JP2011029862A - Laminated dielectric filter - Google Patents
Laminated dielectric filter Download PDFInfo
- Publication number
- JP2011029862A JP2011029862A JP2009172657A JP2009172657A JP2011029862A JP 2011029862 A JP2011029862 A JP 2011029862A JP 2009172657 A JP2009172657 A JP 2009172657A JP 2009172657 A JP2009172657 A JP 2009172657A JP 2011029862 A JP2011029862 A JP 2011029862A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- inductor
- patterns
- dielectric layer
- dielectric
- filter
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 238000010030 laminating Methods 0.000 abstract description 6
- 238000003475 lamination Methods 0.000 abstract description 4
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 20
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 17
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 12
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 12
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 12
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 10
- 239000002923 metal particle Substances 0.000 description 8
- 239000000463 material Substances 0.000 description 7
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 6
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 6
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 6
- 239000003989 dielectric material Substances 0.000 description 5
- 238000000034 method Methods 0.000 description 5
- 238000007650 screen-printing Methods 0.000 description 4
- 229910001252 Pd alloy Inorganic materials 0.000 description 3
- 230000002238 attenuated effect Effects 0.000 description 3
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 3
- 238000007598 dipping method Methods 0.000 description 3
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 3
- 238000010304 firing Methods 0.000 description 3
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 3
- 239000002002 slurry Substances 0.000 description 3
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 3
- 229910017493 Nd 2 O 3 Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910010413 TiO 2 Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000007606 doctor blade method Methods 0.000 description 2
- 238000005498 polishing Methods 0.000 description 2
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 2
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 2
- 239000004925 Acrylic resin Substances 0.000 description 1
- 229920000178 Acrylic resin Polymers 0.000 description 1
- 229910017518 Cu Zn Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910017755 Cu-Sn Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910017752 Cu-Zn Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910002482 Cu–Ni Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910017770 Cu—Ag Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910017927 Cu—Sn Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910017943 Cu—Zn Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910001260 Pt alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 229910010293 ceramic material Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- KUNSUQLRTQLHQQ-UHFFFAOYSA-N copper tin Chemical compound [Cu].[Sn] KUNSUQLRTQLHQQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- TVZPLCNGKSPOJA-UHFFFAOYSA-N copper zinc Chemical compound [Cu].[Zn] TVZPLCNGKSPOJA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000013461 design Methods 0.000 description 1
- 238000006073 displacement reaction Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 239000004744 fabric Substances 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 1
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 1
- 238000010295 mobile communication Methods 0.000 description 1
- 239000003960 organic solvent Substances 0.000 description 1
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 1
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 1
- 229920002050 silicone resin Polymers 0.000 description 1
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 1
- 229920002803 thermoplastic polyurethane Polymers 0.000 description 1
- 229920001187 thermosetting polymer Polymers 0.000 description 1
Images
Abstract
Description
本発明は、表面に内部電極パターンを配設したセラミック誘電体層を複数積層することで積層体を形成し、積層体の側面に外部電極を形成してなる積層型誘電体フィルタに関するものである。 The present invention relates to a multilayer dielectric filter in which a multilayer body is formed by laminating a plurality of ceramic dielectric layers having internal electrode patterns disposed on the surface, and an external electrode is formed on a side surface of the multilayer body. .
複数のインダクタ素子を内蔵する積層型誘電体フィルタは、複数のインダクタパターンが形成された誘電体層が複数積層された積層体を具備して成る。この積層体の1つの側面に複数のインダクタ素子の端部が露出しており、その複数のインダクタ素子の端部が、積層体の側面に形成された複数の端子電極の幅方向の中央部にそれぞれ接続されている。 A multilayer dielectric filter including a plurality of inductor elements includes a multilayer body in which a plurality of dielectric layers each having a plurality of inductor patterns are stacked. The end portions of the plurality of inductor elements are exposed on one side surface of the multilayer body, and the end portions of the plurality of inductor elements are at the center in the width direction of the plurality of terminal electrodes formed on the side surface of the multilayer body. Each is connected.
また、各誘電体層に形成される複数のインダクタパターンは、それぞれ等間隔に形成されている。その理由は、各誘電体層におけるインダクタパターンを形成するための領域は、できるだけ大きく、かつ、それぞれ等しく形成されることが望まれているからである。これは、各誘電体層に複数のインダクタパターンを形成する場合に、各誘電体層におけるインダクタパターンを形成するための領域が広ければ、インダクタパターンを形成する際の設計の自由度が高くなるからである。また、インダクタパターンを誘電体層に形成する際は、各誘電体層におけるインダクタパターンを形成するための領域を最大限に利用し、可能な限り大きい面積にインダクタパターンが形成される。これは、近年、製品の小型化が要求されており、積層型誘電体フィルタ自体が可能な限り小型化されているのに対して、要求される所定のインダクタ値は有していなければならないため、可能な限り大きい断面積を有するインダクタ素子を形成しなければならないからである。以上の理由から、複数のインダクタパターンは、それぞれ等間隔に形成されている。 The plurality of inductor patterns formed on each dielectric layer are formed at equal intervals. The reason is that it is desired that the area for forming the inductor pattern in each dielectric layer is as large as possible and formed equally. This is because, when a plurality of inductor patterns are formed in each dielectric layer, if the area for forming the inductor pattern in each dielectric layer is large, the degree of freedom in designing the inductor pattern is increased. It is. Further, when forming the inductor pattern on the dielectric layer, the area for forming the inductor pattern in each dielectric layer is utilized to the maximum, and the inductor pattern is formed in the largest possible area. In recent years, there has been a demand for downsizing of products, and the multilayer dielectric filter itself must be as small as possible, but it must have a predetermined inductor value required. This is because an inductor element having the largest possible cross-sectional area must be formed. For the above reasons, the plurality of inductor patterns are formed at equal intervals.
また、この積層型誘電体フィルタにおいては、積層体の側面に形成された複数の端子電極は、互いに等間隔に配置されている。これは、積層型誘電体フィルタにおいて標準的な仕様として採用されている構成である。 In this multilayer dielectric filter, the plurality of terminal electrodes formed on the side surface of the multilayer body are arranged at equal intervals. This is a configuration adopted as a standard specification in the multilayer dielectric filter.
また、各誘電体層に形成される複数のインダクタパターンは、通常は同じ形状とされている。これは、複数のインダクタパターンが構成しているそれぞれのインダクタ素子のインダクタ値および減衰特性等を、各インダクタ素子同士で互いに同じにすることが要求されているからである。 In addition, the plurality of inductor patterns formed in each dielectric layer are usually the same shape. This is because each inductor element is required to have the same inductor value, attenuation characteristic, and the like of each inductor element constituted by a plurality of inductor patterns.
以上のような要求を満たす積層型誘電体フィルタの各誘電体層に形成される複数のインダクタパターンは、基本的に同一の向きで配置される(例えば、特許文献1を参照。)。 The plurality of inductor patterns formed on each dielectric layer of the multilayer dielectric filter that satisfies the above requirements are basically arranged in the same direction (see, for example, Patent Document 1).
このような積層型誘電体フィルタによれば、複数のインダクタパターンが構成しているそれぞれのインダクタ素子のインダクタ値および減衰特性等を、各インダクタ素子同士で互いに同等にすることができる。 According to such a multilayer dielectric filter, it is possible to make the inductor values and the attenuation characteristics, etc., of the respective inductor elements formed by the plurality of inductor patterns equal to each other.
以下、従来技術の問題点を、図6を用いて説明する。図6は、従来の構成の積層型誘電体フィルタの積層体を構成する誘電体層のうち、端子電極17〜20に接続される複数のインダクタパターンP1〜P4(41a〜44a)が形成された誘電体層25を示す平面図である。
Hereinafter, problems of the prior art will be described with reference to FIG. In FIG. 6, a plurality of inductor patterns P1 to P4 (41a to 44a) connected to the
図6において、インダクタパターンP1〜P4(41a〜44a)における端子電極17〜24の並びの方向に直交して誘電体層25に平行な中心線であるインダクタパターン中心線1〜4と、端子電極17〜24における端子電極17〜24の並びの方向に直交して誘電体層25に平行な中心線である端子電極中心線5〜8とのずれ量9〜12は、図6における左端のインダクタパターンP1(41a)から右端のインダクタパターンP4(44a)に行くに従って負の値から正の値へと次第に増加している。なお、ずれ量9〜12は、端子電極中心線5〜8の位置がインダクタパターン中心線1〜4の位置と比較して左側にあるときを負の値とし、端子電極中心線5〜8の位置がインダクタパターン中心線1〜4の位置と比較して右側にあるときを正の値としている。
In FIG. 6, inductor
また、前述したように、インダクタパターンP1〜P4(41a〜44a)はそれぞれ同じ形状とされているので、インダクタパターンP1〜P4(41a〜44a)における端子電極17〜24の並びの方向に直交して誘電体層25に平行な中心線であるインダクタパターン左端線13〜16と端子電極中心線5〜8との間隔が、左端のインダクタパターンP1(44a)から右端のインダクタパターンP4(44a)に行くに従って増加する。
Further, as described above, since the inductor patterns P1 to P4 (41a to 44a) have the same shape, they are orthogonal to the direction of arrangement of the
従って、インダクタパターンP1〜P4(41a〜44a)のそれぞれの経路長は、図6における左端のインダクタパターンP1(41a)から右端のインダクタパターンP4(44a)に行くに従って長くなってしまう。その結果、インダクタパターンP1〜P4(41a〜44a)により構成される複数のインダクタ素子で、それぞれ減衰特性が異なってしまうという問題点が生じていた。 Accordingly, the respective path lengths of the inductor patterns P1 to P4 (41a to 44a) become longer from the leftmost inductor pattern P1 (41a) to the rightmost inductor pattern P4 (44a) in FIG. As a result, there has been a problem that the attenuation characteristics of the plurality of inductor elements constituted by the inductor patterns P1 to P4 (41a to 44a) are different.
本発明は以上のような従来の技術における問題点に鑑みて案出されたものであり、その目的は、複数のインダクタ素子が、それぞれ同じ減衰特性を有する積層型誘電体フィルタを提供することにある。 The present invention has been devised in view of the problems in the prior art as described above, and an object of the present invention is to provide a multilayer dielectric filter in which a plurality of inductor elements have the same attenuation characteristics. is there.
本発明の積層型誘電体フィルタは、複数の誘電体層が積層されているとともに該誘電体層間にそれぞれインダクタ素子を構成する複数のインダクタパターンが形成されており、1つの側面に複数の前記インダクタ素子の一方の端部が露出している積層体と、該積層体の前記側面に前記積層体の積層方向に帯状に等間隔で形成された、それぞれ幅方向の中央部に前記インダクタ素子の一方の端部が接続されている端子電極とを具備している積層型誘電体フィルタであって、複数の前記インダクタパターンは複数の前記端子電極に対応して等間隔に並んで形成されており、前記インダクタパターンにおける前記端子電極の並びの方向に直交して前記誘電体層に平行な中心線であるインダクタパターン中心線と、前記端子電極における該端子電極の並びの方向に直交して前記誘電体層に平行な中心線である端子電極中心線とのずれ量が、前記端子電極の並びの中心を通り前記誘電体層に平行な中心線である誘電体層中心線から遠い前記インダクタパターンにおけるほど大きく、複数の前記インダクタパターンは、前記誘電体層中心線を対称軸として線対称のパターンであることを特徴とするものである。 In the multilayer dielectric filter of the present invention, a plurality of dielectric layers are laminated, and a plurality of inductor patterns constituting inductor elements are formed between the dielectric layers, and a plurality of the inductors are formed on one side surface. A laminated body in which one end portion of the element is exposed, and one side of the inductor element formed at equal intervals in a band shape in the laminating direction of the laminated body on the side surface of the laminated body. A plurality of the inductor patterns are formed at equal intervals corresponding to the plurality of terminal electrodes, An inductor pattern center line, which is a center line perpendicular to the direction of arrangement of the terminal electrodes in the inductor pattern and parallel to the dielectric layer, and the terminal electrodes of the terminal electrode A dielectric whose amount of deviation from a terminal electrode center line, which is a center line parallel to the dielectric layer and perpendicular to each direction, passes through the center of the arrangement of the terminal electrodes and is parallel to the dielectric layer The inductor pattern is larger in the inductor pattern farther from the layer center line, and the plurality of inductor patterns are line symmetric patterns with the dielectric layer center line as an axis of symmetry.
本発明の積層型誘電体フィルタによれば、複数の誘電体層が積層されているとともに誘電体層間にそれぞれインダクタ素子を構成する複数のインダクタパターンが形成されており、1つの側面に複数のインダクタ素子の一方の端部が露出している積層体と、積層体の側面に積層体の積層方向に帯状に等間隔で形成された、それぞれ幅方向の中央部にインダクタ素子の一方の端部が接続されている端子電極とを具備している積層型誘電体フィルタであって、複数のインダクタパターンは複数の端子電極に対応して等間隔に並んで形成されており、インダクタパターンにおける端子電極の並びの方向に直交して誘電体層に平行な中心線であるインダクタパターン中心線と、端子電極における端子電極の並びの方向に直交して誘電体層に平行な中心線である端子電極中心線とのずれ量が、端子電極の並びの中心を通り誘電体層に平行な中心線である誘電体層中心線から遠いインダクタパターンにおけるほど大きく、複数のインダクタパターンは、誘電体層中心線を対称軸として線対称のパターンであることから、各インダクタ素子の経路長のずれを抑制することが可能となるので、各インダクタ素子の減衰特性のずれを抑制することが可能となる。 According to the multilayer dielectric filter of the present invention, a plurality of dielectric layers are laminated, and a plurality of inductor patterns constituting inductor elements are formed between the dielectric layers, and a plurality of inductors are formed on one side surface. One end of the inductor element is formed in the laminated body with one end of the element exposed, and formed on the side surface of the laminated body at equal intervals in a strip shape in the laminating direction of the laminated body. And a plurality of inductor patterns formed at equal intervals corresponding to the plurality of terminal electrodes, wherein the plurality of inductor patterns are arranged at equal intervals. Inductor pattern center line, which is a center line that is orthogonal to the direction of alignment and parallel to the dielectric layer, and a center that is orthogonal to the direction of terminal electrode alignment in the terminal electrode and is parallel to the dielectric layer The amount of deviation from the center line of the terminal electrode is larger in the inductor pattern that is far from the center line of the dielectric layer that is the center line that passes through the center of the terminal electrode array and is parallel to the dielectric layer. Since it is a line-symmetric pattern with the body layer center line as the axis of symmetry, it is possible to suppress the deviation in path length of each inductor element, and thus it is possible to suppress the deviation in attenuation characteristics of each inductor element. Become.
以下、本発明の積層型誘電体フィルタの実施の形態の例を、添付の図面を参照しつつ詳細に説明する。 Hereinafter, an example of an embodiment of a multilayer dielectric filter of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.
図1は、本発明の積層型誘電体フィルタの実施の形態の一例を模式的に示す斜視図である。図2は、図1に示す積層型誘電体フィルタ29の内部構造を模式的に示す分解斜視図である。図3は、本発明の積層型誘電体フィルタ29の積層体100の内部の誘電体層100a〜100hのうち、端子電極17〜24に接続される複数のインダクタパターンP5〜P8(41a〜44a)が形成された誘電体層25(100b)を示す平面図である。なお、図3におけるインダクタパターンP5〜P8(41a〜44a)は、図2におけるインダクタパターン41a〜44a(P5〜P8)と同じであり、図3における誘電体層25(100b)は、図2における誘電体層100b(25)と同じである。
FIG. 1 is a perspective view schematically showing an example of an embodiment of a multilayer dielectric filter of the present invention. FIG. 2 is an exploded perspective view schematically showing the internal structure of the multilayer
図1〜図3に示す例の積層型誘電体フィルタ29は、複数の誘電体層100a〜100hが積層されているとともに誘電体層100a〜100h間にそれぞれインダクタ素子を構成する複数のインダクタパターン41a〜44a,41b〜44b,41c〜44c,41d〜44dおよび41e〜44eが形成されており、1つの側面に複数のインダクタ素子の一方の端部が露出している積層体100と、積層体100の側面に積層体100の積層方向に帯状に等間隔で形成された、それぞれ幅方向の中央部にインダクタ素子の一方の端部が接続されている端子電極17〜20とを具備している積層型誘電体フィルタ29であって、複数のインダクタパターン41a〜44aは複数の端子電極17〜24に対応して等間隔に並んで形成されており、インダクタパターン41a〜44aにおける端子電極17〜24の並びの方向に直交して誘電体層100b(25)に平行な中心線であるインダクタパターン中心線1〜4と、端子電極17〜24における端子電極17〜24の並びの方向に直交して誘電体層100b(25)に平行な中心線である端子電極中心線5〜8とのずれ量9〜12が、端子電極17〜24の並びの中心を通り誘電体層100bに平行な中心線である誘電体層中心線28から遠いインダクタパターンにおけるほど大きく、複数のインダクタパターン41a〜44aは、誘電体層中心線28を対称軸として線対称のパターンである。
The multilayer
このような構成によれば、各フィルタ回路F1〜F4におけるインダクタ素子の経路長のずれを抑制することができることから、各フィルタ回路F1〜F4におけるインダクタ素子の減衰特性のずれを抑制することが可能となる。 According to such a configuration, it is possible to suppress the deviation of the path length of the inductor element in each of the filter circuits F1 to F4. Therefore, it is possible to suppress the deviation of the attenuation characteristic of the inductor element in each of the filter circuits F1 to F4. It becomes.
本例の積層型誘電体フィルタ29は、図1および図2に示すように、第1〜第4のLCフィルタである第1〜第4フィルタ回路F1〜F4を内蔵している。以下の説明においては、図1および図2に示す本例の積層型誘電体フィルタ29において、図面上で左側から順番に第1フィルタ回路F1,第2フィルタ回路F2,第3フィルタ回路F3および第4フィルタ回路F4とする。また、図1に示す積層型誘電体フィルタ29の直方体状の積層体100について、積層体100を上面視したときの長辺側の外表面を側面とし、短辺側の外表面を端面とする。また、積層体100の側面に被着している外部電極17〜24を端子電極とし、積層体100の端面に被着している外部電極30a,30bをグランド端子とする。
As shown in FIGS. 1 and 2, the
図1に示すように、積層体100の両側面に、第1フィルタ回路F1の端子電極17,21、第2フィルタ回路F2の端子電極18,22、第3フィルタ回路F3の端子電極19,23および第4フィルタ回路F4の端子電極20,24がそれぞれ形成されており、積層体100の両端面に、第1〜第4フィルタ回路F1〜F4で共有されるグランド端子30a,30bがそれぞれ形成されている。
As shown in FIG. 1,
また、図2に示すように、積層体100は、複数の誘電体層100a〜100hが積層されて構成されており、誘電体層100a〜100hの各層には第1〜第4のフィルタ回路F1〜F4を構成するインダクタパターンおよび各種電極が形成されている。
As shown in FIG. 2, the
例えば、図2における第1フィルタ回路F1は、誘電体層100b〜100f上に形成されたインダクタパターン41a〜41eと、誘電体層100g上に形成された容量電極51と、誘電体層100h上に形成されたグランド電極60と、インダクタパターン41a〜41eを相互に接続する貫通導体であるビアホール導体91a〜91dとから構成されている。そして、インダクタパターン41a〜41eおよびこれらを接続しているビアホール導体91a〜91dによって、所定の巻き数を有するコイル状のインダクタ素子が構成されている。また、グランド電極60とこれに誘電体層100gを介して対向する容量電極51との間で容量を形成している。
For example, the first filter circuit F1 in FIG. 2 includes
そして、第1フィルタ回路F1を構成するインダクタ素子の両端部に位置するインダクタパターン41e,41aは、積層体100の側面に導出されて端子電極17,21にそれぞれ接続されている。同様に、第1フィルタ回路F1を構成する容量電極51は積層体100の側面に導出されて端子電極21に、グランド電極60は積層体100の端面に導出されて接地端子30a,30bに、それぞれ接続されている。
The
同様に、図2における第2フィルタ回路F2は、誘電体層100b〜100f上に形成されたインダクタパターン42a〜42eと、誘電体層100g上に形成された容量電極52と、誘電体層100h上に形成されたグランド電極60と、インダクタパターン42a〜42eを相互に接続する貫通導体であるビアホール導体(図示せず)とから構成されている。そして、インダクタパターン42a〜42eおよびこれらを接続しているビアホール導体によって、所定の巻き数を有するコイル状のインダクタ素子が構成されている。また、グランド電極60とこれに誘電体層100gを介して対向する容量電極52との間で容量を形成している。
Similarly, the second filter circuit F2 in FIG. 2 includes
そして、第2フィルタ回路F2を構成するインダクタ素子の両端部に位置するインダクタパターン42e,42aは、積層体100の側面に導出されて端子電極18,22にそれぞれ接続されている。同様に、第1フィルタ回路F1を構成する容量電極52は積層体100の側面に導出されて端子電極22に、グランド電極60は積層体100の端面に導出されて接地端子30a,30bに、それぞれ接続されている。
The
同様に、図2における第3フィルタ回路F3は、誘電体層100b〜100f上に形成されたインダクタパターン43a〜43eと、誘電体層100g上に形成された容量電極53と、誘電体層100h上に形成されたグランド電極60と、インダクタパターン43a〜43eを相互に接続している貫通導体であるビアホール導体(図示せず)とから構成されている。そして、インダクタパターン43a〜43eおよびこれらを接続しているビアホール導体によって、所定の巻き数を有するコイル状のインダクタ素子が構成されている。また、グランド電極60とこれに誘電体層100gを介して対向する容量電極53との間で容量を形成している。
Similarly, the third filter circuit F3 in FIG. 2 includes
そして、第3フィルタ回路F3を構成するインダクタ素子の両端部に位置するインダクタパターン43e,43aは、積層体100の側面に導出されて端子電極19,23にそれぞれ接続されている。同様に、第3フィルタ回路F3を構成する容量電極53は積層体100の側面に導出されて端子電極23に、グランド電極60は積層体100の端面に導出されて接地端子30a,30bに、それぞれ接続されている。
The
同様に、図2における第4フィルタ回路F4は、誘電体層100b〜100f上に形成されたインダクタパターン44a〜44eと、誘電体層100g上に形成された容量電極54と、誘電体層100h上に形成されたグランド電極60と、インダクタパターン44a〜44eを相互に接続している貫通導体であるビアホール導体(図示せず)とから構成されている。そして、インダクタパターン44a〜44eおよびこれらを接続しているビアホール導体によって、所定の巻き数を有するコイル状のインダクタ素子が構成されている。また、グランド電極60とこれに誘電体層100gを介して対向する容量電極54との間で容量を形成している。
Similarly, the fourth filter circuit F4 in FIG. 2 includes
そして、第4フィルタ回路F4を構成するインダクタ素子の両端部に位置するインダクタパターン44e,44aは、積層体100の側面に導出されて端子電極20,24にそれぞれ接続されている。同様に、第4フィルタ回路F4を構成する容量電極54は積層体100の側面に導出されて端子電極24に、グランド電極60は積層体100の端面に導出されて接地端子30a,30bに、それぞれ接続されている。
The
このようにして、本例の積層型誘電体フィルタ29には、4つのLCフィルタとしての第1〜第4フィルタ回路F1〜F4を内蔵した、多連型のLCフィルタが構成されている。
In this way, the
本例の積層型誘電体フィルタ29は、携帯電話または小型PC(Personal Computer:パーソナル・コンピュータ)等の移動体通信機器の内部における、LCD(Liquid Crystal Display:液晶ディスプレイ),メモリー部,RF(Radio Frequency:無線周波数)回路およびカメラ部等の各構成部への信号を伝送するための信号ライン等で使用される。この信号ラインには外部からのノイズが重畳しやすいので、信号ラインのノイズを減衰させるために用いられる。また、積層型誘電体フィルタ29は、携帯電話または小型PC等の他にも、カーナビゲーションシステムやテレビ等の高周波信号が使用されるデジタル機器に使用される。
The laminated
本例の積層型誘電体フィルタ29における積層体100は、複数の誘電体層100a〜100hを積層した構成となっている。誘電体層100a〜100hの材料としては、例えばTiO2−Nd2O3−BaTiO3系等の高誘電率のセラミック材料が用いられる。なお、各誘電体層100a〜100hの厚さは、例えば5〜300μmに適宜設定される。
The
複数のインダクタパターン41a〜44a(P5〜P8),41b〜44b,41c〜44c,41d〜44dおよび41e〜44eは、誘電体層100a〜100h間にそれぞれインダクタ素子を構成するものとして形成されており、その複数のインダクタ素子の一方の端部は、積層体100の側面の1つに露出している。
The plurality of
図2に示すように、本例の積層型誘電体フィルタ29においては、内部電極の種類として、インダクタ素子を構成するインダクタパターン41a〜44a(P5〜P8),41b〜44b,41c〜44c,41d〜44d,41e〜44e、ならびに容量素子を構成する容量電極51〜54およびグランド電極60が、それぞれ各誘電体層100a〜100h間に形成されている。以下、内部電極というときには、これらインダクタパターン41a〜44a(P5〜P8),41b〜44b,41c〜44c,41d〜44d,41e〜44e、ならびに容量電極51〜54およびグランド電極60を示すものである場合がある。
As shown in FIG. 2, in the
また、複数のインダクタ素子を構成するインダクタパターン41a〜44a(P5〜P8)および41e〜44e,容量電極51〜54ならびにグランド電極60の端部が、それぞれ積層体100の側面または端面に露出している。
In addition,
また、複数のインダクタパターン41a〜44a(P5〜P8),41b〜44b,41c〜44c,41d〜44dおよび41e〜44eは、等間隔に並んで形成されている。各誘電体層100a〜100hにおけるインダクタパターン41a〜44a,41b〜44b,41c〜44c,41d〜44dおよび41e〜44eを形成するための領域は、できるだけ大きく、かつ、それぞれ等しく設定されることが望まれている。これは、各誘電体層100b〜100fに複数のインダクタパターン41a〜44a,41b〜44b,41c〜44c,41d〜44dおよび41e〜44eを形成する場合に、各誘電体層100b〜100fにおけるインダクタパターン41a〜44a,41b〜44b,41c〜44c,41d〜44dおよび41e〜44eを形成するための領域が広ければ、インダクタパターン41a〜44a,41b〜44b,41c〜44c,41d〜44dおよび41e〜44eを形成する際の設計の自由度が高くなるからである。また、インダクタパターン41a〜44a,41b〜44b,41c〜44c,41d〜44dおよび41e〜44eを誘電体層100b〜100fに形成する際は、各誘電体層100b〜100fにおけるインダクタパターン41a〜44a,41b〜44b,41c〜44c,41d〜44dおよび41e〜44eを形成するための領域を最大限に利用し、可能な限り大きい面積にインダクタパターン41a〜44a,41b〜44b,41c〜44c,41d〜44dおよび41e〜44eが形成される。これは、近年、製品の小型化が要求されており、積層型誘電体フィルタ自体が可能な限り小型化されているのに対して、要求される所定のインダクタ値は有していなければならないため、可能な限り大きい断面積を有するインダクタ素子を形成しなければならないからである。以上のような理由から、複数のインダクタパターン41a〜44a(P5〜P8),41b〜44b,41c〜44c,41d〜44dおよび41e〜44eは、等間隔に並べて形成される。
The plurality of
内部電極の材料には、AgもしくはAg−Pt合金等のAgを主成分とする合金などから成る導体材料、またはCuもしくはCu−Zn合金,Cu−Sn合金,Cu−Ag合金,Cu−Ni合金等のCuを主成分とする合金などから成る導体材料を用いることができる。貫通導体であるビアホール導体の材料も、内部電極の材料と同様である。 The material of the internal electrode is a conductor material made of an alloy containing Ag as a main component such as Ag or Ag-Pt alloy, or Cu or Cu-Zn alloy, Cu-Sn alloy, Cu-Ag alloy, Cu-Ni alloy. A conductor material made of an alloy containing Cu as a main component or the like can be used. The material of the via-hole conductor that is the through conductor is the same as the material of the internal electrode.
また、内部電極の厚さは、それぞれ例えば2〜20μm程度に適宜設定される。 Further, the thickness of the internal electrode is appropriately set to about 2 to 20 μm, for example.
端子電極17〜24は、積層体100の両側面に積層体100の積層方向に帯状に等間隔で形成されており、1つの側面に形成された端子電極17〜20にはそれぞれ幅方向の中央部にインダクタ素子の一方の端部が接続され、また他の1つの側面に形成された端子電極21〜24にはそれぞれ幅方向の中央部にインダクタ素子の他方の端部が接続されている。
The
端子電極17〜20のそれぞれの幅方向の中央部にインダクタ素子の一方の端部が接続されているのは、端子電極17〜20の形成時のずれ、およびインダクタパターン41a〜44aの端子電極17〜20への引出部のパターンのずれ等を考慮しつつ、インダクタパターン41a〜44aおよび端子電極17〜20を確実に接続させるためである。
One end of the inductor element is connected to the center in the width direction of each of the
端子電極17〜24が等間隔に並んでいるのは、積層型誘電体フィルタにおいては標準的に採用されている構成として、積層体100の側面に形成された複数の端子電極17〜24は互いに等間隔で形成されているからである。
The
前述の用途向けの積層型誘電体フィルタにおいては、例えば、積層型誘電体フィルタ29の概形の寸法が、長辺が3.2mmであり、短辺が1.6mmである場合には、端子電極17〜24間の距離はそれぞれ0.8mmと設定されていることが多い。また、例えば、長辺が2.0mmであり、短辺が1.2mmである場合には、端子電極17〜24間の距離は0.5mmと設定されていることが多い。また、例えば、長辺が1.6mmであり、短辺が0.8mmである場合には、端子電極17〜24間の距離は0.4mmと設定されていることが多い。そして、前述した複数のインダクタパターン41a〜44aは、これら複数の端子電極17〜24に対応して等間隔に並んで形成されている。
In the multilayer dielectric filter for the above-mentioned application, for example, when the approximate dimensions of the
端子電極17〜24は、例えば、金属粒子および樹脂から成るものであり、これを形成するのに用いる導電性樹脂は、エポキシ樹脂,シリコーン樹脂,アクリル樹脂およびウレタン樹脂等の熱硬化性樹脂に、AgまたはAg−Pd合金等の金属粒子を含有させたものである。また、それらの樹脂および金属粒子から成る液状の導電性樹脂を、ディップ法,スクリーン印刷法あるいは転写法等によって所定のパターンで、例えば20〜30μmの厚さで塗布し、これを例えば150℃で1時間加熱して硬化させることによって形成する。
The
また、端子電極17〜24の概略の寸法は、積層体100における上下方向(積層方向)を高さとし、積層体100を上面視したときの短辺(端面側の辺)の方向を横とし、長辺(側面側の辺)の方向を縦とした場合に、積層体100の寸法が、高さが0.7mmで、横が0.8mmで、縦が1.6mm程度であるとすると、積層体100の両側面に形成される帯状の端子電極17〜24の概略の寸法は、例えば高さが0.75mmで、幅が0.2mm程度である。
Further, the approximate dimensions of the
なお、積層体100の両端面に形成される帯状の接地端子30a,30bの材料および寸法は、端子電極17〜24のものと同様である。
The materials and dimensions of the strip-shaped
次に、図6に示したような、インダクタパターンP1〜P4が誘電体層25間に同一の向きで形成されている従来の構成における、インダクタパターン中心線1〜4と端子電極中心線5〜8とのずれ量9〜12を具体的な数値を用いて説明する。以下では、説明のために積層型誘電体フィルタ29の主要部分の寸法を、例えば以下のように設定する。
Next, the inductor
長方形状の誘電体層25の長辺を1.6mmとし、端子電極17〜24の幅を0.2mmとし、端子電極17〜24同士の間隔を0.4mmとし、誘電体層25の左右の端面(短辺)と左右両端のインダクタパターンP1,P4との間隔(サイドマージン)をそれぞれ0.1mmとし、インダクタパターンP1〜P4同士の間隔を0.1mmとし、インダクタパターンP1〜P4の幅をそれぞれ0.275mmとした。
The long side of the
ここで、図6における誘電体層25の左端を原点として、右方向を正の向きとする座標であるとした場合の、原点からそれぞれの位置までの距離を以下に示す。
Here, the distance from the origin to each position when the left end of the
インダクタパターン中心線1〜4の位置は、それぞれ0.2375mm,0.6125mm,0.9875mmおよび1.3625mmである。また、端子電極中心線5〜8の位置は、それぞれ0.2mm,0.6mm,1.0mmおよび1.4mmである。
The positions of the inductor
インダクタパターン中心線1〜4と端子電極中心線5〜8とのずれ量9〜12は、原点からの端子電極中心線5〜8の位置までの距離から、原点からインダクタパターン中心線1〜4の位置までの距離を差し引いた値で示すと、誘電体層25におけるインダクタパターンP1〜P4のずれ量9〜12は、それぞれ−0.0375mm,−0.0125mm,+0.0125mmおよび+0.0375mmとなる。また、ここで、インダクタパターンP1〜P4の全てを左側へ0.0375mm移動させたとすると、誘電体層25におけるインダクタパターンP1〜P4のずれ量9〜12は、それぞれ0mm,+0.025mm,+0.050mmおよび+0.075mmとなる。
The shift amounts 9 to 12 between the inductor
すなわち、左端のインダクタパターンP1から右端のインダクタパターンP4に行くに従ってずれ量9〜12が大きくなっており、左端のインダクタパターンP1と右端のインダクタパターンP4とでは、0.075mmのずれ量の差が生じる。従って、インダクタパターン左端線13〜16と端子電極中心線5〜8との間の間隔は、左端のインダクタパターンP1から右端のインダクタパターンP4に行くに従って大きくなり、また、左端のインダクタパターンP1と右端のインダクタパターンP4とでは、0.075mmの間隔の差が生じる。
That is, the deviations 9 to 12 increase from the leftmost inductor pattern P1 to the rightmost inductor pattern P4, and a difference in deviation of 0.075 mm occurs between the leftmost inductor pattern P1 and the rightmost inductor pattern P4. . Accordingly, the interval between the inductor pattern
その結果、インダクタパターンP1〜P4の経路長は、左端のインダクタパターンP1から右端のインダクタパターンP4に行くに従って大きくなり、また、左端のインダクタパターンP1と右端のインダクタパターンP4とでは、0.075mmの経路長の差が生じることとなる。 As a result, the path length of the inductor patterns P1 to P4 increases from the leftmost inductor pattern P1 to the rightmost inductor pattern P4, and the 0.075 mm path between the leftmost inductor pattern P1 and the rightmost inductor pattern P4. There will be a difference in length.
しかし、ここで、これらのずれ量9〜12が、それぞれ−0.0375mm,−0.0125mm,+0.0125mmおよび+0.0375mmであり、これらの絶対値が左右対称といえるものになっていることに着目すると、以下のことが分かる。インダクタパターンP1におけるインダクタパターン左端線13と端子電極中心線5との間隔およびインダクタパターンP4におけるインダクタパターン右端線26と端子電極中心線8との間隔は同じである。また、インダクタパターンP2におけるインダクタパターン左端線14と端子電極中心線6との間隔およびインダクタパターンP3におけるインダクタパターン右端線27と端子電極中心線7との間隔は同じである。
However, here, these shift amounts 9 to 12 are −0.0375 mm, −0.0125 mm, +0.0125 mm, and +0.0375 mm, respectively, and attention is paid to the fact that their absolute values are symmetrical. Then, the following is understood. The distance between the inductor pattern
そこで、本発明においては、図2および図3に示す例のように、複数のインダクタパターン41a〜41e,42a〜42e,43a〜43eおよび44a〜44eを、端子電極17〜24の並びの中心を通り誘電体層25に平行な中心線である誘電体層中心線28を対称軸として線対称のパターンとする。
Therefore, in the present invention, as in the example shown in FIGS. 2 and 3, the plurality of
ここで、図3は、本発明の積層型誘電体フィルタ29の積層体100の内部の誘電体層100a〜100hのうち、端子電極17〜20に接続される複数のインダクタパターンP5〜P8(41a〜44a)が形成された誘電体層25(100b)を示す平面図である。
3 shows a plurality of inductor patterns P5 to P8 (41a) connected to the
なお、図3において、図6と同じ部分には図6と同じ符号を付している。また、インダクタパターンP5〜P8は、本発明の積層型誘電体フィルタの例におけるインダクタパターンを示している。さらに、図3に示す例における誘電体層25(100b)は、図2に示す例における誘電体層100b(25)を示している。以下の説明では、図3に示す例におけるインダクタパターンP5〜P8(41a〜44a)に着目する。
In FIG. 3, the same parts as those in FIG. 6 are denoted by the same reference numerals as those in FIG. Inductor patterns P5 to P8 indicate inductor patterns in the example of the multilayer dielectric filter of the present invention. Furthermore, the dielectric layer 25 (100b) in the example shown in FIG. 3 shows the
この例のような構成により、図3に示す例におけるインダクタパターンP5〜P8の経路長は誘電体層中心線28を対称軸として左右対称となり、また、インダクタパターンP5〜P8同士の経路長の最大差は0.025mmになる。具体的には、インダクタパターンP5とP8との経路長差、およびインダクタパターンP6とP7との経路長差が、最大差となる0.025mmになる。
With the configuration as in this example, the path lengths of the inductor patterns P5 to P8 in the example shown in FIG. 3 are symmetrical with respect to the dielectric
その結果、従来のようにインダクタパターンP1〜P4が誘電体層25に同一の向きで形成されている構成と比較して、インダクタパターンP5〜P8同士の経路長の最大差を低減することができる。
As a result, the maximum difference in path length between the inductor patterns P5 to P8 can be reduced as compared with the conventional configuration in which the inductor patterns P1 to P4 are formed in the
次に、従来のようにインダクタパターンP1〜P4が誘電体層25に同一の向きで形成されている構成とした場合に、誘電体層25における左端のインダクタパターンP1から右端のインダクタパターンP4までにおけるそれぞれのずれ量9〜12を、文字式を用いて以下に示す。なお、図6に示す例において、誘電体層25の左右の端面(短辺)と左右両端のインダクタパターンP1,P4との間隔(サイドマージン)をそれぞれMsとし、インダクタパターンP1〜P4同士の間隔をMpとする。
Next, when the inductor patterns P1 to P4 are formed in the same direction on the
まず、長方形状の誘電体層25の長辺の長さをLとし、端子電極17〜24同士の間隔をL/4とし、誘電体層25の左右の端面(短辺)と左右両端のインダクタパターンP1,P4との間隔(サイドマージン)をそれぞれMsとし、インダクタパターンP1〜P4同士の間隔をMpとし、インダクタパターンP1〜P4の幅をそれぞれ(L−2Ms−3Mp)/4とする。
First, the length of the long side of the
インダクタパターン中心線1〜4と原点との距離は、それぞれL/8+(6Ms−3Mp)/8,3L/8+(2Ms−Mp)/8,5L/8+(−2Ms+Mp)/8および7L/8+(−6Ms+3Mp)/8である。
The distances between the inductor
また、端子電極中心線5〜8と原点との距離は、それぞれL/8,3L/8,5L/8および7L/8である。
The distances between the terminal
すると、誘電体層25におけるインダクタパターンP1〜P4のずれ量9〜12は、それぞれ(−6Ms+3Mp)/8,(−2Ms+Mp)/8,(2Ms−Mp)/8および(6Ms−3Mp)/8となる。
Then, the shift amounts 9 to 12 of the inductor patterns P1 to P4 in the
すなわち、左端のインダクタパターンP1から右端のインダクタパターンP4に行くに従って、ずれ量9〜12が(4Ms−2Mp)/8ずつ大きくなっている。また、左端のインダクタパターンP1および右端のインダクタパターンP4では、(12Ms−6Mp)/8のずれ量の差が生じる。従って、インダクタパターン左端線13〜16と端子電極中心線5〜8との間の間隔は、左端のインダクタパターンP1から、右端のインダクタパターンP4に行くに従って大きくなり、左端のインダクタパターンP1と右端のインダクタパターンP4とでは、(12Ms−6Mp)/8の間隔の差が生じる。
That is, the shift amount 9 to 12 increases by (4Ms−2Mp) / 8 from the leftmost inductor pattern P1 to the rightmost inductor pattern P4. Further, in the leftmost inductor pattern P1 and the rightmost inductor pattern P4, a difference in deviation amount of (12Ms-6Mp) / 8 occurs. Accordingly, the interval between the inductor pattern
その結果、インダクタパターンP1〜P4の経路長は、左端のインダクタパターンP1から右端のインダクタパターンP4に行くに従って大きくなり、左端のインダクタパターンP1と右端のインダクタパターンP4とでは、(12Ms−6Mp)/8の経路長の差が生じることとなる。この値が、従来の構成の経路長の最大差である。 As a result, the path length of the inductor patterns P1 to P4 increases from the leftmost inductor pattern P1 to the rightmost inductor pattern P4. In the leftmost inductor pattern P1 and the rightmost inductor pattern P4, (12Ms-6Mp) / This results in a difference of 8 path lengths. This value is the maximum difference in the path length of the conventional configuration.
これに対して、本発明の構成を採用し、複数のインダクタパターンP5〜P8(41a〜44a)を誘電体層中心線28を対称軸として線対称のパターンとした場合には、誘電体層25におけるインダクタパターンP5〜P8同士の経路長の最大差は(4Ms−2Mp)/8となる。なお、図3においてはMsおよびMpは示していないが、図6におけるMsおよびMpと同様に定義するものである。
On the other hand, when the configuration of the present invention is adopted and the plurality of inductor patterns P5 to P8 (41a to 44a) are formed into a line symmetric pattern with the dielectric
以上の結果より分かるように、本発明によれば、インダクタパターンP5〜P8を含む各フィルタ回路F1〜F4における各インダクタ素子同士の経路長のずれが抑制されることから、各フィルタ回路F1〜F4におけるインダクタ素子の減衰特性のずれを抑制することができる。 As can be seen from the above results, according to the present invention, the path length deviation between the inductor elements in the filter circuits F1 to F4 including the inductor patterns P5 to P8 is suppressed. The deviation of the attenuation characteristic of the inductor element can be suppressed.
また、経路長の差は、サイドマージンMsおよびインダクタパターン同士の間隔Mpによって表されるため、上記の寸法の積層型誘電体フィルタに限らず、他の寸法の積層型誘電体フィルタにおいても本発明の効果を奏することができることが分かる。 Further, since the difference in path length is expressed by the side margin Ms and the interval Mp between the inductor patterns, the present invention is not limited to the multilayer dielectric filter having the above dimensions, but also in multilayer dielectric filters having other dimensions. It can be seen that the effects of can be achieved.
なお、図1で示した例の積層型誘電体フィルタ29は4つのLCフィルタを備えているが、LCフィルタの数は2つ,6つおよび8つであってもよい。
Although the
8つのLCフィルタを備えている場合は、積層型誘電体フィルタの積層体の1つの側面に8つの端子電極が被着されているものとなる。この場合、従来の構成によれば、誘電体層におけるインダクタパターンのずれ量は、それぞれ(−14Ms+7Mp)/16,(−10Ms+5Mp)/16,(−6Ms+3Mp)/16,(−2Ms+Mp)/16,(2Ms−Mp)/16,(6Ms−3Mp)/16,(10Ms−5Mp)/16および(14Ms−7Mp)/16となる。 When eight LC filters are provided, eight terminal electrodes are attached to one side surface of the multilayer body of the multilayer dielectric filter. In this case, according to the conventional configuration, the displacement amount of the inductor pattern in the dielectric layer is (−14 Ms + 7 Mp) / 16, (−10 Ms + 5 Mp) / 16, (−6 Ms + 3 Mp) / 16, (−2 Ms + Mp) / 16, (2Ms-Mp) / 16, (6Ms-3Mp) / 16, (10Ms-5Mp) / 16 and (14Ms-7Mp) / 16.
その結果、各インダクタパターンの経路長は左端のインダクタパターンから右端のインダクタパターンに行くに従って大きくなり、また、左端のインダクタパターンと右端のインダクタパターンとでは、(28Ms−14Mp)/16の経路長の差が生じる。この値が、経路長の最大差である。 As a result, the path length of each inductor pattern increases from the left end inductor pattern to the right end inductor pattern, and the path length of (28 Ms-14 Mp) / 16 is obtained between the left end inductor pattern and the right end inductor pattern. There is a difference. This value is the maximum difference in path length.
ここで、本発明の構成を採用し、複数のインダクタパターンを誘電体層中心線を対称軸として線対称のパターンとした場合には、誘電体層におけるインダクタパターン同士の経路長の最大差は(4Ms−2Mp)/16となる。 Here, when the configuration of the present invention is employed and the plurality of inductor patterns are made to be line symmetric patterns with the dielectric layer center line as the axis of symmetry, the maximum difference in path length between the inductor patterns in the dielectric layer is ( 4Ms-2Mp) / 16.
従って、本発明によれば、8つのLCフィルタが含まれている積層型誘電体フィルタにおいても、各インダクタ素子同士の経路長のずれが抑制されていることが分かる。 Therefore, according to the present invention, it can be seen that even in the multilayer dielectric filter including eight LC filters, the deviation of the path length between the inductor elements is suppressed.
以上の説明で用いた誘電体層25(100b)の長辺の長さLの値は、例えば0.8mm〜3.2mmに設定される。 The value of the length L of the long side of the dielectric layer 25 (100b) used in the above description is set to 0.8 mm to 3.2 mm, for example.
例えば誘電体層25(100b)の長辺の長さLの値が3.2mmのときには、サイドマージンMsの値は0.05〜0.15mmに設定される。また、インダクタパターンP1〜P4同士の間隔Mpの値は0.075〜0.15mmに設定される。 For example, when the value of the length L of the long side of the dielectric layer 25 (100b) is 3.2 mm, the value of the side margin Ms is set to 0.05 to 0.15 mm. The value of the interval Mp between the inductor patterns P1 to P4 is set to 0.075 to 0.15 mm.
また、例えば誘電体層25(100b)の長辺の長さLの値が2.4mmのときには、サイドマージンMsの値は0.05〜0.15mmに設定される。また、インダクタパターンP1〜P4同士の間隔Mpの値は0.03〜0.12mmに設定される。 For example, when the value of the length L of the long side of the dielectric layer 25 (100b) is 2.4 mm, the value of the side margin Ms is set to 0.05 to 0.15 mm. The value of the interval Mp between the inductor patterns P1 to P4 is set to 0.03 to 0.12 mm.
また、例えば誘電体層25(100b)の長辺の長さLの値が1.6mmのときには、サイドマージンMsの値は0.05〜0.12mmに設定される。また、インダクタパターンP1〜P4同士の間隔Mpの値は0.02〜0.12mmに設定される。 For example, when the value of the long side length L of the dielectric layer 25 (100b) is 1.6 mm, the value of the side margin Ms is set to 0.05 to 0.12 mm. Further, the value of the interval Mp between the inductor patterns P1 to P4 is set to 0.02 to 0.12 mm.
また、例えば誘電体層25(100b)の長辺の長さLの値が0.8mmのときには、サイドマージンMsの値は0.03〜0.1mmに設定される。また、インダクタパターンP1〜P4同士の間隔Mpの値は0.02〜0.12mmに設定される。 For example, when the value of the long side length L of the dielectric layer 25 (100b) is 0.8 mm, the value of the side margin Ms is set to 0.03 to 0.1 mm. Further, the value of the interval Mp between the inductor patterns P1 to P4 is set to 0.02 to 0.12 mm.
本発明の積層型誘電体フィルタは、以下に説明するようなセラミックグリーンシート積層法により作製される。 The multilayer dielectric filter of the present invention is produced by a ceramic green sheet lamination method as described below.
具体的には、まずセラミック原料粉末に適当な有機溶剤等を添加し混合して泥漿状のセラミックスラリーにするとともに、ドクターブレード法等を用いることによってセラミックグリーンシートを形成する。 Specifically, first, an appropriate organic solvent or the like is added to the ceramic raw material powder and mixed to obtain a slurry-like ceramic slurry, and a ceramic green sheet is formed by using a doctor blade method or the like.
次に、得られたセラミックグリーンシートにスクリーン印刷法等によって、インダクタパターン41a〜44a,41b〜44b,41c〜44c,41d〜44d,41e〜44e、ならびに容量電極51〜54およびグランド電極60といった各種の内部電極を形成して、これらを積層し圧着して積層体100の成形体を作製する。
Next, various types of
次に、この積層体100の成形体を所定の大きさに分割して、例えば800〜1050℃で焼成することによって、焼結した積層体100が得られる。
Next, the molded body of the
次に、得られた積層体100の角部に、マイクロクラックを除去し、欠けの発生を防止する目的で、バレル研磨等による面取りを施す。
Next, chamfering by barrel polishing or the like is performed on the corners of the obtained
次に、ディップ法,スクリーン印刷法または転写法等によって積層体100の側面および端面に金属粒子および樹脂を含む導電性ペーストを所定の帯状のパターンに塗布し、これを例えば150℃で1時間加熱して硬化させることによって、端子電極17〜24および接地端子30a,30bを形成する。
Next, a conductive paste containing metal particles and a resin is applied to a side surface and an end surface of the laminate 100 by a dipping method, a screen printing method, a transfer method or the like, and this is heated at 150 ° C. for 1 hour, for example. Then, the
次に、端子電極17〜24および接地端子30a,30bの表面に、必要に応じてNiメッキ層,Auメッキ層,Snメッキ層あるいは半田メッキ層等のメッキ層を形成して、積層型誘電体フィルタ29を得る。
Next, a plating layer such as a Ni plating layer, an Au plating layer, a Sn plating layer, or a solder plating layer is formed on the surfaces of the
本発明の積層型誘電体フィルタの実施例を以下に説明する。なお、本実施例においては、図1〜図3に示す例の積層型誘電体フィルタ29を作製した。
Examples of the multilayer dielectric filter of the present invention will be described below. In this example, the
まず、TiO2−Nd2O3−BaTiO3粉末を用いてセラミックスラリーを作製し、そのセラミックスラリーを用いてドクターブレード法によって、誘電体層100a〜100hとなるセラミックグリーンシートを作製した。誘電体層100a〜100hの厚さは焼成後に30μmとなるように設定した。
First, a ceramic slurry was formed using TiO 2 -Nd 2 O 3 -
次に、得られたセラミックグリーンシートにAg−Pd合金を含む導体性ペーストを用いてスクリーン印刷法によって、容量電極51〜54,インダクタパターン41a〜41e,42a〜42e,43a〜43eおよび44a〜44e,グランド電極60ならびに貫通導体であるビアホール導体を形成し、これらを積層し圧着して、積層体100の成形体を作製した。
Next,
ここで、インダクタパターン41a〜41e,42a〜42e,43a〜43eおよび44a〜44eは、誘電体層中心線28を対称軸として線対称のパターンとした。なお、サイドマージンMsおよびインダクタパターンP5〜P8同士の間隔Mpの値は、それぞれ0.1mmとした。また、誘電体層25の長辺の長さLを1.6mmとし、端子電極17〜24の幅を0.2mmとし、端子電極17〜24同士の間隔を0.4mmとし、インダクタパターンP5〜P8(41a〜44a)の幅をそれぞれ0.275mmとした。
Here, the
また、積層体100の成形体は、いわゆる多数個取りの形態で作製したものを個々に分割することによって作製した。積層体100の成形体の寸法は、積層体100における上下方向(積層方向)を高さとし、積層体100を上面視したときの短辺(端面側の辺)の方向を横とし、長辺(側面側の辺)の方向を縦とした場合に、焼成後に高さが0.7mmとなり、横が0.8mmとなり、縦が1.6mmとなるものとした。また、内部電極の厚さは、焼成後に4μmとなるように設定した。
In addition, the molded body of the
次に、この積層体100の成形体を900℃で焼成することにより、焼結した複数の積層体100を得た。
Next, the molded body of the laminate 100 was fired at 900 ° C. to obtain a plurality of
次に、得られた積層体100のそれぞれの角部にバレル研磨によって面取りを施した。
Next, each corner of the obtained
次に、ディップ法によって、積層体100の両端面および両側面に、金属粒子および樹脂を含む導電性樹脂ペーストを25μmの厚さで端子電極17〜24および接地端子30a,30bとなる帯状のパターンに塗布した。
Next, a strip-like pattern in which a conductive resin paste containing metal particles and a resin is formed on both end surfaces and both side surfaces of the laminate 100 by a dipping method to form
この導電性樹脂ペーストは、エポキシ樹脂およびAg−Pd合金の金属粒子を含むものを用いた。また、端子電極17〜24および接地端子30a,30bとなる導電性樹脂ペースト全体に対する金属粒子の含有率は50質量%とした。金属粒子には、平均粒径が10μm程度であり、球形状および鱗片形状,板形状,扁平形状等のフレーク形状であるものを用いた。
As this conductive resin paste, a paste containing epoxy resin and Ag—Pd alloy metal particles was used. Moreover, the content rate of the metal particles with respect to the whole conductive resin paste used as the terminal electrodes 17-24 and the
次に、導電性樹脂ペーストが塗布された積層体100を150℃で1時間の条件で加熱し、導電性樹脂ペーストを硬化させることによって、端子電極17〜24および接地端子30a,30bを形成した。ここで、端子電極17〜24および接地端子30a,30bの寸法は、硬化後の高さ(積層体100の高さ方向の長さ)が0.75mmであり、幅が0.25mmであるものとした。
Next, the
次に、端子電極17〜24および接地端子30a,30bの表面にNiメッキ層を被着させて、実施例の積層型誘電体フィルタ29を得た。
Next, a Ni plating layer was deposited on the surfaces of the
また、比較例として、図6に示すようにインダクタパターンP1〜P4が同一の向きで形成されている誘電体層25を含む積層体から成る積層型誘電体フィルタを作製した。なお、図6に示した誘電体層25以外の誘電体層も、誘電体層25に対応して、インダクタパターンP1〜P4が全て同一の向きで形成されているものとした。また、インダクタパターンP1〜P4が形成される向き以外の構成は、実施例の積層型誘電体フィルタ29と同様のものとした。
As a comparative example, a multilayer dielectric filter composed of a multilayer body including a
そして、実施例の積層型誘電体フィルタ29および比較例の積層型誘電体フィルタをそれぞれ実装基板に実装し、それぞれ定格電流が35mAで定格電圧が25Vの電流を流し、測定器(アジレントテクノロジー社製、ネットワークアナライザ8714)を使用して、周波数特性を測定した。
Then, the
また、この耐久性試験における実装基板は、ガラスクロスにエポキシ樹脂を含浸させて形成した。また、この実装基板に半田を使用して、実施例および比較例の積層型誘電体フィルタを実装した。 Further, the mounting substrate in this durability test was formed by impregnating a glass cloth with an epoxy resin. In addition, the multilayer dielectric filters of Examples and Comparative Examples were mounted using solder on the mounting substrate.
その測定結果をそれぞれ図4および図5に示す。図4は本発明の実施例の積層型誘電体フィルタ29について、フィルタ回路F1およびそれに隣接するフィルタ回路F2の減衰特性を測定した結果を示すグラフである。グラフの横軸は積層型誘電体フィルタ29に印加した信号の周波数(単位:MHz)を、縦軸は積層型誘電体フィルタ29における減衰量(単位:dB)を表している。また、破線はインダクタパターンP6を含むフィルタ回路F2の減衰特性を示しており、実線はインダクタパターンP5を含む左端のフィルタ回路F1の減衰特性を示している。
The measurement results are shown in FIGS. 4 and 5, respectively. FIG. 4 is a graph showing the results of measuring the attenuation characteristics of the filter circuit F1 and the filter circuit F2 adjacent thereto for the
また、図5は比較例の積層型誘電体フィルタについて、両端のフィルタ回路の減衰特性を測定した結果を示すグラフである。グラフの横軸は積層型誘電体フィルタに印加した信号の周波数(単位:MHz)を、縦軸は積層型誘電体フィルタにおける減衰量(単位:dB)を表している。また、破線はインダクタパターンP4を含む右端のフィルタ回路の減衰特性を示しており、実線はインダクタパターンP1を含む左端のフィルタ回路の減衰特性を示している。 FIG. 5 is a graph showing the results of measuring the attenuation characteristics of the filter circuits at both ends of the multilayer dielectric filter of the comparative example. The horizontal axis of the graph represents the frequency (unit: MHz) of the signal applied to the multilayer dielectric filter, and the vertical axis represents the attenuation (unit: dB) in the multilayer dielectric filter. The broken line indicates the attenuation characteristic of the rightmost filter circuit including the inductor pattern P4, and the solid line indicates the attenuation characteristic of the leftmost filter circuit including the inductor pattern P1.
ここでは、それぞれの積層型誘電体フィルタに700〜1000MHzの周波数の高周波信号を入力した場合における減衰量について比較し検討した。なお、実施例の積層型誘電体フィルタ29と比較例の積層型誘電体フィルタとについて、700〜1000MHzの周波数の高周波信号を入力した場合の減衰特性を比較した理由は、実施例の積層型誘電体フィルタ29は一般的な携帯電話などの通信システムで使用されることを想定して作製したものだからである。なお、携帯電話などの通信システムでは一般的に800〜1000MHz付近の高周波信号が使用されており、積層型誘電体フィルタでは、使用目的に応じてその範囲の信号を減衰させたり通過させたりしている。
Here, the amount of attenuation when a high-frequency signal having a frequency of 700 to 1000 MHz is input to each multilayer dielectric filter is compared and examined. The reason why the attenuation characteristics of the
なお、実施例の積層型誘電体フィルタ29が一般的な携帯電話などの通信システムで使用される場合は、積層型誘電体フィルタ29の内部の各フィルタ回路に印加された信号を、各フィルタ回路がそれぞれ一様に減衰させることが望まれる。従って、各フィルタ回路で減衰特性にばらつきがないことが好ましい。従って、各フィルタ回路同士の減衰極を有する周波数のばらつき、および各フィルタ回路同士での減衰量のばらつきが小さいことが好ましい。
When the
図4のグラフに示す結果から分かるように、実施例の積層型誘電体フィルタ29に700〜1000MHzの周波数の高周波信号を入力した場合の各フィルタ回路F1,F2における最大の減衰量の値は、フィルタ回路F1では874MHzにおいて−36.5dBであり、フィルタ回路F2では862MHzにおいて−41dBであった。
As can be seen from the results shown in the graph of FIG. 4, the maximum attenuation value in each of the filter circuits F1 and F2 when a high-frequency signal having a frequency of 700 to 1000 MHz is input to the
これら両フィルタ回路F1,F2での減衰特性の違いは次の通りである。両フィルタ回路F1,F2では、減衰極を有する周波数には12MHzのずれがある。また、図4に示す結果より、860MHzの信号に対して両フィルタ回路F1,F2で最大5dBのずれが生じていることが分かる。 Differences in attenuation characteristics between the two filter circuits F1 and F2 are as follows. In both filter circuits F1 and F2, the frequency having the attenuation pole has a shift of 12 MHz. Further, from the result shown in FIG. 4, it can be seen that a maximum shift of 5 dB occurs between the filter circuits F1 and F2 with respect to the 860 MHz signal.
なお、実施例の積層型誘電体フィルタ29において、各フィルタ回路F1〜F4のインダクタ素子同士の経路長の最大差はフィルタ回路F5とフィルタ回路F6との経路長の差であり、その値は、前述の通り0.025mmである。
In the
また、図5のグラフに示す結果から分かるように、比較例の積層型誘電体フィルタに700〜1000MHzの周波数の高周波信号を入力した場合の各フィルタ回路における最大の減衰量の値は、左端のフィルタ回路では874MHzにおいて−37dBであり、右端のフィルタ回路では820MHzにおいて−32dBであった。 Further, as can be seen from the results shown in the graph of FIG. 5, the maximum attenuation value in each filter circuit when a high-frequency signal having a frequency of 700 to 1000 MHz is input to the multilayer dielectric filter of the comparative example is In the filter circuit, −37 dB at 874 MHz, and in the rightmost filter circuit, −32 dB at 820 MHz.
これら両フィルタ回路での減衰特性の違いは次の通りである。両フィルタ回路では、減衰極を有する周波数には54MHzのずれがある。また、図5に示す結果より、874MHzの信号に対して両フィルタ回路で最大10dBのずれが生じていることが分かる。 The difference in attenuation characteristics between these two filter circuits is as follows. In both filter circuits, the frequency having the attenuation pole has a deviation of 54 MHz. Further, from the result shown in FIG. 5, it can be seen that a maximum deviation of 10 dB occurs in both filter circuits with respect to a signal of 874 MHz.
なお、比較例の積層型誘電体フィルタにおいて、各フィルタ回路のインダクタ素子同士の経路長の最大差は左右両端のフィルタ回路同士の経路長の差であり、その値は、前述の通り0.075mmである。 In the multilayer dielectric filter of the comparative example, the maximum difference in path length between the inductor elements of each filter circuit is the difference in path length between the filter circuits at the left and right ends, and the value is 0.075 mm as described above. is there.
以上の結果から分かるように、最大差の経路長を有するインダクタ素子を含むフィルタ回路の減衰特性において、実施例の積層型誘電体フィルタ29では、比較例の積層型誘電体フィルタと比較して、フィルタ回路同士の減衰極を有する周波数のずれは42MHz小さくなった。また、フィルタ回路同士の減衰量の最大のずれは5dB小さくなった。
As can be seen from the above results, in the attenuation characteristics of the filter circuit including the inductor element having the maximum difference path length, in the
これにより、実施例の積層型誘電体フィルタ29は、複数のインダクタパターン41a〜44a,41b〜44b,41c〜44c,41d〜44dおよび41e〜44eが誘電体層中心線28を対称軸として線対称のパターンであることから、比較例の積層型誘電体フィルタに比べて、フィルタ回路F1〜F4同士で減衰特性にばらつきがほとんど生じないものとなり、積層型誘電体フィルタ29に信号とともに流入したノイズを所望通りに減衰させることができることが分かった。つまり、実施例の積層型誘電体フィルタ29の内部の各フィルタ回路同士における減衰特性は、比較例の積層型誘電体フィルタの内部の各フィルタ回路同士における減衰特性と比較して、ばらつきが小さくなっている。従って、比較例の積層型誘電体フィルタと比較して、実施例の積層型誘電体フィルタ29では、内部の各フィルタ回路に印加された信号を、一様に減衰させることができることが分かった。
Thereby, in the
また、一般的な積層型誘電体フィルタにおいて、有している各フィルタ回路で減衰特性の違いが生じることは抑制されればされるほど好ましいとされているので、その点でも実施例の積層体誘電体フィルタ29は好ましいものであることが分かった。
In addition, in a general laminated dielectric filter, it is said that it is preferable that the difference in attenuation characteristics is suppressed in each filter circuit that is included.
1〜4:インダクタパターン中心線
5〜8:端子電極中心線
9〜12:ずれ量
13〜16:インダクタパターン左端線
17〜24:端子電極
25,100a〜100h:誘電体層
26,27:インダクタパターン右端線
28:誘電体層中心線
29:積層型誘電体フィルタ
30a,30b:接地端子
41a〜41e,42a〜42e,43a〜43e,44a〜44e:インダクタパターン
51,52,53,54:容量電極
60:グランド電極
91a〜91d:ビアホール導体
F1〜F4:第1〜第4フィルタ回路
P1〜P4:従来の例におけるインダクタパターン
P5〜P8:本発明の例におけるインダクタパターン
Ms:サイドマージン
Mp:パターン同士の間隔
L:誘電体層の長辺の長さ
1-4: Inductor pattern center lines 5-8: Terminal electrode center lines 9-12: Deviation amount
13-16: Inductor pattern left edge line
17-24: Terminal electrode
25, 100a-100h: Dielectric layer
26, 27: Inductor pattern right end line
28: Dielectric layer center line
29: Multilayer dielectric filter
30a, 30b: Ground terminal
41a-41e, 42a-42e, 43a-43e, 44a-44e: Inductor pattern
51, 52, 53, 54: Capacitance electrodes
60: Ground electrode
91a to 91d: Via hole conductors F1 to F4: First to fourth filter circuits P1 to P4: Inductor patterns P5 to P8 in the conventional example: Inductor pattern Ms in the example of the present invention: Side margin Mp: Space between patterns L: Long side length of dielectric layer
Claims (1)
該積層体の前記側面に前記積層体の積層方向に帯状に等間隔で形成された、それぞれ幅方向の中央部に前記インダクタ素子の一方の端部が接続されている端子電極と
を具備している積層型誘電体フィルタであって、
複数の前記インダクタパターンは複数の前記端子電極に対応して等間隔に並んで形成されており、前記インダクタパターンにおける前記端子電極の並びの方向に直交して前記誘電体層に平行な中心線であるインダクタパターン中心線と、前記端子電極における該端子電極の並びの方向に直交して前記誘電体層に平行な中心線である端子電極中心線とのずれ量が、前記端子電極の並びの中心を通り前記誘電体層に平行な中心線である誘電体層中心線から遠い前記インダクタパターンにおけるほど大きく、複数の前記インダクタパターンは、前記誘電体層中心線を対称軸として線対称のパターンであることを特徴とする積層型誘電体フィルタ。 A plurality of dielectric layers are laminated, and a plurality of inductor patterns constituting inductor elements are formed between the dielectric layers, and one end of the plurality of inductor elements is exposed on one side surface. A laminated body,
A terminal electrode formed on the side surface of the multilayer body at equal intervals in a strip shape in the stacking direction of the multilayer body and having one end of the inductor element connected to the center in the width direction. A laminated dielectric filter comprising:
The plurality of inductor patterns are formed at equal intervals corresponding to the plurality of terminal electrodes, and are center lines parallel to the dielectric layer perpendicular to the direction of arrangement of the terminal electrodes in the inductor pattern. The deviation amount between a certain inductor pattern center line and a terminal electrode center line which is a center line orthogonal to the direction of the terminal electrode array in the terminal electrode and parallel to the dielectric layer is the center of the terminal electrode array. The larger the inductor pattern is, the farther from the dielectric layer center line that is a center line parallel to the dielectric layer, the plurality of the inductor patterns are line symmetric patterns with the dielectric layer center line as the symmetry axis A multilayer dielectric filter characterized by the above.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2009172657A JP5295027B2 (en) | 2009-07-24 | 2009-07-24 | Multilayer dielectric filter |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2009172657A JP5295027B2 (en) | 2009-07-24 | 2009-07-24 | Multilayer dielectric filter |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2011029862A true JP2011029862A (en) | 2011-02-10 |
JP5295027B2 JP5295027B2 (en) | 2013-09-18 |
Family
ID=43638102
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2009172657A Expired - Fee Related JP5295027B2 (en) | 2009-07-24 | 2009-07-24 | Multilayer dielectric filter |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP5295027B2 (en) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2015186780A1 (en) * | 2014-06-04 | 2015-12-10 | 株式会社村田製作所 | Electronic component and method for producing same |
JP2017022584A (en) * | 2015-07-10 | 2017-01-26 | 株式会社村田製作所 | Surface-mounted filter array |
Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2001060840A (en) * | 1999-08-19 | 2001-03-06 | Kyocera Corp | Multiple connection type noise filter |
JP2001085237A (en) * | 1999-09-17 | 2001-03-30 | Murata Mfg Co Ltd | Laminated inductor array |
JP2001326121A (en) * | 2000-05-12 | 2001-11-22 | Murata Mfg Co Ltd | Laminated electronic component |
-
2009
- 2009-07-24 JP JP2009172657A patent/JP5295027B2/en not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2001060840A (en) * | 1999-08-19 | 2001-03-06 | Kyocera Corp | Multiple connection type noise filter |
JP2001085237A (en) * | 1999-09-17 | 2001-03-30 | Murata Mfg Co Ltd | Laminated inductor array |
JP2001326121A (en) * | 2000-05-12 | 2001-11-22 | Murata Mfg Co Ltd | Laminated electronic component |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2015186780A1 (en) * | 2014-06-04 | 2015-12-10 | 株式会社村田製作所 | Electronic component and method for producing same |
JPWO2015186780A1 (en) * | 2014-06-04 | 2017-04-20 | 株式会社村田製作所 | Electronic component and manufacturing method thereof |
US11227715B2 (en) | 2014-06-04 | 2022-01-18 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Electronic component |
JP2017022584A (en) * | 2015-07-10 | 2017-01-26 | 株式会社村田製作所 | Surface-mounted filter array |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP5295027B2 (en) | 2013-09-18 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US10176927B2 (en) | Composite electronic component | |
KR102345592B1 (en) | Multilayer coil component | |
JP6427770B2 (en) | Common mode noise filter | |
KR102490403B1 (en) | Multilayer coil component | |
KR102210156B1 (en) | Multilayer coil component | |
US8390417B2 (en) | Laminated electronic component | |
KR20130077400A (en) | Thin film type coil component and fabricating method thereof | |
KR20150014390A (en) | Laminated coil | |
KR101771749B1 (en) | Inductor | |
US11094444B2 (en) | Coil component | |
CN111986879A (en) | Laminated coil component | |
JP2013098279A (en) | Common mode noise filter | |
KR102085591B1 (en) | Chip type coil component and board for mounting the same | |
CN103177875B (en) | Monolithic ceramic electronic component | |
JP5295027B2 (en) | Multilayer dielectric filter | |
KR20130134868A (en) | Multilayer type inductor | |
JP7260015B2 (en) | Laminated coil components and bias tee circuits | |
US10790089B2 (en) | Stacked capacitor | |
WO2018043397A1 (en) | Stacked capacitor | |
WO2018199220A1 (en) | Multiple laminated ceramic capacitor | |
KR101973424B1 (en) | Chip electronic component and board having the same mounted thereon | |
KR20190134330A (en) | High frequency inductor | |
JP7260016B2 (en) | Laminated coil parts | |
JP7107250B2 (en) | Laminated coil parts | |
KR101558132B1 (en) | Thin film type coil component and fabricating method thereof |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20120116 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20130318 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20130514 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20130611 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 5295027 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |