JP2010522436A - オーバーレイ精度における温度効果 - Google Patents
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Abstract
【選択図】図1
Description
Claims (14)
- フォトリソグラフィプロセスにおけるオーバーレイ・エラーを減少する方法であって、
第1のパターンが配置されたパーマネント層を有する基板を準備するステップ、
前記基板をフォトレジストで被覆するステップ、
前記基板全体の複数の異なる第1の位置で温度を測定しながら、前記フォトレジストを第2パターンで露光するステップ、
前記フォトレジスト内の前記第2のパターンを現像するステップ、
前記基板全体の複数の異なる第2の位置で前記第1および第2のパターン間のオーバーレイ・エラーを測定するステップ、
前記基板上の位置によって前記オーバーレイ・エラーを温度に相関させるステップ、
前記相関するオーバーレイ・エラーと温度との間に示される任意の関連を決定するステップ、および
決定される任意の関連に応答して前記フォトリソグラフィプロセスの少なくとも1つの温度制御態様を調整するステップ、
を含む方法。 - 請求項1に記載の方法であって、前記基板は、組み込まれた温度センサを有する機器搭載基板である、方法。
- 請求項1に記載の方法であって、前記第1および第2のパターンは、前記基板上において一方を他方の上に位置合わせする同一のパターンである、方法。
- 請求項1に記載の方法であって、前記第1および第2のパターンは異なるパターンである、方法。
- 請求項1に記載の方法であって、前記パーマネント層は、酸化物、窒素化合物および金属材料のうちの少なくとも1つからなるエッチングされた層である、方法。
- 請求項1に記載の方法であって、前記温度は、前記基板の所定の位置で当該位置の露光と同時に測定される、方法。
- フォトリソグラフィプロセスにおけるオーバーレイ・エラーを減少する方法あって、
第1のパターンが配置されたパーマネント層を有する基板であり、組み込まれた温度センサを有する機器搭載基板を準備するステップ、
前記基板をフォトレジストで被覆するステップ、
前記基板の所定の位置で当該位置の露光と同時に測定される温度を、前記基板全体の複数の異なる第1の位置で温度測定しながら、前記フォトレジストを第2のパターンで露光するステップ、
前記フォトレジスト内の前記第2のパターンを現像するステップ、
前記基板全体の複数の異なる第2の位置で前記第1および第2のパターン間のオーバーレイ・エラーを測定するステップ、
前記基板上の位置によって前記オーバーレイ・エラーを温度に相関させるステップ、
前記相関するオーバーレイ・エラーと温度との間に示される任意の関連を決定するステップ、および
決定される任意の関連に応答して前記フォトリソグラフィプロセスの少なくとも1つの温度制御態様を調整するステップ、
を含む方法。 - 請求項7に記載の方法であって、前記第1および第2のパターンは、前記基板上において一方を他方の上に位置合わせする同一のパターンである、方法。
- 請求項7に記載の方法であって、前記第1および第2のパターンは異なるパターンである、方法。
- 請求項7に記載の方法であって、前記パーマネント層は、酸化物、窒素化合物および金属材料のうちの少なくとも1つからなるエッチングされた層である、方法。
- 製造プロセスための熱プロファイルを生成する装置であって、組み込まれた温度センサを有する機器搭載基板と、前記温度センサの上に配置され、第1のパターンを有するパーマネント層と、を備える装置。
- 請求項11に記載の装置であって、前記温度センサは、抵抗型熱デバイス、熱電対、集積回路センサ、およびサーミスタのうちの少なくとも1つを含む、装置。
- 請求項11に記載の装置であって、前記機器搭載基板は、生産シリコン基板に実質的に等しい平坦度および厚みを有する、装置。
- 請求項11に記載の装置であって、前記パーマネント層は、酸化物、窒素化合物および金属材料のうちの少なくとも1つからなるエッチングされた層である、装置。
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