JP2010257462A - 半導体処理装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】デバイス11は、ホストコンピュータ13に対してUSB1.0規格に基づく通信を行なう場合は制御端子を「L」レベルにし、PチャネルMOSトランジスタ22を導通させてデータ信号線に電源電位を与え、ホストコンピュータ13に対してUSB1.0規格に基づく通信を行なわない場合は制御端子を「H」レベルにし、NチャネルMOSトランジスタ26を導通させてデータ信号線に接地電位を与える。
【選択図】図6
Description
まず、USB規格による通信方式では、図9に示すように、ホストコンピュータ5とデバイス1間を4つの信号線(信号線D-,信号線D+,5V電源線VCC,グランド線GND)で接続する。
実施の形態1.
図1はこの発明の実施の形態1による使用状況伝達装置を示す回路図であり、図において、11は例えばマウス,キーボード,ペンタブレットやゲームパッドなどのデバイス、12はホストコンピュータ13とデバイス11を接続するコネクタ、13は例えばパソコンなどのホストコンピュータである。
まず、USB規格による通信方式では、図1に示すように、ホストコンピュータ13とデバイス11間を4つの信号線(信号線D-,信号線D+,5V電源線VCC,グランド線GND)で接続する。
実施の形態2.
図3はこの発明の実施の形態2による使用状況伝達装置を示す回路図であり、図において、図1のものと同一符号は同一または相当部分を示すので説明を省略する。
ゲート26を設けた以外は上記実施の形態1と同様であるので、ゲート26の動作についてのみ説明する。
実施の形態3.
図4はこの発明の実施の形態3による使用状況伝達装置を示す回路図であり、図において、図1のものと同一符号は同一または相当部分を示すので説明を省略する。
上記実施の形態1,2では、使用又は不使用を設定するものについて説明したが、不使用を設定した場合、上述したように、信号線D-の電位VMは0Vとなるので、次に信号線D-の電位VMを設定値VTH1より高くしてデバイス11の使用を設定する際、信号線D-の電位VMが設定値VTH1より高くなるまで、ある程度の時間待つ必要がある。
実施の形態4.
上記実施の形態1では、ゲート22等の状態を切り換えることにより、デバイス11の使用又は不使用を設定するものについて示したが、実際にデバイス11を使用しない場合には、CPU14がレジスタ15,17にLレベルの信号を格納するように、プログラムを作成することができる場合には、信号線D-(第1の信号線)及び信号線D+(第2の信号線)に対してLレベルの信号を出力することができるので、デバイス11がホストコンピュータ13と物理的に接続されている状態において、デバイス11が現在使用中であるか否かを示す情報をホストコンピュータ13に伝達することができるようになり、その結果、ホストコンピュータ13は実際にデバイス11を使用していないときは、デバイス11との通信処理等が不要となり、ホストコンピュータ13の処理負担を低減することができる効果がある。
実施の形態5.
上記実施の形態1〜4では、CPU27等がレジスタ19等に設定内容を格納するものについて示したが、外部スイッチ等を設け、その外部スイッチ等の状態がレジスタ19等に格納されるようにしてもよい。
実施の形態6.
上記実施の形態1〜4では、信号線D-にプルアップ抵抗21やゲート22等を接続して信号線D-の電位VMを制御するものについて示しが、信号線D+にプルアップ抵抗21やゲート22等を接続して信号線D+の電位VNを制御するようにしてもよい。
実施の形態7.
上記実施の形態1〜4では、デバイス11の中にプルアップ電源20やゲート22を設けたものについて示したが、図6に示すように、デバイス11の外にプルアップ電源20やゲート22を設けてもよい。
実施の形態8.
上記実施の形態1〜4では、デバイス11がホストコンピュータ13と物理的に接続されているが、実際に使用されないときは、レジスタ15及びレジスタ17が初期状態となって、信号線D-の電位VM及び信号線D+の電位VNが0Vとなるものについて示したが、図7に示すように、実際に使用されないときは、レジスタ30及びレジスタ31にLレベルの信号を格納することにより、強制的にバッファ16及びバッファ18が何も出力しない状態(ハイインピーダンス状態)に遷移させるようにしてもよい(図8参照)。
Claims (2)
- 半導体処理装置であって、
別の半導体処理装置から電力供給を受けるために用いられる第1および第2の電源端子と、
それぞれ第1および第2のデータ信号線を介して前記別の半導体処理装置に接続され、差動信号としてデータの入出力を行なって前記別の半導体処理装置と通信を行なうための第1および第2のデータ端子と、
それらの出力ノードがそれぞれ前記第1および第2のデータ端子に接続され、差動信号としてデータの出力を行なうための第1および第2のバッファと、
外部のスイッチ回路に接続される制御端子と、
前記別の半導体処理装置に対してUSB1.0規格に基づく通信を行なう場合は前記制御端子に第1の信号を出力し、USB1.0規格に基づく通信を行なわない場合は前記制御端子に第2の信号を出力するとともに、前記第1の信号を出力した場合は、前記第1および第2のバッファにデータの出力を行なわせるか否かを制御し、前記第2の信号を出力した場合は、前記第1および第2のバッファの出力ノードをハイインピーダンス状態にさせるか否かを制御する制御回路とを備え、
前記スイッチ回路は、前記制御回路から前記第1の信号が出力された場合は、所定の抵抗を介して前記第1のデータ信号線に電源電位を与え、前記制御回路から前記第2の信号が出力された場合は、前記所定の抵抗を介して前記第1のデータ信号線に接地電位を与える、半導体処理装置。 - 前記スイッチ回路は、
前記所定の抵抗を介して前記第1のデータ信号線に接続される出力ノードと、
電源電位のノードと前記出力ノードとの間に接続され、ゲート電極が前記制御端子に接続され、前記第1の信号に応答して導通するPチャネルMOSトランジスタと、
前記出力ノードと接地電位のノードとの間に接続され、ゲート電極が前記制御端子に接続され、前記第2の信号に応答して導通するNチャネルMOSトランジスタとを含む、請求項1に記載の半導体処理装置。
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