JP2010262857A - Manufacturing method of electron-emitting element, and forming method and lighting apparatus of surface-emitting element - Google Patents

Manufacturing method of electron-emitting element, and forming method and lighting apparatus of surface-emitting element Download PDF

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鋭也 市橋
Tetsuya Okawa
哲也 大川
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Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide the manufacturing method of an electron-emitting element having an emitter with uniform electron-emitting sources and superior reliability. <P>SOLUTION: The manufacturing method of the electron-emitting element has a step of constituting a catalytic-containing film 102, containing a catalytic material to advance constitution of a graphite structure on a substrate 21 and forming a carbon structure 104, in a direction normal to the substrate 21 so as to be appropriately dispersed on the catalytic-containing film 102. The carbon structure 104 is changed to the graphite structure to constitute a carbon nanotube 101, by heating the substrate 21 to move a catalytic particle 105 within the carbon structure 104. Accordingly, the electron-emitting element is manufactured with an emitter 23, constituted from the carbon nanotube 101, oriented substantially in a direction normal to the substrate 21 and disposed at an even density. <P>COPYRIGHT: (C)2011,JPO&INPIT

Description

本発明は、カーボンナノチューブをエミッタとして用いた電子放出素子の製造方法、この電子放出素子を備える平面発光素子の形成方法およびこの電子放出素子を備える照明装置に関する。   The present invention relates to a method for manufacturing an electron-emitting device using carbon nanotubes as an emitter, a method for forming a planar light-emitting device including the electron-emitting device, and an illumination device including the electron-emitting device.

電界放出発光素子は平面発光で且つ素子自体の厚みが薄いので、電界放出発光素子を照明光源として利用した照明装置は、天井又は壁面など場所を限定することなく設置することが可能である。そのため、電界放出発光素子は蛍光灯等に代わる照明光源として期待できる。電子放出特性を利用した照明装置や蛍光表示管には、アノード基板の発光体を発光させる電子源として、カーボンナノチューブのような繊維状カーボンから構成される電界放出型の電子放出素子を用いているものがある。この電子放出素子は、繊維状カーボンを溶剤に分散したペーストをカソード基板に塗布して製造される。しかしながら、通常の方法で塗布された繊維状カーボンは、電子を放出する方向、即ち基板に対して垂直方向に配向していないため、電子を効率よく放出することができない。   Since the field emission light-emitting element is flat emission and the element itself is thin, an illuminating device using the field emission light-emitting element as an illumination light source can be installed without limiting a place such as a ceiling or a wall surface. Therefore, the field emission light-emitting element can be expected as an illumination light source that replaces a fluorescent lamp or the like. A field emission type electron-emitting device composed of fibrous carbon such as a carbon nanotube is used as an electron source for emitting light from an illuminator of an anode substrate in an illumination device or a fluorescent display tube using electron emission characteristics. There is something. This electron-emitting device is manufactured by applying a paste in which fibrous carbon is dispersed in a solvent to a cathode substrate. However, since the fibrous carbon applied by a normal method is not oriented in the direction in which electrons are emitted, that is, in the direction perpendicular to the substrate, electrons cannot be emitted efficiently.

基板に対して垂直方向にカーボンナノチューブを配向させるために、塗布したカーボン膜表面に粘着テープを貼り付け、その後粘着テープを剥がしてカーボン繊維を基板に対して垂直に配向させる(起毛させる)方法が知られている(特許文献1)。また、活性化ガスを導入した減圧雰囲気で、逆バイアスを印加することにより、カーボンナノチューブを塗布した表面を荒らしてカーボンナノチューブを露出、起毛させ、電子放出の起点を増やす方法(特許文献2)も提案されている。   In order to orient the carbon nanotubes in a direction perpendicular to the substrate, an adhesive tape is applied to the surface of the applied carbon film, and then the adhesive tape is removed to orient the carbon fibers perpendicularly to the substrate (raising). Known (Patent Document 1). Also, there is a method of increasing the starting point of electron emission by applying a reverse bias in a reduced-pressure atmosphere into which an activation gas is introduced to roughen the surface on which the carbon nanotube is applied to expose and raise the carbon nanotube (Patent Document 2). Proposed.

また、起毛したカーボンナノチューブの密度を1010本/cm以下に設定することにより、カーボンナノチューブ先端に電界が良好に集中することが報告されている(非特許文献1)。そのため、起毛したカーボンナノチューブが適度に分散していることが望ましく、カーボンナノチューブを成長させる場所を特定した方法がいくつか提案されている(特許文献3,4,5)。 In addition, it has been reported that the electric field concentrates favorably at the tip of the carbon nanotube by setting the density of the raised carbon nanotube to 10 10 / cm 2 or less (Non-patent Document 1). Therefore, it is desirable that the raised carbon nanotubes are appropriately dispersed, and several methods have been proposed for specifying the place where the carbon nanotubes are grown (Patent Documents 3, 4, and 5).

また、カーボンナノチューブの製造方法として、アモルファスカーボンの、触媒金属を用いた固相反応によるグラファイト化を用いる方法が提案されている(特許文献6)。   As a method for producing carbon nanotubes, a method using graphitization of amorphous carbon by solid-phase reaction using a catalytic metal has been proposed (Patent Document 6).

特許第3468723号公報Japanese Patent No. 3468723 特開2008−097842号公報JP 2008-097842 A 特許第3502804号公報Japanese Patent No. 3502804 特許第3581298号公報Japanese Patent No. 3581298 特開2004−259667号公報JP 2004-259667 A 国際公開2005/033006号International Publication No. 2005/033006

H.Shimoyamaら、Proceedings of SPIE,Vol.4510(2001),pp.163−171.H. Shimoyama et al., Proceedings of SPIE, Vol. 4510 (2001), pp. 163-171.

特許文献1に開示された粘着テープを用いる方法では、電子放出の起点の数、およびその密度が制御できないため、電子放出の均一性に問題がある。また、特許文献2に開示された方法では、カーボンナノチューブがイオン照射によりダメージを被るため、電子放出素子の信頼性に問題がある。   The method using the adhesive tape disclosed in Patent Document 1 has a problem in the uniformity of electron emission because the number of electron emission starting points and the density thereof cannot be controlled. Further, the method disclosed in Patent Document 2 has a problem in the reliability of the electron-emitting device because the carbon nanotube is damaged by ion irradiation.

また、特許文献3に開示された方法には、ナノチューブの生成場所となる突起を作る工程、マスクを作る工程、触媒を付着させる工程、ナノチューブを成長させる工程、およびマスクを除去する工程が含まれるため、工程が複雑になるという問題がある。   In addition, the method disclosed in Patent Document 3 includes a process of creating a projection that is a nanotube generation site, a process of creating a mask, a process of attaching a catalyst, a process of growing a nanotube, and a process of removing the mask. Therefore, there is a problem that the process becomes complicated.

さらに、特許文献4に開示された方法では、カーボンナノチューブを陽極酸化膜上の所望の位置に付着させる際に電気泳動を用いるため、その付着の程度などを制御することが困難であるという問題がある。特許文献5に開示された方法では、カーボンナノチューブを所望の位置に付着させるのに、磁性体を内包させたカーボンナノチューブを、磁場を用いて配向させ、低融点金属で固着するため、特許文献4に開示された方法と同様に、その制御性に問題がある。   Furthermore, in the method disclosed in Patent Document 4, since electrophoresis is used when attaching carbon nanotubes to a desired position on the anodized film, it is difficult to control the degree of adhesion. is there. In the method disclosed in Patent Document 5, in order to attach the carbon nanotube at a desired position, the carbon nanotube including the magnetic substance is oriented using a magnetic field and fixed with a low melting point metal. Similar to the method disclosed in the above, there is a problem in its controllability.

また、電子放出の起点の密度等が均一でなく、信頼性が低い電子放出電極を備える発光素子では、発光が不均一であり、その輝度が低いという問題があった。   In addition, a light emitting element including an electron emission electrode with a low density of electron emission starting points and a low reliability has a problem that light emission is uneven and luminance is low.

本発明は、このような問題に鑑みてなされたものであり、電子放出の起点の数および密度が略均一なエミッタを備え且つ、信頼性に優れた電子放出素子の製造方法を提供することを目的とする。さらに、本発明は、略均一に且つ、良好な輝度で発光する平面発光素子の形成方法および照明装置を提供することを目的とする。   The present invention has been made in view of such a problem, and provides a method for manufacturing an electron-emitting device having an emitter with a substantially uniform number and density of electron emission starting points and excellent in reliability. Objective. Furthermore, an object of the present invention is to provide a method for forming a planar light emitting element that emits light substantially uniformly and with good luminance, and an illumination device.

上記目的を達成するため、本発明の第1の観点に係る電子放出素子の製造方法は、
カーボンナノチューブで構成されたエミッタから電子を放出する電子放出素子の製造方法であって、
基板上に、カーボンナノチューブ化を促進する触媒を含む触媒含有膜を形成する工程と、
前記触媒含有膜の上に、略垂直に配向した炭素構造体を形成する工程と、
前記触媒含有膜中の前記触媒を、前記炭素構造体内で移動させて、カーボンナノチューブ化することにより、前記基板に対し略垂直に配向した前記カーボンナノチューブから構成された前記エミッタを形成するカーボンナノチューブ化工程と、
を備えることを特徴とする。
In order to achieve the above object, a method for manufacturing an electron-emitting device according to the first aspect of the present invention includes:
A method of manufacturing an electron-emitting device that emits electrons from an emitter composed of carbon nanotubes,
Forming a catalyst-containing film containing a catalyst for promoting carbon nanotube formation on a substrate;
Forming a substantially vertically oriented carbon structure on the catalyst-containing film;
The catalyst in the catalyst-containing film is moved into the carbon structure to form a carbon nanotube, thereby forming the emitter composed of the carbon nanotubes oriented substantially perpendicular to the substrate. Process,
It is characterized by providing.

上記目的を達成するため、本発明の第2の観点に係る平面発光素子の形成方法は、
前記製造方法により製造した前記電子放出素子に対向して蛍光体層を配置する工程と、
前記蛍光体層を挟んで前記電子放出素子に対向するアノード電極を配置する工程と、
を備えることを特徴とする。
In order to achieve the above object, a method for forming a planar light emitting device according to the second aspect of the present invention includes:
Disposing a phosphor layer facing the electron-emitting device manufactured by the manufacturing method;
Disposing an anode electrode facing the electron-emitting device across the phosphor layer;
It is characterized by providing.

上記目的を達成するため、本発明の第3の観点に係る照明装置は、前記製造方法により製造した前記電子放出素子を備えることを特徴とする。   In order to achieve the above object, an illumination device according to a third aspect of the present invention includes the electron-emitting device manufactured by the manufacturing method.

本発明によれば、電子放出の起点の数および密度が略均一なエミッタを備え且つ、信頼性に優れた電子放出素子の製造方法を提供することができる。さらに、略均一に且つ、良好な輝度で発光する平面発光素子の形成方法および照明装置を提供することができる。   ADVANTAGE OF THE INVENTION According to this invention, the manufacturing method of the electron emission element provided with the emitter with the substantially uniform number and density of the electron emission, and excellent in reliability can be provided. Furthermore, it is possible to provide a method for forming a planar light emitting element that emits light substantially uniformly and with good luminance, and a lighting device.

本発明の第1の実施の形態に係る電界放出発光素子の断面図である。1 is a cross-sectional view of a field emission light-emitting device according to a first embodiment of the present invention. 図1に示す電界放出発光素子の分解斜視図である。It is a disassembled perspective view of the field emission light emitting element shown in FIG. 図1に示す電界放出発光素子のエミッタ領域を模式的に示す断面図である。It is sectional drawing which shows typically the emitter area | region of the field emission light emitting element shown in FIG. 本発明の第1の実施の形態に係る電界放出発光素子の製造方法を示す図である。It is a figure which shows the manufacturing method of the field emission light emitting element which concerns on the 1st Embodiment of this invention. 本発明の第2の実施の形態に係る電界放出発光素子の製造方法を示す図である。It is a figure which shows the manufacturing method of the field emission light emitting element which concerns on the 2nd Embodiment of this invention. 図1に示す電界放出発光素子を応用した電界放出ディスプレイの一部を模式的に示す断面図である。It is sectional drawing which shows typically a part of field emission display which applied the field emission light emitting element shown in FIG.

次に、本発明の実施の形態に係る電界放出発光素子(平面発光素子)1の製造方法について図面を参照して詳細に説明する。   Next, a manufacturing method of the field emission light emitting device (planar light emitting device) 1 according to the embodiment of the present invention will be described in detail with reference to the drawings.

(第1の実施の形態)
始めに、本発明の第1の実施の形態に係る製造方法により製造される電界放出発光素子1について説明する。
(First embodiment)
First, the field emission light-emitting device 1 manufactured by the manufacturing method according to the first embodiment of the present invention will be described.

電界放出発光素子1は、図1および図2に示すように、アノード基板10と、カソード基板20と、スペーサ30と、を有する。   As shown in FIGS. 1 and 2, the field emission light-emitting device 1 includes an anode substrate 10, a cathode substrate 20, and a spacer 30.

アノード基板10は、基板11と、その表面に形成されたアノード電極12と、アノード電極12の上に形成された蛍光体層13と、から構成される。   The anode substrate 10 includes a substrate 11, an anode electrode 12 formed on the surface thereof, and a phosphor layer 13 formed on the anode electrode 12.

基板11は、ソーダライムガラス、ホウ珪酸ガラス等のガラス、水晶、石英等の絶縁性透明材料から構成される。ただし、その材質は、絶縁が取れる材質であればこれら以外のものでもよい。   The substrate 11 is made of an insulating transparent material such as soda lime glass or borosilicate glass, crystal or quartz. However, other materials may be used as long as the material can be insulated.

アノード電極12は、インジウムスズ酸化物(ITO)、酸化亜鉛(ZnO)、酸化チタン(TiO)、カーボンナノチューブ(CNT)、カーボンナノホーン(CNH)等から構成される透明電極である。 The anode electrode 12 is a transparent electrode composed of indium tin oxide (ITO), zinc oxide (ZnO), titanium oxide (TiO 2 ), carbon nanotube (CNT), carbon nanohorn (CNH), or the like.

蛍光体層13は、電子線が照射されると蛍光を発する電子線励起蛍光体から構成され、例えば0.1μm〜100μmの膜厚を有する。電子線励起蛍光体は、例えば、硫化物蛍光体、酸化物蛍光体、窒化物蛍光体から構成される。   The phosphor layer 13 is composed of an electron beam excited phosphor that emits fluorescence when irradiated with an electron beam, and has a film thickness of, for example, 0.1 μm to 100 μm. The electron beam excited phosphor is composed of, for example, a sulfide phosphor, an oxide phosphor, and a nitride phosphor.

カソード基板20は、基板21と、その表面に形成されたカソード電極22と、カソード電極22の上に形成されたエミッタ23と、から構成される。   The cathode substrate 20 includes a substrate 21, a cathode electrode 22 formed on the surface thereof, and an emitter 23 formed on the cathode electrode 22.

基板21は、ソーダライムガラス、ホウ珪酸ガラス等のガラス、水晶、石英等の絶縁性透明材料から構成される。ただし、その材質は、絶縁が取れる材質であればこれら以外のものでもよい。   The substrate 21 is made of an insulating transparent material such as soda lime glass or borosilicate glass, crystal or quartz. However, other materials may be used as long as the material can be insulated.

カソード電極22は、例えば金属又は導電性のある金属酸化物から構成される。カソード電極22に使用される金属は、Ag,Au,Pt,Ti,Al,Cu,Cd,Pd,Zr,C等から構成され、金属酸化物は、ITO,TiO,ZnO等から構成される。カソード電極22は、これら金属又は金属酸化物の中から選ばれる単体もしくは合金から構成されてよい。 The cathode electrode 22 is made of, for example, a metal or a conductive metal oxide. The metal used for the cathode electrode 22 is composed of Ag, Au, Pt, Ti, Al, Cu, Cd, Pd, Zr, C, and the like, and the metal oxide is composed of ITO, TiO 2 , ZnO, and the like. . The cathode electrode 22 may be composed of a simple substance or an alloy selected from these metals or metal oxides.

エミッタ23は、図3に示すように、カソード電極22上にマトリクス状に形成されたカーボンナノチューブ101から構成される。また、カソード電極22の全面又はカソード電極22とカーボンナノチューブ101との界面領域には、薄いカーボン膜(図示せず)が形成されている。このカーボンナノチューブ101は、後述するように、炭素構造体(アモルファスカーボンロッド)104を触媒によりカーボンナノチューブ化して、カソード基板20に対して略垂直に配向するように形成されており、電界集中が阻害されない程度の密度、1010本/cm以下で略均一に配置されている。なお、カーボンナノチューブ101とカーボン膜との接合部はグラファイト化されている。このため、カーボンナノチューブ101は、カソード電極22に固着している。 As shown in FIG. 3, the emitter 23 is composed of carbon nanotubes 101 formed in a matrix on the cathode electrode 22. A thin carbon film (not shown) is formed on the entire surface of the cathode electrode 22 or on the interface region between the cathode electrode 22 and the carbon nanotube 101. As will be described later, the carbon nanotube 101 is formed such that a carbon structure (amorphous carbon rod) 104 is converted into a carbon nanotube by a catalyst and is oriented substantially perpendicularly to the cathode substrate 20, which inhibits electric field concentration. The density is about 10 10 pieces / cm 2 or less, which is not uniform. Note that the joint between the carbon nanotube 101 and the carbon film is graphitized. Therefore, the carbon nanotube 101 is fixed to the cathode electrode 22.

上述したアノード基板10とカソード基板20は、図1に示すように、蛍光体層13とエミッタ23とが対向するように配置されている。   The anode substrate 10 and the cathode substrate 20 described above are arranged so that the phosphor layer 13 and the emitter 23 face each other, as shown in FIG.

スペーサ30は、アノード基板10とカソード基板20との間に設けられ、両基板10と20との間隔を所定値に維持すると共に基板間を封止している。両基板10と20との間の距離は0.1mm〜200mmが好ましく、より好適には1mm〜10mmである。封止された両基板10と20との間は、好ましくは1.0×10−3Pa以下、より好適には1.0×10−4Pa以下の真空状態にある。 The spacer 30 is provided between the anode substrate 10 and the cathode substrate 20, maintains the distance between the substrates 10 and 20 at a predetermined value, and seals between the substrates. The distance between the two substrates 10 and 20 is preferably 0.1 mm to 200 mm, and more preferably 1 mm to 10 mm. The space between the sealed substrates 10 and 20 is preferably 1.0 × 10 −3 Pa or less, more preferably 1.0 × 10 −4 Pa or less.

アノード電極12及びカソード電極22は、図1に示すように、リード線により、電源40又は図示せぬ電圧端子にそれぞれ接続されている。   As shown in FIG. 1, the anode electrode 12 and the cathode electrode 22 are connected to a power source 40 or a voltage terminal (not shown) by lead wires, respectively.

このような構成によれば、カソード電極22上のエミッタ23が、カソード電極22に略垂直に配向したカーボンナノチューブ101から構成されているため、カーボンナノチューブ101の先端に電界を集中させ、電子を効率よく放出させることができる。   According to such a configuration, since the emitter 23 on the cathode electrode 22 is composed of the carbon nanotubes 101 oriented substantially perpendicular to the cathode electrode 22, the electric field is concentrated on the tip of the carbon nanotubes 101, and electrons are efficiently used. Can be released well.

また、カーボンナノチューブ101の密度が適正な範囲に設定されているので、電界集中の阻害を予防できる。さらに、カーボンナノチューブ101とカソード電極22上に形成されたカーボン膜とはグラファイトにより接合しているため、カーボンナノチューブ101はカソード電極22に固着され、外れ難くなっている。以上より、信頼性に優れ、電子放出効率が高く且つ、電子放出の起点、即ちカーボンナノチューブ101の密度が略均一な電子放出電極とそれを備えた発光素子が得られる。   In addition, since the density of the carbon nanotubes 101 is set in an appropriate range, inhibition of electric field concentration can be prevented. Furthermore, since the carbon nanotube 101 and the carbon film formed on the cathode electrode 22 are joined by graphite, the carbon nanotube 101 is fixed to the cathode electrode 22 and is difficult to come off. As described above, it is possible to obtain an electron emission electrode that is excellent in reliability, has high electron emission efficiency, and has an electron emission origin, that is, a substantially uniform density of the carbon nanotubes 101, and a light emitting device including the same.

次に、図4を参照して第1の実施の形態の電界放出発光素子1の製造方法を説明する。   Next, a method for manufacturing the field emission light-emitting device 1 of the first embodiment will be described with reference to FIG.

まず、カソード基板20の作製方法を説明する。ソーダライムガラス等の絶縁性材料から構成された絶縁性の基板21を用意する。基板21の上にカソード電極22を形成する。例えば、Ag,Au,Pt,Ti,Al,Cu,Cd,Pd,Zr,C等の金属、及びITO,TiO,ZnO等の金属酸化物の中から選ばれる単体もしくは合金のターゲットを配置して、これをスパッタリングすることで、基板21上に所定の膜厚に金属等を堆積させる。この膜をパターニングすることにより、図4(a)に示すように、カソード電極22を構成する。また、スパッタリングに限定されず、蒸着法等を使用することも可能である。さらに、これらの材料の粒子を含むペーストをスクリーン印刷、インクジェット印刷等の印刷技術により印刷し、乾燥した後、パターニングする等してもよい。 First, a method for manufacturing the cathode substrate 20 will be described. An insulating substrate 21 made of an insulating material such as soda lime glass is prepared. A cathode electrode 22 is formed on the substrate 21. For example, a single or alloy target selected from metals such as Ag, Au, Pt, Ti, Al, Cu, Cd, Pd, Zr and C, and metal oxides such as ITO, TiO 2 and ZnO is disposed. By sputtering this, metal or the like is deposited on the substrate 21 to a predetermined film thickness. By patterning this film, the cathode electrode 22 is formed as shown in FIG. Moreover, it is not limited to sputtering, It is also possible to use a vapor deposition method etc. Furthermore, a paste containing particles of these materials may be printed by a printing technique such as screen printing or ink jet printing, dried, and then patterned.

次に、アモルファスカーボンのカーボンナノチューブ化を促進する触媒となる金属を含む有機化合物(有機金属化合物)、例えば金属ポルフィリンなどの溶液を、カソード電極22上に塗布する。これを乾燥させて、図4(b)に示すように、触媒含有膜102を形成する。触媒となる金属は、Fe,Co,Ni,Au,Pt,Cu,Gaなど高温でグラファイト化を引き起こす金属であればよい。また、有機金属化合物を溶解する溶媒には、例えばアセトン、メタノール、エタノール、イソプロピルアルコール(IPA)、トルエン、或いはこれらの混合物などの極性溶媒を用いることができる。   Next, a solution of an organic compound (organometallic compound) containing a metal that serves as a catalyst for promoting the conversion of amorphous carbon to carbon nanotubes, such as a metal porphyrin, is applied onto the cathode electrode 22. This is dried to form a catalyst-containing film 102 as shown in FIG. The metal used as a catalyst should just be a metal which causes graphitization at high temperature, such as Fe, Co, Ni, Au, Pt, Cu, and Ga. As a solvent for dissolving the organometallic compound, for example, a polar solvent such as acetone, methanol, ethanol, isopropyl alcohol (IPA), toluene, or a mixture thereof can be used.

次に、触媒含有膜102にフェナントレンなどの炭化水素化合物を吸着させ、図4(c)に示すように、炭化水素吸着層103を形成する。その後、図4(d)に示すように、電子ビーム励起化学気相堆積法により、炭化水素吸着層103を分解し、太さは10nm以下、密度は1010本/cm以下になるようなピッチで炭素構造体(アモルファスカーボンロッド)104を形成する。 Next, a hydrocarbon compound such as phenanthrene is adsorbed on the catalyst-containing film 102 to form a hydrocarbon adsorption layer 103 as shown in FIG. Thereafter, as shown in FIG. 4 (d), the hydrocarbon adsorption layer 103 is decomposed by an electron beam excitation chemical vapor deposition method so that the thickness becomes 10 nm or less and the density becomes 10 10 pieces / cm 2 or less. A carbon structure (amorphous carbon rod) 104 is formed with a pitch.

アモルファスカーボンロッド104は、後述するカーボンナノチューブ101の原型となる。そのため、所望の位置、大きさ、密度でアモルファスカーボンロッド104を形成することにより、カーボンナノチューブ101が所望の位置、大きさ、密度で配置されたエミッタ23を形成することができる。   The amorphous carbon rod 104 is a prototype of the carbon nanotube 101 described later. Therefore, by forming the amorphous carbon rod 104 at a desired position, size, and density, the emitter 23 in which the carbon nanotubes 101 are arranged at a desired position, size, and density can be formed.

その後、カソード基板20を好ましくは400℃〜600℃、より好適には500℃程度の温度で加熱し、触媒を析出させて、図4(e)に示すように、触媒粒子105を生成する。生成した触媒粒子105の大きさは、アモルファスカーボンロッド104の径に対して、好ましくは0.5倍〜3倍、より好適には同程度から最大2倍程度とすることで、後述するカーボンナノチューブ化を効率よく均質に進行させることができる。触媒粒子105の大きさは、加熱温度又は時間などを制御することにより調整することができる。例えば500℃程度で加熱すると、触媒粒子105の直径は10nm程度になる。   Thereafter, the cathode substrate 20 is preferably heated at a temperature of about 400 ° C. to 600 ° C., more preferably about 500 ° C., to deposit the catalyst, thereby generating catalyst particles 105 as shown in FIG. The size of the generated catalyst particles 105 is preferably 0.5 to 3 times, more preferably about the same to a maximum of about 2 times the diameter of the amorphous carbon rod 104, so that the carbon nanotubes described later can be obtained. Can be efficiently and uniformly advanced. The size of the catalyst particles 105 can be adjusted by controlling the heating temperature or time. For example, when heated at about 500 ° C., the diameter of the catalyst particles 105 becomes about 10 nm.

続いて、加熱温度を、50℃程度上昇させ、加熱を継続する。加熱温度を上昇させると、アモルファスカーボンロッド104の基部に位置していた触媒粒子105が、アモルファスカーボンロッド104に進入し、図4(f)の矢印Yに示すように、アモルファスカーボンロッド104の先端へと移動する。   Subsequently, the heating temperature is increased by about 50 ° C. and the heating is continued. When the heating temperature is raised, the catalyst particles 105 located at the base of the amorphous carbon rod 104 enter the amorphous carbon rod 104, and as shown by the arrow Y in FIG. Move to.

このように触媒粒子105がアモルファスカーボンロッド104内を移動する過程では、金属から構成される触媒粒子105の全体又は表面などの一部が液体状になる。アモルファスカーボンとグラファイトでは、液体状金属への溶解限界量が異なるため、アモルファスカーボンを選択的に取り込み、触媒粒子105中で余剰となった炭素が析出する。その結果、触媒粒子105がアモルファスカーボンロッド104の先端部まで自発的に移動しながら、アモルファスカーボンをグラファイト化し、それに伴って、カーボンナノチューブ101が形成される。   Thus, in the process in which the catalyst particles 105 move in the amorphous carbon rod 104, the entire catalyst particles 105 made of metal or a part of the surface becomes liquid. Since amorphous carbon and graphite have different solubility limit amounts in a liquid metal, amorphous carbon is selectively taken in and excess carbon in catalyst particles 105 is deposited. As a result, while the catalyst particles 105 spontaneously move to the tip of the amorphous carbon rod 104, the amorphous carbon is graphitized, and the carbon nanotubes 101 are formed accordingly.

触媒粒子105がアモルファスカーボンロッド104の基部から先端に達するよう設定した所定の時間が経過すると、加熱を停止し、例えば、自然冷却する。なお、加熱時間は、実験などにより予め求めておけばよい。   When a predetermined time set so that the catalyst particles 105 reach the tip from the base of the amorphous carbon rod 104 elapses, heating is stopped, for example, natural cooling is performed. Note that the heating time may be obtained in advance by experiments or the like.

以上の工程により、基板21に略垂直に配向し、所定のピッチで配置されたカーボンナノチューブ101から構成されたエミッタ23を備える電子放出素子が完成する。   Through the above steps, an electron-emitting device including the emitter 23 composed of the carbon nanotubes 101 oriented substantially perpendicular to the substrate 21 and arranged at a predetermined pitch is completed.

本実施の形態では、カソード電極22上にカーボン膜が形成され、そのカーボン膜とカーボンナノチューブ101との接合部がグラファイト化されるため、カーボンナノチューブ101がカソード電極22に十分な強度で固着される。   In the present embodiment, a carbon film is formed on the cathode electrode 22 and the joint between the carbon film and the carbon nanotube 101 is graphitized, so that the carbon nanotube 101 is fixed to the cathode electrode 22 with sufficient strength. .

また、本実施の形態において、グラファイト化後、微量酸素中でプラズマ処理等を行うことにより、カーボンナノチューブ101表面にグラファイト化されずに残ったアモルファスカーボンを除去することができる。これにより、電子放出素子としての信頼性が向上する。   In the present embodiment, the amorphous carbon remaining on the surface of the carbon nanotube 101 without being graphitized can be removed by performing plasma treatment or the like in a trace amount of oxygen after graphitization. Thereby, the reliability as an electron-emitting device improves.

次にアノード基板10の作製方法を説明する。ソーダライムガラス等の絶縁性材料から構成された透明な絶縁性の基板11を用意する。基板11の上に、アノード電極12として、ITO、ZnO、TiOに代表される透明導電体をスパッタリングすることで、基板11上に所定の膜厚に透明導電体を堆積させる。この膜をパターニングすることによりアノード電極12を構成する。 Next, a method for manufacturing the anode substrate 10 will be described. A transparent insulating substrate 11 made of an insulating material such as soda lime glass is prepared. On the substrate 11, an anode electrode 12, ITO, by sputtering ZnO, the transparent conductor typified by TiO 2, depositing a predetermined film transparent conductor to a thickness on the substrate 11. The anode electrode 12 is formed by patterning this film.

アノード電極12を形成した基板11上に、蛍光体層13をスクリーン印刷によって作製する。蛍光体層13をスクリーン印刷するために、蛍光体とバインダーと溶媒とを用いペースト化を行う。例えば、蛍光体に硫化物蛍光体を用い、バインダーにニトロセルロース、エチルセルロース、又はアクリル樹脂等を用いることができる。また溶媒には、例えばテルピネオール、酢酸アミル、酢酸ブチル、IPA、トルエン、キシレンから選択したものを用いることができる。蛍光体層13を0.1μm〜100μmの厚さに塗布し、塗布した蛍光体層13を大気で350℃〜500℃で焼成する。なお、蛍光体層13は、スプレー法、手塗り印刷、又は沈降法で形成することも可能である。以上の工程により、アノード基板10が完成する。   A phosphor layer 13 is produced by screen printing on the substrate 11 on which the anode electrode 12 is formed. In order to screen-print the phosphor layer 13, a paste is formed using a phosphor, a binder, and a solvent. For example, a sulfide phosphor can be used as the phosphor, and nitrocellulose, ethyl cellulose, an acrylic resin, or the like can be used as the binder. As the solvent, for example, a solvent selected from terpineol, amyl acetate, butyl acetate, IPA, toluene, and xylene can be used. The phosphor layer 13 is applied to a thickness of 0.1 μm to 100 μm, and the applied phosphor layer 13 is baked at 350 ° C. to 500 ° C. in the atmosphere. The phosphor layer 13 can also be formed by a spray method, hand-painting printing, or a sedimentation method. Through the above steps, the anode substrate 10 is completed.

次に、大気中で、アノード基板10、カソード基板20、スペーサ30、排気用ガラス管を封着用フリットガラスで貼り合わせ、400℃〜500℃で15〜30分焼成して組立てる。組立てたデバイスの排気用ガラス管から真空引きを行い、電界放出発光素子1内部を真空に封止し、電界放出発光素子1を作製する。電界放出発光素子1の内部は、好ましくは高真空度1.0×10−3Pa以下、より好適には1.0×10−4Pa以下になるように真空引きを行う。以上の工程により、電界放出発光素子(平面発光素子)1が完成する。 Next, the anode substrate 10, the cathode substrate 20, the spacer 30, and the exhaust glass tube are bonded together with a sealing frit glass in the atmosphere, and fired at 400 ° C. to 500 ° C. for 15 to 30 minutes for assembly. A vacuum is drawn from the exhaust glass tube of the assembled device, and the inside of the field emission light-emitting device 1 is sealed in a vacuum to produce the field emission light-emitting device 1. Internal field emission light-emitting device 1 is preferably a high vacuum degree 1.0 × 10 -3 Pa or less, perform vacuuming to be 1.0 × 10 -4 Pa or less and more preferably. The field emission light emitting device (planar light emitting device) 1 is completed through the above steps.

上述の実施の形態により、基板21に略垂直に配向し、所定の密度になるように配置されたカーボンナノチューブ101から構成されるエミッタ23を備える電子放出素子の製造方法およびそれを備える電界放出発光素子(平面発光素子)1の形成方法を提供することができる。この電子放出素子は、所望の位置および分散状態になるように電子放出の起点が形成されているため、略均一に且つ効率よく電子を放出することができる。また、電界放出発光素子1は、良好な輝度で且つ、略均一に発光することができる。   According to the above-described embodiment, a method for manufacturing an electron-emitting device including the emitter 23 composed of the carbon nanotubes 101 oriented substantially perpendicular to the substrate 21 and arranged to have a predetermined density, and field emission light emission including the same A method for forming the element (planar light emitting element) 1 can be provided. Since the electron emission starting point is formed so that the electron emission element has a desired position and dispersion state, electrons can be emitted substantially uniformly and efficiently. In addition, the field emission light-emitting device 1 can emit light with good luminance and substantially uniform.

電界放出発光素子1は、例えば、アノード電極12及びカソード電極22から、端子にそれぞれリード線を接続することにより照明装置として用いることが可能である。また、電子放出アレイを作製することにより、蛍光表示管としても用いることができる。   The field emission light-emitting device 1 can be used as an illumination device by connecting lead wires from the anode electrode 12 and the cathode electrode 22 to terminals, for example. Further, by producing an electron emission array, it can be used as a fluorescent display tube.

(第2の実施の形態)
上記第1の実施の形態においては、アモルファスカーボンロッド104を電子ビーム励起化学気相堆積法により形成したが、この発明はこれに限定されず、所定サイズで略均一な密度のアモルファスカーボンロッドを形成できるならば、その形成手法自体は、任意である。以下、アモルファスカーボンロッドの形成をパターニングにより行う製造方法である第2の実施の形態について、図5を参照して説明する。アモルファスカーボンロッド205の形成工程を除く工程は第1の実施の形態と同様である。
(Second Embodiment)
In the first embodiment, the amorphous carbon rod 104 is formed by the electron beam excitation chemical vapor deposition method. However, the present invention is not limited to this, and an amorphous carbon rod having a predetermined size and a substantially uniform density is formed. If possible, the formation method itself is arbitrary. Hereinafter, a second embodiment, which is a manufacturing method for forming an amorphous carbon rod by patterning, will be described with reference to FIG. The steps other than the step of forming the amorphous carbon rod 205 are the same as those in the first embodiment.

まず、図5(a)に示すように、基板21上にカソード電極22を形成する。カソード電極22上に、触媒となる金属を含む金属ポルフィリンなどの溶液を塗布し、図5(b)に示すように、触媒含有膜201を形成する。次に、通常の化学気相堆積法等で、図5(c)に示すように、アモルファスカーボンの厚膜(カーボン層)202を作製する。   First, as shown in FIG. 5A, the cathode electrode 22 is formed on the substrate 21. On the cathode electrode 22, a solution such as metal porphyrin containing a metal serving as a catalyst is applied to form a catalyst-containing film 201 as shown in FIG. Next, as shown in FIG. 5C, a thick amorphous carbon film (carbon layer) 202 is formed by an ordinary chemical vapor deposition method or the like.

次に、図5(d)〜(f)に示すように、アモルファスカーボンの厚膜202上にレジスト203を塗布し、レジスト203をパターニングする。パターン化されたレジスト204をマスクとしてエッチングを行い、アモルファスカーボンロッド205を作製する。   Next, as shown in FIGS. 5D to 5F, a resist 203 is applied on the amorphous carbon thick film 202, and the resist 203 is patterned. Etching is performed using the patterned resist 204 as a mask to produce an amorphous carbon rod 205.

その後、図5(g)および(h)に示すように、第1の実施の形態と同様に加熱等を行うことにより、カーボンナノチューブ207を形成する。この方法により、アモルファスカーボンロッド205の形成にかかる時間を短縮することができる。   Thereafter, as shown in FIGS. 5G and 5H, the carbon nanotubes 207 are formed by performing heating or the like as in the first embodiment. By this method, the time required for forming the amorphous carbon rod 205 can be shortened.

以上本発明の第1および第2の実施の形態を説明したが、本発明は上記の実施の形態に限られず、様々な変形および応用が可能である。   Although the first and second embodiments of the present invention have been described above, the present invention is not limited to the above-described embodiments, and various modifications and applications are possible.

例えば、第1および第2の実施の形態では、ガラス基板21とエミッタ23との間にカソード電極22を備える電子放出素子について説明したが、導通がとれればカソード電極22を備えなくてもよい。   For example, in the first and second embodiments, the electron-emitting device including the cathode electrode 22 between the glass substrate 21 and the emitter 23 has been described. However, the cathode electrode 22 may not be provided as long as conduction is obtained.

また、第1および第2の実施の形態では、触媒物質を含む溶液をカソード電極22上に塗布して触媒含有膜102,201を形成したが、集束イオンビーム励起化学気相堆積法や電子ビーム励起化学気相堆積法などにより、触媒含有膜102,201を形成してもよい。   In the first and second embodiments, a solution containing a catalyst substance is applied onto the cathode electrode 22 to form the catalyst-containing films 102 and 201. However, a focused ion beam excited chemical vapor deposition method or an electron beam is used. The catalyst-containing films 102 and 201 may be formed by an excited chemical vapor deposition method or the like.

また、第1および第2の実施の形態では、触媒含有膜102,201を形成した後に、加熱により触媒粒子105,206を析出させたが、あらかじめ作製した触媒粒子105,206を溶剤に分散させて、カソード電極22上に塗布することも可能である。なお、触媒粒子105,206は、例えば、化学気相析出法、析出沈殿法、および集束イオンビーム励起化学気相堆積法などにより作製することができる。   In the first and second embodiments, after the catalyst-containing films 102 and 201 are formed, the catalyst particles 105 and 206 are deposited by heating. However, the catalyst particles 105 and 206 prepared in advance are dispersed in a solvent. It is also possible to apply on the cathode electrode 22. The catalyst particles 105 and 206 can be produced by, for example, a chemical vapor deposition method, a precipitation method, a focused ion beam excited chemical vapor deposition method, or the like.

また、第1および第2の実施の形態では、カーボンナノチューブ101,207の原型となる炭素構造体の炭素材料として、アモルファスカーボンを例示したが、上述の触媒粒子105,206を用いた固相反応によってカーボンナノチューブ化される炭素材料であればよく、これに限定されない。また、カーボンナノチューブ化する炭素構造体の形状は、断面円形のロッドに限定されず、例えば、円錐形、多角柱、角錐、板状などでもよい。   In the first and second embodiments, amorphous carbon is exemplified as the carbon material of the carbon structure that is the prototype of the carbon nanotubes 101 and 207. However, the solid phase reaction using the catalyst particles 105 and 206 described above is exemplified. Any carbon material can be used as long as it is converted into carbon nanotubes by the method, and the present invention is not limited to this. Further, the shape of the carbon structure to be converted into a carbon nanotube is not limited to a rod having a circular cross section, and may be, for example, a conical shape, a polygonal column, a pyramid, or a plate shape.

また、第1および第2の実施の形態では、電界放出発光素子1は、平面発光する光源を想定しているが、図6に示すように、カソード電極22およびエミッタ23をマトリクス状に配置し、それらと対向する位置にR,G,B各三原色に発光する蛍光層13R,13G,13Bを配置し、各カソード電極22を個別に駆動することにより、カラー画像を表示する電界放出ディスプレイ(FED:Field Emission Display)2を構成することも可能である。   In the first and second embodiments, the field emission light-emitting device 1 is assumed to be a light source that emits flat light. However, as shown in FIG. 6, cathode electrodes 22 and emitters 23 are arranged in a matrix. The fluorescent layers 13R, 13G, and 13B that emit light in the three primary colors R, G, and B are disposed at positions facing them, and the cathode electrodes 22 are individually driven to display a color image (FED). : Field Emission Display) 2 can also be configured.

また、第1および第2の実施の形態においては、平面光源について記載しているが、電界放出発光素子1は立体的な構造であってもよく、平面に限られたものではない。   In the first and second embodiments, a planar light source is described. However, the field emission light-emitting element 1 may have a three-dimensional structure and is not limited to a planar surface.

1 電界放出発光素子(平面発光素子)
2 電界放出ディスプレイ
10 アノード基板
11、21 基板
12 アノード電極
13、13R、13G、13B 蛍光体層
20 カソード基板
22 カソード電極
23 エミッタ
30 スペーサ
40 電源
101、207 カーボンナノチューブ
102、201 触媒含有膜
103 炭化水素吸着層
104、205 アモルファスカーボンロッド(炭素構造体)
105、206 触媒粒子
202 アモルファスカーボンの厚膜(カーボン層)
203 レジスト
204 パターン化されたレジスト
1. Field emission light emitting device (planar light emitting device)
2 Field Emission Display 10 Anode Substrate 11, 21 Substrate 12 Anode Electrode 13, 13R, 13G, 13B Phosphor Layer 20 Cathode Substrate 22 Cathode Electrode 23 Emitter 30 Spacer 40 Power Supply 101, 207 Carbon Nanotube 102, 201 Catalyst-Containing Film 103 Hydrocarbon Adsorption layer 104, 205 Amorphous carbon rod (carbon structure)
105, 206 Catalyst particles 202 Amorphous carbon thick film (carbon layer)
203 resist 204 patterned resist

Claims (12)

カーボンナノチューブで構成されたエミッタから電子を放出する電子放出素子の製造方法であって、
基板上に、カーボンナノチューブ化を促進する触媒を含む触媒含有膜を形成する工程と、
前記触媒含有膜の上に、略垂直に配向した炭素構造体を形成する工程と、
前記触媒含有膜中の前記触媒を、前記炭素構造体内で移動させて、カーボンナノチューブ化することにより、前記基板に対し略垂直に配向した前記カーボンナノチューブから構成された前記エミッタを形成するカーボンナノチューブ化工程と、
を備える、ことを特徴とする電子放出素子の製造方法。
A method of manufacturing an electron-emitting device that emits electrons from an emitter composed of carbon nanotubes,
Forming a catalyst-containing film containing a catalyst for promoting carbon nanotube formation on a substrate;
Forming a substantially vertically oriented carbon structure on the catalyst-containing film;
The catalyst in the catalyst-containing film is moved into the carbon structure to form a carbon nanotube, thereby forming the emitter composed of the carbon nanotubes oriented substantially perpendicular to the substrate. Process,
A method for manufacturing an electron-emitting device, comprising:
前記カーボンナノチューブ化工程は、
前記基板を加熱することによって、前記触媒を、前記炭素構造体内で移動させる、ことを特徴とする請求項1に記載の電子放出素子の製造方法。
The carbon nanotube conversion step includes
The method for manufacturing an electron-emitting device according to claim 1, wherein the catalyst is moved in the carbon structure by heating the substrate.
前記カーボンナノチューブ化工程は、
前記触媒が前記炭素構造体の基部から先端に達するように所定の時間継続して、前記基板を加熱する、ことを特徴とする請求項2に記載の電子放出素子の製造方法。
The carbon nanotube conversion step includes
3. The method of manufacturing an electron-emitting device according to claim 2, wherein the substrate is heated for a predetermined time so that the catalyst reaches the tip from the base of the carbon structure.
前記カーボンナノチューブ化工程は、
前記基板を第一の温度で加熱することによって、前記触媒含有膜に含まれる前記触媒を析出させて、触媒粒子を形成する工程と、
前記基板を第二の温度で加熱することによって、前記触媒粒子を、前記炭素構造体内で移動させる工程と、
を備える、ことを特徴とする請求項1乃至3のいずれか1項に記載の電子放出素子の製造方法。
The carbon nanotube conversion step includes
Heating the substrate at a first temperature to deposit the catalyst contained in the catalyst-containing film to form catalyst particles;
Moving the catalyst particles within the carbon structure by heating the substrate at a second temperature;
The method of manufacturing an electron-emitting device according to any one of claims 1 to 3, further comprising:
前記炭素構造体を形成する工程は、
前記触媒含有膜に、炭化水素化合物を吸着させて、炭化水素吸着層を形成する工程と、
前記炭化水素吸着層に電子ビームを照射して、前記炭素構造体を形成する工程と、
を備える、ことを特徴とする請求項1乃至4のいずれか1項に記載の電子放出素子の製造方法。
The step of forming the carbon structure includes
Adsorbing a hydrocarbon compound on the catalyst-containing film to form a hydrocarbon adsorption layer;
Irradiating the hydrocarbon adsorption layer with an electron beam to form the carbon structure;
5. The method of manufacturing an electron-emitting device according to claim 1, comprising:
前記炭素構造体を形成する工程は、
前記触媒含有膜の上に、カーボン層を形成する工程と、
前記カーボン層をパターニングして、前記炭素構造体を形成する工程と、
を備える、ことを特徴とする請求項1乃至4のいずれか1項に記載の電子放出素子の製造方法。
The step of forming the carbon structure includes
Forming a carbon layer on the catalyst-containing film;
Patterning the carbon layer to form the carbon structure;
5. The method of manufacturing an electron-emitting device according to claim 1, comprising:
前記炭素構造体がアモルファスカーボンロッドである、ことを特徴とする請求項1乃至6のいずれか1項に記載の電子放出素子の製造方法。   The method for manufacturing an electron-emitting device according to any one of claims 1 to 6, wherein the carbon structure is an amorphous carbon rod. 前記触媒粒子の直径が前記炭素構造体の直径の0.5倍〜3倍である、ことを特徴とする請求項1乃至7のいずれか1項に記載の電子放出素子の製造方法。   8. The method of manufacturing an electron-emitting device according to claim 1, wherein a diameter of the catalyst particle is 0.5 to 3 times a diameter of the carbon structure. 9. 前記炭素構造体を形成する工程は、所定ピッチで複数の前記炭素構造体を形成し、
前記カーボンナノチューブ化工程は、前記複数の炭素構造体の各々をカーボンナノチューブ化する、
ことを特徴とする請求項1乃至8のいずれか1項に記載の電子放出素子の製造方法。
The step of forming the carbon structure forms a plurality of the carbon structures at a predetermined pitch,
The carbon nanotube forming step converts each of the plurality of carbon structures into carbon nanotubes.
The method for manufacturing an electron-emitting device according to claim 1, wherein:
前記触媒含有膜を形成する工程の前に、前記基板上に導電層を形成する工程を備える、ことを特徴とする請求項1乃至9のいずれか1項に記載の電子放出素子の製造方法。   The method for manufacturing an electron-emitting device according to any one of claims 1 to 9, further comprising a step of forming a conductive layer on the substrate before the step of forming the catalyst-containing film. 請求項1乃至10のいずれか1項に記載の電子放出素子の製造方法により製造された前記電子放出素子に対向して蛍光体層を配置する工程と、
前記蛍光体層を挟んで前記電子放出素子に対向するアノード電極を配置する工程と、
を備える、ことを特徴とする平面発光素子の形成方法。
A step of disposing a phosphor layer facing the electron-emitting device manufactured by the method of manufacturing an electron-emitting device according to claim 1;
Disposing an anode electrode facing the electron-emitting device across the phosphor layer;
A method for forming a planar light emitting element, comprising:
請求項1乃至10のいずれか1項に記載の電子放出素子の製造方法により製造された前記電子放出素子を備える照明装置。   An illumination device comprising the electron-emitting device manufactured by the method for manufacturing an electron-emitting device according to any one of claims 1 to 10.
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