JP2010268365A - Oversampling circuit - Google Patents

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Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide an oversampling circuit capable of highly accurately correcting a phase in such a way that mutual phase differences between multi-phase clocks used for an oversampling type CDR circuit become at equal intervals. <P>SOLUTION: The oversampling circuit includes: a multi-phase clock generating section 200 for generating a multi-phase clock; a phase control section 205 for detecting a phase difference between multi-phase clocks and generating a phase control signal based on a result of the detection; and a phase adjusting section 203 which has delay circuits as many as the number of multi-phase clocks and adjusts a pass time of a signal inputted to each delay element based on the phase control signal for multi-phase clocks to adjust the phase difference between multi-phase clocks. Each delay circuit 300 is composed of a plurality of inverters in different sizes connected in series and inverters connected on post-stages of the plurality of inverters, and the pass time is adjusted based on a product of output resistance of one inverter selected from among the plurality of inverters and input capacitance of an inverter connected on the post-stage of the selected inverter. <P>COPYRIGHT: (C)2011,JPO&INPIT

Description

本発明は、クロックデータリカバリ回路に用いられるオーバーサンプリング回路に関する。   The present invention relates to an oversampling circuit used for a clock data recovery circuit.

大容量、高速データ伝送を満たすために多くの高速インタフェース規格が実用化されている。それらの多くはシリアル伝送方式が採用されている。シリアル伝送では、予め定められた周波数を基にデータが伝送される。伝送されるデータにはその周波数のクロックが重畳され、データ受信部では、受信したデータからこのクロックを抽出し、抽出されたクロック信号に基づいて受信データを復元している。これらの復元動作を行う回路をクロックデータリカバリ(Clock Data Recovery、以下CDRと略す)回路と呼ばれている。
従来のCDR回路では、一般にPLL(Phase Locked Loop)回路が用いられ、PLL回路中のVCO(Voltage Controlled Oscillator)の発振クロックが受信データの位相に同期するように制御され、再生クロックとして抽出される。そしてこの再生クロックを基準として受信データをラッチすることにより正確に受信データが復元される。
しかし、データレートの増大によって、VCOの発信周波数も増大し、そのようなVCOを組み込んだCDR回路は、チップサイズの増大、消費電流の増大、コストアップなどのデメリットが増大する。また高速化により配線遅延が無視できなくなる。
素子配置や配線遅延は使用するデバイスの特性に大きく依存するため、プロセスごとにレイアウトの再設計を行う必要が生じ、回路の再利用性が低下し、開発期間の増大を招く。
Many high-speed interface standards have been put into practical use in order to satisfy large capacity and high-speed data transmission. Many of them employ a serial transmission method. In serial transmission, data is transmitted based on a predetermined frequency. A clock of that frequency is superimposed on the transmitted data, and the data receiving unit extracts this clock from the received data and restores the received data based on the extracted clock signal. A circuit that performs these restoration operations is called a clock data recovery (CDR) circuit.
In a conventional CDR circuit, a PLL (Phase Locked Loop) circuit is generally used, and an oscillation clock of a VCO (Voltage Controlled Oscillator) in the PLL circuit is controlled to be synchronized with a phase of received data, and is extracted as a reproduction clock. . The received data is accurately restored by latching the received data on the basis of the recovered clock.
However, as the data rate increases, the VCO transmission frequency also increases, and a CDR circuit incorporating such a VCO increases disadvantages such as an increase in chip size, an increase in current consumption, and an increase in cost. Further, the wiring delay cannot be ignored due to the higher speed.
Since the element arrangement and the wiring delay largely depend on the characteristics of the device to be used, it is necessary to redesign the layout for each process, the circuit reusability is lowered, and the development period is increased.

このような問題を解決するものとして、オーバーサンプリング型のCDR回路が提案されている(特許文献1参照)。
特許文献1で提案されているデータリカバリ回路は、多相クロック生成部、オーバーサンプリング部、シンボルデータ復元部とで構成される。
多相クロック生成部は、基準クロックREFCLKから生成された所定周波数のクロックを所定位相ずつシフトし、ほぼ等間隔の位相を有する多相クロックを生成する。
オーバーサンプリング部は、多相クロック生成部から供給される多相クロックCK0〜CK11により受信データDataを取り込み、オーバーサンプリングデータOVSDを出力する。オーバーサンプリング部はオーバーサンプリング数のフリップフロップと、入力されたデータを1つのクロック(例えばCK0)に同期させて出力する並列化部を備えている。
As a solution to this problem, an oversampling CDR circuit has been proposed (see Patent Document 1).
The data recovery circuit proposed in Patent Document 1 includes a multiphase clock generation unit, an oversampling unit, and a symbol data restoration unit.
The multiphase clock generation unit shifts a clock having a predetermined frequency generated from the reference clock REFCLK by a predetermined phase, and generates a multiphase clock having substantially equal phase phases.
The oversampling unit takes in the reception data Data using the multiphase clocks CK0 to CK11 supplied from the multiphase clock generation unit, and outputs oversampling data OVSD. The oversampling unit includes an oversampling number of flip-flops and a parallelizing unit that outputs input data in synchronization with one clock (for example, CK0).

シンボルデータ復元部は、データ選択部、DES(デシリアライザ)、選択信号生成部、コンマ検出部よりなり、オーバーサンプリングデータOVSDからシンボルデータSYMを復元し、シンボルクロックSYMCLKを生成する。
すなわち、選択信号生成部は、オーバーサンプリングデータOVSDの取り込み位相を指示し、データ選択部は、選択信号生成部からの指示に従い、オーバーサンプリングデータOVSDから復元データを出力する。また、コンマ検出部は、転送データに所定間隔で挿入されたコンマ符号を検出しコンマ検出信号を出力する。さらに、デシリアライザは、コンマ検出信号を基に、データ選択部から供給される復元データをシンボルデータSYMにパラレル変換し、また、シンボルクロックSYMCLKの生成も行う。
The symbol data restoration unit includes a data selection unit, a DES (deserializer), a selection signal generation unit, and a comma detection unit, and restores the symbol data SYM from the oversampling data OVSD to generate a symbol clock SYMCLK.
That is, the selection signal generation unit instructs the capture phase of the oversampling data OVSD, and the data selection unit outputs restored data from the oversampling data OVSD according to the instruction from the selection signal generation unit. The comma detection unit detects a comma code inserted into the transfer data at a predetermined interval and outputs a comma detection signal. Furthermore, the deserializer converts the restored data supplied from the data selection unit into the symbol data SYM in parallel based on the comma detection signal, and also generates the symbol clock SYMCLK.

しかし、今までのオーバーサンプリング型のCDR回路では、多相クロックの相互の位相差が等間隔である必要があり、等間隔でない場合には誤作動を生じる恐れがある。しかし、デバイス特性はチップ内でも局所的なばらつきを有し、配線につく寄生容量も周辺の回路によって様々である。また、近年、トランジスタの微細化が進み、これによるデバイス間の特性ばらつきも大きくなっている。そのため、同一デバイスを配置するだけでは等間隔の位相を持つ多相クロックを生成することは困難となっている。さらにシリアル伝送の高速化が進むにつれて多相クロックの位相誤差の許容値は小さくなる一方である。従って、高速大容量シリアル伝送を行うオーバーサンプリング型CDR回路で用いる等間隔な位相差を有する多相クロックをつくるには高精度、広範囲に位相を補正する回路が必要であるという問題があった。   However, in the conventional oversampling CDR circuit, the phase differences between the multiphase clocks need to be equally spaced, and if they are not equally spaced, malfunction may occur. However, the device characteristics vary locally even within the chip, and the parasitic capacitance on the wiring varies depending on the peripheral circuits. In recent years, transistor miniaturization has progressed, and as a result, characteristic variations between devices have also increased. For this reason, it is difficult to generate a multiphase clock having equidistant phases only by arranging the same device. Furthermore, as the serial transmission speed increases, the allowable value of the phase error of the multiphase clock is decreasing. Accordingly, there has been a problem that a circuit for correcting the phase in a wide range is required in order to create a multiphase clock having a phase difference of equal intervals used in an oversampling CDR circuit that performs high-speed and large-capacity serial transmission.

また、特許文献2には、等間隔の位相でオーバーサンプリングされたオーバーサンプリングデータを生成する目的で、単一クロックから位相の異なる多数のクロックを生成して、適切な位相関係にあるクロックを選択してオーバーサンプリングクロックとして使用することが開示されている。しかし遅延素子が発生する位相差は製造プロセスおよび動作条件によって異なるので、適切な位相関係にある多相クロックを生成するためには膨大な組み合わせにより生成した多相クロックを用意する必要がある。これは回路規模の増大と設計の煩雑性を招いてしまう。
さらに、同じく特許文献2には、等間隔の位相でオーバーサンプリングされたデータを生成する目的で、単一クロックから位相の異なる多数のクロックを生成して、適切な位相関係になるように位相を調整してオーバーサンプリング回路に使用する調整方法が開示されている。しかし、高精度かつ広範囲な位相調整回路の実現という課題は解決されていない。
In Patent Document 2, for the purpose of generating oversampled data oversampled at equal intervals, a number of clocks having different phases are generated from a single clock, and clocks having an appropriate phase relationship are selected. It is disclosed that it is used as an oversampling clock. However, since the phase difference generated by the delay element varies depending on the manufacturing process and operating conditions, it is necessary to prepare a multiphase clock generated by a huge number of combinations in order to generate a multiphase clock having an appropriate phase relationship. This leads to an increase in circuit scale and design complexity.
Furthermore, Patent Document 2 also discloses that a plurality of clocks having different phases are generated from a single clock, and the phases are adjusted so as to have an appropriate phase relationship for the purpose of generating data oversampled at equally spaced phases. An adjustment method for adjustment and use in an oversampling circuit is disclosed. However, the problem of realizing a highly accurate and wide-range phase adjustment circuit has not been solved.

上記の課題を鑑みて、本発明はオーバーサンプリング型CDR回路で用いる多相クロックの相互の位相差が等間隔になるように高精度に位相を補正できるオーバーサンプリング回路を提供することを目的とする。   In view of the above problems, an object of the present invention is to provide an oversampling circuit capable of correcting the phase with high accuracy so that the phase difference between the multiphase clocks used in the oversampling CDR circuit is equal. .

上記の課題を解決するためには、請求項1の発明は、多相クロックを用いてシリアルデータをオーバーサンプリングするオーバーサンプリング回路において、多相クロックを生成する多相クロック生成部と、前記多相クロックの位相差を検出して、該検出結果に基づいて位相制御信号を発生する位相制御部と、前記多相クロックの本数分の遅延回路を有し、前記多相クロックをそれぞれの遅延素子に入力された信号の通過時間を、前記位相制御信号に基づいて調整することで前記多相クロック間の位相差を調整する位相調整部と、を備え、各遅延回路は、直列に接続されたサイズの異なる複数のインバーターと、該複数のインバーターの後段に接続したインバーターと、からなり、前記複数のインバーターから選択される一つインバーターの出力抵抗と、前記後段に接続したインバーターの入力容量の積に基づいて通過時間を調整するオーバーサンプリング回路を特徴とする。
また、請求項2の発明は、請求項1に記載のオーバーサンプリング回路において、前記遅延回路は、前記複数のインバーターを通過する信号パスを切り換えることで一つのインバーターを選択して通過時間を調整する請求項1記載のオーバーサンプリング回路を特徴とする。
また、請求項3の発明は、請求項1又は2に記載のオーバーサンプリング回路において、各遅延素子は、複数段直列に接続したこと構成とし、各段において複数のインバーターのうちの一つを選択して遅延時間を調整するオーバーサンプリング回路を特徴とする。
In order to solve the above problems, the invention of claim 1 is directed to an oversampling circuit for oversampling serial data using a multiphase clock, a multiphase clock generator for generating a multiphase clock, and the multiphase clock A phase control unit that detects a phase difference of the clock and generates a phase control signal based on the detection result; and a delay circuit corresponding to the number of the multi-phase clocks, and the multi-phase clocks are used as respective delay elements. A phase adjustment unit that adjusts a phase difference between the multiphase clocks by adjusting a transit time of the input signal based on the phase control signal, and each delay circuit has a size connected in series A plurality of inverters different from each other and an inverter connected to a subsequent stage of the plurality of inverters, and one inverter selected from the plurality of inverters And force resistance, and wherein the oversampling circuit for adjusting the transit time based on the product of the input capacitance of the inverter connected to the subsequent stage.
According to a second aspect of the present invention, in the oversampling circuit according to the first aspect, the delay circuit selects one inverter and adjusts the passage time by switching a signal path that passes through the plurality of inverters. The oversampling circuit according to claim 1 is characterized.
According to a third aspect of the present invention, in the oversampling circuit according to the first or second aspect, each delay element is connected in series in a plurality of stages, and one of a plurality of inverters is selected in each stage. And an oversampling circuit for adjusting the delay time.

上記のように構成したので、本発明によれば、位相調整部を構成する遅延回路としての各位相調整素子の通過時間差が所望の値になるような時定数の値を選択することで遅延回路の通過時間を所望の時間差に設定でき、多相クロックの位相を等間隔に調整することができるため、等間隔な位相差を持つ多相クロックでサンプリングされたオーバーサンプリングデータを生成できるオーバーサンプリング回路を提供できる。   Since it is configured as described above, according to the present invention, the delay circuit can be selected by selecting a time constant value so that the passing time difference of each phase adjustment element as a delay circuit constituting the phase adjustment unit becomes a desired value. Oversampling circuit that can generate oversampling data sampled with multiphase clocks with equal phase differences, because the transit time of the can be set to a desired time difference and the phase of the multiphase clock can be adjusted at equal intervals Can provide.

第1の実施例に係る多相クロック生成回路を含むオーバーサンプリング型データリカバリ回路を示す図。1 is a diagram showing an oversampling data recovery circuit including a multiphase clock generation circuit according to a first embodiment. 第1の実施例の位相調整素子を説明する図。The figure explaining the phase adjustment element of a 1st Example. 第1の実施例の位相調整素子の動作を説明する図。The figure explaining operation | movement of the phase adjustment element of a 1st Example. 第2の実施例の位相調整素子を説明する図。The figure explaining the phase adjustment element of a 2nd Example. 第3の実施例の位相調整素子を説明する図。The figure explaining the phase adjustment element of a 3rd Example. 第3の実施例の位相調整素子の動作を説明する図。The figure explaining operation | movement of the phase adjustment element of a 3rd Example.

以下に、本発明の実施の形態を、図面を参照して詳細に説明する。
図1は本発明の第1の実施例に係る多相クロック生成回路を含むオーバーサンプリング型データリカバリ回路を示す図である。
このデータリカバリ回路は、多相クロック生成部200、オーバーサンプリング部201、シンボルデータ復元部202、多相クロック位相遅延回路203、位相調整データ生成部204、位相制御部205を備える。
位相調整部203は多相クロックの本数分の位相調整素子(遅延素子)300で構成されており、多相クロック生成部200で生成された多相クロックCK[7:0]の位相差が等間隔になるように調整され、等間隔の位相差を持つ多相クロックCK_adj[7:0]を出力する。オーバーサンプリング部201は位相調整部203から供給される多相クロックにより受信データを取り込み、オーバーサンプリングデータOVSDを出力する。
シンボルデータ復元部202はオーバーサンプリングデータOVSDからシンボルデータSYMとシンボルクロックSYMCLKを生成する。
Embodiments of the present invention will be described below in detail with reference to the drawings.
FIG. 1 is a diagram showing an oversampling data recovery circuit including a multi-phase clock generation circuit according to the first embodiment of the present invention.
The data recovery circuit includes a multiphase clock generation unit 200, an oversampling unit 201, a symbol data restoration unit 202, a multiphase clock phase delay circuit 203, a phase adjustment data generation unit 204, and a phase control unit 205.
The phase adjustment unit 203 includes phase adjustment elements (delay elements) 300 corresponding to the number of multiphase clocks, and the phase difference between the multiphase clocks CK [7: 0] generated by the multiphase clock generation unit 200 is equal. A multi-phase clock CK_adj [7: 0] that is adjusted to have an interval and has a phase difference of equal intervals is output. The oversampling unit 201 takes in the received data using the multiphase clock supplied from the phase adjustment unit 203 and outputs oversampling data OVSD.
The symbol data restoration unit 202 generates symbol data SYM and a symbol clock SYMCLK from the oversampling data OVSD.

また、オーバーサンプリング部201はサンプリングFF部206と並列化部207で構成される。
サンプリングFF部206は受信データを多相クロックの立ち上がり(または立下り)のタイミングでサンプリングする。
サンプリングFF部206の出力D[7:0]はサンプリングクロックの位相差を持つ。
並列化部207は位相差を持って入力されるデータD[7:0]を1つのクロックに同期したパラレルデータとして、オーバーサンプリングデータOVSDを出力する。
並列化部207ではバス幅を変えずにタイミングだけを調整して出力することもできるが、並列化部207の直前または直後にバス幅を大きくしてデータレートを下げるシリアルパラレル変換を施してから出力することもできる。
The oversampling unit 201 includes a sampling FF unit 206 and a parallelizing unit 207.
The sampling FF unit 206 samples the received data at the rising (or falling) timing of the multiphase clock.
The output D [7: 0] of the sampling FF unit 206 has a sampling clock phase difference.
The parallelizing unit 207 outputs oversampling data OVSD as parallel data synchronized with one clock of data D [7: 0] input with a phase difference.
The paralleling unit 207 can adjust and output only the timing without changing the bus width. However, the serializing conversion is performed immediately before or after the parallelizing unit 207 to increase the bus width and reduce the data rate. It can also be output.

多相クロック生成部200はPLL(Phase Locked Loop)またはDLL(Delay Locked Loop)によりある位相差をもつ多相クロックが生成される。
この技術は公知なので詳細は述べない。
位相調整データ生成部204では多相クロックの位相差を位相制御部205で検出するためのデータパターンを出力する。
このデータパターンはデータエッジ(データの立ち上がりまたは立ち下りエッジ)が均一に発生する特徴のあるパターンである(つまりジッタが大きい)。
位相制御部205では位相調整データ生成部204で発生したデータをオーバーサンプリング部201で多相クロックによりオーバーサンプリングしたオーバーサンプリングデータOVSDが入力される。
前述の通り位相調整データ生成部204で発生したデータはデータエッジが均一に現れるようなパターンなので、各々のサンプリングデータのエッジ数をカウントすることで多相クロックの位相差を推定することができる。
この位相差推定方法は上述の特許文献2で示されている公知技術である。
The multiphase clock generation unit 200 generates a multiphase clock having a phase difference by a PLL (Phase Locked Loop) or a DLL (Delay Locked Loop).
This technique is well known and will not be described in detail.
The phase adjustment data generation unit 204 outputs a data pattern for the phase control unit 205 to detect the phase difference of the multiphase clock.
This data pattern is a pattern with a characteristic that data edges (rising edge or falling edge of data) are uniformly generated (that is, jitter is large).
The phase control unit 205 receives the oversampling data OVSD obtained by oversampling the data generated by the phase adjustment data generation unit 204 with the oversampling unit 201 using a multiphase clock.
As described above, the data generated by the phase adjustment data generation unit 204 is a pattern in which data edges appear uniformly, so that the phase difference of the multiphase clock can be estimated by counting the number of edges of each sampling data.
This phase difference estimation method is a known technique disclosed in Patent Document 2 described above.

位相制御部205ではこの推定した位相差が理想的な位相差となるように位相調整部203に位相調整信号PAdjを送る。
位相調整部203では位相調整信号PAdjに応じた位相差を各クロックに発生させ、多相クロックの位相差を調整する。
位相調整部203は多相クロック生成部200から多相クロックが入力され、位相制御部205から入力される位相制御信号PAdjによって位相調整素子300の通過時間を切り替えることで、多相クロック間の位相差を調整することができる。
CK1のみをX秒だけ遅らせたい場合、CK1以外のクロックはT秒で位相調整素子300を通過するように設定しCK1をT+X秒で位相調整素子300の通過するように設定すればよい。
The phase control unit 205 sends the phase adjustment signal PAdj to the phase adjustment unit 203 so that the estimated phase difference becomes an ideal phase difference.
The phase adjustment unit 203 generates a phase difference corresponding to the phase adjustment signal PAdj in each clock, and adjusts the phase difference of the multiphase clock.
The phase adjustment unit 203 receives the multiphase clock from the multiphase clock generation unit 200 and switches the passage time of the phase adjustment element 300 according to the phase control signal PAdj input from the phase control unit 205, thereby changing the phase between the multiphase clocks. The phase difference can be adjusted.
When it is desired to delay only CK1 by X seconds, clocks other than CK1 may be set to pass through the phase adjustment element 300 in T seconds and CK1 may be set to pass through the phase adjustment element 300 in T + X seconds.

図2は、第1の実施例における位相調整素子を説明する図である。
上記したように、本発明は多相クロックを多相クロック位相遅延回路203にそれぞれ入力して、多相クロック位相遅延回路203におけるそれぞれの位相調整素子300で通過時間の差を発生させることで多相クロックの位相関係を調整している。
位相調整素子300は、2段のCMOSインバーターを直列に接続した構造であり、位相制御部205からの位相制御信号PAdjに応じて、遅延量を選択することができる。
位相調整素子300の通過時間を切り替えるために、1段目のCMOSインバーターの出力抵抗と2段目のCMOSインバーターの入力容量の積である時定数の値を整数倍になるようなサイズを持つCMOSインバーター対で構成された複数の信号パスを備え、位相制御信号PAdjに応じて出力信号を切り替えることで遅延素子の通過時間を所望の値に切り替えることができる。
FIG. 2 is a diagram illustrating the phase adjusting element in the first embodiment.
As described above, according to the present invention, a multiphase clock is input to the multiphase clock phase delay circuit 203, and the phase adjustment element 300 in the multiphase clock phase delay circuit 203 generates a difference in transit time. The phase relationship of the phase clock is adjusted.
The phase adjustment element 300 has a structure in which two stages of CMOS inverters are connected in series, and the delay amount can be selected according to the phase control signal PAdj from the phase control unit 205.
In order to switch the passage time of the phase adjustment element 300, the CMOS has a size that is an integral multiple of the value of the time constant, which is the product of the output resistance of the first-stage CMOS inverter and the input capacitance of the second-stage CMOS inverter. A plurality of signal paths configured by inverter pairs are provided, and the transit time of the delay element can be switched to a desired value by switching the output signal in accordance with the phase control signal PAdj.

以下に詳細を説明する。
位相調整素子300は並列に接続されたインバーター群(INV0〜3)とそれと直列に接続されたインバーター(INV4)からなる。INV0〜3は選択信号s[3:0]、sb[3:0]によって動作するインバーターが切り替えられる。選択信号sb[3:0]はs[3:0]の反転信号であり、例えばs[3:0]=0001のときINV0が選択される。
図1の説明において述べたように、位相調整素子300は入力inから出力outまでの通過時間を切り替えることで位相差を発生させている。
以下に、位相調整素子300において入力から出力までの通過時間を変化させる方法を説明する。
図2のINV0のみが選択されて入力が立ち下がる場合、Xの電圧VxはVx=Vdd(1−exp(−t/(Rx0*Cx)))で表される。ここでVddは電源電圧、Rx0はINV0の出力抵抗、CxはINV4の入力容量である。
VxがINV4のしきい値電圧Vthになるまでの時間T1はT1=Rx0*Cx*ln(1/(1−Vth/Vdd))となり、K=ln(1/(1−Vth/Vdd))とおくとT1=Rx0*Cx*Kと表すことができる。
Details will be described below.
The phase adjusting element 300 includes an inverter group (INV0-3) connected in parallel and an inverter (INV4) connected in series therewith. INV0 to INV3 are switched by inverters that operate according to selection signals s [3: 0] and sb [3: 0]. The selection signal sb [3: 0] is an inverted signal of s [3: 0]. For example, when s [3: 0] = 0001, INV0 is selected.
As described in the description of FIG. 1, the phase adjustment element 300 generates a phase difference by switching the passage time from the input in to the output out.
Hereinafter, a method of changing the passage time from input to output in the phase adjustment element 300 will be described.
When only INV0 in FIG. 2 is selected and the input falls, the voltage Vx of X is expressed by Vx = Vdd (1-exp (−t / (Rx0 * Cx))). Here, Vdd is a power supply voltage, Rx0 is an output resistance of INV0, and Cx is an input capacitance of INV4.
The time T1 until Vx reaches the threshold voltage Vth of INV4 is T1 = Rx0 * Cx * ln (1 / (1-Vth / Vdd)), and K = ln (1 / (1-Vth / Vdd)) This can be expressed as T1 = Rx0 * Cx * K.

同様に、INV1〜INV3の出力抵抗をRx1〜Rx3とするとINV1〜INV3のそれぞれ1つだけ選択されたときにVxがVthになるまでの時間T1〜T3もTn=Rxn*Cx*K(n=1,2,3)と表すことができる。Rx0*Cxを時定数とよぶ。
位相調整素子300の通過時間はVxがしきい値電圧を交差するまでの時間によるので、INVn(n=1,2,3)の通過時間とINV0の通過時間の差Tn−T0はTn−T0=(Rxn−Rx0)*Cx*K(n=1,2,3)で表される。
高精度に多相クロックの位相を調整するためには位相調整素子の通過時間を微小かつ線形に変化させることが求められる。
位相調整素子300の通過時間差を線形に変化させるためにRx3:Rx2:Rx1:Rx0=4:3:2:1となるように出力抵抗の比を決めるとT3−T0:T2−T0:T1−T0=Rx3−Rx0:Rx2−Rx0:Rx1−Rx0=3:2:1となり位相調整素子300の通過時間差が線形に変化させることができる。このとき変化量の最小値(1LSB)はRx0*Cx*ln(1/(1−Vth/Vdd))となる。1LSBの値は多相クロックの位相精度の要求に応じて設計することができる。
各インバーターのサイズをMn(n=0,1,2,3)とすると、出力抵抗はインバーターのサイズに反比例するので、
M3:M2:M1:M0=1/4:1/3:1/2:1=3:4:6:12の比率となる。
一般化するとm段階の位相調整を行う場合のインバーターサイズの比はMm−1:Mm−2...:M1:M0=1/(m−1):1/(m−2):...:1/2:1とすればよい。
Similarly, if the output resistances of INV1 to INV3 are Rx1 to Rx3, the time T1 to T3 until Vx becomes Vth when only one of INV1 to INV3 is selected is also Tn = Rxn * Cx * K (n = 1, 2, 3). Rx0 * Cx is called a time constant.
Since the transit time of the phase adjusting element 300 depends on the time until Vx crosses the threshold voltage, the difference Tn−T0 between the transit time of INVn (n = 1, 2, 3) and the transit time of INV0 is Tn−T0. = (Rxn-Rx0) * Cx * K (n = 1, 2, 3).
In order to adjust the phase of the multiphase clock with high accuracy, it is required to change the passage time of the phase adjusting element minutely and linearly.
When the output resistance ratio is determined so that Rx3: Rx2: Rx1: Rx0 = 4: 3: 2: 1 in order to change the passage time difference of the phase adjusting element 300 linearly, T3-T0: T2-T0: T1- T0 = Rx3-Rx0: Rx2-Rx0: Rx1-Rx0 = 3: 2: 1 and the passing time difference of the phase adjusting element 300 can be changed linearly. At this time, the minimum value (1LSB) of the change amount is Rx0 * Cx * ln (1 / (1-Vth / Vdd)). The value of 1LSB can be designed according to the requirement of the phase accuracy of the multiphase clock.
If the size of each inverter is Mn (n = 0, 1, 2, 3), the output resistance is inversely proportional to the size of the inverter.
M3: M2: M1: M0 = 1/4: 1/3: 1/2: 1 = 3: 4: 6: 12.
In general, the ratio of inverter sizes when performing m-stage phase adjustment is Mm−1: Mm−2. . . : M1: M0 = 1 / (m-1): 1 / (m-2):. . . : 1/2: 1.

図3は、第1の実施例の位相調整素子の動作を説明する図である。
図3(a)は位相調整素子の通過時間を示す図である。
図2の位相調整素子300の具体的な動作について説明するために入力電圧Vinがたち下がる場合を考える。
Vinが1段目のインバーターINVn(n=0,1,2,3)のしきい値電圧Vthを交差すると(このときの時刻を0とする)、1段目のインバーターの出力Xの電圧Vxが立ちあがる。正しくは過渡的な変化なのである量の遅延があった後にVxが立ち上がり始めることになる。Vxが2段目のインバーターのしきい値電圧Vth4を交差すると出力outがたち下がる。また、1段目のインバーターINVn(n=0,1,2,3)のしきい値電圧は等しい値を用いる。
FIG. 3 is a diagram for explaining the operation of the phase adjusting element of the first embodiment.
FIG. 3A is a diagram showing the passage time of the phase adjusting element.
In order to describe a specific operation of the phase adjustment element 300 of FIG. 2, consider a case where the input voltage Vin decreases.
When Vin crosses the threshold voltage Vth of the first-stage inverter INVn (n = 0, 1, 2, 3) (the time at this time is 0), the voltage Vx of the output X of the first-stage inverter Stand up. Correctly a transitional change, Vx will begin to rise after a certain amount of delay. When Vx crosses the threshold voltage Vth4 of the inverter in the second stage, the output out decreases. The threshold voltages of the first-stage inverter INVn (n = 0, 1, 2, 3) are equal.

各インバーターのサイズの比率がM3:M2:M1:M0=1/4:1/3:1/2:1=3:4:6:12となっているとき、Vxが次段のインバーターのしきい値電圧に到達する時間Tn(n=0,1,2,3)の比はT0:T1:T2:T3=1:2:3:4となる。
2段目のインバーターの入力電圧Vxが2段目のインバーターのしきい値電圧Vth4に到達する時間差が位相調整素子300の通過時間差と等しいので、各々インバーターが選択されたときの位相調整素子の出力電圧がVthとなるまでの時間をD0〜D3とすると、位相調整素子300を通過する時間差はD1−D0=K*Rx1*Cx、D2−D0=2*K*Rx1*Cx、D3−D0=3*K*Rx1*Cx(ただしK=ln(1/(1−Vth/Vdd)))となる。
図3(b)は位相選択信号に対する位相調整素子300の通過時間差を表した図である。
INV0の位相調整素子300の通過時間からの差分を縦軸に、横軸には遅延選択信号の4bitを示す。
選択するインバーターを切り替えることで位相調整素子300の通過時間を選択できる。
When the size ratio of each inverter is M3: M2: M1: M0 = 1/4: 1/3: 1/2: 1 = 3: 4: 6: 12, Vx is the value of the next inverter. The ratio of the time Tn (n = 0, 1, 2, 3) to reach the threshold voltage is T0: T1: T2: T3 = 1: 2: 3: 4.
Since the time difference in which the input voltage Vx of the second-stage inverter reaches the threshold voltage Vth4 of the second-stage inverter is equal to the passing time difference of the phase adjustment element 300, the output of the phase adjustment element when each inverter is selected When the time until the voltage reaches Vth is D0 to D3, the time difference passing through the phase adjustment element 300 is D1-D0 = K * Rx1 * Cx, D2-D0 = 2 * K * Rx1 * Cx, D3-D0 = 3 * K * Rx1 * Cx (where K = ln (1 / (1-Vth / Vdd))).
FIG. 3B is a diagram showing a difference in the passage time of the phase adjustment element 300 with respect to the phase selection signal.
The vertical axis represents the difference from the passage time of the phase adjustment element 300 of INV0, and the horizontal axis represents 4 bits of the delay selection signal.
By switching the inverter to be selected, the passage time of the phase adjusting element 300 can be selected.

図4は、第2の実施例の位相調整素子を説明する図である。
第2の実施例のオーバーサンプリング型CDR回路の全体構成は図1と同じであるが、位相調整素子300が第1の実施例と異なる。
第2の実施例の位相調整素子について説明する。位相調整素子300は直列に接続された2つのインバーターからなるインバーターペアを4つと、そのインバーターペアのそれぞれの後段に接続した出力を選択できるセレクター型インバーターで構成される。
セレクター型インバーターにおける位相選択信号s[3:0]、sb[3:0]によってINV0〜3の出力のいずれかの出力を位相調整素子300の出力として選択する。
選択信号sb[3:0]はs[3:0]の反転信号であり、例えばs[3:0]=0001のときINV0の出力が位相調整素子の出力に選択される。
FIG. 4 is a diagram for explaining the phase adjusting element of the second embodiment.
The overall configuration of the oversampling CDR circuit of the second embodiment is the same as that of FIG. 1, but the phase adjustment element 300 is different from that of the first embodiment.
The phase adjusting element of the second embodiment will be described. The phase adjustment element 300 includes four inverter pairs including two inverters connected in series, and a selector type inverter that can select an output connected to each subsequent stage of the inverter pair.
One of the outputs of INV0 to INV3 is selected as the output of the phase adjustment element 300 by the phase selection signals s [3: 0] and sb [3: 0] in the selector type inverter.
The selection signal sb [3: 0] is an inverted signal of s [3: 0]. For example, when s [3: 0] = 0001, the output of INV0 is selected as the output of the phase adjustment element.

本実施例の位相調整素子300において入力から出力までの通過時間を変化させる方法を説明する。
位相調整素子の入力から出力までの通過時間を変化させる原理は、第1の実施例の位相調整素子と基本的には同じである。
図4のINV0の出力が選択され、入力が立ち下がる場合、X0の電圧Vx0はVx0=Vdd(1−exp(−t/(Rx*Cx0)))で表される。ここでVddは電源電圧、RxはINVXの出力抵抗、Cx0はINV0の入力容量である。
Vx0がINV0のしきい値電圧Vth0になるまでの時間T1はT1=Rx*Cx0*ln(1/(1−Vth0/Vdd))となり、K=ln(1/(1−Vth0/Vdd))とおくとT1=Rx*Cx0*Kと表すことができる。
同様に、INV1〜INV3の出力が選択されるとき、INV1〜INV3の入力容量をCx1〜Cx3とするとVxnがVthnになるまでの時間T1〜T3もTn=Rx*Cxn*K(n=1,2,3)と表すことができる。
位相調整素子300の通過時間はVx0がしきい値電圧を交差するまでの時間によるので、位相調整素子の通過時間の差はT0を基準にするとTn−T0=(Cxn−Cx0)*Rx*K(n=1,2,3)で表される。
A method of changing the passage time from input to output in the phase adjustment element 300 of this embodiment will be described.
The principle of changing the passage time from the input to the output of the phase adjustment element is basically the same as that of the phase adjustment element of the first embodiment.
When the output of INV0 in FIG. 4 is selected and the input falls, the voltage Vx0 of X0 is represented by Vx0 = Vdd (1-exp (−t / (Rx * Cx0))). Here, Vdd is a power supply voltage, Rx is an output resistance of INVX, and Cx0 is an input capacitance of INV0.
The time T1 until Vx0 becomes the threshold voltage Vth0 of INV0 is T1 = Rx * Cx0 * ln (1 / (1-Vth0 / Vdd)), and K = ln (1 / (1-Vth0 / Vdd)) This can be expressed as T1 = Rx * Cx0 * K.
Similarly, when the outputs of INV1 to INV3 are selected, if the input capacitances of INV1 to INV3 are Cx1 to Cx3, the times T1 to T3 until Vxn becomes Vthn are also Tn = Rx * Cxn * K (n = 1, 2,3).
Since the passing time of the phase adjusting element 300 depends on the time until Vx0 crosses the threshold voltage, the difference in the passing time of the phase adjusting element is Tn−T0 = (Cxn−Cx0) * Rx * K with respect to T0. (N = 1, 2, 3).

高精度に多相クロックの位相を調整するためには位相調整素子の通過時間を微小かつ線形に変化させることが求められる。
位相調整素子300の通過時間差を線形に変化させるためにCx3:Cx2:Cx1:Cx0=4:3:2:1となるように入力容量の比を決めるとT3−T0:T2−T0:T1−T0=Cx3−Cx0:Cx2−Cx0:Cx1−Cx0=3:2:1となり位相調整素子300の通過時間差が線形に変化させることができる。このとき変化量の最小値(1LSB)はRx*Cx0*ln(1/(1−Vth/Vdd))となる。1LSBの値は多相クロックの位相精度の要求に応じて設計することができる。
各インバーターのサイズをMn(n=0,1,2,3)とすると、出力容量はインバーターのサイズに比例するので、
M3:M2:M1:M0=4:3:2:1の比率となる。
一般化するとm段階の位相調整を行う場合のインバーターサイズの比は
Mm−1:Mm−2...:M1:M0=m−1:m−2:...:2:1とすればよい。
In order to adjust the phase of the multiphase clock with high accuracy, it is required to change the passage time of the phase adjusting element minutely and linearly.
When the ratio of the input capacitance is determined so that Cx3: Cx2: Cx1: Cx0 = 4: 3: 2: 1 in order to change the passage time difference of the phase adjusting element 300 linearly, T3-T0: T2-T0: T1- T0 = Cx3-Cx0: Cx2-Cx0: Cx1-Cx0 = 3: 2: 1 and the passing time difference of the phase adjusting element 300 can be changed linearly. At this time, the minimum value (1LSB) of the change amount is Rx * Cx0 * ln (1 / (1-Vth / Vdd)). The value of 1LSB can be designed according to the requirement of the phase accuracy of the multiphase clock.
If the size of each inverter is Mn (n = 0, 1, 2, 3), the output capacity is proportional to the size of the inverter.
M3: M2: M1: M0 = 4: 3: 2: 1 ratio.
In general, the ratio of inverter sizes when performing m-stage phase adjustment is Mm−1: Mm−2. . . : M1: M0 = m−1: m−2:. . . : 2: 1.

図5は、第3の実施例の位相調整素子を説明する図である。
第3の実施例のオーバーサンプリング型CDR回路の全体構成は図1と同じであるが、位相調整素子が第1、第2の実施例と異なる。
図5の位相調整素子は実施例1での位相調整素子を2個直列に接続した構成となる。
位相選択信号s[3:0]、sb[3:0]によって初段の位相調整素子の通過時間を切り替える。具体的にはINV0〜3の出力のいずれかの出力を初段の位相調整素子の出力として選択する。
同様に、位相選択信号s[7:4]、sb[7:4]によって後段の位相調整素子の通過時間を切り替える。
位相選択信号s[7:0]とsb[7:0]は反転信号であり、s[7:0]=00010001のとき初段はINV0の出力が選択され後段はINV4の出力が選択される。2つの位相調整素子1および2において入力から出力までの通過時間を変化させる方法は実施例1で説明済みなので省略する。
FIG. 5 is a diagram for explaining the phase adjusting element of the third embodiment.
The overall configuration of the oversampling CDR circuit of the third embodiment is the same as that of FIG. 1, but the phase adjustment element is different from that of the first and second embodiments.
The phase adjustment element in FIG. 5 has a configuration in which two phase adjustment elements in the first embodiment are connected in series.
The passage time of the first phase adjustment element is switched by the phase selection signals s [3: 0] and sb [3: 0]. Specifically, one of the outputs of INV0 to INV3 is selected as the output of the first phase adjustment element.
Similarly, the passage time of the subsequent phase adjustment element is switched by the phase selection signals s [7: 4] and sb [7: 4].
The phase selection signals s [7: 0] and sb [7: 0] are inverted signals. When s [7: 0] = 00010001, the output of INV0 is selected in the first stage and the output of INV4 is selected in the subsequent stage. Since the method for changing the passage time from the input to the output in the two phase adjusting elements 1 and 2 has been described in the first embodiment, a description thereof will be omitted.

図6は、第3の実施例の位相調整素子の動作について説明する図である。
本実施例においては、2段直列に位相調整素子を接続している。
図6(a)は、本実施例の位相調整素子の通過時間を示す図である。
各インバーターINV0〜7のサイズをM0〜7で表す。
M7:M6:M5:M4=M3:M2:M1:M0=3:4:6:12とした場合、位相調整素子1および2を通過する時間差はINV0を選択したときの通過時間D0およびINV4を選択したときの通過時間F0を基準にするとD3−D0:D2−D0:D1−D0=F3−F0:F2−F0:F1−F0=3:2:1となる。
さらに、M7=4*M3、M6=4*M2、M5=4*M1、M4=4*M0とすれば位相調整素子1の通過時間差と位相調整素子2の通過時間差が4倍となるので、図6に示すように16段階の通過時間差を作ることができる。
図6(b)は位相選択信号に対する位相調整素子1、位相調整素子2および位相調整素子全体の通過時間差を表した図である。
位相調整素子1の通過時間に比べて位相調整素子2の通過時間は4分の1となり、位相調整素子全体では16段階の通過時間差を作ることができる。
FIG. 6 is a diagram for explaining the operation of the phase adjusting element of the third embodiment.
In this embodiment, the phase adjusting elements are connected in two stages in series.
FIG. 6A is a diagram illustrating the passage time of the phase adjusting element of the present embodiment.
The size of each inverter INV0-7 is represented by M0-7.
When M7: M6: M5: M4 = M3: M2: M1: M0 = 3: 4: 6: 12, the time difference passing through the phase adjusting elements 1 and 2 is the passing time D0 and INV4 when INV0 is selected. Based on the passage time F0 when selected, D3-D0: D2-D0: D1-D0 = F3-F0: F2-F0: F1-F0 = 3: 2: 1.
Further, if M7 = 4 * M3, M6 = 4 * M2, M5 = 4 * M1, and M4 = 4 * M0, the difference in the passing time of the phase adjusting element 1 and the passing time of the phase adjusting element 2 is quadrupled. As shown in FIG. 6, a 16-step transit time difference can be created.
FIG. 6B is a diagram showing a passing time difference of the phase adjustment element 1, the phase adjustment element 2, and the entire phase adjustment element with respect to the phase selection signal.
Compared with the passing time of the phase adjusting element 1, the passing time of the phase adjusting element 2 becomes a quarter, and the phase adjusting element as a whole can produce a 16-step passing time difference.

1…位相調整素子、2…位相調整素子、200…多相クロック生成部、201…オーバーサンプリング部、202…シンボルデータ復元部、203…位相調整部、203…多相クロック位相遅延回路、204…位相調整データ生成部、205…位相制御部、206…サンプリングFF部、207…並列化部、300…位相調整素子 DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 ... Phase adjustment element, 2 ... Phase adjustment element, 200 ... Multiphase clock generation part, 201 ... Oversampling part, 202 ... Symbol data restoration part, 203 ... Phase adjustment part, 203 ... Multiphase clock phase delay circuit, 204 ... Phase adjustment data generation unit, 205 ... Phase control unit, 206 ... Sampling FF unit, 207 ... Parallelization unit, 300 ... Phase adjustment element

特開2005−192192公報JP 2005-192192 A 特開2008−66879公報JP 2008-66879 A

Claims (3)

多相クロックを用いてシリアルデータをオーバーサンプリングするオーバーサンプリング回路において、
多相クロックを生成する多相クロック生成部と、
前記多相クロックの位相差を検出して、該検出結果に基づいて位相制御信号を発生する位相制御部と、
前記多相クロックの本数分の遅延回路を有し、前記多相クロックをそれぞれの遅延素子に入力された信号の通過時間を、前記位相制御信号に基づいて調整することで前記多相クロック間の位相差を調整する位相調整部と、を備え、
各遅延回路は、直列に接続されたサイズの異なる複数のインバーターと、該複数のインバーターの後段に接続したインバーターと、からなり、前記複数のインバーターから選択される一つインバーターの出力抵抗と、前記後段に接続したインバーターの入力容量の積に基づいて通過時間を調整することを特徴とするオーバーサンプリング回路。
In an oversampling circuit that oversamples serial data using a multiphase clock,
A multiphase clock generator for generating a multiphase clock;
A phase control unit that detects a phase difference of the multi-phase clock and generates a phase control signal based on the detection result;
There are delay circuits for the number of the multiphase clocks, and the multiphase clocks are adjusted between the multiphase clocks by adjusting the transit time of the signals input to the delay elements based on the phase control signals. A phase adjustment unit for adjusting the phase difference,
Each delay circuit includes a plurality of inverters of different sizes connected in series and an inverter connected to a subsequent stage of the plurality of inverters, and an output resistance of one inverter selected from the plurality of inverters, An oversampling circuit that adjusts a transit time based on a product of an input capacity of an inverter connected to a subsequent stage.
請求項1に記載のオーバーサンプリング回路において、
前記遅延回路は、前記複数のインバーターを通過する信号パスを切り換えることで一つのインバーターを選択して通過時間を調整することを特徴とする請求項1記載のオーバーサンプリング回路。
The oversampling circuit according to claim 1,
2. The oversampling circuit according to claim 1, wherein the delay circuit selects one inverter by switching a signal path passing through the plurality of inverters and adjusts the passage time.
請求項1又は2に記載のオーバーサンプリング回路において、各遅延素子は、複数段直列に接続したこと構成とし、各段において複数のインバーターのうちの一つを選択して遅延時間を調整することを特徴とするオーバーサンプリング回路。   3. The oversampling circuit according to claim 1, wherein each delay element is connected in series in a plurality of stages, and one of a plurality of inverters is selected in each stage to adjust the delay time. A featured oversampling circuit.
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