JP2010236048A - Gas treatment apparatus - Google Patents

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Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a gas treatment apparatus capable of preventing the deterioration of treatment efficiency of the gas treatment apparatus due to replacement of raw material container, in the gas treatment apparatus for performing film forming treatment for a substrate in a treatment container by using a gas in a raw material container or a gas provided by gasifying liquid raw material in the raw material container and, when the number of times of film-forming treatment attains the preset number of times, performing cleaning treatment of the interior of the treatment container by using a cleaning gas. <P>SOLUTION: The gas treatment apparatus includes: a means of calculating an estimated consumption amount of gas up to the subsequent cleaning treatment after completing the cleaning treatment, at every kind of gas based on a treatment recipe to be used and the number of times of film forming; a means of determining whether the raw material container gets empty or not up to the subsequent cleaning treatment based on the remaining amount and the estimated consumption amount of gas; and a means of giving the alarm when being determined that the raw material container gets empty. As the result, such a timing that the raw material container gets empty can be found based on the alarm. <P>COPYRIGHT: (C)2011,JPO&amp;INPIT

Description

本発明は、原料容器内のガスによりあるいは原料容器内の液体原料を気化したガスにより処理容器内の基板に対して成膜処理を行うガス処理装置に関する。   The present invention relates to a gas processing apparatus that performs a film forming process on a substrate in a processing container using a gas in a raw material container or a gas obtained by vaporizing a liquid raw material in the raw material container.

半導体製造装置の一つとして、処理容器内の載置台に基板である半導体ウエハ(以下ウエハという)を載置し、CVD(chemical vapor deposition)などによる成膜処理を行うガス処理装置がある。   As one of semiconductor manufacturing apparatuses, there is a gas processing apparatus that mounts a semiconductor wafer (hereinafter referred to as a wafer), which is a substrate, on a mounting table in a processing container and performs a film forming process by CVD (chemical vapor deposition) or the like.

このガス処理装置は、例えばウエハに成膜処理ガスを供給するガスシャワーヘッドなどのガス供給部を備え、そのガス供給部の上流側は各ガスの供給器に接続されている。このガス供給器は、そのウエハに供給されるガスあるいは気化されることによりその成膜処理ガスを生じる液体原料が貯留されたボトルを備えている。このようにボトルに貯留されたガスや液体原料をボトルの内容物と表記する。   The gas processing apparatus includes a gas supply unit such as a gas shower head for supplying a film forming process gas to a wafer, for example, and the upstream side of the gas supply unit is connected to a gas supply unit. This gas supply device includes a bottle in which a gas supplied to the wafer or a liquid raw material that generates a film forming process gas by being vaporized is stored. The gas or liquid source stored in the bottle in this way is referred to as the contents of the bottle.

このようなガス処理装置では、ユーザが装置に設けられた入出力画面から各処理段階でどのガスをどれだけの単位時間あたりの流量(mL/min)でどれだけの時間ウエハに供給し成膜を行うか設定する。また、ユーザは、その設定した一連の成膜処理を何回繰り返すか、つまり連続して何枚のウエハを処理するか設定する。そして、成膜処理が開始されると、設定した各処理段階にてその設定通りの流量で成膜処理ガスがウエハに供給され、ボトル中のガスまたは液体原料が消費される。また、成膜処理と成膜処理との間にはクリーニングガスを処理容器内に供給して当該処理容器内に付着した堆積物を除去するクリーニング処理が行われる。さらに、クリーニング処理後、ウエハへの成膜処理前には処理容器の内壁面やウエハを載置する載置台の表面に所定の膜を成膜するプリコート処理が行われる場合がある。このプリコート処理は、処理容器内のコンディションを整え、ウエハ間で処理のばらつきを抑えるために行われる。   In such a gas processing apparatus, a user supplies a film to a wafer at a flow rate (mL / min) and a flow rate per unit time at a process time from an input / output screen provided in the apparatus. Set whether to perform. The user also sets how many times the set film forming process is repeated, that is, how many wafers are to be processed continuously. Then, when the film forming process is started, the film forming process gas is supplied to the wafer at the set flow rate at each set process stage, and the gas or liquid material in the bottle is consumed. Further, a cleaning process is performed between the film forming process and the film forming process to supply a cleaning gas into the processing container and remove deposits attached to the processing container. Further, after the cleaning process and before the film formation process on the wafer, a precoat process may be performed in which a predetermined film is formed on the inner wall surface of the processing container and the surface of the mounting table on which the wafer is mounted. This pre-coating process is performed in order to condition the inside of the processing container and to suppress processing variations between wafers.

ところで、前記ガス処理装置において成膜処理が進んでボトル内の前記内容物が少なくなると、そのボトルを内容物が充填されたものに交換する必要がある。この交換を行うために例えば、そのボトルの重量が重量測定器により常時測定されている。そして、その重量測定器はボトルの交換のタイミングをユーザに知らせるために、ボトルの重量の測定値が所定の値よりも少なくなった時点でアラームを発生していた。   By the way, when the film forming process proceeds in the gas processing apparatus and the content in the bottle is reduced, it is necessary to replace the bottle with one filled with the content. In order to perform this replacement, for example, the weight of the bottle is constantly measured by a weight measuring device. The weight measuring device generates an alarm when the measured value of the weight of the bottle becomes smaller than a predetermined value in order to notify the user of the timing for replacing the bottle.

ところで、上記のボトルを交換する間はウエハに成膜処理が行えない。また、前記クリーニング処理には時間がかかることから、装置の処理効率を上げるためにこのクリーニング処理時に上記のボトルの交換を行いたいという要請がある。しかし、上記のようなボトルの重量を測定する方法では、ボトルの交換時期をクリーニング処理時に合わせ込むような計画を立てることができない。   By the way, the film formation process cannot be performed on the wafer while the bottle is replaced. In addition, since the cleaning process takes time, there is a demand to replace the bottle during the cleaning process in order to increase the processing efficiency of the apparatus. However, in the method of measuring the weight of the bottle as described above, it is not possible to make a plan to match the bottle replacement time with the cleaning process.

本発明はこのような事情の下になされたものであり、その目的は原料容器内のガスあるいは原料容器内の液体原料を気化したガスにより処理容器内の基板に対して成膜処理を行い、成膜処理の回数が予め設定した回数に達したときにクリーニングガスにより処理容器内をクリーニング処理するガス処理装置において、原料容器の交換による、当該ガス処理装置の処理効率の低下を防ぐことである。   The present invention has been made under such circumstances, and its purpose is to perform a film formation process on a substrate in a processing container with a gas in a raw material container or a gas obtained by vaporizing a liquid raw material in a raw material container, In a gas processing apparatus that cleans the inside of a processing container with a cleaning gas when the number of film forming processes reaches a preset number of times, it is to prevent a decrease in processing efficiency of the gas processing apparatus due to replacement of a raw material container. .

本発明のガス処理装置によれば、原料容器内のガスあるいは原料容器内の液体原料を気化したガスにより処理容器内の基板に対して成膜処理を行い、成膜処理の回数が予め設定した回数に達したときにクリーニングガスにより処理容器内をクリーニング処理するガス処理装置において、
ガスの種類とガスの流量とガスの供給時間とを含む処理レシピを記憶するレシピ記憶部と、
原料容器の交換時からクリーニング処理時までのガスの消費量を、使用された処理レシピに基づいてガスの種類ごとに算出し、原料容器の交換時における内容物の質量または体積と前記ガスの消費量とに基づいて当該クリーニング処理時における原料容器内の残量をガスの種類毎に算出する手段と、
当該クリーニング処理を終了した後、次のクリーニング処理に至るまでのガスの予測消費量を、使用する処理レシピと成膜処理の回数とに基づいてガスの種類毎に算出する手段と、
前記残量とガスの予測消費量とに基づいて次のクリーニング処理時に至るまでに原料容器が空になるか否かを判断する手段と、
原料容器が空になると判断されたときにはアラームを発生する手段と、を備えたことを特徴とする。
According to the gas processing apparatus of the present invention, the film forming process is performed on the substrate in the processing container with the gas in the raw material container or the gas obtained by vaporizing the liquid raw material in the raw material container, and the number of film forming processes is set in advance. In the gas processing apparatus for cleaning the inside of the processing container with the cleaning gas when the number of times is reached,
A recipe storage unit for storing a processing recipe including a gas type, a gas flow rate, and a gas supply time;
The amount of gas consumed from the time of replacement of the raw material container to the time of the cleaning process is calculated for each type of gas based on the processing recipe used, and the mass or volume of the contents and the consumption of the gas when the raw material container is replaced Means for calculating the remaining amount in the raw material container at the time of the cleaning process based on the amount for each type of gas;
Means for calculating an estimated consumption amount of gas from the end of the cleaning process until the next cleaning process for each gas type based on the processing recipe to be used and the number of film forming processes;
Means for determining whether or not the raw material container is emptied by the time of the next cleaning process based on the remaining amount and the estimated consumption of gas;
And means for generating an alarm when it is determined that the raw material container is empty.

前記ガス処理装置において、原料容器が空になると判断されたときには、当該クリーニング処理を終了した後に成膜処理を行うことが可能な基板の枚数を、各原料容器内の残量と処理レシピとに基づいて算出し、当該クリーニング処理時から次のクリーニング処理時までに予定されている基板の処理枚数と前記成膜処理を行うことが可能な基板の枚数との差が予め設定した枚数以下であると判断したときには、前記アラームに代えてまたは前記アラームと共に、次のクリーニング処理時を予定よりも早めて原料容器の交換時に行う旨の表示を行う手段を備えていてもよく、また原料容器が空にならないと判断されたときには、次のクリーニング処理を終了した後に成膜処理を行うことが可能な基板の枚数を、各原料容器内の残量と処理レシピとに基づいて算出し、当該基板の枚数が予め設定した枚数以下であると判断したときには、次のクリーニング処理時を予定よりも遅くして原料容器の交換時に行う旨の表示を行う手段を備えていてもよい。   In the gas processing apparatus, when it is determined that the raw material container is emptied, the number of substrates that can be subjected to the film forming process after the cleaning process is finished is determined by the remaining amount in each raw material container and the processing recipe. The difference between the number of processed substrates scheduled from the time of the cleaning process to the time of the next cleaning process and the number of substrates capable of performing the film forming process is equal to or less than a preset number. If it is determined that the material container is replaced, or in addition to the alarm, a means may be provided for indicating that the next cleaning process should be performed earlier than the scheduled time when the material container is replaced. If it is determined that the number of substrates that can be deposited after the next cleaning process is completed, the remaining amount in each material container and the process recipe And a means for indicating that the next cleaning process should be performed at a later time than planned and to be performed when the material container is replaced when it is determined that the number of the substrates is equal to or less than the preset number. May be.

本発明のガス処理装置によれば、クリーニング処理を終了した後、次のクリーニング処理に至るまでのガスの予測消費量を、使用する処理レシピと成膜処理の回数とに基づいてガスの種類毎に算出する手段と、前記残量とガスの予測消費量とに基づいて次のクリーニング処理時に至るまでに原料容器が空になるか否かを判断する手段と、原料容器が空になると判断されたときにはアラームを発生する手段と、を備えている。従って、このアラームに基づいて原料容器が空になるタイミングを知ることができ、原料容器の交換をクリーニング処理時に行うことができる。その結果として原料容器の交換により成膜処理が行えなくなることを防ぐことができ、従ってガス処理装置の処理効率の低下を抑えることができる。   According to the gas processing apparatus of the present invention, the estimated consumption of gas from the end of the cleaning process to the next cleaning process is determined for each gas type based on the processing recipe to be used and the number of film forming processes. Based on the remaining amount and the estimated consumption of gas, a means for determining whether or not the raw material container is emptied until the next cleaning process, and a determination that the raw material container is empty. Means for generating an alarm when the alarm occurs. Therefore, it is possible to know the timing when the raw material container is empty based on this alarm, and it is possible to replace the raw material container during the cleaning process. As a result, it is possible to prevent the film formation process from being performed by replacing the raw material container, and thus it is possible to suppress a decrease in the processing efficiency of the gas processing apparatus.

本発明の成膜装置の縦断面図である。It is a longitudinal cross-sectional view of the film-forming apparatus of this invention. 前記成膜装置に設けられた制御部の構成図である。It is a block diagram of the control part provided in the said film-forming apparatus. 前記制御部に設けられたワークメモリの構成図である。It is a block diagram of the work memory provided in the said control part. 前記ワークメモリの一部の領域の模式図である。It is a schematic diagram of the one part area | region of the said work memory. 実施例1のフローチャートである。3 is a flowchart of the first embodiment. 実施例2のフローチャートである。10 is a flowchart of Example 2. 実施例2においてクリーニング処理が実施されるタイミングを示した時系列グラフである。6 is a time-series graph showing the timing at which a cleaning process is performed in Example 2.

(実施例1)
図1を参照しながら本発明のガス処理装置の一例であるCVDを行う成膜装置1について説明する。成膜装置1は処理容器10を備えている。処理容器10は複数の部品により構成されており、図中10aはそれらの部品間に介在し、処理容器10内の気密性を保つためのOリングである。
Example 1
A film forming apparatus 1 that performs CVD, which is an example of a gas processing apparatus of the present invention, will be described with reference to FIG. The film forming apparatus 1 includes a processing container 10. The processing container 10 is composed of a plurality of parts. In the figure, reference numeral 10a denotes an O-ring that is interposed between these parts and maintains the airtightness in the processing container 10.

処理容器10内には、ウエハWを水平に載置するための載置台11が設けられている。載置台11内にはウエハWの温調手段をなすヒータ11aが設けられている。更に載置台11には、昇降機構11bにより昇降自在な3本の昇降ピン11c(便宜上2本のみ図示)が設けられており、この昇降ピン11cを介して不図示の搬送手段と載置台11との間でウエハWの受け渡しが行われる。処理容器10の底部には排気管12の一端側が接続され、この排気管12の他端側には真空ポンプなどにより構成される排気手段13が接続されている。この排気手段13により、処理容器10へガスが供給されて各種の処理が行われる間、処理容器10内が所定の圧力に制御される。また処理容器10の側壁には、ゲートバルブGにより開閉される搬送口14が形成されている。   In the processing container 10, a mounting table 11 for mounting the wafer W horizontally is provided. In the mounting table 11, a heater 11 a that serves as a temperature control unit for the wafer W is provided. Further, the mounting table 11 is provided with three lifting pins 11c (only two are shown for convenience) that can be moved up and down by a lifting mechanism 11b. Via the lifting pins 11c, a conveying means (not shown) and the mounting table 11 are provided. The wafer W is transferred between the two. One end side of an exhaust pipe 12 is connected to the bottom of the processing vessel 10, and an exhaust means 13 composed of a vacuum pump or the like is connected to the other end side of the exhaust pipe 12. While the gas is supplied to the processing container 10 and various processes are performed by the exhaust means 13, the inside of the processing container 10 is controlled to a predetermined pressure. A transfer port 14 that is opened and closed by a gate valve G is formed on the side wall of the processing vessel 10.

さらに処理容器10の天井部に載置台11に対向するようにガス供給部であるガスシャワーヘッド15が設けられている。ガスシャワーヘッド15はガス室16を備え、ガス室16に供給されたガスは夫々ガス供給孔17から処理容器10内に供給される。   Further, a gas shower head 15 as a gas supply unit is provided on the ceiling of the processing container 10 so as to face the mounting table 11. The gas shower head 15 includes a gas chamber 16, and the gas supplied to the gas chamber 16 is supplied into the processing container 10 from the gas supply holes 17.

ガスシャワーヘッド15には、図1に示すように各種の配管を介してウエハWに成膜処理を行うための成膜処理ガスを供給する成膜処理ガス供給系21Aと、プリコート処理用のガスを供給するプリコート処理ガス供給系21Bと、クリーニング処理用のガスを供給するクリーニング処理ガス供給系21Cとが接続され、各供給系21A、21B、21Cからガス室16に夫々ガスが供給される。   As shown in FIG. 1, the gas shower head 15 includes a film forming process gas supply system 21A for supplying a film forming process gas for performing a film forming process on the wafer W through various pipes, and a gas for pre-coating process. Are connected to a pretreatment gas supply system 21B for supplying a cleaning gas and a cleaning gas supply system 21C for supplying a cleaning gas, and gas is supplied to the gas chamber 16 from each of the supply systems 21A, 21B, and 21C.

成膜処理ガス供給系21Aにはガス供給器22A〜22Eが含まれており、ガス供給器22A〜22Eは夫々ウエハWに成膜を行うためのガスA〜ガスEが貯留された原料容器であるボトル23A〜23Eを含んでいる。ガス供給器22A〜22Eは例えば処理容器10内にガスを供給するためのバルブやマスフローコントローラを備えており、またボトル23A〜23E内のガスをガス室16に圧送する手段を備えている。これらガス供給器22A〜22Eによって、後述のように設定した流量で各ボトル23A〜23Eから各ガスが供給される。ガスの一例を挙げると、ガスAは例えばNガスなどの処理容器10内をパージするパージガスである。また、ガスB〜ガスDはウエハWに成膜する成分を含んだ成膜ガスであり、ガスEはガスB〜ガスDを処理容器10内へ効率よく流通させるためのArなどからなるキャリアガスである。 The film formation processing gas supply system 21A includes gas supply units 22A to 22E, and the gas supply units 22A to 22E are raw material containers in which gas A to gas E for film formation on the wafer W are stored. Some bottles 23A-23E are included. The gas supply units 22 </ b> A to 22 </ b> E are provided with, for example, a valve for supplying gas into the processing container 10 and a mass flow controller, and are provided with means for pumping the gas in the bottles 23 </ b> A to 23 </ b> E to the gas chamber 16. Each gas is supplied from each bottle 23A to 23E by these gas supply units 22A to 22E at a flow rate set as described later. As an example of the gas, the gas A is a purge gas for purging the inside of the processing vessel 10 such as N 2 gas. Gas B to gas D are film forming gases containing components to be formed on the wafer W, and gas E is a carrier gas made of Ar or the like for efficiently circulating gas B to gas D into the processing vessel 10. It is.

プリコート処理ガス供給系21Bにはガス供給器22F〜22Hが含まれており、ガス供給器22F〜22Hは処理容器10の内壁及び載置台11の表面にプリコート処理を行うためのガスF〜ガスHを含んでいる。   The precoat treatment gas supply system 21 </ b> B includes gas supply devices 22 </ b> F to 22 </ b> H, and the gas supply devices 22 </ b> F to 22 </ b> H are gas F to gas H for performing precoat treatment on the inner wall of the processing container 10 and the surface of the mounting table 11. Is included.

ガス供給器22F〜22Hは例えば処理容器10内に各ガスを供給するためのバルブやマスフローコントローラを含んでおり、またボトル23F〜23H内のガスをガス室16に圧送する手段を備えている。そして、これらガス供給器22F〜22Hによって、後述のように設定した流量で各ボトル23F〜23Hから各ガスが供給される。   The gas supply units 22F to 22H include, for example, valves for supplying each gas into the processing container 10 and a mass flow controller, and are provided with means for pressure-feeding the gas in the bottles 23F to 23H to the gas chamber 16. And these gas supply devices 22F-22H supply each gas from each bottle 23F-23H with the flow volume set as mentioned later.

クリーニング処理ガス供給系21Cにはガス供給器22Iが含まれており、ガス供給器22Iは夫々処理容器10の内壁及び載置台11の表面に付着したプリコート及び成膜ガスによる堆積物を除去するためのクリーニングガスであるガスIが貯留されたボトル23Iを含んでいる。ガス供給器22Iは、供給器22A〜22Eと同様に構成されているので詳細な説明を省略する。   The cleaning process gas supply system 21 </ b> C includes a gas supply unit 22 </ b> I, which removes deposits due to the precoat and film forming gas adhering to the inner wall of the processing container 10 and the surface of the mounting table 11, respectively. The bottle 23I in which the gas I which is the cleaning gas is stored. Since the gas supply unit 22I is configured in the same manner as the supply units 22A to 22E, detailed description thereof is omitted.

各ボトル23A〜23Iは、これらのボトルが接続される配管から自由に取り外し、またガス供給器22A〜22Iから取り外して交換を行うことができる。ここでいう交換には、接続されているボトルを異なるボトルに取り替えることの他に、ボトルを一旦配管から取り外した後、内容物を充填して再度当該ボトルを配管に接続することも含まれる。   Each of the bottles 23A to 23I can be freely removed from the pipe to which these bottles are connected, and can be removed from the gas supply units 22A to 22I for replacement. The replacement here includes not only replacing the connected bottle with a different bottle but also removing the bottle from the pipe once, filling the contents, and connecting the bottle to the pipe again.

続いて、例えばコンピュータからなる制御部3について図2を参照しながら説明する。制御部3はバス31を備えており、後述の処理を実行するためのプログラム41が接続されている。プログラム41には制御部3から成膜装置1の各部に制御信号を送り、成膜処理、プリコート処理、クリーニング処理や後述のアラーム表示などの処理を進行させるように命令(各ステップ)が組み込まれている。プログラム41は、コンピュータが読み取り可能な記憶媒体例えばフレキシブルディスク、コンパクトディスク、ハードディスク、MO(光磁気ディスク)等からなるプログラム格納部に格納された状態で制御部3にインストールされている。   Next, the control unit 3 composed of, for example, a computer will be described with reference to FIG. The control unit 3 includes a bus 31 and is connected with a program 41 for executing processing described later. The program 41 includes commands (steps) for sending control signals from the control unit 3 to each part of the film forming apparatus 1 to advance processes such as film forming process, pre-coating process, cleaning process and alarm display described later. ing. The program 41 is installed in the control unit 3 while being stored in a program storage unit including a computer-readable storage medium such as a flexible disk, a compact disk, a hard disk, and an MO (magneto-optical disk).

また、バス31にはCPU32とワークメモリ33と出力画面5と入力手段50とが接続されている。ワークメモリ33の所定の領域に入力手段50から入力された数値が記憶され、その記憶された数値に基づいて各種の演算が行われる。つまり、ワークメモリ33はレシピ記憶手段を構成している。そして、そのワークメモリ33の内容は出力画面5の所定の領域に出力される。入力手段50はキーボードやマウスなどにより構成される。   Further, the CPU 31, the work memory 33, the output screen 5, and the input unit 50 are connected to the bus 31. Numerical values input from the input means 50 are stored in a predetermined area of the work memory 33, and various calculations are performed based on the stored numerical values. That is, the work memory 33 constitutes recipe storage means. Then, the contents of the work memory 33 are output to a predetermined area of the output screen 5. The input means 50 is composed of a keyboard, a mouse and the like.

図3にはワークメモリ33の一例を示している。成膜装置1のユーザは入力手段50を用いてワークメモリ33に設けられた成膜処理レシピ設定領域51へ成膜処理のレシピを設定することができる。この成膜処理のレシピの設定とは、1枚のウエハWに成膜処理を行う工程の開始から終了までの間、同じガスを同じ流量で連続して供給し続ける時間をステップとして、いくつのステップ数で処理を行うか、そして各ステップでどのガスを何秒その処理容器10のウエハWに供給するか、という設定であり、ステップ1から番号順に設定される。   FIG. 3 shows an example of the work memory 33. The user of the film forming apparatus 1 can set a film forming process recipe in the film forming process recipe setting area 51 provided in the work memory 33 by using the input unit 50. The recipe setting for this film forming process is a number of steps in which the same gas is continuously supplied at the same flow rate from the start to the end of the process of performing the film forming process on one wafer W. The number of steps is set, and which gas is supplied to the wafer W of the processing container 10 for how many seconds in each step.

図4では成膜処理レシピ設定領域51と、その領域51に入力されたレシピの一例とを示している。図示した例ではステップ1〜ステップ5の5段階でウエハWに成膜処理が行われるが、このステップ数は任意に設定できる。なお、表中ステップ5の右側のENDの表示は、この成膜処理レシピの設定がステップ5で終了していることを意味するものであり、ユーザが入力手段50によりステップ5の設定終了後、成膜処理レシピの設定終了の手続きを行うことにより表示される。   FIG. 4 shows a film forming process recipe setting area 51 and an example of a recipe input to the area 51. In the illustrated example, the film formation process is performed on the wafer W in five stages from Step 1 to Step 5, but the number of steps can be arbitrarily set. In addition, the display of END on the right side of step 5 in the table means that the setting of the film forming process recipe has been completed in step 5, and after the user has completed the setting of step 5 by the input means 50, It is displayed by performing a procedure for completing the setting of the film forming process recipe.

図示の例ではステップ1で処理容器10に120秒間ガスAを100mL/minで供給し、その後のステップ2で10秒間ガスBを200mL/min、ガスCを50mL/min、ガスDを10mL/min、ガスEを100mL/min夫々供給し、その後ステップ3で100秒間ガスAを10mL/min、ガスCを20mL/min、ガスDを50mL/min、ガスEを30mL/min夫々供給する。さらにその後のステップ4で10秒間ガスCを20mL/min、ガスDを50mL/min、ガスEを30mL/min夫々供給し、ステップ5で100秒間ガスAを10mL/min、ガスCを20mL/min、ガスDを50mL/min、ガスEを30mL/min夫々供給する。   In the example shown in the figure, gas A is supplied to the processing vessel 10 at 100 mL / min in Step 1 at 100 mL / min, and then Gas B is 200 mL / min, Gas C is 50 mL / min, Gas D is 10 mL / min in Step 2 after that. Then, gas E is supplied at 100 mL / min, and then at step 3, gas A is supplied at 10 mL / min, gas C is supplied at 20 mL / min, gas D is supplied at 50 mL / min, and gas E is supplied at 30 mL / min. Further, in Step 4, gas C is supplied at 20 mL / min for 10 seconds, gas D is supplied at 50 mL / min, and gas E is supplied at 30 mL / min. In Step 5, gas A is supplied at 10 mL / min and gas C is supplied at 20 mL / min for 100 seconds. Gas D is supplied at 50 mL / min, and Gas E is supplied at 30 mL / min.

ワークメモリ33は、この成膜処理レシピを一回実施した場合のボトル内容物使用量記憶領域52を備えている。上記のように設定領域51にて成膜処理レシピの設定が終了すると、その設定に基づいて一回の成膜処理レシピを実施した場合に要する総時間(秒)と、その場合における各ガス毎のボトルからの消費量(mL)とが制御部3により演算されて、この記憶領域52に記憶される。   The work memory 33 includes a bottle content usage amount storage area 52 when the film forming recipe is executed once. When the setting of the film forming process recipe is completed in the setting area 51 as described above, the total time (seconds) required for carrying out one film forming process recipe based on the setting, and for each gas in that case The consumption amount (mL) from the bottle is calculated by the control unit 3 and stored in the storage area 52.

前記総時間は各ステップにより設定した時間の合計値であり、この例ではステップ1、2、3、4、5で夫々処理時間を120秒、10秒、100秒、10秒、100秒と設定したため、その合計値である340秒がこの成膜処理レシピを一度実行した時の総時間として表示されている。   The total time is a total value of the time set in each step. In this example, the processing time is set to 120 seconds, 10 seconds, 100 seconds, 10 seconds, and 100 seconds in steps 1, 2, 3, 4, and 5, respectively. Therefore, the total value of 340 seconds is displayed as the total time when this film forming recipe is executed once.

また、各ボトルからの23A〜23Eの内容物消費量は、ステップ毎に設定したガスの単位時間あたりのガス流量を、設定したそのステップの処理時間で掛けてステップ毎の消費量が求められた後、その各ステップ間での使用量が合計されることにより算出される。図4の設定領域51に示すように成膜処理レシピの設定が行われたものとした場合にガスAについての使用量が演算される工程を示すと、ステップ1で2分(120秒)×100mL/min=200mL、ステップ2で0分(0秒)×10mL/min=0mL、ステップ3で1/6分(10秒)×100mL/min=16.5mL、ステップ4で0分(0秒)×10mL/min=0mL、ステップ5で1/6分(10秒)×100mL/min=16.5mL、というように各ステップでの使用量が算出された後、それら各ステップの使用量が合計される。そして、合計値である233mLがガスAの成膜処理レシピを一度実行した時におけるボトル23Aからの消費量として記憶領域52に記憶されている。ガスB〜ガスEについてはガスAと同様に演算されて記憶領域52に記憶されるので、計算手順は省略する。   In addition, the content consumption of 23A to 23E from each bottle was obtained by multiplying the gas flow rate per unit time of the gas set for each step by the set processing time of the step. Thereafter, the amount of use between each step is summed up. As shown in the setting area 51 of FIG. 4, when the film forming process recipe is set, the process of calculating the usage amount for the gas A is 2 minutes (120 seconds) × 1 in step 1 100 mL / min = 200 mL, Step 2 0 min (0 sec) × 10 mL / min = 0 mL, Step 3 1/6 min (10 sec) × 100 mL / min = 16.5 mL, Step 4 0 min (0 sec ) × 10 mL / min = 0 mL, 1/5 min (10 seconds) in step 5 × 100 mL / min = 16.5 mL, and the amount used in each step is calculated. To be summed. The total value of 233 mL is stored in the storage area 52 as the consumption amount from the bottle 23A when the gas A film forming process recipe is executed once. Since the gas B to the gas E are calculated in the same manner as the gas A and stored in the storage area 52, the calculation procedure is omitted.

この成膜装置1による成膜処理では連続して搬入されるウエハWに対して成膜処理レシピで設定した成膜処理が夫々繰り返し行われる。ワークメモリ33はそのように何枚のウエハWを連続して処理するか、つまり設定した成膜処理レシピを何回繰り返し行うかという回数を設定する成膜処理レシピ繰り返し回数設定領域53を備えている。   In the film forming process performed by the film forming apparatus 1, the film forming process set in the film forming process recipe is repeatedly performed on the wafers W that are continuously loaded. The work memory 33 includes a film formation process recipe repetition number setting area 53 for setting the number of wafers W to be processed in succession, that is, how many times the set film formation process recipe is repeated. Yes.

ワークメモリ33はプリコート処理レシピ設定領域54及びクリーニング処理レシピ設定領域55を備えている。成膜処理のレシピを設定する場合と同様に、これらの領域にステップ数と、各ステップ毎の各ガスの単位時間あたりの流量(mL/min)と、各ステップの実施時間(秒)とを設定することで、プリコート処理、クリーニング処理のレシピを夫々設定することができる。   The work memory 33 includes a precoat process recipe setting area 54 and a cleaning process recipe setting area 55. As in the case of setting the recipe for the film formation process, the number of steps, the flow rate per unit time of each gas (mL / min) for each step, and the execution time (seconds) of each step are set in these areas. By setting, recipes for the precoat process and the cleaning process can be set respectively.

また、ワークメモリ33はプリコート処理レシピ、クリーニング処理レシピを夫々繰り返して行う回数を設定するための回数設定領域56、57を夫々備えている。   In addition, the work memory 33 includes number setting areas 56 and 57 for setting the number of times to repeat the precoat processing recipe and the cleaning processing recipe, respectively.

この成膜装置1による処理手順としては、プリコート処理を設定した回数繰り返し行った後、成膜処理を設定した回数繰り返し行い、然る後クリーニング処理を設定した回数繰り返し行う。クリーニング処理を行った後は再びプリコート処理から順に処理を行う。このプリコート処理を行った後、次に成膜処理を行いさらにその次にクリーニング処理を終えるまでを一つ区切りとして、その中で最初のプリコート処理から最後のクリーニング処理までの間を一回の処理ターンと呼ぶことにする。ワークメモリ33には処理ターン数設定領域58が設けられ、例えば不図示の処理開始ボタンが押されると、この設定したターン数の処理ターンが繰り返し行われる。   As a processing procedure by the film forming apparatus 1, the pre-coating process is repeated for the set number of times, then the film forming process is repeated for the set number of times, and then the cleaning process is repeated for the set number of times. After performing the cleaning process, the process is performed again in order from the precoat process. After performing this pre-coating process, the next film-forming process is performed and then the cleaning process is completed as one segment, and the process from the first pre-coating process to the last cleaning process is performed once. I will call it a turn. The work memory 33 is provided with a processing turn number setting area 58. For example, when a processing start button (not shown) is pressed, the processing turn of the set number of turns is repeatedly performed.

ワークメモリ33はボトル内容物残量記憶領域61を備えている。このボトル内容物残量記憶領域61は、成膜処理ガス供給系21Aのボトル23A〜23Eにおける夫々のガスA〜ガスEの残量(mL)を記憶している。このボトル内容物残量記憶領域61に記憶される値は、一回の成膜処理レシピに設定したウエハWへの処理が終了すると、そのレシピの実行前に当該領域61に表示されていた各ボトル23A〜23Eの内容物の残量値から前記ボトル内容物使用量記憶領域52に記憶されている成膜処理レシピに設定した一枚のウエハWへの処理に使用される各ガスの使用量の値が減算されて更新される。各ボトル23A〜23Eについて交換が行われると、ユーザは入力手段50から、その交換後のボトル内のガスの量を入力し、その入力された量にこのボトル内容物残量記憶領域61に記憶された量が更新される。なお、ボトル交換時にここに入力される数値は質量値であってもよく、後述の演算を行う際にその質量値に対応する体積値に換算されてその演算が行われてもよい。   The work memory 33 includes a bottle content remaining amount storage area 61. The bottle content remaining amount storage area 61 stores the remaining amounts (mL) of the respective gases A to E in the bottles 23A to 23E of the film forming process gas supply system 21A. The values stored in the bottle content remaining amount storage area 61 are the values displayed in the area 61 before the execution of the recipe after the processing on the wafer W set in one film forming process recipe is completed. The usage amount of each gas used for processing on one wafer W set in the film forming processing recipe stored in the bottle content usage amount storage area 52 from the remaining amount value of the contents of the bottles 23A to 23E. The value of is subtracted and updated. When the bottles 23 </ b> A to 23 </ b> E are exchanged, the user inputs the amount of gas in the bottle after the exchange from the input unit 50, and stores the inputted amount in the bottle content remaining amount storage area 61. The amount is updated. In addition, the numerical value input here at the time of bottle replacement | exchange may be a mass value, and when calculating later, it may be converted into the volume value corresponding to the mass value, and the calculation may be performed.

また、ワークメモリ33は、処理可能ウエハ枚数記憶領域62を備えている。この記憶領域62は設定した成膜処理のレシピと、各ボトル23A〜23Eにおけるガスの残量とに基づいて、ボトル23A〜23Eのいずれかが空になるまでに成膜処理可能なウエハWの枚数を記憶する。この枚数は成膜処理レシピに設定した一枚のウエハWへの処理が終了する毎に更新される。   The work memory 33 also includes a processable wafer number storage area 62. The storage area 62 stores wafers W that can be formed before any of the bottles 23A to 23E is emptied based on the set film formation recipe and the remaining amount of gas in each bottle 23A to 23E. Memorize the number of sheets. This number is updated every time the processing on one wafer W set in the film forming recipe is completed.

具体的にこの記憶領域62は、各ボトルについて、ボトル内容物残量記憶領域61に記憶されている残量を、成膜処理レシピのボトル内容物使用量記憶領域52に記憶されている成膜処理レシピを一回実行した時の使用量で割り、そのように演算された値のうち、最小の値が記憶される。   Specifically, in this storage area 62, for each bottle, the remaining amount stored in the bottle content remaining amount storage area 61 is stored in the bottle content usage amount storage area 52 of the film forming process recipe. Dividing by the amount used when the processing recipe is executed once, the smallest value among the values calculated in this way is stored.

図3中63は部品ごとのガス使用量記憶領域、64は部品ごとのガス使用基準量記憶領域、73及び74は変動許容値設定領域であるが、これらの記憶領域及び設定領域は、実施例1では使用しないので詳しくは後述する。   In FIG. 3, 63 is a gas usage amount storage area for each part, 64 is a gas usage reference amount storage area for each part, and 73 and 74 are variation allowable value setting areas. These storage areas and setting areas are examples. Since it is not used in 1, the details will be described later.

また、出力画面5は各種のアラームを表示するアラーム表示領域71を備えている。   The output screen 5 includes an alarm display area 71 for displaying various alarms.

続いて、上記の成膜装置1の処理工程を示したフローチャートである図5を参照しながら説明する。先ず、成膜装置1のユーザはガスA〜ガスEが充填されたボトル23A〜23Eを各ガス供給器22A〜22Eに取り付け、各ボトル23A〜23Eの各内容物量をワークメモリ33のボトル内容物残量記憶領域61に入力する(工程S1)。ただし、この内容物量は図示しない測定器により測定された値が自動的に前記記憶領域61に入力されてもよい。   Next, description will be made with reference to FIG. 5 which is a flowchart showing the processing steps of the film forming apparatus 1 described above. First, the user of the film forming apparatus 1 attaches the bottles 23A to 23E filled with the gas A to the gas E to the gas supply units 22A to 22E, and sets the contents of each bottle 23A to 23E to the contents of the bottle in the work memory 33. Input to the remaining amount storage area 61 (step S1). However, the content amount may be automatically input to the storage area 61 as a value measured by a measuring instrument (not shown).

続いてユーザはワークメモリ33の成膜処理レシピ設定領域51に成膜処理のステップ数と、各ステップにおける各ガスの単位時間あたりの流量と、各ステップの実施時間とを入力して、成膜処理のレシピを設定する(工程S2)。成膜処理のレシピが設定されると、制御部3は既述のようにレシピの総時間と、このレシピにおける各ガスの消費量と、について演算し、その演算結果が成膜処理レシピを一回実施した場合のボトル内容物使用量記憶領域52に記憶される。続いて制御部3は、演算した成膜処理レシピを一回実施した場合のボトル内容物使用量記憶領域52に記憶された量と、ボトル内容物残量記憶領域61に記憶された量と、からウエハWの処理可能枚数を演算し、その演算結果を処理可能ウエハ枚数記憶領域62に記憶する(工程S3)。   Subsequently, the user inputs the number of steps of the film forming process, the flow rate per unit time of each gas in each step, and the execution time of each step in the film forming process recipe setting area 51 of the work memory 33 to form the film. A processing recipe is set (step S2). When the film forming process recipe is set, the control unit 3 calculates the total time of the recipe and the consumption amount of each gas in the recipe as described above, and the calculation result matches the film forming process recipe. It is stored in the bottle content usage amount storage area 52 when it is executed once. Subsequently, the control unit 3 stores the amount stored in the bottle content usage amount storage area 52 and the amount stored in the bottle content remaining amount storage area 61 when the calculated film forming process recipe is executed once. Then, the processable number of wafers W is calculated, and the calculation result is stored in the processable wafer number storage area 62 (step S3).

続いてユーザは同様にプリコート処理レシピ設定領域54及びクリーニング処理レシピ設定領域55に、夫々ステップ数、各ステップにおける各ガスの単位時間あたりの流量と、各ステップの実施時間とを入力して、プリコート処理のレシピ、クリーニング処理のレシピを夫々設定する。続いて、ユーザは連続して行う成膜処理、プリコート処理、クリーニング処理の繰り返し回数について設定領域53、56、57に夫々任意の数値を入力し、一回の処理ターンの処理内容について決定した後、処理ターンを行う回数について、処理ターン数設定領域58に任意の数値を入力して決定する(工程S4)。   Subsequently, the user similarly inputs the number of steps, the flow rate per unit time of each gas in each step, and the execution time of each step in the precoat process recipe setting area 54 and the cleaning process recipe setting area 55, respectively. A process recipe and a cleaning process recipe are set. Subsequently, after the user inputs arbitrary numerical values to the setting areas 53, 56, and 57 for the number of repetitions of the film forming process, the pre-coating process, and the cleaning process that are continuously performed, and determines the processing contents of one processing turn. The number of times of processing turns is determined by inputting an arbitrary numerical value into the processing turn number setting area 58 (step S4).

ユーザが、不図示の処理開始ボタンを押すと、処理容器10内が所定の圧力に制御され、設定したプリコートレシピに従いプリコート処理が行われる。続いて不図示の搬送手段によりウエハWが処理容器10内に搬入されて成膜処理レシピに規定された成膜処理が行われる。そのウエハWについて成膜処理が終わると、制御部3は、記憶領域52に記憶されているその成膜処理レシピで使用された各ガスの消費量を記憶領域61に記憶されている各ボトルの内容物残量から減算し、その減算した値をボトル内容物残量として更新する。そしてそのボトル内容物残量の変化に応じて、処理可能ウエハ枚数記憶領域62の値も更新される。つまり、成膜処理が終わると、それまで記憶されていた枚数値から1が引かれた枚数値が記憶される(工程S5)。成膜処理済みのウエハWが前記搬送手段により処理容器10外に搬出された後、後続のウエハWが搬入されて成膜処理が行われる。そして、成膜処理が行われるたびにウエハWの処理可能枚数の記憶領域62の数値とボトル内容物残量記憶領域61の数値とが更新される。   When the user presses a process start button (not shown), the inside of the processing container 10 is controlled to a predetermined pressure, and the precoat process is performed according to the set precoat recipe. Subsequently, the wafer W is carried into the processing container 10 by a transfer means (not shown), and the film forming process defined in the film forming process recipe is performed. When the film forming process is completed for the wafer W, the control unit 3 stores the consumption amount of each gas used in the film forming process recipe stored in the storage area 52 for each bottle stored in the storage area 61. Subtract from the remaining amount of contents and update the subtracted value as the remaining amount of bottle contents. Then, the value of the processable wafer number storage area 62 is also updated in accordance with the change in the remaining amount of the bottle contents. That is, when the film forming process is completed, the number value obtained by subtracting 1 from the number value stored so far is stored (step S5). After the film-formed wafer W is carried out of the processing container 10 by the transfer means, the subsequent wafer W is carried in and the film-forming process is performed. Each time the film forming process is performed, the numerical value in the storage area 62 of the number of wafers W that can be processed and the numerical value in the bottle content remaining amount storage area 61 are updated.

成膜処理レシピ繰り返し回数設定領域53に設定された繰り返し回数の成膜処理が終了すると、クリーニング処理が開始され、制御部3は、処理可能ウエハ枚数記憶領域62に記憶されている処理可能ウエハ枚数の値から設定したレシピ繰り返し回数設定領域53の値を引き、その演算値が0以上になるか否かを判定し、次回の処理ターンにおいてクリーニング処理開始までにボトルの内容物が空になるか否か判定する(工程S6)。前記演算値が0以上である場合、制御部3は次回の処理ターンにおいてクリーニング処理開始までにいずれのボトルにおいても内容物が空にならないものとして、アラームの表示を行わない。その後クリーニング処理が終了して、一回の処理ターンが終了する。その後、次の処理ターンが開始され、プリコート処理から順に処理が行われる。   When the number of repetitions of the film formation process set in the film formation process recipe repetition number setting area 53 is completed, the cleaning process is started, and the control unit 3 stores the number of processable wafers stored in the processable wafer number storage area 62. The value of the recipe repetition count setting area 53 set is subtracted from the value of the value, and it is determined whether or not the calculated value becomes 0 or more. Whether the contents of the bottle are emptied before the cleaning process starts in the next processing turn. It is determined whether or not (step S6). When the calculated value is 0 or more, the control unit 3 does not display an alarm on the assumption that the contents are not emptied in any bottle before the start of the cleaning process in the next processing turn. Thereafter, the cleaning process ends, and one process turn ends. Thereafter, the next processing turn is started, and processing is performed in order from the precoat processing.

このように繰り返される処理ターンにおいて、ある処理ターンのクリーニング処理開始時に制御部3が、上記のようにワークメモリ33に記憶されている処理可能ウエハ枚数記憶領域62の値から成膜処理レシピ繰り返し回数設定領域53に設定した値を引き、その値が0以下になると、制御部3は、次回のクリーニング処理開始までにいずれかのボトルの内容物が空になると判定する(工程S7)。   In the process turn repeated in this manner, the control unit 3 at the start of the cleaning process of a certain process turn determines the number of repetitions of the film forming process recipe from the value of the processable wafer number storage area 62 stored in the work memory 33 as described above. When the value set in the setting area 53 is subtracted and the value becomes 0 or less, the control unit 3 determines that the contents of any bottle are emptied by the start of the next cleaning process (step S7).

空になるボトルがあると判定すると制御部3は、ボトル内容物使用量記憶領域52に記憶されている成膜レシピに設定した一枚のウエハWへの処理を行うためのボトル内容物使用量と、成膜処理レシピ繰り返し回数設定領域53に記憶されている成膜処理レシピの繰り返し回数と、ボトル内容物残量記憶領域61に記憶されているボトル内容物残量と、から空になるボトルを検出する。そして、そのボトルについて交換が必要なことを示すアラームを表示領域71に表示する(工程S8)。   When it is determined that there is an empty bottle, the control unit 3 uses the bottle content usage amount for performing processing on one wafer W set in the film forming recipe stored in the bottle content usage amount storage area 52. And the bottle content remaining amount stored in the bottle content remaining amount storage area 61 and the bottle that is emptied Is detected. Then, an alarm indicating that the bottle needs to be replaced is displayed in the display area 71 (step S8).

アラームが発生すると、ユーザはそのクリーニング処理が行われている間に、アラームが表示されているボトルについて内容物を充填したものに交換する(工程S9)。なお、この交換処理は成膜処理に影響されなければよいので、プリコート処理レシピ実行時にまで掛かってもよい。   When the alarm is generated, the user replaces the bottle in which the alarm is displayed with one filled with contents while the cleaning process is being performed (step S9). Note that this replacement process does not have to be affected by the film formation process, and may be performed until the precoat process recipe is executed.

ボトルの交換後、ユーザは交換したボトルについて入力手段50によりワークメモリ33のボトル内容物残量記憶領域61にその交換したボトルに含まれる内容物量を入力して更新する。そして、制御部3はこの入力された内容物量に基づいて、ウエハの処理可能枚数を更新して記憶領域62に記憶し(工程S10)、アラーム表示が停止する。設定した数だけ処理ターンが終了すると、成膜装置1の動作が停止する。   After replacing the bottle, the user inputs the content amount contained in the replaced bottle into the bottle content remaining amount storage area 61 of the work memory 33 by the input unit 50 and updates the replaced bottle. Then, the control unit 3 updates the processable number of wafers based on the input content amount and stores it in the storage area 62 (step S10), and the alarm display stops. When the set number of processing turns are finished, the operation of the film forming apparatus 1 is stopped.

(実施例2)
続いて実施例2について、実施例1との差異点を中心に説明する。成膜処理レシピ繰り返し回数設定領域53で規定される回数はクリーニング処理を実行するまでに繰り返し可能な成膜処理の回数であるが、この回数はガス残量に依存する処理可能ウエハ枚数記憶領域62で規定される回数に比べて比較的変動が許容される。このため、成膜処理レシピを行う回数を変化させてクリーニング処理が行われる時期とボトルの交換の時期とをより合わせ込ますことができる。このため実施例2では成膜処理レシピの繰り返し回数が、成膜処理レシピ繰り返し回数設定領域53に設定された数値に対して変動可能とし、その変動可能な範囲を許容値としてワークメモリ33の変動許容値設定領域73、74に入力する。変動許容値設定領域73に入力された数値が第1の許容値として、この値だけ前記成膜処理レシピの繰り返し回数が少なくなることが許容される。また変動許容値設定領域74に入力された数値が第2の許容値として、この値だけ繰り返し回数が多くなることが許容される。
(Example 2)
Next, the second embodiment will be described focusing on the differences from the first embodiment. The number of times defined in the film formation process recipe repetition number setting area 53 is the number of film formation processes that can be repeated until the cleaning process is executed. This number of processable wafer number storage areas 62 depends on the remaining amount of gas. As compared with the number of times specified in (3), the fluctuation is relatively acceptable. For this reason, by changing the number of times of performing the film forming process recipe, it is possible to more closely match the time when the cleaning process is performed and the time when the bottle is replaced. For this reason, in the second embodiment, the number of repetitions of the film forming process recipe can be changed with respect to the numerical value set in the film forming process recipe repetition number setting area 53, and the change range of the work memory 33 is set to the allowable range. This is input to the allowable value setting areas 73 and 74. The numerical value input to the allowable fluctuation value setting area 73 is the first allowable value, and the number of repetitions of the film forming process recipe is allowed to decrease by this value. In addition, the numerical value input to the fluctuation allowable value setting area 74 is the second allowable value, and the number of repetitions is allowed to increase by this value.

続いて図6を参照しながら実施例2の処理工程について説明する。先ず工程S1〜S4と同様の工程が実行され、処理ターンの内容及び処理ターン数が決定される(工程T1)。また、ユーザは、繰り返し回数変動許容値設定領域73、74に第1の許容値、第2の許容値、つまり何回まで成膜レシピの処理の繰り返し回数の変動を許容できるかという許容値を入力手段50から設定する。例えば設定された成膜処理レシピの繰り返し数が500回、第1の許容値及び第2の許容値が50に設定されたものとすると、成膜処理レシピの繰り返し数は450〜550回の範囲で変動しうる。   Next, the processing steps of Example 2 will be described with reference to FIG. First, steps similar to steps S1 to S4 are executed, and the contents of the processing turn and the number of processing turns are determined (step T1). In addition, the user sets the first allowable value and the second allowable value in the repetition number variation allowable value setting areas 73 and 74, that is, an allowable value indicating how many times the variation of the number of repetitions of the film forming recipe process can be permitted. Set from the input means 50. For example, if the set number of repetitions of the film forming process recipe is 500 and the first allowable value and the second allowable value are set to 50, the number of repetitions of the film forming process recipe is in the range of 450 to 550 times. Can vary.

処理ターンが開始されると、成膜処理中は上記の工程S5と同様にボトル内容物残量記憶領域61に記憶するボトル内容物残量及び処理可能ウエハ枚数記憶領域62に記憶される処理可能ウエハ枚数が更新される。成膜処理終了後、クリーニング処理が開始されると、制御部3は工程S6と同様に次回の処理ターンのクリーニング処理開始までにボトルが空にならないか判定する(工程T2)。ここで空になると判定された場合、制御部3は予定したウエハWの処理枚数(設定領域53に設定した成膜処理レシピの繰り返し回数)と、記憶領域62に記憶された処理可能なウエハWの枚数と、の差が領域73に入力した第1の許容値以下であるかどうか判定する(工程T3)。   When the processing turn is started, during the film forming process, the bottle contents remaining amount stored in the bottle contents remaining amount storage area 61 and the process stored in the processable wafer number storage area 62 are possible as in the above step S5. The number of wafers is updated. When the cleaning process is started after the film formation process is completed, the control unit 3 determines whether the bottle is not emptied until the start of the cleaning process in the next process turn (step T2). If it is determined that the wafer W is empty, the control unit 3 determines the number of wafers W scheduled to be processed (the number of repetitions of the film forming process recipe set in the setting area 53) and the processable wafer W stored in the storage area 62. It is determined whether or not the difference between the first and second sheets is equal to or smaller than the first allowable value input in the area 73 (step T3).

第1の許容値以下と判定した場合、制御部3はアラーム表示領域71に次回の処理ターンの成膜処理レシピは設定領域53に設定した繰り返し回数よりも少ない繰り返し回数で行うと共にクリーニング処理の開始を早めることを示すアラームを表示する。また、実施例1と同様に次回のクリーニング処理時に交換が必要なボトルをそのアラーム表示領域71に表示する(工程T4)。この処理ターンではボトル交換を行うことなくクリーニング処理が終了する。その判定を行った後に開始された次の処理ターンでは成膜処理レシピが、処理可能な回数だけ行われる。つまり次の処理ターン中の全ての成膜処理レシピが終了した後には、記憶領域62の処理可能ウエハWの枚数が0枚になる。然る後クリーニング処理が開始される。従って、図7(a)にてC1で示すタイミングが本来設定された処理ターンにおけるクリーニング処理の開始時期であるとすると、この場合の処理ターンにおいては図7(b)にてC1で示すようにクリーニング処理の開始時期が早まることになる。そして、次の処理ターンのクリーニング処理が開始されたらユーザがアラーム表示領域71の表示に従ってボトルの交換を行い、交換したボトルについてはその残量を入力手段50から更新する。そして実施例1と同様に記憶領域62に記憶する処理可能なウエハW枚数が更新され、アラーム表示が停止する。以上のように次回処理ターンの成膜処理中にボトルが空になると判断した場合でも、ボトル交換が不要な回数まで成膜処理回数を減らすことによってクリーニング処理が行われる時期とボトル交換が必要となる時期とを合わせ込むことが可能となる。   When it is determined that the value is equal to or less than the first allowable value, the control unit 3 performs the film forming process recipe for the next processing turn in the alarm display area 71 with a smaller number of repetitions than the number of repetitions set in the setting area 53 and starts the cleaning process. An alarm is displayed to indicate that you want to speed up. Further, as in the first embodiment, bottles that need to be replaced during the next cleaning process are displayed in the alarm display area 71 (step T4). In this processing turn, the cleaning process ends without exchanging the bottle. In the next processing turn started after the determination, the film forming process recipe is performed as many times as possible. That is, after all the film forming process recipes in the next process turn are completed, the number of processable wafers W in the storage area 62 becomes zero. Thereafter, the cleaning process is started. Therefore, if the timing indicated by C1 in FIG. 7A is the start time of the cleaning process in the originally set processing turn, the processing turn in this case is indicated by C1 in FIG. 7B. The start time of the cleaning process will be advanced. When the cleaning process for the next processing turn is started, the user replaces the bottle according to the display in the alarm display area 71, and the remaining amount of the replaced bottle is updated from the input means 50. As in the first embodiment, the number of processable wafers W stored in the storage area 62 is updated, and the alarm display stops. As described above, even when it is determined that the bottle is emptied during the film forming process of the next processing turn, the cleaning process is performed and the bottle needs to be replaced by reducing the number of times the film forming process is not necessary to replace the bottle. It becomes possible to match with the time.

工程T3において、枚数差が第1の許容値より多いと判定された場合は、次の処理ターンのクリーニング処理の開始時期(次の処理ターン中のウエハWの処理枚数)は変動せず、実施例1と同様に次回のクリーニング処理までに空になるボトルがある旨のアラームが表示され(工程T5)、そして実施例1と同様にこのアラームが表示された現在の処理ターン中のクリーニング処理時においてユーザがボトルの交換を行う。   In Step T3, when it is determined that the difference in the number of sheets is larger than the first allowable value, the cleaning process start timing (the number of wafers W in the next process turn) in the next process turn does not vary and is executed. As in Example 1, an alarm indicating that there is an empty bottle by the next cleaning process is displayed (step T5), and during the cleaning process during the current process turn in which this alarm is displayed as in Example 1. The user replaces the bottle.

工程T2において、次回の処理ターンのクリーニング処理開始までにボトルが空にならないと判定された場合、制御部3は、次回の処理ターンの全ての成膜レシピが終了した後に記憶領域62に記憶されている処理できるウエハ処理枚数が第2の許容値以下であるかどうか判定する(工程T6)。   If it is determined in step T2 that the bottle is not emptied by the start of the cleaning process of the next processing turn, the control unit 3 stores the film formation recipe in the storage area 62 after all the film forming recipes of the next processing turn are completed. It is determined whether the number of wafers that can be processed is equal to or less than the second allowable value (step T6).

第2の許容値以下と判定した場合、制御部3はアラーム表示領域71に次回の処理ターンの成膜処理レシピは設定した回数よりも多い繰り返し回数で行い、クリーニング処理の開始を遅くすることと、そのクリーニング処理時に交換が必要なボトルがあることをそのアラーム表示領域71に表示する(工程T7)。   If it is determined that the value is equal to or less than the second allowable value, the control unit 3 performs the film forming process recipe for the next processing turn in the alarm display area 71 with a number of repetitions larger than the set number of times, and delays the start of the cleaning process The alarm display area 71 displays that there is a bottle that needs to be replaced during the cleaning process (step T7).

次回の処理ターンでは成膜処理レシピが、記憶領域62に記憶する処理可能な回数だけ行われる。つまりこの処理ターンの成膜レシピ終了後には、記憶領域62の処理可能ウエハWの枚数が0枚になる。然る後、クリーニング処理が開始される。従って図7(a)の本来のタイミングのクリーニング処理開始時期に比べて、この場合は図7(c)のC1に示すようにクリーニング処理の開始時期が遅くなる。そして、クリーニング処理が開始されたらユーザがボトルの交換を行い、交換したボトルについてはその残量を入力手段50から更新する。そして実施例1と同様に処理可能なウエハW枚数が更新され、アラーム表示が停止する。このように、ボトル交換が必要となるまで成膜処理回数を増やすことによってクリーニング処理が行われる時期とボトル交換が必要となる時期とを合わせ込むことが可能となる。   In the next processing turn, the film forming process recipe is performed as many times as the number of processes that can be stored in the storage area 62. That is, after the film formation recipe of this processing turn is completed, the number of processable wafers W in the storage area 62 becomes zero. Thereafter, the cleaning process is started. Accordingly, in this case, the cleaning process start time is delayed as shown by C1 in FIG. 7C, compared to the original cleaning process start time of FIG. 7A. When the cleaning process is started, the user replaces the bottle, and the remaining amount of the replaced bottle is updated from the input unit 50. As in the first embodiment, the number of wafers W that can be processed is updated, and the alarm display stops. As described above, by increasing the number of film forming processes until the bottle needs to be replaced, it is possible to match the time when the cleaning process is performed and the time when the bottle needs to be replaced.

工程T6でウエハの枚数が第2の許容値以下ではないと判定された場合、制御部3はアラームの表示を行わず、また成膜処理の繰り返し回数も変更しない(工程T8)。前記判定後、クリーニング処理が終了すると、次の処理ターンが開始される。そして、実施例1と同様に設定した数だけ処理ターンが終了すると、成膜装置1の動作が停止する。   If it is determined in step T6 that the number of wafers is not less than or equal to the second allowable value, the control unit 3 does not display an alarm and does not change the number of repetitions of the film forming process (step T8). After the determination, when the cleaning process is completed, the next process turn is started. Then, when the processing turn is completed by the number set in the same manner as in Example 1, the operation of the film forming apparatus 1 is stopped.

(実施例3)
続いて実施例3について、実施例1及び2との差異点を中心に説明する。ここでは成膜装置1は新規な部品により構成されているものとする。この実施例3で使用されるワークメモリ33のガス使用量記憶領域63について説明すると、この記憶領域63は、成膜装置1を構成する部品の交換時からカウントして、所定のガスの累積使用量を記憶する領域である。この例ではOリング10a、昇降ピン11cが、夫々ガスB、ガスCに曝されることにより劣化しやすく、このOリング10a、昇降ピン11cのガスB、ガスCに対する累積使用量が、当該記憶領域63に記憶されて管理される。この記憶領域63に記憶される値も、成膜処理の実行中リアルタイムで更新され、成膜処理レシピが一度終了すると、そのレシピの実行前の値に、ボトル内容物使用量記憶領域52で記憶される各ガスの使用量の値が加算されて更新される。部品について交換が行われると、ユーザは入力手段50からこのガス使用量記憶領域63におけるその交換した部品についてのガスの使用量を0mLに設定(リセット)する。
Example 3
Next, the third embodiment will be described focusing on the differences from the first and second embodiments. Here, it is assumed that the film forming apparatus 1 is composed of novel parts. The gas use amount storage area 63 of the work memory 33 used in the third embodiment will be described. This storage area 63 is counted from the time of replacement of the parts constituting the film forming apparatus 1 and accumulated use of a predetermined gas. This is an area for storing the quantity. In this example, the O-ring 10a and the elevating pins 11c are easily deteriorated by being exposed to the gas B and the gas C, respectively, and the accumulated usage amounts of the O-ring 10a and the elevating pins 11c with respect to the gas B and the gas C are stored in the memory. It is stored and managed in area 63. The value stored in the storage area 63 is also updated in real time during the execution of the film forming process, and once the film forming process recipe is completed, the value before execution of the recipe is stored in the bottle content usage storage area 52. The usage value of each gas is added and updated. When the part is exchanged, the user sets (resets) the gas usage amount for the replaced part in the gas usage amount storage area 63 from the input means 50 to 0 mL.

また、ワークメモリ33における部品ごとのガス使用基準量設定領域64には、Oリング10a、昇降ピン11cに対するガスB、ガスCの夫々の累積使用の基準量が記憶される。ガス使用量記憶領域63に記憶されるガスの累積使用量がこの設定領域64に記憶される基準量を越えた場合に、これらOリング10a、昇降ピン11cの耐久性が低下し、交換時期が来たことを示すアラームが出力される。   Further, in the work memory 33, the gas use reference amount setting area 64 for each part stores the reference amounts for the cumulative use of the gas B and the gas C with respect to the O-ring 10a and the lifting pins 11c. When the accumulated usage amount of gas stored in the gas usage amount storage area 63 exceeds the reference amount stored in the setting area 64, the durability of the O-ring 10a and the elevating pins 11c is lowered, and the replacement time is reduced. An alarm indicating that it has come is output.

以下に、実施例3の処理工程について説明する。先ず、ユーザがガス使用基準量設定領域64にOリング10a、昇降ピン11cに対するガスB、ガスCの夫々の累積使用の基準量を入力し、然る後、実施例1、2と同様に処理ターンの内容と処理ターン数とを設定する。また、ここでは、新規な部品が使われているため、ユーザはガス使用量記憶領域63においてOリング10aに対するガスB使用量、昇降ピン11cに対するガスC使用量夫々について0と入力する。ユーザが不図示の処理開始ボタンを押すと、処理ターンが開始される。   Below, the process of Example 3 is demonstrated. First, the user inputs the reference amounts for the cumulative use of the gas B and gas C to the O-ring 10a and the lifting pins 11c in the gas use reference amount setting area 64, and thereafter, the same processing as in the first and second embodiments is performed. Set the contents of the turn and the number of processing turns. Here, since new parts are used, the user inputs 0 for the gas B usage amount for the O-ring 10a and the gas C usage amount for the lifting pins 11c in the gas usage amount storage area 63. When the user presses a process start button (not shown), a process turn is started.

そして、ウエハWに1つの成膜処理レシピが行われるたびにそのレシピで設定されたガスB、ガスCの消費量が、ガス使用量記憶領域63のそのレシピを実行前に表示されている数値に加算されて更新されてゆく。   Each time one film forming process recipe is performed on the wafer W, the consumption amounts of the gas B and gas C set in the recipe become the numerical values displayed before the recipe in the gas usage amount storage area 63 is executed. It is added and updated.

制御部3はこのようにガス使用量記憶領域63の数値が更新されると、夫々のガスについての更新された数値が記憶領域64に記憶された基準量を越えているかどうか判定する。各部品についていずれも基準量を越えていないと判定した場合は、制御部3はアラームを表示しない。設定した処理ターン数が終了した後も、使用量記憶領域63の数値はそのままリセットされずに維持され、再び処理ターンの設定が行われ、その処理ターンが実行されたときには、その維持された数値に改めて設定されたレシピのガス使用量が、ウエハWに処理を行うたびに加算されていく。   When the numerical value in the gas usage amount storage area 63 is updated in this way, the control unit 3 determines whether or not the updated numerical value for each gas exceeds the reference amount stored in the storage area 64. When it is determined that none of the parts exceeds the reference amount, the control unit 3 does not display an alarm. Even after the set number of processing turns is completed, the numerical value in the usage amount storage area 63 is maintained without being reset, and when the processing turn is set again and the processing turn is executed, the maintained numerical value is maintained. Each time the wafer W is processed, the recipe gas usage amount set anew is added.

制御部3が各部品のいずれか、あるいは両方の記憶領域63に記憶される使用量が、記憶領域64に記憶された基準量を超えていると判定した場合は、その使用量が基準量を越えた部品について交換時期がきたことを知らせるアラームを表示領域71に表示する。   When the control unit 3 determines that the usage amount stored in one or both of the storage areas 63 exceeds the reference amount stored in the storage area 64, the usage amount is set to the reference amount. An alarm is displayed in the display area 71 informing that it is time to replace the parts that have passed.

アラームが表示された場合、ユーザは例えば現在実施されている処理ターンが終了した後、そのアラームが表示された部品について交換し、交換した部品については、入力手段50からその記憶領域63に記憶される使用量を0mLにリセットする。そして、改めて次の処理ターンを設定した後、成膜処理が行われる。 When the alarm is displayed, the user replaces the part for which the alarm is displayed, for example, after the currently executed processing turn is completed, and the replaced part is stored in the storage area 63 from the input means 50. Reset the used amount to 0 mL. Then, after the next processing turn is set again, the film forming process is performed.

上記の成膜装置1にて実施例1を実行する際には、クリーニング処理開始時において次のクリーニング処理時にいたるまでにボトル23A〜23Eのいずれかが空になることがなく、設定した回数だけ成膜処理レシピを実行してウエハWに処理を行えるかどうかが判定され、設定した回数分だけ成膜処理レシピを実行できないと判定されたときには、ボトルの交換を促すアラームが出力画面5に表示される。従って、そのアラームに基づいてクリーニング処理時にボトルの交換を行うことができるので、ボトルの交換により成膜処理が停止することを防ぐことができる。その結果として装置の処理効率の低下を抑えることができる。   When the first embodiment is executed by the film forming apparatus 1, any one of the bottles 23A to 23E is not emptied until the next cleaning process at the start of the cleaning process, and the set number of times. It is determined whether or not the wafer W can be processed by executing the film forming process recipe. When it is determined that the film forming process recipe cannot be executed for the set number of times, an alarm prompting the replacement of the bottle is displayed on the output screen 5. Is done. Therefore, since the bottle can be replaced during the cleaning process based on the alarm, it is possible to prevent the film formation process from being stopped due to the bottle replacement. As a result, a decrease in processing efficiency of the apparatus can be suppressed.

この成膜装置1にて実施例2を実行する際には、成膜処理レシピを行う回数を変化させてクリーニング処理が行われる時期とボトルの交換の時期とが合わせ込まれる。従って、より確実に装置の処理効率の低下を抑えることができる。   When Example 2 is executed by the film forming apparatus 1, the number of times of performing the film forming process recipe is changed to match the timing for performing the cleaning process and the time for replacing the bottle. Accordingly, it is possible to more reliably suppress a decrease in processing efficiency of the apparatus.

この成膜装置1にて実施例3を実行する際には、装置を構成する部品を交換してからのガス使用量の累積値を管理することができる。従って部品を本来の耐久時間よりも早く交換して、コスト高になったり、部品を本来の耐久時間を超えて使用して、成膜処理に不具合が生じることを抑えることができる。また、上記の例では各ボトルには内容物としてガスが貯留されている例を示したが加熱されることでガスを生じる液体原料が貯留されており、その液体原料のボトル内の残量がガスのボトル内の残量と同様に管理されていてもよい。   When Example 3 is executed by the film forming apparatus 1, the accumulated value of the gas usage after the replacement of the components constituting the apparatus can be managed. Accordingly, it is possible to suppress the occurrence of defects in the film forming process by replacing the parts earlier than the original durability time and increasing the cost, or using the parts beyond the original durability time. Further, in the above example, each bottle shows an example in which gas is stored as the contents, but liquid raw materials that generate gas by being heated are stored, and the remaining amount of the liquid raw material in the bottle is It may be managed in the same manner as the remaining amount in the gas bottle.

W 半導体ウエハ
1 成膜装置
10 処理容器
15 ガスシャワーヘッド
22A〜22I ガス供給器
23A〜23I ボトル
21A 成膜処理ガス供給系
3 制御部
33 ワークメモリ
50 入力手段
71 アラーム表示領域
W Semiconductor wafer 1 Deposition apparatus 10 Processing vessel 15 Gas shower heads 22A to 22I Gas supply units 23A to 23I Bottle 21A Deposition process gas supply system 3 Control unit 33 Work memory 50 Input means 71 Alarm display area

Claims (3)

原料容器内のガスあるいは原料容器内の液体原料を気化したガスにより処理容器内の基板に対して成膜処理を行い、成膜処理の回数が予め設定した回数に達したときにクリーニングガスにより処理容器内をクリーニング処理するガス処理装置において、
ガスの種類とガスの流量とガスの供給時間とを含む処理レシピを記憶するレシピ記憶部と、
原料容器の交換時からクリーニング処理時までのガスの消費量を、使用された処理レシピに基づいてガスの種類ごとに算出し、原料容器の交換時における内容物の質量または体積と前記ガスの消費量とに基づいて当該クリーニング処理時における原料容器内の残量をガスの種類毎に算出する手段と、
当該クリーニング処理を終了した後、次のクリーニング処理に至るまでのガスの予測消費量を、使用する処理レシピと成膜処理の回数とに基づいてガスの種類毎に算出する手段と、
前記残量とガスの予測消費量とに基づいて次のクリーニング処理時に至るまでに原料容器が空になるか否かを判断する手段と、
原料容器が空になると判断されたときにはアラームを発生する手段と、を備えたことを特徴とするガス処理装置。
A film is formed on the substrate in the processing container with the gas in the raw material container or the gas obtained by vaporizing the liquid raw material in the raw material container. When the number of film forming processes reaches a preset number of times, the film is processed with the cleaning gas. In the gas processing apparatus for cleaning the inside of the container,
A recipe storage unit for storing a processing recipe including a gas type, a gas flow rate, and a gas supply time;
The amount of gas consumed from the time of replacement of the raw material container to the time of the cleaning process is calculated for each type of gas based on the processing recipe used, and the mass or volume of the contents and the consumption of the gas when the raw material container is replaced Means for calculating the remaining amount in the raw material container at the time of the cleaning process based on the amount for each type of gas;
Means for calculating an estimated consumption amount of gas from the end of the cleaning process to the next cleaning process for each gas type based on the processing recipe to be used and the number of film forming processes;
Means for determining whether or not the raw material container is emptied by the time of the next cleaning process based on the remaining amount and the estimated consumption of gas;
And a means for generating an alarm when it is determined that the raw material container is emptied.
原料容器が空になると判断されたときには、当該クリーニング処理を終了した後に成膜処理を行うことが可能な基板の枚数を、各原料容器内の残量と処理レシピとに基づいて算出し、当該クリーニング処理時から次のクリーニング処理時までに予定されている基板の処理枚数と前記成膜処理を行うことが可能な基板の枚数との差が予め設定した枚数以下であると判断したときには、前記アラームに代えてまたは前記アラームと共に、次のクリーニング処理時を予定よりも早めて原料容器の交換時に行う旨の表示を行う手段を備えたことを特徴とする請求項1記載のガス処理装置。   When it is determined that the raw material container is empty, the number of substrates that can be subjected to film formation after the cleaning process is calculated based on the remaining amount in each raw material container and the processing recipe, When it is determined that the difference between the number of substrates to be processed from the time of the cleaning process to the next cleaning process and the number of substrates on which the film forming process can be performed is equal to or less than a preset number, 2. The gas processing apparatus according to claim 1, further comprising means for displaying that the next cleaning process is performed at the time of replacement of the raw material container earlier than scheduled, instead of or together with the alarm. 原料容器が空にならないと判断されたときには、次のクリーニング処理を終了した後に成膜処理を行うことが可能な基板の枚数を、各原料容器内の残量と処理レシピとに基づいて算出し、当該基板の枚数が予め設定した枚数以下であると判断したときには、次のクリーニング処理時を予定よりも遅くして原料容器の交換時に行う旨の表示を行う手段を備えたことを特徴とする請求項1または2記載のガス処理装置。   When it is determined that the raw material container does not become empty, the number of substrates that can be subjected to film formation after the next cleaning process is calculated based on the remaining amount in each raw material container and the processing recipe. When it is determined that the number of the substrates is equal to or less than a preset number, there is provided a means for displaying that the next cleaning process is performed later than the schedule and is performed when the material container is replaced. The gas processing apparatus according to claim 1 or 2.
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