JP2010258337A - Electrostatic breakdown protection circuit - Google Patents
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Abstract
Description
本発明は、半導体装置に関し、特に静電破壊保護用バイポーラトランジスタを備えた静電破壊保護回路に関する。 The present invention relates to a semiconductor device, and more particularly, to an electrostatic breakdown protection circuit including a bipolar transistor for electrostatic breakdown protection.
半導体装置を破壊する原因として静電気放電がある。この静電気放電は、静電気を帯びた導電体や人間が、半導体装置の内部回路に接続された外部端子に接触して、一時的に内部回路に大電流が流れ、内部回路が破損するものである。 There is electrostatic discharge as a cause of destruction of semiconductor devices. In this electrostatic discharge, a static electricity conductor or a person contacts an external terminal connected to the internal circuit of the semiconductor device, and a large current temporarily flows through the internal circuit, resulting in damage to the internal circuit. .
一般的に、静電気放電による半導体装置の破壊を防止するため、入出力端子と内部回路間に静電破壊保護回路を形成する。この静電破壊保護回路は、バイポーラトランジスタやダイオードなどが用いられている。 In general, an electrostatic breakdown protection circuit is formed between an input / output terminal and an internal circuit in order to prevent a semiconductor device from being damaged by electrostatic discharge. This electrostatic breakdown protection circuit uses a bipolar transistor or a diode.
例えば、バイポーラトランジスタでは、電流経路が縦方向に形成されるため、MOSトランジスタなど電流経路が表面に形成される表面型素子に比べて高い電流放電能力を有しており、静電破壊保護回路として広く使用されている。図4は、バイポーラトランジスタとしてNPNトランジスタを用いた従来の静電破壊保護回路の断面図である。図4において、1はコレクタ電極、2はエミッタ電極、3はベース電極、5は高濃度N型のコレクタ電極部拡散領域、6はN型のエミッタ領域、7は高濃度P型のベース電極部拡散領域、9は層間絶縁膜、10は素子分離層、12はP型のベース領域、13はコレクタ領域の一部を構成するN型拡散領域、14はコレクタ領域の一部を構成するN型の埋め込み領域、15はP型の素子分離拡散領域、16はP型の素子分離埋め込み領域、17はコレクタ領域の一部を構成するN型のエピタキシャル領域、18はP型の半導体基板である。図4に示すように、ベース電極3とエミッタ電極2をメタル配線によって短絡させ、コレクタ電極1を保護する内部回路に接続した構成となっている。
For example, in a bipolar transistor, since the current path is formed in the vertical direction, it has a higher current discharge capability than a surface-type device such as a MOS transistor in which the current path is formed on the surface, and as an electrostatic breakdown protection circuit Widely used. FIG. 4 is a cross-sectional view of a conventional electrostatic breakdown protection circuit using an NPN transistor as a bipolar transistor. In FIG. 4, 1 is a collector electrode, 2 is an emitter electrode, 3 is a base electrode, 5 is a high concentration N-type collector electrode portion diffusion region, 6 is an N-type emitter region, and 7 is a high concentration P-type base electrode portion. Diffusion region, 9 is an interlayer insulating film, 10 is an element isolation layer, 12 is a P-type base region, 13 is an N-type diffusion region constituting a part of the collector region, and 14 is an N-type constituting a part of the
このようなバイポーラトランジスタを静電破壊保護回路として使用する場合、その動作開始電圧と、その後に自己バイアスによりバイポーラトランジスタとしての動作を維持する保持電圧が、保護される内部回路を静電破壊から保護する上で重要な特性となる。つまり、静電破壊から内部回路を保護するためには、動作開始電圧と保持電圧が、保護すべき内部回路への供給電圧より高く、かつ保護すべき内部回路の耐圧より低い値であることが求められる。 When such a bipolar transistor is used as an electrostatic breakdown protection circuit, the operation start voltage and then the holding voltage that maintains the operation as the bipolar transistor by self-bias protects the protected internal circuit from electrostatic breakdown. This is an important characteristic. In other words, in order to protect the internal circuit from electrostatic breakdown, the operation start voltage and the holding voltage must be higher than the supply voltage to the internal circuit to be protected and lower than the withstand voltage of the internal circuit to be protected. Desired.
ところが、バイポーラトランジスタとして用いられるNPNトランジスタは、耐圧は高いものの保持電圧は低く、たとえば40V用のBiCMOSプロセスであっても保持電圧は20V〜30V程度であり、40V以上の保持電圧を実現するためには2段のスタック構造にする必要が生じる。そこで、スタック構造にすることなく、単独で保持電圧を高くする方法として、図5に示す構造の静電破壊保護回路が知られている。図5に示す静電破壊保護回路は図4に示した静電破壊保護回路と異なり、ベース領域12を水平方向に延伸した構造となっている。この種の静電破壊保護回路は、非特許文献1に開示されている。
However, an NPN transistor used as a bipolar transistor has a high withstand voltage but a low holding voltage. For example, even in the BiCMOS process for 40V, the holding voltage is about 20V to 30V, in order to realize a holding voltage of 40V or more. Need to have a two-stage stack structure. Therefore, an electrostatic breakdown protection circuit having a structure shown in FIG. 5 is known as a method of increasing the holding voltage independently without using a stack structure. Unlike the electrostatic discharge protection circuit shown in FIG. 4, the electrostatic discharge protection circuit shown in FIG. 5 has a structure in which the
ところで、図5に示す静電破壊保護回路では、ベース領域12を水平方向に延伸した長さに対する保持電圧の増加が少なく、たとえば図5の構造による一般的なCMOSプロセスにおいてはベース領域12を水平方向に延伸した長さ1μm当り保持電圧の増加は0.4V程度である。このためスタック構造にすることなく単独で保持電圧を高くできるものの、静電破壊保護回路の大きさはスタック構造の静電破壊保護回路と大差のない大きさになってしまう。本発明は上記問題点を解消し、静電破壊保護回路の占有面積を広げることなく保持電圧を増加させる静電破壊保護素子を提供することを目的とする。
In the electrostatic breakdown protection circuit shown in FIG. 5, there is little increase in holding voltage with respect to the length of the
上記目的を達成するため、本願請求項1に係る発明は、静電破壊保護用バイポーラトランジスタからなる静電破壊保護回路において、半導体基板上に形成された前記静電破壊保護用バイポーラトランジスタのコレクタの一部を構成する一導電型の第1半導体領域と、該第1半導体領域及び前記半導体基板上に形成され、前記第1半導体領域より不純物濃度が低い一導電型の第2半導体領域と、前記第1の半導体領域に接続し、前記第2半導体領域表面に引き出される前記コレクタの一部を構成する一導電型の第3半導体領域と、前記第2半導体領域上に形成され、前記静電破壊保護用バイポーラトランジスタのベースを構成する逆導電型の第4半導体領域と、前記第4半導体領域上に形成され、前記静電破壊保護用バイポーラトランジスタのエミッタを構成する一導電型の第5半導体領域と、前記第4の半導体領域上に形成され、かつ第4半導体領域より不純物濃度が高い逆導電型の第6半導体領域と、前記第5の半導体領域とコレクタ領域との間の前記第4の半導体領域上に形成され、かつ前記第4半導体領域より不純物濃度が高い逆導電型の第7半導体領域と、前記第5半導体領域に接続するエミッタ電極と、前記第6半導体領域に接続し、かつ前記エミッタ電極と金属電極を介して短絡される第1ベース電極と、前記第3半導体領域に接続するコレクタ電極と、を備えていることを特徴とする。
In order to achieve the above object, an invention according to
本願請求項2に係る発明は、請求項1記載の静電破壊保護回路において、前記第7半導体領域と前記コレクタ電極との間の前記第4の半導体領域上に形成され、かつ該第4半導体領域より不純物濃度が高い逆導電型の第8半導体領域と、該第8半導体領域に接続する第2ベース電極とを備え、前記エミッタ電極と前記第1ベース電極をともに接地電位あるいは最低電位の端子に接続し、前記コレクタ電極を被保護端子に接続するとともに、トリガー素子のカソードを前記コレクタ電極に、アノードを前記第2ベース電極に、それぞれ接続したことを特徴とする。
The invention according to
本願請求項3に係る発明は、請求項1又は2いずれか記載の静電破壊保護回路において、前記エミッタ電極と前記第1ベース電極を抵抗を介して接続したことを特徴とする。 According to a third aspect of the present invention, in the electrostatic breakdown protection circuit according to the first or second aspect, the emitter electrode and the first base electrode are connected via a resistor.
本発明によれば、静電破壊保護回路を必要な保持電圧に設定した場合、従来よりも小さい占有面積の静電破壊保護回路を実現できる。たとえば保持電圧40Vの静電破壊保護回路を実現する場合、図5に示した従来の保持電圧を向上させた静電破壊保護回路ではベース領域12を水平方向へ50μm延伸する必要があるのに対し、本発明によれば、ベース領域12の延伸は27μmで良くなる。また本発明によれば、静電破壊保護回路全体の大きさを変えることなく保持電圧値の制御が可能となる利点がある。
According to the present invention, when the electrostatic breakdown protection circuit is set to a necessary holding voltage, it is possible to realize an electrostatic breakdown protection circuit having an occupied area smaller than that of the related art. For example, when an electrostatic breakdown protection circuit with a holding voltage of 40 V is realized, the conventional electrostatic breakdown protection circuit with improved holding voltage shown in FIG. 5 needs to extend the
本発明は、ベース領域を水平方向に延伸させる構造によるNPNトランジスタを静電破壊保護回路として用いる上で、ベース領域の表面にベース領域と同一導電型でかつベース領域より不純物濃度が高く、ベース領域より浅いP型拡散領域をエミッタ領域近傍からコレクタ端子側へ任意の長さで設けるように構成することで、ベース電流が増加し、これによりコレクタ・ベース間に高い電圧差が生じ、静電破壊保護回路の保持電圧を増加させている。また、P型拡散領域の長さを調整することで、静電破壊保護回路の保持電圧を設定することができる。以下、本発明の静電破壊保護回路について、詳細に説明する。 According to the present invention, when an NPN transistor having a structure in which a base region is extended in the horizontal direction is used as an electrostatic breakdown protection circuit, the surface of the base region has the same conductivity type as the base region and has a higher impurity concentration than the base region. By configuring the shallower P-type diffusion region from the vicinity of the emitter region to the collector terminal side to an arbitrary length, the base current increases, which causes a high voltage difference between the collector and base, and electrostatic breakdown The holding voltage of the protection circuit is increased. Moreover, the holding voltage of the electrostatic breakdown protection circuit can be set by adjusting the length of the P-type diffusion region. Hereinafter, the electrostatic breakdown protection circuit of the present invention will be described in detail.
図1は本発明の第1の実施例の静電破壊保護回路の断面図である。図1において、1はコレクタ電極、2はエミッタ電極、3はベース電極(第1ベース電極に相当)、5は高濃度N型のコレクタ電極部拡散領域、6はN型のエミッタ領域(第5半導体領域に相当)、7は高濃度P型のベース電極部拡散領域(第6半導体領域に相当)、9は層間絶縁膜、10は素子分離層、12はP型のベース領域(第4半導体領域に相当)、13はN型拡散領域(第3半導体領域に相当)、14は埋め込み領域(第1半導体領域に相当)、15はP型の素子分離拡散領域、16はP型の素子分離埋め込み領域、17はN型のエピタキシャル領域(第2半導体領域に相当)、18はP型の半導体基板、20はベース領域12より不純物濃度の高いP型拡散領域(第7半導体領域に相当)である。
FIG. 1 is a sectional view of an electrostatic breakdown protection circuit according to a first embodiment of the present invention. In FIG. 1, 1 is a collector electrode, 2 is an emitter electrode, 3 is a base electrode (corresponding to the first base electrode), 5 is a high-concentration N-type collector electrode diffusion region, and 6 is an N-type emitter region (fifth). 7 corresponds to a semiconductor region), 7 is a high-concentration P-type base electrode diffusion region (corresponding to a sixth semiconductor region), 9 is an interlayer insulating film, 10 is an element isolation layer, and 12 is a P-type base region (fourth semiconductor). 13) is an N-type diffusion region (corresponding to the third semiconductor region), 14 is a buried region (corresponding to the first semiconductor region), 15 is a P-type element isolation diffusion region, and 16 is a P-type element isolation. The buried region, 17 is an N type epitaxial region (corresponding to the second semiconductor region), 18 is a P type semiconductor substrate, and 20 is a P type diffusion region (corresponding to the seventh semiconductor region) having a higher impurity concentration than the
図1に示すように、半導体基板18上で、素子分離拡散領域15及び素子分離埋め込み領域16で囲まれた領域内に、コレクタを構成する埋め込み領域14、N型のエピタキシャル領域17及びN型拡散領域13が形成されている。そして、埋め込み領域14と一部が重畳する構造のP型のベース領域12が形成されている。さらにベース領域12上であって、埋め込み領域14と重畳しない領域にエミッタ領域6が形成され、さらにコレクタ領域から離れた位置にベース電極部拡散領域7が形成されている。
As shown in FIG. 1, a buried
本実施例では、エミッタ領域6とコレクタ領域と間のベース領域12上であって、エミッタ領域6近傍にP型拡散領域20が形成されている。このP型拡散領域20は、ベース領域12より不純物濃度が高く形成されている。また、P型拡散領域20の形成には、ベース電極部拡散領域7と同じ拡散を用いるか、あるいは専用の拡散工程を追加してもよい。
In this embodiment, a P-
N型拡散領域13上にはコレクタ電極部拡散領域5を介してコレクタ電極1が、エミッタ領域6にはエミッタ電極2が、ベース電極部拡散領域7にはベース電極3が、それぞれ接続されている。エミッタ電極2とベース電極3はメタル配線により短絡させ、静電破壊保護回路が構成される。
The
図1に示す静電破壊保護回路は、エミッタ電極2とベース電極3を内部回路の接地電位または内部回路における最低電位の端子に接続し、コレクタ電極1を静電破壊から保護する端子に接続される。
In the electrostatic breakdown protection circuit shown in FIG. 1, the
このように構成した静電破壊保護回路のコレクタ電極1に静電気が印加すると、コレクタ電極1の電位が上昇する。この印加される電圧がコレクタ・ベース間接合の降伏電圧を越えると、降伏電流がベース領域12に流れ、その電流はベース領域12およびP型拡散領域20の拡散抵抗により、電圧降下を生じながら、エミッタ領域6の直下を通過して、ベース電極3へと流れ込むことになる。静電気によってコレクタ・ベース間接合に印加される電圧がさらに大きくなると、その降伏電流も増加し、エミッタ領域6とその直下のベース領域12間の電位差も大きくなる。これは静電破壊保護用バイポーラトランジスタであるNPNトランジスタのベース・エミッタ間が順方向にバイアスされた状態であり、このバイポーラトランジスタの活性領域で動作するようになる。
When static electricity is applied to the
このベース電流は、コレクタ・ベース間の逆バイアス電圧による高電界で発生した電子正孔ペアにより補償されることになり、コレクタ・ベース間には活性領域での動作に必要なベース電流を供給できるよう発生した高電界に相当する電位差が生じている。このコレクタ・ベース間電位差と順方向にバイアスされたベース・エミッタ間の電位差の和が、静電破壊保護回路の保持電圧となる。バイポーラトランジスタのベース電流は主としてエミッタへの少数キャリア注入とベース領域でのキャリア再結合がその要因であり、P型拡散領域20を設けることによりキャリア再結合電流が増加する。増加したベース電流を供給するためコレクタ・ベース間にはより高い電位差が生じ、静電破壊保護回路の保持電圧はP型拡散領域20が無い場合と比較して高くなる。さらにP型拡散領域20を設ける長さによりキャリアの再結合機会が増減することで、ベース電流P拡散領域20の長さに比例して増減し、これによりコレクタ・ベース間電圧も変化することから保持電圧の値をP型拡散領域20の長さによって設定することができる。
This base current is compensated by electron-hole pairs generated in a high electric field due to a reverse bias voltage between the collector and the base, and the base current necessary for operation in the active region can be supplied between the collector and the base. A potential difference corresponding to the generated high electric field is generated. The sum of the collector-base potential difference and the forward-biased base-emitter potential difference is the holding voltage of the electrostatic breakdown protection circuit. The base current of the bipolar transistor is mainly caused by minority carrier injection into the emitter and carrier recombination in the base region. The provision of the P-
なお、図1に示す構成において、エミッタ電極2と第1ベース電極3をメタル配線で短絡する代わりに、両端子の間に抵抗を接続することも可能である。この場合、コレクタ・ベース間接合の降伏電流が抵抗を経由して流れることにより少ない電流でベース・エミッタ間に静電破壊保護回路が動作開始するのに必要な電位差を生じ、動作開始電圧が低下する利点がある。
In the configuration shown in FIG. 1, it is possible to connect a resistor between both terminals instead of short-circuiting the
図2は本発明の第2の実施例の静電破壊保護回路の断面図である。図2において、1はコレクタ電極、2はエミッタ電極、3はベース電極(第1ベース電極に相当)、4は別のベース電極(第2ベース電極に相当)、5は高濃度N型のコレクタ電極部拡散領域、6はN型のエミッタ領域(第5半導体領域に相当)、7は高濃度P型のベース電極部拡散領域(第6半導体領域に相当)、8は高濃度P型の別のベース電極部拡散領域(第8半導体領域に相当)、9は層間絶縁膜、10は素子分離層、12はP型のベース領域(第4半導体領域に相当)、13はN型拡散領域(第3半導体領域に相当)、14は埋め込み領域(第1半導体領域に相当)、15はP型の素子分離拡散領域、16はP型の素子分離埋め込み領域、17はN型のエピタキシャル領域(第2半導体領域に相当)、18はP型の半導体基板、19はトリガ素子、20はベース領域12より不純物濃度の高いP型拡散領域(第7半導体領域に相当)である。
FIG. 2 is a sectional view of an electrostatic breakdown protection circuit according to a second embodiment of the present invention. In FIG. 2, 1 is a collector electrode, 2 is an emitter electrode, 3 is a base electrode (corresponding to the first base electrode), 4 is another base electrode (corresponding to the second base electrode), and 5 is a high-concentration N-type collector. Electrode diffusion region, 6 is an N-type emitter region (corresponding to the fifth semiconductor region), 7 is a high-concentration P-type base electrode diffusion region (corresponding to the sixth semiconductor region), and 8 is a high-concentration P-type. Base electrode portion diffusion region (corresponding to the eighth semiconductor region), 9 an interlayer insulating film, 10 an element isolation layer, 12 a P-type base region (corresponding to the fourth semiconductor region), and 13 an N-type diffusion region ( 14 corresponds to a buried region (corresponding to the first semiconductor region), 15 denotes a P-type element isolation diffusion region, 16 denotes a P-type element isolation buried region, and 17 denotes an N-type epitaxial region (first equivalent). 2 corresponds to a semiconductor region), 18 is a P-type semiconductor substrate, 1
図2に示すように、半導体基板18上で、素子分離拡散領域15及び素子分離埋め込み領域16で囲まれた領域内に、コレクタを構成する埋め込み領域14、N型のエピタキシャル領域17及びN型拡散領域13が形成されている。そして、埋め込み領域14と一部が重畳する構造のP型のベース領域12が形成されている。さらにベース領域12上であって、埋め込み領域14と重畳しない領域にエミッタ領域6が形成され、さらにコレクタ領域から離れる位置にベース電極部拡散領域7が形成されている。
As shown in FIG. 2, a buried
本実施例では、エミッタ領域6とコレクタ領域と間のベース領域12上であって、エミッタ領域6近傍にP型拡散領域20が形成されている。このP型拡散領域20は、ベース領域12より不純物濃度が高く形成されている。また、P型拡散領域20の形成には、ベース電極部拡散領域7と同じ拡散を用いるか、あるいは専用の拡散工程を追加してもよい。更に本実施例では、P型拡散領域20とコレクタ領域との間のベース領域12上であって、コレクタ領域側にP型の別のベース電極部拡散領域8が形成されている。
In this embodiment, a P-
そして、N型拡散領域13上にはコレクタ電極部拡散領域5を介してコレクタ電極1が、エミッタ領域6にはエミッタ電極2が、ベース電極部拡散領域7にはベース電極3が、別のベース電極部拡散領域8には別のベース電極4が、それぞれ接続されている。更に、コレクタ電極1と別のベース電極4との間には、動作開始電圧を低下させるためのトリガ素子19が接続され、さらにエミッタ電極2とベース電極3はメタル配線により短絡させ、静電破壊保護回路が構成される。図2ではトリガ素子19の例としてツェナーダイオードを記載しているが、トリガ素子は、ベース電極とエミッタ電極を短絡させたバイポーラトランジスタやベース電極を開放させたバイポーラトランジスタであっても良い。
The
図2に示す静電破壊保護回路は、エミッタ電極2とベース電極3を内部回路の接地電位または内部回路における最低電位の端子に接続し、コレクタ電極1を静電破壊から保護する端子に接続する。そしてトリガ素子19であるツェナーダイオードのアノードを別のベース電極4に接続し、カソードをコレクタ電極1に接続する。
In the electrostatic breakdown protection circuit shown in FIG. 2, the
このように構成した静電破壊保護回路は、トリガ素子が接続された端子に静電気が印加されると、その端子の電位が上昇する。端子に印加される電圧がツェナーダイオードの降伏電圧を越えると、ツェナーダイオードに降伏電流が流れ、その電流は別のベース電極4を介してベース領域12に達し、さらにベース領域12およびP型拡散領域20の拡散抵抗により、電圧降下を生じながら、エミッタ領域6の直下を通過して、ベース電極3へと流れ込むことになる。トリガ素子19に印加される電圧がさらに大きくなると、その降伏電流も増加し、エミッタ領域6とその直下のベース領域12間の電位差も大きくなる。これは静電破壊保護用バイポーラトランジスタであるNPNトランジスタのベース・エミッタ間が順方向にバイアスされた状態であり、このバイポーラトランジスタの活性領域で動作するようになる。
In the electrostatic breakdown protection circuit configured as described above, when static electricity is applied to the terminal to which the trigger element is connected, the potential of the terminal rises. When the voltage applied to the terminal exceeds the breakdown voltage of the Zener diode, a breakdown current flows through the Zener diode, the current reaches the
このベース電流は、コレクタ・ベース間の逆バイアス電圧による高電界で発生した電子正孔ペアにより補償されることになり、コレクタ・ベース間には活性領域での動作に必要なベース電流を供給できるよう発生した高電界に相当する電位差が生じている。このコレクタ・ベース間電位差と順方向にバイアスされたベース・エミッタ間の電位差の和が、静電破壊保護回路の保持電圧となる。バイポーラトランジスタのベース電流は主としてエミッタへの少数キャリア注入とベース領域でのキャリア再結合がその要因であり、P型拡散領域20を設けることによりキャリア再結合電流が増加する。増加したベース電流を供給するためコレクタ・ベース間にはより高い電位差が生じ、静電破壊保護回路の保持電圧は高くなる。さらに、P型拡散領域20の長さによりキャリアの再結合機会が増減することで、ベース電流はP拡散領域20の長さに比例して増減し、コレクタ・ベース間電圧も増減することにより、保持電圧が変化する。
This base current is compensated by electron-hole pairs generated in a high electric field due to a reverse bias voltage between the collector and the base, and the base current necessary for operation in the active region can be supplied between the collector and the base. A potential difference corresponding to the generated high electric field is generated. The sum of the collector-base potential difference and the forward-biased base-emitter potential difference is the holding voltage of the electrostatic breakdown protection circuit. The base current of the bipolar transistor is mainly caused by minority carrier injection into the emitter and carrier recombination in the base region. The provision of the P-
図3は、本発明の静電破壊保護回路においてP型拡散領域20を(a)長さ4μmとした場合(b)長さ8μmとした場合と、(c)従来の保持電圧を向上させた静電破壊保護回路にトリガ素子を接続した場合の電圧−電流特性を示している。本発明(a)および(b)と従来例(c)とを比較すると、本発明の保持電圧が高くなっていることがわかる。また、P型拡散領域20の長さが長い程、保持電圧が高くなっていることがわかる。すなわち、本発明の保持電圧は、P型拡散領域20の長さに比例することがわかる。したがって、保持電圧をP型拡散領域20の長さによって設定することができる。
FIG. 3 shows the case where the P-
なお、図2に示す構成において、エミッタ電極2と第1ベース電極3をメタル配線で短絡せず、両端子の間に抵抗を接続することも可能である。この場合、コレクタ・ベース間接合の降伏電流が抵抗を経由して流れることにより少ない電流でベース・エミッタ間に静電破壊保護回路が動作開始するのに必要な電位差を生じ、動作開始電圧が低下する利点がある。
In the configuration shown in FIG. 2, it is also possible to connect a resistor between both terminals without short-circuiting the
1;コレクタ電極、2;エミッタ電極、3;ベース電極、4;別のベース電極、5;コレクタ電極部拡散領域、6;エミッタ領域、7;ベース電極部拡散領域、8;別のベース電極部拡散領域、9;層間絶縁膜、10;素子分離層、12;ベース領域、13;N型拡散領域、14;埋め込み領域、15;素子分離拡散領域、16;素子分離埋め込み領域、17;エピタキシャル領域、18;半導体基板、19;トリガ素子、20;P型拡散領域
DESCRIPTION OF
Claims (3)
半導体基板上に形成された前記静電破壊保護用バイポーラトランジスタのコレクタの一部を構成する一導電型の第1半導体領域と、
該第1半導体領域及び前記半導体基板上に形成され、前記第1半導体領域より不純物濃度が低い一導電型の第2半導体領域と、
前記第1の半導体領域に接続し、前記第2半導体領域表面に引き出される前記コレクタの一部を構成する一導電型の第3半導体領域と、
前記第2半導体領域上に形成され、前記静電破壊保護用バイポーラトランジスタのベースを構成する逆導電型の第4半導体領域と、
前記第4半導体領域上に形成され、前記静電破壊保護用バイポーラトランジスタのエミッタを構成する一導電型の第5半導体領域と、
前記第4の半導体領域上に形成され、かつ第4半導体領域より不純物濃度が高い逆導電型の第6半導体領域と、
前記第5の半導体領域とコレクタ領域との間の前記第4の半導体領域上に形成され、かつ前記第4半導体領域より不純物濃度が高い逆導電型の第7半導体領域と、
前記第5半導体領域に接続するエミッタ電極と、前記第6半導体領域に接続し、かつ前記エミッタ電極と金属電極を介して短絡される第1ベース電極と、前記第3半導体領域に接続するコレクタ電極と、を備えていることを特徴とする静電破壊保護回路。 In an electrostatic breakdown protection circuit comprising a bipolar transistor for electrostatic breakdown protection,
A first semiconductor region of one conductivity type constituting a part of a collector of the electrostatic breakdown protection bipolar transistor formed on a semiconductor substrate;
A second semiconductor region of one conductivity type formed on the first semiconductor region and the semiconductor substrate and having an impurity concentration lower than that of the first semiconductor region;
A third semiconductor region of one conductivity type that is connected to the first semiconductor region and forms a part of the collector drawn out to the surface of the second semiconductor region;
A fourth semiconductor region of reverse conductivity type formed on the second semiconductor region and constituting a base of the electrostatic breakdown protection bipolar transistor;
A fifth semiconductor region of one conductivity type formed on the fourth semiconductor region and constituting an emitter of the electrostatic breakdown protection bipolar transistor;
A sixth semiconductor region of reverse conductivity type formed on the fourth semiconductor region and having an impurity concentration higher than that of the fourth semiconductor region;
A reverse conductivity type seventh semiconductor region formed on the fourth semiconductor region between the fifth semiconductor region and the collector region and having an impurity concentration higher than that of the fourth semiconductor region;
An emitter electrode connected to the fifth semiconductor region, a first base electrode connected to the sixth semiconductor region and short-circuited via the emitter electrode and a metal electrode, and a collector electrode connected to the third semiconductor region And an electrostatic breakdown protection circuit.
前記第7半導体領域とコレクタ領域との間の前記第4の半導体領域上に形成され、かつ該第4半導体領域より不純物濃度が高い逆導電型の第8半導体領域と、
該第8半導体領域に接続する第2ベース電極とを備え、
前記エミッタ電極と前記第1ベース電極をともに接地電位あるいは最低電位の端子に接続し、前記コレクタ電極を被保護端子に接続するとともに、トリガー素子のカソードを前記コレクタ電極に、アノードを前記第2ベース電極に、それぞれ接続したことを特徴とする静電破壊保護回路。 The electrostatic breakdown protection circuit according to claim 1,
An eighth semiconductor region of reverse conductivity type formed on the fourth semiconductor region between the seventh semiconductor region and the collector region and having an impurity concentration higher than that of the fourth semiconductor region;
A second base electrode connected to the eighth semiconductor region,
The emitter electrode and the first base electrode are both connected to a ground potential or lowest potential terminal, the collector electrode is connected to a protected terminal, the cathode of the trigger element is used as the collector electrode, and the anode is used as the second base. An electrostatic breakdown protection circuit characterized by being connected to each electrode.
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