JP2011029118A - Method of manufacturing organic el element - Google Patents

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善伸 小野
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Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a method of manufacturing an organic EL element, which can be manufactured simply and easily and can improve element characteristics. <P>SOLUTION: The method of manufacturing an organic EL element, in which the organic EL element having a pair of electrodes and a luminous layer installed between the electrodes is fabricated on a supporting substrate, includes a step in which a thin film including a wire and resin showing conductivity is formed on the supporting substrate and one electrode toward the supporting substrate out of the pair of electrodes is formed, a step in which ink containing a material to become the luminous layer is coated and formed on the one of electrodes and the luminous layer is formed by solidifying this, and a step in which the other electrode out of the pair of electrodes is formed in this order. After forming one of the electrodes and until the step of forming the luminous layer is completed, the oxygen concentration and moisture concentration in the atmosphere surrounding the supporting substrate are maintained at less than the atmospheric concentrations in volume ratio. <P>COPYRIGHT: (C)2011,JPO&INPIT

Description

本発明は発光装置に関する。   The present invention relates to a light emitting device.

有機EL(electroluminescence)素子は、発光材料に有機物を用いた発光素子であり、陽極および陰極からなる一対の電極と、該電極間に設けられる発光層とを備える。有機EL素子に電圧を印加すると、陽極から正孔が注入されるとともに、陰極から電子が注入され、これら正孔と電子とが発光層において結合することにより発光する。   An organic EL (electroluminescence) element is a light-emitting element using an organic material as a light-emitting material, and includes a pair of electrodes including an anode and a cathode, and a light-emitting layer provided between the electrodes. When a voltage is applied to the organic EL element, holes are injected from the anode and electrons are injected from the cathode, and light is emitted by combining these holes and electrons in the light emitting layer.

有機EL素子は、成膜方法として工程が比較的簡易な塗布法を用いて発光層を形成することができるという製造工程上の利点がある(例えば特許文献1参照)。   An organic EL element has an advantage in a manufacturing process in which a light emitting layer can be formed using a coating method having a relatively simple process as a film forming method (see, for example, Patent Document 1).

特開2007−265680号公報JP 2007-265680 A

有機EL素子は発光層から放射される光が電極を通って外に出射するため、一対の電極のうちの一方の電極は、光透過性を示す電極で構成されている。現在のところ透光率および導電性が比較的高いという電極としての特性上の観点から、インジウムスズ酸化物(Indium Tin Oxide:略称ITO)から成る薄膜が、光透過性を示す電極として多用されている。しかしながらこのITOはスパッタリング法によって形成されるため、塗布法と比較すると工程が複雑化する。そこで本発明者等は製造工程の簡易化を図るために、導電性を示すワイヤおよび樹脂を含む導電性薄膜を、ITO薄膜に換わる電極として形成することを検討している。さらにこのような導電性薄膜を電極として採用した場合の素子の製造方法において、素子特性を向上することが可能な方法を模索しているところである。   In the organic EL element, light emitted from the light emitting layer is emitted to the outside through the electrode, and therefore one electrode of the pair of electrodes is configured by an electrode exhibiting light transmittance. At present, a thin film made of indium tin oxide (abbreviated as ITO) is often used as an electrode exhibiting light transmittance from the viewpoint of characteristics as an electrode having relatively high light transmittance and conductivity. Yes. However, since this ITO is formed by the sputtering method, the process is complicated as compared with the coating method. In order to simplify the manufacturing process, the present inventors have studied to form a conductive thin film containing conductive wires and resin as an electrode replacing the ITO thin film. Furthermore, in the manufacturing method of an element when such a conductive thin film is adopted as an electrode, a method capable of improving element characteristics is being sought.

従って本発明の目的は、簡易に製造することが可能であり、素子特性を向上することが可能な有機EL素子の製造方法を提供することである。   Accordingly, an object of the present invention is to provide a method for manufacturing an organic EL element that can be easily manufactured and can improve element characteristics.

本発明は、一対の電極と、該電極間に設けられる発光層とを備える有機EL素子を、支持基板上に作製する有機EL素子の製造方法であって、
導電性を示すワイヤおよび樹脂を含む薄膜を前記支持基板上に形成することにより、前記一対の電極のうちの支持基板寄りの一方の電極を形成する工程と、
発光層となる材料を含むインキを前記一方の電極上に塗布成膜し、さらにこれを固化することにより発光層を形成する工程と、
一対の電極のうちの他方の電極を形成する工程とをこの順で含み、
前記一方の電極を形成後、発光層を形成する工程が終わるまでの間、前記支持基板の周囲の雰囲気中の酸素濃度および水分濃度を、体積比でそれぞれ大気濃度未満に保つことを特徴とする有機EL素子の製造方法に関する。
The present invention is a method for producing an organic EL element, which comprises producing an organic EL element comprising a pair of electrodes and a light emitting layer provided between the electrodes on a support substrate,
Forming a thin film containing a conductive wire and resin on the support substrate to form one of the pair of electrodes closer to the support substrate; and
A step of forming a light emitting layer by coating and forming an ink containing a material to be a light emitting layer on the one electrode, and further solidifying it;
Forming the other electrode of the pair of electrodes in this order,
The oxygen concentration and water concentration in the atmosphere around the support substrate are each kept below the atmospheric concentration by volume until the step of forming the light emitting layer is completed after forming the one electrode. The present invention relates to a method for manufacturing an organic EL element.

本発明は、前記一方の電極と前記発光層との間であって前記発光層に接して設けられる隣接層を形成する工程を、一方の電極を形成する工程後、発光層を形成する工程前にさらに含み、
該隣接層を形成する工程では、隣接層となる材料を含むインキを前記一方の電極上に塗布成膜し、さらにこれを固化することにより隣接層を形成することを特徴とする有機EL素子の製造方法に関する。
In the present invention, the step of forming an adjacent layer provided between and in contact with the light emitting layer between the one electrode and the light emitting layer is performed after the step of forming one electrode and before the step of forming the light emitting layer. Further including
In the step of forming the adjacent layer, an ink including a material that becomes the adjacent layer is applied on the one electrode, and the adjacent layer is formed by solidifying the ink. It relates to a manufacturing method.

本発明は、前記一方の電極を形成後、発光層を形成する工程が終わるまでの間、前記支持基板の周囲の雰囲気中の酸素濃度および水分濃度を、体積比でそれぞれ1000ppm以下に保つことを特徴とする有機EL素子の製造方法に関する。   According to the present invention, after the formation of the one electrode, until the step of forming the light emitting layer is completed, the oxygen concentration and the moisture concentration in the atmosphere around the support substrate are each kept at 1000 ppm or less by volume ratio. The present invention relates to a manufacturing method of a characteristic organic EL element.

本発明は、前記発光層を形成する工程では、50℃〜250℃で加熱することにより、前記発光層を固化することを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法に関する。   The present invention relates to a method for producing an organic electroluminescent element, wherein in the step of forming the light emitting layer, the light emitting layer is solidified by heating at 50 ° C. to 250 ° C.

本発明は、前記一方の電極を形成する工程では、屈折率が1.8以下であり、前記支持基板との屈折率の差の絶対値が0.4未満であり、且つ光透過性を示す前記一方の電極を形成することを特徴とする有機EL素子の製造方法に関する。   In the present invention, in the step of forming the one electrode, the refractive index is 1.8 or less, the absolute value of the difference in refractive index from the support substrate is less than 0.4, and exhibits light transmittance. The present invention relates to a method for manufacturing an organic EL element, wherein the one electrode is formed.

本発明によれば、簡易な製造方法で素子特性が向上する有機EL素子の製造方法を提供することがきる。   ADVANTAGE OF THE INVENTION According to this invention, the manufacturing method of the organic EL element which an element characteristic improves with a simple manufacturing method can be provided.

本実施形態の有機EL素子1を模式的に示す側面図である。It is a side view which shows typically the organic EL element 1 of this embodiment.

本実施形態の有機EL素子の製造方法によって支持基板上に作製される有機EL素子は、一対の電極と、該電極間に設けられる発光層とを含む。有機EL素子は一対の電極として陽極と陰極を備える。有機EL素子は、求められる特性および工程の簡易さなどを考慮して、必要に応じて発光層とは異なる所定の層を一対の電極間にさらに備えることがあり、また2層以上の発光層を一対の電極間に備えることもある。   The organic EL element produced on a support substrate by the manufacturing method of the organic EL element of this embodiment includes a pair of electrodes and a light emitting layer provided between the electrodes. The organic EL element includes an anode and a cathode as a pair of electrodes. The organic EL element may further include a predetermined layer different from the light emitting layer between the pair of electrodes as necessary in consideration of required characteristics and process simplicity, and two or more light emitting layers. May be provided between a pair of electrodes.

本実施形態では一対の電極のうちの支持基板寄りの一方の電極は、導電性を示すワイヤおよび樹脂を含む薄膜(以下、導電性樹脂薄膜ということがある)から成る。   In the present embodiment, one of the pair of electrodes closer to the support substrate is made of a thin film containing conductive wires and resin (hereinafter sometimes referred to as a conductive resin thin film).

以下では、陽極として機能する導電性樹脂薄膜を一対の電極のうちの支持基板寄りの一方の電極として設け、この導電性樹脂薄膜と発光層との間に1層の隣接層を備える形態の有機EL素子1を本発明の一実施形態として説明する。この隣接層は、発光層に接して設けられ、例えば後述する正孔注入層または正孔輸送層として機能する。   Hereinafter, a conductive resin thin film functioning as an anode is provided as one of the electrodes near the support substrate, and an organic layer having one adjacent layer between the conductive resin thin film and the light emitting layer is provided. The EL element 1 will be described as an embodiment of the present invention. This adjacent layer is provided in contact with the light emitting layer and functions as, for example, a hole injection layer or a hole transport layer described later.

図1は本実施形態の有機EL素子1を模式的に示す側面図である。本実施形態の有機EL素子1は支持基板2上に設けられる。有機EL素子1は、一方の電極3、隣接層4、発光層5、および他方の電極6を支持基板2側からこの順に積層することにより作製される。ここで一対の電極のうちで支持基板2寄りに配置される一方の電極3は、導電性樹脂薄膜に相当する。   FIG. 1 is a side view schematically showing an organic EL element 1 of the present embodiment. The organic EL element 1 of the present embodiment is provided on the support substrate 2. The organic EL element 1 is produced by laminating one electrode 3, the adjacent layer 4, the light emitting layer 5, and the other electrode 6 in this order from the support substrate 2 side. Here, of the pair of electrodes, one electrode 3 disposed closer to the support substrate 2 corresponds to a conductive resin thin film.

本実施形態では一方の電極3が陽極として設けられ、他方の電極6が陰極として設けられる。なお他の実施形態において、一方の電極3を陰極とし、他方の電極6を陽極とする有機EL素子を構成してもよい。   In the present embodiment, one electrode 3 is provided as an anode, and the other electrode 6 is provided as a cathode. In another embodiment, an organic EL element having one electrode 3 as a cathode and the other electrode 6 as an anode may be configured.

以下本実施形態の有機EL素子の製造方法について説明する。本実施形態の有機EL素子の製造方法は、導電性を示すワイヤおよび樹脂を含む薄膜を前記支持基板上に形成することにより、前記一対の電極のうちの支持基板寄りの一方の電極を形成する工程と、発光層となる材料を含むインキを前記一方の電極上に塗布成膜し、さらにこれを固化することにより発光層を形成する工程と、一対の電極のうちの他方の電極を形成する工程とをこの順で含み、前記一方の電極を形成後、発光層を形成する工程が終わるまでの間、前記支持基板の周囲の雰囲気中の酸素濃度および水分濃度を、体積比でそれぞれ大気濃度未満に保つ。   Hereinafter, the manufacturing method of the organic EL element of this embodiment is demonstrated. The manufacturing method of the organic EL element of this embodiment forms one electrode close to the support substrate of the pair of electrodes by forming a thin film containing conductive wires and resin on the support substrate. A step of forming a light emitting layer by coating and forming an ink containing a material to be a light emitting layer on the one electrode, and further solidifying the ink; and forming the other electrode of the pair of electrodes Steps in this order, and after the formation of the one electrode, until the step of forming the light emitting layer is completed, the oxygen concentration and the moisture concentration in the atmosphere around the support substrate are each expressed as an atmospheric concentration by volume ratio. Keep it below.

本実施形態では好ましい形態として発光層に隣接する隣接層が設けられる。そのため、一方の電極を形成する工程後、発光層を形成する工程前に、隣接層を形成する。隣接層を形成する工程では、隣接層となる材料を含むインキを前記一方の電極上に塗布成膜し、さらにこれを固化することにより隣接層を形成する。   In this embodiment, an adjacent layer adjacent to the light emitting layer is provided as a preferred embodiment. Therefore, the adjacent layer is formed after the step of forming one electrode and before the step of forming the light emitting layer. In the step of forming the adjacent layer, an ink containing a material to be the adjacent layer is applied on the one electrode, and the adjacent layer is formed by solidifying the ink.

<一方の電極形成工程>
本工程では導電性を示すワイヤおよび樹脂を含む薄膜を一方の電極として支持基板2上に形成する。導電性樹脂薄膜は、樹脂からなる電極膜本体と、この電極膜本体に分散された導電性を示すワイヤとを含む。このような導電性樹脂薄膜は例えば塗布法によって形成することができる。
<One electrode forming step>
In this step, a thin film containing conductive wires and resin is formed on the support substrate 2 as one electrode. The conductive resin thin film includes an electrode film main body made of a resin and a wire exhibiting conductivity dispersed in the electrode film main body. Such a conductive resin thin film can be formed by, for example, a coating method.

電極膜本体は、可視光領域の光の透過率が高いものが好適に用いられ、樹脂に加えて、無機ポリマー、無機−有機ハイブリッド化合物などをさらに含んでもよい。電極膜本体としては、導電性を有する樹脂が好適に用いられる。このように導電性を有するワイヤに加えて、導電性を有する電極膜本体を用いることによって、導電性樹脂薄膜の電気抵抗を下げることができる。導電性樹脂薄膜の膜厚は、電気抵抗および可視光の透過率などによって適宜設定され、例えば0.02μm〜2μmであり、好ましくは0.02〜1μmであるである。   As the electrode film body, one having a high light transmittance in the visible light region is preferably used, and may further contain an inorganic polymer, an inorganic-organic hybrid compound, or the like in addition to the resin. As the electrode film body, a conductive resin is preferably used. Thus, in addition to the wire which has electroconductivity, the electrical resistance of a conductive resin thin film can be lowered | hung by using the electrode film main body which has electroconductivity. The film thickness of the conductive resin thin film is appropriately set depending on the electrical resistance, the visible light transmittance, and the like, and is, for example, 0.02 μm to 2 μm, and preferably 0.02 to 1 μm.

ワイヤの径は、小さい方が好ましく、例えば400nm以下であり、200nm以下であることが好ましく、100nm以下であることがさらに好ましい。電極膜本体に配置されるワイヤは、当該電極を通る光を回折または散乱するので、ヘイズ値を高めるとともに、光の透過率を低下させるが、可視光の波長程度または可視光の波長よりも小さい径のワイヤを用いることによって、可視光に対するヘイズ値を低く抑えるとともに、光の透過率の低下を抑制することができる。またワイヤの径は、小さすぎると抵抗が高くなるので10nm以上が好ましい。   The diameter of the wire is preferably smaller, for example, 400 nm or less, preferably 200 nm or less, and more preferably 100 nm or less. The wire disposed in the electrode film body diffracts or scatters the light passing through the electrode, so that the haze value is increased and the light transmittance is reduced, but it is about the wavelength of visible light or smaller than the wavelength of visible light. By using a wire having a diameter, a haze value with respect to visible light can be suppressed to a low level and a decrease in light transmittance can be suppressed. Moreover, since resistance will become high if the diameter of a wire is too small, 10 nm or more is preferable.

電極膜本体中に分散して配置されるワイヤは、1本でも複数本でもよく、電極膜本体中において網目構造を構成していることが好ましい。例えば電極膜本体中において、1本または複数本のワイヤは、電極膜本体の全体にわたって複雑に絡み合って配置され、網目構造を構成していることが好ましい。例えば1本のワイヤが複雑に絡み合ったり、複数本のワイヤが互いに接触し合って配置されたりする構造が、2次元的または3次元的に広がって網目構造を構成していればよい。この網目構造を構成するワイヤによって導電性樹脂薄膜の体積抵抗率を下げることができる。   One wire or a plurality of wires may be disposed in a dispersed manner in the electrode film main body, and it is preferable that a network structure is formed in the electrode film main body. For example, in the electrode film main body, it is preferable that one or a plurality of wires are arranged in an intricately intertwined manner throughout the electrode film main body to form a network structure. For example, a structure in which one wire is intertwined in a complicated manner or a plurality of wires are arranged in contact with each other may be spread in two or three dimensions to form a network structure. The volume resistivity of the conductive resin thin film can be lowered by the wires constituting the network structure.

ワイヤは、例えば曲線状でも、針状でもよく、さらには管状であってもよい。曲線状、針状のワイヤが互いに接触し合って網目構造を構成することによって、体積抵抗率の低い電極を実現することができる。   The wire may be, for example, curved or needle-shaped, and may be tubular. An electrode having a low volume resistivity can be realized by forming a network structure in which curved and needle-shaped wires come into contact with each other.

(ワイヤ)
ワイヤは、電気抵抗の低い金属またはカーボンナノチューブから成ることが好ましいくい。ワイヤの材料としては例えばAg、Au、Cu、Alおよびこれらの合金などを挙げることができる。ワイヤは、例えばN.R.Jana, L.Gearheart and C.J.Murphyによる方法(Chm.Commun.,2001, p617-p618)や、C.Ducamp-Sanguesa, R.Herrera-Urbina, and M.Figlarz等による方法(J. Solid State Chem.,Vol.100, 1992, p272〜p280)によって製造することができる。例えばアミノ基含有高分子系分散剤(アイ・シー・アイ・ジャパン社製、商品名「ソルスパース24000SC」)で表面を保護した銀ナノワイヤー(長軸平均長さ1μm、短軸平均長さ10nm)をワイヤとして用いることができる。
(Wire)
The wire is preferably made of a metal or carbon nanotube with low electrical resistance. Examples of the wire material include Ag, Au, Cu, Al, and alloys thereof. For example, the wire is obtained by the method by NRJana, L. Gearheart and CJMurphy (Chm. Commun., 2001, p617-p618), the method by C. Ducamp-Sanguesa, R. Herrera-Urbina, and M. Figlarz, etc. (J. Solid State Chem., Vol. 100, 1992, p272-p280). For example, a silver nanowire (major axis average length 1 μm, minor axis average length 10 nm) whose surface is protected with an amino group-containing polymer dispersant (product name “Solsperse 24000SC” manufactured by IC Japan Ltd.) Can be used as a wire.

また線状導電体として用いられるカーボンナノチューブとしては、単層カーボンナノチューブ、二層カーボンナノチューブ、多層カーボンナノチューブ、及びロープ状カーボンナノチューブなどをあげることができ、導電性の高いものが好ましい。   Examples of the carbon nanotube used as the linear conductor include single-walled carbon nanotubes, double-walled carbon nanotubes, multi-walled carbon nanotubes, and rope-like carbon nanotubes, and those having high conductivity are preferable.

導電性樹脂薄膜を形成する方法としては、例えばワイヤを樹脂に練り込むことによって、ワイヤを樹脂に分散させる方法、ワイヤと樹脂とを分散媒に分散させた分散液を所定の塗布法によって成膜化する方法、および樹脂から成る膜の表面にワイヤをコーティングし、ワイヤを膜中に分散させる方法などを挙げることができる。なお必要に応じて界面活性剤や酸化防止剤などの各種添加剤を分散液に加えてもよい。樹脂の種類は、屈折率、透光率および電気抵抗などの電極に求められる特性に応じて適宜選ばれる。   As a method for forming a conductive resin thin film, for example, a method of dispersing a wire in a resin by kneading the wire into a resin, or forming a dispersion liquid in which a wire and a resin are dispersed in a dispersion medium by a predetermined coating method. And a method of coating the surface of a film made of resin with a wire and dispersing the wire in the film. In addition, you may add various additives, such as surfactant and antioxidant, to a dispersion liquid as needed. The type of resin is appropriately selected according to the characteristics required for the electrode, such as refractive index, light transmittance, and electrical resistance.

また導電性樹脂薄膜におけるワイヤの重量割合は、電極の電気抵抗、ヘイズ値および透光率などに影響するので、導電性樹脂薄膜に求められる特性に応じて適宜設定される。   In addition, the weight ratio of the wire in the conductive resin thin film affects the electrical resistance, haze value, translucency, and the like of the electrode, and thus is appropriately set according to the characteristics required for the conductive resin thin film.

導電性樹脂薄膜は、例えば導電性を有するワイヤを分散媒に分散させた分散液を、所定の塗布法によって塗布成膜し、この膜をさらに硬化することによって得られる。   The conductive resin thin film can be obtained, for example, by coating a film of a dispersion in which a conductive wire is dispersed in a dispersion medium by a predetermined coating method and further curing the film.

分散液は、ワイヤと樹脂とを分散媒に分散させることによって調製される。分散媒としては、たとえば樹脂を溶解または分散するものであればよく、クロロホルム、塩化メチレン、ジクロロエタン等の塩素系溶媒、テトラヒドロフラン等のエーテル系溶媒、トルエン、キシレン等の芳香族炭化水素系溶媒、アセトン、メチルエチルケトン等のケトン系溶媒、酢酸エチル、酢酸ブチル、エチルセルソルブアセテート等のエステル系溶媒を挙げることができる。   The dispersion is prepared by dispersing a wire and a resin in a dispersion medium. Any dispersion medium may be used as long as it dissolves or disperses the resin, for example, a chlorine solvent such as chloroform, methylene chloride or dichloroethane, an ether solvent such as tetrahydrofuran, an aromatic hydrocarbon solvent such as toluene or xylene, acetone, or the like. And ketone solvents such as methyl ethyl ketone, and ester solvents such as ethyl acetate, butyl acetate, and ethyl cellosolve acetate.

なおカーボンナノチューブは分散媒中において凝集することがあり、カーボンナノチューブが凝集した状態の分散液を用いて形成した一方の電極は透光率が低下するおそれがある。そのため線状導電体としてカーボンナノチューブを用いる場合には、このカーボンナノチューブを均一に分散することができる分散媒を用いることが特に好ましく、このような分散媒としてはたとえば、ギ酸、酢酸等のカルボン酸化合物;プロピレンオキサイド、1,2−エポキシブタン、(cis、trans)2,3−エポキシブタン等のエポキシ化合物;n−プロピルアミン、iso−プロピルアミン、N−エチルメチルアミン、n−ブチルアミン、sec−ブチルアミン、iso−ブチルアミン、tert−ブチルアミン、n−アミルアミン、tert−アミルアミン、イソアミルアミン、ヘキシルアミン等の1級アミン化合物;ジエチルアミン、N−メチルプロピルアミン、N−メチルイソプロピルアミン、N−エチルイソプロピルアミン、N−メチルブチルアミン、2−メチルブチルアミン、N−メチル−tert−ブチルアミン、ジイソプロピルアミン、ジプロピルアミン、N−エチルブチルアミン、N−メチルペンチルアミン、N−tert−ブチルイソプロピルアミン、N−プロピルブチルアミン等の2級アミン化合物;N,N−ジエチルメチルアミン、1,2−ジメチルプロピルアミン、1,3−ジメチルブチルアミン、3,3−ジメチルブチルアミン、トリエチルアミン、N−メチルジイソプロピルアミン、N,N−ジイソプロピルエチルアミン、N−イソプロピル−N−メチル−tert−ブチルアミン、トリイソプロピルアミン、ジメチルホルムアミド(DMF)、ジエチルホルムアミド、ジメチルアセトアミド(DMAc)、N−メチルピロリドン(NMP)等の3級アミン化合物があげられ、N−メチルピロリドン(NMP)が好ましい。   Carbon nanotubes may aggregate in the dispersion medium, and the transmittance of one of the electrodes formed using the dispersion liquid in which the carbon nanotubes are aggregated may be reduced. Therefore, when carbon nanotubes are used as the linear conductor, it is particularly preferable to use a dispersion medium capable of uniformly dispersing the carbon nanotubes. Examples of such a dispersion medium include carboxylic acids such as formic acid and acetic acid. Compound: Epoxy compound such as propylene oxide, 1,2-epoxybutane, (cis, trans) 2,3-epoxybutane; n-propylamine, iso-propylamine, N-ethylmethylamine, n-butylamine, sec- Primary amine compounds such as butylamine, iso-butylamine, tert-butylamine, n-amylamine, tert-amylamine, isoamylamine, hexylamine; diethylamine, N-methylpropylamine, N-methylisopropylamine, N-ethylisopropylamine, 2-methylbutylamine, 2-methylbutylamine, N-methyl-tert-butylamine, diisopropylamine, dipropylamine, N-ethylbutylamine, N-methylpentylamine, N-tert-butylisopropylamine, N-propylbutylamine, etc. N, N-diethylmethylamine, 1,2-dimethylpropylamine, 1,3-dimethylbutylamine, 3,3-dimethylbutylamine, triethylamine, N-methyldiisopropylamine, N, N-diisopropylethylamine, N -Isopropyl-N-methyl-tert-butylamine, triisopropylamine, dimethylformamide (DMF), diethylformamide, dimethylacetamide (DMAc), N-methylpyrrolidone (NMP), etc. A tertiary amine compound is mentioned, N-methylpyrrolidone (NMP) is preferable.

また前述したように分散液に界面活性剤をさらに添加してもよく、このような界面活性剤としては、多価アルコールと脂肪酸エステル系、若しくはポリオキシエチレン系のポリオキシエチレン系の界面活性剤、または両者の系を併せ持つ非イオン性界面活性をあげることができ、ポリオキシエチレン系の非イオン性界面活性が好ましい。ポリオキシエチレン系界面活性剤の例としては、脂肪酸のポリオキシエチレン・エーテル、高級アルコールのポリオキシエチレン・エーテル、アルキル・フェノール・ポリオキシエチレン・エーテル、ソルビタン・エステルのポリオキシニチレン・エーテル、ヒマシ油のポリオキシエチレン・エーテル、ポリオキシ・プロピレンのポリオキシエチレン・エーテル、脂肪酸のアルキロールアマイドなどがあげられる。多価アルコールと脂肪酸エステル系界面活性剤の例としては、モノグリセライト型界面活性剤、ソルビトール型界面活性剤、ソルタビン型界面活性剤、シュガーエステル型界面活性剤があげられる。   Further, as described above, a surfactant may be further added to the dispersion. Examples of such a surfactant include polyhydric alcohol and fatty acid ester-based or polyoxyethylene-based polyoxyethylene-based surfactant. Alternatively, nonionic surface activity having both systems can be raised, and polyoxyethylene-based nonionic surface activity is preferable. Examples of polyoxyethylene surfactants include fatty acid polyoxyethylene ethers, higher alcohol polyoxyethylene ethers, alkyl phenols polyoxyethylene ethers, sorbitan ester polyoxyethylene ethers, castors Examples include oil polyoxyethylene ether, polyoxypropylene polyoxyethylene ether, and fatty acid alkylol amide. Examples of polyhydric alcohol and fatty acid ester surfactants include monoglycerite surfactants, sorbitol surfactants, saltabine surfactants, and sugar ester surfactants.

カーボンナノチューブはたとえば超音波処理を行いながら分散液に分散させることで、分散液に均一に分散することができる。たとえば前述した界面活性剤を添加することによって、カーボンナノチューブが分散液中で分散した後に凝集することを防ぐことができ、分散液中での分散状態を維持することができる。   The carbon nanotubes can be uniformly dispersed in the dispersion liquid, for example, by dispersing the carbon nanotubes in the dispersion liquid while performing ultrasonic treatment. For example, by adding the above-described surfactant, the carbon nanotubes can be prevented from aggregating after being dispersed in the dispersion, and the dispersion state in the dispersion can be maintained.

また樹脂としては例えば低密度または高密度のポリエチレン、エチレン−プロピレン共重合体、エチレン−ブテン共重合体、エチレン−ヘキセン共重合体、エチレン−オクテン共重合体、エチレン−ノルボルネン共重合体、エチレン−ジメタノオクタヒドロナフタレン共重合体、ポリプロピレン、エチレン−酢酸ビニル共重合体、エチレン−メチルメタクリレート共重合体、アイオノマー樹脂などのポリオレフィン系樹脂;ポリエチレンテレフタレート、ポリブチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタレートなどのポリエステル系樹脂;ナイロン−6、ナイロン−6,6、メタキシレンジアミン−アジピン酸縮重合体;ポリメチルメタクリルイミドなどのアミド系樹脂;ポリメチルメタクリレートなどのアクリル系樹脂;ポリスチレン、スチレン−アクリロニトリル共重合体、スチレン−アクリロニトリルブタジエン共重合体、ポリアクリロニトリルなどのスチレン−アクリロニトリル系樹脂;トリ酢酸セルロース、ジ酢酸セルロースなどの疎水化セルロース系樹脂;ポリ塩化ビニル、ポリ塩化ビニリデン、ポリフッ化ビニリデン、ポリテトラフルオロエチレンなどのハロゲン含有樹脂;ポリビニルアルコール、エチレン−ビニルアルコール共重合体、セルロース誘導体などの水素結合性樹脂;ポリカーボネート樹脂、ポリサルホン樹脂、ポリエーテルサルホン樹脂、ポリエーテルエーテルケトン樹脂、ポリフェニレンオキシド樹脂、ポリメチレンオキシド樹脂、ポリアリレート樹脂、液晶樹脂などのエンジニアリングプラスチック系樹脂などが挙げられる。   Examples of the resin include low density or high density polyethylene, ethylene-propylene copolymer, ethylene-butene copolymer, ethylene-hexene copolymer, ethylene-octene copolymer, ethylene-norbornene copolymer, ethylene- Polyolefin resins such as dimethanooctahydronaphthalene copolymer, polypropylene, ethylene-vinyl acetate copolymer, ethylene-methyl methacrylate copolymer, ionomer resin; polyester resins such as polyethylene terephthalate, polybutylene terephthalate, polyethylene naphthalate Nylon-6, nylon-6,6, metaxylenediamine-adipic acid condensation polymer; amide resin such as polymethylmethacrylamide; acrylic resin such as polymethylmethacrylate; polystyrene, Styrene-acrylonitrile resins such as tylene-acrylonitrile copolymer, styrene-acrylonitrile butadiene copolymer, polyacrylonitrile; hydrophobized cellulose resins such as cellulose triacetate and cellulose diacetate; polyvinyl chloride, polyvinylidene chloride, polyfluoride Halogen-containing resins such as vinylidene and polytetrafluoroethylene; hydrogen-bonding resins such as polyvinyl alcohol, ethylene-vinyl alcohol copolymer and cellulose derivatives; polycarbonate resins, polysulfone resins, polyethersulfone resins, polyetheretherketone resins, Examples include engineering plastic resins such as polyphenylene oxide resin, polymethylene oxide resin, polyarylate resin, and liquid crystal resin.

樹脂としては導電性を有する樹脂が好適に用いられ、導電性を有する樹脂としては例えばポリアニリン、ポリチオフェンの誘導体などが挙げられる。例えば導電性を有する樹脂として、屈折率が1.7のポリ(エチレンジオキシチオフェン)/ポリスチレンスルホン酸の溶液(スタルク社製、商品名「BaytronP」)を用いることができる。   As the resin, a resin having conductivity is preferably used. Examples of the resin having conductivity include polyaniline and polythiophene derivatives. For example, a poly (ethylenedioxythiophene) / polystyrene sulfonic acid solution having a refractive index of 1.7 (trade name “BaytronP” manufactured by Starck Co., Ltd.) having a refractive index of 1.7 can be used as the conductive resin.

導電性樹脂薄膜の屈折率は電極膜本体の屈折率によって主に決まる。この電極膜本体の屈折率は用いる樹脂の種類によって主に決まるので、用いる樹脂を適宜選択することによって、意図する屈折率を示す導電性樹脂薄膜を容易に得ることができる。例えば導電性樹脂薄膜が支持基板に接して設けられる場合、導電性樹脂薄膜と支持基板との屈折率差は小さい方が好ましく、例えば屈折率の差の絶対値は0.4未満が好ましく、導電性樹脂薄膜の屈折率は1.8以下が好ましい。導電性樹脂薄膜の屈折率は、電極膜本体に用いる樹脂の種類を適宜選択することによって所期の値に設定することができるため、支持基板との屈折率の関係を上述の範囲内に設定することができる。   The refractive index of the conductive resin thin film is mainly determined by the refractive index of the electrode film body. Since the refractive index of the electrode film main body is mainly determined by the type of resin used, a conductive resin thin film having an intended refractive index can be easily obtained by appropriately selecting the resin used. For example, when the conductive resin thin film is provided in contact with the support substrate, it is preferable that the difference in refractive index between the conductive resin thin film and the support substrate is smaller. For example, the absolute value of the difference in refractive index is preferably less than 0.4. The refractive index of the conductive resin thin film is preferably 1.8 or less. The refractive index of the conductive resin thin film can be set to the desired value by appropriately selecting the type of resin used for the electrode film body, so the relationship of the refractive index with the support substrate is set within the above range. can do.

なおフォトレジストに用いられる感光性材料および光硬化性モノマーに、ワイヤを分散させた分散液を用いれば、塗布法およびフォトリソグラフィーによって所定のパターン形状を有する電極を容易に形成することができる。例えば分散液としてトリメチロールプロパントリアクリレート(新中村化学社製、商品名「NKエステル−TMPT」)および重合開始剤(日本チバ・ガイギー社製、商品名「イルガキュア907」)などを用いることができる。   If a dispersion liquid in which wires are dispersed in a photosensitive material and a photocurable monomer used for a photoresist is used, an electrode having a predetermined pattern shape can be easily formed by a coating method and photolithography. For example, trimethylolpropane triacrylate (manufactured by Shin-Nakamura Chemical Co., Ltd., trade name “NK Ester-TMPT”) and a polymerization initiator (manufactured by Ciba-Geigy Japan Ltd., trade name “Irgacure 907”) can be used as the dispersion. .

ワイヤを分散した分散液の塗布方法としては、ディッピング法、バーコータによるコーティング法、スピンコーターによるコーティング法、ドクターブレード法、噴霧塗布法、スクリーンメッシュ印刷法、刷毛塗り、吹き付け、ロールコーティングなどを挙げることができる。なお熱硬化性樹脂や光硬化性樹脂を用いる場合には、分散液を塗布した後に光照射または加熱することによって塗膜を硬化させることができる。   Examples of the method of applying the dispersion in which the wire is dispersed include dipping method, bar coater coating method, spin coater coating method, doctor blade method, spray coating method, screen mesh printing method, brush coating, spraying, roll coating, etc. Can do. In addition, when using a thermosetting resin or a photocurable resin, a coating film can be hardened by light irradiation or heating after apply | coating a dispersion liquid.

また例えば凸版印刷法などの所定の印刷法を用いることによって、分散液をパターン塗布し、これを固化することによって、導電性樹脂薄膜をパターン形成してもよい。さらには分散液を全面に塗布し、これを固化した後に、フォトレジストをこの上にさらに塗布し、フォトリソグラフィー法を用いて所定のパターンを形成することによって導電性樹脂薄膜をパターン形成してもよい。   Alternatively, the conductive resin thin film may be patterned by applying the dispersion liquid in a pattern by using a predetermined printing method such as a relief printing method and solidifying the dispersion. Furthermore, after the dispersion liquid is applied to the entire surface and solidified, a photoresist is further applied thereon, and the conductive resin thin film is patterned by forming a predetermined pattern using a photolithography method. Good.

前記導電性樹脂薄膜は、表面粗さが10nm以下であることが好ましく、また透過率が80%以上であることが好ましく、さらにはシート抵抗が1000Ω/□以下であることが好ましい。   The conductive resin thin film preferably has a surface roughness of 10 nm or less, a transmittance of 80% or more, and a sheet resistance of 1000 Ω / □ or less.

光透過性を示す電極には前述したようにITOが多用されている。ITOの屈折率は2程度であり、ガラス基板の屈折率は1.5程度であり、ITOに接する部分(たとえば発光層または隣接層)の屈折率は1.7程度なので、光透過性を示す電極としてITOを用いた場合には、屈折率の低いガラス基板と発光層との間に、屈折率の高いITOが挟まれた構造を有機EL素子は有することになる。そのため発光層から放射される光の一部が全反射などによってITOで反射され、光を効率的に外に出射させることができないことがある。しかしながら上述のような屈折率の低い導電性樹脂薄膜を用いることによって、電極での光の反射を抑制することができ、光を効率的に外に出射させることができる。   As described above, ITO is frequently used for the electrode exhibiting optical transparency. Since the refractive index of ITO is about 2, the refractive index of the glass substrate is about 1.5, and the refractive index of the portion in contact with ITO (for example, the light emitting layer or the adjacent layer) is about 1.7, it shows light transmittance. When ITO is used as the electrode, the organic EL element has a structure in which ITO having a high refractive index is sandwiched between a glass substrate having a low refractive index and the light emitting layer. Therefore, a part of the light emitted from the light emitting layer is reflected by the ITO by total reflection or the like, and the light may not be efficiently emitted to the outside. However, by using the conductive resin thin film having a low refractive index as described above, reflection of light at the electrode can be suppressed, and light can be efficiently emitted to the outside.

(作製例)
以下導電性樹脂薄膜を用いた一方の電極の具体的な作製例を説明する。
(Production example)
Hereinafter, a specific production example of one electrode using a conductive resin thin film will be described.

(作製例1)
ワイヤとして、アミノ基含有高分子系分散剤(アイ・シー・アイ・ジャパン社製、商品名「ソルスパース24000SC」)で表面を保護した銀ナノワイヤー(長軸平均長さ1μm、短軸平均長さ10nm)を用いる。この銀ナノワイヤーのトルエン分散液2g(銀ナノワイヤー1.0g含有)と、光硬化性モノマーであるトリメチロールプロパントリアクリレート(新中村化学製 NKエステル−TMPT)0.25gとを混合し、さらに重合開始剤イルガキュア907(日本チバ・ガイギー社製)0.0025gを添加する。この混合溶液を、厚さ0.7mmのガラス基板に塗布し、ホットプレート上において110℃で20分加熱して溶媒を除去し、さらにUVランプで光照射(6000mW/cm2)することによって硬化して、膜厚が150nmの一方の電極を得る。光硬化樹脂の屈折率は1.5であり、得られる一方の電極の屈折率も1.5となる。
(Production Example 1)
Silver nanowires (major axis average length 1μm, minor axis average length) whose surface was protected with amino group-containing polymer dispersant (product name “Solsperse 24000SC”, manufactured by IC Japan Ltd.) 10 nm). 2 g of this silver nanowire toluene dispersion (containing 1.0 g of silver nanowire) and 0.25 g of trimethylolpropane triacrylate (NK ester-TMPT made by Shin-Nakamura Chemical), which is a photocurable monomer, Polymerization initiator Irgacure 907 (Nippon Ciba-Geigy Co., Ltd.) 0.0025 g is added. This mixed solution is applied onto a 0.7 mm thick glass substrate, heated on a hot plate at 110 ° C. for 20 minutes to remove the solvent, and further cured by irradiating with a UV lamp (6000 mW / cm 2 ). Thus, one electrode having a film thickness of 150 nm is obtained. The refractive index of the photocurable resin is 1.5, and the refractive index of one of the obtained electrodes is also 1.5.

(作製例2)
ワイヤとして、アミノ基含有高分子系分散剤(アイ・シー・アイ・ジャパン社製、商品名「ソルスパース24000SC」)で表面を保護した銀ナノワイヤー(長軸平均長さ1μm、短軸平均長さ10nm)を用いる。この銀ナノワイヤーのトルエン分散液2g(銀ナノワイヤー1.0g含有)と、ポリ(エチレンジオキシチオフェン)/ポリスチレンスルホン酸の溶液(スタルク社製、BaytronP)2.5gとを混合する。この混合溶液を、厚さ0.7mmのガラス基板に塗布し、ホットプレート上において200℃で20分加熱し、溶媒を除去することにより膜厚が150nmの一方の電極を得る。BaytronPの屈折率は1.7であり、得られる透明導電膜の屈折率も1.7となる。
(Production Example 2)
Silver nanowires (major axis average length 1μm, minor axis average length) whose surface was protected with amino group-containing polymer dispersant (product name “Solsperse 24000SC”, manufactured by IC Japan Ltd.) 10 nm). 2 g of this silver nanowire toluene dispersion (containing 1.0 g of silver nanowire) and 2.5 g of a poly (ethylenedioxythiophene) / polystyrene sulfonic acid solution (Startron P, BaytronP) are mixed. This mixed solution is applied to a glass substrate having a thickness of 0.7 mm, heated on a hot plate at 200 ° C. for 20 minutes, and the solvent is removed to obtain one electrode having a thickness of 150 nm. BaytronP has a refractive index of 1.7, and the transparent conductive film obtained has a refractive index of 1.7.

(作製例3)
ワイヤとして、アミノ基含有高分子系分散剤(アイ・シー・アイ・ジャパン社製、商品名「ソルスパース24000SC」)で表面を保護した銀ナノワイヤー(長軸平均長さ1μm、短軸平均長さ10nm)を用いる。ポリ(エチレンジオキシチオフェン)/ポリスチレンスルホン酸の溶液(スタルク社製、BaytronP)2.5gに、ジメチルスルホキシド0.125gを混合した混合液と、前記銀ナノワイヤーのトルエン分散液2g(銀ナノワイヤー1.0g含有)とを混合する。この混合溶液を、0.7mm厚のガラス基板に塗布し、ホットプレート上において200℃で20分加熱し、溶媒を除去することにより膜厚が150nmの導電膜を得る。BaytronPの屈折率は1.7であり、得られる透明導電膜の屈折率も1.7となる。
(Production Example 3)
Silver nanowires (major axis average length 1μm, minor axis average length) whose surface was protected with amino group-containing polymer dispersant (product name “Solsperse 24000SC”, manufactured by IC Japan Ltd.) 10 nm). A mixed solution in which 0.125 g of dimethyl sulfoxide was mixed with 2.5 g of a solution of poly (ethylenedioxythiophene) / polystyrenesulfonic acid (Startron P, BaytronP), and 2 g of toluene dispersion of the silver nanowire (silver nanowire) (Containing 1.0 g). This mixed solution is applied to a 0.7 mm thick glass substrate, heated on a hot plate at 200 ° C. for 20 minutes, and the solvent is removed to obtain a conductive film having a thickness of 150 nm. BaytronP has a refractive index of 1.7, and the transparent conductive film obtained has a refractive index of 1.7.

<基板周囲の雰囲気の調整>
一方の電極を形成した後、発光層を形成する工程が終わるまでの間、支持基板の周囲の雰囲気中の酸素濃度および水分濃度を、体積比でそれぞれ大気濃度未満に保つ。すなわち一方の電極として導電性樹脂薄膜を形成した直後から、少なくとも発光層の形成が完了するまでの間、支持基板の周囲の雰囲気中の酸素濃度および水分濃度を、体積比でそれぞれ大気濃度未満に保つ。
<Adjustment of atmosphere around substrate>
After the formation of one of the electrodes and until the step of forming the light emitting layer is completed, the oxygen concentration and the water concentration in the atmosphere around the support substrate are each kept below the atmospheric concentration by volume. That is, immediately after the formation of the conductive resin thin film as one electrode and at least until the formation of the light emitting layer is completed, the oxygen concentration and the water concentration in the atmosphere around the support substrate are respectively set to be less than the atmospheric concentration by volume ratio. keep.

なお大気中の酸素濃度および水分濃度は場所および時間などによって変動するが、大気濃度未満とは、本明細書では酸素濃度および水分濃度を大気濃度よりも低下させる所定の操作が施された状態を意味する。なお大気雰囲気における酸素濃度は体積比で2×10ppm程度であり、水分濃度は体積比で2×10ppm程度である。 Note that the oxygen concentration and moisture concentration in the atmosphere vary depending on the location and time, etc., but less than the atmospheric concentration in this specification means a state in which a predetermined operation for lowering the oxygen concentration and moisture concentration below the atmospheric concentration has been performed. means. The oxygen concentration in the air atmosphere is about 2 × 10 5 ppm by volume, and the water concentration is about 2 × 10 4 ppm by volume.

支持基板の周囲の雰囲気中の酸素濃度および水分濃度は、好ましくは1000ppm以下であり、さらに好ましくは600ppm以下であり、さらに好ましくは300ppm以下であり、さらに好ましくは10ppm以下である。   The oxygen concentration and water concentration in the atmosphere around the support substrate are preferably 1000 ppm or less, more preferably 600 ppm or less, further preferably 300 ppm or less, and further preferably 10 ppm or less.

支持基板の周囲の雰囲気中の酸素濃度および水分濃度を大気よりも下げる方法としては、支持基板の周囲の雰囲気を、不活性ガス雰囲気とするか、または真空雰囲気とすることが好ましい。例えば装置内を真空または不活性ガスに置換可能な装置内に、塗布装置および加熱装置を配置して、隣接層および発光層を形成すればよい。例えばインキを塗布する工程およびこれを固化する工程の両方を不活性ガス雰囲気中で行うか、またはインキを塗布する工程を不活性ガス雰囲気中で行い、固化する工程を真空雰囲気中で行うことが好ましい。   As a method for lowering the oxygen concentration and moisture concentration in the atmosphere around the support substrate as compared to the air, the atmosphere around the support substrate is preferably an inert gas atmosphere or a vacuum atmosphere. For example, a coating device and a heating device may be arranged in a device that can replace the inside of the device with a vacuum or an inert gas to form an adjacent layer and a light emitting layer. For example, both the step of applying ink and the step of solidifying it may be performed in an inert gas atmosphere, or the step of applying ink may be performed in an inert gas atmosphere, and the solidifying step may be performed in a vacuum atmosphere. preferable.

不活性ガスとしては、ヘリウムガス、アルゴンガス、窒素ガス、およびこれらの混合ガスなどを挙げることができ、これらの中でも素子作製の容易さから窒素ガスが好ましい。また真空雰囲気中で固化工程を行なう場合には10Pa以下とすることが好ましい。   Examples of the inert gas include helium gas, argon gas, nitrogen gas, and a mixed gas thereof. Among these, nitrogen gas is preferable from the standpoint of device fabrication. Moreover, when performing a solidification process in a vacuum atmosphere, it is preferable to set it as 10 Pa or less.

<隣接層形成工程>
本工程では隣接層となる材料を含むインキを前記一方の電極上に塗布成膜し、さらにこれを固化することにより隣接層を形成する。本実施形態では隣接層となる材料を含むインキを一方の電極3の表面上に塗布成膜し、さらにこれを固化する。
<Adjacent layer forming step>
In this step, an ink containing a material to be an adjacent layer is applied on the one electrode, and the adjacent layer is formed by solidifying the ink. In the present embodiment, an ink containing a material to be an adjacent layer is applied and formed on the surface of one electrode 3 and further solidified.

隣接層を形成する際に用いるインキは、隣接層となる材料と、該材料を溶解または分散する溶媒または分散媒とを含む。隣接層となる材料については後述する。また溶媒としては、隣接層となる材料を溶解するものであればよく、例えばクロロホルム、塩化メチレン、ジクロロエタンなどの塩素系溶媒、テトラヒドロフランなどのエーテル系溶媒、トルエン、キシレンなどの芳香族炭化水素系溶媒、アセトン、メチルエチルケトンなどのケトン系溶媒、酢酸エチル、酢酸ブチル、エチルセルソルブアセテートなどのエステル系溶媒、水などを挙げることができる。また分散媒としては隣接層となる材料を均一に分散する液体であればよく、例えば、隣接層の材料に応じて、溶媒として例示した液体を適宜分散媒として用いることができる。   The ink used for forming the adjacent layer includes a material that becomes the adjacent layer and a solvent or dispersion medium that dissolves or disperses the material. The material for the adjacent layer will be described later. The solvent may be any material that dissolves the material for the adjacent layer. For example, a chlorine-based solvent such as chloroform, methylene chloride, and dichloroethane, an ether-based solvent such as tetrahydrofuran, and an aromatic hydrocarbon-based solvent such as toluene and xylene. And ketone solvents such as acetone and methyl ethyl ketone, ester solvents such as ethyl acetate, butyl acetate and ethyl cellosolve acetate, and water. The dispersion medium may be any liquid that uniformly disperses the material that forms the adjacent layer. For example, the liquid exemplified as the solvent can be used as the dispersion medium as appropriate depending on the material of the adjacent layer.

塗布法としては例えばスピンコート法、キャスティング法、マイクログラビアコート法、グラビアコート法、バーコート法、ロールコート法、ワイアーバーコート法、ディップコート法、スプレーコート法、スクリーン印刷法、フレキソ印刷法、オフセット印刷法、インクジェットプリント法などをあげることができる。   Examples of coating methods include spin coating, casting, micro gravure coating, gravure coating, bar coating, roll coating, wire bar coating, dip coating, spray coating, screen printing, flexographic printing, Examples thereof include an offset printing method and an ink jet printing method.

塗布成膜した薄膜を固化する方法として本実施形態では薄膜を加熱する方法が好ましい。素子の発光特性および寿命特性を向上するためにも50℃〜250℃で加熱することが好ましい。加熱時間は隣接層の成分によって適宜設定され、例えば5分〜2時間程度である。なお塗布成膜した薄膜を所定の時間放置することにより、インキに含まれる溶媒または分散媒を除去して、隣接層を形成してもよい。   In this embodiment, a method of heating the thin film is preferable as a method for solidifying the thin film formed by coating. It is preferable to heat at 50 ° C. to 250 ° C. in order to improve the light emission characteristics and lifetime characteristics of the device. The heating time is appropriately set depending on the components of the adjacent layer, and is, for example, about 5 minutes to 2 hours. The adjacent layer may be formed by removing the solvent or dispersion medium contained in the ink by leaving the thin film formed by coating for a predetermined time.

<発光層形成工程>
本工程では、発光層となる材料を含むインキを前記一方の電極上に塗布成膜し、さらにこれを固化することにより発光層を形成する。なお一方の電極上にインキを塗布成膜する際には、一方の電極の表面上にインキを塗布成膜してもよいが、本実施形態のように一方の電極と発光層との間に所定の層が配置されている場合には、一方の電極上として、この所定の層(本実施形態では隣接層)の表面上にインキを塗布成膜する。
<Light emitting layer forming step>
In this step, an ink containing a material to be a light emitting layer is applied and formed on the one electrode, and further solidified to form a light emitting layer. In addition, when ink is applied and formed on one electrode, ink may be applied and formed on the surface of one electrode. However, as in the present embodiment, between one electrode and the light emitting layer. When a predetermined layer is disposed, ink is applied and formed on the surface of the predetermined layer (adjacent layer in the present embodiment) as one electrode.

塗布成膜した薄膜を固化する方法として本実施形態では薄膜を加熱する方法が好ましい。素子の発光特性および寿命特性を向上させるためにも、50℃〜250℃で加熱することが好ましい。加熱時間は発光層の成分によって適宜設定され、例えば5分〜2時間程度である。なお塗布成膜した薄膜を所定の時間放置することにより、インキに含まれる溶媒または分散媒を除去して、発光層を形成してもよい。   In this embodiment, a method of heating the thin film is preferable as a method for solidifying the thin film formed by coating. In order to improve the light emission characteristics and lifetime characteristics of the element, it is preferable to heat at 50 ° C. to 250 ° C. The heating time is appropriately set depending on the components of the light emitting layer, and is, for example, about 5 minutes to 2 hours. The light-emitting layer may be formed by removing the solvent or dispersion medium contained in the ink by leaving the thin film formed by coating for a predetermined time.

以上の一方の電極を形成した後から発光層を形成するまでは、支持基板の周囲の雰囲気中の酸素濃度および水分濃度を、体積比でそれぞれ大気濃度未満に保った状態で行われる。   From the formation of the above one electrode to the formation of the light emitting layer, the oxygen concentration and the moisture concentration in the atmosphere around the support substrate are each kept in a volume ratio lower than the atmospheric concentration.

<他方の電極形成工程>
他方の電極形成工程では、他方の電極6を発光層5上に形成する。
<The other electrode forming step>
In the other electrode formation step, the other electrode 6 is formed on the light emitting layer 5.

有機EL素子の構成要素のうちで発光特性に大きく影響するのは発光層なので、発光層以外の層の作製途中の基板周囲の雰囲気を制御することは、素子の発光特性の向上という観点からは考えにくいが、発光層だけでなく隣接層までも、酸素濃度および水分濃度を大気よりも低くした雰囲気中で形成することにより、実施例で示すように素子寿命を向上することができる。   Among the components of the organic EL element, the light emitting layer has a great influence on the light emitting characteristics. Therefore, controlling the atmosphere around the substrate during the production of layers other than the light emitting layer is from the viewpoint of improving the light emitting characteristics of the element. Although it is difficult to imagine, by forming not only the light emitting layer but also the adjacent layer in an atmosphere in which the oxygen concentration and the moisture concentration are lower than the atmosphere, the device lifetime can be improved as shown in the examples.

また仮にITOなどの無機物のみによって一方の電極を形成した場合には、一方の電極が水分を吸収することはなく、また隣接層や発光層を一方の電極上に形成する直前に、例えばOプラズマ処理などの表面処理を行うことによって一方の電極の劣化を回復することが可能であるが、本実施形態のように樹脂を含む導電性樹脂薄膜を一方の電極として形成した場合には、酸素が樹脂を透過して、樹脂に分散するワイヤが酸化したり、樹脂が水分を吸収したりして、結果的として導電性樹脂薄膜の表面のみならず内部まで劣化してしまうことになる。しかしながら本実施形態では、一方の電極を形成した後、発光層を形成する工程が終わるまでの間、支持基板の周囲の雰囲気中の酸素濃度および水分濃度を、体積比でそれぞれ大気濃度未満に保つので、素子製造中に導電性樹脂薄膜が劣化すること自体を抑制することができる。これによって、ITOよりも製造工程が簡易な導電性樹脂薄膜を用いつつも、素子特性を向上することができ、簡易な製造方法で素子特性が向上した有機EL素子を得ることができる。 Also, if one electrode is formed only of an inorganic material such as ITO, one electrode will not absorb moisture, and immediately before the adjacent layer or the light emitting layer is formed on one electrode, for example, O 2. It is possible to recover the deterioration of one electrode by performing a surface treatment such as plasma treatment, but when a conductive resin thin film containing a resin is formed as one electrode as in this embodiment, oxygen As a result, the wire dispersed in the resin is oxidized, and the resin absorbs moisture. As a result, not only the surface of the conductive resin thin film but also the inside deteriorates. However, in this embodiment, after the formation of one electrode and until the step of forming the light emitting layer is completed, the oxygen concentration and the moisture concentration in the atmosphere around the support substrate are each kept below the atmospheric concentration by volume ratio. Therefore, it can suppress that a conductive resin thin film deteriorates itself during element manufacture. This makes it possible to improve element characteristics while using a conductive resin thin film that has a simpler manufacturing process than ITO, and to obtain an organic EL element with improved element characteristics by a simple manufacturing method.

本実施形態では隣接層を設けるとしたが、他の実施形態では隣接層を設けなくてもよく、また前述した隣接層の他にさらに所定の層を電極間に配置してもよい。また本実施形態では隣接層を前述した所定の塗布法で形成するが、隣接層の形成方法は特に限定されず、求められる特性および工程の簡易さなどを考慮して、適宜所定の方法によって形成してもよい。   Although the adjacent layer is provided in this embodiment, the adjacent layer may not be provided in other embodiments, and a predetermined layer may be further disposed between the electrodes in addition to the above-described adjacent layer. In this embodiment, the adjacent layer is formed by the above-described predetermined coating method. However, the formation method of the adjacent layer is not particularly limited, and is appropriately formed by a predetermined method in consideration of required characteristics and process simplicity. May be.

以下本発明を適用可能な有機EL素子の構成およびその構成要素についてさらに詳しく説明する。なお塗布法によって形成することが可能な層については、工程の簡易さ、膜厚の均一性などの観点から、上述した発光層を形成する方法と同様の方法で形成することが好ましい。   Hereinafter, the configuration of the organic EL element to which the present invention is applicable and its constituent elements will be described in more detail. Note that a layer that can be formed by a coating method is preferably formed by a method similar to the method for forming the light-emitting layer described above, from the viewpoint of simplicity of the process and uniformity of the film thickness.

陽極と発光層との間に設けられる層としては、正孔注入層、正孔輸送層、電子ブロック層などを挙げることができる。陽極と発光層との間に、正孔注入層と正孔輸送層との両方の層が設けられる場合、陽極に接する層を正孔注入層といい、この正孔注入層を除く層を正孔輸送層という。   Examples of the layer provided between the anode and the light emitting layer include a hole injection layer, a hole transport layer, and an electron block layer. When both the hole injection layer and the hole transport layer are provided between the anode and the light-emitting layer, the layer in contact with the anode is called a hole injection layer, and the layers other than the hole injection layer are positive. It is called a hole transport layer.

正孔注入層は、陽極からの正孔注入効率を改善する機能を有する層である。正孔輸送層は、陽極、正孔注入層または陽極により近い正孔輸送層からの正孔注入を改善する機能を有する層である。電子ブロック層は、電子の輸送を堰き止める機能を有する層である。なお正孔注入層、及び/又は正孔輸送層が電子の輸送を堰き止める機能を有する場合には、これらの層が電子ブロック層を兼ねることがある。   The hole injection layer is a layer having a function of improving hole injection efficiency from the anode. The hole transport layer is a layer having a function of improving hole injection from the anode, the hole injection layer, or the hole transport layer closer to the anode. The electron blocking layer is a layer having a function of blocking electron transport. In the case where the hole injection layer and / or the hole transport layer has a function of blocking electron transport, these layers may also serve as an electron blocking layer.

電子の輸送を堰き止める層として電子ブロック層が機能することは、例えば、電子電流のみを流す素子を作製し、その電流値の減少で堰き止める効果を確認することが可能である。   The function of the electron blocking layer as a layer for blocking electron transport can be confirmed, for example, by producing an element for passing only an electronic current and confirming the blocking effect by reducing the current value.

陰極と発光層との間に設けられる層としては、電子注入層、電子輸送層、正孔ブロック層などを挙げることができる。また陰極と発光層との間に電子注入層と電子輸送層との両方の層が設けられる場合、陰極に接する層を電子注入層といい、この電子注入層を除く層を電子輸送層という場合がある。   Examples of the layer provided between the cathode and the light emitting layer include an electron injection layer, an electron transport layer, and a hole blocking layer. When both the electron injection layer and the electron transport layer are provided between the cathode and the light emitting layer, the layer in contact with the cathode is referred to as the electron injection layer, and the layers other than the electron injection layer are referred to as the electron transport layer. There is.

電子注入層は、陰極からの電子注入効率を改善する機能を有する層である。電子輸送層は、陰極、電子注入層または陰極により近い電子輸送層からの電子注入を改善する機能を有する層である。正孔ブロック層は、正孔の輸送を堰き止める機能を有する層である。なお電子注入層、及び/又は電子輸送層が正孔の輸送を堰き止める機能を有する場合には、これらの層が正孔ブロック層を兼ねることがある。   The electron injection layer is a layer having a function of improving electron injection efficiency from the cathode. The electron transport layer is a layer having a function of improving electron injection from the cathode, the electron injection layer, or the electron transport layer closer to the cathode. The hole blocking layer is a layer having a function of blocking hole transport. In the case where the electron injection layer and / or the electron transport layer have a function of blocking hole transport, these layers may also serve as the hole blocking layer.

正孔の輸送を堰き止める層として正孔ブロック層が機能することは、例えばホール電流のみを流す素子を作製することによって確認することができる。例えば正孔ブロック層を備えず、ホール電流のみを流す素子と、該素子に正孔ブロック層を挿入した構成の素子とを作製し、正孔ブロック層を備える素子の電流値の減少で、正孔ブロック層が正孔の輸送を堰き止める機能を示すことを確認できる。   The function of the hole blocking layer as a layer for blocking hole transport can be confirmed, for example, by fabricating an element that allows only a hole current to flow. For example, an element that does not include a hole blocking layer and that allows only a hole current to flow, and an element that includes a hole blocking layer inserted into the element are manufactured. It can be confirmed that the hole blocking layer has a function of blocking hole transport.

本実施形態の有機EL素子のとりうる層構成の一例を以下に示す。
a)陽極/発光層/陰極
b)陽極/正孔注入層/発光層/陰極
c)陽極/正孔注入層/発光層/電子注入層/陰極
d)陽極/正孔注入層/発光層/電子輸送層/陰極
e)陽極/正孔注入層/発光層/電子輸送層/電子注入層/陰極
f)陽極/正孔輸送層/発光層/陰極
g)陽極/正孔輸送層/発光層/電子注入層/陰極
h)陽極/正孔輸送層/発光層/電子輸送層/陰極
i)陽極/正孔輸送層/発光層/電子輸送層/電子注入層/陰極
j)陽極/正孔注入層/正孔輸送層/発光層/陰極
k)陽極/正孔注入層/正孔輸送層/発光層/電子注入層/陰極
l)陽極/正孔注入層/正孔輸送層/発光層/電子輸送層/陰極
m)陽極/正孔注入層/正孔輸送層/発光層/電子輸送層/電子注入層/陰極
n)陽極/発光層/電子注入層/陰極
(ここで、記号「/」は、記号「/」を挟む各層が隣接して積層されていることを示す。以下同じ。)
本実施の形態の有機EL素子は2層以上の発光層を有していてもよい。上記a)〜n)の層構成のうちのいずれか1つにおいて、陽極と陰極とに挟持された積層体を「構造単位A」とすると、2層の発光層を有する有機EL素子の構成として、以下のo)に示す層構成を挙げることができる。なお2つある(構造単位A)の層構成は互いに同じでも、異なっていてもよい。
o)陽極/(構造単位A)/電荷発生層/(構造単位A)/陰極
また「(構造単位A)/電荷発生層」を「構造単位B」とすると、3層以上の発光層を有する有機EL素子の構成として、以下のp)に示す層構成を挙げることができる。
p)陽極/(構造単位B)x/(構造単位A)/陰極
なお記号「x」は、2以上の整数を表し、(構造単位B)xは、構造単位Bがx段積層された積層体を表す。また複数ある(構造単位B)の層構成は同じでも、異なっていてもよい。
An example of a layer structure that can be taken by the organic EL element of the present embodiment is shown below.
a) anode / light emitting layer / cathode b) anode / hole injection layer / light emitting layer / cathode c) anode / hole injection layer / light emitting layer / electron injection layer / cathode d) anode / hole injection layer / light emitting layer / Electron transport layer / cathode e) anode / hole injection layer / light emitting layer / electron transport layer / electron injection layer / cathode f) anode / hole transport layer / light emitting layer / cathode g) anode / hole transport layer / light emitting layer / Electron injection layer / cathode h) anode / hole transport layer / light emitting layer / electron transport layer / cathode i) anode / hole transport layer / light emitting layer / electron transport layer / electron injection layer / cathode j) anode / hole Injection layer / hole transport layer / light emitting layer / cathode k) anode / hole injection layer / hole transport layer / light emitting layer / electron injection layer / cathode l) anode / hole injection layer / hole transport layer / light emitting layer / Electron transport layer / cathode m) anode / hole injection layer / hole transport layer / light emitting layer / electron transport layer / electron injection layer / cathode n) anode / light emitting layer / electron injection layer / cathode (where, No. "/" indicates that the layers sandwiching the symbol "/" are laminated adjacent to each other. Hereinafter the same.)
The organic EL element of the present embodiment may have two or more light emitting layers. In any one of the layer configurations of a) to n) above, if the laminate sandwiched between the anode and the cathode is “structural unit A”, the configuration of the organic EL element having two light emitting layers is as follows. Examples of the layer structure shown in o) below can be given. Note that the two (structural unit A) layer structures may be the same or different.
o) Anode / (structural unit A) / charge generating layer / (structural unit A) / cathode If “(structural unit A) / charge generating layer” is “structural unit B”, it has three or more light emitting layers. Examples of the structure of the organic EL element include the layer structure shown in p) below.
p) anode / (structural unit B) x / (structural unit A) / cathode The symbol “x” represents an integer of 2 or more, and (structural unit B) x is a stack in which the structural unit B is stacked in x stages. Represents the body. A plurality of (structural units B) may have the same or different layer structure.

ここで、電荷発生層とは電界を印加することにより、正孔と電子を発生する層である。電荷発生層としては、例えば酸化バナジウム、インジウムスズ酸化物(Indium Tin Oxide:略称ITO)、酸化モリブデンなどから成る薄膜を挙げることができる。   Here, the charge generation layer is a layer that generates holes and electrons by applying an electric field. Examples of the charge generation layer include a thin film made of vanadium oxide, indium tin oxide (abbreviated as ITO), molybdenum oxide, or the like.

有機EL素子は通常、本実施形態のように支持基板側に陽極を配置するようにして、支持基板上に設けられる。すなわちa)〜p)の構成において、左側の層を支持基板寄りに配置するようにして有機EL素子は支持基板上に設けられる。なお他の実施形態として支持基板側に陰極を配置するようにして有機EL素子を支持基板に設けてもよい。   The organic EL element is usually provided on the support substrate so that the anode is disposed on the support substrate side as in the present embodiment. That is, in the configurations of a) to p), the organic EL element is provided on the support substrate so that the left layer is disposed closer to the support substrate. In another embodiment, the organic EL element may be provided on the support substrate so that the cathode is disposed on the support substrate side.

本実施形態のように支持基板側に陽極が配置される場合、陽極が一方の電極に相当し、陰極が他方の電極に相当するため、a)〜p)の構成において、発光層の左側に隣接する層が上述した隣接層に相当する。このような隣接層を塗布法で形成可能な場合には、上述した隣接層の形成方法と同様の方法で隣接層を形成することが好ましい。但しa)〜p)の構成において、発光層の左側の層が陽極の場合には隣接層は存在しない。   When the anode is arranged on the support substrate side as in the present embodiment, the anode corresponds to one electrode and the cathode corresponds to the other electrode. Therefore, in the configurations of a) to p), on the left side of the light emitting layer. Adjacent layers correspond to the adjacent layers described above. When such an adjacent layer can be formed by a coating method, it is preferable to form the adjacent layer by a method similar to the method for forming the adjacent layer described above. However, in the structures a) to p), when the left layer of the light emitting layer is an anode, there is no adjacent layer.

また支持基板側に陰極を配置する形態では、陰極が一方の電極に相当し、陽極が他方の電極に相当するため、a)〜p)の構成において、発光層の右側に隣接する層が上述した隣接層に相当する。このような隣接層を塗布法で形成可能な場合には、上述した隣接層の形成方法と同様の方法で隣接層を形成することが好ましい。但しa)〜p)の構成において、発光層の右側に隣接する層が陰極の場合には隣接層は存在しない。   In the embodiment in which the cathode is disposed on the support substrate side, the cathode corresponds to one electrode and the anode corresponds to the other electrode. Therefore, in the configurations a) to p), the layer adjacent to the right side of the light emitting layer is the above-described layer. Corresponds to the adjacent layer. When such an adjacent layer can be formed by a coating method, it is preferable to form the adjacent layer by a method similar to the method for forming the adjacent layer described above. However, in the configurations of a) to p), when the layer adjacent to the right side of the light emitting layer is a cathode, there is no adjacent layer.

有機EL素子は、支持基板側から光を出射する構成のボトムエミッション型の素子と、支持基板側とは反対側から光を出射する構成のトップエミッション型の素子とに大別されるが、本実施形態の有機EL素子はどちらの型の素子としてもよく、本実施形態では光透過性を示す一方の電極を容易に形成することが可能なので、ボトムエミッション型の素子を構成することが好ましい。例えばボトムエミッション型の有機EL素子では、光透過性を示す一方の電極および基板を用いることにより、発光層から放射される光が一方の電極および支持基板を通って外部に出射する。   Organic EL elements are roughly classified into bottom emission type elements configured to emit light from the support substrate side and top emission type elements configured to emit light from the side opposite to the support substrate side. The organic EL element of the embodiment may be any type of element, and in the present embodiment, it is possible to easily form one electrode exhibiting light transmittance, and therefore it is preferable to constitute a bottom emission type element. For example, in a bottom emission type organic EL element, light emitted from the light emitting layer is emitted to the outside through one electrode and a supporting substrate by using one electrode and a substrate exhibiting light transmittance.

積層する層の順序、層数、および各層の厚さについては、発光効率や素子寿命を勘案して適宜設定することができる。   The order of the layers to be laminated, the number of layers, and the thickness of each layer can be appropriately set in consideration of the light emission efficiency and the element lifetime.

次に有機EL素子を構成する各層の材料および形成方法についてより具体的に説明する。   Next, the material and forming method of each layer constituting the organic EL element will be described more specifically.

<基板>
基板は、有機EL素子を製造する工程において化学的に変化しないものが好適に用いられ、例えばガラス、プラスチック、高分子フィルム、およびシリコン板、並びにこれらを積層したものなどが用いられる。
<Board>
A substrate that is not chemically changed in the process of manufacturing the organic EL element is suitably used. For example, glass, plastic, a polymer film, a silicon plate, and a laminate of these are used.

<一対の電極>
一対の電極のうちの一方は陽極として機能し、他方の電極は陰極として機能する。また一対の電極のいずれかは光透過性を示す電極であり、屈折率が1.5〜1.8であることが好ましい。
<A pair of electrodes>
One of the pair of electrodes functions as an anode, and the other electrode functions as a cathode. One of the pair of electrodes is an electrode exhibiting optical transparency, and the refractive index is preferably 1.5 to 1.8.

光透過性を示す電極としては前述した一方の電極としての導電性樹脂薄膜を用いることができ、電気伝導度および光透過率の高いものが好適に用いられる。この導電性樹脂薄膜を陽極として用いる場合には、発光層へ正孔注入が容易なものが好ましく、また導電性樹脂薄膜を陰極として用いる場合には仕事関数が小さく、発光層への電子注入が容易なものが好適に用いられる。   As the electrode exhibiting light transmittance, the conductive resin thin film as one of the electrodes described above can be used, and those having high electrical conductivity and light transmittance are preferably used. When this conductive resin thin film is used as an anode, it is preferable that holes can be easily injected into the light emitting layer, and when the conductive resin thin film is used as a cathode, the work function is small, and electron injection into the light emitting layer is possible. Easy materials are preferably used.

一対の電極のいずれかは光透過性を示す電極であり、この光透過性を示す電極とは異なるもう1つの電極は通常不透明な電極である。この不透明な電極は光を反射する電極であることが好ましい。   One of the pair of electrodes is a light-transmitting electrode, and another electrode different from the light-transmitting electrode is usually an opaque electrode. The opaque electrode is preferably an electrode that reflects light.

不透明な電極の材料としては、例えばアルカリ金属、アルカリ土類金属、遷移金属および周期表の13族金属などを用いることができ、例えばリチウム、ナトリウム、カリウム、ルビジウム、セシウム、ベリリウム、マグネシウム、カルシウム、ストロンチウム、バリウム、アルミニウム、スカンジウム、バナジウム、亜鉛、イットリウム、インジウム、セリウム、サマリウム、ユーロピウム、テルビウム、イッテルビウムなどの金属、前記金属のうちの2種以上の合金、前記金属のうちの1種以上と、金、銀、白金、銅、マンガン、チタン、コバルト、ニッケル、タングステン、錫のうちの1種以上との合金、またはグラファイト若しくはグラファイト層間化合物などが用いられる。合金の例としては、マグネシウム−銀合金、マグネシウム−インジウム合金、マグネシウム−アルミニウム合金、インジウム−銀合金、リチウム−アルミニウム合金、リチウム−マグネシウム合金、リチウム−インジウム合金、カルシウム−アルミニウム合金などを挙げることができる。   As the material of the opaque electrode, for example, alkali metal, alkaline earth metal, transition metal and Group 13 metal of the periodic table can be used. For example, lithium, sodium, potassium, rubidium, cesium, beryllium, magnesium, calcium, Metals such as strontium, barium, aluminum, scandium, vanadium, zinc, yttrium, indium, cerium, samarium, europium, terbium, ytterbium, two or more alloys of the metals, one or more of the metals, and An alloy with one or more of gold, silver, platinum, copper, manganese, titanium, cobalt, nickel, tungsten, tin, graphite, or a graphite intercalation compound is used. Examples of alloys include magnesium-silver alloys, magnesium-indium alloys, magnesium-aluminum alloys, indium-silver alloys, lithium-aluminum alloys, lithium-magnesium alloys, lithium-indium alloys, calcium-aluminum alloys, and the like. it can.

他方の電極は例えば真空蒸着法、スパッタリング法、また金属薄膜を熱圧着するラミネート法などにより形成することができる。   The other electrode can be formed by, for example, a vacuum deposition method, a sputtering method, or a laminating method in which a metal thin film is thermocompression bonded.

他方の電極の膜厚は、導電性および光透過性などの電極としての特性を考慮して適宜設定され、例えば1nm〜1μm程度であり、好ましくは2nm〜500nmであり、さらに好ましくは5nm〜200nmである。   The film thickness of the other electrode is appropriately set in consideration of the electrode characteristics such as conductivity and light transmittance, and is, for example, about 1 nm to 1 μm, preferably 2 nm to 500 nm, more preferably 5 nm to 200 nm. It is.

<正孔注入層>
発光層と一方の電極の間に、発光層に隣接して正孔注入層が設けられる場合、この正孔注入層が、隣接層として設けられる。この場合、以下の正孔注入層となる材料を含むインキを用いて、塗布法により正孔注入層を形成することが好ましい。
<Hole injection layer>
When a hole injection layer is provided adjacent to the light emitting layer between the light emitting layer and one electrode, this hole injection layer is provided as an adjacent layer. In this case, it is preferable to form the hole injection layer by a coating method using an ink containing a material to be the following hole injection layer.

正孔注入層を構成する正孔注入材料としては、酸化バナジウム、酸化モリブデン、酸化ルテニウム、および酸化アルミニウムなどの酸化物や、フェニルアミン系、スターバースト型アミン系、フタロシアニン系、アモルファスカーボン、ポリアニリン、およびポリチオフェン誘導体などを挙げることができる。   As the hole injection material constituting the hole injection layer, oxides such as vanadium oxide, molybdenum oxide, ruthenium oxide, and aluminum oxide, phenylamine type, starburst type amine type, phthalocyanine type, amorphous carbon, polyaniline, And polythiophene derivatives.

正孔注入層の成膜方法としては、例えば正孔注入材料を含む溶液からの成膜を挙げることができる。例えば隣接層を形成する際に用いられるインキの溶媒または分散媒として例示した液体を、溶液からの成膜に用いられる溶媒として用いることができる。   Examples of the method for forming the hole injection layer include film formation from a solution containing a hole injection material. For example, the liquid illustrated as the solvent or dispersion medium of the ink used when forming an adjacent layer can be used as a solvent used for the film-forming from a solution.

溶液からの成膜方法としては、スピンコート法、キャスティング法、マイクログラビアコート法、グラビアコート法、バーコート法、ロールコート法、ワイアーバーコート法、ディップコート法、スプレーコート法、スクリーン印刷法、フレキソ印刷法、オフセット印刷法、インクジェットプリント法などの塗布法を挙げることができる。   As a film forming method from a solution, a spin coating method, a casting method, a micro gravure coating method, a gravure coating method, a bar coating method, a roll coating method, a wire bar coating method, a dip coating method, a spray coating method, a screen printing method, Examples of the application method include a flexographic printing method, an offset printing method, and an ink jet printing method.

正孔注入層の膜厚は、求められる特性および工程の簡易さなどを考慮して適宜決定され、例えば1nm〜1μmであり、好ましくは2nm〜500nmであり、さらに好ましくは5nm〜200nmである。   The film thickness of the hole injection layer is appropriately determined in consideration of required characteristics and process simplicity, and is, for example, 1 nm to 1 μm, preferably 2 nm to 500 nm, and more preferably 5 nm to 200 nm.

<正孔輸送層>
発光層と一方の電極の間に、発光層に隣接して正孔輸送層が設けられる場合、この正孔輸送層が隣接層として設けられる。この場合、以下の正孔輸送層となる材料を含むインキを用いて、塗布法により正孔輸送層を形成することが好ましい。
<Hole transport layer>
When a hole transport layer is provided adjacent to the light emitting layer between the light emitting layer and one of the electrodes, this hole transport layer is provided as an adjacent layer. In this case, it is preferable to form the hole transport layer by a coating method using an ink containing a material to be the following hole transport layer.

正孔輸送層を構成する正孔輸送材料としては、ポリビニルカルバゾール若しくはその誘導体、ポリシラン若しくはその誘導体、側鎖若しくは主鎖に芳香族アミンを有するポリシロキサン誘導体、ピラゾリン誘導体、アリールアミン誘導体、スチルベン誘導体、トリフェニルジアミン誘導体、ポリアニリン若しくはその誘導体、ポリチオフェン若しくはその誘導体、ポリアリールアミン若しくはその誘導体、ポリピロール若しくはその誘導体、ポリ(p−フェニレンビニレン)若しくはその誘導体、又はポリ(2,5−チエニレンビニレン)若しくはその誘導体などを挙げることができる。   As the hole transport material constituting the hole transport layer, polyvinylcarbazole or a derivative thereof, polysilane or a derivative thereof, a polysiloxane derivative having an aromatic amine in a side chain or a main chain, a pyrazoline derivative, an arylamine derivative, a stilbene derivative, Triphenyldiamine derivative, polyaniline or derivative thereof, polythiophene or derivative thereof, polyarylamine or derivative thereof, polypyrrole or derivative thereof, poly (p-phenylene vinylene) or derivative thereof, or poly (2,5-thienylene vinylene) or Examples thereof include derivatives thereof.

これらの中で正孔輸送材料としては、ポリビニルカルバゾール若しくはその誘導体、ポリシラン若しくはその誘導体、側鎖若しくは主鎖に芳香族アミン化合物基を有するポリシロキサン誘導体、ポリアニリン若しくはその誘導体、ポリチオフェン若しくはその誘導体、ポリアリールアミン若しくはその誘導体、ポリ(p−フェニレンビニレン)若しくはその誘導体、又はポリ(2,5−チエニレンビニレン)若しくはその誘導体などの高分子正孔輸送材料が好ましく、さらに好ましくはポリビニルカルバゾール若しくはその誘導体、ポリシラン若しくはその誘導体、側鎖若しくは主鎖に芳香族アミンを有するポリシロキサン誘導体である。低分子の正孔輸送材料の場合には、高分子バインダーに分散させて用いることが好ましい。   Among these, hole transport materials include polyvinyl carbazole or derivatives thereof, polysilane or derivatives thereof, polysiloxane derivatives having aromatic amine compound groups in the side chain or main chain, polyaniline or derivatives thereof, polythiophene or derivatives thereof, poly Polymeric hole transport materials such as arylamine or derivatives thereof, poly (p-phenylene vinylene) or derivatives thereof, or poly (2,5-thienylene vinylene) or derivatives thereof are preferred, and polyvinylcarbazole or derivatives thereof are more preferred. , Polysilane or a derivative thereof, and a polysiloxane derivative having an aromatic amine in the side chain or main chain. In the case of a low-molecular hole transport material, it is preferably used by being dispersed in a polymer binder.

正孔輸送層の成膜方法としては、特に制限はないが、低分子の正孔輸送材料では、高分子バインダーと正孔輸送材料とを含む混合液からの成膜を挙げることができ、高分子の正孔輸送材料では、正孔輸送材料を含む溶液からの成膜を挙げることができる。   The method for forming the hole transport layer is not particularly limited, but in the case of a low molecular hole transport material, film formation from a mixed solution containing a polymer binder and a hole transport material can be exemplified. Examples of molecular hole transport materials include film formation from a solution containing a hole transport material.

溶液からの成膜方法としては、前述した正孔注入層の成膜法と同様の塗布法を挙げることができる。   Examples of the film forming method from a solution include the same coating method as the above-described film forming method of the hole injection layer.

混合する高分子バインダーとしては、電荷輸送を極度に阻害しないものが好ましく、また可視光に対する吸収の弱いものが好適に用いられ、例えばポリカーボネート、ポリアクリレート、ポリメチルアクリレート、ポリメチルメタクリレート、ポリスチレン、ポリ塩化ビニル、ポリシロキサンなどを挙げることができる。   As the polymer binder to be mixed, those that do not extremely inhibit charge transport are preferable, and those that weakly absorb visible light are preferably used. For example, polycarbonate, polyacrylate, polymethyl acrylate, polymethyl methacrylate, polystyrene, poly Examples thereof include vinyl chloride and polysiloxane.

正孔輸送層の膜厚は、求められる特性および工程の簡易さを考慮して適宜設定され、例えば1nm〜1μmであり、好ましくは2nm〜500nmであり、さらに好ましくは5nm〜200nmである。   The film thickness of the hole transport layer is appropriately set in consideration of required characteristics and process simplicity, and is, for example, 1 nm to 1 μm, preferably 2 nm to 500 nm, and more preferably 5 nm to 200 nm.

<発光層>
発光層は通常、主として蛍光及び/又はりん光を発光する有機物、または該有機物とこれを補助するドーパントとから形成される。ドーパントは、例えば発光効率の向上や、発光波長を変化させるために加えられる。なお有機物は、低分子化合物でも高分子化合物でもよく、発光層は、溶媒への溶解性の観点からもポリスチレン換算の数平均分子量が、10〜10である高分子化合物を含むことが好ましい。発光層を構成する発光材料としては、例えば以下の色素系材料、金属錯体系材料、高分子系材料、ドーパント材料を挙げることができる。
<Light emitting layer>
The light emitting layer is usually formed of an organic substance that mainly emits fluorescence and / or phosphorescence, or an organic substance and a dopant that assists the organic substance. The dopant is added, for example, in order to improve the luminous efficiency and change the emission wavelength. The organic substance may be a low molecular compound or a high molecular compound, and the light emitting layer preferably contains a high molecular compound having a polystyrene-equivalent number average molecular weight of 10 3 to 10 8 from the viewpoint of solubility in a solvent. . Examples of the light emitting material constituting the light emitting layer include the following dye materials, metal complex materials, polymer materials, and dopant materials.

(色素系材料)
色素系材料としては、例えば、シクロペンダミン誘導体、テトラフェニルブタジエン誘導体化合物、トリフェニルアミン誘導体、オキサジアゾール誘導体、ピラゾロキノリン誘導体、ジスチリルベンゼン誘導体、ジスチリルアリーレン誘導体、ピロール誘導体、チオフェン環化合物、ピリジン環化合物、ペリノン誘導体、ペリレン誘導体、オリゴチオフェン誘導体、オキサジアゾールダイマー、ピラゾリンダイマー、キナクリドン誘導体、クマリン誘導体などを挙げることができる。
(Dye material)
Examples of dye-based materials include cyclopentamine derivatives, tetraphenylbutadiene derivative compounds, triphenylamine derivatives, oxadiazole derivatives, pyrazoloquinoline derivatives, distyrylbenzene derivatives, distyrylarylene derivatives, pyrrole derivatives, thiophene ring compounds. Pyridine ring compounds, perinone derivatives, perylene derivatives, oligothiophene derivatives, oxadiazole dimers, pyrazoline dimers, quinacridone derivatives, coumarin derivatives, and the like.

(金属錯体系材料)
金属錯体系材料としては、例えばTb、Eu、Dyなどの希土類金属、またはAl、Zn、Be、Ir、Ptなどを中心金属に有し、オキサジアゾール、チアジアゾール、フェニルピリジン、フェニルベンゾイミダゾール、キノリン構造などを配位子に有する金属錯体を挙げることができ、例えばイリジウム錯体、白金錯体などの三重項励起状態からの発光を有する金属錯体、アルミニウムキノリノール錯体、ベンゾキノリノールベリリウム錯体、ベンゾオキサゾリル亜鉛錯体、ベンゾチアゾール亜鉛錯体、アゾメチル亜鉛錯体、ポルフィリン亜鉛錯体、フェナントロリンユーロピウム錯体などを挙げることができる。
(Metal complex materials)
Examples of the metal complex material include rare earth metals such as Tb, Eu, and Dy, or Al, Zn, Be, Ir, Pt, etc. as a central metal, and oxadiazole, thiadiazole, phenylpyridine, phenylbenzimidazole, quinoline. Examples include metal complexes having a structure or the like as a ligand, such as iridium complexes, platinum complexes, etc., metal complexes having light emission from a triplet excited state, aluminum quinolinol complexes, benzoquinolinol beryllium complexes, benzoxazolyl zinc A complex, a benzothiazole zinc complex, an azomethylzinc complex, a porphyrin zinc complex, a phenanthroline europium complex, and the like can be given.

(高分子系材料)
高分子系材料としては、ポリパラフェニレンビニレン誘導体、ポリチオフェン誘導体、ポリパラフェニレン誘導体、ポリシラン誘導体、ポリアセチレン誘導体、ポリフルオレン誘導体、ポリビニルカルバゾール誘導体、上記色素系材料や金属錯体系発光材料を高分子化したものなどを挙げることができる。
(Polymer material)
As polymer materials, polyparaphenylene vinylene derivatives, polythiophene derivatives, polyparaphenylene derivatives, polysilane derivatives, polyacetylene derivatives, polyfluorene derivatives, polyvinyl carbazole derivatives, the above dye materials and metal complex light emitting materials are polymerized. Things can be mentioned.

上記発光性材料のうち、青色に発光する材料としては、ジスチリルアリーレン誘導体、オキサジアゾール誘導体、およびそれらの重合体、ポリビニルカルバゾール誘導体、ポリパラフェニレン誘導体、ポリフルオレン誘導体などを挙げることができる。なかでも高分子材料のポリビニルカルバゾール誘導体、ポリパラフェニレン誘導体やポリフルオレン誘導体などが好ましい。   Among the light emitting materials, examples of the material that emits blue light include distyrylarylene derivatives, oxadiazole derivatives, and polymers thereof, polyvinylcarbazole derivatives, polyparaphenylene derivatives, and polyfluorene derivatives. Of these, polymer materials such as polyvinyl carbazole derivatives, polyparaphenylene derivatives, and polyfluorene derivatives are preferred.

また、緑色に発光する材料としては、キナクリドン誘導体、クマリン誘導体、およびそれらの重合体、ポリパラフェニレンビニレン誘導体、ポリフルオレン誘導体などを挙げることができる。なかでも高分子材料のポリパラフェニレンビニレン誘導体、ポリフルオレン誘導体などが好ましい。   Examples of materials that emit green light include quinacridone derivatives, coumarin derivatives, and polymers thereof, polyparaphenylene vinylene derivatives, polyfluorene derivatives, and the like. Of these, polymer materials such as polyparaphenylene vinylene derivatives and polyfluorene derivatives are preferred.

また、赤色に発光する材料としては、クマリン誘導体、チオフェン環化合物、およびそれらの重合体、ポリパラフェニレンビニレン誘導体、ポリチオフェン誘導体、ポリフルオレン誘導体などを挙げることができる。なかでも高分子材料のポリパラフェニレンビニレン誘導体、ポリチオフェン誘導体、ポリフルオレン誘導体などが好ましい。
(ドーパント材料)
ドーパント材料としては、例えばペリレン誘導体、クマリン誘導体、ルブレン誘導体、キナクリドン誘導体、スクアリウム誘導体、ポルフィリン誘導体、スチリル系色素、テトラセン誘導体、ピラゾロン誘導体、デカシクレン、フェノキサゾンなどを挙げることができる。なお、このような発光層の厚さは、通常約2nm〜200nmである。
Examples of materials that emit red light include coumarin derivatives, thiophene ring compounds, and polymers thereof, polyparaphenylene vinylene derivatives, polythiophene derivatives, and polyfluorene derivatives. Among these, polymer materials such as polyparaphenylene vinylene derivatives, polythiophene derivatives, and polyfluorene derivatives are preferable.
(Dopant material)
Examples of the dopant material include perylene derivatives, coumarin derivatives, rubrene derivatives, quinacridone derivatives, squalium derivatives, porphyrin derivatives, styryl dyes, tetracene derivatives, pyrazolone derivatives, decacyclene, phenoxazone, and the like. In addition, the thickness of such a light emitting layer is usually about 2 nm-200 nm.

発光層は上述した発光層となる材料を含むインキを用いる塗布法により、前述した方法で形成することができる。なお発光層となる材料を含むインキは、発光層となる材料と、該材料を溶解または分散する溶媒または分散媒とを含む。溶媒としては、発光層となる材料を溶解するものであればよく、例えばクロロホルム、塩化メチレン、ジクロロエタンなどの塩素系溶媒、テトラヒドロフランなどのエーテル系溶媒、トルエン、キシレンなどの芳香族炭化水素系溶媒、アセトン、メチルエチルケトンなどのケトン系溶媒、酢酸エチル、酢酸ブチル、エチルセルソルブアセテートなどのエステル系溶媒などを挙げることができる。また分散媒としては発光層となる材料を均一に分散する液体であればよく、溶媒として例示した液体を材料に応じて分散媒として適宜用いることができる。   The light emitting layer can be formed by the above-described method by a coating method using an ink containing the material to be the light emitting layer described above. The ink containing the material that becomes the light emitting layer includes the material that becomes the light emitting layer and a solvent or dispersion medium that dissolves or disperses the material. As the solvent, any solvent that dissolves the material to be the light-emitting layer may be used. For example, a chlorine-based solvent such as chloroform, methylene chloride, and dichloroethane, an ether-based solvent such as tetrahydrofuran, an aromatic hydrocarbon-based solvent such as toluene and xylene, Examples thereof include ketone solvents such as acetone and methyl ethyl ketone, and ester solvents such as ethyl acetate, butyl acetate, and ethyl cellosolve acetate. The dispersion medium may be a liquid that uniformly disperses the material that becomes the light emitting layer, and the liquid exemplified as the solvent can be appropriately used as the dispersion medium depending on the material.

<電子輸送層>
発光層と一方の電極の間に、発光層に隣接して電子輸送層が設けられる場合、この電子輸送層が隣接層として設けられる。この場合、以下の電子輸送層となる材料を含むインキを用いて、前述した塗布法により電子輸送層を形成することが好ましい。
<Electron transport layer>
When an electron transport layer is provided adjacent to the light emitting layer between the light emitting layer and one of the electrodes, this electron transport layer is provided as an adjacent layer. In this case, it is preferable to form an electron transport layer by the coating method mentioned above using the ink containing the material used as the following electron transport layers.

電子輸送層を構成する電子輸送材料としては、公知のものを使用でき、オキサジアゾール誘導体、アントラキノジメタン若しくはその誘導体、ベンゾキノン若しくはその誘導体、ナフトキノン若しくはその誘導体、アントラキノン若しくはその誘導体、テトラシアノアンスラキノジメタン若しくはその誘導体、フルオレノン誘導体、ジフェニルジシアノエチレン若しくはその誘導体、ジフェノキノン誘導体、又は8−ヒドロキシキノリン若しくはその誘導体の金属錯体、ポリキノリン若しくはその誘導体、ポリキノキサリン若しくはその誘導体、ポリフルオレン若しくはその誘導体などを挙げることができる。   As the electron transport material constituting the electron transport layer, known materials can be used, such as oxadiazole derivatives, anthraquinodimethane or derivatives thereof, benzoquinone or derivatives thereof, naphthoquinone or derivatives thereof, anthraquinones or derivatives thereof, tetracyanoanthra Quinodimethane or derivatives thereof, fluorenone derivatives, diphenyldicyanoethylene or derivatives thereof, diphenoquinone derivatives, or metal complexes of 8-hydroxyquinoline or derivatives thereof, polyquinoline or derivatives thereof, polyquinoxaline or derivatives thereof, polyfluorene or derivatives thereof, etc. Can be mentioned.

これらのうち、電子輸送材料としては、オキサジアゾール誘導体、ベンゾキノン若しくはその誘導体、アントラキノン若しくはその誘導体、又は8−ヒドロキシキノリン若しくはその誘導体の金属錯体、ポリキノリン若しくはその誘導体、ポリキノキサリン若しくはその誘導体、ポリフルオレン若しくはその誘導体が好ましく、2−(4−ビフェニリル)−5−(4−t−ブチルフェニル)−1,3,4−オキサジアゾール、ベンゾキノン、アントラキノン、トリス(8−キノリノール)アルミニウム、ポリキノリンがさらに好ましい。   Among these, as an electron transport material, an oxadiazole derivative, benzoquinone or a derivative thereof, anthraquinone or a derivative thereof, a metal complex of 8-hydroxyquinoline or a derivative thereof, a polyquinoline or a derivative thereof, a polyquinoxaline or a derivative thereof, a polyfluorene Or a derivative thereof is preferable, and 2- (4-biphenylyl) -5- (4-t-butylphenyl) -1,3,4-oxadiazole, benzoquinone, anthraquinone, tris (8-quinolinol) aluminum, and polyquinoline are further included. preferable.

電子輸送層の成膜法としては特に制限はないが、低分子の電子輸送材料では、粉末からの真空蒸着法、または溶液若しくは溶融状態からの成膜を挙げることができ、高分子の電子輸送材料では溶液または溶融状態からの成膜を挙げることができる。なお溶液または溶融状態からの成膜する場合には、高分子バインダーを併用してもよい。溶液から電子輸送層を成膜する方法としては、前述の溶液から正孔注入層を成膜する方法と同様の成膜法を挙げることができる。   There are no particular restrictions on the method for forming the electron transport layer, but for low molecular weight electron transport materials, vacuum deposition from powder or film formation from a solution or a molten state can be used. Examples of the material include film formation from a solution or a molten state. In the case of forming a film from a solution or a molten state, a polymer binder may be used in combination. Examples of the method for forming an electron transport layer from a solution include the same film formation method as the method for forming a hole injection layer from a solution described above.

電子輸送層の膜厚は、求められる特性および工程の簡易さを考慮して適宜設定され、例えば1nm〜1μmであり、好ましくは2nm〜500nmであり、さらに好ましくは5nm〜200nmである。   The film thickness of the electron transport layer is appropriately set in consideration of required characteristics and process simplicity, and is, for example, 1 nm to 1 μm, preferably 2 nm to 500 nm, and more preferably 5 nm to 200 nm.

<電子注入層>
発光層と一方の電極の間に、発光層に隣接して電子注入層が設けられる場合、この電子注入層が隣接層として設けられる。この場合には、以下の電子注入層となる材料を含むインキを用いて、前述した塗布法により電子注入層を形成することが好ましい。
<Electron injection layer>
When an electron injection layer is provided adjacent to the light emitting layer between the light emitting layer and one of the electrodes, this electron injection layer is provided as an adjacent layer. In this case, it is preferable to form the electron injection layer by the above-described coating method using an ink containing a material to be the following electron injection layer.

電子注入層を構成する材料としては、発光層の種類に応じて最適な材料が適宜選択され、アルカリ金属、アルカリ土類金属、アルカリ金属およびアルカリ土類金属のうちの1種類以上含む合金、アルカリ金属若しくはアルカリ土類金属の酸化物、ハロゲン化物、炭酸塩、またはこれらの物質の混合物などを挙げることができる。アルカリ金属、アルカリ金属の酸化物、ハロゲン化物、および炭酸塩の例としては、リチウム、ナトリウム、カリウム、ルビジウム、セシウム、酸化リチウム、フッ化リチウム、酸化ナトリウム、フッ化ナトリウム、酸化カリウム、フッ化カリウム、酸化ルビジウム、フッ化ルビジウム、酸化セシウム、フッ化セシウム、炭酸リチウムなどを挙げることができる。また、アルカリ土類金属、アルカリ土類金属の酸化物、ハロゲン化物、炭酸塩の例としては、マグネシウム、カルシウム、バリウム、ストロンチウム、酸化マグネシウム、フッ化マグネシウム、酸化カルシウム、フッ化カルシウム、酸化バリウム、フッ化バリウム、酸化ストロンチウム、フッ化ストロンチウム、炭酸マグネシウムなどを挙げることができる。電子注入層は、2層以上を積層した積層体で構成されてもよく、例えばLiF/Caなどを挙げることができる。電子注入層は、蒸着法、スパッタリング法、印刷法などにより形成される。電子注入層の膜厚としては、1nm〜1μm程度が好ましい。   As the material constituting the electron injecting layer, an optimal material is appropriately selected according to the type of the light emitting layer, and an alloy containing at least one of alkali metal, alkaline earth metal, alkali metal and alkaline earth metal, alkali A metal or alkaline earth metal oxide, halide, carbonate, or a mixture of these substances can be given. Examples of alkali metals, alkali metal oxides, halides, and carbonates include lithium, sodium, potassium, rubidium, cesium, lithium oxide, lithium fluoride, sodium oxide, sodium fluoride, potassium oxide, potassium fluoride , Rubidium oxide, rubidium fluoride, cesium oxide, cesium fluoride, lithium carbonate, and the like. Examples of alkaline earth metals, alkaline earth metal oxides, halides and carbonates include magnesium, calcium, barium, strontium, magnesium oxide, magnesium fluoride, calcium oxide, calcium fluoride, barium oxide, Examples thereof include barium fluoride, strontium oxide, strontium fluoride, and magnesium carbonate. The electron injection layer may be composed of a laminate in which two or more layers are laminated, and examples thereof include LiF / Ca. The electron injection layer is formed by vapor deposition, sputtering, printing, or the like. The thickness of the electron injection layer is preferably about 1 nm to 1 μm.

以上説明した有機EL素子は、曲面状や平面状の照明装置、例えばスキャナの光源として用いられる面状光源、および表示装置などの発光装置に好適に用いることができる。   The organic EL elements described above can be suitably used for curved or planar illumination devices, for example, planar light sources used as light sources for scanners, and light emitting devices such as display devices.

有機EL素子を備える表示装置としては、セグメント表示装置、ドットマトリックス表示装置などを挙げることができる。ドットマトリックス表示装置には、アクティブマトリックス表示装置およびパッシブマトリックス表示装置などがある。有機EL素子は、アクティブマトリックス表示装置、パッシブマトリックス表示装置において、各画素を構成する発光素子として用いられる。また有機EL素子は、セグメント表示装置において、各セグメントを構成する発光素子またはバックライトとして用いられ、液晶表示装置において、バックライトとして用いられる。   Examples of the display device including an organic EL element include a segment display device and a dot matrix display device. The dot matrix display device includes an active matrix display device and a passive matrix display device. An organic EL element is used as a light emitting element constituting each pixel in an active matrix display device and a passive matrix display device. The organic EL element is used as a light emitting element or a backlight constituting each segment in the segment display device, and is used as a backlight in the liquid crystal display device.

以下では所定の雰囲気中で有機EL素子を作製することにより素子特性が向上することを確認するために、ガスの濃度を制御した雰囲気中において有機EL素子を作製した。なお一方の電極としては、導電性樹脂薄膜の換わりとしてITO薄膜を用いたが、少なくとも隣接層および発光層を所定の雰囲気中で作製することにより素子特性が向上することを以下の実験例および比較例において確認した。   Hereinafter, in order to confirm that the device characteristics are improved by producing the organic EL device in a predetermined atmosphere, the organic EL device was produced in an atmosphere in which the gas concentration was controlled. As one of the electrodes, an ITO thin film was used in place of the conductive resin thin film. However, the following experimental examples and comparison show that device characteristics are improved by producing at least the adjacent layer and the light emitting layer in a predetermined atmosphere. Confirmed in the examples.

(実験例1)
以下の構成の有機EL素子を作製した。
「ガラス基板/ITO(150nm)/Baytron P(65nm)/高分子化合物1(20nm)/高分子化合物2(65nm)/Ba(5nm)/Al(80nm)」
まずスパッタ法によって膜厚150nmのITO膜(陽極)がその表面上に形成されたガラス基板を用意した。このガラス基板に、ポリ(3,4)エチレンジオキシチオフェン/ポリスチレンスルホン酸(スタルク製;Baytron P)の懸濁液をスピンコート法により塗布し、厚みが65nmの塗膜を成膜し、さらにホットプレート上で200℃、10分間乾燥することによって正孔注入層を得た。なお正孔注入層の形成は大気雰囲気中でおこなった。なお大気雰囲気における酸素濃度は体積比で2×10ppm程度であり、水分濃度は体積比で2×10ppm程度である。
(Experimental example 1)
An organic EL element having the following configuration was produced.
“Glass substrate / ITO (150 nm) / Baytron P (65 nm) / Polymer compound 1 (20 nm) / Polymer compound 2 (65 nm) / Ba (5 nm) / Al (80 nm)”
First, a glass substrate on which an ITO film (anode) having a thickness of 150 nm was formed on the surface by sputtering was prepared. On this glass substrate, a suspension of poly (3,4) ethylenedioxythiophene / polystyrene sulfonic acid (Starc; Baytron P) was applied by spin coating to form a coating film having a thickness of 65 nm. A hole injection layer was obtained by drying at 200 ° C. for 10 minutes on a hot plate. The hole injection layer was formed in an air atmosphere. The oxygen concentration in the air atmosphere is about 2 × 10 5 ppm by volume, and the water concentration is about 2 × 10 4 ppm by volume.

次に高分子化合物1をテトラリンに溶解して、テトラリン溶液1を用意した。このテトラリン溶液1における高分子化合物1の濃度を1.0重量%とした。次に酸素濃度および水分濃度がそれぞれ体積比で10ppm以下に制御された窒素雰囲気中において、テトラリン溶液1をスピンコート法により基板上に塗布し、膜厚が20nmの正孔輸送層用の塗膜を成膜した。これを、酸素濃度が体積比で400ppm以上450ppm以下、水分濃度が体積比で440ppm以上540ppm以下に制御された雰囲気中に10分間放置した(以下の実験例1,2および比較例1,2,3において、正孔輸送層は隣接層に相当する。)。次に酸素濃度が体積比で400ppm以上450ppm以下、水分濃度が体積比で440ppm以上540ppm以下に制御された雰囲気中において180℃、1時間加熱することによって正孔輸送層を得た。   Next, the polymer compound 1 was dissolved in tetralin to prepare a tetralin solution 1. The concentration of the polymer compound 1 in the tetralin solution 1 was 1.0% by weight. Next, in a nitrogen atmosphere in which the oxygen concentration and the water concentration are each controlled to 10 ppm or less by volume, the tetralin solution 1 is applied onto the substrate by spin coating, and the coating film for a hole transport layer having a thickness of 20 nm is formed. Was deposited. This was left for 10 minutes in an atmosphere in which the oxygen concentration was controlled to 400 ppm to 450 ppm by volume and the water concentration was controlled to 440 ppm to 540 ppm by volume (Experimental Examples 1 and 2 and Comparative Examples 1 and 2 below). 3, the hole transport layer corresponds to the adjacent layer). Next, a hole transport layer was obtained by heating at 180 ° C. for 1 hour in an atmosphere in which the oxygen concentration was controlled to 400 ppm to 450 ppm by volume and the water concentration was controlled to 440 ppm to 540 ppm by volume.

次に高分子化合物2をテトラリンに溶解して、テトラリン溶液2を用意した。このテトラリン溶液2における高分子化合物2の濃度を1.37重量%とした。酸素濃度および水分濃度がそれぞれ体積比で10ppm以下に制御された窒素雰囲気中において、テトラリン溶液2をスピンコート法により基板上に塗布し、膜厚が65nmの発光層用塗膜を成膜した。これを、酸素濃度が体積比で400ppm以上450ppm以下、水分濃度が体積比で500ppm以上540ppm以下に制御された雰囲気中に10分間放置した。次に酸素濃度が体積比で400ppm以上450ppm以下、水分濃度が体積比で500ppm以上540ppm以下に制御された雰囲気中において130℃、10分加熱することによって発光層を得た。なお正孔輸送層および発光層を形成する工程では基板雰囲気の圧力を大気圧とした。   Next, the high molecular compound 2 was melt | dissolved in tetralin, and the tetralin solution 2 was prepared. The concentration of the polymer compound 2 in the tetralin solution 2 was 1.37% by weight. In a nitrogen atmosphere in which the oxygen concentration and the water concentration were each controlled to 10 ppm or less by volume, the tetralin solution 2 was applied onto the substrate by spin coating to form a light emitting layer coating film having a thickness of 65 nm. This was left for 10 minutes in an atmosphere in which the oxygen concentration was controlled to 400 ppm to 450 ppm by volume and the water concentration was controlled to 500 ppm to 540 ppm by volume. Next, a light emitting layer was obtained by heating at 130 ° C. for 10 minutes in an atmosphere in which the oxygen concentration was controlled to 400 ppm to 450 ppm by volume and the water concentration was controlled to 500 ppm to 540 ppm by volume. In the step of forming the hole transport layer and the light emitting layer, the pressure of the substrate atmosphere was set to atmospheric pressure.

次に1.0×10-4Pa以下にまで減圧した後、陰極として、バリウムを約5nm、次いでアルミニウムを約80nm蒸着した。蒸着後、ガラス基板を用いて封止を行い、有機EL素子を作製した。 Next, after reducing the pressure to 1.0 × 10 −4 Pa or less, barium was vapor-deposited at about 5 nm and aluminum was then vapor-deposited at about 80 nm as a cathode. After vapor deposition, sealing was performed using a glass substrate to produce an organic EL element.

作製した有機EL素子を初期輝度5,000cd/m2で定電流駆動した際に、輝度が初期輝度の50%となるまでの時間(寿命)は131時間であった。この寿命を、初期輝度3,000cd/m2で定電流駆動した際の寿命に換算すると365時間(換算式=131×(5000/3000)2)であった。 When the produced organic EL device was driven at a constant current at an initial luminance of 5,000 cd / m 2 , the time (life) until the luminance became 50% of the initial luminance was 131 hours. When this lifetime was converted into a lifetime when driven at a constant current with an initial luminance of 3,000 cd / m 2 , it was 365 hours (conversion formula = 131 × (5000/3000) 2 ).

(実験例2)
以下の構成の有機EL素子を作製した。
「ガラス基板/ITO(150nm)/Baytron P(65nm)/高分子化合物1(20nm)/高分子化合物2(65nm)/Ba(5nm)/Al(80nm)」
まずスパッタ法によって膜厚150nmのITO膜(陽極)がその表面上に形成されたガラス基板を用意した。このガラス基板に、ポリ(3,4)エチレンジオキシチオフェン/ポリスチレンスルホン酸(スタルク製;Baytron P)の懸濁液をスピンコート法により塗布し、厚みが65nmの塗膜を成膜し、さらにホットプレート上で200℃、10分間乾燥することによって正孔注入層を得た。なお正孔注入層の形成は大気雰囲気中でおこなった。
(Experimental example 2)
An organic EL element having the following configuration was produced.
“Glass substrate / ITO (150 nm) / Baytron P (65 nm) / Polymer compound 1 (20 nm) / Polymer compound 2 (65 nm) / Ba (5 nm) / Al (80 nm)”
First, a glass substrate on which an ITO film (anode) having a thickness of 150 nm was formed on the surface by sputtering was prepared. On this glass substrate, a suspension of poly (3,4) ethylenedioxythiophene / polystyrene sulfonic acid (Starc; Baytron P) was applied by spin coating to form a coating film having a thickness of 65 nm. A hole injection layer was obtained by drying at 200 ° C. for 10 minutes on a hot plate. The hole injection layer was formed in an air atmosphere.

次に実験例1と同様にしてテトラリン溶液1を用意した。酸素濃度および水分濃度がそれぞれ体積比で10ppm以下に制御された窒素雰囲気中において、テトラリン溶液1をスピンコート法により基板上に塗布し、膜厚が20nmの正孔輸送層用の塗膜を成膜した。さらに酸素濃度および水分濃度がそれぞれ体積比で10ppm以下に制御された窒素雰囲気中において180℃、1時間加熱することによって正孔輸送層を得た。   Next, a tetralin solution 1 was prepared in the same manner as in Experimental Example 1. In a nitrogen atmosphere in which the oxygen concentration and water concentration are each controlled to 10 ppm or less by volume, the tetralin solution 1 is applied onto the substrate by spin coating to form a coating film for a hole transport layer having a thickness of 20 nm. Filmed. Furthermore, the hole transport layer was obtained by heating at 180 ° C. for 1 hour in a nitrogen atmosphere in which the oxygen concentration and the water concentration were each controlled to 10 ppm or less by volume.

次に実験例1と同様にしてテトラリン溶液2を用意した。酸素濃度および水分濃度がそれぞれ体積比で10ppm以下に制御された窒素雰囲気中において、テトラリン溶液2をスピンコート法により基板上に塗布し、膜厚が65nmの発光層用塗膜を成膜した。さらに酸素濃度および水分濃度がそれぞれ体積比で10ppm以下に制御された窒素雰囲気中において130℃、10分加熱することによって発光層を得た。なお正孔輸送層および発光層を形成する工程では基板雰囲気の圧力を大気圧とした。   Next, a tetralin solution 2 was prepared in the same manner as in Experimental Example 1. In a nitrogen atmosphere in which the oxygen concentration and the water concentration were each controlled to 10 ppm or less by volume, the tetralin solution 2 was applied onto the substrate by spin coating to form a light emitting layer coating film having a thickness of 65 nm. Further, a light emitting layer was obtained by heating at 130 ° C. for 10 minutes in a nitrogen atmosphere in which the oxygen concentration and the water concentration were each controlled to 10 ppm or less by volume. In the step of forming the hole transport layer and the light emitting layer, the pressure of the substrate atmosphere was set to atmospheric pressure.

次に1.0×10-4Pa以下にまで減圧した後、陰極として、バリウムを約5nm、次いでアルミニウムを約80nm蒸着した。蒸着後、ガラス基板を用いて封止を行い、有機EL素子を作製した。 Next, after reducing the pressure to 1.0 × 10 −4 Pa or less, barium was vapor-deposited at about 5 nm and aluminum was then vapor-deposited at about 80 nm as a cathode. After vapor deposition, sealing was performed using a glass substrate to produce an organic EL element.

作製した有機EL素子を初期輝度3,000cd/m2で定電流駆動した際に、輝度が初期輝度の50%となるまでの時間(寿命)は415時間であった。 When the produced organic EL element was driven at a constant current at an initial luminance of 3,000 cd / m 2 , the time (life) until the luminance became 50% of the initial luminance was 415 hours.

(比較例1)
以下の構成の有機EL素子を作製した。
「ガラス基板/ITO(150nm)/Baytron P(65nm)/高分子化合物1(20nm)/高分子化合物2(65nm)/Ba(5nm)/Al(80nm)」
まずスパッタ法によって膜厚150nmのITO膜(陽極)がその表面上に形成されたガラス基板を用意した。この基板上にポリ(3,4)エチレンジオキシチオフェン/ポリスチレンスルホン酸(スタルク製;Baytron P)の懸濁液をスピンコート法により塗布し、厚みが65nmの塗膜を成膜し、さらにホットプレート上で200℃、10分間乾燥することによって正孔注入層を得た。なお正孔注入層の形成は大気雰囲気中でおこなった。
(Comparative Example 1)
An organic EL element having the following configuration was produced.
“Glass substrate / ITO (150 nm) / Baytron P (65 nm) / Polymer compound 1 (20 nm) / Polymer compound 2 (65 nm) / Ba (5 nm) / Al (80 nm)”
First, a glass substrate on which an ITO film (anode) having a thickness of 150 nm was formed on the surface by sputtering was prepared. On this substrate, a suspension of poly (3,4) ethylenedioxythiophene / polystyrenesulfonic acid (Starc; Baytron P) was applied by spin coating to form a coating film having a thickness of 65 nm. The hole injection layer was obtained by drying on a plate at 200 ° C. for 10 minutes. The hole injection layer was formed in an air atmosphere.

次に実験例1と同様にしてテトラリン溶液1を用意した。酸素濃度および水分濃度がそれぞれ体積比で10ppm以下に制御された窒素雰囲気中において、テトラリン溶液1をスピンコート法により基板上に塗布し、膜厚が20nmの正孔輸送層用の塗膜を成膜した。さらに酸素濃度および水分濃度がそれぞれ体積比で10ppm以下に制御された窒素雰囲気中において180℃、1時間加熱することによって正孔輸送層を得た。   Next, a tetralin solution 1 was prepared in the same manner as in Experimental Example 1. In a nitrogen atmosphere in which the oxygen concentration and water concentration are each controlled to 10 ppm or less by volume, the tetralin solution 1 is applied onto the substrate by spin coating to form a coating film for a hole transport layer having a thickness of 20 nm. Filmed. Furthermore, the hole transport layer was obtained by heating at 180 ° C. for 1 hour in a nitrogen atmosphere in which the oxygen concentration and the water concentration were each controlled to 10 ppm or less by volume.

次に実験例1と同様にしてテトラリン溶液2を用意した。大気雰囲気中において、テトラリン溶液2をスピンコート法により基板上に塗布し、膜厚が65nmの発光層用塗膜を成膜した。これを、大気雰囲気中に10分間放置した。次に酸素濃度および水分濃度がそれぞれ体積比で10ppm以下に制御された窒素雰囲気中において130℃、10分加熱することによって発光層を得た。なお正孔輸送層および発光層を形成する工程はでは基板雰囲気の圧力を大気圧とした。   Next, a tetralin solution 2 was prepared in the same manner as in Experimental Example 1. In the air atmosphere, the tetralin solution 2 was applied onto the substrate by a spin coating method to form a light emitting layer coating film having a film thickness of 65 nm. This was left in the air for 10 minutes. Next, a light emitting layer was obtained by heating at 130 ° C. for 10 minutes in a nitrogen atmosphere in which the oxygen concentration and water concentration were each controlled to 10 ppm or less by volume. In the step of forming the hole transport layer and the light emitting layer, the pressure of the substrate atmosphere was set to atmospheric pressure.

次に1.0×10-4Pa以下にまで減圧した後、陰極として、バリウムを約5nm、次いでアルミニウムを約80nm蒸着した。蒸着後、ガラス基板を用いて封止を行い、有機EL素子を作製した。 Next, after reducing the pressure to 1.0 × 10 −4 Pa or less, barium was vapor-deposited at about 5 nm and aluminum was then vapor-deposited at about 80 nm as a cathode. After vapor deposition, sealing was performed using a glass substrate to produce an organic EL element.

作製した有機EL素子を初期輝度3,000cd/m2で定電流駆動した際に、輝度が初期輝度の50%となるまでの時間(寿命)は266時間であった。 When the produced organic EL device was driven at a constant current at an initial luminance of 3,000 cd / m 2 , the time (life) until the luminance became 50% of the initial luminance was 266 hours.

(比較例2)
以下の構成の有機EL素子を作製した。
「ガラス基板/ITO(150nm)/Baytron P(65nm)/高分子化合物1(20nm)/高分子化合物2(65nm)/Ba(5nm)/Al(80nm)」
まずスパッタ法によって膜厚150nmのITO膜(陽極)がその表面上に形成されたガラス基板を用意した。このガラス基板に、ポリ(3,4)エチレンジオキシチオフェン/ポリスチレンスルホン酸(スタルク製;Baytron P)の懸濁液をスピンコート法により塗布し、厚みが65nmの塗膜を成膜し、さらにホットプレート上で200℃、10分間乾燥することによって正孔注入層を得た。なお正孔注入層の形成は大気雰囲気中でおこなった。
(Comparative Example 2)
An organic EL element having the following configuration was produced.
“Glass substrate / ITO (150 nm) / Baytron P (65 nm) / Polymer compound 1 (20 nm) / Polymer compound 2 (65 nm) / Ba (5 nm) / Al (80 nm)”
First, a glass substrate on which an ITO film (anode) having a thickness of 150 nm was formed on the surface by sputtering was prepared. On this glass substrate, a suspension of poly (3,4) ethylenedioxythiophene / polystyrene sulfonic acid (Starc; Baytron P) was applied by spin coating to form a coating film having a thickness of 65 nm. A hole injection layer was obtained by drying at 200 ° C. for 10 minutes on a hot plate. The hole injection layer was formed in an air atmosphere.

次に、実験例1と同様にしてテトラリン溶液1を用意した。大気雰囲気中において、テトラリン溶液1をスピンコート法により基板上に塗布し、膜厚が20nmの正孔輸送層用の塗膜を成膜した。これを、大気雰囲気中に10分間放置した。次に酸素濃度および水分濃度がそれぞれ体積比で10ppm以下に制御された窒素雰囲気中において180℃、1時間加熱することによって正孔輸送層を得た。   Next, a tetralin solution 1 was prepared in the same manner as in Experimental Example 1. In the air atmosphere, the tetralin solution 1 was applied onto the substrate by a spin coating method to form a coating film for a hole transport layer having a thickness of 20 nm. This was left in the air for 10 minutes. Next, a hole transport layer was obtained by heating at 180 ° C. for 1 hour in a nitrogen atmosphere in which the oxygen concentration and the water concentration were each controlled to 10 ppm or less by volume.

次に実験例1と同様にしてテトラリン溶液2を用意した。大気雰囲気中において、テトラリン溶液2をスピンコート法により基板上に塗布し、膜厚が65nmの発光層用塗膜を成膜した。これを、大気雰囲気中に10分間放置した。次に酸素濃度および水分濃度がそれぞれ体積比で10ppm以下に制御された窒素雰囲気中において130℃、10分加熱することによって発光層を得た。なお正孔輸送層および発光層を形成する工程では基板雰囲気の圧力を大気圧とした。   Next, a tetralin solution 2 was prepared in the same manner as in Experimental Example 1. In the air atmosphere, the tetralin solution 2 was applied onto the substrate by a spin coating method to form a light emitting layer coating film having a film thickness of 65 nm. This was left in the air for 10 minutes. Next, a light emitting layer was obtained by heating at 130 ° C. for 10 minutes in a nitrogen atmosphere in which the oxygen concentration and water concentration were each controlled to 10 ppm or less by volume. In the step of forming the hole transport layer and the light emitting layer, the pressure of the substrate atmosphere was set to atmospheric pressure.

次に1.0×10-4Pa以下にまで減圧した後、陰極として、バリウムを約5nm、次いでアルミニウムを約80nm蒸着した。蒸着後、ガラス基板を用いて封止を行い、有機EL素子を作製した。 Next, after reducing the pressure to 1.0 × 10 −4 Pa or less, barium was vapor-deposited at about 5 nm and aluminum was then vapor-deposited at about 80 nm as a cathode. After vapor deposition, sealing was performed using a glass substrate to produce an organic EL element.

作製した有機EL素子を初期輝度3,000cd/m2で定電流駆動した際に、輝度が初期輝度の50%となるまでの時間(寿命)は236時間であり、初期輝度5,000cd/m2で定電流駆動した際に、輝度が初期輝度の50%となるまでの時間(寿命)は80時間であった。 When the produced organic EL device is driven at a constant current at an initial luminance of 3,000 cd / m 2 , the time (life) until the luminance becomes 50% of the initial luminance is 236 hours, and the initial luminance is 5,000 cd / m. When driving at a constant current at 2 , the time (life) until the luminance became 50% of the initial luminance was 80 hours.

(比較例3)
以下の構成の有機EL素子を作製した。
「ガラス基板/ITO(150nm)/Baytron P(65nm)/高分子化合物1(20nm)/高分子化合物2(65nm)/Ba(5nm)/Al(80nm)」
まずスパッタ法によって膜厚150nmのITO膜(陽極)がその表面上に形成されたガラス基板を用意した。このガラス基板に、ポリ(3,4)エチレンジオキシチオフェン/ポリスチレンスルホン酸(スタルク製;Baytron P)の懸濁液をスピンコート法により塗布し、厚みが65nmの塗膜を成膜し、さらにホットプレート上で200℃、10分間乾燥することによって正孔注入層を得た。なお正孔注入層の形成は大気雰囲気中でおこなった。
(Comparative Example 3)
An organic EL element having the following configuration was produced.
“Glass substrate / ITO (150 nm) / Baytron P (65 nm) / Polymer compound 1 (20 nm) / Polymer compound 2 (65 nm) / Ba (5 nm) / Al (80 nm)”
First, a glass substrate on which an ITO film (anode) having a thickness of 150 nm was formed on the surface by sputtering was prepared. On this glass substrate, a suspension of poly (3,4) ethylenedioxythiophene / polystyrene sulfonic acid (Starc; Baytron P) was applied by spin coating to form a coating film having a thickness of 65 nm. A hole injection layer was obtained by drying at 200 ° C. for 10 minutes on a hot plate. The hole injection layer was formed in an air atmosphere.

次に、実験例1と同様にしてテトラリン溶液1を用意した。大気雰囲気中において、テトラリン溶液1をスピンコート法により基板上に塗布し、膜厚が20nmの正孔輸送層用の塗膜を成膜し、大気雰囲気中において10分間放置した。次に酸素濃度および水分濃度がそれぞれ体積比で10ppm以下に制御された窒素雰囲気中において180℃、1時間加熱することによって正孔輸送層を得た。   Next, a tetralin solution 1 was prepared in the same manner as in Experimental Example 1. In the air atmosphere, the tetralin solution 1 was applied onto the substrate by a spin coating method to form a coating film for a hole transport layer having a film thickness of 20 nm, and left in the air atmosphere for 10 minutes. Next, a hole transport layer was obtained by heating at 180 ° C. for 1 hour in a nitrogen atmosphere in which the oxygen concentration and the water concentration were each controlled to 10 ppm or less by volume.

次に実験例1と同様にしてテトラリン溶液2を用意した。酸素濃度および水分濃度がそれぞれ体積比で10ppm以下に制御された窒素雰囲気中において、テトラリン溶液2をスピンコート法により基板上に塗布し、膜厚が65nmの発光層用塗膜を成膜した。さらに酸素濃度および水分濃度がそれぞれ体積比で10ppm以下に制御された窒素雰囲気中において130℃、10分加熱することによって発光層を得た。なお正孔輸送層および発光層を形成する工程では基板雰囲気の圧力を大気圧とした。   Next, a tetralin solution 2 was prepared in the same manner as in Experimental Example 1. In a nitrogen atmosphere in which the oxygen concentration and the water concentration were each controlled to 10 ppm or less by volume, the tetralin solution 2 was applied onto the substrate by spin coating to form a light emitting layer coating film having a thickness of 65 nm. Further, a light emitting layer was obtained by heating at 130 ° C. for 10 minutes in a nitrogen atmosphere in which the oxygen concentration and the water concentration were each controlled to 10 ppm or less by volume. In the step of forming the hole transport layer and the light emitting layer, the pressure of the substrate atmosphere was set to atmospheric pressure.

次に1.0×10-4Pa以下にまで減圧した後、陰極として、バリウムを約5nm、次いでアルミニウムを約80nm蒸着した。蒸着後、ガラス基板を用いて封止を行い、有機EL素子を作製した。 Next, after reducing the pressure to 1.0 × 10 −4 Pa or less, barium was vapor-deposited at about 5 nm and aluminum was then vapor-deposited at about 80 nm as a cathode. After vapor deposition, sealing was performed using a glass substrate to produce an organic EL element.

作製した有機EL素子を初期輝度3,000cd/m2で定電流駆動した際に、輝度が初期輝度の50%となるまでの時間(寿命)は256時間であった。 When the produced organic EL device was driven at a constant current at an initial luminance of 3,000 cd / m 2 , the time (life) until the luminance became 50% of the initial luminance was 256 hours.

実験例1、2、比較例1、2、3の有機EL素子の作製条件と素子寿命の関係を表2に示す。   Table 2 shows the relationship between the manufacturing conditions of the organic EL elements of Experimental Examples 1 and 2 and Comparative Examples 1, 2, and 3 and the element lifetime.

Figure 2011029118
Figure 2011029118

以上の結果から、隣接層としての正孔輸送層、および発光層を形成する際の雰囲気中の酸素濃度および水分濃度を低く抑えることによって素子寿命が向上することを確認した。   From the above results, it was confirmed that the device lifetime was improved by keeping the oxygen concentration and moisture concentration in the atmosphere when forming the hole transport layer and the light emitting layer as the adjacent layers low.

なお前述した高分子化合物1の替わりとして、例えば以下の高分子化合物3を用い、高分子化合物2の替わりとしてLumation BP361(サメイション製)を用いて実験例1、2と同様に有機EL素子を作製したとしても、実験例1、2の有機EL素子と同様に素子寿命の長い有機EL素子を実現することができる。   As an alternative to the above-described polymer compound 1, for example, the following polymer compound 3 is used, and instead of the polymer compound 2, Lumination BP361 (manufactured by Summation) is used to produce an organic EL device in the same manner as in Experimental Examples 1 and 2. Even if it does, the organic EL element with a long element lifetime is realizable like the organic EL element of Experimental example 1,2.

(高分子化合物3)
下記構造式で表される2つの繰り返し単位を含む高分子化合物3を以下のようにして合成した。

Figure 2011029118
(Polymer Compound 3)
Polymer compound 3 containing two repeating units represented by the following structural formula was synthesized as follows.
Figure 2011029118

不活性雰囲気下、2,7−ビス(1,3,2−ジオキサボロラン−2−イル)−9,9−ジオクチルフルオレン(5.20g)、ビス(4−ブロモフェニル)−(4−セカンダリブチルフェニル)−アミン(0.14g)、酢酸パラジウム(2.2mg)、トリ(2−メチルフェニル)ホスフィン(15.1mg)、Aliquat336(0.91g,アルドリッチ製)、トルエン(70ml)を混合し、105℃に加熱した。この反応溶液に2M Na2CO3水溶液(19ml)を滴下し、4時間還流させた。反応後、フェニルホウ酸(121mg)を加え、さらに3時間還流させた。次いでジエチルジチアカルバミン酸ナトリウム水溶液を加え80℃で4時間撹拌した。冷却後、水(60ml)で3回、3%酢酸水溶液(60ml)で3回、水(60ml)で3回洗浄し、アルミナカラム、シリカゲルカラムを通すことにより精製した。得られたトルエン溶液をメタノール(3L)に滴下し、3時間撹拌した後、得られた固体をろ取し、乾燥させた。得られた高分子化合物3の収量は5.25gであった。 Under an inert atmosphere, 2,7-bis (1,3,2-dioxaborolan-2-yl) -9,9-dioctylfluorene (5.20 g), bis (4-bromophenyl)-(4-secondary butylphenyl) ) -Amine (0.14 g), palladium acetate (2.2 mg), tri (2-methylphenyl) phosphine (15.1 mg), Aliquat 336 (0.91 g, manufactured by Aldrich), toluene (70 ml), and 105 Heated to ° C. To this reaction solution, a 2M Na 2 CO 3 aqueous solution (19 ml) was added dropwise and refluxed for 4 hours. After the reaction, phenylboric acid (121 mg) was added, and the mixture was further refluxed for 3 hours. Next, an aqueous sodium diethyldithiacarbamate solution was added, and the mixture was stirred at 80 ° C. for 4 hours. After cooling, it was washed 3 times with water (60 ml), 3 times with 3% aqueous acetic acid (60 ml) and 3 times with water (60 ml), and purified by passing through an alumina column and silica gel column. The obtained toluene solution was dropped into methanol (3 L) and stirred for 3 hours, and then the obtained solid was collected by filtration and dried. The yield of the obtained polymer compound 3 was 5.25 g.

高分子化合物3のポリスチレン換算数平均分子量は、1.2×105であり、ポリスチレン換算重量平均分子量は2.6×104であった。 The polymer compound 3 had a polystyrene equivalent number average molecular weight of 1.2 × 10 5 and a polystyrene equivalent weight average molecular weight of 2.6 × 10 4 .

以下では発光層の積層順を所定の順番に規定した場合の効果を確認するために、複数の発光層を有する有機EL素子および1層の発光層を有する有機EL素子を作製した。   Hereinafter, in order to confirm the effect when the stacking order of the light emitting layers is defined in a predetermined order, an organic EL element having a plurality of light emitting layers and an organic EL element having one light emitting layer were produced.

1 有機EL素子
2 支持基板
3 一方の電極
4 隣接層
5 発光層
6 他方の電極
DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Organic EL element 2 Support substrate 3 One electrode 4 Adjacent layer 5 Light emitting layer 6 The other electrode

Claims (5)

一対の電極と、該電極間に設けられる発光層とを備える有機EL素子を、支持基板上に作製する有機EL素子の製造方法であって、
導電性を示すワイヤおよび樹脂を含む薄膜を前記支持基板上に形成することにより、前記一対の電極のうちの支持基板寄りの一方の電極を形成する工程と、
発光層となる材料を含むインキを前記一方の電極上に塗布成膜し、さらにこれを固化することにより発光層を形成する工程と、
一対の電極のうちの他方の電極を形成する工程とをこの順で含み、
前記一方の電極を形成後、発光層を形成する工程が終わるまでの間、前記支持基板の周囲の雰囲気中の酸素濃度および水分濃度を、体積比でそれぞれ大気濃度未満に保つことを特徴とする有機EL素子の製造方法。
An organic EL device manufacturing method for producing an organic EL device comprising a pair of electrodes and a light emitting layer provided between the electrodes on a support substrate,
Forming a thin film containing a conductive wire and a resin on the support substrate to form one of the pair of electrodes closer to the support substrate; and
Coating the ink containing the material to be the light emitting layer on the one electrode, forming a light emitting layer by further solidifying it, and
Forming the other electrode of the pair of electrodes in this order,
After the formation of the one electrode, until the step of forming the light emitting layer is completed, the oxygen concentration and the water concentration in the atmosphere around the support substrate are each kept below the atmospheric concentration by volume ratio. Manufacturing method of organic EL element.
前記一方の電極と前記発光層との間であって前記発光層に接して設けられる隣接層を形成する工程を、一方の電極を形成する工程後、発光層を形成する工程前にさらに含み、
該隣接層を形成する工程では、隣接層となる材料を含むインキを前記一方の電極上に塗布成膜し、さらにこれを固化することにより隣接層を形成することを特徴とする請求項1記載の有機EL素子の製造方法。
A step of forming an adjacent layer provided between and in contact with the light emitting layer between the one electrode and the light emitting layer, further including a step of forming the light emitting layer after the step of forming the one electrode;
2. The step of forming the adjacent layer is characterized in that the adjacent layer is formed by coating and forming an ink containing a material to be the adjacent layer on the one electrode and further solidifying it. The manufacturing method of organic EL element.
前記一方の電極を形成後、発光層を形成する工程が終わるまでの間、前記支持基板の周囲の雰囲気中の酸素濃度および水分濃度を、体積比でそれぞれ1000ppm以下に保つことを特徴とする請求項1または2記載の有機EL素子の製造方法。   The oxygen concentration and the water concentration in the atmosphere around the support substrate are each maintained at 1000 ppm or less by volume until the step of forming the light emitting layer after the formation of the one electrode is completed. Item 3. A method for producing an organic EL device according to Item 1 or 2. 前記発光層を形成する工程では、50℃〜250℃で加熱することにより、前記発光層を固化することを特徴とする請求項1〜3のいずれか1つに記載の有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法。   In the process of forming the said light emitting layer, the said light emitting layer is solidified by heating at 50 to 250 degreeC, The manufacture of the organic electroluminescent element as described in any one of Claims 1-3 characterized by the above-mentioned. Method. 前記一方の電極を形成する工程では、屈折率が1.8以下であり、前記支持基板との屈折率の差の絶対値が0.4未満であり、且つ光透過性を示す前記一方の電極を形成することを特徴とする請求項1〜4のいずれか1つに記載の有機EL素子の製造方法。   In the step of forming the one electrode, the one electrode having a refractive index of 1.8 or less, an absolute value of a difference in refractive index from the support substrate of less than 0.4, and exhibiting light transmittance The method of manufacturing an organic EL element according to claim 1, wherein the organic EL element is formed.
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