JP2010238984A - Exposure apparatus, method for adjusting pressure for exposure apparatus and device manufacturing method - Google Patents
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Abstract
Description
本発明は、露光装置、露光装置の圧力調整方法、及びデバイス製造方法に関するものである。 The present invention relates to an exposure apparatus, a pressure adjustment method for the exposure apparatus, and a device manufacturing method.
半導体デバイス、電子デバイス等のマイクロデバイスの製造工程において、下記特許文献に開示されているような、露光光で基板を露光する露光装置が使用される。露光装置は、環境(温度、湿度、圧力、及びクリーン度の少なくとも1つを含む)が制御された空間内で移動する移動体(例えば、基板を保持する基板ステージ)を備えている。 In the manufacturing process of microdevices such as semiconductor devices and electronic devices, an exposure apparatus that exposes a substrate with exposure light as disclosed in the following patent document is used. The exposure apparatus includes a moving body (for example, a substrate stage that holds a substrate) that moves in a space in which an environment (including at least one of temperature, humidity, pressure, and cleanness) is controlled.
前記空間は所定環境に設定するために適宜密閉(必ずしも完全密閉する必要はなく、所定の環境が維持されうる程度でもよい)された状態に設定されるが、この空間内で移動体が移動すると、移動体の移動(進行)方向の前後で前記空間の圧力が変動(進行前側では空間内の気体が圧縮されて圧力が高くなり、進行後側では逆に膨張して圧力が低くなる)してしまう可能性がある。
一方、ステージの位置の計測には、例えば、レーザ干渉計のように測定光を空間内に通過させる装置が使用される。しかし、例えば、測定光が通過する光路が前記圧力の変動を受けると干渉計の測定値も変動して移動体(例えば、基板ステージ)の計測精度が変わってしまう。そのため、例えば、露光不良が発生したり、不良デバイスが発生したりしてしまう可能性があった。
In order to set the space in a predetermined environment, the space is appropriately sealed (it is not necessarily required to be completely sealed and may be a level that allows the predetermined environment to be maintained). The pressure in the space fluctuates before and after the moving (moving) direction of the moving body (the gas in the space is compressed on the pre-traveling side and the pressure increases, and on the traveling side, the pressure expands and the pressure decreases on the contrary). There is a possibility that.
On the other hand, for measuring the position of the stage, for example, a device that allows measurement light to pass through space, such as a laser interferometer, is used. However, for example, when the optical path through which the measurement light passes is subjected to the pressure fluctuation, the measurement value of the interferometer also fluctuates and the measurement accuracy of the moving body (for example, the substrate stage) changes. Therefore, for example, there is a possibility that an exposure failure occurs or a defective device occurs.
本発明の態様は、圧力変動を抑制できる露光装置、及び露光装置の圧力調整方法を提供することを目的とする。また、本発明の態様は、不良デバイスの発生を抑制できるデバイス製造方法を提供することを目的としている。 An object of an aspect of the present invention is to provide an exposure apparatus capable of suppressing pressure fluctuation and a pressure adjustment method for the exposure apparatus. Moreover, the aspect of this invention aims at providing the device manufacturing method which can suppress generation | occurrence | production of a defective device.
本発明の第1の態様に従えば、所定面上を少なくとも一方向に沿って移動可能な移動体と、前記移動体の移動により生じた圧力変動を小さくするように加圧空気を噴射する圧力調整装置と、を備える露光装置が提供される。 According to the first aspect of the present invention, a movable body that is movable along at least one direction on a predetermined surface, and a pressure that injects pressurized air so as to reduce pressure fluctuation caused by the movement of the movable body. An exposure apparatus comprising an adjustment device is provided.
本発明の第2の態様に従えば、所定面上を一方向に沿って移動可能な移動体を有する露光装置の圧力調整方法において、前記移動体の移動により圧力変動が生じた所定空間に対して加圧空気を噴射して前記圧力変動を小さくする露光装置の圧力調整方法が提供される。 According to the second aspect of the present invention, in the pressure adjustment method for an exposure apparatus having a moving body that can move in one direction on a predetermined surface, a predetermined space in which pressure fluctuation has occurred due to the movement of the moving body. Thus, there is provided a pressure adjusting method for an exposure apparatus that reduces the pressure fluctuation by injecting pressurized air.
本発明の第3の態様に従えば、第1,第2の態様の露光装置を用いて基板を露光することと、露光された基板を現像することと、を含むデバイス製造方法が提供される。 According to a third aspect of the present invention, there is provided a device manufacturing method including exposing a substrate using the exposure apparatus according to the first and second aspects, and developing the exposed substrate. .
本発明によれば、圧力の変動を抑制できる。また本発明によれば、露光不良の発生を抑制でき、不良デバイスの発生を抑制できる。 According to the present invention, pressure fluctuation can be suppressed. Further, according to the present invention, it is possible to suppress the occurrence of exposure failure and suppress the occurrence of defective devices.
以下、本発明の実施形態について図面を参照しながら説明するが、本発明はこれに限定されない。以下の説明においては、XYZ直交座標系を設定し、このXYZ直交座標系を参照しつつ各部材の位置関係について説明する。水平面内の所定方向をX軸方向、水平面内においてX軸方向と直交する方向をY軸方向、X軸方向及びY軸方向のそれぞれと直交する方向(すなわち鉛直方向)をZ軸方向とする。また、X軸、Y軸及びZ軸まわりの回転(傾斜)方向をそれぞれ、θX、θY及びθZ方向とする。 Hereinafter, embodiments of the present invention will be described with reference to the drawings, but the present invention is not limited thereto. In the following description, an XYZ orthogonal coordinate system is set, and the positional relationship of each member will be described with reference to this XYZ orthogonal coordinate system. A predetermined direction in the horizontal plane is defined as an X-axis direction, a direction orthogonal to the X-axis direction in the horizontal plane is defined as a Y-axis direction, and a direction orthogonal to each of the X-axis direction and the Y-axis direction (that is, a vertical direction) is defined as a Z-axis direction. In addition, the rotation (inclination) directions around the X, Y, and Z axes are the θX, θY, and θZ directions, respectively.
図1は、一実施形態に係る露光装置EXの一例を示す概略構成図である。本実施形態の露光装置EXは、液体LQを介して露光光ELで基板Pを露光する液浸露光装置である。本実施形態においては、液体LQとして、水(純水)を用いる。 FIG. 1 is a schematic block diagram that shows an example of an exposure apparatus EX according to an embodiment. The exposure apparatus EX of the present embodiment is an immersion exposure apparatus that exposes a substrate P with exposure light EL through a liquid LQ. In the present embodiment, water (pure water) is used as the liquid LQ.
図1において、露光装置EXは、マスクMを保持して移動可能なマスクステージ1と、基板Pを保持して移動可能な基板ステージ2と、基板Pを保持せずに、露光光ELを計測する計測器Cを搭載して移動可能な計測ステージ3と、マスクステージ1を移動するための駆動システム30と、基板ステージ2及び計測ステージ3を移動するための駆動システム20と、マスクステージ1、基板ステージ2、及び計測ステージ3の位置を光学的に計測する干渉計システム4と、マスクMを露光光ELで照明する照明系ILと、露光光ELで照明されたマスクMのパターンの像を基板Pに投影する投影光学系PLと、露光光ELの光路の少なくとも一部が液体LQで満たされるように液浸空間を形成可能な液浸部材5と、露光光ELが進行する空間を形成するチャンバ装置6と、基板Pを搬送可能な搬送装置40と、露光装置EX全体の動作を制御する制御装置7と、制御装置7に接続され、露光に関する各種情報を記憶する記憶装置7Mとを備えている。
In FIG. 1, an exposure apparatus EX measures a
また、露光装置EXは、例えばクリーンルーム内の支持面FL上に設けられた第1コラム9、及び第1コラム9上に設けられた第2コラム10を含むボディ8を備えている。本実施形態において、チャンバ装置6によって形成される空間には、マスクステージ1、基板ステージ2、計測ステージ3、照明系IL、投影光学系PL、及びボディ8等が配置される。
Further, the exposure apparatus EX includes a
第1コラム9は、第1支持部材14と、第1支持部材14に防振装置15を介して支持された第1定盤16とを備えている。第2コラム10は、第1定盤16上に配置された第2支持部材17と、第2支持部材17に防振装置18を介して支持された第2定盤19とを備えている。
The
第1コラム9は、第1空間11を形成する。本実施形態において、第1コラム9は、支持面FLとの間で第1空間11を形成する。第1空間11は、実質的に閉ざされている。
なお、第1空間11が第1コラム9と第3定盤27(後述)で画定されてもよい。
The
The
第2コラム10は、第2空間12を形成する。本実施形態において、第2コラム10は、第1定盤16との間で第2空間12を形成する。第2空間12は、実質的に閉ざされている。
The
チャンバ装置6は、第3空間13を形成する。本実施形態において、チャンバ装置6は、第2定盤19との間で第3空間13を形成する。第3空間13は、実質的に閉ざされている。
The
また、本実施形態において、露光装置EXは、第1,第2,第3空間11,12,13の環境(温度、湿度、圧力、及びクリーン度の少なくとも1つ)を制御する環境制御装置21,22,23を備えている。本実施形態において、環境制御装置21〜23のそれぞれは、気体の温度を調整可能な温度調整装置、及び気体中の異物を除去可能なフィルタユニット等を有する。環境制御装置21〜23のそれぞれは、第1〜第3空間11〜13の環境を制御するために、第1〜第3空間11〜13にクリーンで温度調整された気体を供給する。
In the present embodiment, the exposure apparatus EX controls the environment (at least one of temperature, humidity, pressure, and cleanness) of the first, second, and
本実施形態においては、制御装置7は、環境制御装置21〜23を制御して、第1〜第3空間11〜13のうち、第1空間11のクリーン度が最も高く、第1空間11に次いで第3空間13のクリーン度が高く、第3空間13に次いで第2空間12のクリーン度が高くなるように、第1〜第3空間11〜13の環境を調整する。
In the present embodiment, the
また、本実施形態においては、制御装置7は、環境制御装置21〜23を制御して、第1〜第3空間11〜13のうち、第1空間11の圧力が最も高く、且つ第3空間13の圧力が第2空間12の圧力より高くなるように、第1〜第3空間11〜13の環境を調整する。
Moreover, in this embodiment, the
照明系ILは、所定の照明領域IRを均一な照度分布の露光光ELで照明する。照明系ILは、照明領域IRに配置されたマスクMの少なくとも一部を均一な照度分布の露光光ELで照明する。照明系ILから射出される露光光ELとして、例えば水銀ランプから射出される輝線(g線、h線、i線)及びKrFエキシマレーザ光(波長248nm)等の遠紫外光(DUV光)、ArFエキシマレーザ光(波長193nm)、及びF2レーザ光(波長157nm)等の真空紫外光(VUV光)等が用いられる。本実施形態においては、露光光ELとして、ArFエキシマレーザ光を用いる。 The illumination system IL illuminates a predetermined illumination region IR with exposure light EL having a uniform illuminance distribution. The illumination system IL illuminates at least a part of the mask M arranged in the illumination region IR with the exposure light EL having a uniform illuminance distribution. As the exposure light EL emitted from the illumination system IL, for example, far ultraviolet light (DUV light) such as bright lines (g line, h line, i line) and KrF excimer laser light (wavelength 248 nm) emitted from a mercury lamp, ArF Excimer laser light (wavelength 193 nm), vacuum ultraviolet light (VUV light) such as F2 laser light (wavelength 157 nm), or the like is used. In the present embodiment, ArF excimer laser light is used as the exposure light EL.
マスクステージ1は、マスクMを保持した状態で、第3空間13内で移動可能である。マスクステージ1は、マスクMをリリース可能に保持するマスク保持部1Hを有する。本実施形態において、マスク保持部1Hは、マスクMの表面(パターン形成面)とXY平面とがほぼ平行となるように、マスクMを保持する。
The
マスクステージ1は、マスクMを保持した状態で、第3空間13内で移動可能である。
マスクステージ1は、マスクMをリリース可能に保持するマスク保持部1Hを有する。本実施形態において、マスク保持部1Hは、マスクMの表面(パターン形成面)とXY平面とがほぼ平行となるように、マスクMを保持する。
The
The
マスクステージ1は、第2定盤19のガイド面19G上を移動可能である。ガイド面19Gは、第3空間13内に配置されている。マスクステージ1は、ガイド面19G上において、照明領域IR(照明系ILからの露光光ELが照射可能な位置)に移動可能である。ガイド面19Gは、XY平面とほぼ平行である。マスクステージ1は、駆動システム30の作動により、第3空間13内のガイド面19G上で移動可能である。本実施形態において、駆動システム30は、ガイド面19G上でマスクステージ1を移動するための平面モータを含む。マスクステージ1を移動するための平面モータは、例えば米国特許第6452292号明細書に開示されているような、マスクステージ1に配置された可動子1Mと、第2定盤19に配置された固定子19Cとを有する。本実施形態において、可動子1Mは、マグネットアレイを含み、固定子19Cは、コイルアレイを含む。なお、可動子1Mがコイルアレイを含み、固定子19Cがマグネットアレイを含んでもよい。本実施形態においては、マスクステージ1は、平面モータを含む駆動システム30の作動により、X軸、Y軸、Z軸、θX、θY、及びθZ方向の6つの方向に移動可能である。
The
投影光学系PLは、所定の投影領域PRに露光光ELを照射する。投影光学系PLは、投影領域PRに配置された基板Pの少なくとも一部に、マスクMのパターンの像を所定の投影倍率で投影する。投影光学系PLの複数の光学素子は、鏡筒24に保持されている。
鏡筒24は、フランジ24Fを有する。投影光学系PLは、フランジ24Fを介して、第1定盤16に支持される。なお、第1定盤16と鏡筒24との間に防振装置を設けることができる。
The projection optical system PL irradiates the predetermined projection region PR with the exposure light EL. The projection optical system PL projects an image of the pattern of the mask M at a predetermined projection magnification onto at least a part of the substrate P arranged in the projection region PR. A plurality of optical elements of the projection optical system PL are held by the
The
本実施形態の投影光学系PLは、その投影倍率が例えば1/4、1/5、又は1/8等の縮小系である。なお、投影光学系PLは等倍系及び拡大系のいずれでもよい。本実施形態においては、投影光学系PLの光軸はZ軸と平行である。また、投影光学系PLは、反射光学素子を含まない屈折系、屈折光学素子を含まない反射系、反射光学素子と屈折光学素子とを含む反射屈折系のいずれであってもよい。また、投影光学系PLは、倒立像と正立像とのいずれを形成してもよい。 The projection optical system PL of the present embodiment is a reduction system whose projection magnification is, for example, 1/4, 1/5, or 1/8. Note that the projection optical system PL may be either an equal magnification system or an enlargement system. In the present embodiment, the optical axis of the projection optical system PL is parallel to the Z axis. The projection optical system PL may be any of a refractive system that does not include a reflective optical element, a reflective system that does not include a refractive optical element, and a catadioptric system that includes a reflective optical element and a refractive optical element. Further, the projection optical system PL may form either an inverted image or an erect image.
投影光学系PLの複数の光学素子のうち、投影光学系PLの像面に最も近い終端光学素子25は、投影光学系PLの像面に向けて露光光ELを射出する射出面26を有する。投影領域PRは、投影光学系PL(終端光学素子25)の射出面26から射出される露光光ELが照射可能な位置を含む。
Of the plurality of optical elements of the projection optical system PL, the terminal
本実施形態において、投影光学系PLの複数の光学素子のうち、少なくとも終端光学素子25は、第1空間11に配置されている。本実施形態において、終端光学素子25の射出面26から射出される露光光ELの光路は、第1空間11に配置される。すなわち、本実施形態において、第1空間11は、投影光学系PLの像面側の光路を含み、基板Pに入射する露光光ELの光路の少なくとも一部を含む。
In the present embodiment, among the plurality of optical elements of the projection optical system PL, at least the terminal
基板ステージ2は、基板Pを保持した状態で、第1空間11内で移動可能である。基板ステージ2は、基板Pをリリース可能に保持する基板保持部2Hを有する。本実施形態において、基板Pは基板保持部2Hの上側(+Z側)に保持される。本実施形態において、基板保持部2Hは、基板Pの表面(露光面)とXY平面とがほぼ平行となるように、基板Pを保持する。
The
計測ステージ3は、計測器Cの少なくとも一部を搭載した状態で、第1空間11内で移動可能である。計測器Cは、露光光ELを計測可能である。すなわち、計測器Cは露光光ELを受光可能である。計測ステージ3に搭載される計測器Cとして、例えば米国特許出願公開第2002/0041377号明細書に開示されているような投影光学系PLによる空間像を計測可能な空間像計測システムの少なくとも一部、例えば米国特許第4465368号明細書に開示されているような露光光ELの照度むらを計測可能な照度むら計測システムの少なくとも一部、例えば米国特許第6721039号明細書に開示されているような投影光学系PLの露光光ELの透過率の変動量を計測可能な計測システムの少なくとも一部、例えば米国特許出願公開第2002/0061469号明細書等に開示されているような照射量計測システム(照度計測システム)の少なくとも一部、及び例えば欧州特許第1079223号明細書に開示されているような波面収差計測システムの少なくとも一部等が挙げられる。また、計測器Cは、基板Pのアライメントマークを検出するアライメントセンサで検出される基準マークを有する基準部材も含む。なお、基準部材に、露光光ELと同じ波長の検出光で検出される基準マークが設けられていてもよい。
The
基板Pを保持して移動可能な基板ステージと、基板Pを保持せずに、露光光ELを計測する計測器Cを搭載して移動可能な計測ステージとを備えた露光装置の一例が、例えば米国特許第6897963号明細書、米国特許出願公開第2007/0127006号明細書等に開示されている。 An example of an exposure apparatus including a substrate stage that can move while holding the substrate P, and a measurement stage that can move by mounting the measuring device C that measures the exposure light EL without holding the substrate P is, for example, It is disclosed in US Pat. No. 6,897,963, US Patent Application Publication No. 2007/0127006, and the like.
基板ステージ2及び計測ステージ3のそれぞれは、第3定盤27のガイド面27G上を移動可能である。ガイド面27G(第3定盤27)は、第1空間11内に配置されている。基板ステージ2及び計測ステージ3のそれぞれは、ガイド面27G上において、投影領域PR(投影光学系PLからの露光光ELが照射可能な位置)に移動可能である。ガイド面27Gは、XY平面とほぼ平行である。第3定盤27は、防振装置28を介して、支持面FLに支持されている。
Each of the
基板ステージ2及び計測ステージ3は、駆動システム20の作動により、第1空間11内のガイド面27G上で移動可能である。本実施形態において、駆動システム20は、ガイド面27G上で基板ステージ2及び計測ステージ3を移動するための平面モータを含む。基板ステージ2及び計測ステージ3を移動するための平面モータは、例えば米国特許第6452292号明細書に開示されているような、基板ステージ2及び計測ステージ3のそれぞれに配置された可動子2M,3Mと、第3定盤27に配置された固定子27Cとを有する。本実施形態において、可動子2M,3Mは、コイルアレイを含み、固定子27Cは、マグネットアレイを含む。なお、可動子2M,3Mがマグネットアレイを含み、固定子27Cがコイルアレイを含んでもよい。本実施形態においては、基板ステージ2及び計測ステージ3のそれぞれは、平面モータを含む駆動システム20の作動により、X軸、Y軸、Z軸、θX、θY、及びθZ方向の6つの方向に移動可能である。
The
液浸部材5は、終端光学素子25の近傍に配置される。液浸部材5は、終端光学素子25と、投影領域PRに配置された物体との間の露光光ELの光路が液体LQで満たされるように液浸空間を形成する。液浸空間は、液体LQで満たされた部分(空間、領域)である。本実施形態において、投影領域PRに配置可能な物体は、基板ステージ2、基板ステージ2に保持された基板P、計測ステージ3、及び計測ステージ3に搭載された計測器Cの少なくとも一つを含む。基板Pの露光中、液浸部材5は、終端光学素子25と基板Pとの間の露光光ELの光路が液体LQで満たされるように液浸空間を形成する。
The
液浸部材5は、物体と対向可能な下面29を有し、下面29と物体との間の空間は液体LQを保持可能である。下面29と物体との間に保持された液体LQによって液浸空間が形成される。本実施形態においては、基板Pの露光中は、投影領域PRを含む基板Pの表面の一部の領域が液体LQで覆われるように液浸空間が形成される。基板Pの露光中は、液体LQの界面(メニスカス、エッジ)は、液浸部材5の下面29と基板Pの表面との間に形成される。すなわち、本実施形態の露光装置EXは、局所液浸方式を採用する。
The
本実施形態において、液浸部材5は、例えば米国特許出願公開第2007/0132976号明細書に開示されているような液浸部材であって、液体LQを供給する供給口と、液体LQを回収する回収口とを有する。制御装置7は、供給口を用いる液体供給動作と並行して、回収口を用いる液体回収動作を実行することによって、一方側の終端光学素子25及び液浸部材5と、終端光学素子25及び液浸部材5と対向する他方側の物体との間に液体LQで液浸空間を形成可能である。
In the present embodiment, the
干渉計システム4は、XY平面内におけるマスクステージ1(マスクM)の位置情報を光学的に計測可能な第1干渉計ユニット4Aと、XY平面内における基板ステージ2(基板P)及び計測ステージ3(計測器C)の位置情報を光学的に計測可能な第2干渉計ユニット4Bとを有する。第1,第2干渉計ユニット4A,4Bのそれぞれは、レーザ干渉計を複数有する。第1干渉計ユニット4Aは、マスクステージ1に設けられた計測ミラー1Rに測定光L1を照射して、X軸、Y軸、及びθZ方向に関するマスクステージ1(マスクM)の位置情報を取得する。第2干渉計ユニット4Bは、基板ステージ2に設けられた計測ミラー2R、及び計測ステージ3に設けられた計測ミラー3Rのそれぞれに測定光L1を照射して、X軸、Y軸、及びθZ方向に関する基板ステージ2(基板P)、及び計測ステージ3(計測器C)の位置情報を取得する。
The
また、不図示であるが、例えば米国特許第5448332号明細書、米国特許第6327025号明細書等に開示されているような、基板ステージ2に保持された基板Pの表面の位置情報を検出するフォーカス・レベリング検出システムが配置されている。なお、フォーカス・レベリング検出システムは、基板Pの表面の位置情報のみならず、基板ステージ2の上面、及び計測ステージ3の上面の位置情報を検出することができる。
Although not shown, position information on the surface of the substrate P held on the
基板Pの露光処理を実行するとき、あるいは所定の計測処理を実行するとき、制御装置7は、干渉計システム4の計測結果、及びフォーカス・レベリング検出システムの検出結果に基づいて、駆動システム20,30を作動し、マスクステージ1(マスクM)、基板ステージ2(基板P)、及び計測ステージ3(計測器C)の位置制御を実行する。
When executing the exposure processing of the substrate P or when executing the predetermined measurement processing, the
本実施形態の露光装置EXは、基板ステージ2の移動によって第1空間11内に生じる圧力変動を抑制するための圧力調整装置60を備えている。圧力調整装置60は、基板ステージ2の移動に同期して加圧空気を噴射口61から噴射して第1空間11内に生じた圧力変動を抑制する。すなわち、圧力調整装置60は、基板ステージ2の移動方向に関する後方に生じる減圧空間に対して加圧空気を噴射することで第1空間11内に生じた圧力変動を抑制する。
The exposure apparatus EX of the present embodiment includes a
圧力調整装置60は、加圧空気を噴射する複数の噴射口61と、チューブ62を介して各噴射口61に加圧空気を送る加圧ポンプ63と、各噴射口61に接続されるチューブ62内の加圧空気の流路を開閉可能とする電磁弁64と、を含む(図4(a)参照)。電磁弁64は電気的に接続された制御装置7によって、その開閉動作が制御される。すなわち、圧力調整装置60は、電磁弁64の開閉動作に基づいて、各噴射口61から加圧空気を第1空間11内に間欠噴射する。
The
また、露光装置EXは、第1空間11内の温度を測定する温度センサー56を備えている。なお、温度センサー56は、制御装置7と電気的に接続されている。
In addition, the exposure apparatus EX includes a
制御装置7は、温度センサー56による測定結果(第1空間11の温度)に基づき、不図示の温度調整装置を駆動し、第1空間11と略同じ温度に調整した加圧空気を圧力調整装置60の噴射口61から噴射させる。これにより、露光装置EXは、圧力調整装置60から噴射される加圧空気によって第1空間11内に温度変動が生じることが防止される。なお、温度センサー56を複数設けることで加圧空気の温度調整精度を向上させることもできる。
The
また、露光装置EXは、第1空間11内の圧力を測定する圧力センサー57を備えている。なお、圧力センサー57が、制御装置7と電気的に接続されている。
In addition, the exposure apparatus EX includes a
制御装置7は、圧力センサー57による測定結果(第1空間11の圧力変動値)に基づき、噴射口61から加圧空気を噴射するタイミング(電磁弁64の開閉タイミング)を制御する。なお、電磁弁64が開いて第1空間11内に加圧空気が噴射されて、圧力変動が緩和されるまでには僅かながら遅れが生じる。さらに本実施形態では、電磁弁64を開いて加圧空気が噴射された後、第1空間11内の圧力変動が緩和されるまでの遅れ時間を予め実験などにより測定しておき、この遅れ時間を考慮した制御を行うようにしている。これにより、より最適なタイミングで第1空間11内に加圧空気が噴射される。
The
図2は、第1空間11の一部を示す平面図である。以下の説明において、投影領域PRに含まれる、終端光学素子25から射出される露光光ELが照射可能な位置を適宜、露光位置EPと称する。
FIG. 2 is a plan view showing a part of the
基板ステージ2及び計測ステージ3のそれぞれは、第1空間11内のガイド面27G上で移動可能である。基板ステージ2は、露光位置EPを含むガイド面27G上の第1領域101を移動可能である。計測ステージ3は、露光位置EPを含むガイド面27G上の第2領域102を移動可能である。制御装置7は、基板ステージ2が第1領域101内に存在するときに、基板ステージ2に保持された基板Pに露光光ELを照射可能である。
Each of the
圧力調整装置60における噴射口61は、基板ステージ2の移動方向(XY方向)に沿って配置されている。本実施形態では、図2に示されるように基板ステージ2が移動するX方向及びY方向の各々に沿って、互いが対向する2つの噴射口61を1組ずつ配置している。
The
これにより、後述のように基板ステージ2がX方向、或いはY方向に移動した際に第1空間11内に生じる圧力変動を良好に小さくすることが可能となっている。また、各噴射口61は、第2干渉計ユニット4Bから照射される、或いは計測ミラー2Rで反射される測定光L1における光路の少なくとも一部を含まない領域に加圧空気を噴射する。
Thereby, as will be described later, it is possible to satisfactorily reduce the pressure fluctuation generated in the
また、基板ステージ2は、基板交換位置CPを含むガイド面27G上の第3領域103を移動可能である。基板交換位置CPは、基板ステージ2に対して基板Pを搬入(ロード)する動作、及び基板ステージ2から基板Pを搬出(アンロード)する動作の少なくとも一方を実行可能な位置である。基板ステージ2は、基板交換位置CPに移動可能である。制御装置7は、基板ステージ2を基板交換位置CPへ移動して、搬送装置40を用いて、基板交換位置CPに配置された基板ステージ2に露光前の基板Pをロードする動作、及び露光後の基板Pを基板ステージ2からアンロードする動作の少なくとも一方を実行する。
Further, the
基板ステージ2が移動可能な第1領域101の少なくとも一部は、計測ステージ3が移動可能な第2領域102より−Y側に配置される。
At least a part of the
本実施形態において、基板ステージ2は、基板保持部2Hの周囲に配置され、終端光学素子25及び液浸部材5と対向可能な上面2Tを有する。基板ステージ2の上面2Tは、平坦であり、XY平面とほぼ平行である。また、計測ステージ3は、終端光学素子25及び液浸部材5と対向可能な上面3Tを有する。計測ステージ3の上面3Tは、平坦であり、XY平面とほぼ平行である。
In the present embodiment, the
例えば、計測器Cを用いる計測処理を実行するとき、制御装置7は、終端光学素子25及び液浸部材5と計測ステージ3とを対向させ、終端光学素子25と計測器Cとの間の光路が液体LQで満たされるように液浸空間を形成する。制御装置7は、投影光学系PL及び液体LQを介して計測器Cに露光光ELを照射して、計測器Cを用いる計測処理を実行する。その計測処理の結果は、その後に実行される基板Pの露光処理に反映される。
For example, when executing the measurement process using the measuring instrument C, the
図3は、基板ステージ2に保持された基板Pの一例を示す図である。本実施形態においては、基板P上に露光対象領域であるショット領域S1〜S21がマトリクス状に複数配置されている。本実施形態においては、基板ステージ2に保持された基板Pの露光中に、その基板Pの複数のショット領域S1〜S21が順次露光される。基板ステージ2に保持された基板Pの露光中に、終端光学素子25の射出面26側の露光光ELの光路が液体LQで満たされるように、基板P上に液浸空間が形成される。
FIG. 3 is a diagram illustrating an example of the substrate P held on the
本実施形態の露光装置EXは、マスクMと基板Pとを所定の走査方向に同期移動しつつ、マスクMのパターンの像を基板Pに投影する走査型露光装置(所謂スキャニングステッパ)である。基板Pの露光時、制御装置7は、マスクステージ1及び基板ステージ2を制御して、マスクM及び基板Pを、XY平面内の所定の走査方向に移動する。本実施形態においては、基板Pの走査方向(同期移動方向)をY軸方向とし、マスクMの走査方向(同期移動方向)もY軸方向とする。
The exposure apparatus EX of the present embodiment is a scanning exposure apparatus (so-called scanning stepper) that projects an image of the pattern of the mask M onto the substrate P while synchronously moving the mask M and the substrate P in a predetermined scanning direction. When the substrate P is exposed, the
例えば基板P上の第1ショット領域S1を露光するために、制御装置7は、基板P(第1ショット領域S1)を投影光学系PLの投影領域PRに対してY軸方向に移動するとともに、その基板PのY軸方向への移動と同期して、照明系ILの照明領域IRに対してマスクMをY軸方向に移動しつつ、投影光学系PLと基板P上の液浸空間の液体LQとを介して第1ショット領域S1に露光光ELを照射する。これにより、マスクMのパターンの像が基板Pの第1ショット領域S1に投影され、その第1ショット領域S1は、投影光学系PLからの露光光ELで露光される。第1ショット領域S1の露光が終了した後、制御装置7は、次の第2ショット領域S2の露光を開始するために、液浸空間を形成した状態で、基板PをX軸方向(あるいはXY平面内においてX軸方向に対して傾斜する方向)に移動する動作を実行し、第2ショット領域S2を露光開始位置に移動する。そして、制御装置7は、第2ショット領域S2の露光を開始する。
For example, in order to expose the first shot region S1 on the substrate P, the
制御装置7は、投影領域PRに対してショット領域をY軸方向に移動しながらそのショット領域を露光する動作と、そのショット領域の露光が終了した後、次のショット領域を露光開始位置に移動するための動作とを繰り返しながら、基板P上の複数のショット領域を順次露光する。
The
以下の説明において、ショット領域Sを露光するために、終端光学素子25に対して基板PをY軸方向に移動することを適宜、スキャン移動、と称する。また、あるショット領域に対する露光が終了した後、次のショット領域を露光するために、投影領域PRが次のショット領域の露光開始位置に配置されるように、終端光学素子25に対して基板Pを移動することを適宜、ステップ移動、と称する。
In the following description, in order to expose the shot area S, moving the substrate P in the Y-axis direction with respect to the last
本実施形態において、露光装置EXの動作の少なくとも一部は、予め定められている露光に関する制御情報(露光制御情報)に基づいて実行される。露光制御情報は、露光装置EXの動作を規定する制御命令群を含み、露光レシピとも呼ばれる。以下の説明において、露光に関する制御情報を適宜、露光レシピ、と称する。 In the present embodiment, at least a part of the operation of the exposure apparatus EX is executed based on predetermined control information (exposure control information) related to exposure. The exposure control information includes a control command group that defines the operation of the exposure apparatus EX, and is also called an exposure recipe. In the following description, the control information related to exposure is appropriately referred to as an exposure recipe.
露光レシピは、記憶装置7Mに予め記憶されている。制御装置7は、露光レシピに基づいて、露光装置EXの動作を制御する。
The exposure recipe is stored in advance in the
露光レシピは、終端光学素子25及び液浸部材5に対する基板ステージ2(基板P)の移動条件を含む。移動条件は、終端光学素子25及び液浸部材5に対する基板ステージ2(基板P)の位置、移動方向、移動距離、速度、加速度(減速度)、及び移動軌跡の少なくとも一つを含む。
The exposure recipe includes moving conditions of the substrate stage 2 (substrate P) with respect to the last
本実施形態においては、制御装置7は、投影光学系PLの投影領域PRと基板Pとが、図3中、例えば矢印R1に示す移動軌跡に沿って相対的に移動するように基板ステージ2を移動しつつ、投影領域PRに露光光ELを照射して、基板P上の各ショット領域S1〜S21を順次露光する。
In the present embodiment, the
次に、露光装置EXの動作の一例について説明する。
基板Pの露光動作を開始するために、制御装置7は、基板ステージ2を基板交換位置CPへ移動して、搬送装置40を用いて、基板交換位置CPに配置された基板ステージ2に、露光前の基板Pをロードする。終端光学素子25及び液浸部材5と対向する位置には、計測ステージ3が配置され、終端光学素子25及び液浸部材5と計測ステージ3との間に、液体LQで液浸空間が形成されている。制御装置7は、必要に応じて、計測ステージ3を用いる計測動作を実行する。
Next, an example of the operation of the exposure apparatus EX will be described.
In order to start the exposure operation of the substrate P, the
制御装置7は、基板Pの露光動作を実行するために、終端光学素子25及び液浸部材5と基板Pの表面との間に液体LQで液浸空間を形成する。そして、制御装置7は、基板Pの複数のショット領域S1〜S21のそれぞれを順次露光する動作を開始する。
In order to execute the exposure operation of the substrate P, the
本実施形態において、基板Pの複数のショット領域S1〜S21を順次露光するとき、制御装置7は、露光レシピに基づいて、第1空間11において、ガイド面27G上で、図3中矢印R1で示したように、基板ステージ2をスキャン移動及びステップ移動させる。
In the present embodiment, when the plurality of shot areas S1 to S21 of the substrate P are sequentially exposed, the
上述のように、本実施形態においては、基板Pの複数のショット領域S1〜S21のそれぞれを順次露光するときの基板ステージ2の移動条件が、露光レシピにより予め決められている。本実施形態においては、その予め決められている基板ステージ2の移動条件に基づいて、圧力調整装置60の駆動条件が決められている。すなわち、本実施形態においては、第1空間11内の圧力が調整されるように、露光レシピに基づいて、基板Pの複数のショット領域S1〜S21のそれぞれを順次露光するときの圧力調整装置60の移動条件が予め決められている。
As described above, in the present embodiment, the moving condition of the
基板Pのショット領域S1〜S21を露光するとき、上述のように、基板ステージ2は、スキャン移動する。すなわち、基板Pを露光するとき、基板ステージ2は、少なくともY軸方向に移動する。本実施形態において、基板ステージ2が第1領域101内で移動するとき、計測ステージ3は、基板ステージ2の+Y側に配置される。すなわち、基板Pのショット領域S1〜S21を露光する間、計測ステージ3に搭載されている計測器Cが使われることなく、基板ステージ2と接触しないように、第2領域102内で待機している。
When the shot areas S1 to S21 of the substrate P are exposed, the
本実施形態においては、第1,第3,第5,第7,第10,第12,第15,第17,第20ショット領域S1,S3,S5,S7,S10,S12,S15,S17,S20の露光が実行されるときに、基板ステージ2は、−Y方向にスキャン移動し、他のショット領域S2,S4,S6,S8,S9,S11,S13,S14,S16,S18,S19,S21の露光が実行されるとき、基板ステージ2は、+Y方向にスキャン移動する。
このように、本実施形態においては、基板ステージ2は、Y軸方向に往復移動する。
In the present embodiment, the first, third, fifth, seventh, tenth, twelfth, fifteenth, seventeenth and twentieth shot regions S1, S3, S5, S7, S10, S12, S15, S17, When the exposure of S20 is executed, the
Thus, in this embodiment, the
複数のショット領域S1〜S21の露光をする露光期間における、基板ステージ2の移動は、ステップ移動を含む。すなわち、その露光期間におけるY軸方向に関する基板ステージ2の往復移動(スキャン移動)は、X軸方向(あるいはXY平面内においてX軸方向に対して傾斜する方向、以下傾斜方向と称す)へのステップ移動を交えながら行われる。
以上のようにして、全てのショット領域S1〜S21に対する露光を行う。
The movement of the
As described above, exposure is performed on all the shot areas S1 to S21.
最後の第21ショット領域S21の露光終了後、制御装置7は、露光後の基板Pを基板ステージ2からアンロードするために、駆動システム20を作動して、終端光学素子25及び液浸部材5と基板ステージ2とが対向する状態から、終端光学素子25及び液浸部材5と計測ステージ3とが対向する状態に変化させる。これにより、計測ステージ3は、露光位置EPに移動する。
After the exposure of the last 21st shot area S21 is completed, the
露光位置EPに計測ステージ3を移動した後、制御装置7は、基板ステージ2を基板交換位置CPへ移動する。制御装置7は、搬送装置40を用いて、基板交換位置CPに配置された基板ステージ2から、露光後の基板Pのアンロードを実行する。その後、制御装置7は、その基板ステージ2に対して、搬送装置40を用いて、露光前の基板Pをロードする。以下、上述と同様の処理が繰り返される。
After moving the
ところで、上述の露光処理時において、実質的に閉ざされた第1空間11内を基板ステージ2が移動すると、第1空間11の圧力が変動したり、第1空間11の圧力分布が不均一になったりする可能性がある。そこで、本実施形態においては、制御装置7は、圧力調整装置60の噴射口61から加圧空気を噴射することで、第1空間11内の圧力変動を小さくする。
By the way, when the
具体的に圧力調整装置60は、基板ステージ2の移動に同期して、基板ステージ2の移動方向に関する後方に生じた減圧空間に加圧空気を噴射する。第1空間11内の圧力を調整するための噴射口61からの加圧空気噴射は、少なくとも基板ステージ2の移動中に行われる。
Specifically, the
図4は、圧力調整装置60の駆動状態の一例を説明するための模式図である。図4(a)は、基板Pのあるショット領域Sを露光するためにY軸方向の一方(例えば+Y方向)へ基板ステージ2がスキャン移動した際の圧力調整装置60の駆動状態を示し、図4(b)は、基板Pのあるショット領域Sを露光するためにY軸方向の他方(例えば−Y方向)へ基板ステージ2がスキャン移動した際の圧力調整装置60の駆動状態を示す。
FIG. 4 is a schematic diagram for explaining an example of a driving state of the
基板ステージ2が+Y方向に移動した場合、図4(a)に示すように基板ステージ2の移動方向に関する後方(−Y方向)の圧力が低下し、減圧空間G1が生じる。また、基板ステージ2のスキャン移動によって、基板ステージ2と計測ステージ3との間の空間のみならず、第1空間11内の少なくとも一部の圧力が変動する可能性がある。
When the
また、基板ステージ2が−Y方向に移動した場合、図4(b)に示すように基板ステージ2の移動方向に関する後方(+Y方向)の圧力が低下し、減圧空間G1が生じる。また、基板ステージ2のスキャン移動によって、基板ステージ2と計測ステージ3との間の空間のみならず、第1空間11内の少なくとも一部の圧力が変動する可能性がある。
Further, when the
第1空間11内の少なくとも一部の圧力が変動すると、例えばその第1空間11内に配置されている部材にその圧力変動による力が加わることになる。例えば、基板Pの露光に関する計測処理を実行する計測装置(例えばフォーカス・レベリング検出システムの少なくとも一部)が支持されている支持部材は、その位置(姿勢)が安定な状態で維持されるよう防振装置15によって位置制御されている場合が多い。
When at least a part of the pressure in the
しかし、例えば、圧力変動によってこの部材の下方向から圧力変動に起因する力が作用すると非定常的な力(外乱となる)が発生してしまう。そのため、防振装置15の制御性能が悪化する可能性がある。
However, for example, if a force resulting from pressure fluctuation acts from below the member due to pressure fluctuation, an unsteady force (disturbance) is generated. Therefore, the control performance of the
これに対し、本実施形態の露光装置EXは、図4(a)、(b)に示すように対応する噴射口61から減圧空間G1に加圧空気を噴射する。ここで、対応する噴射口61とは減圧空間G1に対して最も近接した噴射口61を意味する。このように噴射口61から減圧空間G1に加圧空気を噴射することで、露光装置EXは第1空間11に生じている圧力変動を小さくすることができる。本実施形態では、噴射口61から第1空間11と略同じ温度に調整した加圧空気を噴射している。これにより、加圧空気の噴射によって第1空間11内に温度変動が生じることを防止できる。
In contrast, the exposure apparatus EX of the present embodiment injects pressurized air from the
また、露光装置EXは、圧力センサー57による測定結果に基づき、噴射口61から最適なタイミングで加圧空気を噴射する。よって、第1空間11に生じている圧力変動を短時間で小さくすることができる。
Further, the exposure apparatus EX ejects pressurized air from the
また、露光装置EXは、第2干渉計ユニット4Bから照射される、或いは計測ミラー2Rで反射される測定光L1における光路の少なくとも一部を含まない領域に加圧空気を噴射するので、加圧空気が測定光L1の光路中に噴射されることで第2干渉計ユニット4Bの計測精度が低下することを防止できる。
Further, since the exposure apparatus EX injects pressurized air to a region that does not include at least a part of the optical path in the measurement light L1 irradiated from the
また、露光装置EXは、露光中のステップ移動により、ステージ基板2がX軸方向に移動する。この場合においても、基板ステージ2の移動方向に関する後方の圧力が低下し、減圧空間が生じる。露光装置EXは、同様に、圧力調整装置60における対応する噴射口61から減圧空間G1に加圧空気を噴射する。これにより、露光装置EXは、ステージ基板2の移動によって第1空間11内に生じる圧力変動を抑え、圧力変動に起因する露光不良が生じることで不良デバイスが生成されるのを防止できる。
In the exposure apparatus EX, the
なお、上述の実施形態においては、基板ステージ2が移動するX方向及びY方向の各々に沿って、互いが対向する2つの噴射口61を1組ずつ配置する場合について説明したが、本発明はこれに限定されない。マトリクス状に複数配置される各ショット領域S1〜S21においては、基板ステージ2が移動した際に減圧空間G1が生じる位置が僅かに異なる。
このような場合、図5に示すように、X方向及びY方向の各々に沿って、互いが対向する2つの噴射口61を複数組(例えば、6組)ずつ配置することができる。この構成によれば、ショット領域S1〜S21の各々に応じて微妙に異なる位置に生じる減圧空間G1に対して、最適な位置に配置される噴射口61から確実に加圧空気を噴射することができる。
In the above-described embodiment, a case has been described in which one pair of the two
In such a case, as shown in FIG. 5, a plurality of sets (for example, 6 sets) of two
また、上述の実施形態においては、圧力調整装置60として加圧空気を噴射する場合を説明したが、圧力調整装置69として、図6に示されるような加圧空気を噴射する噴射機構に加え、第1空間11内を排気する排気機構を備えたものを用いることができる。圧力調整装置69は、基板ステージ2の移動方向に関する後方に生じた減圧空間G1に加圧空気を噴射するとともに、基板ステージ2の移動方向に関する前方に生じた昇圧空間G2を排気して減圧する。これにより、圧力調整装置69は、第1空間11内において相対的に圧力が高まっている昇圧空間G2の圧力を低下させるとともに、第1空間11内において相対的に圧力が低くなっている減圧空間G1の圧力を上昇させることができる。よって、圧力調整装置69は、第1空間11内に生じた圧力変動を確実に小さくすることができ、上述の実施形態と同様、第1空間11内に生じる圧力変動を抑え、圧力変動に起因する露光不良が生じることで不良デバイスが生成されるのを防止できる。
Moreover, in the above-mentioned embodiment, although the case where pressurized air was injected as the
なお、上述の各実施形態においては、投影光学系PLの終端光学素子25の射出側(像面側)の光路が液体LQで満たされているが、例えば国際公開第2004/019128号パンフレットに開示されているように、終端光学素子25の入射側(物体面側)の光路も液体LQで満たされる投影光学系を採用することもできる。
In each of the above-described embodiments, the optical path on the exit side (image plane side) of the terminal
なお、上述の各実施形態の液体LQは水であるが、水以外の液体であってもよい。例えば、液体LQとして、ハイドロフロロエーテル(HFE)、過フッ化ポリエーテル(PFPE)、フォンブリンオイル等を用いることも可能である。また、液体LQとして、種々の流体、例えば、超臨界流体を用いることも可能である。 In addition, although the liquid LQ of each above-mentioned embodiment is water, liquids other than water may be sufficient. For example, hydrofluoroether (HFE), perfluorinated polyether (PFPE), fomblin oil, or the like can be used as the liquid LQ. In addition, various fluids such as a supercritical fluid can be used as the liquid LQ.
また、上述の各実施形態の基板Pとしては、半導体デバイス製造用の半導体ウエハのみならず、ディスプレイデバイス用のガラス基板、薄膜磁気ヘッド用のセラミックウエハ、あるいは露光装置で用いられるマスクまたはレチクルの原版(合成石英、シリコンウエハ)等が適用される。 Further, as the substrate P in each of the above embodiments, not only a semiconductor wafer for manufacturing a semiconductor device, but also a glass substrate for a display device, a ceramic wafer for a thin film magnetic head, or an original mask or reticle used in an exposure apparatus. (Synthetic quartz, silicon wafer) or the like is applied.
露光装置EXとしては、マスクMと基板Pとを同期移動してマスクMのパターンを走査露光するステップ・アンド・スキャン方式の走査型露光装置(スキャニングステッパ)の他に、マスクMと基板Pとを静止した状態でマスクMのパターンを一括露光し、基板Pを順次ステップ移動させるステップ・アンド・リピート方式の投影露光装置(ステッパ)にも適用することができる。 As the exposure apparatus EX, in addition to the step-and-scan type scanning exposure apparatus (scanning stepper) that scans and exposes the pattern of the mask M by moving the mask M and the substrate P synchronously, the mask M and the substrate P Can be applied to a step-and-repeat type projection exposure apparatus (stepper) in which the pattern of the mask M is collectively exposed while the substrate P is stationary and the substrate P is sequentially moved stepwise.
さらに、ステップ・アンド・リピート方式の露光において、第1パターンと基板Pとをほぼ静止した状態で、投影光学系を用いて第1パターンの縮小像を基板P上に転写した後、第2パターンと基板Pとをほぼ静止した状態で、投影光学系を用いて第2パターンの縮小像を第1パターンと部分的に重ねて基板P上に一括露光してもよい(スティッチ方式の一括露光装置)。また、スティッチ方式の露光装置としては、基板P上で少なくとも2つのパターンを部分的に重ねて転写し、基板Pを順次移動させるステップ・アンド・スティッチ方式の露光装置にも適用できる。 Furthermore, in the step-and-repeat exposure, after the reduced image of the first pattern is transferred onto the substrate P using the projection optical system while the first pattern and the substrate P are substantially stationary, the second pattern With the projection optical system, the reduced image of the second pattern may be partially overlapped with the first pattern and collectively exposed on the substrate P (stitch type batch exposure apparatus). ). Further, the stitch type exposure apparatus can be applied to a step-and-stitch type exposure apparatus in which at least two patterns are partially transferred on the substrate P, and the substrate P is sequentially moved.
また、上述の各実施形態は、米国特許第6341007号明細書、米国特許第6208407号明細書、米国特許第6262796号明細書等に開示されているような複数の基板ステージを備えたマルチステージ型の露光装置に適用できる。基板ステージは、3つ以上配置することができる。 In addition, each of the above-described embodiments is a multi-stage type including a plurality of substrate stages as disclosed in US Pat. No. 6,341,007, US Pat. No. 6,208,407, US Pat. No. 6,262,796, and the like. It can be applied to the exposure apparatus. Three or more substrate stages can be arranged.
露光装置EXの種類としては、基板Pに半導体素子パターンを露光する半導体素子製造用の露光装置に限られず、液晶表示素子製造用又はディスプレイ製造用の露光装置、薄膜磁気ヘッド、撮像素子(CCD)、マイクロマシン、MEMS、DNAチップ、あるいはレチクル又はマスクなどを製造するための露光装置などにも広く適用できる。 The type of exposure apparatus EX is not limited to an exposure apparatus for manufacturing a semiconductor element that exposes a semiconductor element pattern onto a substrate P, but an exposure apparatus for manufacturing a liquid crystal display element or a display, a thin film magnetic head, an image sensor (CCD). In addition, the present invention can be widely applied to an exposure apparatus for manufacturing a micromachine, MEMS, DNA chip, reticle, mask, or the like.
なお、上述の各実施形態においては、光透過性の基板上に所定の遮光パターン(又は位相パターン・減光パターン)を形成した光透過型マスクを用いたが、このマスクに代えて、例えば米国特許第6778257号明細書に開示されているように、露光すべきパターンの電子データに基づいて透過パターン又は反射パターン、あるいは発光パターンを形成する可変成形マスク(電子マスク、アクティブマスク、あるいはイメージジェネレータとも呼ばれる)を用いてもよい。可変成形マスクは、例えば非発光型画像表示素子(空間光変調器)の一種であるDMD(Digital Micro-mirror Device)等を含む。また、非発光型画像表示素子を備える可変成形マスクに代えて、自発光型画像表示素子を含むパターン形成装置を備えるようにしても良い。自発光型画像表示素子としては、例えば、CRT(Cathode Ray Tube)、無機ELディスプレイ、有機ELディスプレイ(OLED:Organic Light Emitting Diode)、LEDディスプレイ、LDディスプレイ、電界放出ディスプレイ(FED:Field Emission Display)、プラズマディスプレイ(PDP:Plasma Display Panel)等が挙げられる。 In each of the above-described embodiments, a light-transmitting mask in which a predetermined light-shielding pattern (or phase pattern / dimming pattern) is formed on a light-transmitting substrate is used. As disclosed in Japanese Patent No. 6778257, a variable shaped mask (also known as an electronic mask, an active mask, or an image generator) that forms a transmission pattern, a reflection pattern, or a light emission pattern based on electronic data of a pattern to be exposed. May be used). The variable shaping mask includes, for example, a DMD (Digital Micro-mirror Device) which is a kind of non-light emitting image display element (spatial light modulator). Further, a pattern forming apparatus including a self-luminous image display element may be provided instead of the variable molding mask including the non-luminous image display element. As a self-luminous type image display element, for example, CRT (Cathode Ray Tube), inorganic EL display, organic EL display (OLED: Organic Light Emitting Diode), LED display, LD display, field emission display (FED: Field Emission Display) And a plasma display panel (PDP).
また、上述の各実施形態の要件は、例えば国際公開第2001/035168号パンフレットに開示されているように、干渉縞を基板P上に形成することによって、基板P上にライン・アンド・スペースパターンを露光する露光装置(リソグラフィシステム)にも適用できる。 In addition, the requirements of each of the above-described embodiments are that line and space patterns are formed on the substrate P by forming interference fringes on the substrate P as disclosed in, for example, WO 2001/035168. The present invention can also be applied to an exposure apparatus (lithography system) that exposes.
半導体デバイス等のマイクロデバイスは、図7に示すように、マイクロデバイスの機能・性能設計を行うステップ201、この設計ステップに基づいたマスク(レチクル)を製作するステップ202、デバイスの基材である基板を製造するステップ203、上述の実施形態に従って、マスクのパターンを用いて露光光で基板を露光すること、及び露光された基板を現像することを含む基板処理ステップ204、デバイス組み立てステップ(ダイシング工程、ボンディング工程、パッケージ工程などの加工プロセスを含む)205、検査ステップ206等を経て製造される。
As shown in FIG. 7, a microdevice such as a semiconductor device includes a
なお、上述の各実施形態の要件は、適宜組み合わせることができる。また、一部の構成要素を用いない場合もある。また、法令で許容される限りにおいて、上述の各実施形態及び変形例で引用した露光装置などに関する全ての公開公報及び米国特許の開示を援用して本文の記載の一部とする。 Note that the requirements of the above-described embodiments can be combined as appropriate. Some components may not be used. In addition, as long as permitted by law, the disclosure of all published publications and US patents related to the exposure apparatus and the like cited in the above-described embodiments and modifications are incorporated herein by reference.
2…基板ステージ、4…干渉計システム、8…ボディ、11…第1空間、56…温度センサー、57…圧力センサー、60,69…圧力調整装置、61…噴射口、64…電磁弁、EL…露光光、EP…露光位置、EX…露光装置、P…基板
DESCRIPTION OF
Claims (22)
前記移動体の移動により生じた圧力変動を小さくするように加圧空気を噴射する圧力調整装置と、を備える露光装置。 A movable body movable along at least one direction on a predetermined surface;
An exposure apparatus comprising: a pressure adjusting device that injects pressurized air so as to reduce pressure fluctuation caused by the movement of the moving body.
前記移動体の移動により圧力変動が生じた所定空間に対して加圧空気を噴射して前記圧力変動を小さくする露光装置の圧力調整方法。 In a pressure adjustment method for an exposure apparatus having a movable body that is movable along one direction on a predetermined surface,
An exposure apparatus pressure adjustment method for reducing pressure fluctuation by injecting pressurized air into a predetermined space in which pressure fluctuation has occurred due to movement of the moving body.
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