JP2011008721A - メモリ制御回路および画像形成装置 - Google Patents
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Abstract
【課題】 データのリード/ライトにより発生する消費電力を低減するメモリ制御回路および画像形成装置を得る。
【解決手段】 比較器5が、メモリ1から読み出されたリードデータ12と、リードデータ12が読み出されたアドレスと同一のアドレスに書き込むためのライトデータ12とを比較し、メモリコントローラ2は、比較器5による比較結果に基づき、リードデータ12の値とライトデータ11の値とが同一ではない場合のみ、ライトデータ11をメモリ1に書き込み、リードデータ12の値とライトデータ11の値とが同一である場合には、ライトデータ11をメモリ1に書き込まない。
【選択図】 図1
【解決手段】 比較器5が、メモリ1から読み出されたリードデータ12と、リードデータ12が読み出されたアドレスと同一のアドレスに書き込むためのライトデータ12とを比較し、メモリコントローラ2は、比較器5による比較結果に基づき、リードデータ12の値とライトデータ11の値とが同一ではない場合のみ、ライトデータ11をメモリ1に書き込み、リードデータ12の値とライトデータ11の値とが同一である場合には、ライトデータ11をメモリ1に書き込まない。
【選択図】 図1
Description
本発明は、メモリ制御回路および画像形成装置に関するものである。
メモリにおいては、データのリード/ライトの際に電力が消費される。また、揮発性のメモリの場合、その他、データの保持にも電力が消費される。
このようなメモリでの消費電力を抑制する技術が提案されている(例えば特許文献1,2参照)。例えば、特許文献1の技術は、複数のダイナミックRAM(Random Access Memory)の一部のみについてリフレッシュを行うようにして消費電力を低減する。また、特許文献2の技術は、待機状態時にダイナミックRAMのリフレッシュを行わないようにする。
しかしながら、上述の技術では、いずれもリフレッシュ頻度を低減させるものであり、データのリード/ライト時の消費電力を低減することはできない。また、いずれもリフレッシュ頻度を低減させるものであるため、リフレッシュを行わないメモリ(スタティックRAMなど)については適用することができない。さらに、上述の技術では、通常動作時において1つのRAMについて消費電力の低減を行うことが困難である。
本発明は、上記の問題に鑑みなされたものであり、データのリード/ライトにより発生する消費電力を低減するメモリ制御回路および画像形成装置を得ることを目的とする。
上記の課題を解決するために、本発明では以下のようにした。
本発明に係るメモリ制御回路は、メモリから読み出されたリードデータと、リードデータが読み出されたアドレスと同一のアドレスに書き込むためのライトデータとを比較する比較器と、比較器による比較結果に基づき、リードデータの値とライトデータの値とが同一ではない場合のみ、ライトデータをメモリに書き込み、リードデータの値とライトデータの値とが同一である場合には、ライトデータをメモリに書き込まないメモリコントローラとを備える。
これにより、メモリへのデータライトの回数が減少するため、メモリへのデータライトにより発生する消費電力が低減される。
また、本発明に係るメモリ制御回路は、上記のメモリ制御回路に加え、次のようにしてもよい。この場合、メモリ制御回路は、1ラインずつ画像データを処理し処理後の画像データにおける各画素値をライトデータとしてメモリに書き込ませる第1データ処理回路と、画像データをリードデータとしてメモリから読み出させて、1ラインずつ画像データを処理する第2データ処理回路とをさらに備える。そして、メモリコントローラは、第1データ処理回路からのデータライト要求の時点で、比較器による比較結果に基づき、ライトデータをメモリに書き込むか否かを判定する。
画像データでは、副走査方向の画素値変化が少ない場合があり、そのような場合には、特に、メモリへのデータライトの回数が減少するため、メモリへのデータライトにより発生する消費電力が低減される。
また、本発明に係るメモリ制御回路は、上記のメモリ制御回路のいずれかに加え、次のようにしてもよい。この場合、第1データ処理回路および第2データ処理回路は、1ラインずつ画像データに対してパイプライン処理を行う。
また、本発明に係るメモリ制御回路は、上記のメモリ制御回路のいずれかに加え、次のようにしてもよい。この場合、メモリ制御回路は、各ラインについての比較器による比較結果に基づき、全ラインにおいて画素値が特定値である画素位置の存在を検出する筋検出部をさらに備える。
これにより、画像内の筋を検出するための回路を別途設ける必要がない。
また、本発明に係るメモリ制御回路は、上記のメモリ制御回路のいずれかに加え、次のようにしてもよい。この場合、上記メモリは、スタティックRAMである。
これにより、スタティックRAMがメモリとして採用された場合、データライトの回数が減少するため、スタティックRAMの寿命を長くすることができる。
本発明に係る画像形成装置は、上記のメモリ制御回路のいずれかを備え、第1データ処理回路および第2データ処理回路により処理された画像データに基づいて画像を形成する。
本発明によれば、データのリード/ライトにより発生する消費電力を低減するメモリ制御回路および画像形成装置を得ることができる。
以下、図に基づいて本発明の実施の形態を説明する。
実施の形態1.
図1は、本発明の実施の形態1に係るメモリ制御回路の構成を示すブロック図である。
図1において、メモリ1は、半導体メモリ素子である。この実施の形態では、メモリ1は、スタティックRAMである。ラインメモリ1aは、メモリ1における所定の記憶領域である。ここでは、ラインメモリ1aは、画像の1ライン分の画像データを格納可能なサイズを有する。
メモリコントローラ2は、メモリ1に対するリード/ライトを行う回路である。メモリコントローラ2は、バッファ3に保持されているライトデータ11をメモリ1に書き込んだり、メモリ1から読み出したリードデータをバッファ4に格納したりする。メモリコントローラ2は、比較器5による比較結果に基づき、リードデータ12の値とライトデータ11の値とが同一ではない場合のみ、ライトデータ11をメモリ1に書き込み、リードデータ12の値とライトデータ11の値とが同一である場合には、ライトデータ11をメモリに書き込まない。なお、メモリコントローラ2は、データ処理回路6からのデータライト要求の時点で、比較器5による比較結果に基づき、ライトデータ11をメモリ1に書き込むか否かを判定する。
バッファ3は、リードデータ12が読み出されたアドレスと同一のアドレスに書き込むためのライトデータ11を一時的に保持している記憶回路である。バッファ3は、メモリコントローラ2またはデータ処理回路6の内部に設けられていてもよい。
バッファ4は、メモリコントローラ2によりメモリ1から読み出されたリードデータ12を一時的に保持している記憶回路である。バッファ4は、メモリコントローラ2またはデータ処理回路7の内部に設けられていてもよい。
比較器5は、バッファ3におけるリードデータ11とバッファ4におけるライトデータ12とを比較する回路である。つまり、読み出されたリードデータ11と、メモリ1においてそのリードデータ11に上書きするためのライトデータ12とが比較される。
データ処理回路6は、1ラインずつ画像データに対して画像処理を行い、メモリコントローラ2へデータライト要求を供給して、処理後の画像データにおける各画素値をライトデータ11としてメモリ1に書き込ませる第1データ処理回路である。データ処理回路7は、メモリコントローラ2へデータリード要求を供給して、画像データをリードデータ12としてメモリ1から読み出させて、1ラインずつ画像データに対して別の画像処理を行う第2データ処理回路である。この実施の形態では、第1データ処理回路および第2データ処理回路は、1ラインずつ画像データに対してパイプライン処理を行う。
次に、上記回路の動作について説明する。図2は、図1におけるメモリコントローラ2の動作を説明するフローチャートである。
メモリコントローラ2は、データ処理回路7からアドレスnについてのデータリード要求を受け付けると(ステップS1)、ラインメモリ1aにおけるアドレスnのデータ(ここでは、画素値)を読み出し(ステップS2)、リードデータ12としてバッファ4に格納する(ステップS3)。
なお、次のデータリード要求(アドレスn+1についてのデータリード要求)を受け付けると、メモリコントローラ2は、データ処理回路7からアドレスn+1のデータを読み出し、バッファ4に上書きする。データ処理回路7は、次のデータリード要求をメモリコントローラ2へ供給する前に、バッファ4におけるリードデータ12を読み出す。
一方、データ処理回路6は、ラインメモリ1aにおけるアドレスnに書き込むべきデータ(ここでは、画素値)をライトデータ11としてバッファ3に格納し、アドレスnについてのデータライト要求をメモリコントローラ2に供給する。なお、前回のデータライト要求についてのライトデータ11がバッファ3に格納されている場合には、そのライトデータ11に、今回のデータライト要求についてのライトデータ11が上書きされる。なお、データ処理回路6は、データ処理回路7によりアドレスnについてのデータリード要求が供給された後であってデータ処理回路7により次のデータリード要求が供給される前に、アドレスnについてのデータライト要求をメモリコントローラ2に供給する。
メモリコントローラ2は、データ処理回路6からアドレスnについてのデータライト要求を受け付けると(ステップS4)、比較器5による比較結果に基づいて、その時点でのリードデータ12とライトデータ11が同一値を有するか否かを判定する(ステップS5)。
その時点でのリードデータ12とライトデータ11が同一値を有さないと判定した場合、メモリコントローラ2は、
バッファ3からライトデータ11を読み出し、ラインメモリ1aにおけるアドレスnにライトデータ11を書き込む(ステップS6)。
バッファ3からライトデータ11を読み出し、ラインメモリ1aにおけるアドレスnにライトデータ11を書き込む(ステップS6)。
一方、その時点でのリードデータ12とライトデータ11が同一値を有すると判定した場合、メモリコントローラ2は、ライトデータ11を書き込まずに、ステップS4のデータライト要求に対する処理を完了する(ステップS7)。
以上のように、上記実施の形態1によれば、比較器5が、メモリ1から読み出されたリードデータ12と、リードデータ12が読み出されたアドレスと同一のアドレスに書き込むためのライトデータ12とを比較し、メモリコントローラ2は、比較器5による比較結果に基づき、リードデータ12の値とライトデータ11の値とが同一ではない場合のみ、ライトデータ11をメモリ1に書き込み、リードデータ12の値とライトデータ11の値とが同一である場合には、ライトデータ11をメモリ1に書き込まない。
これにより、メモリ1へのデータライトの回数が減少するため、メモリ1へのデータライトにより発生する消費電力が低減される。また、メモリ1がスタティックRAMである場合には、メモリ1へのデータライトの回数が減少するため、メモリ1の寿命が長くなる。
また、上記実施の形態1によれば、データ処理回路6は、1ラインずつ画像データを処理し処理後の画像データにおける各画素値をライトデータ11としてメモリ1に書き込ませ、データ処理回路7は、画像データをリードデータ12としてメモリ1から読み出させて、1ラインずつ画像データを処理する。そして、メモリコントローラ2は、データ処理回路6からのデータライト要求の時点で、比較器5による比較結果に基づき、ライトデータ11をメモリ1に書き込むか否かを判定する。
これにより、画像データでは、副走査方向の画素値変化が少ない場合があり、そのような場合には、特に、メモリ1へのデータライトの回数が減少するため、メモリ1へのデータライトにより発生する消費電力が低減される。
実施の形態2.
実施の形態2では、実施の形態1に係るメモリ制御回路を応用することで、画像内の筋を検出できるようにする。なお、ここでいう筋とは、副走査方向に沿って、1ページの画像の一端から他端まで直線状に形成されている画像である。実施の形態2では、例えば、データ処理回路6が図示せぬスキャナによる画像読み取りにおいて生成された画像データを取得し、データ処理回路7がその画像データに対して画像処理を行う。このときに、スキャナによる読み取られた画像に黒筋が生じてしまっている場合には、それが検出される。
図3は、本発明の実施の形態2に係るメモリ制御回路の構成を示すブロック図である。図3において、筋検出部21は、画像データにおける各ラインについての比較器5による比較結果に基づき、全ラインにおいて画素値が特定値である画素位置の存在を検出する処理部である。筋検出部21は、専用ハードウェア回路として実現してもよいし、プログラムに従って動作するプロセッサにより実現するようにしてもよい。
なお、図3におけるその他の構成要素については、実施の形態1(図1)のものと同様であるので、その説明を省略する。
次に、上記回路による筋検出の動作について説明する。図4は、図3における筋検出部21の動作を説明するフローチャートである。
実施の形態1と同様に、メモリコントローラ2、比較器5およびデータ処理回路6,7が動作し、1ページ分の画像データにおける最初の第1ラインから最後の第Mラインまで順番に、画像データがラインメモリ1aを介してデータ処理回路6からデータ処理回路7へ転送される。
この動作に並行して筋検出部21は、以下の処理を行う。
まず、筋検出部21は、ライトデータ11を参照することで第1ラインの画素値を順番に参照する(ステップS11)。1つのライトデータ11が1つの画素値を有する。筋検出部21は、その画素値が特定の画素値(黒筋を検出する場合には、黒の画素値)であるか否かを判定し(ステップS12)、その画素値が特定の画素値である場合には、その画素の位置を保存する(ステップS13)。筋検出部21は、1ラインの画素数を予め設定されており、データライト要求の回数をカウントしていき、データライト要求の回数および1ラインの画素数から、画素位置を特定する。
そして、筋検出部21は、データライト要求の回数および1ラインの画素数に基づいて、第1ラインのデータライトが完了したか否かを判定し(ステップS14)、第1ラインのデータライトが完了するまで、ステップS11〜S13の処理を繰り返す。
第1ラインのデータライトが完了すると、筋検出部21は、少なくとも1つの画素位置が保存されているか否かを判定する(ステップS15)。
少なくとも1つの画素位置が保存されている場合、筋検出部21は、第2ラインから最後のラインまで、以下の処理を行う。
まず、筋検出部21は、データライト要求ごとに現在のライトデータ11の画素位置を特定し、ライトデータの画素位置が、ステップS13で保存されたもののいずれかに一致するか否かを判定する(ステップS16)。
現在のライトデータ11の画素位置が、ステップS13で保存されたもののいずれかに一致すると判定した場合、筋検出部21は、現在のライトデータ11の値(つまり、画素値)が特定の画素値(黒筋を検出する場合には、黒の画素値)であるか否かを判定する(ステップS17)。
現在のライトデータ11の値が特定の画素値ではないと判定した場合、筋検出部21は、その画素位置についての不連続フラグの値を1にセットする(ステップS18)。なお、不連続フラグの初期値はすべてゼロである。
一方、現在のライトデータ11の画素位置が、ステップS13で保存されたもののいずれにも一致しないと判定した場合(ステップS16)、および現在のライトデータ11の値が特定の画素値であると判定した場合(ステップS17)、不連続フラグの値は操作されない。
そして、筋検出部21は、全ラインについてのデータライトが完了したか否かを判定し(ステップS19)、最後のラインまで、ステップS16〜S18の処理を繰り返し実行する。
1ページにおける全ラインについてのデータライトが完了すると、筋検出部21は、保存されている画素位置のうち、不連続フラグの値が1にセットされていない(つまり、値がゼロである)画素位置が存在するか否かを判定する(ステップS20)。
保存されている画素位置のうち、不連続フラグの値が1にセットされていない(つまり、値がゼロである)画素位置が存在する場合には、筋検出部21は、画像データに筋が存在すると判定し、さらに、その筋の画素位置を特定する(ステップS21)。なお、筋検出部21による検出結果は、ユーザへの報知に使用されたり、後段の筋除去処理に使用されたりする。
一方、保存されている画素位置のうち、不連続フラグの値が1にセットされていない(つまり、値がゼロである)画素位置が存在しない場合には、筋検出部21は、画像データに筋が存在しないと判定する(ステップS22)。また、筋検出部21は、ステップS15において、保存されている画素位置が1つもない場合にも、画像データに筋が存在しないと判定する。
図5は、実施の形態2において検出される画像内の筋の一例を説明する図である。第1ラインの第1画素から第10画素までおよび第50画素の画素値が黒を示している。このため、画素位置として、1〜10および50が保存される。そして、第iライン以降について第1画素から第10画素までの画素値が黒を示していないので、不連続フラグが1にセットされる。このため、第1画素から第10画素までには、黒筋が存在しないと判定される。一方、第50画素については、最後のラインまで画素値が黒を示しているので、不連続フラグが0のままとされる。このため、第50画素に黒筋が存在すると判定される。
以上のように、上記実施の形態2によれば、実施の形態1に示すメモリ制御回路を利用して画像内の筋を検出することができる。このため、筋検出部21のみを設けることで、筋を検出するための回路を別途設ける必要がなく、少ない回路規模で画像内の筋の検出を行うことができる。
なお、上述の各実施の形態は、本発明の好適な例であるが、本発明は、これらに限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲において、種々の変形、変更が可能である。
例えば、上記各実施の形態において、メモリ1として、フラッシュメモリを使用してもよい。
また、上記各実施の形態では、ライトデータおよびリードデータがそれぞれ別のデータ処理回路6,7により処理されているが、単一のデータ処理回路がそれらのデータを処理するようにしてもよい。
また、上記実施の形態2において、不連続フラグの代わりに不連続カウンタを使用してもよい。その場合、不連続カウンタの初期値をゼロとし、ステップS18において不連続カウンタの値を1だけ増加させ、ステップS20において不連続カウンタの値が所定の値以上の場合には、筋が生じていると判定する。これにより、筋の一部が途切れていたり、断続的に形成されている筋についても検出することができる。
本発明は、例えば、印刷装置、複写機、複合機などといった画像形成装置に適用可能である。
1 メモリ
2 メモリコントローラ
5 比較器
6 データ処理回路(第1データ処理回路の一例)
7 データ処理回路(第2データ処理回路の一例)
11 ライトデータ
12 リードデータ
21 筋検出部
2 メモリコントローラ
5 比較器
6 データ処理回路(第1データ処理回路の一例)
7 データ処理回路(第2データ処理回路の一例)
11 ライトデータ
12 リードデータ
21 筋検出部
Claims (6)
- メモリから読み出されたリードデータと、前記リードデータが読み出されたアドレスと同一のアドレスに書き込むためのライトデータとを比較する比較器と、
前記比較器による比較結果に基づき、前記リードデータの値と前記ライトデータの値とが同一ではない場合のみ、前記ライトデータを前記メモリに書き込み、前記リードデータの値と前記ライトデータの値とが同一である場合には、前記ライトデータをメモリに書き込まないメモリコントローラと、
を備えることを特徴とするメモリ制御回路。 - 1ラインずつ画像データを処理し処理後の画像データにおける各画素値を前記ライトデータとして前記メモリに書き込ませる第1データ処理回路と、
前記画像データを前記リードデータとして前記メモリから読み出させて、1ラインずつ前記画像データを処理する第2データ処理回路とをさらに備え、
前記メモリコントローラは、前記第1データ処理回路からのデータライト要求の時点で、前記比較器による比較結果に基づき、前記ライトデータを前記メモリに書き込むか否かを判定すること、
を特徴とする請求項1記載のメモリ制御回路。 - 前記第1データ処理回路および前記第2データ処理回路は、1ラインずつ前記画像データに対してパイプライン処理を行うことを特徴とする請求項2記載のメモリ制御回路。
- 各ラインについての前記比較器による比較結果に基づき、全ラインにおいて画素値が特定値である画素位置の存在を検出する筋検出部をさらに備えることを特徴とする請求項2または請求項3記載のメモリ制御回路。
- 前記メモリは、スタティックRAMであることを特徴とする請求項1から請求項4のうちのいずれか1項記載のメモリ制御回路。
- 請求項2から請求項4のうちのいずれか1項記載のメモリ制御回路を備え、
前記第1データ処理回路および前記第2データ処理回路により処理された画像データに基づいて画像を形成すること、
を特徴とする画像形成装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2009154192A JP2011008721A (ja) | 2009-06-29 | 2009-06-29 | メモリ制御回路および画像形成装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
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JP2011008721A true JP2011008721A (ja) | 2011-01-13 |
Family
ID=43565255
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
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JP2009154192A Pending JP2011008721A (ja) | 2009-06-29 | 2009-06-29 | メモリ制御回路および画像形成装置 |
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JP (1) | JP2011008721A (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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WO2015170550A1 (ja) * | 2014-05-09 | 2015-11-12 | ソニー株式会社 | 記憶制御装置、記憶装置、および、その記憶制御方法 |
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2009
- 2009-06-29 JP JP2009154192A patent/JP2011008721A/ja active Pending
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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WO2015170550A1 (ja) * | 2014-05-09 | 2015-11-12 | ソニー株式会社 | 記憶制御装置、記憶装置、および、その記憶制御方法 |
CN106255961A (zh) * | 2014-05-09 | 2016-12-21 | 索尼公司 | 存储控制设备、存储设备及存储控制方法 |
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JPWO2015170550A1 (ja) * | 2014-05-09 | 2017-04-20 | ソニー株式会社 | 記憶制御装置、記憶装置、および、その記憶制御方法 |
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