JP2010230950A - 表示装置の作製方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】第1の導電膜と、該第1の導電膜上に絶縁膜、半導体膜、不純物半導体膜及び第2の導電膜をこの順に積層した薄膜積層体と、を形成し、第1のエッチングにより前記第1の導電膜を露出させつつ、少なくとも前記薄膜積層体のパターンを形成し、第2のエッチングにより第1の導電膜のパターンを形成し、第3のエッチングにより第2の導電膜を所望の形状とすることでソース電極及びドレイン電極層を形成することで薄膜トランジスタを作製し、この薄膜トランジスタを覆って保護膜を形成し、該保護膜に開口部を形成し、該保護膜上に画素電極層を選択的に形成することで前記薄膜トランジスタのソース電極及びドレイン電極層と画素電極層を接続させる。そして、前記開口部の形成に際して不要な半導体層等をエッチングして除去する。
【選択図】図22
Description
本実施の形態では、薄膜トランジスタの作製方法及び該薄膜トランジスタがマトリクス状に配置された表示装置の作製方法の一例について、図1乃至図36を参照して説明する。
本実施の形態では、実施の形態1とは異なる形態について図37乃至図44を参照して説明する。ここで、実施の形態1において、図2(F)等及び図20を参照して説明したソース領域及びドレイン領域と半導体層を形成して薄膜トランジスタを形成する工程までは実施の形態1と同様である。
本実施の形態では、薄膜トランジスタ及び該薄膜トランジスタがマトリクス状に配置されたEL表示装置の一例について、図45乃至図55を参照して説明する。
第2の開口部331Dは、第2のトランジスタ352と容量素子354の間に設けられている。第2の開口部331Fは、第1のトランジスタ351と第3のトランジスタ353の間に設けられている。なお、必ずしもこれらのすべてを設けなくてもよい。
本実施の形態は、実施の形態1乃至実施の形態3にて説明した方法により作製した表示パネル又は表示装置を表示部として組み込んだ電子機器について図56乃至図58を参照して説明する。このような電子機器としては、例えば、ビデオカメラ若しくはデジタルカメラ等のカメラ、ヘッドマウントディスプレイ(ゴーグル型ディスプレイ)、カーナビゲーション、プロジェクタ、カーステレオ、パーソナルコンピュータ、携帯情報端末(モバイルコンピュータ、携帯電話または電子書籍等)が挙げられる。それらの一例を図56に示す。
102 第1の導電膜
104 第1の絶縁膜
106 半導体膜
108 不純物半導体膜
110 第2の導電膜
112 第1のレジストマスク
114 薄膜積層体
116 ゲート電極層
116A ゲート電極層
116B ゲート電極層
118 第2のレジストマスク
120 ソース電極及びドレイン電極層
120A ソース電極及びドレイン電極層
120B ソース電極及びドレイン電極層
120C ソース電極及びドレイン電極層
120D ソース電極及びドレイン電極層
122 ソース領域及びドレイン領域
122A ソース領域及びドレイン領域
122B ソース領域及びドレイン領域
122C ソース領域及びドレイン領域
122D ソース領域及びドレイン領域
124 半導体層
126 第1の保護膜
128 第2の保護膜
130 第1の開口部
130A 第1の開口部
130B 第1の開口部
131 第2の開口部
131A 第2の開口部
131B 第2の開口部
131C 第2の開口部
132 画素電極層
140 グレートーンマスク
141 基板
142 遮光部
143 回折格子部
145 ハーフトーンマスク
146 基板
147 半透光部
148 遮光部
151 角
160A 第3の開口部
160B 第3の開口部
161 第4の開口部
170 第1のレジストマスク
171 第2のレジストマスク
200 基板
204 第1の絶縁膜
206 半導体膜
208 不純物半導体膜
216 ゲート電極層
216A ゲート電極層
216B ゲート電極層
220 ソース電極及びドレイン電極層
220A ソース電極及びドレイン電極層
220B ソース電極及びドレイン電極層
220C ソース電極及びドレイン電極層
220D ソース電極及びドレイン電極層
222 ソース領域及びドレイン領域
222A ソース領域及びドレイン領域
222B ソース領域及びドレイン領域
222C ソース領域及びドレイン領域
222D ソース領域及びドレイン領域
224 半導体層
226 第1の保護膜
228 第2の保護膜
229 残存する保護層
232 画素電極層
300 基板
302 第1の導電膜
304 第1の絶縁膜
306 半導体膜
308 不純物半導体膜
310 第2の導電膜
312 第1のレジストマスク
314 薄膜積層体
316 ゲート電極層
316A ゲート電極層
316B ゲート電極層
316C ゲート電極層
316D ゲート電極層
318 第2のレジストマスク
318A 第2のレジストマスク
318B 第2のレジストマスク
318C 第2のレジストマスク
318D 第2のレジストマスク
318E 第2のレジストマスク
318F 第2のレジストマスク
320 ソース電極及びドレイン電極層
320A ソース電極及びドレイン電極層
320B ソース電極及びドレイン電極層
320C ソース電極及びドレイン電極層
320D ソース電極及びドレイン電極層
320E ソース電極及びドレイン電極層
320F ソース電極及びドレイン電極層
322 ソース領域及びドレイン領域
322A ソース領域及びドレイン領域
322B ソース領域及びドレイン領域
322C ソース領域及びドレイン領域
322D ソース領域及びドレイン領域
324 半導体層
326 第1の保護膜
328 第2の保護膜
330 第1の開口部
330A 第1の開口部
330B 第1の開口部
330C 第1の開口部
330D 第1の開口部
331 第2の開口部
331A 第2の開口部
331B 第2の開口部
331C 第2の開口部
331D 第2の開口部
331E 第2の開口部
331F 第2の開口部
332 第1の画素電極層
332A 第1の画素電極層
332B 第1の画素電極層
332C 第1の画素電極層
333 隔壁
334 EL層
335 第2の画素電極層
336 発光素子
351 第1のトランジスタ
352 第2のトランジスタ
353 第3のトランジスタ
354 容量素子
355 発光素子
356 ゲート配線
357 第1の電源線
358 ソース配線
359 第2の電源線
360 共通電極
361 画素
401 筐体
402 表示用パネル
403 主画面
404 モデム
405 受信機
406 リモコン操作機
407 表示部
408 サブ画面
409 スピーカ部
411 本体
412 表示部
420 表示パネル
421 画素部
422 信号線駆動回路
423 走査線駆動回路
424 チューナ
425 映像信号増幅回路
426 映像信号処理回路
427 コントロール回路
428 信号分割回路
429 音声信号増幅回路
430 音声信号処理回路
431 制御回路
432 入力部
433 スピーカ
441 筐体
442 筐体
443 表示部
444 スピーカ
445 マイクロフォン
446 操作キー
447 ポインティングデバイス
448 表面カメラ用レンズ
449 外部接続端子ジャック
450 イヤホン端子
451 キーボード
452 外部メモリスロット
453 裏面カメラ
454 ライト
Claims (19)
- ゲート電極を覆ってゲート絶縁層を形成し、
前記ゲート絶縁層上に半導体層を形成し、
前記半導体層上にソース電極及びドレイン電極層を形成し、
前記半導体層及び前記ソース電極及びドレイン電極層上に保護層を形成し、
前記保護層に、画素電極層と接続する前記ソース電極及びドレイン電極層を露出させるように開口部を形成するとともに前記半導体層の一部をエッチングすることを特徴とする表示装置の作製方法。 - 第1の導電膜、第1の絶縁膜、半導体膜、不純物半導体膜及び第2の導電膜を順に積層して形成し、
前記第2の導電膜上に第1のレジストマスクを形成し、
前記第1のレジストマスクを用いて、前記第2の導電膜、前記不純物半導体膜、前記半導体膜及び前記第1の絶縁膜に第1のエッチングを行い、
前記第1の導電膜の一部にサイドエッチングを伴う第2のエッチングを行ってゲート電極層を形成し、
前記第2の導電膜上に第2のレジストマスクを形成し、
前記第2のレジストマスクを用いて、前記第2の導電膜、前記不純物半導体膜及び前記半導体膜の一部に第3のエッチングを行ってソース電極及びドレイン電極層、ソース領域及びドレイン領域層並びに半導体層を形成することで複数の薄膜トランジスタを形成し、
前記第2のレジストマスクを除去し、
前記複数の薄膜トランジスタを覆って第2の絶縁膜を形成し、
前記ソース電極及びドレイン電極層の一部を露出するように前記第2の絶縁膜に開口部を形成し、
前記開口部及び前記第2の絶縁膜上に画素電極を選択的に形成し、
前記開口部の形成に際して前記複数の薄膜トランジスタ間に存在する半導体層を除去することを特徴とする表示装置の作製方法。 - 第1の導電膜、第1の絶縁膜、半導体膜、不純物半導体膜及び第2の導電膜を順に積層して形成し、
前記第2の導電膜上に第1のレジストマスクを形成し、
前記第1のレジストマスクを用いて、前記第2の導電膜、前記不純物半導体膜、前記半導体膜及び前記第1の絶縁膜に第1のエッチングを行い、
前記第2の導電膜上に第2のレジストマスクを形成し、
前記第1の導電膜の一部にサイドエッチングを伴う第2のエッチングを行ってゲート電極層を形成し、
前記第2のレジストマスクを用いて、前記第2の導電膜、前記不純物半導体膜及び前記半導体膜の一部に第3のエッチングを行ってソース電極及びドレイン電極層、ソース領域及びドレイン領域層並びに半導体層を形成することで複数の薄膜トランジスタを形成し、
前記第2のレジストマスクを除去し、
前記複数の薄膜トランジスタを覆って第2の絶縁膜を形成し、
前記ソース電極及びドレイン電極層の一部を露出するように前記第2の絶縁膜に開口部を形成し、
前記開口部及び前記第2の絶縁膜上に画素電極を選択的に形成し、
前記開口部の形成に際して前記複数の薄膜トランジスタ間に存在する半導体層を除去することを特徴とする表示装置の作製方法。 - 第1の導電膜、第1の絶縁膜、半導体膜、不純物半導体膜及び第2の導電膜を順に積層して形成し、
前記第2の導電膜上に凹部を有する第1のレジストマスクを形成し、
前記第1のレジストマスクを用いて、前記第2の導電膜、前記不純物半導体膜、前記半導体膜及び前記第1の絶縁膜に第1のエッチングを行い、
前記第1の導電膜の一部にサイドエッチングを伴う第2のエッチングを行ってゲート電極層を形成し、
前記第1のレジストマスクを後退させることで前記第1のレジストマスクの凹部と重畳する前記第2の導電膜を露出させつつ第2のレジストマスクを形成し、
前記第2のレジストマスクを用いて、前記第2の導電膜、前記不純物半導体膜及び前記半導体膜の一部に第3のエッチングを行ってソース電極及びドレイン電極層、ソース領域及びドレイン領域層並びに半導体層を形成することで複数の薄膜トランジスタを形成し、
前記第2のレジストマスクを除去し、
前記複数の薄膜トランジスタを覆って第2の絶縁膜を形成し、
前記ソース電極及びドレイン電極層の一部を露出するように前記第2の絶縁膜に開口部を形成し、
前記開口部及び前記第2の絶縁膜上に画素電極を選択的に形成し、
前記開口部の形成に際して前記複数の薄膜トランジスタ間に存在する半導体層を除去することを特徴とする表示装置の作製方法。 - 第1の導電膜、第1の絶縁膜、半導体膜、不純物半導体膜及び第2の導電膜を順に積層して形成し、
前記第2の導電膜上に凹部を有する第1のレジストマスクを形成し、
前記第1のレジストマスクを用いて、前記第2の導電膜、前記不純物半導体膜、前記半導体膜及び前記第1の絶縁膜に第1のエッチングを行い、
前記第1のレジストマスクを後退させることで前記第1のレジストマスクの凹部と重畳する前記第2の導電膜を露出させつつ第2のレジストマスクを形成し、
前記第1の導電膜の一部にサイドエッチングを伴う第2のエッチングを行ってゲート電極層を形成し、
前記第2のレジストマスクを用いて、前記第2の導電膜、前記不純物半導体膜及び前記半導体膜の一部に第3のエッチングを行ってソース電極及びドレイン電極層、ソース領域及びドレイン領域層並びに半導体層を形成することで複数の薄膜トランジスタを形成し、
前記第2のレジストマスクを除去し、
前記複数の薄膜トランジスタを覆って第2の絶縁膜を形成し、
前記ソース電極及びドレイン電極層の一部を露出するように前記第2の絶縁膜に開口部を形成し、
前記開口部及び前記第2の絶縁膜上に画素電極を選択的に形成し、
前記開口部の形成に際して前記複数の薄膜トランジスタ間に存在する半導体層を除去することを特徴とする表示装置の作製方法。 - 請求項4又は請求項5において、
前記第2のレジストマスクは多階調マスクを用いて形成することを特徴とする表示装置の作製方法。 - 請求項2乃至請求項6のいずれか一において、
前記第1のエッチングによって素子領域を形成し、
前記第2のエッチングによって前記素子領域の側面から概ね等しい距離だけ内側にゲート電極層の側面を形成することを特徴とする表示装置の作製方法。 - 請求項2乃至請求項7のいずれか一において、
前記第1のエッチングはドライエッチングであり、前記第2のエッチングはウエットエッチングであることを特徴とする表示装置の作製方法。 - 請求項2乃至請求項8のいずれか一において、
前記第2の絶縁膜は、CVD法又はスパッタリング法により形成した絶縁膜と、スピンコート法により形成した絶縁膜と、を積層して形成することを特徴とする表示装置の作製方法。 - 請求項2乃至請求項9のいずれか一において、
前記複数の薄膜トランジスタ間に存在する半導体層を除去するに際して、前記ゲート電極層と重畳していない領域に存在する前記半導体層を除去することを特徴とする表示装置の作製方法。 - 第1の導電膜、第1の絶縁膜、半導体膜、不純物半導体膜及び第2の導電膜を順に積層して形成し、
前記第2の導電膜上に第1のレジストマスクを形成し、
前記第1のレジストマスクを用いて、前記第2の導電膜、前記不純物半導体膜、前記半導体膜及び前記第1の絶縁膜に第1のエッチングを行い、
前記第1の導電膜の一部にサイドエッチングを伴う第2のエッチングを行ってゲート電極層を形成し、
前記第2の導電膜上に第2のレジストマスクを形成し、
前記第2のレジストマスクを用いて、前記第2の導電膜、前記不純物半導体膜及び前記半導体膜の一部に第3のエッチングを行ってソース電極及びドレイン電極層、ソース領域及びドレイン領域層並びに半導体層を形成することで複数の薄膜トランジスタを形成し、
前記第2のレジストマスクを除去し、
前記複数の薄膜トランジスタを覆って第2の絶縁膜を形成し、
前記複数の薄膜トランジスタのバックチャネル部を覆う部分の前記第2の絶縁膜のみを残留させるようにエッチングを行い、
前記複数の薄膜トランジスタが有するソース電極及びドレイン電極層のそれぞれに画素電極を選択的に形成することを特徴とする表示装置の作製方法。 - 第1の導電膜、第1の絶縁膜、半導体膜、不純物半導体膜及び第2の導電膜を順に積層して形成し、
前記第2の導電膜上に第1のレジストマスクを形成し、
前記第1のレジストマスクを用いて、前記第2の導電膜、前記不純物半導体膜、前記半導体膜及び前記第1の絶縁膜に第1のエッチングを行い、
前記第2の導電膜上に第2のレジストマスクを形成し、
前記第1の導電膜の一部にサイドエッチングを伴う第2のエッチングを行ってゲート電極層を形成し、
前記第2のレジストマスクを用いて、前記第2の導電膜、前記不純物半導体膜及び前記半導体膜の一部に第3のエッチングを行ってソース電極及びドレイン電極層、ソース領域及びドレイン領域層並びに半導体層を形成することで複数の薄膜トランジスタを形成し、
前記第2のレジストマスクを除去し、
前記複数の薄膜トランジスタを覆って第2の絶縁膜を形成し、
前記複数の薄膜トランジスタのバックチャネル部を覆う部分の前記第2の絶縁膜のみを残留させるようにエッチングを行い、
前記複数の薄膜トランジスタが有するソース電極及びドレイン電極層のそれぞれに画素電極を選択的に形成することを特徴とする表示装置の作製方法。 - 第1の導電膜、第1の絶縁膜、半導体膜、不純物半導体膜及び第2の導電膜を順に積層して形成し、
前記第2の導電膜上に凹部を有する第1のレジストマスクを形成し、
前記第1のレジストマスクを用いて、前記第2の導電膜、前記不純物半導体膜、前記半導体膜及び前記第1の絶縁膜に第1のエッチングを行い、
前記第1の導電膜の一部にサイドエッチングを伴う第2のエッチングを行ってゲート電極層を形成し、
前記第1のレジストマスクを後退させることで前記第1のレジストマスクの凹部と重畳する前記第2の導電膜を露出させつつ第2のレジストマスクを形成し、
前記第2のレジストマスクを用いて、前記第2の導電膜、前記不純物半導体膜及び前記半導体膜の一部に第3のエッチングを行ってソース電極及びドレイン電極層、ソース領域及びドレイン領域層並びに半導体層を形成することで複数の薄膜トランジスタを形成し、
前記第2のレジストマスクを除去し、
前記複数の薄膜トランジスタを覆って第2の絶縁膜を形成し、
前記複数の薄膜トランジスタのバックチャネル部を覆う部分の前記第2の絶縁膜のみを残留させるようにエッチングを行い、
前記複数の薄膜トランジスタが有するソース電極及びドレイン電極層のそれぞれに画素電極を選択的に形成することを特徴とすることを特徴とする表示装置の作製方法。 - 第1の導電膜、第1の絶縁膜、半導体膜、不純物半導体膜及び第2の導電膜を順に積層して形成し、
前記第2の導電膜上に凹部を有する第1のレジストマスクを形成し、
前記第1のレジストマスクを用いて、前記第2の導電膜、前記不純物半導体膜、前記半導体膜及び前記第1の絶縁膜に第1のエッチングを行い、
前記第1のレジストマスクを後退させることで前記第1のレジストマスクの凹部と重畳する前記第2の導電膜を露出させつつ第2のレジストマスクを形成し、
前記第1の導電膜の一部にサイドエッチングを伴う第2のエッチングを行ってゲート電極層を形成し、
前記第2のレジストマスクを用いて、前記第2の導電膜、前記不純物半導体膜及び前記半導体膜の一部に第3のエッチングを行ってソース電極及びドレイン電極層、ソース領域及びドレイン領域層並びに半導体層を形成することで複数の薄膜トランジスタを形成し、
前記第2のレジストマスクを除去し、
前記複数の薄膜トランジスタを覆って第2の絶縁膜を形成し、
前記複数の薄膜トランジスタのバックチャネル部を覆う部分の前記第2の絶縁膜のみを残留させるようにエッチングを行い、
前記複数の薄膜トランジスタが有するソース電極及びドレイン電極層のそれぞれに画素電極を選択的に形成することを特徴とすることを特徴とする表示装置の作製方法。 - 請求項13又は請求項14において、
前記第2のレジストマスクは多階調マスクを用いて形成することを特徴とする表示装置の作製方法。 - 請求項11乃至請求項15のいずれか一において、
前記第1のエッチングによって素子領域を形成し、
前記第2のエッチングによって前記素子領域の側面から概ね等しい距離だけ内側にゲート電極層の側面を形成することを特徴とする表示装置の作製方法。 - 請求項11乃至請求項16のいずれか一において、
前記第1のエッチングはドライエッチングであり、前記第2のエッチングはウエットエッチングであることを特徴とする表示装置の作製方法。 - 請求項11乃至請求項17のいずれか一において、
前記第2の絶縁膜は、CVD法又はスパッタリング法により形成した絶縁膜と、スピンコート法により形成した絶縁膜と、を積層して形成することを特徴とする表示装置の作製方法。 - 請求項1乃至請求項18のいずれか一において、
前記複数の薄膜トランジスタ間に存在する半導体層を除去するに際して、前記ゲート電極層と重畳していない領域に存在する前記半導体層を除去することを特徴とする表示装置の作製方法。
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Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US9178071B2 (en) | 2010-09-13 | 2015-11-03 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method for manufacturing semiconductor device |
CN113690289A (zh) * | 2021-08-25 | 2021-11-23 | 京东方科技集团股份有限公司 | 显示基板及其制备方法、显示装置 |
Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS61225869A (ja) * | 1985-03-29 | 1986-10-07 | Seiko Instr & Electronics Ltd | 薄膜トランジスタ装置とその製造方法 |
JPS6273669A (ja) * | 1985-09-26 | 1987-04-04 | Seiko Instr & Electronics Ltd | 薄膜トランジスタ装置の製造方法 |
JPS6484669A (en) * | 1987-09-26 | 1989-03-29 | Casio Computer Co Ltd | Thin film transistor |
JP2008009372A (ja) * | 2006-06-29 | 2008-01-17 | Lg Philips Lcd Co Ltd | 液晶表示装置及びその製造方法 |
JP2009049243A (ja) * | 2007-08-21 | 2009-03-05 | Hitachi Displays Ltd | 画像表示装置およびその製造方法 |
-
2009
- 2009-03-27 JP JP2009078031A patent/JP5460096B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS61225869A (ja) * | 1985-03-29 | 1986-10-07 | Seiko Instr & Electronics Ltd | 薄膜トランジスタ装置とその製造方法 |
JPS6273669A (ja) * | 1985-09-26 | 1987-04-04 | Seiko Instr & Electronics Ltd | 薄膜トランジスタ装置の製造方法 |
JPS6484669A (en) * | 1987-09-26 | 1989-03-29 | Casio Computer Co Ltd | Thin film transistor |
JP2008009372A (ja) * | 2006-06-29 | 2008-01-17 | Lg Philips Lcd Co Ltd | 液晶表示装置及びその製造方法 |
JP2009049243A (ja) * | 2007-08-21 | 2009-03-05 | Hitachi Displays Ltd | 画像表示装置およびその製造方法 |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US9178071B2 (en) | 2010-09-13 | 2015-11-03 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method for manufacturing semiconductor device |
CN113690289A (zh) * | 2021-08-25 | 2021-11-23 | 京东方科技集团股份有限公司 | 显示基板及其制备方法、显示装置 |
CN113690289B (zh) * | 2021-08-25 | 2024-05-14 | 京东方科技集团股份有限公司 | 显示基板及其制备方法、显示装置 |
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