JP2010205705A - 表示装置 - Google Patents

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Abstract

【課題】回折反射を低減することの可能な表示装置を提供する。
【解決手段】
有機ＥＬ素子のアノード３５Ａの直下にソース３２Ｂ（端子３３Ｂ）が設けられており、ソース３２Ｂの上面３２Ｂ−１（端子３３Ｂの上面３３Ｂ−１）が、少なくともアノード３５Ａとの対向領域に形成されている。ソース３２Ｂ（端子３３Ｂ）の端部に対応して、アノード３５Ａの下地に形成された段差がアノード３５Ａの直下には存在せず、アノード３５Ａは下地の平坦面上に形成されている。これにより、外光がアノード３５Ａに入射したときに回折反射が生じることがない。
【選択図】図３

Description

本発明は、有機ＥＬ(electro luminescence)素子を備えた表示装置に関する。
近年、画像表示を行う表示装置の分野では、画素の発光素子として、流れる電流値に応じて発光輝度が変化する電流駆動型の光学素子、例えば有機ＥＬ素子を用いた表示装置が開発され、商品化が進められている（例えば、特許文献１参照）。
有機ＥＬ素子は、液晶素子などと異なり自発光素子である。そのため、有機ＥＬ素子を用いた表示装置（有機ＥＬ表示装置）では、光源（バックライト）が必要ないので、光源を必要とする液晶表示装置と比べて画像の視認性が高く、消費電力が低く、かつ素子の応答速度が速い。
有機ＥＬ表示装置では、液晶表示装置と同様、その駆動方式として単純（パッシブ）マトリクス方式とアクティブマトリクス方式とがある。前者は、構造が単純であるものの、大型かつ高精細の表示装置の実現が難しいなどの問題がある。そのため、現在では、アクティブマトリクス方式の開発が盛んに行なわれている。この方式は、画素ごとに配した発光素子に流れる電流を、発光素子ごとに設けた駆動回路内に設けた能動素子（一般にはＴＦＴ(Thin Film Transistor;薄膜トランジスタ)）によって制御するものである。
図１４は、一般的な有機ＥＬ表示装置の概略構成を表したものである。図１４に記載の表示装置１００は、複数の画素１２０がマトリクス状に配置された表示部１１０と、各画素１２０を駆動する駆動部（水平駆動回路１３０、書き込み走査回路１４０および電源走査回路１５０）とを備えている。
各画素１２０は、赤色用の画素１２０Ｒ、緑色用の画素１２０Ｇおよび青色用の画素１２０Ｂからなる。画素１２０Ｒ，１２０Ｇ，１２０Ｂは、図１５、図１６に示したように、有機ＥＬ素子１２１（有機ＥＬ素子１２１Ｒ，１２１Ｇ，１２１Ｂ）およびそれに接続された画素回路１２２により構成されている。なお、図１５は、画素１２０Ｒ，１２０Ｇ，１２０Ｂの回路構成を表したものである。図１６は、画素１２０Ｒ，１２０Ｇ，１２０Ｂのレイアウトを表したものである。
画素回路１２２は、サンプリング用のトランジスタＴWS、保持容量Ｃs、駆動用のトランジスタＴDrによって構成されたものであり、２Ｔｒ１Ｃの回路構成となっている。書き込み走査回路１４０から引き出されたゲート線ＷＳＬが行方向に延在して形成されており、コンタクト１２６Ａを介して、トランジスタＴWSのゲート１２３Ａに接続されている。電源走査回路１５０から引き出されたドレイン線ＤＳＬも行方向に延在して形成されており、引出配線１２８Ａを介して、トランジスタＴDrのドレイン１２４Ｃに接続されている。また、水平駆動回路１３０から引き出された信号線ＤＴＬは列方向に延在して形成されており、コンタクト１２６Ｂおよび引出配線１２８Ｂを介して、トランジスタＴWSのドレイン１２３Ｃに接続されている。トランジスタＴWSのソース１２３Ｂは、コンタクト１２６Ｃを介して、駆動用のトランジスタＴDrのゲート１２４Ａと、保持容量Ｃsの一端（端子１２５Ａ）とに接続されている。トランジスタＴDrのソース１２４Ｂと保持容量Ｃsの他端（端子１２５Ｂ）とが、コンタクト１２６Ｄを介して、有機ＥＬ素子１２１Ｒ，１２１Ｇ，１２１Ｂ（以下、有機ＥＬ素子１２１Ｒ等と略する。）のアノード１２７Ａに接続されている。有機ＥＬ素子１２１Ｒ等のカソード１２７Ｂは、グラウンド線ＧＮＤに接続されている。
特開２００８−０８３２７２号公報
図１７は、図１２のＡ−Ａ矢視方向の断面構成を表したものである。各画素１２０は、図１６のＡ−Ａ線に対応する部分において、基板１１１上に、ゲート１２４Ａ（端子１２５Ａ）、ゲート絶縁膜１１２、ソース１２４Ｂ（端子１２５Ｂ）、絶縁保護膜１１３、絶縁平坦化膜１１４、開口規定絶縁膜１１５、有機ＥＬ素子１２１および絶縁保護膜１１６を有している。有機ＥＬ素子１２１Ｒ等のアノード１２７Ａの直下には、例えば膜厚が１μｍ程度のソース１２４Ｂ（端子１２５Ｂ）が存在しており、これによってアノード１２７Ａに凹凸が生じるのを防止する目的で、絶縁平坦化膜１１４が形成されている。
しかし、実際には、図１７に示したように、ソース１２４Ｂ（端子１２５Ｂ）に起因して、アノード１２７Ａに例えば０．３〜０．４μｍ程度の凹凸１２７Ｄが生じている。この凹凸１２７Ｄは、ソース１２４Ｂ（端子１２５Ｂ）の形状を反映しており、列方向に長く延在している。そのため、外光Ｌがアノード１２７Ａに入射したときに、この凹凸１２７Ｄで回折反射するので、その反射光が観察者（図示せず）に見えてしまい、画質が低下してしまうという問題があった。
本発明はかかる問題点に鑑みてなされたものであり、回折反射を低減することの可能な表示装置を提供することにある。
本発明の第１の表示装置は、有機ＥＬ素子および画素回路を画素ごとに有する表示部を備えたものである。画素回路は、映像信号を書き込む書き込み用の第１トランジスタと、第１トランジスタによって書き込まれた映像信号に基づいて有機ＥＬ素子を駆動する駆動用の第２トランジスタとを有している。第２トランジスタは、ゲート、ソースおよびドレインを有しており、有機ＥＬ素子は、アノード、有機層およびカソードを有している。ソースまたはドレインの上面が、少なくともアノードまたはカソードとの対向領域に形成されている。
本発明の第１の表示装置では、第２トランジスタのソースまたはドレインの上面が、少なくとも有機ＥＬ素子のアノードまたはカソードとの対向領域に形成されている。これにより、ソースまたはドレインの端部に対応する段差がアノードまたはカソードの直下には存在せず、アノードまたはカソードは平坦面上に形成されている。
本発明の第２の表示装置は、有機ＥＬ素子および画素回路を画素ごとに有する表示部を備えたものである。画素回路は、映像信号を書き込む書き込み用の第１トランジスタと、第１トランジスタによって書き込まれた映像信号に基づいて有機ＥＬ素子を駆動する駆動用の第２トランジスタとを有している。第２トランジスタは、ゲート、ソースおよびドレインを有しており、有機ＥＬ素子は、アノード、有機層およびカソードを有している。ソースまたはドレインは、連続した湾曲面を含む長辺部を有している。
本発明の第２の表示装置では、第２トランジスタのソースまたはドレインが、連続した湾曲面を含む長辺部を有している。これにより、有機ＥＬ素子のアノードまたはカソードには、ソースまたはドレインの長辺部に形成された、連続した湾曲面に対応した凹凸が形成されている。
ここで、本発明の第１および第２の表示装置において、表示部が、ゲートと、ソースまたはドレインとの間に接続された保持容量を画素ごとに有していてもよい。この場合、保持容量を、ソースまたはドレインのうち、ソースまたはドレインの上面が少なくともアノードまたはカソードとの対向領域に形成されている方と、ゲートとによって構成することが可能である。
本発明の第１の表示装置によれば、第２トランジスタのソースまたはドレインの上面を、少なくとも有機ＥＬ素子のアノードまたはカソードとの対向領域に形成するようにした。これにより、外光がアノードまたはカソードに入射したときに、回折反射を低減することができる。その結果、回折反射に起因した画質の低下を抑制することができる。
本発明の第２の表示装置によれば、第２トランジスタのソースまたはドレインに、連続した湾曲面を含む長辺部を設けるようにした。これにより、外光がアノードまたはカソードに入射したときに、一定方向に回折反射が生じることを低減することができる。その結果、回折反射に起因した画質の低下を抑制することができる。
本発明の第１の実施の形態に係る表示装置の概略構成図である。 図１の画素の回路構成図である。 図１の画素のレイアウト図である。 図３の画素の断面構成図である。 図１の画素の一変形例のレイアウト図である。 本発明の第２の実施の形態に係る表示装置に含まれる画素のレイアウト図である。 図６の画素の断面構成図である。 上記各実施の形態の表示装置を含むモジュールの概略構成を表す平面図である。 上記実施の形態の表示装置の適用例１の外観を表す斜視図である。 （Ａ）は適用例２の表側から見た外観を表す斜視図であり、（Ｂ）は裏側から見た外観を表す斜視図である。 適用例３の外観を表す斜視図である。 適用例４の外観を表す斜視図である。 （Ａ）は適用例５の開いた状態の正面図、（Ｂ）はその側面図、（Ｃ）は閉じた状態の正面図、（Ｄ）は左側面図、（Ｅ）は右側面図、（Ｆ）は上面図、（Ｇ）は下面図である。 従来の表示装置の概略構成図である。 図１０の画素の回路構成図である。 図１０の画素のレイアウト図である。 図１６の画素の断面構成図である。
以下、発明を実施するための形態について、図面を参照して詳細に説明する。なお、説明は以下の順序で行う。

１．第１の実施の形態（ソースの面積が大きい）
２．変形例
３．第２の実施の形態（カソードの端部に、連続した湾曲面を含む）
４．変形例
５．モジュールおよび適用例
＜第１の実施の形態＞
図１は、本発明の第１の実施の形態に係る表示装置１の全体構成の一例を表したものである。この表示装置１は、例えば、ガラス，シリコン（Ｓｉ）ウェハあるいは樹脂などよりなる基板４０（後述）上に、表示部１０と、表示部１０の周辺に形成された周辺回路部２０（駆動部）とを備えている。
［表示部１０］
表示部１０は、複数の画素１１を表示部１０の全面に渡ってマトリクス状に配置したものであり、外部から入力された映像信号２０ａに基づく画像をアクティブマトリクス駆動により表示するものである。各画素１１は、赤色用の画素１１Ｒと、緑色用の画素１１Ｇと、青色用の画素１１Ｂとを含んでいる。
図２は、画素１１Ｒ，１１Ｇ，１１Ｂの回路構成の一例を表したものである。図３は、画素１１Ｒ，１１Ｇ，１１Ｂのレイアウトを表したものである。画素１１Ｒ，１１Ｇ，１１Ｂ内には、図２に示したように、有機ＥＬ素子１２Ｒ，１２Ｇ，１２Ｂ（発光素子）と、画素回路１３とが設けられている。
画素回路１３は、トランジスタＴWS（第１トランジスタ）と、トランジスタＴDr（第２トランジスタ）と、トランジスタＴDrのゲート−ソース間に接続された保持容量Ｃsとを含んで構成されたものであり、２Ｔｒ１Ｃの回路構成となっている。トランジスタＴWSは、映像信号を書き込む書き込み用のトランジスタである。トランジスタＴDrは、トランジスタＴWSによって書き込まれた映像信号に基づいて有機ＥＬ素子１２Ｒ，１２Ｇ，１２Ｂ（以下、有機ＥＬ素子１２と総称する）を駆動する駆動用のトランジスタである。トランジスタＴWS，ＴDrは、例えば、ｎチャネルＭＯＳ型の薄膜トランジスタ（ＴＦＴ（Thin Film Transistor））により形成されている。
［周辺回路部２０］
周辺回路部２０は、タイミング制御回路２１と、水平駆動回路２２と、書き込み走査回路２３と、電源走査回路２４とを有している。タイミング制御回路２１は、表示信号生成回路２１Ａと、表示信号保持制御回路２１Ｂとを含んでいる。また、周辺回路部２０には、ゲート線ＷＳＬと、ドレイン線ＤＳＬと、信号線ＤＴＬと、グラウンド線ＧＮＤとが設けられている。なお、グラウンド線は、グラウンドに接続されるものであり、グラウンドに接続されたときにグラウンド電圧（参照電圧）となる。
表示信号生成回路２１Ａは、外部から入力された映像信号２０ａに基づいて、例えば１画面ごと（１フィールドの表示ごと）に表示部１０に表示するための表示信号２１ａを生成するものである。
表示信号保持制御回路２１Ｂは、表示信号生成回路２１Ａから出力された表示信号２１ａを１画面ごと（１フィールドの表示ごと）に、例えばＳＲＡＭ（Static Random Access Memory）などから構成されたフィールドメモリに格納して保持するものである。この表示信号保持制御回路２１Ｂはまた、各画素１１を駆動する水平駆動回路２２、書き込み走査回路２３および電源走査回路２４が連動して動作するように制御する役割も果たしている。具体的には、表示信号保持制御回路２１Ｂは、書き込み走査回路２３に対しては制御信号２１ｂを、電源走査回路２４に対しては制御信号２１ｃを、表示信号駆動回路２１Ｃに対しては制御信号２１ｄをそれぞれ出力するようになっている。
水平駆動回路２２は、表示信号保持制御回路２１Ｂから出力された制御信号２１ｄに応じた電圧を出力可能となっている。具体的には、水平駆動回路２２は、表示部１０の各画素１１に接続された信号線ＤＴＬを介して、書き込み走査回路２３により選択された画素１１へ所定の電圧を供給するようになっている。
書き込み走査回路２３は、表示信号保持制御回路２１Ｂから出力された制御信号２１ｂに応じた電圧を出力可能となっている。具体的には、書き込み走査回路２３は、表示部１０の各画素１１に接続されたゲート線ＷＳＬを介して、駆動対象の画素１１へ所定の電圧を供給し、サンプリング用のトランジスタＴWSを制御するようになっている。
電源走査回路２４は、表示信号保持制御回路２１Ｂから出力された制御信号２１ｃに応じた電圧を出力可能となっている。具体的には、電源走査回路２４は、表示部１０の各画素１１に接続されたドレイン線ＤＳＬを介して、駆動対象の画素１１へ所定の電圧を供給し、有機ＥＬ素子１２Ｒ等の発光および消光を制御するようになっている。
［レイアウト］
次に、図２、図３を参照して、各構成要素の接続関係について説明する。書き込み走査回路２３から引き出されたゲート線ＷＳＬは、行方向に延在して形成されており、コンタクト３４Ａを介して、トランジスタＴWSのゲート３１Ａに接続されている。電源走査回路２４から引き出されたドレイン線ＤＳＬも行方向に延在して形成されており、引出配線３６Ａを介して、トランジスタＴDrのドレイン３２Ｃに接続されている。また、水平駆動回路２２から引き出された信号線ＤＴＬは列方向に延在して形成されており、コンタクト３４Ｂおよび引出配線３６Ｂを介して、トランジスタＴWSのドレイン３１Ｃに接続されている。トランジスタＴWSのソース３１Ｂは駆動用のトランジスタＴDrのゲート３２Ａと、保持容量Ｃsの一端（端子３３Ａ）に接続されている。トランジスタＴDrのソース３２Ｂと保持容量Ｃsの他端（端子３３Ｂ）とが、コンタクト３４Ｄを介して、有機ＥＬ素子１２のアノード３５Ａに接続されている。有機ＥＬ素子１２のカソード３５Ｂは、グラウンド線ＧＮＤに接続されている。
［断面構成］
図４は、図３のＡ−Ａ矢視方向の断面構成を表したものである。各画素１１は、図３のＡ−Ａ線に対応する部分において、基板４０上に、ゲート３２Ａ（端子３３Ａ）、ゲート絶縁膜４１、ソース３２Ｂ（端子３３Ｂ）、絶縁保護膜４２、絶縁平坦化膜４３、有機ＥＬ素子１２、開口規定絶縁膜４４および絶縁保護膜４５を有している。
ゲート３２Ａ（端子３３Ａ）は、基板４０の表面に形成されており、おおむね、後述のＥＬ開口部４４Ａとの対向領域を含む領域に形成されている。なお、図３には、ゲート３２Ａ（端子３３Ａ）が、ＥＬ開口部４４Ａのうち上部を除いた領域との対向領域を含む領域に形成されている場合が例示されている。ゲート絶縁膜４１は、ゲート３２Ａ（端子３３Ａ）を含む基板４０表面全体を覆っている。なお、ゲート３２Ａは極めて薄いことから、ゲート絶縁膜４１には、ゲート３２Ａに起因する凹凸は実質的に存在していない。つまり、ゲート絶縁膜４１の上面は、光学的には平坦面と同等である。
ソース３２Ｂ（端子３３Ｂ）は、ゲート絶縁膜４１と絶縁保護膜４２との間に形成されている。ソース３２Ｂの上面３２Ｂ−１（端子３３Ｂの上面３３Ｂ−１）は、平坦面となっており、少なくともアノード３５Ａとの対向領域に形成されている。なお、後述するように、アノード３５Ａの上面の一部がＥＬ開口部４４Ａに相当しているので、上面３２Ｂ−１（３３Ｂ−１）は、ＥＬ開口部４４Ａとの対向領域を含む領域に形成されている。
絶縁保護膜４２は、ゲート絶縁膜４１およびソース３２Ｂ（端子３３Ｂ）の表面全体を覆っている。絶縁保護膜４２は、ゲート絶縁膜４１およびソース３２Ｂ（端子３３Ｂ）の表面にならって形成されていることから、ソース３２Ｂ（端子３３Ｂ）の端部に対応して、段差４２Ａを有している。この段差４２Ａは、アノード３５Ａとの非対向領域に形成されており、絶縁保護膜４２の上面のうち少なくともアノード３５Ａとの対向領域は、平坦面となっている。
絶縁平坦化膜４３は、ソース３２Ｂ（端子３３Ｂ）の下地を平坦化することを目的として設けられたものであり、絶縁保護膜４２の表面全体を覆っている。絶縁平坦化膜４３は、例えば、段差４２Ａに対応した部位に、段差４２Ａの高さの半分以下程度の高さの段差４３Ａを有している。この段差４３Ａは、アノード３５Ａとの非対向領域に形成されており、絶縁平坦化膜４３の上面のうち少なくともアノード３５Ａとの対向領域は、平坦面となっている。
有機ＥＬ素子１２は、例えば、アノード３５Ａ（陽極）、有機層３５Ｃおよびカソード３５Ｂ（陰極）が基板４０側から順に積層された構成を有している。有機層３５Ｃは、例えば、アノード３５Ａ側から順に、正孔注入効率を高める正孔注入層と、発光層への正孔輸送効率を高める正孔輸送層と、電子と正孔との再結合による発光を生じさせる発光層と、発光層への電子輸送効率を高める電子輸送層とを積層してなる積層構造を有している。アノード３５Ａは、絶縁平坦化膜４３のうち段差４３Ａで囲まれた部分の表面（平坦面）上に形成されている。そのため、アノード３５Ａには、段差４２Ａ，４３Ａに対応した凹凸は存在せず、アノード３５Ａは、絶縁平坦化膜４３の平坦面にならった平坦な膜となっている。カソード３５Ｂは、少なくとも有機層３５Ｃの上面に接して形成されており、例えば、有機層３５Ｃおよび開口規定絶縁膜４４の表面全体を覆っている。
開口規定絶縁膜４４は、有機ＥＬ素子１２のアノード３５Ａと同一面内に形成されており、アノード３５Ａに対応して開口（ＥＬ開口部４４Ａ）を有している。ＥＬ開口部４４Ａは、アノード３５Ａの上面との対向領域の一部に形成されており、開口規定絶縁膜４４が、アノード３５Ａの外縁（周縁）を覆っている。つまり、ＥＬ開口部４４Ａの底面には、アノード３５Ａの上面の一部だけが露出しており、有機層３５Ｃは、アノード３５Ａの上面のうちＥＬ開口部４４Ａの底面に露出している部分と接している。
絶縁保護膜４５は、カソード３５Ｂの表面全体を覆っている。絶縁保護膜４５は、有機ＥＬ素子１２で発光した光に対して透明な材料によって形成されている。そのため、絶縁保護膜４５は、有機ＥＬ素子１２の発光光だけでなく、有機ＥＬ素子１２の発光光と共通する波長帯の外光も透過することが可能となっている。
［動作・効果］
本実施の形態の表示装置１では、各画素１１において画素回路１３がオンオフ制御され、各画素１１の有機ＥＬ素子１２に駆動電流が注入されることにより、正孔と電子とが再結合して発光が起こる。この光は、アノード３５Ａとカソード３５Ｂとの間で多重反射し、カソード３５Ｂを透過して外部に取り出される。その結果、表示部１０において画像が表示される。
ところで、従来の表示装置では、例えば、図１７に示したように、有機ＥＬ素子１２１Ｒ等のアノード１２７Ａの直下に、膜厚が１μｍ程度のソース１２４Ｂ（端子１２５Ｂ）が存在しており、それに起因して、アノード１２７Ａに０．３〜０．４μｍ程度の凹凸１２７Ｄが生じていた。この凹凸１２７Ｄは、ソース１２４Ｂ（端子１２５Ｂ）の形状を反映しており、列方向に長く延在している。そのため、外光Ｌがアノード１２７Ａに入射したときに、この凹凸１２７Ｄで回折反射する。その結果、その反射光が観察者（図示せず）に見えてしまい、画質が低下するなどの問題が発生していた。
一方、本実施の形態では、従来例と同様、有機ＥＬ素子１２のアノード３５Ａの直下に、膜厚が１μｍ程度のソース３２Ｂ（端子３３Ｂ）が存在している。しかし、本実施の形態では、ソース３２Ｂの上面３２Ｂ−１（端子３３Ｂの上面３３Ｂ−１）が、少なくともアノード３５Ａとの対向領域に形成されている。そのため、ソース３２Ｂ（端子３３Ｂ）の端部に対応して絶縁保護膜４２や絶縁平坦化膜４３に形成された段差４２Ａ，４３Ａがアノード３５Ａの直下には存在せず、アノード３５Ａは絶縁平坦化膜４３の平坦面上に形成されている。つまり、アノード３５Ａには、段差４２Ａ，４３Ａに対応した凹凸は存在せず、アノード３５Ａは、絶縁平坦化膜４３の平坦面にならった平坦な膜となっている。従って、外光Ｌがアノード３５Ａに入射したときに、従来のような回折反射が生じることはないので、回折反射に起因して画質が低下する虞はない。
［変形例］
上記実施の形態では、上面３２Ｂ−１（３３Ｂ−１）が、少なくともアノード３５Ａとの対向領域に形成されている場合が例示されていたが、従来例と比べて回折反射を低減することの可能な範囲内で、アノード３５Ａとの対向領域からずれていてもよい。例えば、図５に示したように、上面３２Ｂ−１（３３Ｂ−１）が、アノード３５Ａとの関係で図の上方にずれており、アノード３５Ａの短辺部３５Ａ−１（短手の辺およびその近傍）とだけ非対向となっていてもよい。図５の場合には、アノード３５Ａの長手方向の辺およびその近傍については、上面３２Ｂ−１（３３Ｂ−１）と対向しており、少なくとも回折反射が生じない。従って、従来例よりも、回折反射を低減することができる。その結果、回折反射に起因した画質の低下を抑制することができる。また、図示しないが、アノード３５Ａに生じる凹凸が例えば０．１μｍ程度と極めて小さくなる場合に限り、上面３２Ｂ−１（３３Ｂ−１）の端部が、アノード３５Ａの端部よりも若干内側に位置していてもよい。
＜第２の実施の形態＞
図６は、本発明の第２の実施の形態に係る表示装置の画素１１（１１Ｒ，１１Ｇ，１１Ｂ）のレイアウトを表したものである。本実施の形態の表示装置は、トランジスタＴDrのゲート３２Ａの代わりにゲート５２Ａを、トランジスタＴDrのソース３２Ｂの代わりにソース５２Ｂをそれぞれ備えている点で上記実施の形態およびその変形例の表示装置１の構成と相違する。さらに、本実施の形態の表示装置は、保持容量Ｃsの端子３３Ａの代わりに端子５３Ａを、保持容量Ｃsの端子３３Ｂの代わりに端子５３Ｂをそれぞれ備えている点で上記実施の形態およびその変形例の表示装置１の構成と相違する。そこで、以下では、上記実施の形態およびその変形例との相違点について主に説明し、上記実施の形態およびその変形例との共通点についての説明を適宜省略するものとする。
［レイアウト］
本実施の形態では、ゲート５２Ａ（端子５３Ａ）は、上記実施の形態のゲート３２Ａ（端子３３Ａ）の面積よりも小さな面積となっており、トランジスタＴDrのゲート３２Ａとして主に機能する部分を除いて、アノード３５Ａとの対向領域内に納まっている。つまり、ゲート５２Ａ（端子５３Ａ）は、図１６に示した従来例のゲート１２４Ａ（端子１２５Ａ）と同様の構成となっている。
一方、ソース５２Ｂ（端子５３Ｂ）についても、上記実施の形態のソース３２Ｂ（端子３３Ｂ）の面積よりも小さな面積となっており、トランジスタＴDrのソース５２Ｂとして主に機能する部分を除いて、アノード３５Ａとの対向領域内に納まっている。つまり、ソース５２Ｂ（端子５３Ｂ）は、その点では、図１６に示した従来例のソース１２４Ｂ（端子１２５Ｂ）と同様の構成となっている。
ただし、ソース５２Ｂ（端子５３Ｂ）は、従来例のソース１２４Ｂ（端子１２５Ｂ）とは異なり、少なくとも、ソース５２Ｂ（端子５３Ｂ）の長辺部５４（長手の辺およびその近傍）で面内方向にうねっており、直線状になっていない。つまり、ソース５２Ｂ（端子５３Ｂ）は、少なくともソース５２Ｂ（端子５３Ｂ）の長辺部５４に、連続した湾曲面を含んでいる。なお、図６には、ソース５２Ｂ（端子５３Ｂ）が、長辺部５４だけでなく、短辺部５５（短手の辺およびその近傍）にも連続した湾曲面を含んでいる場合が例示されている。さらに、図６には、ソース５２Ｂ（端子５３Ｂ）と同一層内に形成された、トランジスタＴWSのソース３１Ｂについても、長手の辺およびその近傍に連続した湾曲面を含んでいる場合が例示されている。
［断面構成］
図７は、図６のＡ−Ａ矢視方向の断面構成を表したものである。各画素１１は、図６のＡ−Ａ線に対応する部分において、基板４０上に、ゲート５２Ａ（端子５３Ａ）、ゲート絶縁膜４１、ソース５２Ｂ（端子５３Ｂ）、絶縁保護膜４２、絶縁平坦化膜４３、有機ＥＬ素子１２、開口規定絶縁膜４４および絶縁保護膜４５を有している。
ゲート５２Ａ（端子５３Ａ）は、基板４０の表面に形成されており、上述したように、トランジスタＴDrのゲート３２Ａとして主に機能する部分を除いて、アノード３５Ａとの対向領域内に形成されている。ゲート絶縁膜４１は、ゲート５２Ａ（端子５３Ａ）を含む基板４０表面全体を覆っている。なお、ゲート５２Ａ（端子５３Ａ）は極めて薄いことから、ゲート絶縁膜４１には、ゲート５２Ａ（端子５３Ａ）に起因する凹凸は実質的に存在していない。つまり、ゲート絶縁膜４１の上面は、光学的には平坦面と同等である。
ソース５２Ｂ（端子５３Ｂ）は、ゲート絶縁膜４１と絶縁保護膜４２との間に形成されている。ソース５２Ｂの上面５２Ｂ−１（端子５３Ｂの上面５３Ｂ−１）は、平坦面となっており、上述したように、トランジスタＴDrのソース５２Ｂとして主に機能する部分を除いて、アノード３５Ａとの対向領域内に形成されている。さらに、上面５２Ｂ−１（５３Ｂ−１）は、トランジスタＴDrのソース５２Ｂとして主に機能する部分を除いて、ＥＬ開口部４４Ａとの対向領域内に形成されている。
絶縁保護膜４２は、ゲート絶縁膜４１およびソース５２Ｂ（端子５３Ｂ）の表面全体を覆っている。絶縁保護膜４２は、ゲート絶縁膜４１およびソース５２Ｂ（端子５３Ｂ）の表面にならって形成されていることから、ソース５２Ｂ（端子５３Ｂ）の端部に対応する部位に段差４２Ａを有している。段差４２Ａは、ソース５２Ｂ（端子５３Ｂ）の端部と同様、面内方向にうねっている（連続した湾曲面を含んでいる）。段差４２Ａは、アノード３５ＡおよびＥＬ開口部４４Ａとの対向領域内に形成されており、絶縁保護膜４２の上面のうちアノード３５ＡおよびＥＬ開口部４４Ａとの対向領域は、面内方向にうねりを持った凹凸面となっている。
絶縁平坦化膜４３は、ソース５２Ｂ（端子５３Ｂ）の下地を平坦化することを目的として設けられたものであり、絶縁保護膜４２の表面全体を覆っている。絶縁平坦化膜４３は、例えば、段差４２Ａに対応した部位に、段差４２Ａの高さの半分以下程度の高さの段差４３Ａを有している。段差４３Ａは、段差４２Ａと同様、面内方向にうねっている（連続した湾曲面を含んでいる）。段差４３Ａは、アノード３５ＡおよびＥＬ開口部４４Ａとの対向領域内に形成されており、絶縁平坦化膜４３の上面のうち少なくともアノード３５ＡおよびＥＬ開口部４４Ａとの対向領域は、面内方向にうねりを持った凹凸面となっている。
有機ＥＬ素子１２において、アノード３５Ａは、絶縁平坦化膜４３のうち段差４３Ａを含む表面（凹凸面）上に形成されている。そのため、アノード３５Ａには、段差４３Ａに対応した凹凸が形成されており、絶縁平坦化膜４３の凹凸面にならった段差３５Ｄを有している。段差３５Ｄは、段差４３Ａと同様、面内方向にうねっている（連続した湾曲面を含んでいる）。段差３５ＤはＥＬ開口部４４Ａの底面に露出しており、有機層３５Ｃおよびカソード３５Ｂにも、段差３５Ｄに対応した凹凸が形成されている。
［効果］
本実施の形態の表示装置では、従来例と同様、有機ＥＬ素子１２のアノード３５Ａの直下に、膜厚が１μｍ程度のソース５２Ｂ（端子５３Ｂ）が存在している。さらに、ソース５２Ｂ（端子５３Ｂ）の上面５２Ｂ−１（５３Ｂ−１）は、従来例と同様、トランジスタＴDrのソース５２Ｂとして主に機能する部分を除いて、ＥＬ開口部４４Ａとの対向領域内に形成されている。しかし、本実施の形態では、ソース５２Ｂ（端子５３Ｂ）は、ソース５２Ｂ（端子５３Ｂ）の長辺部５４に連続した湾曲面を含んでいる。そのため、アノード３５Ａには、ソース５２Ｂ（端子５３Ｂ）の長辺部５４に形成された、連続した湾曲面に対応した凹凸が形成されている。さらに、本実施の形態では、ソース５２Ｂ（端子５３Ｂ）は、ソース５２Ｂ（端子５３Ｂ）の短辺部５５にも連続した湾曲面を含んでいる。そのため、アノード３５Ａには、ソース５２Ｂ（端子５３Ｂ）の短辺部５５に形成された、連続した湾曲面に対応した凹凸が形成されている。従って、外光Ｌがアノード３５Ａに入射したときに、一定方向に回折反射が生じることはないので、回折反射に起因して画質が低下する虞はない。
［変形例］
上記実施の形態では、ソース５２Ｂ（端子５３Ｂ）が、長辺部５４および短辺部５５に連続した湾曲面を含んでいる場合が例示されていたが、従来例と比べて回折反射を低減することの可能な範囲内で、連続した湾曲面の形成領域を削減してもよい。例えば、図示しないが、ソース５２Ｂ（端子５３Ｂ）の長辺部５４にだけ連続した湾曲面を設け、短辺部５５にはそのような湾曲面を設けず、直線状の端面を設けてもよい。これにより、一定方向に回折反射が生じることを低減することができる。その結果、回折反射に起因した画質の低下を抑制することができる。
＜モジュールおよび適用例＞
以下、上記各実施の形態およびその変形例で説明した表示装置の適用例について説明する。上記実施の形態等の表示装置は、テレビジョン装置、デジタルカメラ、ノート型パーソナルコンピュータ、携帯電話等の携帯端末装置あるいはビデオカメラなど、外部から入力された映像信号あるいは内部で生成した映像信号を、画像あるいは映像として表示するあらゆる分野の電子機器の表示装置に適用することが可能である。
［モジュール］
上記実施の形態等の表示装置は、例えば、図８に示したようなモジュールとして、後述する適用例１〜５などの種々の電子機器に組み込まれる。このモジュールは、例えば、基板２の一辺に、表示部１０を封止する部材（図示せず）から露出した領域２１０を設け、この露出した領域２１０に、タイミング制御回路２１、水平駆動回路２２、書き込み走査回路２３および電源走査回路２４の配線を延長して外部接続端子（図示せず）を形成したものである。外部接続端子には、信号の入出力のためのフレキシブルプリント配線基板（ＦＰＣ；Flexible Printed Circuit）２２０が設けられていてもよい。
［適用例１］
図９は、上記実施の形態等の表示装置が適用されるテレビジョン装置の外観を表したものである。このテレビジョン装置は、例えば、フロントパネル３１０およびフィルターガラス３２０を含む映像表示画面部３００を有しており、この映像表示画面部３００は、上記実施の形態等の表示装置により構成されている。
［適用例２］
図１０は、上記実施の形態等の表示装置が適用されるデジタルカメラの外観を表したものである。このデジタルカメラは、例えば、フラッシュ用の発光部４１０、表示部４２０、メニュースイッチ４３０およびシャッターボタン４４０を有しており、その表示部４２０は、上記実施の形態等の表示装置により構成されている。
［適用例３］
図１１は、上記実施の形態等の表示装置が適用されるノート型パーソナルコンピュータの外観を表したものである。このノート型パーソナルコンピュータは、例えば、本体５１０，文字等の入力操作のためのキーボード５２０および画像を表示する表示部５３０を有しており、その表示部５３０は、上記実施の形態等の表示装置により構成されている。
［適用例４］
図１２は、上記実施の形態等の表示装置が適用されるビデオカメラの外観を表したものである。このビデオカメラは、例えば、本体部６１０，この本体部６１０の前方側面に設けられた被写体撮影用のレンズ６２０，撮影時のスタート／ストップスイッチ６３０および表示部６４０を有しており、その表示部６４０は、上記実施の形態等の表示装置により構成されている。
［適用例５］
図１３は、上記実施の形態等の表示装置が適用される携帯電話機の外観を表したものである。この携帯電話機は、例えば、上側筐体７１０と下側筐体７２０とを連結部（ヒンジ部）７３０で連結したものであり、ディスプレイ７４０，サブディスプレイ７５０，ピクチャーライト７６０およびカメラ７７０を有している。そのディスプレイ７４０またはサブディスプレイ７５０は、上記実施の形態等の表示装置により構成されている。
以上、上記各実施の形態およびその変形例ならびに適用例を挙げて本発明を説明したが、本発明はそれらに限定されるものではなく、種々変形が可能である。
例えば、上記実施の形態等では、表示装置がアクティブマトリクス型である場合について説明したが、アクティブマトリクス駆動のための画素回路１３の構成は上記実施の形態等で説明したものに限られず、必要に応じて容量素子やトランジスタを画素回路１３に追加してもよい。その場合、画素回路１３の変更に応じて、上述した水平駆動回路２２、書き込み走査回路２３、電源走査回路２４のほかに、必要な駆動回路を追加してもよい。
また、上記実施の形態等では、水平駆動回路２２、書き込み走査回路２３および電源走査回路２４の駆動を信号保持制御回路２１Ｂが制御していたが、他の回路がこれらの駆動を制御するようにしてもよい。また、水平駆動回路２２、書き込み走査回路２３および電源走査回路２４の制御は、ハードウェア（回路）で行われていてもよいし、ソフトウェア（プログラム）で行われていてもよい。
また、上記実施の形態等では、トランジスタＴWSのソースおよびドレインや、トランジスタＴDrのソースおよびドレインが固定されたものとして説明されていたが、いうまでもなく、電流の流れる向きによっては、ソースとドレインの対向関係が上記の説明とは逆になることがある。
また、上記実施の形態等では、トランジスタＴWS，ＴDrがｎチャネルＭＯＳ型のＴＦＴにより形成されているものとして説明されていたが、トランジスタＴWS，ＴDrの少なくとも一方がｐチャネルＭＯＳ型のＴＦＴにより形成されていてもよい。なお、トランジスタＴDrがｐチャネルＭＯＳ型のＴＦＴにより形成されている場合には、上記実施の形態等において、有機ＥＬ素子１２のアノード３５Ａがカソードとなり、有機ＥＬ素子１２のカソード３５Ｂがアノードとなる。また、上記実施の形態等において、トランジスタＴWS，ＴDrは、アモルファスシリコン型のＴＦＴであってもよいし、低温ポリシリコン型のＴＦＴであってもよい。
１…表示装置、１０…表示部、１１，１１Ｒ，１１Ｇ，１１Ｂ…画素、１２，１２Ｒ，１２Ｇ，１２Ｂ…有機ＥＬ素子、１３…画素回路、２０…周辺回路部、２１…タイミング制御回路、２１Ａ…表示信号生成回路、２１Ｂ…表示信号保持制御回路、２２…水平駆動回路、２３…書き込み走査回路、２４…電源走査回路、３１Ａ，３２Ａ…ゲート、３１Ｂ，３２Ｂ…ソース、３２Ｂ−１，３３Ｂ−１，５２Ｂ−１，５３Ｂ−１…上面、３１Ｃ，３２Ｃ…ドレイン、３３Ａ，３３Ｂ…端子、３４Ａ，３４Ｂ，３４Ｃ，３４Ｄ…コンタクト、３５Ａ…アノード、３５Ｂ…カソード、３５Ｃ…有機層、３５Ｄ，４２Ａ，４３Ａ…段差、３５Ａ−１，５５…短辺部、３６Ａ，３６Ｂ…引出線、４０…基板、４１…ゲート絶縁膜、４２，４５…絶縁保護膜、４３…絶縁平坦化膜、４４…開口規定絶縁膜、４４Ａ…ＥＬ開口部、５４…長辺部、Ｃs…保持容量、ＤＳＬ…ドレイン線、ＤＴＬ…信号線、Ｌ…外光、ＴDr，ＴWS…トランジスタ、ＷＳＬ…ゲート線。

Claims (4)

  1. 有機ＥＬ素子および画素回路を画素ごとに有する表示部を備え、
    前記画素回路は、映像信号を書き込む書き込み用の第１トランジスタと、前記第１トランジスタによって書き込まれた映像信号に基づいて前記有機ＥＬ素子を駆動する駆動用の第２トランジスタとを有し、
    前記第２トランジスタは、ゲート、ソースおよびドレインを有し、
    前記有機ＥＬ素子は、アノード、有機層およびカソードを有し、
    前記ソースまたは前記ドレインの上面が、少なくとも前記アノードまたは前記カソードとの対向領域に形成されている
    表示装置。
  2. 前記表示部は、前記ゲートと、前記ソースまたは前記ドレインとの間に接続された保持容量を前記画素ごとに有し、
    前記保持容量は、前記ソースまたは前記ドレインのうち、前記ソースまたは前記ドレインの上面が少なくとも前記アノードまたは前記カソードとの対向領域に形成されている方と、前記ゲートとによって構成されている
    請求項１に記載の表示装置。
  3. 有機ＥＬ素子および画素回路を画素ごとに有する表示部を備え、
    前記画素回路は、映像信号を書き込む書き込み用の第１トランジスタと、前記第１トランジスタによって書き込まれた映像信号に基づいて前記有機ＥＬ素子を駆動する駆動用の第２トランジスタとを有し、
    前記第２トランジスタは、ゲート、ソースおよびドレインを有し、
    前記有機ＥＬ素子は、アノード、有機層およびカソードを有し、
    前記ソースまたは前記ドレインは、連続した湾曲面を含む長辺部を有する
    表示装置。
  4. 前記ソースまたは前記ドレインは、連続した湾曲面を含む短辺部をさらに有する
    請求項３に記載の表示装置。
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