JP2011005741A - Method of dividing brittle material substrate - Google Patents

Method of dividing brittle material substrate Download PDF

Info

Publication number
JP2011005741A
JP2011005741A JP2009151487A JP2009151487A JP2011005741A JP 2011005741 A JP2011005741 A JP 2011005741A JP 2009151487 A JP2009151487 A JP 2009151487A JP 2009151487 A JP2009151487 A JP 2009151487A JP 2011005741 A JP2011005741 A JP 2011005741A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
substrate
cutter
brittle material
cutting
scribing
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP2009151487A
Other languages
Japanese (ja)
Other versions
JP5330907B2 (en
Inventor
Yasutomo Okajima
康智 岡島
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Mitsuboshi Diamond Industrial Co Ltd
Original Assignee
Mitsuboshi Diamond Industrial Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Mitsuboshi Diamond Industrial Co Ltd filed Critical Mitsuboshi Diamond Industrial Co Ltd
Priority to JP2009151487A priority Critical patent/JP5330907B2/en
Publication of JP2011005741A publication Critical patent/JP2011005741A/en
Application granted granted Critical
Publication of JP5330907B2 publication Critical patent/JP5330907B2/en
Expired - Fee Related legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a method of dividing a highly brittle material, the method that divides it quickly, accurately and by greatly suppressing generation of chipping, without using cutting water that needs complicated piping installation and wastewater treatment.SOLUTION: The method, in processing a substrate 1 composed of a brittle material as a workpiece, includes steps of: sticking a dicing tape 2 to the lower face of the substrate 1; sticking a protective tape 3 to the upper face of the substrate; forming scribed groove M on the upper layer of the substrate 1 by sliding a cutter 4 from the upper face of the protective tape; and dividing the substrate 1 into each unit element from the scribing groove M by stretching the dicing tape 2, wherein a fixed blade is used for the cutter 4.

Description

本発明は、セラミック、シリコン半導体、化合物半導体等の非常に脆い高脆性材料基板の分断方法に関する。本発明は例えば、半導体ウェハから半導体チップを分断する際に利用される。   The present invention relates to a method for dividing a highly fragile highly brittle material substrate such as a ceramic, a silicon semiconductor, or a compound semiconductor. The present invention is used, for example, when a semiconductor chip is divided from a semiconductor wafer.

シリコン半導体や化合物半導体やセラミック等の高脆性材料は、用途に応じて種々の形状に切り出されて使用されている。例えば、半導体チップとして用いる場合は、1枚の半導体ウェハから、小さな多数の方形の半導体チップが切り出される。   Highly brittle materials such as silicon semiconductors, compound semiconductors, and ceramics are used by being cut into various shapes depending on the application. For example, when used as a semiconductor chip, many small rectangular semiconductor chips are cut out from one semiconductor wafer.

一般に、脆性材料のなかでもガラス基板のような脆性材料は、カッターホイールを圧接することで容易にスクライブすることができる。スクライブされたガラスは、続いてスクライブラインに沿ってブレイク処理を行うことにより、分断できる。
これに対し、シリコン半導体や化合物半導体やセラミック等の高脆性材料基板は非常に脆い性質があるため、脆さが問題となり、カッターホイールで圧接すると、圧接時の押圧荷重によってチッピングが多数発生してしまう。
そのため、これらの高脆性材料基板を分断する場合には、カッターホイールによるスクライブ加工ではなく、ダイシング加工が行われる。すなわちダイシングブレードを高速で回転させながら分断予定ライン上を移動させる。その際に、切削水をブレード部分に噴射させて、放熱と切り屑を除去しつつダイシングを行うようにしている(特許文献1、特許文献2参照)。
Generally, among brittle materials, brittle materials such as glass substrates can be easily scribed by pressing a cutter wheel. The scribed glass can be divided by subsequently performing a break treatment along the scribe line.
On the other hand, highly brittle material substrates such as silicon semiconductors, compound semiconductors, and ceramics have very brittle properties, so brittleness becomes a problem, and when pressing with a cutter wheel, a lot of chipping occurs due to the pressing load at the time of pressing. End up.
Therefore, when these highly brittle material substrates are divided, dicing is performed instead of scribing with a cutter wheel. In other words, the dicing blade is moved along the planned dividing line while rotating at high speed. At that time, cutting water is sprayed onto the blade portion to perform dicing while removing heat radiation and chips (see Patent Documents 1 and 2).

また、脆性材料基板をダイシング後、切断されたワークに向けて高圧で洗浄液を噴射すると共に、洗浄液に超音波振動を与えて切り屑の除去を行う技術が開示されている(特許文献3参照)。また、ダイシング前の材料表面に界面活性剤を塗布してからダイシングを行い、その後、ダイシングされた材料を洗浄することによりチッピング、クラックの減少や切り屑の付着を少なくする技術が開示されている(特許文献4参照)。   Further, a technique is disclosed in which, after dicing a brittle material substrate, a cleaning liquid is sprayed at a high pressure toward a cut workpiece, and ultrasonic cleaning is applied to the cleaning liquid to remove chips (see Patent Document 3). . In addition, a technique is disclosed in which dicing is performed after a surfactant is applied to the material surface before dicing, and then the dicing material is washed to reduce chipping, crack reduction, and chip adhesion. (See Patent Document 4).

特開平03−227556号公報Japanese Patent Laid-Open No. 03-227556 特開平08−186087号公報Japanese Patent Laid-Open No. 08-186087 特開平11−214333号公報JP 11-214333 A 特開平11−191540号公報JP-A-11-191540

上述したように、高脆性材料基板は、カッターホイールの圧接ではなく、ダイシングによる分断加工が行われている。
しかしながら、ダイシング加工はどうしても1つ1つの分断に長時間を要するので、量産する上で、スループットを高める必要があるときに問題となる。
As described above, the highly brittle material substrate is not subjected to pressure contact with the cutter wheel, but is subjected to cutting by dicing.
However, the dicing process inevitably takes a long time to divide each one, so that it becomes a problem when it is necessary to increase the throughput in mass production.

また、ダイシング加工は、放熱および切り屑の除去に切削水や洗浄水を使用することになるが、高脆性材料の種類や使用用途によっては水を使って加工したくない場合もあり、ダイシング加工以外の分断方法が望まれていた。
さらに、切削水を用いるとなると、切削水供給設備や排水処理等の相応の設備が必要となるとともに、洗浄工程等の切断加工後の工程を増やすことになり、その結果、装置が複雑、大型化してコストが高くつくといった問題点があった。
In dicing, cutting water and cleaning water are used for heat dissipation and chip removal, but depending on the type of high brittle material and usage, it may not be necessary to use water. There was a desire for a cutting method other than.
In addition, when cutting water is used, appropriate equipment such as cutting water supply equipment and wastewater treatment is required, and the number of processes after cutting such as a cleaning process is increased. As a result, the apparatus is complicated and large. There is a problem that the cost is high.

そこで本発明は、カッターホイールの圧接による加工が困難な高脆性材料、具体的には、セラミック、シリコン半導体、化合物半導体であっても、ダイシング加工以外の方法で分断することができる加工方法を提供することを目的とする。
また、本発明は、複雑な配管設備や排水処理設備を伴う切削水、洗浄水を使用することなく、迅速かつ正確に、しかもチッピングの発生を著しく抑制した高脆性材料基板の分断方法を提供することを目的とする。
Therefore, the present invention provides a processing method capable of dividing even a highly brittle material that is difficult to process by press contact with a cutter wheel, specifically, a ceramic, a silicon semiconductor, or a compound semiconductor by a method other than dicing. The purpose is to do.
In addition, the present invention provides a method for dividing a highly brittle material substrate quickly and accurately without significantly using chipping and cleaning water with complicated piping equipment and wastewater treatment equipment, and significantly suppressing the occurrence of chipping. For the purpose.

上記目的を達成するために、本発明では次のような技術的手段を講じた。すなわち、本発明のスクライブ方法は、加工対象が脆性材料からなる基板であって、基板の下面にダイシングテープを貼着する工程と、基板の上面に保護テープを貼着する工程と、保護テープ上面からカッターをスライドさせることにより保護テープを切り出すとともに基板の上層部分にケガキ溝を形成するスクライブ工程と、ダイシングテープを伸張させることにより基板を分断する工程とを含み、カッターとして固定刃を用いるようにしている。   In order to achieve the above object, the present invention takes the following technical means. That is, the scribing method of the present invention is a substrate whose processing target is a brittle material, a step of attaching a dicing tape to the lower surface of the substrate, a step of attaching a protective tape to the upper surface of the substrate, and an upper surface of the protective tape A scribing process for cutting out the protective tape by sliding the cutter from the top and forming a marking groove in the upper layer part of the substrate, and a process for dividing the substrate by extending the dicing tape, and using a fixed blade as the cutter. ing.

上記発明において、固定刃の刃先稜線と基板とのなす切削角度が2°〜30°の範囲にするのが好ましい。
上記発明において、カッターによる基板のケガキ溝の深さが、基板厚みの10分の2以内にするのが好ましい。
In the above invention, it is preferable that the cutting angle formed between the edge of the fixed blade and the substrate is in the range of 2 ° to 30 °.
In the above invention, it is preferable that the depth of the groove on the substrate by the cutter is within 2/10 of the substrate thickness.

これまで、脆性材料の分断では、ガラスのように圧接可能な脆性材料については、カッターホイール(回転刃)を用いてスクライブ溝を形成し、その後、ブレイクしていた。また、非常に脆いため、圧接することができない高脆性材料については、ダイシングにより分断していた。そして、高脆性材料は、固定刃やカッターホイール(回転刃)でスクライブ溝を形成しようとすると多数のチッピングが発生してしまうのでスクライブ加工は困難と考えられていた。   In the past, for brittle materials such as glass, a scribe groove was formed using a cutter wheel (rotating blade) and then broke. Further, since the material is very brittle, a highly brittle material that cannot be pressure-welded is divided by dicing. The highly brittle material is thought to be difficult to scribe because a large number of chippings occur when a scribe groove is formed with a fixed blade or a cutter wheel (rotating blade).

一般に、固定刃は回転刃(カッターホイール)に比べて刃の厚みを薄くすることができるので、刃先の厚さ方向の稜線角は、回転刃に比べて小さい。そのような固定刃を、基板面に対し、角度をもたせて当接し、刃先を移動すると、圧接作用ではなく、引き裂く作用でスクライブが行われるようになる。加工対象の基板が高脆性材料である場合、基板に引き裂く作用が加わると、チッピングが生じやすいため、固定刃でのスクライブはできないと考えられていた。しかしながら、高脆性材料の基板表面に、予め保護テープを貼り、基板の上層面だけにケガキ溝が形成されるように、刃先の高さを調整してスクライブを行うと、高脆性材料であっても保護テープでチッピングの発生を抑えることができるようになり、チッピングがほとんど発生しないケガキ溝が形成できることを見出した。なお、回転刃で同様のスクライブを行った場合は、圧接作用によりスクライブ溝が形成されるが、その場合のスクライブ溝には、多数のチッピングが生じてしまった。つまり、固定刃でしか、チッピングを抑えることができなかった。
本発明は、高脆性材料では決してできないと考えられていた固定刃によるスクライブ加工を、保護テープを貼り、切削角度を浅くしてスクライブを行うことにより、チッピングの生じないスクライブ加工を実現できるものである。
In general, the fixed blade can reduce the thickness of the blade as compared to the rotary blade (cutter wheel), and therefore the ridge line angle in the thickness direction of the blade edge is smaller than that of the rotary blade. When such a fixed blade is brought into contact with the substrate surface at an angle and the blade tip is moved, scribing is performed by a tearing action instead of a press-contacting action. When the substrate to be processed is a highly brittle material, it has been thought that scribing with a fixed blade cannot be performed because chipping is likely to occur when a tearing action is applied to the substrate. However, if a scribing is performed by adjusting the height of the blade edge so that a protective tape is applied in advance to the substrate surface of the highly brittle material, and a scribing groove is formed only on the upper surface of the substrate, the material is highly brittle. It has also been found that chipping can be suppressed with a protective tape, and an inscribed groove with little chipping can be formed. In addition, when the same scribing was performed with the rotary blade, a scribing groove was formed by the pressure-contacting action, but many chippings were generated in the scribing groove in that case. In other words, chipping could only be suppressed with a fixed blade.
The present invention can realize scribing that does not cause chipping by performing scribing with a fixed blade, which was thought to be impossible with a highly brittle material, by applying a protective tape and performing scribing with a shallow cutting angle. is there.

本発明のスクライブ方法によれば、保護テープ上面から固定刃のカッターを基板上層のみに当たるようにしてスライドさせることにより、高脆性材料であっても、チッピングが生じることなく、スクライブ加工を行うことができる。また、切削水を使用しなくてもよいので、基板に水がかかることを望まない材料や用途であっても、問題なく加工することができる。   According to the scribing method of the present invention, even if it is a highly brittle material, the scribing process can be performed without causing chipping by sliding the cutter of the fixed blade so as to contact only the upper layer of the substrate from the upper surface of the protective tape. it can. Moreover, since it is not necessary to use cutting water, even if it is a material and a use which do not want water splashing to a board | substrate, it can process without a problem.

上記発明において、固定刃の刃先稜線と基板とのなす切削角度が2°〜30°の範囲であるようにするのが好ましい。
上記発明において、カッターによる基板のケガキ溝の深さが、基板厚みの10分の2以内であるのが好ましい。
切削角度やけがきの深さを上記範囲に制限することにより、チッピングが生じないスクライブが可能になる。
In the above invention, it is preferable that the cutting angle formed between the edge of the fixed blade and the substrate is in the range of 2 ° to 30 °.
In the said invention, it is preferable that the depth of the marking groove | channel of the board | substrate by a cutter is less than 2/10 of board | substrate thickness.
By limiting the cutting angle and the depth of scribing to the above ranges, scribing that does not cause chipping is possible.

本発明方法を実施する際に使用する分断装置の一例を示す斜視図。The perspective view which shows an example of the cutting device used when enforcing the method of this invention. 図1におけるスライダの部分拡大図。The elements on larger scale of the slider in FIG. 図2のカッターの取り付け状態を示す部分拡大図。The elements on larger scale which show the attachment state of the cutter of FIG. 上記カッターによって基板にケガキ溝を加工する際の拡大した断面図。The expanded sectional view at the time of processing a marking groove on a board | substrate with the said cutter. 本発明にかかる分断工程の第1の工程を示す説明図。Explanatory drawing which shows the 1st process of the parting process concerning this invention. 本発明にかかる分断工程の第2の工程を示す説明図。Explanatory drawing which shows the 2nd process of the division | segmentation process concerning this invention. 本発明にかかる分断工程の第3の工程を示す説明図。Explanatory drawing which shows the 3rd process of the parting process concerning this invention.

以下において、本発明にかかる分断方法の詳細をその実施の形態を示す図面に基づいて詳細に説明する。   Hereinafter, details of the cutting method according to the present invention will be described in detail with reference to the drawings showing embodiments thereof.

最初に、本発明の分断方法を実施する際に用いる分断装置について説明する。図1は分断装置Sの斜視図である。図2は分断装置Sにおけるスライダ23の部分拡大図である。分断装置Sは、略水平方向(Y方向)に移動可能で、かつ、水平面内で回転可能なテーブル18を備えている。テーブル18は基板Wを保持するための真空吸着機構(図示せず)を備えている。   Initially, the cutting apparatus used when implementing the cutting method of this invention is demonstrated. FIG. 1 is a perspective view of the cutting device S. FIG. FIG. 2 is a partially enlarged view of the slider 23 in the cutting device S. FIG. The cutting apparatus S includes a table 18 that can move in a substantially horizontal direction (Y direction) and that can rotate in a horizontal plane. The table 18 includes a vacuum suction mechanism (not shown) for holding the substrate W.

テーブル18を挟んで設けてある両側の支持柱20,20と、X方向に延びるガイドバー21とで構成されるブリッジ19は、テーブル18上を跨ぐように設けてある。スライダ23は、ガイドバー21に形成したガイド22に沿って移動可能に取り付けられ、モータ24の回転によりX方向に移動する。   A bridge 19 including support columns 20 and 20 on both sides provided with the table 18 interposed therebetween and a guide bar 21 extending in the X direction is provided so as to straddle the table 18. The slider 23 is movably attached along a guide 22 formed on the guide bar 21, and moves in the X direction by the rotation of the motor 24.

図2に示すように、スライダ23には、カッター4が固定されている。すなわち、カッター4は、カッター支持体5の下端に取り付けられた取付ベース6にホルダ7を介して取り付けてある。そして、カッター支持体5ごと、スライダ23により図2の矢印方向に移動することにより、基板をスクライブできるようになっている。
なお、カッター支持体5には、カッター4を基板に押し付ける押圧荷重の大きさ、および、カッターの刃の高さを調整するための調整機構5aが設けてある。
As shown in FIG. 2, the cutter 4 is fixed to the slider 23. That is, the cutter 4 is attached to the attachment base 6 attached to the lower end of the cutter support 5 via the holder 7. And the board | substrate can be scribed by moving to the arrow direction of FIG.
The cutter support 5 is provided with an adjusting mechanism 5a for adjusting the magnitude of the pressing load pressing the cutter 4 against the substrate and the height of the cutter blade.

図3は、カッター4を、取付ベース6に取り付けた状態を示す部分拡大図である。使用されるカッター4は固定刃であり、厚みが0.5mm程度の薄板材で刃先が鋭突となるように形成されている。
そしてカッター4の後端部分にホルダ7に取り付けるための取付部4aを備えている。カッター4の先端はメスのように鋭角に尖った形状で形成するのが好ましく、その先端角度βは25度〜30度程度が好ましい。またカッター4は、進行方向における刃先稜線4bと基板1との切削角度αが2度〜30度の範囲内で調整できるようになっている。すなわち、取付ベース6にホルダ7を取り付けるための複数の取付孔8が設けられ、これらの取付孔8のなかの1つを選択してカッター4を保持するホルダ7を取付ネジ9で取り付けることにより、切削角度αが段階的に調整できるようになっている。これにより、加工される脆性材料の硬度や脆性に応じて切削角度αを常に適切な角度に変更して使用することができる。例えば、荷重を極力小さくしたい場合は、切削角度αを小さい角度に調整すればよい。荷重が小さいほどスクライブ溝深さを浅く加工することになるが、チッピングの発生をより生じにくくすることができる。
FIG. 3 is a partially enlarged view showing a state in which the cutter 4 is attached to the attachment base 6. The cutter 4 to be used is a fixed blade, and is formed of a thin plate material having a thickness of about 0.5 mm so that the blade tip has a sharp protrusion.
An attachment portion 4 a for attaching to the holder 7 is provided at the rear end portion of the cutter 4. The tip of the cutter 4 is preferably formed with a sharp pointed shape like a knife, and the tip angle β is preferably about 25 to 30 degrees. Moreover, the cutter 4 can adjust the cutting angle α between the cutting edge ridge line 4b and the substrate 1 in the traveling direction within a range of 2 to 30 degrees. That is, a plurality of attachment holes 8 for attaching the holder 7 to the attachment base 6 are provided, and by selecting one of these attachment holes 8 and attaching the holder 7 holding the cutter 4 with the attachment screw 9. The cutting angle α can be adjusted step by step. As a result, the cutting angle α can always be changed to an appropriate angle according to the hardness and brittleness of the brittle material to be processed. For example, when it is desired to reduce the load as much as possible, the cutting angle α may be adjusted to a small angle. The smaller the load is, the smaller the scribe groove depth is processed, but the generation of chipping can be made more difficult to occur.

次に、カッター4を用いた本発明の分断方法の手順について説明する。
図4において、分断加工対象となる基板1は、シリコン、セラミック、化合物半導体等の高脆性材料からなり、この基板1の下面にダイシングテープ2が貼着され、基板1の上面に保護テープ3が貼着される。
ダイシングテープ2並びに保護テープ3は、塩化ビニル等の樹脂テープを使用することができ、その一面に基板1に貼着するための接着層を備えている。ダイシングテープ2は、後工程で基板1をダイシングする際に引き延ばすことができるように伸縮性が付与されている。また、保護テープ3は、後工程で紫外線を照射し、あるいは、熱を加えることによって接着力が低下して容易に基板1から剥離できる素材が好適である。
Next, the procedure of the cutting method of the present invention using the cutter 4 will be described.
In FIG. 4, a substrate 1 to be divided is made of a highly brittle material such as silicon, ceramic, compound semiconductor, etc., a dicing tape 2 is attached to the lower surface of the substrate 1, and a protective tape 3 is attached to the upper surface of the substrate 1. Affixed.
As the dicing tape 2 and the protective tape 3, resin tapes such as vinyl chloride can be used, and an adhesive layer for adhering to the substrate 1 is provided on one surface thereof. The dicing tape 2 is given elasticity so that it can be stretched when the substrate 1 is diced in a later step. Further, the protective tape 3 is preferably made of a material that can be easily peeled off from the substrate 1 by irradiating ultraviolet rays in a subsequent process or by applying heat to reduce the adhesive force.

このような基板1に対し、保護テープ3の上面からカッター4で基板1に分断ラインに沿ってケガキ溝Mを加工する。
図5は、図4で示した基板を、カッター4で、保護テープ3の上面から基板1にケガキ溝Mを加工した状態を示す。このケガキ溝Mを加工する際に、ケガキ溝Mの深さLは、基板厚みtの10分の1〜10分の2以内となるようにカッター4の基板1に対する高さを調整する。このとき同時に押圧荷重も調整する。実験によれば、厚さ0.5mmの基板を加工するとき、ケガキ溝Mの深さLを50μmとするのが好適であった。様々な高脆性材料について、深さLの最適値を求めた結果、基板1の上層部に、基板1の厚みの10分の1程度のケガキ溝Mをカッター4でけがくことにより、チッピングの発生を著しく抑制できるとともに、迅速かつ正確にケガキ溝Mを加工することができることが判明した。
For such a substrate 1, a marking groove M is processed along the cutting line on the substrate 1 with a cutter 4 from the upper surface of the protective tape 3.
FIG. 5 shows a state where the substrate M shown in FIG. 4 is processed with the cutter 4 from the upper surface of the protective tape 3 to the substrate 1 with a marking groove M. FIG. When processing the marking groove M, the height of the cutter 4 with respect to the substrate 1 is adjusted so that the depth L of the marking groove M is within 1/10 to 2/10 of the substrate thickness t. At the same time, the pressing load is adjusted. According to experiments, when processing a substrate having a thickness of 0.5 mm, it is preferable that the depth L of the marking groove M is 50 μm. As a result of obtaining the optimum value of the depth L for various highly brittle materials, chipping is prevented by scoring the groove groove M, which is about one tenth of the thickness of the substrate 1, with the cutter 4 in the upper layer portion of the substrate 1. It has been found that generation can be remarkably suppressed and the marking groove M can be processed quickly and accurately.

図6は図5で示した基板を、スクライブ後に水平面内で90度回転させた方向から見た図である。スクライブ溝の周囲にはチッピングがほとんど生じることなく、スクライブ溝が形成できる。そして、基板1に複数本のケガキ溝Mを加工した後、図7に示すように、ダイシングテープ2を伸張させることにより、基板1をケガキ溝Mから個別の単位素子1a…に分断する。この場合、基板1に加工されたケガキ溝Mが浅くても、基板1が高脆性材料であるため、ダイシングテープ2の伸張によって容易にケガキ溝Mから分断することができる。
そして、保護テープ3を剥がすことにより、分断された単位素子が得られる。
FIG. 6 is a view of the substrate shown in FIG. 5 as viewed from a direction rotated 90 degrees in a horizontal plane after scribing. The scribe groove can be formed with almost no chipping around the scribe groove. Then, after processing a plurality of marking grooves M on the substrate 1, as shown in FIG. 7, the dicing tape 2 is extended to divide the substrate 1 from the marking grooves M into individual unit elements 1a. In this case, even if the marking groove M processed in the substrate 1 is shallow, the substrate 1 is made of a highly brittle material, and therefore can be easily separated from the marking groove M by the extension of the dicing tape 2.
Then, by separating the protective tape 3, a divided unit element is obtained.

以上本発明の代表的な実施例について説明したが、本発明は必ずしも上記の実施形態に特定されるものではない。例えば、カッター4の形態は実施例で示したようなメス状のものに限らず、市販のOLFA(オルファ株式会社製;登録商標)のような替刃の形態で形成することも可能である。その他本発明では、その目的を達成し、請求の範囲を逸脱しない範囲内で適宜修正、変更することが可能である。   While typical examples of the present invention have been described above, the present invention is not necessarily limited to the above embodiments. For example, the shape of the cutter 4 is not limited to the female shape as shown in the embodiment, and can be formed in the form of a replaceable blade such as a commercially available OLFA (manufactured by Olfa Corporation; registered trademark). Others The present invention can be appropriately modified and changed within the scope of achieving the object and without departing from the scope of the claims.

本発明の分断方法は、シリコンウエハ、セラミック基板、化合物半導体等の高脆性材料を分断するのに利用することができる。   The cutting method of the present invention can be used to cut highly brittle materials such as silicon wafers, ceramic substrates, and compound semiconductors.

1 基板
2 ダイシングテープ
3 保護テープ
4 カッター(固定刃)
4b 刃先稜線
α カッター進行方向における刃先稜線と基板との角度
M ケガキ溝
1 substrate 2 dicing tape 3 protective tape 4 cutter (fixed blade)
4b Cutting edge ridge line α Angle M between cutting edge ridge line and substrate in cutter traveling direction

Claims (3)

脆性材料からなる基板のスクライブ方法であって、
基板の下面にダイシングテープを貼着する工程と、
基板の上面に保護テープを貼着する工程と、
保護テープ上面からカッターをスライドさせることにより保護テープを切り出すとともに基板の上層部分にケガキ溝を形成するスクライブ工程と、
ダイシングテープを伸張させることにより基板を分断する工程とを含み、
前記カッターとして固定刃を用いることを特徴とする脆性材料のスクライブ方法。
A method for scribing a substrate made of a brittle material,
Attaching a dicing tape to the lower surface of the substrate;
Attaching a protective tape to the upper surface of the substrate;
A scribing step of cutting out the protective tape by sliding the cutter from the upper surface of the protective tape and forming a marking groove in the upper layer portion of the substrate;
Cutting the substrate by stretching the dicing tape,
A brittle material scribing method, wherein a fixed blade is used as the cutter.
固定刃の刃先稜線と基板とのなす切削角度が2°〜30°の範囲である請求項1に記載の脆性材料のスクライブ方法。   The brittle material scribing method according to claim 1, wherein a cutting angle formed by the edge of the fixed blade and the substrate is in a range of 2 ° to 30 °. 前記カッターによる基板のケガキ溝の深さが、基板厚みの10分の2以内である請求項1に記載の脆性材料のスクライブ方法。

2. The brittle material scribing method according to claim 1, wherein the depth of the substrate groove groove by the cutter is within two-tenths of the substrate thickness.

JP2009151487A 2009-06-25 2009-06-25 Method for dividing brittle material substrate Expired - Fee Related JP5330907B2 (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2009151487A JP5330907B2 (en) 2009-06-25 2009-06-25 Method for dividing brittle material substrate

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2009151487A JP5330907B2 (en) 2009-06-25 2009-06-25 Method for dividing brittle material substrate

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2011005741A true JP2011005741A (en) 2011-01-13
JP5330907B2 JP5330907B2 (en) 2013-10-30

Family

ID=43562976

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2009151487A Expired - Fee Related JP5330907B2 (en) 2009-06-25 2009-06-25 Method for dividing brittle material substrate

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP5330907B2 (en)

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2019059007A (en) * 2017-09-28 2019-04-18 株式会社ディスコ Method for processing protective member
JP2019059008A (en) * 2017-09-28 2019-04-18 株式会社ディスコ Method for processing protective member
CN109863006A (en) * 2016-10-06 2019-06-07 泰恩河畔纽卡斯尔大学 The method for processing fragile material

Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS59200437A (en) * 1983-04-27 1984-11-13 Toshiba Corp Cutting method
JPS6298684A (en) * 1985-10-25 1987-05-08 Hitachi Ltd Cleaving equipment
JPS62193800A (en) * 1986-02-21 1987-08-25 株式会社日立製作所 Method and device for parting tabular material
JPH028014A (en) * 1988-06-28 1990-01-11 Toshiba Corp Breaking device of semiconductor substrate
JPH05304339A (en) * 1992-04-27 1993-11-16 Mitsubishi Electric Corp Scribing method for semiconductor laser
JP2003197567A (en) * 2001-12-27 2003-07-11 Sony Corp Method of manufacturing semiconductor device
WO2003082542A1 (en) * 2002-04-01 2003-10-09 Mitsuboshi Diamond Industrial Co., Ltd. Parting method for fragile material substrate and parting device using the method

Patent Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS59200437A (en) * 1983-04-27 1984-11-13 Toshiba Corp Cutting method
JPS6298684A (en) * 1985-10-25 1987-05-08 Hitachi Ltd Cleaving equipment
JPS62193800A (en) * 1986-02-21 1987-08-25 株式会社日立製作所 Method and device for parting tabular material
JPH028014A (en) * 1988-06-28 1990-01-11 Toshiba Corp Breaking device of semiconductor substrate
JPH05304339A (en) * 1992-04-27 1993-11-16 Mitsubishi Electric Corp Scribing method for semiconductor laser
JP2003197567A (en) * 2001-12-27 2003-07-11 Sony Corp Method of manufacturing semiconductor device
WO2003082542A1 (en) * 2002-04-01 2003-10-09 Mitsuboshi Diamond Industrial Co., Ltd. Parting method for fragile material substrate and parting device using the method

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN109863006A (en) * 2016-10-06 2019-06-07 泰恩河畔纽卡斯尔大学 The method for processing fragile material
EP3523103B1 (en) * 2016-10-06 2024-04-24 University of Newcastle Upon Tyne Method of machining brittle materials and machined product obtained by such a method
JP2019059007A (en) * 2017-09-28 2019-04-18 株式会社ディスコ Method for processing protective member
JP2019059008A (en) * 2017-09-28 2019-04-18 株式会社ディスコ Method for processing protective member

Also Published As

Publication number Publication date
JP5330907B2 (en) 2013-10-30

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP6039363B2 (en) Method and apparatus for dividing brittle material substrate
JP6650663B2 (en) Method and apparatus for cutting resin sheet
US7172951B2 (en) Apparatus for controlled fracture substrate singulation
TWI432387B (en) Processing method and processing device for brittle material substrate
CN105365060B (en) Method and apparatus for dividing brittle material substrate
KR101990650B1 (en) Machining method
TWI620634B (en) Expander, breaking device and breaking method
JP5330907B2 (en) Method for dividing brittle material substrate
KR101966997B1 (en) Machining method
JP5879698B2 (en) Semiconductor substrate expansion apparatus and expansion processing method
TWI591030B (en) Substrate breaking device
KR20140038297A (en) Machining method
JP7340838B2 (en) Wafer breaking method and breaking device
JP2014165324A (en) Method of working package substrate
JP6689023B2 (en) Break device
JP6091182B2 (en) Method for dividing optical device wafer
JP6528356B2 (en) Cutting method of resin sheet
JP2010184319A (en) Cutting method
JP6140325B2 (en) Fragment material substrate cutting device
JP2019081252A (en) Parting system of resin sheet
TWI592271B (en) Scratch the brittle substrate with the rule of the substrate, the method of characterization and breaking method
JP5913483B2 (en) Method and apparatus for dividing brittle material substrate
JP2002331493A (en) Dividing method for plastic sheet and plastic product
JP2020121407A (en) Fragmentation system for resin sheet single body
TW201437162A (en) Scribing method and scribing device

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20120202

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20130531

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20130604

A521 Written amendment

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20130607

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20130702

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20130726

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

LAPS Cancellation because of no payment of annual fees