JP2010210543A - Sensor unit, terahertz spectral measurement apparatus, and terahertz spectral measurement method - Google Patents
Sensor unit, terahertz spectral measurement apparatus, and terahertz spectral measurement method Download PDFInfo
- Publication number
- JP2010210543A JP2010210543A JP2009058977A JP2009058977A JP2010210543A JP 2010210543 A JP2010210543 A JP 2010210543A JP 2009058977 A JP2009058977 A JP 2009058977A JP 2009058977 A JP2009058977 A JP 2009058977A JP 2010210543 A JP2010210543 A JP 2010210543A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- light
- light emitting
- receiving element
- terahertz
- sensor unit
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Images
Landscapes
- Investigating Or Analysing Materials By Optical Means (AREA)
Abstract
Description
本発明は、テラヘルツ光を用いたセンサーユニット、テラヘルツ分光測定装置およびテラヘルツ分光測定方法に関する。 The present invention relates to a sensor unit using terahertz light, a terahertz spectrometer, and a terahertz spectrometer method.
近年、テラヘルツ周波数領域(0.1THz〜10THz)の光を試料に照射して、試料を透過した透過光又は試料から反射した反射光を検出するテラヘルツ時間領域分光法(THz−TDS:THz−TimeDomain Spectroscopy)が注目されている。このテラヘルツ時間領域分光法は、テラヘルツパルス分光計測装置を用い、テラヘルツ光の時間に依存した試料の電場強度を測定し、その時間に依存した時系列データをフーリエ変換処理することにより、そのパルスを形成する電場強度や位相等の周波数依存性を得ることができる(特許文献1参照)。 In recent years, a terahertz time domain spectroscopy (THz-TDS: THz-TimeDomain) in which a sample is irradiated with light in a terahertz frequency range (0.1 THz to 10 THz) and transmitted light transmitted through the sample or reflected light reflected from the sample is detected. (Spectroscopy) is drawing attention. This terahertz time-domain spectroscopy method uses a terahertz pulse spectrometer to measure the electric field strength of a sample that depends on the time of terahertz light and performs Fourier transform processing on the time-series data depending on the time. It is possible to obtain frequency dependency such as electric field strength and phase to be formed (see Patent Document 1).
テラヘルツ分光測定装置には、装置を小型化する目的で、発光素子と受光素子とを繋ぐテラヘルツ光の導波路が形成され、その中央に試料が流通する流路が形成されたものが知られている(特許文献2参照)。 A terahertz spectrometer is known in which a terahertz light waveguide connecting a light emitting element and a light receiving element is formed for the purpose of downsizing the apparatus, and a channel through which a sample flows is formed in the center. (See Patent Document 2).
特許文献1に記載されたテラヘルツ分光測定装置では、発光素子と受光素子とが離れており、その間に試料が配置されている。このため、テラヘルツ光は、発光素子から出射してから受光素子に入射するまでの間に、試料由来の吸収だけでなく、受光素子に入射するまでの光路において、大気中に含まれる水蒸気由来の吸収も受けることとなる。この大気による吸収が測定誤差となり、テラヘルツ分光測定装置の測定精度低下の原因となる問題がある。また、この水蒸気による吸収を避ける為に、従来の分光測定装置では、内部を真空にするか、乾燥窒素で満たしていた。従って、真空ポンプや窒素タンクなどが必要になり、装置が大型になっていた。
In the terahertz spectrometer described in
また、発光素子と受光素子とが離れているので、発光素子から出射されるテラヘルツ光の発散を受光素子への入射において焦点を集中させるために軸外し放物面鏡等によりテラヘルツ光の焦点を調整する必要があり、テラヘルツ分光測定装置の構成が複雑になってしまう問題がある。 In addition, since the light emitting element and the light receiving element are separated from each other, the terahertz light is focused by an off-axis paraboloidal mirror or the like in order to concentrate the divergence of the terahertz light emitted from the light emitting element upon incidence on the light receiving element. There is a problem that the terahertz spectrometer needs to be adjusted and the configuration of the terahertz spectrometer becomes complicated.
特許文献2に記載のテラヘルツ分光測定装置は、発光素子と受光素子との間の空間が密閉されている為、大気中の水蒸気による吸収を免れることが出来る。しかしながら、基板の中に、テラヘルツ光の導波路を作らねばならず、製造が難しく、構造が複雑となってしまうという問題が挙げられる。 Since the space between the light emitting element and the light receiving element is sealed, the terahertz spectrometer described in Patent Document 2 can avoid absorption due to water vapor in the atmosphere. However, a terahertz light waveguide must be formed in the substrate, which is difficult to manufacture and has a complicated structure.
本発明の目的は、テラヘルツ光が水蒸気による吸収スペクトルの影響を受けず測定精度の高いセンサーユニット、テラヘルツ分光測定装置およびテラヘルツ分光測定方法を提供することにある。 An object of the present invention is to provide a sensor unit, a terahertz spectrometer, and a terahertz spectrometer method with high measurement accuracy in which terahertz light is not affected by the absorption spectrum of water vapor.
[適用例1]
本適用例に係るセンサーユニットは、テラヘルツ光を発生させる発光素子を有する発光素子部と、前記テラヘルツ光を受光して検出信号を検出する受光素子を有する受光素子部と、前記発光素子部から射出する前記テラヘルツ光を前記受光素子部へと反射する反射面を有する反射素子部と、を備え、前記発光素子部と前記受光素子部と前記反射素子部とが一体に接合され、前記発光素子部と前記受光素子部との光路の間に試料を流通させるための流路部が形成されることを特徴とする。
[Application Example 1]
A sensor unit according to this application example includes a light emitting element portion having a light emitting element that generates terahertz light, a light receiving element portion having a light receiving element that receives the terahertz light and detects a detection signal, and is emitted from the light emitting element portion. A reflective element part having a reflective surface for reflecting the terahertz light to the light receiving element part, and the light emitting element part, the light receiving element part and the reflective element part are integrally joined, and the light emitting element part And a flow path portion for allowing a sample to flow between the optical paths between the light receiving element portion and the light receiving element portion.
この構成の本適用例では、発光素子部からのテラヘルツ光を反射素子部により折り返し反射させて受光素子部へと入射させるようにすることで、発光素子部と受光素子部とを接合して一体化させることができる。
さらに、発光素子部と受光素子部と反射素子部とを接合させているので、これらが離し置きされ、その間に試料が配置されるセンサーユニットに比べ、小型化することができる。
In this application example of this configuration, the terahertz light from the light emitting element part is reflected back by the reflecting element part and is incident on the light receiving element part, thereby joining the light emitting element part and the light receiving element part integrally. It can be made.
Furthermore, since the light emitting element part, the light receiving element part, and the reflecting element part are joined, they can be reduced in size as compared with a sensor unit in which these are separated from each other and a sample is disposed therebetween.
また、本適用例では、発光素子部と受光素子部とが一体に接合され、その間の光路上に試料の流路部が形成されているので、光路上にある吸収物体は、発光・受光素子の基板と、反射素子部の基材と、流路部中の試料のみとなる。
このため、テラヘルツ光が大気中の水蒸気によって吸収されることがなく、試料由来の吸収のみを受光素子部にて検出することができる。したがって、本適用例に係るセンサーユニットは、測定精度が高いものとすることができる。
In this application example, the light emitting element part and the light receiving element part are integrally joined, and the flow path part of the sample is formed on the optical path between the light emitting element part and the light receiving element part. The substrate, the base material of the reflection element portion, and the sample in the flow path portion are only included.
Therefore, terahertz light is not absorbed by water vapor in the atmosphere, and only absorption derived from the sample can be detected by the light receiving element portion. Therefore, the sensor unit according to this application example can have high measurement accuracy.
また、発光素子部と受光素子部とが接合され、その間に流路部が形成されているので、光学系にズレが生じることが無く、常に最適な状態で測定することが出来る。 Further, since the light emitting element portion and the light receiving element portion are joined and the flow path portion is formed between them, the optical system is not displaced, and measurement can always be performed in an optimum state.
[適用例2]
本適用例に係るセンサーユニットは、前記発光素子部と前記受光素子部とが、前記発光素子と前記受光素子とを同一面に設けた発光受光素子部であることが好ましい。
この構成の本適用例では、発光素子と受光素子とが同一基板上に形成されているので、一括した工程で同時に発光素子と受光素子とを作ることができ、また、より簡易な構成とすることができ、さらに、センサーユニットをより小型化することができる。
[Application Example 2]
In the sensor unit according to this application example, it is preferable that the light emitting element unit and the light receiving element unit are light emitting and receiving element units in which the light emitting element and the light receiving element are provided on the same surface.
In this application example of this configuration, since the light emitting element and the light receiving element are formed on the same substrate, the light emitting element and the light receiving element can be simultaneously formed in a batch process, and a simpler configuration is provided. In addition, the sensor unit can be further downsized.
[適用例3]
本適用例に係るセンサーユニットは、前記流路部が、前記発光素子部、前記受光素子部および前記反射素子部の少なくともいずれか一方に形成されたことが好ましい。
この構成の本適用例では、試料を流通させる流路部が発光素子部、受光素子部および反射素子部との少なくともいずれか一方に形成されているので、発光素子部と受光素子部と反射素子部とのみで構成でき、これらを接合させるだけで、発光素子部または受光素子部と、反射素子部との間に沿って流路部を形成することができる。
このため、本適用例に係るセンサーユニットは簡易な構成とすることができ、さらに、当該センサーユニットを容易に製造することができる。
[Application Example 3]
In the sensor unit according to this application example, it is preferable that the flow path portion is formed in at least one of the light emitting element portion, the light receiving element portion, and the reflecting element portion.
In this application example having this configuration, the flow path portion through which the sample is circulated is formed in at least one of the light emitting element portion, the light receiving element portion, and the reflecting element portion. Therefore, the light emitting element portion, the light receiving element portion, and the reflecting element The channel portion can be formed between the light emitting element portion or the light receiving element portion and the reflecting element portion simply by joining them together.
For this reason, the sensor unit according to this application example can have a simple configuration, and the sensor unit can be easily manufactured.
[適用例4]
本適用例に係るセンサーユニットは、前記流路部がスペーサーにより区画されたことが好ましい。
この構成の本適用例では、流路部がスペーサーにより区画されるので、発光素子部または受光素子部と、光学素子との間にスペーサーを挟みこんで接合するだけで、発光素子部と受光素子部と光学素子との間に沿って流路を形成することができる。
このため、本適用例に係るセンサーユニットは簡易な構成とすることができ、さらに、当該センサーユニットを容易に製造することができる。
[Application Example 4]
In the sensor unit according to this application example, it is preferable that the flow path section is partitioned by a spacer.
In this application example of this configuration, since the flow path portion is partitioned by the spacer, the light emitting element portion and the light receiving element can be obtained simply by sandwiching the spacer between the light emitting element portion or the light receiving element portion and the optical element. A flow path can be formed along the part and the optical element.
For this reason, the sensor unit according to this application example can have a simple configuration, and the sensor unit can be easily manufactured.
[適用例5]
本適用例に係るセンサーユニットは、テラヘルツ光を発生させる発光素子を有する発光素子部と、前記テラヘルツ光を受光して検出信号を検出する受光素子を有する受光素子部と、流路部を有する反射素子部と、を備え、前記発光素子部と前記受光素子部と前記反射素子部とが一体に接合され、前記テラヘルツ光は、前記発光素子部から出射され、前記流路部において全反射する角度で入射して全反射し、前記受光素子部へと入射されることを特徴とする。
この構成の本適用例では、テラヘルツ光は、流路部において全反射する角度で入射して全反射するので、反射素子部に反射面を設ける必要がない。
このため、より簡易な構成とすることができ、さらに、センサーユニットをより小型化することができる。
[Application Example 5]
The sensor unit according to this application example includes a light emitting element portion having a light emitting element that generates terahertz light, a light receiving element portion that receives the terahertz light and detects a detection signal, and a reflective portion having a flow path portion. An element portion, and the light emitting element portion, the light receiving element portion, and the reflecting element portion are integrally joined, and the terahertz light is emitted from the light emitting element portion and totally reflected at the flow path portion. And is totally reflected and incident on the light receiving element portion.
In this application example having this configuration, the terahertz light is incident and totally reflected at the angle of total reflection in the flow path portion, so that it is not necessary to provide a reflection surface in the reflection element portion.
For this reason, it can be set as a simpler structure, and also a sensor unit can be reduced in size.
[適用例6]
本適用例に係るセンサーユニットでは、前記発光受光素子部には、前記発光受光素子部と前記反射素子部との接合面の反対側にレーザー光を発光素子部に導光する光ファイバーが設けられたことが好ましい。
この構成の本適用例では、電極を被覆する被覆部材に係脱可能とする取付部を有するので、他の部材・部品等をこの取付部に係合させることで、部材・部品等、例えば、光ファイバーを容易に取り付けることができる。この取付部に光ファイバーを取り付けた場合、パルスレーザー光が光ファイバーにより発光素子部または受光素子部へと導光されるので、パルスレーザー光の光路を鏡等の反射により屈曲させる必要がなく、光ファイバーを曲げることにより自在にこのパルスレーザー光の光路を曲げることができる。
[Application Example 6]
In the sensor unit according to this application example, the light emitting / receiving element portion is provided with an optical fiber that guides laser light to the light emitting element portion on the opposite side of the joint surface between the light emitting / receiving element portion and the reflecting element portion. It is preferable.
In this application example of this configuration, since it has a mounting portion that can be engaged with and disengaged from the covering member that covers the electrode, by engaging other members and parts with this mounting portion, members, parts, etc., for example, An optical fiber can be easily attached. When an optical fiber is attached to this attachment part, the pulse laser light is guided to the light emitting element part or the light receiving element part by the optical fiber, so there is no need to bend the optical path of the pulse laser light by reflection of a mirror or the like. The optical path of the pulse laser beam can be freely bent by bending.
[適用例7]
本適用例に係るテラヘルツ分光測定装置は、上記のセンサーユニットと、前記受光素子部に照射するレーザー光を照射するレーザー発振器と、前記検出信号を用いて分析処理を行う分析手段と、を備えたことを特徴とする。
この構成の本適用例では、受光素子部にて検出した信号から分析処理する分析手段を備えているので、得られた検出信号の分析および解析等をテラヘルツ分光測定と同時に行うことができる。従って、テラヘルツ分光測定と、その分析および解析を一度に行うことができるので、短時間で測定結果を得ることができる。
また、上記センサーユニットを導入したテラヘルツ分光測定装置は、軸外し放物面鏡等の集光光学系を省略でき、簡易な構成で小型化した分光測定装置とすることができる。
[Application Example 7]
A terahertz spectrometer according to this application example includes the above-described sensor unit, a laser oscillator that irradiates a laser beam that irradiates the light receiving element unit, and an analysis unit that performs an analysis process using the detection signal. It is characterized by that.
In this application example having this configuration, an analysis unit that performs analysis processing from a signal detected by the light receiving element unit is provided, and thus analysis and analysis of the obtained detection signal can be performed simultaneously with terahertz spectroscopy measurement. Therefore, terahertz spectroscopy measurement and its analysis and analysis can be performed at a time, so that a measurement result can be obtained in a short time.
In addition, the terahertz spectrometer having the sensor unit introduced therein can omit a condensing optical system such as an off-axis parabolic mirror, and can be a compact spectrometer with a simple configuration.
[適用例8]
本適用例に係るテラへルツ分光測定方法は、上記のテラヘルツ分光測定装置を用いたテラヘルツ分光測定方法であって、前記流路部に標準試料を流入させて検出信号を検出する標準試料検出工程と、前記流路部から前記標準試料を排出する排出工程と、前記流路部に試料を流入させて検出信号を検出する試料検出工程と、前記標準試料検出工程で得られる前記検出信号と前記試料検出工程で得られる前記検出信号とを比較して試料の分析を行う分析処理工程と、を備えることを特徴とする。
この構成の本適用例では、標準試料による吸収スペクトルを検出し、その後、試料による吸収スペクトルを検出する。そして、試料による吸収スペクトルの検出信号を標準試料による吸収スペクトルの検出信号で割ることで測定評価するので、標準試料の吸収スペクトルを基準とした測定ができる。よって、安定した測定精度を確保することができる。
[Application Example 8]
A terahertz spectrometry method according to this application example is a terahertz spectrometry method using the above-described terahertz spectrometer, and a standard sample detection step of detecting a detection signal by flowing a standard sample into the flow path section A discharge step of discharging the standard sample from the flow channel portion, a sample detection step of detecting a detection signal by flowing the sample into the flow channel portion, the detection signal obtained in the standard sample detection step, and the And an analysis processing step of analyzing the sample by comparing with the detection signal obtained in the sample detection step.
In this application example having this configuration, the absorption spectrum by the standard sample is detected, and then the absorption spectrum by the sample is detected. Since the measurement and evaluation are performed by dividing the detection signal of the absorption spectrum by the sample by the detection signal of the absorption spectrum by the standard sample, measurement based on the absorption spectrum of the standard sample can be performed. Therefore, stable measurement accuracy can be ensured.
本発明の実施形態を図面に基づいて説明する。ここで、各実施形態において、同一構成については同一符号を付して説明を省略もしくは簡略する。
(第1実施形態)
本発明の第1実施形態であるテラヘルツ分光測定装置を図1に基づいて説明する。
図1は、本発明の第1実施形態におけるテラヘルツ分光測定装置の構成図が示されている。
図1に示すように、本実施形態のテラヘルツ分光測定装置1は、所定周期でレーザー光30を発生するレーザー発振器としてのパルス光源100と、このパルス光源100から発生するレーザー光30を励起光とプローブ光とに分離するためのビームスプリッタ21と、この励起光を導くための励起光学系31と、励起光学系31によって導かれた励起光が照射されるセンサーユニット10と、プローブ光を導くためのプローブ光学系32と、このプローブ光の励起光に対するタイミング差を調整および設定する可変光遅延器40と、センサーユニット10からの検出信号を処理するための分析手段としての分光処理部50とを備えている。
Embodiments of the present invention will be described with reference to the drawings. Here, in each embodiment, the same components are denoted by the same reference numerals, and description thereof is omitted or simplified.
(First embodiment)
A terahertz spectrometer which is a first embodiment of the present invention will be described with reference to FIG.
FIG. 1 shows a block diagram of a terahertz spectrometer in the first embodiment of the present invention.
As shown in FIG. 1, the
ここで、パルス光源100としては、例えば、フェムト秒パルスレーザーなどのパルスレーザー装置を用いることができる。
センサーユニット10は、発光受光素子部11と凹面鏡12とを備えている。この発光受光素子部11は、励起光学系31の励起光が照射されることによりテラヘルツ光を発生させるとともに、流路部13内の試料Sを透過したテラヘルツ光を受光する。
Here, as the
The
励起光学系31は、レーザー光30をビームスプリッタ21によりセンサーユニット10まで導く光路である。
可変光遅延器40は、プローブ光の光軸と平行な方向に自在に移動可能な可動反射鏡41と、この可動反射鏡41の位置を移動制御する光遅延制御装置42と、プローブ光学系32をセンサーユニット10へと導く固定反射鏡43とを備えている。
また、光遅延制御装置42は、可動反射鏡41の位置を駆動制御するためのものである。可動反射鏡41の位置を駆動制御することによって、プローブ光の光路長の設定・変更を制御し、もって、励起光とプローブ光の照射タイミング差(テラヘルツ光の発生・検出タイミング差)の設定・変更を制御する。
The excitation
The variable
The optical
分光処理部50は、A/D変換器51、スペクトル分析装置52、及び、解析装置53を備えている。
A/D変換器51は、発光受光素子部11から供給された電流のアナログ信号をデジタル信号に変換するためのものである。
スペクトル分析装置52は、A/D変換器51で変換されたデジタル信号を記録し、フーリエ変換することによって、テラヘルツ光の周波数毎の強度分布を求めるためのものである。
The
The A /
The
解析装置53は、スペクトル分析装置52にて得られた強度スペクトルに基づき、流路部13内にある試料Sの分光特性を求めるためのものである。解析装置53は、パーソナルコンピュータ等からなり、スペクトル分析装置52で得られた振幅スペクトラムのデータに基づき、試料Sのテラヘルツ光分光特性を得るために必要な演算処理を行い、試料Sのテラヘルツ光分光特性を得る。
The
図2は、本発明の第1実施形態におけるセンサーユニットの拡大断面図が示されている。
図2に示すように、センサーユニット10は、平板形状の発光受光素子部11と反射素子部としての半楕円状の凹面鏡12とを備えている。そして、センサーユニット10は、これら発光受光素子部11と凹面鏡12とが平面を合わせて接合されて形成されている。
発光受光素子部11は、平板形状のガリウム砒素基板(以下GaAs基板という)111を有している。このGaAs基板111は、凹面鏡12との接合面とは反対側に低温成長ガリウム砒素基板(以下LT−GaAs基板という)112が設けられている。このLT−GaAs基板112は、分子線エピタキシャル法により、具体的には、200℃〜400℃程度の温度範囲でガリウム砒素をGaAs基板111上に堆積させたものである。
そして、このLT−GaAs基板112上に電極113を形成し、さらに、この電極113の上に被覆部材としての透光性部材114が形成されて、電極113が被覆されている。これらは発光素子あるいは受光素子として用いられる。
また、この電極113には、テラヘルツ光が励起光学系31より入射する箇所に間隙113Aが形成されている。
凹面鏡12は半楕円状の本体部121を備えており、この本体部121は、その楕円球面に反射面122を有している。また、本体部121は、その平面部123の形状が発光受光素子部11の接合される平面形状と略同じになっている。さらに、平面部123には、断面が矩形状の流路部13が形成されている。
FIG. 2 is an enlarged cross-sectional view of the sensor unit according to the first embodiment of the present invention.
As shown in FIG. 2, the
The light emitting / receiving
An
Further, a
The
図3には、本発明の第1実施形態における凹面鏡の斜視図が示されている。
図3に示すように、本体部121には、流路部13が形成されており、この流路部13は、流入口131と、排出口132と、滞留部133とを有している。
本体部121は、平面部123に立方体状に窪んだ滞留部133が形成されている。この滞留部133は、その深さは50ないし300μm程度が好ましい。これは、深すぎると滞留部133を透過する際のテラヘルツ光の吸収が大きくなり、薄すぎると滞留部133を流通する試料による吸収スペクトルが十分行えず測定不十分となるからである。
また、流路部13は、滞留部133から本体部121の平面方向に延設された2つの円筒形状の穿孔部である流入口131と、排出口132とを有している。
FIG. 3 is a perspective view of the concave mirror according to the first embodiment of the present invention.
As shown in FIG. 3, a
In the
Further, the
図4には、本発明の第1実施形態におけるセンサーユニットの製造方法を表す模式図が示されている。
図4に示すように、LT−GaAs基板112等が形成された発光受光素子部11と、凹面鏡12とを用意する(図4(A)参照)。そして、本体部121において、平面部123をエッチング等により加工し、流路部13を形成する(図3,図4(B)参照)。
FIG. 4 is a schematic view showing the method for manufacturing the sensor unit in the first embodiment of the present invention.
As shown in FIG. 4, a light emitting / receiving
次に、GaAs基板111と、流路部13が形成された本体部121とは、LT−GaAs基板112が形成されていない側のGaAs基板111の平面と、平面部123とが対向するよう配置される(図4(B)参照)。
そして、GaAs基板111の平面と平面部123とを接合することにより、流路部13を有するセンサーユニット10が得られる(図4(C)参照)。
Next, the
And the
図5には、本発明の第1実施形態における流路での試料の流通状態を表す模式図が示されている。
図5に示すように、試料Sは、流入口131から流入し、排出口132から排出される。このとき、滞留部133に試料Sが滞留する。滞留部133には、図示しない間隙113A(図2参照)から入射するテラヘルツ光が照射される第一光照射部134Aと図示しない反射面122(図2参照)により反射されたテラヘルツ光が照射される第二光照射部134Bとが存在しており、これら第一光照射部134Aと第二光照射部134Bとにおいて、試料Sにテラヘルツ光が照射される。
FIG. 5 is a schematic diagram showing the flow state of the sample in the flow channel in the first embodiment of the present invention.
As shown in FIG. 5, the sample S flows from the
本発明の第1実施形態におけるテラヘルツ分光測定方法は、標準試料としての純水を流路部13(図5参照)に流通させて得られる吸収スペクトルを検出する標準試料検出工程の後、流路部13から完全に純水を排出する排出工程を行う。
その後、流路部13に試料Sを流通させて吸収スペクトルを検出する試料検出工程を行う。そして、スペクトル分析装置52(図1参照)において試料Sによる吸収スペクトルの検出信号を水による吸収スペクトルの検出信号で割ってスペクトル分析をする分析処理工程を行っている。
なお、水溶液の測定を行う場合は、上記の様に、標準試料として純水を用いるが、その他の溶媒(アルコールやケトンなど)を用いる場合には、純粋な溶媒を標準試料として測定し、その後、測定対象物が含まれる溶液を測定して、スペクトル分析を行う。
The terahertz spectrometry method according to the first embodiment of the present invention includes a flow path after a standard sample detection step of detecting an absorption spectrum obtained by flowing pure water as a standard sample through the flow path section 13 (see FIG. 5). A discharging process for completely discharging pure water from the
Thereafter, a sample detection process is performed in which the sample S is circulated through the
When measuring an aqueous solution, pure water is used as a standard sample as described above. However, when using other solvents (such as alcohol or ketone), the pure solvent is measured as a standard sample, and then The solution containing the measurement object is measured, and the spectrum analysis is performed.
以上の構成の本実施形態では次の作用効果を奏することができる。
(1)本実施形態におけるセンサーユニット10では、反射面122を有する凹面鏡12が発光受光素子部11からのテラヘルツ光を発光受光素子部11へと反射するので、発光素子と受光素子とが同一面に設けられるLT−GaAs基板112とすることができるので、センサーユニット10を簡易な構成とすることができ、さらに、センサーユニット10を小型化することができる。
さらに、発光受光素子部11と凹面鏡12とを接合させているので、これらが離し置きされ、その間に試料Sが流通または配置されるセンサーユニット10に比べ、より小型化することができる。
In the present embodiment having the above-described configuration, the following operational effects can be achieved.
(1) In the
Furthermore, since the light emitting / receiving
(2)本実施形態のセンサーユニット10では、発光受光素子部11と凹面鏡12とが互いに接合され、その間に試料Sの流路部13が形成されているので、試料Sを当該流路部13に流しながらLT−GaAs基板112よりテラヘルツ光を出射させ試料Sを透過させてLT−GaAs基板112へと入射させることができる。
つまり、LT−GaAs基板112から出射してLT−GaAs基板112に入射するまでのテラヘルツ光の光路上には、GaAs基板111、本体部121および流路部13中の試料Sのみがあることとなる。
このため、テラヘルツ光が大気や空間によって吸収スペクトルされることがない。よって、試料S由来の吸収スペクトルのみを発光受光素子部11にて検出することができ、本実施形態のセンサーユニット10を測定精度の高いものとすることができる。
(2) In the
That is, there is only the sample S in the
For this reason, terahertz light is not absorbed by the atmosphere or space. Therefore, only the absorption spectrum derived from the sample S can be detected by the light emitting / receiving
(3)センサーユニット10は、凹面鏡12において、平面部123をエッチング等により加工、流路部13を形成する。
このため、平面部123をエッチングするだけで、発光受光素子部11と凹面鏡12との間に流路部13を形成することができる。
よって、センサーユニット10を簡易な構成とすることができ、容易に製造することができる。
(3) The
For this reason, the
Therefore, the
(4)LT−GaAs基板112上に電極113を形成し、さらに、この電極113の上に透光性部材114が形成されて、電極113が被覆されている。
このため、電極113の短絡を防止することができる。また、外気に触れることによる電極113の劣化を防止することもできる。
(4) An
For this reason, the short circuit of the
(5)流路部13には流入口131と排出口132とが対角に設けられており、滞留部133を試料Sで満たすことができる。
第一光照射部134Aおよび第二光照射部134Bに試料Sを常に流通させることができるので、試料S由来の吸収スペクトルを安定して検出することができる。
(5) The
Since the sample S can be always circulated through the first
(6)テラヘルツ分光測定装置1では、LT−GaAs基板112にて検出した信号から分析処理する分光処理部50を備えているので、得られた検出信号の分析および解析等をテラヘルツ分光測定と同時に行うことができる。
従って、テラヘルツ分光測定と、その分析および解析を一度に行うことができるので、短時間で測定結果を得ることができる。
(6) Since the
Therefore, terahertz spectroscopy measurement and its analysis and analysis can be performed at a time, so that a measurement result can be obtained in a short time.
(7)本実施例のテラヘルツ分光測定においては、純水を流路部13に流通させて、吸収スペクトルを検出した後、流路部13から完全に純水を排出する。その後、流路部13に試料Sを流通させて吸収スペクトルを検出する。そして、試料Sによる吸収スペクトルの検出信号を純水による吸収スペクトルの検出信号で割ってスペクトル分析を行っている。
(7) In the terahertz spectroscopic measurement of the present embodiment, pure water is circulated through the
このため、純水による吸収スペクトルを検出し、その後、試料Sによる吸収スペクトルを検出する。そして、試料Sによる吸収スペクトルの検出信号を標準試料による吸収スペクトルの検出信号で割ることで測定評価するので、安定した測定精度を確保することができる。 For this reason, the absorption spectrum by pure water is detected, and then the absorption spectrum by sample S is detected. Since the measurement and evaluation are performed by dividing the detection signal of the absorption spectrum by the sample S by the detection signal of the absorption spectrum by the standard sample, stable measurement accuracy can be ensured.
次に、本発明の第2実施形態を図6に基づいて説明する。
図6には、本発明の第2実施形態におけるセンサーユニットの製造方法を表す模式図が示されている。
第2実施形態は、第1実施形態とは、本体部121に流路部13を設ける替わりに、スペーサー14を用いている点が異なるものであり、その他の構成は第1実施形態と同様である。
Next, a second embodiment of the present invention will be described with reference to FIG.
FIG. 6 is a schematic diagram showing a method for manufacturing a sensor unit according to the second embodiment of the present invention.
The second embodiment is different from the first embodiment in that a
図6に示すように、LT−GaAs基板112等が形成された発光受光素子部11と、凹面鏡12とを用意する。
そして、発光受光素子部11と凹面鏡12との間にスペーサー14を配置し、発光受光素子部11と凹面鏡12とでスペーサー14を挟み込むことで流路部13を有するセンサーユニット10が得られる。
As shown in FIG. 6, a light emitting / receiving
The
従って、第2実施形態では、第1実施形態の効果(1),(2),(4)〜(7)と同様な作用効果を奏することができる。さらに、以下のような作用効果を奏することができる。
(8)本実施例のセンサーユニット10は、流路部13がスペーサー14を用いることにより区画されている。
このため、流路部13がスペーサー14により区画されるので、発光受光素子部11と凹面鏡12との間にスペーサー14を挟みこんで接合するだけで、発光受光素子部11と凹面鏡12との間に流路部13を区画することができる。
よって、第2実施形態では、センサーユニット10を簡易な構成とすることができ、さらに、当該センサーユニット10を容易に製造することができる。
Therefore, in 2nd Embodiment, there can exist an effect similar to the effect (1), (2), (4)-(7) of 1st Embodiment. Furthermore, the following effects can be obtained.
(8) In the
For this reason, since the
Therefore, in 2nd Embodiment, the
本発明の第3実施形態を図7に基づいて説明する。
図7には、本発明の第3実施形態におけるセンサーユニットを表す模式図が示されている。
第3実施形態は、第1実施形態とは励起光学系31およびプローブ光学系32の構成が異なるものであり、その他の構成は第1実施形態と同様である。
透光性部材114には、可撓性を有する光ファイバーFが取り付けられる取付部114Aが設けられている。この取付部114Aは透光性部材114の厚さ方向に貫通する穴であり、この穴に光ファイバーFの先端を導通することで光ファイバーFを係脱可能に取り付け固定する。
A third embodiment of the present invention will be described with reference to FIG.
FIG. 7 is a schematic diagram showing a sensor unit in the third embodiment of the present invention.
The third embodiment is different from the first embodiment in the configuration of the excitation
The
従って、第3実施形態では、第1実施形態の効果(1)〜(7)と同様な作用効果を奏することができる。さらに、以下のような作用効果を奏することができる。
(9)本実施例では、透光性部材114には、可撓性を有する光ファイバーFが取り付けられる取付部114Aが設けられており、これら取付部114Aに可撓性を有する光ファイバーFの先端を導通して光ファイバーFを係脱可能に取り付け固定している。
Therefore, in 3rd Embodiment, there can exist an effect similar to the effect (1)-(7) of 1st Embodiment. Furthermore, the following effects can be obtained.
(9) In the present embodiment, the
このため、簡易な構成により光ファイバーFを容易に取り付けることができる。この取付部114Aに光ファイバーFを取り付けることで、励起光またはプローブ光が光ファイバーFにより発光受光素子部11または凹面鏡12へと導光されるので、励起光学系31またはプローブ光学系32を鏡等の反射により屈曲させる必要がなく、光ファイバーFを曲げることによりこれらの光路を自在に曲げることができる。
よって、第3実施形態では、固定反射鏡43のような光路を変えるための構成が必要なく、パルス光源100(図1参照)とセンサーユニット10との位置関係を自由に設定することができる。従って、テラヘルツ分光測定装置1(図1参照)を簡易な構成とすることができ、さらに、容易に小型化することができる。
For this reason, the optical fiber F can be easily attached with a simple configuration. By attaching the optical fiber F to the
Therefore, in the third embodiment, a configuration for changing the optical path like the fixed reflecting
図8には、本発明の第4実施形態におけるセンサーユニットを表す模式図が示されている。
第4実施形態では、第1実施形態とは流路部の構成が異なるものであり、その他の構成は第1実施形態と同様である。
反射素子部としての第一凹面体15は第一凹面部152を有する透光性の半楕円体であって、第一凹面部152と対向する位置に第一平面部153を有している。この第一平面部153が発光受光素子部11と接合されることで、発光受光素子部11と第一凹面体15とが一体に形成されている。
そして、第一凹面部152の外側に第二凹面体16が設けられている。この第二凹面体16は、直方体状であって、その1つの平面が半楕円状に削られた透光性の部材である。この半楕円状に削られた第二凹面部162の球面は、第一凹面部152よりも半径が大きく形成されている。このため、第一凹面体15と第二凹面体16とを一体に接合した際、第一凹面部152と第二凹面部162との間に隙間ができる。この隙間が流路部13として利用できるようになっている。
FIG. 8 is a schematic diagram showing a sensor unit in the fourth embodiment of the present invention.
The fourth embodiment is different from the first embodiment in the configuration of the flow path portion, and the other configurations are the same as those in the first embodiment.
The first
The second
図9は、本発明の第4実施形態におけるエバネッセント波の光路を表す模式図である。
図9に示すように、テラヘルツ光は、全反射する角度で流路部13へ入射する。このとき、流路部の界面において、エバネッセント効果によってテラヘルツ光は全反射している。流路部13において、エバネッセント波EWは試料S中を透過しながら再び第一凹面体15へと反射する。このため、全反射した後のテラヘルツ光が、LT−GaAs基板112に入射することによって、吸収スペクトルを検出する。
なお、図9(B)に示すように、テラヘルツ光が流路部13へ同一角度で入射するほうが、試料Sに浸入するエバネッセント波の深さが一定になる為、好ましい。
FIG. 9 is a schematic diagram showing an optical path of an evanescent wave in the fourth embodiment of the present invention.
As shown in FIG. 9, the terahertz light is incident on the
As shown in FIG. 9B, it is preferable that the terahertz light is incident on the
従って、第4実施形態では、第1実施形態の効果(1),(2),(4)〜(7)と同様な作用効果を奏することができる。さらに、以下のような作用効果を奏することができる。 Therefore, in 4th Embodiment, there can exist an effect similar to the effect (1), (2), (4)-(7) of 1st Embodiment. Furthermore, the following effects can be obtained.
(10)本実施形態のセンサーユニット10では、第二凹面体16を設けることで流路部13を形成している。このため、第一凹面体15の第一平面部153において流路部13を形成するためにエッチング等を施す必要がない。よって、本実施形態のセンサーユニットの製造を容易に行うことができる。
さらに、本実施形態では、テラヘルツ光は、流路部13において全反射する角度で第一凹面体から入射して全反射するので、第二凹面体16に反射面を設ける必要がない。このため、第一凹面体15を簡易な構成とすることができる。
(10) In the
Furthermore, in the present embodiment, the terahertz light is incident from the first concave body at the angle at which it is totally reflected in the
本発明は前述の実施形態に限定されるものではなく、本発明の目的を達成できる範囲での変形、改良等は本発明に含まれるものである。
第4実施形態では、第一凹面体15と第二凹面体16とを用いたがこれに限らない。例えば、図10および図11のような形態のセンサーユニット10としてもよく、流路部13において、テラヘルツ光が全反射し、エバネッセント波EWにより試料S由来の吸収スペクトルを検出できる構成であれば、いずれでもよい。
なお、図10および図11のセンサーユニット10(本図)では、テラヘルツ光が流路部13へ同一角度で入射するため、試料Sを透過するエバネッセント波EWの浸入深さが一定となる。
このため、試料S由来の吸収スペクトルが安定するので、精度よく測定することができる。
また、本実施形態では、試料Sをセンサーユニットの上に滴下して測定する為、流路中に試料Sを注入する必要が無い。この為、非常に使い勝手の良い測定装置となる。
The present invention is not limited to the above-described embodiment, and modifications, improvements, and the like within the scope that can achieve the object of the present invention are included in the present invention.
In 4th Embodiment, although the 1st
In the sensor unit 10 (this figure) of FIGS. 10 and 11, since the terahertz light is incident on the
For this reason, since the absorption spectrum derived from the sample S is stabilized, it can be measured with high accuracy.
Further, in the present embodiment, since the sample S is dropped and measured on the sensor unit, it is not necessary to inject the sample S into the flow path. For this reason, it becomes a very convenient measuring device.
また、例えば、凹面鏡12に流路部13を形成したが、これに限らず、発光受光素子部に流路部13を形成してもよいし、発光受光素子部および凹面鏡12の両方に流路部13を形成してもよい。
Further, for example, the
光ファイバーFを透光性部材114の取付部114Aに取り付けるとしたが、これに限らず、励起光およびプローブ光が導光孔113Aに入射するように、光ファイバーFの先端を導光孔113Aに向けて離し置いてもよい。
Although the optical fiber F is attached to the
本発明は、テラヘルツ分光測定装置のほか、様々な光学測定装置に利用できる。 The present invention can be used for various optical measurement devices in addition to a terahertz spectrometer.
1…テラヘルツ分光測定装置、10…センサーユニット、11…発光受光素子部、12…凹面鏡、122…反射面、13…流路部、14…スペーサー、15…第一凹面体(反射素子部)、16…第二凹面体(反射素子部)、30…レーザー光、50…分光処理部(分析手段)、100…パルス光源(レーザー発振器)、112…LT−GaAs基板(発光素子,受光素子)、113…電極、114…透光性部材(被覆部材)、114A…取付部、F…光ファイバー、S…試料
DESCRIPTION OF
Claims (8)
前記発光素子部と前記受光素子部と前記反射素子部とが一体に接合され、
前記発光素子部と前記受光素子部との光路の間に試料を流通させるための流路部が形成されることを特徴としたセンサーユニット。 A light emitting element having a light emitting element that generates terahertz light; a light receiving element having a light receiving element that receives the terahertz light and detects a detection signal; and the light receiving element that emits the terahertz light emitted from the light emitting element. A reflective element portion having a reflective surface that reflects toward the surface,
The light emitting element part, the light receiving element part and the reflective element part are integrally joined,
A sensor unit, characterized in that a flow path part for circulating a sample is formed between optical paths between the light emitting element part and the light receiving element part.
前記発光素子部と前記受光素子部とが、前記発光素子と前記受光素子とを同一面に設けた発光受光素子部であることを特徴としたセンサーユニット。 The sensor unit according to claim 1,
The sensor unit, wherein the light emitting element part and the light receiving element part are light emitting and receiving element parts in which the light emitting element and the light receiving element are provided on the same surface.
前記流路部が、前記発光素子部、前記受光素子部および前記反射素子部の少なくともいずれか一方に形成されたことを特徴としたセンサーユニット。 The sensor unit according to claim 1 or 2,
The sensor unit, wherein the flow path part is formed in at least one of the light emitting element part, the light receiving element part, and the reflecting element part.
前記流路部がスペーサーにより区画されたことを特徴としたセンサーユニット。 The sensor unit according to any one of claims 1 to 3,
A sensor unit, wherein the flow path section is partitioned by a spacer.
前記発光素子部と前記受光素子部と前記反射素子部とが一体に接合され、
前記テラヘルツ光は、前記発光素子部から出射され、前記流路部において全反射する角度で入射して全反射し、前記受光素子部へと入射されることを特徴としたセンサーユニット。 A light emitting element unit having a light emitting base element for generating terahertz light, a light receiving element unit having a light receiving element for receiving the terahertz light and detecting a detection signal, and a reflective element unit having a flow path unit,
The light emitting element part, the light receiving element part and the reflective element part are integrally joined,
The terahertz light is emitted from the light emitting element portion, is incident at a total reflection angle in the flow path portion, is totally reflected, and is incident on the light receiving element portion.
前記発光受光素子部には、前記発光受光素子部と前記反射素子部との接合面の反対側にレーザー光を発光素子部に導光する光ファイバーが設けられたことを特徴としたセンサーユニット。 The sensor unit according to any one of claims 1 to 5,
The sensor unit, wherein the light emitting / receiving element part is provided with an optical fiber for guiding laser light to the light emitting element part on the opposite side of the joint surface between the light emitting / receiving element part and the reflecting element part.
前記発光素子部と前記受光素子部に照射するレーザー光を照射するレーザー発振器と、
前記検出信号を用いて分析処理を行う分析手段と、を備えたことを特徴としたテラヘルツ分光測定装置。 The sensor unit according to any one of claims 1 to 6,
A laser oscillator for irradiating the light emitting element portion and the light receiving element portion with a laser beam;
And a terahertz spectrometer, comprising: an analysis unit that performs an analysis process using the detection signal.
前記流路部に標準試料を流入させて前記検出信号を検出する標準試料検出工程と、
前記流路部から前記標準試料を排出する排出工程と、
前記流路部に前記試料を流入させて前記検出信号を検出する試料検出工程と、
前記標準試料検出工程で得られる前記検出信号と前記試料検出工程で得られる前記検出信号とを比較して前記試料の分析を行う分析処理工程と、を備えることを特徴とするテラへルツ分光測定方法。 A terahertz spectrometry method using the terahertz spectrometer according to claim 7,
A standard sample detection step of detecting the detection signal by allowing a standard sample to flow into the flow path portion;
A discharge step of discharging the standard sample from the flow path portion;
A sample detection step of detecting the detection signal by allowing the sample to flow into the flow path portion;
A terahertz spectroscopic measurement comprising: an analysis processing step of analyzing the sample by comparing the detection signal obtained in the standard sample detection step with the detection signal obtained in the sample detection step Method.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2009058977A JP2010210543A (en) | 2009-03-12 | 2009-03-12 | Sensor unit, terahertz spectral measurement apparatus, and terahertz spectral measurement method |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2009058977A JP2010210543A (en) | 2009-03-12 | 2009-03-12 | Sensor unit, terahertz spectral measurement apparatus, and terahertz spectral measurement method |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2010210543A true JP2010210543A (en) | 2010-09-24 |
Family
ID=42970858
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2009058977A Pending JP2010210543A (en) | 2009-03-12 | 2009-03-12 | Sensor unit, terahertz spectral measurement apparatus, and terahertz spectral measurement method |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2010210543A (en) |
Cited By (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2012073561A1 (en) * | 2010-11-29 | 2012-06-07 | 浜松ホトニクス株式会社 | Total reflection spectroscopic measurement device |
JP2015117964A (en) * | 2013-12-17 | 2015-06-25 | 国立研究開発法人情報通信研究機構 | Terahertz spectroscopic system |
JPWO2014034668A1 (en) * | 2012-08-31 | 2016-08-08 | 築野食品工業株式会社 | Quantitative determination of γ-oryzanol using near infrared spectroscopy |
JPWO2015174463A1 (en) * | 2014-05-14 | 2017-04-20 | コニカミノルタ株式会社 | Detection device and manufacturing method thereof |
CN107359135A (en) * | 2016-05-09 | 2017-11-17 | 中国科学院半导体研究所 | Transfer bonding structure of integrated device and preparation method thereof in Terahertz antenna sheet |
CN108507970A (en) * | 2018-06-05 | 2018-09-07 | 中国工程物理研究院激光聚变研究中心 | Terahertz test sample device |
-
2009
- 2009-03-12 JP JP2009058977A patent/JP2010210543A/en active Pending
Cited By (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2012073561A1 (en) * | 2010-11-29 | 2012-06-07 | 浜松ホトニクス株式会社 | Total reflection spectroscopic measurement device |
JP2012117837A (en) * | 2010-11-29 | 2012-06-21 | Hamamatsu Photonics Kk | Total reflection spectroscopic measuring device |
JPWO2014034668A1 (en) * | 2012-08-31 | 2016-08-08 | 築野食品工業株式会社 | Quantitative determination of γ-oryzanol using near infrared spectroscopy |
JP2015117964A (en) * | 2013-12-17 | 2015-06-25 | 国立研究開発法人情報通信研究機構 | Terahertz spectroscopic system |
JPWO2015174463A1 (en) * | 2014-05-14 | 2017-04-20 | コニカミノルタ株式会社 | Detection device and manufacturing method thereof |
CN107359135A (en) * | 2016-05-09 | 2017-11-17 | 中国科学院半导体研究所 | Transfer bonding structure of integrated device and preparation method thereof in Terahertz antenna sheet |
CN108507970A (en) * | 2018-06-05 | 2018-09-07 | 中国工程物理研究院激光聚变研究中心 | Terahertz test sample device |
CN108507970B (en) * | 2018-06-05 | 2024-02-02 | 中国工程物理研究院激光聚变研究中心 | Terahertz test sample device |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US11125682B2 (en) | Optical absorption spectroscopy based gas analyzer systems and methods | |
De Cumis et al. | Widely-tunable mid-infrared fiber-coupled quartz-enhanced photoacoustic sensor for environmental monitoring | |
US9759654B2 (en) | Cavity enhanced laser based isotopic gas analyzer | |
KR102021874B1 (en) | Spectroscopic analyser | |
Spagnolo et al. | Mid-infrared fiber-coupled QCL-QEPAS sensor | |
US20190120757A1 (en) | Terahertz time domain spectroscopic apparatus | |
US9255841B2 (en) | Spectroscopy systems and methods using quantum cascade laser arrays with lenses | |
Jouy et al. | Mid-infrared spectroscopy for gases and liquids based on quantum cascade technologies | |
CA3025935A1 (en) | Photothermal interferometry apparatus and method | |
JP2010210543A (en) | Sensor unit, terahertz spectral measurement apparatus, and terahertz spectral measurement method | |
JP2009265106A (en) | Terahertz frequency domain spectrometer equipped with integrated dual laser module | |
Chen et al. | Review on multi gas detector using infrared spectral absorption technology | |
AU2015327741B2 (en) | Cavity enhanced spectroscopy using off-axis paths | |
JP5875741B1 (en) | Gas measuring device and measuring method | |
US10876958B2 (en) | Gas-detecting device with very high sensitivity based on a Helmholtz resonator | |
JP2010164511A (en) | Sensor unit, terahertz spectral measurement apparatus, and terahertz spectral measurement method | |
US10908082B2 (en) | Gas analyzer | |
US20150083922A1 (en) | Spectroscopy system using waveguide and employing a laser medium as its own emissions detector | |
RU75885U1 (en) | OPTICAL GAS SENSOR BASED ON IMMERSION DIODE OPTOCARS | |
US9995627B2 (en) | Raster optic device for optical hyper spectral scanning | |
US11131624B2 (en) | Compact fourier transform infrared spectrometer | |
Brandstetter et al. | Tunable Mid-IR lasers: A new avenue to robust and versatile physical chemosensors | |
US11099070B2 (en) | High-fineness Fabry-Perot cavity and method therefor | |
CN116124289A (en) | Terahertz frequency meter with wide-range and dense graduation | |
Manfred | Mid-infrared laser spectroscopy for trace gas detection |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A711 | Notification of change in applicant |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A711 Effective date: 20100705 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20100709 |