JP2010182934A - Drawing apparatus and drawing method - Google Patents
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Abstract
Description
本発明は、複数の微小なミラーを用いて、光源からの光をマルチビーム化する技術において、マルチビーム化された各ビームの位相を制御する技術に関する。 The present invention relates to a technique for controlling the phase of each beam that has been converted to a multibeam in a technique for converting light from a light source into a multibeam using a plurality of minute mirrors.
精密な微細パターンをフォトマスクを用いずに設計データに基づきダイレクトに描画する技術(ダイレクト露光)において、高精度に、かつ、高速に描画を行うために、アレイ状に配置された複数の微小なミラーによって光源からの光をマルチビーム化して描画する技術が知られている。例えば、このようなミラーデバイス(空間光変調デバイス)を用いてパターンを描画する描画装置が特許文献1に記載されている。
In a technique (direct exposure) that directly draws precise fine patterns based on design data without using a photomask, a plurality of minute patterns arranged in an array form for high-precision and high-speed drawing. A technique is known in which light from a light source is converted into a multi-beam by a mirror for drawing. For example,
一方で、微細化が進んだ半導体のパターン露光においては、位相差マスクによって光の位相を反転(180度シフト)させることにより、レンズの回折限界を超える微細パターンを露光する技術が実用化されている(位相シフト法)。このように、回折限界を超えた超解像で露光が行われる技術が半導体リソグラフィの分野で開発されており、パターンのマスクに光の位相をシフトさせる機能を組み込んだ現像装置(ステッパー)が実用化されている。 On the other hand, in the pattern exposure of semiconductors with advanced miniaturization, a technique for exposing a fine pattern exceeding the diffraction limit of a lens has been put into practical use by reversing the phase of light (180 degree shift) with a phase difference mask. (Phase shift method). As described above, a technique for performing exposure with super-resolution exceeding the diffraction limit has been developed in the field of semiconductor lithography, and a developing device (stepper) incorporating a function of shifting the phase of light into a pattern mask is practical. It has become.
また、ダイレクト露光においても空間光変調デバイスによってマルチビーム化された光の位相を制御する技術も提案されている。例えば、空間光変調デバイスの各ミラーの裏面にスプリングを設け、このスプリングを各ミラーごとに伸縮・伸長させることにより、各ミラーの反射面の位置を光軸に対して進退させる技術が提案されている。これにより、各ミラーによって反射される光の光学系における光路長を変更することが可能となるため、各ミラーによって形成されるビームの位相が制御される。例えば、2本のビーム光路長差がビームの波長の1/2となるように制御すれば、これら2本のビームの位相は互いに反転したものとなる。 In direct exposure, a technique for controlling the phase of light that has been converted into a multi-beam by a spatial light modulation device has also been proposed. For example, a technique has been proposed in which a spring is provided on the back surface of each mirror of a spatial light modulation device, and the spring is expanded and contracted for each mirror so that the position of the reflecting surface of each mirror moves forward and backward with respect to the optical axis. Yes. As a result, the optical path length in the optical system of the light reflected by each mirror can be changed, so that the phase of the beam formed by each mirror is controlled. For example, if the difference between the optical path lengths of the two beams is controlled to be ½ of the wavelength of the beam, the phases of these two beams are inverted from each other.
ところが、従来のように、位相シフトマスクを用いてパターンを描画(露光)する場合、位相シフトマスクは取り扱いが容易でない上に、非常に高価であり、また、製作にも時間を要するという問題があった。また、位相シフトマスクはパターンごとに製作しなければならず、パターンの変更(設計変更)に柔軟に対応できないという問題もある。 However, when a pattern is drawn (exposed) using a phase shift mask as in the prior art, the phase shift mask is not easy to handle and is very expensive, and also requires time for production. there were. Further, the phase shift mask has to be manufactured for each pattern, and there is a problem that it cannot flexibly cope with a pattern change (design change).
一方、ダイレクト露光においては、上記のような技術が提案されてはいるものの、ミラーデバイスは微小かつ複雑な構造物であり、構造の設計、製造が極めて困難であるという問題があった。すなわち、空間光変調デバイスに位相制御を行う機能を組み込むためには、個々の微小ミラーを偏向させる機能に加えて、光の進行方向にそれぞれの微小ミラーの位置を平行に移動させる機構が必要となる。また、このときの微小ミラーの移動量も光の波長に対して正確に1/4であることが要求される。したがって、現状では実用化に至っていないという問題があった。 On the other hand, in the direct exposure, although the technique as described above has been proposed, there is a problem that the mirror device is a minute and complicated structure, and it is very difficult to design and manufacture the structure. That is, in order to incorporate the function of performing phase control in the spatial light modulation device, in addition to the function of deflecting individual micromirrors, a mechanism for moving the position of each micromirror in parallel with the light traveling direction is required. Become. In addition, the amount of movement of the micromirror at this time is also required to be exactly 1/4 with respect to the wavelength of light. Therefore, there was a problem that it has not been put into practical use at present.
本発明は、上記課題に鑑みてなされたものであり、空間光変調デバイスを用いて、光源からの光をマルチビーム化する技術において、マルチビーム化された各ビームの位相を簡易な構造で制御することを目的とする。 The present invention has been made in view of the above problems, and in a technique for converting light from a light source into a multi-beam using a spatial light modulation device, the phase of each beam converted into a multi-beam is controlled with a simple structure. The purpose is to do.
上記の課題を解決するため、請求項1の発明は、複数のビームによってパターンを描画する描画装置であって、光を照射する光源と、前記光源から照射された光を第1光と第2光とに分割する光分割手段と、前記光分割手段により分割された第1光を複数の第1ビームに変調する第1空間光変調デバイスと、前記光分割手段により分割された第2光を複数の第2ビームに変調する第2空間光変調デバイスと、前記第1ビームの位相と前記第2ビームの位相とを互いに異なる位相とする位相変換手段と、前記互いに異なる位相を有する第1ビームと第2ビームとを合成するビーム合成手段とを備えることを特徴とする。
In order to solve the above problems, the invention of
また、請求項2の発明は、請求項1の発明に係る描画装置であって、前記位相変換手段は、nλ±(1/m)λを満たす光学素子(但し、n,mは整数、1/mは予め定めた位相差)であることを特徴とする。
The invention of
また、請求項3の発明は、複数のビームによってパターンを描画する描画装置であって、光を照射する光源と、前記光源から照射された光を第1光と第2光とに分割する光分割手段と、前記光分割手段により分割された第1光を複数の第1ビームに変調する第1空間光変調デバイスと、前記光分割手段により分割された第2光を複数の第2ビームに変調する第2空間光変調デバイスとを備え、前記第1ビームの位相と前記第2ビームの位相とが互いに異なる位相となるように、前記第1空間光変調デバイスおよび前記第2空間光変調デバイスの配置が決定されており、前記互いに異なる位相を有する第1ビームと第2ビームとを合成することを特徴とする。 According to a third aspect of the present invention, there is provided a drawing apparatus for drawing a pattern with a plurality of beams, a light source for irradiating light, and light for dividing light emitted from the light source into first light and second light. A splitting means; a first spatial light modulation device that modulates the first light split by the light splitting means into a plurality of first beams; and a second light split by the light splitting means into a plurality of second beams. A second spatial light modulation device that modulates the first spatial light modulation device and the second spatial light modulation device such that the phase of the first beam and the phase of the second beam are different from each other. Is arranged, and the first beam and the second beam having different phases are combined.
また、請求項4の発明は、請求項1ないし3のいずれかの発明に係る描画装置であって、前記複数のビームの光量を制御する光量制御手段をさらに備えることを特徴とする。 According to a fourth aspect of the present invention, there is provided the drawing apparatus according to any one of the first to third aspects, further comprising a light amount control means for controlling the light amounts of the plurality of beams.
また、請求項5の発明は、複数のビームによってパターンを描画する描画方法であって、(a)光源から光を照射する工程と、(b)前記光源から照射された光を第1光と第2光とに分割する工程と、(c)前記第1光を第1空間光変調デバイスによって複数の第1ビームに変調する工程と、(d)前記第2光を第2空間光変調デバイスによって複数の第2ビームに変調する工程と、(e)前記第1ビームの位相と前記第2ビームの位相とを互いに異なる位相とする工程とを有することを特徴とする。 Further, the invention of claim 5 is a drawing method for drawing a pattern with a plurality of beams, wherein (a) a step of irradiating light from a light source, and (b) light emitted from the light source as first light. Splitting into second light, (c) modulating the first light into a plurality of first beams with a first spatial light modulation device, and (d) second spatial light modulation device with the second light. And (e) a step of setting the phase of the first beam and the phase of the second beam different from each other.
また、請求項6の発明は、請求項5の発明に係る描画方法であって、前記(e)工程は、位相変換手段によって、前記第1ビームの位相と前記第2ビームの位相とを互いに異なる位相とする工程であることを特徴とする。 The invention of claim 6 is the drawing method according to the invention of claim 5, wherein the step (e) causes the phase of the first beam and the phase of the second beam to be mutually changed by the phase conversion means. It is a process which makes it a different phase.
また、請求項7の発明は、請求項5の発明に係る描画方法であって、前記(e)工程は、前記第1ビームと前記第2ビームの光路長差によって、前記第1ビームの位相と前記第2ビームの位相とを互いに異なる位相とする工程であることを特徴とする。 Further, the invention of claim 7 is the drawing method according to the invention of claim 5, wherein the step (e) includes the phase of the first beam according to the optical path length difference between the first beam and the second beam. And the phase of the second beam are different from each other.
また、請求項8の発明は、請求項5ないし7のいずれかの発明に係る描画方法であって、(f)前記複数のビームの光量を制御する工程をさらに有することを特徴とする。 The invention according to claim 8 is the drawing method according to any one of claims 5 to 7, further comprising the step of (f) controlling the light quantity of the plurality of beams.
請求項1に記載の発明は、光源から照射された光を第1光と第2光とに分割する光分割手段と、光分割手段により分割された第1光を複数の第1ビームに変調する第1空間光変調デバイスと、光分割手段により分割された第2光を複数の第2ビームに変調する第2空間光変調デバイスと、第1ビームの位相と第2ビームの位相とを互いに異なる位相とする位相変換手段と、互いに異なる位相を有する第1ビームと第2ビームとを合成するビーム合成手段とを備えることにより、ダイレクトデジタル露光において、空間光変調デバイスに特別な構造を設けることなく、位相を制御できる。 According to the first aspect of the present invention, a light splitting unit that splits the light emitted from the light source into the first light and the second light, and the first light split by the light splitting unit is modulated into a plurality of first beams. The first spatial light modulation device, the second spatial light modulation device that modulates the second light split by the light splitting means into a plurality of second beams, and the phase of the first beam and the phase of the second beam Providing a special structure to the spatial light modulation device in direct digital exposure by providing phase conversion means for different phases and beam synthesis means for synthesizing the first beam and the second beam having different phases The phase can be controlled.
請求項2に記載の発明は、位相変換手段が、nλ±(1/m)λを満たす光学素子(但し、n,mは整数、1/mは予め定めた位相差)であることにより、請求項1に記載の発明を容易に実現できる。
In the invention according to
請求項3に記載の発明は、光源から照射された光を第1光と第2光とに分割する光分割手段と、光分割手段により分割された第1光を複数の第1ビームに変調する第1空間光変調デバイスと、光分割手段により分割された第2光を複数の第2ビームに変調する第2空間光変調デバイスとを備え、第1ビームの位相と第2ビームの位相とが互いに異なる位相となるように、第1空間光変調デバイスおよび第2空間光変調デバイスの配置が決定されており、互いに異なる位相を有する第1ビームと第2ビームとを合成することにより、ダイレクトデジタル露光において、空間光変調デバイスに特別な構造を設けることなく、位相を制御できる。 According to a third aspect of the present invention, there is provided a light dividing means for dividing the light emitted from the light source into the first light and the second light, and the first light divided by the light dividing means is modulated into a plurality of first beams. And a second spatial light modulation device that modulates the second light divided by the light dividing means into a plurality of second beams, the phase of the first beam and the phase of the second beam Of the first spatial light modulation device and the second spatial light modulation device are determined such that the first and second spatial light modulation devices have different phases, and by combining the first beam and the second beam having different phases, direct In digital exposure, the phase can be controlled without providing a special structure in the spatial light modulation device.
請求項4および8に記載の発明は、複数のビームの光量を制御することにより、位相制御と光量制御とを組み合わせることにより、位相シフトマスクを作成することなく、回折限界を超えた超解像度を実現できる。 In the inventions according to claims 4 and 8, the super-resolution exceeding the diffraction limit can be achieved by controlling the light quantity of a plurality of beams and combining phase control and light quantity control without creating a phase shift mask. realizable.
請求項5ないし8に記載の発明は、光源から光を照射する工程と、光源から照射された光を第1光と第2光とに分割する工程と、第1光を第1空間光変調デバイスによって複数の第1ビームに変調する工程と、第2光を第2空間光変調デバイスによって複数の第2ビームに変調する工程と、第1ビームの位相と第2ビームの位相とを互いに異なる位相とする工程とを有することにより、ダイレクトデジタル露光において、空間光変調デバイスに特別な構造を設けることなく、位相を制御できる。 The invention according to any one of claims 5 to 8 includes a step of irradiating light from a light source, a step of dividing light emitted from the light source into first light and second light, and first spatial light modulation. The step of modulating the plurality of first beams by the device, the step of modulating the second light into the plurality of second beams by the second spatial light modulation device, and the phases of the first beam and the second beam are different from each other. In the direct digital exposure, the phase can be controlled without providing a special structure in the spatial light modulation device.
以下、本発明の好適な実施の形態について、添付の図面を参照しつつ、詳細に説明する。 DESCRIPTION OF EXEMPLARY EMBODIMENTS Hereinafter, preferred embodiments of the invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.
<1. 第1の実施の形態>
図1は、第1の実施の形態における描画装置1を示す図である。なお、図1において、図示および説明の都合上、Z軸方向が鉛直方向を表し、XY平面が水平面を表すものとして定義する。ただし、これらの方向は位置関係を把握するために便宜上定義するものであって、以下に説明する各方向を限定するものではない。以下の各図についても同様である。
<1. First Embodiment>
FIG. 1 is a diagram illustrating a
描画装置1は、可動ステージ10、描画ヘッド11および制御部2を備え、可動ステージ10に支持された基板9に微細なパターン(像)を描画する装置として構成されている。
The
なお、パターンを描画する対象物は基板9に限定されるものではなく、紙や立体的な物体であってもよい。また、本発明における描画装置は、描画される像が視認できるものに限定されるものではなく、例えば、露光装置をも含む概念である。また、描画装置1の1回の描画動作によって描画される画像はn個の画素から形成されており(nは1以上の整数)、以下の説明では、n番目の画素に対応する構成について「n」の添え字を付すものとする。
The object on which the pattern is drawn is not limited to the
可動ステージ10の上面は水平面に加工されており、基板9を水平姿勢で保持する機能を有している。可動ステージ10は、図示しない吸着口から吸引を行うことにより、載置された基板9の裏面を吸着して当該基板9を所定の位置に保持する。
The upper surface of the
また、可動ステージ10は、制御部2からの制御信号に応じて、X軸方向およびY軸方向に直線的に移動することが可能とされている。詳細は省略するが、可動ステージ10は、基板9をY軸方向に移動させる主走査駆動機構と、基板9をX軸方向に移動させる副走査駆動機構とを備えている。このような機構としては、例えば、リニアモータを用いた直動機構を採用することができる。
The
これにより、描画装置1は、描画ヘッド11から照射される光を基板9の表面の任意の位置に照射することが可能とされている。このように、描画装置1から照射されるレーザ光は基板9の表面を像面として結像される。
Thereby, the
描画ヘッド11は、レーザ光を照射する光源としてのレーザ発振器13、レーザ発振器13から照射されたレーザ光を所定の方向に導く照明光学系14、および、照明光学系14によって導かれたレーザ光を分割する光分割部15を備えている。また、描画ヘッド11は、入射するレーザ光をそれぞれ変調する空間光変調デバイス16,17、通過するレーザ光の位相を変換する平行平面板18、および、変調されたレーザ光を基板9に結像させる結像光学系19を備えている。
The drawing
レーザ発振器13は、制御部2から周期Tで伝達されるリセット信号に応じて、所定のパルス幅のレーザ光を断続的に点灯させる(パルスレーザとなる)。これにより、本実施の形態におけるレーザ発振器13は、周期T(所定の周期)でレーザ光を照射する光源として機能する。なお、本実施の形態におけるレーザ発振器13が照射するレーザ光は、平面波のコヒーレント光である。
The
一般に露光間隔が短い場合、その間に可動ステージ10の移動を完了しなければならないため、可動ステージ10を比較的高速で移動させることが必要となる。一方、露光間隔が長いと、可動ステージ10の移動を完了するための許容時間が長くなるため、可動ステージ10を低速で移動させることが可能となる。しかしながら、可動ステージ10を低速で移動させると、パターン全体の露光を完了するために要する時間が長くなり処理自体が遅延する。
In general, when the exposure interval is short, the movement of the
本実施の形態におけるレーザ発振器13は、先述のように、一定の露光時間(パルス幅)および一定の露光間隔(周期T)でレーザ光を照射するため、可動ステージ10の移動速度は一定でよい。したがって、駆動制御が容易になるとともに、速度変更によって可動ステージ10の移動が不安定になることを防止することができる。
Since the
なお、本実施の形態における描画装置1では、パルスレーザを照射するレーザ発振器13としてエキシマレーザを採用する。また、パルス幅は、10[nsec]ないし数十[nsec]程度である。ただし、描画装置1において用いられるレーザ光は、このようなレーザ光に限定されるものではない。
In the
照明光学系14は、ミラー140およびレンズ141を備えている。レーザ発振器13から照射され、照明光学系14に入射したレーザ光は、ミラー140およびレンズ141により光分割部15に導かれる。
The illumination
このように、照明光学系14は、レーザ発振器13から照射されたレーザ光の光路を適宜調整して光分割部15に導く機能を有している。なお、照明光学系14が備える構成は本実施の形態に示すものに限定されるものではなく、レーザ光の光路上に適宜、別のレンズやミラー等の光学素子が配置されてもよい。
As described above, the illumination
照明光学系14によって導かれたレーザ光が入射される光分割部15は、いわゆるハーフミラーを構成する反射面150を内部に有するプリズムとして構成されている。光分割部15に入射したレーザ光は、プリズム内の反射面150を通過して直進し空間光変調デバイス16に向かう成分(第1レーザ光成分)と、プリズム内の反射面150に反射されて平行平面板18に向かう成分(第2レーザ光成分)とに分割される。
The
空間光変調デバイス16,17は、光分割部15からの光軸距離が互いに等しい位置に配置されており、シリコン基板の上に、微少なミラーが格子状に多数配列した構造を有している。本実施の形態における描画装置1では、このような空間光変調デバイス16,17としてマイクロミラーデバイスを採用する。以下、空間光変調デバイス16,17が備える微小ミラーを「マイクロミラー」と称し、他のミラー(例えばミラー140)と区別する。
The spatial
空間光変調デバイス16,17の各マイクロミラーは、描画装置1によって描画される画像の各画素に対応している。すなわち、空間光変調デバイス16,17は、いずれもn個のマイクロミラーを有している。また、各マイクロミラーは、制御部2から伝達される制御信号に応じて、反射面を傾けることが可能なように設計されており、これにより、各マイクロミラーによるレーザ光の反射角度が制御されている。
Each micromirror of the spatial
空間光変調デバイス16には、光分割部15により分割された第1レーザ光が入射する。そして、空間光変調デバイス16に入射した第1レーザ光は、空間光変調デバイス16の各マイクロミラーによって反射されることにより、複数の第1ビームに変調される。そして、このときの各マイクロミラーの反射角度に応じて、複数の第1ビームのうちの一部は、再び、光分割部15に向かい、光分割部15の反射面150に反射されて結像光学系19に入射する。
The first laser beam split by the
空間光変調デバイス17には、光分割部15により分割された第2レーザ光が、平行平面板18を通過した後に入射する。そして、空間光変調デバイス17に入射した第2レーザ光は、空間光変調デバイス17の各マイクロミラーによって反射されることにより、複数の第2ビームに変調される。そして、このときの各マイクロミラーの反射角度に応じて、形成された複数の第2ビームのうちの一部は、再び、平行平面板18に向かう。
The second laser light split by the
平行平面板18は、それが設けられる光路上の前後の光路長差に対する光の位相を1/4波長分だけシフトさせる機能を有する光学素子である。詳しくは、一般式、nλ±(1/m)λを満たす光学素子(但し、n,mは整数、1/mは予め定めた位相差)である。光分割部15から平行平面板18に入射した第2レーザ光は、平行平面板18によって1/4波長分だけ位相が変換されて空間光変調デバイス17に入射する。また、空間光変調デバイス17で反射され変調された複数の第2ビームは、再び平行平面板18に入射し、再度、1/4波長分だけ位相が変換される。
The plane-
これにより、第2ビームの位相は、第1ビームの位相に比べて1/2波長分だけ位相が異なる光となる。すなわち、空間光変調デバイス17によって形成される第2ビームは、空間光変調デバイス16によって形成される第1ビームの位相を反転した光となる。
As a result, the phase of the second beam is light that differs in phase by ½ wavelength compared to the phase of the first beam. That is, the second beam formed by the spatial
なお、空間光変調デバイス16と空間光変調デバイス17とにおいて、同一の画素に対応するマイクロミラーからの光は、光分割部15の反射面150における同一の位置となるように光学系が調整されている。
In the spatial
詳細は図示しないが、制御部2は、主にデータを演算するCPUと、画素データ20や特性データ等のデータを記憶するメモリと、各種信号を生成する回路(駆動回路)とから構成されている。
Although not shown in detail, the
画素データ20は、描画するパターンに応じて作成されるデータであり、外部の装置によって作成され制御部2に格納される。本実施の形態における画素データ20において、画素値が「正」の画素は「正位相」のビームによって描画される画素を示す。一方、画素値が「負」の画素は「逆位相(正位相のビームの位相を180°シフトさせた位相)」のビームによって描画される画素を示す。さらに、画素値の絶対値は、当該画素を描画するビームの光量を示す。
The
制御部2は、描画装置1の各構成を制御する機能を有し、例えば、可動ステージ10の水平位置を制御したり、レーザ発振器13にリセット信号を伝達することにより周期Tでレーザ光を照射させる。
The
また、制御部2は、画素データ20に基づいて、空間光変調デバイス16の各マイクロミラーの反射角度を制御して、正位相のビームで描画する画素に対応するビームのみを光分割部15の方向(−Z方向)に反射させるとともに、それ以外の画素についてはビームをOFFする方向にビームを反射させる。
Further, the
また、制御部2は、画素データ20に基づいて、空間光変調デバイス17の各マイクロミラーの反射角度を制御して、逆位相のビームで描画する画素に対応するビームのみを平行平面板18の方向(+Y方向)に反射させるとともに、それ以外の画素についてはビームをOFFする方向にビームを反射させる。
Further, the
なお、詳細な説明は省略するが、本実施の形態における描画装置1では、画素データ20における画素値の絶対値に応じて、制御部2が空間光変調デバイス16,17の各マイクロミラーの反射角度を制御することにより、各ビームのアパーチャ190への入射位置を制御し、これによって各ビームの光量を制御する。すなわち、制御部2、空間光変調デバイス16,17およびアパーチャ190によって本発明における光量制御手段が実現される。ただし、光量を制御する手法はこれに限定されるものではなく、従来から提案されている様々な手法を適宜採用できる。
Although detailed description is omitted, in the
結像光学系19は、アパーチャ190、ミラー191および結像レンズ192を備えている。
The imaging
アパーチャ190から出射されたビームはミラー191に向けて出射される。そして、ミラー191に向けて出射されたビームは、ミラー191によって反射され、結像レンズ192を介して像面たる基板9の表面に照射される。これにより、各ビームに対応する画素の位置に各ビームが照射され、所望の画素が描画される。
The beam emitted from the
以上が描画装置1の構成および機能の説明である。次に、このような描画装置1において光学系の回折限界を超えた解像度が実現される原理を説明する。
The above is the description of the configuration and function of the
まず、ビームの位相を制御する機能がない場合(正位相のビームのみ照射可能な場合)について説明する。 First, a case where there is no function for controlling the phase of the beam (when only a beam having a positive phase can be irradiated) will be described.
図2は、正位相の1本のビームで1つの画素を描画する際の画素の配列例を示す図である。図2では、一次元的に配列した7つの画素P0ないしP6のうちの中央の画素P3を描画する例を示している。したがって、この例では、画素P3に対応したマイクロミラーによって形成されるビームのみが照射される。なお、各画素P0ないしP6のサイズは、縦横の長さサイズがいずれもビームピッチBPとする。 FIG. 2 is a diagram illustrating an arrangement example of pixels when one pixel is drawn with one beam having a positive phase. FIG. 2 shows an example in which the central pixel P3 among the seven pixels P0 to P6 arranged one-dimensionally is drawn. Therefore, in this example, only the beam formed by the micromirror corresponding to the pixel P3 is irradiated. In addition, as for the size of each pixel P0 to P6, the vertical and horizontal length sizes are all set to the beam pitch BP.
図3は、図2に例示するパターンを描画するための理想的なビームの振幅の分布を示す図である。これによれば、画素P3に対応する位置のみに、ビームが照射されることが好ましいことがわかる。 FIG. 3 is a diagram illustrating an ideal beam amplitude distribution for drawing the pattern illustrated in FIG. 2. According to this, it can be seen that it is preferable to irradiate the beam only on the position corresponding to the pixel P3.
図4は、画素P3に1本のビームを照射した場合の結像面における光の強度分布を示す図である。 FIG. 4 is a diagram showing the light intensity distribution on the imaging plane when one beam is irradiated onto the pixel P3.
図4を図3と比較すると、光の強度分布はビームピッチに比べて広くなり、ビームが照射される領域は画素P3のサイズよりも大きくなることがわかる。この広がりは、ビームの波長と光学系のレンズの開口数とで決まる回折限界により、装置の光学系によって一定となり、これ以上狭くする(絞る)ことができない。 Comparing FIG. 4 with FIG. 3, it can be seen that the light intensity distribution is wider than the beam pitch, and the region irradiated with the beam is larger than the size of the pixel P3. This spread is constant by the optical system of the apparatus due to the diffraction limit determined by the wavelength of the beam and the numerical aperture of the lens of the optical system, and cannot be narrowed (squeezed) any further.
図5は、図4に示す例において、光のエネルギーの分布を示す図である。なお、図5に示す閾値Vは、感光材料の感度を示す値である。図5に示すように、位相を反転させずに描画する場合、ビームの描画領域の最小サイズはVP0となる。 FIG. 5 is a diagram showing the distribution of light energy in the example shown in FIG. The threshold value V shown in FIG. 5 is a value indicating the sensitivity of the photosensitive material. As shown in FIG. 5, in the case of drawing without inverting the phase, the minimum size of the beam drawing area is VP 0 .
次に、画素ごとに位相を反転させたビームを照射することが可能な場合について説明する。 Next, a case where it is possible to irradiate a beam whose phase is inverted for each pixel will be described.
図6は、位相を反転したビームを複数の画素に照射しつつ、1つの画素を描画する際の画素の配列例を示す図である。図6では、図2と同様に一次元的に配列した7つの画素P0ないしP6のうちの中央の画素P3を描画する例を示している。ただし、画素P1,P5に位相を反転させたビームを照射する。すなわち、画素P3には正の画素値が、そして画素P1,P5には負の画素値が記憶されている。 FIG. 6 is a diagram illustrating an example of pixel arrangement when one pixel is drawn while irradiating a plurality of pixels with a beam whose phase is inverted. FIG. 6 shows an example of drawing the central pixel P3 among the seven pixels P0 to P6 arranged one-dimensionally as in FIG. However, the pixels P1 and P5 are irradiated with a beam whose phase is inverted. That is, a positive pixel value is stored in the pixel P3, and a negative pixel value is stored in the pixels P1 and P5.
図7は、図6に示すパターンを描画する際に、画素P1,P3,P5に与えるビームの振幅を示す図である。図7では、正位相のビームの振幅を正の値で示し、逆位相のビームの振幅を負の値で示す。ここに示す例では、逆位相のビームの振幅は、正位相のビームの振幅よりも小さい。 FIG. 7 is a diagram showing the amplitude of the beam given to the pixels P1, P3, and P5 when the pattern shown in FIG. 6 is drawn. In FIG. 7, the amplitude of the positive-phase beam is indicated by a positive value, and the amplitude of the anti-phase beam is indicated by a negative value. In the example shown here, the amplitude of the antiphase beam is smaller than the amplitude of the positive phase beam.
図8は、図7に示す例において、結像面における光の強度分布を各ビームごとに示す図である。各ビームの強度分布の広がりは、先述のように、光学系の回折限界で決まるため、各ビームの振幅によらず、ほぼ一定である。 FIG. 8 is a diagram showing the light intensity distribution on the imaging plane for each beam in the example shown in FIG. Since the spread of the intensity distribution of each beam is determined by the diffraction limit of the optical system as described above, it is substantially constant regardless of the amplitude of each beam.
図9は、図7に示す例において、結像面における光の強度分布を示す図である。正位相のビームが照射される領域と、逆位相のビームが照射される領域とが重なる領域では、ビームの強度は互いに引き算される。 FIG. 9 is a diagram showing the light intensity distribution on the imaging plane in the example shown in FIG. In a region where a region irradiated with a positive phase beam and a region irradiated with a reverse phase beam overlap, the beam intensities are subtracted from each other.
図10は、図9に示す例において、光のエネルギーの分布を示す図である。3つの画素P1,P3,P5に対応するマイクロミラーからビームが照射されることにより、ビームが照射される領域は、図5に示す例に比べて拡大する。しかしながら、周辺部の成分は、図5に示す場合に比べて抑制されており、この大きさ(周辺部のピーク)を感光材料の感度以下にする(このような感光材料を選択する)ことにより、ビームの描画領域の最小サイズはVP1となる。図5のVP0と図10のVP1とを比較すれば、明らかにVP1のサイズの方が小さい。すなわち、正位相のビームの位相を反転した逆位相のビームを照射することにより、回折限界を超えた解像度が実現できることがわかる。 FIG. 10 is a diagram showing the distribution of light energy in the example shown in FIG. By irradiating the beam from the micromirrors corresponding to the three pixels P1, P3, and P5, the region irradiated with the beam is expanded compared to the example shown in FIG. However, the components in the peripheral portion are suppressed as compared with the case shown in FIG. 5, and the size (peak in the peripheral portion) is made lower than the sensitivity of the photosensitive material (by selecting such a photosensitive material). The minimum size of the beam drawing area is VP 1 . The comparison between VP 1 of VP 0 and 10 in FIG. 5, is less clearly towards the size of VP 1. That is, it can be seen that the resolution exceeding the diffraction limit can be realized by irradiating the beam having the opposite phase obtained by inverting the phase of the beam having the positive phase.
このように、描画装置1が各画素ごと(各マイクロミラーごと)に位相および光量を制御することにより、高価な位相シフトマスクを用いることなく、回折限界を超えた高解像度を実現できる。
As described above, the
なお、ここに示す原理は簡略化した一例であり、描画するパターン形状や、用いるビームのプロファイル(強度分布)等に応じて、正位相または逆位相のビームを照射すべき画素および光量は様々に変化する。本実施の形態における画素データは、CADデータから生成されたビットマップデータに解像度改善処理(例えば、Optical Proximity Correction等)を実行することによって作成される。先述のように、本実施の形態における画素データにおいて、画素値の絶対値は光量を示し、符号は位相を示す(「正符号」は正位相、「負符号」は逆位相)。また、解像度改善処理は、外部の装置で実行されてもよいし、制御部2において実行されてもよい。
It should be noted that the principle shown here is a simplified example, and there are various pixels and light amounts to be irradiated with the positive phase or reverse phase beam depending on the pattern shape to be drawn, the profile (intensity distribution) of the beam to be used, etc. Change. Pixel data in the present embodiment is created by executing resolution improvement processing (for example, Optical Proximity Correction) on bitmap data generated from CAD data. As described above, in the pixel data in the present embodiment, the absolute value of the pixel value indicates the amount of light, and the sign indicates the phase (“positive sign” indicates the positive phase, and “negative sign” indicates the reverse phase). Further, the resolution improvement process may be executed by an external device or may be executed by the
次に、描画装置1を用いてパターンを描画する描画方法について説明する。
Next, a drawing method for drawing a pattern using the
図11は、本発明に係る描画方法を示す流れ図である。なお、図11は、1回の描画の流れを示している。したがって、実際のパターンの描画には、図11に示す工程が複数回繰り返される。また、図11に示すステップS11の処理が開始されるまでに、可動ステージ10に基板9が載置され、可動ステージ10(基板9)の描画ヘッド11に対する相対位置が決定されているものとする。
FIG. 11 is a flowchart showing a drawing method according to the present invention. FIG. 11 shows a flow of one drawing. Therefore, the process shown in FIG. 11 is repeated a plurality of times for drawing an actual pattern. Further, it is assumed that the
まず、制御部2は、画素データ20に応じて、各画素に対応するマイクロミラーの反射角度を制御する(ステップS11)。これにより、空間光変調デバイス16,17の各マイクロミラーが、各画素に応じた反射角度となる。
First, the
次に、制御部2がリセット信号をレーザ発振器13に伝達することにより、レーザ発振器13がレーザ光を照射する(ステップS12)。ステップS12で照射されたレーザ光は、照明光学系14に導かれて光分割部15に入射し、空間光変調デバイス16に向かう第1レーザ光と、空間光変調デバイス17(平行平面板18)に向かう第2レーザ光とに分割される(ステップS13)。
Next, the
空間光変調デバイス16に入射した第1レーザ光は、空間光変調デバイス16の各マイクロミラーによって反射され、複数の第1ビームに変調される(ステップS14)。
The first laser light incident on the spatial
一方、平行平面板18に入射した第2レーザ光は、平行平面板18によって1/4位相変換がされた後(ステップS15)、空間光変調デバイス17に入射する。そして、空間光変調デバイス17の各マイクロミラーによって反射され、複数の第2ビームに変調される(ステップS16)。さらに、複数の第2ビームのうち、逆位相のビームで描画する画素に対応するビームは平行平面板18に再度入射し、平行平面板18によって1/4位相変換される(ステップS17)。
On the other hand, the second laser light incident on the plane-
空間光変調デバイス16からの第1ビームと、平行平面板18(空間光変調デバイス17)からの第2ビームは、光分割部15において合成され(ステップS18)、結像光学系19に入射する。
The first beam from the spatial
光分割部15からの複数のビーム(第1ビームおよび第2ビーム)は、ステップS11で実行された反射角度制御に応じて、結像光学系19のアパーチャ190によって光量制御が行われる(ステップS19)。より詳しくは、反射角度の違いに応じて、アパーチャ190における入射位置がわずかに異なるために、例えば、図7に示す例では、逆位相の第2ビームの光束の一部が遮蔽され光量が減少する。
The light quantity of the plurality of beams (first beam and second beam) from the
アパーチャ190を通過したビームは、ミラー191および結像レンズ192に導かれて基板9の表面に照射される。これによって、基板9の所定の位置に画素(パターン)が描画される(ステップS20)。
The beam that has passed through the
以上のように、第1の実施の形態における描画装置1は、レーザ発振器13から照射された光を第1レーザ光と第2レーザ光とに分割する光分割部15と、光分割部15により分割された第1レーザ光を複数の第1ビームに変調する空間光変調デバイス16と、光分割部15により分割された第2レーザ光を複数の第2ビームに変調する空間光変調デバイス17と、第1ビームの位相と第2ビームの位相とを互いに異なる位相とする平行平面板18とを備え、互いに異なる位相を有する第1ビームと第2ビームとを合成することにより、ダイレクトデジタル露光において、空間光変調デバイス16,17に特別な構造を設けることなく、位相を制御できる。
As described above, the
また、複数のビームの光量を制御することにより、位相制御と光量制御とを組み合わせることにより、位相シフトマスクを作成することなく、回折限界を超えた超解像度を実現できる。 In addition, by controlling the light amounts of a plurality of beams, it is possible to realize super-resolution exceeding the diffraction limit without creating a phase shift mask by combining phase control and light amount control.
なお、平行平面板18は、空間光変調デバイス16側に設けられていてもよい。
The plane
<2. 第2の実施の形態>
第1の実施の形態では、平行平面板18によって、正位相のビームに対して位相を反転させた逆位相のビームを形成する例を説明した。しかし、位相を変換する手法はこれに限定されるものではない。
<2. Second Embodiment>
In the first embodiment, an example has been described in which the
図12は、第2の実施の形態における描画装置1aの光分割部15、空間光変調デバイス16,17を示す概略図である。
FIG. 12 is a schematic diagram showing the
描画装置1aは、描画装置1における平行平面板18に相当する構成を備えていない代わりに、光分割部15と空間光変調デバイス16との間の光軸距離は「L1」となっており、光分割部15と空間光変調デバイス17との間の光軸距離は「L2」となっている。そして、レーザ発振器13から照射されるレーザ光の波長を「λ」とすると、整数iを用いて式1を満足するように、光軸距離L1,L2が決められている。
The
L2−L1=(i±1/4)×λ・・・式1
L2−L1 = (i ± 1/4) ×
以上のように、第2の実施の形態における描画装置1aは、第1ビームの位相と第2ビームの位相とが互いに異なる位相(反転する位相)となるように、空間光変調デバイス16および空間光変調デバイス17の配置が決定されている。これによって、第1ビームと第2ビームの光路長差によって、第1ビームの位相と第2ビームの位相とを互いに異なる位相とすることができ、第1の実施の形態における描画装置1と同様の効果を得ることができる。
As described above, the
<3. 変形例>
以上、本発明の実施の形態について説明してきたが、本発明は上記実施の形態に限定されるものではなく様々な変形が可能である。
<3. Modification>
Although the embodiments of the present invention have been described above, the present invention is not limited to the above embodiments, and various modifications can be made.
例えば、上記実施の形態では反射面150を有するプリズムとして光分割部15を説明したが、光分割部15は単なるハーフミラーであってもよい。
For example, although the
また、アパーチャ190に代えて、通過する光の位置によって光量が変化する光学素子、例えば、連続濃度可変フィルタなどを用いてもよい。
Further, instead of the
さらに、光量制御のための構成として、上述の実施の形態のように空間光変調デバイスとしてマイクロミラーデバイスを用いる代わりに、GLV(Grating Light Valve)のような回折格子型の空間光変調素子や磁気光学式の空間光変調素子を用いた構成を採用してもよい。 Further, as a configuration for controlling the amount of light, instead of using a micromirror device as a spatial light modulation device as in the above-described embodiment, a diffraction grating type spatial light modulation element such as GLV (Grating Light Valve) or magnetic A configuration using an optical spatial light modulator may be adopted.
また、上記実施の形態に示した各工程は、あくまでも例示であって、同様の効果が得られるならば、各工程の内容および順序が適宜変更されてもよい。 Moreover, each process shown in the said embodiment is an illustration to the last, and if the same effect is acquired, the content and order of each process may be changed suitably.
1,1a 描画装置
10 可動ステージ
11 描画ヘッド
13 レーザ発振器
14 照明光学系
15 光分割部
150 反射面
16,17 空間光変調デバイス
18 平行平面板
19 結像光学系
190 アパーチャ
2 制御部
20 画素データ
9 基板
DESCRIPTION OF
Claims (8)
光を照射する光源と、
前記光源から照射された光を第1光と第2光とに分割する光分割手段と、
前記光分割手段により分割された第1光を複数の第1ビームに変調する第1空間光変調デバイスと、
前記光分割手段により分割された第2光を複数の第2ビームに変調する第2空間光変調デバイスと、
前記第1ビームの位相と前記第2ビームの位相とを互いに異なる位相とする位相変換手段と、
前記互いに異なる位相を有する第1ビームと第2ビームとを合成するビーム合成手段と、
を備えることを特徴とする描画装置。 A drawing apparatus for drawing a pattern by a plurality of beams,
A light source that emits light;
A light splitting means for splitting light emitted from the light source into first light and second light;
A first spatial light modulation device that modulates the first light split by the light splitting means into a plurality of first beams;
A second spatial light modulation device that modulates the second light split by the light splitting means into a plurality of second beams;
Phase conversion means for setting the phase of the first beam and the phase of the second beam different from each other;
Beam combining means for combining the first beam and the second beam having different phases;
A drawing apparatus comprising:
前記位相変換手段は、nλ±(1/m)λを満たす光学素子(但し、n,mは整数、1/mは予め定めた位相差)であることを特徴とする描画装置。 The drawing apparatus according to claim 1,
The drawing apparatus, wherein the phase conversion means is an optical element satisfying nλ ± (1 / m) λ (where n and m are integers and 1 / m is a predetermined phase difference).
光を照射する光源と、
前記光源から照射された光を第1光と第2光とに分割する光分割手段と、
前記光分割手段により分割された第1光を複数の第1ビームに変調する第1空間光変調デバイスと、
前記光分割手段により分割された第2光を複数の第2ビームに変調する第2空間光変調デバイスと、
を備え、
前記第1ビームの位相と前記第2ビームの位相とが互いに異なる位相となるように、前記第1空間光変調デバイスおよび前記第2空間光変調デバイスの配置が決定されており、前記互いに異なる位相を有する第1ビームと第2ビームとを合成することを特徴とする描画装置。 A drawing apparatus for drawing a pattern by a plurality of beams,
A light source that emits light;
A light splitting means for splitting light emitted from the light source into first light and second light;
A first spatial light modulation device that modulates the first light split by the light splitting means into a plurality of first beams;
A second spatial light modulation device that modulates the second light split by the light splitting means into a plurality of second beams;
With
The arrangement of the first spatial light modulation device and the second spatial light modulation device is determined so that the phase of the first beam and the phase of the second beam are different from each other, and the phases different from each other are determined. A drawing apparatus characterized by combining a first beam and a second beam.
前記複数のビームの光量を制御する光量制御手段をさらに備えることを特徴とする描画装置。 The drawing apparatus according to any one of claims 1 to 3,
A drawing apparatus, further comprising light amount control means for controlling light amounts of the plurality of beams.
(a) 光源から光を照射する工程と、
(b) 前記光源から照射された光を第1光と第2光とに分割する工程と、
(c) 前記第1光を第1空間光変調デバイスによって複数の第1ビームに変調する工程と、
(d) 前記第2光を第2空間光変調デバイスによって複数の第2ビームに変調する工程と、
(e) 前記第1ビームの位相と前記第2ビームの位相とを互いに異なる位相とする工程と、
を有することを特徴とする描画方法。 A drawing method for drawing a pattern by a plurality of beams,
(a) irradiating light from a light source;
(b) dividing the light emitted from the light source into first light and second light;
(c) modulating the first light into a plurality of first beams by a first spatial light modulation device;
(d) modulating the second light into a plurality of second beams by a second spatial light modulation device;
(e) the phase of the first beam and the phase of the second beam are different from each other;
A drawing method characterized by comprising:
前記(e)工程は、位相変換手段によって、前記第1ビームの位相と前記第2ビームの位相とを互いに異なる位相とする工程であることを特徴とする描画方法。 The drawing method according to claim 5, wherein
The drawing method, wherein the step (e) is a step of setting the phase of the first beam and the phase of the second beam different from each other by phase conversion means.
前記(e)工程は、前記第1ビームと前記第2ビームの光路長差によって、前記第1ビームの位相と前記第2ビームの位相とを互いに異なる位相とする工程であることを特徴とする描画方法。 The drawing method according to claim 5, wherein
The step (e) is a step of setting the phase of the first beam and the phase of the second beam different from each other according to the optical path length difference between the first beam and the second beam. Drawing method.
(f) 前記複数のビームの光量を制御する工程をさらに有することを特徴とする描画方法。 A drawing method according to any one of claims 5 to 7,
(f) The drawing method further comprising the step of controlling the light quantity of the plurality of beams.
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