JP2010501121A - 固定磨き剤cmpのための選択性化学薬剤 - Google Patents
固定磨き剤cmpのための選択性化学薬剤 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2010501121A JP2010501121A JP2009524807A JP2009524807A JP2010501121A JP 2010501121 A JP2010501121 A JP 2010501121A JP 2009524807 A JP2009524807 A JP 2009524807A JP 2009524807 A JP2009524807 A JP 2009524807A JP 2010501121 A JP2010501121 A JP 2010501121A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- polishing
- composition
- substrate
- abrasive
- organic compound
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic System or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/31—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to form insulating layers thereon, e.g. for masking or by using photolithographic techniques; After treatment of these layers; Selection of materials for these layers
- H01L21/3105—After-treatment
- H01L21/31051—Planarisation of the insulating layers
- H01L21/31053—Planarisation of the insulating layers involving a dielectric removal step
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- C09G—POLISHING COMPOSITIONS; SKI WAXES
- C09G1/00—Polishing compositions
- C09G1/04—Aqueous dispersions
Abstract
【選択図】 図5
Description
[0001]本発明の実施形態は、一般的に、半導体デバイスの平坦化と、研摩技法を使用して物質を除去するための方法及び組成物とに関する。
[0002]0.5ミクロン以下(サブハーフミクロン)及びそれより小さな特徴部を高い信頼性で生成することは、半導体デバイスの超大規模集積(VLSI)及び超々大規模集積(ULSI)の次世代のための重要な技術の1つである。しかしながら、VLSI及びULSI技術における相互接続の寸法が縮小してきたことにより、処理能力に対する更なる要求が出てきている。このような技術の心臓部であるマルチレベル相互接続は、ビア、コンタクト、ライン及びその他の相互接続のような高アスペクト比の特徴部を精密に処理することを必要としている。これらの相互接続を高い信頼性で形成することは、VLSI及びULSIを成功させる上で重要であり、また、個々の基板及びダイの回路密度及び品質を増大させる努力を続けていく上でも重要である。
[0028]本発明の実施形態は、CMP処理、及び有機化合物、例えば、アミノ酸及び研摩増強化合物、例えば、界面活性剤からなる組成物を含む。一実施形態では、窒化物物質上に酸化物物質を配設した基板を処理するための方法が提供される。この方法は、固定研き剤研摩パッドに近接して基板を配置し、基板と研摩パッドとの間に研摩組成物を投与し、窒化物物質よりも高い除去率にて酸化物物質を除去することを含む。研摩増強化合物と組み合わせて有機化合物を含む研摩組成物及び固定研き剤研摩パッドによれば、異なる誘電体物質を研摩するための除去率を変えることができ、ディッシングを減少させ且つ隣接層の減量を減少させることができる。
[0046]ここに説明される研摩処理の一実施例は、酸化セリウム研き剤粒子を含む固定研き剤研摩パッドへ、約50ミリリットル/分と約500ミリリットル/分との間の流量において研摩組成物を分配することを含む。その研摩組成物は、約0.5wt.%と約10wt.%との間のプロリン、例えば、約2.5wt.%のプロリンと、約0.0001wt.%から約1wt.%までの界面活性剤、例えば、約0.05重量パーセントの界面活性剤と、約10.0と12との間のpH、例えば、約10.5のpHを生成するに十分な量のpH調整剤としての水酸化カリウムと、を含む。基板を平坦化するのに、約30秒と約300秒との間の研摩持続時間の場合に、約1ポンド/平方インチと約6ポンド/平方インチとの間の研摩圧力及び約10rpmと約100rpmとの間の研摩速度を使用することができる。
Claims (20)
- 第1の誘電体物質及び第2の誘電体物質を配設している基板に配設された誘電体を選択的に除去するための方法において、
固定研き剤研摩パッドに近接して上記基板を配置するステップと、
少なくとも1つの有機化合物及び少なくとも1つの研摩増強化合物を内部に有する研き剤の無い研摩組成物を、上記基板と上記研摩パッドとの間に投与するステップと、
上記第1の誘電体物質に対して上記第2の誘電体物質を選択的に研摩するステップと、を含む方法。 - 上記少なくとも1つの研摩増強化合物は、フルオロ界面活性剤である、請求項1に記載の組成物。
- 上記少なくとも1つの有機化合物は、グリシン、プロリン、アルギニン、ヒスチジン、リシン及びピコリン酸からなる群から選択されたアミノ酸を含む、請求項2に記載の組成物。
- 上記研摩組成物は、更に、少なくとも1つのpH調整剤及び脱イオン化水を含む、請求項1に記載の方法。
- 上記基板は、第1の誘電体層及び第2の誘電体層を備える浅いトレンチ分離構造部を含む、請求項1に記載の方法。
- 上記第1の誘電体物質は、窒化シリコンであり、上記第2の誘電体物質は、酸化シリコンである、請求項1に記載の方法。
- 上記酸化シリコン及び上記窒化シリコンは、約10:1以上の除去率の比にて除去される、請求項6に記載の方法。
- 窒化物物質上に配設された酸化物物質を選択的に除去するように基板を処理するための方法において、
固定研き剤研摩パッドに近接して上記基板を配置するステップと、
少なくとも1つの有機化合物、少なくとも1つのフルオロ界面活性剤と、少なくとも1つのpH調整剤及び脱イオン化水を有する研き剤無し研摩組成物を、上記基板と上記研摩パッドとの間に投与するステップと、
上記酸化物物質と上記窒化物物質との除去率の比が約10:1以上となるようにして、上記酸化物物質及び上記窒化物物質を除去するステップと、
を含む方法。 - 上記酸化物物質は、酸化シリコンであり、上記窒化物物質は、窒化シリコンである、請求項8に記載の方法。
- 上記酸化物物質及び上記窒化物物質は、上記酸化物物質と上記窒化物物質との除去率の比が約100:1から約2000:1になるようにして除去される、請求項8に記載の方法。
- 上記少なくとも1つの有機化合物は、プロリンを含む、請求項8に記載の方法。
- 上記研摩組成物は、約0.5重量%と約10重量%との間の上記少なくとも1つの有機化合物と、約0.0001重量%と約1重量%との間の上記少なくとも1つのフルオロ界面活性剤と、を含む、請求項8に記載の方法。
- 上記研摩組成物のpHは、約7から約11の間である、請求項8に記載の方法。
- 固定研き剤研摩パッドを使用して誘電体物質を除去するための研き剤無し研摩組成物において、最初に、
少なくとも1つの有機化合物と、
少なくとも1つの研摩増強化合物と、
少なくとも1つのpH調整剤と、
脱イオン化水と、
からなる組成物。 - 上記少なくとも1つの研摩増強化合物は、界面活性剤を含む、請求項14に記載の組成物。
- 上記少なくとも1つの有機化合物は、グリシン、プロリン、アルギニン、ヒスチジン、リシン及びピコリン酸からなる群から選択されたアミノ酸である、請求項15に記載の組成物。
- 上記少なくとも1つの研摩増強化合物は、フルオロ界面活性剤を含む、請求項16に記載の組成物。
- 上記界面活性剤は、アニオン界面活性剤、非イオン界面活性剤、カチオン界面活性剤及び両性界面活性剤からなる群から選択される、請求項15に記載の組成物。
- 上記組成物は、約7から約11の間のpH値を有する、請求項15に記載の組成物。
- 上記研摩組成物は、約0.5重量%と約10重量%との間の上記少なくとも1つの有機化合物と、約0.0001重量%と約1重量%との間の上記少なくとも1つの研摩増強化合物と、を含む、請求項15に記載の組成物。
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US82262506P | 2006-08-16 | 2006-08-16 | |
US11/839,048 US20080182413A1 (en) | 2006-08-16 | 2007-08-15 | Selective chemistry for fixed abrasive cmp |
PCT/US2007/076135 WO2008022277A2 (en) | 2006-08-16 | 2007-08-16 | Selective chemistry for fixed abrasive cmp |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2010501121A true JP2010501121A (ja) | 2010-01-14 |
JP2010501121A5 JP2010501121A5 (ja) | 2010-10-14 |
Family
ID=39083149
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2009524807A Pending JP2010501121A (ja) | 2006-08-16 | 2007-08-16 | 固定磨き剤cmpのための選択性化学薬剤 |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US20080182413A1 (ja) |
JP (1) | JP2010501121A (ja) |
WO (1) | WO2008022277A2 (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2010537404A (ja) * | 2007-08-15 | 2010-12-02 | スリーエム イノベイティブ プロパティズ カンパニー | 半導体製作に適した表面に改質するための組成物及び方法 |
Families Citing this family (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US20090023362A1 (en) * | 2007-07-17 | 2009-01-22 | Tzu-Shin Chen | Retaining ring for chemical mechanical polishing, its operational method and application system |
US20100096360A1 (en) * | 2008-10-20 | 2010-04-22 | Applied Materials, Inc. | Compositions and methods for barrier layer polishing |
US8740668B2 (en) * | 2010-03-12 | 2014-06-03 | Wayne O. Duescher | Three-point spindle-supported floating abrasive platen |
US8647171B2 (en) * | 2010-03-12 | 2014-02-11 | Wayne O. Duescher | Fixed-spindle floating-platen workpiece loader apparatus |
US8602842B2 (en) * | 2010-03-12 | 2013-12-10 | Wayne O. Duescher | Three-point fixed-spindle floating-platen abrasive system |
US8500515B2 (en) * | 2010-03-12 | 2013-08-06 | Wayne O. Duescher | Fixed-spindle and floating-platen abrasive system using spherical mounts |
KR20230025243A (ko) * | 2021-08-13 | 2023-02-21 | 삼성전자주식회사 | 화학적 기계적 연마용 슬러리 조성물 |
Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2001200242A (ja) * | 1999-12-08 | 2001-07-24 | Eastman Kodak Co | 水性スラリー |
WO2004069947A1 (en) * | 2003-02-03 | 2004-08-19 | Cabot Microelectronics Corporation | Method of polishing a silicon-containing dielectric |
WO2006052433A2 (en) * | 2004-11-05 | 2006-05-18 | Cabot Microelectronics Corporation | Polishing composition and method for high silicon nitride to silicon oxide removal rate ratios |
Family Cites Families (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US20030176151A1 (en) * | 2002-02-12 | 2003-09-18 | Applied Materials, Inc. | STI polish enhancement using fixed abrasives with amino acid additives |
US20030162399A1 (en) * | 2002-02-22 | 2003-08-28 | University Of Florida | Method, composition and apparatus for tunable selectivity during chemical mechanical polishing of metallic structures |
US7063597B2 (en) * | 2002-10-25 | 2006-06-20 | Applied Materials | Polishing processes for shallow trench isolation substrates |
US7018560B2 (en) * | 2003-08-05 | 2006-03-28 | Rohm And Haas Electronic Materials Cmp Holdings, Inc. | Composition for polishing semiconductor layers |
US7022255B2 (en) * | 2003-10-10 | 2006-04-04 | Dupont Air Products Nanomaterials Llc | Chemical-mechanical planarization composition with nitrogen containing polymer and method for use |
US6964600B2 (en) * | 2003-11-21 | 2005-11-15 | Praxair Technology, Inc. | High selectivity colloidal silica slurry |
US7531105B2 (en) * | 2004-11-05 | 2009-05-12 | Cabot Microelectronics Corporation | Polishing composition and method for high silicon nitride to silicon oxide removal rate ratios |
-
2007
- 2007-08-15 US US11/839,048 patent/US20080182413A1/en not_active Abandoned
- 2007-08-16 JP JP2009524807A patent/JP2010501121A/ja active Pending
- 2007-08-16 WO PCT/US2007/076135 patent/WO2008022277A2/en active Application Filing
Patent Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2001200242A (ja) * | 1999-12-08 | 2001-07-24 | Eastman Kodak Co | 水性スラリー |
WO2004069947A1 (en) * | 2003-02-03 | 2004-08-19 | Cabot Microelectronics Corporation | Method of polishing a silicon-containing dielectric |
WO2006052433A2 (en) * | 2004-11-05 | 2006-05-18 | Cabot Microelectronics Corporation | Polishing composition and method for high silicon nitride to silicon oxide removal rate ratios |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2010537404A (ja) * | 2007-08-15 | 2010-12-02 | スリーエム イノベイティブ プロパティズ カンパニー | 半導体製作に適した表面に改質するための組成物及び方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
WO2008022277A3 (en) | 2008-05-08 |
US20080182413A1 (en) | 2008-07-31 |
WO2008022277A2 (en) | 2008-02-21 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP6023125B2 (ja) | 化学的機械的研磨スラリー組成物およびそれを使用した銅のための方法およびシリコン貫通ビア適用 | |
US6267909B1 (en) | Planarization composition for removing metal films | |
US7029373B2 (en) | Chemical mechanical polishing compositions for metal and associated materials and method of using same | |
US6811470B2 (en) | Methods and compositions for chemical mechanical polishing shallow trench isolation substrates | |
TWI499663B (zh) | Chemical mechanical grinding water dispersion and the use of its chemical mechanical grinding method | |
KR100393368B1 (ko) | Cmp 연마 방법 및 반도체 제조 장치 | |
JP2010501121A (ja) | 固定磨き剤cmpのための選択性化学薬剤 | |
KR102427996B1 (ko) | 화학적 기계 연마 조성물 및 텅스텐의 연마 방법 | |
US7063597B2 (en) | Polishing processes for shallow trench isolation substrates | |
US20030176151A1 (en) | STI polish enhancement using fixed abrasives with amino acid additives | |
JP7171259B2 (ja) | タングステンのための化学的機械的研磨法 | |
CN108250977B (zh) | 一种用于阻挡层平坦化的化学机械抛光液 | |
JP7231362B2 (ja) | コバルト用ケミカルメカニカルポリッシング方法 | |
KR102459546B1 (ko) | 코발트용 화학 기계적 연마 방법 | |
KR101153685B1 (ko) | 연마 조성물 | |
TWI512809B (zh) | 於堆疊裝置製造中用於形成穿底晶圓貫孔的方法 | |
TWI754376B (zh) | 選擇性化學機械拋光鈷、氧化鋯、多晶矽及二氧化矽膜之方法 | |
JP6021584B2 (ja) | 調整可能な研磨配合物を用いて研磨する方法 | |
US6534407B2 (en) | Method for reducing dishing effects during a chemical mechanical polishing process | |
US10787592B1 (en) | Chemical mechanical polishing compositions and methods having enhanced defect inhibition and selectively polishing silicon nitride over silicon dioxide in an acid environment | |
TWI829623B (zh) | 用於阻擋層平坦化的化學機械拋光液 | |
US20080160880A1 (en) | Chemical mechanical polishing slurry and chemical mechanical polishing apparatus and method | |
TWI837097B (zh) | 鎢之化學機械拋光方法 | |
TWI838343B (zh) | 用於鈷的化學機械拋光方法 | |
JPWO2004100243A1 (ja) | ナノトポグラフィ効果を補償し得る化学機械的研磨用スラリー組成物およびこれを利用した半導体素子の表面平坦化方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20100803 |
|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20100803 |
|
RD03 | Notification of appointment of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7423 Effective date: 20101130 |
|
RD04 | Notification of resignation of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7424 Effective date: 20101210 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20120828 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20120831 |
|
RD04 | Notification of resignation of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7424 Effective date: 20120925 |
|
A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20130212 |