JP2010217649A - Display device and electronic apparatus - Google Patents

Display device and electronic apparatus Download PDF

Info

Publication number
JP2010217649A
JP2010217649A JP2009065727A JP2009065727A JP2010217649A JP 2010217649 A JP2010217649 A JP 2010217649A JP 2009065727 A JP2009065727 A JP 2009065727A JP 2009065727 A JP2009065727 A JP 2009065727A JP 2010217649 A JP2010217649 A JP 2010217649A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
surface portion
reflective layer
wiring
display device
signal line
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP2009065727A
Other languages
Japanese (ja)
Other versions
JP5182176B2 (en
Inventor
Manabu Watabe
学 渡部
Masaaki Aota
雅明 青田
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Seiko Epson Corp
Original Assignee
Seiko Epson Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Seiko Epson Corp filed Critical Seiko Epson Corp
Priority to JP2009065727A priority Critical patent/JP5182176B2/en
Publication of JP2010217649A publication Critical patent/JP2010217649A/en
Application granted granted Critical
Publication of JP5182176B2 publication Critical patent/JP5182176B2/en
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Landscapes

  • Electroluminescent Light Sources (AREA)
  • Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)

Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a display device wherein the separation of a portion formed on the surface of a stepped part of an insulation film of a reflection layer from the insulation film is suppressed. <P>SOLUTION: An EL device (display device) 101 includes: a plurality of pixels 2; a common feeder 11 supplying a signal or power to each of the plurality of pixels 2; an organic planarizing film 22 covering the common feeder 11; and a reflection layer 23 covering the organic planarizing film 22 and having a side face section 23a one-dimensionally crossing the common feeder 11. The cross-sectional shape of the feeder 11 is a trapezoidal shape having a base 11b and side face parts 11a, which is inclined inside toward the upper part. The angle A1, formed by the side face part 11a of the cross-sectional shape along the side face part 23a of the reflecting layer 23 of the common feeder 11 and the base 11b, is smaller than the angle A2 formed by the side-face part 211a of a cross-sectional shape, in the width direction of a common feeder 211 and the base 211b. <P>COPYRIGHT: (C)2010,JPO&INPIT

Description

本発明は、表示装置および電子機器に関し、特に、配線の上方に絶縁膜を介して反射層が形成された表示装置および電子機器に関する。   The present invention relates to a display device and an electronic device, and more particularly to a display device and an electronic device in which a reflective layer is formed above a wiring via an insulating film.

従来、配線の上方に絶縁膜を介して反射層が形成された表示装置が知られている(たとえば、特許文献1参照)。上記特許文献1に開示された表示装置では、基板上の表示領域に設けられた複数の画素に、信号、電源などを供給する信号線、電源線などの配線が形成されている。この配線の上方には、絶縁膜が形成されている。そして、絶縁膜の上方には、それぞれの画素ごとに光を反射させるための反射層が形成されている。また、複数の画素はマトリクス状に配置され、配線と反射層とは、平面的に見て、約90度で交差(直交)するように配置されている。また、反射層の上方には、有機EL層からなる発光体(発光層)が形成されている。   2. Description of the Related Art Conventionally, a display device in which a reflective layer is formed above an interconnect via an insulating film is known (for example, see Patent Document 1). In the display device disclosed in Patent Document 1, wirings such as signal lines and power lines for supplying signals and power are formed in a plurality of pixels provided in a display region on a substrate. An insulating film is formed above the wiring. A reflective layer for reflecting light is formed for each pixel above the insulating film. The plurality of pixels are arranged in a matrix, and the wiring and the reflective layer are arranged so as to intersect (orthogonally) at about 90 degrees when viewed in a plan view. A light emitting body (light emitting layer) made of an organic EL layer is formed above the reflective layer.

特開2007−121537号公報JP 2007-121537 A

しかしながら、上記特許文献1に記載の表示装置では、たとえば、配線の上方に形成された絶縁膜の表面には、配線の側面部の形状を反映した段差部が形成される場合がある。この場合、配線の側面部の形状を反映した絶縁膜の段差部上に反射層が形成されると、反射層の絶縁膜の段差部の表面上に形成された部分は、反射層の絶縁膜の平坦部の表面上に形成された部分に比べて絶縁膜との密着力が小さくなる。このため、反射層のうち絶縁膜の段差部の表面上に形成された部分が絶縁膜から剥離しやすいという問題点がある。   However, in the display device described in Patent Document 1, for example, a stepped portion reflecting the shape of the side surface of the wiring may be formed on the surface of the insulating film formed above the wiring. In this case, when the reflective layer is formed on the step portion of the insulating film reflecting the shape of the side surface portion of the wiring, the portion formed on the surface of the step portion of the insulating film of the reflective layer is the insulating film of the reflective layer. Compared with the portion formed on the surface of the flat portion, the adhesive force with the insulating film is reduced. For this reason, there exists a problem that the part formed on the surface of the level | step-difference part of an insulating film among reflective layers tends to peel from an insulating film.

この発明は、上記のような課題を解決するためになされたものであり、この発明の1つの目的は、反射層のうち絶縁膜の段差部の表面上に形成された部分が絶縁膜から剥離するのを抑制することが可能な表示装置および電子機器を提供することである。   The present invention has been made to solve the above-described problems, and one object of the present invention is that a portion of the reflective layer formed on the surface of the step portion of the insulating film is peeled off from the insulating film. It is an object of the present invention to provide a display device and an electronic apparatus that can suppress the occurrence.

課題を解決するための手段および発明の効果Means for Solving the Problems and Effects of the Invention

上記目的を達成するために、この発明の第1の局面における表示装置は、複数の画素と、複数の画素のそれぞれに信号または電源を供給する配線と、配線を覆う絶縁膜と、絶縁膜を覆うとともに、平面的に配線と交差する側面部を有する反射層とを備え、配線の断面形状は、底辺部および上方に向かって内側に傾斜する側面部を有した台形形状であり、配線の反射層の側面部に沿った断面形状の側面部と底辺部とのなす角度は、配線の幅方向の断面形状の側面部と底辺部とのなす角度より小さい。   To achieve the above object, a display device according to a first aspect of the present invention includes a plurality of pixels, a wiring for supplying a signal or power to each of the plurality of pixels, an insulating film covering the wiring, and an insulating film. And a reflection layer having a side surface portion that intersects the wiring in a planar manner, and the cross-sectional shape of the wiring is a trapezoidal shape having a bottom side portion and a side surface portion inclined inward toward the upper side, and reflection of the wiring The angle formed between the side surface portion of the cross-sectional shape along the side surface portion of the layer and the bottom side portion is smaller than the angle formed between the side surface portion of the cross-sectional shape in the width direction of the wiring and the bottom side portion.

この発明の第1の局面による表示装置では、上記のように、配線の断面形状が、底辺部および上方に向かって内側に傾斜する側面部を有した台形形状であり、配線の反射層の側面部に沿った断面形状の側面部と底辺部とのなす角度を、配線の幅方向の断面形状の側面部と底辺部とのなす角度より小さくすることによって、たとえば、絶縁膜の配線の側面部に対応する部分に段差部が形成される場合に、配線の反射層の側面部に沿った断面形状の側面部と底辺部とのなす角度が小さくなった分、絶縁膜の段差部の角度を小さくすることができるので、反射層のうち絶縁膜の段差部の表面上に形成された部分が絶縁膜から剥離するのを抑制することができる。   In the display device according to the first aspect of the present invention, as described above, the cross-sectional shape of the wiring is a trapezoidal shape having a bottom part and a side part inclined inward toward the upper side, and the side surface of the reflective layer of the wiring By making the angle formed between the side surface portion and the bottom side portion of the cross-sectional shape along the section smaller than the angle formed between the side surface portion and the bottom side portion of the cross-sectional shape in the width direction of the wiring, for example, the side surface portion of the insulating film wiring When the stepped portion is formed in the portion corresponding to, the angle between the side surface portion and the bottom portion of the cross-sectional shape along the side surface portion of the reflective layer of the wiring is reduced, so that the angle of the stepped portion of the insulating film is reduced. Since it can be made small, it can suppress that the part formed on the surface of the level | step-difference part of an insulating film among reflective layers peels from an insulating film.

上記第1の局面による表示装置において、好ましくは、絶縁膜は、配線の側面部に対応する部分に段差部を含み、反射層は、絶縁膜の段差部を覆うように形成され、配線の側面部と反射層の側面部とは、平面的に見て、直交しないように配置されている。このように構成すれば、配線の側面部と反射層の側面部とが、平面的に見て、90度の角度で交差(直交)するように配置される場合と比べて、配線の側面部と反射層の側面部との交差する部分の長さが大きくなるので、交差する部分の長さが大きくなった分、交差する部分の絶縁膜の段差部の傾斜角度が小さくなる。これにより、交差する部分の配線の表面上に形成された反射層の側面部の傾斜角度が小さくなるので、反射層のうち絶縁膜の段差部の表面上に形成された部分が絶縁膜から剥離するのを抑制することができる。   In the display device according to the first aspect, preferably, the insulating film includes a step portion in a portion corresponding to the side surface portion of the wiring, and the reflective layer is formed so as to cover the step portion of the insulating film. The part and the side part of the reflective layer are arranged so as not to be orthogonal to each other when seen in a plan view. If comprised in this way, compared with the case where the side part of a wiring and the side part of a reflection layer are arrange | positioned so that it may cross | intersect (perpendicular) at an angle of 90 degree seeing planarly, Since the length of the intersecting portion of the reflecting layer and the side surface portion of the reflective layer is increased, the inclination angle of the stepped portion of the insulating film at the intersecting portion is decreased by the length of the intersecting portion. As a result, the inclination angle of the side surface portion of the reflective layer formed on the surface of the wiring of the intersecting portion is reduced, so that the portion of the reflective layer formed on the surface of the step portion of the insulating film is peeled off from the insulating film. Can be suppressed.

この場合、好ましくは、画素は、矩形形状を有するとともに、反射層の側面部は、平面的に見て、画素の矩形形状に沿って形成されており、配線の側面部は、平面的に見て、画素の矩形形状に沿って延びる反射層の側面部に対して、直交しないように配置されている。このように構成すれば、画素の矩形形状に沿って延びる反射層の側面部の形状を変更することなく、容易に、反射層の側面部と配線の側面部とを90度よりも小さい角度で交差するように構成することができる。   In this case, preferably, the pixel has a rectangular shape, and the side surface portion of the reflective layer is formed along the rectangular shape of the pixel when viewed in plan, and the side surface portion of the wiring is viewed in plan. Thus, they are arranged so as not to be orthogonal to the side surface portion of the reflective layer extending along the rectangular shape of the pixel. If comprised in this way, without changing the shape of the side part of the reflective layer extended along the rectangular shape of a pixel, the side part of a reflective layer and the side part of a wiring can be easily made at an angle smaller than 90 degrees. Can be configured to intersect.

上記第1の局面による表示装置において、好ましくは、配線は、電源線または信号線のうち少なくともいずれか一方を含む。このように構成すれば、電源線または信号線のうち少なくともいずれか一方の側面部と、反射層の側面部との交差する部分の長さが大きくなるので、交差する部分の長さが大きくなった分、交差する部分の絶縁膜の段差部の傾斜角度が小さくなる。これにより、交差する部分の電源線または信号線のうち少なくともいずれか一方の表面上に形成された反射層の側面部の傾斜角度が小さくなるので、電源線または信号線の少なくとも一方に対応する絶縁膜の段差部の表面上に形成された反射層が絶縁膜から剥離するのを抑制することができる。   In the display device according to the first aspect, preferably, the wiring includes at least one of a power supply line and a signal line. According to this configuration, the length of the intersecting portion between the side surface portion of at least one of the power supply line and the signal line and the side surface portion of the reflective layer is increased, so the length of the intersecting portion is increased. Accordingly, the inclination angle of the step portion of the insulating film at the intersecting portion is reduced. As a result, the inclination angle of the side surface portion of the reflective layer formed on the surface of at least one of the intersecting power supply lines and signal lines is reduced, so that the insulation corresponding to at least one of the power supply lines and signal lines The reflection layer formed on the surface of the step portion of the film can be prevented from peeling from the insulating film.

この場合、好ましくは、配線は、信号線と、平面的に見て、信号線に対して略直交する方向に延びるように配置された帯状の電源線とを含み、帯状の電源線の側面部と反射層の側面部とは、平面的に見て、直交しないように配置されている。このように構成すれば、帯状の電源線の側面部と、反射層の側面部との交差する部分の長さが大きくなるので、交差する部分の長さが大きくなった分、交差する部分の絶縁膜の段差部の傾斜角度が小さくなる。これにより、交差する部分の帯状の電源線の表面上に形成された反射層の側面部の傾斜角度が小さくなる。その結果、信号線と略直交する方向に延びる帯状の電源線に対応する絶縁膜の段差部の表面上に反射層が形成される場合に、反射層が絶縁膜から剥離するのを抑制することができる。   In this case, preferably, the wiring includes a signal line and a band-shaped power supply line arranged so as to extend in a direction substantially orthogonal to the signal line when seen in a plan view. And the side surface portion of the reflective layer are arranged so as not to be orthogonal to each other when seen in a plan view. With this configuration, the length of the intersecting portion between the side surface portion of the belt-shaped power supply line and the side surface portion of the reflective layer is increased. The inclination angle of the step portion of the insulating film is reduced. Thereby, the inclination angle of the side surface portion of the reflective layer formed on the surface of the belt-shaped power supply line at the intersecting portion is reduced. As a result, when the reflective layer is formed on the surface of the step portion of the insulating film corresponding to the strip-shaped power supply line extending in a direction substantially orthogonal to the signal line, the reflective layer is prevented from peeling from the insulating film. Can do.

上記配線が電源線または信号線のうち少なくともいずれか一方を含む表示装置において、好ましくは、配線は、信号線と、信号線の延びる方向に沿った方向に、線状に延びるように形成された電源線とを含み、線状の電源線の反射層の側面部と交差する部分の両方の側面部は、平面的に見て、反射層の側面部に対して直交しないとともに、互いに平行に配置されている。このように構成すれば、線状の電源線の側面部と、反射層の側面部との交差する部分の長さが大きくなるので、線状の電源線の側面部と反射層の側面部とが90度で交差(直交)する場合と比べて交差する部分の長さが大きくなった分、交差する部分の絶縁膜の段差部の傾斜角度が小さくなる。これにより、信号線の延びる方向に沿って延びる線状の電源線に対応する絶縁膜の段差部の表面上に反射層が形成される場合に、反射層が絶縁膜から剥離するのを抑制することができる。   In the display device in which the wiring includes at least one of a power supply line and a signal line, the wiring is preferably formed to extend linearly in the direction along the signal line and the direction in which the signal line extends. Both side portions of the power supply line that intersect with the side portion of the reflective layer of the linear power line are not orthogonal to the side surface portion of the reflective layer and are arranged in parallel with each other in plan view Has been. If comprised in this way, since the length of the part which the side part of a linear power supply line and the side part of a reflective layer cross | intersect will become large, the side part of a linear power supply line, the side part of a reflective layer, Since the length of the intersecting portion is larger than the case of intersecting (orthogonal) at 90 degrees, the inclination angle of the step portion of the insulating film at the intersecting portion is reduced. Accordingly, when the reflective layer is formed on the surface of the step portion of the insulating film corresponding to the linear power supply line extending along the signal line extending direction, the reflective layer is prevented from peeling from the insulating film. be able to.

上記配線が電源線または信号線のうち少なくともいずれか一方を含む表示装置において、好ましくは、配線は、信号線を含み、信号線には、信号線の延びる方向に交差する方向に突出する突出部が形成されており、信号線の突出部の側面部と反射層の側面部とは、平面的に見て、直交しないように配置されている。このように構成すれば、信号線の突出部の側面部と、反射層の側面部との交差する部分の長さが大きくなるので、信号線の突出部の側面部と反射層の側面部とが90度で交差(直交)する場合と比べて交差する部分の長さが大きくなった分、交差する部分の絶縁膜の段差部の傾斜角度が小さくなる。これにより、信号線の突出部に対応する絶縁膜の段差部の表面上に形成された反射層が絶縁膜から剥離するのを抑制することができる。   In the display device in which the wiring includes at least one of a power supply line and a signal line, the wiring preferably includes a signal line, and the signal line protrudes in a direction intersecting with the extending direction of the signal line. Is formed, and the side surface portion of the protruding portion of the signal line and the side surface portion of the reflective layer are arranged so as not to be orthogonal to each other when seen in a plan view. With this configuration, the length of the portion where the side surface portion of the protruding portion of the signal line and the side surface portion of the reflective layer intersect with each other increases, so that the side surface portion of the protruding portion of the signal line and the side surface portion of the reflective layer Since the length of the intersecting portion is larger than the case of intersecting (orthogonal) at 90 degrees, the inclination angle of the step portion of the insulating film at the intersecting portion is reduced. Thereby, it can suppress that the reflective layer formed on the surface of the level | step-difference part of the insulating film corresponding to the protrusion part of a signal line peels from an insulating film.

上記配線が電源線または信号線のうち少なくともいずれか一方を含む表示装置において、好ましくは、配線は、電源線と信号線との両方を含み、電源線と信号線とは、同一層からなる。このように構成すれば、反射層と90度よりも小さい角度で交差する電源線と信号線とを同一工程により形成することができる。   In the display device in which the wiring includes at least one of a power supply line and a signal line, the wiring preferably includes both the power supply line and the signal line, and the power supply line and the signal line are formed of the same layer. If comprised in this way, the power supply line and signal line which cross | intersect a reflection layer at an angle smaller than 90 degree | times can be formed by the same process.

上記第1の局面による表示装置において、好ましくは、配線の一方の側面部と反射層の側面部とは、平面的に見て、5度以上60度以下の角度範囲で交差するように配置されている。このように構成すれば、反射層が絶縁膜から剥離するのをより有効に抑制することができる。   In the display device according to the first aspect described above, preferably, one side surface portion of the wiring and the side surface portion of the reflective layer are arranged so as to intersect each other in an angle range of 5 degrees or more and 60 degrees or less when seen in a plan view. ing. If comprised in this way, it can suppress more effectively that a reflection layer peels from an insulating film.

上記第1の局面による表示装置において、好ましくは、絶縁膜は、有機平坦化膜からなる。このように構成すれば、有機平坦化膜からなる絶縁膜は、絶縁膜下の形状が反映されにくいので、絶縁膜の表面に形成される段差部の高さを小さくすることができる。これにより、段差部の傾斜角度を小さくすることができるので、絶縁膜の段差部の表面上に形成された反射層が剥離するのをより抑制することができる。   In the display device according to the first aspect, the insulating film is preferably made of an organic planarizing film. If comprised in this way, since the insulating film which consists of an organic planarization film does not reflect the shape under an insulating film easily, the height of the level | step-difference part formed in the surface of an insulating film can be made small. Thereby, since the inclination angle of the stepped portion can be reduced, it is possible to further suppress peeling of the reflective layer formed on the surface of the stepped portion of the insulating film.

この発明の第2の局面による電子機器は、上記のいずれかの構成を有する表示装置を備える。このように構成すれば、反射層のうち絶縁膜の段差部の表面上に形成された部分が絶縁膜から剥離するのを抑制することが可能な表示装置を備えた電子機器を得ることができる。   An electronic apparatus according to a second aspect of the present invention includes a display device having any one of the configurations described above. If comprised in this way, the electronic device provided with the display apparatus which can suppress that the part formed on the surface of the level | step-difference part of an insulating film among reflective layers can suppress peeling from an insulating film can be obtained. .

本発明の表示装置の概略的な構造を説明するための概念図である。It is a conceptual diagram for demonstrating the schematic structure of the display apparatus of this invention. 比較例による表示装置の概略的な構造を説明するための概念図である。It is a conceptual diagram for demonstrating the schematic structure of the display apparatus by a comparative example. 本発明の第1実施形態によるEL装置の平面図である。1 is a plan view of an EL device according to a first embodiment of the present invention. 図8の500−500線に沿った断面図である。FIG. 9 is a cross-sectional view taken along line 500-500 in FIG. 本発明の第1実施形態によるEL装置の画素の平面図である。1 is a plan view of a pixel of an EL device according to a first embodiment of the present invention. 本発明の第1実施形態によるEL装置の画素の平面図である。1 is a plan view of a pixel of an EL device according to a first embodiment of the present invention. 本発明の第1実施形態によるEL装置の画素の平面図である。1 is a plan view of a pixel of an EL device according to a first embodiment of the present invention. 本発明の第1実施形態によるEL装置の画素の平面図である。1 is a plan view of a pixel of an EL device according to a first embodiment of the present invention. 図8に示した第1実施形態によるEL装置の画素の拡大平面図である。FIG. 9 is an enlarged plan view of a pixel of the EL device according to the first embodiment shown in FIG. 8. 図8の600−600線に沿った断面図である。It is sectional drawing along the 600-600 line of FIG. 比較例によるEL装置を説明するための画素の平面図である。It is a top view of the pixel for demonstrating the EL apparatus by a comparative example. 図11の700−700線に沿った断面図である。FIG. 12 is a cross-sectional view taken along line 700-700 in FIG. 本発明の第2実施形態によるEL装置の画素の平面図である。It is a top view of the pixel of the EL device by a 2nd embodiment of the present invention. 本発明の第2実施形態によるEL装置の画素の平面図である。It is a top view of the pixel of the EL device by a 2nd embodiment of the present invention. 図14に示した第2実施形態によるEL装置の画素の拡大平面図である。FIG. 15 is an enlarged plan view of a pixel of the EL device according to the second embodiment shown in FIG. 14. 比較例によるEL装置を説明するための画素の平面図である。It is a top view of the pixel for demonstrating the EL apparatus by a comparative example. 本発明の第1および第2実施形態によるEL装置を用いた電子機器の第1の例を説明するための図である。It is a figure for demonstrating the 1st example of the electronic device using the EL apparatus by 1st and 2nd embodiment of this invention. 本発明の第1および第2実施形態によるEL装置を用いた電子機器の第2の例を説明するための図である。It is a figure for demonstrating the 2nd example of the electronic device using the EL apparatus by 1st and 2nd embodiment of this invention. 本発明の第1および第2実施形態によるEL装置を用いた電子機器の第3の例を説明するための図である。It is a figure for demonstrating the 3rd example of the electronic device using the EL apparatus by 1st and 2nd embodiment of this invention.

以下、本発明の実施形態を図面に基づいて説明する。   Hereinafter, embodiments of the present invention will be described with reference to the drawings.

本発明の具体的な実施形態を説明する前に、図1を参照して、本発明のEL(エレクトロルミネッセンス)装置100の概略的な構造について説明する。なお、EL装置100は、本発明の「表示装置」の一例である。図1(a)および(b)は、それぞれ、本発明の概略的な構造の平面図および断面図である。   Before describing a specific embodiment of the present invention, a schematic structure of an EL (electroluminescence) device 100 of the present invention will be described with reference to FIG. The EL device 100 is an example of the “display device” in the present invention. 1A and 1B are a plan view and a cross-sectional view, respectively, of the schematic structure of the present invention.

本発明のEL装置100では、図1に示すように、基板110の表面上には、TFT配線111が形成されている。なお、TFT配線111は、本発明の「配線」の一例である。このTFT配線111の断面形状は、底辺部111bおよび上方に向かって内側に傾斜する側面部111aを有した台形形状である。TFT配線111の上方に形成される反射層113は、TFT配線111と交差する側面部113aを有している。この反射層113の側面部113aに沿ったTFT配線111の断面形状の側面部111aと底辺部111bとのなす角度α1は、図2に示すTFT配線121の幅方向の断面形状の側面部121aと底辺部121bとのなす角度β1より小さく形成されている。また、TFT配線111は、反射層113と交差する部分の断面においては、基板110の表面に対して上方に向かって内側に90度未満の角度α1で傾斜する側面部111aを有している。   In the EL device 100 of the present invention, TFT wiring 111 is formed on the surface of the substrate 110 as shown in FIG. The TFT wiring 111 is an example of the “wiring” in the present invention. The cross-sectional shape of the TFT wiring 111 is a trapezoidal shape having a bottom side portion 111b and a side surface portion 111a inclined inwardly upward. The reflective layer 113 formed above the TFT wiring 111 has a side surface 113 a that intersects with the TFT wiring 111. The angle α1 formed between the side surface portion 111a of the cross-sectional shape of the TFT wiring 111 along the side surface portion 113a of the reflective layer 113 and the bottom side portion 111b is equal to the side surface portion 121a of the cross-sectional shape in the width direction of the TFT wiring 121 shown in FIG. It is formed smaller than the angle β1 formed with the base 121b. In addition, the TFT wiring 111 has a side surface portion 111 a inclined at an angle α1 of less than 90 degrees inwardly with respect to the surface of the substrate 110 in the cross section of the portion intersecting with the reflective layer 113.

また、基板110、TFT配線111を覆うように、有機平坦化膜112が形成されている。なお、有機平坦化膜112は、本発明の「絶縁膜」の一例である。この有機平坦化膜112は、表面を平坦にすることが形成の目的である。しかしながら、有機平坦化膜112の膜厚、下層形成物の形状などによっては、表面を完全に平坦にすることが難しいため、有機平坦化膜112のTFT配線111の側面部111aに対応する部分には、TFT配線111の外形形状を反映した段差部112aが形成されている。この段差部112aは、基板110の表面に対して、TFT配線111の側面部111aの角度α1よりも小さい角度α2で傾斜するように形成されている。また、有機平坦化膜112の表面上には、反射層113が形成されている。   In addition, an organic planarization film 112 is formed so as to cover the substrate 110 and the TFT wiring 111. The organic planarization film 112 is an example of the “insulating film” in the present invention. The purpose of forming the organic planarizing film 112 is to flatten the surface. However, depending on the film thickness of the organic planarization film 112, the shape of the lower layer formation, and the like, it is difficult to completely planarize the surface, so that the portion corresponding to the side surface portion 111a of the TFT wiring 111 of the organic planarization film 112 is not provided. The step portion 112 a reflecting the outer shape of the TFT wiring 111 is formed. The step 112a is formed so as to be inclined with respect to the surface of the substrate 110 at an angle α2 smaller than the angle α1 of the side surface 111a of the TFT wiring 111. A reflective layer 113 is formed on the surface of the organic planarizing film 112.

ここで、本発明のEL装置100では、平面的に見て、TFT配線111の側面部111aと、反射層113の側面部113aとは、90度よりも小さい角度α3で交差するように配置されている。また、平面的に見て、TFT配線111の側面部111aの反射層113の側面部113aと交差している部分の長さは、L1である。また、反射層113のTFT配線111の側面部111aに対応する側面部113aの高さは、H1である。   Here, in the EL device 100 of the present invention, the side surface portion 111a of the TFT wiring 111 and the side surface portion 113a of the reflective layer 113 are arranged so as to intersect at an angle α3 smaller than 90 degrees when viewed in plan. ing. Moreover, the length of the part which cross | intersects the side part 113a of the reflection layer 113 of the side part 111a of TFT wiring 111 seeing planarly is L1. Further, the height of the side surface portion 113a corresponding to the side surface portion 111a of the TFT wiring 111 of the reflective layer 113 is H1.

次に、本発明の比較例によるEL装置100aでは、図2に示すように、反射層123の側面部123aに沿った方向は、TFT配線121の幅方向と一致し、反射層123の側面部123aに沿ったTFT配線121の断面形状は、急峻な台形形状を有している。また、平面的に見て、基板120の表面上に形成されたTFT配線121の側面部121aと、反射層123の側面部123aとは、90度(直角)の角度β2で交差するように配置されている。また、反射層123のTFT配線121の側面部121aに対応する側面部123aの高さは、H2(=H1)である。また、平面的に見て、TFT配線121の側面部121aと、反射層123の側面部123aとが交差している部分の長さは、L2(<L1)である。   Next, in the EL device 100 a according to the comparative example of the present invention, as shown in FIG. 2, the direction along the side surface portion 123 a of the reflective layer 123 coincides with the width direction of the TFT wiring 121, and the side surface portion of the reflective layer 123. The cross-sectional shape of the TFT wiring 121 along 123a has a steep trapezoidal shape. Further, when viewed in a plan view, the side surface portion 121a of the TFT wiring 121 formed on the surface of the substrate 120 and the side surface portion 123a of the reflective layer 123 are arranged so as to intersect at an angle β2 of 90 degrees (right angle). Has been. Further, the height of the side surface portion 123a corresponding to the side surface portion 121a of the TFT wiring 121 of the reflective layer 123 is H2 (= H1). In addition, the length of the portion where the side surface portion 121a of the TFT wiring 121 and the side surface portion 123a of the reflective layer 123 intersect with each other in a plan view is L2 (<L1).

比較例によるEL装置100aの構成では、TFT配線121と反射層123とが交差(直交)する部分の断面において、TFT配線121は、図1のTFT配線111の角度α1よりも大きい角度β1で内側に傾斜している。また、TFT配線121と反射層123とが交差(直交)する部分の断面において、有機平坦化膜122のTFT配線121の側面部121aに対応する段差部122aは、図1に示した有機平坦化膜112の段差部112aの角度α2よりも大きい角度β3で傾斜している。   In the configuration of the EL device 100a according to the comparative example, in the cross section of the portion where the TFT wiring 121 and the reflective layer 123 intersect (orthogonal), the TFT wiring 121 is inside at an angle β1 larger than the angle α1 of the TFT wiring 111 in FIG. It is inclined to. Further, in the cross section of the portion where the TFT wiring 121 and the reflective layer 123 intersect (orthogonal), the stepped portion 122a corresponding to the side surface portion 121a of the TFT wiring 121 of the organic planarization film 122 is the organic planarization shown in FIG. The film 112 is inclined at an angle β3 larger than the angle α2 of the stepped portion 112a.

このように、図1に示した本発明のEL装置100は、図2に示した比較例のEL装置100aと異なり、反射層113の端部に沿ったTFT配線111の断面形状は、TFT配線111の幅方向の断面形状より緩慢な台形形状を有している。また、TFT配線111の側面部111aと反射層113の側面部113aとの角度(挟み角)を90度よりも小さい角度α3により、有機平坦化膜112の段差部112aの角度(傾斜)α2が小さくなるので、有機平坦化膜112の段差部112aの表面上に形成された反射層113の有機平坦化膜112に対する密着力が小さくなるのを抑制することが可能である。これにより、有機平坦化膜112の段差部112aの表面上に形成された反射層113が有機平坦化膜112から剥離するのを抑制することができる。   1 is different from the EL device 100a of the comparative example shown in FIG. 2 in that the cross-sectional shape of the TFT wiring 111 along the end of the reflective layer 113 is the TFT wiring. 111 has a trapezoidal shape that is slower than the cross-sectional shape in the width direction. Further, the angle (inclination) α2 of the stepped portion 112a of the organic planarizing film 112 is set such that the angle (sandwich angle) between the side surface portion 111a of the TFT wiring 111 and the side surface portion 113a of the reflective layer 113 is an angle α3 smaller than 90 degrees. Since it becomes small, it is possible to suppress the adhesion force of the reflective layer 113 formed on the surface of the stepped portion 112a of the organic planarizing film 112 to the organic planarizing film 112 from becoming small. Thereby, it is possible to prevent the reflective layer 113 formed on the surface of the stepped portion 112 a of the organic planarizing film 112 from peeling from the organic planarizing film 112.

以下、図1に示した本発明の構造をより具体化した実施形態について説明する。   Hereinafter, an embodiment in which the structure of the present invention shown in FIG. 1 is embodied will be described.

(第1実施形態)
図3を参照して、本発明の第1実施形態によるEL装置101の構成について説明する。なお、EL装置101は、本発明の「表示装置」の一例である。また、本発明の第1実施形態では、表示装置の一例としてトップエミッション型のEL(エレクトロルミネッセンス)装置101に本発明を適用した場合について説明する。
(First embodiment)
The configuration of the EL device 101 according to the first embodiment of the present invention will be described with reference to FIG. The EL device 101 is an example of the “display device” in the present invention. In the first embodiment of the present invention, a case where the present invention is applied to a top emission type EL (electroluminescence) device 101 as an example of a display device will be described.

本発明の第1実施形態によるEL装置101では、図3に示すように、基板1の表面上には、矩形形状を有する複数の画素2がマトリクス状に配置された表示領域1aと、表示領域1aを囲むように配置される非表示領域1bとが設けられている。非表示領域1bには、2つの走査線駆動回路3と、1つのデータ線駆動回路4とが設けられている。走査線駆動回路3には、複数のゲート線5が接続されるとともに、データ線駆動回路4には、複数の信号線6が接続されている。なお、信号線6は、本発明の「配線」の一例である。表示領域1aに配置される複数の画素2は、ゲート線5と信号線6とが交差する位置に配置されている。   In the EL device 101 according to the first embodiment of the present invention, as shown in FIG. 3, on the surface of the substrate 1, a display area 1a in which a plurality of pixels 2 having a rectangular shape are arranged in a matrix, and a display area The non-display area | region 1b arrange | positioned so that 1a may be enclosed is provided. In the non-display area 1b, two scanning line driving circuits 3 and one data line driving circuit 4 are provided. A plurality of gate lines 5 are connected to the scanning line driving circuit 3, and a plurality of signal lines 6 are connected to the data line driving circuit 4. The signal line 6 is an example of the “wiring” in the present invention. The plurality of pixels 2 arranged in the display area 1a are arranged at positions where the gate lines 5 and the signal lines 6 intersect.

画素2は、画素選択用のTFT(Thin Film Transistor)7と、駆動電流制御用のTFT8と、保持容量9と、有機EL(エレクトロルミネッセンス)素子10とから構成されている。TFT7のゲートは、ゲート線5に接続されている。また、TFT7のソース/ドレイン電極の一方は、信号線6に接続されるとともに、他方は、TFT8のゲートに接続されている。また、TFT8のソース/ドレイン電極の一方は、有機EL素子10に接続されるとともに、他方は、共通給電線11に接続されている。なお、共通給電線11は、本発明の「配線」および「電源線」の一例である。また、TFT7のソース/ドレイン電極の他方およびTFT8のゲートと共通給電線11との間には、保持容量9が設けられている。ここで、第1実施形態では、図10に示すように、共通給電線11と後述する反射層23とが交差する部分の断面において、共通給電線11の反射層23の側面部23aに沿った断面形状の側面部11aと底辺部11bとのなす角度A1は、図12に示す比較例のEL装置101aの共通給電線211の幅方向の断面形状の側面部211aと底辺部211bとのなす角度A2より小さい。   The pixel 2 includes a pixel selection TFT (Thin Film Transistor) 7, a drive current control TFT 8, a storage capacitor 9, and an organic EL (electroluminescence) element 10. The gate of the TFT 7 is connected to the gate line 5. One of the source / drain electrodes of the TFT 7 is connected to the signal line 6 and the other is connected to the gate of the TFT 8. One of the source / drain electrodes of the TFT 8 is connected to the organic EL element 10 and the other is connected to the common power supply line 11. The common power supply line 11 is an example of the “wiring” and “power supply line” in the present invention. A storage capacitor 9 is provided between the other of the source / drain electrodes of the TFT 7 and the gate of the TFT 8 and the common power supply line 11. Here, in the first embodiment, as shown in FIG. 10, the cross section of the portion where the common power supply line 11 and a reflection layer 23 described later cross the side surface portion 23 a of the reflection layer 23 of the common power supply line 11. An angle A1 formed between the side surface portion 11a and the bottom side portion 11b having a cross-sectional shape is an angle formed between the side surface portion 211a and the bottom side portion 211b having a cross-sectional shape in the width direction of the common power supply line 211 of the EL device 101a of the comparative example illustrated in FIG. Less than A2.

次に、図4〜図10を参照して、本発明の第1実施形態による画素2の詳細な構成について説明する。   Next, the detailed configuration of the pixel 2 according to the first embodiment of the present invention will be described with reference to FIGS.

図4に示すように、EL装置101では、基板1の表面上に、バッファ膜12が形成されているとともに、バッファ膜12の表面上には、バッファ膜13が形成されている。バッファ膜12は、シリコン窒化膜(SiN膜)からなる。バッファ膜13は、シリコン酸化膜(SiO膜)からなる。バッファ膜13の表面上の画素選択用のTFT7、および、駆動電流制御用のTFT8が形成される領域には、それぞれ、ポリシリコンなどからなる能動層141、および、能動層142が形成されている。 As shown in FIG. 4, in the EL device 101, a buffer film 12 is formed on the surface of the substrate 1, and a buffer film 13 is formed on the surface of the buffer film 12. The buffer film 12 is made of a silicon nitride film (SiN film). The buffer film 13 is made of a silicon oxide film (SiO 2 film). An active layer 141 and an active layer 142 made of polysilicon or the like are formed in regions where the pixel selection TFT 7 and the drive current control TFT 8 are formed on the surface of the buffer film 13, respectively. .

また、図5に示すように、保持容量9は、能動層141(142)と同一層から形成されている活性層91上に絶縁膜15(図4参照)を介してゲート層92が形成されることにより構成されている。   Further, as shown in FIG. 5, in the storage capacitor 9, a gate layer 92 is formed on an active layer 91 formed of the same layer as the active layer 141 (142) via an insulating film 15 (see FIG. 4). It is constituted by.

また、図4に示すように、バッファ膜13の表面上には、能動層141(142)を覆うように絶縁膜15が形成されている。なお、絶縁膜15の能動層141(142)上に位置する部分は、ゲート絶縁膜として機能する。この絶縁膜15は、シリコン酸化膜やシリコン窒化膜からなる。TFT7のゲート絶縁膜として機能する絶縁膜15の表面上には、ゲート電極51(ゲート線5)が形成されている。このゲート電極51は、クロムやモリブデンなどからなる。TFT8のゲート絶縁膜として機能する絶縁膜15の表面上には、ゲート電極52が形成されている。また、絶縁膜15、ゲート電極51およびゲート電極52の表面上には、シリコン酸化膜などからなる層間絶縁膜16が形成されている。   Also, as shown in FIG. 4, an insulating film 15 is formed on the surface of the buffer film 13 so as to cover the active layer 141 (142). Note that a portion of the insulating film 15 located on the active layer 141 (142) functions as a gate insulating film. The insulating film 15 is made of a silicon oxide film or a silicon nitride film. A gate electrode 51 (gate line 5) is formed on the surface of the insulating film 15 functioning as a gate insulating film of the TFT 7. The gate electrode 51 is made of chromium, molybdenum, or the like. A gate electrode 52 is formed on the surface of the insulating film 15 functioning as a gate insulating film of the TFT 8. An interlayer insulating film 16 made of a silicon oxide film or the like is formed on the surfaces of the insulating film 15, the gate electrode 51, and the gate electrode 52.

絶縁膜15には、能動層141(142)のソース領域141a(142a)を露出するためのコンタクトホール151a(152a)、および、ドレイン領域141b(142b)を露出するためのコンタクトホール151b(152b)が形成されている。また、層間絶縁膜16には、能動層141(142)のソース領域141a(142a)を露出するためのコンタクトホール161a(162a)、および、ドレイン領域141b(142b)を露出するためのコンタクトホール161b(162b)が形成されている。   The insulating film 15 has a contact hole 151a (152a) for exposing the source region 141a (142a) of the active layer 141 (142) and a contact hole 151b (152b) for exposing the drain region 141b (142b). Is formed. The interlayer insulating film 16 has a contact hole 161a (162a) for exposing the source region 141a (142a) of the active layer 141 (142) and a contact hole 161b for exposing the drain region 141b (142b). (162b) is formed.

コンタクトホール161a(162a)には、能動層141(142)のソース領域141a(142a)に接続するようにソース電極17(18)が形成されている。コンタクトホール161b(162b)には、能動層141(142)のドレイン領域141b(142b)に接続するようにドレイン電極19(20)が形成されている。   A source electrode 17 (18) is formed in the contact hole 161a (162a) so as to be connected to the source region 141a (142a) of the active layer 141 (142). A drain electrode 19 (20) is formed in the contact hole 161b (162b) so as to be connected to the drain region 141b (142b) of the active layer 141 (142).

また、図6に示すように、保持容量9の活性層91と、TFT7のソース電極17(ソース領域141a)と、TFT8のゲート電極52とは、配線93により電気的に接続されている。また、信号線6は、Y方向に延びるように形成されている。ここで、第1実施形態では、図7に示すように、共通給電線11は、信号線6に対して略直交する方向(X方向)に延びるようにY方向の幅の大きい帯状に形成されている。また、保持容量9のゲート層92と、TFT8のドレイン電極20(ドレイン領域142b)と、共通給電線11とは、電気的に接続されている。また、信号線6と、TFT7のドレイン電極19とは、接続部61により電気的に接続されている。   Further, as shown in FIG. 6, the active layer 91 of the storage capacitor 9, the source electrode 17 (source region 141 a) of the TFT 7, and the gate electrode 52 of the TFT 8 are electrically connected by a wiring 93. The signal line 6 is formed to extend in the Y direction. Here, in the first embodiment, as shown in FIG. 7, the common power supply line 11 is formed in a band shape having a large width in the Y direction so as to extend in a direction substantially orthogonal to the signal line 6 (X direction). ing. Further, the gate layer 92 of the storage capacitor 9, the drain electrode 20 (drain region 142 b) of the TFT 8, and the common power supply line 11 are electrically connected. Further, the signal line 6 and the drain electrode 19 of the TFT 7 are electrically connected by a connecting portion 61.

また、図4に示すように、ソース電極17(18)、ドレイン電極19(20)、共通給電線11、および、層間絶縁膜16の表面上には、シリコン窒化膜からなり、約100nm以上約500nm以下の厚みを有するパッシベーション膜21が形成されている。パッシベーション膜21の表面上には、感光性のアクリル樹脂からなり絶縁性の有機平坦化膜22が形成されている。なお、有機平坦化膜22は、本発明の「絶縁膜」の一例である。   Further, as shown in FIG. 4, the surface of the source electrode 17 (18), the drain electrode 19 (20), the common feed line 11, and the interlayer insulating film 16 is made of a silicon nitride film and has a thickness of about 100 nm or more. A passivation film 21 having a thickness of 500 nm or less is formed. On the surface of the passivation film 21, an insulating organic planarizing film 22 made of a photosensitive acrylic resin is formed. The organic planarization film 22 is an example of the “insulating film” in the present invention.

また、第1実施形態では、有機平坦化膜22の表面は、完全に平坦に形成されずに、図10に示すように、共通給電線11の側面部11aの外形形状を反映した段差部22bが形成されている。また、共通給電線11と反射層23とが交差する部分の断面において、有機平坦化膜22の共通給電線11の側面部11aに対応する段差部22bは、図12に示す比較例のEL装置101aの有機平坦化膜222の段差部222bの角度A3よりも小さい角度A4で傾斜している。   Further, in the first embodiment, the surface of the organic planarizing film 22 is not formed completely flat, but as shown in FIG. 10, the stepped portion 22b reflecting the outer shape of the side surface portion 11a of the common power supply line 11. Is formed. Further, in the cross section of the portion where the common power supply line 11 and the reflective layer 23 intersect, the step portion 22b corresponding to the side surface part 11a of the common power supply line 11 of the organic planarization film 22 is the EL device of the comparative example shown in FIG. The organic flattening film 222 of 101a is inclined at an angle A4 that is smaller than the angle A3 of the step 222b.

また、図4に示すように、パッシベーション膜21および有機平坦化膜22には、それぞれ、コンタクトホール21aおよびコンタクトホール22aが形成されている。このコンタクトホール21aおよび22aは、TFT8のソース電極18の表面を露出させるために形成されている。   Further, as shown in FIG. 4, a contact hole 21a and a contact hole 22a are formed in the passivation film 21 and the organic planarizing film 22, respectively. The contact holes 21a and 22a are formed to expose the surface of the source electrode 18 of the TFT 8.

また、有機平坦化膜22の表面上には、AlNd(アルミニウムネオジウム)などのアルミニウム合金膜やCr(クロム)などの金属膜からなる反射層23が形成されている。この反射層23は、図8に示すように、平面的に見て、TFT8のソース電極18が形成されている領域以外の画素2の領域とオーバラップするように配置されている。また、反射層23の側面部23aは、平面的に見て、画素2の矩形形状に沿って延びるように形成されている。   On the surface of the organic planarizing film 22, a reflective layer 23 made of an aluminum alloy film such as AlNd (aluminum neodymium) or a metal film such as Cr (chromium) is formed. As shown in FIG. 8, the reflective layer 23 is disposed so as to overlap with the region of the pixel 2 other than the region where the source electrode 18 of the TFT 8 is formed in plan view. Further, the side surface portion 23 a of the reflective layer 23 is formed so as to extend along the rectangular shape of the pixel 2 when seen in a plan view.

また、第1実施形態では、図9に示すように、Y方向の幅の大きい帯状の共通給電線11の側面部11aと、画素2の矩形形状に沿って形成された反射層23の側面部23aとは、平面的に見て、90度よりも小さい角度A5で交差するように配置されている。この場合、好ましくは、帯状の共通給電線11の側面部11aと、画素2の矩形形状に沿って形成された反射層23の側面部23aとは、平面的に見て、5度以上60度以下の角度範囲で交差するように配置するとよい。   In the first embodiment, as shown in FIG. 9, the side surface portion 11 a of the strip-shaped common power supply line 11 having a large width in the Y direction and the side surface portion of the reflective layer 23 formed along the rectangular shape of the pixel 2. 23a is arranged so as to intersect at an angle A5 smaller than 90 degrees when viewed in a plan view. In this case, preferably, the side surface portion 11a of the strip-shaped common power supply line 11 and the side surface portion 23a of the reflective layer 23 formed along the rectangular shape of the pixel 2 are 5 degrees or more and 60 degrees when viewed in plan. It is good to arrange so that it may cross in the following angle ranges.

また、帯状の共通給電線11の反射層23の側面部23aと交差する部分のY方向の幅(長さ)W1(図8参照)は、平面的に見て、帯状の共通給電線11の反射層23とオーバラップしている部分の中央部分近傍のY方向の幅(長さ)W2よりも小さくなるように形成されている。これにより、帯状の共通給電線11の側面部11aと反射層23の側面部23aとは、平面的に見て、90度より小さい角度で交差するように配置される。   Further, the width (length) W1 (see FIG. 8) in the Y direction of the portion of the belt-shaped common power supply line 11 that intersects the side surface portion 23a of the reflective layer 23 is, as viewed in plan, the band-shaped common power supply line 11. It is formed to be smaller than the width (length) W2 in the Y direction in the vicinity of the central portion of the portion overlapping with the reflective layer 23. Thereby, the side surface part 11a of the strip-shaped common feeder 11 and the side surface part 23a of the reflective layer 23 are arranged so as to intersect at an angle smaller than 90 degrees when viewed in a plan view.

また、接続部61のTFT7のドレイン電極19と接続される部分には、突出部6aが形成されている。この突出部6aは、平面的に見て、台形形状に形成されている。また、第1実施形態では、図9に示すように、突出部6aの側面部6bと、反射層23の側面部23aとは、平面的に見て、90度よりも小さい角度A6で交差するように配置されている。   Further, a protruding portion 6 a is formed at a portion of the connecting portion 61 connected to the drain electrode 19 of the TFT 7. The protrusion 6a is formed in a trapezoidal shape when seen in a plan view. Moreover, in 1st Embodiment, as shown in FIG. 9, the side part 6b of the protrusion part 6a and the side part 23a of the reflection layer 23 cross | intersect by angle A6 smaller than 90 degree | times seeing planarly. Are arranged as follows.

また、図10に示すように、反射層23の共通給電線11の側面部11aに対応する側面部23aの高さは、H3である。また、共通給電線11の側面部11aと、反射層23の側面部23aとが交差している部分の長さは、L3である。   Also, as shown in FIG. 10, the height of the side surface portion 23a corresponding to the side surface portion 11a of the common feeder line 11 of the reflective layer 23 is H3. In addition, the length of the portion where the side surface portion 11a of the common power supply line 11 and the side surface portion 23a of the reflective layer 23 intersect is L3.

また、図4に示すように、反射層23の表面上および側面には、シリコン窒化膜(SiN膜)などの無機絶縁膜からなり、約10nm以上約100nm以下の厚みを有する低温パッシベーション膜24が形成されている。また、低温パッシベーション膜24の隣接する画素2の境界部分に対応する部分には、有機平坦化膜22などに含まれた水分を除去する(水抜きする)ための水分除去用開口部24aが形成されている。   Further, as shown in FIG. 4, a low-temperature passivation film 24 made of an inorganic insulating film such as a silicon nitride film (SiN film) and having a thickness of about 10 nm to about 100 nm is formed on the surface and side surfaces of the reflective layer 23. Is formed. Further, a portion of the low-temperature passivation film 24 corresponding to the boundary portion between adjacent pixels 2 is formed with a moisture removal opening 24a for removing moisture contained in the organic planarization film 22 or the like. Has been.

また、TFT8のソース電極18、および、低温パッシベーション膜24の表面上には、画素2毎に、ITO(酸化インジウムスズ)などの透明電極からなる画素電極25が形成されている。この画素電極25は、画素2にそれぞれ設けられたTFT8のソース電極18と電気的に接続されており、表示信号に応じた電圧が印加されるように構成されている。   On the surface of the source electrode 18 of the TFT 8 and the low-temperature passivation film 24, a pixel electrode 25 made of a transparent electrode such as ITO (indium tin oxide) is formed for each pixel 2. The pixel electrode 25 is electrically connected to the source electrode 18 of the TFT 8 provided in each pixel 2, and is configured to be applied with a voltage corresponding to the display signal.

また、隣接する画素2の間の領域には、低温パッシベーション膜24の水分除去用開口部24aと、水分除去用開口部24aの近傍に形成された画素電極25の表面とを覆うように、隔壁27が形成されている。   Further, in the region between the adjacent pixels 2, a partition wall is provided so as to cover the moisture removal opening 24 a of the low-temperature passivation film 24 and the surface of the pixel electrode 25 formed in the vicinity of the moisture removal opening 24 a. 27 is formed.

隔壁27および画素電極25上に、有機発光層26が形成されている。なお、有機発光層26は、本発明の「発光層」の一例である。また、有機発光層26上には、マグネシウムおよび銀などの金属からなり、半反射可能な対向電極28が形成されている。対向電極28上には、封止膜29が形成されている。封止膜29まで形成された基板1は、接着剤層30を介して、封止基板31と貼り合わされている。   An organic light emitting layer 26 is formed on the partition wall 27 and the pixel electrode 25. The organic light emitting layer 26 is an example of the “light emitting layer” in the present invention. Further, on the organic light emitting layer 26, a counter electrode 28 made of a metal such as magnesium and silver and capable of semi-reflection is formed. A sealing film 29 is formed on the counter electrode 28. The substrate 1 formed up to the sealing film 29 is bonded to the sealing substrate 31 through the adhesive layer 30.

上記のような構成により、有機発光層26から出射された光を、反射層23と対向電極28との間で共振させることが可能となり、光強度を強めた状態で対向電極28側から光を出射させることができる。   With the configuration as described above, the light emitted from the organic light emitting layer 26 can be resonated between the reflective layer 23 and the counter electrode 28, and light can be emitted from the counter electrode 28 side with increased light intensity. Can be emitted.

また、上記のような構成において、画素電極25を陽極、対向電極28を陰極とした場合には、共通給電線11(図3参照)に正電源、対向電極28に負電源を接続する。そして、TFT7により選択された画素2は、信号線6からの信号に応じてTFT8により共通給電線11からの駆動電流が制御されるとともに画素電極25に印加される。これにより、有機発光層26から光が出射されるように構成されている。   In the above configuration, when the pixel electrode 25 is an anode and the counter electrode 28 is a cathode, a positive power source is connected to the common power supply line 11 (see FIG. 3) and a negative power source is connected to the counter electrode 28. In the pixel 2 selected by the TFT 7, the drive current from the common power supply line 11 is controlled by the TFT 8 according to the signal from the signal line 6 and applied to the pixel electrode 25. As a result, light is emitted from the organic light emitting layer 26.

第1実施形態では、上記のように、共通給電線11の反射層23の側面部23aに沿った断面形状の側面部11aと底辺部11bとのなす角度A1を、共通給電線211の幅方向の断面形状の側面部211aと底辺部211bとのなす角度A2より小さくする。これにより、図11に示す比較例のEL装置101aのように、共通給電線211の側面部211aと反射層223の側面部223aとが、平面的に見て、90度の角度で交差するように配置される場合の、図12に示す、共通給電線211の側面部211aと反射層223の側面部223aとの交差する部分の長さL4に比べて、本発明のEL装置101の交差する部分の長さL3(図10参照)の方が大きくなる。その結果、交差する部分の長さが大きくなった分、有機平坦化膜22の段差部22bの傾斜角度A4が小さくなる。これにより、共通給電線11の表面上に形成された反射層23の側面部23aの傾斜角度A4が、比較例によるEL装置101aの有機平坦化膜222の段差部222bおよび反射層223の側面部223aの傾斜角度A3(図12参照)よりも小さくなるので、本発明のEL装置101の反射層23のうち有機平坦化膜22の段差部22bの表面上に形成された部分が有機平坦化膜22から剥離するのを抑制することができる。   In the first embodiment, as described above, the angle A1 formed by the side surface portion 11a having the cross-sectional shape along the side surface portion 23a of the reflective layer 23 of the common power supply line 11 and the bottom side portion 11b is set in the width direction of the common power supply line 211. The angle A2 is smaller than the angle A2 formed between the side surface portion 211a and the bottom side portion 211b of the cross-sectional shape. Thus, as in the EL device 101a of the comparative example shown in FIG. 11, the side surface portion 211a of the common power supply line 211 and the side surface portion 223a of the reflective layer 223 intersect at an angle of 90 degrees when viewed in a plan view. 12 is compared with the length L4 of the portion where the side surface portion 211a of the common power supply line 211 and the side surface portion 223a of the reflective layer 223 intersect, as shown in FIG. The length L3 of the portion (see FIG. 10) is larger. As a result, the inclination angle A4 of the stepped portion 22b of the organic planarizing film 22 is reduced by the length of the intersecting portion. Thus, the inclination angle A4 of the side surface portion 23a of the reflective layer 23 formed on the surface of the common power supply line 11 is such that the stepped portion 222b of the organic planarization film 222 and the side surface portion of the reflective layer 223 of the EL device 101a according to the comparative example. Since the inclination angle A3 (see FIG. 12) of 223a is smaller, the portion of the reflective layer 23 of the EL device 101 of the present invention formed on the surface of the stepped portion 22b of the organic planarizing film 22 is the organic planarizing film. Peeling from 22 can be suppressed.

また、第1実施形態では、上記のように、共通給電線11の側面部11aと反射層23の側面部23aとを、平面的に見て、直交しない角度A5で交差するように配置することによって、共通給電線11の側面部11aと反射層23の側面部23aとが、平面的に見て、90度の角度で交差(直交)するように配置される場合と比べて、共通給電線11の側面部11aと反射層23の側面部23aとの交差する部分の長さが大きくなるので、交差する部分の長さが大きくなった分、交差する部分の有機平坦化膜22の段差部22bの傾斜角度A4が小さくなる。これにより、交差する部分の共通給電線11の表面上に形成された反射層23の側面部23aの傾斜角度が小さくなるので、反射層23のうち有機平坦化膜22の段差部22bの表面上に形成された部分が有機平坦化膜22から剥離するのを抑制することができる。   In the first embodiment, as described above, the side surface portion 11a of the common power supply line 11 and the side surface portion 23a of the reflective layer 23 are arranged so as to intersect at a non-orthogonal angle A5 when seen in a plan view. Compared to the case where the side surface portion 11a of the common power supply line 11 and the side surface portion 23a of the reflective layer 23 are arranged so as to intersect (orthogonally) at an angle of 90 degrees when viewed in a plan view. Since the length of the intersecting portion between the side surface portion 11a of the eleventh side surface and the side surface portion 23a of the reflective layer 23 is increased, the stepped portion of the organic planarization film 22 at the intersecting portion is increased by the length of the intersecting portion. The inclination angle A4 of 22b becomes small. As a result, the inclination angle of the side surface portion 23a of the reflective layer 23 formed on the surface of the common feed line 11 at the intersecting portion is reduced, so that the surface of the step portion 22b of the organic planarization film 22 in the reflective layer 23 is reduced. It can suppress that the part formed in this peels from the organic planarization film | membrane 22. FIG.

また、第1実施形態では、上記のように、帯状の共通給電線11の側面部11aと反射層23の側面部23aとを、平面的に見て、直交しないように配置することによって、帯状の共通給電線11の側面部11aと、反射層23の側面部23aとの交差する部分の長さL3が大きくなるので、交差する部分の長さL3が大きくなった分、交差する部分の有機平坦化膜22の段差部22bの傾斜角度A4が小さくなる。これにより、交差する部分の帯状の共通給電線11の表面上に形成された反射層23の側面部23aの傾斜角度A4が小さくなる。その結果、信号線6と略直交する方向(X方向)に延びる帯状の共通給電線11に対応する有機平坦化膜22の段差部22bの表面上に反射層23が形成される場合に、反射層23が有機平坦化膜22から剥離するのを抑制することができる。   In the first embodiment, as described above, the side surface portion 11a of the strip-shaped common feeder 11 and the side surface portion 23a of the reflective layer 23 are arranged so as not to be orthogonal when viewed in a plan view. Since the length L3 of the intersecting portion of the side surface portion 11a of the common feeder line 11 and the side surface portion 23a of the reflective layer 23 is increased, the length of the intersecting portion L3 is increased, and the organic portion of the intersecting portion is increased. The inclination angle A4 of the step portion 22b of the planarizing film 22 is reduced. As a result, the inclination angle A4 of the side surface portion 23a of the reflective layer 23 formed on the surface of the intersecting portion of the strip-shaped common feeder 11 is reduced. As a result, when the reflective layer 23 is formed on the surface of the step portion 22b of the organic planarizing film 22 corresponding to the strip-shaped common power supply line 11 extending in the direction (X direction) substantially orthogonal to the signal line 6, the reflection is performed. The layer 23 can be prevented from peeling from the organic planarizing film 22.

また、第1実施形態では、上記のように、共通給電線11の一方の側面部11aと反射層23の側面部23aとを、平面的に見て、5度以上60度以下の角度範囲で交差するように配置することによって、反射層23が有機平坦化膜22から剥離するのをより有効に抑制することができる。   In the first embodiment, as described above, one side surface portion 11a of the common power supply line 11 and the side surface portion 23a of the reflective layer 23 are viewed in a plane in an angle range of 5 degrees or more and 60 degrees or less. By arranging so as to cross each other, it is possible to more effectively suppress the reflective layer 23 from being peeled off from the organic planarizing film 22.

また、第1実施形態では、上記のように、絶縁膜が、有機平坦化膜22からなることによって、有機平坦化膜22からなる絶縁膜は、絶縁膜下の形状が反映されにくいので、絶縁膜の表面に形成される段差部22bの高さH3を小さくすることができる。これにより、有機平坦化膜22の段差部22bの傾斜角度A4を小さくすることができる。これにより、有機平坦化膜22の段差部22bの表面上に形成された反射層23が剥離するのをより抑制することができる。   In the first embodiment, as described above, since the insulating film is made of the organic flattening film 22, the insulating film made of the organic flattening film 22 hardly reflects the shape under the insulating film. The height H3 of the step portion 22b formed on the surface of the film can be reduced. Thereby, the inclination angle A4 of the step portion 22b of the organic planarization film 22 can be reduced. Thereby, it can suppress more that the reflection layer 23 formed on the surface of the level | step-difference part 22b of the organic planarization film | membrane 22 peels.

(第2実施形態)
次に、図13および図14を参照して、本発明の第2実施形態について説明する。この第2実施形態では、上記した第1実施形態とは異なり、共通給電線311を幅の小さい線状に形成した場合について説明する。
(Second Embodiment)
Next, a second embodiment of the present invention will be described with reference to FIG. 13 and FIG. In the second embodiment, unlike the first embodiment described above, a case where the common power supply line 311 is formed in a narrow line shape will be described.

本発明の第2実施形態によるEL装置102では、図13に示すように、共通給電線311は、信号線6と略平行方向のY方向に延びるように、X方向の幅の小さい線状に形成されている。なお、EL装置102は、本発明の「表示装置」の一例であり、共通給電線311は、本発明の「配線」および「電源線」の一例である。この共通給電線311と、信号線6とは、Al(アルミニウム)などの同一の金属層からなる。   In the EL device 102 according to the second embodiment of the present invention, as shown in FIG. 13, the common power supply line 311 has a linear shape with a small width in the X direction so as to extend in the Y direction substantially parallel to the signal line 6. Is formed. The EL device 102 is an example of the “display device” in the present invention, and the common power supply line 311 is an example of the “wiring” and the “power supply line” in the present invention. The common power supply line 311 and the signal line 6 are made of the same metal layer such as Al (aluminum).

信号線6には、信号線6の延びる方向(Y方向)に交差する方向(矢印X1方向側)に向かって突出部306が形成されている。この突出部306の両方の側面部306aは、平面的に見て、互いに平行に配置されている。   The signal line 6 has a protruding portion 306 formed in a direction (arrow X1 direction side) that intersects the direction (Y direction) in which the signal line 6 extends. Both side portions 306a of the protruding portion 306 are arranged in parallel to each other when viewed in a plan view.

図14に示すように、共通給電線311の表面上には、反射層323が形成されている。ここで、第2実施形態では、図15に示すように、共通給電線311の側面部311aと、反射層323の側面部323aとが交差する部分の断面において、共通給電線311の反射層323の側面部323aと交差する部分の両方の側面部311aは、平面的に見て、90度よりも小さい角度A7で交差するとともに、互いに平行に延びるように形成されている。   As shown in FIG. 14, a reflective layer 323 is formed on the surface of the common power supply line 311. Here, in the second embodiment, as shown in FIG. 15, the reflective layer 323 of the common power supply line 311 in the cross section of the portion where the side surface part 311 a of the common power supply line 311 and the side surface part 323 a of the reflective layer 323 intersect. Both side surface portions 311a of the portion intersecting with the side surface portion 323a are formed so as to intersect with each other at an angle A7 smaller than 90 degrees and to extend parallel to each other when seen in a plan view.

また、第2実施形態では、信号線6の突出部306の側面部306aと、反射層323の側面部323aとが交差する部分の断面において、信号線6の突出部306の側面部306aと、反射層323の側面部323aとは、平面的に見て、90度よりも小さい角度A8で交差するように配置されている。   In the second embodiment, in the cross section of the portion where the side surface portion 306a of the protruding portion 306 of the signal line 6 intersects the side surface portion 323a of the reflective layer 323, the side surface portion 306a of the protruding portion 306 of the signal line 6; The side surface portion 323a of the reflective layer 323 is disposed so as to intersect at an angle A8 smaller than 90 degrees when viewed in a plan view.

なお、第2実施形態のその他の構成は、上記した第1実施形態の構成と同様である。   In addition, the other structure of 2nd Embodiment is the same as that of the structure of 1st Embodiment mentioned above.

第2実施形態では、上記のように、共通給電線311の側面部311aと反射層323の側面部323aとを、平面的に見て、直交しない角度A7で交差するように配置する。これにより、図16に示す比較例のEL装置102aのように、共通給電線411の側面部411aと反射層423の側面部423aとが、平面的に見て、90度の角度で交差するように配置される場合の、共通給電線411の側面部411aと反射層423の側面部423aとの交差する部分の長さに比べて、本発明のEL装置102の交差する部分の長さの方が大きくなる。その結果、交差する部分の長さが大きくなった分、交差する部分の有機平坦化膜22の段差部22bの傾斜角度が小さくなる。これにより、共通給電線311の表面上に形成された反射層323の側面部323aの傾斜角度A7が、比較例によるEL装置102aの有機平坦化膜の段差部および反射層の側面部の傾斜角度よりも小さくなるので、本発明のEL装置102の反射層323のうち有機平坦化膜22の段差部22bの表面上に形成された部分が有機平坦化膜22から剥離するのを抑制することができる。   In the second embodiment, as described above, the side surface portion 311a of the common power supply line 311 and the side surface portion 323a of the reflective layer 323 are arranged so as to intersect at an angle A7 that is not orthogonal when viewed in a plan view. Accordingly, as in the EL device 102a of the comparative example illustrated in FIG. 16, the side surface portion 411a of the common power supply line 411 and the side surface portion 423a of the reflective layer 423 intersect with each other at an angle of 90 degrees when viewed in plan. The length of the intersecting portion of the EL device 102 of the present invention is larger than the length of the intersecting portion of the side surface portion 411a of the common power supply line 411 and the side surface portion 423a of the reflective layer 423. Becomes larger. As a result, the inclination angle of the stepped portion 22b of the organic planarizing film 22 at the intersecting portion is reduced by the length of the intersecting portion being increased. Thus, the inclination angle A7 of the side surface portion 323a of the reflective layer 323 formed on the surface of the common power supply line 311 is the inclination angle of the step portion of the organic planarization film and the side surface portion of the reflective layer of the EL device 102a according to the comparative example. Therefore, it is possible to prevent the portion of the reflective layer 323 of the EL device 102 of the present invention formed on the surface of the step portion 22b of the organic planarization film 22 from being separated from the organic planarization film 22. it can.

また、第2実施形態では、上記のように、線状の共通給電線311の反射層323の側面部323aと交差する部分の両方の側面部311aを、平面的に見て、反射層323の側面部323aに対して直交しない角度A7で傾斜させるとともに、互いに平行に配置することによって、線状の共通給電線311の側面部311aと、反射層323の側面部323aとの交差する部分の長さが大きくなるので、線状の共通給電線311の側面部311aと反射層323の側面部323aとが90度で交差(直交)する場合と比べて交差する部分の長さが大きくなった分、交差する部分の有機平坦化膜22の段差部22bの傾斜角度が小さくなる。これにより、信号線6の延びる方向(Y方向)に沿って延びる線状の共通給電線311に対応する有機平坦化膜22の段差部22bの表面上に反射層323が形成される場合に、反射層323が有機平坦化膜22から剥離するのを抑制することができる。   Further, in the second embodiment, as described above, both the side surface portions 311a of the portion of the linear common power supply line 311 that intersects the side surface portion 323a of the reflective layer 323 are viewed in plan, and the reflection layer 323 By inclining at a non-orthogonal angle A7 with respect to the side surface portion 323a and arranging them in parallel with each other, the length of the portion where the side surface portion 311a of the linear common power supply line 311 and the side surface portion 323a of the reflective layer 323 intersect with each other Therefore, the length of the intersecting portion is larger than the case where the side surface portion 311a of the linear common feeder 311 and the side surface portion 323a of the reflective layer 323 intersect (orthogonal) at 90 degrees. The inclination angle of the stepped portion 22b of the organic planarizing film 22 at the intersecting portion becomes small. Thereby, when the reflective layer 323 is formed on the surface of the step portion 22b of the organic planarization film 22 corresponding to the linear common power supply line 311 extending along the extending direction of the signal line 6 (Y direction), The reflective layer 323 can be prevented from peeling from the organic planarizing film 22.

また、第2実施形態では、上記のように、信号線6の突出部306の側面部306aと反射層323の側面部323aとを、平面的に見て、直交しないように配置することによって、信号線6の突出部306の側面部306aと、反射層323の側面部323aとの交差する部分の長さが大きくなるので、信号線6の突出部306の側面部306aと反射層323の側面部323aとが90度で交差(直交)する場合と比べて交差する部分の長さが大きくなった分、交差する部分の有機平坦化膜22の段差部22bの傾斜角度が小さくなる。これにより、信号線6の突出部306に対応する有機平坦化膜22の段差部22bの表面上に形成された反射層323が有機平坦化膜22から剥離するのを抑制することができる。   Further, in the second embodiment, as described above, by arranging the side surface portion 306a of the protruding portion 306 of the signal line 6 and the side surface portion 323a of the reflective layer 323 so as not to be orthogonal to each other in plan view, Since the length of the intersection between the side surface portion 306a of the protruding portion 306 of the signal line 6 and the side surface portion 323a of the reflective layer 323 is increased, the side surface portion 306a of the protruding portion 306 of the signal line 6 and the side surface of the reflective layer 323 Compared with the case where the portion 323a intersects (orthogonally) at 90 degrees, the inclination angle of the stepped portion 22b of the organic planarizing film 22 at the intersecting portion is reduced by the length of the intersecting portion. Thereby, it is possible to prevent the reflective layer 323 formed on the surface of the stepped portion 22 b of the organic planarizing film 22 corresponding to the protruding portion 306 of the signal line 6 from being peeled off from the organic planarizing film 22.

また、第2実施形態では、上記のように、共通給電線311と信号線6とが、同一層からなることによって、反射層323と90度よりも小さい角度で交差する共通給電線311と信号線6とを同一工程により形成することができる。   In the second embodiment, as described above, the common power supply line 311 and the signal line 6 are formed of the same layer, so that the common power supply line 311 and the signal intersect with the reflection layer 323 at an angle smaller than 90 degrees. The line 6 can be formed by the same process.

図17〜図19は、それぞれ、上記した第1および第2実施形態によるEL装置101および102を用いた電子機器の第1の例〜第3の例を説明するための図である。図17〜図19を参照して、第1および第2実施形態によるEL装置101および102を用いた電子機器について説明する。   FIGS. 17 to 19 are diagrams for explaining first to third examples of electronic devices using the EL devices 101 and 102 according to the first and second embodiments, respectively. Electronic devices using the EL devices 101 and 102 according to the first and second embodiments will be described with reference to FIGS.

第1および第2実施形態によるEL装置101および102は、図17〜図19に示すように、第1の例としてのPC(Personal Computer)200、第2の例としての携帯電話300、および、第3の例としての情報携帯端末400(PDA:Personal Digital Assistants)などに用いることが可能である。図17の第1の例によるPC200においては、キーボードなどの入力部200aおよび表示画面200bなどに第1および第2実施形態によるEL装置101および102を用いることが可能である。図18の第2の例による携帯電話300においては、表示画面300aに第1および第2実施形態によるEL装置101および102が用いられる。図19の第3の例による情報携帯端末400においては、表示画面400aに第1および第2実施形態によるEL装置101および102が用いられる。   As shown in FIGS. 17 to 19, EL devices 101 and 102 according to the first and second embodiments include a PC (Personal Computer) 200 as a first example, a mobile phone 300 as a second example, and It can be used for a portable information terminal 400 (PDA: Personal Digital Assistants) as a third example. In the PC 200 according to the first example of FIG. 17, the EL devices 101 and 102 according to the first and second embodiments can be used for the input unit 200a such as a keyboard and the display screen 200b. In the mobile phone 300 according to the second example of FIG. 18, the EL devices 101 and 102 according to the first and second embodiments are used for the display screen 300a. In the portable information terminal 400 according to the third example of FIG. 19, the EL devices 101 and 102 according to the first and second embodiments are used for the display screen 400a.

なお、今回開示された実施形態は、すべての点で例示であって制限的なものではないと考えられるべきである。本発明の範囲は、上記した実施形態の説明ではなく特許請求の範囲によって示され、さらに特許請求の範囲と均等の意味および範囲内でのすべての変更が含まれる。   The embodiment disclosed this time should be considered as illustrative in all points and not restrictive. The scope of the present invention is shown not by the above description of the embodiments but by the scope of claims for patent, and further includes all modifications within the meaning and scope equivalent to the scope of claims for patent.

たとえば、上記第1および第2実施形態では、配線の一例として帯状の電源線、線状の電源線および信号線を適用する例を示したが、本発明はこれに限らず、帯状の電源線、線状の電源線および信号線以外の配線と反射層との関係において本発明を適用してもよい。   For example, in the first and second embodiments, the example in which the strip-shaped power supply line, the linear power supply line, and the signal line are applied as an example of the wiring is shown. However, the present invention is not limited to this, and the strip-shaped power supply line is used. The present invention may be applied to the relationship between the reflective layer and the wiring other than the linear power supply line and the signal line.

また、上記第1および第2実施形態では、発光層の一例として有機EL素子の有機発光層を用いる例を示したが、本発明はこれに限らず、有機EL素子の有機発光層以外の発光層を適用してもよい。   Moreover, in the said 1st and 2nd embodiment, although the example using the organic light emitting layer of an organic EL element was shown as an example of a light emitting layer, this invention is not restricted to this but light emission other than the organic light emitting layer of an organic EL element. A layer may be applied.

また、上記第1および第2実施形態では、絶縁膜の一例として感光性のアクリル系樹脂からなる有機平坦化膜を適用する例を示したが、本発明はこれに限らず、感光性のアクリル系樹脂からなる有機平坦化膜以外の絶縁膜を用いる場合にも本発明を適用可能である。   In the first and second embodiments, an example in which an organic planarizing film made of a photosensitive acrylic resin is applied as an example of an insulating film is shown. However, the present invention is not limited to this, and a photosensitive acrylic resin is used. The present invention can also be applied to the case where an insulating film other than an organic planarizing film made of a resin is used.

2 画素
6 信号線(配線)
6a、306 突出部
6b、306a 側面部
11、311 共通給電線(配線)(電源線)
11a、113a、311a 側面部
22、112 有機平坦化膜(絶縁膜)
22b、112a 段差部
23、113、323 反射層
23a、113a、323a 側面部
26 有機発光層(発光層)
100、101、102 EL装置(表示装置)
111 TFT配線(配線)
200 PC(電子機器)
300 携帯電話(電子機器)
400 情報携帯端末(電子機器)
2 pixels 6 signal lines (wiring)
6a, 306 Protruding portion 6b, 306a Side surface portion 11, 311 Common power supply line (wiring) (power supply line)
11a, 113a, 311a Side surfaces 22, 112 Organic planarization film (insulating film)
22b, 112a Step part 23, 113, 323 Reflective layer 23a, 113a, 323a Side face part 26 Organic light emitting layer (light emitting layer)
100, 101, 102 EL device (display device)
111 TFT wiring (wiring)
200 PC (electronic equipment)
300 Mobile phone (electronic equipment)
400 Information portable terminal (electronic equipment)

Claims (11)

複数の画素と、
前記複数の画素のそれぞれに信号または電源を供給する配線と、
前記配線を覆う絶縁膜と、
前記絶縁膜を覆うとともに、平面的に前記配線と交差する側面部を有する反射層とを備え、
前記配線の断面形状は、底辺部および上方に向かって内側に傾斜する側面部を有した台形形状であり、
前記配線の前記反射層の側面部に沿った断面形状の前記側面部と前記底辺部とのなす角度は、前記配線の幅方向の断面形状の前記側面部と前記底辺部とのなす角度より小さい、表示装置。
A plurality of pixels;
Wiring for supplying a signal or power to each of the plurality of pixels;
An insulating film covering the wiring;
A reflective layer that covers the insulating film and has a side surface that intersects the wiring in a plane;
The cross-sectional shape of the wiring is a trapezoidal shape having a bottom part and a side part inclined inward toward the upper side,
The angle formed by the side surface portion and the bottom side portion of the cross-sectional shape along the side surface portion of the reflective layer of the wiring is smaller than the angle formed by the side surface portion and the bottom side portion of the cross-sectional shape in the width direction of the wiring. , Display device.
前記絶縁膜は、前記配線の側面部に対応する部分に段差部を含み、
前記反射層は、前記絶縁膜の段差部を覆うように形成され、
前記配線の側面部と前記反射層の側面部とは、平面的に見て、直交しないように配置されている、請求項1に記載の表示装置。
The insulating film includes a stepped portion in a portion corresponding to the side surface portion of the wiring,
The reflective layer is formed so as to cover the step portion of the insulating film,
The display device according to claim 1, wherein the side surface portion of the wiring and the side surface portion of the reflective layer are arranged so as not to be orthogonal to each other when seen in a plan view.
前記画素は、矩形形状を有するとともに、前記反射層の側面部は、平面的に見て、前記画素の矩形形状に沿って形成されており、
前記配線の側面部は、平面的に見て、前記画素の矩形形状に沿って延びる前記反射層の側面部に対して、直交しないように配置されている、請求項2に記載の表示装置。
The pixel has a rectangular shape, and a side surface portion of the reflective layer is formed along the rectangular shape of the pixel in a plan view.
The display device according to claim 2, wherein the side surface portion of the wiring is arranged so as not to be orthogonal to the side surface portion of the reflective layer extending along the rectangular shape of the pixel when viewed in a plan view.
前記配線は、電源線または信号線のうち少なくともいずれか一方を含む、請求項1〜3のいずれか1項に記載の表示装置。   The display device according to claim 1, wherein the wiring includes at least one of a power supply line and a signal line. 前記配線は、前記信号線と、平面的に見て、前記信号線に対して略直交する方向に延びるように配置された帯状の前記電源線とを含み、
前記帯状の電源線の側面部と前記反射層の側面部とは、平面的に見て、直交しないように配置されている、請求項4に記載の表示装置。
The wiring includes the signal line and the strip-shaped power supply line arranged so as to extend in a direction substantially orthogonal to the signal line in plan view,
The display device according to claim 4, wherein the side surface portion of the strip-shaped power supply line and the side surface portion of the reflective layer are disposed so as not to be orthogonal when viewed in a plan view.
前記配線は、前記信号線と、前記信号線の延びる方向に沿った方向に、線状に延びるように形成された前記電源線とを含み、
前記線状の電源線の前記反射層の側面部と交差する部分の両方の側面部は、平面的に見て、前記反射層の側面部に対して直交しないとともに、互いに平行に配置されている、請求項4に記載の表示装置。
The wiring includes the signal line and the power line formed to extend linearly in a direction along the direction in which the signal line extends,
Both side portions of the portion of the linear power supply line that intersects with the side portion of the reflective layer are not orthogonal to the side surface portion of the reflective layer and are arranged parallel to each other when viewed in a plan view. The display device according to claim 4.
前記配線は、前記信号線を含み、
前記信号線には、前記信号線の延びる方向に交差する方向に突出する突出部が形成されており、
前記信号線の突出部の側面部と前記反射層の側面部とは、平面的に見て、直交しないように配置されている、請求項4に記載の表示装置。
The wiring includes the signal line,
The signal line is formed with a protruding portion that protrudes in a direction intersecting the direction in which the signal line extends,
The display device according to claim 4, wherein the side surface portion of the protruding portion of the signal line and the side surface portion of the reflective layer are arranged so as not to be orthogonal when viewed in a plan view.
前記配線は、前記電源線と前記信号線との両方を含み、
前記電源線と前記信号線とは、同一層からなる、請求項4に記載の表示装置。
The wiring includes both the power line and the signal line,
The display device according to claim 4, wherein the power supply line and the signal line are formed of the same layer.
前記配線の一方の側面部と前記反射層の側面部とは、平面的に見て、5度以上60度以下の角度範囲で交差するように配置されている、請求項1〜8のいずれか1項に記載の表示装置。   The one side part of the said wiring and the side part of the said reflection layer are arrange | positioned so that it may cross | intersect in the angle range of 5 to 60 degree | times seeing planarly. Item 1. A display device according to item 1. 前記絶縁膜は、有機平坦化膜からなる、請求項1〜9のいずれか1項に記載の表示装置。   The display device according to claim 1, wherein the insulating film is made of an organic planarizing film. 請求項1〜10のいずれか1項に記載の表示装置を備える電子機器。   An electronic device comprising the display device according to claim 1.
JP2009065727A 2009-03-18 2009-03-18 Display device and electronic device Active JP5182176B2 (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2009065727A JP5182176B2 (en) 2009-03-18 2009-03-18 Display device and electronic device

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2009065727A JP5182176B2 (en) 2009-03-18 2009-03-18 Display device and electronic device

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2010217649A true JP2010217649A (en) 2010-09-30
JP5182176B2 JP5182176B2 (en) 2013-04-10

Family

ID=42976560

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2009065727A Active JP5182176B2 (en) 2009-03-18 2009-03-18 Display device and electronic device

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP5182176B2 (en)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2012090712A1 (en) * 2010-12-27 2012-07-05 株式会社日立製作所 Organic light-emitting device

Citations (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH07261198A (en) * 1994-03-18 1995-10-13 Sharp Corp Liquid crystal display device
JP2001194671A (en) * 1998-11-27 2001-07-19 Sanyo Electric Co Ltd Liquid crystal display device
JP2002162639A (en) * 2000-11-27 2002-06-07 Seiko Instruments Inc Liquid crystal display device
JP2003186029A (en) * 2001-12-07 2003-07-03 Samsung Electronics Co Ltd Liquid crystal display device
JP2005062400A (en) * 2003-08-11 2005-03-10 Toshiba Matsushita Display Technology Co Ltd Flat display device and method for manufacturing the same
JP2005352470A (en) * 2004-05-12 2005-12-22 Seiko Epson Corp Display material circuit board, inspection method, and electronic equipment
JP2007250244A (en) * 2006-03-14 2007-09-27 Seiko Epson Corp Electroluminescent device, electronic apparatus, and manufacturing method of electroluminescent device
JP2007298947A (en) * 2006-05-03 2007-11-15 Lg Phillips Lcd Co Ltd Liquid crystal display device and fabricating method thereof
WO2008047788A1 (en) * 2006-10-18 2008-04-24 Sharp Kabushiki Kaisha Liquid crystal display device and method for manufacturing liquid crystal display device
JP2008130967A (en) * 2006-11-24 2008-06-05 Seiko Epson Corp Electro-optic device, and electronic apparatus
JP2009053579A (en) * 2007-08-29 2009-03-12 Casio Comput Co Ltd Circuit board and connecting method therefor

Patent Citations (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH07261198A (en) * 1994-03-18 1995-10-13 Sharp Corp Liquid crystal display device
JP2001194671A (en) * 1998-11-27 2001-07-19 Sanyo Electric Co Ltd Liquid crystal display device
JP2002162639A (en) * 2000-11-27 2002-06-07 Seiko Instruments Inc Liquid crystal display device
JP2003186029A (en) * 2001-12-07 2003-07-03 Samsung Electronics Co Ltd Liquid crystal display device
JP2005062400A (en) * 2003-08-11 2005-03-10 Toshiba Matsushita Display Technology Co Ltd Flat display device and method for manufacturing the same
JP2005352470A (en) * 2004-05-12 2005-12-22 Seiko Epson Corp Display material circuit board, inspection method, and electronic equipment
JP2007250244A (en) * 2006-03-14 2007-09-27 Seiko Epson Corp Electroluminescent device, electronic apparatus, and manufacturing method of electroluminescent device
JP2007298947A (en) * 2006-05-03 2007-11-15 Lg Phillips Lcd Co Ltd Liquid crystal display device and fabricating method thereof
WO2008047788A1 (en) * 2006-10-18 2008-04-24 Sharp Kabushiki Kaisha Liquid crystal display device and method for manufacturing liquid crystal display device
JP2008130967A (en) * 2006-11-24 2008-06-05 Seiko Epson Corp Electro-optic device, and electronic apparatus
JP2009053579A (en) * 2007-08-29 2009-03-12 Casio Comput Co Ltd Circuit board and connecting method therefor

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2012090712A1 (en) * 2010-12-27 2012-07-05 株式会社日立製作所 Organic light-emitting device

Also Published As

Publication number Publication date
JP5182176B2 (en) 2013-04-10

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN111081732B (en) display device
CN108022953B (en) Display device with auxiliary electrode
US11587493B2 (en) Display substrate and display device including the same
US9501165B2 (en) Organic light emitting diode display device with touch screen and method of fabricating the same
US10347702B2 (en) Flexible thin film transistor substrate and flexible organic light emitting display device
US11244969B2 (en) Array substrate and manufacturing method thereof, display substrate, and display device
KR102126553B1 (en) Display device
JP2019095507A (en) Display device
EP4050659A1 (en) Display substrate and manufacturing method therefor and display device
KR102569727B1 (en) Display device
JP2010145457A (en) Liquid crystal display device and electronic device
KR20200113065A (en) Display device
US20230380208A1 (en) Display device
US11088236B2 (en) Display apparatus
KR20220065949A (en) Display device
KR102581675B1 (en) Display device
JP5182176B2 (en) Display device and electronic device
JP2010218718A (en) Display and electronic equipment
KR20210074549A (en) Organic light emitting display device
US20210373377A1 (en) Display device
KR20230066198A (en) Display panel and Display device
KR102538361B1 (en) Organic light emitting display device
KR20200104475A (en) Display device
CN113130603B (en) Display device
US20220173201A1 (en) Display Apparatus

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20120120

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20121210

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20121218

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20121231

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 5182176

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20160125

Year of fee payment: 3

S531 Written request for registration of change of domicile

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313531

R350 Written notification of registration of transfer

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350