissociated by the energy of the discharge. However, when it reattaches to the surface, it always moves to the surface side facing the discharge. The main constituent material is magnesium oxide, and the element other than the main constituent material is silicon or phosphorus.

さらに、本発明では、この保護膜により、プラズマディスプレイパネルの電極を覆う絶縁層を覆うことを特徴とする。   Furthermore, the present invention is characterized in that the protective layer covers an insulating layer that covers the electrodes of the plasma display panel.

また、本発明では、主電極対を構成する第1および第2の電極が放電ガスに対して絶縁層で覆われ、前記絶縁層が酸化マグネシウム膜で覆われたプラズマディスプレイパネルの製造方法であって、ペレット状の酸化マグネシウムと、ペレット状またはパウダ状の燐化合物、あるいはペレット状またはパウダ状の珪素化合物とを混合して同時に加熱する蒸着方法によって酸化マグネシウム膜を形成することを特徴とする。   Further, the present invention is a method for manufacturing a plasma display panel, wherein the first and second electrodes constituting the main electrode pair are covered with an insulating layer against a discharge gas, and the insulating layer is covered with a magnesium oxide film. Then, the magnesium oxide film is formed by a vapor deposition method in which pellet-shaped magnesium oxide, pellet-shaped or powder-like phosphorus compound, or pellet-shaped or powder-shaped silicon compound are mixed and heated simultaneously.

さらに、本発明の製造方法では、パウダ状の酸化マグネシウムと、パウダ状の燐化合物、パウダ状の珪素化合物とを混合した焼結体を加熱する蒸着方法によって前記酸化マグネシウム膜を形成することを特徴とする。   Furthermore, in the manufacturing method of the present invention, the magnesium oxide film is formed by a vapor deposition method in which a sintered body in which powdered magnesium oxide, a powdered phosphorus compound, and a powdered silicon compound are mixed is heated. And

また、本発明の製造方法では、パウダ状の酸化マグネシウムと、パウダ状の燐化合物、パウダ状の珪素化合物とを混合した焼結体をターゲットとしてスパッタリング方法によって前記酸化マグネシウム膜を形成することを特徴とする。   In the production method of the present invention, the magnesium oxide film is formed by a sputtering method using a sintered body obtained by mixing powder-like magnesium oxide, powder-like phosphorus compound, and powder-like silicon compound as a target. And

これらの本発明により、保護膜のMgOが変質層のMg(OH)2、MgCO3等を形成することなく、かつ不純物ガスがパネル内に取り込まれることなく、プラズマディスプレイパネルを作製することができ、画像表示品位を向上させ、またその高品位の状態を長寿命的に保持できるようになる。また、上述のように、MgOの成長方向に対してSiの濃度を変化させることによって、MgOの放電ガスに接する側の表面層ではSi、Mgの化合物が形成されるため、変質層のMg(OH)2、MgCO3、Mg(NO32、MgSO4等が形成されず、かつ表面層より内部側、すなわち保護膜中では不純物が少ないMgOのままであるため、電子放出能力が維持されることになり、より一層の画像表示品位の向上が得られる。 According to these present inventions, a plasma display panel can be manufactured without MgO of the protective film forming Mg (OH) 2 , MgCO 3, etc. of the deteriorated layer, and impurity gas is not taken into the panel. Thus, the image display quality can be improved and the high quality state can be maintained for a long lifetime. Further, as described above, by changing the Si concentration with respect to the growth direction of MgO, a compound of Si and Mg is formed in the surface layer on the side in contact with the MgO discharge gas. OH) 2 , MgCO 3 , Mg (NO 3 ) 2 , MgSO 4, and the like are not formed, and the inside of the surface layer, that is, MgO with less impurities remains in the protective film, so that the electron emission capability is maintained. As a result, the image display quality can be further improved.

以下、本発明の一実施の形態によるプラズマディスプレイパネルについて図面を参照しながら具体的に説明する。   Hereinafter, a plasma display panel according to an embodiment of the present invention will be described in detail with reference to the drawings.

図1は、本発明の一実施の形態に係る交流面放電型プラズマディスプレイパネル1(以下、単にPDP1という)の部分斜視図である。   FIG. 1 is a partial perspective view of an AC surface discharge type plasma display panel 1 (hereinafter simply referred to as PDP 1) according to an embodiment of the present invention.

このPDP1は、各電極にパルス状の電圧を印加することで放電を放電空間30内で生じさせ、放電に伴って背面パネルPA2側で発生した各色の可視光を前面パネルPA1の主表面から透過させる交流面放電型のPDPである。   The PDP 1 generates a discharge in the discharge space 30 by applying a pulsed voltage to each electrode, and transmits visible light of each color generated on the back panel PA 2 side from the main surface of the front panel PA 1 along with the discharge. AC surface discharge type PDP.

前面パネルPA1は、走査電極12aと維持電極12bとが放電ギャップ12cを設けてストライプ状に複数対配設(図では便宜上1対を記載してある)された前面ガラス基板11上に、表面11aを覆うように絶縁層としての誘電体ガラス層13が形成されており、さらに、この誘電体ガラス層13を覆うようにMgOからなる保護膜14が形成されたものである。   The front panel PA1 has a surface 11a on a front glass substrate 11 in which a plurality of pairs of scanning electrodes 12a and sustaining electrodes 12b are provided in a stripe shape with a discharge gap 12c (one pair is shown in the figure for convenience). A dielectric glass layer 13 is formed as an insulating layer so as to cover the dielectric layer. Further, a protective film 14 made of MgO is formed so as to cover the dielectric glass layer 13.

この保護膜14は上述したような吸着ガスの低減および変質層の形成を防止するような作製方法によって成膜される。   This protective film 14 is formed by a manufacturing method as described above, which reduces adsorbed gas and prevents the formation of a deteriorated layer.

背面パネルPA2は、アドレス電極17が前記走査電極12aと維持電極12bと直交するようにストライプ状に配設された背面ガラス基板16上に、アドレス電極を保護するとともに可視光を前面パネル側に反射する作用を担う電極保護層18が当該アドレス電極17を覆うように形成されており、この電極保護層18上にアドレス電極17と同じ方向に向けて伸び、アドレス電極17を挟むように隔壁19が立設され、さらに当該隔壁19間に蛍光体層20が配設されたものである。   The rear panel PA2 protects the address electrodes on the rear glass substrate 16 arranged in stripes so that the address electrodes 17 are orthogonal to the scan electrodes 12a and the sustain electrodes 12b, and reflects visible light to the front panel side. An electrode protection layer 18 that functions to cover the address electrode 17 is formed. The partition wall 19 extends on the electrode protection layer 18 in the same direction as the address electrode 17 and sandwiches the address electrode 17 therebetween. Further, the phosphor layer 20 is disposed between the partition walls 19.

上記構成のPDPの駆動は上述した図7に示す駆動回路を用いて、図8に示す駆動波形に基づいて駆動される。なお、アドレス電極駆動部220には、アドレス電極17が接続され、走査電極駆動部230には、走査電極12aが、維持電極駆動部240には、維持電極12bが接続される。   The PDP having the above configuration is driven based on the drive waveform shown in FIG. 8 by using the drive circuit shown in FIG. The address electrode 17 is connected to the address electrode driver 220, the scan electrode 12a is connected to the scan electrode driver 230, and the sustain electrode 12b is connected to the sustain electrode driver 240.

次に、本発明の保護膜の形態について述べる。   Next, the form of the protective film of the present invention will be described.

図2(a)は、図1におけるA−A´線で切断した断面図である。従来の技術では誘電体上に保護層として酸化マグネシウムの1層のみの膜が形成されるだけであるが、本発明ではこの保護膜としての酸化マグネシウムの放電空間に面した側にさらに第2の保護層が設けられた構成としている。すなわち、保護膜14が酸化マグネシウムの第1保護層14aと第2保護層14bにより構成されている。   FIG. 2A is a cross-sectional view taken along line AA ′ in FIG. In the prior art, only one layer of magnesium oxide is formed as a protective layer on the dielectric, but in the present invention, a second layer is further formed on the side facing the discharge space of magnesium oxide as the protective film. The protective layer is provided. That is, the protective film 14 is composed of a first protective layer 14a and a second protective layer 14b made of magnesium oxide.

この第2保護層14bは、標準生成エンタルピー値がMg(OH)2、MgCO3等のその値よりも低くなり、化学的により安定な物質であり、またこの第2保護層14bは、マグネシウム、珪素の酸化物であるか、あるいはマグネシウム、燐の酸化物である。 This second protective layer 14b has a standard generation enthalpy value lower than that of Mg (OH) 2 , MgCO 3, etc., and is a more chemically stable material. This second protective layer 14b is made of magnesium, It is an oxide of silicon, or an oxide of magnesium or phosphorus.

また、図2(b)は、保護膜の酸化マグネシウムの膜構造が柱状構造であった場合について示している。この場合も図2(a)と同様に、第1保護層14aに相当する酸化マグネシウムの表面全体を覆うように第2保護層14bが形成される。すなわちそれら個々の柱状構造部の界面においても第2保護層14bが形成されることになる。なお、図2では酸化マグネシウムの放電空間に面した側の全体を覆うように第2保護層を図示してあるが、本発明はこの形態だけに限らず第1保護層の少なくとも一部を覆う場合でも同様の効果は得られる。   FIG. 2B shows a case where the magnesium oxide film structure of the protective film is a columnar structure. Also in this case, the second protective layer 14b is formed so as to cover the entire surface of the magnesium oxide corresponding to the first protective layer 14a, as in FIG. That is, the second protective layer 14b is also formed at the interface between these individual columnar structures. In FIG. 2, the second protective layer is illustrated so as to cover the entire side of the magnesium oxide facing the discharge space, but the present invention is not limited to this form and covers at least a part of the first protective layer. Even in this case, the same effect can be obtained.

上記のように、第1保護層(酸化マグネシウム)の放電空間に面した側に第2保護層を形成することによって、保護膜にMg(OH)2、MgCO3、Mg(NO32、MgSO4、Mg(HCO32等の変質層が形成されなくなる。 As described above, by forming the second protective layer on the side of the first protective layer (magnesium oxide) facing the discharge space, Mg (OH) 2 , MgCO 3 , Mg (NO 3 ) 2 , Altered layers such as MgSO 4 and Mg (HCO 3 ) 2 are not formed.

図3(a)、(b)に本発明、および従来技術それぞれの保護膜の吸着量を示す。これは各ガラス基板上にそれぞれの保護膜を形成し、その後ある一定時間(製造時に要すると考えられる時間)放置し、それら試料を昇温脱離による四重極質量分析装置にて各試料への吸着量を測定したものである。これによると、従来のMgOのみの保護膜と比較して、本発明のMgO+Mg、Siの酸化物、あるいはMgO+Mg、Pの酸化物である保護膜の方の吸着量が少ないことがわかる。   3A and 3B show the amounts of adsorption of the protective films of the present invention and the prior art. In this method, each protective film is formed on each glass substrate, and then left for a certain period of time (which is considered to be required during production), and these samples are placed on each sample by a quadrupole mass spectrometer using temperature programmed desorption. The amount of adsorbed was measured. This shows that the amount of adsorption of the protective film made of the MgO + Mg, Si oxide or MgO + Mg, P oxide of the present invention is smaller than that of the conventional protective film made only of MgO.

また、この図3に示した3種類の保護膜で作製したPDPでの寿命試験の結果を図4に示す。これは放電に必要な電圧が急激に上昇した時間を寿命限界としたものである。これによると従来のMgOのみの保護膜と比較して、本発明のMgO+Mg、Siの酸化物、あるいはMgO+Mg、Pの酸化物である保護膜の方が、寿命限界に達するまでの時間が長いことがわかる。これら2種類の検討結果から、保護膜としてのMgOの変質層形成を防止することが、表示高品位および長寿命化につながると考えられる。   In addition, FIG. 4 shows the results of a life test using a PDP manufactured using the three types of protective films shown in FIG. This is the life limit defined by the time during which the voltage required for discharge suddenly increases. According to this, the protective film made of MgO + Mg, Si or MgO + Mg, P oxide of the present invention takes a longer time to reach the life limit than the conventional MgO + protective film. I understand. From these two types of examination results, it is considered that preventing the formation of a deteriorated layer of MgO as a protective film leads to higher display quality and longer life.

これは従来技術の保護膜では成膜後、MgOの表面(パネル形成後放電空間に面する側)が、Mg(OH)2、MgCO3、Mg(NO32、MgSO4、Mg(HCO32等に化学変化し、その変質層がパネル化された後に放電空間にH2O、CO2等になって放出されることが影響していると考えられる。これはこの放電ガス以外の不純物ガスの存在によって、本来セットアップ期間250で形成された壁電荷が消去されるためである。 This is because the surface of MgO (side facing the discharge space after panel formation) is Mg (OH) 2 , MgCO 3 , Mg (NO 3 ) 2 , MgSO 4 , Mg (HCO 3) chemically changed to 2, etc., is considered to H 2 O in the discharge space after an altered layer thereof is paneled, to be released becomes CO 2, etc. are affected. This is because wall charges originally formed in the setup period 250 are erased by the presence of impurity gases other than the discharge gas.

ところが本発明においては、第1保護層であるMgOの表面に第2保護層が形成されている。この第2保護層は変質層と成りうるMg(OH)2、MgCO3、Mg(NO32、MgSO4、Mg(HCO32等よりも標準生成エンタルピー値が低く、化学的に安定なため、これらの変質層は形成されない。すなわち、従来技術では生じていたような、パネル化後に放電空間に不純物ガスが放出されることは起こらない。この結果、壁電荷の消去という問題が起こらず、製品の長寿命化に繋がる。 However, in this invention, the 2nd protective layer is formed in the surface of MgO which is a 1st protective layer. This second protective layer is chemically stable because it has a lower standard enthalpy value than Mg (OH) 2 , MgCO 3 , Mg (NO 3 ) 2 , MgSO 4 , Mg (HCO 3 ) 2, etc. Therefore, these deteriorated layers are not formed. That is, the impurity gas is not released into the discharge space after the panel formation, which has occurred in the prior art. As a result, the problem of erasing wall charges does not occur, leading to a longer product life.

表1に本発明で挙げた物質の標準生成エンタルピー値を掲載しておく。なお、本発明では標準生成エンタルピー値(kJ/mol)とは標準状態(1atm、25℃)における化合物1molあたりの生成熱を示すこととしている。すなわち、化合物がその成分元素の単体から反応して生成する熱(反応熱)のことであり、この標準生成エンタルピーが低い値の物質の方が安定であるといえる。また、ある化合物についての標準生成エンタルピー値が必要な場合は、化学便覧等の文献(表1では化学便覧改訂4版[日本化学会編]より抜粋した)から調べることができる。   Table 1 lists the standard production enthalpy values of the substances mentioned in the present invention. In the present invention, the standard generation enthalpy value (kJ / mol) indicates the heat of formation per 1 mol of the compound in the standard state (1 atm, 25 ° C.). That is, it is the heat (reaction heat) generated when a compound reacts from a single component element, and it can be said that a substance with a low standard generation enthalpy is more stable. In addition, when a standard generation enthalpy value for a certain compound is required, it can be examined from a literature such as a chemical manual (extracted from the 4th edition of the Chemical Handbook [edited by the Chemical Society of Japan] in Table 1).

Figure 2011060783
Figure 2011060783

ところで第2保護層が厚くなれば、安定して変質層の形成を防止することが可能となるが、一方で厚くなれば、MgOからの電子放出能力が阻害されることにもなる。このような観点から、第2保護層の膜厚が重要になってくる。また、この第2保護層の膜厚はMgOに含まれるSiの濃度に大きく起因しており、Si濃度が大きくなれば、膜厚も大きくなる。   By the way, if the second protective layer is thick, it is possible to stably prevent the formation of the deteriorated layer. On the other hand, if the second protective layer is thick, the ability of emitting electrons from MgO is inhibited. From such a viewpoint, the film thickness of the second protective layer becomes important. The film thickness of the second protective layer is largely attributed to the concentration of Si contained in MgO, and the film thickness increases as the Si concentration increases.

そこで、図5にこのMgO膜に含まれるSiの濃度とPDPとしての画像表示品位のレベルを視認評価した結果を示す。この視認レベルの数値は「ちらつき度合い」を示しており、低い値ほど良好な表示品位であるとした。視認レベル2を製品としての良品限界としたところ、Siの濃度で15000ppm以下であることが望ましいということがわかった。なお、上記の濃度検討はSiについてのみ記述したが、Pについても同様の検討をした結果、Pの場合、濃度で100〜15000ppmの範囲内が有効であった。また、この評価は「壁電荷消去」の発生しない特異な条件において検討している。   FIG. 5 shows the result of visual evaluation of the concentration of Si contained in the MgO film and the level of image display quality as PDP. The numerical value of the visual recognition level indicates “flickering degree”, and the lower the value, the better the display quality. When the visual recognition level 2 is defined as a non-defective product limit, it was found that the Si concentration is preferably 15000 ppm or less. In addition, although said density | concentration examination described only about Si, as a result of examining the same about P, in the case of P, the density | concentration within the range of 100-15000 ppm was effective. In addition, this evaluation is performed under a unique condition in which “wall charge erasure” does not occur.

次に、PDPの製造方法について説明する。   Next, a method for manufacturing a PDP will be described.

まず、前面パネルPA1の作製について説明すると、前面ガラス基板11上に走査電極12a、維持電極12bが交互に配列するように形成する。走査電極12a、維持電極12bは、金属電極であって、白金を電子ビーム蒸着法によって成膜した後、リフトオフ法によってパターニングすることによって形成される。なお、ITOなどの透明電極と金属電極の対により各走査電極12aおよび維持電極12bとを形成してもよい。   First, the production of the front panel PA1 will be described. The scan electrodes 12a and the sustain electrodes 12b are formed on the front glass substrate 11 so as to be alternately arranged. The scan electrode 12a and the sustain electrode 12b are metal electrodes, and are formed by forming a film of platinum by an electron beam evaporation method and then patterning it by a lift-off method. Each scanning electrode 12a and sustain electrode 12b may be formed of a pair of a transparent electrode such as ITO and a metal electrode.

次に、前記走査電極12aおよび維持電極12bを覆うように、誘電体ガラス層をスクリーン印刷法などの公知の印刷法によって印刷後焼成することによって形成する。   Next, a dielectric glass layer is formed by printing and baking by a known printing method such as a screen printing method so as to cover the scan electrode 12a and the sustain electrode 12b.

次に、誘電体ガラス層13の表面にMgOの保護膜14を形成する。具体的には、誘電体ガラス層13の表面にMgO薄膜を電子ビーム蒸着法によって析出させることにより形成する。   Next, an MgO protective film 14 is formed on the surface of the dielectric glass layer 13. Specifically, an MgO thin film is deposited on the surface of the dielectric glass layer 13 by electron beam evaporation.

次に、背面パネルPA2の作製について説明すると、背面パネルPA2は、背面ガラス基板16上にアドレス電極17を形成し、その上を電極保護層18で覆い、この電極保護層18の表面に隔壁19を形成し、その後蛍光体層20を形成することによって作製する。アドレス電極17は、背面ガラス基板16上に前記走査電極12a、維持電極12bと同様の方法にて作製する。   Next, the production of the back panel PA2 will be described. In the back panel PA2, the address electrodes 17 are formed on the back glass substrate 16, and the electrode electrodes are covered with the electrode protection layer 18, and the partition walls 19 are formed on the surface of the electrode protection layer 18. Then, the phosphor layer 20 is formed. The address electrode 17 is formed on the rear glass substrate 16 by the same method as the scan electrode 12a and the sustain electrode 12b.

電極保護層18は、アドレス電極17の上にスクリーン印刷法などの印刷法を用いて印刷後、焼成することによって形成されたもので、前記誘電体ガラス層13と同じようなガラスの組成物に、酸化チタン(TiO2)粒子を含有させた薄膜である。 The electrode protective layer 18 is formed on the address electrode 17 by printing using a printing method such as a screen printing method and then firing, and is formed of a glass composition similar to the dielectric glass layer 13. The thin film contains titanium oxide (TiO 2 ) particles.

隔壁19は、スクリーン印刷法、リフトオフ法、あるいはサンドブラスト法等の方法で隔壁形成原料を塗布した後、これを焼成し、その後隔壁頂部に加工処理を施すことによって形成されたものである。   The partition wall 19 is formed by applying a partition wall forming raw material by a method such as a screen printing method, a lift-off method, or a sand blasting method, firing the material, and then processing the top of the partition wall.

蛍光体層20は、スクリーン印刷法、ノズル噴霧法などの方法によって形成されたものである。なお、蛍光体には、赤色、緑色、青色の3色を用いる。そして、例えば、以下のものを用いることができる。   The phosphor layer 20 is formed by a method such as screen printing or nozzle spraying. Note that three colors of red, green, and blue are used for the phosphor. For example, the following can be used.

赤色蛍光体 : Y23:Eu3+
緑色蛍光体 : Zn2SiO4:Mn2+
青色蛍光体 : BaMgAl1017:Eu2+
次に、前面パネルPA1と背面パネルPA2とを走査電極12a、維持電極12bとアドレス電極17とが直交する状態に位置合わせして両パネルを貼り合わせる。その後、隔壁19に仕切られた放電空間30内に放電ガス、例えば、He−Xe系、Ne−Xe系の不活性ガスを所定の圧力で封入する。
Red phosphor: Y 2 O 3 : Eu 3+
Green phosphor: Zn 2 SiO 4 : Mn 2+
Blue phosphor: BaMgAl 10 O 17 : Eu 2+
Next, the front panel PA1 and the rear panel PA2 are aligned so that the scan electrodes 12a, the sustain electrodes 12b, and the address electrodes 17 are orthogonal to each other, and the two panels are bonded together. Thereafter, a discharge gas, for example, a He—Xe-based or Ne—Xe-based inert gas is sealed in the discharge space 30 partitioned by the barrier ribs 19 at a predetermined pressure.

次に、本発明の保護膜の製造方法について説明する。   Next, the manufacturing method of the protective film of this invention is demonstrated.

まず、Siを使用する形態の製造方法について説明すると、MgO蒸着源にSiを含有した物質を混合し、酸素雰囲気中において、ピアス式電子ビームガンを加熱源として、同時に加熱し所望の膜を形成した。このときSiが持つ特有の自己拡散能力により、酸素雰囲気中であるため、膜成長中にSi元素は常に膜表面に移動する。このため、成膜終了時には、MgOとMg、Siの酸化物の2層に分離された保護膜が得られる。   First, a manufacturing method using Si will be described. A material containing Si is mixed in an MgO vapor deposition source, and a desired film is formed by simultaneously heating in an oxygen atmosphere using a piercing electron beam gun as a heating source. . At this time, due to the unique self-diffusion ability of Si, in an oxygen atmosphere, Si element always moves to the film surface during film growth. For this reason, at the end of film formation, a protective film separated into two layers of MgO, Mg, and Si oxide is obtained.

このとき上述のようなSiが持つ特有の自己拡散能力を利用するためには、通常の成膜時よりも基板にエネルギーを与えることが必要である。本実施の形態では基板温度を通常値よりも高く設定し、さらに酸素分圧を通常値よりも高く設定して行った。   At this time, in order to utilize the unique self-diffusion ability of Si as described above, it is necessary to give energy to the substrate rather than during normal film formation. In this embodiment, the substrate temperature is set higher than the normal value, and the oxygen partial pressure is set higher than the normal value.

これ以外にも、例えば成膜後に保護膜表面に紫外線を照射する手法や、オゾン雰囲気にて成膜する手法や、蒸着源−基板間の距離を短くする手法などがあり、基板に通常よりもエネルギーを与える手法ならば同様の構造の保護膜が得られ、同様の効果が得られる。   In addition to this, for example, there are a method of irradiating the surface of the protective film with ultraviolet rays, a method of forming a film in an ozone atmosphere, a method of shortening the distance between the evaporation source and the substrate, etc. If the method is to apply energy, a protective film having the same structure can be obtained, and the same effect can be obtained.

また、このMgOに含まれるSi濃度は、先述したように良好な画像表示品位を得るためには500〜15000ppmであることが必要であった。この濃度はパネル形成後の膜分析およびサファイア基板に同時成膜した試料の発光分光分析結果から見積もった。   Further, the Si concentration contained in MgO is required to be 500 to 15000 ppm in order to obtain a good image display quality as described above. This concentration was estimated from the film analysis after the panel was formed and the emission spectroscopic analysis result of the sample simultaneously formed on the sapphire substrate.

さらには、Si濃度10000〜15000ppmの範囲内では、MgO膜内に均一に存在していても同様の効果は得られるが、Si濃度500〜10000ppmの範囲内では、MgO膜の成長方向に対して濃度分布が存在し、MgO膜の放電ガスに接する側に密に存在することが望ましい。   Furthermore, in the range of Si concentration of 10,000 to 15,000 ppm, the same effect can be obtained even if it exists uniformly in the MgO film. However, in the range of Si concentration of 500 to 10,000 ppm, the growth direction of the MgO film can be obtained. It is desirable that there is a concentration distribution and that the MgO film is densely present on the side in contact with the discharge gas.

また、上記実施の形態の例に限らず、パウダ状のMgO材料とパウダ状のSi含有の材料を混合し、焼結したペレットを用いてもかまわない。あるいはそれを用いたスパッタリング方法でも同様の効果は得られる。また、装置内のMgO蒸着源の容器にSiを含有させる手法でも、上記同様に保護膜内にSiを含有させることは可能である。   Moreover, the present invention is not limited to the above embodiment, and a pellet obtained by mixing and sintering a powder-like MgO material and a powder-like Si-containing material may be used. Alternatively, the same effect can be obtained by a sputtering method using the same. Moreover, Si can be contained in the protective film in the same manner as described above even when the SiO is contained in the container of the MgO vapor deposition source in the apparatus.

次に、Pを使用する形態の製造方法について説明すると、この場合も上述のSiの場合と同様に蒸着方法を使用した。MgO蒸着源にPを含有した物質を混合し、酸素雰囲気中において、ピアス式電子ビームガンを加熱源として、同時に加熱し所望の膜を形成した。このときSi同様、Pが持つ特有の自己拡散能力により、酸素雰囲気中であるため、膜成長中にP元素は常に膜表面に移動する。このため、成膜終了時には、MgOとMg、Pの酸化物の2層に分離された保護膜が得られる。   Next, the production method using P will be described. In this case as well, the vapor deposition method was used as in the case of Si described above. A substance containing P was mixed in an MgO vapor deposition source, and a desired film was formed by heating simultaneously in an oxygen atmosphere using a piercing electron beam gun as a heating source. At this time, like Si, the P element always moves to the film surface during film growth because of the unique self-diffusion ability of P in the oxygen atmosphere. For this reason, at the end of film formation, a protective film separated into two layers of MgO, Mg, and P oxide is obtained.

このとき上述のようなPが持つ特有の自己拡散能力を利用するためには、通常の成膜時よりも基板にエネルギーを与えることが必要である。本実施の形態では基板温度を通常値よりも高く設定し、さらに酸素分圧を通常値よりも高く設定して行った。   At this time, in order to use the peculiar self-diffusion capability of P as described above, it is necessary to give energy to the substrate rather than during normal film formation. In this embodiment, the substrate temperature is set higher than the normal value, and the oxygen partial pressure is set higher than the normal value.

これ以外にも、例えば成膜後に保護膜表面に紫外線を照射する手法や、オゾン雰囲気にて成膜する手法や、蒸着源−基板間の距離を短くする手法などがあり、基板に通常よりもエネルギーを与える手法ならば同様の構造の保護膜が得られ、同様の効果が得られる。   In addition to this, for example, there are a method of irradiating the surface of the protective film with ultraviolet rays, a method of forming a film in an ozone atmosphere, a method of shortening the distance between the evaporation source and the substrate, etc. If the method is to apply energy, a protective film having the same structure can be obtained, and the same effect can be obtained.

また、このMgOに含まれるPの濃度は、良好な画像表示品位が得られるためには100〜15000ppmであることが効果的であった。この濃度はSiの場合と同様にパネル形成後の膜分析およびサファイア基板に同時成膜した試料の発光分光分析結果から見積もった。   The concentration of P contained in MgO is effectively 100 to 15000 ppm in order to obtain a good image display quality. This concentration was estimated from the film analysis after the panel formation and the emission spectroscopic analysis result of the sample simultaneously formed on the sapphire substrate as in the case of Si.

なお、上記実施の形態はSi、Pが持つ自己拡散能力を利用して作製されたものだが、第1保護層としてMgO、第2保護層としてSi、あるいはPの化合物として多層構造を形成する場合でも同様の効果が得られる。これら第2保護層を別途形成する場合、作製方法としては、従来技術通り、第1保護層となるMgOを成膜した直後、その表面を大気に晒すことなく、それら第2保護層の原材料となる材料の成膜を行うことが望ましい。   In the above embodiment, the self-diffusion capability of Si and P is used, but a multilayer structure is formed as MgO as the first protective layer, Si as the second protective layer, or a compound of P. But the same effect can be obtained. When these second protective layers are separately formed, the production method is as follows. As described in the related art, immediately after forming MgO to be the first protective layer, the surface of the second protective layer is not exposed to the atmosphere. It is desirable to form a film of such a material.

また、さらに上記実施の形態の例は、マグネシウム、珪素の酸化物、マグネシウム、燐の酸化物の作製方法についてのみ示したが、この場合に限らず、Mg(OH)2、MgCO3、Mg(HCO32、Mg(NO32等の標準生成エンタルピーよりも低い値をもつ物質を第2保護層として用いるならば本発明の効果は得られる。 Further, the example of the above embodiment shows only the method for manufacturing magnesium, silicon oxide, magnesium, and phosphorus oxide. However, the present invention is not limited to this, and Mg (OH) 2 , MgCO 3 , Mg ( The effect of the present invention can be obtained if a material having a value lower than the standard enthalpy of formation such as HCO 3 ) 2 and Mg (NO 3 ) 2 is used as the second protective layer.

ところで、プラズマディスプレイパネルの放電空間内部の放電に面している部位では、放電ガスのスパッタ作用によって、摩耗してくる。当然、第2保護層であるMg、Siの酸化物層、あるいはMg、Pの酸化物層も同様にスパッタ作用によって摩耗してくる。   By the way, the part facing the discharge inside the discharge space of the plasma display panel is worn by the sputtering action of the discharge gas. Of course, the Mg, Si oxide layer or the Mg, P oxide layer, which is the second protective layer, is also worn by the sputtering action.

ところが、先述したようにSi、Pは自己拡散能力を保持しているため、スパッタされた後、保護膜に再付着する際にも、最表面に拡散してくる。すなわち、第2保護層は寿命劣化進行中においても常に形成され続けることになる。この結果、プラズマディスプレイパネルおよびそのパネルを用いた画像表示装置を経時的に使用している最中でも本発明の効果は維持されることになる。   However, as described above, since Si and P retain their self-diffusion ability, they are diffused to the outermost surface even when they are reattached to the protective film after being sputtered. That is, the second protective layer is always formed even when the life deterioration is in progress. As a result, the effect of the present invention is maintained even while the plasma display panel and the image display device using the panel are used over time.

以上説明したように本発明は、主電極対を構成する第1および第2の電極が放電ガスに対して絶縁層で被覆されたプラズマディスプレイパネルであって、前記絶縁層のうちの少なくとも前記放電ガスと接する表層として、酸化マグネシウム[MgO]膜が設けられ、MgO膜の表層の少なくとも一部が、水酸化マグネシウム[Mg(OH)2]、炭酸マグネシウム[MgCO3]、炭酸水素マグネシウム[Mg(HCO32]、硝酸化マグネシウム[Mg(NO32]、硫酸化マグネシウム[MgSO4]等の標準生成エンタルピーよりも低い値を持つ物質で覆われることにより、MgO膜の変質層が形成されなくなり、かつパネル貼り合わせ後の放電空間への不純物ガスの取り込みを防止することが可能となり、その結果壁電荷消去問題が解決され、画像表示品位が向上し、かつその良好な品位が長寿命的に維持できるようになる。この点で産業上有用である。 As described above, the present invention is a plasma display panel in which the first and second electrodes constituting the main electrode pair are covered with an insulating layer against a discharge gas, and at least the discharge of the insulating layer As a surface layer in contact with the gas, a magnesium oxide [MgO] film is provided, and at least a part of the surface layer of the MgO film includes magnesium hydroxide [Mg (OH) 2 ], magnesium carbonate [MgCO 3 ], magnesium hydrogen carbonate [Mg ( An altered layer of the MgO film is formed by being covered with a material having a lower value than the standard enthalpy of formation such as HCO 3 ) 2 ], magnesium nitrate [Mg (NO 3 ) 2 ], magnesium sulfate [MgSO 4 ], etc. In addition, it is possible to prevent impurity gas from being taken into the discharge space after the panels are bonded together. There is resolved, improved image display quality, and its good quality will be able to maintain a long life basis. This point is industrially useful.

PA1 前面パネル
PA2 背面パネル
1 プラズマディスプレイパネル(PDP)
11 前面ガラス基板
12a 走査電極
12b 維持電極
12c 放電ギャップ
13 誘電体ガラス層
14 保護膜
14a 第1保護層
14b 第2保護層
16 背面ガラス基板
17 アドレス電極
18 電極保護層
19 隔壁
20 蛍光体層
30 放電空間
PA1 Front panel PA2 Rear panel 1 Plasma display panel (PDP)
DESCRIPTION OF SYMBOLS 11 Front glass substrate 12a Scan electrode 12b Sustain electrode 12c Discharge gap 13 Dielectric glass layer 14 Protective film 14a 1st protective layer 14b 2nd protective layer 16 Back glass substrate 17 Address electrode 18 Electrode protective layer 19 Partition 20 Phosphor layer 30 Discharge space

Claims (11)

主電極対を構成する第1および第2の電極が放電ガスに対して絶縁層で覆われ、前記絶縁層が酸化マグネシウムで覆われたプラズマディスプレイパネルであって、前記酸化マグネシウムは珪素を500〜15000ppmの範囲内の割合で含み、かつ前記酸化マグネシウムに含まれる珪素の濃度が前記酸化マグネシウムの膜の成長方向に対して分布差を有することを特徴とするプラズマディスプレイパネル。 A plasma display panel in which a first electrode and a second electrode constituting a main electrode pair are covered with an insulating layer with respect to a discharge gas, and the insulating layer is covered with magnesium oxide. A plasma display panel comprising: a concentration within a range of 15000 ppm; and the concentration of silicon contained in the magnesium oxide has a distribution difference with respect to a growth direction of the magnesium oxide film. 酸化マグネシウムに含まれる珪素の濃度の分布差が絶縁層側と比較して放電ガスと接する側の濃度が密であることを特徴とする請求項1記載のプラズマディスプレイパネル。 2. The plasma display panel according to claim 1, wherein the concentration difference of the silicon contained in the magnesium oxide is denser on the side in contact with the discharge gas than on the insulating layer side. 酸化マグネシウムの膜は、珪素を含有する層と、珪素を含有しない層との多層構造であることを特徴とする請求項1記載のプラズマディスプレイパネル。 2. The plasma display panel according to claim 1, wherein the magnesium oxide film has a multilayer structure of a layer containing silicon and a layer not containing silicon. 前記珪素は、MgSiO3、およびMg2SiO4のうちの少なくとも一方で存在していることを特徴とする請求項1記載のプラズマディスプレイパネル。 The plasma display panel according to claim 1, wherein the silicon is present in at least one of MgSiO 3 and Mg 2 SiO 4 . 主電極対を構成する第1および第2の電極が放電ガスに対して絶縁層で覆われ、前記絶縁層が酸化マグネシウムの膜で覆われたプラズマディスプレイパネルであって、前記酸化マグネシウムに燐および珪素が含まれていることを特徴とするプラズマディスプレイパネル。 A plasma display panel in which first and second electrodes constituting a main electrode pair are covered with an insulating layer with respect to a discharge gas, and the insulating layer is covered with a magnesium oxide film, wherein the magnesium oxide contains phosphorus and A plasma display panel comprising silicon. 酸化マグネシウムに、100〜15000ppmの燐および500〜15000ppmの珪素が含まれていることを特徴とする請求項5記載のプラズマディスプレイパネル。 6. The plasma display panel according to claim 5, wherein the magnesium oxide contains 100 to 15000 ppm of phosphorus and 500 to 15000 ppm of silicon. 酸化マグネシウムに含まれる燐および珪素の濃度は、それぞれ前記酸化マグネシウムの膜の成長方向に対して分布差を有することを特徴とする請求項5記載のプラズマディスプレイパネル。 6. The plasma display panel according to claim 5, wherein the concentration of phosphorus and silicon contained in the magnesium oxide has a distribution difference with respect to the growth direction of the magnesium oxide film. 酸化マグネシウムに含まれる燐および珪素の濃度の分布差が絶縁層側と比較して放電ガスと接する側の濃度が密であることを特徴とする請求項5記載のプラズマディスプレイパネル。 6. The plasma display panel according to claim 5, wherein the concentration difference of phosphorus and silicon contained in magnesium oxide is denser on the side in contact with the discharge gas than on the insulating layer side. 酸化マグネシウムの膜は、燐および珪素を含む層と、燐または珪素のいずれかを含む層と、燐および珪素を含まない層との多層構造であることを特徴とする請求項5記載のプラズマディスプレイパネル。 6. The plasma display according to claim 5, wherein the magnesium oxide film has a multilayer structure of a layer containing phosphorus and silicon, a layer containing either phosphorus or silicon, and a layer not containing phosphorus and silicon. panel. 主電極対を構成する第1および第2の電極が放電ガスに対して絶縁層で覆われ、前記絶縁層が保護膜で覆われたプラズマディスプレイパネルであって、
前記保護膜は主構成材料以外に少なくとも1つの元素を含み、前記主構成材料または前記元素が放電のエネルギーにより解離し保護膜の表面に再付着する際に、常に放電に面する表面側に移動するものであることを特徴とするプラズマディスプレイパネル。
A plasma display panel in which the first and second electrodes constituting the main electrode pair are covered with an insulating layer with respect to a discharge gas, and the insulating layer is covered with a protective film,
The protective film contains at least one element in addition to the main constituent material, and when the main constituent material or the element is dissociated by the energy of discharge and reattaches to the surface of the protective film, the protective film always moves to the surface side facing the discharge. A plasma display panel characterized by the above.
主構成材料以外の元素が珪素または燐であることを特徴とする請求項10記載のプラズマディスプレイパネル。 The plasma display panel according to claim 10, wherein the element other than the main constituent material is silicon or phosphorus.
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