JP2011014134A - 流体制御方法、流体制御システム及び流体制御プログラム - Google Patents
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Abstract
【課題】添加ガスを一方のサブラインに供給する前後で、メインラインから第1及び第2サブラインへ分流されるメインガスの分流比を維持できる流体制御方法を提供すること。
【解決手段】メインライン17から第1及び第2サブライン19,20にメインガスを分流させてチャンバ31に供給するときに、第2サブライン20に添加ガスを供給する場合に、第1及び第2サブライン19,20からチャンバ31に供給されるメインガスの流量を第1及び第2サブライン19,20の圧力に基づいて制御する流体制御方法において、添加ガスを供給されない第1サブライン19の圧力を一定にするように、第1サブライン19の圧力を制御しながら、第2サブライン20に添加ガスを供給する。
【選択図】 図1
【解決手段】メインライン17から第1及び第2サブライン19,20にメインガスを分流させてチャンバ31に供給するときに、第2サブライン20に添加ガスを供給する場合に、第1及び第2サブライン19,20からチャンバ31に供給されるメインガスの流量を第1及び第2サブライン19,20の圧力に基づいて制御する流体制御方法において、添加ガスを供給されない第1サブライン19の圧力を一定にするように、第1サブライン19の圧力を制御しながら、第2サブライン20に添加ガスを供給する。
【選択図】 図1
Description
本発明は、メインガスを二系統に分流し、各系統から供給するメインガスの流量を各系統の圧力又は流量に基づいて制御する流体制御方法、流体制御システム及び流体制御プログラムに関する。
例えば、半導体製造工程では、加工精度の向上により、ウエハに対して高い平坦度が要求されている。そのため、エッチング装置は、メインラインを所定流量で流れるメインガスを第1及び第2サブラインに分流させてウエハのセンター部とエッジ部にそれぞれ散布し、第1及び第2サブラインに流れるメインガスの流量を流体制御システムで制御することにより、ウエハにメインガスを均一に散布している。
従来の流体制御システムは、第1及び第2サブラインを流れるメインガスの流量と圧力とが対応していると考え、ウエハのセンター部とエッジ部にメインガスを均一に散布するために必要な第1及び第2サブラインの圧力比を予め記憶しており、その初期圧力比を一定にするように第1又は第2サブラインの圧力を制御することにより、ウエハのセンター部とエッジ部に供給するメインガスの流量をコントロールしている。ウエハの平坦度を高くするためには、ウエハのセンター部とエッジ部との間でエッチングレート(エッチングすべき膜をエッチングする単位時間当たりの速度)をできるだけ均一にすることが好ましい。しかし、近年更にエッチングレートを均一にするために、流量コントロールのみでなく、一方のサブラインに添加ガスを注入することが必要となっている(例えば、特許文献1参照)。
しかしながら、従来の流体制御システムは、一方のサブラインが添加ガスを注入されて圧力を上昇させると、初期圧力比を維持するために、他方のサブラインの圧力を上昇させるように他方のサブラインに供給するメインガスを増加させる。この結果、一方のサブラインでは、メインガスの流量が減少するのに対して、他方のサブラインでは、メインガスの流量が増加するため、ウエハのセンター部とエッジ部に供給するメインガスの分流比が変わってしまい、必要としているメインガス流量を維持できないという問題があった。
本発明は、上記問題点を解決するためになされたものであり、添加ガスを一方のサブラインに供給する前後で、メインラインから第1及び第2サブラインへ分流されるメインガスの分流比を維持できる流体制御方法、流体制御システム及び流体制御プログラムを提供することを目的とする。
本発明に係る流体制御方法、流体制御システム及び流体制御プログラムは、次のような構成を有している。
(1)メインラインから第1及び第2サブラインにメインガスを分流させてチャンバに供給するときに、前記第2サブラインに添加ガスを供給する場合に、前記第1及び前記第2サブラインから前記チャンバに供給される前記メインガスの流量を前記第1及び前記第2サブラインの圧力に基づいて制御する流体制御方法において、添加ガスを供給されない第1サブラインの圧力を一定にするように、前記第1サブラインの圧力を制御しながら、前記第2サブラインに前記添加ガスを供給する。
(1)メインラインから第1及び第2サブラインにメインガスを分流させてチャンバに供給するときに、前記第2サブラインに添加ガスを供給する場合に、前記第1及び前記第2サブラインから前記チャンバに供給される前記メインガスの流量を前記第1及び前記第2サブラインの圧力に基づいて制御する流体制御方法において、添加ガスを供給されない第1サブラインの圧力を一定にするように、前記第1サブラインの圧力を制御しながら、前記第2サブラインに前記添加ガスを供給する。
(2)(1)に記載の発明において、前記添加ガスを前記第2サブラインに供給した後、前記第1及び前記第2サブラインの圧力比を求めて記憶し、その記憶した圧力比を一定にするように前記第1又は前記第2サブラインの圧力を調整する。
(3)メインラインから第1及び第2サブラインにメインガスを分流させてチャンバに供給するときに、前記第2サブラインに添加ガスを供給する場合に、前記第1及び前記第2サブラインから前記チャンバに供給される前記メインガスの流量を前記第1及び前記第2サブラインの流量に基づいて制御する流体制御方法において、添加ガスを供給されない第1サブラインの流量を一定にするように、前記第1サブラインの流量を制御しながら、前記第2サブラインに前記添加ガスを供給する。
(4)(3)に記載の発明において、前記添加ガスを前記第2サブラインに供給した後、前記第1及び前記第2サブラインの流量比を求めて記憶し、その記憶した流量比を一定にするように前記第1又は前記第2サブラインの流量を調整する。
(5)メインラインから分流する第1及び第2サブラインに第1及び第2圧力制御手段を配設し、前記第2圧力制御手段の二次側に添加ガスを前記第2サブラインに合流させる合流ラインが接続しており、前記第1及び前記第2サブラインの圧力に基づいて前記第1及び前記第2サブラインを流れるメインガスの流量を制御する流体制御システムにおいて、前記第1サブラインの圧力を一定にするように前記第1圧力制御手段に前記第1サブラインの圧力を制御させた状態で、前記第2サブラインに前記添加ガスが供給される。
(6)(5)に記載の発明において、前記第2サブラインに前記添加ガスが供給された後、前記第1及び前記第2サブラインの圧力比を求めて記憶し、その記憶した圧力比を一定にするように前記第1及び前記第2圧力制御手段に前記第1又は前記第2サブラインの圧力を制御させる。
(7)メインラインから分流する第1及び第2サブラインに第1及び第2流量制御手段を配設し、前記第2流量制御手段の二次側に添加ガスを前記第2サブラインに合流させる合流ラインが接続しており、前記第1及び前記第2サブラインの流量に基づいて前記第1及び前記第2サブラインを流れるメインガスの流量を制御する流体制御システムにおいて、前記第1サブラインの流量を一定にするように前記第1流量制御手段に前記第1サブラインの流量を制御させた状態で、前記第2サブラインに前記添加ガスが供給される。
(8)(7)に記載の発明において、前記第2サブラインに前記添加ガスが供給された後、前記第1及び前記第2サブラインの流量比を求めて記憶し、その記憶した流量比を一定にするように前記第1及び前記第2流量制御手段に前記第1又は前記第2サブラインの流量を制御させる。
(9)メインラインから分流する第1及び第2サブラインに第1及び第2圧力制御手段を配設し、前記第2圧力制御手段の二次側に添加ガスを前記第2サブラインに合流させる合流ラインが接続しており、前記第1及び前記第2サブラインの圧力に基づいて前記第1及び前記第2サブラインを流れるメインガスの流量を制御する流体制御プログラムにおいて、前記第1及び前記第2圧力制御手段を電気的に制御するコンピュータに、前記添加ガスを前記第2サブラインに供給する前に、前記第1サブラインの圧力を一定にするように前記第1圧力制御手段に前記第1サブラインの圧力を制御させる。
(10)(9)に記載の発明において、前記コンピュータに、前記第1サブラインの圧力を一定にするように前記第1サブラインの圧力制御を行った後に、前記第2サブラインに前記添加ガスを供給された場合に、前記第1及び前記第2サブラインの圧力比を求め、求めた圧力比を一定にするように前記第1及び前記第2圧力制御手段に前記第1又は前記第2サブラインの圧力を制御させる。
(11)メインラインから分流する第1及び第2サブラインに第1及び第2流量制御手段を配設し、前記第2流量制御手段の二次側に添加ガスを前記第2サブラインに合流させる合流ラインが接続しており、前記第1及び前記第2サブラインの流量に基づいて前記第1及び前記第2サブラインを流れるメインガスの流量を制御する流体制御プログラムにおいて、前記第1及び前記第2流量制御手段を電気的に制御するコンピュータに、前記添加ガスを前記第2サブラインに供給する前に、前記第1サブラインの流量を一定にするように前記第1流量制御手段に前記第1サブラインの流量を制御させる。
(12)(11)に記載の発明において、前記コンピュータに、前記第1サブラインの流量を一定にするように前記第1サブラインの流量制御を行った後に、前記第2サブラインに前記添加ガスを供給された場合に、前記第1及び前記第2サブラインの流量比を求め、求めた流量比を一定にするように前記第1及び前記第2流量制御手段に前記第1又は前記第2サブラインの流量を制御させる。
上記流体制御方法、流体制御システム及び流体制御プログラムは、第1サブラインの圧力(又は流量)を一定に維持しながら第2サブラインに添加ガスを供給されるので、添加ガスの供給前後で第1及び第2サブラインに流れるメインガスの流量が変わらず、第1及び第2サブラインに流れるメインガスの添加ガス供給前の分流比を維持できる。
そして、上記流体制御方法、流体制御システム及び流体制御プログラムは、添加ガス供給後に外乱により第1又は第2サブラインの圧力(又は流量)が変動した場合でも、添加ガス供給後の圧力比(又は流量比)を維持するように第1又は第2サブラインの圧力(又は流量)を調整し、メインラインから第1及び第2サブラインへ一定の分流比でメインガスを供給するので、外乱発生前後で第1及び第2サブラインへ分流されるメインガスの分流比を維持できる。
以下に、本発明に係る流体制御方法、流体制御システム及び流体制御プログラムの一実施形態について、図面を参照しながら説明する。
<エッチングシステムの全体構成>
図1は、本発明の実施形態に係る流体制御システム1を含むエッチングシステム10の概略構成図である。尚、本実施形態のエッチングシステム10は、半導体製造工程において用いられる。
エッチングシステム10では、流体制御システム1がガスボックス2とエッチング装置3との間に接続され、エッチング装置3へ供給するメインガスの流量を制御する。
<エッチングシステムの全体構成>
図1は、本発明の実施形態に係る流体制御システム1を含むエッチングシステム10の概略構成図である。尚、本実施形態のエッチングシステム10は、半導体製造工程において用いられる。
エッチングシステム10では、流体制御システム1がガスボックス2とエッチング装置3との間に接続され、エッチング装置3へ供給するメインガスの流量を制御する。
エッチング装置3は、図示しない真空ポンプでチャンバ31を真空引きした後、所定量のメインガスをシャワープレート32からウエハ33に供給し、ウエハ33のエッチングを行う。シャワープレート32は、ウエハ33のセンター部へメインガスを散布する第1シャワー部32aと、第1シャワー部32aの周りに設けられてウエハ33のエッジ部へメインガスを散布する第2シャワー部32bとを備える。
ガスボックス2には、第1〜第3ガス供給源11A,11B,11Cに接続される第1〜第3プロセスガスライン12A,12B,12C上に配設される第1〜第3プロセスガス用マスフローコントローラ13A,13B,13Cと、第1,第2添加ガス供給源14A,14Bに接続される第1,第2添加ガスライン15A,15B上に配設される第1,第2添加ガス用マスフローコントローラ16A,16Bが、内設されている。
第1〜第3プロセスガスライン12A〜12Cはメインライン17に並列に接続し、メインライン17に配設されたメインバルブ18が第1〜第3プロセスガス用マスフローコントローラ13A〜13Cにより流量制御されたプロセスガスを混合したメインガスの供給を制御する。メインライン17は、メインバルブ18の下流側で第1サブライン19と第2サブライン20に分岐している。第1サブライン19は、第1シャワー部32aに接続する第1ノズル27に接続され、第2サブライン20は、第2シャワー部32bに接続される第2ノズル28に接続されている。
また、第1,第2添加ガスライン15A,15Bは合流ライン21に並列に接続している。合流ライン21は、流量制御システム1に含まれる第2圧力制御手段23Bの下流側において第2サブライン20に合流し、第2サブライン20に流れるメインガスに添加ガスを供給する。添加ガスの供給は、合流ライン21に配設される合流バルブ22により制御される。
<流体制御システムの構成>
流体制御システム1は、第1サブライン19に配設された第1圧力制御手段23Aと、第2サブライン20に配設された第2圧力制御手段23Bとを有する。第1圧力制御手段23Aでは、第1流体制御バルブ24Aの下流側に第1圧力センサ25Aが配設され、第1流体制御バルブ24Aと第1圧力センサ25Aがコントローラ26に接続されている。また、第2圧力制御手段23Bでは、第2流体制御バルブ24Bの下流側に第2圧力センサ25Bが配設され、第2流体制御バルブ24Bと第2圧力センサ25Bがコントローラ26に接続されている。コントローラ26には、周知のコンピュータであって、流体制御システム1の動作を制御するための流体制御プログラムを格納している。本実施形態では、この流体制御プログラムは、コントローラ26に内蔵された記憶媒体に記憶されている。これに対して、FDやCD−ROMなど、コントローラ26で読み取り可能な記憶媒体に流量制御プログラムを記録し、コントローラ26で使用してもよい。コントローラ26は、半導体装置の動作を司る中央コントローラ4からの指令を受けて起動し、流体制御プログラムを実行する。
流体制御システム1は、第1サブライン19に配設された第1圧力制御手段23Aと、第2サブライン20に配設された第2圧力制御手段23Bとを有する。第1圧力制御手段23Aでは、第1流体制御バルブ24Aの下流側に第1圧力センサ25Aが配設され、第1流体制御バルブ24Aと第1圧力センサ25Aがコントローラ26に接続されている。また、第2圧力制御手段23Bでは、第2流体制御バルブ24Bの下流側に第2圧力センサ25Bが配設され、第2流体制御バルブ24Bと第2圧力センサ25Bがコントローラ26に接続されている。コントローラ26には、周知のコンピュータであって、流体制御システム1の動作を制御するための流体制御プログラムを格納している。本実施形態では、この流体制御プログラムは、コントローラ26に内蔵された記憶媒体に記憶されている。これに対して、FDやCD−ROMなど、コントローラ26で読み取り可能な記憶媒体に流量制御プログラムを記録し、コントローラ26で使用してもよい。コントローラ26は、半導体装置の動作を司る中央コントローラ4からの指令を受けて起動し、流体制御プログラムを実行する。
<流体制御プログラムの構成>
図2は、コントローラにより実行される流体制御プログラムのフローである。
流体制御プログラムにより、コントローラ26が、中央コントローラ4から受信するコマンドに応じて、圧力比に基づいて第1又は第2サブライン19,20の圧力を制御する圧力比制御モードと、第1サブライン19の圧力を一定にするように第1サブライン19の圧力を制御する圧力制御モードを切り替える。
図2は、コントローラにより実行される流体制御プログラムのフローである。
流体制御プログラムにより、コントローラ26が、中央コントローラ4から受信するコマンドに応じて、圧力比に基づいて第1又は第2サブライン19,20の圧力を制御する圧力比制御モードと、第1サブライン19の圧力を一定にするように第1サブライン19の圧力を制御する圧力制御モードを切り替える。
具体的には、コントローラ26は、起動時には停止モードを実行し(ステップ1(以下「S1」と略記する。)、中央コントローラ4から圧力比制御コマンドを受信するまで待機する(S2:NO)。圧力比制御コマンドは、作業者がエッチング作業をするために中央コントローラ4に圧力比指示を入力した場合に、中央コントローラ4がコントローラ26に出力するものである。つまり、圧力比制御コマンドは、コントローラ26に圧力比制御に用いられる目標圧力比を指示し、圧力比制御を実行させるものである。
コントローラ26は、中央コントローラ4から圧力比制御コマンドを受信すると、圧力比制御コマンドに含まれる目標圧力比を第1目標圧力比(初期圧力比)として記憶して圧力比制御を行う(S3)。すなわち、コントローラ26は、第1及び第2流体制御バルブ24A,24Bの弁開度を制御し、第1及び第2サブライン19,20の圧力を第1及び第2圧力センサ25A,25Bで検出する。そして、第1及び第2圧力センサ25A,25Bが検出した圧力測定値がコントローラ26に入力されると、コントローラ26は、圧力比を求め、予めコントローラ26に記憶されている第1目標圧力比と比較し、圧力測定値の圧力比が第1目標圧力比になるように第1又は第2流体制御バルブ24A,24Bの弁開度を調整する。
コントローラ26は、第1サブライン19の圧力を一定に維持するHOLD制御コマンドを中央コントローラ4から受信するまで、圧力比制御を続ける(S4:NO、S3)。HOLD制御コマンドは、作業者が添加ガスをメインガスに添加する添加指示を中央コントローラ4に入力した場合に、中央コントローラ4からコントローラ26へ出力されるものである。
コントローラ26は、HOLD制御コマンドを受信すると、圧力比制御モードから圧力制御モードに切り替える(S4:YES)。すなわち、コントローラ26は、合流ライン21が接続されていない片側のライン、すなわち第1サブライン19の現在の圧力値を第1圧力センサ25Aから取得して記憶する(S5)。そして、第1圧力センサ25Aが測定する圧力測定値が記憶した値に一致するように、第1流体制御バルブ24Aの弁開度をフィードバック制御する(S6)。これにより、第1サブライン19を流れるメインガスの圧力が一定に維持される。コントローラ26は、第1サブライン19の圧力のフィードバック制御を開始すると、その旨の信号を中央コントローラ4へ出力する。そして、合流バルブ22が開かれて合流ライン21から第2サブライン20に添加ガスが供給され、プロセスガスに添加される(S7)。
コントローラ26は、AUTO制御コマンドを中央コントローラ4から受信するまで、圧力制御モードを実行する(S8:NO、S6、S7)。AUTO制御コマンドは、作業者がHOLD制御(圧力制御)から圧力比制御に切り替えるために中央コントローラ4に指示を入力した場合に、中央コントローラ4からコントローラ26に出力されるものである。
コントローラ26は、AUTO制御コマンドを中央コントローラ4から受信すると(S8:YES)、圧力制御モードから圧力比制御モードに切り替える。すなわち、コントローラ26は、第1及び第2圧力センサ25A,25Bが検出した圧力測定値を受信し、受信した圧力測定値から現在の圧力比を求めて、添加ガスを供給された後に設定された第2目標圧力比(添加圧力比)として記憶する(S9)。そして、第2目標圧力比を基準とする圧力比制御を行う(S10)。この場合の圧力比制御は、第1目標圧力比に変えて第2目標圧力比を用いる点を除き、S3の圧力比制御と同様の処理を行うので、詳細な説明を省略する。
第2目標圧力比を基準とする圧力比制御は、コントローラ26が中央コントローラ4から停止コマンドを受信するまで行われる(S11:NO、S10)。停止コマンドは、作業者が作業の停止指示を中央コントローラ4に入力した場合に、中央コントローラ4からコントローラ26に出力されるものである。コントローラ26は、停止コマンドを中央コントローラ4から受信すると、S1に戻り、停止モードを実行する。
尚、コントローラ26は、中央コントローラ4がダウンして電源が供給されなくなると、流体制御プログラムを終了する。
尚、コントローラ26は、中央コントローラ4がダウンして電源が供給されなくなると、流体制御プログラムを終了する。
<流体制御方法>
続いて、流体制御方法について、エッチングシステム10の全体動作を含めて説明する。
エッチングシステム10が起動していないときには、流体制御システム1のコントローラ26は、中央コントローラ4から何らコマンドを受信しないので、流体制御プログラムを実行しない。この場合、流体制御システム1は、第1及び第2流体制御バルブ24A,24Bを操作しない。また、エッチングシステム10は、メインバルブ18と合流バルブ22を閉じている。
続いて、流体制御方法について、エッチングシステム10の全体動作を含めて説明する。
エッチングシステム10が起動していないときには、流体制御システム1のコントローラ26は、中央コントローラ4から何らコマンドを受信しないので、流体制御プログラムを実行しない。この場合、流体制御システム1は、第1及び第2流体制御バルブ24A,24Bを操作しない。また、エッチングシステム10は、メインバルブ18と合流バルブ22を閉じている。
作業者が中央コントローラ4を起動すると、コントローラ26も電源投入されて起動し、図2に示す流体制御プログラムを起動する。この時点では、コントローラ26は、停止モードを実行し、第1及び第2流体制御バルブ24A,24Bは操作しない。
中央コントローラ4は、作業者がエッチング作業の指示を入力すると、コントローラ26へ圧力比制御コマンドを出力する。圧力比制御コマンドを受信したコントローラ26は、記憶した第1目標圧力比に基づいて第1又は第2流体制御バルブ24A,24Bの弁開度を調整し、所定流量のメインガスをメインライン17から第1及び第2サブライン19,20へ分流させる。メインガスは、第1及び第2ノズル27,28から第1及び第2シャワー部32a,32bを介してチャンバ31に供給され、排気される。
第1及び第2圧力センサ25A,25Bは、第1及び第2流体制御バルブ24A,24Bの二次側圧力、すなわち第1及び第2サブライン19,20から第1及び第2シャワー部32a,32bへ供給されるメインガスの圧力を測定している。コントローラ26は、第1及び第2圧力センサ25A,25Bが測定した圧力測定値を受信し、圧力比を求める。コントローラ26は、第1及び第2サブライン19,20に分流するメインガスの圧力が第1目標圧力比に安定すると、その旨の信号を中央コントローラ4へ出力する。中央コントローラ4は、その信号を受けて、添加ガスを供給可能である旨をランプやディスプレイなどの表示部に表示して作業者に通知する。
作業者が添加ガスの供給指示を中央コントローラ4に入力すると、中央コントローラ4は、HOLD制御コマンドをコントローラ26へ出力する。コントローラ26は、HOLD制御コマンドを受信すると、圧力比制御モードから圧力制御モードに切り替え、添加ガス供給前後で第1サブライン19の圧力が一定になるように、第1流体制御バルブ24Aの弁開度を制御する。
すなわち、コントローラ26は、合流ライン21が接続されていない第1サブライン19の圧力を測定する第1圧力センサ25Aから圧力測定値を受信し、記憶する。そして、第1圧力センサ25Aが測定する圧力測定値が一定になるように、第1流体制御バルブ24Aの弁開度を制御する。そして、コントローラ26は、第1サブライン19の圧力測定値が安定したら、その旨の信号を中央コントローラ4へ出力する。その信号を受信した中央コントローラ4は、合流バルブ22を開き、第1及び第2添加ガス供給源14A,14Bから供給される添加ガスを第2サブライン20へ供給する。
合流バルブ22が合流ライン21から第2サブライン20へ添加ガスを供給すると、図3に示すように、第2圧力センサ25Bの圧力測定値が上昇する。この場合に、圧力比制御モードを実行していると、第1及び第2サブライン19,20の圧力比を一定にするために、第1流体制御バルブ24Aの弁開度が大きくなり、第1圧力センサ25Aが測定する圧力測定値も上昇する。すなわち、第1サブライン19に流れるメインガスの流量が増加する。しかし、第2サブライン20の圧力上昇は、添加ガスの供給によるものであり、メインガスの流量増加によるものではない。それにもかかわらず、第1サブライン19に供給されるメインガスの流量を増加させると、第1及び第2サブライン19,20に分流されるメインガスの分流比が添加ガス供給前後で変わってしまう。この場合、第1及び第2シャワー部32a,32bからウエハ33のセンター部とエッジ部に供給されるメインガスの割合が変わり、ウエハ33にメインガスを所定の量で散布できない不具合が生じる。
しかし、本実施形態では、図4に示すように、添加ガスを第2サブライン20へ供給する前に圧力比制御モードを圧力制御モードに切り替え、第1サブライン19の圧力が添加ガスの供給前後で一定になるように第1サブライン19の圧力を制御している。すなわち、第1サブライン19の流量を一定に制御している。そのため、第2サブライン20へ添加ガスを供給して第2サブライン20の圧力が上昇しても、第1サブライン19の圧力すなわち流量が変動せず、添加ガス供給前後で第1及び第2サブライン19,20に分流するメインガスの分流比が一定に維持される。これにより、第1及び第2サブライン19,20から第1及び第2シャワー部32a,32bを介してウエハ33のセンター部とエッジ部に供給されるメインガスの割合が、添加ガス供給前後で変わらず、ウエハ33にメインガスを所定の量で散布することができる。
ところで、第1及び第2圧力センサ25A,25Bの圧力測定値は、外乱(メインガスの流量変動や周囲温度の変動など)によってふらつき、変化することがある。この場合、圧力制御モードを実行していると、第1サブライン19の圧力を一定にするようにコントローラ26が第1流体制御バルブ24Aを制御するため、第1及び第2サブライン19,20からウエハ33に供給されるメインガスの割合が変化してしまう。
そこで、コントローラ26は、添加ガスをメインガスに添加した後、第1及び第2圧力センサ25A,25Bの圧力測定値が安定したら、その旨の信号を中央コントローラ4へ送信する。中央コントローラ4は、AUTO制御実行可能であることを表示部に表示して作業者に知らせる。作業者がAUTO制御開始指示を中央コントローラ4に入力すると、中央コントローラ4は、コントローラ26へAUTO制御コマンドを出力する。コントローラ26は、図5に示すように、AUTO制御コマンドを受信すると、第1及び第2圧力センサ25A,25Bから圧力測定値を受信し、現在の圧力比を算出し、第2目標圧力比として記憶する。そして、コントローラ26は、第2目標圧力比に基づいて第1又は第2流体制御バルブ24A,24Bの弁開度を調整し、第1及び第2サブライン19,20の圧力を一定の第2目標圧力比に制御する。
第1及び第2圧力センサ25A,25Bの圧力測定値の圧力比が一定であることは、第1及び第2サブライン19,20に分流されるメインガスの流量もほぼ一定比であると考えられる。よって、第1及び第2圧力センサ25A,25Bの圧力測定値が第2目標圧力比に安定することにより、第1及び第2シャワー部32a,32bからは所定の分流比でメインガスが供給されていると考えられる。
ウエハ33にエッチングガスを散布している場合に、図5に示すように、第2圧力センサ25Bの測定する圧力測定値が外乱により上昇したとしても、コントローラ26は、第2目標圧力比を維持するように第1流体制御バルブ24Aの弁開度を大きくして第1サブライン19の圧力を上昇させる。そのため、第2サブライン20の圧力が外乱により変動しても、ウエハ33のセンター部とエッジ部に散布されるメインガスの割合が変わらず、ウエハ33のエッチングレートを均一にすることができる。
中央コントローラ4は、例えば、作業者が装置トラブル等のために装置の停止指示を中央コントローラ4に入力した場合や、地震等の非常時に装置が緊急停止された場合に、コントローラ26へ停止コマンドを出力すると共に、メインバルブ18と合流バルブ22とを閉じる。停止コマンドを受信したコントローラ26は、停止モードを実行し、第1及び第2流体制御バルブ24A,24Bの制御を停止して待機する。コントローラ26は、圧力比制御コマンドを中央コントローラ4から受信するまで待機する。
尚、中央コントローラ4が処理を終了すると、コントローラ26も処理を終了する。
尚、中央コントローラ4が処理を終了すると、コントローラ26も処理を終了する。
<作用効果>
以上説明したように、上記流体制御方法、流体制御システム1及び流体制御プログラムによれば、第1サブライン19の圧力を一定に維持して、第1サブライン19を流れるメインガスの流量を安定させた状態で、第2サブライン20に添加ガスを供給するので、添加ガスの供給前後で第1及び第2サブライン19,20に流れるメインガスの流量が変わらず、第1及び第2サブライン19,20に流れるメインガスの添加ガス供給前の分流比を維持できる。
以上説明したように、上記流体制御方法、流体制御システム1及び流体制御プログラムによれば、第1サブライン19の圧力を一定に維持して、第1サブライン19を流れるメインガスの流量を安定させた状態で、第2サブライン20に添加ガスを供給するので、添加ガスの供給前後で第1及び第2サブライン19,20に流れるメインガスの流量が変わらず、第1及び第2サブライン19,20に流れるメインガスの添加ガス供給前の分流比を維持できる。
そして、上記流体制御方法、流体制御システム1及び流体制御プログラムは、添加ガス供給後にメインガスの流量変動や周囲温度の変動などの外乱により第1又は第2サブライン19,20の圧力が変動した場合でも、添加ガス供給後の圧力比を維持するように第1又は第2サブライン19,20の圧力を調整し、メインライン17から第1及び第2サブライン19,20へ一定の分流比でメインガスを供給するので、外乱発生前後で第1及び第2サブライン19,20へ分流されるメインガスの分流比を維持できる。
上記のように添加ガス供給後の外乱発生時にメインライン17から第1及び第2サブライン19,20に分流させるメインガスの分流比を一定にするので、チャンバ31のウエハ33は、第1及び第2サブライン19,20から一定の分流比でメインガスを供給されて均一なエッチングレートとなり、高い平坦度が得られる。
尚、本発明は、上記実施形態に限定されることなく、色々な応用が可能である。
例えば、流体制御システム1は、半導体製造のエッチング作業に限らず、半導体製造以外のエッチング作業や半導体製造以外の分野において二系統に分流させるガスの制御に用いても良い。
例えば、上記実施形態では、第1〜第3ガス供給源11A〜11Cから供給されるプロセスガスを混合したメインガスをメインライン17に供給したが、例えば、第1〜第3プロセスガス用マスフローコントローラ13A〜13Cの下流側にバルブを設け、第1〜第3ガス供給源11A〜11Cから供給されるプロセスガスを切り替えてメインライン17に供給しても良い。尚、第1及び第2添加ガス供給源14A,14Bから合流ライン21へ供給する添加ガスについても、第1及び第2添加ガス用マスフローコントローラ16A,16Bの二次側にバルブを設け、切替可能にしても良い。
例えば、上記実施形態では、第1圧力センサ25Aと第2圧力センサ25Bを備える第1及び第2圧力制御手段23A,23Bを使用して圧力比制御・圧力制御を行っているが、図6に示すように、第1及び第2圧力センサ25A,25Bを第1及び第2マスフローメータ42A,42Bに置き換えて第1及び第2流量制御手段41A,41Bを構成して流体制御システム40を設け、流量比制御・流量制御を行うようにしても良い。この場合、流体制御システム40は、図7に示す流体制御プログラムを実行し、上記実施形態の圧力及び圧力比(図2参照)を、第1及び第2流量制御手段41A,41Bの第1及び第2マスフローメータ42A,42Bが測定する流量値及びそれに基づいて算出する流量比に置き換えて処理を行うことにより(S1,S102〜S106、S7、S8、S109、S110、S11)、第1及び第2サブライン19,20へ分流されるメインガスの流量を制御するようにすると良い。
上記実施形態では、ウエハ33のエッジ部にメインガスを供給するライン20に合流ライン21を接続させ、ライン19を「第1サブライン」、ライン20を「第2サブライン」として、ウエハ33のエッジ部に添加ガスを供給するようにした。これに対して、ライン19に合流ライン21を接続させる一方、ライン20に合流ライン21を接続させないで、ライン20を「第1サブライン」、ライン19を「第2サブライン」とすることにより、ウエハ33のセンター部に添加ガスを供給するようにしても良い。この場合でも、上記実施形態と同様の処理(図2参照)により圧力制御及び圧力比制御を実施することにより、第1及び第2サブラインに流すメインガスの分流比を添加ガスの供給前後で一定に維持することができる。尚、流量制御及び流量比制御を行う場合でも同様である。
例えば、流体制御システム1は、半導体製造のエッチング作業に限らず、半導体製造以外のエッチング作業や半導体製造以外の分野において二系統に分流させるガスの制御に用いても良い。
例えば、上記実施形態では、第1〜第3ガス供給源11A〜11Cから供給されるプロセスガスを混合したメインガスをメインライン17に供給したが、例えば、第1〜第3プロセスガス用マスフローコントローラ13A〜13Cの下流側にバルブを設け、第1〜第3ガス供給源11A〜11Cから供給されるプロセスガスを切り替えてメインライン17に供給しても良い。尚、第1及び第2添加ガス供給源14A,14Bから合流ライン21へ供給する添加ガスについても、第1及び第2添加ガス用マスフローコントローラ16A,16Bの二次側にバルブを設け、切替可能にしても良い。
例えば、上記実施形態では、第1圧力センサ25Aと第2圧力センサ25Bを備える第1及び第2圧力制御手段23A,23Bを使用して圧力比制御・圧力制御を行っているが、図6に示すように、第1及び第2圧力センサ25A,25Bを第1及び第2マスフローメータ42A,42Bに置き換えて第1及び第2流量制御手段41A,41Bを構成して流体制御システム40を設け、流量比制御・流量制御を行うようにしても良い。この場合、流体制御システム40は、図7に示す流体制御プログラムを実行し、上記実施形態の圧力及び圧力比(図2参照)を、第1及び第2流量制御手段41A,41Bの第1及び第2マスフローメータ42A,42Bが測定する流量値及びそれに基づいて算出する流量比に置き換えて処理を行うことにより(S1,S102〜S106、S7、S8、S109、S110、S11)、第1及び第2サブライン19,20へ分流されるメインガスの流量を制御するようにすると良い。
上記実施形態では、ウエハ33のエッジ部にメインガスを供給するライン20に合流ライン21を接続させ、ライン19を「第1サブライン」、ライン20を「第2サブライン」として、ウエハ33のエッジ部に添加ガスを供給するようにした。これに対して、ライン19に合流ライン21を接続させる一方、ライン20に合流ライン21を接続させないで、ライン20を「第1サブライン」、ライン19を「第2サブライン」とすることにより、ウエハ33のセンター部に添加ガスを供給するようにしても良い。この場合でも、上記実施形態と同様の処理(図2参照)により圧力制御及び圧力比制御を実施することにより、第1及び第2サブラインに流すメインガスの分流比を添加ガスの供給前後で一定に維持することができる。尚、流量制御及び流量比制御を行う場合でも同様である。
1,40 流体制御システム
17 メインライン
19,20 第1及び第2サブライン
21 合流ライン
23A,23B 第1及び第2圧力制御手段
31 チャンバ
42A,42B 第1及び第2流量制御手段
17 メインライン
19,20 第1及び第2サブライン
21 合流ライン
23A,23B 第1及び第2圧力制御手段
31 チャンバ
42A,42B 第1及び第2流量制御手段
Claims (12)
- メインラインから第1及び第2サブラインにメインガスを分流させてチャンバに供給するときに、前記第2サブラインに添加ガスを供給する場合に、前記第1及び前記第2サブラインから前記チャンバに供給される前記メインガスの流量を前記第1及び前記第2サブラインの圧力に基づいて制御する流体制御方法において、
添加ガスを供給されない第1サブラインの圧力を一定にするように、前記第1サブラインの圧力を制御しながら、前記第2サブラインに前記添加ガスを供給する
ことを特徴とする流体制御方法。 - 請求項1に記載する流体制御方法において、
前記添加ガスを前記第2サブラインに供給した後、前記第1及び前記第2サブラインの圧力比を求めて記憶し、その記憶した圧力比を一定にするように前記第1又は前記第2サブラインの圧力を調整する
ことを特徴とする流体制御方法。 - メインラインから第1及び第2サブラインにメインガスを分流させてチャンバに供給するときに、前記第2サブラインに添加ガスを供給する場合に、前記第1及び前記第2サブラインから前記チャンバに供給される前記メインガスの流量を前記第1及び前記第2サブラインの流量に基づいて制御する流体制御方法において、
添加ガスを供給されない第1サブラインの流量を一定にするように、前記第1サブラインの流量を制御しながら、前記第2サブラインに前記添加ガスを供給する
ことを特徴とする流体制御方法。 - 請求項3に記載する流体制御方法において、
前記添加ガスを前記第2サブラインに供給した後、前記第1及び前記第2サブラインの流量比を求めて記憶し、その記憶した流量比を一定にするように前記第1又は前記第2サブラインの流量を調整する
ことを特徴とする流体制御方法。 - メインラインから分流する第1及び第2サブラインに第1及び第2圧力制御手段を配設し、前記第2圧力制御手段の二次側に添加ガスを前記第2サブラインに合流させる合流ラインが接続しており、前記第1及び前記第2サブラインの圧力に基づいて前記第1及び前記第2サブラインを流れるメインガスの流量を制御する流体制御システムにおいて、
前記第1サブラインの圧力を一定にするように前記第1圧力制御手段に前記第1サブラインの圧力を制御させた状態で、前記第2サブラインに前記添加ガスが供給される
ことを特徴とする流体制御システム。 - 請求項5に記載する流体制御システムにおいて、
前記第2サブラインに前記添加ガスが供給された後、前記第1及び前記第2サブラインの圧力比を求めて記憶し、その記憶した圧力比を一定にするように前記第1及び前記第2圧力制御手段に前記第1又は前記第2サブラインの圧力を制御させる
ことを特徴とする流体制御システム。 - メインラインから分流する第1及び第2サブラインに第1及び第2流量制御手段を配設し、前記第2流量制御手段の二次側に添加ガスを前記第2サブラインに合流させる合流ラインが接続しており、前記第1及び前記第2サブラインの流量に基づいて前記第1及び前記第2サブラインを流れるメインガスの流量を制御する流体制御システムにおいて、
前記第1サブラインの流量を一定にするように前記第1流量制御手段に前記第1サブラインの流量を制御させた状態で、前記第2サブラインに前記添加ガスが供給される
ことを特徴とする流体制御システム。 - 請求項7に記載する流体制御システムにおいて、
前記第2サブラインに前記添加ガスが供給された後、前記第1及び前記第2サブラインの流量比を求めて記憶し、その記憶した流量比を一定にするように前記第1及び前記第2流量制御手段に前記第1又は前記第2サブラインの流量を制御させる
ことを特徴とする流体制御システム。 - メインラインから分流する第1及び第2サブラインに第1及び第2圧力制御手段を配設し、前記第2圧力制御手段の二次側に添加ガスを前記第2サブラインに合流させる合流ラインが接続しており、前記第1及び前記第2サブラインの圧力に基づいて前記第1及び前記第2サブラインを流れるメインガスの流量を制御する流体制御プログラムにおいて、
前記第1及び前記第2圧力制御手段を電気的に制御するコンピュータに、前記添加ガスを前記第2サブラインに供給する前に、前記第1サブラインの圧力を一定にするように前記第1圧力制御手段に前記第1サブラインの圧力を制御させる
ことを特徴とする流体制御プログラム。 - 請求項9に記載する流体制御プログラムにおいて、
前記コンピュータに、
前記第1サブラインの圧力を一定にするように前記第1サブラインの圧力制御を行った後に、前記第2サブラインに前記添加ガスを供給された場合に、前記第1及び前記第2サブラインの圧力比を求め、求めた圧力比を一定にするように前記第1及び前記第2圧力制御手段に前記第1又は前記第2サブラインの圧力を制御させる
ことを特徴とする流体制御プログラム。 - メインラインから分流する第1及び第2サブラインに第1及び第2流量制御手段を配設し、前記第2流量制御手段の二次側に添加ガスを前記第2サブラインに合流させる合流ラインが接続しており、前記第1及び前記第2サブラインの流量に基づいて前記第1及び前記第2サブラインを流れるメインガスの流量を制御する流体制御プログラムにおいて、
前記第1及び前記第2流量制御手段を電気的に制御するコンピュータに、前記添加ガスを前記第2サブラインに供給する前に、前記第1サブラインの流量を一定にするように前記第1流量制御手段に前記第1サブラインの流量を制御させる
ことを特徴とする流体制御プログラム。 - 請求項11に記載する流体制御プログラムにおいて、
前記コンピュータに、
前記第1サブラインの流量を一定にするように前記第1サブラインの流量制御を行った後に、前記第2サブラインに前記添加ガスを供給された場合に、前記第1及び前記第2サブラインの流量比を求め、求めた流量比を一定にするように前記第1及び前記第2流量制御手段に前記第1又は前記第2サブラインの流量を制御させる
ことを特徴とする流体制御プログラム。
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2021021442A (ja) * | 2019-07-29 | 2021-02-18 | 株式会社タツノ | 充填装置 |
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US20060124169A1 (en) * | 2004-12-09 | 2006-06-15 | Tokyo Electron Limited | Gas supply unit, substrate processing apparatus, and supply gas setting method |
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JP2007207808A (ja) * | 2006-01-31 | 2007-08-16 | Tokyo Electron Ltd | ガス供給装置,基板処理装置,ガス供給方法 |
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- 2010-05-26 US US12/787,762 patent/US20100312405A1/en not_active Abandoned
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