JP2011035133A - Liquid processing apparatus and liquid processing method - Google Patents
Liquid processing apparatus and liquid processing method Download PDFInfo
- Publication number
- JP2011035133A JP2011035133A JP2009179456A JP2009179456A JP2011035133A JP 2011035133 A JP2011035133 A JP 2011035133A JP 2009179456 A JP2009179456 A JP 2009179456A JP 2009179456 A JP2009179456 A JP 2009179456A JP 2011035133 A JP2011035133 A JP 2011035133A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- liquid
- supply line
- supply
- line
- processing
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Images
Landscapes
- Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
Abstract
Description
本発明は、互いに温度の異なる第１の液および第２の液を用いて被処理体を処理する液処理装置および液処理方法に関する。 The present invention relates to a liquid processing apparatus and a liquid processing method for processing an object to be processed using a first liquid and a second liquid having different temperatures.
従来、液を用いて被処理体を処理する液処理装置および液処理方法が広く知られている。液を用いた処理においては、多くの場合、複数種類の液が被処理体に向けて吐出される。また、処理に用いられる液を加熱することもよく行われている（例えば、特許文献１）。そして、一つの被処理体の処理に、例えば加熱された液と加熱されていない液とのように、異なる温度の液が用いられるようになることもある。 Conventionally, a liquid processing apparatus and a liquid processing method for processing an object to be processed using a liquid are widely known. In processing using liquid, in many cases, a plurality of types of liquids are discharged toward the object to be processed. Moreover, the liquid used for a process is also often heated (for example, patent document 1). And the liquid of different temperature may come to be used for the process of one to-be-processed object, for example like the liquid heated and the liquid which is not heated.
昨今においては、被処理体を処理する液処理装置の多くが、複数の液供給ラインを設けられており、且つ、この液供給ラインを介して供給される液の温度が種々の温度に設定され得るようになっている。また、異なる液を用いた処理を被処理体に対して連続的に行っていくことを可能とするため、通常、複数の供給ラインは並行した経路をとり、且つ、各液供給ラインの液を吐出するための吐出開口は並べて配置されている。 In recent years, many liquid processing apparatuses for processing an object to be processed are provided with a plurality of liquid supply lines, and the temperatures of liquids supplied through the liquid supply lines are set to various temperatures. To get. In addition, in order to be able to continuously perform processing using different liquids on an object to be processed, usually, a plurality of supply lines take parallel paths, and liquids in each liquid supply line are used. Discharge openings for discharging are arranged side by side.
ところで、一般的に、処理に用いられる液の温度が高いと、当該液による反応が活性化され、処理が進行しやすくなる。したがって、処理に用いられる液を加熱することによって、処理時間を短時間化させるといった利点を期待することができる。その一方で、処理に用いられる液の温度を一定に保つことが、被処理体間における処理の均一化を確保する上で非常に重要となる。 By the way, generally, when the temperature of the liquid used for the treatment is high, the reaction by the liquid is activated and the treatment is likely to proceed. Therefore, the advantage of shortening the processing time can be expected by heating the liquid used for the processing. On the other hand, keeping the temperature of the liquid used for the treatment constant is very important for ensuring the uniformity of the treatment between the objects to be treated.
上述したように、多くの液処理装置において、複数の液供給ラインは、概ね並行して延びている。このため、この複数の供給ラインに互いに異なる温度の液が供給されると、異なる温度の液間で熱交換が行われてしまう。この結果、所望の温度に調節した液を供給ラインに送り込むことができていたとしても、実際に吐出開口から吐出され処理に用いられる液は、期待した温度とは異なる温度をとるようになる。このように処理に用いられる液体の温度が変動すると、被処理体に対する処理の進行度合いを安定させることができない。 As described above, in many liquid processing apparatuses, the plurality of liquid supply lines extend substantially in parallel. For this reason, when liquids having different temperatures are supplied to the plurality of supply lines, heat exchange is performed between the liquids having different temperatures. As a result, even if the liquid adjusted to a desired temperature can be sent to the supply line, the liquid actually discharged from the discharge opening and used for processing takes a temperature different from the expected temperature. Thus, when the temperature of the liquid used for processing fluctuates, the progress of the processing on the object to be processed cannot be stabilized.
本発明の一態様による液処理装置は、液を用いて被処理体を処理する液処理装置において、
第１の液を供給する第１の供給ラインであって、前記第１の液を吐出する吐出開口を有した第１の供給ラインと、
前記第１の液とは異なる温度の第２の液を供給する第２の供給ラインであって、前記第２の液を吐出する吐出開口を有した第２の供給ラインと、
前記第１の供給ラインおよび前記第２の供給ラインを支持する支持部材を有し、前記第１の液および前記第２の液を用いて被処理体を処理し得るように構成された処理ユニットと、を有し、
前記支持部材は仕切り部材を有し、前記第１の供給ラインおよび前記第２の供給ラインの一方が、前記仕切り部材の一側を延び、前記第１の供給ラインおよび前記第２の供給ラインの他方が、前記仕切り部材の他側を延びている。
A liquid processing apparatus according to one embodiment of the present invention is a liquid processing apparatus that processes an object to be processed using a liquid.
A first supply line for supplying a first liquid, the first supply line having a discharge opening for discharging the first liquid;
A second supply line for supplying a second liquid having a temperature different from that of the first liquid, the second supply line having a discharge opening for discharging the second liquid;
A processing unit having a support member for supporting the first supply line and the second supply line, and configured to process an object to be processed using the first liquid and the second liquid. And having
The support member includes a partition member, and one of the first supply line and the second supply line extends on one side of the partition member, and the first supply line and the second supply line The other extends on the other side of the partition member.
本発明の一態様による液処理方法は、液を用いて被処理体を処理する方法であって、
第１の供給ラインから供給される第１の液を用いて被処理体を処理する工程と、
前記第１の液を用いて被処理体を処理する工程の前または後に実施される工程であって、第２の供給ラインから供給される前記第１の液とは温度の異なる第２の液を用いて被処理体を処理する工程と、を有し、
前記第１の液を用いて前記被処理体を処理する際、前記第１の液は、支持部材によって支持された第１の供給ラインの吐出開口から吐出され、
前記第２の液を用いて前記被処理体を処理する際、前記第２の液は、前記第１の供給ラインの前記吐出開口を支持する前記支持部材によって支持された前記第２の供給ラインの吐出開口から吐出され、
前記第１の供給ラインおよび第２の供給ラインの一方は、前記支持部材の少なくとも一部分を構成する仕切り部材の一側を延び、前記第１の供給ラインおよび第２の供給ラインの他方は前記仕切り部材の他側を延びている。
A liquid processing method according to one embodiment of the present invention is a method of processing an object to be processed using a liquid,
Processing the object to be processed using the first liquid supplied from the first supply line;
A second liquid having a temperature different from that of the first liquid supplied from the second supply line, the process being performed before or after the process of processing the object using the first liquid; And a process of processing the object using
When processing the object to be processed using the first liquid, the first liquid is discharged from a discharge opening of a first supply line supported by a support member,
When the object to be processed is processed using the second liquid, the second liquid is supported by the support member that supports the discharge opening of the first supply line. Discharged from the discharge opening of
One of the first supply line and the second supply line extends on one side of a partition member constituting at least a part of the support member, and the other of the first supply line and the second supply line is the partition. The other side of the member extends.
本発明によれば、第１供給ラインおよび第２供給ラインの一方が、仕切り部材の一側を延び、第１供給ラインおよび第２供給ラインの他方が、仕切り部材の他側を延びている。したがって、第１供給ライン内の第１液と、第２供給ライン４５内の第２液と、の間で熱の移動が生じてしまうことを効果的に抑制することができる。この結果、第１液および第２液の少なくとも一方を用いた被処理体の処理の進行度合いを安定させることができる。
According to the present invention, one of the first supply line and the second supply line extends on one side of the partition member, and the other of the first supply line and the second supply line extends on the other side of the partition member. Therefore, it is possible to effectively suppress the occurrence of heat transfer between the first liquid in the first supply line and the second liquid in the
以下、図面を参照して本発明の一実施の形態について説明する。なお、本件明細書に添付する図面においては、図示と理解のしやすさの便宜上、適宜縮尺および縦横の寸法比等を、実物のそれらから変更し誇張してある。 Hereinafter, an embodiment of the present invention will be described with reference to the drawings. In the drawings attached to the present specification, for the sake of illustration and ease of understanding, the scale, the vertical / horizontal dimension ratio, and the like are appropriately changed and exaggerated from those of the actual product.
図１〜図６は、本発明の一実施の形態を説明するための図であり、さらに図７および図８は、図１〜図６に示された実施の形態に対する変形例を説明するための図である。このうち図１は、液処理装置の全体構成を概略的に示す図である。図２は、図１の点線で囲まれた領域を拡大してより詳細に示す図である。図３および図４は、それぞれ、液処理装置に組み込まれた処理ユニットの一つを示す縦断面図および上面図である。 1 to 6 are diagrams for explaining an embodiment of the present invention, and FIGS. 7 and 8 are for explaining a modification to the embodiment shown in FIGS. FIG. Among these, FIG. 1 is a diagram schematically showing the overall configuration of the liquid processing apparatus. FIG. 2 is an enlarged view showing a region surrounded by a dotted line in FIG. 3 and 4 are a longitudinal sectional view and a top view, respectively, showing one of the processing units incorporated in the liquid processing apparatus.
なお、以下の実施の形態においては、本発明を、半導体ウエハ（被処理体の一例）の洗浄処理に適用した例を示している。そして、洗浄処理として、薬液を用いた処理、純水を用いた処理および乾燥用液を用いた処理が、被処理体である円板状のウエハに施されていく。このうち、乾燥用液が、薬液および純水よりも高温となるように加熱されて用いられる。しかしながら、当然に、本発明は、ウエハの洗浄への適用に限定されるものではない。 In the following embodiment, an example in which the present invention is applied to a cleaning process of a semiconductor wafer (an example of an object to be processed) is shown. Then, as a cleaning process, a process using a chemical solution, a process using pure water, and a process using a drying solution are performed on a disk-shaped wafer that is an object to be processed. Among these, the drying liquid is heated and used so as to have a higher temperature than the chemical liquid and pure water. However, of course, the present invention is not limited to application to wafer cleaning.
図１〜図４に示すように、液処理装置１０は、第１の液を供給する第１の液供給機構１５と、第２の液を供給する第２の液供給機構４０と、その一端が第１の液供給機構１５に接続された第１の供給ライン３０と、その一端が第２の液供給機構４０に接続された第２の供給ライン４５と、第１の液および第２の液を用いてウエハＷを処理するように構成された処理ユニット５０と、を有している。また、液処理装置１０は、一端を循環ライン２０に接続され、第１の供給ライン３０に供給された第１の液を第１の液供給機構１５へ戻す戻しライン３５を、有している。さらに、液処理装置１０は、液処理装置１０の各構成要素の動作や液の流路を制御する制御装置１２も有している。図示する例において、液処理装置１０には、多数（例えば８機）の処理ユニット５０が設けられ、各処理ユニット５０内に、第１供給ライン３０および第２供給ライン４５が延び入っている。
As shown in FIGS. 1 to 4, the
このうちまず、第１液を処理ユニット５０に対して供給する供給系統について説明する。なお、以下の例では、乾燥用液、より具体的にはＩＰＡ（イソプロピルアルコール）が、第１液として、供給される。
Among First, the supply system is described for supplying the first liquid to the
図１に示すように、第１液供給機構１５は、環状に形成された循環ライン２０と、循環ライン２０上に設けられた送出機構（例えば、ポンプ）２６と、を有している。このうち循環ライン２０は、温度調節された第１液を供給する第１液供給源２２と、第１液供給源２２から供給された温度調節された第１液が循環し得る循環路２４と、を有している。
As shown in FIG. 1, the first
第１液供給源２２は、第１液を貯留し得る、例えばタンクからなる、貯留装置２２ａと、貯留装置２２ａに温度調節された第１液を補給する補給機構（図示せず）と、を有している。循環路２４は、第１液供給源２２から供給された第１液が循環し得るように、貯留装置２２ａに管路の両端を接続することによって、構成されている。
The first
なお、第１液供給機構１５は、第１供給ライン３０を介し、多数の処理ユニット５０の各々へ第１液を供給するようになる。そして、第１液供給源２２の補給機構は、第１液供給機構１５の循環ライン２０からの第１液の消費にともなって、循環ライン２０に第１液を補給するようになる。一例として、補給機構は、貯留装置２２ａ内の液量に応じて、貯留装置２２内へ第１液を自動的に補給するように構成され得る。
The first
図示する例において、第１液供給源２２は、貯留装置２２ａ内の第１液を温度調節する温度調節機構２２ｂを、さらに有している。すなわち、第１液供給源２２は、温度調節した第１液を循環ライン２０に補給するだけでなく、循環路２４を循環中の第１液を必要に応じて温度調節して再び循環路２４に供給するように構成されている。なお、上述したように、本実施の形態においては、温度調節機構２２ｂは、加熱機構として構成され、第１液の温度調節として、第１液を加熱するようになっている。したがって、以下に説明する本実施の形態においては、温度調節機構２２ｂを加熱機構２２ｂとも呼ぶ。
In the illustrated example, the first
送出機構２６は、例えばポンプからなり、循環路２４上に取り付けられている。送出機構２６は、第１液供給源２２から循環路２４に供給された加熱された第１液が循環路２４内を循環するように、第１液を駆動する。したがって、送出機構２６によって送り出された第１液は、循環ライン２０内を周回して、再び送出機構２６まで戻ってくることができる。
The
次に、第１供給ライン３０および戻しライン３５について説明する。図１に示すように、多数の第１供給ライン３０が、循環ライン２０から分岐して、対応する処理ユニット５０まで延びている。戻しライン３５は、各第１供給ライン３０に対応して複数設けられている。各戻しライン３５は、循環ライン２０から対応する第１供給ライン３０に流れ込んだ第１液を循環ライン２０に戻し得るように構成されている。
Next, a description will be given of the
図２および図３に示されているように、第１供給ライン３０は、第１液を吐出する吐出開口３０ａを有している。吐出開口３０ａは、処理ユニット５０のアーム６２に支持されたノズルとして構成されており、後述するように、加熱された第１液が被処理体であるウエハＷに向けて吐出開口３０ａから吐出され得る。
As shown in FIGS. 2 and 3, the
図２に示すように、第１供給ライン３０は、戻しライン３５との接続位置よりも上流側における少なくとも一区間において、複数の管路に分かれて延びている。制御装置１２は、複数の管路の開閉を操作することによって、循環ライン２０から第１供給ライン３０に流れ込む第１液の量を制御するように、構成されている。
As shown in FIG. 2, the
図２に示す例では、第１供給ライン３０は、第１管路３１ａと、第１管路３１ａと並行して延びる第２管路３１ｂと、の二つの管路に分けられている。第１管路３１ａには、開度を手動で予め調節することができる流量調節弁（例えば、ニードル弁）３２が、設けられている。また、第１供給ライン３０上における、複数の管路３１ａ，３１ｂに分割される区間外の位置であって、戻しライン３５との接続位置よりも上流側の位置にも、開度を手動で予め調節することができる流量調節弁３７が、設けられている。さらに、図２に示すように、流量調節弁３７の近傍における第１供給ライン３０上に、第１供給ライン内３０内を流れる第１液の量を測定する流量計３６が、設けられている。
In the example shown in FIG. 2, the
一方、第２管路３１ｂには、流体圧駆動により開閉動作を駆動され得る開閉弁３３が設けられている。開閉弁３３は、例えば空気圧で開閉動作を駆動されるエアオペバルブから構成されている。この開閉弁３３の開閉動作は、制御装置１２によって、制御されるようになっている。
On the other hand, the
このような構成によれば、開閉弁３３を開閉させることのみによって、二つの異なる流量で第１液が第１供給ライン３０を流れるようにすることができる。具体的には、流量調節弁３２によって第１管路３１ａの最大流量がＡ（ｌ／ｍｉｎ）に設定され、流量調節弁３７によって第１供給ライン３０の最大流量がＢ（ｌ／ｍｉｎ）に設定されているとする。また、第２管路３１ｂが、（Ｂ−Ａ）（ｌ／ｍｉｎ）以上の流量で液を流し得るように設計されているとする。この例においては、開閉弁３３が開いている間、第１供給ライン３０をＢ（ｌ／ｍｉｎ）の第１液が流れるようにすることができる。また、開閉弁３３が閉じている間、第１液が第１供給ライン３０をＡ（ｌ／ｍｉｎ）の流量で流れるようにすることができる。
According to such a configuration, the first liquid can flow through the
一方、図２および図３に示すように、各戻しライン３５の上流側の端部は、流路制御機構３８を介して、対応する供給ライン３０の途中に接続している。つまり、各戻しライン３５は、対応する供給ライン３０の循環ライン２０との接続する側の端部と、対応する供給ライン３０の吐出開口３０ａと、の間のある位置において、対応する供給ライン３０に接続している。制御装置１２は、流路制御機構３８（より詳細には、後述する流路制御機構３８の液供給切り替え弁３８ａ）を制御することにより、第１供給ライン３０の吐出開口３０ａから第１液を吐出するか否かを制御するように構成されている。
On the other hand, as shown in FIGS. 2 and 3, the upstream end of each
図示する例では、流路制御機構３８は、循環ライン２０から第１供給ライン３０に流れ込んできた液が、第１供給ライン３０をさらに流れて吐出開口３０ａへ向かう状態と、吐出開口３０ａに向かうことなく戻しライン３５へ向かう状態と、のいずれかの状態を選択的に維持するように構成されている。このような流路制御機構の一具体例として、図示する流路制御機構３８は、第１供給ライン３０上に設けられ且つ戻しライン３５の一端とも接続された三方弁３８ａと、戻しライン３５上に設けられた開閉弁３８ｂと、を有している。三方弁３８ａおよび開閉弁３８ｂは、共に、流体圧駆動により開閉動作を駆動され得る弁として、例えば空気圧で開閉動作を駆動されるエアオペバルブから構成されている。
In the illustrated example, the flow
三方弁３８ａは、上流側（循環ライン２０の側）の第１供給ライン３０と、戻しライン３５と、を連通させる状態、並びに、上流側の第１供給ライン３０と、戻しライン３５および下流側（処理ユニット５０の側）の第１供給ライン３０の両方と、を連通させる状態のいずれかに、維持されるようになっている。すなわち、図示する例において、三方弁３８ａは、処理ユニット内での被処理体の処理に用いられる液の供給および供給停止を切り替える液供給切り替え弁として、機能する。したがって、流路制御機構３８を構成する三方弁３８ａを、液供給切り替え弁３８ａとも呼ぶ。
The three-
制御装置１２は、液供給切り替え弁（三方弁）３８ａの二つの状態の切り替え動作と、開閉弁３８ｂの開閉動作と、を制御する。具体的には、以下のように、液供給切り替え弁３８ａおよび開閉弁３８ｂの動作は制御される。循環ライン２０から第１供給ライン３０に流れ込んできた液が第１供給ライン３０をさらに流れて吐出開口３０ａへ向かう状態に流路制御機構３８を維持する場合には、液供給切り替え弁３８ａは三方を開いた状態に保持されるとともに、開閉弁３８ｂは閉鎖した状態に保持される。すなわち、液供給切り替え弁３８ａが三方を開いた状態に保持されることによって、液供給切り替え弁３８ａよりも上流側の第１供給ライン３０と液供給切り替え弁３８ａよりも下流側の第１供給ライン３０とを結ぶ流路が確保され、被処理体Ｗの処理に用いられる第１液が処理ユニット５０へ供給され得る状態となる。
The
なお、開閉弁３８ｂは、液供給切り替え弁３８ａと近接して配置されていることが好ましい。液供給切り替え弁３８ａは三方を開いた状態に保持されるとともに、開閉弁３８ｂは閉鎖した状態において、三方弁３８ａと開閉弁３８ｂとの間に、第１液が停滞してしまうことがないからである。
The on-off
一方、循環ライン２０から第１供給ライン３０に流れ込んできた液が戻しライン３５へ向かう状態に流路制御機構３８を維持する場合には、液供給切り替え弁３８ａは二方のみを開いた状態に保持されるとともに、開閉弁３８ｂは開放された状態に保持される。すなわち、液供給切り替え弁３８ａが、液供給切り替え弁３８ａよりも上流側の第１供給ライン３０を戻しライン３５のみに接続する状態に維持されることによって、液供給切り替え弁３８ａよりも上流側の第１供給ライン３０と液供給切り替え弁３８ａよりも下流側の第１供給ライン３０とを結ぶ流路が閉鎖され、被処理体Ｗの処理に用いられる第１液が処理ユニット５０へ供給され得ない状態となる。
On the other hand, when the
また、図１に示す例では、複数の戻しライン３５は、互いに合流して、第１液供給機構１５の循環ライン２０に接続している。より具体的には、戻しライン３５の端部は、循環ライン２０の循環路２４に接続している。このように複数の戻しライン３５は、互いに合流して、循環ライン２０に接続している場合、複数の戻しライン３５を設置するために必要となるスペースを効果的に節約することが可能となる。ただし、このような例に限られず、複数の戻しライン３５が、別個に、第１液供給機構１５に接続するようにしてもよいし、また、戻しライン３５が、循環路２４以外において、例えば貯留装置２２において第１液供給機構１５に接続し、貯留装置２２に第１液を戻すようにしてもよい。
Further, in the example shown in FIG. 1, the plurality of
図１に示すように、戻しライン３５と循環ライン２０との接続位置は、複数の第１供給ライン３０のうちの循環ライン２０の最下流側の第１供給ライン３０と、循環ライン２０と、の接続位置よりも、下流側に位置している。戻しライン３５と循環ライン２０との接続位置と、循環ライン２０と最下流側の第１供給ライン３０との接続位置と、の間における循環ライン２０上に、第１リリーフ弁３９ａが設けられている。また、戻しライン３５上、好ましくは、循環ライン２０との接続位置近傍における戻しライン３５上に、第２リリーフ弁３９ｂが設けられている。そして、第１リリーフ弁３９ａの設定圧力は、第２リリーフ弁３９ｂの設定圧力よりも高くなっている。すなわち、戻しライン３５内の第１液の圧力は、第１供給ライン３０と接続している領域における循環ライン２０内の第１液の圧力よりも低くなるように、設定される。
As shown in FIG. 1, the connection position between the
なお、循環ライン２０における上流側および下流側とは、加熱された第１液の循環ライン２０内における液流を基準として、判断される。すなわち、第１液供給源２２から循環路２４に供給された第１液の循環ライン２０内での液流を基準とし、貯留装置２２と循環路２４をなす管路との接続位置が、循環ライン２０における最上流側となり、当該接続位置（最上流側位置）から第１液の液流に沿った向きが、下流に向かう向きとなる。
The upstream side and the downstream side in the
次に、第２の液を処理ユニット５０に対して供給する供給系統について説明する。上述したように、第２液は、第２液供給機構４０から供給される。第２液供給機構４０と各処理ユニット５０の間には、第２供給ライン４５がそれぞれ設けられている。図３および図４に示されているように、第２供給ライン４５は、第２液を吐出する吐出開口４５ａを有している。吐出開口４５ａは、処理ユニット５０のアーム６２に支持されたノズルとして構成されている。
Next, the supply system is described for supplying a second liquid to the
ウエハＷの洗浄装置として構成された本実施の形態において、第２液供給機構４０は、例えば、ウエハＷの薬液処理に用いられる薬液（希フッ酸、アンモニア過水(ＳＣ１)、塩酸過水(ＳＣ２)）、並びに、ウエハＷのリンス処理に用いられる水、とりわけ純水（ＤＩＷ）を、第２液として供給し得るようになっている。
In the present embodiment configured as a cleaning apparatus for the wafer W, the second
なお、第２液を処理ユニット５０に対して供給する供給系統については、既知の供給系統を用いることができ、ここでは、これ以上の詳細な説明を省略する。
As the supply system for supplying the second liquid to the
次に、第１液および第２液を用いてウエハＷを処理する処理ユニット５０について説明する。図３および図４に示すように、各処理ユニット５０は、ウエハＷを保持する保持機構５２と、第１供給ライン３０の吐出開口３０ａおよび第２供給ライン４５の吐出開口４５ａを支持する支持部材６０と、被処理体に対する処理を行うための処理チャンバーを画定する隔壁５４と、有している。
Next, the
図３に示すように、保持機構５２は、ウエハＷの表面が略水平方向に沿うようにしてウエハＷを保持し、円板状の形状からなるウエハＷの中心を軸として保持したウエハＷを回転させることができるように、構成されている。
As shown in FIG. 3, the holding
図３および図４に示すように、支持部材６０は、支持した吐出開口３０ａ，４５ａが、保持機構５２に保持されたウエハＷに液を供給し得る処理位置（図４において実線で示す位置）と、処理位置からずれた非処理位置（図４において二点鎖線で示す位置）と、の間を移動し得るように、構成されている。
As shown in FIGS. 3 and 4, the
図示した例において、支持部材６０は、回転可能な筒状の軸部材６４と、筒状軸部材６４に接続され筒状軸部材６４の回転にともなって揺動することができるアーム６２と、を有している。第１供給ライン３０の吐出開口３０ａおよび第２供給ライン４５の吐出開口４５ａは、アーム６２の一方の端部の領域（先端部の領域）６２ａに支持されている。アーム６２は、他方の端部の領域（基端部の領域）６２ｂにおいて、隔壁５４を貫通して延びる筒状軸部材６４の一端と接続されている。筒状軸部材６４は、円筒状に形成され、その中心軸線を中心として回転可能に保持されている。このような構成によれば、図４に示すように、支持部材６０に支持された吐出開口３０ａ，４５ａは、処理位置として、ウエハＷの中心に上方から対面する位置に配置され得る。また、吐出開口３０ａ，４５ａは、非処理位置として、ウエハＷの上方領域から横方向にずれた位置に配置され得る。
In the illustrated example, the
供給ライン３０，４５の吐出開口３０ａ，４５ａが、処理中にウエハＷの上方に配置されるようになるアーム６２の先端部領域６２ａに支持されている。このため、図３および図４に示すように、供給ライン３０，４５の、少なくとも吐出開口３０ａ，４５ａ近傍の一部分は、支持部材６０をつたって延びるようになる。本実施の形態において、第１供給ライン３０および第２供給ライン４５は、概ね並行して、アーム６２に沿って延びている。ただし、図３に示すように、第１供給ライン３０はアーム６２の一側を延び、第２供給ライン４５はアーム６２の他側を延びている。すなわち、支持部材６０のアーム６２は、第１供給ライン３０および第２供給ライン４５の間を延びる仕切り部材６３として構成され、第１供給ライン３０の経路および第２供給ライン４５の通過経路を仕切っている。具体的には、第１供給ライン３０は仕切り部材６３に支持されながら仕切り部材６３の上側を延び、第２供給ライン４５は仕切り部材６３に支持されながら仕切り部材６３の下側を延びている。
The
さらに、図３および図４に示すように、支持部材６０は、その一部分を、筒状に形成された筒状部６６として構成されている。そして、第１供給ライン３０および第２供給ライン４５の一方が、支持部材６０の筒状部６６の内部を通過して対応する液供給機構１５，４０まで延び、第１供給ライン３０および第２供給ライン４５の他方が、支持部材６０の筒状部６６の外部を通って対応する液供給機構１５，４０まで延びている。
Further, as shown in FIGS. 3 and 4, a part of the
具体的には、支持部材６０の筒状軸部材６４が、筒状部６６の部位として形成されている。加えて、筒状軸部材６４と接続されたアーム６２の基端部領域６２ｂが、すなわち、仕切り部材６３の一部分が、筒状部６６の部位として形成されている。そして、この筒状部６６内を、第２供給ライン４５が通過している。詳細には、図３に示すように、第２供給ライン４５は、その吐出開口４５ａが支持されたアーム６２の先端部領域６２ａから基端部領域６２ｂまで、アーム６２に形成された筒状部６６の内部を通過して延びている。そして、図３に示すように、アーム６２の一部分からなる筒状部６６の内部と、筒状軸部材６４からなる筒状部６６内部と、は連通しており、第２供給ライン４５は、アーム６２の一部分からなる筒状部６６の内部から、筒状軸部材６４からなる筒状部６６の内部に延び入る。その後、図３に示すように、第２供給ライン４５は、筒状軸部材６４からなる筒状部６６の内部を通過して、処理ユニット５０の隔壁５４を横切っている。
Specifically, the
一方、図３および図４に示すように、第１供給ライン３０は、アーム６２の一部分からなる筒状部６６の外部を通って、アーム６２の先端部領域６２ａから基端部領域６２ｂまで延びている。第１供給ライン３０は、アーム６２の基端部領域６２ｂにおいて支持部材６０から離間し、隔壁５４を貫通している。なお、アーム６２（仕切り部材６３）の筒状部６６として構成されていない部分は、板状に形成されている。上述したように、アーム６２（仕切り部材６３）の板状に形成されている領域においても、第１供給ライン３０および第２供給ライン４５は、アーム６２（仕切り部材６３）を間に挟んで、離間して配置されている。
On the other hand, as shown in FIGS. 3 and 4, the
なお、制御装置１２には、工程管理者等が液処理装置１０を管理するためにコマンドの入力操作等を行うキーボードや、液処理装置１０の稼働状況を可視化して表示するディスプレイ等からなる入出力装置が接続されている。また、制御装置１２は、液処理装置１０で実行される処理を実現するためのプログラム等が記録された記録媒体１３にアクセス可能となっている。記録媒体１３は、ＲＯＭおよびＲＡＭ等のメモリ、ハードディスク、ＣＤ−ＲＯＭ、ＤＶＤ−ＲＯＭおよびフレキシブルディスク等のディスク状記録媒体等、既知のプログラム記録媒体から構成され得る。
The
次に、以上のような構成からなる液処理装置１０を用いて実行され得る液処理方法の一例について、説明する。以下に説明する液処理方法においては、図５に示すようにして、被処理体としてのウエハＷが、一つの処理ユニット５０内において、洗浄処理を施される。そして、図５に示す一連の液処理方法のうちの第１液を用いた処理工程Ｓ３において、ウエハＷは、上述した液処理装置１０の第１液供給機構１５から供給される加熱された第１液を用いて、処理される。以下においては、まず、図５に示すフローチャートを参照しながら、一つの処理ユニット５０内においてウエハＷに対して施される液処理方法の概略を説明し、その後に、第１液を用いた処理工程Ｓ３を行うことに関連した液処理装置１０の動作について説明する。
Next, an example of a liquid processing method that can be executed using the
なお、以下に説明する液処理方法を実行するための各構成要素の動作は、予めプログラム記録媒体１３に格納されたプログラムに従った制御装置１２からの制御信号によって、制御される。
The operation of each component for executing the liquid processing method described below is controlled by a control signal from the
図５に示すように、まず、洗浄処理を施されるウエハＷが、液処理装置１０の各処理ユニット５０内へ持ち込まれ、各処理ユニット５０内で保持機構５２によって保持される（工程Ｓ１）。
As shown in FIG. 5, first, the wafer W to be cleaned is brought into each
次に、第２液を用いて、ウエハＷを処理する工程Ｓ２が実施される。第２液を用いた処理の具体例として、以下の処理が行われる。まず、希フッ酸（ＤＨＦ）が第２液供給機構４０から第２液として供給され、ウエハＷがエッチング処理される。次に、純水（ＤＩＷ）が第２液供給機構４０から第２液として供給され、ウエハＷがリンス処理される。このようにして、二種類の第２液を用いたウエハＷの処理が実施される。なお、本例では、第２液供給機構４５から供給される第２液は、加熱されることなく処理ユニット５０内でのウエハＷの処理に用いられる。
Next, step S2 of processing the wafer W is performed using the second liquid. As a specific example of the processing using the second liquid, the following processing is performed. First, dilute hydrofluoric acid (DHF) is supplied from the second
その後、加熱された第１液用いて、ウエハＷを処理する工程Ｓ３が実施される（工程Ｓ３）。第３液を用いた処理の具体例として、希フッ酸（ＤＨＦ）によるエッチング処理および純水によるリンス処理がなされたウエハＷに対し、４５〜６０℃程度に加熱されたＩＰＡが供給される。これにより、ウエハＷ上に残留していた純水がＩＰＡによって置換され、さらに、ウエハＷ上からＩＰＡが蒸発する。すなわち、加熱されたＩＰＡを用いて、ウエハＷの乾燥処理が実施される。ＩＰＡを加熱して用いることによって、ＩＰＡがウエハＷ上から蒸発する際に、ウエハＷから吸収される熱量を低減することができる。したがって、ウエハＷの温度低下を抑制し、ウォーターマークの原因となるウエハＷ上への結露を生じにくくさせることができる。 Thereafter, step S3 of processing the wafer W is performed using the heated first liquid (step S3). As a specific example of the processing using the third liquid, IPA heated to about 45 to 60 ° C. is supplied to the wafer W that has been subjected to etching processing using dilute hydrofluoric acid (DHF) and rinsing processing using pure water. Thereby, the pure water remaining on the wafer W is replaced by the IPA, and the IPA evaporates from the wafer W. That is, the wafer W is dried using the heated IPA. By heating and using the IPA, the amount of heat absorbed from the wafer W when the IPA evaporates from the wafer W can be reduced. Therefore, it is possible to suppress a decrease in the temperature of the wafer W and to prevent condensation on the wafer W that causes a watermark.
以上のようにして、一つの処理ユニット５０内におけるウエハＷの洗浄処理が終了し、処理が終了したウエハＷが処理ユニット５０から搬出される（工程Ｓ４）。
As described above, the cleaning process of the wafer W in one
次に、加熱された第１液を用いてウエハＷを処理する工程Ｓ３に関連した液処理装置１０の動作について説明する。
Next, the operation of the
まず、図６に示すように、加熱された第１液を用いて、処理ユニット内でウエハＷを処理する上述の工程Ｓ３に先立ち、第１液を準備する工程Ｓｐ１および加熱された第１液を用いて予熱する工程Ｓｐ２の二つの準備的な工程が、実施される。 First, as shown in FIG. 6, prior to the above-described step S3 of processing the wafer W in the processing unit using the heated first liquid, the step Sp1 for preparing the first liquid and the heated first liquid two preliminary step in step Sp2 preheating using is performed.
なお、後述の説明から明らかとなるように、第１液を準備する工程Ｓｐ１および加熱された第１液を用いて予熱する工程Ｓｐ２の二つの工程は、上述した第２液を用いたウエハＷの処理工程Ｓ２やウエハＷの搬入工程Ｓ１に影響を与えるものではない。その一方で、二つの準備工程Ｓｐ１，Ｓｐ２は、処理ユニット５０内で第１液を用いてウエハＷを処理する工程Ｓ３の前に完了していなければならない。したがって、第１液を準備する工程Ｓｐ１および加熱された第１液を用いて予熱する工程Ｓｐ２の二つの工程は、上述したウエハＷを搬入する工程Ｓ１や第２液を用いてウエハＷを処理する工程Ｓ２に先だって行われてもよいし、これらの工程Ｓ１，Ｓ２と並行して行われてもよい。
As will be apparent from the following description, the two processes of the process Sp1 for preparing the first liquid and the process Sp2 for preheating using the heated first liquid are the wafer W using the second liquid described above. This does not affect the processing step S2 or the wafer W loading step S1. On the other hand, the two preparation steps Sp1 and Sp2 must be completed before the step S3 of processing the wafer W using the first liquid in the
まず、第１液を準備する工程Ｓｐ１について説明する。この工程Ｓｐ１では、別個の処理ユニット５０へそれぞれ通じている第１供給ライン３０が複数延び出している循環ライン２０に、第１液が充填される。具体的には、第１液供給源２２の図示しない補給機構から貯留装置２２ａ内に第１液が供給される。貯留装置２２ａに補給機構から供給される第１液は、好ましくは予め所定の温度に加熱されている。さらに、加熱機構２２ｂが貯留装置２２ａ内に供給された第１液を加熱する。このようにして、循環ライン２０の貯留装置２２および循環路２４に加熱された第１液が充填される。さらに、本例では、第１液の充填の後に又は第１液の充填と並行して、送出機構２６が作動し、第１液が循環ライン２０内を循環するようになる。
First, the process Sp1 for preparing the first liquid will be described. In this step Sp1, the first liquid is filled into the
なお、以降の工程においては、加熱された第１液が送出機構２６の駆動によって第１液供給機構１５の循環ライン２０内を循環している状態で、第１液供給機構１５の循環ライン２０から複数の第１供給ライン３０のそれぞれへ加熱された第１液が流れ込むようになる。そして、第１液が、第１供給ライン３０の吐出開口３０ａから吐出されて、消費されていく。この間、第１液供給機構１５に組み込まれた第１液供給源２２の図示しない補給機構が循環ライン２０に第１液を補給するとともに、加熱機構２２ｂが循環ライン２０内の第１液を加熱して、第１液の温度を所望の温度域内の温度となるように調節し続ける。
In the subsequent processes, the heated first liquid is circulated in the
次に、加熱された第１液を用いて、第１液の処理ユニット５０への供給系統が加熱される（工程Ｓｐ２）。具体的には、加熱された第１液が第１液供給機構１５の循環ライン２０内を循環している状態で、第１液を循環ライン２０から第１供給ライン３０に流し込む。そして、加熱された第１液によって、第１液の流路が、第１液の温度と同じ温度になるまで予熱されるようになる。
Next, the supply system to the
上述したように、液処理装置１０は、第１供給ライン３０に流れ込んだ第１液を循環ライン２０に戻す戻しライン３５を有している。そして、この工程Ｓｐ２および上述した直前の工程Ｓｐ１の間、第１供給ライン３０と戻しライン３５との間に設けられた流路制御機構３８は、第１供給ライン３０の上流側を戻しライン３５と連通させている。さらに、第１リリーフ弁３９ａおよび第２リリーフ弁３９ｂによって、戻しライン３５内の第１液の圧力は、循環ライン２０内の圧力よりも低くなるように調節されている。この結果、循環ライン２０から第１供給ライン３０に流れ込んだ第１液は、戻しライン３５を介し、再び循環ライン２０へ戻される。すなわち、循環ライン２０によって構成される第１液の循環経路とは別途に、循環ライン２０の一部、第１供給ライン３０の一部および戻しライン３５を含んで加熱用（本実施の形態では、予熱用）の第２の循環経路が形成され、加熱された第１液がこの第２の循環経路を安定して循環するようになる。
As described above, the
加熱された第１液が予熱用循環路を循環することにより、第１液の処理ユニット５０への供給系統のうち予熱用の循環経路を構成する部分が、加熱された第１の液の温度と同一の温度まで加熱されるようになる。すなわち、第１供給ライン３０の一部および戻しライン３５が、加熱された第１の液の温度と同一の温度まで加熱されるようになる。また、流路制御機構３８の液供給切り替え弁（三方弁）３８ａおよび開閉弁３８ｂも、予熱用循環経路上に設けられている。すなわち、この工程Ｓｐ２において、熱容量が大きい弁類を予熱することができる。
When the heated first liquid circulates in the preheating circulation path, the portion of the supply system to the first
また、この予熱工程Ｓｐ２中、第１供給ライン３０の第２管路３１ｂに設けられた開閉弁３３は開いている。したがって、第１液は、第１管路３１ａおよび第２管路３１ｂの両方を通過して流れる。循環ライン２０から第１供給ライン３０に流れ込む第１液の流量は、手動式の流量調節弁３７を予め調節しておくことにより、設定され、流量計３６で監視される。
Further, during the preheating step Sp2, the on-off
ところで、本例では、上述した充填工程Ｓｐ１においても、液供給切り替え弁（三方弁）３８ａは、処理ユニット５０への第１液の供給を停止するため、第１供給ライン３０の上流側を戻しライン３５と連通させている。したがって、充填工程Ｓｐ１においても、第１供給ライン３０の一部および弁３８ａ，３８ｂは、充填されつつある加熱された第１液によって、加熱されることになる。この点において、第１液を準備する工程Ｓｐ１と、第１液を用いて第１供給ライン３０を予熱する工程Ｓｐ２と、は並行して実施されてもよい。
By the way, in this example, also in the filling step Sp1, the liquid supply switching valve (three-way valve) 38a returns the upstream side of the
予熱工程Ｓｐ２の次に、弁３８ａ，３８ｂを切り替えて、第１供給ライン３０の吐出開口３０ａから加熱された第１液を吐出し、上述したウエハＷを処理する工程Ｓ３が実施される。具体的には、流路制御機構３８の液供給切り替え弁３８ａが、第１供給ライン３０の上流側を、戻しライン３５とではなく、第１供給ライン３０の下流側と連通させるようになる。このとき、処理ユニット５０内のウエハＷは、保持機構５２に保持されるとともに、保持機構５２の駆動により回転している。そして、回転中のウエハＷに対面する処理位置に支持部材６０によって支持された吐出開口３０ａから、加熱された第１液がウエハＷに向けて吐出される。
Subsequent to the preheating step Sp2, the
なお、吐出開口３０ａから第１液が吐出されている間、吐出開口３０ａがウエハＷの中心部に対面する位置からウエハＷの周縁部に対面する位置へ走査するように、支持部材６０を揺動させてもよい。また、吐出開口３０ａの近傍に不活性ガス（例えば、窒素）を吐出するための吐出口が設けられ、第１液の吐出とともに不活性ガスが吐出され、さらに、第１液の乾燥が促進されるようにしてもよい。
Note that while the first liquid is being discharged from the
上述したように、第１供給ライン３０および液供給切り替え弁３８ａは、事前に行われた予熱工程Ｓｐ２において、加熱された第１液と略同一の温度にまで予熱されている。そして、図３に示すように、予熱用循環路を形成する戻しライン３５は、吐出開口３０ａの近傍において、第１供給ライン３０に接続している。
As described above, the
なお、この処理工程Ｓ３中、第１供給ライン３０の第２管路３１ｂに設けられた開閉弁３３は閉じている。したがって、第１液は、第１管路３１ａおよび第２管路３１ｂのうちの第１管路３１ａのみを通過して流れる。そして、循環ライン２０から第１供給ライン３０に流れ込む第１液の流量は、手動式の流量調節弁３２を予め調節することにより設定され、流量計３６で監視される。
Note that, during the processing step S3, the on-off
すなわち、処理ユニット５０内においてウエハＷの処理が行われていない場合に、第１液は、第１供給ライン３０の一区間を構成して並行に延びる複数の管路のうちの、二以上の管路３１ａ，３１ｂを通過して流れる。その一方で、処理ユニット５０内においてウエハＷの処理が行われている場合には、第１液が、第１供給ライン３０の一区間を構成して並行に延びる複数の管路のうちの、前記二以上の管路３１ａ，３１ｂに含まれる一部の管路３１ａのみを通過して流れる。この結果、第１供給ライン３０を予熱している際に各戻しライン３５内を流れている第１液の単位時間あたりの量が、ウエハＷを処理している際に対応する第１供給ライン３０の吐出開口３０ａから吐出されている第１液の単位時間あたりの量よりも多くなる。
That is, when the processing of the wafer W is not performed in the
このような方法によれば、適切な量の第１液でウエハＷを処理することができる。また、予熱時には、第１供給ライン３０および戻しライン３５を含んで構成される予熱用循環経路に、加熱された第１液を大流量で流し込むことができ、これにより、予熱用循環経路を、第１液の温度と同一の温度まで、短時間で加熱することができる。
According to this method, it is possible to process the wafer W by the first liquid suitable amounts. Further, at the time of preheating, the heated first liquid can be poured at a large flow rate into the preheating circulation path including the
加えて、第１液を用いてウエハＷを処理する際に第１液が通過するようになる管路３１ａは、予熱時に予熱用循環路を構成する管路であり、処理を開始する際には、第１液と同一の温度まで加熱されている。したがって、第１液を用いたウエハＷの処理時における第１液の温度変動を抑制することができ、これにより、ウエハＷの処理の程度にバラツキが生じてしまうことを効果的に抑制することができる。
In addition, the
ところで、各処理ユニット５０には、加熱された第１液が流れる第１供給ライン３０と、第１液とは異なる温度の第２供給ライン４５と、が延び入っている。そして、第１供給ライン３０および第２供給ライン４５は、ともに支持部材６０によって支持され、概ね並行して延びている。ただし、本実施の形態では、第２供給ライン４５が支持部材６０の筒状部６６の内部を通過して延び、第１供給ライン３０が支持部材６０の筒状部６６の外部を通って延びている。とりわけ、第２供給ライン４５は、筒状部６６の内部を通過して処理チャンバーを画定する隔壁５４を横切り、供給ライン３０，４５についての経路設定の自由度が処理チャンバー内と比較して格段に高くなる処理チャンバー外へ延び出している。またそもそも、第１供給ライン３０および第２供給ライン４５の間には、アーム６２によって構成された仕切り部材６３が延びており、第１供給ライン３０の経路と第２供給ライン４５の経路とが仕切り部材６３によって仕切られている。すなわち、支持部材６０のうちの筒状部６６が形成されていないアーム６２の先端部領域６２ａにおいて、第１供給ライン３０および第２供給ライン４５は、アーム６２からなる仕切り部材６３を挟んで、仕切り部材６３の互いに異なる側を延びている。これらのことから、第１供給ライン３０内の第１液と、第２供給ライン４５内の第２液と、の間での熱移動を極めて効果的に抑制することができる。したがって、第１供給ライン３０の吐出開口３０ａから第１液を期待した温度で吐出することができるとともに、第２供給ライン４５の吐出開口４５ａから第２液を期待した温度で吐出することができる。
By the way, in each
以上のような第１液を用いたウエハＷの処理工程Ｓ３は、第１供給ライン３０上に設けられた液供給切り替え弁３８ａが、上流側の第１供給ライン３０を戻しライン３５に接続し、処理ユニット５０への加熱された第１液の供給を停止することによって、終了する。この際、液供給切り替え弁３８ａの動作に伴い、戻しライン３５上の開閉弁３８ｂが閉じる。この結果、第１供給ライン３０および戻しライン３５を含んだ温度調節用の循環経路（加熱用の循環経路）が再び形成され、循環ライン２０から第１供給ライン３０に流れ込んだ第１液は、この加熱用の循環経路を流れるようになる。
In the processing step S3 of the wafer W using the first liquid as described above, the liquid
すなわち、図６に示すように、再び、温度調節工程（加熱工程）Ｓｐ２が開始される。この加熱工程Ｓｐ２は、次に処理されるべきウエハが処理ユニット５０へ搬送されるとともに、このウエハＷに対する第２液を用いた処理が終了して、次に処理されるべきウエハＷに対する第１液を用いて処理（工程Ｓ３）が開始されるまで、実施され得る。このように、加熱工程Ｓｐ２および第１液を用いた処理工程Ｓ３を繰り返すことにより、第１液を用いた処理工程Ｓ３間に、第１供給ライン３０および液供給切り替え弁３８ａの温度を維持することができ、この結果、第１液を用いた処理工程Ｓ３において、ウエハＷに対して供給される第１液の温度変動は効果的に抑制されるようになる。
That is, as shown in FIG. 6, the temperature adjustment process (heating process) Sp2 is started again. In the heating step Sp2, the wafer to be processed next is transferred to the
以上のような本実施の形態によれば、循環ライン２０から第１供給ライン３０に流れ込んだ第１液を循環ライン２０に戻す戻しライン３５が設けられている。このため、加熱された第１液は、循環ライン２０内を循環するだけでなく、第１供給ライン３０および戻しライン３５を含んで構成される循環経路内も循環することができる。したがって、処理ユニット５０で第１液を用いた処理が開始される前に、加熱された第１液を用いて、第１供給ライン３０の少なくとも一部を加熱された第１液と同じ温度まで予熱することができる。とりわけ、戻しライン３５は、各処理ユニットに通じる第１供給ライン３０に対応させて、循環ライン２０とは別途に設けられているため、対応する第１供給ライン３０の吐出開口３０ａ近傍において当該第１供給ライン３０に接続させることができる。これにより、当該処理ユニット５０での処理開始時における、第１液の温度低下を効果的に抑制することができる。また、加熱に用いられる液は、第１供給ライン３０および戻しライン３５を含んで構成される循環経路を循環しているため、第１液の消費量を増加させてしまうことはない。
According to the present embodiment as described above, the
またとりわけ、戻しライン３５は、複数の分岐管３０のうちの、液供給源２２から循環路に供給された液の循環ライン２０内での液流を基準とした最下流側の分岐管３０と循環ライン２０との接続位置よりも下流側の位置において循環ライン２０に接続している。したがって、予熱工程Ｓｐ２中、温度が低下している可能性がある予熱に用いられた第１液は、直接他の処理ユニット５０へ送り込まれて当該処理ユニット５０内でのウエハＷの処理に用いられることはない。予熱に用いられた第１液は、加熱された液が補給され且つ加熱機構２２ｂが設けられている液供給源２２を経由して、再び、循環ライン２０からいずれかの第１供給ライン３０に流れ込むようになる。このため、液処理装置５０には多数の処理ユニット５０が設けられ、各処理ユニット５０内でウエハＷの処理が別々のタイミングで進行していくが、循環ライン２０から各第１供給ライン３０に供給される第１液の温度を安定させることができる。すなわち、一つの処理ユニット５０でのウエハＷに対する処理が、他の処理ユニット５０で実施されているウエハＷの処理に影響を及ぼしてしまうことを抑制することができる。これにより、各処理ユニット５０において、加熱された第１液を用いて安定した処理を行うことができ、加熱された第１液を用いたウエハＷの処理の程度の変動を、処理ユニット５０間で、効果的に抑制することができる。
In particular, the
さらに加えて、処理ユニット５０でのウエハＷの処理に用いられる第１液の供給および供給停止を切り替える液供給切り替え弁３８ａが、第１供給ライン３０から戻しライン３５を介して第１液供給機構１５へ戻る第１液の予熱用の循環経路上に位置している。処理ユニット５０内へ延びていく第１供給ライン３０の液供給切り替え弁３８ａよりも下流側には、通常、弁類をさらに設ける必要はない。したがって、本実施の形態のように、液供給切り替え弁３８ａは、処理ユニット５０への第１供給ライン３０上において、最下流側に設けられた弁類となる。このため、処理ユニット５０でウエハＷの処理が開始する前、および、処理ユニット５０でウエハＷが処理される合間に、処理ユニット５０へ加熱された第１液を供給する第１供給ライン３０上のすべての弁類を加熱（予熱）しておくことができる。一般的に弁類は、第１供給ライン３０をなす管類と比較して、格段に大きい熱容量を有する。したがって、このような弁類の温度を安定させることができる本実施の形態によれば、従来の装置および方法と比較して、処理ユニット５０内での処理に用いられる加熱第１液の温度変動を極めて効果的に抑制することができる。
In addition, a liquid
以上のことから、本実施の形態によれば、一つのウエハＷを処理している間における加熱された第１液の温度変動を抑制することができるとともに、同一の処理ユニット５０内または異なる処理ユニット５０内において異なるウエハＷを処理する際に用いられる第１液の温度バラツキを抑制することもできる。この結果、ウエハＷに対して程度ばらつきの少ない処理を安定して施すことができる。
From the above, according to the present embodiment, temperature variation of the heated first liquid during processing of one wafer W can be suppressed, and the
また、本実施の形態によれば、処理ユニット５０内でウエハＷの処理が行われていない場合に、戻しライン３５内を流れる第１液の単位時間あたりの量が、処理ユニット５０内でウエハＷの処理が行われている場合に第１供給ライン３０の吐出開口３０ａから吐出される第１液の単位時間あたりの量よりも多くなる。したがって、第１供給ライン３０および戻しライン３５を含んで構成される循環路の予熱を短時間で実施することができる。すなわち、処理ユニット５０内において処理が短時間で間欠的に行われるような場合であっても、第１供給ライン３０および戻しライン３５を含んで構成される循環路を十分に予熱することができ、処理開始時における、第１液の温度低下を効果的に抑制することができる。
Further, according to the present embodiment, when the processing of the wafer W is not performed in the
さらに、本実施の形態によれば、第１供給ライン３０および第２供給ライン４５の一方が、支持部材６０の仕切り部材６３の一側を通過して対応する液供給機構１５，４０まで延び、第１供給ライン３０および第２供給ライン４５の他方が、支持部材６０の仕切り部材６３の他側を通過して対応する液供給機構１５，４０まで延びている。したがって、第１供給ライン３０内の第１液と、第２供給ライン４５内の第２液と、の間で熱の移動が生じてしまうことを効果的に抑制することができる。この結果、所望の温度で第１液を供給することができるとともに、所望の温度で第２液を供給することができる。
Furthermore, according to the present embodiment, one of the
なお、上述した実施の形態に対して様々な変更を加えることが可能である。以下、変形の一例について説明する。 Note that various modifications can be made to the above-described embodiment. Hereinafter, an example of modification will be described.
例えば、上述した実施の形態において、第２供給ライン４５が、仕切り部材６３によって一部分を構成される筒状部６６の内部を延び、第１供給ライン３０が当該筒状部６６の外部を延びる例を示したが、これ限られない。第１供給ライン３０が筒状部６６の内部を延び、第２供給ライン４５が当該筒状部６６の外部を延びるようにしてもよい。さらには、図７に示すように、第１供給ライン３０が、第１の筒状部６６ａの内部を延び、第２供給ライン４５が、第１の筒状部６６ａとは異なる第２の筒状部６６ｂの内部を延びるようにしてもよい。図７に示す変形例においては、第１筒状部６６ａおよび第２筒状部６６ｂの境界部が仕切り部材６３によって形成されている。なお、図７は、支持部材６０のアーム６２（仕切り部材）の変形例を説明するための図であって、アーム６２の長手方向に直交する断面において支持部材６０を示す図である。
For example, in the above-described embodiment, the
また、上述した実施の形態において、手動で開度を調節し得る流量調節弁３７が、第１管路３１ａと第２管路３１ｂとに分岐する前の第１供給ライン３０上に設けられている例を示したが、これに限られず、一例として、図２に二点鎖線で示すように、第２管路３１ｂ上に設けてもよい。このような変形例においては、第１管路３１ａに設けられた流量調節弁３２によって、第１管路３１ａを通過しうる液量が決定され、第２管路３１ｂに設けられた流量調節弁によって、第２管路３１ｂを通過し得る液量が決定される。
In the above-described embodiment, the flow
さらに、上述した実施の形態において、第１供給ライン３０の一区間が二つの管路３１ａ，３１ｂに分けられている例を示したが、これに限られない。例えば、第１供給ライン３０の一区間が三以上の管路に分けられていてもよい。また同様に、第１供給ライン３０の二以上の区間が複数の管路に分かれて延びるようにしてもよい。これらの変形例によれば、閉鎖する又は開放する管路の組み合わせを適宜変更することにより、循環ライン２０から第１供給ライン３０に流れ込み得る第１液の流量を種々の値に変更することが可能となる。
Furthermore, in the above-described embodiment, an example in which one section of the
さらに、上述した実施の形態において、第２液が加熱されない例を示したが、これに限られない。第２液が加熱されるようにしても上述した有用な作用効果を期待することができる。 Furthermore, although the example in which the second liquid is not heated has been shown in the above-described embodiment, the present invention is not limited to this. Even when the second liquid is heated, the above-described useful effects can be expected.
さらに、上述した実施の形態において、加熱機構２２ｂが、第１液供給機構１５に組み込まれ、貯留装置２２内の第１液を加熱する例を示したが、これに限られない。例えば、循環ライン２０の循環路２４を加熱する、加熱機構がさらに設けられてもよい。また、第１供給ライン３０や戻しライン３５を加熱する加熱装置がさらに設けられてもよい。
Furthermore, although the
さらに、上述した実施の形態において、第２液による処理が最初に行われ、加熱された第１液による処理がその後に行われる例を示したが、これに限られず、加熱された第１液による処理が第２液による処理の前に実施されるようにしてもよい。 Further, in the above-described embodiment, the example in which the treatment with the second liquid is first performed and the treatment with the heated first liquid is performed thereafter is not limited thereto, but the heated first liquid is not limited thereto. The process by may be performed before the process by the second liquid.
なお、以上において上述した実施の形態に対するいくつかの変形例を説明してきたが、当然に、複数の変形例を適宜組み合わせて適用することも可能である。 In addition, although the some modification with respect to embodiment mentioned above was demonstrated above, naturally, it is also possible to apply combining several modifications suitably.
さらに、冒頭にも述べたように、本発明を、ウエハの洗浄処理以外の処理にも適用することができ、また、加熱されるべき第１液は乾燥用液以外の液とすることもできる。 Furthermore, as described at the beginning, the present invention can be applied to a process other than the wafer cleaning process, and the first liquid to be heated can be a liquid other than the drying liquid. .
１０ 液処理装置
１２ 制御装置
１３ 記録媒体
１５ 液供給機構（第１液供給機構）
２０ 循環ライン
２２ 液供給機構
２２ａ 貯留装置
２２ｂ 温度調節機構（加熱機構）
２４ 循環路
２６ 送出機構
３０ 供給ライン（第１供給ライン）
３０ａ 吐出開口
３１ａ，３１ｂ 管路
３５ 戻しライン
３４ 開閉弁（液供給切り替え弁）
３５ａ 端部
３８ 流路制御機構
３８ａ 三方弁（液供給切り替え弁）
３８ｂ 開閉弁
３８ｃ 流量制御弁
３９ａ 第１リリーフ弁
３９ｂ 第２リリーフ弁
４０ 液供給機構（第２液供給機構）
４５ 供給ライン（第２供給ライン）
４５ａ 吐出開口
５０ 処理ユニット
５２ 保持機構
５４ 隔壁
６０ 支持部材
６２ アーム
６２ａ 先端部流域
６２ｂ 基端部流域
６３ 仕切り部材
６４ 軸部材
６６ 筒状部
DESCRIPTION OF
20
24
38b On-off valve 38c
45 Supply line (second supply line)
45a Discharge opening 50
Claims (10)
第１の液を供給する第１の供給ラインであって、前記第１の液を吐出する吐出開口を有した第１の供給ラインと、
前記第１の液とは異なる温度の第２の液を供給する第２の供給ラインであって、前記第２の液を吐出する吐出開口を有した第２の供給ラインと、
前記第１の供給ラインおよび前記第２の供給ラインを支持する支持部材を有し、前記第１の液および前記第２の液を用いて被処理体を処理し得るように構成された処理ユニットと、を有し、
前記支持部材は仕切り部材を有し、前記第１の供給ラインおよび前記第２の供給ラインの一方が、前記仕切り部材の一側を延び、前記第１の供給ラインおよび前記第２の供給ラインの他方が、前記仕切り部材の他側を延びている、液処理装置。 In a liquid processing apparatus for processing an object to be processed using a liquid,
A first supply line for supplying a first liquid, the first supply line having a discharge opening for discharging the first liquid;
A second supply line for supplying a second liquid having a temperature different from that of the first liquid, the second supply line having a discharge opening for discharging the second liquid;
A processing unit having a support member for supporting the first supply line and the second supply line, and configured to process an object to be processed using the first liquid and the second liquid. And having
The support member includes a partition member, and one of the first supply line and the second supply line extends on one side of the partition member, and the first supply line and the second supply line A liquid processing apparatus, the other of which extends on the other side of the partition member.
前記第１の供給ラインおよび前記第２の供給ラインの前記一方が、当該筒状部の内部を延び、前記第１の供給ラインおよび前記第２の供給ラインの前記他方が、前記支持部材の当該筒状部の外部を延びている、請求項１に記載の液処理装置。 The support member includes a cylindrical portion formed in a cylindrical shape,
The one of the first supply line and the second supply line extends inside the cylindrical portion, and the other of the first supply line and the second supply line is the one of the support member. The liquid processing apparatus according to claim 1, wherein the liquid processing apparatus extends outside the cylindrical portion.
前記支持部材の前記筒状部は、前記隔壁を貫通して延び、
前記第１の供給ラインおよび前記第２の供給ラインの前記一方は、当該筒状部の内部を通過して、前記隔壁を横切っている、請求項２に記載の液処理装置。 The processing unit further includes a partition wall that defines a processing chamber of an object to be processed,
The cylindrical portion of the support member extends through the partition;
The liquid processing apparatus according to claim 2, wherein the one of the first supply line and the second supply line passes through the inside of the cylindrical portion and crosses the partition wall.
前記第１の供給ラインおよび前記第２の供給ラインの前記一方は、前記軸部材の内部を通過して、前記隔壁を横切っている、請求項３に記載の液処理装置。 The support member includes a rotatable shaft member that constitutes the cylindrical portion, and an arm that is connected to the shaft member and can swing as the shaft member rotates. The discharge opening and the discharge opening of the second supply line are located in the region of the tip of the arm,
4. The liquid processing apparatus according to claim 3, wherein the one of the first supply line and the second supply line passes through the shaft member and crosses the partition wall.
前記アームの基端部の領域が、前記筒状部を構成する筒状の部位として形成され、
前記第１の供給ラインの前記吐出開口および前記第２の供給ラインの前記吐出開口は、前記アームの前記基端部とは反対側の先端部の領域に位置し、
前記第１の供給ラインおよび前記第２の供給ラインの前記一方は、前記アームの当該筒状の部位の内部を通過して前記アームの前記基端部領域と前記先端部領域との間を延び、
前記第１の供給ラインおよび前記第２の供給ラインの前記他方は、前記アームの当該筒状の部位の外部を通って前記アームの前記基端部領域と前記先端部領域との間を延びている、請求項２に記載の液処理装置。 The support member includes an arm that supports the first supply line and the second supply line;
The region of the base end portion of the arm is formed as a cylindrical portion constituting the cylindrical portion,
The discharge opening of the first supply line and the discharge opening of the second supply line are located in a region of a distal end portion of the arm opposite to the base end portion;
The one of the first supply line and the second supply line passes through the inside of the cylindrical portion of the arm and extends between the base end region and the tip end region of the arm. ,
The other of the first supply line and the second supply line extends between the base end region and the tip end region of the arm through the outside of the cylindrical portion of the arm. The liquid processing apparatus according to claim 2.
前記アームは前記仕切り部材を構成する、請求項１〜３のいずれか一項に記載の液処理装置。 The support member includes a rotatable shaft member, and an arm that is connected to the shaft member and can swing as the shaft member rotates, and the discharge opening and the first supply line of the first supply line The discharge opening of the two supply lines is located in the region of the tip of the arm;
The liquid processing apparatus according to claim 1, wherein the arm constitutes the partition member.
前記第１液供給機構から前記第１の供給ラインに供給された第１の液を前記第１の液供給機構へ戻す戻しラインと、
前記第１の供給ライン上に設けられ、前記処理ユニットでの被処理体の処理に用いられる第１の液の前記吐出開口への供給および供給停止を切り替える液供給切り替え弁と、をさらに有し、
前記液供給切り替え弁は、前記供給ラインから前記戻しラインを介して前記第１の液供給機構へ戻る液の経路上に、位置している、請求項１〜７のいずれか一項に記載の液処理装置。 A first liquid supply mechanism connected to the first supply line and supplying a first liquid to the first supply line;
A return line for returning the first liquid supplied from the first liquid supply mechanism to the first supply line to the first liquid supply mechanism;
A liquid supply switching valve provided on the first supply line and configured to switch supply and stop of supply of the first liquid to the discharge opening for use in processing of the object to be processed in the processing unit; ,
The said liquid supply switching valve is located on the path | route of the liquid which returns to the said 1st liquid supply mechanism via the said return line from the said supply line, The Claim 1 characterized by the above-mentioned. Liquid processing equipment.
前記第１の液供給機構から前記第１の供給ラインに供給された液を前記第１の液供給機構へ戻す戻しラインと、をさらに有し、
前記供給ラインは、前記循環ラインの前記循環路から分岐して複数設けられ、
前記複数の供給ラインのそれぞれに対応して処理ユニットおよび戻しラインが設けられ、
各戻しラインは、前記複数の供給ラインのうちの最下流側の供給ラインと前記循環ラインとの接続位置よりも下流側の位置において前記循環ラインに接続している、請求項１〜７のいずれか一項に記載の液処理装置。 A first liquid supply mechanism having a circulation line having a liquid supply source for supplying a temperature-controlled liquid, and a circulation path through which the liquid from the liquid supply source can circulate;
A return line for returning the liquid supplied from the first liquid supply mechanism to the first supply line to the first liquid supply mechanism;
A plurality of the supply lines are branched from the circulation path of the circulation line;
A processing unit and a return line are provided corresponding to each of the plurality of supply lines,
Each return line is connected to the circulation line at a position downstream of the connection position between the supply line on the most downstream side of the plurality of supply lines and the circulation line. The liquid processing apparatus according to claim 1.
第１の供給ラインから供給される第１の液を用いて被処理体を処理する工程と、
前記第１の液を用いて被処理体を処理する工程の前または後に実施される工程であって、第２の供給ラインから供給される前記第１の液とは温度の異なる第２の液を用いて被処理体を処理する工程と、を有し、
前記第１の液を用いて前記被処理体を処理する際、前記第１の液は、支持部材によって支持された第１の供給ラインの吐出開口から吐出され、
前記第２の液を用いて前記被処理体を処理する際、前記第２の液は、前記第１の供給ラインを支持する前記支持部材によって支持された前記第２の供給ラインの吐出開口から吐出され、
前記第１の供給ラインおよび第２の供給ラインの一方は、前記支持部材の少なくとも一部分を構成する仕切り部材の一側を延び、前記第１の供給ラインおよび第２の供給ラインの他方は前記仕切り部材の他側を延びている、液処理方法。 A method of processing a workpiece using a liquid,
Processing the object to be processed using the first liquid supplied from the first supply line;
A second liquid having a temperature different from that of the first liquid supplied from the second supply line, the process being performed before or after the process of processing the object using the first liquid; And a process of processing the object using
When processing the object to be processed using the first liquid, the first liquid is discharged from a discharge opening of a first supply line supported by a support member,
When the object to be processed is processed using the second liquid, the second liquid is discharged from the discharge opening of the second supply line supported by the support member that supports the first supply line. Discharged,
One of the first supply line and the second supply line extends on one side of a partition member constituting at least a part of the support member, and the other of the first supply line and the second supply line is the partition. A liquid processing method extending on the other side of the member.
Priority Applications (7)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2009179456A JP2011035133A (en) | 2009-07-31 | 2009-07-31 | Liquid processing apparatus and liquid processing method |
| US12/837,840 US8950414B2 (en) | 2009-07-31 | 2010-07-16 | Liquid processing apparatus, liquid processing method, and storage medium |
| KR1020100071348A KR101401693B1 (en) | 2009-07-31 | 2010-07-23 | Liquid processing apparatus, liquid processing method and recording medium |
| TW103133762A TWI571313B (en) | 2009-07-31 | 2010-07-29 | Liquid treatment apparatus, liquid treatment method and storage medium |
| TW099125099A TWI483784B (en) | 2009-07-31 | 2010-07-29 | Liquid treatment apparatus, liquid treatment method and storage medium |
| CN201010243590.2A CN101989538B (en) | 2009-07-31 | 2010-07-30 | Liquid processing apparatus and liquid processing method |
| KR1020130091387A KR101371107B1 (en) | 2009-07-31 | 2013-08-01 | Liquid processing apparatus, liquid processing method and recording medium |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2009179456A JP2011035133A (en) | 2009-07-31 | 2009-07-31 | Liquid processing apparatus and liquid processing method |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2011035133A true JP2011035133A (en) | 2011-02-17 |
Family
ID=43763918
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2009179456A Pending JP2011035133A (en) | 2009-07-31 | 2009-07-31 | Liquid processing apparatus and liquid processing method |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2011035133A (en) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2013251548A (en) * | 2012-05-31 | 2013-12-12 | Semes Co Ltd | Substrate cleaning device and substrate cleaning method |
| JP2014099528A (en) * | 2012-11-15 | 2014-05-29 | Tokyo Electron Ltd | Liquid treatment apparatus |
| WO2024095780A1 (en) * | 2022-11-01 | 2024-05-10 | 東京エレクトロン株式会社 | Substrate processing system and substrate processing method |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02138427U (en) * | 1989-04-24 | 1990-11-19 | ||
| JP2007311446A (en) * | 2006-05-17 | 2007-11-29 | Realize Advanced Technology Ltd | Cleaning apparatus |
| JP2008066505A (en) * | 2006-09-07 | 2008-03-21 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Fluid heating apparatus, and wafer processor utilizing same apparatus |
-
2009
- 2009-07-31 JP JP2009179456A patent/JP2011035133A/en active Pending
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02138427U (en) * | 1989-04-24 | 1990-11-19 | ||
| JP2007311446A (en) * | 2006-05-17 | 2007-11-29 | Realize Advanced Technology Ltd | Cleaning apparatus |
| JP2008066505A (en) * | 2006-09-07 | 2008-03-21 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Fluid heating apparatus, and wafer processor utilizing same apparatus |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2013251548A (en) * | 2012-05-31 | 2013-12-12 | Semes Co Ltd | Substrate cleaning device and substrate cleaning method |
| US9406501B2 (en) | 2012-05-31 | 2016-08-02 | Semes Co., Ltd. | Apparatus and method for cleaning substrate |
| JP2014099528A (en) * | 2012-11-15 | 2014-05-29 | Tokyo Electron Ltd | Liquid treatment apparatus |
| WO2024095780A1 (en) * | 2022-11-01 | 2024-05-10 | 東京エレクトロン株式会社 | Substrate processing system and substrate processing method |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| KR101371107B1 (en) | Liquid processing apparatus, liquid processing method and recording medium | |
| JP5220707B2 (en) | Liquid processing apparatus, liquid processing method, program, and program recording medium | |
| JP5714449B2 (en) | Liquid processing apparatus, liquid processing method, and storage medium | |
| JP2013045972A5 (en) | ||
| US10168618B2 (en) | Liquid processing method and storage medium | |
| US8286580B2 (en) | Apparatus and method for treating substrate | |
| JP6707412B2 (en) | Substrate liquid processing apparatus, substrate liquid processing method and storage medium | |
| JP6313231B2 (en) | Substrate liquid processing equipment | |
| JP5313074B2 (en) | Liquid processing apparatus, liquid processing method, program, and program recording medium | |
| TWI427438B (en) | Development device, method for forming resist pattern, and storage medium | |
| JP2011035133A (en) | Liquid processing apparatus and liquid processing method | |
| US20090090396A1 (en) | Method for treating process solution and apparatus for treating substrate | |
| JP7390837B2 (en) | Substrate processing method and substrate processing apparatus | |
| TW202125678A (en) | Substrate processing device and substrate processing method | |
| JP7493325B2 (en) | Substrate Processing Equipment | |
| JP6101228B2 (en) | Substrate processing apparatus and substrate processing method | |
| JP4878986B2 (en) | Substrate processing apparatus, substrate processing method, program, and recording medium | |
| JP2022183136A (en) | Substrate processing apparatus | |
| KR20240009874A (en) | Substrate processing apparatus and substrate processing method | |
| JP2022176911A (en) | Substrate processing device | |
| JP2022189762A (en) | Substrate processing apparatus | |
| KR20220037632A (en) | Apparatus and method for treating a substrate | |
| JPH1041268A (en) | Substrate treating apparatus |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A621 | Written request for application examination |
Effective date: 20110809 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 |
|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20130130 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20130208 |
|
| A02 | Decision of refusal |
Effective date: 20130614 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 |