JP2010217636A - Electrooptical device, method for manufacturing the electrooptical device, and electronic equipment - Google Patents

Electrooptical device, method for manufacturing the electrooptical device, and electronic equipment Download PDF

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Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To reduce time and effort in manufacturing and to secure electric reliability than in the conventional manner. <P>SOLUTION: An electrooptical device is equipped with: a first substrate 11; a second substrate 12 which is arranged opposite to the first substrate; an electrooptical material 13 which is arranged between the first and second substrates; an opening 12c which is provided on the second substrate, faces the first substrate, opens within a plane range in which the electrooptical material is not arranged, and penetrates from a surface on the side of the first substrate to the opposite side; a conductive film 29 which is provided on the opposite surface of the second substrate, and extends on the inner surface of the opening in a form that the opening is not blocked; a ground electrode 19 which is provided in a position overlapping in plane at least a part of the opening on the surface of the side of the second substrate on the first substrate, and conductively connected to the outside; and a conductive member 14b which is arranged between the first and second substrates and conductively contacts both of the conductive film and the ground electrode. <P>COPYRIGHT: (C)2010,JPO&INPIT

Description

本発明は電気光学装置、電気光学装置の製造方法及び電子機器に係り、特に、基板上に導電膜が形成されてなる電気光学装置の構成に関する。   The present invention relates to an electro-optical device, a method for manufacturing the electro-optical device, and an electronic apparatus, and more particularly to a configuration of an electro-optical device in which a conductive film is formed on a substrate.

従来の電気光学装置の一つとして横電界方式の液晶装置が注目されている。この方式は、液晶に印加する電界の方向を基板に略平行とする方式であり、TN方式などと比較して視角特性に優れているという利点がある。このような横電界方式の液晶装置としては、例えば、IPS(In-Plane Switching)方式、FFS(Fringe Field Switching)方式などが挙げられる。この横電界方式の液晶装置では、一般に、相互に対向する一対の基板間に液晶が挟持され、一方の基板上に画素電極と共通電極が共に設けられ、この画素電極と共通電極との間に横電界が形成される。   As one of the conventional electro-optical devices, a horizontal electric field type liquid crystal device has been attracting attention. This method is a method in which the direction of the electric field applied to the liquid crystal is substantially parallel to the substrate, and has an advantage that the viewing angle characteristic is excellent compared to the TN method or the like. Examples of such a horizontal electric field type liquid crystal device include an IPS (In-Plane Switching) method, an FFS (Fringe Field Switching) method, and the like. In this lateral electric field type liquid crystal device, generally, a liquid crystal is sandwiched between a pair of substrates facing each other, and a pixel electrode and a common electrode are provided on one substrate, and the pixel electrode and the common electrode are interposed between the pixel electrode and the common electrode. A transverse electric field is formed.

ところで、上記の横電界方式の液晶装置では、一方の基板に形成された画素電極と共通電極とで液晶に与える横電界を調整することで液晶の配向状態を制御するようにしているため、外部の静電気が電極を有さない基板に帯電することにより縦電界が発生すると液晶の配向状態が影響を受けやすく、適切な表示態様を得ることができなくなる虞がある。そこで、静電気の影響を低減するために、以下の特許文献1に記載された構造が提案されている。   By the way, in the lateral electric field type liquid crystal device, the alignment state of the liquid crystal is controlled by adjusting the lateral electric field applied to the liquid crystal by the pixel electrode and the common electrode formed on one substrate. When a vertical electric field is generated by charging the substrate having no electrodes with the static electricity, the alignment state of the liquid crystal is easily affected, and there is a possibility that an appropriate display mode cannot be obtained. Thus, in order to reduce the influence of static electricity, a structure described in Patent Document 1 below has been proposed.

特許文献1に記載された液晶表示装置においては、上側基板と偏光板の間に、導電性の微粒子が分散された粘着層やスパッタリングにより形成されたITO膜などの導電膜が形成されている。当該導電膜は接地された状態にすることにより外部の静電気に対するシールドを構成する。このため、導電膜によって基板に静電気が帯電しにくくなることから、表示態様に異常が発生することを防止することができるとされている。   In the liquid crystal display device described in Patent Document 1, a conductive film such as an adhesive layer in which conductive fine particles are dispersed or an ITO film formed by sputtering is formed between an upper substrate and a polarizing plate. The conductive film is grounded to form a shield against external static electricity. For this reason, since it becomes difficult for the conductive film to be charged with static electricity by the conductive film, it is said that the display mode can be prevented from being abnormal.

特許第2758864号公報Japanese Patent No. 2758864 特開2009−008971号公報JP 2009-008971 A

上記の特許文献1には上記の導電膜を接地するための構成として、上側基板上の導電膜と下側基板上のアース端子とを表示領域の側方においてケーブルを用いて導電接続することにより、導電膜を接地するようにしている。しかしながら、この構成では、導電膜とアース端子を接続するケーブルを基板の端部近傍において導電膜とアース端子にそれぞれ導電接続する必要があるため、それぞれの基板上にケーブルの接続領域を確保する必要が生ずることから、装置のコンパクト化が困難になるとともに、導電接続構造が外部に露出するため、信頼性を確保するための処理が必要になる上、製造時にケーブルの両端を接続する煩雑な作業が必要になる   In the above-mentioned Patent Document 1, as a configuration for grounding the conductive film, the conductive film on the upper substrate and the ground terminal on the lower substrate are conductively connected using a cable at the side of the display region. The conductive film is grounded. However, in this configuration, since the cable connecting the conductive film and the ground terminal needs to be conductively connected to the conductive film and the ground terminal in the vicinity of the end portion of the board, it is necessary to secure a cable connection area on each board. Therefore, it is difficult to make the device compact, and the conductive connection structure is exposed to the outside, so that a process for ensuring reliability is required, and the complicated work of connecting both ends of the cable at the time of manufacture is required. Need

また、図12及び図13に示すように、偏光板7が貼着された下側基板1と偏光板8が貼着された上側基板2の間に液晶を封入してなる液晶表示体を構成するパネル構造において、上側基板2上の導電膜3から、下側基板1上の接地用電極4にかけて導電ペースト5を塗布する方法も知られている。しかしながら、この構造では、上記導電ペースト5が外部に露出した構造となっていることから、導電ペースト5硬化するまでに時間がかかるため、製造効率が低下するとともに、フレキシブル配線基板6などの他の部品に導電ペースト5が付着する虞があったり、上側基板2の端部の角部2aで導電ペースト5が切断されてしまう虞があるなど、製造上や信頼性上の問題点があった。なお、この構造でも上記と同様に導電膜3と導電ペースト5の導電接続部を上側基板2上に確保する必要があるので、装置のコンパクト化が困難になる。   Further, as shown in FIGS. 12 and 13, a liquid crystal display is formed by enclosing liquid crystal between a lower substrate 1 having a polarizing plate 7 attached and an upper substrate 2 having a polarizing plate 8 attached. In the panel structure, a method of applying a conductive paste 5 from the conductive film 3 on the upper substrate 2 to the ground electrode 4 on the lower substrate 1 is also known. However, in this structure, since the conductive paste 5 is exposed to the outside, it takes time until the conductive paste 5 is cured, so that the manufacturing efficiency is reduced and the flexible wiring board 6 and the like are also reduced. There are problems in manufacturing and reliability, such as the possibility that the conductive paste 5 adheres to the components and the conductive paste 5 may be cut at the corners 2a of the upper substrate 2. Even in this structure, since it is necessary to secure the conductive connection portion between the conductive film 3 and the conductive paste 5 on the upper substrate 2 as described above, it is difficult to make the apparatus compact.

さらに、上記の構成の代わりに、上側基板の端部に貫通孔を形成し、この貫通孔に導電ペーストを充填することにより、導電層が導電ペーストを介して下側基板上に形成された接地用電極に導電接続されるようにした構造を採用してなる電気光学装置も提案されている(特許文献2参照)。   Further, instead of the above configuration, a through hole is formed at the end of the upper substrate, and the conductive layer is filled with the conductive paste, whereby the conductive layer is formed on the lower substrate through the conductive paste. There has also been proposed an electro-optical device that employs a structure that is conductively connected to an electrode for use (see Patent Document 2).

この特許文献2に記載された構造及び製造方法では、電気光学パネルを形成した後の導電体配置工程において導電ペーストを貫通孔内に充填するようにしている。しかし、この工程では、導電ペーストを微細な貫通孔に充填するだけでなく、当該貫通孔の奥にある接地用電極に確実にコンタクトさせる必要があるので、煩雑な作業を要するだけでなく、歩留まりの低下や信頼性の低下を招く虞がある。   In the structure and the manufacturing method described in Patent Document 2, the conductive paste is filled in the through holes in the conductor arranging step after the electro-optical panel is formed. However, in this process, it is necessary not only to fill the fine through-holes with the conductive paste but also to make sure that the grounding electrode in the back of the through-holes is in contact with each other. There is a risk of lowering reliability and reliability.

なお、上記のような静電気等による電界の影響を防止する構造は、上述の横電界方式の電気光学装置に限らず、外部電界の影響を低減するために有効な手段であり、電気光学物質に対して電界を印加することにより動作させる各種の電気光学装置に共通に用いることができるものである。   The structure for preventing the influence of the electric field due to static electricity as described above is not limited to the above-described lateral electric field type electro-optical device, but is an effective means for reducing the influence of the external electric field. On the other hand, it can be used in common for various electro-optical devices that are operated by applying an electric field.

そこで、本発明は上記問題点を解決するものであり、従来よりも製造時の手間を軽減できるとともに電気的信頼性を確保することができる電気光学装置を実現することにある。   SUMMARY OF THE INVENTION The present invention solves the above-described problems, and is to realize an electro-optical device that can reduce labor during manufacturing and can ensure electrical reliability.

斯かる実情に鑑み、本発明の電気光学装置は、第1の基板と、該第1の基板に対向して配置された第2の基板と、前記第1の基板と前記第2の基板の間に配置された電気光学物質と、前記第2の基板に設けられ、前記第1の基板と対向するとともに前記電気光学物質の配置されていない平面範囲内に開口し、前記第1の基板側の面から反対側の面まで貫通する開口部と、前記第2の基板の前記反対側の面上に設けられるとともに前記開口部を閉塞しない態様で前記開口部の内面上に延在する導電膜と、前記第1の基板における前記第2の基板側の面の、前記開口部の少なくとも一部と平面的に重なる位置に設けられ、外部に導電接続された接地用電極と、前記第1の基板と前記第2の基板の間に配置され、前記導電膜と前記接地用電極に共に導電接触する導電材と、を具備することを特徴とする。   In view of such circumstances, the electro-optical device of the present invention includes a first substrate, a second substrate disposed to face the first substrate, the first substrate, and the second substrate. An electro-optical material disposed between the first substrate and the second substrate, facing the first substrate and opening in a plane area where the electro-optical material is not disposed; An opening penetrating from the surface of the second substrate to the opposite surface, and a conductive film provided on the opposite surface of the second substrate and extending on the inner surface of the opening in a manner not closing the opening A grounding electrode provided on the surface of the first substrate on the second substrate side at a position overlapping with at least a part of the opening and conductively connected to the outside, and the first substrate Between the substrate and the second substrate, the conductive film and the grounding electrode are both Characterized by comprising a conductive material in contact electricity, the.

本発明によれば、第2の基板の第1の基板とは反対側の面上に形成された導電膜が開口部の内面上に延在するように構成され、第1の基板の第2の基板側の面の上記開口部の少なくとも一部と平面的に重なる位置に配置された接地用電極と導電膜に導電材が導電接触することにより、導電膜が導電材を介して接地用電極に導電接続されることとなるので、第2の基板の帯電に起因する電気光学物質への影響を低減できる。また、導電膜は開口部を閉塞しない態様で開口部の内面上に形成されるので、導電材が開口部内の導電膜に接触しやすくなることから、十分な導電接触状態を得ることができる。したがって、第1の基板と第2の基板の間に導電材を挟みこむだけで導電膜を接地させることができるので、従来よりも製造時の手間を軽減することができるとともに、電気的信頼性を高めることができる。   According to the present invention, the conductive film formed on the surface of the second substrate opposite to the first substrate is configured to extend on the inner surface of the opening, and the second substrate When the conductive material is in conductive contact with the grounding electrode and the conductive film disposed in a position overlapping with at least a part of the opening on the substrate side surface of the substrate, the conductive film is connected to the grounding electrode via the conductive material. Therefore, the influence on the electro-optical material due to the charging of the second substrate can be reduced. In addition, since the conductive film is formed on the inner surface of the opening in a manner that does not close the opening, the conductive material can easily come into contact with the conductive film in the opening, so that a sufficient conductive contact state can be obtained. Therefore, since the conductive film can be grounded by simply sandwiching the conductive material between the first substrate and the second substrate, it is possible to reduce labor during manufacturing as compared with the conventional method and to provide electrical reliability. Can be increased.

ここで、上記導電材は、導電体のみを素材とするものに限らず、たとえば、絶縁材料中に導電性粒子が分散配置されたものなど、結果として導電膜と接地用電極とを導電接続することができるものであればよく、後述する実施形態に例示される態様に特に限定されるものではない。なお、上記導電膜は上記開口部の第1の基板側の面の開口縁まで到達するように構成されることが望ましい。これによって導電膜と導電材の導電接触をさらに容易かつ確実に実現できる。   Here, the conductive material is not limited to a material made of only a conductive material, but, for example, a conductive particle and a ground electrode are conductively connected as a result, such as a conductive particle dispersed in an insulating material. As long as it can be used, it is not particularly limited to the mode exemplified in the embodiments described later. The conductive film is preferably configured to reach the opening edge of the surface of the opening on the first substrate side. Thereby, the conductive contact between the conductive film and the conductive material can be realized more easily and reliably.

本発明の一の態様においては、前記導電膜は前記開口部の内面全体に形成されるとともに前記開口部の前記第1の基板側の開口縁の全周に到達している。これによれば、導電膜のうち開口部の内部を通過する部分の断面積を大きく確保することができるので、当該部分の電気抵抗を低減できる。また、導電膜が開口縁全周に形成されることで導電膜と導電材との接触面積を増大させることができるので、両者の導電接触状態をさらに良好かつ確実に得ることができる。   In one aspect of the present invention, the conductive film is formed on the entire inner surface of the opening and reaches the entire circumference of the opening edge of the opening on the first substrate side. According to this, since the cross-sectional area of the part which passes the inside of an opening part among electrically conductive films can be ensured large, the electrical resistance of the said part can be reduced. Further, since the conductive film is formed on the entire periphery of the opening edge, the contact area between the conductive film and the conductive material can be increased, so that a conductive contact state between the two can be obtained more reliably and reliably.

本発明の他の態様においては、前記導電膜は、前記開口部の前記第1の基板側の開口縁から前記第2の基板の前記第1の基板側の面上に張り出す部分を有する。これによれば、導電膜が開口縁から周囲に張り出す部分を有することで導電材との導電接触状態をさらに容易かつ確実に得ることが可能になるとともに、導電接触面積も増大させることができる。   In another aspect of the present invention, the conductive film has a portion that protrudes from the opening edge of the opening on the first substrate side of the second substrate. According to this, since the conductive film has a portion protruding from the opening edge to the periphery, it is possible to more easily and reliably obtain a conductive contact state with the conductive material, and it is also possible to increase the conductive contact area. .

本発明の別の電気光学装置は、第1の基板と、該第1の基板に対向して配置された第2の基板と、前記第1の基板と前記第2の基板の間に配置された電気光学物質と、前記第2の基板に設けられ、前記第1の基板と対向するとともに前記電気光学物質の配置されていない平面範囲内に開口し、前記第1の基板側の面から反対側の面まで貫通する開口部と、前記第2の基板の前記反対側の面上に設けられるとともに前記開口部を閉塞しない態様で前記開口部の内面上を経て前記第1の基板側の開口縁から周囲に張り出す導電膜と、前記第1の基板における前記第2の基板側の面の、前記周囲に張り出した前記導電膜の少なくとも一部と平面的に重なる位置に設けられ、外部に導電接続された接地用電極と、前記第1の基板と前記第2の基板の間に配置され、前記導電膜の前記開口縁から張り出す部分に導電接触するとともに前記接地用電極に導電接触する導電材と、を具備することを特徴とする。   Another electro-optical device of the present invention is disposed between a first substrate, a second substrate disposed to face the first substrate, and the first substrate and the second substrate. The electro-optic material is provided on the second substrate, faces the first substrate and opens in a plane area where the electro-optic material is not disposed, and is opposite from the surface on the first substrate side. An opening penetrating to the side surface, and an opening on the first substrate side provided on the opposite surface of the second substrate and over the inner surface of the opening portion in a manner that does not close the opening portion A conductive film extending from the edge to the periphery and a surface of the first substrate on the second substrate side are provided at a position that overlaps with at least a part of the conductive film extending to the periphery in a plane. A ground electrode electrically conductively connected between the first substrate and the second substrate; Is arranged, characterized by comprising a conductive material conductively contact with the ground electrode while a conductive contact with the portion projecting from the opening edge of the conductive film.

本発明によれば、第2の基板の第1の基板とは反対側の面上に形成された導電膜が開口部の内面上を経て第1の基板側の開口縁から周囲に張り出す部分を有するように構成され、第1の基板の第2の基板側の面の上記張り出す部分の少なくとも一部と平面的に重なる位置に設けられた接地用電極と上記導電膜の張り出す部分に導電材が導電接触することにより、導電膜が導電材を介して接地用電極に導電接続されることとなるので、第2の基板の帯電に起因する電気光学物質への影響を低減できる。また、第2の基板の前記反対側の面上に形成される導電膜は開口部を閉塞しない態様で開口部の内面上を通過して第1の基板側の面上に張り出す部分を有しているので、当該張り出す部分と接地用電極との間に導電材を介在させるだけで十分な導電接触状態を得ることができる。したがって、第1の基板と第2の基板の間に導電材を挟みこむだけで導電膜を接地させることができるので、従来よりも製造時の手間を軽減することができるとともに、電気的信頼性を高めることができる。   According to the present invention, the conductive film formed on the surface of the second substrate opposite to the first substrate projects from the opening edge on the first substrate side to the periphery through the inner surface of the opening. A ground electrode provided at a position overlapping with at least a part of the projecting portion of the surface of the first substrate on the second substrate side, and a projecting portion of the conductive film. When the conductive material comes into conductive contact, the conductive film is conductively connected to the grounding electrode via the conductive material, so that it is possible to reduce the influence on the electro-optical material due to charging of the second substrate. In addition, the conductive film formed on the opposite surface of the second substrate has a portion that passes over the inner surface of the opening and projects onto the surface of the first substrate without blocking the opening. Therefore, a sufficient conductive contact state can be obtained only by interposing a conductive material between the protruding portion and the grounding electrode. Therefore, since the conductive film can be grounded by simply sandwiching the conductive material between the first substrate and the second substrate, it is possible to reduce labor during manufacturing as compared with the conventional method and to provide electrical reliability. Can be increased.

本発明においては、前記導電材は、前記第1の基板と前記第2の基板の間に前記電気光学物質を包囲する枠状に形成されたシール材の内部に配置されていることが好ましい。これによれば、第1の基板と第2の基板の間に配置されるシール材の内部に導電材が配置されることにより、導電材を安定させることができるため、導電接続状態の安定性や電気的信頼性を高めることができ、さらにシール材の配置工程や基板貼り合わせ工程において製造時の手間を低減することが可能になる。   In the present invention, it is preferable that the conductive material is disposed inside a sealing material formed in a frame shape surrounding the electro-optical material between the first substrate and the second substrate. According to this, since the conductive material can be stabilized by disposing the conductive material inside the sealing material disposed between the first substrate and the second substrate, the stability of the conductive connection state In addition, it is possible to increase electrical reliability, and it is possible to reduce labor during manufacturing in the sealing material placement process and the substrate bonding process.

この場合に、前記シール材は、絶縁材料中に、前記導電材として、前記第1の基板と前記第2の基板の基板間隔に対応する径を備えた複数の前記導電性粒子が分散配置されたものであることがさらに好ましい。これによれば、第1の基板と第2の基板の基板間隔に沿った方向の導電接続状態を確実に得ることができるとともに平面方向の絶縁性を確保することが可能となる。   In this case, in the sealing material, a plurality of the conductive particles having a diameter corresponding to a substrate interval between the first substrate and the second substrate are dispersedly arranged in the insulating material as the conductive material. More preferably, According to this, it is possible to reliably obtain a conductive connection state in the direction along the distance between the first substrate and the second substrate and to ensure insulation in the planar direction.

本発明においては、前記導電材は導電ペーストであることが好ましい。これによれば、開口部や導電膜の表面形状に応じて柔軟に変形した状態で導電接触するので、導電接続状態の安定性や確実性をさらに高めることができる。   In the present invention, the conductive material is preferably a conductive paste. According to this, since the conductive contact is performed in a state of being flexibly deformed according to the opening and the surface shape of the conductive film, it is possible to further improve the stability and certainty of the conductive connection state.

本発明においては、前記開口部の前記反対側の面の前記開口縁が傾斜面状に構成されることが好ましい。開口部の反対側の面の開口縁を傾斜面状とすることにより、開口縁上の導電膜と導電材との接触面積の増大や接触状態の安定性の向上を図ることができる。また、導電膜が開口縁の周囲に張り出す部分を有する場合には、導電膜のうち開口部の内面上に形成される部分と周囲に張り出す部分との導電接続状態を確実に得ることができる。ここで、開口縁が傾斜面状に構成されるとは、開口縁の角部が面取り加工や丸め加工を施された態様に形成されることで、開口部の内面と反対側の面の間に、両面のいずれの面方位とも異なる中間の面方位を有する傾斜面(平面でなくても曲面でもよい)が設けられることを言う。   In this invention, it is preferable that the said opening edge of the surface on the said opposite side of the said opening part is comprised by inclined surface shape. By making the opening edge of the surface on the opposite side of the opening into an inclined surface, the contact area between the conductive film and the conductive material on the opening edge can be increased and the stability of the contact state can be improved. In addition, when the conductive film has a portion protruding around the opening edge, it is possible to reliably obtain a conductive connection state between the portion formed on the inner surface of the opening and the portion protruding to the periphery of the conductive film. it can. Here, the opening edge is configured to have an inclined surface shape, in which the corner of the opening edge is formed in a chamfered or rounded shape, so that the gap between the inner surface of the opening and the opposite surface is formed. In addition, an inclined surface (not a flat surface or a curved surface) having an intermediate surface orientation different from any of the surface orientations of both surfaces is provided.

本発明においては、前記開口部の前記一側の面の開口縁が傾斜面状に構成されることが好ましい。開口部の一側の面の開口縁を傾斜面状に構成することにより、導電膜のうち第2の基板の一側の面上の部分と、開口部の内面上の部分との間の導電接続状態を確実に得ることができるので、電気的信頼性をさらに高めることができる。ここで、開口縁が傾斜面状に構成されるとは、開口縁の角部が面取り加工や丸め加工を施された態様に形成されることで、開口部の内面と一側の面の間に、両面のいずれの面方位とも異なる中間の方位を有する傾斜面(平面でなくても曲面でもよい)が設けられることを言う。   In this invention, it is preferable that the opening edge of the said one side surface of the said opening part is comprised by inclined surface shape. By configuring the opening edge of the surface on one side of the opening to be an inclined surface, the conductivity between the portion on the surface on one side of the second substrate and the portion on the inner surface of the opening of the conductive film. Since the connection state can be obtained reliably, the electrical reliability can be further improved. Here, the opening edge is configured to have an inclined surface shape by forming the corner portion of the opening edge in a chamfered or rounded manner, so that the gap between the inner surface of the opening and the one side surface is formed. In addition, an inclined surface (not a flat surface or a curved surface) having an intermediate orientation different from any of the surface orientations of both surfaces is provided.

本発明の異なる態様においては、前記第1の基板は前記第2の基板の端部より外側に張り出した基板張出部を有し、前記開口部は前記第2の基板の前記端部に設けられ、前記接地用電極は前記第2の基板と平面的に重なる領域から前記基板張出部上に延在し、前記導電材は前記接地用電極の前記第2の基板と平面的に重なる領域に導電接触している。これによれば、導電材は第2の基板と平面的に重なる領域において導電膜と接地用電極とに導電接触するため、導電材をコンパクトに設けることができる。また、接地用電極が基板張出部上に延在することで、接地用電極を接地電位が供給される配線等に容易に接続することができるようになる。ここで、導電材及び接地用電極は、開口部と平面的に重なる領域に配置され、当該領域において導電膜、導電材及び接地用電極が導電接触していることが好ましい。   In a different aspect of the present invention, the first substrate has a substrate protruding portion that protrudes outward from the end portion of the second substrate, and the opening is provided at the end portion of the second substrate. The grounding electrode extends from the region overlapping the second substrate in a planar manner onto the substrate overhanging portion, and the conductive material is a region overlapping the second substrate of the grounding electrode in a planar manner. Are in conductive contact. According to this, since the conductive material is in conductive contact with the conductive film and the grounding electrode in the region overlapping the second substrate, the conductive material can be provided in a compact manner. In addition, since the ground electrode extends on the substrate overhanging portion, the ground electrode can be easily connected to a wiring or the like to which a ground potential is supplied. Here, it is preferable that the conductive material and the grounding electrode are arranged in a region overlapping with the opening in a plane, and the conductive film, the conductive material, and the grounding electrode are in conductive contact in the region.

本発明のさらに異なる態様においては、前記第1の基板には、前記電気光学物質に前記第1の基板に沿った横電界を与えるための画素電極と共通電極が共に設けられ、前記第2の基板には前記画素電極と前記共通電極が設けられない。これによれば、第1の基板に画素電極と共通電極が共に設けられる場合には、第2の基板には本来的に電極を設ける必要がないが、電極が設けられていない第2の基板が帯電すると、上記横電界が第2の基板の帯電により変化し、電気光学物質の作用効果が大きく影響を受ける。したがって、上記構成の場合には特に本願発明の効果が高いものとなる。   In a further different aspect of the present invention, the first substrate is provided with both a pixel electrode and a common electrode for applying a lateral electric field along the first substrate to the electro-optic material. The pixel electrode and the common electrode are not provided on the substrate. According to this, when both the pixel electrode and the common electrode are provided on the first substrate, it is not necessary to provide the electrode on the second substrate, but the second substrate on which no electrode is provided. Is charged, the lateral electric field changes due to the charging of the second substrate, and the effect of the electro-optical material is greatly affected. Therefore, in the case of the above configuration, the effect of the present invention is particularly high.

次に、本発明の電気光学装置の製造方法は、第1の基板と、該第1の基板に対向して配置された第2の基板と、前記第1の基板と前記第2の基板の間に配置された電気光学物質と、を具備する電気光学装置の製造方法であって、前記第2の基板に一側の面から反対側の面に貫通する開口部を形成する工程と、導電材料を被着させることにより前記第2の基板の前記反対側の面上から前記開口部の内面上に延在する導電膜を形成する工程と、前記第1の基板の一側の面上に前記開口部の少なくとも一部と平面的に重なる位置に設けられ、外部に導電接続される接地用電極を形成する工程と、前記第1の基板の前記一側の面と前記第2の基板の前記一側の面の間に導電材を介在させて、該導電材が前記導電膜と前記接地用電極とに共に導電接触する態様で、前記第1の基板の前記一側の面と前記第2の基板の前記一側の面が前記電気光学物質を介して対向配置されるパネル構造を形成する工程と、を有することを特徴とする。   Next, a method for manufacturing an electro-optical device according to the present invention includes a first substrate, a second substrate disposed to face the first substrate, the first substrate, and the second substrate. An electro-optic device comprising an electro-optic material disposed between the step of forming an opening in the second substrate from one surface to the opposite surface; Forming a conductive film extending on the inner surface of the opening from the opposite surface of the second substrate by depositing a material; on one surface of the first substrate; A step of forming a grounding electrode which is provided at a position overlapping with at least a part of the opening in a planar manner and is conductively connected to the outside; and the one side surface of the first substrate and the second substrate A conductive material is interposed between the one side surfaces so that the conductive material is in conductive contact with the conductive film and the grounding electrode. And forming a panel structure in which the one side surface of the first substrate and the one side surface of the second substrate are arranged to face each other with the electro-optic material interposed therebetween. Features.

本発明においては、前記導電膜を形成する工程は、前記第2の基板の前記反対側の面側から前記反対側の面と前記開口部の内面に第1の導電膜を被着させる第1の段階と、前記第2の基板の前記一側の面側から前記開口部の内面に第2の導電膜を被着させる第2の段階とを有し、前記第1の導電膜と前記第2の導電膜が前記開口部の内部にて導電接続されることにより前記導電膜が形成されることが好ましい。ここで、第1の段階と第2の段階とはいずれを先に実施しても構わない。これによれば、導電膜の一部として開口部の内面上に一側の面から反対側の開口縁に到達する導電経路を確実に形成することができる。   In the present invention, the step of forming the conductive film includes a step of depositing a first conductive film from the opposite surface side of the second substrate to the opposite surface and the inner surface of the opening. And a second step of depositing a second conductive film on the inner surface of the opening from the one side of the second substrate, the first conductive film and the first The conductive film is preferably formed by conductively connecting the two conductive films inside the opening. Here, either the first stage or the second stage may be performed first. According to this, a conductive path that reaches the opening edge on the opposite side from one surface can be reliably formed on the inner surface of the opening as a part of the conductive film.

また、本発明の別の電気光学装置の製造方法は、第1の基板と、該第1の基板に対向して配置された第2の基板と、前記第1の基板と前記第2の基板の間に配置された電気光学物質と、を具備する電気光学装置の製造方法であって、前記第2の基板に一側の面から反対側の面に貫通する開口部を形成する工程と、導電材料を被着させることにより前記第2の基板の前記反対側の面上から前記開口部の内面上を通過して前記一側の面の開口縁の周囲に張り出す導電膜を形成する工程と、前記第1の基板の一側の面上に前記周囲に張り出した前記導電膜の少なくとも一部と平面的に重なる位置に設けられ、外部に導電接続される接地用電極を形成する工程と、前記第1の基板の前記一側の面と前記第2の基板の前記一側の面の間に導電材を介在させて、該導電材が前記導電膜の前記開口縁の周囲に張り出す部分と前記接地用電極とに共に導電接触する態様で、前記第1の基板の前記一側の面と前記第2の基板の前記一側の面が前記電気光学物質を介して対向配置されるパネル構造を形成する工程と、を有することを特徴とする。   According to another electro-optical device manufacturing method of the present invention, a first substrate, a second substrate disposed to face the first substrate, the first substrate, and the second substrate are provided. An electro-optic material disposed between the first substrate and the second substrate, the step of forming an opening penetrating from one surface to the other surface; Forming a conductive film that passes from the surface on the opposite side of the second substrate to the periphery of the opening edge of the one surface by applying a conductive material; And a step of forming a grounding electrode that is provided on a surface of one side of the first substrate so as to planarly overlap at least a part of the conductive film projecting to the periphery and is electrically connected to the outside. A conductive material is interposed between the one side surface of the first substrate and the one side surface of the second substrate. The surface of the one side of the first substrate and the second substrate are in conductive contact with the portion of the conductive film that protrudes around the opening edge of the conductive film and the grounding electrode. Forming a panel structure in which the one side surface of the substrate is opposed to the electro-optical material.

本発明においては、前記導電膜を形成する工程は、前記第2の基板の前記反対側の面側から前記反対側の面と前記開口部の内面に第1の導電膜を被着させる第1の段階と、前記第2の基板の前記一側の面側から前記一側の面の前記開口縁の周囲部分と前記開口部の内面に第2の導電膜を被着させる第2の段階とを有し、前記第1の導電膜と前記第2の導電膜が前記開口部の内部にて導電接続されることにより前記導電膜が形成されることが好ましい。ここで、第1の段階と第2の段階とはいずれを先に実施しても構わない。これによれば、導電膜の一部として開口部の内面上に一側の面から反対側の開口縁に到達する導電経路を確実に形成することができる。   In the present invention, the step of forming the conductive film includes a step of depositing a first conductive film from the opposite surface side of the second substrate to the opposite surface and the inner surface of the opening. And a second step of depositing a second conductive film from the one side surface side of the second substrate to the peripheral portion of the opening edge of the one side surface and the inner surface of the opening portion. Preferably, the conductive film is formed by conductively connecting the first conductive film and the second conductive film inside the opening. Here, either the first stage or the second stage may be performed first. According to this, a conductive path that reaches the opening edge on the opposite side from one surface can be reliably formed on the inner surface of the opening as a part of the conductive film.

本発明の上記製造方法においては、前記開口部を形成する工程では、前記開口部の前記反対側の面の前記開口縁が傾斜状に構成されることが好ましい。また、前記開口部の前記一側の面の開口縁も傾斜状に構成されることが望ましい。   In the manufacturing method of the present invention, in the step of forming the opening, it is preferable that the opening edge of the surface on the opposite side of the opening is configured to be inclined. Moreover, it is desirable that the opening edge of the one side surface of the opening is also configured to be inclined.

第1実施形態の電気光学装置の一部を拡大して示す拡大部分縦断面図。FIG. 3 is an enlarged partial longitudinal sectional view illustrating a part of the electro-optical device according to the first embodiment in an enlarged manner. 第1実施形態の電気光学装置の全体構成を示す概略斜視図。1 is a schematic perspective view illustrating an overall configuration of an electro-optical device according to a first embodiment. 第1実施形態の電気光学装置の画素構造を示す拡大平面図。FIG. 3 is an enlarged plan view illustrating a pixel structure of the electro-optical device according to the first embodiment. 第1実施形態の電気光学装置の画素構造を示す拡大縦断面図。FIG. 3 is an enlarged longitudinal sectional view showing a pixel structure of the electro-optical device according to the first embodiment. 第2実施形態の電気光学装置の導電接続部を拡大して示す拡大部分縦断面図(a)及び(b)。Enlarged partial longitudinal sectional views (a) and (b) showing an enlarged conductive connection portion of the electro-optical device of the second embodiment. 第2実施形態の電気光学装置の他の導電接続部を拡大して示す拡大部分縦断面図(a)及び(b)。Enlarged partial longitudinal sectional views (a) and (b) showing another conductive connection portion of the electro-optical device of the second embodiment in an enlarged manner. 第3実施形態の電気光学装置の導電接続部を拡大して示す拡大部分縦断面図(a)及び第4実施形態の電気光学装置の導電接続部を拡大して示す拡大部分縦断面図(b)。An enlarged partial longitudinal sectional view (a) showing an enlarged conductive connecting portion of the electro-optical device according to the third embodiment and an enlarged partial longitudinal sectional view (b) showing an enlarged conductive connecting portion of the electro-optical device according to the fourth embodiment. ). 第5実施形態の電気光学装置の一部を拡大して示す拡大部分縦断面図(a)及び第6実施形態の電気光学装置の導電接続部を拡大して示す拡大部分縦断面図(b)。An enlarged partial vertical sectional view (a) showing an enlarged part of the electro-optical device according to the fifth embodiment and an enlarged partial vertical sectional view (b) showing an enlarged conductive connection part of the electro-optical device according to the sixth embodiment. . 第1実施形態の電気光学装置のパネル構造を模式的に示す概略平面図。FIG. 3 is a schematic plan view schematically showing a panel structure of the electro-optical device according to the first embodiment. 第7実施形態の電気光学装置の製造方法を模式的に示す概略フローチャート。10 is a schematic flowchart schematically showing a method for manufacturing an electro-optical device according to a seventh embodiment. 第7実施形態の製造工程をそれぞれ示す概略断面図(a)及び(b)。Schematic sectional drawing (a) and (b) which respectively show the manufacturing process of 7th Embodiment. 第7実施形態の製造工程を示す概略断面図。The schematic sectional drawing showing the manufacturing process of a 7th embodiment. 従来の電気光学装置の全体構成を模式的に示す概略斜視図。FIG. 6 is a schematic perspective view schematically showing an overall configuration of a conventional electro-optical device. 従来の電気光学装置の一部を拡大して示す概略部分縦断面図。FIG. 6 is a schematic partial longitudinal sectional view showing an enlarged part of a conventional electro-optical device. 電子機器の外観を示す斜視図。The perspective view which shows the external appearance of an electronic device. 電子機器の表示制御系の構成を示す概略構成図。The schematic block diagram which shows the structure of the display control system of an electronic device.

次に、添付図面を参照して本発明の実施形態について詳細に説明する。   Next, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.

[第1実施形態]
図1は本発明に係る第1実施形態の電気光学装置の一部の構成を模式的に示す概略断面図、図2は電気光学装置の全体構成を示す概略斜視図である。本実施形態の電気光学装置は、第1の基板11と第2の基板12とが対向配置され、その間に電気光学物質である液晶13が配置されたパネル構造10Pを備えている。このパネル構造10Pは、第1の基板11と第2の基板12を張り合わせるための枠状のシール材14を有し、このシール材14の内側に上記液晶13が封入された状態とされている。
[First embodiment]
FIG. 1 is a schematic sectional view schematically showing a part of the configuration of the electro-optical device according to the first embodiment of the present invention, and FIG. 2 is a schematic perspective view showing the overall configuration of the electro-optical device. The electro-optical device according to this embodiment includes a panel structure 10P in which a first substrate 11 and a second substrate 12 are disposed to face each other, and a liquid crystal 13 that is an electro-optical material is disposed therebetween. The panel structure 10P includes a frame-shaped sealing material 14 for bonding the first substrate 11 and the second substrate 12, and the liquid crystal 13 is sealed inside the sealing material 14. Yes.

第1の基板11の一側の面(第2の基板12側の面、以下、単に「内面」という。)11a上には、シール材14の内側において後述する内面構造110が形成される。また、この内面11a上には、ITO(インジウムスズ酸化物)や金属材料などからなる接地用電極19が形成される。この接地用電極19は、第1の基板11が第2の基板12と平面的に重なる領域(図示例ではシール材14の形成領域と重なる領域)から第1の基板11の第2の基板12の端部より外側に張り出してなる基板張出領域11Tまでシール材14の外側へ向けて延在するように構成されている。この接地用電極19は、上記第1の基板11が第2の基板12と平面的に重なる領域のうち、特に、後述する開口部12cの少なくとも一部と平面的に重なる位置に設けられるように構成される。   On a surface on one side of the first substrate 11 (a surface on the second substrate 12 side, hereinafter simply referred to as “inner surface”) 11 a, an inner surface structure 110 described later is formed inside the sealing material 14. A grounding electrode 19 made of ITO (indium tin oxide) or a metal material is formed on the inner surface 11a. The grounding electrode 19 extends from a region where the first substrate 11 overlaps with the second substrate 12 in a plane (in the illustrated example, a region where the sealing material 14 is formed) to the second substrate 12 of the first substrate 11. It is configured to extend toward the outside of the sealing material 14 up to the substrate overhanging region 11 </ b> T that projects outward from the end of the substrate. The grounding electrode 19 is provided in a region where the first substrate 11 overlaps the second substrate 12 in a plane, particularly at a position where the first substrate 11 overlaps at least a part of an opening 12c described later. Composed.

第2の基板12の一側の面(第1の基板11側の面、以下、単に「内面」という。)12a上には、シール材14の内側において後述する内面構造120が形成される。また、第2の基板12の端部であって、上記シール材14と平面的に重なる領域には、上記内面12aから当該内面12aとは反対側の面(以下、単に「外面」という。)12bまで貫通する開口部12cが設けられている。この開口部12cは図示例では開口断面が円形の孔として示されている。ただし、開口断面の形状は任意であり、例えば、開口部12cは開口断面形状が多角形とされた角孔であってもよい。また、開口部12cは、図示例のような孔ではなく、第2の基板12の端部に開放された切り欠き状の開口部であってもよい。   An inner surface structure 120 to be described later is formed on the inner surface of the sealing material 14 on one surface of the second substrate 12 (a surface on the first substrate 11 side, hereinafter simply referred to as “inner surface”) 12 a. Further, in the end portion of the second substrate 12 and in a region overlapping with the sealing material 14 in a plane, a surface opposite to the inner surface 12a from the inner surface 12a (hereinafter simply referred to as “outer surface”). An opening 12c that penetrates to 12b is provided. The opening 12c is shown as a hole having a circular opening cross section in the illustrated example. However, the shape of the opening cross section is arbitrary, and for example, the opening 12c may be a square hole having a polygonal opening cross section. The opening 12c may be a notch-like opening opened at the end of the second substrate 12 instead of the hole shown in the example of the drawing.

第2の基板12の外面12b上にはITO等の透明導電体よりなる導電膜29が形成されている。この導電膜29は、第2の基板12の外面12bのうち、少なくとも後述する有効表示領域Aの全体を覆うように形成される。導電膜29は、外面12b上に形成された外側部分29aと、この外側部分29aに対して上記開口部12cの外面12b側の開口縁12eを越えて導電接続され、開口部12cの内部の表面である内面12d上に形成された内側通過部分29bとを有する。図示例では、当該内側通過部分29bは内面12d上から開口部12cの内面12a側の開口縁12fまで到達している。また、図示例では、導電膜29は上記内側通過部分29bに対して上記開口縁12fを越えて導電接続され、開口縁12fの周囲の内面12a上に張り出した内側張出部29cを備えている。なお、上記内側通過部分29bは開口部12cを閉塞しないように形成され、その結果、内側通過部分29bの内側は空洞となっている。   A conductive film 29 made of a transparent conductor such as ITO is formed on the outer surface 12 b of the second substrate 12. The conductive film 29 is formed so as to cover at least the entire effective display area A, which will be described later, on the outer surface 12 b of the second substrate 12. The conductive film 29 is conductively connected to the outer portion 29a formed on the outer surface 12b and the outer portion 29a across the opening edge 12e on the outer surface 12b side of the opening 12c, and the inner surface of the opening 12c. And an inner passage portion 29b formed on the inner surface 12d. In the illustrated example, the inner passage portion 29b reaches from the inner surface 12d to the opening edge 12f on the inner surface 12a side of the opening 12c. Further, in the illustrated example, the conductive film 29 is electrically connected to the inner passage portion 29b beyond the opening edge 12f, and includes an inner projecting portion 29c projecting on the inner surface 12a around the opening edge 12f. . The inner passage portion 29b is formed so as not to close the opening 12c. As a result, the inner passage portion 29b is hollow.

シール材14は液晶13を取り巻くように枠状(図示例では矩形枠状)に構成される。このシール材14は、上記開口部12cと平面的に重なる部分において図1に示すように導電膜29の内側通過部分29b及び内側張出部分29cと導電接触している。図示例の場合、シール材14は絶縁樹脂(例えば、熱硬化性樹脂)14a中に導電性粒子14bが混入されたものであり、当該導電性粒子14bは導電膜29と接地用電極19とに共に導電接触した状態とされている。また、シール材14は開口部12cの内部に嵌合し、その第2の基板12側の一部が開口部12cの内部に第2の基板12の厚さを超えない範囲で入り込んだ形状となっている。図示例の場合、シール材14は開口部12cの全体を内側から覆い、これによって開口部12cの内部の空洞は内側から完全に閉鎖されている。   The sealing material 14 is configured in a frame shape (in the illustrated example, a rectangular frame shape) so as to surround the liquid crystal 13. As shown in FIG. 1, the sealing material 14 is in conductive contact with the inner passage portion 29b and the inner overhang portion 29c of the conductive film 29 in a portion overlapping the opening 12c in a plan view. In the case of the illustrated example, the sealing material 14 is obtained by mixing conductive particles 14b in an insulating resin (for example, thermosetting resin) 14a. The conductive particles 14b are connected to the conductive film 29 and the ground electrode 19. Both are in conductive contact. The sealing material 14 is fitted into the opening 12c, and a part of the second substrate 12 side enters into the opening 12c within a range not exceeding the thickness of the second substrate 12. It has become. In the case of the illustrated example, the sealing material 14 covers the entire opening 12c from the inside, whereby the cavity inside the opening 12c is completely closed from the inside.

第1の基板11の第2の基板12とは反対側の面(以下、単に「外面」という。)11b上には偏光板17が貼着され、上記有効表示領域Aの全体を覆っている。また、第2の基板12の外面12b上にも偏光板18が貼着され、上記有効表示領域Aの全体を覆っている。図示例の場合、上記開口部12cは偏光板18によって外側から完全に覆われ、これによって開口部12cの内部の空洞は外側から完全に閉鎖されている。   A polarizing plate 17 is attached on the surface of the first substrate 11 opposite to the second substrate 12 (hereinafter simply referred to as “outer surface”) 11b, and covers the entire effective display area A. . In addition, a polarizing plate 18 is stuck on the outer surface 12 b of the second substrate 12 to cover the entire effective display area A. In the case of the illustrated example, the opening 12c is completely covered from the outside by the polarizing plate 18, whereby the cavity inside the opening 12c is completely closed from the outside.

なお、図2に示すように、上記開口部12cは第2の基板12の角部(第1の基板11の基板張出部11T側の二つの角部)に設けられている。当該角部は他の部位に比べて第1の基板11及び第2の基板12の変形が生じにくいことから、上記のように開口部12cを第2の基板12の角部に形成することにより、導電膜29、導電材(導電性粒子)14b及び接地用電極19の導電接続部に変形応力が加わり難くなるため、安定した導電接続状態が確保され、電気的信頼性を高めることが可能になる。   As shown in FIG. 2, the opening 12c is provided at a corner of the second substrate 12 (two corners on the substrate overhanging portion 11T side of the first substrate 11). Since the corners are less likely to deform the first substrate 11 and the second substrate 12 than other parts, the openings 12c are formed in the corners of the second substrate 12 as described above. In addition, since it is difficult for deformation stress to be applied to the conductive connection portions of the conductive film 29, the conductive material (conductive particles) 14b, and the grounding electrode 19, a stable conductive connection state can be ensured and electrical reliability can be improved. Become.

第1の基板の上記基板張出部11T上には、図2に示すように、上記接地用電極19とともに有効表示領域Aから引き出された複数の表示側配線112p、113p、116pが延在している。これらの表示側配線112p、113p、116pは、基板張出部11Tの中央部上に実装された駆動回路を構成する駆動IC150に導電接続されている。また、基板張出部11T上には複数の入力側配線118pが形成され、これらの入力側配線118pは、上記駆動IC150と、基板張出部11Tの端縁に実装されたフレキシブル配線基板等で構成される配線部材170に接続されている。なお、配線部材170の先端には電子機器の本体への接続コネクタ173が形成される。ここで、接続コネクタ173は、上記基板張出部11Tの幅方向側方に配置されているが、本発明は特に配線部材170の形状を何ら限定するものではない。   As shown in FIG. 2, a plurality of display-side wirings 112p, 113p, and 116p led out from the effective display area A together with the grounding electrode 19 extend on the substrate overhanging portion 11T of the first substrate. ing. These display-side wirings 112p, 113p, and 116p are conductively connected to a drive IC 150 that constitutes a drive circuit mounted on the central portion of the substrate extension portion 11T. A plurality of input-side wirings 118p are formed on the substrate overhanging portion 11T, and these input-side wirings 118p are formed by the drive IC 150 and a flexible wiring board mounted on the edge of the substrate overhanging portion 11T. The wiring member 170 is connected. A connection connector 173 to the main body of the electronic device is formed at the tip of the wiring member 170. Here, although the connection connector 173 is disposed on the side in the width direction of the board extending portion 11T, the present invention does not particularly limit the shape of the wiring member 170 in any way.

本実施形態は、上述のように電気光学物質として液晶13を用いた液晶表示体を構成する上記パネル構造10Pを備えたものである。しかし、本発明は、液晶表示体に限らず、上記導電膜29による静電気の影響を低減する意義のある各種の電気光学装置、例えば、電気泳動表示体、有機EL表示体などにも適用できる。   This embodiment includes the panel structure 10P that constitutes the liquid crystal display using the liquid crystal 13 as the electro-optical material as described above. However, the present invention can be applied not only to the liquid crystal display but also to various electro-optical devices that are meaningful to reduce the influence of static electricity due to the conductive film 29, such as an electrophoretic display and an organic EL display.

また、本実施形態は、上述のように液晶表示体を構成するパネル構造10Pを有するものであるが、各種の液晶表示体の中でもIPS方式やFFS方式といった横電界方式の液晶表示体に対して適用する場合に高い効果を奏するものであるので、以下、本実施形態のパネル構造10Pの構成例としてFFS方式の構造について説明する。   In addition, the present embodiment has the panel structure 10P constituting the liquid crystal display as described above. Among various liquid crystal displays, the liquid crystal display according to the horizontal electric field method such as the IPS method and the FFS method is used. Since this embodiment has a high effect when applied, an FFS structure will be described below as a configuration example of the panel structure 10P of the present embodiment.

図9は本実施形態のパネル構造10Pの全体構成を示す概略平面図である。本実施形態において、シール材14の内側には有効表示領域Aが設けられ、この有効表示領域A内には多数のサブ画素SGが縦横にマトリクス状に配列されている。有効表示領域A内においては、上記サブ画素SGの配列方向のうち上記基板張出部11Tの側から反対側に向けた方向に複数のデータ線116が並行に延在している。また、有効表示領域A内においては、上記のデータ線116と直交する方向に複数のゲート線112及びコモン線113が並行に延在している。そして、有効表示領域A内においては、全体として格子状に構成された上記データ線116とゲート線112及びコモン線113とによって囲まれた平面領域にそれぞれ上記サブ画素SGが構成される。   FIG. 9 is a schematic plan view showing the overall configuration of the panel structure 10P of the present embodiment. In the present embodiment, an effective display area A is provided inside the sealing material 14, and a large number of subpixels SG are arranged in a matrix in the effective display area A vertically and horizontally. In the effective display area A, a plurality of data lines 116 extend in parallel in a direction from the substrate extension portion 11T toward the opposite side in the arrangement direction of the sub-pixels SG. In the effective display area A, a plurality of gate lines 112 and common lines 113 extend in parallel in a direction orthogonal to the data lines 116. In the effective display area A, the sub-pixels SG are respectively formed in planar areas surrounded by the data lines 116, the gate lines 112, and the common lines 113 that are configured in a lattice shape as a whole.

本実施形態の液晶装置10は、図1に示すように、第1の基板11の内面11a上に第1の内面構造110が形成され、第2の基板12の内面12a上に第2の内面構造120が形成される。そして、第1の内面構造110と第2の内面構造120により、上記の各サブ画素SGが画成されるとともに各サブ画素SGにおいてそれぞれ独立した電界が液晶13に付与可能とされる。本実施形態においてカラー表示を可能とする表示体を構成する場合には、図3に示すように、複数の隣接するサブ画素SGとして後述するように異なる色のフィルタ層Gr、Gg、Gbが配置された複数のサブ画素SGが一組となって画素(ピクセル;絵素)Gを構成する。   In the liquid crystal device 10 of the present embodiment, as shown in FIG. 1, the first inner surface structure 110 is formed on the inner surface 11 a of the first substrate 11, and the second inner surface is formed on the inner surface 12 a of the second substrate 12. A structure 120 is formed. The first inner surface structure 110 and the second inner surface structure 120 define each of the sub-pixels SG, and can apply an independent electric field to the liquid crystal 13 in each sub-pixel SG. In the case of configuring a display body capable of color display in the present embodiment, as shown in FIG. 3, filter layers Gr, Gg, Gb of different colors are arranged as will be described later as a plurality of adjacent subpixels SG. The plurality of sub-pixels SG formed as a set constitutes a pixel (pixel; picture element) G.

図3及び図4に示すように、第1の内面構造110は、第1の基板11上に下地絶縁層111を介して形成されたゲート線112及びコモン線113と、このコモン線113に導電接続された共通電極114と、ゲート線112に対しゲート絶縁膜112aを介して上方に対向配置されるシリコン等の半導体層115と、上記ゲート線112及びコモン線113とは交差する方向に伸びるデータ線(ソース線)116と、データ線116に導電接続され、半導体層115に導電接続されたソース電極116aと、当該ソース電極116aに対し半導体層115のチャネル領域(ゲート線112の一部のゲート電極となる部分と対向する活性領域)を挟んで半導体層115に導電接続されるドレイン電極116bと、このドレイン電極116bに導電接続されるとともに、上記共通電極114と絶縁層119を介して平面的に重ねて配置され、共通電極114と平面的に重なる範囲に開口部117aを備えた画素電極117とを有する。なお、この第1の画素構造110には上述の配向膜16も含まれる。   As shown in FIGS. 3 and 4, the first inner surface structure 110 includes a gate line 112 and a common line 113 formed on the first substrate 11 with a base insulating layer 111 interposed therebetween, and a conductive line connected to the common line 113. Data that extends in a direction in which the connected common electrode 114, the semiconductor layer 115 such as silicon disposed above the gate line 112 via the gate insulating film 112a, and the gate line 112 and the common line 113 intersect. A source electrode 116a that is conductively connected to the line (source line) 116, the data line 116, and conductively connected to the semiconductor layer 115; and a channel region of the semiconductor layer 115 (a part of the gate line 112) with respect to the source electrode 116a. A drain electrode 116b that is conductively connected to the semiconductor layer 115 across an active region facing a portion to be an electrode), and the drain electrode 116b Together conductively connected, they are arranged to overlap in a plane through the common electrode 114 and the insulating layer 119, and a pixel electrode 117 having an opening 117a in a range planarly overlapping the common electrode 114. Note that the first pixel structure 110 also includes the alignment film 16 described above.

上記ゲート線112のゲート電極部分、ゲート絶縁膜112a、半導体層115、ソース電極116及びドレイン電極116bは画素G毎に設けられるスイッチング素子であるTFT(薄膜トランジスタ)を構成し、このゲート線112の電位によってオンオフ制御される当該TFTを介してデータ線116の電位が画素電極117に供給される。そして、共通電極114と画素電極117との間に電位差が与えられると、画素電極117の開口部117aを通して第1の内面構造110の表面に沿った横電界が形成され、これが液晶13に付与される。   The gate electrode portion of the gate line 112, the gate insulating film 112a, the semiconductor layer 115, the source electrode 116, and the drain electrode 116b constitute a TFT (thin film transistor) that is a switching element provided for each pixel G, and the potential of the gate line 112 Thus, the potential of the data line 116 is supplied to the pixel electrode 117 through the TFT which is controlled to be turned on / off by. When a potential difference is applied between the common electrode 114 and the pixel electrode 117, a lateral electric field is formed along the surface of the first inner surface structure 110 through the opening 117 a of the pixel electrode 117, and this is applied to the liquid crystal 13. The

一方、第2の内面構造120には、第2の基板12上にCrやCr合金等よりなる遮光膜121が形成され、この遮光膜121の非形成領域がサブ画素SGを画成するとともに、遮光膜121の形成領域が画素間領域Hを構成する。また、その上にはカラーフィルタ122が形成される。このカラーフィルタ122は、サブ画素SG毎に対応する色を備えたフィルタ層が配列されたものである。図示例では、赤色のフィルタ層を備えた画素Gr、緑色のフィルタ層を備えた画素Gg、青色のフィルタ層を備えた画素Gbが順番に配列されている様子を示してある。これらのフィルタ層の配列パターンとしては、本実施形態の場合にはストライプ配列、斜めモザイク配列などが例示される。各色のフィルタ層の境界は上記遮光膜121の設けられた画素間領域Hに配置される。なお、この第2の内面構造120にも配向膜123が含まれる。   On the other hand, in the second inner surface structure 120, a light shielding film 121 made of Cr, Cr alloy or the like is formed on the second substrate 12, and a non-formation region of the light shielding film 121 defines a sub-pixel SG. The formation region of the light shielding film 121 forms the inter-pixel region H. Further, a color filter 122 is formed thereon. The color filter 122 is an array of filter layers having colors corresponding to the sub-pixels SG. In the illustrated example, a pixel Gr having a red filter layer, a pixel Gg having a green filter layer, and a pixel Gb having a blue filter layer are sequentially arranged. Examples of the arrangement pattern of these filter layers include a stripe arrangement and an oblique mosaic arrangement in the case of the present embodiment. The boundary between the filter layers of each color is disposed in the inter-pixel region H where the light shielding film 121 is provided. The second inner surface structure 120 also includes an alignment film 123.

図9に示すように、上記ゲート線112は基板張出領域11T上に引き出されて上記表示用配線112pとなり、上記コモン線113も基板張出領域11T上に引き出されて上記表示用配線113pとなり、上記データ線116は基板張出領域11T上に引き出されて上記表示用配線116pとなり、それぞれ駆動IC150に導電接続される。また、上記入力用配線118pは駆動IC150と配線部材170とに導電接続され、配線部材170に設けられた複数の主配線パターン171に導電接続される。また、上記接地側電極19は、配線部材170に設けられた接地用配線パターン172に導電接続される。   As shown in FIG. 9, the gate line 112 is drawn on the substrate extension region 11T to become the display wiring 112p, and the common line 113 is also drawn on the substrate extension region 11T to become the display wiring 113p. The data lines 116 are drawn onto the substrate overhanging region 11T to form the display wirings 116p, which are conductively connected to the driving IC 150, respectively. The input wiring 118p is conductively connected to the driving IC 150 and the wiring member 170, and is conductively connected to a plurality of main wiring patterns 171 provided on the wiring member 170. The ground side electrode 19 is conductively connected to a ground wiring pattern 172 provided on the wiring member 170.

再び図1及び図2を参照して説明を続ける。本実施形態において、上記導電膜29の外側部分29aは第2の基板12の少なくとも上記有効表示領域A内を完全に被覆している。そして、有効表示領域Aからの光の出射を可能とするために、導電膜29の外側部分29aは透光性、好ましくは透明性を有したものとされる。このような導電膜29の外側部分29aを構成する素材としては、ITO、SnOなどの透明導電体が挙げられる。上記の外側部分29aは有効表示領域Aの外側においては少なくとも開口部12cの開口縁12eの少なくとも一部に到達するように形成される。第2の基板12の開口部12cは、上記有効表示領域Aの外側であって、しかも、液晶13等の電気光学物質の配置されている平面範囲の外側に形成される。 The description will be continued with reference to FIGS. 1 and 2 again. In the present embodiment, the outer portion 29 a of the conductive film 29 completely covers at least the effective display area A of the second substrate 12. In order to allow light to be emitted from the effective display area A, the outer portion 29a of the conductive film 29 has translucency, preferably transparency. Examples of the material constituting the outer portion 29a of the conductive film 29 include transparent conductors such as ITO and SnO 2 . The outer portion 29a is formed so as to reach at least a part of the opening edge 12e of the opening 12c outside the effective display area A. The opening 12c of the second substrate 12 is formed outside the effective display area A and outside the plane area where the electro-optic material such as the liquid crystal 13 is arranged.

本実施形態では、開口部12cの形成位置は、電気光学物質の配置されている平面範囲の外側にあり、シール材14が配置されている領域と平面的に重なる。これは、本実施形態の導電材がシール材14の内部に配置された導電性粒子14bとなっているためである。しかしながら、一般的には、開口部12cの形成位置をシール材14よりもさらに外側に配置するとともに、導電材をシール材14の外側に設けても構わない。なお、図示例ではシール材14を絶縁樹脂14a内に導電性粒子14bが分散配置されたものとしているが、例えば、シール材14を導電ペースト等の導電性材料で構成してもよい。この場合には、図9に示すように各種配線112p、113p、116pに対する絶縁のための絶縁層14xを形成する。   In the present embodiment, the position where the opening 12c is formed is outside the plane range where the electro-optical material is arranged, and overlaps the area where the sealing material 14 is arranged in a plane. This is because the conductive material of the present embodiment is the conductive particles 14 b disposed inside the sealing material 14. However, in general, the position where the opening 12c is formed may be arranged on the outer side of the sealing material 14, and the conductive material may be provided on the outer side of the sealing material 14. In the illustrated example, the sealing material 14 is formed by dispersing the conductive particles 14b in the insulating resin 14a. However, for example, the sealing material 14 may be made of a conductive material such as a conductive paste. In this case, as shown in FIG. 9, an insulating layer 14x for insulating the various wirings 112p, 113p, and 116p is formed.

最も好ましい態様としては、外側部分29aは、開口部12cの開口縁12eを全周にわたって覆うように設けられる。また、この場合には、内側通過部分29bもまた、開口部12cの内面12dの全体を覆うように構成されることが好ましい。このようにすると、導電膜29の外側部分29aと内側通過部分29bとが開口縁12eの全周にわたって導電接続されることとなるので、導電膜29の当該部分の電気抵抗を低減することができる。なお、上記のように開口部12cの内面12dの全体に形成された導電膜を介して導電接続する態様は、導電接続部をコンパクトに構成しつつ導電接触面積を確保して電気抵抗を低減する上で好適な構成である。   In the most preferred embodiment, the outer portion 29a is provided so as to cover the entire opening edge 12e of the opening 12c. In this case, the inner passage portion 29b is also preferably configured to cover the entire inner surface 12d of the opening 12c. In this way, the outer portion 29a and the inner passage portion 29b of the conductive film 29 are conductively connected over the entire circumference of the opening edge 12e, so that the electrical resistance of the portion of the conductive film 29 can be reduced. . In addition, the aspect which carries out conductive connection through the electrically conductive film formed in the whole inner surface 12d of the opening part 12c as mentioned above reduces an electrical resistance by ensuring a conductive contact area, comprising a conductive connection part compactly. The above configuration is preferable.

なお、導電膜29の全てが同一素材で一体に構成されている必要はなく、例えば、外側部分29aと、内側通過部分29bと、内側張出部分29cとが別々の素材で構成されていてもよいなど、任意の部分が他の部分と異なる素材で構成されていてもよい。例えば、典型的には、有効表示領域A内の部分が透明導電体で構成され、有効表示領域A以外の部分が金属材料で構成されてもよい。また、導電膜29の全体が同一素材で構成されるか異なる二以上の素材で構成されるかを問わず、導電膜29は単一の工程で形成されたものであってもよく、或いは、二以上の工程で形成されたものであってもよい。   Note that it is not necessary that all the conductive films 29 are integrally formed of the same material. For example, the outer portion 29a, the inner passage portion 29b, and the inner overhang portion 29c may be formed of different materials. For example, any part may be made of a material different from other parts. For example, typically, the portion in the effective display area A may be made of a transparent conductor, and the portion other than the effective display area A may be made of a metal material. Further, regardless of whether the entire conductive film 29 is formed of the same material or two or more different materials, the conductive film 29 may be formed in a single process, or It may be formed by two or more steps.

本実施形態において、導電膜29と導電性粒子14bとの導電接触の態様は、開口部12cとの位置関係において種々考えられる。図示例では、導電性粒子14bは開口部12cの少なくとも一部と平面的に重なる位置に配置され、導電性粒子14bが内側通過部分29b及び内側張出部分29cに導電接触している。このとき、内側通過部分29b及び内側張出部分29cは開口部12cの開口縁12fの全周にわたって形成されているので、導電性粒子14bとの導電接触状態を確実に得ることができる。ここで、導電性粒子14bが開口部12cの開口領域の全体と平面的に重なる位置に配置され、開口縁12fの全周上に形成された導電膜29と全周にわたって導電接触することが電気抵抗を低減する上で好ましい。ただし、シール材14内に含まれる導電性粒子14bを正確に開口部12cと平面的に一致した位置に配置することは必ずしも容易ではない。この場合、導電材を後述する導電ペーストなどの均質な導電体とみなし得る素材で形成したときには、当該導電ペーストを開口部12cと平面的に重なる範囲を含むように配置することは容易に実現できる。   In the present embodiment, various modes of conductive contact between the conductive film 29 and the conductive particles 14b can be considered in the positional relationship with the opening 12c. In the illustrated example, the conductive particles 14b are arranged at a position overlapping with at least a part of the opening 12c in a plane, and the conductive particles 14b are in conductive contact with the inner passage portion 29b and the inner overhang portion 29c. At this time, since the inner passage portion 29b and the inner overhang portion 29c are formed over the entire circumference of the opening edge 12f of the opening 12c, a conductive contact state with the conductive particles 14b can be reliably obtained. Here, it is electrically connected that the conductive particles 14b are disposed in a position overlapping the entire opening region of the opening 12c in a planar manner and are in conductive contact with the conductive film 29 formed on the entire circumference of the opening edge 12f. It is preferable for reducing the resistance. However, it is not always easy to dispose the conductive particles 14b included in the sealing material 14 at a position that exactly coincides with the opening 12c in a plan view. In this case, when the conductive material is formed of a material that can be regarded as a homogeneous conductor such as a conductive paste described later, it is possible to easily arrange the conductive paste so as to include a range that overlaps the opening 12c in a plane. .

以上のように構成された本実施形態では、第2の基板12に開口部12cが設けられ、この開口部12cの内面12d上に形成されて開口縁12fに到達する導電膜29の内側通過部分29b及びこの内部通過部分29bから更に張り出した内側張出部分29cがシール材14の導電材である導電性粒子14bに導電接触し、この導電性粒子14bがさらに接地用電極19に導電接触されている。したがって、第2の基板12に設けられた導電膜29は導電材であるシール材14内の導電性粒子14bを介して接地用電極19に導電接続されることで、外部の静電気等により第2の基板12が帯電することを防止でき、これによって有効表示領域A内の電界の異常を回避して表示態様の適正化を図ることができる。   In the present embodiment configured as described above, the opening portion 12c is provided in the second substrate 12, and the inner passage portion of the conductive film 29 formed on the inner surface 12d of the opening portion 12c and reaching the opening edge 12f. 29b and an inner projecting portion 29c further projecting from the inner passage portion 29b are in conductive contact with the conductive particles 14b which are the conductive material of the sealing material 14, and the conductive particles 14b are further in conductive contact with the grounding electrode 19. Yes. Therefore, the conductive film 29 provided on the second substrate 12 is conductively connected to the grounding electrode 19 through the conductive particles 14b in the sealing material 14 which is a conductive material, so that the second conductive film 29 is electrically connected to the second electrode due to external static electricity or the like. It is possible to prevent the substrate 12 from being charged, thereby avoiding abnormalities in the electric field in the effective display area A and optimizing the display mode.

また、接地用電極19は開口部12cの少なくとも一部と平面的に重なる領域を含むので、導電性粒子14bである導電材を間に配置するだけで、開口縁上の導電膜29と接地用電極19とを容易かつ確実に導通させることができる。   Further, since the grounding electrode 19 includes a region that overlaps at least a part of the opening 12c in a plan view, the grounding electrode 19 and the grounding electrode 19 can be grounded only by placing a conductive material as the conductive particles 14b therebetween. The electrode 19 can be easily and reliably conducted.

特に、第2の基板12の外面12b上に形成された導電膜29の外側部分29aは、開口部12cの内部を通って第1の基板11と第2の基板12の間に配置される導電材(導電性粒子14b)に導電接続されるので、従来の特許文献1や図12及び図13に示された導電接続構造のように外部に露出した状態にはならず、導電接続構造が第2の基板12の開口部12c内を通過して第1の基板11と第2の基板12の間の導電材を経て接地されるので、断線の虞を低減できるとともに、装置をコンパクトに構成することが可能になる。   In particular, the outer portion 29a of the conductive film 29 formed on the outer surface 12b of the second substrate 12 passes through the opening 12c and is disposed between the first substrate 11 and the second substrate 12. Since the conductive connection is made to the material (conductive particles 14b), the conductive connection structure is not exposed to the outside as in the conventional conductive connection structure shown in Patent Document 1 and FIGS. Since the second substrate 12 passes through the opening 12c and is grounded via the conductive material between the first substrate 11 and the second substrate 12, the possibility of disconnection can be reduced and the apparatus can be made compact. It becomes possible.

また、本実施形態では、従来の特許文献2に記載されているように導電膜を接地するために導電ペースト等の導電材を第2の基板の貫通孔を通してさらに第1の基板上まで到達させる必要がなく、第1の基板11と第2の基板12の間に配置された導電材を、第2の基板12に設けられた開口部12cの開口縁若しくはその周囲上の導電膜29に導電接触させるだけで足りるので、導電接続構造の形成を容易に行うことができるとともに、電気的信頼性も高めることができる。   Further, in the present embodiment, as described in the conventional patent document 2, in order to ground the conductive film, a conductive material such as a conductive paste is made to reach the first substrate further through the through hole of the second substrate. There is no need to conduct the conductive material disposed between the first substrate 11 and the second substrate 12 to the conductive film 29 on the opening edge of the opening 12c provided on the second substrate 12 or on the periphery thereof. Since only the contact is sufficient, the conductive connection structure can be easily formed and the electrical reliability can be improved.

さらに、本実施形態では、開口部12cと平面的に重なった位置にシール材14が配置され、このシール材14の一部が開口縁12fから開口部12cの内部に第2の基板12の厚さを超えない範囲で入り込む態様で導電膜29と導電性粒子14bとが導電接触しているので、導電接続構造を容易に実現できるとともに導電接続状態を安定させることができ、電気的信頼性をさらに向上させることが可能となっている。   Further, in the present embodiment, the sealing material 14 is disposed at a position overlapping the opening 12c in a plane, and a part of the sealing material 14 extends from the opening edge 12f to the inside of the opening 12c. Since the conductive film 29 and the conductive particles 14b are in conductive contact in a manner that does not exceed the thickness, the conductive connection structure can be easily realized and the conductive connection state can be stabilized, and the electrical reliability can be improved. Further improvement is possible.

本実施形態では、開口部12cの内面12d上に導電膜29の一部である内側通過部分29bが形成されるが、この内側通過部分29cは開口部12cを閉塞しないように、すなわち、内側通過部分29cが形成されても、開口部12cの内部に内面12aから外面12bまでの通路(空洞)が確保されるように構成される。これによって、導電性粒子14bなどの導電材が内側通過部分29bに直接導電接触するように構成することも可能になる。これは、特に後述するように導電ペーストのような開口部12cに第2の基板12の厚さを超えない範囲で入り込むことができる導電材を用いる場合には特に有用である。この場合には、導電膜29に上記内側張出部分29cを設ける必要はなく、内側通過部分29bがある程度内面12aに近いところまで形成されていれば足りる。   In the present embodiment, an inner passage portion 29b, which is a part of the conductive film 29, is formed on the inner surface 12d of the opening portion 12c. The inner passage portion 29c does not close the opening portion 12c, that is, the inner passage portion. Even if the portion 29c is formed, a passage (cavity) from the inner surface 12a to the outer surface 12b is secured inside the opening 12c. This also makes it possible to configure the conductive material such as the conductive particles 14b to be in direct conductive contact with the inner passage portion 29b. This is particularly useful when using a conductive material that can enter the opening 12c, such as a conductive paste, within a range not exceeding the thickness of the second substrate 12, as will be described later. In this case, it is not necessary to provide the inner overhanging portion 29c in the conductive film 29, and it is sufficient if the inner passage portion 29b is formed to a certain degree close to the inner surface 12a.

また、図示例ではシール材14の一部が開口部12cの内部に入り込んだ状態とされているが、これによって導電膜29と導電性粒子14bとの導電接触状態が安定化し、電気的信頼性を高めることができる。ただし、シール材14は開口部12cの内部に完全に充填されることのないように、すなわち、開口部12cの内部(少なくとも上部)に空洞が残存するように構成されることが好ましい。特に、開口部12c内に入り込んだシール材14は少なくとも外面12b側の開口縁12eよりも外側に突出することがないように構成されることが望ましい。   Further, in the illustrated example, a part of the sealing material 14 enters the inside of the opening 12c. However, this stabilizes the conductive contact state between the conductive film 29 and the conductive particles 14b, and the electrical reliability. Can be increased. However, it is preferable that the sealing material 14 is configured so that the inside of the opening 12c is not completely filled, that is, the cavity remains in the opening 12c (at least at the upper part). In particular, it is desirable that the sealing material 14 that has entered the opening 12c is configured not to protrude outward at least from the opening edge 12e on the outer surface 12b side.

[第2実施形態]
次に、図5を参照して本発明の第2実施形態について説明する。この第2実施形態では、開口部12cの断面形状以外は先の第1実施形態と同様であるので、同一部分には同一符号を付し、それらの説明は省略する。
[Second Embodiment]
Next, a second embodiment of the present invention will be described with reference to FIG. Since the second embodiment is the same as the first embodiment except for the cross-sectional shape of the opening 12c, the same portions are denoted by the same reference numerals, and the description thereof is omitted.

本実施形態では第1実施形態における開口部12cの開口縁12e、12fを傾斜面状に構成している。ここで、図5(a)に示す開口縁12e′、12f′は丸め加工された場合と同様の形状とされ、図5(b)に示す開口縁12e″、12f″は面取り加工された場合と同様の形状とされたものである。ここで、傾斜状とは、第2の基板12の外面12b若しくは内面12aと、開口部12cの内面12dとの間の開口縁にいずれの面の方位とも異なる中間の傾斜した面方位を有する傾斜面が設けられることを言う。ここで、当該傾斜面は平坦である必要はなく、図5(a)に示すように方位が変化する曲面状(凸曲面状)であってもよい。   In the present embodiment, the opening edges 12e and 12f of the opening 12c in the first embodiment are formed in an inclined surface shape. Here, the opening edges 12e 'and 12f' shown in FIG. 5 (a) have the same shape as when rounded, and the opening edges 12e "and 12f" shown in FIG. 5 (b) are chamfered. It is made into the same shape as. Here, the inclined shape means an inclination having an intermediate inclined surface orientation different from the orientation of any surface at the opening edge between the outer surface 12b or inner surface 12a of the second substrate 12 and the inner surface 12d of the opening 12c. Say that a surface will be provided. Here, the inclined surface does not need to be flat, and may have a curved surface shape (convex curved surface shape) whose orientation changes as shown in FIG.

また、図6(a)に示すように、内面12d′が外面12b側から内面12a側に向けて全体的に開口部12c′が拡径する態様で軸線方向全体にわたる傾斜面となっていてもよく、これとは逆に、図6(b)に示すように、内面12d″が内面12a側から外面12b側に向けて全体的に開口部12c″が拡径する態様で軸線方向全体にわたる傾斜面となっていてもよい。すなわち、内面12d′、12d″が外面12bと内面12aとのいずれか一方から他方にわたる傾斜面となっていてもよい。   Further, as shown in FIG. 6 (a), the inner surface 12d 'may be an inclined surface over the entire axial direction in such a manner that the opening 12c' expands from the outer surface 12b side toward the inner surface 12a side. On the contrary, as shown in FIG. 6 (b), the inner surface 12d ″ is inclined over the entire axial direction in such a manner that the opening 12c ″ expands from the inner surface 12a toward the outer surface 12b. It may be a surface. That is, the inner surfaces 12d ′ and 12d ″ may be inclined surfaces extending from one of the outer surface 12b and the inner surface 12a to the other.

なお、図6に示す例でも、開口縁12g、12g′、12h、12h′が丸め加工された状態を示すが、これに限定されるものではなく、上記の面取り加工された形状でもよく、或いは、このような傾斜面が設けられていなくてもよい。   In the example shown in FIG. 6, the opening edges 12g, 12g ′, 12h, and 12h ′ are shown in a rounded state. However, the present invention is not limited to this, and the chamfered shape may be used. Such an inclined surface may not be provided.

上記のような傾斜面状の開口縁12e′、12e″、12f′、12f″・・・・を設けることで、当該開口縁上に導電膜29を形成しやすくなり、導電膜29の外側部分29a若しくは内側張出部分29cと、内側通過部分29bとの導電接続性を確保しやすくなるので、開口部12cの内部を通過する導電経路において断線が発生することを防止でき、電気的信頼性を高めることができる。   By providing the inclined edges 12e ′, 12e ″, 12f ′, 12f ″,... As described above, the conductive film 29 can be easily formed on the opening edges. 29a or the inner overhanging portion 29c and the inner passage portion 29b can be easily secured, so that it is possible to prevent the occurrence of disconnection in the conductive path passing through the inside of the opening 12c, and to improve electrical reliability. Can be increased.

特に、導電膜29を後述するように外側及び内側から被着させる方法で形成する場合には、上記のような傾斜面状の開口縁が設けられることで導電膜29の素材が開口部12cの内部に入り込みやすくなるので、導電膜29の内側通過部分29bを確実に形成することができる。なお、上記構成において、開口部12cの内面12a上の開口縁と外面12b上の開口縁の何れか一方のみを上記のように傾斜面状に構成してもよい。また、本実施形態の以上の構成は、本明細書中の他の実施形態にも適用できる。   In particular, when the conductive film 29 is formed by the method of depositing from the outside and the inside as will be described later, the material of the conductive film 29 is made of the opening 12c by providing the opening edge having the inclined surface as described above. Since it becomes easy to enter the inside, the inner passage portion 29b of the conductive film 29 can be reliably formed. In the above configuration, only one of the opening edge on the inner surface 12a of the opening 12c and the opening edge on the outer surface 12b may be formed in an inclined surface shape as described above. Moreover, the above structure of this embodiment is applicable also to other embodiment in this specification.

また、本実施形態では、シール材14が開口縁12f′、12f″によって開口部12cの内部に入り込みやすくなるので、開口部12cに対するシール材14の安定性が向上し、これによって導電膜29と導電性粒子14bの導電接触状態の信頼性を高めることができるという効果もある。   In the present embodiment, the sealing material 14 easily enters the inside of the opening 12c by the opening edges 12f ′ and 12f ″, so that the stability of the sealing material 14 with respect to the opening 12c is improved. There is also an effect that the reliability of the conductive contact state of the conductive particles 14b can be increased.

「第3実施形態」
次に、図7(a)を参照して本発明に係る第3実施形態について説明する。本実施形態において、第1実施形態と同一部分には同一符号を付し、それらの説明は省略する。本実施形態では、開口部12cとシール材14′とが平面的に重なる位置に配置されている点では先の第1実施形態及び第2実施形態と同様である。しかしながら、絶縁樹脂等の絶縁材料で構成されるシール材14′の内部における開口部12cと平面的に重なる領域に導電ペースト等の導電材14cが配置され、この導電材14cが開口部12cの開口縁12f上の導電膜29(内側通過部分29b及び内側張出部分29c)に導電接触している点で異なる。
“Third Embodiment”
Next, a third embodiment according to the present invention will be described with reference to FIG. In this embodiment, the same parts as those in the first embodiment are denoted by the same reference numerals, and description thereof is omitted. This embodiment is the same as the previous first and second embodiments in that the opening 12c and the sealing material 14 'are arranged at a position where they overlap in a plane. However, a conductive material 14c such as a conductive paste is disposed in a region overlapping the opening 12c in the inside of the sealing material 14 'made of an insulating material such as an insulating resin, and the conductive material 14c is an opening of the opening 12c. The difference is that the conductive film 29 (the inner passage portion 29b and the inner overhang portion 29c) on the edge 12f is in conductive contact.

この実施形態では、導電材14cが開口部21cと平面的に重なる範囲全体に配置され、当該導電材14cが開口縁12f上の導電膜29と全周にわたって導電接触しているため、電気抵抗を低減できるとともに導電接続状態を確実に得ることができるため電気的信頼性を向上させることができる。図示例では導電材14cは導電ペーストにより構成され、導電材14cの一部が開口部12cの内部に第2の基板12の厚さを超えない範囲で入り込んだ状態とされているので、導電膜29と導電材14cの導電接続部の安定性が向上し、かつ、導電接触面積もさらに増大している。   In this embodiment, the conductive material 14c is disposed over the entire area overlapping the opening 21c in a plane, and the conductive material 14c is in conductive contact with the conductive film 29 on the opening edge 12f over the entire circumference, so that the electrical resistance is reduced. The electrical reliability can be improved because the conductive connection state can be obtained with certainty while being reduced. In the illustrated example, the conductive material 14c is made of a conductive paste, and a part of the conductive material 14c enters the opening 12c within a range not exceeding the thickness of the second substrate 12. 29, the stability of the conductive connection portion between the conductive material 14c and the conductive material 14c is improved, and the conductive contact area is further increased.

なお、上述のように第1実施形態に置いて説明した内側通過部分29bに導電材が直接導電接触する構成や内側張出領域29cを設けなくてもよい点は、本実施形態でも同様であり、第2実施形態や後述する第6実施形態でも同様である。   As described above, the configuration in which the conductive material is in direct conductive contact with the inner passage portion 29b described in the first embodiment and the point that the inner overhang region 29c does not have to be provided are the same in this embodiment. The same applies to the second embodiment and the sixth embodiment described later.

[第4実施形態]
次に、図7(b)を参照して本発明に係る第4実施形態について説明する。本実施形態において、第1実施形態と同一部分には同一符号を付し、それらの説明は省略する。本実施形態では、シール材14が絶縁材料14a中に導電性粒子14bを含む点で上記第1実施形態と同様である。しかしながら、開口部12cが当該シール材14と平面的に重ならない位置、図示例ではシール材14よりも外側(有効表示領域Aとは反対側)に配置されている点で異なる。
[Fourth Embodiment]
Next, a fourth embodiment according to the present invention will be described with reference to FIG. In this embodiment, the same parts as those in the first embodiment are denoted by the same reference numerals, and description thereof is omitted. This embodiment is the same as the first embodiment in that the sealing material 14 includes conductive particles 14b in the insulating material 14a. However, the difference is that the opening 12c is disposed at a position where it does not overlap the sealing material 14 in a plan view, in the illustrated example, on the outer side (opposite to the effective display area A) than the sealing material 14.

そして、開口部12cの内面上に形成された内側通過部分29bと導電接続された内側張出部分29cがシール材14と平面的に重なる位置まで延在し、この内側張出部分29cと、第1の基板11上の接地用電極19とが平面的に重なるように構成される。内側張出部分29cと接地用電極19とはシール材14中の導電性粒子14bを介して導電接触している。   Then, the inner overhanging portion 29c formed on the inner surface of the opening 12c and conductively connected to the inner overhanging portion 29c extends to a position where it overlaps with the sealing material 14, and this inner overhanging portion 29c, The grounding electrode 19 on one substrate 11 is configured to overlap in a plane. The inner overhanging portion 29 c and the grounding electrode 19 are in conductive contact via the conductive particles 14 b in the sealing material 14.

本実施形態では、導電膜29の内側張出部分29cと接地用電極19とが導電材を介して導電接続されているので、上記と同様に導電膜29が接地されることによる効果を得ることができる。このように、本発明では、開口部12cと導電材とが平面的に重なる必要はなく、結果的に開口部12cの内面上に形成された内側通過部分29bを介して第1の基板11と第2の基板12の間に配置される導電材により導電膜29が接地用電極19に導電接続されていればよい。   In the present embodiment, since the inner overhanging portion 29c of the conductive film 29 and the grounding electrode 19 are conductively connected via a conductive material, the effect obtained by grounding the conductive film 29 as described above can be obtained. Can do. Thus, in the present invention, it is not necessary for the opening 12c and the conductive material to overlap in a plane, and as a result, the first substrate 11 and the first substrate 11 via the inner passage portion 29b formed on the inner surface of the opening 12c. The conductive film 29 only needs to be conductively connected to the grounding electrode 19 by a conductive material disposed between the second substrates 12.

[第5実施形態]
次に、図8(a)を参照して本発明に係る第5実施形態について説明する。本実施形態において、第1実施形態と同一部分には同一符号を付し、それらの説明は省略する。本実施形態では、開口部12cとシール材14″とが平面的に重なる位置に配置され、シール材14が開口部12cの開口縁12f上の導電膜29に接触している点では上記第1実施形態と同様である。ただし、本実施形態のシール材14″は絶縁材料のみで構成されているので、導電膜29と導電接続する機能を有するものではない。
[Fifth Embodiment]
Next, a fifth embodiment according to the present invention will be described with reference to FIG. In this embodiment, the same parts as those in the first embodiment are denoted by the same reference numerals, and description thereof is omitted. In the present embodiment, the opening 12c and the sealing material 14 ″ are arranged at a position where they overlap in a plane, and the sealing material 14 is in contact with the conductive film 29 on the opening edge 12f of the opening 12c. However, since the sealing material 14 ″ of the present embodiment is composed only of an insulating material, it does not have a function of conducting conductive connection with the conductive film 29.

本実施形態では、導電膜29の内側張出部分29cがシール材14″と平面的に重ならない領域まで延在し、当該領域において第1の基板11上の接地用電極19と平面的に重なっている。そして、第1の基板11と第2の基板12の間に配置される導電材15がシール材14″とは異なる位置において内側張出部分29cと接地用電極19とを導電接続している。図示例の場合、導電材15はシール材14″に対して有効表示領域Aとは反対側の外側に配置される。また、導電材15は導電ペースト等によって構成される。   In the present embodiment, the inner overhanging portion 29c of the conductive film 29 extends to a region that does not overlap with the sealing material 14 ″ in a plane, and overlaps with the ground electrode 19 on the first substrate 11 in that region. Then, the conductive material 15 disposed between the first substrate 11 and the second substrate 12 electrically connects the inner overhanging portion 29c and the grounding electrode 19 at a position different from the sealing material 14 ″. ing. In the case of the illustrated example, the conductive material 15 is disposed on the outer side opposite to the effective display area A with respect to the sealing material 14 ″. The conductive material 15 is made of a conductive paste or the like.

[第6実施形態]
次に、図8(b)を参照して本発明に係る第6実施形態について説明する。本実施形態において、第1実施形態と同一部分には同一符号を付し、それらの説明は省略する。本実施形態では、開口部12cと導電材15とが平面的に重なる位置に配置され、導電材15が開口部12cの開口縁12f上の内側通過部分29b及びその周囲の内側張出部分29cと導電接触している。シール材14″は第5実施形態と同様に絶縁材料のみで構成され、そのシール材14″の外側(有効表示領域Aとは反対側)に上記開口部12c及び導電材15が配置されている。導電材15は第5実施形態と同様に導電ペースト等によって構成される。また、導電材15は開口部12cの内部に第2の基板12の厚さを超えない範囲で入り込む態様で嵌合している。
[Sixth Embodiment]
Next, a sixth embodiment according to the present invention will be described with reference to FIG. In this embodiment, the same parts as those in the first embodiment are denoted by the same reference numerals, and description thereof is omitted. In the present embodiment, the opening 12c and the conductive material 15 are arranged at a position where they overlap in a plane, and the conductive material 15 is connected to the inner passage portion 29b on the opening edge 12f of the opening 12c and the inner overhanging portion 29c around it. Conductive contact. The sealing material 14 ″ is made of only an insulating material as in the fifth embodiment, and the opening 12c and the conductive material 15 are arranged outside the sealing material 14 ″ (on the side opposite to the effective display area A). . The conductive material 15 is made of a conductive paste or the like as in the fifth embodiment. Further, the conductive material 15 is fitted into the opening 12c so as to enter the opening 12c within a range not exceeding the thickness of the second substrate 12.

本実施形態では、開口部12cと導電材15とが平面的に重なり合う位置に配置され、導電膜29と導電材15とが開口部12cに嵌入した状態で導電接触しているので、導電接触面積を増大させることができるとともに導電接続構造を安定させることができるため、電気的信頼性をさらに高めることが可能になる。この場合、シール材14″の位置に制約されずに導電接続構造を構成することができるので、設計上の自由度を高めることができるという利点もある。   In the present embodiment, the opening 12c and the conductive material 15 are arranged at a position where they overlap in a plane, and the conductive film 29 and the conductive material 15 are in conductive contact in a state of being fitted into the opening 12c. Since the conductive connection structure can be stabilized while increasing the electrical reliability, it is possible to further increase the electrical reliability. In this case, since the conductive connection structure can be configured without being restricted by the position of the sealing material 14 ″, there is an advantage that the degree of freedom in design can be increased.

[第7実施形態]
次に、図10乃至図12を参照して本発明の電気光学装置の製造方法を第7実施形態として説明する。本実施形態では、図10に示すように、第2の基板12に開口部12cを形成する穿孔加工工程S1と、第2の基板12に導電膜29を形成する導電膜形成工程S2とを有する。また、第2の基板12の内面12a上に第2の内面構造120を形成する工程S3と、第1の基板11の内面11a上に第1の内面構造110を形成する工程S4とを有する。さらに、その後に第1の基板11の内面11aと第2の基板12の内面12aとを向かい合わせにして、いずれか一方の内面上にシール材14、14′、14″を配置することで両基板の間にシール材を介在させ、必要に応じて導電材14c、15をも介在させた状態で、両基板を貼り合わせる工程S5を実施し、上記パネル構造10Pを形成する。最後に、駆動IC150や配線部材170の実装等を行う(工程S6)。
[Seventh Embodiment]
Next, a method for manufacturing an electro-optical device according to the present invention will be described as a seventh embodiment with reference to FIGS. In the present embodiment, as shown in FIG. 10, a drilling process S1 for forming the opening 12c in the second substrate 12 and a conductive film forming process S2 for forming the conductive film 29 on the second substrate 12 are included. . Further, the method includes a step S3 of forming the second inner surface structure 120 on the inner surface 12a of the second substrate 12, and a step S4 of forming the first inner surface structure 110 on the inner surface 11a of the first substrate 11. Further, after that, the inner surface 11a of the first substrate 11 and the inner surface 12a of the second substrate 12 face each other, and the sealing materials 14, 14 ', 14 "are arranged on one of the inner surfaces, so that both With the sealing material interposed between the substrates and the conductive materials 14c and 15 as necessary, the step S5 for bonding the substrates is performed to form the panel structure 10P. The IC 150 and the wiring member 170 are mounted (step S6).

上記穿孔加工工程S1は、例えば、セラミックス等の硬質粒子を吹き付けて穿孔を行うブラスト加工(サンドブラスト加工)によって行うことができる。また、ウエットエッチング加工やドライエッチング加工などによっても実施することが可能である。このような加工方法は、第2の基板12がガラス、石英、プラスチックなどのいずれの素材で構成されていても可能である。また、プラスチック基板であれば、ドリル加工、加熱成形などによっても開口部12cを形成することができる。また、上記第2実施形態のような傾斜面状の開口縁も、機械的加工や加熱成形のほか、上記の加工方法による加工範囲を周囲に広げることで容易に形成できる。   The drilling step S1 can be performed by, for example, blasting (sandblasting) in which hard particles such as ceramics are sprayed to perform drilling. It can also be carried out by wet etching or dry etching. Such a processing method is possible regardless of whether the second substrate 12 is made of any material such as glass, quartz, or plastic. In the case of a plastic substrate, the opening 12c can also be formed by drilling, heat forming, or the like. In addition, the opening edge having an inclined surface as in the second embodiment can be easily formed by extending the processing range by the above processing method to the periphery in addition to mechanical processing and thermoforming.

また、上記導電膜形成工程S2は、図11(a)に示すように、第2の基板12の外面12bに対して当該外面12bの側(外側、図示上側)から導電膜29を被着する。導電膜29は、例えば、スパッタリング法によって透明導電膜を外面12b上に成膜することによって形成される。このとき、導電膜29が外面12b上に被着されて外側部分29aが形成されるとともに、開口部12cの内面12d上にも被着されて内側通過部分29bの一部29b−1が形成される。   In the conductive film forming step S2, as shown in FIG. 11A, the conductive film 29 is applied to the outer surface 12b of the second substrate 12 from the outer surface 12b side (outer side, upper side in the drawing). . The conductive film 29 is formed, for example, by depositing a transparent conductive film on the outer surface 12b by a sputtering method. At this time, the conductive film 29 is deposited on the outer surface 12b to form the outer portion 29a, and is also deposited on the inner surface 12d of the opening 12c to form a part 29b-1 of the inner passage portion 29b. The

なお、上記導電膜形成工程S2では、スパッタリング法の他に、CVD法や蒸着法を用いることもできる。また、導電ペーストのような塗布可能な態様の材料であれば、導電材料を塗布することによって形成することも可能である。ただし、少なくとも有効表示領域A内に形成される導電膜29の部分は透光性を有する材料で形成する必要がある。   In the conductive film forming step S2, a CVD method or a vapor deposition method can be used in addition to the sputtering method. In addition, any material that can be applied, such as a conductive paste, can be formed by applying a conductive material. However, at least a portion of the conductive film 29 formed in the effective display area A needs to be formed of a light-transmitting material.

ここで、上記の図11(a)に示す第1の段階で、開口部12cの内面12d上に形成される内側通過部分29bが内面12a側の開口縁12fの近傍まで到達するのであれば、導電膜形成工程S2はそれで完了させることができる。しかしながら、上記のように開口部12cのうち外面12b側の内面12dにのみ導電膜29の部分29−1が形成され、導電膜29が内面12a側の開口縁12fの近傍に到達しない場合には、その後、図10(b)に示すように、内側から導電膜29を被着する第2の段階を実施する。   Here, in the first stage shown in FIG. 11A, if the inner passage portion 29b formed on the inner surface 12d of the opening 12c reaches the vicinity of the opening edge 12f on the inner surface 12a side, The conductive film forming step S2 can then be completed. However, as described above, when the portion 29-1 of the conductive film 29 is formed only on the inner surface 12d on the outer surface 12b side of the opening 12c, and the conductive film 29 does not reach the vicinity of the opening edge 12f on the inner surface 12a side. Thereafter, as shown in FIG. 10B, a second step of depositing the conductive film 29 from the inside is performed.

第2の段階では、第2の基板12の内面12a側(内側、図示下側)から上記と同様に導電膜29を被着させ、開口部12cの内面12d上(開口縁12f上をも含む範囲であることが好ましい。)に内側通過部分29bの他の一部29b−2を形成する。ここで、当該一部29b−2は少なくとも上記一部29b−1と導電接続された状態となるように構成される。また、この第2の段階では、図示例のように内面12aにおける開口縁12fの周囲部分に内側張出部分29cを形成することが好ましい。ただし、この内側張出部分29cは第1実施形態、第3実施形態及び第6実施形態では必須の構成ではない。しかしながら、これらの場合でも、内側通過部分29bが結果として開口縁12fに到達するように構成されることが好ましい。   In the second stage, the conductive film 29 is deposited in the same manner as described above from the inner surface 12a side (inner side, lower side in the drawing) of the second substrate 12, and the inner surface 12d of the opening 12c (including the upper edge 12f). The other portion 29b-2 of the inner passage portion 29b is formed. Here, the part 29b-2 is configured to be in a conductive connection state with at least the part 29b-1. In the second stage, it is preferable to form the inner overhanging portion 29c around the opening edge 12f on the inner surface 12a as in the illustrated example. However, the inwardly extending portion 29c is not an essential configuration in the first embodiment, the third embodiment, and the sixth embodiment. However, even in these cases, it is preferable that the inner passage portion 29b is configured to reach the opening edge 12f as a result.

なお、上記の第2の段階は、第2の基板12の内面上に上記第2の内面構造120を形成する工程中の少なくとも一つの段階と同時に実施することができる場合がある。例えば、上記第1実施形態であれば、第2の基板12の内面12a上には遮光膜121を形成する段階が設けられるので、上記一部29b−2及び内側張出部分29cを遮光膜121と同じ材料及び同じ方法で同時に形成することが可能である。ここで、遮光膜121はCr等の金属で形成する場合があり、また、蒸着法やスパッタリング法で形成する場合があるので、これらの場合には上記一部29b−2及び内側張出部分29cを同じ金属材料で同じ成膜方法で遮光膜121と同時に形成することができる。このようにすると、第2の段階を別途新たに設ける必要がなくなる。   Note that the second stage may be performed simultaneously with at least one stage in the process of forming the second inner surface structure 120 on the inner surface of the second substrate 12. For example, in the first embodiment, since the step of forming the light shielding film 121 is provided on the inner surface 12 a of the second substrate 12, the part 29 b-2 and the inner overhanging part 29 c are arranged on the light shielding film 121. Can be formed simultaneously with the same material and in the same manner. Here, the light shielding film 121 may be formed of a metal such as Cr, or may be formed by a vapor deposition method or a sputtering method. In these cases, the portion 29b-2 and the inner overhang portion 29c are formed. Can be formed simultaneously with the light-shielding film 121 using the same metal material and the same film formation method. In this way, there is no need to newly provide a second stage.

なお、導電膜29については、前述のように少なくとも第2の基板12の外面12b(の有効表示領域A)上に形成される部分が透光性を有する必要があり、他の部分は導電性を有していれば足りるので、第1の段階で形成される部分をITO等の透明導電体で形成し、第2の段階で形成される部分を金属材料で形成することが好ましい。   As for the conductive film 29, as described above, at least a portion formed on the outer surface 12b (the effective display area A) of the second substrate 12 needs to have translucency, and the other portions are conductive. Therefore, it is preferable to form the portion formed in the first stage with a transparent conductor such as ITO and the portion formed in the second stage with a metal material.

第1の基板11の内面11a上に第1の内面構造110を形成する工程S4と、第2の基板12の内面12a上に第2の内面構造120を形成する工程S3は、公知の手段によって適宜に実施することができる。この場合、工程S3とS4は同時並行して行ってもよく、いずれを先に実施してもよい。ここで、第1の基板11に第1の内面構造110を形成する工程中の少なくとも一つの段階において上記接地用電極19が同時に形成されることが好ましい。当該接地用電極19は導電材料で構成される必要があるので、第1の内面構造110の配線を形成する工程、他の電極(例えば、画素電極、共通電極、トランジスタのゲート電極など)を形成する工程と同時に形成することができる。このようにすると、接地用電極19を形成する段階を別途新たに設ける必要がなくなる。   Step S4 for forming the first inner surface structure 110 on the inner surface 11a of the first substrate 11 and step S3 for forming the second inner surface structure 120 on the inner surface 12a of the second substrate 12 are performed by known means. It can implement suitably. In this case, steps S3 and S4 may be performed in parallel, and either may be performed first. Here, it is preferable that the grounding electrode 19 is simultaneously formed in at least one stage in the process of forming the first inner surface structure 110 on the first substrate 11. Since the grounding electrode 19 needs to be made of a conductive material, a step of forming the wiring of the first inner surface structure 110, another electrode (for example, a pixel electrode, a common electrode, a transistor gate electrode, etc.) are formed. It can be formed simultaneously with the process. This eliminates the need to newly provide a step of forming the grounding electrode 19.

しかる後に、図12に示すように、工程S5において、第1の基板11の内面11aと第2の基板12の内面12aとをシール材14、14′、14″を挟んで貼り合わせる。このとき、必要に応じて上述の導電材14cや15も両基板の間に挟まれるようにする。いずれの場合でも、シール材14、14′、14″及び導電材14c、15は、第1の基板11と第2の基板12との間で挟圧されることで両基板の内面11a、12aに圧着され、これによって、導電膜29と接地用電極19がシール材14、導電材14c、15によって導電接続される。このようにすると、導電材(導電性粒子14bを含む。)を導電膜29及び接地用電極19に導電接触させるための段階を別途新たに設ける必要がなくなる。   Thereafter, as shown in FIG. 12, in step S5, the inner surface 11a of the first substrate 11 and the inner surface 12a of the second substrate 12 are bonded together with the sealing materials 14, 14 ′, 14 ″ interposed therebetween. If necessary, the above-described conductive materials 14c and 15 are also sandwiched between the two substrates. In any case, the sealing materials 14, 14 ', 14 "and the conductive materials 14c, 15 are used as the first substrate. 11 and the second substrate 12 so as to be pressed against the inner surfaces 11a and 12a of both substrates, whereby the conductive film 29 and the grounding electrode 19 are sealed by the sealing material 14 and the conductive materials 14c and 15. Conductive connection. In this way, it is not necessary to newly provide a step for bringing the conductive material (including the conductive particles 14 b) into conductive contact with the conductive film 29 and the grounding electrode 19.

その後、工程S6において、図1及び図2に示す駆動IC150及び配線部材170の実装、偏光板17、18の貼着などを実施し、上記パネル構造10Pを完成させる。本実施形態の製造方法では、通常のパネル構造10Pが完成したときには既に上記導電膜29は接地用電極19に導電接続されていて、しかも、当該導電接続構造が内部に隠れた状態にあるので、図13及び図14に示す構造のように外部に露出した導電ペースト5が硬化するまで待つ必要がないため、迅速かつ容易に製造することができ、装置もコンパクトに構成できる。   Thereafter, in step S6, the driving IC 150 and the wiring member 170 shown in FIGS. 1 and 2 are mounted, the polarizing plates 17 and 18 are attached, and the panel structure 10P is completed. In the manufacturing method of this embodiment, when the normal panel structure 10P is completed, the conductive film 29 is already conductively connected to the ground electrode 19, and the conductive connection structure is hidden inside. Since there is no need to wait until the conductive paste 5 exposed to the outside is cured as in the structure shown in FIGS. 13 and 14, it can be manufactured quickly and easily, and the apparatus can also be configured compactly.

[電子機器]
最後に、図15及び図16を参照して、電気光学装置100を備えた電子機器の実施形態について説明する。この電子機器200は、上記のパネル構造10Pを含む電気光学装置100を内部に搭載したものであり、図15は当該電子機器200の一例として携帯電話機を示している。
[Electronics]
Finally, with reference to FIGS. 15 and 16, an embodiment of an electronic apparatus including the electro-optical device 100 will be described. The electronic apparatus 200 includes the electro-optical device 100 including the panel structure 10P described above. FIG. 15 illustrates a mobile phone as an example of the electronic apparatus 200.

電子機器200は、複数の操作ボタン、送話口などを備えた操作部201と、受話口などを備えた表示部202とを有し、表示部202の内部に電気光学装置100が組み込まれてなる。そして表示部202の表面(内面)上において電気光学装置100のパネル構造10Pの有効表示領域A(図8参照)を視認することができるようになっている。この場合、電子機器200の内部には、上記電気光学装置100を制御する後述する表示制御回路が設けられる。この表示制御回路は、上記パネル構造10Pを駆動する駆動回路150に対して所定の制御信号を送り、電気光学装置100の表示態様を決定する。   The electronic device 200 includes an operation unit 201 having a plurality of operation buttons, a mouthpiece, and the like, and a display unit 202 having an earpiece, and the electro-optical device 100 is incorporated inside the display unit 202. Become. The effective display area A (see FIG. 8) of the panel structure 10P of the electro-optical device 100 can be visually recognized on the surface (inner surface) of the display unit 202. In this case, a display control circuit to be described later for controlling the electro-optical device 100 is provided inside the electronic apparatus 200. The display control circuit sends a predetermined control signal to the drive circuit 150 that drives the panel structure 10P to determine the display mode of the electro-optical device 100.

図16は電子機器200に搭載された電気光学装置100に対する制御系(表示制御系)の全体構成を示す概略構成図である。ここに示す電子機器200は、表示情報出力源291と、表示情報処理回路292と、電源回路293と、タイミングジェネレータ294と、照明装置160への電力供給を行う光源制御回路295とを含む表示制御回路290を有する。また、電気光学装置100には、上述の構成を有するパネル構造10Pと、このパネル10Pを駆動する駆動回路150と、パネル構造10Pを照明する照明装置(バックライト)160とが設けられている。   FIG. 16 is a schematic configuration diagram illustrating an overall configuration of a control system (display control system) for the electro-optical device 100 mounted on the electronic apparatus 200. The electronic device 200 shown here includes a display information output source 291, a display information processing circuit 292, a power supply circuit 293, a timing generator 294, and a light source control circuit 295 that supplies power to the lighting device 160. A circuit 290 is included. The electro-optical device 100 is provided with a panel structure 10P having the above-described configuration, a drive circuit 150 that drives the panel 10P, and an illumination device (backlight) 160 that illuminates the panel structure 10P.

表示情報出力源291は、ROM(Read Only Memory)やRAM(Random Access Memory)等からなるメモリと、磁気記録ディスクや光記録ディスク等からなるストレージユニットと、デジタル画像信号を同調出力する同調回路とを備え、タイミングジェネレータ294によって生成された各種のクロック信号に基づいて、所定フォーマットの画像信号等の形で表示情報を表示情報処理回路292に供給するように構成されている。   The display information output source 291 includes a memory such as a ROM (Read Only Memory) or a RAM (Random Access Memory), a storage unit such as a magnetic recording disk or an optical recording disk, and a tuning circuit that tunes and outputs a digital image signal. The display information is supplied to the display information processing circuit 292 in the form of an image signal or the like of a predetermined format based on various clock signals generated by the timing generator 294.

表示情報処理回路292は、シリアル−パラレル変換回路、増幅・反転回路、ローテーション回路、ガンマ補正回路、クランプ回路等の周知の各種回路を備え、入力した表示情報の処理を実行して、その画像情報をクロック信号CLKと共に駆動回路150へ供給する。駆動回路150は、走査線駆動回路、信号線駆動回路及び検査回路を含む。また、電源回路293は、上述の各構成要素にそれぞれ所定の電圧を供給する。   The display information processing circuit 292 includes various known circuits such as a serial-parallel conversion circuit, an amplification / inversion circuit, a rotation circuit, a gamma correction circuit, and a clamp circuit, and executes processing of input display information to obtain image information. Are supplied to the drive circuit 150 together with the clock signal CLK. The drive circuit 150 includes a scanning line drive circuit, a signal line drive circuit, and an inspection circuit. The power supply circuit 293 supplies a predetermined voltage to each of the above-described components.

光源制御回路295は、電源回路293から供給される電圧に基づいて照明装置160の光源に電力を供給し、所定の制御信号に基づいて光源の点灯の有無及びその輝度等を制御するようになっている。   The light source control circuit 295 supplies power to the light source of the illumination device 160 based on the voltage supplied from the power supply circuit 293, and controls whether or not the light source is turned on and its brightness based on a predetermined control signal. ing.

また、本発明に係る電子機器としては、図15に示す携帯電話機の他に、液晶テレビ、カーナビゲーション装置、電子手帳、電卓、ワークステーション、テレビ電話、POS端末機などが挙げられる。そして、これらの各種電子機器の表示部として本発明に係る電気光学装置を用いることができる。ただし、本発明は電気光学装置100の小型化(コンパクト化)を妨げないという特徴を有するため、特に、携帯電話、電子時計、携帯型情報端末などといった携帯型電子機器に用いる場合に有効である。   In addition to the mobile phone shown in FIG. 15, examples of the electronic apparatus according to the present invention include a liquid crystal television, a car navigation device, an electronic notebook, a calculator, a workstation, a videophone, and a POS terminal. The electro-optical device according to the present invention can be used as a display unit of these various electronic devices. However, since the present invention has a feature that does not hinder downsizing (compacting) of the electro-optical device 100, it is particularly effective when used in portable electronic devices such as a mobile phone, an electronic watch, and a portable information terminal. .

尚、本発明の電気光学装置及びその製造方法並びに電子機器は、上述の図示例にのみ限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲内において種々変更を加え得ることは勿論である。例えば、上記実施形態では、第1の基板11を背後に、第2の基板12を視認側に配置してなるパネル構造10Pについて説明したが、これとは逆に、第1の基板11を視認側に、第2の基板12を背後に配置してなる構造であっても構わない。   Note that the electro-optical device, the manufacturing method thereof, and the electronic apparatus of the present invention are not limited to the illustrated examples described above, and various modifications can be made without departing from the scope of the present invention. . For example, in the above-described embodiment, the panel structure 10P in which the first substrate 11 is disposed behind and the second substrate 12 is disposed on the viewing side has been described, but conversely, the first substrate 11 is visually recognized. On the side, the second substrate 12 may be disposed behind.

10P…パネル構造、100…電気光学装置、11…第1の基板、12…第2の基板、12c…開口部、12d…開口部の内面、13…液晶、14、14′、14″…シール材、14c、15…導電材、19…接地用電極、29…導電膜、29a…外側部分、29b…内側通過部分、29c…内側張出部分、110…第1の内面構造、120…第2の内面構造、150…駆動IC、160…照明装置、170…配線部材、200…電子機器 DESCRIPTION OF SYMBOLS 10P ... Panel structure, 100 ... Electro-optical apparatus, 11 ... 1st board | substrate, 12 ... 2nd board | substrate, 12c ... Opening part, 12d ... Inner surface of opening part, 13 ... Liquid crystal, 14, 14 ', 14 "... Seal 14c, 15 ... conductive material, 19 ... ground electrode, 29 ... conductive film, 29a ... outer part, 29b ... inner passage part, 29c ... inner overhang part, 110 ... first inner surface structure, 120 ... second 150 ... Drive IC, 160 ... Lighting device, 170 ... Wiring member, 200 ... Electronic equipment

Claims (13)

第1の基板と、
該第1の基板に対向して配置された第2の基板と、
前記第1の基板と前記第2の基板の間に配置された電気光学物質と、
前記第2の基板に設けられ、前記第1の基板と対向するとともに前記電気光学物質の配置されていない平面範囲内に開口し、前記第1の基板側の面から反対側の面まで貫通する開口部と、
前記第2の基板の前記反対側の面上に設けられるとともに前記開口部を閉塞しない態様で前記開口部の内面上に延在する導電膜と、
前記第1の基板における前記第2の基板側の面の、前記開口部の少なくとも一部と平面的に重なる位置に設けられ、外部に導電接続された接地用電極と、
前記第1の基板と前記第2の基板の間に配置され、前記導電膜と前記接地用電極に共に導電接触する導電材と、
を具備することを特徴とする電気光学装置。
A first substrate;
A second substrate disposed opposite the first substrate;
An electro-optic material disposed between the first substrate and the second substrate;
Provided on the second substrate, facing the first substrate, opening in a plane area where the electro-optic material is not disposed, and penetrating from the surface on the first substrate side to the surface on the opposite side. An opening,
A conductive film provided on the opposite surface of the second substrate and extending on the inner surface of the opening in a manner that does not close the opening;
A grounding electrode provided on the surface of the first substrate on the second substrate side at a position overlapping with at least a part of the opening and conductively connected to the outside;
A conductive material disposed between the first substrate and the second substrate and in conductive contact with the conductive film and the grounding electrode;
An electro-optical device comprising:
前記導電膜は前記開口部の内面全体に形成されるとともに前記開口部の前記第1の基板側の開口縁の全周に到達していることを特徴とする請求項1に記載の電気光学装置。   The electro-optical device according to claim 1, wherein the conductive film is formed on the entire inner surface of the opening and reaches the entire periphery of the opening edge of the opening on the first substrate side. . 前記導電膜は、前記開口部の前記第1の基板側の開口縁から前記第2の基板の前記第1の基板側の面上に張り出す部分を有することを特徴とする請求項1又は2に記載の電気光学装置。   The said electrically conductive film has a part which protrudes on the surface by the side of the said 1st board | substrate of the said 2nd board | substrate from the opening edge by the side of the said 1st board | substrate of the said opening part. The electro-optical device according to 1. 第1の基板と、
該第1の基板に対向して配置された第2の基板と、
前記第1の基板と前記第2の基板の間に配置された電気光学物質と、
前記第2の基板に設けられ、前記第1の基板と対向するとともに前記電気光学物質の配置されていない平面範囲内に開口し、前記第1の基板側の面から反対側の面まで貫通する開口部と、
前記第2の基板の前記反対側の面上に設けられるとともに前記開口部を閉塞しない態様で前記開口部の内面上を経て前記第1の基板側の開口縁から周囲に張り出す導電膜と、
前記第1の基板における前記第2の基板側の面の、前記周囲に張り出した前記導電膜の少なくとも一部と平面的に重なる位置に設けられ、外部に導電接続された接地用電極と、
前記第1の基板と前記第2の基板の間に配置され、前記接地用電極に導電接触する導電材と、
を具備することを特徴とする電気光学装置。
A first substrate;
A second substrate disposed opposite the first substrate;
An electro-optic material disposed between the first substrate and the second substrate;
Provided on the second substrate, facing the first substrate, opening in a plane area where the electro-optic material is not disposed, and penetrating from the surface on the first substrate side to the surface on the opposite side. An opening,
A conductive film provided on the opposite surface of the second substrate and projecting from the opening edge on the first substrate side through the inner surface of the opening in a manner that does not close the opening;
A grounding electrode provided on the surface of the first substrate on the second substrate side at a position overlapping with at least a part of the conductive film projecting to the periphery in a planar manner and electrically connected to the outside;
A conductive material disposed between the first substrate and the second substrate and in conductive contact with the grounding electrode;
An electro-optical device comprising:
前記導電材は、前記第1の基板と前記第2の基板の間に前記電気光学物質を包囲する枠状に形成されたシール材の内部に配置されていることを特徴とする請求項1乃至4のいずれか一項に記載の電気光学装置。   The conductive material is disposed inside a sealing material formed in a frame shape surrounding the electro-optical material between the first substrate and the second substrate. 5. The electro-optical device according to claim 4. 前記シール材は、絶縁材料中に、前記導電材として、前記第1の基板と前記第2の基板の基板間隔に対応する径を備えた複数の前記導電性粒子が分散配置されたものであることを特徴とする請求項5に記載の電気光学装置。   The sealing material is a material in which a plurality of conductive particles having a diameter corresponding to a substrate interval between the first substrate and the second substrate are dispersedly arranged in an insulating material as the conductive material. The electro-optical device according to claim 5. 前記導電材は導電ペーストであることを特徴とする請求項1乃至5のいずれか一項に記載の電気光学装置。   The electro-optical device according to claim 1, wherein the conductive material is a conductive paste. 前記開口部の前記反対側の面の前記開口縁は傾斜面状に構成されることを特徴とする請求項1乃至7のいずれか一項に記載の電気光学装置。   The electro-optical device according to claim 1, wherein the opening edge of the surface on the opposite side of the opening is configured to be an inclined surface. 前記開口部の前記一側の面の開口縁が傾斜面状に構成されることを特徴とする請求項1乃至8のいずれか一項に記載の電気光学装置。   9. The electro-optical device according to claim 1, wherein an opening edge of the one side surface of the opening is configured to be an inclined surface. 第1の基板と、該第1の基板に対向して配置された第2の基板と、前記第1の基板と前記第2の基板の間に配置された電気光学物質と、を具備する電気光学装置の製造方法であって、
前記第2の基板に一側の面から反対側の面に貫通する開口部を形成する工程と、
導電材料を被着させることにより前記第2の基板の前記反対側の面上から前記開口部の内面上に延在する導電膜を形成する工程と、
前記第1の基板の一側の面上に前記開口部の少なくとも一部と平面的に重なる位置に設けられ、外部に導電接続される接地用電極を形成する工程と、
前記第1の基板の前記一側の面と前記第2の基板の前記一側の面の間に導電材を介在させて、該導電材が前記導電膜と前記接地用電極とに共に導電接触する態様で、前記第1の基板の前記一側の面と前記第2の基板の前記一側の面が前記電気光学物質を介して対向配置されるパネル構造を形成する工程と、
を有することを特徴とする電気光学装置の製造方法。
An electric comprising: a first substrate; a second substrate disposed opposite to the first substrate; and an electro-optic material disposed between the first substrate and the second substrate. An optical device manufacturing method comprising:
Forming an opening penetrating from one surface to the opposite surface in the second substrate;
Forming a conductive film extending on the inner surface of the opening from the opposite surface of the second substrate by depositing a conductive material;
Forming a grounding electrode provided on a surface of one side of the first substrate at a position overlapping with at least a part of the opening and conductively connected to the outside;
A conductive material is interposed between the one side surface of the first substrate and the one side surface of the second substrate, and the conductive material is in conductive contact with the conductive film and the grounding electrode together. And forming a panel structure in which the one side surface of the first substrate and the one side surface of the second substrate are arranged to face each other with the electro-optic material interposed therebetween;
A method for manufacturing an electro-optical device.
前記導電膜を形成する工程は、前記第2の基板の前記反対側の面側から前記反対側の面と前記開口部の内面に第1の導電膜を被着させる第1の段階と、前記第2の基板の前記一側の面側から前記開口部の内面に第2の導電膜を被着させる第2の段階とを有し、前記第1の導電膜と前記第2の導電膜が前記開口部の内部にて導電接続されることにより前記導電膜が形成されることを特徴とする請求項10に記載の電気光学装置の製造方法。   The step of forming the conductive film includes a first step of depositing a first conductive film from the opposite surface side of the second substrate to the opposite surface and the inner surface of the opening; A second step of depositing a second conductive film on the inner surface of the opening from the one surface side of the second substrate, wherein the first conductive film and the second conductive film are The method of manufacturing an electro-optical device according to claim 10, wherein the conductive film is formed by conductive connection inside the opening. 第1の基板と、該第1の基板に対向して配置された第2の基板と、前記第1の基板と前記第2の基板の間に配置された電気光学物質と、を具備する電気光学装置の製造方法であって、
前記第2の基板に一側の面から反対側の面に貫通する開口部を形成する工程と、
導電材料を被着させることにより前記第2の基板の前記反対側の面上から前記開口部の内面上を通過して前記一側の面の開口縁の周囲に張り出す導電膜を形成する工程と、
前記第1の基板の一側の面上に前記周囲に張り出した前記導電膜の少なくとも一部と平面的に重なる位置に設けられ、外部に導電接続される接地用電極を形成する工程と、
前記第1の基板の前記一側の面と前記第2の基板の前記一側の面の間に導電材を介在させて、該導電材が前記導電膜の前記開口縁の周囲に張り出す部分と前記接地用電極とに共に導電接触する態様で、前記第1の基板の前記一側の面と前記第2の基板の前記一側の面が前記電気光学物質を介して対向配置されるパネル構造を形成する工程と、
を有することを特徴とする電気光学装置の製造方法。
An electric comprising: a first substrate; a second substrate disposed opposite to the first substrate; and an electro-optic material disposed between the first substrate and the second substrate. An optical device manufacturing method comprising:
Forming an opening penetrating from one surface to the opposite surface in the second substrate;
Forming a conductive film that passes from above the opposite surface of the second substrate over the inner surface of the opening and extends around the opening edge of the one surface by applying a conductive material; When,
Forming a grounding electrode provided on a surface of one side of the first substrate so as to planarly overlap with at least a part of the conductive film projecting to the periphery and electrically connected to the outside;
A portion in which a conductive material is interposed between the one side surface of the first substrate and the one side surface of the second substrate, and the conductive material projects around the opening edge of the conductive film. A panel in which the one-side surface of the first substrate and the one-side surface of the second substrate are arranged to face each other with the electro-optic material in conductive contact with the grounding electrode. Forming a structure;
A method for manufacturing an electro-optical device.
前記導電膜を形成する工程は、前記第2の基板の前記反対側の面側から前記反対側の面と前記開口部の内面に第1の導電膜を被着させる第1の段階と、前記第2の基板の前記一側の面側から前記一側の面の前記開口縁の周囲部分と前記開口部の内面に第2の導電膜を被着させる第2の段階とを有し、前記第1の導電膜と前記第2の導電膜が前記開口部の内部にて導電接続されることにより前記導電膜が形成されることを特徴とする請求項12に記載の電気光学装置の製造方法。   The step of forming the conductive film includes a first step of depositing a first conductive film from the opposite surface side of the second substrate to the opposite surface and the inner surface of the opening; A second step of depositing a second conductive film on the peripheral portion of the opening edge of the one side surface and the inner surface of the opening from the one surface side of the second substrate; The method of manufacturing an electro-optical device according to claim 12, wherein the conductive film is formed by conductively connecting the first conductive film and the second conductive film inside the opening. .
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