JP2011014722A - 半導体チップの基板実装構造 - Google Patents
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Abstract
【課題】半導体チップの実装基板として樹脂基板を使用しても、チップ及び基板の間の高い接合信頼性と、チップの放熱性との両方を確保することができる半導体チップの基板実装構造を提供する。
【解決手段】パワーベアチップ4の実装基板として樹脂基板2を使用する。パワーベアチップ4と樹脂基板2との間に、金属板6を介装する。この金属板6は、基板2上のパワーベアチップ4ごとに切り分けることにより個片化する。また、これら金属板6は、電気的に同電位で電気接続する箇所であっても、それぞれ切り分けて個別化する。
【選択図】図2
【解決手段】パワーベアチップ4の実装基板として樹脂基板2を使用する。パワーベアチップ4と樹脂基板2との間に、金属板6を介装する。この金属板6は、基板2上のパワーベアチップ4ごとに切り分けることにより個片化する。また、これら金属板6は、電気的に同電位で電気接続する箇所であっても、それぞれ切り分けて個別化する。
【選択図】図2
Description
本発明は、半導体チップを基板に実装するときに用いる半導体チップの基板実装構造に関する。
従来、パワーベアチップの実装先の基板としては、一般的にセラミック基板や金属基板(特許文献1,2等参照)が使用されている。これは、パワーベアチップには使用時において大電流が流れるので、同チップが発熱する傾向にあることが理由である。このため、基板としてセラミック基板や金属基板を使用すれば、基板が熱膨張し難くなるので、パワーベアチップと基板との接合箇所の信頼性が高いレベルで確保され、また基板自体が熱を持ち難いことにより、耐熱性にも優れる利点も得られる。
しかし、セラミック基板や金属基板には、一般的に樹脂基板と比べてコストが高いという欠点があるので、部品コストを低く抑えるために、樹脂基板を使用しても、この種のベアチップの接合信頼性及び放熱性を確保できる技術の開発が要望されていた。また、この種のセラミック基板や金属基板では、素子やパターンの高密度化が困難であるという現状があり、逆に樹脂基板であれば高密度化が可能であるので、この点からも樹脂基板を使用したいニーズがあった。
本発明の目的は、半導体チップの実装基板として樹脂基板を使用しても、チップ及び基板の間の高い接合信頼性と、チップの放熱性との両方を確保することができる半導体チップの基板実装構造を提供することにある。
前記問題点を解決するために、本発明では、半導体チップを基板に実装するときに使用する半導体チップの基板実装構造において、前記基板として樹脂基板を使用するとともに、金属部材を介して前記半導体チップを前記樹脂基板に実装したことを要旨とする。
この構成によれば、半導体チップの実装基板として樹脂基板を使用するので、基板に必要となる部品コストを、例えばセラミック基板や金属基板のときと比較して低く抑えることが可能となる。しかし、この種の樹脂基板と半導体チップとの間には、熱膨張率に大きな差があるので、もし仮に半導体チップを樹脂基板に直に実装すると、熱膨張の際に一方が他方に対して大きく形状変化してしまうことから、この形状変化に伴って接合箇所から2者が剥がれ、これが接合信頼性の問題点になってしまう。また、樹脂基板には熱が伝わり難い特性があるので、半導体チップに発生する熱の逃がしところもなくなり、放熱性に関しても問題が発生する。
しかし、本構成の場合、金属部材を介して半導体チップを樹脂基板に実装するので、もし仮に半導体チップを樹脂基板に直付けする場合と比較して、半導体チップとその取付箇所(ここでは金属部材)との2者間の面積サイズの差を小さく抑えることが可能となる。よって、もし仮に熱膨張によって半導体チップとその取付箇所とが形状変化をとっても、一方が他方に対して大きく形状変化してしまう状況とならずに済むので、半導体チップがその取付箇所から剥がれてしまう状況を少なく抑えることが可能となる。また、半導体チップの発生熱を金属部材に拡散することも可能となるので、半導体チップに熱も蓄積され難くなる。以上により、半導体チップの実装基板として樹脂基板を使用しても、半導体チップの高い接合性と放熱性とを確保することが可能となる。
本発明では、前記金属部材を半導体チップ単位で区分けすることにより、前記金属部材を個片化したことを要旨とする。
この構成によれば、金属部材を半導体チップ単位(半導体チップごと)で個片化したので、半導体チップとその取付先である金属部材との間の面積サイズ差を、より一層小さく抑えることが可能となる。このため、半導体チップと金属部材との2者において、熱膨張により一方が他方に対してとる形状変化をより少なく抑えることが可能となるので、半導体チップの接合信頼性をより高いものとすることが可能となる。
この構成によれば、金属部材を半導体チップ単位(半導体チップごと)で個片化したので、半導体チップとその取付先である金属部材との間の面積サイズ差を、より一層小さく抑えることが可能となる。このため、半導体チップと金属部材との2者において、熱膨張により一方が他方に対してとる形状変化をより少なく抑えることが可能となるので、半導体チップの接合信頼性をより高いものとすることが可能となる。
本発明では、前記半導体チップの発生熱を、前記樹脂基板の裏面側に伝えて放熱する放熱部材を設けたことを要旨とする。
この構成によれば、半導体チップの発生熱が放熱部材によって樹脂基板の裏面側に逃がされるので、半導体チップの熱上昇をより低く抑えることが可能となる。よって、半導体の発生熱がより積極的に外部に送られるようになるので、半導体チップの放熱性をより高いものとすることが可能となる。
この構成によれば、半導体チップの発生熱が放熱部材によって樹脂基板の裏面側に逃がされるので、半導体チップの熱上昇をより低く抑えることが可能となる。よって、半導体の発生熱がより積極的に外部に送られるようになるので、半導体チップの放熱性をより高いものとすることが可能となる。
本発明では、前記半導体チップは、ボイドに対して耐性の高い材料又は工法によって前記金属部材に取り付けられていることを要旨とする。
この構成によれば、半導体チップと金属部材との間の接着面にボイドが含まれ難くなるので、半導体チップが金属部材へより強固に取り付き、かつ効率的に半導体チップの熱を逃がすことが可能となる。このため、半導体チップが金属部材から剥がれ難くなり、結果として半導体チップと樹脂基板との間の接合信頼性をより向上することが可能となり、しかも半導体チップの放熱性も高いレベルで確保することが可能となる。
この構成によれば、半導体チップと金属部材との間の接着面にボイドが含まれ難くなるので、半導体チップが金属部材へより強固に取り付き、かつ効率的に半導体チップの熱を逃がすことが可能となる。このため、半導体チップが金属部材から剥がれ難くなり、結果として半導体チップと樹脂基板との間の接合信頼性をより向上することが可能となり、しかも半導体チップの放熱性も高いレベルで確保することが可能となる。
本発明では、前記半導体チップは、表面がパッケージ化されていないベアチップであることを要旨とする。
この構成によれば、この種のベアチップにおいて高い接合信頼性や放熱性を確保することが可能となる。
この構成によれば、この種のベアチップにおいて高い接合信頼性や放熱性を確保することが可能となる。
本発明によれば、半導体チップの実装基板として樹脂基板を使用しても、チップ及び基板の間の高い接合信頼性と、チップの放熱性との両方を確保することができる。
以下、本発明を具体化した半導体チップの基板実装構造の一実施形態を図1〜図4に従って説明する。
図1及び図2に示すように、車載機器に電力を供給する車載パワーモジュール1には、各種電子部品の実装先として樹脂基板2が設けられている。樹脂基板2は、樹脂材料から形成された板形状の基板であって、実装面2a及びその裏面2bに基板配線としてプリント配線3(図2参照)が形成されている。この種の樹脂基板2は、材質が樹脂であるので、周知の通り非常に安価で、しかも入手し易い。なお、樹脂基板2が基板に相当し、実装面2aが基板の表面に相当し、裏面2bが基板の裏面に相当する。
図1及び図2に示すように、車載機器に電力を供給する車載パワーモジュール1には、各種電子部品の実装先として樹脂基板2が設けられている。樹脂基板2は、樹脂材料から形成された板形状の基板であって、実装面2a及びその裏面2bに基板配線としてプリント配線3(図2参照)が形成されている。この種の樹脂基板2は、材質が樹脂であるので、周知の通り非常に安価で、しかも入手し易い。なお、樹脂基板2が基板に相当し、実装面2aが基板の表面に相当し、裏面2bが基板の裏面に相当する。
図1〜図3に示すように、樹脂基板2の実装面2aには、車載機器にパワー(電力)を供給するIC(Integrated Circuit)チップとしてパワーベアチップ4が複数実装されている。パワーベアチップ4は、表面がパッケージングされていない状態のICチップであって、例えばFET(Field Effect Transistor)やダイオード等からなる。パワーベアチップ4は、ワイヤボンディングによって樹脂基板2に実装され、樹脂基板2に対して複数のボンディングワイヤ5,5…により接続されている。パワーベアチップ4は、実動作の際に大電流が流れるもので、発熱し易いICチップである。なお、パワーベアチップ4が半導体チップ(ベアチップ)に相当する。
樹脂基板2と各パワーベアチップ4との間には、樹脂基板2とパワーベアチップ4との強い接合性を保ったり、更にはパワーベアチップ4の発生熱を外部に逃がしたりするための機能を持つ金属板6が介装されている。即ち、パワーベアチップ4は、樹脂基板2に対して高い接合信頼性とパワーベアチップ4の放熱性とを確保する1枚の金属板6を介して樹脂基板2に実装されている。金属板6の材質には、例えばCuや42アロイ等が使用されている。金属板6は、各々のパワーベアチップ4ごとに切り分けられて設けられることにより個片化されている。これら金属板6は、仮に互いが同電位で電気的に接続する場合であっても個片化される。また、金属板6は、例えば取り付いているパワーベアチップ4よりも若干大きい面積で形成されている。なお、金属板6が金属部材に相当する。
金属板6は、図2に示すように、樹脂基板2に対して金属接合部材7により接着されている。金属接合部材7は、金属板6の裏面一帯に塗布され、金属板6を強く樹脂基板2に接着するものである。金属接合部材7には、例えば鉛フリーはんだ、鉛含有はんだ、高温はんだ、熱伝導性導電ペースト等が使用されている。
パワーベアチップ4は、金属板6に対してベアチップ接合部材8により接着されている。ベアチップ接合部材8は、パワーベアチップ4の裏面一帯に塗布され、パワーベアチップ4を強く樹脂基板2に接着するものである。ベアチップ接合部材8は、ボイド(気泡)に対して耐性の高い部材又は工法によって2者間に塗布されている。例えば、ベアチップ接合部材8には、例えば鉛フリーはんだ、鉛含有はんだ、高温はんだ、熱伝導性導電ペースト等が使用されている。また、ボイドに対して耐性の高い工法としては、例えば真空でベアチップ接合部材8を2者間に塗布する工法がある。
樹脂基板2の裏面2bには、各パワーベアチップ4に発生した熱を放熱する板形状のヒートシンク9が1枚取り付けられている。ヒートシンク9の材質には、例えばAl、Cu,Fe等が使用されている。ヒートシンク9は、樹脂基板2に埋設された複数のサーマルスルーホール10,…を介して複数の金属板6と接続されている。即ち、各金属板6に発生した熱は、複数のサーマルスルーホール(サーマルビア)10を介してヒートシンク9に伝達可能となっている。また、ヒートシンク9は、樹脂基板2に対してヒートシンク接合部材11により接着されている。ヒートシンク接合部材11は、ヒートシンク9の表面一帯に塗布され、ヒートシンク9を樹脂基板2に強く接着する。ヒートシンク接合部材11の材質には、熱伝導接着剤等が使用されている。なお、ヒートシンク9及びサーマルスルーホール10が放熱部材を構成する。
樹脂基板2の上面には、基板2上の複数のパワーベアチップ4を上面から保護するベアチップ保護材12が一帯に設けられている。ベアチップ保護材12は、例えば樹脂材により形成され、表面がパッケージされていないパワーベアチップ4の表面を保護する。なお、ベアチップ保護材12が保護部材に相当する。
さて、パワーベアチップ4に電流(大電流)が流れた際には、パワーベアチップ4に熱が発生する。ところで、パワーベアチップ4(材料:Si)の熱膨張率は約2〜3ppm/K、金属板6(材料:Cu)の熱膨張率は約17ppm/K、樹脂基板2の熱膨張率は約14〜16ppm/Kとなっている。ここで、もし仮にパワーベアチップ4を樹脂基板2に直付けした場合を想定すると、熱膨張率の低い面積サイズが小のパワーベアチップ4を、面積膨張率の高い面積サイズが大の樹脂基板2に取り付けることになる。このため、これら2部材が熱膨張した際には、パワーベアチップ4よりも樹脂基板2が大きく熱変形するので、これら2部材が剥がれ易くなる傾向になってしまい、高い接合信頼性が確保できない問題に繋がる。
しかし、本例の場合は、パワーベアチップ4を樹脂基板2に取り付けるに際して、個片化した金属板6を間に介してパワーベアチップ4を樹脂基板2に実装する。よって、パワーベアチップ4と金属板6という、2者間に熱膨張率の差は存在しつつも面積差の小さいもの同士を取り付ける構造をとるので、仮に熱膨張により金属板6が形状変化をとっても、この形状変化はこれら2者間の接合状態に関して無視できる程度のもので済む。このため、熱膨張に起因する形状変化がパワーベアチップ4の取り付けに大きな影響を及ぼさなくなるので、パワーベアチップ4を金属板6に対して非常に剥がれ難いものとなり、パワーベアチップ4と金属板6との間の接合性を確保することが可能となる。
続いて、樹脂基板2と金属板6との2者に目を向けると、これら2者の間には大きな面積差が発生してしまっている。しかし、樹脂基板2と金属板6とは熱膨張率の差が少ないものとなっているので、これら2者が熱膨張して形状変化が生じても、同様の比率で一様に形状変化することになる。よって、樹脂基板2と金属板6との2者において、一方が他方に対して大きく形状変化することがなくなるので、これら2者間の接合性も確保することが可能となる。
また、パワーベアチップ4の実装基板として樹脂基板2を用いると、樹脂基板2の熱伝導率は0.4〜0.7W/m・Kという値をとるように、セラミック基板の熱伝導率の3〜24W/m・Kに比較して、熱伝導率が極端に低くなってしまう欠点がある。しかし、熱を蓄える蓄熱効果が高い金属板6を介して、パワーベアチップ4を樹脂基板2に取り付けるので、パワーベアチップ4の発生熱は基板2により拡散される。このため、実装基板として樹脂基板2を使用しても、パワーベアチップ4の熱が金属板6により逃がされるので、パワーベアチップ4の高い放熱性を確保することが可能となる。
また、樹脂基板2の裏面2bにヒートシンク9を取り付けて、パワーベアチップ4の発生熱を、基板2のサーマルスルーホール10を介してヒートシンク9に伝達し、この発生熱をパワーベアチップ4から逃がすようにしている。このため、パワーベアチップ4の発生熱を外部に逃がす放熱効果がより高いものとなるので、パワーベアチップ4の放熱性を一層高くすることが可能となる。また、パワーベアチップ4の発生熱は、樹脂基板2に形成された放熱用の配線パターン3a(図3参照)によっても逃がされるので、放熱効果をより一層高いものとすることが可能となる。
本実施形態の構成によれば、以下に記載の効果を得ることができる。
(1)パワーベアチップ4を樹脂基板2に実装するに際して、個片化された金属板6を2者間に介在させた状態で、パワーベアチップ4を樹脂基板2に取り付ける。このため、実装基板にかかる部品コストを考慮し、パワーベアチップ4の実装基板として樹脂基板2を使用しても、パワーベアチップ4の高い接合信頼性と、パワーベアチップ4の放熱性との両方を確保することができる。
(1)パワーベアチップ4を樹脂基板2に実装するに際して、個片化された金属板6を2者間に介在させた状態で、パワーベアチップ4を樹脂基板2に取り付ける。このため、実装基板にかかる部品コストを考慮し、パワーベアチップ4の実装基板として樹脂基板2を使用しても、パワーベアチップ4の高い接合信頼性と、パワーベアチップ4の放熱性との両方を確保することができる。
(2)樹脂基板2とパワーベアチップ4との間に介在する金属板6を、パワーベアチップ4,4…ごとに区分けして個片化したので、金属板6の面積サイズを、パワーベアチップ4に近づけることが可能となる。このため、熱膨張率が大きく異なるパワーベアチップ4と金属板6とがパワーベアチップ4の発生熱により形状変化したとしても、金属板6がパワーベアチップ4に対してとる形状変化をより少なく抑えることが可能となる。よって、パワーベアチップ4と金属板6との間の接合面に破損が生じ難くなるので、パワーベアチップ4の接合信頼性をより高いものとすることができる。
(3)樹脂基板2の裏面2bにヒートシンク9を取り付けて、パワーベアチップ4の発生熱を、基板2のサーマルスルーホール10を介してヒートシンク9に逃がして、熱を外部に放出させるので、パワーベアチップ4の熱上昇を低く抑えることができる。よって、パワーベアチップ4の発生熱を積極的に外部に拡散可能となるので、パワーベアチップ4の放熱性を、より高いものとすることができる。
(4)パワーベアチップ4をベアチップ接合部材8によって金属板6に実装する際、ベアチップ接合部材8にボイドが含まれ難い材料や工法によってパワーベアチップ4を金属板6に取り付けるので、パワーベアチップ4が金属板6により強固に取り付くことになる。よって、パワーベアチップ4が金属板6から一層剥がれ難くなるので、結果としてパワーベアチップ4が樹脂基板2から脱落し難くなる。このため、パワーベアチップ4と樹脂基板2との間の接合信頼性を、より高いものとすることができる。
(5)ICチップとしてベアチップ4を採用したので、この種のIC表面がパッケージ化されていないICチップにおいて、高い接合信頼性や放熱性を確保することができる。
(6)樹脂基板2の実装面2aに、パワーベアチップ4を上から保護するベアチップ保護材12を設けたので、パワーベアチップ4がベアチップ保護材12により保護される。このため、樹脂基板2に実装されるICが非パッケージのチップ4であったとしても、この種のチップ4を破損から保護することができる。
(6)樹脂基板2の実装面2aに、パワーベアチップ4を上から保護するベアチップ保護材12を設けたので、パワーベアチップ4がベアチップ保護材12により保護される。このため、樹脂基板2に実装されるICが非パッケージのチップ4であったとしても、この種のチップ4を破損から保護することができる。
なお、実施形態はこれまでに述べた構成に限らず、以下の態様に変更してもよい。
・ パワーベアチップ4,4…は、全てが同じ種類(機能、形状、サイズ等)であることに限らず、種類が異なるものでもよい。
・ パワーベアチップ4,4…は、全てが同じ種類(機能、形状、サイズ等)であることに限らず、種類が異なるものでもよい。
・ パワーベアチップ4と金属板6とは、1枚の金属板6に1つのパワーベアチップ4が乗ることに限らず、例えば1枚の金属板6に、複数のパワーベアチップ4が乗る構造をとってもよい。
・ 金属板6は、全てが同じ形状(面積、高さ等)をとることに限定されず、互いに異なる形状をとるものでもよい。
・ 金属部材は、1枚の板からなる金属板6に限定されず、金属製の部品であれば、形状は適宜変更可能である。
・ 金属部材は、1枚の板からなる金属板6に限定されず、金属製の部品であれば、形状は適宜変更可能である。
・ 金属板6を個片化する場合、これは2部品に完全に分断するものに限らず、例えば単なる溝でもよい。
・ 金属板6は、必ずしも個片化されることに限定されず、個片化されていない1枚の大きな板からなるものでもよい。
・ 金属板6は、必ずしも個片化されることに限定されず、個片化されていない1枚の大きな板からなるものでもよい。
・ 金属板6の厚さは、接合信頼性及び放熱性を考慮に入れて、適宜変更可能である。
・ ベアチップ接合部材8の接合に施すボイド対策は、必ずしも実施形態に述べた材料や工法に限らず、ボイドを少なくすることが可能なものであれば、どのようなものを採用してもよい。
・ ベアチップ接合部材8の接合に施すボイド対策は、必ずしも実施形態に述べた材料や工法に限らず、ボイドを少なくすることが可能なものであれば、どのようなものを採用してもよい。
・ パワーベアチップ4を金属板6に取り付ける際の工法は、必ずしもベアチップ接合部材8による接着に限定されず、種々の工法が採用可能である。
・ 金属板6を樹脂基板2に取り付ける際の工法は、必ずしも金属接合部材7による接着に限らず、種々の工法が採用可能である。
・ 金属板6を樹脂基板2に取り付ける際の工法は、必ずしも金属接合部材7による接着に限らず、種々の工法が採用可能である。
・ 半導体チップは、パワーベアチップ4等のパワー系チップに限定されず、例えば信号系チップを採用してもよい。また、半導体値チップは、パッケージされていない部チップに限定されず、パッケージ化されたチップでもよい。
・ 基板裏面のヒートシンク9は、サーマルスルーホール10を介して金属板6を繋がることに限らず、例えば樹脂基板2の実装面2aから裏面2bに配線を這わせて、この配線により金属板6とヒートシンク9とを繋げてもよい。
・ 放熱部材は、必ずしもヒートシンク9により構成されることに限らず、熱を積極的に逃がすことが可能なものであれば、特に限定されない。
・ ベアチップ保護材12は、必ずしも必要なものではなく、ICチップがパッケージ化されたものであれば、これを省略してもよい。
・ ベアチップ保護材12は、必ずしも必要なものではなく、ICチップがパッケージ化されたものであれば、これを省略してもよい。
・ ベアチップ保護材12の材質は、種々のものが採用可能であることは言うまでもない。
・ 半導体チップは、Si(シリコン)を主原料とするものに限定されず、種々のものが採用可能である。
・ 半導体チップは、Si(シリコン)を主原料とするものに限定されず、種々のものが採用可能である。
・ パワーモジュール1は、必ずしも車載用に限定されず、種々の機器や装置のモジュールに応用可能である。
次に、上記実施形態及び別例から把握できる技術的思想について、それらの効果とともに以下に追記する。
次に、上記実施形態及び別例から把握できる技術的思想について、それらの効果とともに以下に追記する。
(イ)請求項1〜5のいずれかにおいて、前記金属部材は、前記半導体チップの1つひとつごとに個片化されている。この構成によれば、金属部材の面積が半導体チップにより近づくので、半導体チップと金属部材との面積差がより小さくなる。よって、金属部材が仮に熱膨張したとしても、この熱膨張による金属部材の変位量が少量で済むので、熱膨張による金属部材の変位が半導体チップの剥がれ大きな影響を与えず、半導体チップの高い接合信頼性を確保することが可能となる。
(ロ)請求項3〜5、前記技術的思想(イ)のいずれかにおいて、前記放熱部材は、前記樹脂基板にプリント形成された複数のサーマルスルーホールと、前記樹脂基板の裏面に取り付けられるとともに、当該サーマルスルーホールを介して前記金属部材と繋がるヒートシンクとにより構成されている。この構成によれば、金属部材に溜まった熱を、サーマルスルーホール及びヒートシンクを介して基板裏面に逃がすことが可能となるので、放熱性をより高いものとすることが可能となる。
(ハ)請求項1〜5、前記技術的思想(イ),(ロ)のいずれかにおいて、前記樹脂基板の表面には、基板実装後の前記半導体チップを上から覆うことにより、当該半導体チップを保護する保護部材が取り付けられている。この構成によれば、半導体チップが保護部材によって保護されるので、半導体チップに外部から破損等に繋がる衝撃が加わり難くなり、半導体チップを破損から守ることが可能となる。
2…基板としての樹脂基板、2a…表面としての実装面、2b…裏面、4…半導体チップ(ベアチップ)としてのパワーベアチップ、6…金属部材としての金属板、9…放熱部材を構成するヒートシンク、10…放熱部材を構成するサーマルスルーホール、12…保護部材としてのベアチップ保護材。
Claims (5)
- 半導体チップを基板に実装するときに使用する半導体チップの基板実装構造において、
前記基板として樹脂基板を使用するとともに、金属部材を介して前記半導体チップを前記樹脂基板に実装したことを特徴とする半導体チップの基板実装構造。 - 前記金属部材を半導体チップ単位で区分けすることにより、前記金属部材を個片化したことを特徴とする請求項1に記載の半導体チップの基板実装構造。
- 前記半導体チップの発生熱を、前記樹脂基板の裏面側に伝えて放熱する放熱部材を設けたことを特徴とする請求項1又は2に記載の半導体チップの基板実装構造。
- 前記半導体チップは、ボイドに対して耐性の高い材料又は工法によって前記金属部材に取り付けられていることを特徴とする請求項1〜3のうちいずれか一項に記載の半導体チップの基板実装構造。
- 前記半導体チップは、表面がパッケージ化されていないベアチップであることを特徴とする請求項1〜4のうちいずれか一項に記載の半導体チップの基板実装構造。
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