JP2010503197A - 汚染物質又は望ましくない物質で覆われた表面領域をクリーニングする方法 - Google Patents

Abstract

本発明は、少なくとも部分的に汚染物質又は望ましくない物質で覆われた表面を水素原子の適用によってクリーニングする方法に関する。本発明は又、クリーニング方法を実施するように構成された照射ユニットを提案する。本発明の方法では、触媒物質を備えた表面に差し向けられた水素分子の原子化によって水素原子を生成させ、触媒物質は、水素原子への水素分子の少なくとも一部の原子化を生じさせる。触媒物質を備えた表面は、クリーニングされるべき表面に近接して配置され、このような触媒物質を備えた表面は、その全表面積がクリーニングされるべき表面領域の表面積の少なくとも２倍であるように寸法決めされる。この方法により、構造的に簡単且つ効率的な仕方で表面領域のクリーニングが可能である。

Description

本発明は、水素原子への暴露によって除去可能又は変換可能な汚染物質又は望ましくない物質で少なくとも部分的に覆われた表面領域をクリーニングする方法に関する。本発明は又、特にＥＵＶ放射線及び（又は）軟Ｘ線のための照射ユニットであって、クリーニング方法を照明ユニットの内部の１つ又は２つ以上の光学面に適用するように構成された照明ユニットに関する。

水素原子は、表面の処理のための多くの産業分野において用いられている。水素原子の適用に関する例は、酸素又は炭素の残存物を除去することによるＧａＡａ構造又はＳｉ構造のような半導体構造のクリーニング、低温クリーニング、成長中における表面活性物質の層品質の向上、化学的パッシベーション、電子顕微鏡検査法のための試料の表面再構築又はプラズマクリーニングである。

表面の処理の別の用途は、ＥＵＶリソグラフィー、即ち、極紫外線（ＥＵＶ）を用いるリソグラフィーの分野である。ＥＵＶリソグラフィーでは、クレーシング（gracing ）入射鏡及び多層鏡が、放射線源と照射されるべきウェーハ基板との間で真空室内に配置される。両方の形式の鏡に対し極めて高い表面品質が要求される。ＥＵＶリソグラフィーに用いられる放射線源は、ガス放電プラズマ又はレーザプラズマである。両方の場合において、非常に高温のプラズマが、Ｓｎ、Ｘｅ、Ｌｉ、Ｓｂ又はＴｅの物質源に基づいて発生する。貴ガスとしてのキセノンは揮発性が非常に高いが、金属の大抵のものは、低揮発性物質である。これら物質は、放射線源から光学部品に移って光学面上で凝縮する場合がある。放射線源から放出されて光学部品の方向に移動する物質は、デブリと呼ばれる。このような光学部品は、例えば、集光鏡及び集束鏡並びにフィルタである。集光鏡は、放射線源の最も近くに位置し、このような集光鏡は、例えば一方及び他方に対して明確な距離を有する同心円状に配置された楕円体状及び双曲線体状のシェルで作られている場合があり、このような距離は、典型的には、数センチメートル又は数ミリメートルである。これら光学部品の光学面上に析出したデブリ層は、光学面の品質を低下させる場合がある。同じことは、他の物質から及び真空からの二次粒子についても当てはまり、このような二次粒子も又、光学面上に析出し、光学的特性を劣化させる場合がある。

したがって、このような照射ユニットの光学部品の光学面、特に照射ユニットの集光鏡の光学面は、これら光学面上に付着した汚染物質を除去するために繰り返しクリーニングしなければならない。

従来、水素原子は、プラズマ放電、マイクロ波放電、誘電禁止放電（dielectric inhibited discharge）により或いは高温タングステンワイヤを用いた熱活性化による水素分子の原子化によって生成される。しかしながら、水素原子の生成は、クリーニングされるべき光学面に密接した状態で行われなければならない。というのは、水素原子が再結合し、高い確率で他の物質と反応するからであり、水素原子をあまり損失させることなく長い距離にわたって運ぶことはできないからである。これは、上述の放電又は熱活性化技術が、クリーニングされる光学面の近くに配置される装置を必要とするということを意味する場合が多い。特に、ＥＵＶ照射ユニットでは、水素原子の生成のための放射線又はプラズマ源若しくは高温フィラメントの適切な配置を行うには、構成上の追加の複雑さが生じる。さらに、局所プラズマの衝撃は、光学部品の化学的及び（又は）物理的劣化、例えば、光学部品の機械的安定性の劣化を促進させる場合がある。

欧州特許出願公開第１６４３３１０（Ａ１）号明細書は、光学要素を水素原子に当てることにより光学要素への付着物質の除去を行う方法を記載している。水素分子の原子化による水素原子の生成のため、幾つかの手段が提案され、このような手段としては、高温フィラメントの使用、プラズマ放射線の使用又は水素分子を水素原子に変換するよう構成された触媒の使用が挙げられる。一例として、水素分子を原子化して水素原子にするための触媒として、グレーシング入射鏡又は多層鏡の表面に被着されるＲｕ保護層（この場合、Ｒｕは、最上部の層に含まれる）が提案されている。しかしながら、この特許文献は、このような触媒を用いる場合の解離及びクリーニングのパラメータ及び有効性に関する情報について言及しておらず、このような情報を含んでいない。

欧州特許出願公開第１６４３３１０（Ａ１）号明細書

本発明の目的は、汚染物質又は望ましくない物質で少なくとも部分的に覆われている第１の表面領域を水素原子の使用によりクリーニングする方法、複雑な構成を必要としないで、第１の表面領域の効果的なクリーニングを可能にする方法を提供することにある。本発明の別の目的は、クリーニング方法を実施するように構成された特にＥＵＶ放射線及び（又は）軟Ｘ線用の照射ユニットを提供することにある。

この目的は、請求項１又は請求項１０の方法及び照射ユニットによって達成される。この方法及び（又は）照射ユニットの有利な実施形態は、従属形式の請求項の内容であり、更に、以下の説明及び本発明を実施するための例において開示される。

汚染物質又は望ましくない物質で少なくとも部分的に覆われた第１の表面領域をクリーニングする提案の方法であって、汚染物質又は望ましくない物質が、水素原子への暴露によって除去可能又は変換可能である方法では、触媒物質を備えた１つ又は幾つかの第２の表面領域を第１の表面領域に近接して設ける。触媒物質は、水素分子の原子化を生じさせるよう選択され、１つ又は幾つかの第２の表面領域は、第１の表面領域の表面積の少なくとも２倍である全表面積を有する。水素分子含有ガス又はガス混合物のガス流を、水素分子含有ガス又はガス混合物が第１の表面領域を通過する前に１つ又は幾つかの第２の表面領域と接触状態になるように１つ又は幾つかの第２の表面領域に向かって又はこれらに沿って差し向ける。第２の表面領域との接触により、水素分子の一部は、影響なく又は追加の放射線又は追加の熱活性化の必要なく、解離して水素原子になり、このような水素原子は、ガス流と共に第１の表面領域に運ばれ、それにより汚染物質又は望ましくない物質を除去し又は変換する。

好ましくは、水素分子含有ガス又はガス混合物は、追加のクリーニング用ガスを含む。このようなクリーニング用ガス、例えばハロゲン含有ガスは、汚染物質又は望ましくない物質の除去を支援する。

提案の方法は、表面領域に接触すると、水素分子を原子化することができる特別に調製された表面領域の使用を利用している。この方法の主な観点は、これら第２の表面領域がこの第１の表面領域の効果的なクリーニングを達成するために、クリーニングされるべき第１の表面領域の表面積と比較して少なくとも２倍の表面積を備えなければならないということにある。好ましくは、第２の表面領域の全表面積は、クリーニングされるべき第１の表面領域を含む表面、即ち、鏡の場合、鏡の反射側の全表面の表面積の少なくとも２倍である。第２の表面領域は、クリーニングされるべき第１の表面領域の近くに位置する既に存在している部品又は壁の表面上に設けることができるので、本方法は、第１の表面領域を備えた装置の構造の追加の複雑さをもたらさない。具体的には、例えば局所プラズマの物理的スパッタ部品の必要性が完全に回避される。このことは又、コンポーネントの劣化、例えばクリーニングされるべき光学部品の機械的安定性の劣化をなくすことができるということを意味している。さらに、クリーニングされるべき表面領域を有する装置の作動、例えば、ＥＵＶ照射ユニットの作動を妨害しないで第２の表面領域を設けることができる。

上述したように、第２の表面領域は、第１の表面領域を有する部品が配置されている装置の１つ又は幾つかの既に存在している部品上に設けられるのが良い。このことは、この装置の作動に必要な他の機能を既に実行しているこのような部品が、例えば触媒物質の層をこれら部品の１つ又は幾つかの表面領域に被着させることにより又は部品全体を触媒物質で作ることにより、第２の表面領域に触媒物質を提供するようになっているのが良いということを意味している。

本発明の方法の考えられる利用分野は、酸素又は炭素の残存物を除去することによるＧａＡａ構造又はＳｉ構造のような半導体構造のクリーニング、低温クリーニング、成長中における表面活性物質の層品質の向上、化学的パッシベーション、電子顕微鏡検査法のための試料の表面再構築又はプラズマクリーニングである。本願における「クリーニング」という用語は、表面上の汚染物質又は望ましくない物質が除去され又は別の（望ましい）物質に変換される表面処理を意味している。この方法は、水素原子への暴露により除去可能及び変換可能な表面上の望ましくない物質を除去し又は変換すべきあらゆる分野において利用可能である。大抵の場合、クリーニングされるべき表面は、真空室内に配置される。これは、好ましい用途、即ち、ＥＵＶ照射ユニット内の光学面のクリーニングの場合でもある。光学面に付着する汚染物質は、この場合、主としてデブリ物質である。本発明の方法では、特に高い光学反射率を維持するためにこのようなＥＵＶ照射ユニットの光学面の高い光学的特性を維持し、それと同時に、光学部品の物理的性質、例えばこれらの機械的安定性に悪影響を及ぼさないで望ましくない異物を除去することが可能である。

第２の表面領域に用いられる好ましい触媒物質は、例えばＰｄ、Ｐｔ、Ｒｕ、Ｒｈのような貴金属又はＡｌ又はＢｅのような自由電子を有する金属である。さらに、黒鉛や半導体のような半金属も使用可能である。ただし、これら物質が０℃〜３００℃の温度状態でこれら物質に接触したときに水素分子の原子化を生じさせることを条件とする。

触媒物質を含む第２の表面は、クリーニングされるべき第１の表面領域に近接して配置される。このことは、これら表面が、第１の表面領域に達するまでガス流の水素原子含有量があまり減少しない程度に第１の表面領域に近接して位置しなければならないことを意味している。好ましくは、第２の表面領域と第１の表面領域との間の距離は、これら両方の領域が流れ方向に相前後して位置すると共に水素原子に対して低い付着係数を備えた材料によってのみ互いに分離されている場合、１０ｃｍ以下（表面領域相互間の最も近い距離のところで）である。例えば石英の低付着係数は、水素原子の再消費確率が低いことを意味している。例えばステンレス鋼のような非触媒物質は全て、高い付着係数を有し、第２の表面領域と第１の表面領域との間の距離は、これらの場合、１０ｃｍよりかなり短いことが必要である。さらに、第２の表面領域と第１の表面領域との間の途中における水素原子と他のガス分子の反応の確率を減少させるためにガスは、好ましくは、真空条件下で第１の表面領域に供給される。

触媒物質は、クリーニングされるべき表面が配置されている装置の部品上に表面層として設けられるのが良い。例えば、ＥＵＶ照射ユニットの場合、触媒物質をガス供給管の内壁及び（又は）真空室の内壁上に設けるのが良い。さらに又、触媒物質は、特に光学部品の前面及び（又は）後面のところで真空室内の部品の表面のところに設けるのが良い。これにより、ガス供給管のすぐ内側及び（又は）真空室内及び（又は）クリーニングされるべき光学部品のちょうどそのところでの水素分子の原子化が可能である。別の活性化源、例えば放射線源又は熱源が不要になる。触媒物質の層を部品上に設ける代わりに、対応の部品全体を触媒物質で作ることも可能である。また、流れ内に位置決めされる専用装置により、例えば、ガス流を差し向ける格子又はメッシュ構造体によって第２の表面を提供することも可能である。

ＥＵＶ照射ユニットの集光鏡をクリーニングする好ましい実施形態では、この集光鏡の互いに異なる鏡シェルの裏側が、触媒物質の層を備える。さらに又、変形実施形態として、鏡は、鏡表面の一部分（デブリで覆われていない）が原子化のための第２の表面領域として役立ち得るようＲｕ頂部層を有する。これは、デブリが主として、放射線源の近くに位置する集光鏡の部分上に析出し、その結果、放射線源に対してより距離をおいたところに位置する集光鏡の残りの部分がデブリで覆われず、部分的にしか覆われず又は殆ど覆われず、更に水素分子の原子化に十分な自由物質を提供するので、可能である。この場合、水素分子含有ガスのガス流は、放射線源に向かう方向で放射線源と反対の側から差し向けられる。

提案の方法は又、ＥＵＶ照射ユニットの動作中にも利用できる。好ましくは、本発明の方法のクリーニングステップは、ＥＵＶ照射ユニットの作動の中断の際に実施される。クリーニングステップ中、アルゴン、ヘリウム、キセノン又はネオン及びこれらガスの混合物のような不活性運搬ガスを又供給しても良い。同じことは、当該技術分野において既に知られているように、追加のクリーニング用ガスについても当てはまる。水素分子含有ガス又はガス混合物の好ましいガス圧力は、２００〜１０００ｈＰａ（ミリバール）であり、好ましい流速は、１０〜５０ｍｍ／ｓである。クリーニング部位のところの温度は、好ましくは、３０℃〜２５０℃である。

提案の特にＥＵＶ放射線及び（又は）軟Ｘ線のための照射ユニットは、ガス運搬のための１つ又は幾つかのガス入口通路及びガス出口通路を有する真空容器内に設けられた少なくとも１つの放射線源及び１つ又は幾つかの光学部品を有する。この照射ユニットは、触媒物質を備えた１つ又は幾つかの表面領域を有し、このような表面領域は、光学部品の中の少なくとも１つの光学表面領域に近接して配置される。触媒物質は、水素分子の原子化を生じさせるよう選択される。触媒物質を備えた１つ又は幾つかの表面領域は、光学表面領域の表面積の少なくとも２倍である全表面積を有する。１つ又は幾つかのガス入口通路の中の少なくとも１つは、ガスの流れを、ガスがクリーニングされるべき光学表面領域を通過する前に、触媒物質を備えた１つ又は幾つかの表面領域と接触状態になるような仕方で触媒物質を備えた１つ又は幾つかの表面領域に当たって又はこれに沿って差し向けるように形成されている。照射ユニットは、本発明のクリーニング方法を実施することができるよう設計されている。

本発明のこれら観点及び他の観点は、以下において説明する実施形態を参照すると明らかであり、このような観点について説明する。

本発明の方法及び照射ユニットは、特許請求の範囲に記載された本発明の保護範囲を限定することなく、添付の図面と関連して例示により以下に説明する。

ＥＵＶ照射ユニットの一例を示す図である。 集光鏡のクリーニングのための例示の構成の略図である。 集光鏡のクリーニングのための別の例示の構成の略図である。

図１は、ＥＵＶリソグラフィー用のＥＵＶ照射ユニットの少なくとも一部分の典型的なレイアウトを概略的に示している。ＥＵＶ照射ユニットは、基本的には、真空容器２内に設けられた放射線源１と集光鏡３とを備えている。真空容器２は、ガス出口４を介して真空ポンプ（図示せず）に連結されている。放射線源１から放射され、１つの例示の放射線ビーム６によって示された放射線は、反射集光鏡３により集められて中間焦点５上に合焦される。この中間焦点５の位置では、孔が、ＥＵＶ照射ユニットのこの部分を第２の部分につなげるのが良い。図１には示されていないこの第２の部分には、別の光学部品が設けられるのが良く、それにより中間焦点５からの放射線をＥＵＶリソグラフィーの場合マスク及びウェーハ基板に案内すると共に（或いは）所望のビーム整形を達成するようになっている。大抵のＥＵＶ照射ユニットでは、デブリ軽減手段７が、放射線源１と集光鏡３との間に配置されている。照射ユニットの経済的動作を達成するため、デブリは、少なくとも７桁のオーダで減少させるべきである。このような大幅な減少は、放射線源１と集光鏡３との間の短い距離では非常に困難であり、今日まで、このような減少を実験的に実証することができなかった。したがって、集光鏡３の寿命を延ばすために、適当なクリーニング方法が切望されている。

図１に示されているようなこのようなＥＵＶ照射ユニットは、本発明のクリーニング方法の実行を可能にするよう構成されているのが良い。図２及び図３は、集光鏡３及び真空容器２だけが概略的示されているこのような改造の例を示している。これらの例では、真空容器２は、集光鏡３の両側では閉じられており、これは、集光鏡３と放射線源１との間及び集光鏡３と真空容器の残りの容積部との間の適当な閉鎖要素で達成できる。それにもかかわらず、例えばＥＵＶ照射ユニットの動作中、このような閉鎖要素なしで本発明の方法を実施することも可能である。さらに、本発明の方法は又、別個のクリーニング装置において現場外でも利用できる。

図２は、本発明に従って構成されたＥＵＶ照射ユニットの一部分の一例を示している。この例では、ガス入口１０が、放射線源とは反対側の集光鏡３の側で集光鏡３に近接して配置されている。真空容器は、ガス出口９を介して真空ポンプ（図示せず）に連結されている。この構成では、水素分子含有ガス８のガス流は、矢印で示されているように、この反対の側から集光鏡３の後ろを通って放射線源の方向に差し向けられる。ガス管として形成されるのが良いガス入口１０の内壁１２は、図２の拡大部分で理解できるように、触媒物質１１で覆われている。同様に、この領域における真空容器２の内壁も又、このような触媒物質で覆われるのが良い。触媒物質として、好ましくは、次の物質、即ち、Ｐｄ、Ｐｔ、Ｒｕ、Ｒｈの１つ又は幾つかが選択される。ガス入口１０は又、全体が触媒物質で作られても良い。触媒物質を備えた表面の全表面積は、この表面積がクリーニングされるべき光学面の表面積の少なくとも２倍以上であるように選択される。これにより、集光鏡３のクリーニングされるべき表面にこの表面の効果的なクリーニングに十分に高い濃度で達するようガス入口１０のところに十分に多くの量の水素原子が生成される。

別の例示の実施形態では、集光鏡３の互いに異なるシェルの前及び裏側は、図３の拡大部分に示されているように、適当な触媒物質１１で覆われている。集光鏡３のシェルの前側、即ち反射面は、ＥＵＶ放射線に対して高い反射係数を有するＲｕ層で覆われている。シェルの裏側は、これ又水素分子の原子化のための触媒物質であるＲｈで覆われている。水素分子含有ガス８は、放射線源と反対の側から集光鏡３に供給されてこのガスが、光学放射線経路の逆方向に流れるようになる。この向流により、この反対側の部分における集光鏡３の反射Ｒｕ表面も又、水素分子の原子化を生じさせる。というのは、この部分は、放射線源のデブリで覆われておらず又は部分的にしか覆われていないからである。このデブリは、主として、放射線源の近くの部分を覆う。したがって、この上流側部分における鏡表面それ自体は、好ましくは鏡シェルの裏側表面と一緒に用いられ、それにより下流側に位置する表面領域の効果的なクリーニングに十分な量の水素原子を生成させる。

本発明を図面に詳細に示すと共に本明細書において詳細に説明したが、このような図解及び説明は、本発明を制限するものではなく、説明のため又は例示として考えられるべきであり、本発明は、開示された実施形態には限定されない。例えば、水素分子ガス含有ガスの供給のための追加のガス供給源を提供し又は真空容器又はガス入口若しくはガス供給源のような照射ユニットの部品全体を触媒物質で作ることも可能である。さらに又、上述の互いに異なる実施形態を組み合わせることができる。

開示した実施形態の他の変形例は、当業者であれば、特許請求の範囲に記載された本発明を実施する際、図面、開示内容及び特許請求の範囲の検討から理解できると共に実施できる。

特許請求の範囲に記載された「有する」、「備えている」は、他の要素又はステップを排除するものではなく、単数形の名詞の記載は、複数を排除するものではない。或る特定の手段が相互に異なる従属形式の請求項に記載されているということは、これら手段の組合せを有利に使用できないということを意味しているわけではない。

１ 放射線源
２ 真空容器
３ 集光鏡
４ ガス出口
５ 中間焦点
６ 放射線ビーム
７ デブリ軽減手段
８ 水素分子含有ガス
９ ガス出口
１０ ガス入口
１１ 触媒物質
１２ 内壁

Claims (15)

1. 汚染物質又は望ましくない物質で少なくとも部分的に覆われた第１の表面領域をクリーニングする方法であって、前記汚染物質又は望ましくない物質は、水素原子への暴露によって除去可能又は変換可能であり、前記方法は、
   触媒物質を備えた１つ又は幾つかの第２の表面領域を前記第１の表面領域に近接して設けるステップを有し、前記触媒物質は、水素分子の原子化を生じさせるよう選択され、前記１つ又は幾つかの第２の表面領域は、前記第１の表面領域の表面積の少なくとも２倍である全表面積を有し、
   水素分子含有ガス又はガス混合物のガス流を、前記水素分子含有ガス又はガス混合物が前記第１の表面領域を通過する前に前記１つ又は幾つかの第２の表面領域と接触状態になるような仕方で前記１つ又は幾つかの第２の表面領域に向かって又は該第２の表面領域に沿って差し向けるステップを有し、前記水素分子の一部は、原子化して水素原子になり、このような水素原子は、前記ガス流と共に前記第１の表面領域に運ばれ、それにより前記汚染物質又は望ましくない物質を除去し又は変換する、
   ことを特徴とする方法。
2. 前記触媒物質を備えた前記１つ又は幾つかの第２の表面領域は、前記第１の表面領域が設けられている装置の１つ又は幾つかの部品上に設けられ、前記第２の表面領域を有する前記部品は又、前記装置の動作に必要な他の機能を実行する、請求項１記載の方法。
3. 前記第１の表面領域は、ＥＵＶ放射線及び（又は）軟Ｘ線のための照射ユニットに設けられている光学部品の光学面の少なくとも一部であり、前記汚染物質は、前記光学面上に付着したデブリ物質である、請求項１記載の方法。
4. 前記１つ又は幾つかの第２の表面領域は、前記照射ユニットの部品の表面領域及び（又は）真空容器の内壁の表面領域及び（又は）流れ中に位置決めされた専用装置の表面領域である、請求項３記載の方法。
5. 前記１つ又は幾つかの第２の表面領域は、前記照射ユニットの光学部品の前記光学面の表面領域及び（又は）前記光学部品の裏側の表面領域である、請求項３記載の方法。
6. 前記光学部品は、集光鏡であり、前記１つ又は幾つかの第２の表面領域の少なくとも一部分は、前記集光鏡のシェルの前及び（又は）後側に設けられている、請求項３記載の方法。
7. 水素分子含有ガス又はガス混合物の前記ガス流は、前記照射ユニットの放射線源と反対の側から前記放射線源に向かって前記集光鏡に差し向けられる、請求項６記載の方法。
8. 前記１つ又は幾つかの第２の表面領域は、前記水素分子含有ガス又はガス混合物を前記光学面に供給する１つ又は幾つかのガス供給源の内部に設けられている、請求項４記載の方法。
9. 前記触媒物質は、物質Ｐｄ、Ｐｔ、Ｒｕ、及びＲｈから選択される、請求項１記載の方法。
10. 特にＥＵＶ放射線及び（又は）軟Ｘ線のための照射ユニットであって、１つ又は幾つかのガス入口通路及びガス出口通路を有する真空容器内に設けられた少なくとも１つの放射線源及び１つ又は幾つかの光学部品を有し、
    触媒物質を備えた１つ又は幾つかの表面領域が、前記光学部品の中の少なくとも１つの光学表面領域に近接して配置され、前記触媒物質は、水素分子の原子化を生じさせるよう選択され、前記触媒物質を備えた前記１つ又は幾つかの表面領域は、前記光学表面領域の表面積の少なくとも２倍である全表面積を有し、
    前記１つ又は幾つかのガス入口通路の中の少なくとも１つは、ガスの流れを、ガスが前記光学表面領域を通過する前に、前記触媒物質を備えた前記１つ又は幾つかの表面領域と接触状態になるような仕方で前記触媒物質を備えた前記１つ又は幾つかの表面領域に沿って差し向けるように形成されている、照射ユニット。
11. 前記触媒物質を備えた前記１つ又は幾つかの表面領域は、前記１つ又は幾つかの入口通路の内面領域及び（又は）前記真空容器の内壁の内面領域及び（又は）流れ中に位置決めされた専用装置の内面領域である、請求項１０記載の照射ユニット。
12. 前記触媒物質を備えた前記１つ又は幾つかの第２の表面領域は、前記光学面の表面領域及び（又は）前記光学部品の裏側の表面領域である、請求項１０記載の照明ユニット。
13. 前記光学部品の中の１つは、集光鏡であり、前記１つ又は幾つかの第２の表面領域の少なくとも一部分は、前記集光鏡のシェルの前及び（又は）後側に設けられている、請求項１０記載の照明ユニット。
14. 前記１つ又は幾つかのガス入口通路の中の前記少なくとも１つは、前記ガス流を前記照射ユニットの放射線源と反対の側から前記放射線源に向かって前記集光鏡に差し向けるよう配置されている、請求項１３記載の照射ユニット。
15. 前記触媒物質は、物質Ｐｄ、Ｐｔ、Ｒｕ、及びＲｈから選択される、請求項１０記載の照明ユニット。

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