JP2011058892A - Observation apparatus - Google Patents

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Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To easily observe a subject transparent and fine as a cell, with high resolution. <P>SOLUTION: The observation apparatus 1 includes: an optical crystal 6 having a mounting surface 6a for mounting a sample A; a first irradiation system 4 for emitting first electromagnetic waves L<SB>2</SB>toward the optical crystal 6 from the side opposite to the mounting surface 6a; a second irradiation system 5 for emitting second electromagnetic waves L<SB>1</SB>; and a detection system 7 for detecting the second electromagnetic waves L<SB>1</SB>emitted from the second irradiation system 5 and reflected on the mounting surface 6a for the sample A. The first electromagnetic waves L<SB>2</SB>are pulsed terahertz waves. The second electromagnetic waves L<SB>1</SB>are pulsed electromagnetic waves having a wavelength shorter than that of the terahertz waves L<SB>2</SB>. The first irradiation system 4 and the second irradiation system 5 are arranged in such a manner that at least part of the irradiation region of the first electromagnetic waves L<SB>2</SB>and the irradiation region of the second electromagnetic waves L<SB>1</SB>overlap each other in the vicinity of the mounting surface 6a in the optical crystal 6. The detection system 7 is arranged in such a manner that its focal position matches the vicinity of the mounting surface 6a of the optical crystal 6. <P>COPYRIGHT: (C)2011,JPO&INPIT

Description

本発明は観察装置に関し、特に、可視光による観察が困難な透明な試料、例えば細胞等の試料を観察するための観察装置に関するものである。   The present invention relates to an observation apparatus, and more particularly to an observation apparatus for observing a transparent sample that is difficult to observe with visible light, such as a sample such as a cell.

透明な物質(例えば、水)のセンシング技術として、従来、テラヘルツ波を使用したセンシング技術が知られている(例えば、非特許文献1参照。)。
このセンシング技術は、テラヘルツ波を透明な試料を透過させたときに、その成分分布に応じた強度分布を、テラヘルツ波が備えることを利用している。非特許文献1では、透明な試料を透過したテラヘルツ波を、結像光学系により電気光学結晶に結像させている。また、結像光学系の途中にダイクロイックミラーを配置して、このダイクロイックミラーによって同一光路上に近赤外光を導入することで、導入された近赤外光を同じ電気光学結晶に照射させている。電気光学結晶はテラヘルツ波が照射されると、その電場状態(テラヘルツ波の振幅、位相の状態)に応じて特性が変化する。すなわち、電気光学結晶に試料情報が記録されることになる。そのため、この状態の電気光学結晶を近赤外光が透過すると、透過の際に近赤外光が変調をうける。そこで、変調された近赤外光を検出することにより、試料の成分分布を観察することができる。
As a sensing technique for a transparent substance (for example, water), a sensing technique using a terahertz wave is conventionally known (for example, see Non-Patent Document 1).
This sensing technique utilizes the fact that a terahertz wave has an intensity distribution corresponding to the component distribution when the terahertz wave is transmitted through a transparent sample. In Non-Patent Document 1, a terahertz wave that has passed through a transparent sample is imaged on an electro-optic crystal by an imaging optical system. In addition, a dichroic mirror is arranged in the middle of the imaging optical system, and near infrared light is introduced onto the same optical path by this dichroic mirror, so that the introduced near infrared light is irradiated to the same electro-optic crystal. Yes. When the terahertz wave is irradiated to the electro-optic crystal, the characteristics change according to the electric field state (the amplitude and phase state of the terahertz wave). That is, sample information is recorded on the electro-optic crystal. For this reason, when near-infrared light is transmitted through the electro-optic crystal in this state, the near-infrared light is modulated during transmission. Therefore, the component distribution of the sample can be observed by detecting the modulated near infrared light.

西澤潤一編著、「テラヘルツ波の基礎と応用」、株式会社工業調査会発行、2005年4月1日、p.160−161Edited by Junichi Nishizawa, “Basics and Applications of Terahertz Waves”, published by Industrial Research Co., Ltd., April 1, 2005, p. 160-161

しかしながら、テラヘルツ波は、波長30μm〜3mm程度の極めて長波長の電磁波である。一方、光学系の空間分解能は、光学系のF値と波長の積により決定される。そのため、従来技術のセンシング技術では、結像光学系の空間分解能が極めて低くなる。すなわち、電気光学結晶には分解能の低い情報が記録されることになる。そのため、細胞のように微細な構造を持つ試料を観察するための観察装置には使用することができないという不都合がある。   However, the terahertz wave is an extremely long electromagnetic wave having a wavelength of about 30 μm to 3 mm. On the other hand, the spatial resolution of the optical system is determined by the product of the F value and the wavelength of the optical system. For this reason, in the conventional sensing technology, the spatial resolution of the imaging optical system is extremely low. That is, information with low resolution is recorded on the electro-optic crystal. Therefore, there is a disadvantage that it cannot be used for an observation apparatus for observing a sample having a fine structure such as a cell.

本発明は上述した事情に鑑みてなされたものであって、細胞のような透明で微細な構造を持つ試料を高い分解能で簡易に観察することができる観察装置を提供することを目的としている。   The present invention has been made in view of the above-described circumstances, and an object thereof is to provide an observation apparatus that can easily observe a sample having a transparent and fine structure such as a cell with high resolution.

上記目的を達成するために、本発明は以下の手段を提供する。
本発明は、試料を載置する載置面を有する光学結晶と、該光学結晶に向けて第1の電磁波を前記載置面とは反対側から照射する第1の照射系および第2の電磁波を照射する第2の照射系と、該第2の照射系から照射され前記試料の載置面において反射した前記第2の電磁波を検出する検出系とを備え、前記第1の電磁波は、パルス状のテラヘルツ波であり、前記第2の電磁波は、前記テラヘルツ波よりも波長が短いパルス状の電磁波であり、前記第1の電磁波の照射領域と前記第2の電磁波の照射領域の少なくとも一部が前記光学結晶内の前記載置面近傍で重なるように、前記第1の照射系と前記第2の照射系が配置され、前記検出系は、その合焦位置が前記光学結晶の前記載置面近傍と一致するように配置されている観察装置を提供する。
In order to achieve the above object, the present invention provides the following means.
The present invention includes an optical crystal having a mounting surface on which a sample is mounted, and a first irradiation system and a second electromagnetic wave that irradiate a first electromagnetic wave toward the optical crystal from a side opposite to the mounting surface. And a detection system that detects the second electromagnetic wave that has been irradiated from the second irradiation system and reflected from the mounting surface of the sample, and the first electromagnetic wave is a pulse And the second electromagnetic wave is a pulsed electromagnetic wave having a wavelength shorter than that of the terahertz wave, and at least a part of the irradiation region of the first electromagnetic wave and the irradiation region of the second electromagnetic wave. The first irradiation system and the second irradiation system are arranged such that the first irradiation system and the second irradiation system overlap each other in the vicinity of the mounting surface in the optical crystal, and the focusing position of the detection system is the mounting position of the optical crystal. Provided is an observation device arranged so as to coincide with the vicinity of a surface.

本発明によれば、光学結晶の載置面に試料を載置した状態で、載置面とは反対側から光学結晶に向けて第1の照射系によりパルス状のテラヘルツ波(第1の電磁波)を照射すると、テラヘルツ波は光学結晶を透過して載置面上の試料に入射され、その一部が試料において反射されて、再度載置面を透過して光学結晶内に入射される。ここで、テラヘルツ波は、試料において反射される際に、試料の屈折率および吸収の分布に従って変調される。そして、変調されたテラヘルツ波は、試料において反射された直後に光学結晶内に再度入射され、光学結晶に作用して、光学結晶内に複屈折を生じさせる。   According to the present invention, a pulsed terahertz wave (first electromagnetic wave) is applied by the first irradiation system toward the optical crystal from the side opposite to the mounting surface in a state where the sample is mounted on the mounting surface of the optical crystal. ), The terahertz wave is transmitted through the optical crystal and incident on the sample on the mounting surface. A part of the terahertz wave is reflected by the sample, and is again transmitted through the mounting surface and incident on the optical crystal. Here, when the terahertz wave is reflected by the sample, it is modulated according to the refractive index and absorption distribution of the sample. The modulated terahertz wave is incident again into the optical crystal immediately after being reflected by the sample, and acts on the optical crystal to cause birefringence in the optical crystal.

テラヘルツ波が光学結晶に入射した後、あるいは入射するのと同時に、テラヘルツ波より短い波長のパルス状の第2の電磁波を、テラヘルツ波が入射された光学結晶に、載置面とは反対側から第2の照射系により入射させると、光学結晶の載置面において反射した第2の電磁波が、光学結晶内の複屈折に従って変調されて光学結晶から射出される。そして、検出系により、光学結晶の載置面近傍を通過した第2の電磁波を検出することで、試料の屈折率分布の情報を正しく含んだ電磁波を検出することができる。この場合に、試料と載置面との間に結像光学系を含まず、試料が光学結晶に対してテラヘルツ波の波長以下の間隔で近接して配置されるため、波長の長いテラヘルツ波を利用しながら、簡易に高い空間分解能で試料の観察を行うことができる。   After the terahertz wave is incident on the optical crystal or at the same time as the incident, the pulsed second electromagnetic wave having a shorter wavelength than the terahertz wave is applied to the optical crystal on which the terahertz wave is incident from the side opposite to the mounting surface. When incident by the second irradiation system, the second electromagnetic wave reflected from the mounting surface of the optical crystal is modulated according to the birefringence in the optical crystal and emitted from the optical crystal. Then, by detecting the second electromagnetic wave that has passed near the mounting surface of the optical crystal by the detection system, it is possible to detect the electromagnetic wave that correctly includes information on the refractive index distribution of the sample. In this case, the imaging optical system is not included between the sample and the mounting surface, and the sample is placed close to the optical crystal at an interval equal to or less than the wavelength of the terahertz wave. While being used, the sample can be easily observed with high spatial resolution.

上記発明においては、前記載置面に、前記第1の電磁波を透過し、前記第2の電磁波を反射する反射膜が設けられていてもよい。
このようにすることで、反射膜によってテラヘルツ波のみを透過させて、試料の屈折率および吸収の分布に従って変調されたテラヘルツ波を光学結晶内に入射させ、第2の電磁波については、試料に入射させることなく、光学結晶内に複屈折によって書き込まれた情報の読み出しのみに使用することができる。これにより、第2の電磁波を試料に照射せずに済み、試料によって受ける変調を抑えて、さらに高い分解能で試料の観察を行うことができる。
In the above invention, a reflection film that transmits the first electromagnetic wave and reflects the second electromagnetic wave may be provided on the mounting surface.
By doing so, only the terahertz wave is transmitted through the reflective film, and the terahertz wave modulated according to the refractive index and absorption distribution of the sample is incident on the optical crystal, and the second electromagnetic wave is incident on the sample. Without being used, it can be used only for reading information written in the optical crystal by birefringence. Thereby, it is not necessary to irradiate the sample with the second electromagnetic wave, and it is possible to observe the sample with higher resolution while suppressing the modulation received by the sample.

また、上記発明においては、前記光学結晶が、前記第1の電磁波の電場状態に応じて屈折率が変化する電気光学結晶であり、前記検出系が、前記載置面において反射された後に前記光学結晶を通過する前記第2の電磁波の偏光状態を検出することとしてもよい。   In the above invention, the optical crystal is an electro-optical crystal whose refractive index changes according to the electric field state of the first electromagnetic wave, and the optical system after the detection system is reflected on the mounting surface. The polarization state of the second electromagnetic wave passing through the crystal may be detected.

このようにすることで、試料の屈折率および吸収の分布の情報は、反射するテラヘルツ波(第1の電磁波)に電場状態の変化として引き渡され、試料から反射した直後に入射する電気光学結晶に屈折率の分布として転写される。そして、試料の屈折率および吸収の分布の情報が転写された電気光学結晶に、第2の電磁波を透過させると、その電磁波の偏光の状態が変化する。検出系においては、その変化した偏光の状態を抽出することで、試料の屈折率および吸収の分布を取得することができ、簡易に高い空間分解能で試料の観察を行うことができる。   By doing so, information on the refractive index and absorption distribution of the sample is transferred to the reflected terahertz wave (first electromagnetic wave) as a change in the electric field state, and is incident on the electro-optic crystal that is incident immediately after being reflected from the sample. Transferred as a refractive index distribution. Then, when the second electromagnetic wave is transmitted through the electro-optic crystal to which the information on the refractive index and absorption distribution of the sample is transferred, the polarization state of the electromagnetic wave changes. In the detection system, by extracting the changed polarization state, the refractive index and absorption distribution of the sample can be acquired, and the sample can be easily observed with high spatial resolution.

また、上記発明においては、前記光学結晶が、前記第1の電磁波と前記第2の電磁波を和周波混合または差周波混合する非線形光学結晶であり、前記検出系が、前記光学結晶から発せられた和周波混合または差周波混合された電磁波を検出することとしてもよい。   In the above invention, the optical crystal is a nonlinear optical crystal that performs sum frequency mixing or difference frequency mixing of the first electromagnetic wave and the second electromagnetic wave, and the detection system is emitted from the optical crystal. It is good also as detecting the electromagnetic wave mixed by sum frequency mixing or difference frequency mixing.

このようにすることで、試料において反射される際に試料の屈折率および吸収の分布に従って変調されたテラヘルツ波(第1の電磁波)と、第2の電磁波とが、非線形光学結晶の作用によって和周波混合または差周波混合されて、テラヘルツ波と第2の電磁波の和または差の周波数を有する電磁波として光学結晶から射出される。射出された電磁波にはテラヘルツ波に含まれていた試料の屈折率および吸収の分布の情報がそのまま含まれているので、これを検出することにより、試料の屈折率および吸収の分布を取得することができ、簡易に高い空間分解能で試料の観察を行うことができる。   By doing so, the terahertz wave (first electromagnetic wave) modulated according to the refractive index and absorption distribution of the sample when reflected by the sample is summed by the action of the nonlinear optical crystal. Frequency mixing or difference frequency mixing is performed to emit an electromagnetic wave having the frequency of the sum or difference of the terahertz wave and the second electromagnetic wave from the optical crystal. Since the emitted electromagnetic wave contains the information of the refractive index and absorption distribution of the sample contained in the terahertz wave as it is, the distribution of the refractive index and absorption of the sample can be obtained by detecting this information. The sample can be easily observed with high spatial resolution.

また、本発明は、試料を載置する載置面を有する光学結晶と、該光学結晶に向けて、同一波長かつ、強度または偏光の異なる2つの電磁波を、それらの照射領域の少なくとも一部が前記光学結晶内の前記載置面近傍で重なるように、前記載置面とは反対側から照射する照射系と、該照射系から照射され前記試料の載置面において反射した一方の電磁波を検出する検出系とを備え、前記光学結晶が、前記一方の電磁波によってはテラヘルツ波を発生せず、所定の強度または偏光を有する他方の電磁波によってテラヘルツ波を発生する非線形光学結晶であり、前記検出系は、その合焦位置が前記光学結晶の前記載置面近傍と一致するように配置されている観察装置を提供する。   The present invention also provides an optical crystal having a mounting surface on which a sample is mounted and two electromagnetic waves having the same wavelength and different intensities or polarizations toward the optical crystal, at least in a part of their irradiation regions. An irradiation system that irradiates from the opposite side of the mounting surface so as to overlap in the vicinity of the mounting surface in the optical crystal, and one electromagnetic wave that is irradiated from the irradiation system and reflected on the mounting surface of the sample is detected. The optical crystal is a non-linear optical crystal that does not generate a terahertz wave by the one electromagnetic wave and generates a terahertz wave by the other electromagnetic wave having a predetermined intensity or polarization, and the detection system Provides an observation device arranged so that its in-focus position coincides with the vicinity of the placement surface of the optical crystal.

本発明によれば、テラヘルツ波の発生手段として光学結晶を利用することができ、別個の発生手段を必要としないので装置を簡略にすることができる。また、テラヘルツ波を発生させる電磁波および読み出しに使用する電磁波としては、強度または偏光が異なる同一波長の電磁波を使用することができ、さらに構成を簡易にすることができる。   According to the present invention, an optical crystal can be used as a means for generating a terahertz wave, and the apparatus can be simplified because a separate means for generating is not required. In addition, as an electromagnetic wave that generates terahertz waves and an electromagnetic wave used for reading, electromagnetic waves having the same wavelength with different intensities or polarized light can be used, and the configuration can be further simplified.

本発明によれば、細胞のような透明で微細な構造を持つ試料を高い分解能で簡易に観察することができるという効果を奏する。   According to the present invention, there is an effect that a sample having a transparent and fine structure such as a cell can be easily observed with high resolution.

本発明の第1の実施形態に係る観察装置を示す全体構成図である。It is a whole lineblock diagram showing the observation device concerning a 1st embodiment of the present invention. 図1の観察装置における試料および光学結晶に入射されるテラヘルツ波および近赤外光を説明する図である。It is a figure explaining the terahertz wave and near-infrared light which inject into the sample and optical crystal in the observation apparatus of FIG. 図1の観察装置による観察手順を示すフローチャートである。It is a flowchart which shows the observation procedure by the observation apparatus of FIG. 図2の第1の変形例を示す図である。It is a figure which shows the 1st modification of FIG. 図2の第2の変形例を示す図である。It is a figure which shows the 2nd modification of FIG. 図1の観察装置の変形例を示す全体構成図である。It is a whole block diagram which shows the modification of the observation apparatus of FIG. 図1の観察装置の他の変形例を示す全体構成図である。It is a whole block diagram which shows the other modification of the observation apparatus of FIG. 本発明の第2の実施形態に係る観察装置を示す全体構成図である。It is a whole block diagram which shows the observation apparatus which concerns on the 2nd Embodiment of this invention. 図8の観察装置における試料および光学結晶に入射されるテラヘルツ波および近赤外光を説明する図である。It is a figure explaining the terahertz wave and near-infrared light which inject into the sample and optical crystal in the observation apparatus of FIG. 図9の変形例を示す図である。It is a figure which shows the modification of FIG. 図9の観察装置の変形例を示す全体構成図である。It is a whole block diagram which shows the modification of the observation apparatus of FIG.

本発明の第1の実施形態に係る観察装置1について、図面を参照して以下に説明する。
本実施形態に係る観察装置1は、図1に示されるように、フェムト秒パルス状の近赤外光Lを発生する光源2と、該光源2からの近赤外光Lを2つの光路に分割するビームスプリッタ3と、該ビームスプリッタ3により分割された一方の光路に設けられたテラヘルツ波照射光学系(第1の照射系)4と、他方の光路に設けられた近赤外光照射光学系(第2の照射系)5と、これら照射光学系4,5の後段に配置され、細胞等の試料Aを載置する載置面6aを有する電気光学結晶6と、電気光学結晶6から出射された近赤外光Lを検出する検出光学系7とを備えている。
An observation apparatus 1 according to a first embodiment of the present invention will be described below with reference to the drawings.
Observation apparatus 1 according to this embodiment, as shown in FIG. 1, femtosecond pulsed light source 2 for generating the near-infrared light L 1, the near-infrared light L 1 from the light source 2 of two A beam splitter 3 that divides into optical paths, a terahertz wave irradiation optical system (first irradiation system) 4 provided in one optical path divided by the beam splitter 3, and a near-infrared light provided in the other optical path An irradiating optical system (second irradiating system) 5; an electro-optic crystal 6 that is disposed downstream of these irradiating optical systems 4 and 5 and has a placement surface 6a on which a sample A such as a cell is placed; 6 and a detection optical system 7 that detects near-infrared light L 1 emitted from the light source 6.

テラヘルツ波照射光学系4は、ビームスプリッタ3により分割された光路の一方の光路に配置されている。テラヘルツ波照射光学系4は、分割された近赤外光Lの内の一方を集光する集光レンズ8と、該集光レンズ8により集光された近赤外光Lをテラヘルツ波(第1の電磁波)Lに変換するテラヘルツ波放射素子9と、該テラヘルツ波放射素子9から放射されたテラヘルツ波Lを略平行光束に変換する第1の放物面ミラー10aと、該第1の放物面ミラー10aによって略平行光束となったテラヘルツ波Lを試料Aに集光する第2の放物面ミラー10bとを備えている。 The terahertz wave irradiation optical system 4 is disposed on one of the optical paths divided by the beam splitter 3. The terahertz wave irradiation optical system 4 includes a condenser lens 8 for one light condensing of the divided near-infrared light L 1, the terahertz wave near-infrared light L 1 that has been condensed by the condenser lens 8 (First electromagnetic wave) terahertz wave radiating element 9 for converting to L 2 , first parabolic mirror 10a for converting terahertz wave L 2 radiated from the terahertz wave radiating element 9 into a substantially parallel light beam, and a terahertz wave L 2 which becomes substantially parallel light beams and a second parabolic mirror 10b for focusing on the sample a by the first parabolic mirror 10a.

第2の放物面ミラー10bには、その中央近傍に貫通孔11が設けられており、後述するように、電気光学結晶6から出射された近赤外光Lを、検出光学系7側に通過させるようになっている。図中、符号12はミラーである。 The second parabolic mirror 10b, the are near the center in the through-hole 11 is provided, as described below, has been a near-infrared light L 1 emitted from the electro-optic crystal 6, the detection optical system 7 side To pass through. In the figure, reference numeral 12 denotes a mirror.

近赤外光照射光学系5は、ビームスプリッタ3により分割された光路の他方の光路に配置されている。近赤外光照射光学系5は、光路調整光学系13と、近赤外光Lの偏光を調節する1/2波長板14と、該1/2波長板14によって偏光を調節された近赤外光Lを集光して電気光学結晶6内に合焦させる対物レンズ15とを備えている。なお、近赤外光照射光学系5を通過する近赤外光Lが第2の電磁波となる。
対物レンズ15は、その焦点位置が電気光学結晶6内の載置面6aに近接する領域S(図2参照。)に配置されている。
The near-infrared light irradiation optical system 5 is disposed on the other optical path of the optical paths divided by the beam splitter 3. Near-infrared light irradiation optical system 5 includes an optical path adjusting optical system 13, a half-wave plate 14 for adjusting the polarization of the near-infrared light L 1, near which is adjusted polarization by the 1/2 wavelength plate 14 the infrared light L 1 is focused and an objective lens 15 focused on the electro-optical crystal 6. Incidentally, near-infrared light L 1 which passes through the 5 near-infrared light irradiation optical system is a second electromagnetic wave.
The objective lens 15 is disposed in a region S (see FIG. 2) whose focal position is close to the mounting surface 6 a in the electro-optic crystal 6.

光路調整光学系13は、2個2対のミラー13a〜13dで構成され、一対のミラー13b、13cを他方の対のミラー13a,13dに対して矢印Bの方向に移動させる移動機構(図示略)とを備えている。ミラー13aにおいて偏向された近赤外光Lは、一対のミラー13b,13cにおいて2回偏向させられることにより折り返された後に、ミラー13dにおいて偏向されることで元の光路に戻るようになっている。2対のミラー13a〜13dの間隔を変更することで、近赤外光Lの光路長を調節することができるようになっている。 The optical path adjustment optical system 13 includes two pairs of mirrors 13a to 13d, and a moving mechanism (not shown) moves the pair of mirrors 13b and 13c in the direction of arrow B with respect to the other pair of mirrors 13a and 13d. ). Near-infrared light L 1 which is deflected at the mirror 13a, a pair of mirrors 13b, after being folded by being deflected twice in 13c, and is reset to the original light path by being deflected at the mirror 13d Yes. By changing the distance between the two pairs of mirrors 13 a to 13 d, thereby making it possible to adjust the optical path length of near-infrared light L 1.

電気光学結晶6は、テラヘルツ波Lが照射されることにより、その電場状態に応じて屈折率が変化する光学結晶であって、例えば、ZnTe(テルル化亜鉛)を挙げることができる。電気光学結晶6に電場状態の分布を有するテラヘルツ波Lが照射されることで、その電場状態の分布が屈折率分布として電気光学結晶6に書き込まれ(電場状態の分布が屈折率分布として反映され)、その書き込まれた領域Sに近赤外光Lを通過させると、近赤外光Lの偏光方向が変化させられるようになっている。ここで、テラヘルツ波Lの電場状態とは、テラヘルツ波の振幅、位相の状態を示している。 The electro-optic crystal 6 is an optical crystal whose refractive index changes according to the electric field state when irradiated with the terahertz wave L 2 , and examples thereof include ZnTe (zinc telluride). By irradiating the electro-optic crystal 6 with the terahertz wave L 2 having the electric field state distribution, the electric field state distribution is written in the electro-optic crystal 6 as a refractive index distribution (the electric field state distribution is reflected as the refractive index distribution). When the near-infrared light L 1 is allowed to pass through the written region S, the polarization direction of the near-infrared light L 1 can be changed. Here, the electric field state of the terahertz wave L 2, the amplitude of the terahertz wave, and shows a state of the phase.

電気光学結晶6の載置面6aには、図2に示されるように、テラヘルツ波Lを透過させ、近赤外光Lを反射する反射膜6bが設けられている。電気光学結晶6の載置面6aとは反対側から入射されたテラヘルツ波Lは反射膜6bを透過して試料Aに入射される一方、同じ方向から入射された近赤外光Lは、反射膜6bを透過せずに反射されて、電気光学結晶6内を再び通過して入射面と同一面から外部に出射されるようになっている。 The mounting surface 6a of the electro-optic crystal 6, as shown in FIG. 2, is transmitted through the terahertz wave L 2, which is provided reflective film 6b that reflects near-infrared light L 1. While terahertz wave L 2 incident from the side opposite to the mounting surface 6a of the electro-optic crystal 6 to be incident on the specimen A passes through the reflective film 6b, near-infrared light L 1 incident from the same direction The light is reflected without passing through the reflective film 6b, passes through the electro-optic crystal 6 again, and is emitted to the outside from the same surface as the incident surface.

検出光学系(検出系)7は、電気光学結晶6から出射され、対物レンズ15によりコリメートされた近赤外光Lを分岐するビームスプリッタ16と、該ビームスプリッタ16により分岐された近赤外光Lの内から所定の偏光方向を有する近赤外光Lを選択する光選択光学系17と、選択された所定の偏光方向を有する近赤外光Lを集光する結像レンズ18と、結像レンズ18により集光された近赤外光Lを撮影する撮像素子(光検出器)19とを備えている。撮像素子19としては、例えば、CCDやCMOS等の2次元イメージセンサが用いられる。 The detection optical system (detection system) 7 is a beam splitter 16 that branches the near-infrared light L 1 emitted from the electro-optic crystal 6 and collimated by the objective lens 15, and the near-infrared beam branched by the beam splitter 16. a light selecting optical system 17 for selecting a near-infrared light L 1 from among the light L 1 having a predetermined polarization direction, an imaging lens for focusing the near-infrared light L 1 having a predetermined polarization direction that is selected 18 and an image sensor (photodetector) 19 for photographing the near infrared light L 1 collected by the imaging lens 18. As the image sensor 19, for example, a two-dimensional image sensor such as a CCD or a CMOS is used.

光選択光学系17は、所定の偏光方向を有する近赤外光Lのみを透過させる偏光子(以下、偏光子17とも言う。)であり、テラヘルツ波Lが電気光学結晶6に入射していない状態で入射される近赤外光Lが完全に遮断されるように調節されている。上述のように、テラヘルツ波Lの電場によって、電気光学結晶6には複屈折が誘起される。この電気光学結晶6を透過することで、近赤外光Lには位相変化が生じて偏光状態が変化する。これによって、光選択光学系17を透過してその後段の撮像素子19に入射する近赤外光Lの強度が変化するようになっている。 The light selection optical system 17 is a polarizer that transmits only near-infrared light L 1 having a predetermined polarization direction (hereinafter also referred to as a polarizer 17), and a terahertz wave L 2 is incident on the electro-optic crystal 6. near-infrared light L 1 which is incident at non state is adjusted so as to be completely shut off. As described above, by the electric field of the terahertz wave L 2, the birefringence is induced in the electro-optic crystal 6. The electro-optic crystal 6 by passing through the, the near-infrared light L 1 is polarized state changes occurring phase changes. Thus, the intensity of the near-infrared light L 1 incident on the image sensor 19 of the subsequent stage through the light selective optical system 17 is adapted to change.

このように構成された本実施形態に係る観察装置1の作用について以下に説明する。
本実施形態に係る観察装置1を用いて透明な細胞のような試料Aの観察を行うには、電気光学結晶6の載置面6aに試料Aを載置し、光源2からパルス状の近赤外光Lを出射させる。
The operation of the observation apparatus 1 according to the present embodiment configured as described above will be described below.
In order to observe the sample A such as a transparent cell using the observation apparatus 1 according to this embodiment, the sample A is placed on the placement surface 6 a of the electro-optic crystal 6, and the pulsed near from the light source 2 is placed. emit the infrared light L 1.

ビームスプリッタ3により分岐されてテラヘルツ波照射光学系4に入射された近赤外光Lは、ミラー12により1回偏向された後に集光レンズ8によって集光され、テラヘルツ波放射素子9に照射される。これにより、テラヘルツ波Lが発生し、放物面ミラー10aによって略平行光束に変換された後に、放物面ミラー10bによって試料Aに集光される。このとき、テラヘルツ波Lは、電気光学結晶6に向けて試料Aの載置面6aとは反対側、すなわち、下面から入射され、電気光学結晶6およびその載置面6aに設けられた反射膜6bを透過して試料Aに入射される。 Near-infrared light L 1 branched by the beam splitter 3 and incident on the terahertz wave irradiation optical system 4 is deflected once by the mirror 12 and then condensed by the condensing lens 8 to irradiate the terahertz wave radiating element 9. Is done. Thus, the terahertz wave L 2 is generated, after being converted into a substantially parallel light beam by the parabolic mirror 10a, it is focused on the specimen A by parabolic mirror 10b. In this case, the terahertz wave L 2 is opposite to the mounting surface 6a of the sample A toward the electro-optical crystal 6, i.e., is incident from the lower surface, the reflection provided to the electro-optical crystal 6 and its mounting surface 6a The light passes through the film 6b and enters the sample A.

試料Aは透明な細胞等であるが、試料Aに入射されたテラヘルツ波Lは、試料Aによって反射されることにより変調されて、試料A内における屈折率および吸収の分布に応じた電場状態の分布を有するようになる。そして、そのように電場状態の分布を有するテラヘルツ波Lが、反射膜6bを透過して電気光学結晶6に再度入射されると、電気光学結晶6においては、テラヘルツ波Lの強度分布に応じた屈折率分布が発生する。 The sample A is a transparent cell or the like, but the terahertz wave L 2 incident on the sample A is modulated by being reflected by the sample A, and an electric field state corresponding to the refractive index and absorption distribution in the sample A Having a distribution of Then, when the terahertz wave L 2 having such a distribution of the electric field state passes through the reflection film 6b and is incident again on the electro-optic crystal 6, the electro-optic crystal 6 has an intensity distribution of the terahertz wave L 2. A corresponding refractive index distribution is generated.

電気光学結晶6において発生する屈折率分布は、試料Aに近接する程、試料Aの屈折率および吸収の分布を精度よく反映している。なお、テラヘルツ波Lの照射により電気光学結晶6内に屈折率分布が発生している時間は極めて短いので、テラヘルツ波Lの照射直後に屈折率分布の情報を読み出す必要がある。 The refractive index distribution generated in the electro-optic crystal 6 accurately reflects the refractive index and absorption distribution of the sample A as the sample A is closer to the sample A. Since the time during which the refractive index distribution is generated in the electro-optic crystal 6 due to the irradiation with the terahertz wave L 2 is extremely short, it is necessary to read the information on the refractive index distribution immediately after the irradiation with the terahertz wave L 2 .

この情報の読み出しには、近赤外光照射光学系5に入射された近赤外光Lが用いられる。ビームスプリッタ3により分岐された近赤外光Lは、光路調整光学系13において光路長を調節された後に、1/2波長板14を透過することにより偏光方向を調節される。その後、近赤外光Lは、対物レンズ15によって集光され、放物面ミラー10bの貫通孔11を通過してから、図2に示されるように、テラヘルツ波Lと同一の方向から電気光学結晶6に照射される。そして、電気光学結晶6の載置面6aに設けられた反射膜6bによって反射されて下方に戻る際に、電気光学結晶6aに屈折率分布として書き込まれている試料で反射したテラヘルツ波Lの情報を読み出す(近赤外光Lの偏光状態が変化させられる)。 For reading out this information, near infrared light L 1 incident on the near infrared light irradiation optical system 5 is used. The near-infrared light L 1 branched by the beam splitter 3 is adjusted in the polarization direction by being transmitted through the half-wave plate 14 after the optical path length is adjusted in the optical path adjusting optical system 13. Thereafter, the near-infrared light L 1 is collected by the objective lens 15, passes through the through-hole 11 of the parabolic mirror 10 b, and then from the same direction as the terahertz wave L 2 as shown in FIG. The electro-optic crystal 6 is irradiated. When the terahertz wave L 2 reflected by the sample written as a refractive index distribution on the electro-optic crystal 6 a is reflected by the reflecting film 6 b provided on the mounting surface 6 a of the electro-optic crystal 6 and returns downward, reading information (near the polarization state of the infrared light L 1 is changed).

図中、斜線で示される領域Sは、テラヘルツ波Lによって試料Aの屈折率および吸収の分布の情報を書き込まれた領域である。同一の光源2から発せられた近赤外光Lに基づくテラヘルツ波Lと近赤外光Lとは、それぞれ異なる光路を通るので、そのままでは、パルスが同時に電気光学結晶6の領域Sを通過しないこともある。そこで、光路調整光学系13による光路長の調節により、そのパルスの位相を精度よく調節することができる。 In the figure, a region S indicated by oblique lines is a region that is written information of the distribution of the refractive index and absorption of the sample A by the terahertz wave L 2. Since the terahertz wave L 2 based on the near-infrared light L 1 emitted from the same light source 2 and the near-infrared light L 1 pass through different optical paths, the pulses are simultaneously transmitted to the region S of the electro-optic crystal 6 as it is. May not pass through. Therefore, the phase of the pulse can be accurately adjusted by adjusting the optical path length by the optical path adjusting optical system 13.

その結果、テラヘルツ波Lの照射とほぼ同時に近赤外光Lを領域Sに照射して、屈折率分布の情報を読み出すことができる。なお、図2において、近赤外光Lとテラヘルツ波Lは、交互に別々の領域に照射されているように描かれているが、実際には、両者の照射領域Sの少なくとも一部が重なるように照射されている。 As a result, almost near-infrared light L 1 at the same time as the radiation of terahertz waves L 2 is irradiated to the region S, it is possible to read the information of the refractive index distribution. In FIG. 2, the near-infrared light L 1 and the terahertz wave L 2 are drawn so as to be alternately irradiated to separate areas, but actually, at least a part of both irradiation areas S. Are irradiated so that they overlap.

領域Sでは、テラヘルツ波Lの照射によって屈折率が変化させられる。
電気光学結晶6を通過してその載置面6aにおいて反射された近赤外光Lが、領域Sを通過すると、近赤外光Lの偏光状態が変化させられる。すなわち、対物レンズ15により集光された近赤外光Lは、その一部が、その透過位置に応じて偏光状態が異ならされた状態で電気光学結晶6から下方に向けて出射される。
In the region S, the refractive index is changed by irradiation of the terahertz wave L 2.
When the near-infrared light L 1 that has passed through the electro-optic crystal 6 and is reflected by the mounting surface 6 a passes through the region S, the polarization state of the near-infrared light L 1 is changed. That is, a portion of the near-infrared light L 1 collected by the objective lens 15 is emitted downward from the electro-optic crystal 6 with the polarization state varied according to the transmission position.

電気光学結晶6から出射された近赤外光Lは、放物面ミラー10bの貫通孔11を通過させられた後に、対物レンズ15によってコリメートされ、ビームスプリッタ16によって分岐された光路上に配置されている偏光子17に入射される。偏光子17は、テラヘルツ波Lが電気光学結晶6に入射していない状態では、近赤外光Lを遮断するように設定されている。その一方、試料で反射されたテラヘルツ波Lが電気光学結晶6に入射している状態では、屈折率が変化した領域Sを通過することによって、偏光状態が変化した部分の近赤外光Lのみが、偏光子17を通過させられる。これにより、電気光学結晶6に記録された屈折率分布の情報を、光の光量(強度)として読み出すことができる。 The near-infrared light L 1 emitted from the electro-optic crystal 6 is collimated by the objective lens 15 after passing through the through-hole 11 of the parabolic mirror 10 b and arranged on the optical path branched by the beam splitter 16. Is incident on the polarizer 17. Polarizer 17, in the state where the terahertz wave L 2 is not incident to the electro-optical crystal 6 is set so as to block the near-infrared light L 1. Meanwhile, in the state where the terahertz wave L 2 reflected by the sample is incident on the electro-optical crystal 6, by passing through the region S where the refractive index changes, near-infrared light L of a portion polarization state changed Only 1 is passed through the polarizer 17. Thereby, the information of the refractive index distribution recorded on the electro-optic crystal 6 can be read out as the light quantity (intensity) of light.

そして、このようにして抽出された近赤外光Lを結像レンズ18によって集光し、撮像素子19によって撮影することにより、可視光によっては観察できない透明な細胞等の試料Aの画像を取得することができる。 Then, the near-infrared light L 1 extracted in this way is collected by the imaging lens 18 and photographed by the image sensor 19, thereby obtaining an image of the sample A such as a transparent cell that cannot be observed by visible light. Can be acquired.

この場合において、本実施形態に係る観察装置1によれば、従来のように試料Aと電気光学結晶6との間に光学系を配置することなく、電気光学結晶6の載置面6aに直接試料Aを載置しているので、電気光学結晶6に書き込まれる情報は光学系によって空間分解能を制限されることがない。また、試料近傍に電気光学結晶6が配置されるため、試料通過後のテラヘルツ波の回折による空間分解能低下の影響を抑えることが出来る。また、情報の読み出しには、テラヘルツ波Lよりも短い近赤外光Lを用いているので、高い空間分解能で観察することができるという利点がある。その結果、細胞のように微細な構造を持つ試料Aであっても、簡易な構成で高い空間分解能により試料Aを観察することができる。 In this case, according to the observation apparatus 1 according to the present embodiment, the optical system is not disposed between the sample A and the electro-optic crystal 6 as in the prior art, but directly on the placement surface 6 a of the electro-optic crystal 6. Since the sample A is placed, the spatial resolution of the information written in the electro-optic crystal 6 is not limited by the optical system. In addition, since the electro-optic crystal 6 is disposed in the vicinity of the sample, it is possible to suppress the influence of a decrease in spatial resolution due to diffraction of the terahertz wave after passing through the sample. Further, the reading of the information, because of the use of short near-infrared light L 1 than the terahertz wave L 2, there is an advantage that can be observed with high spatial resolution. As a result, even if the sample A has a fine structure such as a cell, the sample A can be observed with a simple configuration and high spatial resolution.

図3に、観察の手順を表すフローチャートを示す。
本実施形態に係る観察装置1を用いて観察を行うには、まず、バックグラウンド測定を行う。すなわち、光路調整光学系13を用いてテラヘルツ波Lと近赤外光Lとが時間的に重なっていない状態を形成するか、もしくはテラヘルツ波Lが電気光学結晶6に入射しない状態にして、画像を取得する(ステップS1)。次いで、光路調整光学系13を調整してテラヘルツ波Lと近赤外光Lとが時間的に重なっている状態を形成し、画像を取得する(ステップS2)。最後に、ステップS2において取得した画像と、ステップS1において取得した画像とを減算あるいは除算することにより、観察環境に起因する不要な情報を取り除くことができる(ステップS3)。これによって、イメージングを行うための良質な画像を得ることができる。なお、ステップS1,S2の順序は逆でもよい。
FIG. 3 is a flowchart showing the observation procedure.
In order to perform observation using the observation apparatus 1 according to the present embodiment, first, background measurement is performed. That is, the optical path adjusting optical system 13 is used to form a state where the terahertz wave L 2 and the near-infrared light L 1 do not overlap in time, or the terahertz wave L 2 is not incident on the electro-optic crystal 6. Then, an image is acquired (step S1). Then, by adjusting the optical path adjusting optical system 13 to form a state where the terahertz wave L 2 and the near-infrared light L 1 are overlapped in time, to acquire the image (step S2). Finally, unnecessary information resulting from the observation environment can be removed by subtracting or dividing the image acquired in step S2 and the image acquired in step S1 (step S3). As a result, a high-quality image for imaging can be obtained. Note that the order of steps S1 and S2 may be reversed.

なお、本実施形態においては、放物面ミラー10bに貫通孔11を設けて、電気光学結晶6から出射される近赤外光Lを対物レンズ15に導いているが、放物面ミラー10a,10b間にテラヘルツ波Lを透過して近赤外光Lを反射するミラーを設けて、近赤外光Lをテラヘルツ波Lと同じ光路に導いてもよい。この場合、ミラーとしてはSi板等を使用すればよい。
また、検出光学系7においてビームスプリッタ16と偏光子17とを備えることとしたが、これに代えて、両者の機能を備える偏光ビームスプリッタを採用してもよい。
In the present embodiment, provided with a through hole 11 in the parabolic mirror 10b, but has led to the near-infrared light L 1 to the objective lens 15 to be emitted from the electro-optic crystal 6, parabolic mirrors 10a is transmitted through the terahertz wave L 2 between 10b is provided a mirror for reflecting near-infrared light L 1, it may be led to the near-infrared light L 1 on the same optical path as the terahertz wave L 2. In this case, a Si plate or the like may be used as the mirror.
Further, although the detection optical system 7 includes the beam splitter 16 and the polarizer 17, instead of this, a polarization beam splitter having both functions may be employed.

また、本実施形態においては、電気光学結晶6の載置面6aに反射膜6bを設けることにより、テラヘルツ波Lを透過し近赤外光Lを反射することとしたが、これに代えて、図4に示されるように、反射膜6bを設けなくてもよい。この場合には、電気光学結晶6の載置面6aにおいてフレネル反射が発生して近赤外光Lの一部を戻すことができる。したがって、上記と同様にテラヘルツ波Lによって書き込んだ情報を近赤外光Lによって読み出すことができる。 In the present embodiment, by providing the reflective film 6b on the mounting surface 6a of the electro-optic crystal 6, transmitted through the terahertz wave L 2 it has been decided to reflect near-infrared light L 1, instead of this As shown in FIG. 4, the reflective film 6b need not be provided. In this case, it is possible to Fresnel reflection occurs at mounting surface 6a of the electro-optic crystal 6 returns a portion of the near-infrared light L 1. Therefore, the information written by the terahertz wave L 2 can be read by the near infrared light L 1 as described above.

ただし、この場合には、近赤外光Lの一部が電気光学結晶6の載置面6aを透過して試料Aに入射されるので、近赤外光Lを照射することが好ましくない試料Aの場合には適していない。そのような場合には、上記の反射膜6bを有する電気光学結晶6を使用することが好ましい。 However, in this case, since a part of the near-infrared light L 1 is incident after passing through the mounting surface 6a of the electro-optic crystal 6 to the sample A, it is preferable to irradiate the near-infrared light L 1 This is not suitable for sample A, which is not present. In such a case, it is preferable to use the electro-optic crystal 6 having the reflective film 6b.

また、上記各実施形態においては、光学結晶として、電気光学結晶6を例示して説明した。しかし、これに代えて、図5に示されるように、2種類の異なる波長の光L,Lを同時に入射させると、その2つの光L,Lが和周波混合または差周波混合されて、その周波数の和または差の周波数を有する他の光Lが射出される非線形光学結晶6′を採用してもよい。 In each of the above embodiments, the electro-optic crystal 6 has been described as an example of the optical crystal. However, instead of this, as shown in FIG. 5, when light L 1 and L 2 of two different wavelengths are simultaneously incident, the two lights L 1 and L 2 are sum frequency mixed or difference frequency mixed. Then, a non-linear optical crystal 6 ′ from which another light L 3 having the frequency of the sum or difference of the frequencies is emitted may be employed.

このようにすることで、例えば、和周波混合の場合では、図1に示される観察装置1において、試料Aで反射したテラヘルツ波Lと近赤外光Lとを同時に非線形光学結晶6′に入射させると、図5に示されるように、試料Aの屈折率分布に応じて変調されたテラヘルツ波L(例えば、波長100μm、周波数3THz)と、さほど変調されていない近赤外光L(例えば、波長800nm)とが非線形光学結晶6′において和周波混合される。 In this way, for example, in the case of sum frequency mixing, in the observation apparatus 1 shown in FIG. 1, the nonlinear optical crystal 6 ′ simultaneously reflects the terahertz wave L 2 reflected by the sample A and the near-infrared light L 1. 5, as shown in FIG. 5, the terahertz wave L 2 (for example, wavelength 100 μm, frequency 3 THz) modulated according to the refractive index distribution of the sample A and the near-infrared light L that is not so modulated 1 (for example, wavelength 800 nm) is sum frequency mixed in the nonlinear optical crystal 6 '.

そして、試料Aの屈折率および吸収の分布の情報を含む他の波長(例えば、波長793.65nm)の和周波混合光Lが対物レンズ15により集光され、これを検出することにより、試料Aの画像を取得することができる。
この場合には、撮像素子19には、近赤外光Lを入射させないように、偏光子17に代えて、フィルタを設けることにすればよい。
Then, the sum frequency mixed light L 3 having another wavelength (for example, wavelength 793.65 nm) including information on the refractive index and absorption distribution of the sample A is collected by the objective lens 15 and detected, thereby detecting the sample. An image of A can be acquired.
In this case, the imaging device 19, so as not to be incident near-infrared light L 1, in place of the polarizer 17 may be to provide a filter.

また、図6に示されるように、共焦点観察装置20を構成してもよい。
図6に示す例では、図1の観察装置1の近赤外光照射光学系5の途中に、近赤外光L1を2次元的に走査するスキャナ(近接ガルバノミラー)20a,20bを設け、対物レンズ15の焦点位置と光学的に共役な位置に、共焦点ピンホール28を配置している。これにより、対物レンズ15の焦点位置が配置されている電気光学結晶6の載置面6a近傍の領域Sからの近赤外光Lのみを光検出器19によって検出することができる。したがって、電気光学結晶6自体を比較的厚く構成しても鮮明な画像を得ることができる。
Further, as shown in FIG. 6, a confocal observation device 20 may be configured.
In the example shown in FIG. 6, scanners (proximity galvanomirrors) 20a and 20b that two-dimensionally scan the near infrared light L1 are provided in the middle of the near infrared light irradiation optical system 5 of the observation apparatus 1 in FIG. A confocal pinhole 28 is disposed at a position optically conjugate with the focal position of the objective lens 15. Thus, it is possible to detect only the near-infrared light L 1 from the region S in the vicinity of the mounting surface 6a of the electro-optic crystal 6 the focal position of the objective lens 15 is arranged by the photodetector 19. Therefore, a clear image can be obtained even if the electro-optic crystal 6 itself is configured to be relatively thick.

また、図7に示されるように、近赤外光Lを検出する検出光学系7として、1/4波長板21、結像レンズ18、偏光ビームスプリッタ22およびバランスフォトダイオードのような差分検出器23を備える構成を採用してもよい。偏光ビームスプリッタ22としては、例えばウォラストンプリズムが用いられるが、これに限られるものではない。 Further, as shown in FIG. 7, a detection optical system 7 for detecting near-infrared light L 1, 1/4-wave plate 21, an imaging lens 18, the difference detection, such as a polarizing beam splitter 22 and balanced photodiodes A configuration including the vessel 23 may be adopted. For example, a Wollaston prism is used as the polarization beam splitter 22, but the polarization beam splitter 22 is not limited to this.

この場合には、テラヘルツ波Lと近赤外光Lとが領域Sにおいて時間的に重なっていない状態で近赤外光Lが円偏光となるように1/4波長板21を調節しておく。そして、1/4波長板21を通過した光を偏光ビームスプリッタ22で直交する2つの偏光成分に分割し、差分検出器23でその2つの偏光成分の強度差を検出するようにしておく。テラヘルツ波Lと近赤外光Lとが領域Sにおいて時間的に重なっていない状態では、差分検出器23により検出される強度差はゼロである。 In this case, the quarter-wave plate 21 is adjusted so that the near-infrared light L 1 is circularly polarized in a state where the terahertz wave L 2 and the near-infrared light L 1 do not overlap in time in the region S. Keep it. Then, the light that has passed through the quarter-wave plate 21 is divided into two orthogonal polarization components by the polarization beam splitter 22, and the difference detector 23 detects the intensity difference between the two polarization components. In the state where the terahertz wave L 2 and the near-infrared light L 1 does not overlap in time in the area S, the intensity difference detected by the difference detector 23 is zero.

この状態で、テラヘルツ波Lと近赤外光Lとが領域Sにおいて時間的に重なると、近赤外光Lの偏光状態が変化するので、差分検出器23により検出される2つの偏光成分に強度差が発生する。これを検出することで、テラヘルツ波近接場成分の状態、すなわち、試料Aの情報を得ることができる。 In this state, when the terahertz wave L 2 and the near-infrared light L 1 overlap in time in the region S, the polarization state of the near-infrared light L 1 changes, so that the two detected by the difference detector 23 An intensity difference occurs in the polarization component. By detecting this, the state of the terahertz wave near-field component, that is, information on the sample A can be obtained.

次に、本発明の第2の実施形態に係る観察装置30について、図面を参照して以下に説明する。
本実施形態に係る観察装置30の説明において、上述した第1の実施形態に係る観察装置1と構成を共通とする箇所には同一符号を付して説明を省略する。
Next, an observation apparatus 30 according to a second embodiment of the present invention will be described below with reference to the drawings.
In the description of the observation apparatus 30 according to the present embodiment, portions having the same configuration as those of the observation apparatus 1 according to the first embodiment described above are denoted by the same reference numerals and description thereof is omitted.

本実施形態に係る観察装置30は、図8および図9に示されるように、電気光学結晶31において相違し、それによって、テラヘルツ波照射光学系32の構造が相違している。
本実施形態に係る観察装置30において、電気光学結晶31としては、特定の偏光状態または強度の近赤外光Lを入射させると、非線形光学効果によってテラヘルツ波Lを発生するものが採用されている。
As shown in FIGS. 8 and 9, the observation apparatus 30 according to the present embodiment is different in the electro-optic crystal 31, and thus the structure of the terahertz wave irradiation optical system 32 is different.
In the observation apparatus 30 according to the present embodiment, as the electro-optic crystal 31, one that generates a terahertz wave L 2 due to a nonlinear optical effect when near-infrared light L 1 having a specific polarization state or intensity is incident is adopted. ing.

ここで、特定の偏光状態とは、近赤外光Lの偏光方向と電気光学結晶31の結晶軸方向とが特定の条件を満たしている状態をいい、後述する1/2波長板14、33により調節することができる。また、近赤外光Lの強度は、ビームスプリッタ34による強度分割比によって設定することができる。 Here, the specific polarization state means a state in which the crystal axis direction of the polarization direction and the electro-optic crystal 31 in the near-infrared light L 1 satisfies the specific condition, which will be described later half-wave plate 14, 33 can be adjusted. Further, the intensity of the near-infrared light L 1 can be set by the intensity division ratio by the beam splitter 34.

そして、テラヘルツ波照射光学系32は、ビームスプリッタ34で分岐した一方の光路に2個一対のミラー35a,35bを配置して光路を折り返した後に、他のビームスプリッタ36で他方の光路と同一光路に合流させるようになっている。この2個一対のミラー35a,35bを矢印Cの方向に移動可能に設けられており、移動によって光路長を調節するようになっている。2つの光路にはそれぞれ異なる偏光状態を実現するための1/2波長板14,33が配置されており、これら1/2波長板14,33を調節することにより、電気光学結晶31に入射させる近赤外光Lの偏光状態を調節することができるようになっている。 The terahertz wave irradiation optical system 32 arranges two pairs of mirrors 35a and 35b on one optical path branched by the beam splitter 34, turns the optical path back, and then uses the other beam splitter 36 to share the same optical path as the other optical path. To join. The two mirrors 35a and 35b are provided so as to be movable in the direction of arrow C, and the optical path length is adjusted by the movement. Half-wave plates 14 and 33 for realizing different polarization states are arranged in the two optical paths, respectively, and the half-wave plates 14 and 33 are adjusted so as to enter the electro-optic crystal 31. thereby making it possible to adjust the polarization state of the near-infrared light L 1.

このように構成された本実施形態に係る観察装置30の作用について以下に説明する。
本実施形態に係る観察装置30を用いて試料Aの観察を行うには、電気光学結晶31の載置面31aに試料Aを載置し、光源2からパルス状の近赤外光Lを出射させる。
The operation of the observation apparatus 30 according to this embodiment configured as described above will be described below.
In using the observation apparatus 30 according to this embodiment performs observation of the sample A, the sample A is placed on the placement surface 31a of the electro-optic crystal 31, the near-infrared light L 1 pulsed from the light source 2 Let it emit.

ビームスプリッタ34により分岐されてテラヘルツ波照射光学系32に入射された近赤外光Lは、一対のミラー35a,35bによって折り返される。このとき、その光路の途中に配置された1/2波長板33によって偏光状態が調節される。その後、ビームスプリッタ36によって他方の光路と同一の光路に合流され、対物レンズ15によって集光されて電気光学結晶31に入射される。 Near-infrared light L 1 incident on a terahertz wave irradiation optical system 32 is branched by the beam splitter 34, a pair of mirrors 35a, is folded by 35b. At this time, the polarization state is adjusted by the half-wave plate 33 disposed in the middle of the optical path. Thereafter, the light beam is merged in the same optical path as the other optical path by the beam splitter 36, condensed by the objective lens 15, and incident on the electro-optic crystal 31.

電気光学結晶31は、特定の偏光状態または強度の近赤外光Lが入射されることにより、非線形光学効果の一種である光整流効果によってテラヘルツ波Lを発生する。一方、その条件から外れた近赤外光Lが入射された場合、テラヘルツ波Lは発生しない、もしくは発生するテラヘルツ波Lの強度は非常に小さい。したがって、一方の光路から入射させる近赤外光Lをテラヘルツ波L発生のために使用し、他方の光路から入射させる近赤外光Lを屈折率分布の情報を読み出すために使用することができる。 When the near-infrared light L 1 having a specific polarization state or intensity is incident, the electro-optic crystal 31 generates a terahertz wave L 2 by an optical rectification effect which is a kind of nonlinear optical effect. On the other hand, if the near-infrared light L 1 which deviates from the condition is incident terahertz wave L 2 does not occur, or intensity of the terahertz wave L 2 generated is very small. Therefore, the near-infrared light L 1 incident from one optical path is used to generate the terahertz wave L 2 , and the near-infrared light L 1 incident from the other optical path is used to read out information on the refractive index distribution. be able to.

電気光学結晶31内で発生したテラヘルツ波Lは、反射膜6bを透過して試料Aに照射され、試料Aにおいて反射することで、試料Aの屈折率分布に応じて変調される。そして、そのように変調されたテラヘルツ波Lが再度反射膜6bを逆方向に透過して電気光学結晶31に入射されることにより、電気光学結晶31内に複屈折を生じさせ、試料Aに対応する屈折率および吸収の分布の情報が書き込まれる。 THz wave L 2 generated in the electro-optic crystal within 31 irradiates the specimen A passes through the reflective film 6b, by reflecting in the specimen A, it is modulated in accordance with the refractive index distribution of the sample A. Then, the terahertz wave L 2 thus modulated is transmitted again through the reflecting film 6 b in the opposite direction and is incident on the electro-optic crystal 31, thereby causing birefringence in the electro-optic crystal 31 and Corresponding refractive index and absorption distribution information is written.

そして、近赤外光照射光学系5に入射された近赤外光Lを用いて情報の読み出しが行われる。1/2波長板14によって所定の偏光状態に設定された後に対物レンズ15によって集光された近赤外光Lは、図9に示されるように、照射光学系32から導かれた近赤外光Lと同一の方向から電気光学結晶31に照射される。そして、第1の実施形態に係る観察装置1と同様にして、電気光学結晶31の載置面31aに設けられた反射膜6bによって反射されて下方に戻る際に、電気光学結晶31に書き込まれている情報を読み出すことができる。
このように、本実施形態に係る観察装置30によれば、第1の実施形態とは異なり、テラヘルツ波放射素子9を用意する必要がなくなり、構成を簡略化することができる。
Information is read out using the near infrared light L 1 incident on the near infrared light irradiation optical system 5. The near-infrared light L 1 collected by the objective lens 15 after being set to a predetermined polarization state by the half-wave plate 14 is a near-red light guided from the irradiation optical system 32 as shown in FIG. The electro-optic crystal 31 is irradiated from the same direction as the external light L 1 . Then, in the same manner as the observation apparatus 1 according to the first embodiment, the light is written into the electro-optic crystal 31 when reflected back by the reflecting film 6b provided on the mounting surface 31a of the electro-optic crystal 31 and returned downward. Information can be read.
Thus, according to the observation apparatus 30 according to the present embodiment, unlike the first embodiment, it is not necessary to prepare the terahertz wave radiating element 9, and the configuration can be simplified.

なお、本実施形態においては、単一のフェムト秒パルスレーザ光源2を2つの光路に分岐することとしたが、これに代えて、2つの別個のフェムト秒パルスレーザ光源2を用いてもよい。   In the present embodiment, the single femtosecond pulse laser light source 2 is branched into two optical paths, but two separate femtosecond pulse laser light sources 2 may be used instead.

また、本実施形態においては、図10に示されるように、非線形光学結晶としての性質も備えた電気光学結晶31を用いたが、それに代えてテラヘルツ波Lを発生させるための非線形光学結晶31bと、屈折率分布の情報の書き込みと読み取りを行うための電気光学結晶31cの2つを相互に積層状態に接着することにしてもよい。例えば、非線形光学結晶31bがDAST結晶やGaSe結晶であり、電気光学結晶31cがZnTe結晶であってもよい。このようにすることで、高強度でかつ広帯域な信号の検出を行うことができる。 Further, in the present embodiment, as shown in FIG. 10, the electro-optic crystal 31 having a property as a nonlinear optical crystal is used. Instead, the nonlinear optical crystal 31b for generating the terahertz wave L 2 is used. The two electro-optic crystals 31c for writing and reading information on the refractive index distribution may be bonded to each other in a laminated state. For example, the nonlinear optical crystal 31b may be a DAST crystal or a GaSe crystal, and the electro-optic crystal 31c may be a ZnTe crystal. By doing so, it is possible to detect a high-intensity and wideband signal.

また、図11に示されるように、異なる偏光状態または強度に設定された2つの近赤外光Lを合波した状態で、光ファイバ38によって電気光学結晶31まで導くことにしてもよい。図中、符号37はカップリングレンズである。このようにすることで、電気光学結晶31を比較的自由に移動させることができ、載置面31a上に置くことが困難な試料Aに対しても観察を行うことができるという利点がある。例えば、電気光学結晶31を内視鏡の挿入部先端に配置して光ファイバ38によって近赤外光Lを導くことにより、体腔内の観察を行うことも可能となる。 In addition, as shown in FIG. 11, two near infrared lights L 1 set to different polarization states or intensities may be combined and guided to the electro-optic crystal 31 by the optical fiber 38. In the figure, reference numeral 37 denotes a coupling lens. By doing so, there is an advantage that the electro-optic crystal 31 can be moved relatively freely and observation can be performed on the sample A that is difficult to place on the mounting surface 31a. For example, by directing near-infrared light L 1 by the optical fiber 38 by placing the electro-optic crystal 31 to the leading end of the insertion portion of the endoscope, it is possible to perform observation in a body cavity.

また、上記各実施形態においては、信号を時間的に連続して検出することにより、動画を取得することもできる。   In each of the above embodiments, a moving image can also be acquired by detecting a signal continuously in time.

近赤外光(第2の電磁波)
テラヘルツ波(第1の電磁波)
A 試料
S 領域(照射領域)
1,20,30 観察装置
4 テラヘルツ波照射光学系(第1の照射系)
5 近赤外光照射光学系(第2の照射系)
6,31,31c 電気光学結晶(光学結晶)
6′,31b 非線形光学結晶(光学結晶)
6a,31a 載置面
6b 反射膜
7 検出光学系(検出系)
32 テラヘルツ波照射光学系(照射系)
L 1 near infrared light (second electromagnetic wave)
L 2 terahertz wave (first electromagnetic wave)
A sample S area (irradiation area)
1, 20, 30 Observation device 4 Terahertz wave irradiation optical system (first irradiation system)
5 Near-infrared light irradiation optical system (second irradiation system)
6,31,31c Electro-optic crystal (optical crystal)
6 ', 31b Nonlinear optical crystal (optical crystal)
6a, 31a Mounting surface 6b Reflective film 7 Detection optical system (detection system)
32 Terahertz wave irradiation optical system (irradiation system)

Claims (5)

試料を載置する載置面を有する光学結晶と、
該光学結晶に向けて第1の電磁波を前記載置面とは反対側から照射する第1の照射系および第2の電磁波を照射する第2の照射系と、
該第2の照射系から照射され前記試料の載置面において反射した前記第2の電磁波を検出する検出系とを備え、
前記第1の電磁波は、パルス状のテラヘルツ波であり、
前記第2の電磁波は、前記テラヘルツ波よりも波長が短いパルス状の電磁波であり、
前記第1の電磁波の照射領域と前記第2の電磁波の照射領域の少なくとも一部が前記光学結晶内の前記載置面近傍で重なるように、前記第1の照射系と前記第2の照射系が配置され、
前記検出系は、その合焦位置が前記光学結晶の前記載置面近傍と一致するように配置されている観察装置。
An optical crystal having a mounting surface for mounting a sample;
A first irradiation system for irradiating the first electromagnetic wave toward the optical crystal from a side opposite to the mounting surface, and a second irradiation system for irradiating the second electromagnetic wave;
A detection system for detecting the second electromagnetic wave irradiated from the second irradiation system and reflected on the mounting surface of the sample;
The first electromagnetic wave is a pulsed terahertz wave,
The second electromagnetic wave is a pulsed electromagnetic wave having a shorter wavelength than the terahertz wave,
The first irradiation system and the second irradiation system so that at least a part of the irradiation region of the first electromagnetic wave and the irradiation region of the second electromagnetic wave overlap in the vicinity of the placement surface in the optical crystal. Is placed,
The observation system in which the detection system is arranged so that the in-focus position coincides with the vicinity of the placement surface of the optical crystal.
前記載置面に、前記第1の電磁波を透過し、前記第2の電磁波を反射する反射膜が設けられている請求項1に記載の観察装置。   The observation apparatus according to claim 1, wherein a reflection film that transmits the first electromagnetic wave and reflects the second electromagnetic wave is provided on the placement surface. 前記光学結晶が、前記第1の電磁波の電場状態に応じて屈折率が変化する電気光学結晶であり、
前記検出系が、前記載置面において反射された後に前記光学結晶を通過する前記第2の電磁波の偏光状態を検出する請求項1または請求項2に記載の観察装置。
The optical crystal is an electro-optic crystal whose refractive index changes according to the electric field state of the first electromagnetic wave,
The observation apparatus according to claim 1, wherein the detection system detects a polarization state of the second electromagnetic wave that passes through the optical crystal after being reflected on the mounting surface.
前記光学結晶が、前記第1の電磁波と前記第2の電磁波を和周波混合または差周波混合する非線形光学結晶であり、
前記検出系が、前記光学結晶から発せられた和周波混合または差周波混合された電磁波を検出する請求項1に記載の観察装置。
The optical crystal is a non-linear optical crystal that performs sum frequency mixing or difference frequency mixing of the first electromagnetic wave and the second electromagnetic wave;
The observation apparatus according to claim 1, wherein the detection system detects an electromagnetic wave generated by sum frequency mixing or difference frequency mixing emitted from the optical crystal.
試料を載置する載置面を有する光学結晶と、
該光学結晶に向けて、同一波長かつ、強度または偏光の異なる2つの電磁波を、それらの照射領域の少なくとも一部が前記光学結晶内の前記載置面近傍で重なるように、前記載置面とは反対側から照射する照射系と、
該照射系から照射され前記試料の載置面において反射した一方の電磁波を検出する検出系とを備え、
前記光学結晶が、前記一方の電磁波によってはテラヘルツ波を発生せず、所定の強度または偏光を有する他方の電磁波によってテラヘルツ波を発生する非線形光学結晶であり、
前記検出系は、その合焦位置が前記光学結晶の前記載置面近傍と一致するように配置されている観察装置。
An optical crystal having a mounting surface for mounting a sample;
To the optical crystal, two electromagnetic waves having the same wavelength and different in intensity or polarization are placed on the mounting surface so that at least a part of their irradiation areas overlaps in the vicinity of the mounting surface in the optical crystal. Is an irradiation system that irradiates from the opposite side,
A detection system for detecting one electromagnetic wave irradiated from the irradiation system and reflected from the mounting surface of the sample;
The optical crystal is a nonlinear optical crystal that does not generate a terahertz wave by the one electromagnetic wave and generates a terahertz wave by the other electromagnetic wave having a predetermined intensity or polarization,
The observation system in which the detection system is arranged so that the in-focus position coincides with the vicinity of the placement surface of the optical crystal.
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