JP2010258719A - Acoustic transducer unit - Google Patents
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Description
本発明は、音響的トランスデューサユニットに関し、詳しくは、マイクやスピーカーなどの音響変換素子がハウジング内に収納された音響的トランスデューサユニットに関する。 The present invention relates to an acoustic transducer unit, and more particularly to an acoustic transducer unit in which an acoustic conversion element such as a microphone or a speaker is housed in a housing.
従来、音響的トランスデューサユニットの構成について、種々提案されている。 Conventionally, various configurations of acoustic transducer units have been proposed.
例えば図6及び図7の断面図に示すマイクロフォンパッケージ101は、セラミック多層基板103に形成された凹部113の底面113aに、マイクロフォンチップ105やLSIチップ107が搭載され、凹部113を覆うように、セラミック多層基板103の上面103aに蓋部材131が接合されている。図6に示すように、マイクロフォンチップ105の上面105aに形成された電極パッド105bと、LSIチップ107の上面107aに形成された電極パッド107bとは、第1のワイヤ137によって電気的に接続されている。また、図7に示すように、LSIチップ107の上面107aに形成された他の電極パッド107cは、第2のワイヤ139を用いて内部端子119と電気的に接続されている。内部端子119は、凹部113内に設けられた段差部115の上面115aに形成されている。段差部115の上面115aの高さ位置をLSIチップ107の上面107aの高さ位置と略同等とすることで、容易にワイヤボンディングを実施することができる(例えば、特許文献1参照)。
For example, in the
図7の構成において、凹部113が形成されたセラミック多層基板103の上面103aは、ワイヤボンディングされる内部端子119が形成された段差部115の上面115aより高い位置に存在し、ワイヤボンディングされる内部端子119の付近に、セラミック多層基板103の凹部113を形成する側壁部分が突出している。この側壁部分は、ワイヤボンディング工程の作業中に障害となるおそれがある。そのため、ワイヤボンディングの工程において使用する機械設備や工具等の選択範囲などが制限され、また、作業性を低下させる問題がある。
In the configuration of FIG. 7, the
本発明は、かかる実情に鑑み、制約を受けずに効率よくワイヤボンディングを実施することができる音響的トランスデューサユニットを提供しようとするものである。 In view of such circumstances, the present invention is intended to provide an acoustic transducer unit that can efficiently perform wire bonding without being restricted.
本発明は、上記課題を解決するために、以下のように構成した音響的トランスデューサユニットを提供する。 In order to solve the above-described problems, the present invention provides an acoustic transducer unit configured as follows.
音響的トランスデューサユニットは、(a)開口と、該開口に連通する空洞部とが形成された第1部材と、(b)前記第1部材に接合され、前記第1部材の前記開口を覆う第2部材と、(c)前記第1部材の前記空洞部内に配置され、音響を電気信号に、又は電気信号を音響に変換する音響変換素子とを備える。前記第1部材と前記第2部材のうち少なくとも一方に、前記第1部材の前記空洞部と外部空間とを連通する音響経路が形成されている。前記第1部材の前記空洞部の深さと前記音響変換素子の高さとが略等しい。前記第1部材の前記開口の周囲を囲む面に端子電極が形成されている。前記音響変換素子は、前記第1部材の前記空洞部内に配置されたときに前記第1部材の前記開口付近に延在する面に電極パッドが形成されている。前記第1部材の前記端子電極と前記音響変換素子の前記電極パッドとがワイヤを介して電気的に接合されている。前記第1部材の前記開口の周囲を囲む面の高さと、前記音響変換素子の前記電極パッドが形成された前記面の高さとの差が小さい。 The acoustic transducer unit includes: (a) a first member in which an opening and a cavity communicating with the opening are formed; and (b) a first member that is joined to the first member and covers the opening of the first member. Two members, and (c) an acoustic conversion element that is disposed in the cavity of the first member and converts sound into an electrical signal or an electrical signal into sound. At least one of the first member and the second member is formed with an acoustic path that communicates the cavity of the first member and the external space. The depth of the cavity of the first member is substantially equal to the height of the acoustic transducer. A terminal electrode is formed on a surface surrounding the opening of the first member. The acoustic conversion element has an electrode pad formed on a surface extending near the opening of the first member when the acoustic conversion element is disposed in the cavity of the first member. The terminal electrode of the first member and the electrode pad of the acoustic conversion element are electrically joined via a wire. The difference between the height of the surface surrounding the opening of the first member and the height of the surface on which the electrode pad of the acoustic conversion element is formed is small.
上記構成によれば、第1部材の空洞部の深さと音響変換素子の高さとが略等しく、第1部材の開口の周囲を囲む面の高さと音響変換素子の電極パッドが形成された面の高さとの差が小さい。このように、音響変換素子の電極パッドが形成された面と第1部材の開口の周囲を囲む面とが同じ高さ、あるいは一方が他方よりも突出又は後退する寸法が小さいと、ワイヤボンディングの作業の際に制約を受ける干渉等が発生せず、効率よくワイヤボンディングを実施することができる。 According to the above configuration, the depth of the cavity of the first member is substantially equal to the height of the acoustic transducer, and the height of the surface surrounding the opening of the first member and the surface on which the electrode pad of the acoustic transducer is formed. The difference with height is small. As described above, if the surface on which the electrode pad of the acoustic conversion element is formed and the surface surrounding the opening of the first member have the same height, or if one of the dimensions protruding or retracting is smaller than the other, wire bonding Wire bonding can be carried out efficiently without causing interference or the like that is restricted during work.
好ましくは、前記第2部材は、前記第1部材に対向する主面のうち少なくとも前記ワイヤに対向する部分及びその近傍部分に、前記ワイヤが入り込む凹部が形成されている。 Preferably, the second member has a recess into which the wire enters in at least a portion facing the wire and a portion near the main surface facing the first member.
この場合、第2部材に形成された凹部によって、第1部材の端子電極と音響変換素子の電極パッドとを接続するワイヤと第2部材とが干渉しないようにすることができる。 In this case, the recess formed in the second member can prevent the second member from interfering with the wire connecting the terminal electrode of the first member and the electrode pad of the acoustic transducer.
好ましくは、前記第2部材は、前記第1部材に対向する前記主面の周縁に、前記第1部材側に突出する周壁部が形成されている。 Preferably, the second member is formed with a peripheral wall portion protruding toward the first member on a peripheral edge of the main surface facing the first member.
この場合、簡単な構成で、第2部材にワイヤとの干渉を避けるための凹部を形成することができる。また、第2部材の周壁部が第1部材と係合又は嵌合するように構成し、第1部材と第2部材の位置合わせ、組み立てを容易に行えるようにすることができる。 In this case, a recess for avoiding interference with the wire can be formed in the second member with a simple configuration. Moreover, it can comprise so that the surrounding wall part of a 2nd member may engage or fit with a 1st member, and it can enable it to perform alignment and an assembly of a 1st member and a 2nd member easily.
本発明の音響的トランスデューサユニットは、制約を受けずに効率よくワイヤボンディングを実施することができる。 The acoustic transducer unit of the present invention can efficiently perform wire bonding without being restricted.
以下、本発明の実施の形態について、図1〜図5を参照しながら説明する。 Hereinafter, embodiments of the present invention will be described with reference to FIGS.
<実施例1> 実施例1の音響的トランスデューサユニット10について、図1を参照しながら説明する。
Example 1 An
図1(a)は、音響的トランスデューサユニット10の部分断面分解斜視図である。図1(b)は、図1(a)の線A−Aに沿って切断した組立断面図である。図1に示すように、音響的トランスデューサユニット10は、大略、第1部材30と第2部材20とにより構成されるハウジング内に、音響変換素子であるマイク素子2が収納されている。
FIG. 1A is a partial cross-sectional exploded perspective view of the
第1部材30は、筒部32と底部34とが結合された部材であり、筒部32と底部34とによって凹部38が形成されている。凹部38は、第1部材30の上面31aに形成された開口39に連通する空洞部である。第1部材30の上面31aは、第1部材30の開口39の周囲を囲む面である。第1部材30は、例えば樹脂材料を用いて、インサートモールド法により端子部材50と一体に形成される。
The
端子部材50は、第1部材30の上面31aに沿って延在する端子電極52と、第1部材30の下面31bに沿って延在する外部端子56と、第1部材30の側面31cに沿って延在し端子電極52と外部端子56とを接続する中間部分54とを有する。端子部材50は、金属などの導電材料、例えば銅により形成される。
The
マイク素子2は、音響を電気信号に変換する音響変換素子部(センサ部)4と周辺回路とを含むモジュール部品であり、例えばMEMSマイクである。マイク素子2の代わりに、スピーカー素子など、電気信号を音響に変換する音響変換素子を用いてもよい。
The
マイク素子2は、第1部材30の底部34に搭載され、例えば下面2bが不図示の接着材によって底部34の底面35に固定される。マイク素子2の上面2aには電極パッド6が形成されている。マイク素子2の上面2aに形成された電極パッド6と、第1部材30の上面31aに形成された端子電極52とは、ワイヤ8を介して電気的に接続される。端子部材50の外部端子56は、音響的トランスデューサユニット10が不図示の外部回路に実装される際に、不図示の外部回路に電気的に接続される。
The
マイク素子2の高さは、第1部材30の凹部38の深さと略等しい。マイク素子2の上面2aの高さと、第1部材30の上面31aの高さの差は小さい。すなわち、マイク素子2の上面2aに形成された電極パッド6と第1部材30の上面31に形成された端子電極52とワイヤボンディングする際に、機械設備や工具の選択などの工程設計の自由度を制限する干渉等が発生しない程度に小さい。例えば、高さの差は0.6mm以下であることが好ましく、さらに0.4mm以下であることがより好ましい。したがって、マイク素子2の上面2aに形成された電極パッド6と第1部材30の上面31に形成された端子電極52とは、制約を受けずに効率よくワイヤボンディングを実施することができる。
The height of the
第2部材20は、板状の本体部21と周壁部23とが結合された部材であり、本体部21と周壁部23とによって凹部22が形成される。周壁部23は、本体部21の第1部材30に対向する主面21sの周縁に、第1部材30側に突出するように形成されている。第2部材20は、例えば樹脂を用いて形成される。
The
図1(b)に示すように、第2部材20は、第1部材30の上面31に形成された開口39を覆うように、下面23s,21sのうち周壁部23の先端面23sが、接着剤、熱圧着、熱融着等によって第1部材30の上面31aに接合される。これによって、マイク素子2は、第1部材30の凹部38と第2部材20とによって形成された内部空間40内に封止される。このとき、ワイヤ8は、第2部材20の凹部22に入り込む。
As shown in FIG. 1B, the
第1部材30の底部34には、マイク素子2が配置された凹部38と外部空間とを連通する音響経路として、貫通孔36が形成されている。
A through
なお、マイク素子2が配置された内部空間40と外部空間とを連通する音響経路は、第2部材20に形成しても、第1部材30と第2部材20の両方に形成してもよい。また、内部空間40から第1部材30、第2部材20を経て外部空間に至るように形成しても、内部空間40から第2部材20、第1部材30を経て外部空間に至るように形成してもよい。また、複数本を形成しても、合流あるいは分岐するように形成してもよい。
The acoustic path that communicates the
前述した図6のように、ボンディングする二つのパッド105b,107bに高さの差があると、ワイヤボンディング装置で焦点合わせ不良などによる認識不良が発生しやすくなる。また、搭載チップ一つ当たり、焦点を合わせ、画像を認識するまでに要する時間が必要となり、搭載チップ数が増えると、無視できない時間となり、生産性に影響を与える。また、チップ近傍にワイヤボンディングすることが難しく、ワイヤ配線スペースが必要で小型化できない。さらに、不要な容積が必要となり、マイク特性の最適化が困難になる。
As shown in FIG. 6 described above, if there is a difference in height between the two
これに対し、実施例1の音響的トランスデューサユニット10では、ワイヤボンディングパッド6,52の高さの差が小さいため、上記の問題を回避できる。同時に、通常のワイヤボンディングツールやワイヤボンディング方法を用いても、マイク素子2の近傍にワイヤボンディングが可能となり、ワイヤを短くすることができるので、寄生容量を小さく抑え、S/N比の向上した音響的トランスデューサユニットを提供できる。
On the other hand, in the
また、位置の正確なボンディングが可能となり、良品率の向上、素子の小型化を実現でき、安価な音響的トランスデューサユニットを提供できる。 In addition, accurate bonding of the positions is possible, the yield rate can be improved, the element can be downsized, and an inexpensive acoustic transducer unit can be provided.
<実施例2> 実施例2の音響的トランスデューサユニット10aについて、図2を参照しながら説明する。
Example 2 An
実施例2の音響的トランスデューサユニット10aは、実施例1の音響的トランスデューサユニット10と略同様に構成されている。以下では、実施例1と同じ構成部分には同じ符号を用い、実施例1との相違点を中心に説明する。
The
図2(a)は、音響的トランスデューサユニット10aの部分断面分解斜視図である。図2(b)は、図2(a)の線B−Bに沿って見た第2部材20aの斜視図である。図2(c)は、図2(a)の線C−Cに沿って切断した分解断面図である。
FIG. 2A is a partial cross-sectional exploded perspective view of the
図2に示すように、実施例2の音響的トランスデューサユニット10aは、第2部材20aが第1部材30に嵌合するようになっている。
As shown in FIG. 2, in the
すなわち、第2部材20aは、実施例1と同様に板状の本体部21aと周壁部23aとが結合された部材である。ただし、実施例1とは異なり、図2(c)に示すように、第2部材20aは第1部材30より外側に広がるように形成されており、周壁部23aが第1部材30の側面31cに外嵌するようになっている。
That is, the
また、図2(b)に示すように、第2部材20aは、本体部21aの第1部材30に対向する主面21tに、周壁部23aよりも高さの低い突起部24が形成されている。この突起部24の先端面24sは、第2部材20aが第1部材30に嵌合するときに、第1部材30の上面31aに当接して主面21tの高さを規制し、図2(c)に示すように、本体部21aの第1部材30に対向する主面21tがワイヤ8に干渉しないようにする。
Further, as shown in FIG. 2 (b), the
なお、図2では、端子部材について、端子電極52a以外の部分について図示を省略している。また、第1部材30の凹部38と外部空間との間を連通する音響経路の図示を省略している。
In FIG. 2, the illustration of the terminal member other than the
実施例2の音響的トランスデューサユニット10aは、電極パッド6が形成されたマイク素子2の上面2aの高さと、第1部材30の上面31aの高さとの差は小さいため、実施例1と同様に、制約を受けずに効率よくワイヤボンディングを実施することができる。また、第2部材20aが第1部材30に外嵌するように構成することで、第1部材30と第2部材20aの位置合わせ、組み立てを容易に行えるようにすることができる。
In the
<実施例3> 実施例3の音響的トランスデューサユニット10bについて、図3を参照しながら説明する。
Example 3 An
図3(a)は、音響的トランスデューサユニット10bの分解斜視図である。図3(b)は、図3(a)の線B−Bに沿って切断した組立断面図である。図3に示すように、実施例3の音響的トランスデューサユニット10bは、実施例1の音響的トランスデューサユニット10と略同様に構成されている。
FIG. 3A is an exploded perspective view of the
ただし、実施例1とは異なり、第2部材20bには、貫通孔27が形成された板部材26と、板部材26の上面26aに接合され、貫通孔27を塞ぐ封止層28とを含む。板部材26に形成された貫通孔27は、図3(b)に示すように、第2部材20bが第1部材30に接合されたときにワイヤ8が入り込む凹部として機能する。
However, unlike the first embodiment, the
貫通孔27は、例えば、板部材26になる平板状の部材に簡単な追加加工を施すことによって、低コストで形成することができる。封止層28は、フィルム材等を板部材26に貼り付けることによって容易に形成することができる。
The through-
実施例3の音響的トランスデューサユニット10bは、電極パッド6が形成されたマイク素子2の上面2aの高さと、第1部材30の上面31aの高さとの差を小さくすることによって、実施例1と同様に、制約を受けずに効率よくワイヤボンディングを実施することができる。また、第2部材20bは簡単な形状であり、製造も容易であるため、製造コストを低減することができる。
The
<実施例4> 実施例4の音響的トランスデューサユニットについて、図4を参照しながら説明する。 <Example 4> An acoustic transducer unit of Example 4 will be described with reference to FIG.
図4(a)は、実施例4の音響的トランスデューサユニットの第1部材30cの斜視図である。図4(b)は、図4(a)の線A−Aに沿って切断した断面図である。図4(bc)は、図4(a)の線A−Aに沿って切断した断面図であり、マイク素子2が搭載されたときの第1部材30cの断面図である。
FIG. 4A is a perspective view of the
図4に示すように、第1部材30cは、実施例1と同様に筒部32cと底部34とが結合された部材であるが、実施例1と異なり、第1部材30cの筒部32cに突起部32pが形成され、第1部材30cの開口39cの周囲を囲む面に段差が形成されている。第1部材の開口の周囲を囲む面のうち最も高くなる突起部32pの先端面32sには、端子電極52cが形成されている。
As shown in FIG. 4, the
端子電極52cは、図4(c)に示すように、第1部材30cの凹部38に搭載されたマイク素子2の上面2aに形成された電極パッド6と、ワイヤ8を介して電気的に接続される。電極パッド6が形成されたマイク素子2の上面2aの高さと、第1部材30cの突起部32pの先端面32sの高さとの差を小さくすることで、実施例1と同様に、制約を受けずに効率よくワイヤボンディングを実施することができる。
As shown in FIG. 4C, the
図示していないが、第1部材30cに接合される第2部材は、第1部材30cの開口39cの周囲を囲む面に形成された段差部分に係合又は嵌合するように構成される。例えば、第1部材30cの突起部32pに対応して、第2部材の周壁部に切欠部を形成し、第2部材の周壁部の切欠部に第1部材30cの突起部32pが係合又は嵌合するように構成する。これによって、第1部材30cと第2部材の位置合わせ、組み立てを容易に行えるようにすることができる。
Although not shown, the second member joined to the
<実施例5> 実施例5の音響的トランスデューサユニットについて、図5を参照しながら説明する。 <Example 5> An acoustic transducer unit of Example 5 will be described with reference to FIG.
図5(a)は、実施例5の音響的トランスデューサユニットの第1部材30dの斜視図である。図5(b)は、図5(a)の線A−Aに沿って切断した断面図である。図5(c)は、図5(a)の線A−Aに沿って切断した断面図であり、マイク素子2が搭載されたときの第1部材30dの断面図である。
FIG. 5A is a perspective view of the
図5に示すように、第1部材30dは、実施例1と同様に筒部32dと底部34とが結合された部材であるが、実施例1と異なり、筒部32dに切欠部32qが形成され、第1部材30dの開口39dの周囲を囲む面に段差が形成されている。第1部材30dの開口39の周囲を囲む面の、最も低い切欠部32qの底面32tに端子電極52dが形成されている。
As shown in FIG. 5, the
端子電極52dは、図5(c)に示すように、第1部材30dの凹部38に搭載されたマイク素子2の上面2aに形成された電極パッド6と、ワイヤ8を介して電気的に接続される。電極パッド6が形成されたマイク素子2の上面2aの高さと、第1部材30dの切欠部32qの底面32tの高さとの差を小さくし、切欠部32qを適宜な寸法・形状とすることで、実施例1と同様に、制約を受けずに効率よくワイヤボンディングを実施することができる。
As shown in FIG. 5C, the
第2部材20dは、実施例2と同様に、第1部材30dに外嵌するように構成されている。第1部材20dは、上面31tがワイヤ8よりも高くなるように、切欠部32qが形成されているため、ワイヤ8が第2部材20dに干渉しないようになっている。そのため、第2部材20dは、実施例2とは異なり、第2部材20dが第1部材30dに嵌り込む深さを規定する突起部は形成されていない。したがって、実施例5の音響的トランスデューサユニットは、実施例2の音響的トランスデューサユニットよりも、第2部材の構成を簡単にすることができる。
Similarly to the second embodiment, the
<まとめ> 以上に説明したように、第1部材の開口の周囲を囲む面に端子電極を形成し、この端子電極とワイヤを介して電気的に接続される電極パッドが形成されているマイク素子の上面の高さと端子電極が形成されている第1部材の開口の周囲を囲む面の高さとの差を小さくすることによって、制約を受けずに効率よくワイヤボンディングを実施することができる。 <Summary> As described above, the microphone element in which the terminal electrode is formed on the surface surrounding the periphery of the opening of the first member, and the electrode pad electrically connected to the terminal electrode through the wire is formed. By reducing the difference between the height of the upper surface and the height of the surface surrounding the periphery of the opening of the first member on which the terminal electrode is formed, wire bonding can be performed efficiently without being restricted.
なお、本発明は、上記実施の形態に限定されるものではなく、種々変更を加えて実施することが可能である。 The present invention is not limited to the above embodiment, and can be implemented with various modifications.
例えば、実施例1において、端子部材50の外部端子56側を延長し第2部材側に折り曲げ、音響的トランスデューサユニットを外部回路に実装するための端子部を、ハウジングの底面ではなく、ハウジングの上面に設けるようにしてもよい。この場合、同一パッケージで端子部材50の折り曲げ方向を変えるだけで、実装時の音響経路の方向を簡単に変更でき、例えば、1種類のパッケージで上穴と下穴に対応できる。
For example, in Example 1, the terminal portion for extending the
2 マイク素子(音響変換素子)
6 電極パッド
8 ワイヤ
10,10a,10b 音響的トランスデューサユニット
20,20a,20b,20d 第2部材
21,21a,21d 本体部
22,22a,22d 凹部
23,23a,23d 周壁部
24 突起部
26 板部材
27 貫通孔(凹部)
28 封止層
30,30c,30d 第1部材
32,32c,32d 筒部
34 底部
36 貫通孔(音響経路)
38 凹部(空洞部)
39 開口
52,52c,52d 端子電極
2 Microphone element (acoustic transducer)
6
28
38 Recess (cavity)
39
Claims (3)
前記第1部材に接合され、前記第1部材の前記開口を覆う第2部材と、
前記第1部材の前記空洞部内に配置され、音響を電気信号に、又は電気信号を音響に変換する音響変換素子と、
を備え、
前記第1部材と前記第2部材のうち少なくとも一方に、前記第1部材の前記空洞部と外部空間とを連通する音響経路が形成され、
前記第1部材の前記空洞部の深さと前記音響変換素子の高さとが略等しく、
前記第1部材の前記開口の周囲を囲む面に端子電極が形成され、
前記音響変換素子は、前記第1部材の前記空洞部内に配置されたときに前記第1部材の前記開口付近に延在する面に電極パッドが形成され、
前記第1部材の前記端子電極と前記音響変換素子の前記電極パッドとがワイヤを介して電気的に接合され、
前記第1部材の前記開口の周囲を囲む面の高さと、前記音響変換素子の前記電極パッドが形成された前記面の高さとの差が小さいことを特徴とする、音響的トランスデューサユニット。 A first member in which an opening and a cavity communicating with the opening are formed;
A second member joined to the first member and covering the opening of the first member;
An acoustic transducer disposed in the cavity of the first member and converting sound into an electric signal or converting an electric signal into sound;
With
At least one of the first member and the second member is formed with an acoustic path that communicates the cavity of the first member and the external space,
The depth of the hollow portion of the first member is substantially equal to the height of the acoustic transducer,
A terminal electrode is formed on a surface surrounding the opening of the first member,
The acoustic conversion element has an electrode pad formed on a surface extending near the opening of the first member when the acoustic conversion element is disposed in the cavity of the first member.
The terminal electrode of the first member and the electrode pad of the acoustic conversion element are electrically joined via a wire,
The acoustic transducer unit, wherein a difference between a height of a surface surrounding the opening of the first member and a height of the surface on which the electrode pad of the acoustic conversion element is formed is small.
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Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2017220874A (en) * | 2016-06-09 | 2017-12-14 | リオン株式会社 | Microphone module for measurement |
CN109417673A (en) * | 2016-04-14 | 2019-03-01 | 罗伯特·博世有限公司 | Interconnection MEMS (MEMS) device package being molded |
Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2000236596A (en) * | 1999-02-17 | 2000-08-29 | Hosiden Corp | Semiconductor electret condenser microphone |
JP2001169379A (en) * | 1999-12-13 | 2001-06-22 | Hosiden Corp | Semiconductor electret capacitor microphone |
WO2005086532A2 (en) * | 2004-03-01 | 2005-09-15 | Tessera, Inc. | Packaged acoustic and electromagnetic transducer chips |
JP2008245267A (en) * | 2007-02-26 | 2008-10-09 | Yamaha Corp | Silicon microphone |
-
2009
- 2009-04-23 JP JP2009105695A patent/JP2010258719A/en active Pending
Patent Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2000236596A (en) * | 1999-02-17 | 2000-08-29 | Hosiden Corp | Semiconductor electret condenser microphone |
JP2001169379A (en) * | 1999-12-13 | 2001-06-22 | Hosiden Corp | Semiconductor electret capacitor microphone |
WO2005086532A2 (en) * | 2004-03-01 | 2005-09-15 | Tessera, Inc. | Packaged acoustic and electromagnetic transducer chips |
JP2008245267A (en) * | 2007-02-26 | 2008-10-09 | Yamaha Corp | Silicon microphone |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN109417673A (en) * | 2016-04-14 | 2019-03-01 | 罗伯特·博世有限公司 | Interconnection MEMS (MEMS) device package being molded |
JP2017220874A (en) * | 2016-06-09 | 2017-12-14 | リオン株式会社 | Microphone module for measurement |
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