JP2010250278A - ポジ型レジスト組成物、レジストパターン形成方法 - Google Patents

Abstract

【課題】ポジ型レジスト組成物、及び該ポジ型レジスト組成物を用いるレジストパターン形成方法の提供。
【解決手段】酸の作用によりアルカリ現像液に対する溶解性が増大する基材成分（Ａ）と、露光により酸を発生する酸発生剤成分（Ｂ）とを含有するポジ型レジスト組成物を用いて、支持体上に形成したレジスト膜を、選択的に露光し、現像してホールパターンを形成した後に、ベーク処理を行った場合に、該ホールの寸法値が、該ベーク処理前の該寸法値と比較して、１０％減少し始めるベーク処理温度（Ｔｆ）が１００℃以上であり、且つ、前記ポジ型レジスト組成物を用いて、支持体上に形成したレジスト膜を、選択的に露光し、現像してホールパターンを形成した後に、全面露光を行い、次いでベーク処理を行った場合に、該ホールの寸法値が、該ベーク処理前の該寸法値と比較して、１０％減少し始めるベーク処理温度（Ｔｆ’）が、前記Ｔｆよりも１８℃以上低い。
【選択図】なし

Description

本発明は、ポジ型レジスト組成物、および該ポジ型レジスト組成物を用いるレジストパターン形成方法に関する。

リソグラフィー技術においては、例えば基板の上にレジスト材料からなるレジスト膜を形成し、該レジスト膜に対し、所定のパターンが形成されたマスクを介して、光、電子線等の放射線にて選択的露光を行い、現像処理を施すことにより、前記レジスト膜に所定形状のレジストパターンを形成する工程が行われる。
露光した部分が現像液に溶解する特性に変化するレジスト材料をポジ型、露光した部分が現像液に溶解しない特性に変化するレジスト材料をネガ型という。
近年、半導体素子や液晶表示素子の製造においては、リソグラフィー技術の進歩により急速にパターンの微細化が進んでいる。
微細化の手法としては、一般に、露光光源の短波長化（高エネルギー化）が行われている。具体的には、従来は、水銀輝線のｇ線、ｉ線に代表される紫外線が用いられていたが、現在では、ＫｒＦエキシマレーザーや、ＡｒＦエキシマレーザーを用いた半導体素子の量産が開始されている。また、これらエキシマレーザーより短波長（高エネルギー）の電子線、ＥＵＶ（極紫外線）やＸ線などについて検討が行われている。

レジスト材料には、これらの露光光源に対する感度、微細な寸法のパターンを再現できる解像性等のリソグラフィー特性が求められる。
このような要求を満たすレジスト材料として、酸の作用によりアルカリ現像液に対する溶解性が変化する基材成分と、露光により酸を発生する酸発生剤とを含有する化学増幅型レジスト組成物が用いられている。
例えばポジ型の化学増幅型レジスト組成物としては、酸の作用によりアルカリ現像液に対する溶解性が増大する樹脂成分（ベース樹脂）と、酸発生剤成分とを含有するものが一般的に用いられている。かかる、レジスト組成物を用いて形成されるレジスト膜は、レジストパターン形成時に選択的露光を行うと、露光部において、酸発生剤から酸が発生し、該酸の作用により樹脂成分のアルカリ現像液に対する溶解性が増大して、露光部がアルカリ現像液に対して可溶となる。
現在、ＡｒＦエキシマレーザーリソグラフィー等において使用されるレジストのベース樹脂としては、１９３ｎｍ付近における透明性に優れることから、（メタ）アクリル酸エステルから誘導される構成単位を主鎖に有する樹脂（アクリル系樹脂）などが一般的に用いられている（たとえば特許文献１参照）。ここで、「（メタ）アクリル酸」とは、α位に水素原子が結合したアクリル酸と、α位にメチル基が結合したメタクリル酸の一方あるいは両方を意味する。「（メタ）アクリル酸エステル」とは、α位に水素原子が結合したアクリル酸エステルと、α位にメチル基が結合したメタクリル酸エステルの一方あるいは両方を意味する。「（メタ）アクリレート」とは、α位に水素原子が結合したアクリレートと、α位にメチル基が結合したメタクリレートの一方あるいは両方を意味する。
また、現在、化学増幅型レジスト用のベース樹脂としては、リソグラフィー特性等の向上のために、複数の構成単位を含有するものが用いられている。たとえばポジ型の場合には、通常、酸発生剤から発生した酸の作用により解離する酸解離性溶解抑制基を有する構成単位を含み、さらに、水酸基等の極性基を有する構成単位、ラクトン構造を有する構成単位等を含むものが用いられている。これらのうち、ラクトン構造を有する構成単位は、一般的に、レジスト膜の基板に対する密着性向上、アルカリ現像液との親和性等を向上させ、リソグラフィー特性の向上に寄与すると考えられている。

また、近年、酸の作用により解裂するベース樹脂を用い、露光前後において分子量変化を引き起こすことにより、レジストパターンの微細化を図る検討がなされているが、分子量変化を十分に大きくすることはできていない（たとえば特許文献２〜４参照）。
また、酸の作用により解裂した際の分子量変化が大きいポリマーであっても、レジスト材料に必要な耐熱性を有しているとはかぎらない（たとえば特許文献５〜６参照）。

特開２００３−２４１３８５号公報 特開２００６−３４９９３９号公報 特開２００８−００９２６９号公報 特開２００８−２５０１５７号公報 特開平５−８６３３４号公報 特開２００５−２９０２１４号公報

今後、リソグラフィー技術のさらなる進歩、応用分野の拡大等が予想されるなか、リソグラフィー用途に使用できる新規な材料に対する要求がある。たとえばパターンの微細化が進むにつれ、レジスト材料にも解像性、ＬＥＲ（ラインエッジラフネス）等の種々のリソグラフィー特性の向上が求められる。
本発明は、上記事情に鑑みてなされたものであって、リソグラフィー特性に優れたポジ型レジスト組成物、および該ポジ型レジスト組成物を用いるレジストパターン形成方法を提供することを課題とする。

上記の目的を達成するために、本発明は以下の構成を採用した。
すなわち、本発明の第一の態様は、酸の作用によりアルカリ現像液に対する溶解性が増大する基材成分（Ａ）と、露光により酸を発生する酸発生剤成分（Ｂ）とを含有するポジ型レジスト組成物であって、前記ポジ型レジスト組成物は、前記ポジ型レジスト組成物を用いて、支持体上に形成したレジスト膜を、選択的に露光し、現像してホールパターンを形成した後に、ベーク処理を行った場合に、該ホールの寸法値が、該ベーク処理前の該寸法値と比較して、１０％減少し始めるベーク処理温度（Ｔｆ）が１００℃以上であり、且つ、前記ポジ型レジスト組成物を用いて、支持体上に形成したレジスト膜を、選択的に露光し、現像してホールパターンを形成した後に、全面露光を行い、次いでベーク処理を行った場合に、該ホールの寸法値が、該ベーク処理前の該寸法値と比較して、１０％減少し始めるベーク処理温度（Ｔｆ’）が、前記Ｔｆよりも１８℃以上低いことを特徴とするポジ型レジスト組成物である。

本発明の第二の態様は、支持体上に、前記第一の態様のレジスト組成物を用いてレジスト膜を形成する工程、前記レジスト膜を露光する工程、および前記レジスト膜をアルカリ現像してレジストパターンを形成する工程を含むレジストパターン形成方法である

本明細書および本特許請求の範囲において、「脂肪族」とは、芳香族に対する相対的な概念であって、芳香族性を持たない基、化合物等を意味するものと定義する。
「アルキル基」は、特に断りがない限り、直鎖状、分岐鎖状および環状の１価の飽和炭化水素基を包含するものとする。
「アルキレン基」は、特に断りがない限り、直鎖状、分岐鎖状および環状の２価の飽和炭化水素基を包含するものとする。アルコキシ基中のアルキル基も同様である。
「ハロゲン化アルキル基」は、アルキル基の水素原子の一部又は全部がハロゲン原子で置換された基であり、該ハロゲン原子としては、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子が挙げられる。
「フッ素化アルキル基」又は「フッ素化アルキレン基」は、アルキル基又はアルキレン基の水素原子の一部又は全部がフッ素原子で置換された基をいう。
「構成単位」とは、高分子化合物（樹脂、重合体、共重合体）を構成するモノマー単位（単量体単位）を意味する。
「アクリル酸エステルから誘導される構成単位」とは、アクリル酸エステルのエチレン性二重結合が開裂して構成される構成単位を意味する。
「アクリル酸エステル」は、α位の炭素原子に水素原子が結合しているアクリル酸エステルのほか、α位の炭素原子に置換基（水素原子以外の原子または基）が結合しているものも含む概念とする。該α位の炭素原子に結合する置換基としては、炭素数１〜５のアルキル基、炭素数１〜５のハロゲン化アルキル基、ヒドロキシアルキル基等が挙げられる。なお、アクリル酸エステルのα位の炭素原子とは、特に断りがない限り、カルボニル基が結合している炭素原子のことである。
「ヒドロキシスチレン誘導体」とは、ヒドロキシスチレン、およびヒドロキシスチレンのα位の水素原子がアルキル基、ハロゲン化アルキル基等の置換基に置換されたもの、並びに、それらの誘導体を含む概念とする。なお、ヒドロキシスチレンのα位の炭素原子とは、特に断りがない限り、ベンゼン環が結合している炭素原子のことである。
「ヒドロキシスチレン誘導体から誘導される構成単位」とは、ヒドロキシスチレン誘導体のエチレン性二重結合が開裂して構成される構成単位を意味する。
「スチレン」とは、スチレンおよびスチレンのα位の水素原子がアルキル基等の他の置換基に置換されたものも含む概念とする。
「スチレンから誘導される構成単位」とは、スチレンのエチレン性二重結合が開裂して構成される構成単位を意味する。スチレンは、フェニル基の水素原子が炭素数１〜５のアルキル基等の置換基で置換されていてもよい。
「露光」は、放射線の照射全般を含む概念とする。

本発明によれば、リソグラフィー特性に優れたポジ型レジスト組成物、および該ポジ型レジスト組成物を用いるレジストパターン形成方法を提供できる。

≪ポジ型レジスト組成物≫
本発明のポジ型レジスト組成物（以下、単にレジスト組成物ということがある。）は、酸の作用によりアルカリ現像液に対する溶解性が増大する基材成分（Ａ）（以下、（Ａ）成分という。）、および放射線の照射により酸を発生する酸発生剤成分（Ｂ）（以下、（Ｂ）成分という。）を含有する。
かかるポジ型レジスト組成物においては、放射線が照射（露光）されると、（Ｂ）成分から酸が発生し、該酸の作用により（Ａ）成分のアルカリ現像液に対する溶解性が増大する。そのため、レジストパターンの形成において、当該ポジ型レジスト組成物を用いて得られるレジスト膜に対して選択的露光を行うと、当該レジスト膜の、露光部のアルカリ現像液に対する可溶性が増大する一方で、未露光部のアルカリ現像液に対する溶解性は変化しないため、アルカリ現像を行うことにより、レジストパターンを形成することができる。
ここで、「基材成分」とは、膜形成能を有する有機化合物である。基材成分としては、好ましくは分子量が５００以上の有機化合物が用いられる。該有機化合物の分子量が５００以上であることにより、膜形成能が向上し、また、ナノレベルのレジストパターンを形成しやすい。
前記基材成分として用いられる「分子量が５００以上の有機化合物」は、非重合体と重合体とに大別される。
非重合体としては、通常、分子量が５００以上４０００未満のものが用いられる。以下、分子量が５００以上４０００未満の非重合体を低分子化合物という。
重合体としては、通常、分子量が２０００以上のものが用いられる。以下、分子量が２０００以上の重合体を高分子化合物という。高分子化合物の場合、「分子量」としてはＧＰＣ（ゲルパーミエーションクロマトグラフィー）によるポリスチレン換算の質量平均分子量を用いるものとする。以下、高分子化合物を単に「樹脂」ということがある。
上記（Ａ）、（Ｂ）成分について、詳しくは後述する。

また、本発明のポジ型レジスト組成物は、支持体上にレジスト膜を形成し、選択的に露光し、現像してホールパターンを形成した後に、ベーク処理を行った場合に、該ホールの寸法値が、該ベーク処理前の該寸法値と比較して、１０％減少し始めるベーク処理温度（Ｔｆ）が１００℃以上であり、且つ、前記ポジ型レジスト組成物を用いて、支持体上に形成したレジスト膜を、選択的に露光し、現像してホールパターンを形成した後に、全面露光を行い、次いでベーク処理を行った場合に、該ホールの寸法値が、該ベーク処理前の該寸法値と比較して、１０％減少し始めるベーク処理温度（Ｔｆ’）が、前記Ｔｆよりも１８℃以上低くなる必要がある。
以下、前記Ｔｆについて、「露光前レジスト軟化点」ということがある。
前記Ｔｆ’について、「露光後レジスト軟化点」ということがある。
Ｔｆ−Ｔｆ’の差について、「レジスト軟化点ギャップ」ということがある。

［ＴｆとＴｆ’の測定および、レジスト軟化点ギャップについて］
ＴｆとＴｆ’は具体的には以下のようにして測定し、レジスト軟化点ギャップを求める。

（１）孤立ホールパターンの形成
８インチのシリコンウェーハ上に、有機系反射防止膜組成物を塗布し、１６０〜２５０℃、６０〜９０秒間の範囲で適宜ベークして乾燥させることにより、膜厚６５ｎｍの有機系反射防止膜を形成する。そして、該反射防止膜上に、ポジ型レジスト組成物を、スピンナーを用いてそれぞれ塗布し、８０〜１２０℃の温度で、６０〜９０秒間の条件でプレベーク（ＰＡＢ）処理を行い、乾燥することにより、膜厚１００ｎｍのレジスト膜を形成する。
次いで、前記レジスト膜に対し、ＫｒＦエキシマレーザー（２４８ｎｍ）を、マスクパターンを介して選択的に照射する。なお、露光光源については、各レジスト組成物に対し同一であれば、基材成分に応じて適宜変更することは可能である。
そして、８０〜１２０℃の温度で６０〜９０秒間のＰＥＢ処理を行い、さらに２３℃にて２．３８質量％のＴＭＡＨ水溶液（例えばＮＭＤ−３（商品名、東京応化工業株式会社製）等）で６０秒間の条件でアルカリ現像することにより、前記レジスト膜に、直径１７０ｎｍ、ピッチ１２００ｎｍの孤立ホールパターンを形成する。

（２）露光前レジスト軟化点Ｔｆの測定
各孤立ホールパターンに対し、ポストベーク処理なし（２３℃）、８０℃、９０℃、９５℃〜１６０℃（５℃間隔、計１４点）で各温度に対し６０秒間ずつ、ポストベークをおこない、処理なし（２３℃）の寸法に対する、各温度におけるホール直径の寸法変化を記録し、処理なし（２３℃）の寸法に対して１０％減少し始めた温度がＴｆである。なお、ポストベーク処理温度範囲は材料に応じて適宜調整し得る。

（３）露光後レジスト軟化点Ｔｆ’の測定
上記（２）のポストベーク処理なしの各孤立ホールパターンに対し、再度、ＫｒＦエキシマレーザー（２４８ｎｍ）を照射（全面露光）する。なお、露光量は各レジスト組成物において上記（１）における１７０ｎｍ孤立ホールパターンを得られる最適露光量と同一とする。そして、８０〜１２０℃の温度で６０〜９０秒間のＰＥＢ処理を行い、その後、上記（２）と同様にして、ポストベーク処理なし（２３℃）、８０℃、９０℃、９５℃〜１６０℃（５℃間隔、計１４点）で各温度に対し６０秒間ずつ、ポストベークをおこない、処理なし（２３℃）の寸法に対する、各温度におけるホール直径の寸法変化を記録し、処理なし（２３℃）の寸法に対して１０％減少し始めた温度がＴｆ’となる。

（４）レジスト軟化点ギャップの計算
得られたＴｆおよびＴｆ’の差（Ｔｆ−Ｔｆ’）が、レジスト軟化点ギャップである。

露光前レジスト軟化点（Ｔｆ）は、１００℃以上であり、好ましくは１００〜１８０℃、より好ましくは１０５〜１６０℃であり、さらに好ましくは１１５〜１６０℃である。上記範囲とすることで、良好なリソグラフィー特性を得ることができる。

レジスト軟化点ギャップは、１８℃以上低くなることが必要であり、２０℃以上低いことが好ましい。このマイナス分の差が大きいほど、特にＥＵＶや電子線（ＥＢ）のプロセスにおいて、解像性やレジストパターン形状が良好になると考えられる。上限値を定めるとすれば、たとえば、２０〜１００℃の範囲で低くなることが好ましい。

露光後レジスト軟化点（Ｔｆ’）は、たとえば３０〜１３０℃の範囲であることが好ましく、７０〜１２０℃の範囲であるとより好ましい。

露光前レジスト軟化点（Ｔｆ）およびレジスト軟化点ギャップは、ポジ型レジスト組成物に使用する各成分の種類や配合量により調整することが可能である。中でも、基材成分（（Ａ）成分）により、調整することが好ましい。

＜（Ａ）成分＞
（Ａ）成分としては、通常、ポジ型レジスト用の基材成分として用いられている有機化合物を１種単独で、または２種以上混合して使用することができる。
かかる（Ａ）成分は、酸の作用によりアルカリ現像液に対する溶解性が増大する高分子化合物成分（Ａ１）（以下、「（Ａ１）成分」ということがある。）であってもよく、酸の作用によりアルカリ現像液に対する溶解性が増大する低分子化合物成分（Ａ２）（以下、「（Ａ２）成分」ということがある。）であってもよく、または、これらの混合物であってもよい。

［（Ａ１）成分］
（Ａ１）成分としては、通常、化学増幅型レジスト用の基材成分として用いられている高分子化合物成分（ベース樹脂）を１種単独で、または２種以上混合して使用することができる。
本発明において、（Ａ１）成分としては、特に、２価以上の炭化水素基または複素環からなるコア部と、該コア部に結合し、且つ、下記一般式（１）で表される少なくとも１つのアーム部とを有する高分子化合物成分（Ａ１１）（以下、「（Ａ１１）成分」ということがある。）、又は、分子量５００以上、２００００以下のポリマーからなるコア部と、該コア部に結合し、且つ、下記一般式（１）で表される少なくとも１つのアーム部とを有する高分子化合物（Ａ１２）（以下、「（Ａ１２）成分」ということがある。）であることが好ましい。
また、（Ａ１）成分が（Ａ１１）成分である場合、（Ａ１１）成分は、前記コア部を２つ以上有し、且つ、該コア部が、互いに、原子、または２価の連結基からなる連結部を介して結合していることが好ましい。

［Ｘは酸解離性基を有する２価の連結基であり、Ｙはポリマー鎖である］

[（Ａ１１）成分]
《コア部》
本発明の（Ａ１１）成分において、コア部は、２価以上の炭化水素基または複素環からなるものである。

該炭化水素基は、脂肪族炭化水素基であってもよく、芳香族炭化水素基であってもよく、炭素原子のみの場合であってもよい。脂肪族炭化水素基は、芳香族性を持たない炭化水素基を意味する。
該脂肪族炭化水素基としては、鎖状であってもよく、環状であってもよく、これらの組合せであってもよい。また、飽和であってもよく、不飽和であってもよい。
芳香族炭化水素基としては、芳香族炭化水素環を有する炭化水素基が挙げられ、たとえば芳香族炭化水素環からなるものであってもよく、芳香族炭化水素環と前記脂肪族炭化水素基との組合せであってもよい。
該炭化水素基における炭素原子数は１〜２０が好ましい。

前記炭化水素基としては、たとえば、下記式で表される構造の基が挙げられる。

前記複素環は、環骨格中にヘテロ原子を含む脂肪族複素環であってもよく、環骨格中にヘテロ原子を含む芳香族複素環であってもよく、環骨格中にヘテロ原子を含む芳香族複素環であることが好ましい。
該複素環は、単環であっても、多環であってもよい。
該へテロ原子とは、炭素原子以外の原子であり、たとえば、窒素原子、硫黄原子、酸素原子等が挙げられる。
該複素環における炭素原子数は１〜２０が好ましい。

前記複素環としては、たとえば、下記式で表される構造の基が挙げられる。式中、結合部位は任意の炭素原子とする。

（Ａ１１）成分は、コア部を１つのみ有していてもよく、２つ以上有していてもよく、２つ以上有していることが好ましい。
（Ａ１１）成分が複数のコア部を有する場合、該複数のコア部は互いに同一であってもよく、異なっていてもよく、本発明の効果が特に良好なことから、互いに同一であることが好ましい。

（Ａ１１）成分が複数のコア部を有する場合、該複数のコア部は、互いに連結部を介して結合していることが好ましい。

《連結部》
前記連結部としては、原子、または２価の連結基であることが好ましい。
前記連結部の原子としては、炭素原子、酸素原子、窒素原子等が挙げられ、炭素原子または酸素原子が好ましい。

前記連結部の２価の連結基としては、置換基を有していてもよい２価の炭化水素基、ヘテロ原子を含む２価の連結基等が好適なものとして挙げられる。
前記連結部の２価の連結基が置換基を有していてもよい２価の炭化水素基となる場合、少なくとも一方のコア部が複素環からなるものであることが好ましく、両方とも複素環からなるコア部であることがより好ましい。
該炭化水素基が「置換基を有する」とは、該炭化水素基における水素原子の一部または全部が、水素原子以外の基または原子で置換されていることを意味する。
該炭化水素基は、脂肪族炭化水素基であってもよく、芳香族炭化水素基であってもよい。脂肪族炭化水素基は、芳香族性を持たない炭化水素基を意味する。
該脂肪族炭化水素基は、飽和であってもよく、不飽和であってもよく、通常は飽和であることが好ましい。

前記脂肪族炭化水素基として、より具体的には、直鎖状または分岐鎖状の脂肪族炭化水素基、構造中に環を含む脂肪族炭化水素基等が挙げられる。
直鎖状または分岐鎖状の脂肪族炭化水素基は、炭素数が１〜１０であることが好ましく、１〜８がより好ましく、１〜５がさらに好ましく、１〜２が最も好ましい。
直鎖状の脂肪族炭化水素基としては、直鎖状のアルキレン基が好ましく、具体的には、メチレン基［−ＣＨ_２−］、エチレン基［−（ＣＨ_２）_２−］、トリメチレン基［−（ＣＨ_２）_３−］、テトラメチレン基［−（ＣＨ_２）_４−］、ペンタメチレン基［−（ＣＨ_２）_５−］、ヘプタメチレン基［−（ＣＨ_２）_７−］、オクタメチレン基［−（ＣＨ_２）_８−］、ノナメチレン基［−（ＣＨ_２）_９−］、デカメチレン基［−（ＣＨ_２）_１０−］等が挙げられる。
分岐鎖状の脂肪族炭化水素基としては、分岐鎖状のアルキレン基が好ましく、具体的には、−ＣＨ（ＣＨ_３）−、−ＣＨ（ＣＨ_２ＣＨ_３）−、−Ｃ（ＣＨ_３）_２−、−Ｃ（ＣＨ_３）（ＣＨ_２ＣＨ_３）−、−Ｃ（ＣＨ_３）（ＣＨ_２ＣＨ_２ＣＨ_３）−、−Ｃ（ＣＨ_２ＣＨ_３）_２−等のアルキルメチレン基；−ＣＨ（ＣＨ_３）ＣＨ_２−、−ＣＨ（ＣＨ_３）ＣＨ（ＣＨ_３）−、−Ｃ（ＣＨ_３）_２ＣＨ_２−、−ＣＨ（ＣＨ_２ＣＨ_３）ＣＨ_２−、、−Ｃ（ＣＨ_２ＣＨ_３）_２−ＣＨ_２−等のアルキルエチレン基；−ＣＨ（ＣＨ_３）ＣＨ_２ＣＨ_２−、−ＣＨ_２ＣＨ（ＣＨ_３）ＣＨ_２−等のアルキルトリメチレン基；−ＣＨ（ＣＨ_３）ＣＨ_２ＣＨ_２ＣＨ_２−、−ＣＨ_２ＣＨ（ＣＨ_３）ＣＨ_２ＣＨ_２−等のアルキルテトラメチレン基などのアルキルアルキレン基等が挙げられる。アルキルアルキレン基におけるアルキル基としては、炭素数１〜５の直鎖状のアルキル基が好ましい。
鎖状の脂肪族炭化水素基は、置換基を有していてもよく、有していなくてもよい。該置換基としては、フッ素原子、フッ素原子で置換された炭素数１〜５のフッ素化アルキル基、酸素原子（＝Ｏ）等が挙げられる。

構造中に環を含む脂肪族炭化水素基としては、環状の脂肪族炭化水素基（脂肪族炭化水素環から水素原子を２個除いた基）、該環状の脂肪族炭化水素基が前述した鎖状の脂肪族炭化水素基の末端に結合するか又は鎖状の脂肪族炭化水素基の途中に介在する基などが挙げられる。
環状の脂肪族炭化水素基は、炭素数が３〜２０であることが好ましく、３〜１２であることがより好ましい。
環状の脂肪族炭化水素基は、多環式基であってもよく、単環式基であってもよい。単環式基としては、炭素数３〜６のモノシクロアルカンから２個の水素原子を除いた基が好ましく、該モノシクロアルカンとしてはシクロペンタン、シクロヘキサン等が例示できる。多環式基としては、炭素数７〜１２のポリシクロアルカンから２個の水素原子を除いた基が好ましく、該ポリシクロアルカンとして具体的には、アダマンタン、ノルボルナン、イソボルナン、トリシクロデカン、テトラシクロドデカン等が挙げられる。
環状の脂肪族炭化水素基は、置換基を有していてもよいし、有していなくてもよい。置換基としては、炭素数１〜５のアルキル基、フッ素原子、フッ素原子で置換された炭素数１〜５のフッ素化アルキル基、酸素原子（＝Ｏ）等が挙げられる。

前記芳香族炭化水素基としては、例えば、フェニル基、ビフェニル（ｂｉｐｈｅｎｙｌ）基、フルオレニル（ｆｌｕｏｒｅｎｙｌ）基、ナフチル基、アントリル（ａｎｔｈｒｙｌ）基、フェナントリル基等の、１価の芳香族炭化水素基の芳香族炭化水素の核から水素原子をさらに１つ除いた２価の芳香族炭化水素基；
当該２価の芳香族炭化水素基の環を構成する炭素原子の一部が酸素原子、硫黄原子、窒素原子等のヘテロ原子で置換された芳香族炭化水素基；
ベンジル基、フェネチル基、１−ナフチルメチル基、２−ナフチルメチル基、１−ナフチルエチル基、２−ナフチルエチル基等のアリールアルキル基等で、かつ、その芳香族炭化水素の核から水素原子をさらに１つ除いた芳香族炭化水素基等が挙げられる。
芳香族炭化水素基は、置換基を有していてもよいし、有していなくてもよい。置換基としては、炭素数１〜５のアルキル基、フッ素原子、フッ素原子で置換された炭素数１〜５のフッ素化アルキル基、酸素原子（＝Ｏ）等が挙げられる。

「ヘテロ原子を含む２価の連結基」におけるヘテロ原子とは、炭素原子および水素原子以外原子であり、たとえば酸素原子、窒素原子、硫黄原子、ハロゲン原子等が挙げられる。
ヘテロ原子を含む２価の連結基として、具体的には、−Ｏ−、−Ｃ（＝Ｏ）−、−Ｃ（＝Ｏ）−Ｏ−、カーボネート結合（−Ｏ−Ｃ（＝Ｏ）−Ｏ−）、−ＮＨ−、−ＮＲ^０４（Ｒ^０４はアルキル基）−、−ＮＨ−Ｃ（＝Ｏ）−、＝Ｎ−等が挙げられる。また、これらの「ヘテロ原子を含む２価の連結基」と２価の炭化水素基との組み合わせ等が挙げられる。２価の炭化水素基としては、上述した置換基を有していてもよい炭化水素基と同様のものが挙げられ、直鎖状または分岐鎖状の脂肪族炭化水素基が好ましい。

該２価の連結基は、その構造中に酸解離性部位を有していてもよいし、有していなくてもよい。「酸解離性部位」とは、当該有機基内における、露光により発生する酸が作用して解離する部位をいう。該２価の連結基が酸解離性部位を有する場合、好ましくは第三級炭素原子を有する酸解離性部位を有することが好ましい。

本発明において、該２価の連結基としては、アルキレン基、２価の脂肪族環式基またはヘテロ原子を含む２価の連結基が好ましい。これらの中でも、アルキレン基が特に好ましい。
該２価の連結基がアルキレン基である場合、該アルキレン基は、炭素数１〜１０であることが好ましく、炭素数１〜６であることがさらに好ましく、炭素数１〜４であることが特に好ましく、炭素数１〜３であることが最も好ましい。具体的には、前記で挙げた直鎖状のアルキレン基、分岐鎖状のアルキレン基と同様のものが挙げられる。
該２価の連結基が２価の脂肪族環式基である場合、該脂肪族環式基としては、前記「構造中に環を含む脂肪族炭化水素基」で挙げた環状の脂肪族炭化水素基と同様のものが挙げられる。
該脂肪族環式基としては、シクロペンタン、シクロヘキサン、ノルボルナン、イソボルナン、アダマンタン、トリシクロデカン、テトラシクロドデカンから水素原子が二個以上除かれた基であることが特に好ましい。

該２価の連結基がヘテロ原子を含む２価の連結基である場合、該連結基として好ましいものとして、−Ｏ−、−Ｃ（＝Ｏ）−Ｏ−、−Ｃ（＝Ｏ）−、−Ｏ−Ｃ（＝Ｏ）−Ｏ−、−Ｃ（＝Ｏ）−ＮＨ−、−ＮＨ−（Ｈはアルキル基、アシル基等の置換基で置換されていてもよい。）、−Ｓ−、−Ｓ（＝Ｏ）_２−、−Ｓ（＝Ｏ）_２−Ｏ−、式−Ａ−Ｏ−Ｂ−で表される基、式−［Ａ−Ｃ（＝Ｏ）−Ｏ］_ｍ−Ｂ−で表される基等が挙げられる。ここで、ＡおよびＢはそれぞれ独立して置換基を有していてもよい２価の炭化水素基であり、ｍは０〜３の整数である。
該２価の連結基が−ＮＨ−の場合、そのＨはアルキル基、アシル基等の置換基で置換されていてもよい。該置換基（アルキル基、アシル基等）は、炭素数が１〜１０であることが好ましく、１〜８であることがさらに好ましく、１〜５であることが特に好ましい。
−Ａ−Ｏ−Ｂ−または−［Ａ−Ｃ（＝Ｏ）−Ｏ］_ｍ−Ｂ−において、ＡおよびＢは、それぞれ独立して、置換基を有していてもよい２価の炭化水素基である。
ＡおよびＢにおける置換基を有していてもよい２価の炭化水素基としては、前記でＲ^２における「置換基を有していてもよい２価の炭化水素基」として挙げたものと同様のものが挙げられる。
Ａとしては、直鎖状の脂肪族炭化水素基が好ましく、直鎖状のアルキレン基がより好ましく、炭素数１〜５の直鎖状のアルキレン基がさらに好ましく、メチレン基またはエチレン基が特に好ましい。
Ｂとしては、直鎖状または分岐鎖状の脂肪族炭化水素基が好ましく、メチレン基、エチレン基またはアルキルメチレン基がより好ましい。該アルキルメチレン基におけるアルキル基は、炭素数１〜５の直鎖状のアルキル基が好ましく、炭素数１〜３の直鎖状のアルキル基が好ましく、メチル基が最も好ましい。
また、式−［Ａ−Ｃ（＝Ｏ）−Ｏ］_ｍ−Ｂ−で表される基において、ｍは０〜３の整数であり、０〜２の整数であることが好ましく、０または１がより好ましく、１が最も好ましい。

また、本発明における該２価の連結基は、２価の重合体であってもよい。２つのコア間の該重合体の平均重合度は５０以下が望ましく、さらに２０以下が望ましい。

《アーム部》
本発明の（Ａ１１）成分において、アーム部は、前記コア部に結合し、且つ、上記一般式（１）で表されるものである。

〔Ｙ：ポリマー鎖〕
式（１）中、Ｙはポリマー鎖（以下、「ポリマー鎖Ｙ」という。）である。
ポリマー鎖Ｙとしては、該（Ａ１１）成分中の複数のアーム部において互いに同一であってもよく、異なっていてもよく、本発明の効果が特に良好なことから、互いに同一であることが好ましい。
ポリマー鎖Ｙは、ヒドロキシスチレン誘導体から誘導される構成単位（以下、構成単位（ａ５）という。）を含むことが好ましい。
また、ポリマー鎖Ｙは、ヒドロキシスチレンから誘導される構成単位の水酸基における水素原子の少なくとも一部、またはビニル安息香酸から誘導される構成単位の−Ｃ（＝Ｏ）ＯＨの水素原子が置換基により保護された構成単位（以下、構成単位（ａ７）という。）を含むことが好ましい。
ポリマー鎖Ｙは、さらに、スチレンから誘導される構成単位（以下、構成単位（ａ６）という。）を含んでいてもよく、酸解離性溶解抑制基を有する構成単位等のその他の構成単位（後述する構成単位（ａ１）、（ａ２）、（ａ３）、（ａ４）等）を含んでいてもよい。

（構成単位（ａ５））
構成単位（ａ５）は、ヒドロキシスチレン誘導体から誘導される構成単位である。
ポリマー鎖Ｙが当該構成単位（ａ５）を有することにより、ドライエッチング耐性が向上する。さらに、構成単位（ａ５）は、原料であるヒドロキシスチレンが容易に入手可能で低価格である等の利点も有する。
構成単位（ａ５）の好適なものとしては、下記一般式（ａ５−１）で表される構成単位が例示できる。

［式（ａ５−１）中、Ｒ^１は水素原子、炭素数１〜５のアルキル基または炭素数１〜５のハロゲン化アルキル基であり、Ｒ^２はハロゲン原子、炭素数１〜５のアルキル基または炭素数１〜５のハロゲン化アルキル基であり；ｐは１〜３の整数であり、ｑは０〜４の整数である。ただし、ｐ＋ｑは１以上５以下である。］

前記一般式（ａ５−１）中、Ｒ^１の炭素数１〜５のアルキル基は、具体的には、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ｎ−ブチル基、イソブチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、ペンチル基、イソペンチル基、ネオペンチル基等の直鎖状又は分岐鎖状のアルキル基が挙げられ、これらの中でもメチル基が好ましい。
Ｒ^１の炭素数１〜５のハロゲン化アルキル基は、前記炭素数１〜５のアルキル基の水素原子の一部または全部がハロゲン原子（フッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子等）で置換された基であり、なかでも炭素数１〜５のフッ素化アルキル基が好ましく、特に、水素原子の全部がフッ素原子で置換された基が好ましい。炭素数１〜５のフッ素化アルキル基として具体的には、トリフルオロメチル基、ヘキサフルオロエチル基、ヘプタフルオロプロピル基、ノナフルオロブチル基等が挙げられる。
Ｒ^１としては、水素原子または炭素数１〜５のアルキル基が好ましく、水素原子またはメチル基が特に好ましい。

ｐは１〜３の整数であり、１であることが好ましい。
水酸基の結合位置は、フェニル基のｏ−位、ｍ−位、ｐ−位のいずれでもよい。ｐが１である場合は、容易に入手可能で低価格であることからｐ−位が好ましい。ｐが２または３の場合は、任意の置換位置を組み合わせることができる。

ｑは０〜４の整数であり、０または１であることが好ましく、特に工業上、０であることが好ましい。
Ｒ^２の炭素数１〜５のアルキル基としては、Ｒ^１の炭素数１〜５のアルキル基と同様のものが挙げられる。
Ｒ^２のハロゲン原子としては、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子等が挙げられ、フッ素原子が好ましい。
Ｒ^２の置換位置は、ｑが１である場合はｏ−位、ｍ−位、ｐ−位のいずれでもよい。
ｑが２の場合は、任意の置換位置を組み合わせることができる。
ただし、１≦ｐ＋ｑ≦５である。

構成単位（ａ５）は、１種を単独で用いてもよく、２種以上を組み合わせて用いてもよい。
構成単位（ａ５）の割合は、ポリマー鎖Ｙを構成する全構成単位の合計に対し、５０〜９０モル％であることが好ましく、５５〜９０モル％がより好ましく、６０〜９０モル％がさらに好ましい。該範囲の下限値以上とすることによって、適度なアルカリ溶解性が得られ、上限値以下とすることにより、他の構成単位とのバランスをとることができる。

（構成単位（ａ６））
構成単位（ａ６）は、スチレンから誘導される構成単位である。
本発明において構成単位（ａ６）は必須ではないが、これを含有させると、アルカリ現像液に対する溶解性を調整することができる。また、ドライエッチング耐性が向上するため、好ましい。
構成単位（ａ６）のなかで好適なものとしては、下記一般式（ａ６−１）で表される構成単位が例示できる。

［式（ａ６−１）中、Ｒ^１は前記と同じであり；Ｒ^７はハロゲン原子、炭素数１〜５のアルキル基又は炭素数１〜５のハロゲン化アルキル基であり；ｒは０〜３の整数である。］

前記一般式（ａ６−１）中、Ｒ^１は、上記式（ａ５−１）におけるＲ^１と同じである。
Ｒ^７は、上記式（ａ５−１）におけるＲ^２と同様のものが挙げられる。
ｒは０〜３の整数であり、０又は１であることが好ましく、工業上、０であることが特に好ましい。
ｒが１である場合、Ｒ^７の置換位置は、フェニル基のｏ−位、ｍ−位、ｐ−位のいずれでもよい。
ｒが２又は３である場合には、任意の置換位置を組み合わせることができる。複数のＲ^７は、それぞれ同じであってもよく、異なっていてもよい。

構成単位（ａ６）は、１種を単独で用いてもよく、２種以上を組み合わせて用いてもよい。
ポリマー鎖Ｙが構成単位（ａ６）を有する場合、ポリマー鎖Ｙにおける構成単位（ａ６）の割合は、ポリマー鎖Ｙを構成する全構成単位の合計に対し、１〜２０モル％が好ましく、３〜１５モル％がより好ましく、５〜１５モル％がさらに好ましい。前記範囲の下限値以上であると、構成単位（ａ６）を有することによる効果が高く、前記範囲の上限値以下であると、他の構成単位とのバランスが良好である。

（構成単位（ａ７））
構成単位（ａ７）は、ヒドロキシスチレンから誘導される構成単位の水酸基における水素原子の少なくとも一部、またはビニル安息香酸から誘導される構成単位の−Ｃ（＝Ｏ）ＯＨの水素原子が置換基により保護された構成単位である。
構成単位（ａ７）において、前記置換基としては、たとえば、第３級アルキル基含有基、アルコキシアルキル基、酸解離性溶解抑制基、酸解離性溶解抑制基を含む有機基が挙げられる。

・第３級アルキル基含有基について
本明細書において「第３級アルキル基」は、第３級炭素原子を有するアルキル基を示す。「アルキル基」は、上述のように、１価の飽和炭化水素基を示し、鎖状（直鎖状、分岐鎖状）のアルキル基および環状構造を有するアルキル基を包含する。
「第３級アルキル基含有基」は、その構造中に第３級アルキル基を含む基を示す。第３級アルキル基含有基は、第３級アルキル基のみから構成されていてもよく、第３級アルキル基と、第３級アルキル基以外の他の原子または基とから構成されていてもよい。
第３級アルキル基とともに第３級アルキル基含有基を構成する前記「第３級アルキル基以外の他の原子または基」としては、カルボニルオキシ基、カルボニル基、アルキレン基、酸素原子等が挙げられる。

構成単位（ａ７）において、第３級アルキル基含有基としては、環状構造を有さない第３級アルキル基含有基、環状構造を有する第３級アルキル基含有基等が挙げられる。
環状構造を有さない第３級アルキル基含有基は、第３級アルキル基として分岐鎖状の第３級アルキル基を含有し、かつ、その構造内に環状構造を有さない基である。
分岐鎖状の第３級アルキル基としては、たとえば下記一般式（Ｉ）で表される基が挙げられる。

式（Ｉ）中、Ｒ^２１〜Ｒ^２３は、それぞれ独立して直鎖状または分岐鎖状のアルキル基である。該アルキル基の炭素数は１〜５が好ましく、１〜３がより好ましい。
また、一般式（Ｉ）で表される基の全炭素数は、４〜７であることが好ましく、４〜６であることがより好ましく、４〜５であることが最も好ましい。
一般式（Ｉ）で表される基としては、ｔｅｒｔ−ブチル基、ｔｅｒｔ−ペンチル基等が好ましく挙げられ、ｔｅｒｔ−ブチル基がより好ましい。

環状構造を有さない第３級アルキル基含有基としては、上述した分岐鎖状の第３級アルキル基；上述した分岐鎖状の第３級アルキル基が直鎖状または分岐鎖状のアルキレン基に結合してなる第３級アルキル基含有鎖状アルキル基；第３級アルキル基として上述した分岐鎖状の第３級アルキル基を有する第３級アルキルオキシカルボニル基；第３級アルキル基として上述した分岐鎖状の第３級アルキル基を有する第３級アルキルオキシカルボニルアルキル基等が挙げられる。
第３級アルキル基含有鎖状アルキル基におけるアルキレン基としては、炭素数１〜５のアルキレン基が好ましく、炭素数１〜４のアルキレン基がより好ましく、炭素数１〜２のアルキレン基がさらに好ましい。
鎖状の第３級アルキルオキシカルボニル基としては、たとえば下記一般式（ＩＩ）で表される基が挙げられる。式（ＩＩ）中のＲ^２１〜Ｒ^２３は、前記式（Ｉ）中のＲ^２１〜Ｒ^２３と同様である。鎖状の第３級アルキルオキシカルボニル基としては、ｔｅｒｔ−ブチルオキシカルボニル基（ｔ−ｂｏｃ）、ｔｅｒｔ−ペンチルオキシカルボニル基が好ましい。

鎖状の第３級アルキルオキシカルボニルアルキル基としては、たとえば下記一般式（ＩＩＩ）で表される基が挙げられる。式（ＩＩＩ）中のＲ^２１〜Ｒ^２３は、前記式（Ｉ）中のＲ^２１〜Ｒ^２３と同様である。ｆは１〜３の整数であり、１または２が好ましい。鎖状の第３級アルキルオキシカルボニルアルキル基としては、ｔｅｒｔ−ブチルオキシカルボニルメチル基、ｔｅｒｔ−ブチルオキシカルボニルエチル基が好ましい。
これらの中で、環状構造を有さない第３級アルキル基含有基としては、第３級アルキルオキシカルボニル基または第３級アルキルオキシカルボニルアルキル基が好ましく、第３級アルキルオキシカルボニル基がより好ましく、ｔｅｒｔ−ブチルオキシカルボニル基（ｔ−ｂｏｃ）が最も好ましい。

環状構造を有する第３級アルキル基含有基は、その構造内に、第３級炭素原子と環状構造とを有する基である。
環状構造を有する第３級アルキル基含有基において、環状構造は、環を構成する炭素数が４〜１２であることが好ましく、５〜１０であることがより好ましく、６〜１０であることが最も好ましい。環状構造としては、例えばモノシクロアルカン、ビシクロアルカン、トリシクロアルカン、テトラシクロアルカン等のポリシクロアルカンから１個以上の水素原子を除いた基等が挙げられる。好ましくは、シクロペンタン、シクロヘキサン等のモノシクロアルカンや、アダマンタン、ノルボルナン、イソボルナン、トリシクロデカン、テトラシクロドデカン等のポリシクロアルカンから１個以上の水素原子を除いた基等が挙げられる。

環状構造を有する第３級アルキル基含有基としては、例えば、第３級アルキル基として下記（１）または（２）の基を有する基等が挙げられる。
（１）環状のアルキル基（シクロアルキル基）の環を構成する炭素原子に、直鎖状または分岐鎖状のアルキル基が結合し、該炭素原子が第３級炭素原子となっている基。
（２）シクロアルキル基の環を構成する炭素原子に、第３級炭素原子を有するアルキレン基（分岐鎖状のアルキレン基）が結合している基。

前記（１）の基における直鎖状または分岐鎖状のアルキル基の炭素数は、１〜５であることが好ましく、１〜４であることがより好ましく、１〜３であることが最も好ましい。
（１）の基としては、２−メチル−２−アダマンチル基、２−エチル−２−アダマンチル基、１−メチル−１−シクロアルキル基、１−エチル−１−シクロアルキル基等が挙げられる。
すなわち、一般式で表すと、前記（１）に係る環状構造を有する第３級アルキル基含有基としては、下記式（ｐ０）で表されるものが好ましく、下記式（ｐ０−１）で表されるものがより好ましく、下記式（ｐ０−１−１）で表されるものがさらに好ましい。

［式中、Ｙ^２は単結合、または前述した複数のコア部を連結する連結部の２価の連結基と同様の２価の連結基であり、Ｒ^１４は炭素数１〜５のアルキル基であり、Ｒ^ｃは当該Ｒ^ｃが結合している炭素原子と共に脂肪族環式基を形成する基である。］

Ｒ^ｃとしては、上記脂肪族環式基と同様のものが挙げられ、好ましくは多環式の脂肪族環式基である。

［式中、Ｒ^１３は水素原子またはメチル基であり、Ｒ^１４は炭素数１〜５のアルキル基であり、Ｒ^ｃは当該Ｒ^ｃが結合している炭素原子と共に脂肪族環式基を形成する基である。］

［式中、Ｒ^１３は水素原子またはメチル基であり、Ｒ^１４は炭素数１〜５のアルキル基である。］

前記（２）において、分岐鎖状のアルキレン基が結合しているシクロアルキル基は置換基を有していてもよい。該置換基としては、フッ素原子、フッ素原子で置換された炭素数１〜５のフッ素化アルキル基、酸素原子（＝Ｏ）等が挙げられる。
（２）の基としては、たとえば下記化学式（ＩＶ）で表される基が挙げられる。

式（ＩＶ）中、Ｒ^２４は、置換基を有していてもよく有していなくてもよいシクロアルキル基である。該シクロアルキル基が有していてもよい置換基としては、フッ素原子、フッ素原子で置換された炭素数１〜５のフッ素化アルキル基、酸素原子（＝Ｏ）等が挙げられる。
Ｒ^２５、Ｒ^２６は、それぞれ独立して直鎖状または分岐鎖状のアルキル基である。
該アルキル基としては、前記式（Ｉ）中のＲ^２１〜Ｒ^２３のアルキル基と同様のものが挙げられる。

・アルコキシアルキル基について
構成単位（ａ７）において、アルコキシアルキル基としては、たとえば下記一般式（Ｖ）で表される基が挙げられる。

式（Ｖ）中、Ｒ^５１は、直鎖状、分岐鎖状または環状のアルキル基である。
Ｒ^５１が直鎖状、分岐鎖状の場合は、炭素数１〜５であることが好ましく、エチル基、メチル基がさらに好ましく、特にエチル基が最も好ましい。
Ｒ^５１が環状の場合は炭素数４〜１５であることが好ましく、炭素数４〜１２であることがさらに好ましく、炭素数５〜１０が最も好ましい。たとえば、フッ素原子またはフッ素化アルキル基で置換されていてもよいし、されていなくてもよいモノシクロアルカン、ビシクロアルカン、トリシクロアルカン、テトラシクロアルカン等のポリシクロアルカンから１個以上の水素原子を除いた基等が挙げられる。より具体的には、シクロペンタン、シクロヘキサン等のモノシクロアルカンや、アダマンタン、ノルボルナン、イソボルナン、トリシクロデカン、テトラシクロドデカン等のポリシクロアルカンから１個以上の水素原子を除いた基等が挙げられる。中でもアダマンタンから１個以上の水素原子を除いた基が好ましい。
Ｒ^５２は直鎖状または分岐鎖状のアルキレン基である。該アルキレン基は、炭素数１〜５であることが好ましく、炭素数１〜３であることがより好ましく、炭素数１〜２であることがさらに好ましい。
上記のなかでも、アルコキシアルキル基としては、特に、下記一般式（ＶＩ）で表される基が好ましい。

式（ＶＩ）中、Ｒ^５１は前記と同じであり、Ｒ^５３、Ｒ^５４はそれぞれ独立して直鎖状もしくは分岐鎖状のアルキル基、または水素原子である。
Ｒ^５３、Ｒ^５４において、アルキル基の炭素数は好ましくは１〜１５であり、直鎖状、分岐鎖状のいずれでもよく、エチル基、メチル基が好ましく、メチル基が最も好ましい。
特に、Ｒ^５３、Ｒ^５４の一方が水素原子で、他方がメチル基であることが好ましい。

・酸解離性溶解抑制基について
構成単位（ａ７）において、酸解離性溶解抑制基としては、特に限定されず、たとえばＫｒＦエキシマレーザー用、ＡｒＦエキシマレーザー用等のレジスト組成物用の樹脂において、多数提案されているものの中から適宜選択して用いることができる。具体的には、下記酸解離性溶解抑制基（ＶＩＩ）に例示するもの等が挙げられる。

酸解離性溶解抑制基（ＶＩＩ）としては、下記一般式（ＶＩＩ−ａ）で表される基、下記一般式（ＶＩＩ−ｂ）で表される基が挙げられる。

［式（ＶＩＩ−ａ）中、Ｒ^２７は直鎖状又は分岐鎖状のアルキレン基を表し；Ｘ^０は脂肪族環式基、芳香族環式炭化水素基又は炭素数１〜５のアルキル基を表し；ｎは０〜３の整数を表す。式（ＶＩＩ−ｂ）中、Ｘ^０は前記式（ＶＩＩ−ａ）におけるＸ^０と同じであり；Ｒ^４は水素原子若しくは炭素数１〜５のアルキル基を表し、又は、Ｘ^０およびＲ^４がそれぞれ独立に炭素数１〜５のアルキレン基であって、Ｘ^０の末端とＲ^４の末端とが結合していてもよく；Ｒ^５は水素原子又は炭素数１〜５のアルキル基を表し；ｎは０〜３の整数を表す。］

前記一般式（ＶＩＩ−ａ）中、Ｒ^２７は、直鎖状又は分岐鎖状のアルキレン基を表す。
該アルキレン基は、炭素数１〜５であることが好ましく、炭素数１〜３であることがより好ましく、炭素数１〜２であることがさらに好ましい。

前記式（ＶＩＩ−ａ）および（ＶＩＩ−ｂ）中、ｎは０〜３の整数を表し、０〜２の整数であることが好ましく、０または１がより好ましく、０が最も好ましい。
前記式（ＶＩＩ−ａ）および（ＶＩＩ−ｂ）中、Ｘ^０は、それぞれ独立して、脂肪族環式基、芳香族環式炭化水素基又は炭素数１〜５のアルキル基を表す。
Ｘ^０における脂肪族環式基は１価の脂肪族環式基である。脂肪族環式基は、たとえば、従来のＡｒＦレジストにおいて多数提案されているものの中から適宜選択して用いることができる。脂肪族環式基の具体例としては、たとえば、炭素数５〜７の脂肪族単環式基、炭素数１０〜１６の脂肪族多環式基が挙げられる。
該脂肪族環式基は、置換基を有していてもよいし、有していなくてもよい。置換基としては、炭素数１〜５のアルキル基、炭素数１〜５のアルコキシ基、フッ素原子、フッ素原子で置換された炭素数１〜５のフッ素化アルキル基、酸素原子（＝Ｏ）等が挙げられる。
該脂肪族環式基の置換基を除いた基本の環の構造は、炭素および水素からなる基（炭化水素基）であることに限定はされず、該環構造中に酸素原子等を有していても良い。
炭素数５〜７の脂肪族単環式基としては、モノシクロアルカンから１個の水素原子を除いた基が例示でき、具体的には、シクロペンタン、シクロヘキサンなどから１個の水素原子を除いた基などが挙げられる。
炭素数１０〜１６の脂肪族多環式基としては、ビシクロアルカン、トリシクロアルカン、テトラシクロアルカンなどから１個の水素原子を除いた基などを例示できる。具体的には、アダマンタン、ノルボルナン、イソボルナン、トリシクロデカン、テトラシクロドデカンなどのポリシクロアルカンから１個の水素原子を除いた基などが挙げられる。これらの中でもアダマンチル基、ノルボルニル基、テトラシクロドデシル基が工業上好ましく、特にアダマンチル基が好ましい。
Ｘ^０の芳香族環式炭化水素基としては、炭素数１０〜１６の芳香族多環式基が挙げられる。具体的には、ナフタレン、アントラセン、フェナントレン、ピレンなどから１個の水素原子を除いた基などを例示できる。具体的には、１−ナフチル基、２−ナフチル基、１−アントリル基、２−アントリル基、１−フェナントリル基、２−フェナントリル基、３−フェナントリル基、１−ピレニル基等が挙げられ、２−ナフチル基が工業上特に好ましい。
Ｘ^０の炭素数１〜５のアルキル基としては、上記ヒドロキシスチレンのα位に結合していてよい炭素数１〜５のアルキル基と同様のものが挙げられ、メチル基又はエチル基がより好ましく、エチル基が最も好ましい。

前記式（ＶＩＩ−ｂ）中、Ｒ^４の炭素数１〜５のアルキル基としては、上記Ｘ^０の炭素数１〜５のアルキル基と同様のものが挙げられる。工業的にはメチル基又はエチル基が好ましく、特にメチル基が好ましい。
Ｒ^５は、炭素数１〜５のアルキル基または水素原子を表す。Ｒ^５の炭素数１〜５のアルキル基としては、Ｒ^４の炭素数１〜５のアルキル基と同様のものが挙げられる。Ｒ^５は、工業的には水素原子であることが好ましい。
特に、Ｒ^４およびＲ^５のいずれか一方が水素原子であって、他方がメチル基であることが好ましい。

また、前記一般式（ＶＩＩ−ｂ）においては、Ｘ^０およびＲ^４が、それぞれ独立に炭素数１〜５のアルキレン基であって、Ｘ^０の末端とＲ^４の末端とが結合していてもよい。
この場合、前記一般式（ＶＩＩ−ｂ）においては、Ｒ^４と、Ｘ^０と、Ｘ^０が結合した酸素原子と、該酸素原子およびＲ^４が結合した炭素原子とにより環式基が形成されている。
該環式基としては、４〜７員環が好ましく、４〜６員環がより好ましい。該環式基の具体例としては、テトラヒドロピラニル基、テトラヒドロフラニル基等が挙げられる。

酸解離性溶解抑制基（ＶＩＩ）としては、レジストパターン形状等に優れることから、Ｒ^５が水素原子であり、かつ、Ｒ^４が水素原子または炭素数１〜５のアルキル基であることが好ましい。
酸解離性溶解抑制基（ＶＩＩ）の具体例としては、たとえばＸ^０が炭素数１〜５のアルキル基である基、すなわち１−アルコキシアルキル基としては、１−メトキシエチル基、１−エトキシエチル基、１−ｉｓｏ−プロポキシエチル基、１−ｎ−ブトキシエチル基、１−ｔｅｒｔ−ブトキシエチル基、メトキシメチル基、エトキシメチル基、ｉｓｏ−プロポキシメチル基、ｎ−ブトキシメチル基、ｔｅｒｔ−ブトキシメチル基等が挙げられる。
また、Ｘ^０が脂肪族環式基である基としては、たとえば、下記式（１１）〜（２４）で表されるものが挙げられる。

・酸解離性溶解抑制基を含む有機基について
本明細書において、「酸解離性溶解抑制基を含む有機基」とは、酸解離性溶解抑制基と、酸で解離しない基又は原子（すなわち酸により解離せず、酸解離性溶解抑制基が解離した後も（Ａ）成分に結合したままの基又は原子）とから構成される基を意味する。

酸解離性溶解抑制基を含む有機基としては、特に限定されず、たとえばＫｒＦエキシマレーザー用、ＡｒＦエキシマレーザー用等のレジスト組成物用樹脂において、多数提案されているものの中から適宜選択して用いることができる。具体的には、上記で挙げた酸解離性溶解抑制基を有する有機基が挙げられ、たとえば、酸解離性溶解抑制基（ＶＩＩ）を有する有機基として下記酸解離性溶解抑制基を有する有機基（ＶＩＩＩ）が挙げられる。

酸解離性溶解抑制基を有する有機基（ＶＩＩＩ）としては、下記一般式（ＶＩＩＩ）で表される基が挙げられる。
かかる構造を有する有機基（ＶＩＩＩ）においては、露光により（Ｂ）成分から酸が発生すると、該酸により、Ｑに結合した酸素原子と、Ｒ^４およびＲ^５が結合した炭素原子との間の結合が切れて、−Ｃ（Ｒ^４）（Ｒ^５）−ＯＸ^０が解離する。

［式（ＶＩＩＩ）中、Ｘ^０は脂肪族環式基、芳香族環式炭化水素基または炭素数１〜５のアルキル基を表し；Ｒ^４は水素原子若しくは炭素数１〜５のアルキル基を表し、又は、Ｘ^０およびＲ^４がそれぞれ独立に炭素数１〜５のアルキレン基であって、Ｘ^０の末端とＲ^４の末端とが結合していてもよく；Ｒ^５は炭素数１〜５のアルキル基または水素原子を表し；Ｑは２価の脂肪族環式基を表す。］

前記一般式（ＶＩＩＩ）中、Ｘ^０、Ｒ^４、Ｒ^５としては、上記一般式（ＶＩＩ−ｂ）中のＸ^０、Ｒ^４、Ｒ^５とそれぞれ同じである。
Ｑにおける２価の脂肪族環式基としては、上記Ｘ^０における脂肪族環式基からさらに水素原子１つを除いた基が挙げられる。

上記のなかでも、構成単位（ａ７）の水酸基における水素原子は、第３級アルキル基含有基で置換されることによって保護されていることが好ましく、前記一般式（ＩＩ）または（ｐ０）で表される基で置換されることによって保護されていることがより好ましい。

構成単位（ａ７）のなかで好適なものとしては、下記の一般式（ａ７−１）で表される構成単位、一般式（ａ７−２）で表される構成単位、一般式（ａ７−３）で表される構成単位、一般式（ａ７−４）で表される構成単位等が例示できる。

［式（ａ７−１）〜（ａ７−５）中、Ｒは（ａ５−１）におけるＲ^１と同様であり、Ｒ^１１は（ａ５−１）におけるＲ^２と同様であり、ｑは（ａ５−１）におけるｑと同様であり、Ｒ^１’は上記Ｒ^４と同様であり、ｎは上記と同様であり、Ｗは上記Ｘ^０と同様であり、ｍは１〜３である。Ｒ^２１、Ｒ^２２、Ｒ^２３はそれぞれ独立して直鎖状または分岐鎖状のアルキル基である。Ｘ^１は酸解離性溶解抑制基である。］

前記式（ａ７−１）〜（ａ７−５）中、「−Ｏ−ＣＨＲ^１’−Ｏ−（ＣＨ_２）_ｎ−Ｗ」、「−Ｏ−Ｃ（Ｏ）−Ｏ−Ｃ（Ｒ^２１）（Ｒ^２２）（Ｒ^２３）」、「−Ｏ−Ｃ（Ｏ）−Ｏ−Ｘ^１」、「−Ｏ−（ＣＨ_２）_ｍ−Ｃ（Ｏ）−Ｏ−Ｘ^１」、および「−Ｃ（Ｏ）−Ｏ−Ｘ^１」のフェニル基との結合位置は、フェニル基のｏ−位、ｍ−位、ｐ−位のいずれでもよく、本発明の効果が良好であることから、ｐ−位が最も好ましい。
Ｒ^２１〜Ｒ^２３は、炭素数１〜５のアルキル基であることが好ましく、炭素数１〜３のアルキル基であることがより好ましく、具体例としては、上記Ｒの炭素数１〜５のアルキル基で例示したものと同様である。
Ｘ^１は、上述の第３級アルキルエステル基含有基またはアルコキシアルキル基についての説明において例示したものと同様のものが挙げられる。
ｍは、好ましくは１または２であり、より好ましくは１である。

上記のなかでも、構成単位（ａ７）としては、前記一般式（ａ７−１）、（ａ７−４）で表される構成単位が特に好ましい。
構成単位（ａ７）の好適な具体例を以下に挙げる。

構成単位（ａ７）としては、上記のなかでも、本発明の効果が良好なことから、化学式（ａ７−１−１）〜（ａ７−１−８）から選択される少なくとも１種が好ましく、化学式（ａ７−１−１）〜（ａ７−１−２）、（ａ７−１−５）〜（ａ７−１−８）が最も好ましい。

構成単位（ａ７）は、１種を単独で用いてもよく、２種以上を組み合わせて用いてもよい。
ポリマー鎖Ｙが構成単位（ａ７）を有する場合、ポリマー鎖Ｙにおける構成単位（ａ７）の割合は、ポリマー鎖Ｙを構成する全構成単位の合計に対し、１〜４０モル％であることが好ましく、５〜４０モル％であることがより好ましく、１０〜４０モル％であることがさらに好ましい。前記範囲の下限値以上とすることにより、有機溶剤への溶解性が向上し、前記範囲の上限値以下であると、他の構成単位とのバランスが良好である。

（構成単位（ａ１））
構成単位（ａ１）は、酸解離性溶解抑制基を含むアクリル酸エステルから誘導される構成単位である。
構成単位（ａ１）における酸解離性溶解抑制基は、解離前はポリマー鎖Ｙ全体をアルカリ現像液に対して難溶とするアルカリ溶解抑制性を有するとともに、酸により解離してこのポリマー鎖Ｙ全体のアルカリ現像液に対する溶解性を増大させるものであり、これまで、化学増幅型レジスト用のベース樹脂の酸解離性溶解抑制基として提案されているものを使用することができる。一般的には、（メタ）アクリル酸等におけるカルボキシ基と環状または鎖状の第３級アルキルエステルを形成する基；アルコキシアルキル基等のアセタール型酸解離性溶解抑制基などが広く知られている。

ここで、「第３級アルキルエステル」とは、カルボキシ基の水素原子が、鎖状または環状のアルキル基で置換されることによりエステルを形成しており、そのカルボニルオキシ基（−Ｃ（＝Ｏ）−Ｏ−）の末端の酸素原子に、前記鎖状または環状のアルキル基の第３級炭素原子が結合している構造を示す。この第３級アルキルエステルにおいては、酸が作用すると、酸素原子と第３級炭素原子との間で結合が切断される。
なお、前記鎖状または環状のアルキル基は置換基を有していてもよい。
以下、カルボキシ基と第３級アルキルエステルを構成することにより、酸解離性となっている基を、便宜上、「第３級アルキルエステル型酸解離性溶解抑制基」という。
第３級アルキルエステル型酸解離性溶解抑制基としては、脂肪族分岐鎖状酸解離性溶解抑制基、脂肪族環式基を含有する酸解離性溶解抑制基が挙げられる。

ここで、本特許請求の範囲及び明細書における「脂肪族分岐鎖状」とは、芳香族性を持たない分岐鎖状の構造を有することを示す。
「脂肪族分岐鎖状酸解離性溶解抑制基」の構造は、炭素および水素からなる基（炭化水素基）であることに限定はされないが、炭化水素基であることが好ましい。
また、「炭化水素基」は飽和または不飽和のいずれでもよいが、通常は飽和であることが好ましい。
脂肪族分岐鎖状酸解離性溶解抑制基としては、たとえば、−Ｃ（Ｒ^７１）（Ｒ^７２）（Ｒ^７３）で表される基が挙げられる。式中、Ｒ^７１〜Ｒ^７３は、それぞれ独立に、炭素数１〜５の直鎖状のアルキル基である。−Ｃ（Ｒ^７１）（Ｒ^７２）（Ｒ^７３）で表される基は、炭素数が４〜８であることが好ましく、具体的にはｔｅｒｔ−ブチル基、２−メチル−２−ブチル基、２−メチル−２−ペンチル基、３−メチル−３−ペンチル基などが挙げられる。特にｔｅｒｔ−ブチル基が好ましい。

「脂肪族環式基」は、芳香族性を持たない単環式基または多環式基であることを示す。
構成単位（ａ１）における「脂肪族環式基」は、置換基を有していてもよいし、有していなくてもよい。置換基としては、炭素数１〜５のアルキル基、炭素数１〜５のアルコキシ基、フッ素原子、フッ素原子で置換された炭素数１〜５のフッ素化アルキル基、酸素原子（＝Ｏ）等が挙げられる。
「脂肪族環式基」の置換基を除いた基本の環の構造は、炭素および水素からなる基（炭化水素基）であることに限定はされないが、炭化水素基であることが好ましい。また、「炭化水素基」は飽和または不飽和のいずれでもよいが、通常は飽和であることが好ましい。「脂肪族環式基」は、多環式基であることが好ましい。
脂肪族環式基としては、例えば、炭素数１〜５のアルキル基、フッ素原子またはフッ素化アルキル基で置換されていてもよいし、されていなくてもよいモノシクロアルカンから１個以上の水素原子を除いた基、ビシクロアルカン、トリシクロアルカン、テトラシクロアルカンなどのポリシクロアルカンから１個以上の水素原子を除いた基などが挙げられる。より具体的には、シクロペンタン、シクロヘキサン等のモノシクロアルカンから１個以上の水素原子を除いた基や、アダマンタン、ノルボルナン、イソボルナン、トリシクロデカン、テトラシクロドデカンなどのポリシクロアルカンから１個以上の水素原子を除いた基などが挙げられる。また、これらのモノシクロアルカンから１個以上の水素原子を除いた基またはポリシクロアルカンから１個以上の水素原子を除いた基の環を構成する炭素原子の一部がエーテル性酸素原子（−Ｏ−）で置換されたものであってもよい。

脂肪族環式基を含有する酸解離性溶解抑制基としては、たとえば、
（ｉ）１価の脂肪族環式基の環骨格上に第３級炭素原子を有する基；
（ｉｉ）１価の脂肪族環式基と、これに結合する第３級炭素原子を有する分岐鎖状アルキレンとを有する基、等が挙げられる。
（ｉ）１価の脂肪族環式基の環骨格上に第３級炭素原子を有する基の具体例としては、たとえば、下記一般式（１−１）〜（１−９）で表される基等が挙げられる。
（ｉｉ）１価の脂肪族環式基と、これに結合する第３級炭素原子を有する分岐鎖状アルキレン基とを有する基の具体例としては、たとえば、下記一般式（２−１）〜（２−６）で表される基等が挙げられる。

［式中、Ｒ^１４はアルキル基であり、ｇは０〜８の整数である。］

［式中、Ｒ^１５、Ｒ^１６はそれぞれ独立してアルキル基（直鎖状、分岐鎖状のいずれでもよく、好ましくは炭素数１〜５である）を示す。］

上記Ｒ^１４のアルキル基としては、直鎖状または分岐鎖状のアルキル基が好ましい。
該直鎖状のアルキル基は、炭素数が１〜５であることが好ましく、１〜４がより好ましく、１または２がさらに好ましい。具体的には、メチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、ｎ−ブチル基、ｎ−ペンチル基等が挙げられる。これらの中でも、メチル基、エチル基またはｎ−ブチル基が好ましく、メチル基またはエチル基がより好ましい。
該分岐鎖状のアルキル基は、炭素数が３〜１０であることが好ましく、３〜５がより好ましい。具体的には、イソプロピル基、イソブチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、イソペンチル基、ネオペンチル基等が挙げられ、イソプロピル基であることが最も好ましい。
ｇは０〜３の整数が好ましく、１〜３の整数がより好ましく、１または２がさらに好ましい。
Ｒ^１５〜Ｒ^１６のアルキル基としては、Ｒ^１４のアルキル基と同様のものが挙げられる。
上記式（１−１）〜（１−９）、（２−１）〜（２−６）中、環を構成する炭素原子の一部がエーテル性酸素原子（−Ｏ−）で置換されていてもよい。
また、式（１−１）〜（１−９）、（２−１）〜（２−６）中、環を構成する炭素原子に結合した水素原子が置換基で置換されていてもよい。該置換基としては、炭素数１〜５のアルキル基、フッ素原子、フッ素化アルキル基が挙げられる。

「アセタール型酸解離性溶解抑制基」は、一般的に、カルボキシ基、水酸基等のアルカリ可溶性基末端の水素原子と置換して酸素原子と結合している。そして、露光により酸が発生すると、この酸が作用して、アセタール型酸解離性溶解抑制基と、当該アセタール型酸解離性溶解抑制基が結合した酸素原子との間で結合が切断される。
アセタール型酸解離性溶解抑制基としては、たとえば、下記一般式（ｐ１）で表される基が挙げられる。

［式中、Ｒ^１’，Ｒ^２’はそれぞれ独立して水素原子または炭素数１〜５のアルキル基を表し、ｎは０〜３の整数を表し、Ｙ^１は炭素数１〜５のアルキル基または脂肪族環式基を表す。］

上記式中、ｎは、０〜２の整数であることが好ましく、０または１がより好ましく、０が最も好ましい。
Ｒ^１’，Ｒ^２’の炭素数１〜５のアルキル基としては、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ｎ−ブチル基、イソブチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、ペンチル基、イソペンチル基、ネオペンチル基などの直鎖状または分岐鎖状のアルキル基が挙げられ、メチル基またはエチル基が好ましく、メチル基が最も好ましい。
本発明においては、Ｒ^１’，Ｒ^２’のうち少なくとも１つが水素原子であることが好ましい。すなわち、酸解離性溶解抑制基（ｐ１）が、下記一般式（ｐ１−１）で表される基であることが好ましい。

［式中、Ｒ^１’、ｎ、Ｙ^１は上記と同様である。］

Ｙ^１の炭素数１〜５のアルキル基としては、上記Ｒ^１’の炭素数１〜５のアルキル基と同様のものが挙げられる。
Ｙ^１の脂肪族環式基としては、従来ＡｒＦレジスト等において多数提案されている単環又は多環式の脂肪族環式基の中から適宜選択して用いることができ、たとえば上記「脂肪族環式基」と同様のものが例示できる。

また、アセタール型酸解離性溶解抑制基としては、下記一般式（ｐ２）で示される基も挙げられる。

［式中、Ｒ^１７、Ｒ^１８はそれぞれ独立して直鎖状または分岐鎖状のアルキル基または水素原子であり、Ｒ^１９は直鎖状、分岐鎖状または環状のアルキル基である。または、Ｒ^１７およびＲ^１９がそれぞれ独立に直鎖状または分岐鎖状のアルキレン基であって、Ｒ^１７の末端とＲ^１９の末端とが結合して環を形成していてもよい。］

Ｒ^１７、Ｒ^１８において、アルキル基の炭素数は、好ましくは１〜１５であり、直鎖状、分岐鎖状のいずれでもよく、エチル基、メチル基が好ましく、メチル基が最も好ましい。特に、Ｒ^１７、Ｒ^１８の一方が水素原子で、他方がメチル基であることが好ましい。
Ｒ^１９は直鎖状、分岐鎖状または環状のアルキル基であり、炭素数は、好ましくは１〜１５であり、直鎖状、分岐鎖状又は環状のいずれでもよい。
Ｒ^１９が直鎖状、分岐鎖状の場合は炭素数１〜５であることが好ましく、エチル基、メチル基がさらに好ましく、特にエチル基が最も好ましい。
Ｒ^１９が環状の場合は炭素数４〜１５であることが好ましく、炭素数４〜１２であることがさらに好ましく、炭素数５〜１０が最も好ましい。具体的にはフッ素原子またはフッ素化アルキル基で置換されていてもよいし、されていなくてもよいモノシクロアルカン、ビシクロアルカン、トリシクロアルカン、テトラシクロアルカンなどのポリシクロアルカンから１個以上の水素原子を除いた基などを例示できる。具体的には、シクロペンタン、シクロヘキサン等のモノシクロアルカンや、アダマンタン、ノルボルナン、イソボルナン、トリシクロデカン、テトラシクロドデカンなどのポリシクロアルカンから１個以上の水素原子を除いた基などが挙げられる。なかでもアダマンタンから１個以上の水素原子を除いた基が好ましい。
また、上記式においては、Ｒ^１７及びＲ^１９が、それぞれ独立に直鎖状または分岐鎖状のアルキレン基（好ましくは炭素数１〜５のアルキレン基）であってＲ^１９の末端とＲ^１７の末端とが結合していてもよい。
この場合、Ｒ^１７とＲ^１９と、Ｒ^１９が結合した酸素原子と、該酸素原子およびＲ^１７が結合した炭素原子とにより環式基が形成されている。該環式基としては、４〜７員環が好ましく、４〜６員環がより好ましい。該環式基の具体例としては、テトラヒドロピラニル基、テトラヒドロフラニル基等が挙げられる。

アセタール型酸解離性溶解抑制基の具体例としては、たとえば、下記式（ｐ３−１）〜（ｐ３−１２）で表される基等が挙げられる。

［式中、Ｒ^１３は水素原子またはメチル基であり、ｇは前記と同じである。］

構成単位（ａ１）としては、下記一般式（ａ１−０−１）で表される構成単位および下記一般式（ａ１−０−２）で表される構成単位からなる群から選ばれる１種以上を用いることが好ましい。

［式中、Ｒは水素原子、炭素数１〜５のアルキル基または炭素数１〜５のハロゲン化アルキル基を示し、Ｘ^１は酸解離性溶解抑制基を示す。］

［式中、Ｒは水素原子、炭素数１〜５のアルキル基または炭素数１〜５のハロゲン化アルキル基を示し、Ｘ^２は酸解離性溶解抑制基を示し、Ｙ^２は２価の連結基を示す。］

一般式（ａ１−０−１）において、Ｒは、前記式（ａ５−１）中のＲ^１と同様である。
Ｘ^１は、酸解離性溶解抑制基であれば特に限定されることはなく、例えば上述した第３級アルキルエステル型酸解離性溶解抑制基、アセタール型酸解離性溶解抑制基などを挙げることができ、第３級アルキルエステル型酸解離性溶解抑制基が好ましい。

一般式（ａ１−０−２）において、Ｒは上記と同様である。
Ｘ^２は、式（ａ１−０−１）中のＸ^１と同様である。
Ｙ^２の２価の連結基としては、前記複数のコア部の連結部の２価の連結基と同様のものが挙げられる。
Ｙ^２としては、前記アルキレン基、２価の脂肪族環式基またはヘテロ原子を含む２価の連結基が好ましい。これらの中でも、ヘテロ原子を含む２価の連結基が好ましく、特に、ヘテロ原子として酸素原子を有する直鎖状の基、例えばエステル結合を含む基が特に好ましい。
中でも、前記−Ａ−Ｏ−Ｂ−または−Ａ−Ｃ（＝Ｏ）−Ｏ−Ｂ−で表される基が好ましく、特に、−（ＣＨ_２）_ｘ−Ｃ（＝Ｏ）−Ｏ−（ＣＨ_２）_ｙ−で表される基が好ましい。
ｘは１〜５の整数であり、１または２が好ましく、１が最も好ましい。
ｙは１〜５の整数であり、１または２が好ましく、１が最も好ましい。

構成単位（ａ１）として、より具体的には、下記一般式（ａ１−１）〜（ａ１−４）で表される構成単位が挙げられる。

［式中、Ｘ’は第３級アルキルエステル型酸解離性溶解抑制基を表し、Ｙ^１は炭素数１〜５のアルキル基、または脂肪族環式基を表し；ｎは０〜３の整数を表し；Ｙ^２は２価の連結基を表し；Ｒは前記と同じであり、Ｒ^１’、Ｒ^２’はそれぞれ独立して水素原子または炭素数１〜５のアルキル基を表す。］

前記式中、Ｘ’は、前記Ｘ^１において例示した第３級アルキルエステル型酸解離性溶解抑制基と同様のものが挙げられる。
Ｒ^１’、Ｒ^２’、ｎ、Ｙ^１としては、それぞれ、上述の「アセタール型酸解離性溶解抑制基」の説明において挙げた一般式（ｐ１）におけるＲ^１’、Ｒ^２’、ｎ、Ｙ^１と同様のものが挙げられる。
Ｙ^２としては、上述の一般式（ａ１−０−２）におけるＹ^２と同様のものが挙げられる。

以下に、上記一般式（ａ１−１）〜（ａ１−４）で表される構成単位の具体例を示す。
以下の各式中、Ｒ^αは、水素原子、メチル基またはトリフルオロメチル基を示す。

構成単位（ａ１）は、１種を単独で用いてもよく、２種以上を組み合わせて用いてもよい。
その中でも、一般式（ａ１−１）、又は（ａ１−３）で表される構成単位が好ましく、具体的には（ａ１−１−１）〜（ａ１−１−４）、（ａ１−１−２０）〜（ａ１−１−２３）、（ａ１−１−２６）および（ａ１−３−２５）〜（ａ１−３−２８）からなる群から選択される少なくとも１種を用いることがより好ましい。
さらに、構成単位（ａ１）としては、特に式（ａ１−１−１）〜式（ａ１−１−３）の構成単位を包括する下記一般式（ａ１−１−０１）で表されるもの、式（ａ１−１−１６）〜（ａ１−１−１７）および式（ａ１−１−２０）〜（ａ１−１−２３）の構成単位を包括する下記一般式（ａ１−１−０２）で表されるもの、式（ａ１−３−２５）〜（ａ１−３−２６）の構成単位を包括する下記一般式（ａ１−３−０１）で表されるもの、または式（ａ１−３−２７）〜（ａ１−３−２８）の構成単位を包括する下記一般式（ａ１−３−０２）で表されるものも好ましい。

[式中、Ｒはそれぞれ独立に水素原子、炭素数１〜５のアルキル基または炭素数１〜５のハロゲン化アルキル基を示し、Ｒ^１１は炭素数１〜５のアルキル基を示す。Ｒ^１２は炭素数１〜５のアルキル基を示す。ｈは１〜６の整数を表す。]

一般式（ａ１−１−０１）において、Ｒについては上記と同様である。Ｒ^１１の炭素数１〜５のアルキル基はＲにおける炭素数１〜５のアルキル基と同様であり、メチル基、エチル基、またはイソプロピル基が好ましい。

一般式（ａ１−１−０２）において、Ｒについては上記と同様である。Ｒ^１２の炭素数１〜５のアルキル基はＲにおける炭素数１〜５のアルキル基と同様であり、メチル基、エチル基、またはイソプロピル基が最も好ましい。ｈは、特に好ましくは１又は２である。

[式中、Ｒは水素原子、炭素数１〜５のアルキル基または炭素数１〜５のハロゲン化アルキル基を示し；Ｒ^１４は炭素数１〜５のアルキル基であり、Ｒ^１３は水素原子またはメチル基であり、ａは１〜１０の整数である。]

[式中、Ｒは水素原子、炭素数１〜５のアルキル基または炭素数１〜５のハロゲン化アルキル基を示し；Ｒ^１４は炭素数１〜５のアルキル基であり、Ｒ^１３は水素原子またはメチル基であり、ａは１〜１０の整数であり、ｎ’は１〜６の整数である。]

前記一般式（ａ１−３−０１）および（ａ１−３−０２）において、Ｒについては上記と同様である。
Ｒ^１３は、水素原子が好ましい。
Ｒ^１４の炭素数１〜５のアルキル基は、Ｒにおける炭素数１〜５のアルキル基と同様であり、メチル基またはエチル基が好ましい。
ｎ’は、１または２が好ましく、２が最も好ましい。
ａは、１〜８の整数が好ましく、２〜５の整数が特に好ましく、２が最も好ましい。

かかる構成単位（ａ１）をポリマー鎖Ｙに含有させる場合、ポリマー鎖Ｙにおいて、構成単位（ａ１）の割合は、ポリマー鎖Ｙを構成する全構成単位に対し、１０〜８０モル％が好ましく、２０〜７０モル％がより好ましく、２５〜６０モル％がさらに好ましい。下限値以上とすることによって、レジスト組成物とした際に容易にパターンを得ることができ、上限値以下とすることにより他の構成単位とのバランスをとることができる。

（構成単位（ａ２））
構成単位（ａ２）は、ラクトン含有環式基を含むアクリル酸エステルから誘導される構成単位である。
ここで、ラクトン含有環式基とは、−Ｏ−Ｃ（Ｏ）−構造を含むひとつの環（ラクトン環）を含有する環式基を示す。ラクトン環をひとつ目の環として数え、ラクトン環のみの場合は単環式基、さらに他の環構造を有する場合は、その構造に関わらず多環式基と称する。
構成単位（ａ２）のラクトン環式基は、ポリマー鎖Ｙをレジスト膜の形成に用いた場合に、レジスト膜の基盤への密着性を高めたり、水を含有する現像液との親和性を高めたりする上で有効なものである。

構成単位（ａ２）としては、特に限定されることなく任意のものが使用可能である。
具体的には、ラクトン含有単環式基としては、４〜６員環ラクトンから水素原子を１つ除いた基、たとえばβ−プロピオラクトンから水素原子を１つ除いた基、γ−ブチロラクトンから水素原子１つを除いた基、δ−バレロラクトンから水素原子を１つ除いた基が挙げられる。また、ラクトン含有多環式基としては、ラクトン環を有するビシクロアルカン、トリシクロアルカン、テトラシクロアルカンから水素原子一つを除いた基が挙げられる。
構成単位（ａ２）の例として、より具体的には、下記一般式（ａ２−１）〜（ａ２−５）で表される構成単位が挙げられる。

［式中、Ｒは水素原子、炭素数１〜５のアルキル基または炭素数１〜５のハロゲン化アルキル基であり、Ｒ’はそれぞれ独立に水素原子、炭素数１〜５のアルキル基、炭素数１〜５のアルコキシ基または−ＣＯＯＲ”であり、Ｒ”は水素原子またはアルキル基であり、Ｒ^２９は単結合または２価の連結基であり、ｓ”は０または１〜２の整数であり、Ａ”は酸素原子もしくは硫黄原子を含んでいてもよい炭素数１〜５のアルキレン基、酸素原子または硫黄原子であり、ｍは０または１の整数である。］

一般式（ａ２−１）〜（ａ２−５）におけるＲは、前記構成単位（ａ１）におけるＲと同様である。
Ｒ’の炭素数１〜５のアルキル基としては、例えばメチル基、エチル基、プロピル基、ｎ−ブチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基が挙げられる。
Ｒ’の炭素数１〜５のアルコキシ基としては、例えばメトキシ基、エトキシ基、ｎ−プロポキシ基、ｉｓｏ−プロポキシ基、ｎ−ブトキシ基、ｔｅｒｔ−ブトキシ基が挙げられる。
Ｒ’は、工業上入手が容易であること等を考慮すると、水素原子が好ましい。
Ｒ”が直鎖状または分岐鎖状のアルキル基の場合は、炭素数１〜１０であることが好ましく、炭素数１〜５であることがさらに好ましい。
Ｒ”が環状のアルキル基の場合は、炭素数３〜１５であることが好ましく、炭素数４〜１２であることがさらに好ましく、炭素数５〜１０が最も好ましい。具体的には、フッ素原子またはフッ素化アルキル基で置換されていてもよいし、されていなくてもよいモノシクロアルカン、ビシクロアルカン、トリシクロアルカン、テトラシクロアルカンなどのポリシクロアルカンから１個以上の水素原子を除いた基などを例示できる。具体的には、シクロペンタン、シクロヘキサン等のモノシクロアルカンや、アダマンタン、ノルボルナン、イソボルナン、トリシクロデカン、テトラシクロドデカンなどのポリシクロアルカンから１個以上の水素原子を除いた基などが挙げられる。
Ａ”としては、炭素数１〜５のアルキレン基または−Ｏ−が好ましく、炭素数１〜５のアルキレン基がより好ましく、メチレン基が最も好ましい。
Ｒ^２９は単結合または２価の連結基である。２価の連結基としては、前記一般式（ａ１−０−２）中のＹ^２で説明した２価の連結基と同様であり、それらの中でも、アルキレン基、エステル結合（−Ｃ（＝Ｏ）−Ｏ−）、もしくはそれらの組み合わせであることが好ましい。Ｒ^２９における２価の連結基としてのアルキレン基は、直鎖状または分岐鎖状のアルキレン基がより好ましい。具体的には、前記Ｙ^２のうちＡにおける脂肪族炭化水素基で挙げた直鎖状のアルキレン基、分岐鎖状のアルキレン基と同様のものが挙げられる。
ｓ”は１〜２の整数が好ましい。
以下に、前記一般式（ａ２−１）〜（ａ２−５）で表される構成単位の具体例を例示する。以下の各式中、Ｒ^αは、水素原子、メチル基またはトリフルオロメチル基を示す。

ポリマー鎖Ｙにおいて、構成単位（ａ２）としては、１種を単独で用いてもよく、２種以上を組み合わせて用いてもよい。
構成単位（ａ２）として、前記一般式（ａ２−１）〜（ａ２−５）で表される構成単位からなる群から選択される少なくとも１種が好ましく、一般式（ａ２−１）〜（ａ２−３）で表される構成単位からなる群から選択される少なくとも１種がより好ましい。なかでも、化学式（ａ２−１−１）、（ａ２−２−１）、（ａ２−２−７）、（ａ２−３−１）および（ａ２−３−５）で表される構成単位からなる群から選択される少なくとも１種を用いることが好ましい。

かかる構成単位（ａ２）をポリマー鎖Ｙに含有させる場合、ポリマー鎖Ｙにおける構成単位（ａ２）の割合は、当該ポリマー鎖Ｙを含有するポジ型レジスト組成物を用いて形成されるレジスト膜の基板等の支持体への密着性、現像液との親和性等に優れることから、ポリマー鎖Ｙを構成する全構成単位に対し、１〜６５モル％であることが好ましく、５〜６０モル％がより好ましく、１０〜５５モル％がさらに好ましい。

（構成単位（ａ３））
構成単位（ａ３）は、極性基含有炭化水素基を含むアクリル酸エステルから誘導される構成単位である。
ポリマー鎖Ｙが構成単位（ａ３）を有することにより、ポリマー鎖Ｙの親水性が高まり、現像液との親和性が高まって、露光部でのアルカリ溶解性が向上し、解像性の向上に寄与する。
極性基としては、水酸基、シアノ基、カルボキシ基、アルキル基の水素原子の一部がフッ素原子で置換されたヒドロキシアルキル基等が挙げられ、特に水酸基が好ましい。
炭化水素基としては、炭素数１〜１０の直鎖状または分岐鎖状の炭化水素基（好ましくはアルキレン基）や、環状の脂肪族炭化水素基（環式基）や上述の芳香族炭化水素基が挙げられる。該環式基としては、例えばＡｒＦエキシマレーザー用レジスト組成物用の樹脂において、多数提案されているものの中から適宜選択して用いることができる。該環式基としては多環式基であることが好ましく、炭素数は７〜３０であることがより好ましい。
その中でも、水酸基、シアノ基、カルボキシ基、またはアルキル基の水素原子の一部がフッ素原子で置換されたヒドロキシアルキル基を含有する脂肪族多環式基を含むアクリル酸エステルから誘導される構成単位、フェノール基またはナフトール基を含有するアクリル酸エステルから誘導される構成単位がより好ましい。該多環式基としては、ビシクロアルカン、トリシクロアルカン、テトラシクロアルカンなどから２個以上の水素原子を除いた基などを例示できる。具体的には、アダマンタン、ノルボルナン、イソボルナン、トリシクロデカン、テトラシクロドデカンなどのポリシクロアルカンから２個以上の水素原子を除いた基などが挙げられる。これらの多環式基の中でも、アダマンタンから２個以上の水素原子を除いた基、ノルボルナンから２個以上の水素原子を除いた基、テトラシクロドデカンから２個以上の水素原子を除いた基が工業上好ましい。

構成単位（ａ３）としては、極性基含有炭化水素基における炭化水素基が炭素数１〜１０の直鎖状または分岐鎖状の炭化水素基のときは、アクリル酸のヒドロキシエチルエステルから誘導される構成単位が好ましく、該炭化水素基が多環式基のときは、下記式（ａ３−１）で表される構成単位、（ａ３−２）で表される構成単位、（ａ３−３）で表される構成単位が好ましいものとして挙げられる。

[式中、Ｒは前記に同じであり、ｊは１〜３の整数であり、ｋは１〜３の整数であり、ｔ’は１〜３の整数であり、ｌは１〜５の整数であり、ｓは１〜３の整数である。]

式（ａ３−１）中、ｊは１又は２であることが好ましく、１であることがさらに好ましい。ｊが２の場合は、水酸基がアダマンチル基の３位と５位に結合しているものが好ましい。ｊが１の場合は、水酸基がアダマンチル基の３位に結合しているものが好ましい。
ｊは１であることが好ましく、特に水酸基がアダマンチル基の３位に結合しているものが好ましい。
式（ａ３−２）中、ｋは１であることが好ましい。シアノ基はノルボルニル基の５位または６位に結合していることが好ましい。
式（ａ３−３）中、ｔ’は１であることが好ましい。ｌは１であることが好ましい。sは１であることが好ましい。これらはアクリル酸のカルボキシ基の末端に２−ノルボルニル基または３−ノルボルニル基が結合していることが好ましい。フッ素化アルキルアルコールはノルボルニル基の５又は６位に結合していることが好ましい。

構成単位（ａ３）としては、１種を単独で用いてもよく、２種以上を組み合わせて用いてもよい。
かかる構成単位（ａ３）をポリマー鎖Ｙに含有させる場合、ポリマー鎖Ｙにおける構成単位（ａ３）の割合は、当該ポリマー鎖Ｙを構成する全構成単位に対し、５〜５０モル％であることが好ましく、５〜４０モル％がより好ましく、５〜２５モル％がさらに好ましい。

（その他の構成単位）
ポリマー鎖Ｙは、本発明の効果を損なわない範囲で、上記構成単位（ａ１）、（ａ２）、（ａ３）、（ａ５）、（ａ６）、および（ａ７）以外の他の構成単位を含んでいてもよい。
当該他の構成単位としてはは、上述の構成単位（ａ１）、（ａ２）、（ａ３）、（ａ５）、（ａ６）、および（ａ７）に分類されない他の構成単位であれば特に限定されるものではなく、ＡｒＦエキシマレーザー用、ＫｒＦエキシマレーザー用（好ましくはＡｒＦエキシマレーザー用）等のレジスト用樹脂に用いられるものとして従来から知られている多数のものが使用可能である。
例えば、酸非解離性の脂肪族多環式基を含むアクリル酸エステルから誘導される構成単位（以下、構成単位（ａ４）という。）、ビニルナフタレン単量体から誘導される構成単位（より好ましくはビニルナフトール系の構成単位）などが好ましい。該多環式基は、例えば、前記の構成単位（ａ１）の場合に例示したものと同様のものを例示することができ、ＡｒＦエキシマレーザー用、ＫｒＦエキシマレーザー用（好ましくはＡｒＦエキシマレーザー用）等のレジスト組成物の樹脂成分に用いられるものとして従来から知られている多数のものが使用可能である。
特に、トリシクロデシル基、アダマンチル基、テトラシクロドデシル基、イソボルニル基、ノルボルニル基から選ばれる少なくとも１種であると、工業上入手し易いなどの点で好ましい。これらの多環式基は、炭素数１〜５の直鎖状又は分岐鎖状のアルキル基を置換基として有していてもよい。
構成単位（ａ４）として、具体的には、下記一般式（ａ４−１）〜（ａ４−５）の構造のものを例示することができる。

[式中、Ｒは前記と同じである。]

かかる構成単位（ａ４）をポリマー鎖Ｙに含有させる場合、構成単位（ａ４）の割合は、ポリマー鎖Ｙを構成する全構成単位の合計に対して、１〜３０モル％が好ましく、１０〜２０モル％がより好ましい。

本発明において、ポリマー鎖Ｙは、構成単位（ａ５）、および（ａ７）を有することが好ましく、さらに（ａ１）、（ａ２）、（ａ３）、（ａ６）を有していてもよい。
かかる共重合体としては、たとえば、
構成単位（ａ５）および（ａ７）からなる共重合体；
構成単位（ａ５）、（ａ６）、および（ａ７）からなる共重合体等が例示できる。
かかるポリマー鎖Ｙとしては、特に下記一般式（ａ−１１）に示される２種の構成単位を含むものが好ましい。

［式中、Ｒは前記と同じであり、式中の複数のＲは同じであっても異なっていてもよい。］

式（ａ−１１）中、Ｒは、上記と同様である。

（Ａ１１）成分のアーム部におけるポリマー鎖Ｙの質量平均分子量（Ｍｗ）（ゲルパーミエーションクロマトグラフィーによるポリスチレン換算基準）は、特に限定されるものではないが、３００〜５００００が好ましく、５００〜３０００がより好ましく、５００〜１５００が最も好ましい。この範囲の上限よりも小さいと、レジストとして用いるのに充分なレジスト溶剤への溶解性があり、この範囲の下限よりも大きいと、耐ドライエッチング性やレジストパターン断面形状が良好である。
また分散度（Ｍｗ／Ｍｎ）は１．０〜５．０が好ましく、１．０〜３．０がより好ましく、１．２〜２．５が最も好ましい。なお、Ｍｎは数平均分子量を示す。

〔Ｘ：２価の連結基〕
式（１）中、Ｘは酸解離性基を有する２価の連結基である。
Ｘの酸解離性基としては、第３級アルキル基含有基から１個以上の水素原子を除いた基、アルコキシアルキル基から１個以上の水素原子を除いた基が挙げられる。

第３級アルキル基含有基から１個以上の水素原子を除いた基としては、上述した（ａ７）の第３級アルキル基含有基から、１個以上の水素原子を除いた基；上述した（ａ１）の第３級アルキルエステル型酸解離性溶解抑制基から、１個以上の水素原子を除いた基；が挙げられる。
より具体的には、
前記式（ＩＩＩ）のＲ^２１〜Ｒ^２３のアルキル基から１個以上の水素原子を除いた基；
前記式（ｐ０）または（ｐ０−１）のＲ^Ｃの脂肪族環式基から１個以上の水素原子を除いた基；
前記式（ｐ０−１−１）のアダマンタンから１個以上の水素原子を除いた基
前記式（１１）〜（２４）の脂肪族環式基から１個以上の水素原子を除いた基；等が挙げられる。

アルコキシアルキル基から１個以上の水素原子を除いた基としては、上述した（ａ７）のアルコキシアルキル基から、１個以上の水素原子を除いた基；上述した（ａ１）のアセタール型酸解離性溶解抑制基から、１個以上の水素原子を除いた基が挙げられる。
より具体的には、
前記式（ＶＩＩ−ａ）のＸ^０から１個以上の水素原子を除いた基；
前記式（ＶＩＩ−ｂ）のＸ^０から１個以上の水素原子を除いた基；
前記式（ｐ３−３）〜（ｐ３−１２）の脂肪族環式基から１個以上の水素原子を除いた基等が挙げられる。

また、（Ａ１１）成分のアーム部におけるＸの酸解離性基を有する２価の連結基としては、上述したような酸解離性基と、前記複数のコア部を連結する連結部の２価の連結基と同様の連結基とを組み合わせて用いることができる。

（Ａ１）成分のＭｗ／Ｍｎは、１．０１〜５．００が好ましく、１．０１〜２．００がさらに好ましい。この範囲の上限値以下であると、レジストとして用いるのに充分なレジスト溶剤への溶解性がある。
（Ａ１）成分のＭｎは、１０００〜１００００００が好ましく、１５００〜５０００００がより好ましく、１５００〜５００００がさらに好ましく、２０００〜２００００が特に好ましい。該範囲であると、本発明の効果が向上する。

（Ａ１１）成分のＭｗ／Ｍｎは、１．０１〜５．００が好ましく、１．０１〜２．００がさらに好ましい。この範囲の上限値以下であると、レジストとして用いるのに充分なレジスト溶剤への溶解性がある。
（Ａ１１）成分のＭｎは、１０００〜１００００００が好ましく、１５００〜５０００００がより好ましく、１５００〜５００００がさらに好ましく、２０００〜２００００が特に好ましい。該範囲であると、本発明の効果が向上する。

（Ａ１）成分において、（Ａ１１）成分としては、１種を単独で用いてもよく、２種以上を併用しても良い。
（Ａ１）成分が（Ａ１１）成分を有する場合、該（Ａ１）成分中の（Ａ１１）成分の割合は、（Ａ１）成分の総質量に対し、１０質量％以上が好ましく、１５質量％以上がより好ましく、２０質量％以上がさらに好ましく、１００質量％であってもよい。該割合が１０質量％以上であると、リソグラフィー特性等の本発明の効果が向上する。

[（Ａ１２）成分]
《コア部》
本発明の（Ａ１２）成分において、コア部は、分子量５００以上、２００００以下のポリマー（以下、「コアポリマーＰ」という。）からなる。
コアポリマーＰに、少なくとも１つの上記一般式（１）で表される−（Ｘ）−Ｙが導入されたものが（Ａ１２）である。つまり、コアポリマーＰは、（Ａ１２）成分から、上記一般式（１）で表される−（Ｘ）−Ｙを除いたものをいう。
コアポリマーＰとしては特に限定されず、通常、化学増幅型レジスト用の基材成分として用いられているポリマーを挙げることができる。
コアポリマーＰとしては、下記一般式（ａｐ１）で表される構成単位（ａｐ１）を有することが好ましい。

［式中、Ｒは水素原子、炭素数１〜５のアルキル基、または炭素数１〜５のハロゲン化アルキル基であり、Ｒ^０は２価の連結基であり、Ｚ^０は、−ＯＨ、−ＣＯＯＨ、又は上記式（１）の結合手である。］

（構成単位（ａｐ１））
式（ａｐ１）中、Ｒは前記同様であり、水素原子またはメチル基が好ましい。

式（ａｐ１）中、Ｒ^０は２価の連結基であり、前記複数のコア部の連結部の２価の連結基と同様のものが挙げられる。
本発明において、Ｒ^０の２価の連結基としては、２価の芳香族基、またはヘテロ原子を含む２価の連結基であることが好ましく、２価の芳香族基、または２価の芳香族基と−Ｃ（＝Ｏ）−Ｏ−との組合せ、−Ｃ（＝Ｏ）−がより好ましく、２価の芳香族基（例えば、フェニル基から水素原子をさらに１つ除いた芳香族炭化水素基、ナフチル基から水素原子をさらに１つ除いた芳香族炭化水素基）が最も好ましい。

式（ａｐ１）中、Ｚ^０は−ＯＨ、−ＣＯＯＨ、又は上記式（１）の結合手であり、−ＯＨ、又は上記式（１）の結合手であることが好ましい。

構成単位（ａｐ１）としては、１種を単独で用いてもよく、２種以上を組み合わせて用いてもよい。
コアポリマーＰ中の構成単位（ａｐ１）の割合は、コアポリマーＰを構成する全構成単位に対し、５モル％以上１００モル％以下であることが好ましい。
コアポリマーＰ中の構成単位（ａｐ１）におけるＺ^０が上記式（１）の結合手である場合の割合については、５モル％以上であることが好ましく、１０モル％以上であることがより好ましく２５モル％以上であることがさらに好ましく、１００モル％であってもよい。

コアポリマーＰは、本発明の効果を損なわない範囲で、上記構成単位（ａｐ１）以外の他の構成単位を含んでいてもよい。
他の構成単位としては、後述する（ａ１）〜（ａ４）、（ａ６）、（ａ７）等が挙げられる。（ただし（ａｐ１）に該当するものを除く）

本発明の（Ａ１２）成分において、コアポリマーＰとしては、構成単位（ａｐ１）を有する重合体であることが好ましく、下記一般式（Ｐ１）または下記一般式（Ｐ２）であることがより好ましく、下記一般式（Ｐ１１）または下記一般式（Ｐ２１）であることが特に好ましい。

[式中、Ｒ、Ｚ^０は前記同様であり、Ｒ^０１は２価の芳香族基である。Ｘ^ａ１は前述の構成単位（ａ１）に記載する酸解離性溶解抑制基である。]

式（Ｐ１）および（Ｐ２）において、Ｒ^０１の２価の芳香族基としては、前記Ｒ^０の芳香族基と同様であり、フェニル基から水素原子をさらに１つ除いた芳香族炭化水素基、ナフチル基から水素原子をさらに１つ除いた芳香族炭化水素基が特に好ましい。
式（Ｐ２）および（Ｐ２１）において、Ｘ^ａ１として好ましくは、後述の式（ｐ０）、（ｐ０−１）、（ｐ１）、（ｐ１−１）、（ｐ２）が挙げられる。

コアポリマーＰの質量平均分子量（Ｍｗ）（ゲルパーミエーションクロマトグラフィー（ＧＰＣ）によるポリスチレン換算基準）は、５００〜２００００であり、５００〜１００００が好ましく、５００〜４０００がより好ましい。この範囲の上限値以下であると、レジストとして用いるのに充分なレジスト溶剤への溶解性があり、この範囲の下限値以上であると、耐ドライエッチング性やレジストパターン断面形状が良好である。
また、コアポリマーＰの分散度（Ｍｗ／Ｍｎ）は、特に限定されず、１．０〜５．０が好ましく、１．０〜３．５がより好ましい。なお、Ｍｎは数平均分子量を示す。

《アーム部》
本発明の（Ａ１２）成分において、アーム部は、前記コア部に結合し、且つ、上記一般式（１）で表されるものである。

（Ａ１２）成分のアーム部におけるＸの、酸解離性基を有する２価の連結基としては、上述した（Ａ１１）成分のアーム部におけるＸと同様のものが挙げられる。なかでも、アルコキシアルキル基から１個以上の水素原子を除いた基を有することが好ましい。

（Ａ１２）成分のアーム部におけるポリマー鎖Ｙとしては、上述した（Ａ１１）成分のアーム部におけるポリマー鎖Ｙと同様のものが挙げられる。ポリマー鎖Ｙは、（Ａ１２）成分中の複数のアーム部において互いに同一であってもよく、異なっていてもよく、本発明の効果が特に良好なことから、互いに同一であることが好ましい。

（Ａ１２）成分のアーム部におけるポリマー鎖Ｙの質量平均分子量（Ｍｗ）（ゲルパーミエーションクロマトグラフィー（ＧＰＣ）によるポリスチレン換算基準）は、１００〜５０００が好ましく、３００〜３０００がより好ましく、５００〜２０００がさらに好ましい。この範囲の上限値以下であると、レジストとして用いるのに充分なレジスト溶剤への溶解性があり、この範囲の下限値以上であると、耐ドライエッチング性やレジストパターン断面形状が良好である。
また、ポリマー鎖Ｙの分散度（Ｍｗ／Ｍｎ）は、特に限定されず、１．０〜５．０が好ましく、１．０〜３．５がより好ましい。なお、Ｍｎは数平均分子量を示す。

本発明において、高分子化合物（Ａ１２）としては、下記一般式（Ａ１２−１）で示される高分子化合物が好ましい。

[式中、Ｒ、Ｒ^０１は前記同様であり、Ｚは−ＯＨ、−ＣＯＯＨ、前記式（１）で表される基、又は、−ＯＨ若しくは−ＣＯＯＨにおける水素原子が酸解離性溶解抑制基で置換された基（但し、前記式（１）で表される基を除く）である。なお、高分子化合物（Ａ１２）中の複数のアーム部において、Ｒ、Ｚは、それぞれ同じであっても異なっていてもよく、１つ以上のＺは、前記式（１）で表される基である。]

高分子化合物（Ａ１２）中の複数のアーム部において、Ｚが−ＯＨと−ＣＯＯＨとの両方を有する場合、その一方のみの水素原子の一部又は全部が酸解離性溶解抑制基で置換されていてもよく、その両方の水素原子の一部又は全部が酸解離性溶解抑制基で置換されていてもよい。
上記式（Ａ１２−１）で示される高分子化合物として、より具体的には、下記一般式（Ａ１２−１１）〜（Ａ１２−１２）で示される構成単位を有する高分子化合物が好ましい。

[式中、Ｒ、Ｒ^５３、Ｒ^５４、ｍ、Ｒ^１４は前記と同じであり、ｕは０〜１０の整数であり、Ｖは式中に示すとおりである。式中の複数のＲは同じであっても異なっていてもよい。]

[式中、Ｒ、Ｒ^５３、Ｒ^５４、ｍ、Ｒ^１４は前記と同じであり、ｕは０〜１０の整数であり、Ｖは式中に示すとおりである。式中の複数のＲは同じであっても異なっていてもよい。]

式（Ａ１２−１１）〜（Ａ１２−１２）中、ｕは０〜１０の整数であり、０〜５の整数であることが好ましく、０〜２の整数であることがより好ましい。

（Ａ１２）成分は、コア部に酸解離性溶解抑制基を有していてもよいし、アーム部におけるポリマー鎖Ｙに酸解離性溶解抑制基を有していても良い。好ましくは、アーム部におけるポリマー鎖Ｙに酸解離性溶解抑制基を有すること、またはコア部とアーム部におけるポリマー鎖Ｙとの両方に酸解離性溶解抑制基を有することである。（Ａ１２）成分における、酸解離性溶解抑制基を有する構成単位の割合は、（Ａ１２）成分の全構成単位に対して５〜５０モル％が好ましく、１０〜４０モル％がより好ましく、１２〜４０モル％がさらに好ましく、１４〜３５モル％が特に好ましい。該範囲の下限値以上とすることによって、ポジ型レジスト組成物とした際にパターンを得ることができ、上限値以下とすることにより、他の構成単位とのバランスをとることができる。

（Ａ１２）成分は、コア部にＯＨ含有基を有していてもよいし、アーム部におけるポリマー鎖ＹにＯＨ含有基を有していても良い。好ましくは、アーム部におけるポリマー鎖ＹにＯＨ含有基を有すること、またはコア部とアーム部におけるポリマー鎖Ｙとの両方にＯＨ含有基を有することである。（Ａ１２）成分における、ＯＨ含有基を有する構成単位（上記（ａｐ１）におけるＺ^０が−ＯＨ又は−ＣＯＯＨの場合；（ａ３）における極性基が−ＯＨの場合；（ａ５））の割合は、（Ａ１２）成分の全構成単位に対して５０〜９０モル％であることが好ましく、５５〜９０モル％がより好ましく、６０〜８８モル％がさらに好ましい。該範囲の下限値以上とすることによって、適度なアルカリ溶解性が得られ、上限値以下とすることにより、他の構成単位とのバランスをとることができる。

（Ａ１２）成分の質量平均分子量（Ｍｗ）（ゲルパーミエーションクロマトグラフィーによるポリスチレン換算基準）は、特に限定されるものではなく、１０００〜５００００が好ましく、１５００〜３００００がより好ましく、２５００〜２００００が最も好ましい。この範囲の上限値以下であると、レジストとして用いるのに充分なレジスト溶剤への溶解性があり、この範囲の下限値以上であると、耐ドライエッチング性やレジストパターン断面形状が良好である。
また、（Ａ１２）成分の分散度（Ｍｗ／Ｍｎ）は、特に限定されるものではなく、１．０〜５．０が好ましく、１．０〜３．０がより好ましく、１．０〜２．５が最も好ましい。なお、Ｍｎは数平均分子量を示す。

（Ａ１）成分において、（Ａ１２）成分としては、１種を単独で用いてもよく、２種以上を併用しても良い。
（Ａ１）成分が（Ａ１２）成分を有する場合、該（Ａ１）成分中の（Ａ１２）成分の割合は、（Ａ１）成分の総質量に対し、２５質量％以上が好ましく、５０質量％以上がより好ましく、７５質量％以上がさらに好ましく、１００質量％であってもよい。該割合が２５質量％以上であると、リソグラフィー特性等の効果が向上する。

上記（Ａ１１）成分及び（Ａ１２）成分以外の（Ａ１）成分としては、上記コア部を有さないリニア型の高分子化合物成分（Ａ１３）（以下、「（Ａ１３）成分」ということがある。）が挙げられる。
（Ａ１３）成分は、酸解離性溶解抑制基を含む樹脂成分であって、たとえば上記ポリマー鎖Ｙで説明した、構成単位（ａ５）、（ａ７）、（ａ６）、（ａ１）、（ａ２）、（ａ３）、（ａ４）の群から選択される構成単位のいずれかを有する樹脂成分が挙げられ、構成単位（ａ５）及び（ａ７）からなる共重合体が好ましい。
（Ａ１）成分が（Ａ１３）成分を有する場合、該（Ａ１）成分中の（Ａ１３）成分の割合は、（Ａ１）成分の総質量に対し、２５質量％以上が好ましく、５０質量％以上がより好ましい。該割合が２５質量％以上であると、リソグラフィー特性等の本発明の効果が向上する。

本発明において、（Ａ１）成分は、（Ａ１１）成分又は（Ａ１２）成分を有することが好ましく、さらに（Ａ１３）成分を有していてもよい。
かかる（Ａ１）成分としては、たとえば、
（Ａ１１）成分のみからなるもの；
（Ａ１２）成分のみからなるもの；
（Ａ１１）成分及び（Ａ１３）成分からなるもの；
（Ａ１２）成分及び（Ａ１３）成分からなるもの等が好ましいものとして例示できる。

（Ａ）成分中、高分子化合物（Ａ１）としては、１種を単独で用いてもよく、２種以上を併用してもよい。
（Ａ）成分中における高分子化合物（Ａ１）の割合は、５０質量％以上であることが好ましく、７０質量％以上であることがより好ましく、８０質量％以上であることが特に好ましく、１００質量％であることが最も好ましい。

［（Ａ２）成分］
（Ａ２）成分としては、分子量が５００以上４０００未満であって、上述の（Ａ１）成分の説明で例示したような酸解離性溶解抑制基と、親水性基とを有する低分子化合物が好ましい。具体的には、複数のフェノール骨格を有する化合物の水酸基の水素原子の一部が上記酸解離性溶解抑制基で置換されたものが挙げられる。
（Ａ２）成分は、たとえば、非化学増幅型のｇ線やｉ線レジストにおける増感剤や、耐熱性向上剤として知られている低分子量フェノール化合物の水酸基の水素原子の一部を上記酸解離性溶解抑制基で置換したものが好ましく、そのようなものから任意に用いることができる。
かかる低分子量フェノール化合物としては、たとえば、ビス（４−ヒドロキシフェニル）メタン、ビス（２，３，４−トリヒドロキシフェニル）メタン、２−（４−ヒドロキシフェニル）−２−（４’−ヒドロキシフェニル）プロパン、２−（２，３，４−トリヒドロキシフェニル）−２−（２’，３’，４’−トリヒドロキシフェニル）プロパン、トリス（４−ヒドロキシフェニル）メタン、ビス（４−ヒドロキシ−３，５−ジメチルフェニル）−２−ヒドロキシフェニルメタン、ビス（４−ヒドロキシ−２，５−ジメチルフェニル）−２−ヒドロキシフェニルメタン、ビス（４−ヒドロキシ−３，５−ジメチルフェニル）−３，４−ジヒドロキシフェニルメタン、ビス（４−ヒドロキシ−２，５−ジメチルフェニル）−３，４−ジヒドロキシフェニルメタン、ビス（４−ヒドロキシ−３−メチルフェニル）−３，４−ジヒドロキシフェニルメタン、ビス（３−シクロヘキシル−４−ヒドロキシ−６−メチルフェニル）−４−ヒドロキシフェニルメタン、ビス（３−シクロヘキシル−４−ヒドロキシ−６−メチルフェニル）−３，４−ジヒドロキシフェニルメタン、１−［１−（４−ヒドロキシフェニル）イソプロピル］−４−［１，１−ビス（４−ヒドロキシフェニル）エチル］ベンゼン、フェノール、ｍ−クレゾール、ｐ−クレゾールまたはキシレノールなどのフェノール類のホルマリン縮合物の２〜６核体などが挙げられる。勿論これらに限定されるものではない。特には、トリフェニルメタン骨格を２〜６個有するフェノール化合物が、解像性、ＬＷＲに優れることから好ましい。
酸解離性溶解抑制基も特に限定されず、上記したものが挙げられる。
（Ａ２）成分は、１種を単独で用いてもよく、２種以上を組み合わせて用いてもよい。

本発明のレジスト組成物において、（Ａ）成分は、１種を単独で用いてもよく、２種以上を併用してもよい。
上記のなかでも、（Ａ）成分としては、（Ａ１）成分を含有することが好ましく、（Ａ１１）成分又は（Ａ１２）成分を含有することがより好ましい。
本発明のレジスト組成物中、（Ａ）成分の含有量は、形成しようとするレジスト膜厚等に応じて調整すればよい。

（（Ａ１２）成分の製造方法）
（Ａ１２）成分の製造方法としては、特に限定されるものではなく、たとえば、上記コアポリマーを提供する原料に、アニオン重合用カップリング剤として機能するようなポリマー（以下、ポリマー（Ｐ０）という。）を使用し、該ポリマー（Ｐ０）と、アーム部を提供するポリマー（以下、ポリマー（Ｙ０）という。）とを反応させてポリマー（Ａ１２’）を合成し、該ポリマー（Ａ１２’）におけるフェノール性ヒドロキシ基等を保護する保護基の全部または一部を脱離させ、好ましくは酸解離性溶解抑制基などを導入して、（Ａ１２）成分を製造する方法が挙げられる。
かかる方法であれば、各反応の制御が容易であり、（Ａ１２）成分の構造がコントロールしやすいため、好ましい。

まず、ポリマー（Ｐ０）として具体的には、ポリマー（Ｙ０）との反応が良好であり、（Ａ１２）成分を容易に製造できることから、下記一般式（Ｐ００）で表される構成単位を有することが好ましい。

［式（Ｐ００）中、Ｒ、Ｒ^０１、Ｘはそれぞれ上記と同じであり；Ｘｈはハロゲン原子又は下記一般式（６）で表されるエポキシ基を表す。］

［式（６）中、Ｒ_７、Ｒ_８及びＲ_９はそれぞれ独立して水素原子又は炭素数１〜１２のアルキル基を表す。］

Ｘｈは、ハロゲン原子又は前記一般式（６）で表されるエポキシ基を表す。該ハロゲン原子としては、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子が挙げられ、塩素原子、臭素原子が好ましく、臭素原子が最も好ましい。
前記一般式（６）中、Ｒ_７、Ｒ_８及びＲ_９は、それぞれ独立して水素原子又は炭素数１〜５のアルキル基であることが好ましい。
前記一般式（Ｐ００）で表される構成単位を有するポリマーの製造方法としては、特に限定されるものではなく、たとえば、ポリヒドロキシスチレンとクロロメチルハロゲン置換アルキルエーテルとの反応によって製造することができ、その後必要に応じてＣｌ原子をＢｒ化させたり、未置換のヒドロキシスチレンに対してエトキシエチル基を導入してもよい。

式（Ｐ００）で表される構成単位を有するものの中で、好ましくは（Ｐ０−１）〜（Ｐ０−３）で表されるポリマーが挙げられる。

次に、ポリマー（Ｙ０）としては、特に限定されないが、たとえば、アニオン重合開始剤の存在下、前記構成単位（ａ５）を提供するモノマー（ヒドロキシスチレン誘導体化合物）と、所望によりさらにアニオン重合可能なその他の構成単位を提供するモノマーとをアニオン重合反応して得られたポリマーが好ましい。

アニオン重合開始剤としては、アルカリ金属原子又は有機アルカリ金属化合物を例示することができる。
アルカリ金属原子としては、リチウム、ナトリウム、カリウム、セシウム等を例示することができる。
有機アルカリ金属化合物としては、上記アルカリ金属原子のアルキル化物、アリル化物、アリール化物等を例示することができ、具体的には、エチルリチウム、ｎ−ブチルリチウム、ｓ−ブチルリチウム、ｔ−ブチルリチウム、エチルナトリウム、リチウムビフェニル、リチウムナフタレン、リチウムトリフェニル、ナトリウムナフタレン、α−メチルスチレンナトリウムジアニオン、１，１−ジフェニルヘキシルリチウム、１，１−ジフェニル−３−メチルペンチルリチウム等を例示することができる。

アーム部を提供するポリマー（Ｙ０）を合成するアニオン重合法としては、モノマー溶液またはモノマー混合溶液中にアニオン重合開始剤を滴下する方法、アニオン重合開始剤を含む溶液にモノマー溶液またはモノマー混合溶液を滴下する方法のいずれの方法でも行うことができ、分子量及び分子量分布を制御することが容易なことから、アニオン重合開始剤を含む溶液にモノマー溶液またはモノマー混合溶液を滴下する方法が好ましい。
ポリマー（Ｙ０）を合成するアニオン重合法は、通常、窒素、アルゴンなどの不活性ガス雰囲気下、有機溶媒中において、−１００〜５０℃の温度下で行うことが好ましく、−１００〜４０℃の温度下で行うことがより好ましい。

ポリマー（Ｙ０）を合成するアニオン重合法に用いられる有機溶媒としては、ｎ−ヘキサン、ｎ−ヘプタン等の脂肪族炭化水素類；シクロヘキサン、シクロペンタン等の脂環族炭化水素類；ベンゼン、トルエン等の芳香族炭化水素類；ジエチルエーテル、テトラヒドロフラン（ＴＨＦ）、ジオキサン等のエーテル類の他、アニソール、ヘキサメチルホスホルアミド等のアニオン重合法において通常使用される有機溶媒が挙げられ、トルエン、ｎ−ヘキサン、ＴＨＦが好ましい。
有機溶媒は、一種単独で、又は二種以上の混合溶媒として使用することができる。

アーム部を提供するポリマー（Ｙ０）が共重合体である場合、ランダム共重合体、部分ブロック共重合体、完全ブロック共重合体のいずれの重合形態であっても可能である。これらは、重合に用いるモノマーの添加方法を選択することにより、適宜合成することができる。

ポリマー（Ｙ０）を、ポリマー（Ｐ０）に連結させてポリマー（Ａ１２’）を合成する反応は、ポリマー（Ｙ０）を合成するアニオン重合反応終了後、該重合反応液中に、ポリマー（Ｐ０）を添加することにより行うことができる。
かかる反応は、通常、窒素、アルゴン等の不活性ガス雰囲気下で、有機溶媒中において−１００〜５０℃の温度下で行うことが好ましく、−８０〜４０℃の温度下で行うことがより好ましい。これにより、ポリマー（Ａ１２’）の構造が制御され、かつ、分子量分布の狭い重合体を得ることができる。
また、かかるポリマー（Ａ１２’）の合成反応は、アーム部を提供するポリマー（Ｙ０）を合成するアニオン重合反応に用いた有機溶媒中で連続して行うこともできる他、新たに溶媒を添加して組成を変更して、又は溶媒を別の溶媒に置換して行うこともできる。ここで使用可能な溶媒としては、アーム部を提供するポリマー（Ｙ０）を合成するアニオン重合反応に用いられる有機溶媒と同様のものを用いることができる。

このようにして得られたポリマー（Ａ１２’）からフェノール性ヒドロキシ基等を保護する保護基を除去する反応は、前記重合反応で例示した溶媒の他、メタノール、エタノール等のアルコール類；アセトン、メチルエチルケトン、メチルイソブチルケトン（ＭＩＢＫ）等のケトン類；メチルセロソルブ、エチルセロソルブ等の多価アルコール誘導体類；もしくは水などの一種単独又は二種以上の混合溶媒の存在下、塩酸、硫酸、シュウ酸、塩化水素ガス、臭化水素酸、ｐ−トルエンスルホン酸、１，１，１−トリフルオロ酢酸、ＬｉＨＳＯ_４、ＮａＨＳＯ_４又はＫＨＳＯ_４で示される重硫酸塩などの酸性試剤を触媒として、室温以上１５０℃以下の温度下で行われることが好ましい。この反応において、溶媒の種類と濃度、触媒の種類と添加量、および反応温度と反応時間を適当に組み合わせることにより、フェノール性ヒドロキシ基等を保護する保護基の全部または一部を除去することができる。

なお、ポリマー（Ａ１２’）のアーム部に、アクリル酸エステルから誘導される構成単位が含まれる場合、当該構成単位のエステル基を加水分解することによりカルボキシ基に誘導することができる。
この加水分解は、当該技術分野において知られた方法で行うことができ、たとえば、上述の保護基を除去するための条件と同様の条件による酸加水分解により行うことができる。好ましくは、当該エステル基の加水分解は、フェノール性水酸基の除去と同時に行われる。このようにして得られるアクリル酸エステルから誘導される構成単位をアーム部に含むポリマー（Ａ１２’）は、高いアルカリ溶解性を有するため、レジスト材料として特に好ましい。

また、ポリマー（Ａ１２’）からフェノール性ヒドロキシ基等を保護する保護基を除去した後、上記構成単位（ａ１）の説明において例示した酸解離性溶解抑制基などの保護基を新たに導入してもよい。
かかる保護基は、公知の方法（たとえば、塩基性触媒下において、ハロゲン原子を有する保護基前駆体化合物を反応させる方法等）により導入することができる。

以上の製造方法により得られるポリマー（Ａ１２’）は、特に精製することなく利用することができ、必要であれば精製して利用してもよい。
この精製は、当該技術分野において通常用いられる方法により行うことができ、たとえば、分別再沈法により行うことができる。分別再沈法においては、ポリマー溶解性の高い溶媒と低い溶媒との混合溶媒を用いて再沈を行うことが好ましく、たとえば、混合溶媒中でポリマー（Ａ１２’）を加熱溶解し冷却する方法や、ポリマー溶解性の高い溶媒にポリマー（Ａ１２’）を溶解した後にポリマー溶解性の低い溶媒を添加して該ポリマー（Ａ１２’）を析出させることにより精製を行うことができる。

＜（Ｂ）成分＞
（Ｂ）成分としては、特に限定されず、これまで化学増幅型レジスト用の酸発生剤として提案されているものを使用することができる。このような酸発生剤としては、これまで、ヨードニウム塩やスルホニウム塩などのオニウム塩系酸発生剤、オキシムスルホネート系酸発生剤、ビスアルキルまたはビスアリールスルホニルジアゾメタン類、ポリ（ビススルホニル）ジアゾメタン類などのジアゾメタン系酸発生剤、ニトロベンジルスルホネート系酸発生剤、イミノスルホネート系酸発生剤、ジスルホン系酸発生剤など多種のものが知られている。
オニウム塩系酸発生剤として、例えば下記一般式（ｂ−１）または（ｂ−２）で表される化合物を用いることができる。

［式中、Ｒ^１”〜Ｒ^３”，Ｒ^５”〜Ｒ^６”は、それぞれ独立に、アリール基またはアルキル基を表し；式（ｂ−１）におけるＲ^１”〜Ｒ^３”のうち、いずれか２つが相互に結合して式中のイオウ原子と共に環を形成してもよく；Ｒ^４”は、置換基を有していても良いアルキル基、ハロゲン化アルキル基、アリール基、またはアルケニル基を表し；Ｒ^１”〜Ｒ^３”のうち少なくとも１つはアリール基を表し、Ｒ^５”〜Ｒ^６”のうち少なくとも１つはアリール基を表す。］

式（ｂ−１）中、Ｒ^１”〜Ｒ^３”はそれぞれ独立にアリール基またはアルキル基を表す。なお、式（ｂ−１）におけるＲ^１”〜Ｒ^３”のうち、いずれか２つが相互に結合して式中のイオウ原子と共に環を形成してもよい。
また、Ｒ^１”〜Ｒ^３”のうち、少なくとも１つはアリール基を表す。Ｒ^１”〜Ｒ^３”のうち、２以上がアリール基であることが好ましく、Ｒ^１”〜Ｒ^３”のすべてがアリール基であることが最も好ましい。

Ｒ^１”〜Ｒ^３”のアリール基としては、特に制限はなく、例えば、炭素数６〜２０のアリール基であって、該アリール基は、その水素原子の一部または全部がアルキル基、アルコキシ基、ハロゲン原子、水酸基等で置換されていてもよく、されていなくてもよい。
アリール基としては、安価に合成可能なことから、炭素数６〜１０のアリール基が好ましい。具体的には、たとえばフェニル基、ナフチル基が挙げられる。
前記アリール基の水素原子が置換されていてもよいアルキル基としては、炭素数１〜５のアルキル基が好ましく、メチル基、エチル基、プロピル基、ｎ−ブチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基であることが最も好ましい。
前記アリール基の水素原子が置換されていてもよいアルコキシ基としては、炭素数１〜５のアルコキシ基が好ましく、メトキシ基、エトキシ基、ｎ−プロポキシ基、ｉｓｏ−プロポキシ基、ｎ−ブトキシ基、ｔｅｒｔ−ブトキシ基が好ましく、メトキシ基、エトキシ基が最も好ましい。
前記アリール基の水素原子が置換されていてもよいハロゲン原子としては、フッ素原子が好ましい。

Ｒ^１”〜Ｒ^３”のアルキル基としては、特に制限はなく、例えば炭素数１〜１０の直鎖状、分岐鎖状または環状のアルキル基等が挙げられる。解像性に優れる点から、炭素数１〜５であることが好ましい。具体的には、メチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、イソプロピル基、ｎ−ブチル基、イソブチル基、ｎ−ペンチル基、シクロペンチル基、ヘキシル基、シクロヘキシル基、ノニル基、デシル基等が挙げられ、解像性に優れ、また安価に合成可能なことから好ましいものとして、メチル基を挙げることができる。

式（ｂ−１）におけるＲ^１”〜Ｒ^３”のうち、いずれか２つが相互に結合して式中のイオウ原子と共に環を形成する場合、イオウ原子を含めて３〜１０員環を形成していることが好ましく、５〜７員環を形成していることが特に好ましい。
式（ｂ−１）におけるＲ^１”〜Ｒ^３”のうち、いずれか２つが相互に結合して式中のイオウ原子と共に環を形成する場合、残りの１つは、アリール基であることが好ましい。前記アリール基は、前記Ｒ^１”〜Ｒ^３”のアリール基と同様のものが挙げられる。

式（ｂ−１）で表される化合物のカチオン部として、好ましいものとしては、下記式（Ｉ−１−１）〜（Ｉ−１−１０）で表されるカチオン部が挙げられる。これらの中でも、式（Ｉ−１−１）〜（Ｉ−１−８）で表されるカチオン部等の、トリフェニルメタン骨格を有するものが好ましい。
下記式（Ｉ−１−９）〜（Ｉ−１−１０）中、Ｒ^９、Ｒ^１０は、それぞれ独立に、置換基を有していてもよいフェニル基、ナフチル基または炭素数１〜５のアルキル基、アルコキシ基、水酸基である。
ｕは１〜３の整数であり、１または２が最も好ましい。

Ｒ^４”は、置換基を有していても良いアルキル基、ハロゲン化アルキル基、アリール基、またはアルケニル基を表す。
Ｒ^４”におけるアルキル基は、直鎖状、分岐鎖状、環状のいずれであっても良い。
前記直鎖状または分岐鎖状のアルキル基としては、炭素数１〜１０であることが好ましく、炭素数１〜８であることがさらに好ましく、炭素数１〜４であることが最も好ましい。
前記環状のアルキル基としては、炭素数４〜１５であることが好ましく、炭素数４〜１０であることがさらに好ましく、炭素数６〜１０であることが最も好ましい。
Ｒ^４”におけるハロゲン化アルキル基としては、前記直鎖状、分岐鎖状若しくは環状のアルキル基の水素原子の一部または全部がハロゲン原子で置換された基が挙げられる。該ハロゲン原子としては、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子等が挙げられ、フッ素原子が好ましい。
ハロゲン化アルキル基においては、当該ハロゲン化アルキル基に含まれるハロゲン原子および水素原子の合計数に対するハロゲン原子の数の割合（ハロゲン化率（％））が、１０〜１００％であることが好ましく、５０〜１００％であることが好ましく、１００％が最も好ましい。該ハロゲン化率が高いほど、酸の強度が強くなるので好ましい。
前記Ｒ^４”におけるアリール基は、炭素数６〜２０のアリール基であることが好ましい。
前記Ｒ^４”におけるアルケニル基は、炭素数２〜１０のアルケニル基であることが好ましい。
前記Ｒ^４”において、「置換基を有していても良い」とは、前記直鎖状、分岐鎖状若しくは環状のアルキル基、ハロゲン化アルキル基、アリール基、またはアルケニル基における水素原子の一部または全部が置換基（水素原子以外の他の原子または基）で置換されていても良いことを意味する。
Ｒ^４”における置換基の数は１つであってもよく、２つ以上であってもよい。

前記置換基としては、例えば、ハロゲン原子、ヘテロ原子、アルキル基、式：Ｘ−Ｑ^１−［式中、Ｑ^１は酸素原子を含む２価の連結基であり、Ｘは置換基を有していてもよい炭素数３〜３０の炭化水素基である。］で表される基等が挙げられる。
前記ハロゲン原子、アルキル基としては、Ｒ^４”において、ハロゲン化アルキル基におけるハロゲン原子、アルキル基として挙げたもの同様のものが挙げられる。
前記ヘテロ原子としては、酸素原子、窒素原子、硫黄原子等が挙げられる。

Ｘ−Ｑ^１−で表される基において、Ｑ^１は酸素原子を含む２価の連結基である。
Ｑ^１は、酸素原子以外の原子を含有してもよい。酸素原子以外の原子としては、たとえば炭素原子、水素原子、酸素原子、硫黄原子、窒素原子等が挙げられる。
酸素原子を含む２価の連結基としては、たとえば、酸素原子（エーテル結合；−Ｏ−）、エステル結合（−Ｃ（＝Ｏ）−Ｏ−）、アミド結合（−Ｃ（＝Ｏ）−ＮＨ−）、カルボニル基（−Ｃ（＝Ｏ）−）、カーボネート結合（−Ｏ−Ｃ（＝Ｏ）−Ｏ−）等の非炭化水素系の酸素原子含有連結基；該非炭化水素系の酸素原子含有連結基とアルキレン基との組み合わせ等が挙げられる。
該組み合わせとしては、たとえば、−Ｒ^９１−Ｏ−、−Ｒ^９２−Ｏ−Ｃ（＝Ｏ）−、−Ｃ（＝Ｏ）−Ｏ−Ｒ^９３−Ｏ−Ｃ（＝Ｏ）−（式中、Ｒ^９１〜Ｒ^９３はそれぞれ独立にアルキレン基である。）等が挙げられる。
Ｒ^９１〜Ｒ^９３におけるアルキレン基としては、直鎖状または分岐鎖状のアルキレン基が好ましく、該アルキレン基の炭素数は、１〜１２が好ましく、１〜５がより好ましく、１〜３が特に好ましい。
該アルキレン基として、具体的には、たとえばメチレン基［−ＣＨ_２−］；−ＣＨ（ＣＨ_３）−、−ＣＨ（ＣＨ_２ＣＨ_３）−、−Ｃ（ＣＨ_３）_２−、−Ｃ（ＣＨ_３）（ＣＨ_２ＣＨ_３）−、−Ｃ（ＣＨ_３）（ＣＨ_２ＣＨ_２ＣＨ_３）−、−Ｃ（ＣＨ_２ＣＨ_３）_２−等のアルキルメチレン基；エチレン基［−ＣＨ_２ＣＨ_２−］；−ＣＨ（ＣＨ_３）ＣＨ_２−、−ＣＨ（ＣＨ_３）ＣＨ（ＣＨ_３）−、−Ｃ（ＣＨ_３）_２ＣＨ_２−、−ＣＨ（ＣＨ_２ＣＨ_３）ＣＨ_２−等のアルキルエチレン基；トリメチレン基（ｎ−プロピレン基）［−ＣＨ_２ＣＨ_２ＣＨ_２−］；−ＣＨ（ＣＨ_３）ＣＨ_２ＣＨ_２−、−ＣＨ_２ＣＨ（ＣＨ_３）ＣＨ_２−等のアルキルトリメチレン基；テトラメチレン基［−ＣＨ_２ＣＨ_２ＣＨ_２ＣＨ_２−］；−ＣＨ（ＣＨ_３）ＣＨ_２ＣＨ_２ＣＨ_２−、−ＣＨ_２ＣＨ（ＣＨ_３）ＣＨ_２ＣＨ_２−等のアルキルテトラメチレン基；ペンタメチレン基［−ＣＨ_２ＣＨ_２ＣＨ_２ＣＨ_２ＣＨ_２−］等が挙げられる。
Ｑ^１としては、エステル結合またはエーテル結合を含む２価の連結基が好ましく、なかでも、−Ｒ^９１−Ｏ−、−Ｒ^９２−Ｏ−Ｃ（＝Ｏ）−または−Ｃ（＝Ｏ）−Ｏ−Ｒ^９３−Ｏ−Ｃ（＝Ｏ）−が好ましい。

Ｘ−Ｑ^１−で表される基において、Ｘの炭化水素基は、芳香族炭化水素基であってもよく、脂肪族炭化水素基であってもよい。
芳香族炭化水素基は、芳香環を有する炭化水素基である。該芳香族炭化水素基の炭素数は３〜３０であることが好ましく、５〜３０であることがより好ましく、５〜２０がさらに好ましく、６〜１５が特に好ましく、６〜１２が最も好ましい。ただし、該炭素数には、置換基における炭素数を含まないものとする。
芳香族炭化水素基として、具体的には、フェニル基、ビフェニル（ｂｉｐｈｅｎｙｌ）基、フルオレニル（ｆｌｕｏｒｅｎｙｌ）基、ナフチル基、アントリル（ａｎｔｈｒｙｌ）基、フェナントリル基等の、芳香族炭化水素環から水素原子を１つ除いたアリール基、ベンジル基、フェネチル基、１−ナフチルメチル基、２−ナフチルメチル基、１−ナフチルエチル基、２−ナフチルエチル基等のアリールアルキル基等が挙げられる。前記アリールアルキル基中のアルキル鎖の炭素数は、１〜４であることが好ましく、１〜２であることがより好ましく、１であることが特に好ましい。
該芳香族炭化水素基は、置換基を有していてもよい。たとえば当該芳香族炭化水素基が有する芳香環を構成する炭素原子の一部がヘテロ原子で置換されていてもよく、当該芳香族炭化水素基が有する芳香環に結合した水素原子が置換基で置換されていてもよい。
前者の例としては、前記アリール基の環を構成する炭素原子の一部が酸素原子、硫黄原子、窒素原子等のヘテロ原子で置換されたヘテロアリール基、前記アリールアルキル基中の芳香族炭化水素環を構成する炭素原子の一部が前記ヘテロ原子で置換されたヘテロアリールアルキル基等が挙げられる。
後者の例における芳香族炭化水素基の置換基としては、たとえば、アルキル基、アルコキシ基、ハロゲン原子、ハロゲン化アルキル基、水酸基、酸素原子（＝Ｏ）等が挙げられる。
前記芳香族炭化水素基の置換基としてのアルキル基としては、炭素数１〜５のアルキル基が好ましく、メチル基、エチル基、プロピル基、ｎ−ブチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基であることが最も好ましい。
前記芳香族炭化水素基の置換基としてのアルコキシ基としては、炭素数１〜５のアルコキシ基が好ましく、メトキシ基、エトキシ基、ｎ−プロポキシ基、ｉｓｏ−プロポキシ基、ｎ−ブトキシ基、ｔｅｒｔ−ブトキシ基が好ましく、メトキシ基、エトキシ基が最も好ましい。
前記芳香族炭化水素基の置換基としてのハロゲン原子としては、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子等が挙げられ、フッ素原子が好ましい。
前記芳香族炭化水素基の置換基としてのハロゲン化アルキル基としては、前記アルキル基の水素原子の一部または全部が前記ハロゲン原子で置換された基が挙げられる。

Ｘにおける脂肪族炭化水素基は、飽和脂肪族炭化水素基であってもよく、不飽和脂肪族炭化水素基であってもよい。また、脂肪族炭化水素基は、直鎖状、分岐鎖状、環状のいずれであってもよい。
Ｘにおいて、脂肪族炭化水素基は、当該脂肪族炭化水素基を構成する炭素原子の一部がヘテロ原子を含む置換基で置換されていてもよく、当該脂肪族炭化水素基を構成する水素原子の一部または全部がヘテロ原子を含む置換基で置換されていてもよい。
Ｘにおける「ヘテロ原子」としては、炭素原子および水素原子以外の原子であれば特に限定されず、たとえばハロゲン原子、酸素原子、硫黄原子、窒素原子等が挙げられる。ハロゲン原子としては、フッ素原子、塩素原子、ヨウ素原子、臭素原子等が挙げられる。
ヘテロ原子を含む置換基は、前記ヘテロ原子のみからなるものであってもよく、前記ヘテロ原子以外の基または原子を含む基であってもよい。
炭素原子の一部を置換する置換基として、具体的には、たとえば−Ｏ−、−Ｃ（＝Ｏ）−Ｏ−、−Ｃ（＝Ｏ）−、−Ｏ−Ｃ（＝Ｏ）−Ｏ−、−Ｃ（＝Ｏ）−ＮＨ−、−ＮＨ−（Ｈがアルキル基、アシル基等の置換基で置換されていてもよい）、−Ｓ−、−Ｓ（＝Ｏ）_２−、−Ｓ（＝Ｏ）_２−Ｏ−等が挙げられる。脂肪族炭化水素基が環状である場合、これらの置換基を環構造中に含んでいてもよい。
水素原子の一部または全部を置換する置換基として、具体的には、たとえばアルコキシ基、ハロゲン原子、ハロゲン化アルキル基、水酸基、酸素原子（＝Ｏ）、シアノ基等が挙げられる。
前記アルコキシ基としては、炭素数１〜５のアルコキシ基が好ましく、メトキシ基、エトキシ基、ｎ−プロポキシ基、ｉｓｏ−プロポキシ基、ｎ−ブトキシ基、ｔｅｒｔ−ブトキシ基が好ましく、メトキシ基、エトキシ基が最も好ましい。
前記ハロゲン原子としては、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子等が挙げられ、フッ素原子が好ましい。
前記ハロゲン化アルキル基としては、炭素数１〜５のアルキル基、たとえばメチル基、エチル基、プロピル基、ｎ−ブチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基等のアルキル基の水素原子の一部または全部が前記ハロゲン原子で置換された基が挙げられる。

脂肪族炭化水素基としては、直鎖状もしくは分岐鎖状の飽和炭化水素基、直鎖状もしくは分岐鎖状の１価の不飽和炭化水素基、または環状の脂肪族炭化水素基（脂肪族環式基）が好ましい。
直鎖状の飽和炭化水素基（アルキル基）としては、炭素数が１〜２０であることが好ましく、１〜１５であることがより好ましく、１〜１０が最も好ましい。具体的には、例えば、メチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、ヘプチル基、オクチル基、ノニル基、デシル基、ウンデシル基、ドデシル基、トリデシル基、イソトリデシル基、テトラデシル基、ペンタデシル基、ヘキサデシル基、イソヘキサデシル基、ヘプタデシル基、オクタデシル基、ノナデシル基、イコシル基、ヘンイコシル基、ドコシル基等が挙げられる。
分岐鎖状の飽和炭化水素基（アルキル基）としては、炭素数が３〜２０であることが好ましく、３〜１５であることがより好ましく、３〜１０が最も好ましい。具体的には、例えば、１−メチルエチル基、１−メチルプロピル基、２−メチルプロピル基、１−メチルブチル基、２−メチルブチル基、３−メチルブチル基、１−エチルブチル基、２−エチルブチル基、１−メチルペンチル基、２−メチルペンチル基、３−メチルペンチル基、４−メチルペンチル基などが挙げられる。

不飽和炭化水素基としては、炭素数が２〜１０であることが好ましく、２〜５が好ましく、２〜４が好ましく、３が特に好ましい。直鎖状の１価の不飽和炭化水素基としては、例えば、ビニル基、プロペニル基（アリル基）、ブチニル基などが挙げられる。分岐鎖状の１価の不飽和炭化水素基としては、例えば、１−メチルプロペニル基、２−メチルプロペニル基などが挙げられる。
不飽和炭化水素基としては、上記の中でも、特にプロペニル基が好ましい。

脂肪族環式基としては、単環式基であってもよく、多環式基であってもよい。その炭素数は３〜３０であることが好ましく、５〜３０であることがより好ましく、５〜２０がさらに好ましく、６〜１５が特に好ましく、６〜１２が最も好ましい。
具体的には、たとえば、モノシクロアルカンから１個以上の水素原子を除いた基；ビシクロアルカン、トリシクロアルカン、テトラシクロアルカンなどのポリシクロアルカンから１個以上の水素原子を除いた基などが挙げられる。より具体的には、シクロペンタン、シクロヘキサン等のモノシクロアルカンから１個以上の水素原子を除いた基；アダマンタン、ノルボルナン、イソボルナン、トリシクロデカン、テトラシクロドデカンなどのポリシクロアルカンから１個以上の水素原子を除いた基などが挙げられる。
脂肪族環式基が、その環構造中にヘテロ原子を含む置換基を含まない場合は、脂肪族環式基としては、多環式基が好ましく、ポリシクロアルカンから１個以上の水素原子を除いた基が好ましく、アダマンタンから１個以上の水素原子を除いた基が最も好ましい。
脂肪族環式基が、その環構造中にヘテロ原子を含む置換基を含むものである場合、該ヘテロ原子を含む置換基としては、−Ｏ−、−Ｃ（＝Ｏ）−Ｏ−、−Ｓ−、−Ｓ（＝Ｏ）_２−、−Ｓ（＝Ｏ）_２−Ｏ−が好ましい。かかる脂肪族環式基の具体例としては、たとえば下記式（Ｌ１）〜（Ｌ５）、（Ｓ１）〜（Ｓ４）等が挙げられる。

［式中、Ｑ”は炭素数１〜５のアルキレン基、−Ｏ−、−Ｓ−、−Ｏ−Ｒ^９４−または−Ｓ−Ｒ^９５−であり、Ｒ^９４およびＲ^９５はそれぞれ独立に炭素数１〜５のアルキレン基であり、ｍは０または１の整数である。］

式中、Ｑ”、Ｒ^９４およびＲ^９５におけるアルキレン基としては、それぞれ、前記Ｒ^９１〜Ｒ^９３におけるアルキレン基と同様のものが挙げられる。
これらの脂肪族環式基は、その環構造を構成する炭素原子に結合した水素原子の一部が置換基で置換されていてもよい。該置換基としては、たとえばアルキル基、アルコキシ基、ハロゲン原子、ハロゲン化アルキル基、水酸基、酸素原子（＝Ｏ）等が挙げられる。
前記アルキル基としては、炭素数１〜５のアルキル基が好ましく、メチル基、エチル基、プロピル基、ｎ−ブチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基であることが特に好ましい。
前記アルコキシ基、ハロゲン原子はそれぞれ前記水素原子の一部または全部を置換する置換基として挙げたものと同様のものが挙げられる。

本発明において、Ｘは、置換基を有していてもよい環式基であることが好ましい。該環式基は、置換基を有していてもよい芳香族炭化水素基であってもよく、置換基を有していてもよい脂肪族環式基であってもよく、置換基を有していてもよい脂肪族環式基であることが好ましい。
前記芳香族炭化水素基としては、置換基を有していてもよいナフチル基、または置換基を有していてもよいフェニル基が好ましい。
置換基を有していてもよい脂肪族環式基としては、置換基を有していてもよい多環式の脂肪族環式基が好ましい。該多環式の脂肪族環式基としては、前記ポリシクロアルカンから１個以上の水素原子を除いた基、前記（Ｌ２）〜（Ｌ５）、（Ｓ３）〜（Ｓ４）等が好ましい。

本発明において、Ｒ^４”は、置換基としてＸ−Ｑ^１−を有することが好ましい。この場合、Ｒ^４”としては、Ｘ−Ｑ^１−Ｙ^１−［式中、Ｑ^１およびＸは前記と同じであり、Ｙ^１は置換基を有していてもよい炭素数１〜４のアルキレン基または置換基を有していてもよい炭素数１〜４のフッ素化アルキレン基である。］で表される基が好ましい。
Ｘ−Ｑ^１−Ｙ^１−で表される基において、Ｙ^１のアルキレン基としては、前記Ｑ^１で挙げたアルキレン基のうち炭素数１〜４のものと同様のものが挙げられる。
フッ素化アルキレン基としては、該アルキレン基の水素原子の一部または全部がフッ素原子で置換された基が挙げられる。
Ｙ^１として、具体的には、−ＣＦ_２−、−ＣＦ_２ＣＦ_２−、−ＣＦ_２ＣＦ_２ＣＦ_２−、−ＣＦ（ＣＦ_３）ＣＦ_２−、−ＣＦ（ＣＦ_２ＣＦ_３）−、−Ｃ（ＣＦ_３）_２−、−ＣＦ_２ＣＦ_２ＣＦ_２ＣＦ_２−、−ＣＦ（ＣＦ_３）ＣＦ_２ＣＦ_２−、−ＣＦ_２ＣＦ（ＣＦ_３）ＣＦ_２−、−ＣＦ（ＣＦ_３）ＣＦ（ＣＦ_３）−、−Ｃ（ＣＦ_３）_２ＣＦ_２−、−ＣＦ（ＣＦ_２ＣＦ_３）ＣＦ_２−、−ＣＦ（ＣＦ_２ＣＦ_２ＣＦ_３）−、−Ｃ（ＣＦ_３）（ＣＦ_２ＣＦ_３）−；−ＣＨＦ−、−ＣＨ_２ＣＦ_２−、−ＣＨ_２ＣＨ_２ＣＦ_２−、−ＣＨ_２ＣＦ_２ＣＦ_２−、−ＣＨ（ＣＦ_３）ＣＨ_２−、−ＣＨ（ＣＦ_２ＣＦ_３）−、−Ｃ（ＣＨ_３）（ＣＦ_３）−、−ＣＨ_２ＣＨ_２ＣＨ_２ＣＦ_２−、−ＣＨ_２ＣＨ_２ＣＦ_２ＣＦ_２−、−ＣＨ（ＣＦ_３）ＣＨ_２ＣＨ_２−、−ＣＨ_２ＣＨ（ＣＦ_３）ＣＨ_２−、−ＣＨ（ＣＦ_３）ＣＨ（ＣＦ_３）−、−Ｃ（ＣＦ_３）_２ＣＨ_２−；−ＣＨ_２−、−ＣＨ_２ＣＨ_２−、−ＣＨ_２ＣＨ_２ＣＨ_２−、−ＣＨ（ＣＨ_３）ＣＨ_２−、−ＣＨ（ＣＨ_２ＣＨ_３）−、−Ｃ（ＣＨ_３）_２−、−ＣＨ_２ＣＨ_２ＣＨ_２ＣＨ_２−、−ＣＨ（ＣＨ_３）ＣＨ_２ＣＨ_２−、−ＣＨ_２ＣＨ（ＣＨ_３）ＣＨ_２−、−ＣＨ（ＣＨ_３）ＣＨ（ＣＨ_３）−、−Ｃ（ＣＨ_３）_２ＣＨ_２−、−ＣＨ（ＣＨ_２ＣＨ_３）ＣＨ_２−、−ＣＨ（ＣＨ_２ＣＨ_２ＣＨ_３）−、−Ｃ（ＣＨ_３）（ＣＨ_２ＣＨ_３）−等が挙げられる。

Ｙ^１としては、フッ素化アルキレン基が好ましく、特に、隣接する硫黄原子に結合する炭素原子がフッ素化されているフッ素化アルキレン基が好ましい。このようなフッ素化アルキレン基としては、−ＣＦ_２−、−ＣＦ_２ＣＦ_２−、−ＣＦ_２ＣＦ_２ＣＦ_２−、−ＣＦ（ＣＦ_３）ＣＦ_２−、−ＣＦ_２ＣＦ_２ＣＦ_２ＣＦ_２−、−ＣＦ（ＣＦ_３）ＣＦ_２ＣＦ_２−、−ＣＦ_２ＣＦ（ＣＦ_３）ＣＦ_２−、−ＣＦ（ＣＦ_３）ＣＦ（ＣＦ_３）−、−Ｃ（ＣＦ_３）_２ＣＦ_２−、−ＣＦ（ＣＦ_２ＣＦ_３）ＣＦ_２−；−ＣＨ_２ＣＦ_２−、−ＣＨ_２ＣＨ_２ＣＦ_２−、−ＣＨ_２ＣＦ_２ＣＦ_２−；−ＣＨ_２ＣＨ_２ＣＨ_２ＣＦ_２−、−ＣＨ_２ＣＨ_２ＣＦ_２ＣＦ_２−、−ＣＨ_２ＣＦ_２ＣＦ_２ＣＦ_２−等を挙げることができる。
これらの中でも、−ＣＦ_２−、−ＣＦ_２ＣＦ_２−、−ＣＦ_２ＣＦ_２ＣＦ_２−、又はＣＨ_２ＣＦ_２ＣＦ_２−が好ましく、−ＣＦ_２−、−ＣＦ_２ＣＦ_２−又は−ＣＦ_２ＣＦ_２ＣＦ_２−がより好ましく、−ＣＦ_２−が特に好ましい。

前記アルキレン基またはフッ素化アルキレン基は、置換基を有していてもよい。アルキレン基またはフッ素化アルキレン基が「置換基を有する」とは、当該アルキレン基またはフッ素化アルキレン基における水素原子またはフッ素原子の一部または全部が、水素原子およびフッ素原子以外の原子または基で置換されていることを意味する。
アルキレン基またはフッ素化アルキレン基が有していてもよい置換基としては、炭素数１〜４のアルキル基、炭素数１〜４のアルコキシ基、水酸基等が挙げられる。

式（ｂ−２）中、Ｒ^５”〜Ｒ^６”はそれぞれ独立にアリール基またはアルキル基を表す。Ｒ^５”〜Ｒ^６”のうち、少なくとも１つはアリール基を表す。Ｒ^５”〜Ｒ^６”のすべてがアリール基であることが好ましい。
Ｒ^５”〜Ｒ^６”のアリール基としては、Ｒ^１”〜Ｒ^３”のアリール基と同様のものが挙げられる。
Ｒ^５”〜Ｒ^６”のアルキル基としては、Ｒ^１”〜Ｒ^３”のアルキル基と同様のものが挙げられる。
これらの中で、Ｒ^５”〜Ｒ^６”はすべてフェニル基であることが最も好ましい。
式（ｂ−２）中のＲ^４”としては上記式（ｂ−１）のＲ^４”と同様のものが挙げられる。

式（ｂ−１）、（ｂ−２）で表されるオニウム塩系酸発生剤の具体例としては、ジフェニルヨードニウムのトリフルオロメタンスルホネートまたはノナフルオロブタンスルホネート、ビス（４−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）ヨードニウムのトリフルオロメタンスルホネートまたはノナフルオロブタンスルホネート、トリフェニルスルホニウムのトリフルオロメタンスルホネート、そのヘプタフルオロプロパンスルホネートまたはそのノナフルオロブタンスルホネート、トリ（４−メチルフェニル）スルホニウムのトリフルオロメタンスルホネート、そのヘプタフルオロプロパンスルホネートまたはそのノナフルオロブタンスルホネート、ジメチル（４−ヒドロキシナフチル）スルホニウムのトリフルオロメタンスルホネート、そのヘプタフルオロプロパンスルホネートまたはそのノナフルオロブタンスルホネート、モノフェニルジメチルスルホニウムのトリフルオロメタンスルホネート、そのヘプタフルオロプロパンスルホネートまたはそのノナフルオロブタンスルホネート；ジフェニルモノメチルスルホニウムのトリフルオロメタンスルホネート、そのヘプタフルオロプロパンスルホネートまたはそのノナフルオロブタンスルホネート、（４−メチルフェニル）ジフェニルスルホニウムのトリフルオロメタンスルホネート、そのヘプタフルオロプロパンスルホネートまたはそのノナフルオロブタンスルホネート、（４−メトキシフェニル）ジフェニルスルホニウムのトリフルオロメタンスルホネート、そのヘプタフルオロプロパンスルホネートまたはそのノナフルオロブタンスルホネート、トリ（４−ｔｅｒｔ−ブチル）フェニルスルホニウムのトリフルオロメタンスルホネート、そのヘプタフルオロプロパンスルホネートまたはそのノナフルオロブタンスルホネート、ジフェニル（１−（４−メトキシ）ナフチル）スルホニウムのトリフルオロメタンスルホネート、そのヘプタフルオロプロパンスルホネートまたはそのノナフルオロブタンスルホネート、ジ（１−ナフチル）フェニルスルホニウムのトリフルオロメタンスルホネート、そのヘプタフルオロプロパンスルホネートまたはそのノナフルオロブタンスルホネート；１−フェニルテトラヒドロチオフェニウムのトリフルオロメタンスルホネート、そのヘプタフルオロプロパンスルホネートまたはそのノナフルオロブタンスルホネート；１−（４−メチルフェニル）テトラヒドロチオフェニウムのトリフルオロメタンスルホネート、そのヘプタフルオロプロパンスルホネートまたはそのノナフルオロブタンスルホネート；１−（３，５−ジメチル−４−ヒドロキシフェニル）テトラヒドロチオフェニウムのトリフルオロメタンスルホネート、そのヘプタフルオロプロパンスルホネートまたはそのノナフルオロブタンスルホネート；１−（４−メトキシナフタレン−１−イル）テトラヒドロチオフェニウムのトリフルオロメタンスルホネート、そのヘプタフルオロプロパンスルホネートまたはそのノナフルオロブタンスルホネート；１−（４−エトキシナフタレン−１−イル）テトラヒドロチオフェニウムのトリフルオロメタンスルホネート、そのヘプタフルオロプロパンスルホネートまたはそのノナフルオロブタンスルホネート；１−（４−ｎ−ブトキシナフタレン−１−イル）テトラヒドロチオフェニウムのトリフルオロメタンスルホネート、そのヘプタフルオロプロパンスルホネートまたはそのノナフルオロブタンスルホネート；１−フェニルテトラヒドロチオピラニウムのトリフルオロメタンスルホネート、そのヘプタフルオロプロパンスルホネートまたはそのノナフルオロブタンスルホネート；１−（４−ヒドロキシフェニル）テトラヒドロチオピラニウムのトリフルオロメタンスルホネート、そのヘプタフルオロプロパンスルホネートまたはそのノナフルオロブタンスルホネート；１−（３，５−ジメチル−４−ヒドロキシフェニル）テトラヒドロチオピラニウムのトリフルオロメタンスルホネート、そのヘプタフルオロプロパンスルホネートまたはそのノナフルオロブタンスルホネート；１−（４−メチルフェニル）テトラヒドロチオピラニウムのトリフルオロメタンスルホネート、そのヘプタフルオロプロパンスルホネートまたはそのノナフルオロブタンスルホネート等が挙げられる。
また、これらのオニウム塩のアニオン部をメタンスルホネート、ｎ−プロパンスルホネート、ｎ−ブタンスルホネート、ｎ−オクタンスルホネート等のアルキルスルホネートに置き換えたオニウム塩も用いることができる。
また、これらのオニウム塩のアニオン部を下記式（ｂ１）〜（ｂ８）のいずれかで表されるアニオン部に置き換えたオニウム塩も用いることができる。

［式中、ｐは１〜３の整数であり、ｑ１〜ｑ２はそれぞれ独立に１〜５の整数であり、ｑ３は１〜１２の整数であり、ｔ３は１〜３の整数であり、ｒ１〜ｒ２はそれぞれ独立に０〜３の整数であり、ｇは１〜２０の整数であり、Ｒ^７は置換基であり、ｎ１〜ｎ５はそれぞれ独立に０または１であり、ｖ０〜ｖ５はそれぞれ独立に０〜３の整数であり、ｗ１〜ｗ５はそれぞれ独立に０〜３の整数であり、Ｑ”は前記と同じである。］

Ｒ^７の置換基としては、前記Ｘにおいて、脂肪族炭化水素基が有していてもよい置換基、芳香族炭化水素基が有していてもよい置換基として挙げたものと同様のものが挙げられる。
Ｒ^７に付された符号（ｒ１〜ｒ２、ｗ１〜ｗ５）が２以上の整数である場合、当該化合物中の複数のＲ^７はそれぞれ同じであってもよく、異なっていてもよい。

また、オニウム塩系酸発生剤としては、前記一般式（ｂ−１）又は（ｂ−２）において、アニオン部を下記一般式（ｂ−３）又は（ｂ−４）で表されるアニオン部に置き換えたオニウム塩系酸発生剤も用いることができる（カチオン部は（ｂ−１）又は（ｂ−２）と同様）。

［式中、Ｘ”は、少なくとも１つの水素原子がフッ素原子で置換された炭素数２〜６のアルキレン基を表し；Ｙ”、Ｚ”は、それぞれ独立に、少なくとも１つの水素原子がフッ素原子で置換された炭素数１〜１０のアルキル基を表す。］

Ｘ”は、少なくとも１つの水素原子がフッ素原子で置換された直鎖状または分岐鎖状のアルキレン基であり、該アルキレン基の炭素数は２〜６であり、好ましくは炭素数３〜５、最も好ましくは炭素数３である。
Ｙ”、Ｚ”は、それぞれ独立に、少なくとも１つの水素原子がフッ素原子で置換された直鎖状または分岐鎖状のアルキル基であり、該アルキル基の炭素数は１〜１０であり、好ましくは炭素数１〜７、より好ましくは炭素数１〜３である。
Ｘ”のアルキレン基の炭素数またはＹ”、Ｚ”のアルキル基の炭素数は、上記炭素数の範囲内において、レジスト溶媒への溶解性も良好である等の理由により、小さいほど好ましい。
また、Ｘ”のアルキレン基またはＹ”、Ｚ”のアルキル基において、フッ素原子で置換されている水素原子の数が多いほど、酸の強度が強くなり、また２００ｎｍ以下の高エネルギー光や電子線に対する透明性が向上するので好ましい。該アルキレン基またはアルキル基中のフッ素原子の割合、すなわちフッ素化率は、好ましくは７０〜１００％、さらに好ましくは９０〜１００％であり、最も好ましくは、全ての水素原子がフッ素原子で置換されたパーフルオロアルキレン基またはパーフルオロアルキル基である。

また、下記一般式（ｂ−５）または（ｂ−６）で表されるカチオン部を有するスルホニウム塩をオニウム塩系酸発生剤として用いることもできる。

［式中、Ｒ^４１〜Ｒ^４６はそれぞれ独立してアルキル基、アセチル基、アルコキシ基、カルボキシ基、水酸基またはヒドロキシアルキル基であり；ｎ_１〜ｎ_５はそれぞれ独立して０〜３の整数であり、ｎ_６は０〜２の整数である。］

Ｒ^４１〜Ｒ^４６において、アルキル基は、炭素数１〜５のアルキル基が好ましく、なかでも直鎖または分岐鎖状のアルキル基がより好ましく、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ｎ−ブチル基、又はｔｅｒｔ−ブチル基であることが特に好ましい。
アルコキシ基は、炭素数１〜５のアルコキシ基が好ましく、なかでも直鎖または分岐鎖状のアルコキシ基がより好ましく、メトキシ基、エトキシ基が特に好ましい。
ヒドロキシアルキル基は、上記アルキル基中の一個又は複数個の水素原子がヒドロキシ基に置換した基が好ましく、ヒドロキシメチル基、ヒドロキシエチル基、ヒドロキシプロピル基等が挙げられる。
Ｒ^４１〜Ｒ^４６に付された符号ｎ_１〜ｎ_６が２以上の整数である場合、複数のＲ^４１〜Ｒ^４６はそれぞれ同じであってもよく、異なっていてもよい。
ｎ_１は、好ましくは０〜２であり、より好ましくは０又は１であり、さらに好ましくは０である。
ｎ_２およびｎ_３は、好ましくはそれぞれ独立して０又は１であり、より好ましくは０である。
ｎ_４は、好ましくは０〜２であり、より好ましくは０又は１である。
ｎ_５は、好ましくは０又は１であり、より好ましくは０である。
ｎ_６は、好ましくは０又は１であり、より好ましくは１である。

式（ｂ−５）または（ｂ−６）で表されるカチオン部を有するスルホニウム塩のアニオン部は、特に限定されず、これまで提案されているオニウム塩系酸発生剤のアニオン部と同様のものであってよい。かかるアニオン部としては、たとえば上記一般式（ｂ−１）または（ｂ−２）で表されるオニウム塩系酸発生剤のアニオン部（Ｒ^４”ＳＯ_３ ⁻）等のフッ素化アルキルスルホン酸イオン；上記一般式（ｂ−３）又は（ｂ−４）で表されるアニオン部等が挙げられる。

本明細書において、オキシムスルホネート系酸発生剤とは、下記一般式（Ｂ−１）で表される基を少なくとも１つ有する化合物であって、放射線の照射によって酸を発生する特性を有するものである。この様なオキシムスルホネート系酸発生剤は、化学増幅型レジスト組成物用として多用されているので、任意に選択して用いることができる。

[式（Ｂ−１）中、Ｒ^３１、Ｒ^３２はそれぞれ独立に有機基を表す。]

Ｒ^３１、Ｒ^３２の有機基は、炭素原子を含む基であり、炭素原子以外の原子（たとえば水素原子、酸素原子、窒素原子、硫黄原子、ハロゲン原子（フッ素原子、塩素原子等）等）を有していてもよい。
Ｒ^３１の有機基としては、直鎖状、分岐鎖状または環状のアルキル基またはアリール基が好ましい。これらのアルキル基、アリール基は置換基を有していても良い。該置換基としては、特に制限はなく、たとえばフッ素原子、炭素数１〜６の直鎖状、分岐鎖状または環状のアルキル基等が挙げられる。ここで、「置換基を有する」とは、アルキル基またはアリール基の水素原子の一部または全部が置換基で置換されていることを意味する。
アルキル基としては、炭素数１〜２０が好ましく、炭素数１〜１０がより好ましく、炭素数１〜８がさらに好ましく、炭素数１〜６が特に好ましく、炭素数１〜４が最も好ましい。アルキル基としては、特に、部分的または完全にハロゲン化されたアルキル基（以下、ハロゲン化アルキル基ということがある）が好ましい。なお、部分的にハロゲン化されたアルキル基とは、水素原子の一部がハロゲン原子で置換されたアルキル基を意味し、完全にハロゲン化されたアルキル基とは、水素原子の全部がハロゲン原子で置換されたアルキル基を意味する。ハロゲン原子としては、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子等が挙げられ、特にフッ素原子が好ましい。すなわち、ハロゲン化アルキル基は、フッ素化アルキル基であることが好ましい。
アリール基は、炭素数４〜２０が好ましく、炭素数４〜１０がより好ましく、炭素数６〜１０が最も好ましい。アリール基としては、特に、部分的または完全にハロゲン化されたアリール基が好ましい。なお、部分的にハロゲン化されたアリール基とは、水素原子の一部がハロゲン原子で置換されたアリール基を意味し、完全にハロゲン化されたアリール基とは、水素原子の全部がハロゲン原子で置換されたアリール基を意味する。
Ｒ^３１としては、特に、置換基を有さない炭素数１〜４のアルキル基、または炭素数１〜４のフッ素化アルキル基が好ましい。
Ｒ^３２の有機基としては、直鎖状、分岐鎖状または環状のアルキル基、アリール基またはシアノ基が好ましい。Ｒ^３２のアルキル基、アリール基としては、前記Ｒ^３１で挙げたアルキル基、アリール基と同様のものが挙げられる。
Ｒ^３２としては、特に、シアノ基、置換基を有さない炭素数１〜８のアルキル基、または炭素数１〜８のフッ素化アルキル基が好ましい。

オキシムスルホネート系酸発生剤として、さらに好ましいものとしては、下記一般式（Ｂ−２）または（Ｂ−３）で表される化合物が挙げられる。

［式（Ｂ−２）中、Ｒ^３３は、シアノ基、置換基を有さないアルキル基またはハロゲン化アルキル基である。Ｒ^３４はアリール基である。Ｒ^３５は置換基を有さないアルキル基またはハロゲン化アルキル基である。］

［式（Ｂ−３）中、Ｒ^３６はシアノ基、置換基を有さないアルキル基またはハロゲン化アルキル基である。Ｒ^３７は２または３価の芳香族炭化水素基である。Ｒ^３８は置換基を有さないアルキル基またはハロゲン化アルキル基である。ｐ”は２または３である。］

前記一般式（Ｂ−２）において、Ｒ^３３の置換基を有さないアルキル基またはハロゲン化アルキル基は、炭素数が１〜１０であることが好ましく、炭素数１〜８がより好ましく、炭素数１〜６が最も好ましい。
Ｒ^３３としては、ハロゲン化アルキル基が好ましく、フッ素化アルキル基がより好ましい。
Ｒ^３３におけるフッ素化アルキル基は、アルキル基の水素原子が５０％以上フッ素化されていることが好ましく、７０％以上フッ素化されていることがより好ましく、９０％以上フッ素化されていることが特に好ましい。
Ｒ^３４のアリール基としては、フェニル基、ビフェニル（ｂｉｐｈｅｎｙｌ）基、フルオレニル（ｆｌｕｏｒｅｎｙｌ）基、ナフチル基、アントリル（ａｎｔｈｒｙｌ）基、フェナントリル基等の、芳香族炭化水素の環から水素原子を１つ除いた基、およびこれらの基の環を構成する炭素原子の一部が酸素原子、硫黄原子、窒素原子等のヘテロ原子で置換されたヘテロアリール基等が挙げられる。これらのなかでも、フルオレニル基が好ましい。
Ｒ^３４のアリール基は、炭素数１〜１０のアルキル基、ハロゲン化アルキル基、アルコキシ基等の置換基を有していても良い。該置換基におけるアルキル基またはハロゲン化アルキル基は、炭素数が１〜８であることが好ましく、炭素数１〜４がさらに好ましい。また、該ハロゲン化アルキル基は、フッ素化アルキル基であることが好ましい。
Ｒ^３５の置換基を有さないアルキル基またはハロゲン化アルキル基は、炭素数が１〜１０であることが好ましく、炭素数１〜８がより好ましく、炭素数１〜６が最も好ましい。
Ｒ^３５としては、ハロゲン化アルキル基が好ましく、フッ素化アルキル基がより好ましい。
Ｒ^３５におけるフッ素化アルキル基は、アルキル基の水素原子が５０％以上フッ素化されていることが好ましく、７０％以上フッ素化されていることがより好ましく、９０％以上フッ素化されていることが、発生する酸の強度が高まるため特に好ましい。最も好ましくは、水素原子が１００％フッ素置換された完全フッ素化アルキル基である。

前記一般式（Ｂ−３）において、Ｒ^３６の置換基を有さないアルキル基またはハロゲン化アルキル基としては、上記Ｒ^３３の置換基を有さないアルキル基またはハロゲン化アルキル基と同様のものが挙げられる。
Ｒ^３７の２または３価の芳香族炭化水素基としては、上記Ｒ^３４のアリール基からさらに１または２個の水素原子を除いた基が挙げられる。
Ｒ^３８の置換基を有さないアルキル基またはハロゲン化アルキル基としては、上記Ｒ^３５の置換基を有さないアルキル基またはハロゲン化アルキル基と同様のものが挙げられる。
ｐ”は好ましくは２である。

オキシムスルホネート系酸発生剤の具体例としては、α−（ｐ−トルエンスルホニルオキシイミノ）−ベンジルシアニド、α−（ｐ−クロロベンゼンスルホニルオキシイミノ）−ベンジルシアニド、α−（４−ニトロベンゼンスルホニルオキシイミノ）−ベンジルシアニド、α−（４−ニトロ−２−トリフルオロメチルベンゼンスルホニルオキシイミノ）−ベンジルシアニド、α−（ベンゼンスルホニルオキシイミノ）−４−クロロベンジルシアニド、α−（ベンゼンスルホニルオキシイミノ）−２，４−ジクロロベンジルシアニド、α−（ベンゼンスルホニルオキシイミノ）−２，６−ジクロロベンジルシアニド、α−（ベンゼンスルホニルオキシイミノ）−４−メトキシベンジルシアニド、α−（２−クロロベンゼンスルホニルオキシイミノ）−４−メトキシベンジルシアニド、α−（ベンゼンスルホニルオキシイミノ）−チエン−２−イルアセトニトリル、α−（４−ドデシルベンゼンスルホニルオキシイミノ）−ベンジルシアニド、α−［（ｐ−トルエンスルホニルオキシイミノ）−４−メトキシフェニル］アセトニトリル、α−［（ドデシルベンゼンスルホニルオキシイミノ）−４−メトキシフェニル］アセトニトリル、α−（トシルオキシイミノ）−４−チエニルシアニド、α−（メチルスルホニルオキシイミノ）−１−シクロペンテニルアセトニトリル、α−（メチルスルホニルオキシイミノ）−１−シクロヘキセニルアセトニトリル、α−（メチルスルホニルオキシイミノ）−１−シクロヘプテニルアセトニトリル、α−（メチルスルホニルオキシイミノ）−１−シクロオクテニルアセトニトリル、α−（トリフルオロメチルスルホニルオキシイミノ）−１−シクロペンテニルアセトニトリル、α−（トリフルオロメチルスルホニルオキシイミノ）−シクロヘキシルアセトニトリル、α−（エチルスルホニルオキシイミノ）−エチルアセトニトリル、α−（プロピルスルホニルオキシイミノ）−プロピルアセトニトリル、α−（シクロヘキシルスルホニルオキシイミノ）−シクロペンチルアセトニトリル、α−（シクロヘキシルスルホニルオキシイミノ）−シクロヘキシルアセトニトリル、α−（シクロヘキシルスルホニルオキシイミノ）−１−シクロペンテニルアセトニトリル、α−（エチルスルホニルオキシイミノ）−１−シクロペンテニルアセトニトリル、α−（イソプロピルスルホニルオキシイミノ）−１−シクロペンテニルアセトニトリル、α−（ｎ−ブチルスルホニルオキシイミノ）−１−シクロペンテニルアセトニトリル、α−（エチルスルホニルオキシイミノ）−１−シクロヘキセニルアセトニトリル、α−（イソプロピルスルホニルオキシイミノ）−１−シクロヘキセニルアセトニトリル、α−（ｎ−ブチルスルホニルオキシイミノ）−１−シクロヘキセニルアセトニトリル、α−（メチルスルホニルオキシイミノ）−フェニルアセトニトリル、α−（メチルスルホニルオキシイミノ）−ｐ−メトキシフェニルアセトニトリル、α−（トリフルオロメチルスルホニルオキシイミノ）−フェニルアセトニトリル、α−（トリフルオロメチルスルホニルオキシイミノ）−ｐ−メトキシフェニルアセトニトリル、α−（エチルスルホニルオキシイミノ）−ｐ−メトキシフェニルアセトニトリル、α−（プロピルスルホニルオキシイミノ）−ｐ−メチルフェニルアセトニトリル、α−（メチルスルホニルオキシイミノ）−ｐ−ブロモフェニルアセトニトリルなどが挙げられる。
また、特開平９−２０８５５４号公報（段落［００１２］〜［００１４］の［化１８］〜［化１９］）に開示されているオキシムスルホネート系酸発生剤、ＷＯ２００４／０７４２４２Ａ２（６５〜８５頁目のＥｘａｍｐｌｅ１〜４０）に開示されているオキシムスルホネート系酸発生剤も好適に用いることができる。
また、好適なものとして以下のものを例示することができる。

ジアゾメタン系酸発生剤のうち、ビスアルキルまたはビスアリールスルホニルジアゾメタン類の具体例としては、ビス（イソプロピルスルホニル）ジアゾメタン、ビス（ｐ−トルエンスルホニル）ジアゾメタン、ビス（１，１−ジメチルエチルスルホニル）ジアゾメタン、ビス（シクロヘキシルスルホニル）ジアゾメタン、ビス（２，４−ジメチルフェニルスルホニル）ジアゾメタン等が挙げられる。
また、特開平１１−０３５５５１号公報、特開平１１−０３５５５２号公報、特開平１１−０３５５７３号公報に開示されているジアゾメタン系酸発生剤も好適に用いることができる。
また、ポリ（ビススルホニル）ジアゾメタン類としては、例えば、特開平１１−３２２７０７号公報に開示されている、１，３−ビス（フェニルスルホニルジアゾメチルスルホニル）プロパン、１，４−ビス（フェニルスルホニルジアゾメチルスルホニル）ブタン、１，６−ビス（フェニルスルホニルジアゾメチルスルホニル）ヘキサン、１，１０−ビス（フェニルスルホニルジアゾメチルスルホニル）デカン、１，２−ビス（シクロヘキシルスルホニルジアゾメチルスルホニル）エタン、１，３−ビス（シクロヘキシルスルホニルジアゾメチルスルホニル）プロパン、１，６−ビス（シクロヘキシルスルホニルジアゾメチルスルホニル）ヘキサン、１，１０−ビス（シクロヘキシルスルホニルジアゾメチルスルホニル）デカンなどを挙げることができる。

（Ｂ）成分としては、これらの酸発生剤を１種単独で用いてもよいし、２種以上を組み合わせて用いてもよい。
本発明においては、（Ｂ）成分として、フッ素化アルキルスルホン酸イオンをアニオンとするオニウム塩系酸発生剤を用いることが好ましい。
本発明のポジ型レジスト組成物における（Ｂ）成分の含有量は、（Ａ）成分１００質量部に対し、０．５〜５０質量部が好ましく、１〜４０質量部がより好ましい。上記範囲とすることでパターン形成が充分に行われる。また、均一な溶液が得られ、保存安定性が良好となるため好ましい。

＜任意成分＞
本発明のポジ型レジスト組成物は、任意の成分として、さらに、含窒素有機化合物（Ｄ）（以下、（Ｄ）成分という）を含有してもよい。
（Ｄ）成分としては、酸拡散制御剤、すなわち露光により前記（Ｂ）成分から発生する酸をトラップするクエンチャーとして作用するものであれば特に限定されず、既に多種多様なものが提案されているので、公知のものから任意に用いれば良く、なかでも脂肪族アミン、特に第２級脂肪族アミンや第３級脂肪族アミンが好ましい。ここで、脂肪族アミンとは、１つ以上の脂肪族基を有するアミンであり、該脂肪族基は炭素数が１〜２０であることが好ましい。
脂肪族アミンとしては、たとえば、アンモニアＮＨ_３の水素原子の少なくとも１つを、炭素数２０以下のアルキル基またはヒドロキシアルキル基で置換したアミン（アルキルアミンまたはアルキルアルコールアミン）又は環式アミンが挙げられる。
アルキルアミンおよびアルキルアルコールアミンの具体例としては、ｎ−ヘキシルアミン、ｎ−ヘプチルアミン、ｎ−オクチルアミン、ｎ−ノニルアミン、ｎ−デシルアミン等のモノアルキルアミン；ジエチルアミン、ジ−ｎ−プロピルアミン、ジ−ｎ−ヘプチルアミン、ジ−ｎ−オクチルアミン、ジシクロヘキシルアミン等のジアルキルアミン；トリメチルアミン、トリエチルアミン、トリ−ｎ−プロピルアミン、トリ−ｎ−ブチルアミン、トリ−ｎ−ヘキシルアミン、トリ−ｎ−ペンチルアミン、トリ−ｎ−ヘプチルアミン、トリ−ｎ−オクチルアミン、トリ−ｎ−ノニルアミン、トリ−ｎ−デシルアミン、トリ−ｎ−ドデシルアミン等のトリアルキルアミン；ジエタノールアミン、トリエタノールアミン、ジイソプロパノールアミン、トリイソプロパノールアミン、ジ−ｎ−オクタノールアミン、トリ−ｎ−オクタノールアミン、ステアリルジエタノールアミン、ラウリルジエタノールアミン等のアルキルアルコールアミンが挙げられる。これらの中でも、トリアルキルアミンおよび／またはアルキルアルコールアミンが好ましい。
環式アミンとしては、たとえば、ヘテロ原子として窒素原子を含む複素環化合物が挙げられる。該複素環化合物としては、単環式のもの（脂肪族単環式アミン）であっても多環式のもの（脂肪族多環式アミン）であってもよい。
脂肪族単環式アミンとして、具体的には、ピペリジン、ピペラジン等が挙げられる。
脂肪族多環式アミンとしては、炭素数が６〜１０のものが好ましく、具体的には、１，５−ジアザビシクロ［４．３．０］−５−ノネン、１，８−ジアザビシクロ［５．４．０］−７−ウンデセン、ヘキサメチレンテトラミン、１，４−ジアザビシクロ［２．２．２］オクタン等が挙げられる。
芳香族アミンとしては、アニリン、ピリジン、４−ジメチルアミノピリジン、ピロール、インドール、ピラゾール、イミダゾールまたはこれらの誘導体、ジフェニルアミン、トリフェニルアミン、トリベンジルアミンなどが挙げられる。
その他の脂肪族アミンとしては、トリス（２−メトキシメトキシエチル）アミン、トリス｛２−（２−メトキシエトキシ）エチル｝アミン、トリス｛２−（２−メトキシエトキシメトキシ）エチル｝アミン、トリス｛２−（１−メトキシエトキシ）エチル｝アミン、トリス｛２−（１−エトキシエトキシ）エチル｝アミン、トリス｛２−（１−エトキシプロポキシ）エチル｝アミン、トリス［２−｛２−（２−ヒドロキシエトキシ）エトキシ｝エチルアミン等が挙げられる。
これらは単独で用いてもよいし、２種以上を組み合わせて用いてもよい。
（Ｄ）成分は、（Ａ）成分１００質量部に対して、通常、０．０１〜５．０質量部の範囲で用いられる。上記範囲とすることにより、レジストパターン形状、引き置き経時安定性等が向上する。

本発明のポジ型レジスト組成物には、感度劣化の防止や、レジストパターン形状、引き置き経時安定性等の向上の目的で、任意の成分として、有機カルボン酸、ならびにリンのオキソ酸およびその誘導体からなる群から選択される少なくとも１種の化合物（Ｅ）（以下、（Ｅ）成分という。）を含有させることができる。
有機カルボン酸としては、例えば、酢酸、マロン酸、クエン酸、リンゴ酸、コハク酸、安息香酸、サリチル酸などが好適である。
リンのオキソ酸およびその誘導体としては、リン酸、ホスホン酸、ホスフィン酸等が挙げられ、これらの中でも特にホスホン酸が好ましい。
リンのオキソ酸の誘導体としては、たとえば、上記オキソ酸の水素原子を炭化水素基で置換したエステル等が挙げられ、前記炭化水素基としては、炭素数１〜５のアルキル基、炭素数６〜１５のアリール基等が挙げられる。
リン酸の誘導体としては、リン酸ジ−ｎ−ブチルエステル、リン酸ジフェニルエステル等のリン酸エステルなどが挙げられる。
ホスホン酸の誘導体としては、ホスホン酸ジメチルエステル、ホスホン酸−ジ−ｎ−ブチルエステル、フェニルホスホン酸、ホスホン酸ジフェニルエステル、ホスホン酸ジベンジルエステル等のホスホン酸エステルなどが挙げられる。
ホスフィン酸の誘導体としては、フェニルホスフィン酸等のホスフィン酸エステルなどが挙げられる。
（Ｅ）成分は、１種を単独で用いてもよく、２種以上を併用してもよい。
（Ｅ）成分は、（Ａ）成分１００質量部に対して、通常、０．０１〜５．０質量部の範囲で用いられる。

本発明のポジ型レジスト組成物には、さらに所望により混和性のある添加剤、例えばレジスト膜の性能を改良するための付加的樹脂、塗布性を向上させるための界面活性剤、溶解抑制剤、可塑剤、安定剤、着色剤、ハレーション防止剤、染料などを適宜、添加含有させることができる。

本発明のポジ型レジスト組成物は、材料を有機溶剤（以下、（Ｓ）成分ということがある）に溶解させて製造することができる。
（Ｓ）成分としては、使用する各成分を溶解し、均一な溶液とすることができるものであればよく、従来、化学増幅型レジストの溶剤として公知のものの中から任意のものを１種または２種以上適宜選択して用いることができる。
例えば、γ−ブチロラクトン等のラクトン類；
アセトン、メチルエチルケトン、シクロヘプタノン、シクロヘキサノン、メチル−ｎ−ペンチルケトン、メチルイソペンチルケトン、２−ヘプタノンなどのケトン類；
エチレングリコール、ジエチレングリコール、プロピレングリコール、ジプロピレングリコールなどの多価アルコール類；
エチレングリコールモノアセテート、ジエチレングリコールモノアセテート、プロピレングリコールモノアセテート、またはジプロピレングリコールモノアセテート等のエステル結合を有する化合物、前記多価アルコール類または前記エステル結合を有する化合物のモノメチルエーテル、モノエチルエーテル、モノプロピルエーテル、モノブチルエーテル等のモノアルキルエーテルまたはモノフェニルエーテル等のエーテル結合を有する化合物等の多価アルコール類の誘導体［これらの中では、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート（ＰＧＭＥＡ）、プロピレングリコールモノメチルエーテル（ＰＧＭＥ）が好ましい］；
ジオキサンのような環式エーテル類や、乳酸メチル、乳酸エチル（ＥＬ）、酢酸メチル、酢酸エチル、酢酸ブチル、ピルビン酸メチル、ピルビン酸エチル、メトキシプロピオン酸メチル、エトキシプロピオン酸エチルなどのエステル類；
アニソール、エチルベンジルエーテル、クレジルメチルエーテル、ジフェニルエーテル、ジベンジルエーテル、フェネトール、ブチルフェニルエーテル、エチルベンゼン、ジエチルベンゼン、ペンチルベンゼン、イソプロピルベンゼン、トルエン、キシレン、シメン、メシチレン等の芳香族系有機溶剤などを挙げることができる。
これらの有機溶剤は単独で用いてもよく、２種以上の混合溶剤として用いてもよい。
中でも、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート（ＰＧＭＥＡ）、プロピレングリコールモノメチルエーテル（ＰＧＭＥ）、ＥＬが好ましい。
また、ＰＧＭＥＡと極性溶剤とを混合した混合溶媒も好ましい。その配合比（質量比）は、ＰＧＭＥＡと極性溶剤との相溶性等を考慮して適宜決定すればよいが、好ましくは１：９〜９：１、より好ましくは２：８〜８：２の範囲内とすることが好ましい。
より具体的には、極性溶剤としてＥＬを配合する場合は、ＰＧＭＥＡ：ＥＬの質量比は、好ましくは１：９〜９：１、より好ましくは２：８〜８：２である。また、極性溶剤としてＰＧＭＥを配合する場合は、ＰＧＭＥＡ：ＰＧＭＥの質量比は、好ましくは１：９〜９：１、より好ましくは２：８〜８：２、さらに好ましくは３：７〜７：３である。
また、（Ｓ）成分として、その他には、ＰＧＭＥＡ及びＥＬの中から選ばれる少なくとも１種とγ−ブチロラクトンとの混合溶剤も好ましい。この場合、混合割合としては、前者と後者の質量比が好ましくは７０：３０〜９５：５とされる。
（Ｓ）成分の使用量は特に限定しないが、基板等に塗布可能な濃度で、塗布膜厚に応じて適宜設定されるものであるが、一般的にはレジスト組成物の固形分濃度が１〜２０質量％、好ましくは２〜１５質量％の範囲内となる様に用いられる。

本発明のポジ型レジスト組成物は、リソグラフィー特性に優れ、特にＬＷＲ（ラインワイズラフネス）等、形状が良好なレジストパターンを形成することができる。ＬＷＲは、レジスト組成物を用いてレジストパターンを形成した際に、ラインパターンの線幅が不均一になる現象で、パターンが微細化するほどその改善が重要となるため、その向上が求められている。
本発明のポジ型レジスト組成物は、「Ｔｆ」が１００℃以上であり、且つ、「Ｔｆ’」が、「Ｔｆ」よりも１８℃以上低いことを特徴とする。これは、露光後においてレジスト膜の耐熱性が低下することを意味する。膜の耐熱性が低下すると、露光によって発生した酸がより拡散しやすい状態となり、（Ａ）成分における酸解離反応を促進させることができるため、特にＥＵＶやＥＢによるリソグラフィープロセスにおいて有用であり、高解像化とともに優れた形状のレジストパターンを得ることができると考えられる。
また、本発明の（Ａ１）成分が、アーム部の連結基において解裂するポリマー（Ａ１１）又は（Ａ１２）を有する場合、未露光部の分子量に比べて露光部の分子量がとても小さくなり、露光部における露光後レジスト軟化点低下の効果が大きくなり、（マイナス分の）レジスト軟化点ギャップが大きくなると考えられる。露光部の分子量と未露光部の分子量との差を大きくするという観点では、（Ａ１１）成分又は（Ａ１２）成分において分岐するアーム部の数は多い方が好ましい。
以上の理由から、本発明のポジ型レジスト組成物は、高解像性で形状が良好なレジストパターンを形成することができるという効果を有すると推測される。

≪レジストパターン形成方法≫
本発明のレジストパターン形成方法は、支持体上に、前記本発明のポジ型レジスト組成物を用いてレジスト膜を形成する工程、前記レジスト膜を露光する工程、および前記レジスト膜を現像してレジストパターンを形成する工程を含む。
本発明のレジストパターン形成方法は、例えば以下の様にして行うことができる。
すなわち、まず支持体上に、前記本発明のポジ型レジスト組成物をスピンナーなどで塗布し、８０〜１５０℃の温度条件下、プレベーク（ポストアプライベーク（ＰＡＢ））を４０〜１２０秒間、好ましくは６０〜９０秒間施してレジスト膜を形成する。これに例えばＡｒＦ露光装置、電子線描画装置、ＥＵＶ露光装置等の露光装置を用いて、マスクパターンを介した露光、またはマスクパターンを介さない電子線の直接照射による描画等により選択的に露光した後、８０〜１５０℃の温度条件下、ＰＥＢ（露光後加熱）を４０〜１２０秒間、好ましくは６０〜９０秒間施す。次いでこれをアルカリ現像液、例えば０．１〜１０質量％テトラメチルアンモニウムヒドロキシド（ＴＭＡＨ）水溶液を用いて現像処理し、好ましくは純水を用いて水リンスを行い、乾燥を行う。また、場合によっては、上記現像処理後にベーク処理（ポストベーク）を行ってもよい。このようにして、マスクパターンに忠実なレジストパターンを得ることができる。

支持体としては、特に限定されず、従来公知のものを用いることができ、例えば、電子部品用の基板や、これに所定の配線パターンが形成されたもの等を例示することができる。より具体的には、シリコンウェーハ、銅、クロム、鉄、アルミニウム等の金属製の基板や、ガラス基板等が挙げられる。配線パターンの材料としては、例えば銅、アルミニウム、ニッケル、金等が使用可能である。
また、支持体としては、上述のような基板上に、無機系および／または有機系の膜が設けられたものであってもよい。無機系の膜としては、無機反射防止膜（無機ＢＡＲＣ）が挙げられる。有機系の膜としては、有機反射防止膜（有機ＢＡＲＣ）が挙げられる。
露光に用いる波長は、特に限定されず、ＡｒＦエキシマレーザー、ＫｒＦエキシマレーザー、Ｆ_２エキシマレーザー、ＥＵＶ（極紫外線）、ＶＵＶ（真空紫外線）、ＥＢ（電子線）、Ｘ線、軟Ｘ線等の放射線を用いて行うことができる。前記レジスト組成物は、ＫｒＦエキシマレーザー、ＡｒＦエキシマレーザー、ＥＢまたはＥＵＶ、特にＡｒＦエキシマレーザーに対して有効である。

レジスト膜の露光方法は、空気や窒素等の不活性ガス中で行う通常の露光（ドライ露光）であってもよく、液浸露光（Ｌｉｑｕｉｄ Ｉｍｍｅｒｓｉｏｎ Ｌｉｔｈｏｇｒａｐｈｙ）であってもよい。
液浸露光は、予めレジスト膜と露光装置の最下位置のレンズ間を、空気の屈折率よりも大きい屈折率を有する溶媒（液浸媒体）で満たし、その状態で露光（浸漬露光）を行う露光方法である。
液浸媒体としては、空気の屈折率よりも大きく、かつ露光されるレジスト膜の有する屈折率よりも小さい屈折率を有する溶媒が好ましい。かかる溶媒の屈折率としては、前記範囲内であれば特に制限されない。
空気の屈折率よりも大きく、かつ前記レジスト膜の屈折率よりも小さい屈折率を有する溶媒としては、例えば、水、フッ素系不活性液体、シリコン系溶剤、炭化水素系溶剤等が挙げられる。
フッ素系不活性液体の具体例としては、Ｃ_３ＨＣｌ_２Ｆ_５、Ｃ_４Ｆ_９ＯＣＨ_３、Ｃ_４Ｆ_９ＯＣ_２Ｈ_５、Ｃ_５Ｈ_３Ｆ_７等のフッ素系化合物を主成分とする液体等が挙げられ、沸点が７０〜１８０℃のものが好ましく、８０〜１６０℃のものがより好ましい。フッ素系不活性液体が上記範囲の沸点を有するものであると、露光終了後に、液浸に用いた媒体の除去を、簡便な方法で行えることから好ましい。
フッ素系不活性液体としては、特に、アルキル基の水素原子が全てフッ素原子で置換されたパーフロオロアルキル化合物が好ましい。パーフロオロアルキル化合物としては、具体的には、パーフルオロアルキルエーテル化合物やパーフルオロアルキルアミン化合物を挙げることができる。
さらに、具体的には、前記パーフルオロアルキルエーテル化合物としては、パーフルオロ（２−ブチル−テトラヒドロフラン）（沸点１０２℃）を挙げることができ、前記パーフルオロアルキルアミン化合物としては、パーフルオロトリブチルアミン（沸点１７４℃）を挙げることができる。
液浸媒体としては、コスト、安全性、環境問題、汎用性等の観点から、水が好ましく用いられる。

次に、実施例により本発明をさらに詳細に説明するが、本発明はこれらの例によって限定されるものではない。

実施例、または比較例において用いたポリマーは、下記合成方法により合成した。

《合成例１：ポリマー（Ａ）−１の合成》
［合成例１−１：コア部を提供するアニオン重合用カップリング剤の合成］
（ｉ）ペンタエリスリトール−テトラ（２−クロロエトキシメチル）エーテルの合成
窒素雰囲気下にて、ペンタエリスリトール１３．０ｇに、アセトン２４７．０ｇとジイソプロピルエチルアミン８０．２ｇと２−クロロエチルクロロメチルエーテル８０．１ｇを加え、撹拌しながら３０℃にて４時間保持した。その後、反応混合物に酢酸エチルを加え、有機層を、シュウ酸水溶液とイオン交換水で４回洗浄を行った。その後、得られた有機層を減圧下、濃縮を行うことでペンタエリスリトール−テトラ（２−クロロエトキシメチル）エーテル４７．４ｇ（収率９８％）を得た。

（ｉｉ）ペンタエリスリトール−テトラ（２−ブロモエトキシメチル）エーテルの合成
窒素雰囲気下にて、上記（ｉ）で得たペンタエリスリトール−テトラ（２−クロロエトキシメチル）エーテル１１．２ｇに、ヘキサメチルリン酸トリアミド５６０．０ｇとブロモエタン１４４．７ｇと臭化ナトリウム１．８ｇを加え、撹拌しながら８０℃にて２４時間保持した。その後、反応混合物を室温に冷却し、反応混合物を減圧下にて濃縮した。得られた濃縮混合物にメチル−ｔ−ブチルエーテルを加え、有機層をイオン交換水で４回洗浄した。その後、有機層に無水硫酸マグネシウムを加えて乾燥した。ろ過を行った後、減圧下にて濃縮を行うことでペンタエリスリトール−テトラ（２−ブロモエトキシメチル）エーテル１２．３ｇ（収率８１％）を得た。

［合成例１−２：アーム部（ポリマー鎖）を提供する単分散ポリマー（ａ）の合成］
窒素雰囲気下にて、テトラヒドロフラン（以下「ＴＨＦ」と略す。）１１９．５ｇを−６０℃に冷却した。その後、撹拌を継続し、−６０℃を保持しながらｓ−ブチルリチウム１５ミリモルを加えた。さらに撹拌を継続し、−６０℃を保持しながらｐ−エトキシエトキシスチレン（以下「ＰＥＥＳ」と略す。）２４．５ｇを５０分かけて滴下し、さらに反応を１時間継続した。この段階で反応液を少量採取し、メタノールにより反応を停止させた後、ゲルパーミエーションクロマトグラフィー（以下「ＧＰＣ」と略す。）により分析したところ、得られたＰＥＥＳポリマーは、ポリスチレン換算でＭｎ＝１４５０、Ｍｗ／Ｍｎ＝１．２０の単分散ポリマー（ａ）であった。

［合成例１−３：アニオン重合用カップリング剤と単分散ポリマー（ａ）との反応］
次いで、合成例１−２の反応系を−６０℃に保ちながら、合成例１−１にて得たペンタエリスリトール−テトラ（２−ブロモエトキシメチル）エーテル３．２ｇを１０分かけて滴下し、さらに反応を１時間継続した。次いで、反応系にメタノールを加え、反応を停止させた後、ＧＰＣにより分析したところ、得られた酸分解性ポリマーは、ポリスチレン換算でＭｎ＝３６７０、Ｍｗ／Ｍｎ＝１．２４の単分散ポリマー（Ａ１’）であった。
ペンタエリスリトール−テトラ（２−ブロモエトキシメチル）エーテルの反応前後にてポリマーが単分散を保持したまま分子量の増加が観測されたことから、設計通りに星型形状を持つ単分散ポリマー（Ａ１’）が得られたことを確認した。

［合成例１−４：単分散ポリマー（Ａ１’）の加水分解（アーム部の保護基の除去）］
合成例１−３により得られた重合液にメチルイソブチルケトン（以下「ＭＩＢＫ」と略す。）を加え、有機層をイオン交換水で２回洗浄した。その後、有機層を、減圧下で濃縮操作によりポリマー分４０質量％のＭＩＢＫ溶液に調製し、さらにイソプロピルアルコール（以下「ＩＰＡ」と略す。）によりポリマー分２０質量％の溶液に調製した。
この溶液の１００質量部に対して、１質量部のシュウ酸２水和物と２質量部のイオン交換水を加え、５０℃に加熱した。その後、撹拌を継続し、５０℃を保ちながら、さらに反応を６時間継続した。
この反応において、反応前後のポリマーの^１３Ｃ−ＮＭＲを比較した。１１７ｐｐｍ付近に観測されるＰＥＥＳポリマー由来の吸収が反応後において消失し、新たに１１５ｐｐｍ付近にｐ−ヒドロキシスチレンポリマー由来の吸収が観測された。さらに９６ｐｐｍ付近に観測されるＯ−ＣＨ_２−Ｏに由来するピークが加水分解前後にて保持されていることを確認した。
また、反応後のポリマーについてＧＰＣを測定したところ、ポリスチレン換算でＭｎ＝２５６０であり、反応前後においてピーク形状に大きな変化が見られなかった。
以上のことから、加水分解反応は設定通りに行われ、ｐ−ヒドロキシスチレン（以下「ＰＨＳ」と略す。）セグメントを主骨格とするアルケニルフェノール形ポリマーが得られた。また、主鎖骨格中に導入された Ｏ−ＣＨ_２−Ｏ 結合は保持されており、星型形状を保持していることを確認した。

［合成例１−５：メトキシアダマンチル基の導入］
合成例１−４のポリマー溶液にＭＩＢＫを加え、有機層をイオン交換水で３回洗浄した。その後、有機層を減圧下で濃縮操作によりポリマー分５０質量％の溶液に調製した後、ＴＨＦによりポリマー分１０質量％の溶液に調製した。
得られたポリマー溶液１３０．５ｇに６０％水素化ナトリウム２．２ｇを加え、撹拌を継続しながら、室温で３０分間保持した。その後、２−クロロメトキシアダマンタン４．８ｇを５分かけて滴下し、さらに室温で反応を１２時間継続した。
反応系にシュウ酸水溶液を加え、反応を停止させた後、ＭＩＢＫを加え、有機層をイオン交換水で３回洗浄した。その後、有機層を減圧下、濃縮操作によりプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート（以下「ＰＧＭＥＡ」と略す。）溶液に置換した。
得られたポリマーを^１３Ｃ−ＮＭＲにて確認したところ、新たに８２ｐｐｍ付近と９３ｐｐｍ付近と１１６ｐｐｍ付近に、ＰＨＳにメトキシアダマンチル基が導入されたユニット（以下「ＰＨＳ−ＭＯＡｄ」と略す。）に由来する吸収が観測された。また、ＰＨＳユニットとＰＨＳ−ＭＯＡｄの割合が７５／２５であった。さらに、主鎖骨格中に導入されたＯ−ＣＨ_２−Ｏに由来する９６ｐｐｍ付近のピークは保持されていることを確認した。
また、反応後のポリマーについてＧＰＣを測定したところ、ポリスチレン換算でＭｎ＝２７９０、Ｍｗ／Ｍｎ＝１．３の単分散ポリマーであり、反応前後においてピーク形状に変化が見られなかった。
以上のことから、メトキシアダマンチル基の導入は設定通りに行われ、ＰＨＳ／ＰＨＳ−ＭＯＡｄセグメントを主骨格とするアルケニルフェノール形ポリマーが得られ、主鎖骨格中に導入されたＯ−ＣＨ_２−Ｏ結合は保持されており、星型形状を保持していることを確認した。

以上の合成方法により合成されたポリマー（Ａ）−１の構造を以下に示す。
下記化学式中、（ ）の右下に付した符号は、当該ポリマー（Ａ）−１のアーム部であるポリマー鎖を構成する全構成単位の合計に対する各構成単位の割合（モル％；組成比）を示し、カーボンＮＭＲによりそれぞれ算出した。

［（ａ１１＋ａ１２＋ａ１３＋ａ１４）／（ａ２１＋ａ２２＋ａ２３＋ａ２４）＝７５／２５（モル比）；Ｍｎ＝２７９０，Ｍｗ／Ｍｎ＝１．３］

《合成例２：ポリマー（Ａ）−２の合成》
１０ｇのポリ−４−ヒドロキシスチレン（Ｍｗ＝４０００，Ｍｗ／Ｍｎ＝１．１）を１００ｍｌのＴＨＦに溶解させ、０．９２ｇの水素化ナトリウムを添加した。その溶液に４．３７ｇのアダマントキシメチルクロリドを添加し、室温にて２０時間、撹拌した。撹拌後、水を添加して反応を止め、濃縮した。その後、４００ｍｌの水で希釈し、１００ｍｌの酢酸エチルで３回抽出し、塩酸、飽和ＮａＨＣＯ_３水溶液、飽和ＮａＣｌ水溶液で洗浄した。得られた溶液を濃縮し、酢酸エチル−ｎ−ヘプタン系にて再沈殿精製を行い、乾燥させ、白色固体を得た。
ＧＰＣにより分析を行ったところ、得られたポリマー（Ａ）−２は、ポリスチレン換算でＭｗ＝４２００、Ｍｗ／Ｍｎ＝１．１であることを確認した。また、カーボンＮＭＲ、プロトンＮＭＲにより組成比（モル比）を算出した。
以上の合成例２により合成されたポリマー（Ａ）−２の構造を以下に示す。

［ａ１５／ａ２５＝７５／２５（モル比）；Ｍｗ＝４２００、Ｍｗ／Ｍｎ＝１．１］

《合成例３：星型ポリマー（ポリマー（Ａ）−３〜（Ａ）−１１）の合成》
［合成例３−１〜３−２：アーム部（ポリマー鎖）の合成及び酸分解性ポリマーの合成］
ＰＥＥＳの滴下量を表１に示したとおりに変更した以外は合成例１−２と同様にして、表１に示すポリマー鎖の分子量を変化させた酸分解性ポリマーを得た。

［合成例３−３〜３−４：ＰＥＥＳの加水分解（保護基の除去）］
合成例１−２で得られた重合液に替えて、合成例３−１または合成例３−２で得られた重合液を用いたこと以外は合成例１−３と同じ手法により表２に示すＰＨＳセグメントをアーム部の主骨格とする星型ポリマーを得た。

［合成例３−５〜３−１３：酢酸メチルアダマンチル基の導入］
合成例１−３、合成例３−３および合成例３−４で得られたポリマー溶液にそれぞれＭＩＢＫを加え、有機層をイオン交換水で３回洗浄した。その後、有機層を減圧下で濃縮し、ポリマー分５０質量％の溶液にした後、アセトンによりポリマー分１０質量％の溶液にした。

得られたポリマー溶液５０．０ｇに炭酸カリウム３．５ｇを加え、撹拌下、室温で３０分保持した。その後、表３に示す部数のヨード酢酸メチルアダマンチルを加え、さらに３５℃で反応を８時間継続した。
反応系にＭＩＢＫを加え、有機層をシュウ酸水溶液で１回洗浄した後、さらにイオン交換水で３回洗浄を行った。その後、有機層を減圧下、濃縮操作によりＰＧＭＥＡ溶液で置換した。

得られたポリマーを^１3Ｃ−ＮＭＲによる測定を行ったところ、ＰＨＳに酢酸メチルアダマンチル基が導入されたユニット（以下、ＰＨＳ−ＯＡｄＥと称する）に由来する吸収が新たに８９ｐｐｍ付近、１１４ｐｐｍ付近、並びに１６９ｐｐｍ付近に観測された。
またＰＨＳユニットとＰＨＳ−ＯＡｄＥの割合は表４の通りであった。

さらにポリマーのコア部に導入された−Ｏ−ＣＨ_２−Ｏ−結合に由来する９６ｐｐｍ付近のピークは保持されていることを確認した。
また反応後のポリマーについてＧＰＣ測定を行ったところ、表５に示すＭｎとＭｗ／Ｍｎの単分散ポリマーであるとする結果が得られ、酢酸メチルアダマンチル基導入前後においてＧＰＣのピーク形状に変化は見られなかった。

以上の結果より、ＰＨＳ／ＰＨＳ−ＯＡｄＥセグメントをアーム部の主骨格とするアルケニルフェノール系ポリマーが得られ、ポリマーのコア部に導入されているアセタール結合は保持されており、本ポリマーが星型形状を保持していることを確認した。
上記合成例３−５〜３−１３で得られたポリマーを以降、表６に示す通りに称する。

ポリマー（Ａ）−３〜ポリマー（Ａ）−１１の構造を以下に示す。下記化学式中、（ ）の右下に付した符号は、当該ポリマー（Ａ）−３〜ポリマー（Ａ）−１１のアーム部であるポリマー鎖を構成する全構成単位の合計に対する各構成単位の割合（モル％；組成比）を示し、^１３Ｃ−ＮＭＲによりそれぞれ表４に示す通りに算出した。

［（ｂ１１＋ｂ１２＋ｂ１３＋ｂ１４）／（ｂ２１＋ｂ２２＋ｂ２３＋ｂ２４）＝各構成単位の割合（モル比）］

《合成例４：ポリマー（Ａ）−１２の合成》
５ｇのポリ−４−ヒドロキシスチレン（Ｍｎ＝２９００，Ｍｗ／Ｍｎ＝１．０６）を４５ｇのアセトンに溶解し、炭酸カリウム３．５ｇを加え、攪拌下、室温で３０分保持した。その後、ヨード酢酸メチルアダマンチル３．５ｇを加え、さらに３５℃で反応を８時間継続した。
反応系にＭＩＢＫを加え、有機層をシュウ酸水溶液で１回洗浄した後、さらにイオン交換水で３回洗浄を行った。その後、有機層を減圧下、濃縮操作によりＰＧＭＥＡ溶液で置換した。

ＧＰＣ測定を行ったところ、得られたポリマー（Ａ）−１２は、ポリスチレン換算でＭｎ＝４３００、Ｍｗ／Ｍｎ＝１．０５であるとする結果が得られた。また、^１３Ｃ−ＮＭＲにより組成比（モル比）を算出した。
以上の合成例４により合成されたポリマー（Ａ）−１２の構造を以下に示す。下記化学式中、（ ）の右下に付した数値は各構成単位の組成比（モル比）を示す。

《合成例５：星型ポリマー（ポリマー（Ａ）−１３）の合成》
［合成例５−１：アニオン重合用カップリング剤の合成］
窒素雰囲気下にて、ジペンタエリスリトール１２．３ｇにアセトン２３４．１ｇとジイソプロピルエチルアミン５０．１ｇと２−クロロエチルクロロメチルエーテル５０．０ｇを加え、攪拌下５０℃にて４時間保持した。その後、反応混合物に酢酸エチルを加え、有機層をシュウ酸水溶液とイオン交換水で４回洗浄を行った。得られた有機層を減圧下、濃縮を行うことでジペンタエリスリトール−ヘキサ（２−クロロエトキシメチル）エーテルを３９．０ｇ（収率９９％）を得た。

窒素雰囲気下にて、前述のジペンタエリスリトール−ヘキサ（２−クロロエトキシメチル）エーテル２０．０ｇにヘキサメチルリン酸トリアミド４８０．０ｇとブロモエタン１６１．６ｇと臭化ナトリウム３．１ｇ加え、攪拌下８０℃にて３時間保持した。その後、反応混合物を減圧下にて濃縮した。得られた濃縮混合物に新たにブロモエタン１０７．７ｇを加え、攪拌下８０℃にて３時間保持した。その後、反応混合物を減圧下にて濃縮し、得られた濃縮混合物にメチル−ｔ−ブチルエーテルを加え、有機層をイオン交換水で４回洗浄した。その後、有機層に無水硫酸マグネシウムを加え乾燥した。ろ過を行った後、減圧下にて濃縮を行い、アニオン重合用カップリング剤であるジペンタエリスリトール−ヘキサ（２−ブロモエトキシメチル）エーテルを１０．５ｇ（収率３９％）を得た。

［合成例５−２：アーム部（ポリマー鎖）の合成及び酸分解性ポリマーの合成］
窒素雰囲気下にてＴＨＦ２６３．５ｇを−６０℃に冷却した。攪拌下、−６０℃を保持しながらｓ−ブチルリチウムを３０ミリモル加え、続いてＰＥＥＳ４２．4ｇを５０分かけて滴下し、さらに反応を１時間継続した。
この段階で反応液を少量採取し、メタノールにより反応を停止させた後、ＧＰＣ測定を行ったところ、得られたＰＥＥＳポリマーはポリスチレン換算でＭｎ＝１４３０、Ｍｗ／Ｍｎ＝１．１３の単分散ポリマーであるとする結果が得られた。
次いで、反応系を−６０℃に保持したまま、合成例３−１にて得たジペンタエリスリトール−ヘキサ（２−ブロモエトキシメチル）エーテル６．６ｇを１０分かけて滴下し、さらに反応を１時間継続した。
次いで反応系にメタノールを加えて反応を停止させた後、ＧＰＣ測定を行ったところ、得られた酸分解性ポリマーはポリスチレン換算でＭｎ＝３６２０、Ｍｗ／Ｍｎ＝１．４２の単分散ポリマーであるとする結果が得られた。
すなわち、ポリマーは、反応前の単分散ポリマーの状態を保持したまま、ジペンタエリスリトール−ヘキサ（２−ブロモエトキシメチル）エーテルの反応後には分子量の増加が観測されており、該ポリマーは星型形状を有するポリマーとなったことを確認した。

［合成例５−３：ＰＥＥＳの加水分解（保護基の除去）］
合成例５−２より得られた重合液にＭＩＢＫを加え、有機層をイオン交換水で２回洗浄した後、有機層を減圧下で濃縮操作によりポリマー分４０質量％のＭＩＢＫ溶液にし、さらにＩＰＡを加えてポリマー分２０質量％の溶液にした。
この溶液の１００質量部に対して、１質量部のシュウ酸２水和物と２質量部のイオン交換水を加え５０℃に加熱した。攪拌下、５０℃を保ちながら、さらに反応を８時間継続した。
この反応において、反応前後のポリマーの^１３Ｃ−ＮＭＲを測定し、結果を比較した。反応後、１１７ｐｐｍ付近に観測されたＰＥＥＳポリマー由来の吸収は消失し、新たに１１５ｐｐｍ付近にｐ−ヒドロキシスチレンポリマー由来の吸収が観測された。そしてアセタール結合（−Ｏ−ＣＨ_２−Ｏ−）に由来する９６ｐｐｍ付近に観測されるピークは加水分解前後のいずれにおいても保持されていることを確認した。
また反応後のポリマーについてＧＰＣを測定したところ、ポリスチレン換算でＭｎ＝２０００であり、反応前後においてＧＰＣのピーク形状に大きな変化は見られなかった。
以上の結果より、加水分解反応がＰＥＥＳのエトキシエトキシ基において進行し、ｐ−ヒドロキシスチレン（以下ＰＨＳと称する）セグメントをアーム部の主骨格とするアルケニルフェノール形ポリマーが得られ、またポリマーのコア部に導入された−Ｏ−ＣＨ_２−Ｏ−結合は保持され、反応後のポリマーが星型形状を保持していることを確認した。

［合成例５−４：酢酸メチルアダマンチル基の導入］
合成例５−３で得られたポリマー溶液にＭＩＢＫを加え、有機層をイオン交換水で３回洗浄した。その後、有機層を減圧下で濃縮し、ポリマー分５０質量％の溶液にした後、アセトンによりポリマー分１０質量％の溶液にした。

得られたポリマー溶液５０．０ｇに炭酸カリウム３．５ｇを加え、撹拌下、室温で３０分保持した。その後、ヨード酢酸メチルアダマンチル１１．７ｇを加え、さらに３５℃で反応を８時間継続した。
反応系にＭＩＢＫを加え、有機層をシュウ酸水溶液で１回洗浄した後、さらにイオン交換水で３回洗浄を行った。その後、有機層を減圧下、濃縮操作によりＰＧＭＥＡ溶液で置換した。

得られたポリマーを^１3Ｃ−ＮＭＲによる測定を行ったところ、ＰＨＳに酢酸メチルアダマンチル基が導入されたユニット（以下、ＰＨＳ−ＯＡｄＥと称する）に由来する吸収が新たに８９ｐｐｍ付近、１１４ｐｐｍ付近、並びに１６９ｐｐｍ付近に観測された。
またＰＨＳユニットとＰＨＳ−ＯＡｄＥの割合は８０／２０であった。
さらにポリマーのコア部に導入された−Ｏ−ＣＨ_２−Ｏ−結合に由来する９６ｐｐｍ付近のピークは保持されていることを確認した。
また反応後のポリマーについてＧＰＣ測定を行ったところ、Ｍｎ＝４２００とＭｗ／Ｍｎ＝１．３４の単分散ポリマーであるとする結果が得られ、酢酸メチルアダマンチル基導入前後においてＧＰＣのピーク形状に変化は見られなかった。
以上の結果より、ＰＨＳ／ＰＨＳ−ＯＡｄＥセグメントをアーム部の主骨格とするアルケニルフェノール形ポリマーが得られ、ポリマーのコア部に導入されているアセタール結合は保持されており、本ポリマーが星型形状を保持していることを確認した。

上記合成例５−４で得られたポリマー（以降、ポリマー（Ａ）−１３と称する）の構造を以下に示す。下記化学式中、（ ）の右下に付した符号は、当該ポリマー（Ａ）−１３のアーム部であるポリマー鎖を構成する全構成単位の合計に対する各構成単位の割合（モル％；組成比）を示し、^１３Ｃ−ＮＭＲによりそれぞれ算出した。

［（ｃ１１＋ｃ１２＋ｃ１３＋ｃ１４＋ｃ１５＋ｃ１６）／（ｃ２１＋ｃ２２＋ｃ２３＋ｃ２４＋ｃ２５＋ｃ２６）＝８０／２０（モル比）；Ｍｗ＝４２００、Ｍｗ／Ｍｎ＝１．３４］

《合成例６：星型ポリマー（ポリマー（Ａ）−１４の合成）
［合成例６−１：アダマンチルオキシエチル基の導入］
合成例１−３で得られたポリマー溶液にＭＩＢＫを加え、有機層をイオン交換水で３回洗浄した。その後、有機層を減圧下で濃縮し、ポリマー分３０質量％のＰＧＭＥＡ溶液とした。

得られたポリマー溶液５０．０ｇにトリフルオロ酢酸０．７ｇを加え、撹拌下、３０℃にした。その後、アダマンチルビニルエーテル９．４ｇを加え、さらに３０℃で反応を３時間継続した。
トリエチルアミンを加え反応を停止した後、反応系にＭＩＢＫを加え、有機層をイオン交換水で３回洗浄を行った。その後、有機層を減圧下、濃縮操作によりＰＧＭＥＡ溶液で置換した。

得られたポリマーを^１３Ｃ−ＮＭＲによる測定を行ったところ、ＰＨＳにアダマンチルオキシエチル基が導入されたユニット（以下、ＰＨＳ−ＡｄＶＥと称する）に由来する吸収が新たに９４ｐｐｍ付近、１１８ｐｐｍ付近、並びに１５６ｐｐｍ付近に観測された。
またＰＨＳユニットとＰＨＳ−ＡｄＶＥの割合は８０／２０であった。
さらにポリマーのコア部に導入された−Ｏ−ＣＨ_２−Ｏ−結合に由来する９６ｐｐｍ付近のピークは保持されていることを確認した。
また反応後のポリマーについてＧＰＣ測定を行ったところ、Ｍｎ＝３４００とＭｗ／Ｍｎ＝１．２２の単分散ポリマーであるとする結果が得られ、酢酸メチルアダマンチル基導入前後においてＧＰＣのピーク形状に大きな変化は見られなかった。
以上の結果より、ＰＨＳ／ＰＨＳ−ＡｄＶＥセグメントをアーム部の主骨格とするアルケニルフェノール形ポリマーが得られ、ポリマーのコア部に導入されているアセタール結合は保持されており、本ポリマーが星型形状を保持していることを確認した。

上記合成例６−１で得られたポリマー（以降、ポリマー（Ａ）−１４と称する）の構造を以下に示す。下記化学式中、（ ）の右下に付した符号は、当該ポリマー（Ａ）−１４のアーム部であるポリマー鎖を構成する全構成単位の合計に対する各構成単位の割合（モル％；組成比）を示し、^１３Ｃ−ＮＭＲによりそれぞれ算出した。

［（ｄ１１＋ｄ１２＋ｄ１３＋ｄ１４）／（ｄ２１＋ｄ２２＋ｄ２３＋ｄ２４）＝８０／２０（モル比）；Ｍｗ＝３４００、Ｍｗ／Ｍｎ＝１．２２］

《合成例７：くし型ポリマー（ポリマー（Ａ）−１５の合成）》
［製造例７−１：幹ポリマー（ポリマー（Ａ０）−１の製造）］
［製造例７−１−１：クロロエチルアセタール基の導入］
窒素雰囲気にて、Ｍｎ＝２７００、Ｍｗ／Ｍｎ＝１．０６の単分散のｐ−ヒドロキシスチレンポリマー（以下ＰＨＳと略す）３０．０ｇにテトラヒドロフラン（以下ＴＨＦと略す）２７０．０ｇと水素化ナトリウム９．０ｇを加えた。攪拌下、氷冷しながら２−クロロエチルクロロメチルエーテル３５．４ｇを２０分かけて滴下し、さらに攪拌下３０℃にて４時間保持した。その後、反応混合物に酢酸エチルを加え、有機層をシュウ酸水溶液とイオン交換水で５回洗浄を行った。得られた有機層を減圧下、濃縮操作により５０ｗｔ％のメチルイソブチルケトン（以下ＭＩＢＫと略す）溶液として以下の式（０１）で表されるポリマーを得た。

［Ｍｎ＝５６００、Ｍｗ／Ｍｎ＝１．０４］

［製造例７−１−２：臭素への変換］
窒素雰囲気下にて製造例７−１−１で得られたポリマー溶液４８．０ｇにヘキサメチルリン酸トリアミド（以下ＨＭＰＡと略す）５５２．０ｇとブロモエタン１２３．０ｇと臭化ナトリウム２．３ｇを加え、攪拌下８０℃にて４時間保持した。その後、反応混合物を減圧下にて濃縮した。得られた濃縮混合物に新たにブロモエタン１２３．０ｇを加え、攪拌下８０℃にて４時間保持した。その後、反応混合物を減圧下にて濃縮し、得られた濃縮混合物にトルエンを加え、有機層をイオン交換水で４回洗浄した。その後、有機層に無水硫酸マグネシウムを加え乾燥した。ろ過を行った後、減圧下にて濃縮を行い、以下の式（Ａ０）−１で表され、櫛型ポリマーの幹部となるポリマー（Ａ０）−１を４０ｗｔ％トルエン溶液として得た。

［Ｍｎ＝５６００、Ｍｗ／Ｍｎ＝１．０４］

［製造例７−２：櫛型ポリマー（ポリマー（Ａ）−１５の製造）］
［製造例７−２−１：枝ポリマーの合成及び酸分解性ポリマーの合成］
窒素雰囲気下にてＴＨＦ３８４．２ｇを−６０℃に冷却した。攪拌下、−６０℃を保持しながらｓ−ブチルリチウムを７４ミリモル加えた。さらに攪拌下、−６０℃を保持しながらｐ−（１−エトキシエトキシ）スチレン（以下ＰＥＥＳと略す）７３．３ｇを５０分かけて滴下し、さらに反応を１時間継続した。この段階で反応液を少量採取し、メタノールにより反応を停止させた後、ゲルパーミェイションクロマトグラフィー（以下ＧＰＣと略す）により分析したところ、得られたＰＥＥＳポリマーはポリスチレン換算でＭｎ＝９９０、Ｍｗ／Ｍｎ＝１．２４の単分散ポリマーであった。
次いで、反応系を−６０℃に保ちながら、製造例７−１−２より得られたポリマー（Ａ０）−１の溶液５６．９ｇを４０分かけて滴下した。

さらに反応を１時間継続し、ついで反応系にメタノールを加え、反応を停止させた後ＧＰＣにより分析したところ、得られた酸分解性ポリマーはポリスチレン換算でＭｎ＝１４５００、Ｍｗ／Ｍｎ＝１．０３の単分散ポリマーであった。
式（Ａ０）−１で示されるポリマーとの反応前後において、ポリマーが単分散を保持したまま分子量の増加が観測されたことから設計どおりに櫛型形状を持つポリマーが得られたことを確認した。

［製造例７−２−２：ＰＥＥＳの加水分解（保護基の除去）］
製造例７−２−１により得られた重合液にＭＩＢＫを加え、有機層をイオン交換水で２回洗浄した後、有機層を減圧下で濃縮操作によりポリマー分４０重量％のＭＩＢＫ溶液にし、さらにイソプロピルアルコール（以下、ＩＰＡと略す）によりポリマー分２０重量％の溶液にした。
この溶液の１００重量部に対して、０．１重量部のシュウ酸２水和物と９重量部のイオン交換水を加え５０℃に加熱した。攪拌下、５０℃を保ちながら、さらに反応を７時間継続した。この反応において、反応前後のポリマーの^１３Ｃ−ＮＭＲを比較した。１１７ｐｐｍおよび１００ｐｐｍ付近に観測されるＰＥＥＳポリマー由来の吸収が反応後においては消失し、新たに１１５ｐｐｍ付近にＰＨＳ由来の吸収が観測された。さらに９４ｐｐｍ付近に観測されるＯ−ＣＨ_２−Ｏに由来するピークが加水分解前後にて保持されていることを確認した。また反応後のポリマーについてＧＰＣを測定したところポリスチレン換算でＭｎ＝１０９００であり、反応前後においてピーク形状に大きな変化が見られなかった。以上のことから、加水分解反応は設定どおりに行われ、ＰＨＳセグメントを主骨格とするアルケニルフェノール形ポリマーが得られた。また主鎖骨格中に導入されたＯ−ＣＨ_２−Ｏ結合は保持されており、櫛型形状を保持していることを確認した。

［製造例７−２−３：酢酸メチルアダマンチル基の導入］
製造例７−２−２により得られたポリマー溶液にＭＩＢＫを加え、有機層をイオン交換水で３回洗浄した。しかる後、有機層を減圧下で濃縮しポリマー分４０重量％の溶液にした後、アセトンによりポリマー分１０重量％の溶液にした。
得られたポリマー溶液１６０．０ｇに炭酸カリウム５．１ｇを加え、撹拌下、５０℃で３０分保持した。その後、ヨード酢酸メチルアダマンチル７．９７ｇを加え、さらに５０℃で反応を５時間継続した。
反応系にＭＩＢＫを加え、有機層をシュウ酸水溶液で１回洗浄した後、さらにイオン交換水で３回洗浄を行なった。その後、有機層を減圧下、濃縮操作によりＰＧＭＥＡ溶液で置換した。

得られたポリマーを^１3Ｃ−ＮＭＲによる測定を行ったところ、ＰＨＳに酢酸メチルアダマンチル基が導入されたユニット（以下、ＰＨＳ−ＯＡｄＥと称する）に由来する吸収が新たに８９ｐｐｍ付近、１１４ｐｐｍ付近、並びに１６９ｐｐｍ付近に観測された。
またＰＨＳユニットとＰＨＳ−ＯＡｄＥの割合が７５／２５であった。さらに主鎖骨格中に導入されたＯ−ＣＨ_２−Ｏに由来する９４ｐｐｍ付近のピークは保持されていることを確認した。また反応後のポリマーについてＧＰＣを測定したところ、ポリスチレン換算でＭｎ＝１２８００、Ｍｗ／Ｍｎ＝１．０３の単分散ポリマーであり、反応前後においてピーク形状に変化が見られなかった。以上のことから、酢酸メチルアダマンチル基の導入は設定どおりに行われ、ＰＨＳ／ＰＨＳ−ＯＡｄＥセグメントを主骨格とするアルケニルフェノール形ポリマーが得られ、主鎖骨格中に導入されたＯ−ＣＨ_２−Ｏ結合は保持されており、櫛型形状を保持していることを確認した。

上記製造例７−２−３で得られたポリマー（以降ポリマー（Ａ）−１５と略す）の構造を以下に示す。下記化学式中、（ ）の右下に付した符号は当該ポリマーの枝部であるポリマー鎖を構成する全構成単位の合計に対する各構成単位の割合（モル％；組成比）を示し、^１３Ｃ−ＮＭＲにより算出した。下記式（Ａ）−１５は、幹ポリマーのエチレン基の炭素原子と、枝ポリマーの（ａ１）、（ａ２）単位における主鎖の末端とが結合していることを示している。

［（ａ１）／（ａ２）＝７５／２５（モル比）；Ｍｎ＝１２８００、Ｍｗ／Ｍｎ＝１．０８］

［製造例７−３：幹ポリマー（ポリマー（Ａ０）−２〜（Ａ０）−３の製造）］
［製造例７−３−１〜７−３−２：クロロエチルアセタール基の導入］
窒素雰囲気にて、Ｍｎ＝２７００、Ｍｗ／Ｍｎ＝１．０６の単分散のＰＨＳ４０．０ｇにＴＨＦ３６０．０ｇと以下の表１で示したとおりの水素化ナトリウムを加えた。攪拌下、氷冷しながら以下の表７で示したとおりの２−クロロエチルクロロメチルエーテルを２０分かけて滴下し、さらに攪拌下３０℃にて４時間保持した。

その後、反応混合物にＭＩＢＫを加え、有機層をシュウ酸水溶液とイオン交換水で５回洗浄を行った。得られた有機層を減圧下、濃縮操作により５０ｗｔ％のＭＩＢＫ溶液として以下の式（０３）及び表８で表されるポリマーを得た。

［製造例７−３−３〜７−３−４：臭素への変換］
窒素雰囲気下にて製造例７−３−１または製造例７−３−２で得られたポリマー溶液５０．０ｇに以下の表９で示したとおりのＨＭＰＡとブロモエタンと臭化ナトリウムを加え、攪拌下８０℃にて６時間保持した。

その後、反応混合物を減圧下にて濃縮した。得られた濃縮混合物に新たに以下の表１０で示したとおりのブロモエタン１２３．０ｇを加え、攪拌下８０℃にて６時間保持した。

その後、反応混合物を減圧下にて濃縮し、得られた濃縮混合物にＭＩＢＫを加え、有機層をイオン交換水で４回洗浄した。その後、減圧下にて濃縮を行い、得られたポリマー溶液をｎ−ヘキサンで再沈殿した。得られたポリマー粉体を減圧乾燥することで以下の式（０４）及び表１１で表されるポリマーを得た。

［製造例７−３−５〜７−３−６：エトキシエチル基の導入］
窒素雰囲気下にて製造例７−３−３または製造例７−３−４で得られたポリマー２０．０ｇに以下の表１２に示したとおりのＴＨＦとトリフルオロ酢酸とエチルビニルエーテルを加え、攪拌下３０℃にて５時間保持した。

その後、反応液にトリエチルアミンを加えて反応を停止させた後、トルエンを加え、有機層をイオン交換水で４回洗浄した。その後、有機層に無水硫酸マグネシウムを加え乾燥した。ろ過を行った後、減圧下にて濃縮を行い、以下の式（Ａ０）−２〜（Ａ０）−３及び表１３で表され、櫛型ポリマーの幹部となるポリマー（Ａ０）−２〜（Ａ０）−３を４０ｗｔ％トルエン溶液として得た。

［製造例７−４：櫛型ポリマー（ポリマー（Ａ）−１９〜（Ａ）−２０の製造）］
［製造例７−４−１〜７−４−２：枝ポリマーの合成及び酸分解性ポリマーの合成］
窒素雰囲気下にてＴＨＦ１７９．８ｇを−６０℃に冷却した。攪拌下、−６０℃を保持しながらｓ−ブチルリチウムを４２ミリモル加えた。さらに攪拌下、−６０℃を保持しながらＰＥＥＳ４０．５ｇを３０分かけて滴下し、さらに反応を１時間継続した。この段階で反応液を少量採取し、メタノールにより反応を停止させた後、ＧＰＣにより分析したところ、得られたＰＥＥＳポリマーはポリスチレン換算でＭｎ＝９７０、Ｍｗ／Ｍｎ＝１．２２の単分散ポリマーであった。

次いで、反応系を−６０℃に保ちながら、製造例３−５または製造例７−３−６で得られたポリマー（Ａ０）−２または（Ａ０）−３の溶液を４０分かけて以下の表１４で示される量滴下した。

さらに反応を１時間継続し、ついで反応系にメタノールを加え、反応を停止させた後ＧＰＣにより分析したところ、以下の表１５に示す単分散の酸分解性ポリマーを得た。

幹ポリマーとの反応前後において、ポリマーが単分散を保持したまま分子量の増加が観測されたことから設計どおりに櫛型形状を持つポリマーが得られたことを確認した。

［製造例７−４−３〜７−４−４：ＰＥＥＳの加水分解（保護基の除去）］
実施例７−４−１または製造例７−４−２により得られた重合液にＭＩＢＫを加え、有機層をイオン交換水で２回洗浄した後、有機層を減圧下で濃縮操作によりポリマー分４０重量％のＭＩＢＫ溶液にし、さらにＩＰＡによりポリマー分２０重量％の溶液にした。
これら溶液１００．０に０．５ｇのシュウ酸２水和物と１０．０ｇのイオン交換水を加え５０℃に加熱した。攪拌下、５０℃を保ちながら、さらに反応を１時間継続した。反応後のポリマーをＧＰＣ分析したところ、以下の表１６に示すポリマーが得られたことを確認した。

またこれらの反応において、反応前後のポリマーの^１３Ｃ−ＮＭＲを比較した。１１７ｐｐｍおよび１００ｐｐｍ付近に観測されるＰＥＥＳポリマー由来の吸収が反応後においては消失し、新たに１１５ｐｐｍ付近にｐ−ヒドロキシスチレンポリマー由来の吸収が観測された。さらに９４ｐｐｍ付近に観測されるＯ−ＣＨ_２−Ｏに由来するピークが加水分解前後にて保持されていることを確認した。また反応後のポリマーについてＧＰＣピーク形状に大きな変化が見られなかった。以上のことから、加水分解反応は設定どおりに行われ、ＰＨＳセグメントを主骨格とするアルケニルフェノール形ポリマーが得られた。また主鎖骨格中に導入されたＯ−ＣＨ_２−Ｏ結合は保持されており、櫛型形状を保持していることを確認した。

［製造例７−４−５〜７−４−６：酢酸メチルアダマンチル基の導入］
実施例７−４−３または製造例７−４−４により得られたポリマー溶液にＭＩＢＫを加え、有機層をイオン交換水で３回洗浄した。その後、有機層を減圧下で濃縮しポリマー分４０ｗｔ％の溶液にした後、アセトンによりポリマー分１０ｗｔ％の溶液にした。

得られたポリマー溶液２００．０ｇに以下の表１７に示したとおりの炭酸カリウムを加え、攪拌下５５℃で３０分保持した。その後、表１７に示したとおりのヨード酢酸メチルアダマンチルを加え、さらに５５℃で反応を５時間継続した。

反応系にＭＩＢＫを加え、有機層をシュウ酸水溶液で１回洗浄した後、さらにイオン交換水で３回洗浄を行なった。その後、有機層を減圧下、濃縮操作によりＰＧＭＥＡ溶液で置換した。

得られたポリマーを^１3Ｃ−ＮＭＲによる測定を行ったところ、ＰＨＳ−ＯＡｄＥユニットに由来する吸収が新たに８９ｐｐｍ付近、１１４ｐｐｍ付近、並びに１６９ｐｐｍ付近に観測された。
さらに主鎖骨格中に導入されたＯ−ＣＨ_２−Ｏに由来する９４ｐｐｍ付近のピークは保持されていることを確認した。またＰＨＳユニットとＰＨＳ−ＯＡｄＥの割合は以下の表１８に示すとおりであった。また反応後のポリマーについてＧＰＣを測定したところ、表１８に示すとおりの単分散ポリマーであり、反応前後においてピーク形状に変化が見られなかった。

以上のことから、酢酸メチルアダマンチル基の導入は設定どおりに行われ、ＰＨＳ／ＰＨＳ−ＯＡｄＥセグメントを主骨格とするアルケニルフェノール形ポリマーが得られ、主鎖骨格中に導入されたＯ−ＣＨ_２−Ｏ結合は保持されており、櫛型形状を保持していることを確認した。

得られた櫛型ポリマーの構造を以下に示す。下記化学式中、（ ）の右下に付した符号は当該ポリマーの各構成単位の割合（モル％；組成比）を示し、^１３Ｃ−ＮＭＲにより算出した。下記式は、幹ポリマーの（ｂ３）単位のエチレン基の炭素原子と、枝ポリマーの（ａ１）、（ａ２）単位における主鎖の末端とが結合していることを示している。

［（ａ１＋ｂ１）／（ａ２＋ｂ２）＝（モル比；表１３参照）］
［（ｂ１＋ｂ２）／ｂ３＝（モル比；表１３参照）］

＜レジスト組成物の調製−１＞
（実施例１、比較例１〜１３）
表２０に示す各成分を混合し、溶解してポジ型レジスト組成物を調製した。

表７中の各略号はそれぞれ以下の意味を有する。また、［ ］内の数値は配合量（質量部）である。
（Ａ）−１：前記ポリマー（Ａ）−１。
（Ａ）−２：前記ポリマー（Ａ）−２。
（Ａ）−３：前記ポリマー（Ａ）−３。
（Ａ）−４：前記ポリマー（Ａ）−４。
（Ａ）−５：前記ポリマー（Ａ）−５。
（Ａ）−６：前記ポリマー（Ａ）−６。
（Ａ）−７：前記ポリマー（Ａ）−７。
（Ａ）−８：前記ポリマー（Ａ）−８。
（Ａ）−９：前記ポリマー（Ａ）−９。
（Ａ）−１０：前記ポリマー（Ａ）−１０。
（Ａ）−１１：前記ポリマー（Ａ）−１１。
（Ａ）−１２：前記ポリマー（Ａ）−１２。
（Ａ）−１３：前記ポリマー（Ａ）−１３。
（Ａ）−１４：前記ポリマー（Ａ）−１４。
（Ｂ）−１：下記化学式（Ｂ）−１で表される化合物。
（Ｄ）−１：トリ−ｎ−オクチルアミン。
（Ｅ）−１：サリチル酸。
（Ｓ）−１：ＰＧＭＥＡ／ＰＧＭＥ＝６／４（質量比）の混合溶剤。

下記のとおり各レジスト組成物のＴｆおよびＴｆ’を測定し、その結果（Ｔｆおよび、Ｔｆ−Ｔｆ’）について表２１に示す。

［ＴｆとＴｆ’の測定］
ＴｆとＴｆ’の測定においては、各（Ａ）成分１００質量部に対し、（Ｂ）成分としてトリフェニルスルホニウムノナフルオロブタンスルホネート１５質量部、（Ｄ）成分としてトリ−ｎ−オクチルアミン１．０質量部とを、ＰＧＭＥＡ／ＰＧＭＥ＝６／４（質量比）の混合溶剤３９００質量部に溶解させたものを使用した。
［（１）孤立ホールパターンの形成］
８インチのシリコンウェーハ上に、有機系反射防止膜組成物「ＤＵＶ−４２Ｐ」（商品名、ブリュワーサイエンス社製）を、スピンナーを用いて塗布し、ホットプレート上で１８０℃、６０秒間焼成して乾燥させることにより、膜厚６５ｎｍの有機系反射防止膜を形成した。そして、該反射防止膜上に、各ポジ型レジスト組成物を、スピンナーを用いてそれぞれ塗布し、ホットプレート上で表８記載の温度で、６０秒間の条件でプレベーク（ＰＡＢ）処理を行い、乾燥することにより、膜厚１００ｎｍのレジスト膜を形成した。
次いで、前記レジスト膜に対し、ＫｒＦ露光装置ＮＳＲ−Ｓ２０３（ニコン社製；ＮＡ（開口数）＝０．６８，σ＝０．７５）により、ＫｒＦエキシマレーザー（２４８ｎｍ）を、マスクパターンを介して選択的に照射した。
そして、表２１記載の温度で６０秒間のＰＥＢ処理を行い、さらに２３℃にて２．３８質量％のＴＭＡＨ水溶液ＮＭＤ−３（商品名、東京応化工業株式会社製）で６０秒間の条件でアルカリ現像した。
その結果、いずれの例においても、前記レジスト膜に、直径１７０ｎｍ、ピッチ１２００ｎｍの孤立ホールパターンが形成された。このときの最適露光量（Ｅｏｐ；ｍＪ／ｃｍ^２）を表２１に示す。
［（２）露光前レジスト軟化点Ｔｆの測定］
各孤立ホールパターンに対し、ポストベーク処理なし（２３℃）、８０℃、９０℃、９５℃〜１６０℃（５℃間隔、計１４点）で各温度に対し６０秒間ずつ、ポストベークをおこなった。
処理なし（２３℃）の寸法に対する、各温度におけるホール直径の寸法変化を記録し、処理なし（２３℃）の寸法に対して１０％減少し始めた温度をＴｆとした。
［（３）露光後レジスト軟化点Ｔｆ’の測定］
（２）のポストベーク処理なしの各孤立ホールパターンに対し、再度、ＫｒＦ露光装置ＮＳＲ−Ｓ２０３（ニコン社製；ＮＡ（開口数）＝０．６８，σ＝０．７５）により、ＫｒＦエキシマレーザー（２４８ｎｍ）を照射（全面露光）した。なお、露光量は各レジスト組成物において上記（１）における１７０ｎｍ孤立ホールパターンを得られる最適露光量と同一である。そして、表２１記載のＰＥＢ（２回目）温度で６０秒間のＰＥＢ処理を行った後、上記（２）と同様にして、ポストベーク処理なし（２３℃）、８０℃、９０℃、９５℃〜１６０℃（５℃間隔、計１４点）で各温度に対し６０秒間ずつ、ポストベークをおこない、処理なし（２３℃）の寸法に対する、各温度におけるホール直径の寸法変化を記録し、処理なし（２３℃）の寸法に対して１０％減少し始めた温度をＴｆ’とした。

＜レジストパターンの形成−１＞
［感度］
得られたポジ型レジスト組成物を用いて解像性の評価を行った。
各例のポジ型レジスト組成物を、９０℃にて３６秒間のヘキサメチルジシラザン（ＨＭＤＳ）処理を施した８インチシリコン基板上に、スピンナーを用いて均一にそれぞれ塗布し、表２２に示す温度にて６０秒間のベーク処理（ＰＡＢ）を行ってレジスト膜（膜厚８０ｎｍ）を成膜した。
該レジスト膜に対し、電子線描画機ＨＬ−８００Ｄ（ＶＳＢ）（Ｈｉｔａｃｈｉ社製）を用い、加速電圧７０ｋＶにて描画（露光）を行い、表２２に示す温度にて６０秒間のベーク処理（ＰＥＢ）を行い、さらに２３℃にてテトラメチルアンモニウムヒドロキシド（ＴＭＡＨ）の２．３８質量％水溶液（商品名：ＮＭＤ−３、東京応化工業（株）製）を用いて３０秒間の現像を行った後、純水にて１５秒間リンスして、ラインアンドスペース（Ｌ／Ｓ）パターンを形成した。
このとき、１００ｎｍのＬ／Ｓパターンが１：１に形成される露光量（Ｅｏｐ；μＣ／ｃｍ^２）を求めた。結果を表２２に示す。

［ＬＷＲ（ラインワイズラフネス）評価］
前記Ｅｏｐで形成された１００ｎｍの１：１Ｌ／Ｓパターンにおいて、測長ＳＥＭ（走査型電子顕微鏡、加速電圧８００Ｖ、商品名：Ｓ−９２２０、日立製作所社製）により、ライン幅を、ラインの長手方向に５箇所測定し、その結果から標準偏差（ｓ）の３倍値（３ｓ）を、ＬＷＲを示す尺度として算出した。その結果を表２に示す。この３ｓの値が小さいほど線幅のラフネスが小さく、より均一幅のＬ／Ｓパターンが得られたことを意味する。結果を表２２に示す。

表２２の結果から、本発明に係る実施例１のポジ型レジスト組成物は、比較例１〜１３のポジ型レジスト組成物に比べて、ＬＷＲに優れることが確認できた。

＜レジスト組成物の調製−２＞
（実施例２、比較例１４）
表２３に示す各成分を混合し、溶解してポジ型レジスト組成物を調製した。
また、上記と同様にして測定した各レジスト組成物のＴｆ、Ｔｆ’、ベーク温度、および露光量等は、表２４に示す。

表２３中の各略号のうち、（Ａ）−７、（Ａ）−１３、（Ｄ）−１、および（Ｓ）−１はそれぞれ前記の通りであり、（Ｂ）−２は下記化学式で表される化合物を示す。また、［ ］内の数値は配合量（質量部）である。

＜レジストパターンの形成−２＞
［感度・ＬＷＲ］
得られたポジ型レジスト組成物を用いて、ＰＡＢ温度およびＰＥＢ温度を表２５に示したとおりに変更した以外は上記＜レジストパターンの形成―１＞と同様にして、レジストパターンの形成をおこなった。いずれの場合も、１００ｎｍの１：１Ｌ／Ｓパターンが形成されていた。このときの露光量（Ｅｏｐ；μＣ／ｃｍ^２）を表２５に示す。
また、ＬＷＲについても上記と同様の方法で評価した。結果を表２５に示す。

表２５の結果から、本発明に係る実施例２のポジ型レジスト組成物は、比較例１４と比べて、ＬＷＲに優れることが確認できた。

＜レジスト組成物の調製−３＞
（実施例３〜６、比較例１５）
表２６に示す各成分を混合し、溶解してポジ型レジスト組成物を調製した。
また、上記と同様にして測定した各レジスト組成物のＴｆ、Ｔｆ’ベーク温度、および露光量等は、表２７に示す。

表２６中、［ ］内の数値は配合量（質量部）を示す。また、表２６中の略号のうち、（Ｄ）−１、及び（Ｓ）−１はそれぞれ前記の通りであり、その他はそれぞれ以下のものを示す。
（Ａ）−１５：前記ポリマー（Ａ）−１５。
（Ａ）−１６：ヨード酢酸メチルアダマンチルの仕込み量を２．８ｇとした以外は前記合成例５（ポリマー（Ａ）−１３）と同様にして合成したポリマー（Ａ）−１６（Ｍｎ＝３９５０、Ｍｗ／Ｍｎ＝１．０９、ＰＨＳ／ＰＨＳ−ＯＡｄＥ＝７５／２５ (モル比)）
（Ａ）−１７：特開２００８−２５０１５７の記載に準じて合成した、下記式（Ａ）−１７で表されるポリマー（Ｍｗ；１３０００、分散度；１．１３、ｍ／ｎ＝７５／２５（モル比））。なお、酢酸メチルアダマンチル基の導入に用いたモノマーは、ヨード酢酸メチルアダマンチルである。
（Ａ）−１９：前記ポリマー（Ａ）−１９。
（Ａ）−２０：前記ポリマー（Ａ）−２０。
（Ｂ）−３：下記化学式（Ｂ）−３で表される化合物。

＜レジストパターンの形成−３＞
［感度・ＬＷＲ］
各例のポジ型レジスト組成物を、９０℃にて３６秒間のヘキサメチルジシラザン（ＨＭＤＳ）処理を施した８インチシリコン基板上に、スピンナーを用いて均一にそれぞれ塗布し、９０℃、６０秒間のプレベーク（ＰＡＢ）処理を行い、膜厚５０ｎｍのレジスト膜を形成した。
次に、該レジスト膜に対し、電子線描画機ＨＬ−８００Ｄ（ＶＳＢ）（Ｈｉｔａｃｈｉ社製）を用い、加速電圧７０ｋｅＶにて描画（露光）を行い、８０℃、６０秒間のＰＥＢ処理を行い、さらに２３℃にてテトラメチルアンモニウムヒドロキシド（ＴＭＡＨ）の２．３８質量％水溶液（商品名：ＮＭＤ−３、東京応化工業（株）製）を用いて６０秒間の現像を行った後、純水にて１５秒間リンスして、ラインアンドスペース（Ｌ／Ｓ）パターンを形成した。
このとき、１００ｎｍのＬ／Ｓパターンが１：１に形成される露光量（Ｅｏｐ；μＣ／ｃｍ^２）を求めた。結果を表２８に示す。
また、ＬＷＲを上記と同様の方法で評価した。結果を表２８に示す。

表２８の結果から、本発明に係る実施例３〜６のポジ型レジスト組成物は、比較例１５のポジ型レジスト組成物と比べて、ＬＷＲに優れることが確認できた。

＜レジスト組成物の調製−４＞
（実施例７、比較例１６〜１８）
表２９に示す各成分を混合し、溶解してポジ型レジスト組成物を調製した。
また、上記と同様にして測定した各レジスト組成物のＴｆ、Ｔｆ’ベーク温度、および露光量等は、表３０に示す。

表２９中、［ ］内の数値は配合量（質量部）を示す。また、表２９中の略号のうち、（Ｄ）−１、（Ｅ）−１、及び（Ｓ）−１はそれぞれ前記の通りであり、その他はそれぞれ以下のものを示す。なお、（Ｂ）−４で表される化合物は、特開２００９−２０９１２８号を参照して合成した。
（Ａ）−２１：下記式（Ａ）−２１で表されるポリマー（Ｍｎ＝４３００、Ｍｗ／Ｍｎ＝１．０５）。

［式中、（ ）の右下の数値は各構成単位の割合（モル比）を示す。］

＜レジストパターンの形成−４＞
［感度・ＬＷＲ］
得られたポジ型レジスト組成物を用いて、上記＜レジストパターンの形成―３＞と同様にして、レジストパターンの形成をおこなった。いずれの場合も、１００ｎｍの１：１Ｌ／Ｓパターンが形成されていた。このときの露光量（Ｅｏｐ；μＣ／ｃｍ^２）を表１８に示す。
また、ＬＷＲについても下記評価の解像性が良好だったものにつき上記と同様の方法で評価した。結果を表３１に示す。

[解像性]
上記Ｅｏｐにおける限界解像度（ｎｍ）を、走査型電子顕微鏡Ｓ−９２２０（Ｈｉｔａｃｈｉ社製）を用いて求め、以下の基準で評価した。結果を表３１に示す
○：ライン幅５０ｎｍの１：１Ｌ／Ｓパターンが解像できた。
×：ライン幅５０ｎｍの１：１Ｌ／Ｓパターンが解像できなかった。

[形状]
上記Ｅｏｐにて形成された１：１Ｌ／Ｓパターンの断面形状を、走査型電子顕微鏡（商品名：Ｓ−４７００、日立製作所製）を用いて観察し、その形状を以下の基準で評価した。結果を表３１に示す。
○：矩形性が高い。
×：矩形性を維持していない。

表３１の結果から、本発明に係る実施例７のポジ型レジスト組成物は、比較例１８と比べて解像性に優れることがわかった。また、本発明に係る実施例７のポジ型レジスト組成物は、比較例１６〜１７と同等または優れたＬＷＲを有し、形成されるパターン形状も優れていることが確認できた。

Claims (6)

1. 酸の作用によりアルカリ現像液に対する溶解性が増大する基材成分（Ａ）と、露光により酸を発生する酸発生剤成分（Ｂ）とを含有するポジ型レジスト組成物であって、
   前記ポジ型レジスト組成物は、
   前記ポジ型レジスト組成物を用いて、支持体上に形成したレジスト膜を、選択的に露光し、現像してホールパターンを形成した後に、ベーク処理を行った場合に、該ホールの寸法値が、該ベーク処理前の該寸法値と比較して、１０％減少し始めるベーク処理温度（Ｔｆ）が１００℃以上であり、且つ、
   前記ポジ型レジスト組成物を用いて、支持体上に形成したレジスト膜を、選択的に露光し、現像してホールパターンを形成した後に、全面露光を行い、次いでベーク処理を行った場合に、該ホールの寸法値が、該ベーク処理前の該寸法値と比較して、１０％減少し始めるベーク処理温度（Ｔｆ’）が、前記Ｔｆよりも１８℃以上低いことを特徴とするポジ型レジスト組成物。
2. 前記基材成分（Ａ）が、
   ２価以上の炭化水素基または複素環からなるコア部と、
   該コア部に結合し、且つ、下記一般式（１）で表される少なくとも１つのアーム部とを有する高分子化合物（Ａ１１）を含有する請求項１記載のポジ型レジスト組成物。
   

   

   ［Ｘは酸解離性基を有する２価の連結基であり、Ｙはポリマー鎖である。］
3. 前記高分子化合物（Ａ１１）が、前記コア部を２つ以上有し、且つ、
   該コア部が、互いに、原子、または２価の連結基からなる連結部を介して結合している、請求項２記載のポジ型レジスト組成物。
4. 前記基材成分（Ａ）が、
   分子量５００以上、２００００以下のポリマーからなるコア部と、
   該コア部に結合し、且つ、下記一般式（１）で表される少なくとも１つのアーム部とを有する高分子化合物（Ａ１２）を含有する請求項１記載のポジ型レジスト組成物。
   

   

   ［Ｘは酸解離性基を有する２価の連結基であり、Ｙはポリマー鎖である。］
5. 前記高分子化合物（Ａ１２）が、下記一般式（Ａ１２−１）で表される高分子化合物である請求項４記載のポジ型レジスト組成物。
   

   

   [式中、Ｒは水素原子、炭素数１〜５のアルキル基、又は炭素数１〜５のハロゲン化アルキル基であり、Ｒ^０１は２価の芳香族基であり、Ｚは−ＯＨ、−ＣＯＯＨ、前記式（１）で表される基、又は、−ＯＨ若しくは−ＣＯＯＨにおける水素原子が酸解離性溶解抑制基で置換された基（但し、前記式（１）で表される基を除く）である。なお、高分子化合物（Ａ１２）中の複数のアーム部において、Ｒ、Ｚは、それぞれ同じであっても異なっていてもよく、１つ以上のＺは、前記式（１）で表される基である。]
6. 請求項１〜５のいずれか一項記載のポジ型レジスト組成物を用いて支持体上にレジスト膜を形成する工程、前記レジスト膜を露光する工程、及び前記レジスト膜をアルカリ現像してレジストパターンを形成する工程を含むレジストパターン形成方法。