JP2010257671A - 照明装置、画像表示装置および電子機器 - Google Patents
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- 238000001514 detection method Methods 0.000 claims abstract description 109
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 97
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 claims description 46
- 238000005286 illumination Methods 0.000 claims description 38
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 19
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 18
- 238000002347 injection Methods 0.000 claims description 15
- 239000007924 injection Substances 0.000 claims description 15
- 238000007789 sealing Methods 0.000 abstract description 21
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 63
- 238000000034 method Methods 0.000 description 13
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 11
- 239000010408 film Substances 0.000 description 10
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 5
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 5
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 4
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 4
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 4
- RBTKNAXYKSUFRK-UHFFFAOYSA-N heliogen blue Chemical compound [Cu].[N-]1C2=C(C=CC=C3)C3=C1N=C([N-]1)C3=CC=CC=C3C1=NC([N-]1)=C(C=CC=C3)C3=C1N=C([N-]1)C3=CC=CC=C3C1=N2 RBTKNAXYKSUFRK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000005525 hole transport Effects 0.000 description 3
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 3
- 238000005070 sampling Methods 0.000 description 3
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 3
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- WGLPBDUCMAPZCE-UHFFFAOYSA-N Trioxochromium Chemical compound O=[Cr](=O)=O WGLPBDUCMAPZCE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000012790 adhesive layer Substances 0.000 description 2
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 2
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 description 2
- 230000001413 cellular effect Effects 0.000 description 2
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 2
- 229910000423 chromium oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 2
- PQXKHYXIUOZZFA-UHFFFAOYSA-M lithium fluoride Chemical compound [Li+].[F-] PQXKHYXIUOZZFA-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 2
- KJOLVZJFMDVPGB-UHFFFAOYSA-N perylenediimide Chemical compound C=12C3=CC=C(C(NC4=O)=O)C2=C4C=CC=1C1=CC=C2C(=O)NC(=O)C4=CC=C3C1=C42 KJOLVZJFMDVPGB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- -1 aluminum quinolinol Chemical compound 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 230000000593 degrading effect Effects 0.000 description 1
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 1
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 1
- YYMBJDOZVAITBP-UHFFFAOYSA-N rubrene Chemical compound C1=CC=CC=C1C(C1=C(C=2C=CC=CC=2)C2=CC=CC=C2C(C=2C=CC=CC=2)=C11)=C(C=CC=C2)C2=C1C1=CC=CC=C1 YYMBJDOZVAITBP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000002194 synthesizing effect Effects 0.000 description 1
- TVIVIEFSHFOWTE-UHFFFAOYSA-K tri(quinolin-8-yloxy)alumane Chemical compound [Al+3].C1=CN=C2C([O-])=CC=CC2=C1.C1=CN=C2C([O-])=CC=CC2=C1.C1=CN=C2C([O-])=CC=CC2=C1 TVIVIEFSHFOWTE-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 1
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- Electroluminescent Light Sources (AREA)
- Arrangement Of Elements, Cooling, Sealing, Or The Like Of Lighting Devices (AREA)
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Abstract
【課題】照明装置において、装置サイズを大きくすることなく、照らす対象物へ入射する光量を正確に検出する。
【解決手段】透明な封止基板214と、封止基板214に対向する透明な照明基板210と、封止基板214と照明基板210との間に設けられ、照明基板210へ向けて発光する発光素子211と、封止基板214と照明基板210との間に設けられ、照明基板210から入射する光量に応じた大きさの検出信号を出力する光検出素子と、照明基板210に形成され、照明基板210から光検出素子に向けて入射する光を遮光する遮光層213とを備えた照明装置を提供する。
【選択図】図2
【解決手段】透明な封止基板214と、封止基板214に対向する透明な照明基板210と、封止基板214と照明基板210との間に設けられ、照明基板210へ向けて発光する発光素子211と、封止基板214と照明基板210との間に設けられ、照明基板210から入射する光量に応じた大きさの検出信号を出力する光検出素子と、照明基板210に形成され、照明基板210から光検出素子に向けて入射する光を遮光する遮光層213とを備えた照明装置を提供する。
【選択図】図2
Description
本発明は、照明装置、画像表示装置および電子機器に関する。
特許文献1及び2には、外光を反射して画像を表示する反射型の液晶表示装置と、この装置を前面(表示面)から照らすフロントライトとを備えた画像表示装置が記載されている。この画像表示装置には、十分な量の外光が液晶表示装置に入射しない場合でも表示品質が低下しないという利点がある。この画像表示装置のフロントライトは、光源として有機EL(Electro Luminescent)素子を備える。有機EL素子は、液晶表示装置の表示面を漏れなく照らすように、例えば格子状に配置される。
特許文献1および2には記載されていないが、フロントライト付きの反射型表示装置では、表示面に入射する光量に基づいてフロントライトの明るさ(発光量)を調整するのが望ましい。例えば、省電力の観点では、表示面に入射する外光の光量が十分に多ければフロントライトをオフにするのが望ましい。また例えば、表示面に入射する光量が減ればフロントライトの発光量が増え、表示面に入射する光量が増えればフロントライトの発光量が減るようにすれば、表示品質を低下させることなく消費電力を低減することができる。
上記の調整を可能とする方法としては、反射型表示装置の外部に、表示面からの反射光の光量を検出する光センサーを設け、この光センサーの検出結果に基づいてフロントライトの発光量を調整する方法が考えられる。しかし、この方法では、光センサーが反射型表示装置の外部に位置するから、画像表示装置のサイズが大きくなってしまうとともに、光センサーに入射する光に占める表示面からの反射光の割合が小さくなってしまう。後者は、表示面に入射する光量の正確な検出を困難とする一因となる。
本発明は、このような事情に鑑みてなされたものであり、装置サイズを大きくすることなく、入射光量の正確な検出を可能とする照明装置、画像表示装置および電子機器を提供することを解決課題としている。
この課題を解決するために、本発明は、透明な第1基板と、前記第1基板に対向する透明な第2基板と、前記第1基板と前記第2基板との間に設けられ、前記第2基板へ向けて発光する発光素子と、前記第1基板と前記第2基板との間に設けられ、前記第2基板から入射する光量に応じた大きさの検出信号を出力する光検出素子と、前記第1基板に形成され、前記第1基板から前記光検出素子に向けて入射する光を遮光する遮光層とを備えた照明装置を提供する。
この照明装置で対象物を照らす場合、第2基板側に照らす物(対象物)を配置することになる。発光素子の発光のうちの対象物へ向かう光と、第1基板を透過して対象物へ向かう外光は、第2基板を透過し、対象物に入射する。そして、対象物により反射されて光検出素子へ向かう光は、第2基板を透過し、光検出素子に入射する。
この照明装置によれば、光検出素子が発光素子とともに第1基板と第2基板との間に設けられるから、装置サイズを大きくせずに済むとともに、光検出素子と発光素子とを互いに近接して配置することができる。通常、対象物は発光素子の近くに配置されるから、光検出素子を発光素子に近接して設けることにより、光検出素子に入射する光に占める第2基板からの光の割合が大きくなる。また、この照明装置によれば、遮光層が第1基板から光検出素子に向けて入射する光を遮光する。よって、この照明装置によれば、入射光量の正確な検出が可能となる。
この照明装置で対象物を照らす場合、第2基板側に照らす物(対象物)を配置することになる。発光素子の発光のうちの対象物へ向かう光と、第1基板を透過して対象物へ向かう外光は、第2基板を透過し、対象物に入射する。そして、対象物により反射されて光検出素子へ向かう光は、第2基板を透過し、光検出素子に入射する。
この照明装置によれば、光検出素子が発光素子とともに第1基板と第2基板との間に設けられるから、装置サイズを大きくせずに済むとともに、光検出素子と発光素子とを互いに近接して配置することができる。通常、対象物は発光素子の近くに配置されるから、光検出素子を発光素子に近接して設けることにより、光検出素子に入射する光に占める第2基板からの光の割合が大きくなる。また、この照明装置によれば、遮光層が第1基板から光検出素子に向けて入射する光を遮光する。よって、この照明装置によれば、入射光量の正確な検出が可能となる。
この照明装置において、前記発光素子は陰極と陽極とを備え、前記光検出素子は陰極と陽極とを備え、前記発光素子及び前記光検出素子は前記第2基板の上に形成され、前記発光素子の陰極と前記光検出素子の陰極とは同一の材料で形成されるようにしてもよいし、前記発光素子は有機EL素子で構成され、前記有機EL素子は、正孔注入層を備え、前記光検出素子は、P型の半導体層と、N型の半導体層とを備え、前記正孔注入層と前記P型の半導体層とは同一の材料で形成されるようにしてもよいし、両者を組み合わせてもよい。これらの照明装置の各々には、発光素子を構成する層(電極)と光検出素子を構成する層(電極)とを同種のプロセス(例えば、同一の材料を用いた蒸着)で形成可能という利点がある。さらに、両層の厚さを互いに等しくして、両層を同一のプロセス(同一の材料を用いた一回の蒸着)で一斉に形成可能としてもよい
上記の各照明装置において、前記光検出素子は、複数のフォトダイオードで構成され、前記複数のフォトダイオードは直列に接続され、前記検出信号は電圧として与えられ、直列に接続された複数の前記フォトダイオードから出力される電圧の総和を、当該照明装置に入射する光量に応じた大きさを示す光量信号として外部に出力するようにしてもよいし、前記光検出素子は、複数のフォトダイオードで構成され、前記複数のフォトダイオードは並列に接続され、前記検出信号は電流として与えられ、並列に接続された複数の前記フォトダイオードから出力される電流の総和を、当該照明装置に入射する光量に応じた大きさを示す光量信号として外部に出力するようにしてもよいし、複数の第1検出線と、複数の第2検出線とを備え、前記光検出素子は、複数のフォトダイオードで構成され、前記複数のフォトダイオードは、前記複数の第1検出線と前記複数の第2検出線の交差に対応して各々配置される、ようにしてもよい。
また、上記の課題を解決するために、本発明は、上記の各照明装置と、当該照明装置の前記第2基板に表示面が接する表示装置とを備えたことを特徴とする画像表示装置を提供する。この画像表示装置において、前記表示装置を反射型液晶装置としてもよいし、前記照明装置の前記光検出素子によって検出された前記検出信号に基づいて、前記発光素子の発光量を調整する調整手段を備えるようにしてもよいし、両者を組み合わせてもよい。
また、上記の課題を解決するために、本発明は、上記の第1検出線と第2検出線とを備える照明装置と、前記複数の第1検出線を順次選択する第1選択回路と、前記複数の第2検出線を順次選択する第2選択回路と、前記第1選択回路によって選択された第1検出線と、前記第2選択回路によって選択された第2検出線との交差に対応した前記フォトダイオードから出力される前記検出信号に基づいて、前記照明装置の前記第1基板に物体が触れた位置を特定する特定手段と、当該照明装置の前記第2基板に表示面が接する表示装置とを、備えた画像表示装置を提供する。
また、上記の課題を解決するために、本発明は、上記の第1検出線と第2検出線とを備える照明装置を有する各画像表示装置を備えた電子機器を提供する。
図面を参照しながら本発明の実施の形態を説明する。ただし、各図面においては、各部の寸法の比率が実際のものとは適宜に相違している。また、本発明は、以下に述べる各実施形態に限定されるものではなく、各実施形態を変形して得られる各種の変形例や、各実施形態またはその変形例を応用して得られる形態をも技術的範囲に含みうる。なお、各図において共通する部分には同一の符号が付されている。
<第1実施形態>
図1は本発明の第1実施形態に係る画像表示装置1の構成を示す図であり、そのA−A´断面図が図2である。これらの図に示すように、画像表示装置1は、マトリクス状に配置された複数の液晶素子LCを有する反射型液晶パネル101を備える。各液晶素子LCは、液晶と当該液晶に電圧を印加する二つの電極とを有し、液晶の光透過率を制御して階調を表示するものであり、反射型液晶パネル101は、その前面(表示面FS)内に、これらの階調で表される画像を表示する表示領域102を有する。また反射型液晶パネル101は、図示を略すが、行方向に延在する複数の走査線と、列方向に延在する複数のデータ線とを備える。液晶素子LCは、走査線とデータ線との各交差に対応する位置に一つずつ設けられている。
図1は本発明の第1実施形態に係る画像表示装置1の構成を示す図であり、そのA−A´断面図が図2である。これらの図に示すように、画像表示装置1は、マトリクス状に配置された複数の液晶素子LCを有する反射型液晶パネル101を備える。各液晶素子LCは、液晶と当該液晶に電圧を印加する二つの電極とを有し、液晶の光透過率を制御して階調を表示するものであり、反射型液晶パネル101は、その前面(表示面FS)内に、これらの階調で表される画像を表示する表示領域102を有する。また反射型液晶パネル101は、図示を略すが、行方向に延在する複数の走査線と、列方向に延在する複数のデータ線とを備える。液晶素子LCは、走査線とデータ線との各交差に対応する位置に一つずつ設けられている。
また画像表示装置1は、総ての走査線を駆動する走査線駆動回路103と、総てのデータ線を駆動するデータ線駆動回路104と、両回路を制御する制御回路105とを備える。制御回路105による両回路の制御は、クロック信号を含む制御信号C1を走査線駆動回路103へ供給し、表示すべき画像に応じたデータ信号を含む制御信号C2をデータ線駆動回路104へ供給することにより行われる。走査線駆動回路103は、制御信号C1に基づいて走査線を一つずつ巡回的に選択し、データ線駆動回路104は、制御信号C2に基づいて、選択中の走査線に対応する1行分の液晶素子LCの各々に、液晶の光透過率を設定するための信号を、対応するデータ線経由で供給する。この走査により、表示すべき画像が表示領域102に表示される。
以上の説明から明らかなように、反射型液晶パネル101、走査線駆動回路103、データ線駆動回路104および制御回路105は、光反射率を制御して画像を表示する反射型表示装置を構成している。なお、走査線駆動回路103、データ線駆動回路104および制御回路105の少なくとも一つを、反射型液晶パネル101と一体化させてもよい。
また画像表示装置1は、反射型液晶パネル101の表示面FSに接着されたフロントライト106を有する。フロントライト106は、供給される電源信号C4に応じた光量(輝度)で発光する複数の発光素子211を有し、表示領域102の全域を照らす。また、フロントライト106は、入射する光量に応じた大きさの検出信号を出力する複数のフォトダイオード212を有し、総てのフォトダイオード212の検出信号を合成した光量信号DAを制御回路105へ供給する。
また画像表示装置1は調光回路107を備える。制御回路105は、フロントライト106の光検出素子からの光量信号DAに基づいて、総ての発光素子211の発光量を制御するための制御信号C3を生成し、調光回路107へ供給し、調光回路107は、制御信号C3に基づいて、総ての発光素子211の発光量を一律に調整する。調光回路107には電源が供給されており、調光回路107は、この電源を用いて、制御信号C3に応じた電位の電源信号C4を生成し、各発光素子211へ供給する。この調光により、発光素子211の発光量はフォトダイオード212に入射する光量に応じた量となる。
以上の説明から明らかなように、制御回路105および調光回路107は、発光素子211の発光量を調整する調整手段を構成している。また、フロントライト106、制御回路105および調光回路107は、表示領域102の全域を照らす照明装置を構成している。なお、制御回路105および調光回路107の一方または両方を、フロントライト106と一体化させてもよい。
図2は、図1のA−A´断面図である。この図に示すように、表示領域102に重なる領域では、反射型液晶パネル101上にフロントライト106が重なっている。反射型液晶パネル101は、表示基板201と、表示基板201上に形成された複数のTFT(薄膜トランジスタ)202と、TFT202を覆って表示基板201上に形成された絶縁層203と、その上に形成された光反射性の複数の画素電極204とを有する。画素電極204は、絶縁層203に形成されたコンタクトホールを介して、対応するTFT202と電気的に接続されている。
また反射型液晶パネル101は、画素電極204を覆うように絶縁層203上に形成された液晶205と、液晶205上に形成された共通電極206と、共通電極206上に設けられた対向基板207と、対向基板207上に形成された偏光板208と、偏光板208上に形成された接着層209とを有する。一つの画素電極204と、この画素電極204に重なる共通電極206と、両電極間に挟持された液晶205とは、一つの液晶素子LCを構成しており、液晶205の光透過率は、両電極間の電位差に応じて変化する。
フロントライト106は、接着層209上に設けられた透明な照明基板(第2基板)210と、照明基板210上に形成された複数の発光素子211と、照明基板210上に形成された複数のフォトダイオード212と、外気や水分等から発光素子211およびフォトダイオード212を保護するために照明基板210と対向して設けられた透明な封止基板(第1基板)214と、封止基板214と各発光素子211との間、および封止基板214と各フォトダイオード212との間に介在する遮光層213とを有する。
照明基板210および封止基板214は、例えばガラスで形成され、両者の間に、総ての発光素子211および総てのフォトダイオード212が設けられている。発光素子211の発光には、各液晶素子LCへ向かう光が含まれており、これらの光は、照明基板210を透過し、各液晶素子LCへ入射する。また、液晶素子LCには、封止基板214を透過して当該液晶素子LCへ向かう外光が入射する。液晶素子LC(画素電極204)の反射光には、この外光の反射光と、各発光素子211から発して当該液晶素子LCへ入射した光の反射光とが含まれる。液晶素子LCの反射光には、各フォトダイオード212へ向かう光が含まれており、これらの光は、照明基板210を透過し、各フォトダイオード212へ入射する。フォトダイオード212には、各液晶素子LCの反射光の一部が入射するが、入射光の大部分を占めるのは近傍の液晶素子LCの反射光である。したがって、フォトダイオード212の検出信号は、近傍の液晶素子LCへの入射光の光量に応じた信号となる。
遮光層213は、発光素子211から封止基板214へ向かう光の遮断と、封止基板214からフォトダイオード212へ向かう外光(直接光)の遮断とを目的として設けられ、図2の上下方向において、総ての発光素子211および総てのフォトダイオード212を覆っている。したがって、発光素子211は照明基板210へ向けて発光することになり、フォトダイオード212に入射する光の大部分は照明基板210から入射する光(反射光)となる。よって、フォトダイオード212は、照明基板210から入射する光の光量に応じた大きさの検出信号を出力することになる。
遮光層213としては、封止基板214から入射した外光(直接光)を反射しないものが好ましい。遮光層213は、この事情と上記の目的とに応じた材料を用いて形成されている。好適には、クロム・酸化クロム・クロムと酸化クロムとの積層膜などの光反射率の低い金属薄膜、もしくは光透過率の低い樹脂材料である。なお、発光素子211に重なる遮光層213とフォトダイオード212に重なる遮光層213とで形成材料を相違させてもよい。
図3は、図2の一部を拡大して示す断面図である。発光素子211は、有機EL素子であり、この図に示すように、照明基板210上にITOで形成された陽極301と、その上に形成された正孔注入層302と、その上に形成された正孔輸送層303と、その上に形成された発光層304と、その上に形成された電子輸送層305と、その上に形成された電子注入層306と、その上に形成された陰極307とを有する。陽極301には電源信号C4が供給される。
正孔注入層302は、銅フタロシアニン薄膜であり、その膜厚は約30nmである。正孔輸送層303は、例えばNPD薄膜であり、その膜厚は約20nmである。発光層304は、例えば低分子白色発光材料の薄膜であり、その膜厚は約20nmである。電子輸送層305は、例えばアルミキノリノール錯体(tris(8-hydroxyquinoline)aluminum)の薄膜であり、その膜厚は約30nmである。電子注入層306は、例えばフッ化リチウム薄膜であり、その膜厚は約1nmである。陰極307は、アルミニウム薄膜であり、その膜厚は約150nmである。
フォトダイオード212は、有機フォトダイオードであり、この図に示すように、照明基板210上にITOで形成された陽極308と、その上に形成されたP型半導体層309と、その上に形成されたN型半導体層310と、その上に形成された陰極311とを有する。P型半導体層309は、銅フタロシアニン薄膜であり、その膜厚は約30nmである。N型半導体層310は、PTCDI(3,4,9,10-perylene-tetracarboxylic-diimide)薄膜であり、その膜厚は約50nmである。陰極311は、アルミニウム薄膜であり、その膜厚は約150nmである。
上述したことから明らかなように、正孔注入層302とP型半導体層309は、同一の材料(銅フタロシアニン)を用いたマスク蒸着、すなわち同種のプロセスによって形成可能である。これは、製造工程の簡素化に寄与する利点であり、陰極307と陰極311にもあてはまるし、陽極301と陽極308にもあてはまる。さらに、正孔注入層302の膜厚とP型半導体層309の膜厚とは等しいから、正孔注入層302とP型半導体層309を同一のプロセス(同一の材料を用いた一回の蒸着)によって一斉に形成可能である。これは、陰極307と陰極311にもあてはまる。
もちろん、上述した形成材料および膜厚は一例に過ぎない。例えば、陰極311の形成材料を金としてもよいし、P型半導体層309の形成材料をルブレンとしてもよいし、P型半導体層309やN型半導体層310の膜厚を変更してもよい。また例えば、発光素子212から、正孔注入層、正孔輸送層、電子輸送層および電子注入層のうち、少なくとも一つの層を削除してもよい。いずれの場合でも、同一の材料で形成された層が発光素子211とフォトダイオード212とに含まれていれば、発光素子211に含まれる当該層とフォトダイオード212に含まれる当該層とを同種のプロセスで形成可能となり、さらに両層の膜厚が等しければ、同一のプロセスで一斉に形成可能となる。
図4は、画像表示装置1における発光素子211およびフォトダイオード212の配置を示す平面図である。この図には、照明基板210と封止基板214との間に設けられた4本の電源配線(陽極配線401および403と陰極配線402および404)を封止基板214側から眺めて示してある。
陽極配線401は、総ての発光素子211の陽極301を含む櫛状の配線であり、調光回路107からの電源信号C4(高電位)を各陽極301へ供給する。陰極配線402は、総ての発光素子211の陰極307と接する櫛状の配線であり、接地電位(低電位)を各陰極307へ供給する。陽極配線401と陰極配線402は、櫛の歯が交互に噛み合うように照明基板210上に配置されており、各歯には複数の発光素子211が対応している。
陽極配線403は、総てのフォトダイオード212の陽極308を含む櫛状の配線であり、各陽極308と制御回路105とを接続している。陰極配線404は、総てのフォトダイオード212の陰極311と接する櫛状の配線であり、接地電位(低電位)を各陰極311へ供給する。陽極配線403と陰極配線404は、櫛の歯が交互に噛み合うように照明基板210上に配置されており、各歯には複数のフォトダイオード212が対応している。また、図4から明らかなように、陽極配線401は陰極配線402にも陰極配線404にも重ならず、陽極配線403は陰極配線402にも陰極配線404にも重ならない。つまり、陽極配線および陰極配線は互いに重ならない。これは、製造工程の簡素化に寄与する利点である。
図5は、発光素子211およびフォトダイオード212の電気的な接続関係を示す回路図である。この図を参照して両者の電気的な接続関係を説明するが、ここでは、理解を容易とするために、電極と配線とを別体として取り扱う。図に示すように、総ての陽極301は陽極配線401と、総ての陰極307は陰極配線402と、総ての陽極308は陽極配線403と、総ての陰極311は陰極配線404と電気的に接続されている。つまり、総ての発光素子211は陽極配線401と陰極配線402との間で並列接続されて一つの発光素子として機能し、総てのフォトダイオード212は陽極配線403と陰極配線404との間で並列接続されて一つの光検出素子として機能する。
この光検出素子の出力電流が光量信号DAとして制御回路105へ供給される。制御回路105は、光量信号DAに基づいて制御信号C3を生成する。この生成方法は任意である。例えば、光量信号DAが示す値とフロントライト106の照明光の光量に応じた値との差分に基づいて制御信号C3を生成するようにしてもよいし、光量信号DAのみに基づいて制御信号C3を生成するようにしてもよい。
図6は、本実施形態の変形例に係るフォトダイオードの配置を示す平面図である。この図に係る画像表示装置は、陰極配線404に代えて陰極配線601を備える。陰極配線601は櫛状の配線であり、陰極配線601と陽極配線403は、櫛の歯が交互に噛み合うように照明基板210上に配置されている。また、陰極配線601の歯の先端は、陽極配線403の歯の根元に沿って折れ曲がっている。この画像表示装置が備えるフォトダイオード、すなわち光検出素子を構成するフォトダイオードは、一つのフォトダイオード602のみである。フォトダイオード602は、陽極配線403上の櫛状の領域に形成されており、この領域は、陰極配線601に接する陰極603に覆われている。この画像表示装置では、フォトダイオード602を流れる電流が光量信号DAとして制御回路105へ供給される。なお、図6から明らかなように、陽極配線403と陰極配線601は互いに重ならない。これは、製造工程の簡素化に寄与する利点である。
以上説明したように、画像表示装置1は、透明な照明基板210と、照明基板210に対向する透明な封止基板214と、照明基板210と封止基板214との間に設けられ、照明基板210へ向けて発光する発光素子211と、照明基板210と封止基板214との間に設けられ、照明基板210から入射する光量に応じた大きさの検出信号を出力する光検出素子と、封止基板214に形成され、封止基板214から光検出素子に向けて入射する光を遮光する遮光層213とを備える。また、画像表示装置1では、フォトダイオード212が発光素子211とともに照明基板210と封止基板214との間に互いに近接して設けられている。こうした構成を採ることにより、装置サイズを大きくせずに済んでおり、フォトダイオード212に入射する光に占める近傍の液晶素子LCからの反射光の割合が大きくなるという利点も得られる。加えて、画像表示装置1では、遮光層213が封止基板214からフォトダイオード212に向けて入射する光を遮光する。よって、画像表示装置1によれば、対象物へ入射する光量を正確に検出することができる。
なお、上述した実施形態では、光検出素子を構成する複数のフォトダイオード212が並列に接続されており、検出信号が電流として与えられ、これらのフォトダイオード212から出力される電流の総和が光量信号DAとしてフロントライト106の外部に出力されるが、これを変形し、光検出素子を構成する複数のフォトダイオード212が直列に接続されており、検出信号が電圧として与えられ、これらのフォトダイオード212から出力される電圧の総和が光量信号DAとしてフロントライト106の外部に出力されるようにしてもよい。
また、上述した実施形態を変形し、フロントライト106が、複数の第1検出線と、複数の第2検出線とを備え、光検出素子を構成する複数のフォトダイオード212が、複数の第1検出線と複数の第2検出線の交差に対応して各々配置されるようにしてもよい。この場合、制御回路105は、光量信号DAが示すm×n個のフォトダイオード212の検出値に基づいて制御信号C3を生成することになる。この生成の好ましい方法としては、これらの検出値の平均値や中央値を算出し、この算出結果に基づいて制御信号C3を生成する方法が挙げられる。
<第2実施形態>
図7は本発明の第2実施形態に係る画像表示装置7の構成を示す図であり、図8はその動作を説明するためのタイミングチャートである。画像表示装置7は、指やペン等の物体Zが触れた位置を特定可能な装置であり、制御回路105に代えて制御回路701を、フロントライト106に代えてフロントライト702を備える。
図7は本発明の第2実施形態に係る画像表示装置7の構成を示す図であり、図8はその動作を説明するためのタイミングチャートである。画像表示装置7は、指やペン等の物体Zが触れた位置を特定可能な装置であり、制御回路105に代えて制御回路701を、フロントライト106に代えてフロントライト702を備える。
制御回路701が制御回路105と大きく異なる点は、光量信号DAに代えて信号DBが供給される点と、各フォトダイオードに検出信号を出力させるための制御信号C5およびC6を生成して出力する点である。フロントライト702は、m×n個のフォトダイオード212を有する。これらのフォトダイオード212は、m本の第1検出線703とn本の第2検出線704の交差に対応して、各々配置されている。各フォトダイオード212の陽極308は対応する第2検出線704と電気的に接続されており、陰極311は対応する第1検出線703と電気的に接続されている。なお、第1検出線703と第2検出線704とが交差している部分では、第1検出線703の層と第2検出線704の層との間に絶縁層が介挿されている。
また画像表示装置7は、行方向に延在するm本の第1検出線703と、列方向に延在するn本の第2検出線704と、制御信号C5に基づいてm本の第1検出線703を順次選択するYドライバ(第1選択回路)705と、制御信号C6に基づいてn本の第2検出線704を順次選択するXドライバ(第2選択回路)706とを備える。制御信号C5は、周期が1Yのクロック信号と、m本の第1検出線703を順次選択するための行選択パルスとを含む。このクロック信号のm周期が行選択パルスの一周期となり、このm周期のうちの一周期において行選択パルスがアクティブレベルとなる。制御信号C6は、周期が1Xのクロック信号と、n本の第2検出線704を順次選択するための列選択パルスとを含む。1X=1Y/nである。このクロック信号のn周期が行選択パルスの一周期となり、このn周期のうちの一周期において列選択パルスがアクティブレベルとなる。
Yドライバ705は、制御信号C5が供給されるm段のシフトレジスタ707と、m本の第1検出線703にそれぞれ対応して設けられ、各々が対応する第1検出線703と接地電位(陰極配線402)とを繋ぐm個のスイッチ708とを有する。シフトレジスタ707は、クロック信号に基づいて行選択期間(1Y)毎にシフトを行うものであり、その初段には行選択パルスが入力される。シフトレジスタ707の各段は、各第1検出線703と1対1で対応しており、各スイッチ708は、対応する段からの行選択信号Y1〜Ymに基づいてオン/オフする。
行選択信号Y1〜Ymは、m本の第1検出線703を順次選択するための信号であり、図8に示すように、1番目の行選択期間(1Y)では行選択信号Y1のみがアクティブレベルとなり、2番目の行選択期間では行選択信号Y2のみがアクティブレベルとなり、…、m番目の行選択期間では行選択信号Ymのみがアクティブレベルとなり、m+1番目の行選択期間では行選択信号Y1のみがアクティブレベルとなる。したがって、図7のm本の第1検出線703は、m個のスイッチ708のオン/オフによって択一的かつ巡回的に選択されることになる。
Xドライバ706は、制御信号C6が供給されるn段のシフトレジスタ709と、入力信号を増幅して出力する増幅器711と、n本の第2検出線704にそれぞれ対応して設けられ、各々が対応する第2検出線704と増幅器711の入力端とを繋ぐn個のスイッチ710と、クロック信号に基づいて動作するサンプルホールド回路712とを有する。シフトレジスタ709は、クロック信号に基づいて列選択期間(1X)毎にシフトを行うものであり、その初段には列選択パルスが入力される。シフトレジスタ709の各段は、各第2検出線704と1対1で対応しており、各スイッチ710は、対応する段からの列選択信号X1〜Xmに基づいてオン/オフする。
列選択信号X1〜Xnは、n本の第2検出線704を順次選択するための信号であり、図8に示すように、1番目の列選択期間(1X)では列選択信号X1のみがアクティブレベルとなり、2番目の列選択期間では列選択信号X2のみがアクティブレベルとなり、…、n番目の列選択期間では列選択信号Xnのみがアクティブレベルとなり、n+1番目の列選択期間では列選択信号X1のみがアクティブレベルとなる。したがって、図7のn本の第2検出線704は、n個のスイッチ710のオン/オフによって択一的かつ巡回的に選択されることになる。また、前述したように、1X=1Y/nである。よって、n本の第2検出線704は、各行選択期間(1Y)において、n個のスイッチ710のオン/オフによって順次選択されることになる。
こうして、m×n個のフォトダイオード212が順次選択される。選択中のフォトダイオード212は、その陰極311には接地電位が供給され、その陽極308は増幅器711の入力端と電気的に接続されるから、入射する光量に応じた大きさの電流を増幅器711へ供給する。m本の各第2検出線704を流れる電流をそれぞれ検出信号d1〜dnとしたとき、増幅器711の入力端と電気的に接続される第2検出線704は列選択期間毎に切り換わるから、図8に示すように、増幅器711には、検出信号d1〜dnを列選択期間毎に並べた信号dが供給される。
信号dは増幅器711で増幅されてサンプルホールド回路712へ供給される。サンプルホールド回路712は、容量素子を有し、この容量素子に、信号dに応じた電荷を蓄積し、この容量素子に保持されている電圧をサンプリング期間(T)毎にサンプリングし、最後にサンプリングした電圧を示す信号DBを出力し続ける。T=1Xであるが、容量素子の保持電圧が安定してからサンプリングが行われるようにするために、サンプリングが行われる時点t1,t2,…は、いずれも、列選択期間の終了直前となるように定められている。なお、Xドライバ706にA/D変換器を持たせ、サンプルホールド回路712の出力信号をA/D変換したものを信号DBとしてもよい。
制御回路701は、封止基板214に物体Zが触れた位置を信号DBに基づいて特定する特定手段として機能する。この特定の方法は任意である。例えば、予め定められた閾値と比較して信号DBを二値化(ビット化)し、m行n列のマトリクスにわたるビットパターンに基づいて、一または複数の位置を物体の接触位置として特定するようにしてもよいし、信号DBが示す値とフロントライト702の照明光の光量に応じた値との差分を閾値と比較して二値化してもよい。なお、本実施の形態を変形し、制御回路701が、物体の接触位置ではなく、物体との接触の有無を検出するようにしてもよい。
なお、制御回路701は、制御回路105と同様に、総ての発光素子211の発光量を制御するための制御信号C3を生成する。ただし、本実施形態では、信号DBが示すm×n個のフォトダイオード212の検出値の平均値を算出し、この算出結果に基づいて制御信号C3が生成される。もちろん、これを変形し、信号DBが示すm×n個のフォトダイオード212の検出値の中央値を算出し、この算出結果に基づいて制御信号C3を生成するようにしてもよい。また、各発光素子211の発光量を制御しないようにしてもよい。この場合には、制御信号C3の生成が不要となり、調光回路107に代えて固定電源を用いることができる。
<他の変形例>
上述した各実施形態では、発光素子211の陽極301とフォトダイオード212の陽極308とが同一材料で形成されているが、両者を互いに異なる材料で形成してもよい。このことは、発光素子211の正孔注入層302とフォトダイオード212のP型半導体層309との間にもあてはまり、発光素子211の陰極307とフォトダイオード212の陰極311との間にもあてはまる。
上述した各実施形態では、発光素子211の陽極301とフォトダイオード212の陽極308とが同一材料で形成されているが、両者を互いに異なる材料で形成してもよい。このことは、発光素子211の正孔注入層302とフォトダイオード212のP型半導体層309との間にもあてはまり、発光素子211の陰極307とフォトダイオード212の陰極311との間にもあてはまる。
また、上述した各実施形態では、照明装置が照らす対象が反射型液晶装置に限定されているが、これを変形し、照明装置が他の対象物を照らすようにしてもよい。他の対象物としては、反射型液晶表示装置以外の反射型の表示装置や、数値を針で指し示すアナログメーター等の計器、紙のポスター等の掲示物を例示可能である。また、液晶素子として、液晶の厚み方向に電圧が印加される液晶素子以外の液晶素子(当該方向とは異なる方向に電圧が印加される液晶素子)を採用してもよい。また、発光素子として、有機EL素子以外の発光素子(例えばLED(Light Emitting Diode)やLD(Laser Diode))を採用してもよい。
<応用例>
次に、本発明に係る表示装置を利用した電子機器について説明する。この説明では、本発明の実施形態またはその変形例に係る画像表示装置を「画像表示装置8」と記す。図9は、画像表示装置8を表示部として採用したモバイル型のパーソナルコンピューターの構成を示す斜視図である。パーソナルコンピューター2000は、表示部としての画像表示装置8と本体部2010とを備える。本体部2010には、電源スイッチ2001およびキーボード2002が設けられている。
図10に、画像表示装置8を適用した携帯電話機の構成を示す。携帯電話機3000は、複数の操作ボタン3001およびスクロールボタン3002、ならびに表示部としての画像表示装置8を備える。スクロールボタン3002を操作することによって、画像表示装置8に表示される画面がスクロールされる。
図11に、画像表示装置8を適用した携帯情報端末(PDA:Personal Digital Assistants)の構成を示す。携帯情報端末4000は、複数の操作ボタン4001および電源スイッチ4002、ならびに表示部としての画像表示装置8を備える。
なお、本発明に係る画像表示装置が適用される電子機器としては、図9から図11に示したもののほか、テレビ、デジタルスチルカメラ、ビデオカメラ、カーナビゲーション装置、電子手帳、電子ペーパー、電卓、ワードプロセッサ、ワークステーション、テレビ電話、複写機、ビデオプレーヤーなどが挙げられる。
次に、本発明に係る表示装置を利用した電子機器について説明する。この説明では、本発明の実施形態またはその変形例に係る画像表示装置を「画像表示装置8」と記す。図9は、画像表示装置8を表示部として採用したモバイル型のパーソナルコンピューターの構成を示す斜視図である。パーソナルコンピューター2000は、表示部としての画像表示装置8と本体部2010とを備える。本体部2010には、電源スイッチ2001およびキーボード2002が設けられている。
図10に、画像表示装置8を適用した携帯電話機の構成を示す。携帯電話機3000は、複数の操作ボタン3001およびスクロールボタン3002、ならびに表示部としての画像表示装置8を備える。スクロールボタン3002を操作することによって、画像表示装置8に表示される画面がスクロールされる。
図11に、画像表示装置8を適用した携帯情報端末(PDA:Personal Digital Assistants)の構成を示す。携帯情報端末4000は、複数の操作ボタン4001および電源スイッチ4002、ならびに表示部としての画像表示装置8を備える。
なお、本発明に係る画像表示装置が適用される電子機器としては、図9から図11に示したもののほか、テレビ、デジタルスチルカメラ、ビデオカメラ、カーナビゲーション装置、電子手帳、電子ペーパー、電卓、ワードプロセッサ、ワークステーション、テレビ電話、複写機、ビデオプレーヤーなどが挙げられる。
1,7……画像表示装置、101……反射型液晶パネル、105,701……制御回路、106,702……フロントライト、107……調光回路、210……照明基板(第2基板)、211……発光素子、212,602……フォトダイオード、213……遮光層、214……封止基板(第1基板)、301,308……陽極、302……正孔注入層、307,311,603……陰極、309……P型半導体層、703……第1検出線、704……第2検出線、705……Yドライバ、706……Xドライバ、2000……パーソナルコンピューター(電子機器)、3000……携帯電話機(電子機器)、4000……携帯情報端末(電子機器)、d1〜dn……検出信号、DA……光量信号、FS……表示面。
Claims (11)
- 透明な第1基板と、
前記第1基板に対向する透明な第2基板と、
前記第1基板と前記第2基板との間に設けられ、前記第2基板へ向けて発光する発光素子と、
前記第1基板と前記第2基板との間に設けられ、前記第2基板から入射する光量に応じた大きさの検出信号を出力する光検出素子と、
前記第1基板に形成され、前記第1基板から前記光検出素子に向けて入射する光を遮光する遮光層と、
を備えた照明装置。 - 前記発光素子は陰極と陽極とを備え、
前記光検出素子は陰極と陽極とを備え、
前記発光素子及び前記光検出素子は前記第2基板の上に形成され、
前記発光素子の陰極と前記光検出素子の陰極とは同一の材料で形成される、
ことを特徴とする請求項1に記載の照明装置。 - 前記発光素子は有機EL素子で構成され、
前記有機EL素子は、正孔注入層を備え、
前記光検出素子は、P型の半導体層と、N型の半導体層とを備え、
前記正孔注入層と前記P型の半導体層とは同一の材料で形成される、
ことを特徴とする請求項1に記載の照明装置。 - 前記光検出素子は、複数のフォトダイオードで構成され、
前記複数のフォトダイオードは直列に接続され、
前記検出信号は電圧として与えられ、
直列に接続された複数の前記フォトダイオードから出力される電圧の総和を、当該照明装置に入射する光量に応じた大きさを示す光量信号として外部に出力する、
ことを特徴とする請求項1乃至3のうちいずれか1項に記載の照明装置。 - 前記光検出素子は、複数のフォトダイオードで構成され、
前記複数のフォトダイオードは並列に接続され、
前記検出信号は電流として与えられ、
並列に接続された複数の前記フォトダイオードから出力される電流の総和を、当該照明装置に入射する光量に応じた大きさを示す光量信号として外部に出力する、
ことを特徴とする請求項1乃至3のうちいずれか1項に記載の照明装置。 - 複数の第1検出線と、
複数の第2検出線とを備え、
前記光検出素子は、複数のフォトダイオードで構成され、
前記複数のフォトダイオードは、前記複数の第1検出線と前記複数の第2検出線の交差に対応して、各々配置される、
ことを特徴とする請求項1乃至3のうちいずれか1項に記載の照明装置。 - 請求項1乃至6のうちいずれか1項に記載の照明装置と、
当該照明装置の前記第2基板に表示面が接する表示装置とを、
備えたことを特徴とする画像表示装置。 - 前記表示装置は反射型液晶装置であることを特徴とする請求項7に記載の画像表示装置。
- 前記照明装置の前記光検出素子によって検出された前記検出信号に基づいて、前記発光素子の発光量を調整する調整手段を備えることを特徴とする請求項7または8に記載の画像表示装置。
- 請求項6に記載の照明装置と、
前記複数の第1検出線を順次選択する第1選択回路と、
前記複数の第2検出線を順次選択する第2選択回路と、
前記第1選択回路によって選択された第1検出線と、前記第2選択回路によって選択された第2検出線との交差に対応した前記フォトダイオードから出力される前記検出信号に基づいて、前記照明装置の前記第1基板に物体が触れた位置を特定する特定手段と、
当該照明装置の前記第2基板に表示面が接する表示装置とを、
備えたことを特徴とする画像表示装置。 - 請求項7乃至10のうちいずれか1項に記載の画像表示装置を備えたことを特徴とする電子機器。
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-
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KR102435798B1 (ko) | 2017-11-20 | 2022-08-25 | 엘지전자 주식회사 | 반도체 발광 소자를 이용한 디스플레이 장치 및 이의 제조방법 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A300 | Application deemed to be withdrawn because no request for examination was validly filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 20120703 |