JP2011048962A - Organic el display device - Google Patents

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Nozomi Izumi
望 和泉
Masahiro Tanaka
政博 田中
Kaoru Yanagawa
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    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/30—Devices specially adapted for multicolour light emission
    • H10K59/35—Devices specially adapted for multicolour light emission comprising red-green-blue [RGB] subpixels
    • H10K59/353—Devices specially adapted for multicolour light emission comprising red-green-blue [RGB] subpixels characterised by the geometrical arrangement of the RGB subpixels

Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a high-definition an organic EL display device having high-definition not affected by a definition degree of a metal mask. <P>SOLUTION: An arrangement pattern of a sub-pixels contained in pixels (10) adjacent to one another has the arrangement pattern arranged in line symmetry by pinching a boundary line between the pixels. Common light-emitting layers (R light-emitting layer 15R, B light-emitting layer 15B) common to the same kinds of the sub-pixels are formed in the sub-pixels (R sub-pixel 10R, B sub-pixel 10B) provided at both ends of the pixel 10. The common light-emitting layer (G light-emitting layer 15G) common to either of the sub-pixels (R sub-pixel 10R, B sub-pixel 10B) formed at both the ends of the pixel 10 is provided at the sub-pixel (G sub-pixel 10G) other than the sub-pixels provided at both the ends of the pixel 10. <P>COPYRIGHT: (C)2011,JPO&INPIT

Description

本発明は、有機ＥＬ表示装置に関する。   The present invention relates to an organic EL display device.

近年、フラットパネルディスプレイとして、自発光型デバイスである有機ＥＬ素子を有する有機ＥＬ表示装置が注目されている。   In recent years, an organic EL display device having an organic EL element which is a self-luminous device has attracted attention as a flat panel display.

有機ＥＬ表示装置の中でもカラー表示が可能な表示装置として、白色に発光する有機ＥＬ素子上に複数色のカラーフィルタを設けた構成や、発光色が異なる有機ＥＬ素子を複数種類集めて特定のパターンで配列した構成が知られている。ここで発光色が異なる有機ＥＬ素子を複数種類集めて特定のパターンで配列してカラー表示を可能にした有機ＥＬ表示装置の製造方法は、有機ＥＬ素子の構成材料に応じて適宜選択することができる。例えば、構成材料が低分子化合物である場合は、メタルマスクを用いた真空蒸着法が用いられる。より具体的には、真空蒸着法を用いて画素列毎に発光色が異なっている有機ＥＬ層を選択的に形成する方法が知られている。   Among organic EL display devices, as a display device capable of color display, a configuration in which a plurality of color filters are provided on an organic EL element that emits white light, or a plurality of types of organic EL elements having different emission colors are collected to a specific pattern The arrangement arranged in is known. Here, a method for manufacturing an organic EL display device in which a plurality of types of organic EL elements having different emission colors are collected and arranged in a specific pattern to enable color display can be appropriately selected according to the constituent material of the organic EL element. it can. For example, when the constituent material is a low molecular compound, a vacuum deposition method using a metal mask is used. More specifically, a method is known in which an organic EL layer having a different emission color for each pixel column is selectively formed using a vacuum deposition method.

ところでメタルマスクを用いた真空蒸着法では、メタルマスクの開口部の端部近傍において、蒸着・成膜される有機ＥＬ層の膜厚が薄くなる場合がある。有機ＥＬ層の膜厚が薄い領域が存在すると、その領域に電界集中が発生し、素子劣化、或いは電極間のショートの要因となる。従って、画素と画素との間に幅の広い画素間分離膜を配置して、有機ＥＬ層の膜厚が薄い部分に電界がかからない構成とする必要がある。しかし画素間分離膜を設けると、画素の開口率が低下するという問題が存在する。   By the way, in the vacuum evaporation method using a metal mask, the film thickness of the organic EL layer to be deposited and formed may be reduced in the vicinity of the end of the opening of the metal mask. If there is a region where the film thickness of the organic EL layer is small, electric field concentration occurs in the region, which causes element deterioration or a short circuit between the electrodes. Accordingly, it is necessary to dispose a wide inter-pixel separation film between pixels so that an electric field is not applied to a portion where the film thickness of the organic EL layer is thin. However, when the inter-pixel separation film is provided, there is a problem that the aperture ratio of the pixel is lowered.

この問題を解決するために、特許文献１では、２種類の画素のうち、同一発光色の画素２つを互いに隣接するように配置して、この互いに隣接する同一発光色の画素に共通する発光層等を含む有機ＥＬ層を形成するという方法が提案されている。この方法を用いると、互いに隣接する画素間においては、画素間分離膜を配置する必要がない。このため、同一発光色の画素間においては、画素の開口率を拡大することができる。   In order to solve this problem, in Patent Document 1, two of the two types of pixels that have the same emission color are arranged adjacent to each other, and light emission that is common to the adjacent pixels of the same emission color. A method of forming an organic EL layer including a layer and the like has been proposed. When this method is used, it is not necessary to arrange an inter-pixel separation film between adjacent pixels. For this reason, the aperture ratio of pixels can be increased between pixels of the same emission color.

特開２００４−２０７１２６号公報JP 2004-207126 A

しかしながら、画素が、例えば、赤（Ｒ）、青（Ｂ）、緑（Ｇ）の３種類の副画素で構成される有機ＥＬ表示装置の場合、いずれか１種類の副画素は特許文献１の効果が期待できない。このため、特許文献１の効果が期待できない１種類の副画素に関しては、他の２種類の副画素に対して精細度の高いメタルマスクが必要になり、表示装置の精細度が当該メタルマスクの精細度依存することとなる。   However, in the case of an organic EL display device in which a pixel is composed of, for example, three types of subpixels of red (R), blue (B), and green (G), any one type of subpixel is The effect cannot be expected. For this reason, for one type of subpixel for which the effect of Patent Document 1 cannot be expected, a metal mask having a higher definition than the other two types of subpixels is required, and the definition of the display device has a higher definition. It depends on the definition.

本発明は上記課題に鑑みてなされたものであり、その目的は、メタルマスクの精細度に依存されない高精細の有機ＥＬ表示装置を提供することである。   The present invention has been made in view of the above problems, and an object thereof is to provide a high-definition organic EL display device that does not depend on the definition of a metal mask.

本発明の有機ＥＬ表示装置は、基板と、該基板上に設けられる表示領域と、から構成され、
該表示領域が、マトリックス状に配列されている複数の画素を有し、
該画素が、少なくとも三種類の副画素と、を有し、
各該副画素の発光色がそれぞれ異なり、
各該副画素が、それぞれ下部電極と、少なくとも発光層を含む有機ＥＬ層と、上部電極と、からなる有機ＥＬ表示装置において、
互いに隣接する画素に含まれる副画素の配列パターンが、画素間境界線を挟んで線対称に配列される配列パターンであり、
該画素の両端に設けられる副画素には、同種の副画素に共通する共通発光層が設けられており、
該画素の両端に設けられる副画素以外の副画素には、該画素の両端に設けられる副画素のいずれかに共通するコモン発光層が設けられていることを特徴とする。 The organic EL display device of the present invention comprises a substrate and a display area provided on the substrate,
The display area has a plurality of pixels arranged in a matrix,
The pixel has at least three types of sub-pixels;
The emission color of each sub-pixel is different,
In each organic EL display device, each subpixel includes a lower electrode, an organic EL layer including at least a light emitting layer, and an upper electrode.
The arrangement pattern of sub-pixels included in adjacent pixels is an arrangement pattern that is arranged symmetrically with respect to the boundary line between pixels,
The subpixels provided at both ends of the pixel are provided with a common light emitting layer common to the same type of subpixels,
A sub-pixel other than the sub-pixel provided at both ends of the pixel is provided with a common light emitting layer common to any of the sub-pixels provided at both ends of the pixel.

本発明によれば、メタルマスクの精細度に依存されない高精細の有機ＥＬ表示装置を提供することができる。   According to the present invention, it is possible to provide a high-definition organic EL display device that does not depend on the definition of the metal mask.

本発明の有機ＥＬ表示装置における第一の実施形態を示す模式図であり、（ａ）は、有機ＥＬ表示装置の平面模式図であり、（ｂ）は、（ａ）のＡＡ’間の断面模式図である。It is a schematic diagram which shows 1st embodiment in the organic electroluminescence display of this invention, (a) is a plane schematic diagram of an organic electroluminescence display, (b) is the cross section between AA 'of (a). It is a schematic diagram. 第一の実施形態の変形例を示す断面模式図である。It is a cross-sectional schematic diagram which shows the modification of 1st embodiment. 本発明の有機ＥＬ表示装置における第二の実施形態を示す模式図であり、（ａ）は、有機ＥＬ表示装置の平面模式図であり、（ｂ）は、（ａ）のＢＢ’間の断面模式図である。It is a schematic diagram which shows 2nd embodiment in the organic electroluminescence display of this invention, (a) is a plane schematic diagram of an organic electroluminescence display, (b) is the cross section between BB 'of (a). It is a schematic diagram. 第二の実施形態の変形例を示す断面模式図である。It is a cross-sectional schematic diagram which shows the modification of 2nd embodiment. 本発明の有機ＥＬ表示装置における第三の実施形態を示す模式図であり、（ａ）は、有機ＥＬ表示装置の平面模式図であり、（ｂ）は、（ａ）のＣＣ’間の断面模式図である。It is a schematic diagram which shows 3rd embodiment in the organic electroluminescence display of this invention, (a) is a plane schematic diagram of an organic electroluminescence display, (b) is the cross section between CC 'of (a). It is a schematic diagram. 実施例１で作製した有機ＥＬ表示装置に含まれるＲ副画素のエネルギーダイアグラムを示す図である。3 is a diagram illustrating an energy diagram of an R subpixel included in the organic EL display device manufactured in Example 1. FIG. 実施例２で作製した有機ＥＬ表示装置に含まれるＲ副画素のエネルギーダイアグラムを示す図である。6 is a diagram showing an energy diagram of an R subpixel included in an organic EL display device manufactured in Example 2. FIG. 実施例３で作製した有機ＥＬ表示装置に含まれるＲ副画素及びＧ副画素のエネルギーダイアグラムを示す図であり、（ａ）は、Ｒ副画素のエネルギーダイアグラムを示す図であり、（ｂ）は、Ｇ副画素のエネルギーダイアグラムを示す図である。It is a figure which shows the energy diagram of R subpixel and G subpixel which are included in the organic electroluminescence display produced in Example 3, (a) is a figure which shows the energy diagram of R subpixel, (b) is FIG. 4 is a diagram illustrating an energy diagram of a G subpixel.

本発明の有機ＥＬ表示装置は、基本的には、基板と、該基板上に設けられる表示領域と、から構成される表示装置である。   The organic EL display device of the present invention is basically a display device composed of a substrate and a display region provided on the substrate.

本発明の有機ＥＬ表示装置において、この表示領域は、マトリックス状に配列されている複数の画素を有しており、当該画素は、少なくとも三種類の副画素と、を有し、各副画素の発光色はそれぞれ異なっている。   In the organic EL display device of the present invention, the display area includes a plurality of pixels arranged in a matrix, and the pixels include at least three types of subpixels. The emission colors are different.

また画素に含まれる各副画素は、それぞれ下部電極と、少なくとも発光層を含む有機ＥＬ層と、上部電極と、からなる部材である。尚、本発明の有機ＥＬ表示装置において、下部電極及び上部電極のうち、一方が光透過性電極であり、もう一方が光反射性電極である。   Each subpixel included in the pixel is a member including a lower electrode, an organic EL layer including at least a light emitting layer, and an upper electrode. In the organic EL display device of the present invention, one of the lower electrode and the upper electrode is a light transmissive electrode, and the other is a light reflective electrode.

本発明の有機ＥＬ表示装置において、互いに隣接する画素に含まれる副画素の配列パターンは、画素間境界線を挟んで線対称に配列される配列パターン、いわゆるミラー型の配列パターンである。例えば、画素が、発光色がそれぞれ異なる三種類の副画素、即ち、第一副画素と、第二副画素と、第三副画素と、を有する場合は、副画素の配列パターンは、以下に示されるパターンとなる。   In the organic EL display device of the present invention, the arrangement pattern of the sub-pixels included in the pixels adjacent to each other is a so-called mirror type arrangement pattern that is arranged symmetrically with respect to the boundary line between the pixels. For example, when a pixel has three types of sub-pixels having different emission colors, that is, a first sub-pixel, a second sub-pixel, and a third sub-pixel, the sub-pixel array pattern is as follows: This is the pattern shown.

第一副画素、第二副画素、第三副画素、第三副画素、第二副画素、第一副画素、第一副画素、第二副画素、第三副画素、第三副画素、第二副画素、第一副画素・・・
つまり、第一副画素、第二副画素、第三副画素の順に配列されている画素の隣に、第三副画素、第二副画素、第一副画素の順に配列されている画素が交互に設けられていることになる。即ち、画素に含まれる副画素の配列パターンが、第一副画素、第二副画素、第三副画素、第三副画素、第二副画素、第一副画素、の繰り返しとなっている。 First subpixel, second subpixel, third subpixel, third subpixel, second subpixel, first subpixel, first subpixel, second subpixel, third subpixel, third subpixel, Second subpixel, first subpixel ...
In other words, pixels arranged in the order of the third subpixel, the second subpixel, and the first subpixel are alternately adjacent to the pixel arranged in the order of the first subpixel, the second subpixel, and the third subpixel. Will be provided. That is, the arrangement pattern of the subpixels included in the pixel is a repetition of the first subpixel, the second subpixel, the third subpixel, the third subpixel, the second subpixel, and the first subpixel.

本発明の有機ＥＬ表示装置において、画素の両端に設けられる副画素には、隣接する同種の副画素に共通する共通発光層が設けられている。一方、画素の両端に設けられる副画素以外の副画素には、画素の両端に設けられる副画素のいずれかと、画素の両端に設けられる副画素以外の副画素とに共通するコモン発光層が設けられている。例えば、画素が発光色がそれぞれ異なる三種類の画素、即ち、第一副画素と、第二副画素と、第三副画素と、を有する場合、第一副画素には同種の副画素に共通する第一発光層が設けられており、第三副画素には同種の副画素に共通する第二発光層が設けられている。一方、第二副画素には、第二副画素、並びに第一副画素及び第三副画素のいずれかに共通するコモン発光層が設けられている。   In the organic EL display device of the present invention, the sub-pixels provided at both ends of the pixel are provided with a common light-emitting layer common to adjacent sub-pixels of the same type. On the other hand, the sub-pixel other than the sub-pixel provided at both ends of the pixel is provided with a common light emitting layer common to any of the sub-pixels provided at both ends of the pixel and the sub-pixel other than the sub-pixel provided at both ends of the pixel. It has been. For example, when a pixel has three types of pixels having different emission colors, that is, a first subpixel, a second subpixel, and a third subpixel, the first subpixel is common to the same type of subpixel. The first light emitting layer is provided, and the second light emitting layer common to the same type of subpixel is provided in the third subpixel. On the other hand, the second subpixel is provided with a common light emitting layer common to the second subpixel and any of the first subpixel and the third subpixel.

上記のように発光層が設けられていることにより、画素の右端又は左端に設けられる副画素には、コモン発光層及び共通発光層（第一発光層又は第二発光層）の二種類の発光層が積層されている状態になる。   Since the light emitting layer is provided as described above, two types of light emission of the common light emitting layer and the common light emitting layer (the first light emitting layer or the second light emitting layer) are provided in the sub-pixel provided at the right end or the left end of the pixel. The layers are stacked.

本発明の有機ＥＬ表示装置において、好ましくは、コモン発光層及び共通発光層のうち波長の低い発光色を有する発光層は、光反射電極側に設けられる。発光波長が短い発光層を光反射電極側に配置することで、反射電極と各発光層との距離を、光路長に対して容易に最適値に設計することができる。   In the organic EL display device of the present invention, preferably, the common light emitting layer and the light emitting layer having a light emitting color with a low wavelength among the common light emitting layers are provided on the light reflecting electrode side. By disposing the light emitting layer having a short emission wavelength on the light reflecting electrode side, the distance between the reflecting electrode and each light emitting layer can be easily designed to an optimum value with respect to the optical path length.

以下に、本発明の具体的な実施形態を、図面を用いて説明する。   Hereinafter, specific embodiments of the present invention will be described with reference to the drawings.

［第一の実施形態］
図１は、本発明の有機ＥＬ表示装置における第一の実施形態を示す模式図であり、（ａ）は、有機ＥＬ表示装置の平面模式図であり、（ｂ）は、（ａ）のＡＡ’間の断面模式図である。 [First embodiment]
FIG. 1 is a schematic diagram showing a first embodiment of the organic EL display device of the present invention, (a) is a schematic plan view of the organic EL display device, and (b) is an AA of (a). It is a cross-sectional schematic diagram between '.

本実施形態の有機ＥＬ表示装置１は、画素１０がマトリックス状に配置されている。ここで図１（ａ）に示されるように、画素１０は、Ｒ副画素１０Ｒ、Ｇ副画素１０Ｇ及びＢ副画素１０Ｂの３種類の副画素からなる。また図１（ａ）に示されるように、３種類の副画素（１０Ｒ、１０Ｇ、１０Ｂ）の配列パターンは、ＲＧＢＢＧＲＲＧＢＢＧＲ・・・となっている。   In the organic EL display device 1 of the present embodiment, the pixels 10 are arranged in a matrix. Here, as shown in FIG. 1A, the pixel 10 includes three types of sub-pixels: an R sub-pixel 10R, a G sub-pixel 10G, and a B sub-pixel 10B. As shown in FIG. 1A, the arrangement pattern of the three types of sub-pixels (10R, 10G, 10B) is RGBBGRRGBBGR.

図１（ｂ）に示されるように、各副画素（１０Ｒ、１０Ｇ、１０Ｂ）は、基本的には、基板１１上に、下部電極１２、有機ＥＬ層及び上部電極１８がこの順で設けられている。また基板１１上には、各副画素を区画するための画素間分離膜１３が設けられている。   As shown in FIG. 1B, each subpixel (10R, 10G, 10B) basically includes a lower electrode 12, an organic EL layer, and an upper electrode 18 provided in this order on a substrate 11. ing. Further, an inter-pixel separation film 13 for partitioning each sub-pixel is provided on the substrate 11.

以下、本実施形態の有機ＥＬ表示装置を構成する部材について説明する。   Hereinafter, members constituting the organic EL display device of the present embodiment will be described.

基板１１として、ガラス基板、プラスチック基板、シリコン基板等の基板材料を使用することができる。尚、この基板材料を基材として、当該基材上に、下部電極１２に電流を供給するための駆動回路を設けたものを基板として使用してもよい。   As the substrate 11, a substrate material such as a glass substrate, a plastic substrate, or a silicon substrate can be used. In addition, you may use for this board | substrate material what provided the drive circuit for supplying an electric current to the lower electrode 12 on the said base material as a base material.

下部電極１２として、Ａｌ、Ａｇ等の金属薄膜、ＩＴＯ、ＩＺＯ等の透明導電膜、又はこれら金属薄膜と透明導電膜とを積層して形成される積層体が挙げられる。   Examples of the lower electrode 12 include metal thin films such as Al and Ag, transparent conductive films such as ITO and IZO, or a laminate formed by laminating these metal thin films and transparent conductive films.

各副画素を区画する画素間分離膜１３として、ＳｉＮ、ＳｉＯ等の電気絶縁性無機膜、或いはＰＩ、アクリル等の電気絶縁性高分子膜を使用することができる。   As the inter-pixel separation film 13 for partitioning each subpixel, an electrically insulating inorganic film such as SiN or SiO, or an electrically insulating polymer film such as PI or acrylic can be used.

下部電極１２上に設けられる有機ＥＬ層は、少なくとも発光層を有する単層又は複数の層からなる積層体である。具体例として、図１（ｂ）に示されるように、下部電極１２側から順に、ホール輸送層１４、発光層１５（１５Ｒ、１５Ｇ、１５Ｂ）、電子輸送層１６及び電子注入層１７の順に積層される積層体が挙げられるが、本発明は、これに限定されるものではない。   The organic EL layer provided on the lower electrode 12 is a laminated body composed of a single layer or a plurality of layers having at least a light emitting layer. As a specific example, as shown in FIG. 1B, a hole transport layer 14, a light emitting layer 15 (15R, 15G, 15B), an electron transport layer 16 and an electron injection layer 17 are stacked in this order from the lower electrode 12 side. However, the present invention is not limited to this.

ホール輸送層１４の構成材料として、公知のホール輸送性材料を使用することができる。尚、下部電極１２とホール輸送層１４との間に、介在層としてホール注入層を設けてもよい。ここでホール注入層を設ける際には、その構成材料として、公知のホール注入性材料を使用することができる。   As a constituent material of the hole transport layer 14, a known hole transport material can be used. A hole injection layer may be provided as an intervening layer between the lower electrode 12 and the hole transport layer 14. Here, when the hole injection layer is provided, a known hole injection material can be used as its constituent material.

ホール輸送層１４上には、発光層１５が形成される。具体的には、Ｂ副画素１０ＢにはＢ発光層１５Ｂが形成され、Ｒ副画素１０Ｒには、Ｒ発光層１５ＲとＧ発光層１５Ｇとからなる積層体が形成され、Ｇ副画素１０Ｇには、Ｇ発光層１５Ｇが形成されている。   A light emitting layer 15 is formed on the hole transport layer 14. Specifically, the B subpixel 10B is formed with a B light emitting layer 15B, the R subpixel 10R is formed with a stack of an R light emitting layer 15R and a G light emitting layer 15G, and the G subpixel 10G is formed with a stacked body. The G light emitting layer 15G is formed.

ところで、図１（ｂ）に示されるように、Ｂ発光層１５Ｂは、同色でありかつ互いに隣接する副画素１０Ｂ及び１０Ｂ’’に共通する発光層として連続して形成されている。同様に、Ｒ発光層１５Ｒは、同色でありかつ互いに隣接する副画素１０Ｒ及び１０Ｒ’に共通する発光層として連続して形成されている。   By the way, as shown in FIG. 1B, the B light-emitting layer 15B is continuously formed as a light-emitting layer having the same color and common to the adjacent subpixels 10B and 10B ″. Similarly, the R light emitting layer 15R is continuously formed as a light emitting layer having the same color and common to the adjacent subpixels 10R and 10R '.

一方、Ｇ発光層１５Ｇは、２つのＧ副画素１０Ｇ及び１０Ｇ’、並びに２つのＲ副画素１０Ｒ及び１０Ｒ’にわたって共通するコモン発光層として、ホール輸送層１４及びＲ発光層１５Ｒ上に、連続して形成されている。図１に示されるように、各画素がＲ、Ｇ、Ｂの３種類の副画素からなる有機ＥＬ表示装置においては、人間の視感度が高いＧ発光層１５Ｇをコモン発光層として画素の中心に配置することにより、より高い解像感を有する表示装置とすることができる。   On the other hand, the G light emitting layer 15G is continuous on the hole transport layer 14 and the R light emitting layer 15R as a common light emitting layer common to the two G subpixels 10G and 10G ′ and the two R subpixels 10R and 10R ′. Is formed. As shown in FIG. 1, in an organic EL display device in which each pixel is composed of three types of R, G, and B sub-pixels, a G light-emitting layer 15G having high human visibility is used as a common light-emitting layer at the center of the pixel. By disposing the display device, a display device having higher resolution can be obtained.

図１（ｂ）に示されるように有機ＥＬ表示装置を構成する各発光層を設けると、メタルマスクを用いた真空蒸着法で有機ＥＬ層（特に、発光層）を形成する際に、全ての有機ＥＬ層に対して、副画素の精細度よりも低い精細度のメタルマスクを用いることができる。従って、メタルマスクの精細度に依存されない高精細の有機ＥＬ表示装置を得ることができる。   When each light emitting layer constituting the organic EL display device is provided as shown in FIG. 1B, all the organic EL layers (particularly, the light emitting layer) are formed by vacuum deposition using a metal mask. A metal mask having a definition lower than that of the sub-pixel can be used for the organic EL layer. Therefore, a high-definition organic EL display device that does not depend on the definition of the metal mask can be obtained.

尚、各発光層（１５Ｒ、１５Ｇ、１５Ｂ）の構成材料として、公知の発光材料を使用することができる。   In addition, a well-known luminescent material can be used as a constituent material of each light emitting layer (15R, 15G, 15B).

Ｂ発光層１５Ｂ及びＧ発光層１５Ｇ上には、電子輸送層１６が形成されている。電子輸送層１６の構成材料として、公知の電子輸送性材料を使用することができる。   An electron transport layer 16 is formed on the B light emitting layer 15B and the G light emitting layer 15G. As a constituent material of the electron transport layer 16, a known electron transport material can be used.

電子輸送層１６上には、電子注入層１７が形成されている。電子注入層１７の構成材料として、公知の電子注入性材料を使用することができる。   An electron injection layer 17 is formed on the electron transport layer 16. A known electron injecting material can be used as a constituent material of the electron injecting layer 17.

電子注入層１７上には、上部電極１８が形成されている。上部電極１８として、Ａｌ、Ａｇ等の金属薄膜、ＩＺＯ、ＩＴＯ等の透明導電膜、又はこれら金属薄膜と透明導電膜とを積層して形成される積層体が挙げられる。ここで発光層１５からの光を取り出すために、下部電極１２又は上部電極１８は、透明又は半透明の薄膜とし、他方を金属薄膜とするのが望ましい。   An upper electrode 18 is formed on the electron injection layer 17. Examples of the upper electrode 18 include metal thin films such as Al and Ag, transparent conductive films such as IZO and ITO, or a laminate formed by laminating these metal thin films and transparent conductive films. Here, in order to extract light from the light emitting layer 15, it is desirable that the lower electrode 12 or the upper electrode 18 be a transparent or translucent thin film and the other be a metal thin film.

図１の有機ＥＬ表示装置１は、両電極（下部電極１２、上部電極１８）間に電流を流すと、Ｒ副画素１０ＲからはＲ発光層１５Ｒから発せられる赤色発光が出力される。またＧ副画素１０ＧからはＧ発光層１０６Ｇから発せられる緑色発光が出力され、Ｂ副画素１０ＢからはＢ発光層１５Ｂから発せられる青色発光が出力される。   In the organic EL display device 1 of FIG. 1, when a current is passed between both electrodes (the lower electrode 12 and the upper electrode 18), red light emitted from the R light emitting layer 15R is output from the R subpixel 10R. The G subpixel 10G outputs green light emitted from the G light emitting layer 106G, and the B subpixel 10B outputs blue light emitted from the B light emitting layer 15B.

ところで図１（ｂ）に示されるように、Ｒ副画素１０Ｒは、Ｒ発光層１５ＲとＧ発光層１５Ｇが設けられているが、Ｒ発光層１５Ｒが選択的に発光するように調整されている。   As shown in FIG. 1B, the R sub-pixel 10R includes an R light emitting layer 15R and a G light emitting layer 15G, and is adjusted so that the R light emitting layer 15R selectively emits light. .

具体的な調製方法としては、例えば、Ｒ発光層１５ＲのホストのＨＯＭＯ（Ｈｉｇｈｅｓｔ Ｏｃｃｕｐｉｅｄ Ｍｏｌｅｃｕｌａｒ Ｏｒｂｉｔａｌ）エネルギー準位に対して、Ｇ発光層１５ＧのホストのＨＯＭＯエネルギー準位が低くなるように調整する。この調整を実現するために、各発光層の構成材料の組合せを適宜選択する必要がある。   As a specific preparation method, for example, the HOMO energy level of the host of the G light emitting layer 15G is adjusted to be lower than the HOMO (High Occupied Molecular Orbital) energy level of the host of the R light emitting layer 15R. In order to realize this adjustment, it is necessary to appropriately select a combination of constituent materials of each light emitting layer.

また、別の調整方法として、Ｒ発光層１５ＲのホストのＬＵＭＯ（Ｌｏｗｅｓｔ Ｕｎｏｃｃｕｐｉｅｄ Ｍｏｌｅｕｌａｒ Ｏｒｂｉｔａｌ）エネルギー準位に対して、Ｇ発光層１５ＧのＬＵＭＯエネルギー準位が高くなるように調整する。この調整を実現するために、各発光層の構成材料の組合せを適宜選択する必要がある。   As another adjustment method, adjustment is made so that the LUMO energy level of the G light emitting layer 15G is higher than the LUMO (Low Unoccupied Molecular Orbital) energy level of the host of the R light emitting layer 15R. In order to realize this adjustment, it is necessary to appropriately select a combination of constituent materials of each light emitting layer.

上述した方法によりＲ発光層１５ＲとＧ発光層１５Ｇとの間のエネルギー準位を調整することにより、下部電極１２から供給されるホールはＧ発光層１５Ｇには移動せずにＲ発光層１５Ｒに滞留する。また上部電極１８から供給される電子はＧ発光層１５Ｇを通過し容易にＲ発光層１５Ｒへ移動する。従って、ホール及び電子はＲ発光層１５Ｒで再結合し、Ｒ発光層１５Ｒの発光色である赤色発光が得られる。   By adjusting the energy level between the R light emitting layer 15R and the G light emitting layer 15G by the above-described method, the holes supplied from the lower electrode 12 do not move to the G light emitting layer 15G but enter the R light emitting layer 15R. Stay. The electrons supplied from the upper electrode 18 pass through the G light emitting layer 15G and easily move to the R light emitting layer 15R. Therefore, holes and electrons recombine in the R light emitting layer 15R, and red light emission that is the light emission color of the R light emitting layer 15R is obtained.

Ｒ発光層１５ＲとＧ発光層１５Ｇとの間のエネルギー準位を調整する別の方法として、Ｒ発光層１５ＲとＧ発光層１５Ｇとの間に介在層を設ける方法がある。具体的には、Ｒ発光層１５ＲとＧ発光層１５Ｇとの間にホールブロック層又は電子輸送層を設ける。こうすることで、Ｒ発光層１５ＲからＧ発光層１５Ｇへのホールの移動が抑制されるので、より確実にＲ発光層１５Ｒの発光のみを出力させることができる。尚、介在層であるホールブロック層、電子輸送層の構成材料として、公知の材料を使用することができる。   As another method for adjusting the energy level between the R light emitting layer 15R and the G light emitting layer 15G, there is a method of providing an intervening layer between the R light emitting layer 15R and the G light emitting layer 15G. Specifically, a hole block layer or an electron transport layer is provided between the R light emitting layer 15R and the G light emitting layer 15G. By doing so, since the movement of holes from the R light emitting layer 15R to the G light emitting layer 15G is suppressed, only the light emission of the R light emitting layer 15R can be output more reliably. In addition, a well-known material can be used as a constituent material of the hole block layer which is an intervening layer, and an electron carrying layer.

次に、本実施形態の変形例について図面を適宜参照しながら以下に説明する。   Next, modifications of the present embodiment will be described below with reference to the drawings as appropriate.

図２は、第一の実施形態の変形例を示す断面模式図である。図２（ａ）及び（ｂ）に示されるように、Ｇ発光層１５Ｇを、全ての副画素（１０Ｒ、１０Ｇ、１０Ｂ）にわたって共通するコモン発光層として設けてもよい。図２（ａ）、（ｂ）のような態様でＧ発光層１５Ｇを設けると、コモン発光層でもあるＧ発光層１５Ｇは、マトリックス状に配列された画素の全面、即ち、表示領域の全域にわたって連続して形成されることになる。これにより、Ｇ発光層１５Ｇを形成する際は、表示領域の全域に開口を有するメタルマスクを使用すればよいことになる。   FIG. 2 is a schematic cross-sectional view showing a modification of the first embodiment. As shown in FIGS. 2A and 2B, the G light emitting layer 15G may be provided as a common light emitting layer common to all the subpixels (10R, 10G, 10B). When the G light emitting layer 15G is provided in the manner as shown in FIGS. 2A and 2B, the G light emitting layer 15G, which is also the common light emitting layer, covers the entire surface of the pixels arranged in a matrix, that is, the entire display region. It will be formed continuously. Thereby, when forming the G light emitting layer 15G, a metal mask having an opening in the entire display region may be used.

ここでＧ発光層１５ＧとＢ発光層１５Ｂとを設ける順番は、特に限定されるものではない。即ち、図２（ａ）に示すように、ホール輸送層１４上に、Ｂ発光層１５Ｂ、Ｇ発光層１５Ｇの順番で設けてもよい。また図２（ｂ）に示すように、ホール輸送層１４上に、Ｇ発光層１５Ｇ、Ｂ発光層１５Ｂの順番で設けてもよい。   Here, the order of providing the G light emitting layer 15G and the B light emitting layer 15B is not particularly limited. That is, as shown in FIG. 2A, the B light emitting layer 15B and the G light emitting layer 15G may be provided on the hole transport layer 14 in this order. Further, as shown in FIG. 2B, the G light-emitting layer 15G and the B light-emitting layer 15B may be provided on the hole transport layer 14 in this order.

尚、図２（ａ）、（ｂ）において、Ｂ副画素１０Ｂでは、青色発光を出力することができるように、積層された発光層（１５Ｇ、１５Ｂ）のうち、Ｂ発光層１５Ｂが選択的に発光するように調整する必要がある。   2A and 2B, in the B sub-pixel 10B, the B light emitting layer 15B is selectively selected from the stacked light emitting layers (15G and 15B) so that blue light emission can be output. It is necessary to adjust to emit light.

また、図２（ｃ）、（ｄ）に示すように、Ｇ発光層１５Ｇは、２つのＧ副画素１０Ｇ及び１０Ｇ’、並びに２つのＢ副画素１０Ｂ及び１０Ｂ’にわたって共通するコモン発光層として、ホール輸送層１４上に、連続して形成されていてもよい。   2C and 2D, the G light emitting layer 15G is a common light emitting layer common to the two G subpixels 10G and 10G ′ and the two B subpixels 10B and 10B ′. It may be formed continuously on the hole transport layer 14.

尚、図２（ａ）、（ｂ）と同様に、Ｇ発光層１５ＧとＢ発光層１５Ｂとを設ける順番は、特に限定されるものではない。即ち、図２（ｄ）に示すように、ホール輸送層１４上に、Ｂ発光層１５Ｂ、Ｇ発光層１５Ｇの順番で設けてもよい。また図２（ｃ）に示すように、ホール輸送層１４上に、Ｇ発光層１５Ｇ、Ｂ発光層１５Ｂの順番で設けてもよい。   As in FIGS. 2A and 2B, the order of providing the G light emitting layer 15G and the B light emitting layer 15B is not particularly limited. That is, as shown in FIG. 2D, the B light emitting layer 15B and the G light emitting layer 15G may be provided on the hole transport layer 14 in this order. Further, as shown in FIG. 2C, the G light emitting layer 15G and the B light emitting layer 15B may be provided on the hole transport layer 14 in this order.

また図２（ａ）、（ｂ）と同様に、Ｂ副画素１０Ｂでは、青色発光を出力することができるように、積層された発光層（１５Ｇ、１５Ｂ）のうち、Ｂ発光層１５Ｂが選択的に発光するように調整する必要がある。   Similarly to FIGS. 2A and 2B, in the B sub-pixel 10B, the B light-emitting layer 15B is selected from the stacked light-emitting layers (15G and 15B) so that blue light emission can be output. It is necessary to adjust so as to emit light.

［第二の実施形態］
図３は、本発明の有機ＥＬ表示装置における第二の実施形態を示す模式図であり、（ａ）は、有機ＥＬ表示装置の平面模式図であり、（ｂ）は、（ａ）のＢＢ’間の断面模式図である。尚、本実施形態においては、上述した第一の実施形態との相違点を中心に説明する。 [Second Embodiment]
FIG. 3 is a schematic view showing a second embodiment of the organic EL display device of the present invention, (a) is a schematic plan view of the organic EL display device, and (b) is a BB of (a). It is a cross-sectional schematic diagram between '. In the present embodiment, the description will focus on differences from the first embodiment described above.

本実施形態の有機ＥＬ表示装置２は、２つのＧ副画素１０Ｇ及び１０Ｇ’、並びに２つのＲ副画素１０Ｒ及び１０Ｒ’にわたって共通するコモン発光層として設けられるＧ発光層１５Ｇ上にＲ発光層１５Ｒが設けられている。   The organic EL display device 2 of the present embodiment includes an R light emitting layer 15R on a G light emitting layer 15G provided as a common light emitting layer over the two G subpixels 10G and 10G ′ and the two R subpixels 10R and 10R ′. Is provided.

第一の実施形態と同様に本実施形態においても、Ｒ副画素１０Ｒにおいては、Ｒ発光層１５Ｒから発せられる赤色発光を選択的に出力できるように適宜調整する必要がある。   Similar to the first embodiment, in the present embodiment as well, in the R sub-pixel 10R, it is necessary to appropriately adjust so that red light emitted from the R light emitting layer 15R can be selectively output.

具体的な調製方法としては、例えば、Ｒ発光層１５ＲのホストのＨＯＭＯエネルギー準位に対して、Ｇ発光層１５ＧのホストのＨＯＭＯエネルギー準位が低くなるように調整する。この調整を実現するために、各発光層の構成材料の組合せを適宜選択する必要がある。   As a specific preparation method, for example, the HOMO energy level of the host of the G light emitting layer 15G is adjusted to be lower than the HOMO energy level of the host of the R light emitting layer 15R. In order to realize this adjustment, it is necessary to appropriately select a combination of constituent materials of each light emitting layer.

また、別の調整方法として、Ｒ発光層１５ＲのホストのＬＵＭＯエネルギー準位に対して、Ｇ発光層１５ＧのＬＵＭＯエネルギー準位が高くなるように調整する。この調整を実現するために、各発光層の構成材料の組合せを適宜選択する必要がある。   As another adjustment method, the LUMO energy level of the G light emitting layer 15G is adjusted to be higher than the LUMO energy level of the host of the R light emitting layer 15R. In order to realize this adjustment, it is necessary to appropriately select a combination of constituent materials of each light emitting layer.

上述した方法によりＲ発光層１５ＲとＧ発光層１５Ｇとの間のエネルギー準位を調整することにより、下部電極１２から供給されるホールはＧ発光層１５Ｇを通過し容易にＲ発光層１５Ｒへ移動する。また上部電極１８から供給される電子はＧ発光層１５Ｇには移動せずにＲ発光層１５Ｒに滞留する。従って、ホール及び電子はＲ発光層１５Ｒで再結合し、Ｒ発光層１５Ｒの発光色である赤色発光が得られる。   By adjusting the energy level between the R light emitting layer 15R and the G light emitting layer 15G by the method described above, the holes supplied from the lower electrode 12 pass through the G light emitting layer 15G and easily move to the R light emitting layer 15R. To do. The electrons supplied from the upper electrode 18 do not move to the G light emitting layer 15G but stay in the R light emitting layer 15R. Therefore, holes and electrons recombine in the R light emitting layer 15R, and red light emission that is the light emission color of the R light emitting layer 15R is obtained.

Ｒ発光層１５ＲとＧ発光層１５Ｇとの間のエネルギー準位を調整する別の方法として、Ｒ発光層１５ＲとＧ発光層１５Ｇとの間に介在層を設ける方法がある。具体的には、Ｒ発光層１５ＲとＧ発光層１５Ｇとの間にホール輸送層又は電子ブロック層を設ける。こうすることで、Ｒ発光層１５ＲからＧ発光層１５Ｇへのホールの移動が抑制されるので、より確実にＲ発光層１５Ｒの発光のみを出力させることができる。尚、介在層であるホールブロック層、電子輸送層の構成材料として、公知の材料を使用することができる。   As another method for adjusting the energy level between the R light emitting layer 15R and the G light emitting layer 15G, there is a method of providing an intervening layer between the R light emitting layer 15R and the G light emitting layer 15G. Specifically, a hole transport layer or an electron blocking layer is provided between the R light emitting layer 15R and the G light emitting layer 15G. By doing so, since the movement of holes from the R light emitting layer 15R to the G light emitting layer 15G is suppressed, only the light emission of the R light emitting layer 15R can be output more reliably. In addition, a well-known material can be used as a constituent material of the hole block layer which is an intervening layer, and an electron carrying layer.

次に、本実施形態の変形例について図面を適宜参照しながら以下に説明する。   Next, modifications of the present embodiment will be described below with reference to the drawings as appropriate.

図４は、第一の実施形態の変形例を示す断面模式図である。図４（ａ）及び（ｂ）に示されるように、Ｇ発光層１５Ｇを、全ての副画素（１０Ｒ、１０Ｇ、１０Ｂ）にわたって共通するコモン発光層として設けてもよい。   FIG. 4 is a schematic cross-sectional view showing a modification of the first embodiment. As shown in FIGS. 4A and 4B, the G light emitting layer 15G may be provided as a common light emitting layer over all the subpixels (10R, 10G, 10B).

ここでＧ発光層１５ＧとＢ発光層１５Ｂとを設ける順番は、特に限定されるものではない。即ち、図４（ａ）に示すように、ホール輸送層１４上に、Ｂ発光層１５Ｂ、Ｇ発光層１５Ｇの順番で設けてもよい。また図４（ｂ）に示すように、ホール輸送層１４上に、Ｇ発光層１５Ｇ、Ｂ発光層１５Ｂの順番で設けてもよい。   Here, the order of providing the G light emitting layer 15G and the B light emitting layer 15B is not particularly limited. That is, as shown in FIG. 4A, the B light emitting layer 15B and the G light emitting layer 15G may be provided on the hole transport layer 14 in this order. Further, as shown in FIG. 4B, the G light emitting layer 15G and the B light emitting layer 15B may be provided on the hole transport layer 14 in this order.

［第三の実施形態］
図５は、本発明の有機ＥＬ表示装置における第三の実施形態を示す模式図であり、（ａ）は、有機ＥＬ表示装置の平面模式図であり、（ｂ）は、（ａ）のＣＣ’間の断面模式図である。尚、本実施形態においては、上述した第一、第二の実施形態との相違点を中心に説明する。 [Third embodiment]
FIG. 5 is a schematic view showing a third embodiment of the organic EL display device of the present invention, (a) is a schematic plan view of the organic EL display device, and (b) is a CC of (a). It is a cross-sectional schematic diagram between '. In addition, in this embodiment, it demonstrates centering around difference with 1st, 2nd embodiment mentioned above.

図５（ａ）に示されるように、本実施形態の有機ＥＬ表示装置３は、３種類の副画素（１０Ｒ、１０Ｇ、１０Ｂ）の配列パターンがＲＢＧＧＢＲＲＢＧＧＢＲ・・・となっている。   As shown in FIG. 5A, in the organic EL display device 3 of the present embodiment, the arrangement pattern of the three types of sub-pixels (10R, 10G, 10B) is RBGGBRRBGGGBR.

ところで、図５（ｂ）に示されるように、Ｇ発光層１５Ｇは、同色でありかつ互いに隣接する副画素１０Ｇ及び１０Ｇ’’に共通する発光層として連続して形成されている。同様に、Ｒ発光層１５Ｒは、同色でありかつ互いに隣接する副画素１０Ｒ及び１０Ｒ’に共通する発光層として連続して形成されている。   Incidentally, as shown in FIG. 5B, the G light emitting layer 15G is continuously formed as a light emitting layer having the same color and common to the adjacent subpixels 10G and 10G ″. Similarly, the R light emitting layer 15R is continuously formed as a light emitting layer having the same color and common to the adjacent subpixels 10R and 10R '.

一方、Ｂ発光層１５Ｂは、全ての副画素（１０Ｂ、１０Ｇ、１９Ｒ）にわたって共通するコモン発光層として、ホール輸送層１４、Ｇ発光層１５Ｇ及びＲ発光層１５Ｒ上に、連続して形成されている。   On the other hand, the B light emitting layer 15B is continuously formed on the hole transport layer 14, the G light emitting layer 15G, and the R light emitting layer 15R as a common light emitting layer common to all the sub-pixels (10B, 10G, 19R). Yes.

ところで図１（ｂ）に示されるように、Ｒ副画素１０Ｒは、Ｒ発光層１５ＲとＢ発光層１５Ｂが設けられているが、Ｒ発光層１５Ｒが選択的に発光するように調整されている。またＧ副画素１０Ｇは、Ｇ発光層１５ＲとＢ発光層１５Ｂが設けられているが、Ｇ発光層１５Ｒが選択的に発光するように調整されている。   As shown in FIG. 1B, the R sub-pixel 10R includes an R light emitting layer 15R and a B light emitting layer 15B, and is adjusted so that the R light emitting layer 15R selectively emits light. . The G subpixel 10G is provided with a G light emitting layer 15R and a B light emitting layer 15B, and is adjusted so that the G light emitting layer 15R selectively emits light.

Ｒ副画素１０Ｒにおける具体的な調整方法としては、例えば、Ｒ発光層１５ＲのホストのＨＯＭＯエネルギー準位に対してＢ発光層１５ＢのホストのＨＯＭＯエネルギー準位が低くなるように調整する。この調整を実現するために、各発光層の構成材料の組合せを適宜選択する必要がある。   As a specific adjustment method in the R subpixel 10R, for example, adjustment is made so that the HOMO energy level of the host of the B light emitting layer 15B is lower than the HOMO energy level of the host of the R light emitting layer 15R. In order to realize this adjustment, it is necessary to appropriately select a combination of constituent materials of each light emitting layer.

また、別の調整方法として、Ｒ発光層１５ＲのホストのＬＵＭＯエネルギー準位に対して、Ｂ発光層１５ＢのＬＵＭＯエネルギー準位が高くなるように調整する。この調整を実現するために、各発光層の構成材料の組合せを適宜選択する必要がある。   As another adjustment method, the LUMO energy level of the B light emitting layer 15B is adjusted to be higher than the LUMO energy level of the host of the R light emitting layer 15R. In order to realize this adjustment, it is necessary to appropriately select a combination of constituent materials of each light emitting layer.

上述した方法によりＲ発光層１５ＲとＢ発光層１５Ｂとの間のエネルギー準位を調整することにより、下部電極１２から供給されるホールはＢ発光層１５Ｂには移動せずにＲ発光層１５Ｒに滞留する。また上部電極１８から供給される電子はＢ発光層１５Ｂを通過し容易にＲ発光層１５Ｒへ移動する。従って、ホール及び電子はＲ発光層１５Ｒで再結合し、Ｒ発光層１５Ｒの発光色である赤色発光が得られる。   By adjusting the energy level between the R light emitting layer 15R and the B light emitting layer 15B by the above-described method, the holes supplied from the lower electrode 12 do not move to the B light emitting layer 15B but enter the R light emitting layer 15R. Stay. The electrons supplied from the upper electrode 18 pass through the B light emitting layer 15B and easily move to the R light emitting layer 15R. Therefore, holes and electrons recombine in the R light emitting layer 15R, and red light emission that is the light emission color of the R light emitting layer 15R is obtained.

Ｒ発光層１５ＲとＢ発光層１５Ｂとの間のエネルギー準位を調整する別の方法として、Ｒ発光層１５ＲとＢ発光層１５Ｂとの間に介在層を設ける方法がある。具体的には、Ｒ発光層１５ＲとＢ発光層１５Ｂとの間にホールブロック層又は電子輸送層を設ける。こうすることで、Ｒ発光層１５ＲからＢ発光層１５Ｂへのホールの移動が抑制されるので、より確実にＲ発光層１５Ｒの発光のみを出力させることができる。尚、介在層であるホールブロック層、電子輸送層の構成材料として、公知の材料を使用することができる。   As another method for adjusting the energy level between the R light emitting layer 15R and the B light emitting layer 15B, there is a method of providing an intervening layer between the R light emitting layer 15R and the B light emitting layer 15B. Specifically, a hole block layer or an electron transport layer is provided between the R light emitting layer 15R and the B light emitting layer 15B. By so doing, the movement of holes from the R light emitting layer 15R to the B light emitting layer 15B is suppressed, so that only the light emission of the R light emitting layer 15R can be output more reliably. In addition, a well-known material can be used as a constituent material of the hole block layer which is an intervening layer, and an electron carrying layer.

Ｇ副画素１０Ｇにおける具体的な調整方法は、基本的には、Ｒ副画素１０Ｒと同様である。即ち、Ｇ発光層１５ＧのホストのＨＯＭＯエネルギー準位に対してＢ発光層１５ＢのホストのＨＯＭＯエネルギー準位が低くなるように調整する。あるいはＧ発光層１５ＧのホストのＬＵＭＯエネルギー準位に対して、Ｂ発光層１５ＢのＬＵＭＯエネルギー準位が高くなるように調整する。この調整を実現するために、各発光層の構成材料の組合せを適宜選択する必要がある。   A specific adjustment method for the G subpixel 10G is basically the same as that for the R subpixel 10R. That is, the HOMO energy level of the host of the B light emitting layer 15B is adjusted to be lower than the HOMO energy level of the host of the G light emitting layer 15G. Alternatively, the LUMO energy level of the B light emitting layer 15B is adjusted to be higher than the LUMO energy level of the host of the G light emitting layer 15G. In order to realize this adjustment, it is necessary to appropriately select a combination of constituent materials of each light emitting layer.

上述した方法によりＧ発光層１５ＧとＢ発光層１５Ｂとの間のエネルギー準位を調整することにより、Ｇ副画素１０Ｇにおいて、Ｒ副画素１０Ｒと同じ原理により、ホール及び電子がＧ発光層１５Ｇで再結合し、Ｇ発光層１５Ｇの発光色である緑色発光が得られる。   By adjusting the energy level between the G light emitting layer 15G and the B light emitting layer 15B by the above-described method, holes and electrons are generated in the G light emitting layer 15G in the G subpixel 10G according to the same principle as the R subpixel 10R. Recombination results in green emission that is the emission color of the G light emitting layer 15G.

以下、図面を参照しながら、本発明の実施例を説明する。   Embodiments of the present invention will be described below with reference to the drawings.

［実施例１］
図１に示される有機ＥＬ表示装置を、以下に示す方法により作製した。 [Example 1]
The organic EL display device shown in FIG. 1 was produced by the following method.

スパッタ法により、基板（駆動回路が内蔵されているガラス基板）１１上に、Ａｌを成膜し、Ａｌ膜を形成した。このときＡｌ膜の膜厚は、２００ｎｍとした。次に、スパッタ法により、Ａｌ膜上に、ＩＺＯを成膜しＩＺＯ膜を形成した。このときＩＺＯ膜の膜厚は５０ｎｍであった。次に、フォトリソグラフィー法を用いてＡｌ膜及びＩＺＯ膜からなる積層薄膜のパターニングを行った。以上の方法によりパターン形成されＡｌ膜及びＩＺＯ膜は、下部電極１２として機能し、コンタクトホール（不図示）により当該駆動回路に接続される。   An Al film was formed on the substrate (glass substrate with a built-in driving circuit) 11 by sputtering to form an Al film. At this time, the thickness of the Al film was 200 nm. Next, IZO was formed on the Al film by sputtering to form an IZO film. At this time, the film thickness of the IZO film was 50 nm. Next, patterning of the laminated thin film made of the Al film and the IZO film was performed using a photolithography method. The Al film and the IZO film patterned by the above method function as the lower electrode 12 and are connected to the drive circuit through a contact hole (not shown).

次に、スピンコート法により、下部電極１２上にＰＩを成膜しＰＩ膜を形成した。このときＰＩ膜の膜厚は、１．５μｍであった。次に、フォトリソグラフィー法を用いてパターニングを行った。以上の方法によりパターン形成されＰＩ膜は、画素間分離膜１３として機能する。   Next, PI was formed on the lower electrode 12 by spin coating to form a PI film. At this time, the film thickness of the PI film was 1.5 μm. Next, patterning was performed using a photolithography method. The PI film patterned by the above method functions as the inter-pixel separation film 13.

次に、真空蒸着法により、下部電極１２及び画素間分離膜１３上に、α−ＮＰＤを成膜しホール輸送層１４を形成した。このときホール輸送層１４の膜厚を５０ｎｍとし、成膜の際には、表示領域全体に開口を有するメタルマスクを用いた。   Next, α-NPD was formed on the lower electrode 12 and the inter-pixel separation film 13 by a vacuum deposition method to form the hole transport layer 14. At this time, the thickness of the hole transport layer 14 was set to 50 nm, and a metal mask having an opening in the entire display region was used for the film formation.

次に、真空蒸着法により、ホール輸送層１４上に、ホストであるＢａｌｑと、ゲスト（ドーパント）であるＰｅｒｙｌｅｎｅとを、重量混合比で１９：１となるように共蒸着してＢ発光層１５Ｂを形成した。このときＢ発光層１５Ｂの膜厚を３０ｎｍとした。また成膜の際には、Ｂ副画素１０Ｂが設けられる位置に開口部を有し、当該開口部の大きさがＢ副画素（１０Ｂ）２個分の大きさとなるメタルマスクを使用した。尚、この工程で形成されるＢ発光層１５Ｂは、互いに隣接して配置されるＢ副画素１０Ｂを跨ぎ共通する発光層となる。   Next, Balq as a host and Perylene as a guest (dopant) are co-deposited on the hole transport layer 14 by a vacuum deposition method so as to have a weight mixing ratio of 19: 1. Formed. At this time, the thickness of the B light emitting layer 15B was set to 30 nm. In the film formation, a metal mask having an opening at a position where the B subpixel 10B is provided and having a size corresponding to two B subpixels (10B) was used. The B light emitting layer 15B formed in this step is a common light emitting layer straddling the B subpixel 10B arranged adjacent to each other.

次に、真空蒸着法により、ホール輸送層１４上に、ホストであるｒｕｂｒｅｎｅと、ゲスト（ドーパント）であるＤＣＭとを、重量混合比で１９：１となるように共蒸着してＲ発光層１５Ｒを形成した。このときＲ発光層１５Ｒの膜厚を３０ｎｍとした。また成膜の際には、Ｒ副画素１０Ｒが設けられる位置に開口部を有し、当該開口部の大きさがＲ副画素（１０Ｒ）２個分の大きさとなるメタルマスクを使用した。尚、この工程で形成されるＲ発光層１５Ｒは、互いに隣接して配置されるＲ副画素１０Ｒを跨ぎ共通する発光層となる。   Next, rubrene as a host and DCM as a guest (dopant) are co-deposited on the hole transport layer 14 by a vacuum deposition method so as to have a weight mixing ratio of 19: 1. Formed. At this time, the thickness of the R light emitting layer 15R was set to 30 nm. In the film formation, a metal mask having an opening at a position where the R subpixel 10R is provided and having a size corresponding to two R subpixels (10R) is used. The R light emitting layer 15R formed in this process is a common light emitting layer straddling the R subpixels 10R arranged adjacent to each other.

次に、真空蒸着法により、ホール輸送層１４及びＲ発光層１５Ｒ上に、ホストであるＢａｌｑと、ゲスト（ドーパント）であるＣｏｕｍａｒｉｎ６とを、重量混合比で９：１となるように共蒸着してＧ発光層１５Ｇを形成した。このときＧ発光層１５Ｇの膜厚を３０ｎｍとした。また、成膜の際には、以下の（ｉ）及び（ｉｉ）の特徴を有するメタルマスクを使用した。
（ｉ）開口部の位置：Ｇ副画素１０Ｇ及びＲ副画素１０Ｒ、並びに隣接する画素に設けられるＲ副画素１０Ｒ’及びＧ副画素１０Ｇ’が設けられる位置
（ｉｉ）開口部１個あたりの面積：Ｇ副画素（１０Ｇ）２個分とＲ副画素（１０Ｒ）２個分とを足した面積 Next, the host, Balq, and the guest (dopant), Coumarin 6, are co-deposited on the hole transport layer 14 and the R light emitting layer 15R by a vacuum deposition method so that the weight mixing ratio is 9: 1. Thus, the G light emitting layer 15G was formed. At this time, the thickness of the G light emitting layer 15G was set to 30 nm. In the film formation, a metal mask having the following features (i) and (ii) was used.
(I) Position of opening: Position where G subpixel 10G and R subpixel 10R and R subpixel 10R ′ and G subpixel 10G ′ provided in adjacent pixels are provided (ii) Area per opening : Area obtained by adding two G subpixels (10G) and two R subpixels (10R)

次に、真空蒸着法により、Ｂ発光層１５Ｂ及びＧ発光層１５Ｇ上に、ＢＣＰを成膜し電子輸送層１６を形成した。このとき電子輸送層１６の膜厚を５０ｎｍとし、成膜の際には、表示領域全体に開口を有するメタルマスクを用いた。   Next, BCP was formed on the B light-emitting layer 15B and the G light-emitting layer 15G by a vacuum deposition method to form the electron transport layer 16. At this time, the thickness of the electron transport layer 16 was set to 50 nm, and a metal mask having an opening in the entire display region was used for the film formation.

次に、真空蒸着法により、電子輸送層１６上に、ＬｉＦを成膜し電子注入層１７を形成した。このとき電子注入層１７の膜厚を１０ｎｍとし、成膜の際には、表示領域全体に開口を有するメタルマスクを用いた。   Next, LiF was formed on the electron transport layer 16 by the vacuum evaporation method to form the electron injection layer 17. At this time, the thickness of the electron injection layer 17 was set to 10 nm, and a metal mask having an opening in the entire display region was used for the film formation.

次に、スパッタ法により、電子注入層１７上に、ＩＺＯを成膜し上部電極１８を形成した。このとき上部電極１８の膜厚を３０ｎｍとし、成膜の際には、表示領域よりも広い開口を有するメタルマスクを用いた。以上に示す方法により有機ＥＬ表示装置を得た。   Next, an IZO film was formed on the electron injection layer 17 by sputtering to form the upper electrode 18. At this time, the film thickness of the upper electrode 18 was set to 30 nm, and a metal mask having an opening wider than the display area was used for film formation. An organic EL display device was obtained by the method described above.

図７は、本実施例の有機ＥＬ表示装置におけるＲ副画素１０Ｒのエネルギーダイアグラムを示す図である。本実施例においては、下部電極１２側からホールが、上部電極１８側から電子が、それぞれ注入される。ここで下部電極１２から注入されたホールは、Ｒ発光層１５ＲのＨＯＭＯ準位と、Ｇ発光層１５ＧのＨＯＭＯ準位との間のエネルギー障壁によって、Ｇ発光層１５Ｇ側へ移動せず、Ｒ発光層１５Ｒ内に局在する。また、上部電極１８から注入された電子は、Ｒ発光層１５ＲのＬＵＭＯ準位がＧ発光層１５ＧのＬＵＭＯ準位よりも低いために、容易にＲ発光層１５Ｒ内に移動する。従って、ホール及び電子は、Ｒ発光層１５Ｒ内で再結合するため、Ｒ副画素１０ＲではＧ発光層１５Ｇが発光することなく、Ｒ発光層１５Ｒが選択的に発光する。従って、赤色発光が得られる。   FIG. 7 is a diagram illustrating an energy diagram of the R subpixel 10R in the organic EL display device according to the present embodiment. In this embodiment, holes are injected from the lower electrode 12 side, and electrons are injected from the upper electrode 18 side. Here, the holes injected from the lower electrode 12 do not move to the G light emitting layer 15G side due to the energy barrier between the HOMO level of the R light emitting layer 15R and the HOMO level of the G light emitting layer 15G, and R light emission. It is localized in the layer 15R. Further, the electrons injected from the upper electrode 18 easily move into the R light emitting layer 15R because the LUMO level of the R light emitting layer 15R is lower than the LUMO level of the G light emitting layer 15G. Therefore, since holes and electrons recombine in the R light emitting layer 15R, the R light emitting layer 15R selectively emits light without causing the G light emitting layer 15G to emit light in the R subpixel 10R. Therefore, red light emission is obtained.

以上に示した方法により有機ＥＬ表示装置を製造すれば、メタルマスクを用いた真空蒸着法により有機ＥＬ層を形成する際に、全ての有機ＥＬ層において、副画素の精細度よりも低い精細度のメタルマスクを用いることができる。従って、メタルマスク固有の精細度を超えた精細度を有する有機ＥＬ表示装置を得ることができる。   If an organic EL display device is manufactured by the above-described method, when the organic EL layer is formed by a vacuum deposition method using a metal mask, the definition is lower than the definition of the subpixel in all the organic EL layers. The metal mask can be used. Therefore, it is possible to obtain an organic EL display device having a definition exceeding the definition specific to the metal mask.

［実施例２］
図４に示される有機ＥＬ表示装置を、以下に示す方法により作製した。 [Example 2]
The organic EL display device shown in FIG. 4 was produced by the following method.

実施例１と同様にして、基板１１上に、ホール輸送層１４までを形成した。   In the same manner as in Example 1, up to the hole transport layer 14 was formed on the substrate 11.

次に、実施例１と同様にしてＢ発光層１５Ｂを形成した。この工程で形成されるＢ発光層１５Ｂは、実施例１と同様に互いに隣接して配置されるＢ副画素１０Ｂを跨ぎ共通する発光層となる。   Next, a B light emitting layer 15B was formed in the same manner as in Example 1. The B light emitting layer 15B formed in this step is a common light emitting layer straddling the B subpixel 10B arranged adjacent to each other as in the first embodiment.

次に、真空蒸着法により、ホール輸送層１４上に、ホストであるＡｌｑ3と、ゲスト（ドーパント）であるＣｏｕｍａｒｉｎ６とを、重量混合比で９：１となるように共蒸着してＧ発光層１５Ｇを形成した。このときＧ発光層１５Ｇの膜厚を３０ｎｍとした。また、成膜の際には、以下の（ｉ）及び（ｉｉ）の特徴を有するメタルマスクを使用した。
（ｉ）開口部の位置：Ｇ副画素１０Ｇ及びＲ副画素１０Ｒ、並びに隣接する画素に設けられるＲ副画素１０Ｒ’及びＧ副画素１０Ｇ’が設けられる位置
（ｉｉ）開口部１個あたりの面積：Ｇ副画素（１０Ｇ）２個分とＲ副画素（１０Ｒ）２個分とを足した面積 Next, Alq 3 as a host and Coumarin 6 as a guest (dopant) are co-deposited on the hole transport layer 14 by a vacuum deposition method so that the weight mixing ratio is 9: 1, thereby obtaining a G light emitting layer. 15G was formed. At this time, the thickness of the G light emitting layer 15G was set to 30 nm. In the film formation, a metal mask having the following features (i) and (ii) was used.
(I) Position of opening: Position where G subpixel 10G and R subpixel 10R and R subpixel 10R ′ and G subpixel 10G ′ provided in adjacent pixels are provided (ii) Area per opening : Area obtained by adding two G subpixels (10G) and two R subpixels (10R)

次に、真空蒸着法により、Ｇ発光層１５Ｇ上に、α−ＮＰＤを成膜し電子ブロック層（不図示）を形成した。このとき電子ブロック層の膜厚を１０ｎｍとした。また成膜の際には、Ｒ副画素１０Ｒが設けられる位置に開口部を有し、当該開口部の大きさがＲ副画素（１０Ｒ）２個分の大きさとなるメタルマスクを使用した。   Next, α-NPD was formed on the G light emitting layer 15G by a vacuum deposition method to form an electron block layer (not shown). At this time, the thickness of the electron blocking layer was 10 nm. In the film formation, a metal mask having an opening at a position where the R subpixel 10R is provided and having a size corresponding to two R subpixels (10R) is used.

次に、真空蒸着法により、電子ブロック層上に、ホストであるｒｕｂｒｅｎｅと、ゲスト（ドーパント）であるＤＣＭとを、重量混合比で１９：１となるように共蒸着してＲ発光層１５Ｒを形成した。このときＲ発光層１５Ｒの膜厚を３０ｎｍとした。また成膜の際には、Ｒ副画素１０Ｒが設けられる位置に開口部を有し、当該開口部の大きさがＲ副画素（１０Ｒ）２個分の大きさとなるメタルマスクを使用した。尚、この工程で形成されるＲ発光層１５Ｒは、互いに隣接して配置されるＲ副画素１０Ｒを跨ぎ共通する発光層となる。   Next, rubrene as a host and DCM as a guest (dopant) are co-evaporated on the electron block layer by a vacuum evaporation method so that the weight mixing ratio is 19: 1, thereby forming the R light emitting layer 15R. Formed. At this time, the thickness of the R light emitting layer 15R was set to 30 nm. In the film formation, a metal mask having an opening at a position where the R subpixel 10R is provided and having a size corresponding to two R subpixels (10R) is used. The R light emitting layer 15R formed in this process is a common light emitting layer straddling the R subpixels 10R arranged adjacent to each other.

その後、実施例１と同様にして、電子輸送層１６、電子注入層１７、上部電極１８を順次形成し、有機ＥＬ表示装置を得た。   Thereafter, in the same manner as in Example 1, an electron transport layer 16, an electron injection layer 17, and an upper electrode 18 were sequentially formed to obtain an organic EL display device.

図８は、本実施例の有機ＥＬ表示装置における、Ｒ副画素のエネルギーダイアグラムを示す図である。本実施例では、下部電極１２側からホールが、上部電極１８側から電子がそれぞれ注入される。ここでホール輸送層１４、Ｇ発光層１５Ｇ及び電子ブロック層のＨＯＭＯ準位がそれぞれ近しい値であるため、下部電極１２から注入されたホールは、ホール輸送層１４、Ｇ発光層１５Ｇ及び電子ブロック層を順次移動して、Ｒ発光層１５Ｒに移動する。一方、上部電極１８から注入された電子は、電子ブロック層のＬＵＭＯ準位と、Ｒ発光層１５ＲのＬＵＭＯ準位との間のエネルギー障壁によって、電子ブロック層に移動せずにＲ発光層１５Ｒ内に局在する。従って、ホール及び電子は、Ｒ発光層１５Ｒ内で再結合するため、Ｒ副画素１０ＲではＧ発光層１５Ｇが発光することなく、Ｒ発光層１５Ｒが選択的に発光する。従って、赤色発光が得られる。   FIG. 8 is a diagram illustrating an energy diagram of the R subpixel in the organic EL display device according to the present embodiment. In this embodiment, holes are injected from the lower electrode 12 side and electrons are injected from the upper electrode 18 side. Here, since the HOMO levels of the hole transport layer 14, the G light-emitting layer 15G, and the electron block layer are close to each other, the holes injected from the lower electrode 12 are the hole transport layer 14, the G light-emitting layer 15G, and the electron block layer. Are sequentially moved to the R light emitting layer 15R. On the other hand, the electrons injected from the upper electrode 18 do not move to the electron block layer but enter the R light emitting layer 15R due to the energy barrier between the LUMO level of the electron blocking layer and the LUMO level of the R light emitting layer 15R. Localized in Therefore, since holes and electrons recombine in the R light emitting layer 15R, the R light emitting layer 15R selectively emits light without causing the G light emitting layer 15G to emit light in the R subpixel 10R. Therefore, red light emission is obtained.

以上に記した有機ＥＬ表示装置の製造においては、メタルマスクを用いた真空蒸着法で有機層を形成する際に、全ての有機層に対して、副画素の精細度よりも低い精細度のメタルマスクを用いることができる。従って、製造可能なメタルマスクの精細度以上の精細度を有する有機ＥＬ表示装置を得ることができる。   In the manufacture of the organic EL display device described above, when the organic layer is formed by a vacuum deposition method using a metal mask, the metal with a definition lower than the definition of the sub-pixel for all the organic layers. A mask can be used. Therefore, it is possible to obtain an organic EL display device having a definition higher than that of a manufacturable metal mask.

［実施例３］
図６に示される有機ＥＬ表示装置を、以下に示す方法により作製した。 [Example 3]
The organic EL display device shown in FIG. 6 was produced by the following method.

実施例１と同様にして、基板１１上に、ホール輸送層１４までを形成した。   In the same manner as in Example 1, up to the hole transport layer 14 was formed on the substrate 11.

次に、真空蒸着法により、ホール輸送層１４上に、ホストであるｒｕｂｒｅｎｅと、ゲスト（ドーパント）であるＤＣＭとを、重量混合比で１９：１となるように共蒸着してＲ発光層１５Ｒを形成した。このときＲ発光層１５Ｒの膜厚を３０ｎｍとした。また成膜の際には、Ｒ副画素１０Ｒが設けられる位置に開口部を有し、当該開口部の大きさがＲ副画素（１０Ｒ）２個分の大きさとなるメタルマスクを使用した。尚、この工程で形成されるＲ発光層１５Ｒは、互いに隣接して配置されるＲ副画素１０Ｒを跨ぎ共通する発光層となる。   Next, rubrene as a host and DCM as a guest (dopant) are co-deposited on the hole transport layer 14 by a vacuum deposition method so as to have a weight mixing ratio of 19: 1. Formed. At this time, the thickness of the R light emitting layer 15R was set to 30 nm. In the film formation, a metal mask having an opening at a position where the R subpixel 10R is provided and having a size corresponding to two R subpixels (10R) is used. The R light emitting layer 15R formed in this process is a common light emitting layer straddling the R subpixels 10R arranged adjacent to each other.

次に、真空蒸着法により、ホール輸送層１４上に、ホストであるＡｌｑ3と、ゲスト（ドーパント）であるＣｏｕｍａｒｉｎ６とを、重量混合比で９：１となるように共蒸着してＧ発光層１５Ｇを形成した。このときＧ発光層１５Ｇの膜厚を３０ｎｍとした。また成膜の際には、Ｇ副画素１０Ｇが設けられる位置に開口部を有し、当該開口部の大きさがＲ副画素（１０Ｇ）２個分の大きさとなるメタルマスクを使用した。尚、この工程で形成されるＧ発光層１５Ｇは、互いに隣接して配置されるＧ副画素１０Ｇを跨ぎ共通する発光層となる。 Next, Alq 3 as a host and Coumarin 6 as a guest (dopant) are co-deposited on the hole transport layer 14 by a vacuum deposition method so that the weight mixing ratio is 9: 1, thereby obtaining a G light emitting layer. 15G was formed. At this time, the thickness of the G light emitting layer 15G was set to 30 nm. In the film formation, a metal mask having an opening at a position where the G subpixel 10G is provided and having a size corresponding to two R subpixels (10G) is used. Note that the G light emitting layer 15G formed in this step is a common light emitting layer across the G subpixels 10G arranged adjacent to each other.

次に、真空蒸着法により、ホール輸送層１４、Ｒ発光層１５Ｒ及びＧ発光層１５Ｇ上に、ホストであるＢａｌｑと、ゲスト（ドーパント）であるＰｅｒｙｌｅｎｅとを、重量混合比で１９：１となるように共蒸着してＢ発光層１５Ｂを形成した。このときＢ発光層１５Ｂの膜厚を３０ｎｍとし、成膜の際には、表示領域全体に開口を有するメタルマスクを用いた。尚、この工程で形成されるＢ発光層１５Ｂは、各副画素（Ｂ副画素１０Ｂ、Ｇ副画素１０Ｇ、Ｒ副画素１０Ｒ）に共通して設けられる発光層となる。   Next, by a vacuum deposition method, Balq as a host and Perylene as a guest (dopant) are 19: 1 in a weight mixing ratio on the hole transport layer 14, the R light emitting layer 15R, and the G light emitting layer 15G. Thus, B light emitting layer 15B was formed by co-evaporation. At this time, the film thickness of the B light emitting layer 15B was set to 30 nm, and a metal mask having an opening in the entire display region was used for the film formation. The B light-emitting layer 15B formed in this step is a light-emitting layer provided in common to each sub-pixel (B sub-pixel 10B, G sub-pixel 10G, R sub-pixel 10R).

その後、実施例１と同様にして、電子輸送層１６、電子注入層１７、上部電極１８を順次形成し、有機ＥＬ表示装置を得た。   Thereafter, in the same manner as in Example 1, an electron transport layer 16, an electron injection layer 17, and an upper electrode 18 were sequentially formed to obtain an organic EL display device.

図９は、本実施例の有機ＥＬ表示装置における、エネルギーダイアグラムを示す図であり、（ａ）は、Ｒ副画素のエネルギーダイアグラムを示す図であり、（ｂ）は、Ｇ副画素のエネルギーダイアグラムを示す図である。   FIG. 9 is a diagram showing an energy diagram in the organic EL display device of this embodiment, (a) is a diagram showing an energy diagram of an R subpixel, and (b) is an energy diagram of a G subpixel. FIG.

本実施例においては、下部電極１１側からホールが、上部電極１７側から電子が、それぞれ注入される。   In this embodiment, holes are injected from the lower electrode 11 side and electrons are injected from the upper electrode 17 side.

ここでＲ副画素１０Ｒにおいては、Ｒ発光層１５ＲのＨＯＭＯ準位と、Ｂ発光層１５ＢのＨＯＭＯ準位との間にあるエネルギー障壁によって、下部電極１２から注入されたホールは、Ｂ発光層１５Ｂ側へ移動せずＲ発光層１５Ｒ内に局在する。一方、Ｒ発光層１５ＲのＬＵＭＯ準位がＢ発光層１５ＢのＬＵＭＯ準位よりも低いので、上部電極１８から注入された電子は、容易にＲ発光層１５Ｒ内に移動する。このため、ホール及び電子は、Ｒ発光層１５Ｒ内で再結合するので、Ｒ副画素１０ＲではＢ発光層１５Ｂが発光することなく、Ｒ発光層１５Ｒが選択的に発光する。従って、赤色発光が得られる。   Here, in the R sub-pixel 10R, holes injected from the lower electrode 12 due to the energy barrier between the HOMO level of the R light emitting layer 15R and the HOMO level of the B light emitting layer 15B are converted into the B light emitting layer 15B. It does not move to the side and is localized in the R light emitting layer 15R. On the other hand, since the LUMO level of the R light emitting layer 15R is lower than the LUMO level of the B light emitting layer 15B, electrons injected from the upper electrode 18 easily move into the R light emitting layer 15R. For this reason, since holes and electrons recombine in the R light emitting layer 15R, the R light emitting layer 15R selectively emits light without causing the B light emitting layer 15B to emit light in the R subpixel 10R. Therefore, red light emission is obtained.

またＧ副画素１０Ｇにおいては、Ｇ発光層１５ＧのＨＯＭＯ準位と、Ｂ発光層１５ＢのＨＯＭＯ準位との間にあるエネルギー障壁によって、下部電極１２から注入されたホールは、Ｂ発光層１５Ｂ側へ移動せずＧ発光層１５Ｇ内に局在する。一方、Ｇ発光層１５ＧのＬＵＭＯ準位がＢ発光層１５ＢのＬＵＭＯ準位よりも低いので、上部電極１８から注入された電子は、容易にＧ発光層１５Ｇ内に移動する。このため、ホール及び電子は、Ｇ発光層１５Ｇ内で再結合するので、Ｇ副画素１０ＧではＢ発光層１５Ｂが発光することなく、Ｇ発光層１５Ｇが選択的に発光する。従って、緑色発光が得られる。   Further, in the G subpixel 10G, holes injected from the lower electrode 12 due to the energy barrier between the HOMO level of the G light emitting layer 15G and the HOMO level of the B light emitting layer 15B are And not localized in the G light emitting layer 15G. On the other hand, since the LUMO level of the G light emitting layer 15G is lower than the LUMO level of the B light emitting layer 15B, electrons injected from the upper electrode 18 easily move into the G light emitting layer 15G. For this reason, since holes and electrons recombine in the G light emitting layer 15G, the G light emitting layer 15G selectively emits light without causing the B light emitting layer 15B to emit light in the G subpixel 10G. Therefore, green light emission is obtained.

以上に記した有機ＥＬ表示装置の製造においては、メタルマスクを用いた真空蒸着法で有機層を形成する際に、全ての有機層に対して、副画素の精細度よりも低い精細度のメタルマスクを用いることができる。従って、製造可能なメタルマスクの精細度以上の精細度を有する有機ＥＬ表示装置を得ることができる。   In the manufacture of the organic EL display device described above, when the organic layer is formed by a vacuum deposition method using a metal mask, the metal with a definition lower than the definition of the sub-pixel for all the organic layers. A mask can be used. Therefore, it is possible to obtain an organic EL display device having a definition higher than that of a manufacturable metal mask.

１，２，３ 有機ＥＬ表示装置
１０ 画素
１０Ｒ Ｒ副画素
１０Ｇ Ｇ副画素
１０Ｂ Ｂ副画素
１１ 基板
１２ 下部電極
１３ 画素間分離膜
１４ ホール輸送層
１５ 発光層
１５Ｒ Ｒ発光層
１５Ｇ Ｇ発光層
１５Ｂ Ｂ発光層
１６ 電子輸送層
１７ 電子注入層
１８ 上部電極 1, 2, 3 Organic EL display device 10 pixel 10R R subpixel 10G G subpixel 10B B subpixel 11 substrate 12 lower electrode 13 inter-pixel separation film 14 hole transport layer 15 light emitting layer 15R R light emitting layer 15G G light emitting layer 15B B Light emitting layer 16 Electron transport layer 17 Electron injection layer 18 Upper electrode

Claims (8)

基板と、該基板上に設けられる表示領域と、から構成され、
該表示領域が、マトリックス状に配列されている複数の画素を有し、
該画素が、少なくとも三種類の副画素と、を有し、
各該副画素の発光色がそれぞれ異なり、
各該副画素が、それぞれ下部電極と、少なくとも発光層を含む有機ＥＬ層と、上部電極と、からなる有機ＥＬ表示装置において、
互いに隣接する画素に含まれる副画素の配列パターンが、画素間境界線を挟んで線対称に配列される配列パターンであり、
該画素の両端に設けられる副画素には、同種の副画素に共通する共通発光層が設けられており、
該画素の両端に設けられる副画素以外の副画素には、該画素の両端に設けられる副画素のいずれかに共通するコモン発光層が設けられていることを特徴とする、有機ＥＬ表示装置。 A substrate and a display area provided on the substrate;
The display area has a plurality of pixels arranged in a matrix,
The pixel has at least three types of sub-pixels;
The emission color of each sub-pixel is different,
In each organic EL display device, each subpixel includes a lower electrode, an organic EL layer including at least a light emitting layer, and an upper electrode.
The arrangement pattern of sub-pixels included in adjacent pixels is an arrangement pattern that is arranged symmetrically with respect to the boundary line between pixels,
The subpixels provided at both ends of the pixel are provided with a common light emitting layer common to the same type of subpixels,
An organic EL display device, wherein a sub-pixel other than the sub-pixel provided at both ends of the pixel is provided with a common light emitting layer common to any of the sub-pixels provided at both ends of the pixel. 基板と、該基板上に設けられる表示領域と、から構成され、
該表示領域が、マトリックス状に配列されている複数の画素を有し、
該画素が、第一副画素と、第二副画素と、第三副画素と、を有し、
該第一副画素、該第二副画素、及び該第三副画素の発光色がそれぞれ異なり、
該第一副画素、該第二副画素、及び該第三副画素が、それぞれ下部電極と、少なくとも発光層を含む有機ＥＬ層と、上部電極と、からなる有機ＥＬ表示装置において、
該画素に含まれる副画素の配列パターンが、第一副画素、第二副画素、第三副画素、第三副画素、第二副画素、第一副画素、の繰り返しであり、
該第二副画素には、第二副画素、並びに第一副画素及び第三副画素のいずれかに共通するコモン発光層が設けられており、
該第一副画素には、同種の副画素に共通する第一発光層が設けられており、
該第三副画素には、同種の副画素に共通する第二発光層が設けられていることを特徴とする、有機ＥＬ表示装置。 A substrate and a display area provided on the substrate;
The display area has a plurality of pixels arranged in a matrix,
The pixel has a first sub-pixel, a second sub-pixel, and a third sub-pixel;
The emission colors of the first subpixel, the second subpixel, and the third subpixel are different from each other,
In the organic EL display device in which the first subpixel, the second subpixel, and the third subpixel each include a lower electrode, an organic EL layer that includes at least a light emitting layer, and an upper electrode.
The arrangement pattern of subpixels included in the pixel is a repetition of the first subpixel, the second subpixel, the third subpixel, the third subpixel, the second subpixel, and the first subpixel,
The second subpixel is provided with a common light emitting layer common to either the second subpixel or the first subpixel and the third subpixel.
The first sub-pixel is provided with a first light-emitting layer common to the same type of sub-pixel,
The organic EL display device, wherein the third subpixel is provided with a second light emitting layer common to the same type of subpixel. 前記第一副画素、前記第二副画素及び前記第三副画素が、それぞれＲ副画素、Ｇ副画素又はＢ副画素であり、Ｇ副画素が前記画素の中心に配置されていることを特徴とする、請求項２に記載の有機ＥＬ表示装置。   The first subpixel, the second subpixel, and the third subpixel are an R subpixel, a G subpixel, or a B subpixel, respectively, and the G subpixel is disposed at the center of the pixel. The organic EL display device according to claim 2. 前記下部電極又は前記上部電極が光反射性電極であり、前記コモン発光層、及び前記第一発光層又は前記第二発光層のうち波長の短い発光色を有する発光層が、該光反射電極側に形成されていることを特徴とする、請求項２又は３に記載の有機ＥＬ表示装置。   The lower electrode or the upper electrode is a light reflective electrode, and the light emitting layer having a short emission wavelength among the common light emitting layer and the first light emitting layer or the second light emitting layer is on the light reflecting electrode side. The organic EL display device according to claim 2, wherein the organic EL display device is formed. 前記コモン発光層が、マトリックス状に配列された前記画素の全面にわたって連続して形成されていることを特徴とする、請求項２〜４のいずれか一項に記載の有機ＥＬ表示装置。   The organic EL display device according to claim 2, wherein the common light emitting layer is continuously formed over the entire surface of the pixels arranged in a matrix. 前記コモン発光層と、前記第一発光層又は前記第二発光層との間に、さらに介在層が設けられていることを特徴とする、請求項２〜５のいずれか一項に記載の有機ＥＬ表示装置。   The organic layer according to any one of claims 2 to 5, wherein an intervening layer is further provided between the common light emitting layer and the first light emitting layer or the second light emitting layer. EL display device. 前記介在層が、ホール輸送層又は電子ブロック層であることを特徴とする、請求項６に記載の有機ＥＬ表示装置。   The organic EL display device according to claim 6, wherein the intervening layer is a hole transport layer or an electron block layer. 前記介在層が、電子輸送層又はホールブロック層であることを特徴とする、請求項６に記載の有機ＥＬ表示装置。   The organic EL display device according to claim 6, wherein the intervening layer is an electron transport layer or a hole block layer.
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