JP2010197269A - 試料観察方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】
走査型電子顕微鏡を用いて、観察試料に電子線を照射して得られる反射電子像によりドメイン観察を行なう試料観察方法であって、試料を鏡面研磨し、研磨面に導電性を有する蒸着膜を形成して前記観察試料を作製する試料準備工程と、前記観察試料を、走査型電子顕微鏡で、前記電子線の加速電圧を3kV以上10kV以下となるように設定するとともに、反射電子走査画像の輝度及び分布量を表示可能な輝度範囲内に平均的に分布するように設定するコントラストの条件に比べてコントラストを強調する条件で観察する観察工程と、を有するものである。
【選択図】 図1
Description
〔試料準備工程〕
まず、観察試料を準備する。試料としては結晶内にドメインを有するものであれば特に限定はされないが、例えば、チタン酸ジルコン酸鉛(PZT)やチタン酸バリウムなどの強誘電体材料を用いることができる。
〔観察工程〕
次に、試料準備工程において作製した観察試料を走査型電子顕微鏡にて観察する。観察試料の走査型電子顕微鏡内への設置方法、走査型電子顕微鏡の試料室の真空度等は、通常の走査型電子顕微鏡による試料観察方法と同様にして行なう。観察試料の観察面と走査型電子顕微鏡の電子銃との距離は、観察倍率、観察試料に応じて適宜設定することができる。
Claims (8)
- 走査型電子顕微鏡を用いて、観察試料に電子線を照射して得られる反射電子像によりドメイン観察を行なう試料観察方法であって、
試料を鏡面研磨し、研磨面に導電性を有する蒸着膜を形成して前記観察試料を作製する試料準備工程と、
前記観察試料を、走査型電子顕微鏡で、前記電子線の加速電圧を3kV以上10kV以下となるように設定するとともに、反射電子走査画像の輝度及び分布量を表示可能な輝度範囲内に平均的に分布するように設定するコントラストの条件に比べてコントラストを強調する条件で観察する観察工程と、を有する試料観察方法。 - 前記観察工程において、観察倍率を5000倍以上とする、請求項1記載の試料観察方法。
- 前記観察工程において、前記電子線を照射する電子銃と前記観察試料との距離を10mm以上とし、前記電子線の照射電流を7nA以上とする、請求項1または2に記載の試料観察方法。
- 前記観察工程において、積算撮影を行なう、請求項1乃至3のいずれかに記載の試料観察方法。
- 前記観察工程において、一視野の撮影時間を5分以上の低速スキャンとする、請求項1乃至4のいずれかに記載の試料観察方法。
- 前記観察工程に続いて、
反射電子走査画像の輝度及び分布量を表示可能な輝度範囲内に平均的に分布するように設定するコントラストの条件に調整する、画像調整工程をさらに含む、請求項4または5に記載の試料観察方法。 - 前記試料準備工程において、前記鏡面研磨は機械研磨で行い、アルミナ懸濁液またはコロイダルシリカ懸濁液を用いて行う、請求項1乃至6のいずれかに記載の試料観察方法。
- 前記試料準備工程において、前記蒸着膜は厚み10nm以下のカーボン膜からなる、請求項1乃至7のいずれかに記載の試料観察方法。
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Cited By (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN102507619A (zh) * | 2011-09-29 | 2012-06-20 | 北京工业大学 | 一种显示5a90铝锂合金激光焊焊缝及熔合区eqz组织的方法 |
JP2012154891A (ja) * | 2011-01-28 | 2012-08-16 | Ihi Corp | 塑性ひずみ量推定装置及び塑性ひずみ量推定方法 |
CN112858362A (zh) * | 2021-01-08 | 2021-05-28 | 重庆大学 | 一种用于电镜观察的微米级球形颗粒截面的制备方法 |
CN113092200A (zh) * | 2021-03-15 | 2021-07-09 | 中国航天标准化研究所 | 一种快速获取镍电极陶瓷电容器晶粒度的方法 |
JP2021105938A (ja) * | 2019-12-27 | 2021-07-26 | Jfeミネラル株式会社 | 粒子形状分析方法及び装置 |
WO2023092298A1 (zh) * | 2021-11-23 | 2023-06-01 | 华为技术有限公司 | 一种电子束检测设备和检测方法 |
JP7440309B2 (ja) | 2020-03-17 | 2024-02-28 | ポリプラスチックス株式会社 | 複合材料評価方法 |
Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS63168951A (ja) * | 1986-12-27 | 1988-07-12 | Jeol Ltd | 電子線装置における反射電子等の検出装置 |
JPH05290786A (ja) * | 1992-04-10 | 1993-11-05 | Hitachi Ltd | 走査試料像表示方法および装置ならびにそれに供される試料 |
JP2001148230A (ja) * | 1999-11-22 | 2001-05-29 | Hitachi Ltd | 走査形電子顕微鏡 |
JP2005062173A (ja) * | 2003-07-31 | 2005-03-10 | National Institute For Materials Science | 第二相粒子を有する微細複相材料組織の映像化観察方法 |
-
2009
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Patent Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS63168951A (ja) * | 1986-12-27 | 1988-07-12 | Jeol Ltd | 電子線装置における反射電子等の検出装置 |
JPH05290786A (ja) * | 1992-04-10 | 1993-11-05 | Hitachi Ltd | 走査試料像表示方法および装置ならびにそれに供される試料 |
JP2001148230A (ja) * | 1999-11-22 | 2001-05-29 | Hitachi Ltd | 走査形電子顕微鏡 |
JP2005062173A (ja) * | 2003-07-31 | 2005-03-10 | National Institute For Materials Science | 第二相粒子を有する微細複相材料組織の映像化観察方法 |
Cited By (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2012154891A (ja) * | 2011-01-28 | 2012-08-16 | Ihi Corp | 塑性ひずみ量推定装置及び塑性ひずみ量推定方法 |
CN102507619A (zh) * | 2011-09-29 | 2012-06-20 | 北京工业大学 | 一种显示5a90铝锂合金激光焊焊缝及熔合区eqz组织的方法 |
JP2021105938A (ja) * | 2019-12-27 | 2021-07-26 | Jfeミネラル株式会社 | 粒子形状分析方法及び装置 |
JP7282670B2 (ja) | 2019-12-27 | 2023-05-29 | Jfeミネラル株式会社 | 粒子形状分析方法及び装置 |
JP7440309B2 (ja) | 2020-03-17 | 2024-02-28 | ポリプラスチックス株式会社 | 複合材料評価方法 |
CN112858362A (zh) * | 2021-01-08 | 2021-05-28 | 重庆大学 | 一种用于电镜观察的微米级球形颗粒截面的制备方法 |
CN112858362B (zh) * | 2021-01-08 | 2022-05-27 | 重庆大学 | 一种用于电镜观察的微米级球形颗粒截面的制备方法 |
CN113092200A (zh) * | 2021-03-15 | 2021-07-09 | 中国航天标准化研究所 | 一种快速获取镍电极陶瓷电容器晶粒度的方法 |
WO2023092298A1 (zh) * | 2021-11-23 | 2023-06-01 | 华为技术有限公司 | 一种电子束检测设备和检测方法 |
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