JP2011035320A - Bonding structure of substrate - Google Patents

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彰男 西原
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Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a bonding structure of a substrate which prevents impediment to curing of an adhesive owing to silicon grease. <P>SOLUTION: The bonding structure 1 of a substrate is a structure for bonding a ceramic substrate 2 mounted with a heating component 4 to a heat sink 3 by a room-temperature curing adhesive 6. Between the ceramic substrate 2 and the bottom face of a substrate storing recess 5 formed in an upper part of the heat sink 3, an adhesive region 7 with the room-temperature curing adhesive 6 having a low thermal conductivity put between and a grease region 9 with silicon grease 8 having a high thermal conductivity put between are formed. The grease region 9 is formed at a position immediately below the heating component 4, while the adhesive region 7 is formed outside the grease region 9 so as to surround the grease region 9. In the bottom face of the substrate storing recess 5 between the grease region 9 and the adhesive region 7, grease pool trenches 11 for accumulating the silicon grease 8 are formed. <P>COPYRIGHT: (C)2011,JPO&INPIT

Description

本発明は、発熱部品が実装された基板をヒートシンクに接着する基板の接着構造に関するものである。   The present invention relates to a substrate bonding structure for bonding a substrate on which a heat generating component is mounted to a heat sink.

従来における基板の接着構造としては、例えば特許文献１に記載されているように、電子部品が実装されたプリント配線基板とヒートシンクとを常温硬化型接着剤により接着したものが知られている。   As a conventional substrate bonding structure, for example, as described in Patent Document 1, a printed wiring board on which electronic components are mounted and a heat sink are bonded with a room temperature curable adhesive.

特開平８−１１１５６８号公報JP-A-8-111568

常温硬化型接着剤は、高温硬化型接着剤に比べて熱伝導率が低いため、電子部品の発熱により熱くなった基板を冷却するうえでは不利となる。基板の冷却性能を向上させるためには、熱伝導率の高いシリコングリースを基板とヒートシンクとの間に介在させることが考えられる。しかし、シリコングリースは、常温硬化型接着剤の硬化を阻害する要因となる。また、常温硬化型接着剤の代わりに紫外線硬化型接着剤を用いることも考えられるが、この場合にも、シリコングリースが紫外線硬化型接着剤の硬化を阻害するという問題がある。   Since the room temperature curable adhesive has a lower thermal conductivity than the high temperature curable adhesive, it is disadvantageous in cooling the substrate heated by the heat generated by the electronic component. In order to improve the cooling performance of the substrate, it is conceivable that silicon grease having a high thermal conductivity is interposed between the substrate and the heat sink. However, silicon grease becomes a factor that inhibits the curing of the room temperature curable adhesive. In addition, it is conceivable to use an ultraviolet curable adhesive instead of the room temperature curable adhesive. However, in this case as well, there is a problem that the silicone grease inhibits the curing of the ultraviolet curable adhesive.

本発明の目的は、シリコングリースによる接着剤の硬化阻害を防止することができる基板の接着構造を提供することである。   An object of the present invention is to provide a bonding structure of a substrate that can prevent the curing of an adhesive from being inhibited by silicon grease.

本発明は、発熱部品が実装された基板をヒートシンクに接着する基板の接着構造において、基板とヒートシンクとの間には、常温硬化型接着剤または紫外線硬化型接着剤が介在する接着剤領域と、シリコングリースが介在するグリース領域とが形成されており、ヒートシンクには、常温硬化型接着剤または紫外線硬化型接着剤とシリコングリースとの接触を防ぐための接触防止部が設けられていることを特徴とするものである。   The present invention relates to a substrate bonding structure in which a substrate on which a heat generating component is mounted is bonded to a heat sink, and an adhesive region in which a room temperature curable adhesive or an ultraviolet curable adhesive is interposed between the substrate and the heat sink, It has a grease area where silicon grease intervenes, and the heat sink is provided with a contact prevention part to prevent contact between room temperature curing adhesive or ultraviolet curing adhesive and silicon grease It is what.

このように接触防止部をヒートシンクに設けることにより、基板とヒートシンクとの間に常温硬化型接着剤または紫外線硬化型接着剤及びシリコングリースが介在されたときに、シリコングリースと常温硬化型接着剤または紫外線硬化型接着剤との接触が防止されるようになる。これにより、シリコングリースによって常温硬化型接着剤または紫外線硬化型接着剤の硬化が妨げられることを防止できる。   By providing the contact prevention part on the heat sink in this manner, when the room temperature curing adhesive or the ultraviolet curing adhesive and silicon grease are interposed between the substrate and the heat sink, the silicon grease and the room temperature curing adhesive or Contact with the UV curable adhesive is prevented. Accordingly, it is possible to prevent the normal curing of the room temperature curing adhesive or the ultraviolet curing adhesive from being hindered by the silicon grease.

好ましくは、接触防止部は、ヒートシンクにおける接着剤領域とグリース領域との間に形成された溝である。この場合には、基板とヒートシンクとの間に常温硬化型接着剤または紫外線硬化型接着剤及びシリコングリースが介在されたときに、接着剤及びシリコングリースの一方が他方に向けて流れようとしても、接着剤及びシリコングリースの一方が溝内に入り込んで溜まるようになる。従って、シリコングリースと常温硬化型接着剤または紫外線硬化型接着剤との接触が簡単且つ確実に防止される。   Preferably, the contact preventing portion is a groove formed between the adhesive region and the grease region in the heat sink. In this case, when a room temperature curable adhesive or an ultraviolet curable adhesive and silicon grease are interposed between the substrate and the heat sink, even if one of the adhesive and silicon grease is about to flow toward the other, One of the adhesive and silicon grease enters and accumulates in the groove. Therefore, the contact between the silicon grease and the room temperature curable adhesive or the ultraviolet curable adhesive is easily and reliably prevented.

本発明によれば、シリコングリースによる常温硬化型接着剤や紫外線硬化型接着剤の硬化阻害を防止することができる。これにより、常温硬化型接着剤や紫外線硬化型接着剤により基板をヒートシンクに確実に接着することが可能となる。   According to the present invention, it is possible to prevent inhibition of curing of a normal temperature curable adhesive or an ultraviolet curable adhesive by silicon grease. Thereby, it becomes possible to adhere | attach a board | substrate to a heat sink reliably with a normal temperature curable adhesive or an ultraviolet curable adhesive.

本発明に係わる基板の接着構造の一実施形態を示す平面図である。It is a top view which shows one Embodiment of the adhesion structure of the board | substrate concerning this invention. 図１のII−II線断面図である。It is the II-II sectional view taken on the line of FIG. 比較例として従来一般における基板の接着構造の一例を示す断面図である。It is sectional drawing which shows an example of the conventional board | substrate adhesion structure as a comparative example. 図２に示した基板の接着構造の変形例を示す断面図である。It is sectional drawing which shows the modification of the adhesion structure of the board | substrate shown in FIG. 本発明に係わる基板の接着構造の他の実施形態を示す断面図である。It is sectional drawing which shows other embodiment of the adhesion structure of the board | substrate concerning this invention.

以下、本発明に係わる基板の接着構造の好適な実施形態について、図面を参照して詳細に説明する。なお、図面において同一または同等の要素には同じ符号を付し、重複する説明は省略する。   DESCRIPTION OF EXEMPLARY EMBODIMENTS Hereinafter, preferred embodiments of a substrate bonding structure according to the invention will be described in detail with reference to the drawings. In the drawings, the same or equivalent elements are denoted by the same reference numerals, and redundant description is omitted.

図１は、本発明に係わる基板の接着構造の一実施形態を示す平面図であり、図２は、図１のII−II線断面図である。同図において、本実施形態に係わる基板の接着構造１は、セラミック基板２をヒートシンク３に接着するための構造である。セラミック基板２の表面には、発熱量の大きい電子部品（発熱部品）４が実装されている。   FIG. 1 is a plan view showing an embodiment of a substrate bonding structure according to the present invention, and FIG. 2 is a sectional view taken along line II-II in FIG. In the figure, a substrate bonding structure 1 according to this embodiment is a structure for bonding a ceramic substrate 2 to a heat sink 3. On the surface of the ceramic substrate 2, an electronic component (heat generating component) 4 having a large heat generation amount is mounted.

ヒートシンク３は、熱伝導性の良いアルミニウムや鉄等の金属からなっている。ヒートシンク３の上部には、セラミック基板２を収容するための基板収容凹部５が形成されている。セラミック基板２は、基板収容凹部５に収容された状態で、常温硬化型接着剤６によりヒートシンク３に接着されている。   The heat sink 3 is made of a metal such as aluminum or iron having good thermal conductivity. A substrate housing recess 5 for housing the ceramic substrate 2 is formed on the heat sink 3. The ceramic substrate 2 is bonded to the heat sink 3 with a room temperature curable adhesive 6 while being accommodated in the substrate accommodating recess 5.

具体的には、セラミック基板２と基板収容凹部５の底面との間には、熱伝導性の低い常温硬化型接着剤６が介在された接着剤領域７と、熱伝導性の高いシリコングリース８が介在されたグリース領域９とが形成されている。グリース領域９は、セラミック基板２に実装された発熱部品４の直下位置に形成されている。接着剤領域７は、グリース領域９を取り囲むようにグリース領域９の外側に形成されている。   Specifically, between the ceramic substrate 2 and the bottom surface of the substrate housing recess 5, an adhesive region 7 in which a room temperature curable adhesive 6 having low thermal conductivity is interposed, and a silicon grease 8 having high thermal conductivity. And a grease region 9 in which is interposed. The grease region 9 is formed immediately below the heat generating component 4 mounted on the ceramic substrate 2. The adhesive region 7 is formed outside the grease region 9 so as to surround the grease region 9.

基板収容凹部５の底面におけるグリース領域９と接着剤領域７との間には、常温硬化型接着剤６及びシリコングリース８の高さ（厚さ）を均一に制御するための高さ決めポスト１０が略矩形状に立設されている。   Between the grease region 9 and the adhesive region 7 on the bottom surface of the substrate housing recess 5, a height determining post 10 for uniformly controlling the height (thickness) of the room temperature curable adhesive 6 and the silicon grease 8. Are erected in a substantially rectangular shape.

また、基板収容凹部５の底面におけるグリース領域９と高さ決めポスト１０との間には、シリコングリース８を溜めるためのグリース溜まり溝１１が高さ決めポスト１０に沿って略矩形状に形成されている。   Further, between the grease region 9 on the bottom surface of the substrate housing recess 5 and the height determining post 10, a grease storage groove 11 for storing the silicon grease 8 is formed in a substantially rectangular shape along the height determining post 10. ing.

セラミック基板２をヒートシンク３に接着するときは、基板収容凹部５のグリース領域９にシリコングリース８を塗布すると共に、基板収容凹部５の接着剤領域７に常温硬化型接着剤６を塗布する。このとき、基板収容凹部５の底面上を外側に向かって流れるシリコングリース８は、グリース溜まり溝１１内に入り込んで溜まるようになる。その後、発熱部品４が実装されたセラミック基板２をシリコングリース８及び常温硬化型接着剤６の上に載せる。これにより、常温硬化型接着剤６が硬化されることで、セラミック基板２がヒートシンク３に固着されることとなる。   When the ceramic substrate 2 is bonded to the heat sink 3, the silicon grease 8 is applied to the grease region 9 of the substrate housing recess 5, and the room temperature curable adhesive 6 is applied to the adhesive region 7 of the substrate housing recess 5. At this time, the silicon grease 8 that flows outward on the bottom surface of the substrate housing recess 5 enters the grease reservoir groove 11 and accumulates. Thereafter, the ceramic substrate 2 on which the heat generating component 4 is mounted is placed on the silicon grease 8 and the room temperature curing adhesive 6. Thereby, the ceramic substrate 2 is fixed to the heat sink 3 by curing the room temperature curable adhesive 6.

このような基板の接着構造１においては、発熱部品４の熱がセラミック基板２、熱伝導性の高いシリコングリース８及びヒートシンク３を介して効果的に外部に放出（放熱）されるようになる。従って、セラミック基板２の冷却性能を高めることができる。   In such a substrate bonding structure 1, the heat of the heat generating component 4 is effectively released (heat dissipated) to the outside through the ceramic substrate 2, the high thermal conductivity silicon grease 8 and the heat sink 3. Therefore, the cooling performance of the ceramic substrate 2 can be enhanced.

ここで、比較例として従来一般における基板の接着構造の一例を図３に示す。図３において、発熱部品４が実装されたセラミック基板２とヒートシンク３とは、高温硬化型の高熱伝導接着剤５０により接着される。これにより、セラミック基板２とヒートシンク３との接着と、発熱部品４の放熱の確保との両立を図ることができる。   Here, as a comparative example, an example of a conventional substrate bonding structure is shown in FIG. In FIG. 3, the ceramic substrate 2 on which the heat generating component 4 is mounted and the heat sink 3 are bonded by a high-temperature curing type high thermal conductive adhesive 50. As a result, it is possible to achieve both the adhesion between the ceramic substrate 2 and the heat sink 3 and the securing of heat radiation of the heat generating component 4.

ところで、高温硬化型接着剤は、１５０℃程度の温度で硬化する接着剤である。このため、高温硬化型接着剤を使用する際には、恒温槽が必要となる。ただし、恒温槽は、生産設備の中でもエネルギー消費が著しく、昨今のＣＯ２削減の気運の中では設置を避ける傾向にある。よって、特に恒温槽を必要としない常温硬化型接着剤の使用が望まれる。しかし、常温硬化型接着剤は、高温硬化型接着剤に比べて熱伝導特性が劣るため、これだけでは発熱部品４の放熱の確保という性能を満足することが困難である。 By the way, the high temperature curable adhesive is an adhesive that cures at a temperature of about 150 ° C. For this reason, when using a high temperature curable adhesive, a thermostat is required. However, the thermostatic chamber has a significant energy consumption even in production facilities, and tends to be avoided in the current CO 2 reduction mood. Therefore, it is desired to use a room temperature curable adhesive that does not particularly require a thermostatic bath. However, since the room temperature curable adhesive is inferior in heat conduction characteristics to the high temperature curable adhesive, it is difficult to satisfy the performance of ensuring the heat radiation of the heat generating component 4 by itself.

これに対し本実施形態では、セラミック基板２と基板収容凹部５の底面との間における発熱部品４の直下位置に、高温硬化型接着剤よりも熱伝導率が高いシリコングリース８を介在すると共に、セラミック基板２と基板収容凹部５の底面との間におけるシリコングリース８の外側に常温硬化型接着剤６を介在する。このため、高温硬化型接着剤よりも熱伝導率の低い常温硬化型接着剤６によりセラミック基板２とヒートシンク３とを接着しても、発熱部品４の良好な放熱を確保することができる。   On the other hand, in the present embodiment, silicon grease 8 having a higher thermal conductivity than the high-temperature curable adhesive is interposed immediately below the heat generating component 4 between the ceramic substrate 2 and the bottom surface of the substrate housing recess 5. A room temperature curing adhesive 6 is interposed outside the silicon grease 8 between the ceramic substrate 2 and the bottom surface of the substrate housing recess 5. For this reason, even if the ceramic substrate 2 and the heat sink 3 are bonded by the room temperature curable adhesive 6 having a lower thermal conductivity than that of the high temperature curable adhesive, good heat dissipation of the heat generating component 4 can be ensured.

このとき、シリコングリース８が常温硬化型接着剤６に接すると、常温硬化型接着剤６の硬化が阻害されてしまう。しかし、本実施形態では、基板収容凹部５の底面にグリース溜まり溝１１が設けられているので、基板収容凹部５のグリース領域９に塗布されたシリコングリース８が外側に向かって流れても、そのシリコングリース８はグリース溜まり溝１１に落ちて溜まるようになる。また、基板収容凹部５の底面には高さ決めポスト１０が設けられているので、基板収容凹部５の接着剤領域７に塗布された常温硬化型接着剤６が内側に向かって流れても、その常温硬化型接着剤６の流れは高さ決めポスト１０で止められる。   At this time, if the silicon grease 8 contacts the room temperature curable adhesive 6, curing of the room temperature curable adhesive 6 is hindered. However, in this embodiment, since the grease collecting groove 11 is provided on the bottom surface of the substrate housing recess 5, even if the silicon grease 8 applied to the grease region 9 of the substrate housing recess 5 flows outward, The silicon grease 8 falls and accumulates in the grease reservoir groove 11. Further, since the height determining post 10 is provided on the bottom surface of the substrate housing recess 5, even if the room temperature curable adhesive 6 applied to the adhesive region 7 of the substrate housing recess 5 flows inward, The flow of the room temperature curable adhesive 6 is stopped by a height determining post 10.

これにより、シリコングリース８と常温硬化型接着剤６との接触が回避されるため、シリコングリース８による常温硬化型接着剤６の硬化阻害を引き起こすことが防止される。従って、常温硬化型接着剤６によりセラミック基板２とヒートシンク３とを確実に接着することができる。   As a result, contact between the silicon grease 8 and the room temperature curable adhesive 6 is avoided, thereby preventing the room temperature curable adhesive 6 from being inhibited from being inhibited by the silicon grease 8. Therefore, the ceramic substrate 2 and the heat sink 3 can be securely bonded by the room temperature curable adhesive 6.

その結果、特に高温硬化型接着剤を使用しなくても、セラミック基板２とヒートシンク３との接着と、発熱部品４の放熱の確保との両立を図ることができる。   As a result, it is possible to achieve both the adhesion between the ceramic substrate 2 and the heat sink 3 and the heat radiation of the heat generating component 4 without using a high temperature curable adhesive.

図４は、図２に示した基板の接着構造１の変形例を示す断面図である。同図において、高さ決めポスト１０は、基板収容凹部５の底面の縁部近傍、つまり基板収容凹部５の底面における接着剤領域７の外側にも立設されている。   4 is a cross-sectional view showing a modification of the substrate bonding structure 1 shown in FIG. In the same figure, the height determining post 10 is also erected near the edge of the bottom surface of the substrate housing recess 5, that is, outside the adhesive region 7 on the bottom surface of the substrate housing recess 5.

また、基板収容凹部５の底面における接着剤領域７と各高さ決めポスト１０との間には、常温硬化型接着剤６を溜めるための接着剤溜まり溝１２がそれぞれ形成されている。つまり、接着剤溜まり溝１２は、接着剤領域７の内側及び外側にそれぞれ形成されている。   An adhesive reservoir groove 12 for storing the room temperature curable adhesive 6 is formed between the adhesive region 7 on the bottom surface of the substrate housing recess 5 and each height determining post 10. That is, the adhesive reservoir groove 12 is formed inside and outside the adhesive region 7, respectively.

このような構成では、基板収容凹部５の底面にシリコングリース８及び常温硬化型接着剤６が塗布されると、基板収容凹部５の底面上を外側に向かって流れるシリコングリース８がグリース溜まり溝１１内に入り込んで溜まるだけでなく、基板収容凹部５の底面上を内側及び外側に向かって流れる常温硬化型接着剤６が接着剤溜まり溝１２内に入り込んで溜まるようになる。このため、常温硬化型接着剤６が高さ決めポスト１０を乗り越えることは無い。   In such a configuration, when the silicon grease 8 and the room temperature curable adhesive 6 are applied to the bottom surface of the substrate housing recess 5, the silicon grease 8 that flows outward on the bottom surface of the substrate housing recess 5 is the grease collecting groove 11. In addition to entering and accumulating, the room temperature curable adhesive 6 that flows inward and outward on the bottom surface of the substrate housing recess 5 enters and accumulates in the adhesive accumulating groove 12. For this reason, the room temperature curable adhesive 6 does not get over the height determining post 10.

このとき、シリコングリース８及び常温硬化型接着剤６を、グリース溜まり溝１１及び接着剤溜まり溝１２の容量を超えない程度に若干多めに塗布することで、均一でボイドの少ない膜を形成することができる。   At this time, the silicon grease 8 and the room temperature curable adhesive 6 are applied in a slightly larger amount so as not to exceed the capacities of the grease reservoir groove 11 and the adhesive reservoir groove 12, thereby forming a uniform film with less voids. Can do.

本変形例によれば、基板収容凹部５の底面にグリース溜まり溝１１に加えて接着剤溜まり溝１２を設けたので、シリコングリース８と常温硬化型接着剤６との接触が一層回避される。従って、シリコングリース８による常温硬化型接着剤６の硬化阻害を引き起こすことが確実に防止されるようになる。   According to this modification, since the adhesive reservoir groove 12 is provided in addition to the grease reservoir groove 11 on the bottom surface of the substrate housing recess 5, contact between the silicon grease 8 and the room temperature curable adhesive 6 is further avoided. Therefore, the inhibition of curing of the room temperature curable adhesive 6 by the silicon grease 8 is surely prevented.

図５は、本発明に係わる基板の接着構造の他の実施形態を示す断面図である。同図において、本実施形態の基板の接着構造１は、複数（ここでは２つ）の発熱部品４が実装されたセラミック基板２をヒートシンク３に接着するための構造である。   FIG. 5 is a sectional view showing another embodiment of the substrate bonding structure according to the present invention. In the figure, a substrate bonding structure 1 of the present embodiment is a structure for bonding a ceramic substrate 2 on which a plurality (two in this case) of heat generating components 4 are mounted to a heat sink 3.

シリコングリース８は、上述した実施形態のようにセラミック基板２と基板収容凹部５の底面との間における発熱部品４の直下位置に介在される。このため、セラミック基板２に複数の発熱部品４が実装されていると、グリース領域９の面積が大きくなるため、セラミック基板２と基板収容凹部５の底面との間において接着剤領域を確保することが難しくなる。従って、本実施形態では、セラミック基板２と基板収容凹部５の側面との間に、高温硬化型接着剤よりも熱伝導性の低い紫外線硬化型接着剤（ＣＩＰＧ）２０が介在された接着剤領域２１がグリース領域９を取り囲むように形成されている。   The silicon grease 8 is interposed at a position directly below the heat generating component 4 between the ceramic substrate 2 and the bottom surface of the substrate housing recess 5 as in the above-described embodiment. For this reason, when a plurality of heat generating components 4 are mounted on the ceramic substrate 2, the area of the grease region 9 increases, and therefore an adhesive region is ensured between the ceramic substrate 2 and the bottom surface of the substrate housing recess 5. Becomes difficult. Therefore, in the present embodiment, an adhesive region in which an ultraviolet curable adhesive (CIPG) 20 having a lower thermal conductivity than the high temperature curable adhesive is interposed between the ceramic substrate 2 and the side surface of the substrate housing recess 5. 21 is formed so as to surround the grease region 9.

基板収容凹部５の底面におけるグリース領域９と接着剤領域２１との間には、シリコングリース８の高さ（厚さ）を均一に制御するための高さ決めポスト２２が略矩形状に立設されている。高さ決めポスト２２は、接着剤領域２１に隣接して配置されている。   Between the grease region 9 and the adhesive region 21 on the bottom surface of the substrate housing recess 5, a height determining post 22 for uniformly controlling the height (thickness) of the silicon grease 8 is erected in a substantially rectangular shape. Has been. The height determining post 22 is disposed adjacent to the adhesive region 21.

また、基板収容凹部５の底面におけるグリース領域９と高さ決めポスト２２との間には、シリコングリース８を溜めるためのグリース溜まり溝２３と、紫外線硬化型接着剤２０を溜めるための接着剤溜まり溝２４とがそれぞれ略矩形状に形成されている。接着剤溜まり溝２４は、グリース溜まり溝２３の外側に配置されている。   Further, between the grease region 9 and the height determining post 22 on the bottom surface of the substrate housing recess 5, a grease reservoir groove 23 for storing the silicon grease 8 and an adhesive reservoir for storing the ultraviolet curable adhesive 20. The grooves 24 are formed in a substantially rectangular shape. The adhesive reservoir groove 24 is disposed outside the grease reservoir groove 23.

セラミック基板２をヒートシンク３に接着するときは、基板収容凹部５の底面におけるグリース領域９にシリコングリース８を塗布する。このとき、基板収容凹部５の底面上を外側に向かって流れるシリコングリース８は、グリース溜まり溝２３内に入り込んで溜まるようになる。その後、複数の発熱部品４が実装されたセラミック基板２をシリコングリース８の上に載せる。   When the ceramic substrate 2 is bonded to the heat sink 3, silicon grease 8 is applied to the grease region 9 on the bottom surface of the substrate housing recess 5. At this time, the silicon grease 8 flowing outward on the bottom surface of the substrate housing recess 5 enters the grease reservoir groove 23 and accumulates therein. Thereafter, the ceramic substrate 2 on which the plurality of heat generating components 4 are mounted is placed on the silicon grease 8.

そして、セラミック基板２と基板収容凹部５の側面との間に紫外線硬化型接着剤２０を上から塗布する。このとき、基板収容凹部５の底面上を紫外線硬化型接着剤２０が内側に流れようとしても、その紫外線硬化型接着剤２０の流れは高さ決めポスト２２で止められる。また、紫外線硬化型接着剤２０の一部が万が一高さ決めポスト２２を乗り越えても、その紫外線硬化型接着剤２０は、接着剤溜まり溝２４内に入り込んで溜まるようになる。その後、紫外線硬化型接着剤２０が硬化されることで、セラミック基板２がヒートシンク３に固着されることとなる。   Then, an ultraviolet curable adhesive 20 is applied between the ceramic substrate 2 and the side surface of the substrate housing recess 5 from above. At this time, even if the ultraviolet curable adhesive 20 flows inward on the bottom surface of the substrate housing recess 5, the flow of the ultraviolet curable adhesive 20 is stopped by the height determining post 22. Even if a part of the ultraviolet curable adhesive 20 climbs over the height determining post 22, the ultraviolet curable adhesive 20 enters and accumulates in the adhesive reservoir groove 24. Thereafter, the ultraviolet curable adhesive 20 is cured, so that the ceramic substrate 2 is fixed to the heat sink 3.

このように本実施形態においては、基板収容凹部５の底面にグリース溜まり溝２３及び接着剤溜まり溝２４を設け、基板収容凹部５の底面上を流れるシリコングリース８及び紫外線硬化型接着剤２０をグリース溜まり溝２３及び接着剤溜まり溝２４にそれぞれ溜めるようにしたので、シリコングリース８と紫外線硬化型接着剤２０との接触が回避される。従って、シリコングリース８による紫外線硬化型接着剤２０の硬化阻害を引き起こすことが防止される。その結果、特に高温硬化型接着剤を使用しなくても、セラミック基板２とヒートシンク３との接着と、発熱部品４の放熱の確保との両立を図ることができる。   As described above, in this embodiment, the grease reservoir groove 23 and the adhesive reservoir groove 24 are provided on the bottom surface of the substrate housing recess 5, and the silicon grease 8 and the ultraviolet curable adhesive 20 flowing on the bottom surface of the substrate housing recess 5 are greased. Since the oil is accumulated in the accumulation groove 23 and the adhesive accumulation groove 24, contact between the silicon grease 8 and the ultraviolet curable adhesive 20 is avoided. Accordingly, it is possible to prevent the ultraviolet curing type adhesive 20 from being inhibited from being cured by the silicon grease 8. As a result, it is possible to achieve both the adhesion between the ceramic substrate 2 and the heat sink 3 and the heat radiation of the heat generating component 4 without using a high temperature curable adhesive.

なお、本発明は、上記実施形態に限定されるものではない。例えば上記実施形態では、接着剤領域がグリース領域を取り囲むように形成され、これに伴って高さ決めポスト、グリース溜まり溝及び接着剤溜まり溝が略矩形状に延びるように形成されているが、特にそのような形態には限られない。例えば、接着剤領域がグリース領域を挟むようにグリース領域の両側に形成され、これに伴って高さ決めポスト、グリース溜まり溝及び接着剤溜まり溝がグリース領域を挟むようにグリース領域の両側に直線状に延びるように形成されていても良い。   The present invention is not limited to the above embodiment. For example, in the above embodiment, the adhesive region is formed so as to surround the grease region, and accordingly, the height determining post, the grease reservoir groove, and the adhesive reservoir groove are formed to extend in a substantially rectangular shape. It is not restricted to such a form in particular. For example, the adhesive area is formed on both sides of the grease area so as to sandwich the grease area, and the height determining posts, grease reservoir grooves and adhesive reservoir grooves are linearly formed on both sides of the grease area so as to sandwich the grease area. It may be formed to extend in a shape.

１…基板の接着構造、２…セラミック基板、３…ヒートシンク、４…電子部品（発熱部品）、６…常温硬化型接着剤、７…接着剤領域、８…シリコングリース、９…グリース領域、１１…グリース溜まり溝（接触防止部）、１２…接着剤溜まり溝（接触防止部）、２０…紫外線硬化型接着剤、２１…接着剤領域、２３…グリース溜まり溝（接触防止部）、２４…接着剤溜まり溝（接触防止部）。

DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 ... Board | substrate adhesion structure, 2 ... Ceramic substrate, 3 ... Heat sink, 4 ... Electronic component (heating | fever component), 6 ... Room temperature curing type adhesive agent, 7 ... Adhesive area | region, 8 ... Silicon grease, 9 ... Grease area | region, 11 Grease reservoir groove (contact prevention portion), 12 Adhesive reservoir groove (contact prevention portion), 20 UV curable adhesive, 21 Adhesive region, 23 Grease reservoir groove (contact prevention portion), 24 Adhesion Agent reservoir groove (contact prevention part).

Claims (2)

発熱部品が実装された基板をヒートシンクに接着する基板の接着構造において、
前記基板と前記ヒートシンクとの間には、常温硬化型接着剤または紫外線硬化型接着剤が介在する接着剤領域と、シリコングリースが介在するグリース領域とが形成されており、
前記ヒートシンクには、前記常温硬化型接着剤または前記紫外線硬化型接着剤と前記シリコングリースとの接触を防ぐための接触防止部が設けられていることを特徴とする基板の接着構造。 In the bonding structure of the board that bonds the board on which the heat generating component is mounted to the heat sink,
Between the substrate and the heat sink, an adhesive region where a room temperature curable adhesive or an ultraviolet curable adhesive is interposed, and a grease region where silicon grease is interposed are formed,
A substrate bonding structure, wherein the heat sink is provided with a contact prevention portion for preventing contact between the room temperature curable adhesive or the ultraviolet curable adhesive and the silicon grease. 前記接触防止部は、前記ヒートシンクにおける前記接着剤領域と前記グリース領域との間に形成された溝であることを特徴とする請求項１記載の基板の接着構造。


The substrate contact structure according to claim 1, wherein the contact preventing portion is a groove formed between the adhesive region and the grease region in the heat sink.


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