JP2010260982A - Joining method and joined body - Google Patents
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Abstract
Description
本発明は、接合方法および接合体に関するものである。 The present invention relates to a joining method and a joined body.
各種の材料で構成される基材同士を接合する場合に、一方の基材の接合すべき接合面に紫外線を照射することにより、2つの基材を接合する方法が開示されている(例えば、特許文献1〜3参照。)。
ところが、これらの方法では、I:紫外線照射に1分〜数十分を要する、II:紫外線照射を短時間で行った場合、2つの基材を圧着するのに数十分以上を要する、III:場合によっては、2つの基材を加圧しながら、紫外線を照射することを要する等の問題がある。
すなわち、これらの方法を用いた場合、2つの基材同士を接合するのに、長時間を要したり、その操作が煩雑になるという問題がある。
In the case of joining base materials composed of various materials, a method of joining two base materials by irradiating ultraviolet rays to a joint surface to be joined of one base material is disclosed (for example, (See
However, in these methods, I: It takes 1 minute to several tens of minutes for ultraviolet irradiation, II: When ultraviolet irradiation is performed in a short time, it takes several tens of minutes or more to press-bond two substrates, III : In some cases, there is a problem that it is necessary to irradiate ultraviolet rays while pressing two substrates.
That is, when these methods are used, there is a problem that it takes a long time to join two substrates together, and the operation becomes complicated.
かかる問題点について、本発明者は、検討を行った結果、基材の接合すべき接合面に紫外線を照射するのに代えて、前記接合面にプラズマを接触させることにより、前記問題点I〜IIIを解消し得ること、すなわち、2つの基材を加圧することなく、短時間で前記基材同士を確実に接合し得ることが判った。
このように、接合面に対する紫外線の照射に代えてプラズマの接触を選択することにより、前記問題点I〜IIIを解消し得るものの、接合面にプラズマを接触させる方法として、互いに対向する電極間に基材を配置し、この電極間に電圧を印加した状態で、これらの間にガスを導入することによりプラズマ化させ、このプラズマ化されたガスを前記電極間に配置された基材に直接接触させる方法を用いた場合には、以下のような問題が生じることが判った。
As a result of the investigation, the present inventor, instead of irradiating ultraviolet rays to the bonding surfaces to be bonded to each other, brings plasma into contact with the bonding surfaces. It has been found that III can be eliminated, that is, the substrates can be reliably bonded in a short time without pressurizing the two substrates.
As described above, although the problems I to III can be solved by selecting the plasma contact instead of the ultraviolet irradiation to the bonding surface, as a method of bringing the plasma into contact with the bonding surface, between the electrodes facing each other. A substrate is placed, and with a voltage applied between the electrodes, a gas is introduced between them to generate plasma, and the plasmad gas directly contacts the substrate placed between the electrodes. It has been found that the following problems occur when the method is used.
すなわち、互いに対向する電極間に基材を配置した状態で、この電極間に電圧を印加してガスを導入すると、前記基材には、プラズマ化されたガスばかりでなく、前記電圧間で生じた荷電粒子をも接触することとなる。そのため、荷電粒子が接触した基材が電荷を帯び、これに起因して、選択した基材の種類によっては、基材の変質・劣化をまねくという問題がある。 That is, when a base material is disposed between electrodes facing each other and a gas is introduced by applying a voltage between the electrodes, the base material generates not only the plasma gas but also the voltage. The charged particles will also come into contact. For this reason, there is a problem in that the base material with which the charged particles are contacted is charged, resulting in alteration and deterioration of the base material depending on the type of base material selected.
さらに、接合すべき基材の形状が凹凸面を有する構造体であり、この凹凸面が接合面を構成する場合では、この凹凸面に対して、均一にプラズマを接触させることができないため、接合面に発現する接着性にバラツキが生じる。
そこで、本発明の目的は、選択した基材の種類および形状によらず、2つの基材同士を、短時間かつ低コストで接合し得る接合方法、および、かかる接合方法により接合された接合体を提供することにある。
Furthermore, when the shape of the base material to be bonded is a structure having an uneven surface, and this uneven surface constitutes the bonded surface, the uneven surface cannot be contacted with plasma uniformly. Variation in the adhesiveness developed on the surface occurs.
Accordingly, an object of the present invention is to provide a bonding method capable of bonding two substrates to each other in a short time and at a low cost regardless of the type and shape of the selected substrate, and a bonded body bonded by the bonding method. Is to provide.
このような目的は、下記の本発明により達成される。
本発明の接合方法は、接合膜を介して互いに接合すべき第1の基材と第2の基材とを用意する工程と、
前記第1の基材および前記第2の基材の少なくとも一方に、シリコーン材料を含有する液状材料を供給することにより液状被膜を形成する工程と、
前記液状被膜を乾燥して、前記第1の基材および前記第2の基材の少なくとも一方に、接合膜を得る工程と、
互いに対向する電極間に電圧を印加した状態で、これら電極間にガスを導入してプラズマ化させた後、このプラズマ化されたガスを前記接合膜に供給することにより、前記プラズマを前記接合膜に接触させて、前記接合膜の表面付近に接着性を発現させる工程と、
当該接着性が発現した接合膜を介して前記第1の基材と前記第2の基材とを接触させ、前記第1の基材と前記第2の基材とが前記接合膜を介して接合された接合体を得る工程とを有することを特徴とする。
これにより、選択した基材の種類および形状によらず、2つの基材同士を、短時間かつ低コストで接合することができる。
Such an object is achieved by the present invention described below.
The bonding method of the present invention includes a step of preparing a first substrate and a second substrate to be bonded to each other via a bonding film;
Forming a liquid film by supplying a liquid material containing a silicone material to at least one of the first substrate and the second substrate;
Drying the liquid film to obtain a bonding film on at least one of the first substrate and the second substrate;
In a state where a voltage is applied between the electrodes facing each other, a gas is introduced between these electrodes to form plasma, and then the plasmaized gas is supplied to the bonding film, whereby the plasma is supplied to the bonding film. The step of bringing the adhesive film into contact with the surface of the bonding film,
The first base material and the second base material are brought into contact with each other through the bonding film expressing the adhesiveness, and the first base material and the second base material are interposed through the bonding film. And a step of obtaining a joined joined body.
Thereby, two base materials can be joined in a short time and at low cost irrespective of the kind and shape of the selected base material.
本発明の接合方法では、前記第1の基材の接合面と前記第2の基材の接合面とは、ともに凹凸面で構成され、これら凹凸面同士が互いに対応する形状をなしていることが好ましい。
本発明によれば、かかる構成の接合面で構成される第1の基材と第2の基材であっても、これら基材同士を、接合膜を介して確実に接合することができる。
In the bonding method of the present invention, the bonding surface of the first base material and the bonding surface of the second base material are both constituted by uneven surfaces, and the uneven surfaces have shapes corresponding to each other. Is preferred.
According to this invention, even if it is the 1st base material and 2nd base material which are comprised by the joining surface of this structure, these base materials can be reliably joined through a joining film | membrane.
本発明の接合方法では、前記接合膜が形成される前記第1の基材および前記第2の基材のうちの少なくとも一方は、母材上にシリコン酸・窒化物を主材料として構成される薄膜を備えるものであることが好ましい。
これらの基材は、電荷を帯びることに起因して変質・劣化してしまうものであるが、本発明によれば、荷電粒子を接合膜に接触させることなく接合膜に接着性を発現させることができるので、基材が電荷を帯びることに起因する基材の変質・劣化を確実に防止することができる。
In the bonding method of the present invention, at least one of the first base material and the second base material on which the bonding film is formed is composed of silicon oxynitride as a main material on a base material. It is preferable to have a thin film.
These base materials are deteriorated and deteriorated due to being charged, but according to the present invention, the bonding film can be made to exhibit adhesiveness without contacting the charged particles with the bonding film. Therefore, it is possible to reliably prevent the deterioration and deterioration of the base material due to the base material being charged.
本発明の接合方法では、前記プラズマ化されたガスを、プラズマの通過を許容するフィルタを通過させた後に、前記接合面に接触させることが好ましい。
これにより、接合膜の表面における異物による汚染を確実に防止することができるので、接合膜の表面により均一に接着性を発現させることができる。
本発明の接合方法では、前記プラズマの接触を、大気圧下で行うことが好ましい。
大気圧下で行われるプラズマの接触、すなわち、大気圧プラズマ処理によれば、接合膜の周囲が減圧状態とならないので、プラズマの作用により、例えば、接合膜を構成するシリコーン材料が含んでいるポリジメチルシロキサン骨格が備えるメチル基を切断、除去して、接合膜の表面付近に接着性を発現させる際に、この切断が不要に進行するのを防止することができる。
In the bonding method of the present invention, it is preferable that the plasmad gas is brought into contact with the bonding surface after passing through a filter that allows passage of plasma.
Thereby, since the contamination by the foreign material on the surface of the bonding film can be surely prevented, the adhesiveness can be expressed more uniformly on the surface of the bonding film.
In the bonding method of the present invention, the plasma contact is preferably performed under atmospheric pressure.
According to plasma contact performed under atmospheric pressure, that is, atmospheric pressure plasma treatment, the periphery of the bonding film is not in a reduced pressure state. Therefore, the plasma action causes, for example, a polycrystal containing a silicone material constituting the bonding film. When cutting and removing the methyl group included in the dimethylsiloxane skeleton to develop adhesiveness in the vicinity of the surface of the bonding film, it is possible to prevent this cutting from proceeding unnecessarily.
本発明の接合方法では、前記シリコーン材料は、その主骨格がポリジメチルシロキサンで構成され、この主骨格が分枝状をなしていることが好ましい。
これにより、シリコーン材料の分枝鎖同士が互いに絡まり合うようにして接合膜が形成されることから、得られる接合膜は特に膜強度に優れたものとなる。
本発明の接合方法では、前記シリコーン材料は、シラノール基を複数個有することが好ましい。
これにより、シリコーン材料が有する水酸基とポリエステル樹脂が有する水酸基とを確実に結合させることができ、シリコーン材料とポリエステル樹脂とが脱水縮合反応することにより得られるポリエステル変性シリコーン材料を確実に合成することができる。
さらに、液状被膜を乾燥させて接合膜を得る際に、隣接するシリコーン材料が有するシラノール基に含まれる水酸基同士が結合することとなり、得られる接合膜の膜強度が優れたものとなる。
In the bonding method of the present invention, the silicone material preferably has a main skeleton composed of polydimethylsiloxane, and the main skeleton is branched.
As a result, the bonding film is formed such that the branched chains of the silicone material are entangled with each other, so that the obtained bonding film has particularly excellent film strength.
In the bonding method of the present invention, the silicone material preferably has a plurality of silanol groups.
As a result, the hydroxyl group of the silicone material and the hydroxyl group of the polyester resin can be reliably bonded, and the polyester-modified silicone material obtained by the dehydration condensation reaction between the silicone material and the polyester resin can be reliably synthesized. it can.
Furthermore, when the liquid film is dried to obtain a bonding film, the hydroxyl groups contained in the silanol groups of the adjacent silicone material are bonded to each other, and the film strength of the obtained bonding film is excellent.
本発明の接合方法では、前記シリコーン材料は、ポリエステル樹脂と脱水縮合反応させることにより得られたポリエステル変性シリコーン材料であることが好ましい。
これにより、接合膜をより膜強度に優れたものとすることができる。
本発明の接合方法では、ポリエステル樹脂は、飽和多塩基酸と多価アルコールとのエステル化反応により得られるものであることが好ましい。
In the bonding method of the present invention, the silicone material is preferably a polyester-modified silicone material obtained by a dehydration condensation reaction with a polyester resin.
Thereby, the bonding film can be made more excellent in film strength.
In the joining method of the present invention, the polyester resin is preferably obtained by an esterification reaction of a saturated polybasic acid and a polyhydric alcohol.
本発明の接合方法では、前記接合膜の平均厚さは、10〜10000nmであることが好ましい。
これにより、第1の基材と第2の基材とを接合した接合体の寸法精度が著しく低下するのを防止しつつ、これらをより強固に接合することができる。
本発明の接合方法では、前記第1の基材および前記第2の基材の少なくとも前記接合膜と接触する部分は、シリコン材料、金属材料またはガラス材料を主材料として構成されていることが好ましい。
これにより、表面処理を施さなくても、十分な接合強度が得られる。
In the bonding method of the present invention, the average thickness of the bonding film is preferably 10 to 10,000 nm.
Thereby, these can be joined more firmly, preventing that the dimensional accuracy of the joined body which joined the 1st base material and the 2nd base material falls remarkably.
In the bonding method of the present invention, it is preferable that at least a portion of the first base material and the second base material that is in contact with the bonding film is composed mainly of a silicon material, a metal material, or a glass material. .
Thereby, sufficient bonding strength can be obtained without surface treatment.
本発明の接合方法では、前記第1の基材および前記第2の基材の前記接合膜と接触する面には、あらかじめ、前記接合膜との密着性を高める表面処理が施されていることが好ましい。
これにより、基材の接合面が清浄化および活性化され、接合面に対して接合膜が化学的に作用し易くなる。その結果、基材の接合面と接合膜との接合強度を高めることができる。
In the bonding method of the present invention, the surface of the first base material and the second base material that are in contact with the bonding film is previously subjected to a surface treatment for improving the adhesion with the bonding film. Is preferred.
Thereby, the bonding surface of the base material is cleaned and activated, and the bonding film easily acts chemically on the bonding surface. As a result, the bonding strength between the bonding surface of the base material and the bonding film can be increased.
本発明の接合方法では、前記表面処理は、プラズマ処理または紫外線照射処理であることが好ましい。
これにより、接合膜を形成するために、基材の表面を特に最適化することができる。
本発明の接合体は、本発明の接合方法により、前記第1の基材と前記第2の基材とを、前記接合膜を介して接合してなることを特徴とする。
これにより、信頼性の高い接合体が得られる。
In the bonding method of the present invention, the surface treatment is preferably plasma treatment or ultraviolet irradiation treatment.
Thereby, in order to form a joining film | membrane, the surface of a base material can be optimized especially.
The joined body of the present invention is characterized in that the first base material and the second base material are joined through the joining film by the joining method of the present invention.
Thereby, a highly reliable joined body is obtained.
以下、本発明の接合方法および接合体を、添付図面に示す好適実施形態に基づいて詳細に説明する。
<接合方法>
本発明の接合方法は、[1]接合膜3を介して互いに接合すべき第1の基材21と第2の基材22とを用意する工程と、[2]第1の基材21および第2の基材22の少なくとも一方に、シリコーン材料を含有する液状材料を供給することにより液状被膜30を形成する工程と、[3]液状被膜30を乾燥して、第1の基材21および第2の基材22の少なくとも一方に、接合膜3を得る工程と、[4]互いに対向する電極間に電圧を印加した状態で、これら電極間にガスを導入してプラズマ化させた後、このプラズマ化されたガスを接合膜3に供給することにより、接合膜3にプラズマを接触させて、接合膜3の表面付近に接着性を発現させる工程と、[5]接着性が発現した接合膜3を介して第1の基材21と第2の基材22とを接触させ、第1の基材21と第2の基材22とが接合膜3を介して接合された接合体1を得る工程とを有する。
Hereinafter, a joining method and a joined object of the present invention are explained in detail based on a suitable embodiment shown in an accompanying drawing.
<Join method>
The bonding method of the present invention includes [1] a step of preparing a
以下、この本発明の接合方法の第1実施形態を、工程ごとに詳述する。
<<第1実施形態>>
図1および図2は、本発明の接合方法の第1実施形態を説明するための図(縦断面図)である。なお、以下の説明では、図1および図2中の上側を「上」、下側を「下」と言う。
[1]まず、図1(a)に示すように、第1の基材21と第2の基材22とを用意する。なお、図1(a)では、第2の基材22を省略している。
Hereinafter, this 1st Embodiment of the joining method of this invention is explained in full detail for every process.
<< First Embodiment >>
1 and 2 are views (longitudinal sectional views) for explaining a first embodiment of the joining method of the present invention. In the following description, the upper side in FIGS. 1 and 2 is referred to as “upper” and the lower side is referred to as “lower”.
[1] First, as shown in FIG. 1A, a
本実施形態では、第1の基材21および第2の基材22は、ともに平板状をなしており、接合膜3を介して、互いに接合される接合面23、24は、ともに平坦面で構成される。
このような第1の基材21および第2の基材22の各構成材料は、それぞれ特に限定されないが、ポリエチレン、ポリプロピレン、エチレン−プロピレン共重合体、エチレン−アクリル酸エステル共重合体、エチレン−アクリル酸共重合体、ポリブテン−1、エチレン−酢酸ビニル共重合体(EVA)等のポリオレフィン、環状ポリオレフィン、変性ポリオレフィン、ポリ塩化ビニル、ポリ塩化ビニリデン、ポリスチレン、ポリアミド、ポリイミド、ポリアミドイミド、ポリカーボネート、ポリ−(4−メチルペンテン−1)、アイオノマー、アクリル系樹脂、ポリメチルメタクリレート(PMMA)、アクリロニトリル−ブタジエン−スチレン共重合体(ABS樹脂)、アクリロニトリル−スチレン共重合体(AS樹脂)、ブタジエン−スチレン共重合体、ポリオキシメチレン、ポリビニルアルコール(PVA)、エチレン−ビニルアルコール共重合体(EVOH)、ポリエチレンテレフタレート(PET)、ポリエチレンナフタレート、ポリブチレンテレフタレート(PBT)、ポリシクロヘキサンテレフタレート(PCT)等のポリエステル、ポリエーテル、ポリエーテルケトン(PEK)、ポリエーテルエーテルケトン(PEEK)、ポリエーテルイミド、ポリアセタール(POM)、ポリフェニレンオキシド、変性ポリフェニレンオキシド、ポリサルフォン、ポリエーテルサルフォン、ポリフェニレンサルファイド、ポリアリレート、芳香族ポリエステル(液晶ポリマー)、ポリテトラフルオロエチレン、ポリフッ化ビニリデン、その他フッ素系樹脂、スチレン系、ポリオレフィン系、ポリ塩化ビニル系、ポリウレタン系、ポリエステル系、ポリアミド系、ポリブタジエン系、トランスポリイソプレン系、フッ素ゴム系、塩素化ポリエチレン系等の各種熱可塑性エラストマー、エポキシ樹脂、フェノール樹脂、ユリア樹脂、メラミン樹脂、アラミド系樹脂、不飽和ポリエステル、シリコーン樹脂、ポリウレタン等、またはこれらを主とする共重合体、ブレンド体、ポリマーアロイ等の樹脂系材料、Fe、Ni、Co、Cr、Mn、Zn、Pt、Au、Ag、Cu、Pd、Al、W、Ti、V、Mo、Nb、Zr、Pr、Nd、Smのような金属、またはこれらの金属を含む合金、炭素鋼、ステンレス鋼、インジウム錫酸化物(ITO)、ガリウムヒ素のような金属系材料、単結晶シリコン、多結晶シリコン、非晶質シリコンのようなシリコン系材料、ケイ酸ガラス(石英ガラス)、ケイ酸アルカリガラス、ソーダ石灰ガラス、カリ石灰ガラス、鉛(アルカリ)ガラス、バリウムガラス、ホウケイ酸ガラスのようなガラス系材料、アルミナ、ジルコニア、MgAl2O4、フェライト、酸化ケイ素、酸窒化ケイ素、窒化ケイ素、窒化アルミニウム、窒化ホウ素、窒化チタン、炭化ケイ素、炭化ホウ素、炭化チタン、炭化タングステンのようなセラミックス系材料、グラファイトのような炭素系材料、またはこれらの各材料の1種または2種以上を組み合わせた複合材料等が挙げられる。
In the present embodiment, both the
Each constituent material of the
本発明の接合方法は、これらの中でも、第1の基材21および第2の基材22の少なくとも一方として、電荷を帯びることに起因して変質・劣化してしまうものを選択した際に、より好適に適用される。本発明の接合方法によれば、かかる構成の基材を基材21、22として選択したとしても、後工程[4]において詳述するように、荷電粒子を接合膜3に接触させることなく接合膜3に接着性を発現させることができるので、基材21、22が電荷を帯びることに起因する基材21、22の変質・劣化を確実に防止することができる。
In the bonding method of the present invention, among these, when at least one of the
具体的には、電荷を帯びることに起因して変質・劣化が生じる基材としては、例えば、母材上にSiO2、SiON、SiNのようなシリコン酸・窒化物を主材料として構成される薄膜を備えるものが挙げられる。なお、このような薄膜は、より具体的には、薄膜トランジスタやピエゾ素子が備える、SiO2、SiON、SiN等で構成されるゲート絶縁膜に適用される。そして、このゲート絶縁膜が電荷を帯びると、薄膜トランジスタまたはピエゾ素子の使用時における絶縁破壊が容易に生じる傾向を示す。 Specifically, as a base material that is altered or deteriorated due to being charged, for example, a silicon oxide / nitride such as SiO 2 , SiON, or SiN is mainly used on a base material. The thing provided with a thin film is mentioned. More specifically, such a thin film is applied to a gate insulating film made of SiO 2 , SiON, SiN, or the like included in a thin film transistor or a piezoelectric element. When the gate insulating film is charged, the dielectric breakdown tends to easily occur when the thin film transistor or the piezoelectric element is used.
なお、第1の基材21の構成材料と第2の基材22の構成材料とは、それぞれ同じでも、異なっていてもよい。
第1の基材21および第2の基材22は、それぞれ、その表面に、Niめっきのようなめっき処理、クロメート処理のような不働態化処理、または窒化処理等を施したものであってもよい。
The constituent material of the
Each of the
また、第1の基材21の熱膨張率と第2の基材22の熱膨張率は、ほぼ等しいのが好ましい。これらの熱膨張率がほぼ等しければ、第1の基材21と第2の基材22とを接合した際に、その接合界面に熱膨張に伴う応力が発生し難くなる。その結果、最終的に得られる接合体1において、剥離を確実に防止することができる。
なお、後に詳述するが、第1の基材21の熱膨張率と第2の基材22の熱膨張率が互いに異なる場合でも、後述する工程において、第1の基材21と第2の基材22とを接合する際の条件を最適化することにより、これらを高い寸法精度で強固に接合することができる。
Moreover, it is preferable that the thermal expansion coefficient of the
In addition, although it explains in full detail later, even when the thermal expansion coefficient of the
また、2つの基材21、22は、互いに剛性が異なるのが好ましい。これにより、2つの基材21、22をより強固に接合することができる。
また、2つの基材21、22のうち、少なくとも一方の構成材料は、樹脂材料であるのが好ましい。樹脂材料は、その柔軟性により、2つの基材21、22を接合した際に、その接合界面に発生する応力(例えば、熱膨張に伴う応力等)を緩和することができる。このため、接合界面が破壊し難くなり、結果的に、2つの基材21、22が高い接合強度で接合された接合体1を得ることができる。
Moreover, it is preferable that the two
Moreover, it is preferable that at least one constituent material of the two
なお、上記のような観点から、2つの基材21、22のうちの少なくとも一方は、可撓性を有しているのが好ましい。これにより、接合膜3を介した2つの基材21、22の接合強度のさらなる向上を図ることができる。さらに、2つの基材21、22の双方が可撓性を有している場合には、全体として可撓性を有し、機能性の高い接合体1が得られる。
また、各基材21、22の形状は、それぞれ、接合膜3を支持する面を有するような形状であればよく、本実施形態のように平板状(層状)をなす場合の他、例えば、塊状(ブロック状)、棒状等とされる。
From the above viewpoint, it is preferable that at least one of the two
Moreover, the shape of each
次に、必要に応じて、第1の基材21の接合面23に形成される接合膜3との密着性を高める表面処理を施す。これにより、接合面23を清浄化および活性化され、接合面23に対して接合膜3が化学的に作用し易くなる。その結果、後述する工程において、接合面23上に接合膜3を形成したとき、接合面23と接合膜3との接合強度を高めることができる。
Next, if necessary, a surface treatment is performed to improve the adhesion with the
この表面処理としては、特に限定されないが、例えば、スパッタリング処理、ブラスト処理のような物理的表面処理、酸素プラズマ、窒素プラズマ等を用いたプラズマ処理、コロナ放電処理、エッチング処理、電子線照射処理、紫外線照射処理、オゾン暴露処理のような化学的表面処理、または、これらを組み合わせた処理等が挙げられる。
なお、表面処理を施す第1の基材21が、樹脂材料(高分子材料)で構成されている場合には、特に、コロナ放電処理、窒素プラズマ処理等が好適に用いられる。
This surface treatment is not particularly limited, for example, physical treatment such as sputtering treatment, blast treatment, plasma treatment using oxygen plasma, nitrogen plasma, corona discharge treatment, etching treatment, electron beam irradiation treatment, Examples thereof include a chemical surface treatment such as ultraviolet irradiation treatment, ozone exposure treatment, or a combination thereof.
In addition, when the
また、表面処理として、特にプラズマ処理または紫外線照射処理を行うことにより、接合面23を、より清浄化および活性化することができる。その結果、接合面23と接合膜3との接合強度を特に高めることができる。
また、第1の基材21の構成材料によっては、上記のような表面処理を施さなくても、接合膜3との接合強度が十分に高くなるものがある。このような効果が得られる第1の基材21の構成材料としては、例えば、前述したような各種金属系材料、各種シリコン系材料、各種ガラス系材料等を主材料とするものが挙げられる。
In addition, the
In addition, depending on the constituent material of the
このような材料で構成された第1の基材21は、その表面が酸化膜で覆われており、この酸化膜の表面には、水酸基が結合(露出)している。したがって、このような酸化膜で覆われた第1の基材21を用いることにより、上記のような表面処理を施さなくても、第1の基材21の接合面23と接合膜3との接合強度を高めることができる。
なお、この場合、第1の基材21の全体が上記のような材料で構成されていなくてもよく、少なくとも接合膜3を形成する接合面23付近が上記のような材料で構成されていればよい。
The surface of the
In this case, the entire
また、表面処理に代えて、第1の基材21の接合面23に、あらかじめ、中間層を形成しておいてもよい。
この中間層は、いかなる機能を有するものであってもよく、例えば、接合膜3との密着性を高める機能、クッション性(緩衝機能)、応力集中を緩和する機能等を有するものが好ましい。このような中間層上に接合膜3を成膜することにより、最終的に、信頼性の高い接合体1を得ることができる。
Instead of the surface treatment, an intermediate layer may be formed in advance on the
The intermediate layer may have any function. For example, a layer having a function of improving adhesion to the
かかる中間層の構成材料としては、例えば、アルミニウム、チタンのような金属系材料、金属酸化物、シリコン酸化物のような酸化物系材料、金属窒化物、シリコン窒化物のような窒化物系材料、グラファイト、ダイヤモンドライクカーボンのような炭素系材料、シランカップリング剤、チオール系化合物、金属アルコキシド、金属−ハロゲン化合物のような自己組織化膜材料、樹脂系接着剤、樹脂フィルム、樹脂コーティング材、各種ゴム材料、各種エラストマーのような樹脂系材料等が挙げられ、これらのうちの1種または2種以上を組み合わせて用いることができる。 Examples of the constituent material of the intermediate layer include metal materials such as aluminum and titanium, metal oxides, oxide materials such as silicon oxide, metal nitrides, and nitride materials such as silicon nitride. Carbon materials such as graphite and diamond-like carbon, silane coupling agents, thiol compounds, metal alkoxides, self-assembled film materials such as metal-halogen compounds, resin adhesives, resin films, resin coating materials, Various rubber materials, resin materials such as various elastomers, and the like can be used, and one or more of these can be used in combination.
また、これらの各材料で構成された中間層の中でも、酸化物系材料で構成された中間層によれば、第1の基材21と接合膜3との間の接合強度を特に高めることができる。
一方、第1の基材21と同様、第2の基材22の接合面24(後述する工程において、接合膜3と密着する面)にも、必要に応じて、あらかじめ接合膜3との密着性を高める表面処理を施してもよい。これにより、接合面24を清浄化および活性化する。その結果、後述する工程において、接合面24と接合膜3とを密着させ、これらを接合したとき、接合面24と接合膜3との接合強度を高めることができる。
Further, among the intermediate layers made of these materials, the intermediate layer made of an oxide-based material can particularly increase the bonding strength between the
On the other hand, as in the case of the
この表面処理としては、特に限定されないが、前述の第1の基材21の接合面23に対する表面処理と同様の処理を用いることができる。
また、第1の基材21の場合と同様に、第2の基材22の構成材料によっては、上記のような表面処理を施さなくても、接合膜3との密着性が十分に高くなるものがある。このような効果が得られる第2の基材22の構成材料としては、例えば、前述したような各種金属系材料、各種シリコン系材料、各種ガラス系材料等を主材料とするものが挙げられる。
Although it does not specifically limit as this surface treatment, The process similar to the surface treatment with respect to the
Further, as in the case of the
すなわち、このような材料で構成された第2の基材22は、その表面が酸化膜で覆われており、この酸化膜の表面には、水酸基が結合(露出)している。したがって、このような酸化膜で覆われた第2の基材22を用いることにより、上記のような表面処理を施さなくても、第2の基材22の接合面24と接合膜3との接合強度を高めることができる。
なお、この場合、第2の基材22の全体が上記のような材料で構成されていなくてもよく、少なくとも接合面24付近が上記のような材料で構成されていればよい。
That is, the surface of the
In this case, the entire
また、第2の基材22の接合面24に、以下の基や物質を有する場合には、上記のような表面処理を施さなくても、第2の基材22の接合面24と接合膜3との接合強度を十分に高くすることができる。
このような基や物質としては、例えば、水酸基、チオール基、カルボキシル基、アミノ基、ニトロ基、イミダゾール基のような各種官能基、各種ラジカル、開環分子または、2重結合、3重結合のような不飽和結合を有する脱離性中間体分子、F、Cl、Br、Iのようなハロゲン、過酸化物からなる群から選択される少なくとも1つの基や物質、または、これらの基が脱離することにより、終端化されていない原子が有する未結合手(ダングリングボンド)が挙げられる。
Further, when the
Examples of such groups and substances include various functional groups such as hydroxyl group, thiol group, carboxyl group, amino group, nitro group, and imidazole group, various radicals, ring-opening molecules, double bonds, and triple bonds. At least one group or substance selected from the group consisting of a leaving intermediate molecule having an unsaturated bond, a halogen such as F, Cl, Br, and I, a peroxide, or the group is desorbed. By separating, an unbonded hand (dangling bond) of an unterminated atom can be used.
このうち、脱離性中間体分子は、開環分子または不飽和結合を有する炭化水素分子であるのが好ましい。このような炭化水素分子は、開環分子および不飽和結合の顕著な反応性に基づき、接合膜3に対して強固に作用する。したがって、このような炭化水素分子を有する接合面24は、接合膜3に対して特に強固に接合可能なものとなる。
また、接合面24が有する官能基は、特に水酸基が好ましい。これにより、接合面24は、接合膜3に対して特に容易かつ強固に接合可能なものとなる。特に接合膜3の表面に水酸基が露出している場合には、水酸基同士間に生じる水素結合に基づいて、接合面24と接合膜3との間を短時間で強固に接合することができる。
Of these, the leaving intermediate molecule is preferably a ring-opening molecule or a hydrocarbon molecule having an unsaturated bond. Such hydrocarbon molecules act strongly on the
The functional group possessed by the
また、このような基や物質を有するように、接合面24に対して上述したような各種表面処理を適宜選択して行うことにより、接合膜3に対して強固に接合可能な第2の基材22が得られる。
このうち、第2の基材22の接合面24には、水酸基が存在しているのが好ましい。このような接合面24には、水酸基が露出した接合膜3との間に、水素結合に基づく大きな引力が生じる。これにより、最終的に、第1の基材21と第2の基材22とを特に強固に接合することができる。
In addition, by appropriately selecting and performing various surface treatments as described above on the
Among these, it is preferable that the
また、表面処理に代えて、第2の基材22の接合面24に、あらかじめ、表面層を形成しておいてもよい。
この表面層は、いかなる機能を有するものであってもよく、例えば、前記第1の基材21の場合と同様に、接合膜3との密着性を高める機能、クッション性(緩衝機能)、応力集中を緩和する機能等を有するものが好ましい。このような表面層を介して、第2の基材22と接合膜3とを接合することにより、最終的に、信頼性の高い接合体1を得ることができる。
かかる表面層の構成材料には、例えば、前記第1の基材21の接合面23に形成する中間層の構成材料と同様の材料を用いることができる。
なお、上記のような表面処理および表面層の形成は、必要に応じて行えばよく、特に高い接合強度を必要としない場合には、省略することができる。
Instead of the surface treatment, a surface layer may be formed in advance on the
This surface layer may have any function. For example, as in the case of the
As the constituent material of the surface layer, for example, the same material as the constituent material of the intermediate layer formed on the
The surface treatment and the formation of the surface layer as described above may be performed as necessary, and can be omitted when a particularly high bonding strength is not required.
[2]次に、シリコーン材料を含有する液状材料35を、第1の基材21の接合面23上に供給する。これにより、図1(b)に示すように、第1の基材21上に、液状被膜30が形成される。
ここで、接合面23に液状材料35を付与する方法としては、例えば、浸漬法、液滴吐出法(例えば、インクジェット法)、スピンコート法、ドクターブレード法、バーコート法、刷毛塗り等が挙げられ、これらのうちの1種または2種以上を組み合わせて用いることができる。
[2] Next, a liquid material 35 containing a silicone material is supplied onto the
Here, examples of a method for applying the liquid material 35 to the
液状材料35の粘度(25℃)は、これを接合面23に付与する方法によっても若干異なるが、通常、0.5〜200mPa・s程度であるのが好ましく、3〜20mPa・s程度であるのがより好ましい。液状材料35の粘度をかかる範囲とすることにより、均一な膜厚の液状被膜30を形成することが容易となる。さらに、液状材料35の粘度がかかる範囲であれば、液状材料35は、接合膜3を形成するのに必要かつ十分な量のシリコーン材料を含むものとなる。
The viscosity (25 ° C.) of the liquid material 35 is slightly different depending on the method of applying it to the
また、接合面23への液状材料35の付与に液滴吐出法を用いる場合には、液状材料35の粘度をかかる範囲内とすれば、具体的には、液滴の量(液状材料35の1滴の量)を、平均で、0.1〜40pL程度に、より現実的には1〜30pL程度に設定し得る。これにより、接合面23に供給された際の液滴の着弾径が小さなものとなることから、微細な形状を有する接合膜3であっても確実に形成することができるようになる。
In addition, when the droplet discharge method is used for applying the liquid material 35 to the
この液状材料35は、前述のようにシリコーン材料を含有するものであるが、シリコーン材料単独で、液状をなし目的とする粘度範囲である場合、シリコーン材料をそのまま液状材料35として用いることができる。また、シリコーン材料単独で、固形状または高粘度の液状をなす場合には、液状材料35として、シリコーン材料の溶液または分散液を用いることができる。 The liquid material 35 contains a silicone material as described above, but the silicone material can be used as the liquid material 35 as it is when the silicone material alone is liquid and has a target viscosity range. When the silicone material alone forms a solid or high-viscosity liquid, a solution or dispersion of the silicone material can be used as the liquid material 35.
シリコーン材料を溶解または分散するための溶媒または分散媒としては、例えば、アンモニア、水、過酸化水素、四塩化炭素、エチレンカーボネイト等の無機溶媒や、メチルエチルケトン(MEK)、アセトン、等のケトン系溶媒、メタノール、エタノール、イソブタノール等のアルコール系溶媒、ジエチルエーテル、ジイソプロピルエーテル等のエーテル系溶媒、メチルセロソルブ等のセロソルブ系溶媒、ヘキサン、ペンタン等の脂肪族炭化水素系溶媒、トルエン、キシレン、ベンゼン等の芳香族炭化水素系溶媒、ピリジン、ピラジン、フラン等の芳香族複素環化合物系溶媒、N,N−ジメチルホルムアミド(DMF)等のアミド系溶媒、ジクロロメタン、クロロホルム等のハロゲン化合物系溶媒、酢酸エチル、酢酸メチル等のエステル系溶媒、ジメチルスルホキシド(DMSO)、スルホラン等の硫黄化合物系溶媒、アセトニトリル、プロピオニトリル、アクリロニトリル等のニトリル系溶媒、ギ酸、トリフルオロ酢酸等の有機酸系溶媒のような各種有機溶媒、または、これらを含む混合溶媒等を用いることができる。 Examples of the solvent or dispersion medium for dissolving or dispersing the silicone material include inorganic solvents such as ammonia, water, hydrogen peroxide, carbon tetrachloride, and ethylene carbonate, and ketone solvents such as methyl ethyl ketone (MEK) and acetone. Alcohol solvents such as methanol, ethanol and isobutanol, ether solvents such as diethyl ether and diisopropyl ether, cellosolve solvents such as methyl cellosolve, aliphatic hydrocarbon solvents such as hexane and pentane, toluene, xylene, benzene, etc. Aromatic hydrocarbon solvents, aromatic heterocyclic compound solvents such as pyridine, pyrazine, furan, amide solvents such as N, N-dimethylformamide (DMF), halogen compound solvents such as dichloromethane and chloroform, ethyl acetate Esters such as methyl acetate Various organic solvents such as solvents, sulfur compound solvents such as dimethyl sulfoxide (DMSO), sulfolane, nitrile solvents such as acetonitrile, propionitrile, acrylonitrile, organic acid solvents such as formic acid, trifluoroacetic acid, or the like A mixed solvent containing can be used.
シリコーン材料は、液状材料35中に含まれ、次工程[3]において、この液状材料35を乾燥させることにより形成される接合膜3の主材料となるものである。
ここで、「シリコーン材料」とは、ポリオルガノシロキサン骨格を有する化合物であり、通常、主骨格(主鎖)部分が主としてオルガノシロキサン単位の繰り返しからなる化合物のことを言い、主鎖の途中から枝分かれする分枝状の構造を有するものであってもよく、主鎖が環状をなす環状体であってもよく、主鎖の末端同士が連結しない直鎖状のものであってもよい。
The silicone material is contained in the liquid material 35 and becomes the main material of the
Here, the “silicone material” is a compound having a polyorganosiloxane skeleton, and generally means a compound in which the main skeleton (main chain) portion is mainly composed of repeating organosiloxane units, and branches from the middle of the main chain. It may have a branched structure, a cyclic structure in which the main chain forms a ring, or a linear structure in which the ends of the main chain are not connected to each other.
例えば、ポリオルガノシロキサン骨格を有する化合物において、オルガノシロキサン単位は、その末端部では下記一般式(1)で表わされる構造単位を有し、連結部では下記一般式(2)で表わされる構造単位を有し、また、分枝部では下記一般式(3)で表わされる構造単位を有している。 For example, in a compound having a polyorganosiloxane skeleton, the organosiloxane unit has a structural unit represented by the following general formula (1) at the terminal portion and a structural unit represented by the following general formula (2) at the connecting portion. In addition, the branch part has a structural unit represented by the following general formula (3).
なお、シロキサン残基とは、酸素原子を介して隣接する構造単位が有するケイ素原子に結合しており、シロキサン結合を形成している置換基のことを表す。具体的には、−O−(Si)構造(Siは隣接する構造単位が有するケイ素原子)となっている。
このようなシリコーン材料において、ポリオルガノシロキサン骨格は、分枝状をなすもの、すなわち上記一般式(1)で表わされる構造単位、上記一般式(2)で表わされる構造単位および上記一般式(3)で表わされる構造単位で構成されているのが好ましい。この分枝状をなすポリオルガノシロキサン骨格を有する化合物(以下、「分枝状化合物」と略すこともある。)は、主骨格(主鎖)部分が主としてオルガノシロキサン単位の繰り返しからなる化合物であり、主鎖の途中でオルガノシロキサン単位の繰り返しが分枝するとともに、主鎖の末端同士が連結しないものである。
The siloxane residue is a substituent that is bonded to a silicon atom of an adjacent structural unit through an oxygen atom and forms a siloxane bond. Specifically, it has an —O— (Si) structure (Si is a silicon atom of an adjacent structural unit).
In such a silicone material, the polyorganosiloxane skeleton is branched, that is, the structural unit represented by the general formula (1), the structural unit represented by the general formula (2), and the general formula (3). It is preferable that it is comprised by the structural unit represented by this. The compound having a branched polyorganosiloxane skeleton (hereinafter sometimes abbreviated as “branched compound”) is a compound in which the main skeleton (main chain) portion is mainly composed of repeating organosiloxane units. The repeating of the organosiloxane unit branches in the middle of the main chain, and the ends of the main chain are not connected to each other.
この分枝状化合物を用いることにより、次工程[3]において、液状材料35中に含まれるこの化合物の分枝鎖同士が互いに絡まり合うようにして接合膜3が形成されることから、得られる接合膜3は特に膜強度に優れたものとなる。
なお、上記一般式(1)〜上記一般式(3)中、基R(置換または無置換の炭化水素基)としては、例えば、メチル基、エチル基、プロピル基等のアルキル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基等のシクロアルキル基、フェニル基、トリル基、ビフェニリル基等のアリール基、ベンジル基、フェニルエチル基等のアラルキル基等が挙げられる。さらに、これらの基の炭素原子に結合している水素原子の一部または全部が、I)フッ素原子、塩素原子、臭素原子のようなハロゲン原子、II)グリシドキシ基のようなエポキシ基III)メタクリル基のような(メタ)アクリロイル基、IV)カルボキシル基、スルフォニル基のようなアニオン性基等で置換された基等が挙げられる。
By using this branched compound, in the next step [3], the
In the general formula (1) to the general formula (3), examples of the group R (substituted or unsubstituted hydrocarbon group) include, for example, an alkyl group such as a methyl group, an ethyl group, and a propyl group, a cyclopentyl group, Examples thereof include cycloalkyl groups such as cyclohexyl group, aryl groups such as phenyl group, tolyl group and biphenylyl group, aralkyl groups such as benzyl group and phenylethyl group. In addition, some or all of the hydrogen atoms bonded to the carbon atoms of these groups are I) halogen atoms such as fluorine, chlorine and bromine atoms, II) epoxy groups such as glycidoxy groups, III) methacryl And a group substituted with an anionic group such as a (meth) acryloyl group such as a group, IV) a carboxyl group, and a sulfonyl group.
加水分解基としては、メトキシ基、エトキシ基、プロポキシ基、ブトキシ基等のアルコキシ基、ジメチルケトオキシム基、メチルエチルケトオキシム基等のケトオキシム基、アセトキシ基等のアシルオキシ基、イソプロペニルオキシ基、イソブテニルオキシ基等のアルケニルオキシ基等が挙げられる。
また、分枝状化合物は、その分子量が、1×104〜1×106程度のものであるのが好ましく、1×105〜1×106程度のものであるのがより好ましい。分子量をかかる範囲内に設定することにより、液状材料35の粘度を上述したような範囲内に比較的容易に設定することができる。
Hydrolysis groups include alkoxy groups such as methoxy group, ethoxy group, propoxy group and butoxy group, ketoxime groups such as dimethyl ketoxime group and methylethyl ketoxime group, acyloxy groups such as acetoxy group, isopropenyloxy group, isobutenyl Examples include alkenyloxy groups such as oxy groups.
Further, the branched compound preferably has a molecular weight of about 1 × 10 4 to 1 × 10 6, more preferably about 1 × 10 5 to 1 × 10 6 . By setting the molecular weight within such a range, the viscosity of the liquid material 35 can be set relatively easily within the above-described range.
このような分枝状化合物は、その化合物中において、シラノール基(水酸基)を複数個有するものであるのが好ましい。すなわち、上記一般式(1)〜上記一般式(3)で表わされる構造単位において、基Zを複数有しており、これらの基Zが水酸基であるのが好ましい。これにより、分枝状化合物が有する水酸基とポリエステル樹脂が有する水酸基とを確実に結合させることができ、後述する、分枝状化合物とポリエステル樹脂とが脱水縮合反応することにより得られるポリエステル変性シリコーン材料を確実に合成することができる。さらに、次工程[3]において、液状被膜30を乾燥させて接合膜3を得る際に、シリコーン材料すなわち分枝状化合物中に残存しているシラノール基に含まれる水酸基同士が結合することとなり、得られる接合膜3の膜強度が優れたものとなる。さらに、第1の基材21として、前述したように、その接合面(表面)23から水酸基が露出しているものを用いた場合には、分枝状化合物が備える水酸基と、第1の基材21が備える水酸基とが結合することから、分枝状化合物を物理的な結合ばかりでなく、化学的な結合によっても第1の基材21に結合させることができる。その結果、接合膜3は、第1の基材21の接合面23に対して、強固に結合したものとなる。
Such a branched compound preferably has a plurality of silanol groups (hydroxyl groups) in the compound. That is, it is preferable that the structural unit represented by the general formula (1) to the general formula (3) has a plurality of groups Z, and these groups Z are hydroxyl groups. Thereby, the hydroxyl group which a branched compound has, and the hydroxyl group which a polyester resin has can be combined reliably, The polyester modified silicone material obtained by the dehydration condensation reaction of the branched compound and the polyester resin mentioned later Can be reliably synthesized. Furthermore, in the next step [3], when the
また、シラノール基が有するシリコン原子に連結している炭化水素基は、フェニル基であるのが好ましい。すなわち、基Zが水酸基である上記一般式(1)〜上記一般式(3)で表わされる構造単位に存在する基Rは、フェニル基であるのが好ましい。これにより、シラノール基の反応性がより向上するため、隣接する分枝状化合物が有する水酸基同士の結合がより円滑に行われるようになる。また、分枝状化合物中のメチル基の少なくとも1つをフェニル基に置換して、得られる接合膜3中に、フェニル基が含まれる構成とすることにより、接合膜3をより膜強度に優れたものとし得るという利点も得られる。
Moreover, it is preferable that the hydrocarbon group connected to the silicon atom of the silanol group is a phenyl group. That is, the group R present in the structural unit represented by the general formula (1) to the general formula (3) in which the group Z is a hydroxyl group is preferably a phenyl group. Thereby, since the reactivity of a silanol group improves more, the coupling | bonding of the hydroxyl groups which an adjacent branched compound has comes to be performed more smoothly. In addition, by replacing at least one of the methyl groups in the branched compound with a phenyl group, and the resulting
さらに、シラノール基が存在しないシリコン原子に連結している炭化水素基は、メチル基であるのが好ましい。すなわち、基Zが存在しない上記一般式(1)〜上記一般式(3)で表わされる構造単位に存在する基Rは、メチル基であるのが好ましい。このように、基Zが存在しない上記一般式(1)〜上記一般式(3)で表わされる構造単位に存在する基Rがメチル基である化合物は、比較的入手が容易で、かつ安価であるとともに、後工程
[4]において、接合膜3にプラズマを接触させることにより、メチル基が容易に切断されて、その結果として、接合膜3に確実に接着性を発現させることができるため、分枝状化合物(シリコーン材料)として好適に用いられる。
以上のことを考慮すると、分枝状化合物としては、例えば、下記一般式(4)で表わされる化合物が好適に用いられる。
Furthermore, the hydrocarbon group linked to the silicon atom in which no silanol group is present is preferably a methyl group. That is, the group R present in the structural unit represented by the general formula (1) to the general formula (3) in which the group Z does not exist is preferably a methyl group. Thus, a compound in which the group R present in the structural unit represented by the general formula (1) to the general formula (3) in which the group Z does not exist is a methyl group is relatively easily available and inexpensive. In addition, in the post-process [4], by bringing plasma into contact with the
Considering the above, as the branched compound, for example, a compound represented by the following general formula (4) is preferably used.
さらに、上述した分枝状化合物は、比較的柔軟性に富む材料である。そのため、後工程
[5]において、接合膜3を介して第1の基材21に第2の基材22を接合して接合体1を得る際に、例えば、第1の基材21と第2の基材22との各構成材料が互いに異なるものを用いる場合であったとしても、各基材21、22間に生じる熱膨張に伴う応力を確実に緩和することができる。これにより、最終的に得られる接合体1において、剥離が生じるのを確実に防止することができる。
Furthermore, the above-mentioned branched compound is a material having a relatively high flexibility. Therefore, when the
また、分枝状化合物は、耐薬品性に優れているため、薬品類等に長期にわたって曝されるような部材の接合に際して効果的に用いることができる。具体的には、例えば、樹脂材料を浸食し易い有機系インクが用いられる工業用インクジェットプリンタの液滴吐出ヘッドを製造する際に、接合膜3を用いて接合すれば、その耐久性を確実に向上させることができる。また、分枝状化合物は、耐熱性にも優れていることから、高温下に曝されるような部材の接合に際しても効果的に用いることができる。
Moreover, since the branched compound is excellent in chemical resistance, it can be effectively used for joining members that are exposed to chemicals and the like for a long time. Specifically, for example, when manufacturing a droplet discharge head of an industrial inkjet printer that uses an organic ink that easily erodes a resin material, if the
さらに、上記のようなシリコーン材料は、ポリエステル変性シリコーン材料であるのが好ましい。
ここで、本明細書中において、「ポリエステル変性シリコーン材料」とは、シリコーン材料と、ポリエステル樹脂とを脱水縮合反応させることにより得られたものである。
また、「ポリエステル樹脂」とは、飽和多塩基酸と多価アルコールとのエステル化反応により得られるものを言い、1分子中に少なくとも2つの水酸基を備えるものが好適に用いられる。
Further, the silicone material as described above is preferably a polyester-modified silicone material.
Here, in the present specification, the “polyester-modified silicone material” is obtained by a dehydration condensation reaction between a silicone material and a polyester resin.
The “polyester resin” refers to one obtained by an esterification reaction of a saturated polybasic acid and a polyhydric alcohol, and one having at least two hydroxyl groups in one molecule is preferably used.
このようなポリエステル樹脂を、上述したシリコーン材料と縮合反応させると、ポリエステル樹脂が有する水酸基とシリコーン材料が有するシラノール基(水酸基)とが脱水縮合反応し、これにより、シリコーン材料にポリエステル樹脂が連結されたポリエステル変性シリコーン材料が得られる。
飽和多塩基酸としては、特に限定されないが、例えば、イソフタル酸、テレフタル酸、無水フタル酸およびアジピン酸等が挙げられ、これらのうちの1種または2種以上を組み合わせて用いることができる。
When such a polyester resin is subjected to a condensation reaction with the above-described silicone material, a hydroxyl group of the polyester resin and a silanol group (hydroxyl group) of the silicone material undergo a dehydration condensation reaction, thereby connecting the polyester resin to the silicone material. A polyester-modified silicone material is obtained.
Although it does not specifically limit as a saturated polybasic acid, For example, isophthalic acid, terephthalic acid, phthalic anhydride, adipic acid, etc. are mentioned, Among these, it can use combining 1 type (s) or 2 or more types.
また、多価アルコールとしては、エチレングリコール、ジエチレングリコール、プロピレングリコール、グリセリン、トリメチロールプロパン等が挙げられ、これらのうちの1種または2種以上を組み合わせて用いることができる。
なお、飽和多塩基酸と多価アルコールとをエステル化反応させる際の、それぞれの含有量は、飽和多塩基酸が有するカルボキシル基よりも多価アルコールが有する水酸基よりも多くなるように設定する。これにより、合成されるポリエステル樹脂は、その1分子中において、少なくとも2つの水酸基を備えるものとなる。
Examples of the polyhydric alcohol include ethylene glycol, diethylene glycol, propylene glycol, glycerin, trimethylol propane, and the like, and one or more of these can be used in combination.
In addition, each content at the time of carrying out esterification reaction of a saturated polybasic acid and a polyhydric alcohol is set so that it may become more than the hydroxyl group which a polyhydric alcohol has rather than the carboxyl group which a saturated polybasic acid has. Thereby, the synthesized polyester resin has at least two hydroxyl groups in one molecule.
このようなポリエステル樹脂は、その分子中に、フェニレン基を有しているのが好ましい。かかる構成のポリエステル樹脂を含有するポリエステル変性シリコーン材料を用いて接合膜3を形成すると、形成される接合膜3は、ポリエステル樹脂中にフェニレン基が含まれることに起因して、特に優れた膜強度を発揮するものとなる。
以上のことを考慮すると、ポリエステル樹脂としては、例えば、下記一般式(5)で表わされる化合物が好適に用いられる。
Such a polyester resin preferably has a phenylene group in its molecule. When the
Considering the above, as the polyester resin, for example, a compound represented by the following general formula (5) is preferably used.
上記のようなポリエステル樹脂をポリエステル変性シリコーン材料が備えているものであるとすると、ポリエステル変性シリコーン材料は、通常、螺旋構造をなしているポリオルガノシロキサン骨格から、ポリエステル樹脂が露出するような状態で存在していることとなる。そのため、次工程[3]において、液状被膜30を乾燥させて接合膜3を得る際に、隣接するポリエステル変性シリコーン材料が備えるポリエステル樹脂同士が互いに接触する機会が増大することとなる。その結果、ポリエステル変性シリコーン材料中において、ポリエステル樹脂同士が絡まり合ったり、これらが備える水酸基同士が脱水縮合して化学的に結合したりするため、得られる接合膜3の膜強度を確実に向上させることができる。
If the polyester-modified silicone material is provided with the polyester resin as described above, the polyester-modified silicone material is usually in a state where the polyester resin is exposed from the polyorganosiloxane skeleton having a spiral structure. It will exist. Therefore, in the next step [3], when the
また、後工程[5]において、接合膜3を介して第1の基材21と第2の基材22とを接合した際に、第1の基材21と接合膜3との界面および第2の基材22と接合膜3との界面において、ポリエステル樹脂が備えるケトン基と、各基材21、22が備える水酸基との間で水素結合が生じることから、かかる結合によっても、接合膜3は、第1の基材21および第2の基材22に対して、強固に接合されたものとなる。
Further, when the
[3]次に、第1の基材21上に供給された液状材料35、すなわち、液状被膜30を乾燥する。これにより、図1(c)に示すように、第1の基材21上に接合膜3が得られる。
液状被膜30を乾燥させる際の温度は、25℃以上であるのが好ましく、25〜200℃程度であるのがより好ましい。
[3] Next, the liquid material 35 supplied onto the
The temperature at which the
また、乾燥させる時間は、0.5〜48時間程度であるのが好ましく、15〜30時間程度であるのがより好ましい。
かかる条件で液状被膜30を乾燥させることにより、次工程[4]において、プラズマに接触させることにより接着性が好適に発現する接合膜3を確実に形成することができる。また、シリコーン材料として前記工程[2]で説明したようなシラノール基を有するもの、または、ポリエステル変性シリコーン材料を用いた場合には、これらの材料が有するシラノール基同士を、さらには、これらの材料が有するシラノール基と第1の基材21が有する水酸基とを、確実に結合させることができるため、形成される接合膜3を膜強度に優れ、かつ第1の基材21に対して強固に結合したものとすることができる。
Further, the drying time is preferably about 0.5 to 48 hours, more preferably about 15 to 30 hours.
By drying the
さらに、乾燥させる際の雰囲気の圧力は、大気圧であってもよいが、減圧であるのが好ましい。具体的には、減圧の程度は、133.3×10−5〜1333Pa(1×10−5〜10Torr)程度であるのが好ましく、133.3×10−4〜133.3Pa(1×10−4〜1Torr)程度であるのがより好ましい。これにより、接合膜3の膜密度が高まり、すなわち、接合膜3が緻密化して、接合膜3をより優れた膜強度を有するものとすることができる。
以上のように、接合膜3を形成する際の条件を適宜設定することにより、形成される接合膜3の膜強度等を所望のものとすることができる。
Furthermore, the atmospheric pressure during drying may be atmospheric pressure, but is preferably reduced pressure. Specifically, the degree of decompression is preferably about 133.3 × 10 −5 to 1333 Pa (1 × 10 −5 to 10 Torr), preferably 133.3 × 10 −4 to 133.3 Pa (1 × 10 -4 to 1 Torr) is more preferable. Thereby, the film density of the
As described above, the film strength and the like of the formed
接合膜3の平均厚さは、10〜10000nm程度であるのが好ましく、3000〜6000nm程度であるのがより好ましい。供給する液状材料35の量を適宜設定して、形成される接合膜3の平均厚さを前記範囲内とすることにより、第1の基材21と第2の基材22とを接合した接合体の寸法精度が著しく低下するのを防止しつつ、より強固に接合することができる。
The average thickness of the
すなわち、接合膜3の平均厚さが前記下限値を下回った場合は、接合膜3を介した第1の基材21と第2の基材22との接合に十分な接合強度が得られないおそれがある。一方、接合膜3の平均厚さが前記上限値を上回った場合は、接合体の寸法精度が著しく低下するおそれがある。
さらに、接合膜3の平均厚さをかかる範囲とすることにより、接合膜3がある程度弾性に富むものとなることから、後工程[5]において、第1の基材21と第2の基材22とを接合する際に、接合膜3と接触させる第2の基材22の接合面24にパーティクル等が付着していても、このパーティクルを接合膜3で取り囲むようにして接合膜3と接合面24とが接合することとなる。そのため、このパーティクルが存在することによって、接合膜3と接合面24との界面における接合強度が低下したり、この界面において剥離が生じたりするのを的確に抑制または防止することができる。
また、本発明では、液状材料35を供給して接合膜3を形成する構成となっていることから、たとえ第1の基材21の接合面23に凹凸が存在している場合であっても、その凹凸の高さにもよるが、凹凸の形状を吸収するようにして接合膜3を形成ことができる。その結果、接合膜3の表面32がほぼ平坦面を構成することとなる。
That is, when the average thickness of the
Further, by setting the average thickness of the
In the present invention, since the
[4]次に、接合面23に形成された接合膜3の表面32に対してプラズマを接触させる。
接合膜3にプラズマを接触させると、この接合膜3では、特に表面32付近の分子結合の一部が選択的に切断されることに起因して、表面32が活性化されて表面32付近に第2の基材22に対する接着性が発現する。
[4] Next, plasma is brought into contact with the
When plasma is brought into contact with the
このような状態の第1の基材21は、第2の基材22と、化学的結合に基づいて強固に接合可能なものとなる。
なお、本明細書中において、表面32が「活性化された」状態とは、上述のように接合膜3の表面32の分子結合の一部、具体的には、例えば、ポリジメチルシロキサン骨格が備えるメチル基が切断されて、接合膜3を構成する原子が終端化されないで、未結合手(または、「ダングリングボンド」)が生じた状態の他、この未結合手を持っていた原子が、水酸基(OH基)によって終端化された状態、さらに、これらの状態が混在した状態を含めて、接合膜3が「活性化された」状態と言うこととする。
The
In the present specification, the state where the
ここで、従来のように、接合膜3の表面32の活性化のために、紫外線を用いた場合には、次のような問題がある。
A:接合膜3の表面32の活性化に長時間(例えば、1分〜数十分)を要する。また、紫外線照射を短時間にした場合、第1の基材21と第2の基材22とを接合する工程において、その接合に長時間(数十分以上)を要する。すなわち、接合体1を得るのに長時間を要する。
B:また、紫外線を用いた場合、この紫外線は、接合膜3を厚さ方向に透過し易い。このため、基材(本実施形態では、第1の基材21)の構成材料(例えば、樹脂材料)等によっては、基材の接合膜3との界面(接触面)において劣化が生じ、接合膜3が基材から剥離し易くなる。
さらに、紫外線は、接合膜3の厚さ方向に透過する際に、接合膜3全体に作用し、その全体において、例えば、ポリジメチルシロキサン骨格が備えるメチル基が切断、除去される。すなわち、接合膜3中における有機成分の量が極端に低下し、その無機化が進行する。このため、有機成分の存在に起因する接合膜3の柔軟性が全体として低下し、得られる接合体1では、接合膜3の層内剥離が生じ易くなる。
C:さらに、接合された接合体1を、第1の基材21を第2の基材22から剥離して、各基材21、22をそれぞれ分別してリサイクルや再利用に用いる場合、この操作は、接合体1に対して、剥離用エネルギーを付与することにより各基材21、22同士を剥離し得る。このとき、例えば、接合膜3中に残存するメチル基(有機成分)がポリジメチルシロキサン骨格から切断、除去され、切断された有機成分がガスとなる。このガス(ガス状の有機成分)は、接合膜3にへき乖を生じさせ、接合膜3が分割される。
Here, as in the prior art, when ultraviolet rays are used to activate the
A: It takes a long time (for example, 1 minute to several tens of minutes) to activate the
B: When ultraviolet rays are used, the ultraviolet rays are likely to pass through the
Further, when ultraviolet rays are transmitted in the thickness direction of the
C: Further, when the bonded
しかしながら、紫外線を照射した場合、前述のように、接合膜3全体の無機化が進行するため、剥離用エネルギーを付与した場合でも、ガスになる有機成分が極めて少なく、接合膜3にへき乖が生じ難い。
これに対して、本発明では、接合膜3の表面32の活性化にプラズマが用いられる。プラズマを用いることにより、接合膜3の表面32付近において、選択的に、この接合膜3を構成する材料の分子結合の一部、例えば、ポリジメチルシロキサン骨格が備えるメチル基が切断される。
However, when the ultraviolet rays are irradiated, the
On the other hand, in the present invention, plasma is used to activate the
なお、このプラズマによる分子結合の切断は、プラズマの荷電に基づく化学的な作用のみならず、プラズマのペニング効果に基づく物理的な作用によって引き起こされるため、極めて短時間で生じる。したがって、接合膜3を、極めて短時間(例えば、数秒程度)で活性化させることが可能であり、結果として、接合体1を短時間で製造することができる。
また、プラズマは、接合膜3の表面32に選択的に作用し、その内部にまで影響を及ぼし難い。このため、分子結合の切断は、接合膜3の表面32付近で選択的に生じる。すなわち、接合膜3は、その表面32付近で選択的に活性化される。しかがって、紫外線を用いて接合膜3を活性化させる場合の不都合(前述したようなBおよびCの不都合)が生じ難い。
Note that the breakage of the molecular bond by the plasma is caused not only by the chemical action based on the plasma charge but also by the physical action based on the plasma penning effect, and thus occurs in a very short time. Therefore, the
Further, the plasma selectively acts on the
このように、接合膜3の活性化にプラズマを用いることにより、接合体1において、接合膜3の層内剥離が生じ難く、第1の基材21を第2の基材22から剥離する場合には、この剥離操作を確実に行うことができる。
また、紫外線照射により接合膜3を活性化させる場合、照射する紫外線の強度に依存する接合膜3の活性化の程度の変化が極めて大きい。このため、第1の基材21と第2の基材22との接合に適した程度に接合膜3を活性化させるのには、紫外線照射の厳密な条件管理が必要である。また、厳密な管理をしない場合、得られる接合体1間における、第1の基材21と第2の基材22との接合強度のバラつきが生じる。
As described above, when the plasma is used for the activation of the
In addition, when the
これに対して、プラズマにより接合膜3を活性化させる場合、接触させるプラズマの濃度に依存する接合膜3の活性化の程度の変化は穏やかである。したがって、第1の基材21と第2の基材22との接合に適した程度に接合膜3を活性化させるのに、プラズマを発生させる条件を厳密に管理する必要がない。換言すれば、接合膜3の活性化にプラズマを用いる場合、接合体1の製造条件の許容範囲が広い。また、厳密な管理をしなくとも、得られる接合体1間において、第1の基材21と第2の基材22との接合強度のバラつきが生じ難い。
On the other hand, when the
さらに、紫外線照射により接合膜3を活性化させる場合、接合膜3の活性化すなわち接合膜3中の有機物の脱離に伴って、接合膜3自体が収縮(特に、膜厚の低下)するという問題がある。接合膜3が収縮した場合、第1の基材21と第2の基材22とを高い接合強度で接合することが困難となる。
これに対して、プラズマにより接合膜3を活性化させる場合、前述したように、接合膜3の表面付近が選択的に活性化されるため、接合膜3の収縮はないか極めて少ない。したがって、接合膜3を比較的薄く形成した場合であっても、第1の基材21と第2の基材22とを高い接合強度で接合することができる。また、この場合、高い寸法精度の接合体1を得ることができるとともに、接合体1の薄型化を図ることも可能である。
以上のように、プラズマにより接合膜3を活性化させる場合には、紫外線により接合膜3を活性化させる場合に比べて、多くのメリットがある。
Further, when the
On the other hand, when the
As described above, when the
しかしながら、接合面23に形成された接合膜3の表面32にプラズマを接触させる方法として、互いに対向する電極間に第1の基材21を配置し、この電極間に電圧を印加した状態で、これらの間にガスを導入することによりガスをプラズマ化させ、このプラズマ化されたガスを前記電極間に配置された第1の基材21に形成された接合膜3に接触させる方法が有るが、かかる方法(いわゆる直接放電型のプラズマ装置)を用いた場合には、本発明者の検討により、以下のような問題が生じることが判った。
However, as a method of bringing plasma into contact with the
すなわち、互いに対向する電極間に、接合膜3が形成された第1の基材21を配置した状態で、この電極間に電圧を印加してガスを導入すると、接合膜3には、プラズマ化されたガスばかりでなく、電圧間で生じた荷電粒子も接触することとなる。したがって、荷電粒子が接合膜3に接触することに起因して、接合膜3および第1の基材21が電荷を帯び、その結果、選択した第1の基材21の種類によっては、第1の基材21が変質・劣化してしまう。
That is, when a gas is introduced by applying a voltage between the electrodes in a state where the
さらに、接合すべき第1の基材21の形状が、本実施形態で挙げたように平板状をなすものとはことなり、後述する第3実施形態で挙げるように凹凸面を有する構造体であり、この凹凸面が接合面を構成する場合では、この凹凸面に形成された接合膜3に対して、均一にプラズマを接触させることができず、接合膜3の表面32付近に発現させる接着性にバラツキが生じる。
Further, the shape of the
かかる問題点を解決することを目的に、本発明者は、さらに検討を重ねた結果、第1の基材21に形成された接合膜3にプラズマを接触させる方法として、互いに対向する電極間に電圧を印加した状態で、これら電極間にガスを導入してプラズマ化させた後、このプラズマ化されたガスを接合膜3に供給する方法を用いることにより、前記問題点を解決し得ることが判った。すなわち、ガスがプラズマ化するプラズマ発生領域から接合膜を離間した位置に配置することにより、前記問題点を解決し得ることが判った。
In order to solve such problems, the present inventor has further studied and as a method of bringing the plasma into contact with the
また、かかる方法において、接合膜3に対するプラズマ化されたガスの接触は、減圧下で行うようにしてもよいが、大気圧下において行うのが好ましい。すなわち、接合膜3を大気圧プラズマで処理するのが好ましい。大気圧プラズマ処理によれば、接合膜3の周囲が減圧状態とならないので、プラズマの作用により、例えば、ポリジメチルシロキサン骨格が備えるメチル基を切断、除去する際(接合膜3の活性化の際)に、この切断が不要に進行するのを防止することができる。
In such a method, the contact of the gasified plasma with the
かかる方法を用いた大気圧下における接合膜3に対するプラズマ化されたガスの接触は、例えば、図3に示す大気圧プラズマ装置を用いて行うことができる。
図3は、大気圧プラズマ装置の構成を示す概略図である。なお、以下の説明では、図3中の上側を「上」、下側を「下」という。
図3に示すプラズマ処理装置501は、第1の基材21に対して相対的に移動可能な互いに対向する1対の電極(第1の電極502および第2の電極503)と、ガスの流路を画成する誘電体部504と、第1の基材21の表面32に向けてプラズマを噴出するプラズマ噴出部505と、処理ガスを1対の電極間に導入する処理ガス導入口506と、1対の電極間に電圧を印加する電源572を備えた電源回路507と、プラズマ生成のための処理ガスを供給するガス供給手段508と、プラズマの生成により発生した異物540を捕捉する異物捕捉部509とを備えている。
The contact of the gas in plasma with the
FIG. 3 is a schematic diagram showing the configuration of the atmospheric pressure plasma apparatus. In the following description, the upper side in FIG. 3 is referred to as “upper” and the lower side is referred to as “lower”.
A
このプラズマ処理装置501は、互いに対向する第1の電極502および第2の電極503間に電圧を印加した状態で、これら電極502、503に、ガス(処理ガス)を導入して活性化させることによりプラズマを生成させ、このプラズマを第1の基材21が備える接合膜3に供給することにより、接合膜3に接着性を発現させる装置(いわゆるリモート型のプラズマ装置)である。
The
以下、プラズマ処理装置501の各部の構成について説明する。
第1の電極502は、ワークに対して直交する方向に沿って配置され、第2の電極503と対向配置されている。そして、第1の電極502は、電圧を印加するための電極であり、電気的接続をとるために導線571を介して電源572に接続されている。
第1の電極502の構成材料としては、特に限定されないが、例えば、銅、アルミニウム、鉄、銀等の金属単体、ステンレス鋼、真鍮、アルミニウム合金等の各種合金、金属間化合物、各種炭素材料等が挙げられる。
なお、第1の電極502の形状は、本実施形態では、図3に示すように、平板状をなすが、特に限定されず、例えば、円筒状等の形状をなしていてもよい。
Hereinafter, the configuration of each part of the
The
Although it does not specifically limit as a constituent material of the
In the present embodiment, the
第2の電極503は、接地電極としての機能を有する電極であり、導線571を介して直接接地されている。
第2の電極503の構成材料としては、第1の電極502と同様のものが挙げられる。
また、第2の電極503の形状は、本実施形態では、平板状をなすが、第1の電極502と同様に、特に限定されない。
The
As a constituent material of the
In addition, the shape of the
これらの第1の電極502および第2の電極503には、それぞれ第1の電極502と第2の電極503とが対向する面側に、誘電体材料で構成された誘電体部504が形成されている。そして、誘電体部504は、ガスの流路を画成する1対の側壁としての機能を有する。
このように、第1の電極502と第2の電極503との対向面に、それぞれ誘電体部504が位置することにより、第1の電極502と第2の電極503との間において、各電極の構成材料である金属等が露出しないため、電極502、503間に電界を均一に発生させることができる。また、インピーダンスの増大を防止することができ、比較的低電圧で所望の放電を生じさせ、プラズマを確実に発生させることができる。さらに、電圧印加時における絶縁破壊を防止して、アーク放電が生じるのを好適に防止し、グローライクな安定した放電を得ることもできる。
Each of the
As described above, the
該誘電体部504は、その第1の基材21と直交する方向(図3中の上下方向)の長さが、第1の電極502および第2の電極503のそれぞれの第1の基材21と直交する方向の長さよりも長く、第1の基材21と直交する方向に延在して形成されている。このように、誘電体部504が第1の基材21と直交する方向に延在して形成されているので、誘電体部504間の空間に導入された処理ガスの乱れを防止して、処理ガスの流れを円滑に制御することができる。また、電極502、503間で生じた荷電粒子を、誘電体部504の延在する部分で消失させて、発生したプラズマをプラズマ噴出部505に選択的に効率よく供給することができる。
The
誘電体部504の上端部には、ガス供給手段508から供給される処理ガスを第1の電極502と第2の電極503との間(以下、「プラズマ発生領域530」という。)に導入する処理ガス導入口506が設けられている。そして、誘電体部504の下端部には、プラズマ噴出部505が開口し、異物捕捉部509を介して、第1の基材21に設けられた接合膜3を臨むように設けられている。
A processing gas supplied from the gas supply means 508 is introduced between the
誘電体部504の形状は、例えば、平板状、円筒状などが挙げられるが、本実施形態のように、平板状であることが好ましい。これにより、第1の電極502と第2の電極503との対面する面が実質的に平坦に形成されるので、処理ガスの流れを確実に制御することができる。
このような誘電体部504の構成材料としては、例えば、ポリテトラフルオロエチレン、ポリエチレンテレフタレート等の各種プラスチック、石英ガラス等の各種ガラス、無機酸化物等が挙げられる。前記無機酸化物としては、例えば、Al2O3(アルミナ)、SiO2、ZrO2、TiO2、ZnO等の金属酸化物、窒化シリコン、窒化アルミニウムなどの窒化物、炭化ケイ素などの炭化物、リン酸ナトリウム、リン酸カリウム、リン酸ジルコニウムなどのリン酸塩、BaTiO3(チタン酸バリウム)等の複合酸化物等の誘電体材料等が挙げられる。これらのうち、金属酸化物が好ましく、アルミナがより好ましい。このような材料を用いることにより、電界におけるアーク放電の発生をより確実に防止することができる。
Examples of the shape of the
Examples of the constituent material of the
第1の電極502および第2の電極503は、第1の基材21から所定距離(図1中、h1で示す長さ)だけ離間した位置に配置される。かかる距離h1は、電源回路507の出力等により若干異なるものの、具体的には、500mm以下であるのが好ましい。距離h1がこのような範囲であることにより、プラズマ発生領域530から第1の基材21までの距離が最適な距離となるので、荷電粒子を接合膜3の表面32に到達するまでに消失させることができるとともに、発生したプラズマ力が低下することなく、プラズマを表面32に到達させることができる。
The
異物捕捉部509は、誘電体部504の下端部で開口するプラズマ噴出部505を覆うように設けられている。
この異物捕捉部509は、プラズマ噴出部505から噴出されたプラズマの通過を許容するとともに、プラズマ発生領域530において発生した異物(パーティクル)540を捕捉するフィルタとしての機能を有する。
The foreign
The foreign
ここで、異物540とは、プラズマ発生領域530で発生したプラズマが、プラズマ発生領域530に位置する誘電体部504に接触することに起因して生成した、誘電体部504を構成する材料由来のもの(パーティクル)のことである。
この異物540は、異物捕捉部509の配置を省略すると、処理ガスとともにプラズマ噴出部505まで流れ、プラズマ噴出部505から処理ガスとともに第1の基材21に設けられた接合膜3の表面32に向けて噴出される。異物540が表面32に到達すると、異物540は表面32に付着する。その結果、接合膜3の表面32が異物540によって汚染される。これに対して、プラズマ処理装置501では、異物捕捉部509を備えており、この異物捕捉部509をプラズマ化されたガスを通過させた後に接合膜3に供給する構成となっていることから、プラズマ噴出部505から処理ガスとともに噴出される異物540を選択的に異物捕捉部509で捕捉することができるため、表面32の異物540による汚染を確実に防止することができる。これにより、接合膜3の表面32により均一に接着性を発現させることができる。
Here, the
When the foreign
異物捕捉部509は、本実施形態では、プラズマにより発生した異物540を捕捉する機能を有する多孔質の絶縁性材料(誘電体)層591と、この絶縁性材料層591をプラズマ処理装置501に支持する支持部材595と、網状部材596とで構成される。
絶縁性材料層591は、多孔質体で構成され、各孔は、層中において隣接するもの同士が互いに連通し、三次元的に連通する三次元連通孔を構成する。
In this embodiment, the foreign
The insulating
また、多孔質体の空孔率は、30〜85%であることが好ましく、45〜70%であることがより好ましい。
絶縁性材料層591を構成する絶縁性材料としては、特に限定されないが、金属酸化物を用いることが好ましく、アルミナを用いることがより好ましい。金属酸化物、特にアルミナを用いることにより、誘電率が特に高いので、電界におけるアーク放電の発生をより確実に防止することができる。
Moreover, it is preferable that it is 30 to 85%, and, as for the porosity of a porous body, it is more preferable that it is 45 to 70%.
An insulating material forming the insulating
また、多孔質体を構成する各孔の平均孔径は、異物540の平均粒径を考慮して設定され、具体的には、200μm以下であることが好ましく、5〜20μm程度であるのがより好ましい。
さらに、絶縁性材料層591の厚さT1は、100mm以下であることが好ましく、10mm以下であることがより好ましい。
Further, the average pore diameter of each pore constituting the porous body is set in consideration of the average particle diameter of the
Further, the thickness T 1 of the insulating
支持部材595は、絶縁性材料層591の縁部を狭持するように絶縁性材料層591を支持する。この支持部材595は、絶縁性材料層591に対して着脱自在に設けられている。これにより、絶縁性材料層591を容易に取り外すことができ、絶縁性材料層591の交換を容易にすることができる。
また、支持部材595が狭持されていない絶縁性材料層591の下面には、網状部材596が設けられている。これにより、絶縁性材料層591の落下を確実に防止することができる。
The
Further, a mesh member 596 is provided on the lower surface of the insulating
この網状部材596は、支持部材595に対して着脱自在に設けられている。そのため、網状部材596を支持部材595から離脱することで、後述する絶縁性材料層591の交換を容易にすることができる。
これら支持部材595と網状部材596とを構成する材料は、アーク放電や異物540が発生しないように絶縁性材料で構成されている。具体的には、絶縁性材料層591の材料と同様の材料が挙げられる。
The mesh member 596 is detachably provided to the
The material constituting the
電源回路507は、第1の電極502と第2の電極503との間に電圧を印加する高周波電源572と、高周波電源572と第1の電極502とを導通する導線571と、第2の電極503を設置する導線571とを備えている。そして、図示されていないが、供給する電力に対する整合回路(インピーダンスマッチング回路)や、高周波電源572の周波数を変える周波数調整手段(回路)や、高周波電源572の印加電圧の最大値(振幅)を変える電圧調整手段(回路)等が必要に応じて設置されている。
The
第1の電極502に、導線571を介して、高周波電源572が接続されており、これにより、電源回路507が構成されている。この電源回路507は、その一部、すなわち、第2の電極503側の導線571がアース(接地)されている。
接合膜3にプラズマを接触させる際には、高周波電源572の作動により第1の電極502と第2の電極503との間に電圧が印加される。このとき、その第1の電極502と第2の電極503との間には、電界が発生し、この電界内にガスが供給されると、放電が生じて、プラズマが発生する。
A high
When plasma is brought into contact with the
第1の電極502と第2の電極503との間に印加する電圧は、1.0K〜3.0KV程度であるのが好ましく、1.5K〜2.5KV程度であるのがより好ましい。これにより、第1の電極502と第2の電極503との間に電界をより確実に発生させることができ、プラズマ発生領域530に供給された処理ガスを確実にプラズマ化させることができる。
また、高周波電源572の周波数は、特に限定されないが、1〜1000KHzであるのが好ましく、50〜200KHzであるのがより好ましい。
The voltage applied between the
Moreover, the frequency of the high
ガス供給手段508は、プラズマ生成のための処理ガスをプラズマ発生領域530に供給する。このガス供給手段508は、所定のガスを充填し供給するガスボンベ(ガス供給源)581と、ガスボンベ581から供給されるガスの流量を調整するマスフローコントローラ(流量調整手段)582と、マスフローコントローラ582より下流端側で、処理ガス管584内の流路を開閉するバルブ(流路開閉手段)583と、処理ガス導入口506に接続された処理ガス管584とを有している。
The
このようなガス供給手段508は、ガスボンベ581から所定のガスを送り出し、マスフローコントローラ582で流量を調節する。そして、処理ガス管584を通って、処理ガス導入口506から、誘電体部504間(プラズマ発生領域530)に処理ガスを導入(供給)する。
処理ガスの種類としては、例えば、ヘリウムガス、アルゴンガスのような希ガス、酸素ガス等が挙げられ、これらのうちの1種または2種以上を組み合わせて用いることができる。中でも、処理ガスには、希ガスを主成分とするガスを用いるのが好ましく、特にヘリウムガスを主成分とするガスを用いるのが好ましい。
Such a gas supply means 508 sends a predetermined gas from the
Examples of the processing gas include rare gas such as helium gas and argon gas, oxygen gas, and the like, and one or more of these can be used in combination. Among them, it is preferable to use a gas mainly containing a rare gas as the processing gas, and it is particularly preferable to use a gas mainly containing helium gas.
すなわち、処理に用いるプラズマは、ヘリウムガスを主成分とするガスをプラズマ化したものであるのが好ましい。ヘリウムガスを主成分とするガス(処理ガス)は、プラズマ化の際にオゾンを発生させ難く、このため、接合膜3の表面32のオゾンによる変質(酸化)を防止することができる。その結果、接合膜3の活性化の程度が低下するのを抑制すること、すなわち、接合膜3を確実に活性化させることができる。さらに、ヘリウムガスのプラズマは、前述したペニング効果が極めて高く、接合膜3の活性化を短時間でかつ確実に行うことができる観点からも好ましい。
That is, it is preferable that the plasma used for the treatment is a plasma of a gas mainly composed of helium gas. A gas (processing gas) containing helium gas as a main component hardly generates ozone at the time of plasmatization, and therefore, alteration (oxidation) of the
この場合、ヘリウムガスを主成分とするガスの処理ガス導入口506への供給速度は、1〜20SLM程度であるのが好ましく、5〜15SLM程度であるのがより好ましい。これにより、接合膜3の活性化の程度を制御し易くなる。
また、このガス(処理ガス)中のヘリウムガスの含有量は、85vol%以上が好ましく、90vol%以上(100%も含む)がより好ましい。これにより、前述した効果をさらに顕著に発揮させることができる。
In this case, the supply rate of the gas containing helium gas as the main component to the
Moreover, 85 vol% or more is preferable and, as for content of helium gas in this gas (processing gas), 90 vol% or more (100% is also included) is more preferable. Thereby, the effect mentioned above can be exhibited more notably.
なお、処理ガスとして希ガス(ヘリウムガス)以外のガスを用いた場合には、プラズマ発生領域530においてガスをプラズマ化させる際に放電が生じ、仮に、直接放電型のプラズマ装置のようにプラズマ発生領域に接合膜3が設けられた第1の基材21を配置すれば、この放電により第1の基材21および接合膜3は、大きなダメージを受けることとなる。しかしながら、本実施形態で用いるプラズマ処理装置501は、上述したように、プラズマ発生領域と接合膜3との間が距離h1の大きさで離間されているので、プラズマ発生領域530における放電に起因する第1の基材21および接合膜3の変質・劣化を確実に防止することができる。そのため、プラズマ処理装置501では、希ガス(ヘリウムガス)以外のガスをも、処理ガスとして用いることができる。
Note that when a gas other than a rare gas (helium gas) is used as the processing gas, a discharge is generated when the gas is turned into plasma in the
かかる構成のプラズマ処理装置501を用いることにより、第1の基材21をプラズマ発生領域530から離間した位置に配置することができるので、プラズマ発生領域530で生じた荷電粒子を消失させて、プラズマを第1の基材21に設けられた接合膜3に選択的に効率よく供給することができる。その結果、荷電粒子が接合膜3に接触することに起因する、第1の基材21の変質・劣化が的確に抑制または防止される。
By using the
[5]次に、接合膜3と第2の基材22とが密着するように、第1の基材21と第2の基材22とを重ね合わせる(図2(e)参照)。これにより、前記工程[4]において、接合膜3の表面32に第2の基材22に対する接着性が発現していることから、接合膜3と第2の基材22の接合面24とが化学的に結合する。その結果、第1の基材21と第2の基材22とが接合膜3を介して接合され、図2(f)に示すような接合体1が得られる。
[5] Next, the
このような接合方法によれば、高温(例えば、700℃以上)での熱処理を必要としないことから、耐熱性の低い材料で構成された第1の基材21および第2の基材22をも、接合に供することができる。
また、接合膜3を介して第1の基材21と第2の基材22とを接合しているため、各基材21、22の構成材料に制約がないという利点もある。
以上のことから、本発明によれば、第1の基材21および第2の基材22の各構成材料の選択の幅をそれぞれ広げることができる。
According to such a joining method, since the heat treatment at a high temperature (for example, 700 ° C. or higher) is not required, the
In addition, since the
From the above, according to the present invention, the range of selection of each constituent material of the
また、第1の基材21の熱膨張率と第2の基材22の熱膨張率が互いに異なっている場合には、できるだけ低温下で接合を行うのが好ましい。接合を低温下で行うことにより、接合界面に発生する熱応力のさらなる低減を図ることができる。
具体的には、第1の基材21と第2の基材22との熱膨張率の差にもよるが、第1の基材21および第2の基材22の温度が25〜50℃程度である状態下で、第1の基材21と第2の基材22とを貼り合わせるのが好ましく、25〜40℃程度である状態下で貼り合わせるのがより好ましい。このような温度範囲であれば、第1の基材21と第2の基材22との熱膨張率の差がある程度大きくても、接合界面に発生する熱応力を十分に低減することができる。その結果、接合体1における反りや剥離等の発生を確実に抑制または防止することができる。
Moreover, when the thermal expansion coefficient of the
Specifically, the temperature of the
また、この場合、具体的な第1の基材21と第2の基材22との間の熱膨張係数の差が、5×10−5/K以上あるような場合には、上記のようにして、できるだけ低温下で接合を行うことが特に推奨される。
ここで、本工程において、第1の基材21と第2の基材22とを接合するメカニズムについて説明する。
In this case, the difference in thermal expansion coefficient between the specific
Here, a mechanism for joining the
例えば、第2の基材22の接合面24に水酸基が露出している場合を例に説明すると、本工程において、第1の基材21に形成された接合膜3と、第2の基材22の接合面24とが接触するように、これらを重ね合わせたとき、接合膜3の表面32に存在する水酸基と、第2の基材22の接合面24に存在する水酸基とが、水素結合によって互いに引き合い、水酸基同士の間に引力が発生する。この引力によって、第1の基材21と第2の基材22とが接合されると推察される。
For example, the case where a hydroxyl group is exposed on the
また、この水素結合によって互いに引き合う水酸基同士は、温度条件等によって、脱水縮合を伴って表面から切断される。その結果、第1の基材21と第2の基材22との接触界面では、水酸基が結合していた結合手同士が結合する。これにより、第1の基材21と第2の基材22とがより強固に接合されると推察される。
また、第1の基材21の接合膜3の表面や内部、および、第2の基材22の接合面24や内部に、それぞれ終端化されていない結合手すなわち未結合手(ダングリングボンド)が存在している場合、第1の基材21と第2の基材22とを貼り合わせた時、これらの未結合手同士が再結合する。この再結合は、互いに重なり合う(絡み合う)ように複雑に生じることから、接合界面にネットワーク状の結合が形成されることとなる。これにより、接合膜3と第2の基材22とが特に強固に接合される。
Further, the hydroxyl groups attracting each other by the hydrogen bond are cleaved from the surface with dehydration condensation depending on the temperature condition or the like. As a result, at the contact interface between the
Further, bonds that are not terminated on the surface and inside of the
なお、前記工程[4]で活性化された接合膜3の表面は、その活性状態が経時的に緩和してしまう。このため、前記工程[4]の終了後、できるだけ早く本工程[5]を行うようにするのが好ましい。具体的には、前記工程[4]の終了後、60分以内に本工程[5]を行うようにするのが好ましく、5分以内に行うのがより好ましい。かかる時間内であれば、接合膜3の表面が十分な活性状態を維持しているので、第1の基材21と第2の基材22とを貼り合わせたとき、これらの間に十分な接合強度を得ることができる。
Note that the active state of the surface of the
換言すれば、活性化させる前の接合膜3は、シリコーン材料を乾燥させて得られた接合膜であるため、化学的に比較的安定であり、耐候性に優れている。このため、活性化させる前の接合膜3は、長期にわたる保存に適したものとなる。したがって、そのような接合膜3を備えた第1の基材21を多量に製造または購入して保存しておき、本工程の貼り合わせを行う直前に、必要な個数のみに前記工程[4]に記載したエネルギーの付与を行うようにすれば、接合体1の製造効率の観点から有効である。
以上のようにして、図4(f)に示す接合体(本発明の接合体)1を得ることができる。
In other words, since the
As described above, the joined body (joined body of the present invention) 1 shown in FIG. 4F can be obtained.
このようにして得られた接合体1は、第1の基材21と第2の基材22との間の接合強度が5MPa(50kgf/cm2)以上であるのが好ましく、10MPa(100kgf/cm2)以上であるのがより好ましい。このような接合強度を有する接合体1は、その剥離を十分に防止し得るものとなる。また、本発明の接合方法によれば、第1の基材21と第2の基材22とが上記のような大きな接合強度で接合された接合体1を効率よく作製することができる。
なお、接合体1を得る際、または、接合体1を得た後に、この接合体1に対して、必要に応じ、以下の2つの工程([6A]および[6B])のうちの少なくとも1つの工程(接合体1の接合強度を高める工程)を行うようにしてもよい。これにより、接合体1の接合強度のさらなる向上を容易に図ることができる。
The joined
In addition, when obtaining the joined
[6A] 図2(g)に示すように、得られた接合体1を、第1の基材21と第2の基材22とが互いに近づく方向に加圧する。
これにより、第1の基材21の表面および第2の基材22の表面に、それぞれ接合膜3の表面がより近接し、接合体1における接合強度をより高めることができる。
また、接合体1を加圧することにより、接合体1中の接合界面に残存していた隙間を押し潰して、接合面積をさらに広げることができる。これにより、接合体1における接合強度をさらに高めることができる。
[6A] As shown in FIG. 2G, the obtained bonded
Thereby, the surface of the
Further, by pressurizing the bonded
なお、この圧力は、第1の基材21および第2の基材22の各構成材料や各厚さ、接合装置等の条件に応じて、適宜調整すればよい。具体的には、第1の基材21および第2の基材22の各構成材料や各厚さ等に応じて若干異なるものの、5〜60MPa程度であるのが好ましく、20〜50MPa程度であるのがより好ましい。これにより、接合体1の接合強度を確実に高めることができる。なお、この圧力が前記上限値を上回っても構わないが、第1の基材21および第2の基材22の各構成材料によっては、各基材21、22に損傷等が生じるおそれがある。
また、加圧する時間は、特に限定されないが、10秒〜30分程度であるのが好ましい。なお、加圧する時間は、加圧する際の圧力に応じて適宜変更すればよい。具体的には、接合体1を加圧する際の圧力が高いほど、加圧する時間を短くしても、接合強度の向上を図ることができる。
In addition, what is necessary is just to adjust this pressure suitably according to conditions, such as each constituent material of each of the
The time for pressurization is not particularly limited, but is preferably about 10 seconds to 30 minutes. In addition, what is necessary is just to change suitably the time to pressurize according to the pressure at the time of pressurizing. Specifically, the higher the pressure at which the bonded
[6B] 図2(g)に示すように、得られた接合体1を加熱する。
これにより、接合体1における接合強度をより高めることができる。
このとき、接合体1を加熱する際の温度は、室温より高く、接合体1の耐熱温度未満であれば、特に限定されないが、好ましくは25〜200℃程度とされ、より好ましくは50〜200℃程度とされる。かかる範囲の温度で加熱すれば、接合体1が熱によって変質・劣化するのを確実に防止しつつ、接合強度を確実に高めることができる。
[6B] As shown in FIG. 2G, the obtained bonded
Thereby, the joint strength in the joined
At this time, the temperature at which the bonded
また、加熱時間は、特に限定されないが、1〜30分程度であるのが好ましい。
また、前記工程[6A]および[6B]の双方を行う場合、これらを同時に行うのが好ましい。すなわち、図2(g)に示すように、接合体1を加圧しつつ、加熱するのが好ましい。これにより、加圧による効果と、加熱による効果とが相乗的に発揮され、接合体1の接合強度を特に高めることができる。
以上のような工程を行うことにより、接合体1における接合強度のさらなる向上を容易に図ることができる。
The heating time is not particularly limited, but is preferably about 1 to 30 minutes.
Moreover, when performing both said process [6A] and [6B], it is preferable to perform these simultaneously. That is, as shown in FIG. 2G, it is preferable to heat the bonded
By performing the steps as described above, it is possible to easily further improve the bonding strength in the bonded
<<第2実施形態>>
次に、本発明の接合方法の第2実施形態について説明する。
図4は、本発明の接合方法の第2実施形態を説明するための図(縦断面図)である。なお、以下の説明では、図4中の上側を「上」、下側を「下」と言う。
以下、接合方法の第2実施形態について説明するが、前記第1実施形態にかかる接合方法との相違点を中心に説明し、同様の事項については、その説明を省略する。
<< Second Embodiment >>
Next, a second embodiment of the joining method of the present invention will be described.
FIG. 4 is a view (longitudinal sectional view) for explaining a second embodiment of the joining method of the present invention. In the following description, the upper side in FIG. 4 is referred to as “upper” and the lower side is referred to as “lower”.
Hereinafter, although 2nd Embodiment of the joining method is described, it demonstrates centering around difference with the joining method concerning the said 1st Embodiment, and the description is abbreviate | omitted about the same matter.
本実施形態にかかる接合方法は、第1の基材21の接合面(表面)23に接合膜3が形成されている他に、さらに第2の基材22の接合面(表面)24にも接合膜3が形成されている。そして、それぞれの基材21、22が備える接合膜3の表面32付近に接着性を発現させ、これら接合膜3同士を接触させることにより、第1の基材21と第2の基材22とを接合させて、接合体1を得た以外は前記第1実施形態と同様である。
すなわち、本実施形態の接合方法は、第1の基材21上および第2の基材22上の双方に接合膜3を形成して、これら接合膜3同士を一体化させることにより、第1の基材21と第2の基材22とを接合する接合方法である。
In the bonding method according to the present embodiment, the
That is, in the bonding method of the present embodiment, the
[1’]まず、前記工程[1]と同様の第1の基材21と第2の基材22とを用意する。
[2’]次に、前記工程[2]および前記工程[3]で説明したのと同様にして、第1の基材21の接合面23に接合膜3を形成するとともに、第2の基材22の接合面24にも接合膜3を形成する。
[3’]次に、第1の基材21に形成された接合膜3と、第2の基材22に形成された接合膜3の双方に、前記工程[4]で説明したのと同様の方法を用いて、プラズマを接触させることにより、各接合膜3の表面32付近に接着性を発現させる。
[4’]次に、図4(a)に示すように、各基材21、22が備える接着性が発現した接合膜3同士を、それぞれが密着するように、各基材21、22同士を貼り合わせる。これにより、双方の基材21、22に形成された接合膜3により、基材21、22同士が接合され、図4(b)に示すような接合体1が得られる。
以上のようにして接合体1を得ることができる。
[1 ′] First, a
[2 ′] Next, in the same manner as described in the step [2] and the step [3], the
[3 ′] Next, both the
[4 ′] Next, as shown in FIG. 4A, the
The bonded
なお、接合体1を得た後、この接合体1に対して、必要に応じ、前記第1実施形態の工程[6A]および[6B]のうちの少なくとも1つの工程を行うようにしてもよい。
例えば、図4(c)に示すように、接合体1を加圧しつつ、加熱することにより、接合体1の各基材21、22同士がより近接する。これにより、各接合膜3の界面における水酸基の脱水縮合や未結合手同士の再結合が促進される。その結果、接合膜3の一体化がより進行し、最終的には、ほぼ完全に一体化される。
In addition, after obtaining the joined
For example, as shown in FIG. 4C, the
<<第3実施形態>>
次に、本発明の接合方法の第3実施形態について説明する。
図5は、本発明の接合方法の第3実施形態を説明するための図(縦断面図)である。なお、以下の説明では、図5中の上側を「上」、下側を「下」と言う。
以下、接合方法の第3実施形態について説明するが、前記第1実施形態にかかる接合方法との相違点を中心に説明し、同様の事項については、その説明を省略する。
<< Third Embodiment >>
Next, a third embodiment of the joining method of the present invention will be described.
FIG. 5 is a view (longitudinal sectional view) for explaining a third embodiment of the joining method of the present invention. In the following description, the upper side in FIG. 5 is referred to as “upper” and the lower side is referred to as “lower”.
Hereinafter, the third embodiment of the bonding method will be described, but the description will focus on differences from the bonding method according to the first embodiment, and description of similar matters will be omitted.
本実施形態にかかる接合方法は、第1の基材21および第2の基材22の接合面(表面)23、24がともに凹凸面で構成され、これら接合面(凹凸面)23、24同士が互いに対応する形状をなしている。そして、第1の基材21の接合面23に形成した接合膜3の表面付近に接着性を発現させ、この接合膜3を介して第1の基材21と第2の基材22とを接合させて、接合体1を得ること以外は前記第1実施形態と同様である。
すなわち、本実施形態の接合方法は、凹凸面を有する構造体である第1の基材21および第2の基材22同士を、これら凹凸面において接合膜3を介して接合して一体化させることにより、接合体1を得る接合方法である。
In the bonding method according to the present embodiment, the bonding surfaces (surfaces) 23 and 24 of the
That is, in the bonding method of the present embodiment, the
[1”]まず、それぞれの接合面23、24が凹凸面で構成される第1の基材21および第2の基材22を用意する。
本実施形態では、図5(a)に示すように、第1の基材21の接合面23が凸面で構成され、第2の基材22の接合面24が凹面で構成され、この凸面は、第1の基材21の双方の縁部から中央部に向かって厚さが漸増する形状をなしており、また、凹面は、第2の基材22の双方の縁部から中央部に向かって厚さが漸減する形状をなしている。そして、接合面(凸面)23および接合面(凹面)24同士を対向するように重ね合わせたとき、接合面23および接合面24は、互いに対応する形状をなしている。
なお、本実施形態の第1の基材21および第2の基材22は、前記工程[1]で説明した第1の基材21および第2の基材22と、上記のようにその形状だけが異なり、その構成材料等については同様である。
[1 ″] First, the
In this embodiment, as shown to Fig.5 (a), the
In addition, the
[2”]次に、前記工程[2]および前記工程[3]で説明したのと同様にして、第1の基材21の接合面23に接合膜3を形成する。
[3”]次に、第1の基材21の接合面23に形成された接合膜3に、前記工程[4]で説明したのと同様の方法を用いて、プラズマを接触させることにより、接合膜3の表面32付近に接着性を発現させる。
[2 ″] Next, the
[3 ″] Next, plasma is brought into contact with the
ここで、本発明では、前述したように、接合膜3に対するプラズマの接触は、互いに対向する電極間に電圧を印加した状態で、これら電極間にガスを導入してプラズマ化させた後、このプラズマ化されたガスを接合膜3に供給することにより行われる。より具体的には、前記工程[4]で説明したプラズマ処理装置501を用いて、接合膜3にプラズマ化されたガスを供給することにより、接合膜3に対するプラズマの接触が行われる。
Here, in the present invention, as described above, the plasma contact with the
かかる方法を用いれば、プラズマ発生領域530で発生したプラズマがプラズマ噴出部505(異物捕捉部509)から噴出されることとなるので、所望の位置に対して所望の量のプラズマを接触させることができる。そのため、本実施形態のように、接合膜3が形成されている接合面23が凸面で構成されていたとしても、接合膜3に供給するプラズマの量を接合膜3が形成されている位置に応じて適宜設定することで、接合膜3全体に亘って均一にプラズマを接触させることができる。その結果、接合膜3は、その全体に亘って表面32付近にバラツキが生じることなく接着性を発現したものとなるので、次工程[4”]において、接合膜3を介して第1の基材21と第2の基材22とを確実に接合することができる。
If such a method is used, the plasma generated in the
[4”]次に、前記工程[5]と同様にして、接合膜3と第2の基材22とが密着するように、第1の基材21と第2の基材22とを重ね合わせること(図5(a)参照。)により、第1の基材21と第2の基材22とが接合膜3を介して接合された接合体1を得る(図5(b)参照。)。
以上のようにして接合体1を得ることができる。
[4 ″] Next, in the same manner as in the above step [5], the
The bonded
なお、接合体1を得た後、この接合体1に対して、必要に応じ、前記第1実施形態の工程[6A]および[6B]のうちの少なくとも1つの工程を行うようにしてもよい。
例えば、図5(c)に示すように、接合体1を加圧しつつ、加熱することにより、接合体1の各基材21、22同士がより近接する。これにより、接合体1中の接合界面に残存していた隙間を押し潰して、接合面積をさらに広げることができるので、接合体1における接合強度をさらに高めることができる。
In addition, after obtaining the joined
For example, as illustrated in FIG. 5C, the
また、本実施形態では、それぞれ凹凸面で構成される接合面23、24が、接合面23が凸面で構成され、接合面24が凹面で構成される場合について説明したが、この場合に限定されず、例えば、接合面23が凹面で構成され、接合面24が凸面で構成されていてもよいし、接合面23、24の双方に複数の凹部と凸部が設けられていてもよい。
なお、前記第1〜第3実施形態では、接合膜3を第1の基材21および第2の基材22の一方または双方の全面に形成する場合について説明したが、本発明では、接合膜3は、第1の基材21および第2の基材22の一方または双方の表面の一部の領域に選択的に形成するようにしてもよい。
Moreover, although this embodiment demonstrated the case where the joining
In the first to third embodiments, the case where the
なお、この場合、第1の基材21および第2の基材22の接合膜3が形成されていない領域には、接合膜3を介することなくプラズマが直接接触することとなり、基材21、22にプラズマを接触させる方法として直接放電型のプラズマ装置を用いた方法を選択した場合には、プラズマの他に荷電粒子も基材21、22に直接接触するため、選択した基材21、22の種類によっては、その変質・劣化がより顕著に認められる。しかしながら、前述したように、本発明では、プラズマとともに荷電粒子がプラズマ噴出部505(異物捕捉部509)から噴出されるのが的確に抑制または防止されているので、接合膜3が基材21、22の一部の領域に選択的に形成されている場合であっても、基材21、22の変質・劣化を的確に防止または抑制することができる。
In this case, the plasma is in direct contact with the region of the
また、かかる構成とすることにより、接合膜3を形成する領域の大きさを適宜設定することのみで、第1の基材21と第2の基材22とが接合される領域を簡単に選択することができる。これにより、例えば、第1の基材21と第2の基材22とが接合する接合膜3の面積や形状を制御して、接合体1の接合強度を容易に調整することができる。その結果、例えば、接合膜3を容易に剥離可能な接合体1が得られる。
Further, by adopting such a configuration, it is possible to easily select a region where the
すなわち、接合体1の接合強度を調整可能であると同時に、接合体1を分離する際の強度(割裂強度)を調整可能である。
かかる観点から、容易に分離可能な接合体1を作製する場合には、接合体1の接合強度は、人の手で容易に分離可能な程度の大きさであるのが好ましい。これにより、接合体1を分離する際、装置等を用いることなく、簡単に行うことができる。
That is, the bonding strength of the bonded
From this point of view, when the bonded
また、第1の基材21と第2の基材22とが接合する接合膜3の面積や形状を適宜設定することにより、接合膜3に生じる応力の局所集中を緩和することができる。これにより、例えば、第1の基材21と第2の基材22との間で熱膨張率差が大きい場合でも、各基材21、22を確実に接合することができる。
さらに、この場合、接合膜3を形成しない領域(非膜形成領域)42では、第1の基材21と第2の基材22との間に、接合膜3の厚さに相当する距離(高さ)の空間が形成される。この空間を活かすため、接合膜3を形成する領域(膜形成領域)の形状を適宜調整することにより、第1の基材21と第2の基材22との間に、閉空間や流路を形成したりすることができる。
Further, by appropriately setting the area and shape of the
Further, in this case, in a region 42 where the
また、接合膜3にプラズマを接触させるのに先立って、接合膜3を構成するシリコーン材料同士を架橋する架橋処理を、接合膜3に対して行うようにしてもよい。この場合、接合膜3の耐薬品性(耐溶剤性)を向上させることができる。
かかる接合膜3は、有機溶剤を含む組成物を収納する製品を構成する部材同士を接合する場合に好適に使用することができる。このような製品としては、以下に説明するようなインクジェット式記録ヘッド(液滴吐出ヘッド)等が挙げられる。
また、架橋処理には、例えば、加熱処理、触媒導入処理等が挙げられ、これらのうちの1種または2種以上を組み合わせて用いることができる。
In addition, before the plasma is brought into contact with the
Such a
Examples of the crosslinking treatment include heat treatment and catalyst introduction treatment, and one or more of these can be used in combination.
<液滴吐出ヘッド>
次に、本発明の接合体をインクジェット式記録ヘッドに適用した場合の実施形態について説明する。
図6は、本発明の接合体を適用して得られたインクジェット式記録ヘッド(液滴吐出ヘッド)を示す分解斜視図、図7は、図6に示すインクジェット式記録ヘッドの主要部の構成を示す断面図、図8は、図6に示すインクジェット式記録ヘッドを備えるインクジェットプリンタの実施形態を示す概略図である。なお、図6は、通常使用される状態とは、上下逆に示されている。
<Droplet ejection head>
Next, an embodiment in which the joined body of the present invention is applied to an ink jet recording head will be described.
FIG. 6 is an exploded perspective view showing an ink jet recording head (droplet discharge head) obtained by applying the joined body of the present invention, and FIG. 7 shows the configuration of the main part of the ink jet recording head shown in FIG. FIG. 8 is a schematic view showing an embodiment of an ink jet printer including the ink jet recording head shown in FIG. Note that FIG. 6 is shown upside down from the state of normal use.
図6に示すインクジェット式記録ヘッド10は、図8に示すようなインクジェットプリンタ9に搭載されている。
図8に示すインクジェットプリンタ9は、装置本体92を備えており、上部後方に記録用紙Pを設置するトレイ921と、下部前方に記録用紙Pを排出する排紙口922と、上部面に操作パネル97とが設けられている。
An ink
The
操作パネル97は、例えば、液晶ディスプレイ、有機ELディスプレイ、LEDランプ等で構成され、エラーメッセージ等を表示する表示部(図示せず)と、各種スイッチ等で構成される操作部(図示せず)とを備えている。
また、装置本体92の内部には、主に、往復動するヘッドユニット93を備える印刷装置(印刷手段)94と、記録用紙Pを1枚ずつ印刷装置94に送り込む給紙装置(給紙手段)95と、印刷装置94および給紙装置95を制御する制御部(制御手段)96とを有している。
The
Further, inside the apparatus
制御部96の制御により、給紙装置95は、記録用紙Pを一枚ずつ間欠送りする。この記録用紙Pは、ヘッドユニット93の下部近傍を通過する。このとき、ヘッドユニット93が記録用紙Pの送り方向とほぼ直交する方向に往復移動して、記録用紙Pへの印刷が行なわれる。すなわち、ヘッドユニット93の往復動と記録用紙Pの間欠送りとが、印刷における主走査および副走査となって、インクジェット方式の印刷が行なわれる。
Under the control of the
印刷装置94は、ヘッドユニット93と、ヘッドユニット93の駆動源となるキャリッジモータ941と、キャリッジモータ941の回転を受けて、ヘッドユニット93を往復動させる往復動機構942とを備えている。
ヘッドユニット93は、その下部に、多数のノズル孔111を備えるインクジェット式記録ヘッド10(以下、単に「ヘッド10」と言う。)と、ヘッド10にインクを供給するインクカートリッジ931と、ヘッド10およびインクカートリッジ931を搭載したキャリッジ932とを有している。
The
The
なお、インクカートリッジ931として、イエロー、シアン、マゼンタ、ブラック(黒)の4色のインクを充填したものを用いることにより、フルカラー印刷が可能となる。
往復動機構942は、その両端をフレーム(図示せず)に支持されたキャリッジガイド軸944と、キャリッジガイド軸944と平行に延在するタイミングベルト943とを有している。
The
キャリッジ932は、キャリッジガイド軸944に往復動自在に支持されるとともに、タイミングベルト943の一部に固定されている。
キャリッジモータ941の作動により、プーリを介してタイミングベルト943を正逆走行させると、キャリッジガイド軸944に案内されて、ヘッドユニット93が往復動する。そして、この往復動の際に、ヘッド10から適宜インクが吐出され、記録用紙Pへの印刷が行われる。
The
When the
給紙装置95は、その駆動源となる給紙モータ951と、給紙モータ951の作動により回転する給紙ローラ952とを有している。
給紙ローラ952は、記録用紙Pの送り経路(記録用紙P)を挟んで上下に対向する従動ローラ952aと駆動ローラ952bとで構成され、駆動ローラ952bは給紙モータ951に連結されている。これにより、給紙ローラ952は、トレイ921に設置した多数枚の記録用紙Pを、印刷装置94に向かって1枚ずつ送り込めるようになっている。なお、トレイ921に代えて、記録用紙Pを収容する給紙カセットを着脱自在に装着し得るような構成であってもよい。
The
The
制御部96は、例えばパーソナルコンピュータやディジタルカメラ等のホストコンピュータから入力された印刷データに基づいて、印刷装置94や給紙装置95等を制御することにより印刷を行うものである。
制御部96は、いずれも図示しないが、主に、各部を制御する制御プログラム等を記憶するメモリ、圧電素子(振動源)14を駆動して、インクの吐出タイミングを制御する圧電素子駆動回路、印刷装置94(キャリッジモータ941)を駆動する駆動回路、給紙装置95(給紙モータ951)を駆動する駆動回路、および、ホストコンピュータからの印刷データを入手する通信回路と、これらに電気的に接続され、各部での各種制御を行うCPUとを備えている。
The
Although not shown, the
また、CPUには、例えば、インクカートリッジ931のインク残量、ヘッドユニット93の位置等を検出可能な各種センサ等が、それぞれ電気的に接続されている。
制御部96は、通信回路を介して、印刷データを入手してメモリに格納する。CPUは、この印刷データを処理して、この処理データおよび各種センサからの入力データに基づいて、各駆動回路に駆動信号を出力する。この駆動信号により圧電素子14、印刷装置94および給紙装置95は、それぞれ作動する。これにより、記録用紙Pに印刷が行われる。
Further, for example, various sensors that can detect the remaining ink amount of the
The
以下、ヘッド10について、図6および図7を参照しつつ詳述する。
ヘッド10は、ノズル板11と、インク室基板12と、振動板13と、振動板13に接合された圧電素子(振動源)14とを備えるヘッド本体17と、このヘッド本体17を収納する基体16とを有している。なお、このヘッド10は、オンデマンド形のピエゾジェット式ヘッドを構成する。
Hereinafter, the
The
ノズル板11は、例えば、SiO2、SiN、石英ガラスのようなシリコン系材料、Al、Fe、Ni、Cuまたはこれらを含む合金のような金属系材料、アルミナ、酸化鉄のような酸化物系材料、カーボンブラック、グラファイトのような炭素系材料等で構成されている。
このノズル板11には、インク滴を吐出するための多数のノズル孔111が形成されている。これらのノズル孔111間のピッチは、印刷精度に応じて適宜設定される。
The
A number of nozzle holes 111 for discharging ink droplets are formed in the
ノズル板11には、インク室基板12が固着(固定)されている。
このインク室基板12は、ノズル板11、側壁(隔壁)122および後述する振動板13により、複数のインク室(キャビティ、圧力室)121と、インクカートリッジ931から供給されるインクを貯留するリザーバ室123と、リザーバ室123から各インク室121に、それぞれインクを供給する供給口124とが区画形成されている。
An
The
各インク室121は、それぞれ短冊状(直方体状)に形成され、各ノズル孔111に対応して配設されている。各インク室121は、後述する振動板13の振動により容積可変であり、この容積変化により、インクを吐出するよう構成されている。
インク室基板12を得るための母材としては、例えば、シリコン単結晶基板、各種ガラス基板、各種樹脂基板等を用いることができる。これらの基板は、いずれも汎用的な基板であるので、これらの基板を用いることにより、ヘッド10の製造コストを低減することができる。
Each
As a base material for obtaining the
一方、インク室基板12のノズル板11と反対側には、振動板13が接合され、さらに振動板13のインク室基板12と反対側には、複数の圧電素子14が設けられている。
また、振動板13の所定位置には、振動板13の厚さ方向に貫通して連通孔131が形成されている。この連通孔131を介して、前述したインクカートリッジ931からリザーバ室123に、インクが供給可能となっている。
On the other hand, a
A
各圧電素子14は、それぞれ、下部電極142と上部電極141との間に圧電体層143を介挿してなり、各インク室121のほぼ中央部に対応して配設されている。各圧電素子14は、圧電素子駆動回路に電気的に接続され、圧電素子駆動回路の信号に基づいて作動(振動、変形)するよう構成されている。
各圧電素子14は、それぞれ、振動源として機能し、振動板13は、圧電素子14の振動により振動し、インク室121の内部圧力を瞬間的に高めるよう機能する。
Each piezoelectric element 14 has a
Each piezoelectric element 14 functions as a vibration source, and the
基体16は、例えば各種樹脂材料、各種金属材料等で構成されており、この基体16にノズル板11が固定、支持されている。すなわち、基体16が備える凹部161に、ヘッド本体17を収納した状態で、凹部161の外周部に形成された段差162によりノズル板11の縁部を支持する。
以上のような、ノズル板(ノズルプレート)11とインク室基板12との接合、インク室基板12と振動板13との接合、およびノズル板11と基体16との接合のうち、少なくとも1箇所を接合する際に本発明の接合方法が用いられる。
The
At least one of the above-described bonding between the nozzle plate (nozzle plate) 11 and the
換言すれば、ノズル板11とインク室基板12との接合体、インク室基板12と振動板13との接合体、およびノズル板11と基体16との接合体のうち、少なくとも1箇所に本発明の接合体が適用されている。
このようなヘッド10は、上記の接合界面に前述したような接合膜3が介挿されて接合されている。このため、接合界面の接合強度および耐薬品性が高くなっており、これにより、各インク室121に貯留されたインクに対する耐久性および液密性が高くなっている。その結果、ヘッド10は、信頼性の高いものとなる。
In other words, the present invention is provided in at least one place among the joined body of the
Such a
また、非常に低温で信頼性の高い接合ができるため、線膨張係数の異なる材料でも大面積のヘッドができる点でも有利である。
また、ヘッド10の一部に本発明の接合体が適用されていると、寸法精度の高いヘッド10を構築することができる。このため、ヘッド10から吐出されたインク滴の吐出方向や、ヘッド10と記録用紙Pとの離間距離を高度に制御することができ、インクジェットプリンタ9による印字結果の品位を高めることができる。
In addition, since highly reliable bonding can be performed at a very low temperature, it is advantageous in that a large-area head can be formed even with materials having different linear expansion coefficients.
Further, when the joined body of the present invention is applied to a part of the
また、液滴吐出法を用いて液状材料を供給する位置を任意に設定し得ることから、各接合体における接合部の面積や、その配置を適宜制御して、各接合体の接合界面に生じる応力の局所集中を緩和できる。これにより、例えば、ノズル板11とインク室基板12との間、インク室基板12と振動板13との間、および、ノズル板11と基体16との間で、それぞれ両者の熱膨張率差が大きい場合でも、両者の部材を確実に接合することができる。
In addition, since the position where the liquid material is supplied using the droplet discharge method can be arbitrarily set, the area of the bonded portion in each bonded body and the arrangement thereof are appropriately controlled to be generated at the bonded interface of each bonded body. The local concentration of stress can be reduced. Thereby, for example, the difference in thermal expansion coefficient between the
さらに、接合界面に生じる応力の局所集中を緩和することにより、接合体の剥離や変形(反り)等を確実に防止することができる。これにより、信頼性の高いヘッド10およびインクジェットプリンタ9が得られる。
このようなヘッド10は、圧電素子駆動回路を介して所定の吐出信号が入力されていない状態、すなわち、圧電素子14の下部電極142と上部電極141との間に電圧が印加されていない状態では、圧電体層143に変形が生じない。このため、振動板13にも変形が生じず、インク室121には容積変化が生じない。したがって、ノズル孔111からインク滴は吐出されない。
Furthermore, by relaxing the local concentration of stress generated at the joint interface, it is possible to reliably prevent peeling and deformation (warping) of the joined body. Thereby, the highly
Such a
一方、圧電素子駆動回路を介して所定の吐出信号が入力された状態、すなわち、圧電素子14の下部電極142と上部電極141との間に一定電圧が印加された状態では、圧電体層143に変形が生じる。これにより、振動板13が大きくたわみ、インク室121の容積変化が生じる。このとき、インク室121内の圧力が瞬間的に高まり、ノズル孔111からインク滴が吐出される。
On the other hand, in a state where a predetermined ejection signal is input via the piezoelectric element driving circuit, that is, in a state where a constant voltage is applied between the
1回のインクの吐出が終了すると、圧電素子駆動回路は、下部電極142と上部電極141との間への電圧の印加を停止する。これにより、圧電素子14は、ほぼ元の形状に戻り、インク室121の容積が増大する。なお、このとき、インクには、インクカートリッジ931からノズル孔111へ向かう圧力(正方向への圧力)が作用している。このため、空気がノズル孔111からインク室121へ入り込むことが防止され、インクの吐出量に見合った量のインクがインクカートリッジ931(リザーバ室123)からインク室121へ供給される。
When the ejection of one ink is completed, the piezoelectric element driving circuit stops applying the voltage between the
このようにして、ヘッド10において、印刷させたい位置の圧電素子14に、圧電素子駆動回路を介して吐出信号を順次入力することにより、任意の(所望の)文字や図形等を印刷することができる。
なお、ヘッド10は、圧電素子14の代わりに電気熱変換素子を有していてもよい。つまり、ヘッド10は、電気熱変換素子による材料の熱膨張を利用してインクを吐出するバブルジェット方式(「バブルジェット」は登録商標))のものであってもよい。
In this manner, in the
The
なお、かかる構成のヘッド10において、ノズル板11には、撥液性を付与することを目的に形成された被膜114が設けられている。これにより、ノズル孔111からインク滴が吐出される際に、このノズル孔111の周辺にインク滴が残存するのを確実に防止することができる。その結果、ノズル孔111から吐出されたインク滴を目的とする領域に確実に着弾させることができる。
以上、本発明の接合方法および接合体を、図示の実施形態に基づいて説明したが、本発明はこれらに限定されるものではない。
In the
As mentioned above, although the joining method and joined body of this invention were demonstrated based on embodiment of illustration, this invention is not limited to these.
例えば、本発明の接合方法では、必要に応じて、1以上の任意の目的の工程を追加してもよい。
また、本発明の接合体は、液滴吐出ヘッド以外のものに適用可能であることは言うまでもない。具体的には、本発明の接合体は、例えば、光学装置が備えるレンズ、半導体装置、マイクロリアクタ等に適用することができる。
For example, in the bonding method of the present invention, one or more optional steps may be added as necessary.
Needless to say, the joined body of the present invention is applicable to other than the droplet discharge head. Specifically, the joined body of the present invention can be applied to, for example, a lens, a semiconductor device, a microreactor, and the like included in an optical device.
次に、本発明の具体的実施例について説明する。
(実施例1)
まず、第1の基材および第2の基材として、縦20mm×横20mm×平均厚さ1mmの単結晶シリコン基板上に厚さ10nmのSiO2膜が形成されているものを用意し、これらの基材の双方を、酸素プラズマによる下地処理を行った。
Next, specific examples of the present invention will be described.
Example 1
First, as the first base material and the second base material, those in which a SiO 2 film having a thickness of 10 nm is formed on a single crystal silicon substrate having a length of 20 mm × width of 20 mm × average thickness of 1 mm are prepared. Both of the base materials were subjected to a surface treatment with oxygen plasma.
次に、シリコーン材料にポリエステル樹脂が連結しているポリエステル変性シリコーン材料(モメンティブ・パフォーマンス・マテリアル・ジャパン合同会社製、「XR32−A1612」)を用意し、スピンコート法により第1の基材上に、この液状材料を供給して液状被膜を形成した。
次に、この液状被膜を、100〜200℃の間の加熱温度で、1時間乾燥・硬化させることにより、第1の基材上に、接合膜(平均厚さ:約3μm)を形成した。
Next, a polyester-modified silicone material (“XR32-A1612”, manufactured by Momentive Performance Material Japan G.K.), in which a polyester resin is connected to the silicone material, is prepared and applied onto the first substrate by spin coating. The liquid material was supplied to form a liquid film.
Next, this liquid film was dried and cured for 1 hour at a heating temperature of 100 to 200 ° C. to form a bonding film (average thickness: about 3 μm) on the first substrate.
次に、第1の基材上に形成された接合膜に、図3に示す大気圧プラズマ装置を用いて、以下に示す条件でプラズマを接触させた。これにより、接合膜を活性化させて、その表面に接着性を発現させた。
<プラズマ処理条件>
・処理ガス :窒素ガス
・ガス供給速度:100SLM
・印加電圧 :2KVpp
・電圧周波数 :100KHz
Next, plasma was brought into contact with the bonding film formed on the first substrate under the following conditions using the atmospheric pressure plasma apparatus shown in FIG. As a result, the bonding film was activated to develop adhesiveness on the surface.
<Plasma treatment conditions>
・ Processing gas: Nitrogen gas ・ Gas supply speed: 100 SLM
・ Applied voltage: 2KVpp
・ Voltage frequency: 100KHz
次に、接合膜のプラズマを接触させた面と、第2の基材の表面とが接触するように、第1の基材と第2の基材とを重ね合わせた。
そして、第1の基材と第2の基材とを50MPaで加圧しつつ、常温(25度前後)で、1分間維持した。これにより、第1の基材と第2の基材とが接合膜を介して接合された接合体を得た。
そして、この接合体の第1の基材と第2の基材との間の接合強度を、QUAD GROUP社製「ロミュラス」)を用いて測定したところ、10MPa以上であった。
Next, the first base material and the second base material were overlapped so that the surface of the bonding film in contact with the plasma was in contact with the surface of the second base material.
And it maintained for 1 minute at normal temperature (around 25 degree | times), pressing the 1st base material and the 2nd base material at 50 Mpa. Thus, a joined body in which the first base material and the second base material were joined via the joining film was obtained.
And when the joint strength between the 1st base material and the 2nd base material of this conjugate | zygote was measured using QUAD GROUP "Romulus"), it was 10 Mpa or more.
(実施例2)
まず、第1の基材として、縦20mm×横20mm×(縁部の厚さ1mm、中央部の厚さ4mm)の単結晶シリコン基板上に厚さ10nmのSiO2膜が形成されているものを用意し、第2の基材として、縦20mm×横20mm×(縁部の厚さ4mm、中央部の厚さ1mm)の単結晶シリコン基板上に厚さ10nmのSiO2膜が形成されているものを用意した以外は、前記実施例1と同様にして、接合体を得た。
本実施例2においても、接合体の第1の基材と第2の基材との間の接合強度が10MPa以上であった。
(Example 2)
First, as a first base material, a SiO 2 film having a thickness of 10 nm is formed on a single crystal silicon substrate having a length of 20 mm × width of 20 mm × (
Also in Example 2, the bonding strength between the first base material and the second base material of the joined body was 10 MPa or more.
(実施例3)
第1の基材および第2の基材として、単結晶シリコン基板上にSiO2膜が形成されているものに代えて、単結晶シリコン基板上に厚さ10nmのSiN膜が形成されているものを用意した以外は、前記実施例1と同様にして、接合体を得た。
本実施例3においても、接合体の第1の基材と第2の基材との間の接合強度が10MPa以上であった。
(Example 3)
As the first base material and the second base material, instead of the SiO 2 film formed on the single crystal silicon substrate, the SiN film having a thickness of 10 nm is formed on the single crystal silicon substrate. A joined body was obtained in the same manner as in Example 1 except that was prepared.
Also in Example 3, the bonding strength between the first base material and the second base material of the joined body was 10 MPa or more.
(実施例4)
第1の基材上に接合膜を形成したのと同様の方法を用いて、第2の基材上にも接合膜を形成し、各基材上に形成された接合膜同士が接触するようにして、第1の基材と第2の基材とを接合膜を介して接合させた以外は、前記実施例1と同様にして、接合体を得た。
本実施例4においても、接合体の第1の基材と第2の基材との間の接合強度が10MPa以上であった。
Example 4
Using the same method as that for forming the bonding film on the first base material, the bonding film is also formed on the second base material so that the bonding films formed on the respective base materials are in contact with each other. Thus, a joined body was obtained in the same manner as in Example 1 except that the first base material and the second base material were joined via the joining film.
Also in Example 4, the bonding strength between the first base material and the second base material of the joined body was 10 MPa or more.
(比較例1)
接合膜を活性化させるために、プラズマ処理に代えて、以下に示す条件で、第1の基材に形成された接合膜に紫外線照射を行った以外は、前記実施例1と同様にして、接合体を得た。
<紫外線照射条件>
・雰囲気ガスの組成 :大気(空気)
・雰囲気ガスの温度 :20℃
・雰囲気ガスの圧力 :大気圧(100kPa)
・紫外線の波長 :172nm
・紫外線の照射時間 :900秒
本比較例においては、接合体の第1の基材と第2の基材との間の接合強度が5MPaを大きく下回った。
(Comparative Example 1)
In order to activate the bonding film, instead of plasma treatment, under the conditions shown below, except that the bonding film formed on the first base material was irradiated with ultraviolet rays, the same as in Example 1, A joined body was obtained.
<Ultraviolet irradiation conditions>
-Atmospheric gas composition: Air (air)
・ Atmospheric gas temperature: 20 ℃
・ Atmospheric gas pressure: Atmospheric pressure (100 kPa)
UV wavelength: 172 nm
UV irradiation time: 900 seconds In this comparative example, the bonding strength between the first base material and the second base material of the joined body was significantly lower than 5 MPa.
(比較例2)
接合膜にプラズマを接触させる方法として、図3に示す大気圧プラズマ装置を用いた方法に代えて、直接放電型の大気プラズマ装置を用い、以下に示す条件でプラズマを接触させる方法を用いた以外は、前記実施例1と同様にして、接合体を得た。
<プラズマ処理条件>
・処理ガス :ヘリウムガスと酸素ガスとの混合ガス
・ガス供給速度:10SLM
・電極間距離 :1mm
・印加電圧 :1.0KVpp(定常)
・電圧周波数 :40MHz
本比較例2においては、接合体の第1の基材と第2の基材との間の接合強度が5MPa以上を維持しているものの、第1の基材において顕著な変質・劣化が認められた。
(Comparative Example 2)
As a method for bringing the bonding film into contact with the plasma, instead of using the atmospheric pressure plasma apparatus shown in FIG. 3, a direct discharge type atmospheric plasma apparatus is used, and a method in which the plasma is contacted under the following conditions Were similar to Example 1 to obtain a joined body.
<Plasma treatment conditions>
・ Processing gas: Mixed gas of helium gas and oxygen gas ・ Gas supply speed: 10 SLM
・ Distance between electrodes: 1mm
-Applied voltage: 1.0 KVpp (steady)
-Voltage frequency: 40 MHz
In this comparative example 2, although the bonding strength between the first base material and the second base material of the joined body is maintained at 5 MPa or more, significant alteration and deterioration are recognized in the first base material. It was.
(比較例3)
接合膜にプラズマを接触させる方法として、図3に示す大気圧プラズマ装置を用いた方法に代えて、直接放電型の大気プラズマ装置を用い、以下に示す条件でプラズマを接触させる方法を用いた以外は、前記実施例2と同様にして、接合体を得た。
<プラズマ処理条件>
・処理ガス :ヘリウムガスと酸素ガスとの混合ガス
・ガス供給速度:10SLM
・電極間距離 :1mm
・印加電圧 :1.0KVpp(定常)
・電圧周波数 :40MHz
本比較例3においては、接合体の第1の基材と第2の基材との間の接合強度が5MPaを下回るとともに、第1の基材において顕著な変質・劣化が認められた。
(Comparative Example 3)
As a method for bringing the bonding film into contact with the plasma, instead of using the atmospheric pressure plasma apparatus shown in FIG. 3, a direct discharge type atmospheric plasma apparatus is used, and a method in which the plasma is contacted under the following conditions Was similar to Example 2 to obtain a joined body.
<Plasma treatment conditions>
・ Processing gas: Mixed gas of helium gas and oxygen gas ・ Gas supply speed: 10 SLM
・ Distance between electrodes: 1mm
-Applied voltage: 1.0 KVpp (steady)
-Voltage frequency: 40 MHz
In Comparative Example 3, the bonding strength between the first base material and the second base material of the joined body was less than 5 MPa, and significant alteration and deterioration were observed in the first base material.
1……接合体 21……第1の基材 22……第2の基材 23、24……接合面 3……接合膜 30……液状被膜 32……表面 35……液状材料 10……インクジェット式記録ヘッド 11……ノズル板 111……ノズル孔 114……被膜 12……インク室基板 121……インク室 122……側壁 123……リザーバ室 124……供給口 13……振動板 131……連通孔 14……圧電素子 141……上部電極 142……下部電極 143……圧電体層 16……基体 161……凹部 162……段差 17……ヘッド本体 9……インクジェットプリンタ 92……装置本体 921……トレイ 922……排紙口 93……ヘッドユニット 931……インクカートリッジ 932……キャリッジ 94……印刷装置 941……キャリッジモータ 942……往復動機構 943……タイミングベルト 944……キャリッジガイド軸 95……給紙装置 951……給紙モータ 952……給紙ローラ 952a……従動ローラ 952b……駆動ローラ 96……制御部 97……操作パネル P……記録用紙 501……プラズマ処理装置 502……第1の電極 503……第2の電極 504……誘電体部 505……プラズマ噴出部 506……処理ガス導入口 507……電源回路 571……導線 572……電源 508……ガス供給手段 581……ガスボンベ 582……マスフローコントローラ 583……バルブ 584……処理ガス管 509……異物捕捉部 591……絶縁性材料層 595……支持部材 596……網状部材 530……プラズマ発生領域 540……異物 h1……電極とワークとの距離 T1……厚さ
DESCRIPTION OF
Claims (14)
前記第1の基材および前記第2の基材の少なくとも一方に、シリコーン材料を含有する液状材料を供給することにより液状被膜を形成する工程と、
前記液状被膜を乾燥して、前記第1の基材および前記第2の基材の少なくとも一方に、接合膜を得る工程と、
互いに対向する電極間に電圧を印加した状態で、これら電極間にガスを導入してプラズマ化させた後、このプラズマ化されたガスを前記接合膜に供給することにより、前記プラズマを前記接合膜に接触させて、前記接合膜の表面付近に接着性を発現させる工程と、
当該接着性が発現した接合膜を介して前記第1の基材と前記第2の基材とを接触させ、前記第1の基材と前記第2の基材とが前記接合膜を介して接合された接合体を得る工程とを有することを特徴とする接合方法。 Preparing a first substrate and a second substrate to be bonded to each other via a bonding film;
Forming a liquid film by supplying a liquid material containing a silicone material to at least one of the first substrate and the second substrate;
Drying the liquid film to obtain a bonding film on at least one of the first substrate and the second substrate;
In a state where a voltage is applied between the electrodes facing each other, a gas is introduced between these electrodes to form plasma, and then the plasmaized gas is supplied to the bonding film, whereby the plasma is supplied to the bonding film. The step of bringing the adhesive film into contact with the surface of the bonding film,
The first base material and the second base material are brought into contact with each other through the bonding film expressing the adhesiveness, and the first base material and the second base material are interposed through the bonding film. And a step of obtaining a joined joined body.
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Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2015199500A1 (en) * | 2014-06-27 | 2015-12-30 | 오씨아이 주식회사 | Method for manufacturing polysilicon filament using silicon nanopowder |
Citations (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2004352747A (en) * | 2003-05-27 | 2004-12-16 | Tosoh Corp | Adhesive film |
JP2005509289A (en) * | 2001-10-09 | 2005-04-07 | ダウ・コーニング・コーポレイション | Adhesion method during electronic device manufacturing |
JP2006184010A (en) * | 2004-12-24 | 2006-07-13 | Kobe Steel Ltd | Microfluid device, manufacturing method thereof, and chemical analysis device provided with microfluid device |
JP2007502020A (en) * | 2003-08-08 | 2007-02-01 | ダウ・コーニング・コーポレイション | Manufacturing method of electronic parts using liquid injection molding |
JP2007317908A (en) * | 2006-05-26 | 2007-12-06 | Shinko Seiki Co Ltd | Cleaning apparatus |
JP2008158265A (en) * | 2006-12-25 | 2008-07-10 | Toray Ind Inc | Color filter and manufacturing method of color filter |
WO2009083563A1 (en) * | 2007-12-27 | 2009-07-09 | Bluestar Silicones France Sas | Silicone-self-adhesives, method for the production thereof, complexes using same and uses |
-
2009
- 2009-05-08 JP JP2009114013A patent/JP5499514B2/en active Active
Patent Citations (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2005509289A (en) * | 2001-10-09 | 2005-04-07 | ダウ・コーニング・コーポレイション | Adhesion method during electronic device manufacturing |
JP2004352747A (en) * | 2003-05-27 | 2004-12-16 | Tosoh Corp | Adhesive film |
JP2007502020A (en) * | 2003-08-08 | 2007-02-01 | ダウ・コーニング・コーポレイション | Manufacturing method of electronic parts using liquid injection molding |
JP2006184010A (en) * | 2004-12-24 | 2006-07-13 | Kobe Steel Ltd | Microfluid device, manufacturing method thereof, and chemical analysis device provided with microfluid device |
JP2007317908A (en) * | 2006-05-26 | 2007-12-06 | Shinko Seiki Co Ltd | Cleaning apparatus |
JP2008158265A (en) * | 2006-12-25 | 2008-07-10 | Toray Ind Inc | Color filter and manufacturing method of color filter |
WO2009083563A1 (en) * | 2007-12-27 | 2009-07-09 | Bluestar Silicones France Sas | Silicone-self-adhesives, method for the production thereof, complexes using same and uses |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2015199500A1 (en) * | 2014-06-27 | 2015-12-30 | 오씨아이 주식회사 | Method for manufacturing polysilicon filament using silicon nanopowder |
KR101608585B1 (en) * | 2014-06-27 | 2016-04-04 | 오씨아이 주식회사 | Poly silicone filament fabrication method using silicon nano powder |
Also Published As
Publication number | Publication date |
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