JP2010182776A - Conductive film pattern and method of forming the same - Google Patents

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Atsuo Yanada
篤郎 梁田
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Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a conductive film pattern having a fine form, excellent in adhesiveness to a base material, form accuracy and reliability, and formed requiring no complicated and costly equipment and steps and a method of forming the same. <P>SOLUTION: The conductive film pattern at least including the base material 5001, an insulating layer 5002 formed by disposing an insulating ink on the base material, and a conductive layer 5004 formed by disposing a conductive ink on the insulating layer so as to have a predetermined pattern by an inkjet device, characterized by including a coupling agent film 5003 formed with at least one coupling agent selected from a silane coupling agent, a titanium coupling agent, zirconia coupling agent, and an aluminum coupling agent, each containing no fluorine atom, on the insulating layer. <P>COPYRIGHT: (C)2010,JPO&INPIT

Description

本発明は、インクジェット法及び無電解めっきを利用した導電膜パターンの形成方法とそれにより形成された導電膜パターンに関する。   The present invention relates to a method for forming a conductive film pattern using an inkjet method and electroless plating and a conductive film pattern formed thereby.

インクジェット法を用いて導電性インクを基材上に吐出することにより回路配線や電極を形成する技術が提案されている。従来行われてきたフォトリソグラフィー法では多数の工程(導電膜形成、レジスト塗布、露光、現像、エッチング、などの複数回繰り返し)や材料(導電材料、フォトレジスト、現像液、洗浄液等)が必要であったのに対して、インクジェット法を用いると、工数が簡略であり、材料、エネルギーの使用量も少量で済むことから、低コストで微細な配線パターンの形成が可能な技術として注目を集めている。   There has been proposed a technique for forming circuit wirings and electrodes by discharging conductive ink onto a substrate using an inkjet method. The conventional photolithography method requires a large number of steps (conductive film formation, resist coating, exposure, development, etching, etc.) and materials (conductive material, photoresist, developer, cleaning solution, etc.). On the other hand, using the inkjet method has simplified the man-hours and requires a small amount of materials and energy, and has attracted attention as a technology that can form fine wiring patterns at low cost. Yes.

さらに、導電性インクに加えて絶縁性インクを使用することにより、配線同士のショートを防いだり(例えば、特開2005−210079号)、多層配線基板の作製に応用したり(例えば、特開平11−163499号)する技術が知られている。しかしながら、導電性インクと絶縁性インクの両方を利用して回路配線などのパターンを作製する際には、両者の接着性を改善させることにより回路の信頼性を向上させることが必要とされていた。   Furthermore, by using an insulating ink in addition to the conductive ink, short-circuiting between wirings can be prevented (for example, Japanese Patent Application Laid-Open No. 2005-210079), or applied to the production of a multilayer wiring board (for example, Japanese Patent Application Laid-Open No. 11-1999). -163499) is known. However, when producing patterns such as circuit wiring using both conductive ink and insulating ink, it has been necessary to improve the reliability of the circuit by improving the adhesion between them. .

この課題に対して、例えば、半硬化状態の絶縁層上に導電パターンを形成し、その後に熱処理して完全硬化させることにより、絶縁層と導電パターンとの密着力の改善を図る旨の記載がなされている(例えば、特許文献1参照)。しかしながら、この方法を用いると確かに密着力自体は向上するものの、半硬化状態の絶縁層は表面状態が必ずしも均一でないため、絶縁層上における導電性インクの濡れ性が均一にならず、位置により異なることになる。その結果、吐出された導電性インクの絶縁層上の着弾形状が一様でなく、形成するパターン形状が所望の形状と異なってしまうことになるため、半硬化状態の絶縁インクを利用する技術だけでは高精度で微細な形状のパターンを形成することは非常に困難であった。   In order to solve this problem, for example, it is described that the conductive pattern is formed on the semi-cured insulating layer, and then the heat treatment is performed to completely cure, thereby improving the adhesion between the insulating layer and the conductive pattern. (For example, refer to Patent Document 1). However, although this method certainly improves the adhesion itself, the semi-cured insulating layer does not necessarily have a uniform surface state, so that the wettability of the conductive ink on the insulating layer is not uniform and depends on the position. Will be different. As a result, the landed shape of the discharged conductive ink on the insulating layer is not uniform, and the pattern shape to be formed will differ from the desired shape, so only the technology using semi-cured insulating ink However, it is very difficult to form a pattern with a high precision and a fine shape.

特開2007−158352号公報JP 2007-158352 A

本発明は、上記課題に鑑みなされたものであり、本発明の目的は、微細な形状を有し、基材との密着性や形状精度、信頼性に優れ、複雑、高価な設備、工程を必要とせずに形成する導電膜パターン及びその導電膜パターンの形成方法を提供することにある。   The present invention has been made in view of the above problems, and an object of the present invention is to provide a complicated shape, an expensive equipment, and a process having a fine shape, excellent adhesion to the substrate, shape accuracy, and reliability. An object of the present invention is to provide a conductive film pattern formed without necessity and a method of forming the conductive film pattern.

本発明の上記目的は、下記の構成により達成される。   The above object of the present invention can be achieved by the following constitution.

1.基材と、
前記基材上に絶縁性インクを配置することにより形成された絶縁層と、
前記絶縁層上に、インクジェット装置によって導電性のインクを所定のパターンに配置することにより形成された導電層と、
を少なくとも有する導電膜パターンにおいて、
前記絶縁層上に、フッ素原子を含有しないシランカップリング剤、チタンカップリング剤、ジルコニアカップリング剤、およびアルミニウムカップリング剤から選択される少なくとも一種のカップリング剤により形成されたカップリング剤膜を有することを特徴とする導電膜パターン。
1. A substrate;
An insulating layer formed by disposing an insulating ink on the substrate;
On the insulating layer, a conductive layer formed by disposing conductive ink in a predetermined pattern by an inkjet device;
In the conductive film pattern having at least
A coupling agent film formed on the insulating layer by at least one coupling agent selected from a silane coupling agent not containing a fluorine atom, a titanium coupling agent, a zirconia coupling agent, and an aluminum coupling agent. A conductive film pattern comprising:

2.前記絶縁層が、前記基材上の全面に配置されていることを特徴とする前記1に記載の導電膜パターン。   2. 2. The conductive film pattern according to 1 above, wherein the insulating layer is disposed on the entire surface of the base material.

3.前記絶縁層が、インクジェット装置により絶縁性インクが所定のパターンに配置されることで形成されていることを特徴とする前記1に記載の導電膜パターン。   3. 2. The conductive film pattern according to 1 above, wherein the insulating layer is formed by disposing insulating ink in a predetermined pattern by an ink jet apparatus.

4.前記基材が複数の電極領域を所有する半導体基板であり、
前記導電膜パターンは前記複数の電極領域間を接続することを特徴とする前記3に記載の導電膜パターン。
4). The substrate is a semiconductor substrate having a plurality of electrode regions;
4. The conductive film pattern according to 3, wherein the conductive film pattern connects the plurality of electrode regions.

5.前記基材は導電性領域と非導電性領域とを有することを特徴とする前記1〜3のいずれか1項に記載の導電膜パターン。   5. 4. The conductive film pattern according to any one of 1 to 3, wherein the substrate has a conductive region and a non-conductive region.

6.前記基材は導電性インクによる所定のパターンが形成された基材であることを特徴とする前記5に記載の導電膜パターン。   6). 6. The conductive film pattern according to 5 above, wherein the base material is a base material on which a predetermined pattern is formed with conductive ink.

7.前記インクジェット装置が、吐出孔を有するノズルプレート、吐出孔に連通する圧力室、圧力室内の液体に圧力変動を生じさせる圧力発生素子、及び圧力発生素子に電圧を印加する駆動電圧印加手段、を具備する液滴吐出ヘッドから液滴を吐出させる装置であることを特徴とする前記1〜6のいずれか1項に記載の導電膜パターン。   7). The inkjet apparatus includes a nozzle plate having discharge holes, a pressure chamber communicating with the discharge holes, a pressure generating element that causes a pressure variation in the liquid in the pressure chamber, and a driving voltage applying unit that applies a voltage to the pressure generating element. 7. The conductive film pattern according to any one of 1 to 6, wherein the conductive film pattern is a device that discharges droplets from a droplet discharge head.

8.前記インクジェット装置が、さらに静電電圧印加手段を有し、前記圧力変動に加えて静電力を利用して液滴を飛翔させる装置であることを特徴とする前記7に記載の導電膜パターン。   8). 8. The conductive film pattern according to 7, wherein the ink jet apparatus further includes an electrostatic voltage applying unit, and the liquid droplets are ejected using an electrostatic force in addition to the pressure fluctuation.

9.前記導電性インクは、無電解めっきの触媒能を有することを特徴とする前記1〜8のいずれか1項に記載の導電膜パターン。   9. 9. The conductive film pattern according to any one of 1 to 8, wherein the conductive ink has a catalytic ability for electroless plating.

10.前記カップリング剤が、チタンカップリング剤、ジルコニアカップリング剤、およびアルミニウムカップリング剤、から選択される少なくとも一種のカップリング剤であることを特徴とする前記1〜9のいずれか1項に記載の導電膜パターン。   10. The said coupling agent is at least 1 type of coupling agent selected from a titanium coupling agent, a zirconia coupling agent, and an aluminum coupling agent, The said any one of 1-9 characterized by the above-mentioned. Conductive film pattern.

11.基材の上に、絶縁性インクを配置することにより絶縁層を形成する工程と、
前記絶縁層の上に、フッ素原子を含有しないシランカップリング剤、チタンカップリング剤、ジルコニアカップリング剤、およびアルミニウムカップリング剤から選択される少なくとも一種のカップリング剤によりカップリング剤膜を形成する工程と、
前記カップリング剤膜の上に、インクジェット法により導電性インクを所定のパターンに配置することにより導電層を形成する工程と、を有することを特徴とする導電膜パターンの形成方法。
11. Forming an insulating layer by disposing an insulating ink on the substrate;
On the insulating layer, a coupling agent film is formed with at least one coupling agent selected from a silane coupling agent not containing a fluorine atom, a titanium coupling agent, a zirconia coupling agent, and an aluminum coupling agent. Process,
Forming a conductive layer on the coupling agent film by disposing a conductive ink in a predetermined pattern by an ink-jet method.

12.前記絶縁層を形成する工程が、インクジェット法により絶縁性インクを基材の上に配置する工程であることを特徴とする前記11に記載の導電膜パターンの形成方法。   12 12. The method for forming a conductive film pattern according to 11 above, wherein the step of forming the insulating layer is a step of disposing an insulating ink on a substrate by an ink jet method.

13.前記インクジェット法が、吐出孔を有するノズルプレート、吐出孔に連通する圧力室、圧力室内の液体に圧力変動を生じさせる圧力発生素子、及び圧力発生素子に電圧を印加する駆動電圧印加手段、を具備する液滴吐出ヘッドから液滴を吐出させるインクジェット法であることを特徴とする前記11または12に記載の導電膜パターンの形成方法。   13. The inkjet method includes a nozzle plate having discharge holes, a pressure chamber communicating with the discharge holes, a pressure generating element that causes a pressure fluctuation in the liquid in the pressure chamber, and a driving voltage applying unit that applies a voltage to the pressure generating element. 13. The method for forming a conductive film pattern according to the item 11 or 12, which is an inkjet method in which droplets are ejected from a droplet ejection head.

14.前記インクジェット法が、さらに静電電圧印加手段を有し、前記圧力変動に加えて静電力を利用して液滴を飛翔させるインクジェット法であることを特徴とする前記13に記載の導電膜パターンの形成方法。   14 14. The conductive film pattern according to 13, wherein the inkjet method further includes an electrostatic voltage applying unit, and the droplets are ejected using electrostatic force in addition to the pressure fluctuation. Forming method.

15.前記カップリング剤が、チタンカップリング剤、ジルコニアカップリング剤、およびアルミニウムカップリング剤から選択される少なくとも一種のカップリング剤であることを特徴とする前記11〜14のいずれか1項に記載の導電膜パターンの形成方法。   15. 15. The coupling agent according to any one of 11 to 14, wherein the coupling agent is at least one coupling agent selected from a titanium coupling agent, a zirconia coupling agent, and an aluminum coupling agent. Method for forming conductive film pattern.

本発明によれば、微細な形状を有し、基材との密着性や形状精度、信頼性に優れ、複雑、高価な設備、工程を必要とせずに形成する導電膜パターン及びその導電膜パターンの形成方法を提供することができる。   According to the present invention, a conductive film pattern having a fine shape, excellent adhesion to a base material, shape accuracy and reliability, formed without requiring complicated and expensive equipment and processes, and the conductive film pattern thereof Can be provided.

本発明は、絶縁層の形成された基材上にインクジェット法によって導電性インクを配置して導電層のパターンを形成する際に、予め所定のカップリング剤により絶縁層の表面処理を行っておくことにより、絶縁層の表面状態を所望の状態に均一化することが可能となるため、導電性インクによる導電層のパターン形状を良好なものにすることが出来るとともに、絶縁層と導電層のパターンとの密着性も向上させた導電層のパターン、更には導電膜パターンを得ることが可能になるものである。   In the present invention, when a conductive ink pattern is formed on a base material on which an insulating layer is formed by an inkjet method to form a conductive layer pattern, the insulating layer is surface-treated with a predetermined coupling agent in advance. As a result, the surface state of the insulating layer can be made uniform in a desired state, so that the pattern shape of the conductive layer by the conductive ink can be improved and the pattern of the insulating layer and the conductive layer can be improved. It is possible to obtain a conductive layer pattern and a conductive film pattern with improved adhesion.

また、インクジェット法として静電力を利用する方法を用いることにより、微小な液滴を良好な位置精度で絶縁層上、さらには基材上に配置することが容易に可能となり、本発明の微細形状を有する導電膜パターンの形成に対して好ましく用いられる。   In addition, by using a method utilizing electrostatic force as an ink jet method, it is possible to easily arrange minute droplets on an insulating layer and further on a substrate with good positional accuracy. It is preferably used for the formation of a conductive film pattern having.

また、インクジェット法によって配置されるインクとして無電解めっきの触媒能を有するインクを用い、絶縁層上に形成された導電層のパターン(導電性膜パターン)に対してさらに無電解めっき処理を行うことによりめっき膜を形成する場合においても、めっき金属をインクパターン(導電層のパターン)上に良好に析出させることが出来るため、本発明の信頼性に優れた膜パターンの形成に対して、好ましく用いられる。   In addition, an ink having electroless plating catalytic ability is used as the ink disposed by the inkjet method, and the electroless plating process is further performed on the conductive layer pattern (conductive film pattern) formed on the insulating layer. Even when the plating film is formed by the above method, since the plating metal can be favorably deposited on the ink pattern (pattern of the conductive layer), it is preferably used for the formation of the film pattern having excellent reliability of the present invention. It is done.

本実施形態に係るインクジェット記録装置の内部構成の一例を示す斜視図である。1 is a perspective view illustrating an example of an internal configuration of an ink jet recording apparatus according to an embodiment. 本発明に好ましく用いられる静電力を利用した液滴吐出装置(インクジェット装置)の全体構成を示す模式図である。1 is a schematic diagram illustrating an overall configuration of a droplet discharge device (inkjet device) using an electrostatic force that is preferably used in the present invention. 本発明に用いられる静電吸引方式のインクジェット装置のマルチノズルヘッドの概略構成の一例を示す分解斜視図である。1 is an exploded perspective view showing an example of a schematic configuration of a multi-nozzle head of an electrostatic suction type ink jet device used in the present invention. マルチノズルヘッド500の断面図の一例を図4に示す。An example of a cross-sectional view of the multi-nozzle head 500 is shown in FIG. 実施例1の導電膜パターンの形状を示す断面図。Sectional drawing which shows the shape of the electrically conductive film pattern of Example 1. FIG. 実施例2の導電膜パターンの形状を示す断面図。Sectional drawing which shows the shape of the electrically conductive film pattern of Example 2. FIG. 実施例3の導電膜パターンの形状を示す断面図。Sectional drawing which shows the shape of the electrically conductive film pattern of Example 3. FIG.

以下、本発明を実施するための最良の形態について説明するが、本発明はこれらに限定されない。   Hereinafter, although the best mode for carrying out the present invention will be described, the present invention is not limited to these.

本発明は、基材上の絶縁層に対してインクジェット法により導電性インクを配置することによって導電層のパターンを作製する際に、絶縁層表面を予め所定のカップリング剤による表面処理を行っておくことにより、導電性インクの濡れ性を均一化して所望する微細形状のパターンを形成することを可能にするとともに、絶縁層と導電層のパターンとの密着性を良好なものとすることができる。すなわち、絶縁層表面との化学結合により形成されたカップリング剤の膜が有する官能基の作用により絶縁層の表面物性を制御して、配置された導電性インク滴の形状を、微細なパターン形成が可能である程度以上に濡れ広がらず、かつ適度な密着力を保つ程度に制御することを可能とすることができる。   In the present invention, when a conductive layer pattern is prepared by disposing a conductive ink on an insulating layer on a substrate by an inkjet method, the surface of the insulating layer is subjected to a surface treatment with a predetermined coupling agent in advance. This makes it possible to make the wettability of the conductive ink uniform and form a desired fine pattern, and to improve the adhesion between the insulating layer and the pattern of the conductive layer. . That is, the surface properties of the insulating layer are controlled by the action of the functional group of the coupling agent film formed by chemical bonding with the surface of the insulating layer, and the pattern of the conductive ink droplets placed is formed into a fine pattern. It is possible to control to such an extent that it does not spread more than a certain amount and maintains an appropriate adhesion.

(絶縁性インク)
本発明で用いられる絶縁性インクは、絶縁性樹脂組成物を溶媒で溶解させたものであり、必要に応じて各種の添加剤を含有させても良い。
(Insulating ink)
The insulating ink used in the present invention is obtained by dissolving an insulating resin composition with a solvent, and may contain various additives as necessary.

絶縁性インクの絶縁性の樹脂組成物としては、電気絶縁性を示す材料を含有するものであればよく、例えば、エポキシ樹脂、フェノール樹脂、ポリイミド樹脂、ポリアミド樹脂、ポリアミドイミド樹脂、シリコーン変性ポリアミドイミド樹脂、ポリエステル樹脂、シアネートエステル樹脂、BTレジン、アクリル樹脂、メタクリル樹脂、メラミン樹脂、ウレタン樹脂、アルキッド樹脂等を構成する、モノマー、オリゴマー及びポリマー等を含む組成物が挙げられる。これらは1種を単独で又は2種以上を併用することができる。また、上記樹脂組成物は熱硬化性樹脂を含有することが好ましい。熱硬化性樹脂を含有する絶縁性インクの硬化物からなる絶縁層は、耐熱性に優れるとともに、印刷配線板において絶縁信頼性及び接続信頼性に優れている。   The insulating resin composition of the insulating ink may be any material containing an electrically insulating material, such as an epoxy resin, a phenol resin, a polyimide resin, a polyamide resin, a polyamideimide resin, or a silicone-modified polyamideimide. Examples include compositions containing monomers, oligomers, polymers, and the like that constitute resins, polyester resins, cyanate ester resins, BT resins, acrylic resins, methacrylic resins, melamine resins, urethane resins, alkyd resins, and the like. These can be used alone or in combination of two or more. Moreover, it is preferable that the said resin composition contains a thermosetting resin. An insulating layer made of a cured product of an insulating ink containing a thermosetting resin is excellent in heat resistance and has excellent insulation reliability and connection reliability in a printed wiring board.

本発明においては、上記樹脂組成物が上記した樹脂のうちエポキシ樹脂を含有することが特に好ましい。エポキシ樹脂を用いることで、カップリング剤膜、更には導電層に対する接着性を向上させることができる。   In the present invention, it is particularly preferable that the resin composition contains an epoxy resin among the resins described above. By using an epoxy resin, the adhesiveness with respect to a coupling agent film | membrane and also a conductive layer can be improved.

エポキシ樹脂としては、例えば、ビスフェノールA型エポキシ樹脂、ビスフェノールF型エポキシ樹脂、ビスフェノールS型エポキシ樹脂、ビフェノール型エポキシ樹脂、脂環式エポキシ樹脂、脂肪族鎖状エポキシ樹脂、グリシジルエステル型エポキシ樹脂、フェノール化合物とアルデヒド化合物とを縮合反応させて得られるグリシジルエーテル化物等が挙げられる。これらは2種以上を組み合わせて含有させることもできる。さらに、本発明においては、上記樹脂組成物が上記エポキシ樹脂とエポキシ樹脂を硬化する硬化剤とを含有することが好ましい。   Examples of the epoxy resin include bisphenol A type epoxy resin, bisphenol F type epoxy resin, bisphenol S type epoxy resin, biphenol type epoxy resin, alicyclic epoxy resin, aliphatic chain epoxy resin, glycidyl ester type epoxy resin, phenol Examples thereof include glycidyl ether compounds obtained by subjecting a compound and an aldehyde compound to a condensation reaction. These may be contained in combination of two or more. Furthermore, in this invention, it is preferable that the said resin composition contains the hardening | curing agent which hardens the said epoxy resin and an epoxy resin.

硬化剤としては、例えば、ジエチレントリアミン、トリエチレンテトラミン、メタキシレンジアミン、ジアミノジフェニルメタン、ジアミノジフェニルスルホン、m−フェニレンジアミン、ジシアンジアミド等のアミン類;無水フタル酸、テトラヒドロ無水フタル酸、ヘキサヒドロ無水フタル酸、メチルテトラヒドロ無水フタル酸、メチルヘキサヒドロ無水フタル酸、無水メチルナジック酸、無水ピロメリット酸、無水トリメリット酸などの酸無水物類;イミダゾール、2−エチルイミダゾール、2−エチル−4−メチルイミダゾール、2−フェニルイミダゾール、2−ウンデシルイミダゾール、1−ベンジル−2−メチルイミダゾール、2−ヘプタデシルイミダゾール、4,5−ジフェニルイミダゾール、2−メチルイミダゾリン、2−フェニルイミダゾリン、2−ウンデシルイミダゾリン、2−ヘプタデシルイミダゾリン、2−イソプロピルイミダゾール、2,4−ジメチルイミダゾール、2−フェニル−4−メチルイミダゾール、2−エチルイミダゾリン、2−イソプロピルイミダゾリン、2,4−ジメチルイミダゾリン、2−フェニル−4−メチルイミダゾリン等のイミダゾール類;イミノ基がアクリロニトリル、フェニレンジイソシアネート、トルイジンイソシアネート、ナフタレンジイソシアネート、メチレンビスフェニルイソシアネート、メラミンアクリレート等でマスクされたイミダゾール類;ビスフェノールF、ビスフェノールA、ビスフェノールS等のフェノール化合物;フェノール化合物とアルデヒド化合物との縮合物が挙げられる。なお、これらの硬化剤は、1種を単独で又は2種以上を組み合わせて含有させてもよい。なお、樹脂組成物中には、上述したような成分のほか、所望とする性状に合わせて硬化促進剤、カップリング剤、酸化防止剤、充填剤等を含有させることもできる。   Examples of the curing agent include amines such as diethylenetriamine, triethylenetetramine, metaxylenediamine, diaminodiphenylmethane, diaminodiphenylsulfone, m-phenylenediamine, and dicyandiamide; phthalic anhydride, tetrahydrophthalic anhydride, hexahydrophthalic anhydride, methyl Acid anhydrides such as tetrahydrophthalic anhydride, methylhexahydrophthalic anhydride, methyl nadic anhydride, pyromellitic anhydride, trimellitic anhydride; imidazole, 2-ethylimidazole, 2-ethyl-4-methylimidazole, 2 -Phenylimidazole, 2-undecylimidazole, 1-benzyl-2-methylimidazole, 2-heptadecylimidazole, 4,5-diphenylimidazole, 2-methylimidazoline, 2-phenyl Nilimidazoline, 2-undecylimidazoline, 2-heptadecylimidazoline, 2-isopropylimidazole, 2,4-dimethylimidazole, 2-phenyl-4-methylimidazole, 2-ethylimidazoline, 2-isopropylimidazoline, 2,4- Imidazoles such as dimethylimidazoline and 2-phenyl-4-methylimidazoline; imidazoles whose imino group is masked with acrylonitrile, phenylene diisocyanate, toluidine isocyanate, naphthalene diisocyanate, methylene bisphenyl isocyanate, melamine acrylate, etc .; bisphenol F, bisphenol A And phenol compounds such as bisphenol S; condensates of phenol compounds and aldehyde compounds. In addition, you may contain these hardening | curing agents individually by 1 type or in combination of 2 or more types. In addition to the above-described components, the resin composition may contain a curing accelerator, a coupling agent, an antioxidant, a filler and the like according to desired properties.

本発明で用いられる絶縁性インクに含有される溶媒としては、上述した樹脂組成物の成分を分散又は溶解するものであればよく、例えば、γ−ブチロラクトン、シクロヘキサノン等が挙げられる。   The solvent contained in the insulating ink used in the present invention may be any solvent that can disperse or dissolve the components of the resin composition described above, and examples thereof include γ-butyrolactone and cyclohexanone.

(カップリング剤)
本発明で用いられるカップリング剤は、フッ素原子を含有しないシランカップリング剤、チタンカップリング剤、ジルコニアカップリング剤、アルミニウムカップリング剤、からなる群より選択されるものである。本発明においては、前記の群より選択した一種の化合物を用いる場合のみならず、二種以上を組み合わせて用いることも可能である。
(Coupling agent)
The coupling agent used in the present invention is selected from the group consisting of a silane coupling agent not containing a fluorine atom, a titanium coupling agent, a zirconia coupling agent, and an aluminum coupling agent. In the present invention, it is possible not only to use one kind of compound selected from the above group, but also to use two or more kinds in combination.

本発明で用いられるカップリング剤は、フッ素原子を含有しないものである。フッ素原子を含有したカップリング剤を用いることにより、後の工程において絶縁層上に付与される導電性インクと基材との間の接触角は比較的高い値が得られる(すなわち、撥液性が比較的高くなる)が、絶縁層と導電性インクとの密着力の観点や、回路配線として使用する際の観点から、本発明ではフッ素原子を含有しないカップリング剤が用いられる。   The coupling agent used in the present invention does not contain a fluorine atom. By using a coupling agent containing a fluorine atom, a relatively high value can be obtained for the contact angle between the conductive ink applied to the insulating layer and the substrate in a later step (that is, liquid repellency). However, in the present invention, a coupling agent that does not contain a fluorine atom is used from the viewpoint of adhesion between the insulating layer and the conductive ink and from the viewpoint of use as circuit wiring.

また、基材上の絶縁層に対する膜自体の密着性、膜物性の安定性、膜形成時の取り扱いの容易性の観点から、本発明においてはチタンカップリング剤、ジルコニアカップリング剤、アルミニウムカップリング剤、からなる群より選択される化合物が好ましく用いられる。   Further, from the viewpoint of adhesion of the film itself to the insulating layer on the substrate, stability of film properties, and ease of handling during film formation, in the present invention, a titanium coupling agent, a zirconia coupling agent, and an aluminum coupling. A compound selected from the group consisting of an agent is preferably used.

本発明で用いられるシランカップリング剤としては、ビニルトリクロルシラン、ビニルトリメトキシシラン、ビニルトリエトキシシラン、2−(3,4−エポキシシクロヘキシル)エチルトリメトキシシラン、3−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン、3−グリシドキシプロピルメチルジエトキシシラン、3−グリシドキシプロピルトリエトキシシラン、p−スチリルトリメトキシシラン、3−メタクリロキシプロピルメチルジメトキシシラン、3−メタクリロキシプロピルトリメトキシシラン、3−メタクリロキシプロピルメチルジエトキシシラン、3−メタクリロキシプロピルトリエトキシシラン、3−アクリロキシプロピルトリメトキシシラン、N−2−(アミノエチル)−3−アミノプロピルメチルジメトキシシラン、N−2(アミノエチル)3−アミノプロピルトリメトキシシラン、N−2(アミノエチル)3−アミノプロピルトリエトキシシラン、3−アミノプロピルトリメトキシシラン、3−アミノプロピルトリエトキシシラン、ヘキサメチルジシラザン、3−(2−アミノエチルアミノプロピル)ジメトキシメチルシラン、3−(2−アミノエチルアミノプロピル)トリメトキシシラン、2−(2−アミノエチルチオエチル)ジエトキシメチルシラン、2−(2−アミノエチルチオエチル)トリエトキシシラン、3−[2−(2−アミノエチルアミノエチルアミノ)プロピル]トリメトキシシラン、3−トリエトキシシリル−N−(1,3−ジメチル−ブチリデン)プロピルアミン、N−フェニル−3−アミノプロピルトリメトキシシラン、N−(ビニルベンジル)−2−アミノエチル−3−アミノプロピルトリメトキシシラン塩酸塩、3−ウレイドプロピルトリエトキシシラン、3−クロロプロピルトリメトキシシラン、3−イソシアネートプロピルトリエトキシシラン、3−メルカプトプロピルメチルジメトキシシラン、3−メルカプトプロピルトリメトキシシラン、ビス(トリエトキシシリルプロピル)テトラスルフィド、イミダゾリルアルキル−トリアルコキシシラン、ジフェニルジメトキシシラン、ヘキシルトリメトキシシラン、デシルトリメトキシシラン、テトラメトキシシラン、テトラエトキシシラン、メチルトリメトキシシラン、メチルトリエトキシシラン、ジメチルトリエトキシシラン、フェニルトリエトキシシラン、等が挙げられる。   Examples of the silane coupling agent used in the present invention include vinyltrichlorosilane, vinyltrimethoxysilane, vinyltriethoxysilane, 2- (3,4-epoxycyclohexyl) ethyltrimethoxysilane, and 3-glycidoxypropyltrimethoxysilane. 3-glycidoxypropylmethyldiethoxysilane, 3-glycidoxypropyltriethoxysilane, p-styryltrimethoxysilane, 3-methacryloxypropylmethyldimethoxysilane, 3-methacryloxypropyltrimethoxysilane, 3-methacrylic Loxypropylmethyldiethoxysilane, 3-methacryloxypropyltriethoxysilane, 3-acryloxypropyltrimethoxysilane, N-2- (aminoethyl) -3-aminopropylmethyldimethoxysilane, N-2 Aminoethyl) 3-aminopropyltrimethoxysilane, N-2 (aminoethyl) 3-aminopropyltriethoxysilane, 3-aminopropyltrimethoxysilane, 3-aminopropyltriethoxysilane, hexamethyldisilazane, 3- ( 2-aminoethylaminopropyl) dimethoxymethylsilane, 3- (2-aminoethylaminopropyl) trimethoxysilane, 2- (2-aminoethylthioethyl) diethoxymethylsilane, 2- (2-aminoethylthioethyl) Triethoxysilane, 3- [2- (2-aminoethylaminoethylamino) propyl] trimethoxysilane, 3-triethoxysilyl-N- (1,3-dimethyl-butylidene) propylamine, N-phenyl-3- Aminopropyltrimethoxysilane, N- (vinyl base Gil) -2-aminoethyl-3-aminopropyltrimethoxysilane hydrochloride, 3-ureidopropyltriethoxysilane, 3-chloropropyltrimethoxysilane, 3-isocyanatopropyltriethoxysilane, 3-mercaptopropylmethyldimethoxysilane, 3-mercaptopropyltrimethoxysilane, bis (triethoxysilylpropyl) tetrasulfide, imidazolylalkyl-trialkoxysilane, diphenyldimethoxysilane, hexyltrimethoxysilane, decyltrimethoxysilane, tetramethoxysilane, tetraethoxysilane, methyltrimethoxy Examples thereof include silane, methyltriethoxysilane, dimethyltriethoxysilane, and phenyltriethoxysilane.

中でも、N−2(アミノエチル)3−アミノプロピルメチルジメトキシシラン、N−フェニル−3−アミノプロピルトリメトキシシラン、3−メルカプトプロピルトリメトキシシラン、ジフェニルジメトキシシラン、ヘキシルトリメトキシシラン、デシルトリメトキシシラン等が好ましい。   Among them, N-2 (aminoethyl) 3-aminopropylmethyldimethoxysilane, N-phenyl-3-aminopropyltrimethoxysilane, 3-mercaptopropyltrimethoxysilane, diphenyldimethoxysilane, hexyltrimethoxysilane, decyltrimethoxysilane Etc. are preferred.

本発明で用いられるチタンカップリング剤としては、チタンテトライソプロポキシド、チタンテトラノルマルブトキシド、ブチルチタネートダイマー、チタンテトラ−2−エチルヘキソキシド、チタンジオクチロキシビス(オクチレングリコレート)、テトラメチルチタネート、チタンアセチルアセトネート、チタンジイソプロポキシビス(アセチルアセトネート)、チタンテトラアセチルアセトネート、チタンジイソプロポキシビス(エチルアセトアセテート)、チタンエチルアセトアセテート、チタンオクタンジオレート、チタンジイソプロポキシビス(トリエタノールアミネート)、チタントリエタノールアミネート、チタンラクテートアンモニウム塩、チタンラクテート、ポリヒドロキシチタンステアレート、KR38S(味の素ファインテクノ社製)、KR44(味の素ファインテクノ社製)、KR46B(味の素ファインテクノ社製)、KR55(味の素ファインテクノ社製)、KR9SA(味の素ファインテクノ社製)、KRTTS(味の素ファインテクノ社製)、KR41B(味の素ファインテクノ社製)、KR138S(味の素ファインテクノ社製)、KR238S(味の素ファインテクノ社製)、KR338X(味の素ファインテクノ社製)、などが挙げられる。   Examples of the titanium coupling agent used in the present invention include titanium tetraisopropoxide, titanium tetranormal butoxide, butyl titanate dimer, titanium tetra-2-ethylhexoxide, titanium dioctyloxybis (octylene glycolate), tetra Methyl titanate, titanium acetylacetonate, titanium diisopropoxybis (acetylacetonate), titanium tetraacetylacetonate, titanium diisopropoxybis (ethylacetoacetate), titanium ethylacetoacetate, titanium octanediolate, titanium diisopropoxy Bis (triethanolamate), Titanium triethanolamate, Titanium lactate ammonium salt, Titanium lactate, Polyhydroxytitanium stearate, KR38S In-Techno), KR44 (Ajinomoto Fine-Techno), KR46B (Ajinomoto Fine-Techno), KR55 (Ajinomoto Fine-Techno), KR9SA (Ajinomoto Fine-Techno), KRTTS (Ajinomoto Fine-Techno) , KR41B (manufactured by Ajinomoto Fine Techno), KR138S (manufactured by Ajinomoto Fine Techno), KR238S (manufactured by Ajinomoto Fine Techno), KR338X (manufactured by Ajinomoto Fine Techno), and the like.

中でも、チタンジオクチロキシビス(オクチレングリコレート)、チタンジイソプロポキシビス(エチルアセトアセテート)、ポリヒドロキシチタンステアレート、KR44(味の素ファインテクノ製)、KR46B(味の素ファインテクノ製)、KR55(味の素ファインテクノ製)、KR9SA(味の素ファインテクノ製)、KR41B(味の素ファインテクノ製)、等が好ましい。   Among them, titanium dioctyloxybis (octylene glycolate), titanium diisopropoxybis (ethyl acetoacetate), polyhydroxytitanium stearate, KR44 (manufactured by Ajinomoto Fine Techno), KR46B (manufactured by Ajinomoto Fine Techno), KR55 (Ajinomoto) Fine Techno), KR9SA (Ajinomoto Fine Techno), KR41B (Ajinomoto Fine Techno), and the like are preferable.

本発明で用いられるジルコニアカップリング剤としては、ジルコニウムテトラノルマルプロポキシド、ジルコニウムテトラノルマルブトキシド、ジルコウニウムテトラアセチルアセトネート、ジルコニウムトリブトキシモノアセチルアセトネート、ジルコニウムモノブトキシアセチルアセトネートビス(エチルアセトアセテート)、ジルコニウムジブトキシビス(エチルアセトアセテート)、ジルコニウムテトラアセチルアセトネート、ジルコニウムトリブトキシモノステアレート、塩化ジルコニウム化合物アミノカルボン酸、ジルコニウムモノアセチルアセトネート、ジルコニウムビスアセチルアセトネート、ジルコニウムモノエチルアセトアセテート、ジルコニウムアセチルアセトネートビスエチルアセトアセテート、ジルコニウムアセテート、ジルコニウムモノステアレート、等が挙げられる。   Examples of the zirconia coupling agent used in the present invention include zirconium tetranormal propoxide, zirconium tetranormal butoxide, zirconium tetraacetylacetonate, zirconium tributoxymonoacetylacetonate, zirconium monobutoxyacetylacetonate bis (ethylacetoacetate). ), Zirconium dibutoxybis (ethyl acetoacetate), zirconium tetraacetylacetonate, zirconium tributoxy monostearate, zirconium chloride compound aminocarboxylic acid, zirconium monoacetylacetonate, zirconium bisacetylacetonate, zirconium monoethylacetoacetate, Zirconium acetylacetonate bisethylacetoacetate, zirconium acetate Over DOO, zirconium monostearate, and the like.

中でも、ジルコニウムジブトキシビス(エチルアセトアセテート)、ジルコニウムトリブトキシモノステアレート等が好ましい。   Of these, zirconium dibutoxybis (ethyl acetoacetate), zirconium tributoxy monostearate and the like are preferable.

本発明で用いられるアルミニウムカップリング剤としては、アルミニウムイソプロピレート、モノsec−ブトキシアルミニウムジイソプロピレート、アルミニウムsec−ブチレート、アルミニウムエチレート、エチルアセトアセテートアルミニウムジイソプロピレート、アルミニウムトリス(エチルアセトアセテート)、アルキルアセトアセテートアルミニウムジイソプロピレート、アルミニウムジイソプロポキシモノオレイルアセトアセテート、アルミニウムモノアセチルアセトネートビス(エチルアセトアセテート)、アルミニウムトリス(アセチルアセトネート)、アルミニウムモノイソプロポキシモノオレオキシエチルアセトアセテート、環状アルミニウムオキサイドイソプロピレート、環状アルミニウムオキサイドオクチレート、環状アルミニウムオキサイドステアレート、等が挙げられる。   Examples of the aluminum coupling agent used in the present invention include aluminum isopropylate, monosec-butoxyaluminum diisopropylate, aluminum sec-butyrate, aluminum ethylate, ethyl acetoacetate aluminum diisopropylate, aluminum tris (ethyl acetoacetate), Alkyl acetoacetate aluminum diisopropylate, aluminum diisopropoxy monooleyl acetoacetate, aluminum monoacetylacetonate bis (ethyl acetoacetate), aluminum tris (acetylacetonate), aluminum monoisopropoxy monooleoxyethyl acetoacetate, cyclic aluminum Oxide isopropylate, cyclic aluminum oxide octylene , Cyclic aluminum oxide stearate, and the like.

中でも、アルキルアセトアセテートアルミニウムジイソプロピレート等が好ましい。   Of these, alkyl acetoacetate aluminum diisopropylate is preferred.

(基材)
本発明で用いられる基材は、用途に応じて適宜選択して使用すればよいが、例としては、ポリイミドフィルム、ポリアミドイミドフィルム、ポリアミドフィルム、ポリエステルフィルム等の樹脂フィルム、ガラス−エポキシ基板、シリコン基板、セラミックス基板、ガラス基板等が挙げられる。
(Base material)
The base material used in the present invention may be appropriately selected and used depending on the application, but examples include resin films such as polyimide films, polyamideimide films, polyamide films, and polyester films, glass-epoxy substrates, and silicon. Examples include a substrate, a ceramic substrate, and a glass substrate.

本発明で用いられる樹脂フィルムの材質としては、特に限定はないが、例えば、ポリエステル系フィルム(ポリエチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタレート等)、ポリカーボネート系フィルム、ポリアリレート系フィルム、ポリスルホン(ポリエーテルスルホンも含む)系フィルム、ポリエチレンフィルム、ポリプロピレンフィルム、ポリ塩化ビニリデンフィルム、ポリビニルアルコールフィルム、エチレンビニルアルコールフィルム、シンジオタクティックポリスチレン系フィルム、ポリカーボネートフィルム、シクロオレフィンポリマーフィルム(アートン(JSR社製)、ゼオネックス、ゼオネア(以上、日本ゼオン社製))、ポリエーテルスルフォンフィルム、ポリスルホン系フィルム、ポリメチルペンテンフィルム、ポリエーテルケトンフィルム、ポリエーテルケトンイミドフィルム、ポリアミドフィルム、フッ素樹脂フィルム、ナイロンフィルム、ポリメチルメタクリレートフィルム、ポリアクリレート系フィルム、ポリアリレート系フィルム等を挙げることができる。これらの素材を主成分とする異なる材質のフィルムを積層したフィルムであってもよい。   The material of the resin film used in the present invention is not particularly limited. For example, polyester film (polyethylene terephthalate, polyethylene naphthalate, etc.), polycarbonate film, polyarylate film, polysulfone (including polyethersulfone). Film, polyethylene film, polypropylene film, polyvinylidene chloride film, polyvinyl alcohol film, ethylene vinyl alcohol film, syndiotactic polystyrene film, polycarbonate film, cycloolefin polymer film (Arton (manufactured by JSR), Zeonex, Zeonea (and above) , Manufactured by Nippon Zeon)), polyethersulfone film, polysulfone film, polymethylpentene film, poly Chromatography ether ketone film, polyether ketone imide film, a polyamide film, a fluororesin film, a nylon film, polymethyl methacrylate film, polyacrylate films, and polyarylate films. The film which laminated | stacked the film of the different material which has these materials as a main component may be sufficient.

また、本発明は、複数の導電層を有する多層配線基板の製造に用いることもできる。この場合、複数の導電層の、一層のみを本発明の方法により形成しても良いし、複層の導電層や、全ての導電層を本発明の方法により形成してもよい。   The present invention can also be used for manufacturing a multilayer wiring board having a plurality of conductive layers. In this case, only one layer of the plurality of conductive layers may be formed by the method of the present invention, or a plurality of conductive layers or all the conductive layers may be formed by the method of the present invention.

一部の導電層のみを本発明の方法により形成する場合は、既に導電性領域と非導電性領域とが形成されている基材に対して本発明の方法を適用する。即ち、既に形成されている導電性領域と非導電性領域に絶縁層を形成し、絶縁層表面にカップリング剤膜を形成し、その後、導電性インクを配置することで導電層のパターンを作成する。このことにより、既に導電層を有する配線基板にさらに導電層を形成し、多層配線基板を作製することができる。   When only a part of the conductive layers is formed by the method of the present invention, the method of the present invention is applied to a base material on which conductive regions and non-conductive regions are already formed. In other words, an insulating layer is formed on the conductive region and non-conductive region that have already been formed, a coupling agent film is formed on the surface of the insulating layer, and then a conductive ink is disposed to create a pattern of the conductive layer. To do. As a result, a conductive layer can be further formed on a wiring board that already has a conductive layer, and a multilayer wiring board can be manufactured.

複数の導電層を本発明の方法により形成する場合は、本発明の方法により導電層の形成された基材上に、さらに本発明の方法を適用する。即ち、導電性インクにより既に所定のパターンが形成された基材上に、絶縁層を形成し、絶縁層表面にカップリング剤の膜を形成し、その後導電性インクを配置することで導電層のパターンを作製する。   When a plurality of conductive layers are formed by the method of the present invention, the method of the present invention is further applied on the substrate on which the conductive layer is formed by the method of the present invention. That is, an insulating layer is formed on a base material on which a predetermined pattern has already been formed with a conductive ink, a film of a coupling agent is formed on the surface of the insulating layer, and then the conductive ink is arranged to dispose the conductive layer Create a pattern.

また、本発明は、基材として電極領域を複数ヶ所有する基板を用いて、電極同士を接続するように導電性インクによる導電層を形成しても良い。具体的には、半導体などの基材上に予め形成されている電極パターン間を導電性インクによる導電層で接続したり、基材上の端子と、基材上に搭載された電子部品などの電極を接続したりすることができる。この場合、導電層に先立って形成される絶縁層を、接続する電極部分以外の基材上に形成することで、電極部分による導通を確実なものとすることができる。   In the present invention, a conductive layer made of conductive ink may be formed so as to connect the electrodes using a substrate having a plurality of electrode regions as a base material. Specifically, electrode patterns that are formed in advance on a substrate such as a semiconductor are connected with a conductive layer made of conductive ink, or terminals on the substrate and electronic components mounted on the substrate Electrodes can be connected. In this case, the conduction | electrical_connection by an electrode part can be ensured by forming the insulating layer formed prior to a conductive layer on base materials other than the electrode part to connect.

(基材への絶縁層の形成)
基材上に絶縁性インクを配置して絶縁層を形成する方法としては、既存の塗布方法(スクリーン印刷、グラビア印刷、インクジェット印刷、スピンコート、ワイヤーバーコート、ブレードコート、ロールコート、ディップコート等)を用いることができるが、本発明においてはディスペンサー装置あるいはインクジェット装置を用いることが好ましい。特に、基材全面に絶縁層を設けるのではなく、導電層のパターンを形成する位置付近のみに絶縁層を設ける場合は、インクジェット装置が好ましく用いられる。ただし、基材全面に絶縁層を設ける場合でもインクジェット装置を使用しても良い。
(Formation of insulating layer on substrate)
As a method of forming an insulating layer by disposing an insulating ink on a substrate, existing coating methods (screen printing, gravure printing, ink jet printing, spin coating, wire bar coating, blade coating, roll coating, dip coating, etc. In the present invention, it is preferable to use a dispenser device or an ink jet device. In particular, when an insulating layer is provided only in the vicinity of the position where the pattern of the conductive layer is formed, instead of providing the insulating layer on the entire surface of the substrate, an ink jet apparatus is preferably used. However, an inkjet apparatus may be used even when an insulating layer is provided on the entire surface of the substrate.

ディスペンサー装置を使用する場合には、既存のスクリーン印刷用の絶縁インクを用いることが可能である。粘度は1000〜20000mPa・Sが好ましく、3000〜15000mPa・Sがより好ましい。3000mPa・S以上であると濡れ広がり細線が形成できる点で好ましく、15000mPa・S以下であると細いニードルでの射出ができる点で好ましい。ニードルの太さとしては、0.10〜1.0μmを用いることが好ましい。   When using a dispenser apparatus, it is possible to use the existing insulating ink for screen printing. The viscosity is preferably 1000 to 20000 mPa · S, more preferably 3000 to 15000 mPa · S. It is preferable that it is 3000 mPa · S or more from the viewpoint that wet thinning fine lines can be formed, and if it is 15000 mPa · S or less, it is preferable from the viewpoint that injection with a thin needle is possible. The thickness of the needle is preferably 0.10 to 1.0 μm.

また、インクジェット装置を用いる場合には、絶縁インクの粘度は50mPa・S以下が好ましい。なお、本発明に係るインクジェット装置を使用する場合のインク粘度としては、射出温度において20mPa・S以下であることが好ましい。さらには2.0〜8.0mPa・Sがより好ましい。2.0mPa・S以上であると絶縁性インクの濃度上から所望の絶縁性が得られる点で好ましく、また、8.0mPa・S以下であると射出性の点から好ましい。また、8.0mPa・S以上になると射出不良が出る場合がある。射出温度については、20〜60℃であることが好ましく、さらには25〜50℃がより好ましい。   In the case of using an ink jet device, the viscosity of the insulating ink is preferably 50 mPa · S or less. The ink viscosity when using the ink jet apparatus according to the present invention is preferably 20 mPa · S or less at the injection temperature. Furthermore, 2.0 to 8.0 mPa · S is more preferable. 2.0 mPa · S or more is preferable from the viewpoint of obtaining desired insulating properties from the viewpoint of the concentration of the insulating ink, and 8.0 mPa · S or less is preferable from the viewpoint of ejection properties. Moreover, when it becomes 8.0 mPa * S or more, the injection | pouring defect may come out. The injection temperature is preferably 20 to 60 ° C, more preferably 25 to 50 ° C.

また、インクの表面張力は、20mN/m以上とすることが好ましく、吐出の安定性、描画の信頼性の観点から、25〜45mN/mとすることがより好ましい。   The surface tension of the ink is preferably 20 mN / m or more, and more preferably 25 to 45 mN / m from the viewpoint of ejection stability and drawing reliability.

また、静電力を利用したインクジェット装置を用いて描画する場合、インクの電気伝導度を0.1μS/cm以上とすることが好ましく、さらに高精度描画の観点からは1μS/cm以上とすることが好ましい。   In addition, when drawing using an inkjet device using electrostatic force, the electrical conductivity of the ink is preferably 0.1 μS / cm or more, and more preferably 1 μS / cm or more from the viewpoint of high-precision drawing. preferable.

本発明においては、基材上に絶縁性インクを配置させた後に加熱や光照射などを行うことによって絶縁性インクを硬化させて絶縁層を形成する。硬化させる手段については、絶縁性インクの物性に応じて、熱風循環炉(オーブン)、ホットプレート、紫外線照射などの装置、方法を用いればよい。   In the present invention, after the insulating ink is disposed on the substrate, the insulating ink is cured by heating, light irradiation, or the like to form the insulating layer. As a means for curing, an apparatus or a method such as a hot-air circulating furnace (oven), a hot plate, or ultraviolet irradiation may be used according to the physical properties of the insulating ink.

(絶縁層へのカップリング剤膜の形成)
基材上に形成した絶縁層に対してカップリング剤膜を形成する膜形成方法としては、特に限定されるものではないが、例えば、カップリング剤を溶媒に希釈した溶液を基材表面に対してスプレーコート、スピンコート、ディップコート、ロールコート、インクジェットなどの方法で付与する方法を挙げることが出来る。この場合、溶媒は用いるカップリング剤の種類に応じて適当なものを選択して用いることが出来るが、例えば、イソプロパノールや1−ブタノールを使用することが出来る。
(Formation of coupling agent film on insulating layer)
The film forming method for forming the coupling agent film on the insulating layer formed on the substrate is not particularly limited. For example, a solution obtained by diluting the coupling agent in a solvent is applied to the substrate surface. And a method of applying by a method such as spray coating, spin coating, dip coating, roll coating, and ink jet. In this case, an appropriate solvent can be selected and used according to the type of coupling agent to be used. For example, isopropanol or 1-butanol can be used.

また、希釈液中のカップリング剤濃度は任意の値にすることが出来るが、濃度が高すぎると取り扱いが困難になり基材上へ均一に付与することが難しく、逆に濃度が低すぎると形成された膜が所望の物性を発現しない場合があるため、例えば0.01〜20質量%の範囲の中で任意の値に設定すればよい。   In addition, the concentration of the coupling agent in the diluent can be any value, but if the concentration is too high, it becomes difficult to handle and difficult to apply uniformly on the substrate, and conversely if the concentration is too low Since the formed film may not exhibit desired physical properties, it may be set to any value within a range of 0.01 to 20% by mass, for example.

また、カップリング剤を付与された基板は、熱風循環炉(オーブン)やホットプレートなどを用いて加熱乾燥される。加熱乾燥されることにより、絶縁層上に付与されたカップリング剤が絶縁層表面において所望の物性、機能を発現することになる。   Further, the substrate to which the coupling agent has been applied is heated and dried using a hot-air circulating furnace (oven) or a hot plate. By drying by heating, the coupling agent provided on the insulating layer exhibits desired physical properties and functions on the surface of the insulating layer.

また、絶縁層上にカップリング剤を付与するのに先立って、絶縁層とカップリング剤膜との密着性を高めると言う観点から、絶縁層に予め表面処理を行ってもよい。表面処理の例として、プラズマ処理、コロナ放電処理、火炎処理、オゾン処理、紫外線処理、放射線処理、化学薬品処理を挙げることができる。   In addition, prior to applying the coupling agent on the insulating layer, the insulating layer may be subjected to surface treatment in advance from the viewpoint of improving the adhesion between the insulating layer and the coupling agent film. Examples of the surface treatment include plasma treatment, corona discharge treatment, flame treatment, ozone treatment, ultraviolet treatment, radiation treatment, and chemical treatment.

(多層配線基板の製造)
本発明は、導電膜パターンを一層だけでなく、複数層有する多層配線基板の製造に用いることができる。本発明を多層配線基板の製造に適用する場合の好ましい方法の一例として、以下の方法を挙げることができる。
1)基材上に、絶縁性インクを配置、乾燥させて第1絶縁層を形成する
2)第1絶縁層表面にカップリング層を形成し、乾燥させる
3)導電性インクをインクジェット法により配置する
4)焼成、乾燥させて第1導電層を形成する
5)絶縁性インクを配置、乾燥させて第2絶縁層を形成する
6)第2絶縁層表面にカップリング層を形成、乾燥する
7)導電性インクをインクジェット法により配置する
8)焼成、乾燥させて第2導電層を形成する
また、上記工程の後にさらに5)〜8)の工程を繰り返すことにより、さらに絶縁層、導電層を積層しても良い。
(Manufacture of multilayer wiring boards)
The present invention can be used for manufacturing a multilayer wiring board having a plurality of conductive film patterns as well as a single conductive film pattern. The following method can be mentioned as an example of a preferable method when the present invention is applied to the production of a multilayer wiring board.
1) Insulating ink is placed on a substrate and dried to form a first insulating layer 2) A coupling layer is formed on the surface of the first insulating layer and dried 3) Conductive ink is placed by an inkjet method 4) Firing and drying to form the first conductive layer 5) Disposing the insulating ink and drying to form the second insulating layer 6) Forming and drying the coupling layer on the surface of the second insulating layer 7 ) Disposing the conductive ink by the ink jet method 8) Firing and drying to form the second conductive layer Further, after repeating the above steps, the steps 5) to 8) are repeated to further form the insulating layer and the conductive layer. You may laminate.

(導電性インク)
本発明で用いられる導電性インクとして、導電性微粒子を分散媒に分散させた分散液などを用いることが出来る。
(Conductive ink)
As the conductive ink used in the present invention, a dispersion liquid in which conductive fine particles are dispersed in a dispersion medium can be used.

前記インクの形態は特に限定されるものではないが、好ましい形態として、導電性微粒子として金属微粒子を含有する形態が挙げられる。   The form of the ink is not particularly limited, but a preferable form includes a form containing metal fine particles as conductive fine particles.

本発明に用いられる金属微粒子としては、例えば、Au、Pt、Ag、Cu、Ni、Cr、Rh、Pd、Zn、Co、Mo、Ru、W、Os、Ir、Fe、Mn、Ge、Sn、Ga、In等が挙げられるが、その中でも特に、Au、Ag、Pt、Pd、Rh、Ir、Cu又はこれらを含む合金が好ましく用いられる。これらの金属微粒子は、平均粒子径が100nm以下の金属ナノコロイドであることが好ましい。   Examples of the metal fine particles used in the present invention include Au, Pt, Ag, Cu, Ni, Cr, Rh, Pd, Zn, Co, Mo, Ru, W, Os, Ir, Fe, Mn, Ge, Sn, Ga, In and the like can be mentioned, among which Au, Ag, Pt, Pd, Rh, Ir, Cu or alloys containing these are preferably used. These metal fine particles are preferably metal nanocolloids having an average particle diameter of 100 nm or less.

本発明で用いられる金属微粒子含有インクには、金属微粒子の保護コロイドとして重合体または界面活性剤を用いることができ、特に、ポリエステル、ポリアクリルニトリル、ポリウレタンとアルカノールアミンとのブロック共重合体が好ましい。   In the fine metal particle-containing ink used in the present invention, a polymer or a surfactant can be used as a protective colloid of fine metal particles. Particularly, a block copolymer of polyester, polyacrylonitrile, polyurethane and alkanolamine is preferable. .

本発明で用いられる金属微粒子含有インクは、水系インクと油系インクとが挙げられる。金属微粒子を、水を主体とする分散媒に分散して構成される水系導電性インクは、例えば、以下に示す方法に従って調製することができる。   Examples of the metal fine particle-containing ink used in the present invention include water-based ink and oil-based ink. A water-based conductive ink constituted by dispersing metal fine particles in a dispersion medium mainly containing water can be prepared, for example, according to the following method.

塩化金酸や硝酸銀のような金属イオンソース水溶液中に水溶性の重合体を溶解させ、撹拌しながら、ジメチルアミノエタノールのようなアルカノールアミンを添加する。数10秒〜数分で金属イオンが還元され、平均粒子径が100nm以下の金属微粒子が析出する。その後、塩素イオンや硝酸イオンを限外濾過などの濾過方法で除去した後、濃縮・乾燥することにより、高濃度に金属微粒子を含有した水系インクが得られる。この水系インクは、水やアルコール系溶媒、テトラエトキシシランやトリエトキシシランのようなゾルゲルプロセス用バインダーに安定に溶解、混合することが可能である。   A water-soluble polymer is dissolved in a metal ion source aqueous solution such as chloroauric acid or silver nitrate, and an alkanolamine such as dimethylaminoethanol is added with stirring. Metal ions are reduced in several tens of seconds to several minutes, and metal fine particles having an average particle diameter of 100 nm or less are deposited. Thereafter, chlorine ions and nitrate ions are removed by a filtration method such as ultrafiltration, and then concentrated and dried to obtain a water-based ink containing metal fine particles at a high concentration. This water-based ink can be stably dissolved and mixed in water, an alcohol-based solvent, a sol-gel process binder such as tetraethoxysilane or triethoxysilane.

また、金属微粒子を油性分散媒に分散した油系インクは、例えば、以下に示す方法に従って調製することができる。   An oil-based ink in which metal fine particles are dispersed in an oil-based dispersion medium can be prepared, for example, according to the following method.

油溶性ポリマーをアセトンのような水混和性有機溶媒に溶解させ、このポリマー溶液を金属イオンソース水溶液と混合する。混合物は不均一系であるが、これを撹拌しながらアルカノールアミンを添加すると、金属微粒子が重合体中に分散された形で油相側に析出してくる。これを洗浄、濃縮、乾燥させることにより、水系インクと同様の濃厚な金属微粒子を含有する油系インクが得られる。この油系導電性インクは、芳香族系、ケトン系、エステル系などの溶媒やポリエステル、エポキシ樹脂、アクリル樹脂、ポリウレタン樹脂等に安定に溶解、混合することが可能である。   The oil-soluble polymer is dissolved in a water-miscible organic solvent such as acetone, and the polymer solution is mixed with an aqueous metal ion source solution. Although the mixture is heterogeneous, when alkanolamine is added while stirring the mixture, metal fine particles are precipitated on the oil phase side in a form dispersed in the polymer. By washing, concentrating and drying this, an oil-based ink containing dense metal fine particles similar to the water-based ink can be obtained. This oil-based conductive ink can be stably dissolved and mixed in aromatic, ketone-based, ester-based solvents, polyesters, epoxy resins, acrylic resins, polyurethane resins, and the like.

インクの分散媒中における金属微粒子の濃度は、最大80質量%程度にすることが可能であるが、用途に応じて適宜稀釈して使用することができる。通常は、インクにおける金属微粒子の含有量は2〜50質量%、界面活性剤および樹脂成分の含有量は0.3〜30質量%、粘度は3〜30mPa・sとすることが好ましい。   The concentration of the metal fine particles in the ink dispersion medium can be about 80% by mass at maximum, but can be appropriately diluted depending on the application. Usually, the content of metal fine particles in the ink is preferably 2 to 50% by mass, the content of the surfactant and the resin component is 0.3 to 30% by mass, and the viscosity is preferably 3 to 30 mPa · s.

また、本発明で用いられるインクは、インクジェットヘッドから良好に吐出でき、かつ基材上に配置した際に適度な濡れ広がり性を示すという観点から、表面張力を20mN/m以上50mN/m以下の値に調整することが好ましい。さらに、25mN/m以上45mN/m以下とすることがより好ましい。   In addition, the ink used in the present invention has a surface tension of 20 mN / m or more and 50 mN / m or less from the viewpoint that it can be ejected satisfactorily from an inkjet head and exhibits appropriate wetting and spreading properties when placed on a substrate. It is preferable to adjust the value. Furthermore, it is more preferable to set it as 25 mN / m or more and 45 mN / m or less.

また、本発明で用いられるインクは、電気伝導度を0.1μS/cm以上、1000μS/cm以下とすることが好ましい。より好ましくは、1μS/cm以上、100μS/cm以下の値とする。このことにより、インクジェット方式として静電力を用いる場合に、インクの吐出が安定となり、インクの基材上への着弾位置のばらつきが低減され、好ましく用いることが出来る。   In addition, the ink used in the present invention preferably has an electric conductivity of 0.1 μS / cm or more and 1000 μS / cm or less. More preferably, the value is 1 μS / cm or more and 100 μS / cm or less. As a result, when electrostatic force is used as the ink jet method, ink ejection becomes stable, and variations in the landing position of the ink on the base material are reduced, which can be preferably used.

本発明において、導電性インクとして金属微粒子を含有するインクを用いた場合、インクジェット装置により基板上に所定の形状の膜パターンを形成した後に熱風循環炉(オーブン)やホットプレートなどを用いて加熱、焼成を行うことが好ましい。このことにより、インク中に含有される分散剤などの有機物質や溶媒が蒸発し、形成されたパターンの電気伝導度を高めることができる。焼成時の温度は特に制限はないが、基材として樹脂基材を用いる場合は基材の軟化点や融点以下で行う必要がある。   In the present invention, when an ink containing metal fine particles is used as the conductive ink, a film pattern having a predetermined shape is formed on the substrate by an inkjet device, and then heated using a hot air circulation furnace (oven) or a hot plate. It is preferable to perform firing. Thereby, an organic substance such as a dispersant or a solvent contained in the ink is evaporated, and the electric conductivity of the formed pattern can be increased. The temperature at the time of firing is not particularly limited, but when a resin base material is used as the base material, it is necessary to carry out at a temperature lower than the softening point or melting point of the base material.

本発明で用いられる導電性インクは、無電解めっきの触媒能を有していても良い。この場合、基材上に導電膜パターンを形成した後、さらに無電解めっき処理を行うことにより導電膜パターンの厚みを増すことができる。無電解めっき処理に用いるめっき液は、めっき材料として析出させる金属イオンが溶解された溶液が用いられ、金属塩とともに還元剤が含有されるものであり、公知の無電解めっき液を用途に応じて特に制限無く使用することができる。   The conductive ink used in the present invention may have electroless plating catalytic ability. In this case, after forming a conductive film pattern on a base material, the thickness of the conductive film pattern can be increased by performing an electroless plating process. The plating solution used for the electroless plating treatment is a solution in which metal ions to be deposited as a plating material are dissolved, and contains a reducing agent together with a metal salt. It can be used without particular limitation.

めっき液に含有される金属塩の例としては、Au、Ag、Cu、Ni、Co、Feから選択される少なくとも1種の金属のハロゲン化物、硝酸塩、硫酸塩、燐酸塩、ホウ酸塩、酢酸塩、酒石酸塩、クエン酸塩などが挙げられる。   Examples of metal salts contained in the plating solution include halides, nitrates, sulfates, phosphates, borates, acetic acids of at least one metal selected from Au, Ag, Cu, Ni, Co, and Fe. Salt, tartrate, citrate and the like.

還元剤としては、ヒドラジン、ヒドラジン塩、ボロハライド塩、次亜燐酸塩、次亜硫酸塩、アルコール、アルデヒド、カルボン酸、カルボン酸塩などが適用可能である。これらの還元剤に含有されるボロン、燐、窒素などの元素が、金属とともに析出して含有されていてもよい。或いは2種類以上の金属塩を含有するめっき液を用いて、合金が析出するような形態を取っても良い。   As the reducing agent, hydrazine, hydrazine salt, borohalide salt, hypophosphite, hyposulfite, alcohol, aldehyde, carboxylic acid, carboxylate and the like are applicable. Elements such as boron, phosphorus and nitrogen contained in these reducing agents may be precipitated together with the metal. Or you may take the form which an alloy precipitates using the plating solution containing 2 or more types of metal salts.

めっき液には、必要に応じて、pH調整のための緩衝剤、界面活性剤などの添加物を含有させることができる。また、溶媒として、水以外にアルコール、ケトン、エステルなどの有機溶剤を添加するようにしてもよい。   The plating solution may contain additives such as a buffer for adjusting pH and a surfactant as necessary. Moreover, you may make it add organic solvents, such as alcohol, a ketone, and ester other than water as a solvent.

めっき液の組成は、析出させる金属の金属塩、還元剤、および必要に応じて添加物、有機溶媒を添加した組成で構成されるが、析出速度に応じて濃度や組成を調整することができる。また、めっき液の温度を調節して析出速度を調整することもできる。この温度調整の方法としては、めっき液の温度を調整する方法、また例えばめっき液中に浸漬する場合、浸漬前に基材(カップリング剤膜が形成されている基材)を加熱、冷却して温度調節する方法などが挙げられる。さらに、めっき液に浸漬する時間で析出する金属の膜厚を調整することもできる。   The composition of the plating solution is composed of a metal salt of the metal to be deposited, a reducing agent, and an additive and an organic solvent as necessary, but the concentration and composition can be adjusted according to the deposition rate. . In addition, the deposition rate can be adjusted by adjusting the temperature of the plating solution. As a method for adjusting the temperature, a method of adjusting the temperature of the plating solution, and, for example, when immersed in the plating solution, the substrate (the substrate on which the coupling agent film is formed) is heated and cooled before immersion. And adjusting the temperature. Furthermore, the film thickness of the metal which deposits by the time immersed in a plating solution can also be adjusted.

また、導電膜パターンが形成された基材をめっき液で処理するに先立って、基材に前処理を行うことが好ましい。前処理の例として、基材の加熱乾燥処理、洗浄処理、触媒活性化処理などが挙げられ、公知の処理方法を必要に応じて選択して処理を行えばよい。特に、インクパターンに対して選択的に触媒能を付与する処理工程を行うことが好ましい。   Moreover, it is preferable to pre-process a base material before processing the base material in which the electrically conductive film pattern was formed with a plating solution. Examples of the pretreatment include heat drying treatment, washing treatment, catalyst activation treatment and the like of the base material, and a known treatment method may be selected as necessary. In particular, it is preferable to perform a treatment step that selectively imparts catalytic ability to the ink pattern.

また、無電解めっき処理を行って配線パターンを形成した後に、さらに電気めっきを行って配線の厚みを増すようにしてもよい。この場合は、電気めっきを行う際の通電に使用するための電極として使用するためのパターンを、配線パターンと同様にインクによって形成しておくことが好ましい。   Further, after the electroless plating process is performed to form the wiring pattern, electroplating may be further performed to increase the thickness of the wiring. In this case, it is preferable that a pattern for use as an electrode for use in energization when performing electroplating is formed with ink in the same manner as the wiring pattern.

(インクジェット装置、方法)
インクジェット装置として静電力を利用するインクジェット装置を用いることにより、微小な液滴を良好な位置精度で基材上に配置することが容易に可能となり、本発明の、微細形状を有する導電膜パターンの形成に対して好ましく用いることができる。
(Inkjet device, method)
By using an ink jet device that uses electrostatic force as the ink jet device, it is possible to easily arrange minute droplets on a substrate with good positional accuracy. It can be preferably used for formation.

(インクジェット記録装置の概要)
以下、本発明に係るインクジェット記録装置の実施形態の一例について、図面を参照して説明する。図1は、本実施形態に係るインクジェット記録装置の内部構成を示す斜視図である。本実施形態におけるインクジェット記録装置100は、底板1と、水平ガイドレール2を下方から所定高さ位置で支持するガイドレール支持台3を備えている。水平ガイドレール2は、垂直ガイドレール6を介してキャリッジ7を支持しており、垂直ガイドレール6とキャリッジ7は、一体となって、図示しない移動機構により所定の搬送方向である水平な主走査方向Xに、水平ガイドレール2に沿って往復移動するようになっている。また、キャリッジ7は、図示しない移動機構により垂直方向Zに、垂直ガイドレール6に沿って往復移動するようになっている。底板1には、図示しない基材を非記録面側から支持する支持台4と、インクジェット記録ヘッド8のメンテナンスを行うメンテナンス装置5とが、水平ガイドレール2の長手方向に並んで配設されている。支持台4は、図示しない搬送機構により主走査方向Xと直交する副走査方向Yに、記録媒体を搬送するものである。
(Outline of inkjet recording apparatus)
Hereinafter, an exemplary embodiment of an ink jet recording apparatus according to the present invention will be described with reference to the drawings. FIG. 1 is a perspective view showing an internal configuration of the ink jet recording apparatus according to the present embodiment. The ink jet recording apparatus 100 according to the present embodiment includes a bottom plate 1 and a guide rail support 3 that supports the horizontal guide rail 2 from below at a predetermined height position. The horizontal guide rail 2 supports a carriage 7 via a vertical guide rail 6, and the vertical guide rail 6 and the carriage 7 are integrated into a horizontal main scan in a predetermined transport direction by a moving mechanism (not shown). In the direction X, it reciprocates along the horizontal guide rail 2. The carriage 7 reciprocates along the vertical guide rail 6 in the vertical direction Z by a moving mechanism (not shown). A support base 4 that supports a base material (not shown) from the non-recording surface side and a maintenance device 5 that performs maintenance of the ink jet recording head 8 are arranged on the bottom plate 1 side by side in the longitudinal direction of the horizontal guide rail 2. Yes. The support 4 transports the recording medium in the sub-scanning direction Y orthogonal to the main scanning direction X by a transport mechanism (not shown).

また、支持台4は、静電吸引力を利用してインクを吐出させる場合には、静電電圧印加手段の電極としての機能も具備する。   Further, the support base 4 also has a function as an electrode of an electrostatic voltage application unit when ink is ejected using an electrostatic attraction force.

キャリッジ7には、本発明に係るインクを基材に対して吐出するインクジェット記録ヘッド8が搭載されている。インクジェット記録ヘッドについては後に詳述する。   An ink jet recording head 8 that discharges the ink according to the present invention to the substrate is mounted on the carriage 7. The ink jet recording head will be described in detail later.

本発明において上記のインクジェット記録装置を使用する際には、支持台上に配置された基材上に、インクジェット記録ヘッドから吐出されたインクによって任意のパターンを描画するように、キャリッジと支持台を任意に移動できるように制御するとともに、記録ヘッドからのインクの吐出制御を行う。   When using the above-described inkjet recording apparatus in the present invention, the carriage and the support base are arranged so that an arbitrary pattern is drawn by the ink ejected from the ink jet recording head on the substrate arranged on the support base. Control is performed so that it can be arbitrarily moved, and ink ejection from the recording head is controlled.

(静電力を利用した液滴吐出手段)
図2は、本発明に好ましく用いられる、静電力を利用した液滴吐出装置(インクジェット装置)の全体構成を示す模式図である。なお、本発明で用いられるインクジェット記録ヘッド402は、いわゆるシリアル方式あるいはライン方式等の各種の液体吐出装置に適用可能である。
(Droplet discharge means using electrostatic force)
FIG. 2 is a schematic diagram showing an overall configuration of a droplet discharge device (inkjet device) using electrostatic force, which is preferably used in the present invention. The ink jet recording head 402 used in the present invention can be applied to various liquid ejection devices such as a so-called serial method or line method.

本実施形態の液滴吐出装置401は、帯電可能なインクLの液滴Dを吐出するノズル410が形成された液体吐出ヘッド402と、液体吐出ヘッド402のノズル410に対向する対向面を有すると共にその対向面で液滴Dの着弾を受ける基材Kを支持する対向電極403とを備えている。   The droplet discharge device 401 of the present embodiment has a liquid discharge head 402 in which a nozzle 410 for discharging a droplet D of chargeable ink L is formed, and a facing surface that faces the nozzle 410 of the liquid discharge head 402. The counter electrode 403 that supports the base material K that receives the landing of the droplet D on the opposing surface is provided.

インクジェット記録ヘッド(以下、液体吐出ヘッドともいう)402の対向電極403に対向する側には、複数のノズル410を有する樹脂製のノズルプレート411が設けられている。液体吐出ヘッド402は、ノズルプレート411の対向電極403に対向する吐出面412からノズル410が突出していないフラットな吐出面を有するヘッドとして構成されている。   A resin nozzle plate 411 having a plurality of nozzles 410 is provided on the side of the inkjet recording head (hereinafter also referred to as a liquid discharge head) 402 facing the counter electrode 403. The liquid discharge head 402 is configured as a head having a flat discharge surface in which the nozzle 410 does not protrude from the discharge surface 412 facing the counter electrode 403 of the nozzle plate 411.

各ノズル410は、ノズルプレート411に穿孔されて形成されており、各ノズル410には、それぞれノズルプレート411の吐出面412に吐出孔413を有する小径部414とその背後に形成されたより大径の大径部415との2段構造とされている。本実施形態では、ノズル410の小径部414および大径部415は、それぞれ断面円形で対向電極側がより小径とされたテーパ状に形成されており、小径部414の吐出孔413の内部直径(以下、ノズル径という。)が例えば10μm、大径部415の小径部414から最も離れた側の開口端の内部直径が、例えば75μmとなるように構成されている。   Each nozzle 410 is formed by perforating the nozzle plate 411. Each nozzle 410 has a small diameter portion 414 having a discharge hole 413 on the discharge surface 412 of the nozzle plate 411 and a larger diameter formed behind the small diameter portion 414. A two-stage structure with the large diameter portion 415 is adopted. In this embodiment, the small diameter portion 414 and the large diameter portion 415 of the nozzle 410 are each formed in a tapered shape having a circular cross section and a smaller diameter on the counter electrode side. , The nozzle diameter) is, for example, 10 μm, and the inner diameter of the open end of the large diameter portion 415 farthest from the small diameter portion 414 is, for example, 75 μm.

ノズルプレート411の吐出面412と反対側の面には、例えばニッケル等の導電性部材よりなりノズル410内の液体Lを帯電させるための帯電用電極416が設けられている。本実施形態では、帯電用電極416は、ノズル410の大径部415の内周面417まで延設されており、ノズル内のインクLに接するようになっている。   On the surface opposite to the ejection surface 412 of the nozzle plate 411, a charging electrode 416 made of a conductive member such as nickel, for charging the liquid L in the nozzle 410 is provided. In the present embodiment, the charging electrode 416 extends to the inner peripheral surface 417 of the large-diameter portion 415 of the nozzle 410 and comes into contact with the ink L in the nozzle.

また、帯電用電極416は、静電吸引力を生じさせる静電電圧を印加する静電電圧印加手段としての帯電電圧電源418に接続されており、単一の帯電用電極416が全てのノズル410内の液体Lに接触しているため、帯電電圧電源418から帯電用電極416に静電電圧が印加されると、全ノズル410内の液体Lが同時に帯電され、液体吐出ヘッド402と対向電極403との間、特に液体Lと基材Kとの間に静電吸引力が発生されるようになっている。   Further, the charging electrode 416 is connected to a charging voltage power source 418 as an electrostatic voltage applying unit that applies an electrostatic voltage that generates an electrostatic attraction force, and the single charging electrode 416 includes all the nozzles 410. When the electrostatic voltage is applied to the charging electrode 416 from the charging voltage power source 418, the liquid L in all the nozzles 410 is charged at the same time, and the liquid ejection head 402 and the counter electrode 403 are in contact with the liquid L inside. In particular, an electrostatic attraction force is generated between the liquid L and the substrate K.

帯電用電極416の背後には、ボディ層419が設けられている。ボディ層419の各ノズル410の大径部415の開口端に面する部分には、それぞれ開口端にほぼ等しい内径を有する略円筒状の空間が形成されており、各空間は、吐出される液体Lと連通したキャビティ420になっている。   A body layer 419 is provided behind the charging electrode 416. A portion of the body layer 419 facing the opening end of the large diameter portion 415 of each nozzle 410 is formed with a substantially cylindrical space having an inner diameter substantially equal to the opening end, and each space is a liquid to be discharged. The cavity 420 communicates with L.

ボディ層419の背後には、可撓性を有する金属薄板やシリコン等よりなる可撓層421が設けられており、可撓層421により液体吐出ヘッド402が外界と画されている。   A flexible layer 421 made of a flexible metal thin plate, silicon, or the like is provided behind the body layer 419. The flexible layer 421 defines the liquid ejection head 402 from the outside.

なお、ボディ層419には、キャビティ420に液体Lを供給するための図示しない流路が形成されている。具体的には、ボディ層419としてのシリコンプレートをエッチング加工してキャビティ420、共通流路、および共通流路とキャビティ420とを結ぶ流路が設けられており、共通流路には、外部の図示しない液体タンクから液体Lを供給する図示しない供給管が連絡されており、供給管に設けられた図示しない供給ポンプにより或いは液体タンクの配置位置による差圧により流路やキャビティ420、ノズル410等の液体Lに所定の供給圧力が付与されるようになっている。   In the body layer 419, a flow path (not shown) for supplying the liquid L to the cavity 420 is formed. Specifically, the silicon plate as the body layer 419 is etched to provide a cavity 420, a common flow path, and a flow path that connects the common flow path and the cavity 420. A supply pipe (not shown) for supplying the liquid L from a liquid tank (not shown) is connected, and a flow path, a cavity 420, a nozzle 410, etc. are provided by a supply pump (not shown) provided in the supply pipe or by a differential pressure depending on the position of the liquid tank. A predetermined supply pressure is applied to the liquid L.

可撓層421の外面の各キャビティ420に対応する部分には、それぞれ圧力発生手段としての圧電素子アクチュエータであるピエゾ素子422が設けられており、ピエゾ素子422には、素子に駆動電圧を印加して素子を変形させるための駆動電圧電源423が接続されている。ピエゾ素子422は、駆動電圧電源423からの駆動電圧の印加により変形して、ノズル内の液体Lに圧力を生じさせてノズル410の吐出孔413に液体Lのメニスカスを形成させるようになっている。なお、圧力発生手段は、本実施形態のような圧電素子アクチュエータのほかに、例えば、静電アクチュエータや発熱素子等を採用することも可能である。   Piezo elements 422, which are piezoelectric element actuators as pressure generating means, are provided in portions corresponding to the respective cavities 420 on the outer surface of the flexible layer 421. A driving voltage is applied to the piezoelectric elements 422 to the elements. A drive voltage power source 423 for deforming the device is connected. The piezo element 422 is deformed by the application of a driving voltage from the driving voltage power source 423 to generate a pressure on the liquid L in the nozzle and form a meniscus of the liquid L in the discharge hole 413 of the nozzle 410. . In addition to the piezoelectric element actuator as in the present embodiment, for example, an electrostatic actuator, a heating element, or the like can be adopted as the pressure generating means.

駆動電圧電源423および帯電用電極416に静電電圧を印加する前記帯電電圧電源418は、それぞれ動作制御手段424に接続されており、それぞれ動作制御手段424による制御を受けるようになっている。   The charging voltage power source 418 for applying an electrostatic voltage to the driving voltage power source 423 and the charging electrode 416 is connected to the operation control means 424, and is controlled by the operation control means 424, respectively.

動作制御手段424は、本実施形態では、CPU425やROM426、RAM427等が図示しないBUSにより接続されて構成されたコンピュータからなっており、CPU425は、ROM426に格納された電源制御プログラムに基づいて帯電電圧電源418および各駆動電圧電源423を駆動させてノズル410の吐出孔413からインクである液体Lを吐出させるようになっている。   In this embodiment, the operation control means 424 is composed of a computer in which a CPU 425, a ROM 426, a RAM 427, etc. are connected by a BUS (not shown). The CPU 425 is based on a power control program stored in the ROM 426. The power supply 418 and each drive voltage power supply 423 are driven to discharge the liquid L as ink from the discharge hole 413 of the nozzle 410.

なお、本実施形態では、液体吐出ヘッド402のノズルプレート411の吐出面412には、吐出孔413からの液体Lの滲み出しを抑制するための撥液層428が吐出孔413以外の吐出面412全面に設けられている。撥液層428は、例えば、液体Lが水性であれば撥水性を有する材料が用いられ、液体Lが油性であれば撥油性を有する材料が用いられるが、一般に、FEP(四フッ化エチレン・六フッ化プロピレン)、PTFE(ポリテトラフロロエチレン)、フッ素シロキサン、フルオロアルキルシラン、アモルファスパーフルオロ樹脂等のフッ素樹脂等が用いられることが多く、塗布や蒸着等の方法で吐出面412に成膜されている。なお、撥液層428は、ノズルプレート411の吐出面412に直接成膜してもよいし、撥液層428の密着性を向上させるために中間層を介して成膜することも可能である。   In this embodiment, the liquid repellent layer 428 for suppressing the oozing of the liquid L from the ejection holes 413 is disposed on the ejection surface 412 other than the ejection holes 413 on the ejection surface 412 of the nozzle plate 411 of the liquid ejection head 402. It is provided on the entire surface. For the liquid repellent layer 428, for example, a material having water repellency is used if the liquid L is aqueous, and a material having oil repellency is used if the liquid L is oily. Fluorine resins such as hexafluoropropylene), PTFE (polytetrafluoroethylene), fluorine siloxane, fluoroalkylsilane, and amorphous perfluoro resin are often used, and a film is formed on the discharge surface 412 by a method such as coating or vapor deposition. Has been. The liquid repellent layer 428 may be formed directly on the ejection surface 412 of the nozzle plate 411 or may be formed through an intermediate layer in order to improve the adhesion of the liquid repellent layer 428. .

液体吐出ヘッド402の下方には、基材Kを支持する平板状の対向電極403が液体吐出ヘッド402の吐出面412に平行に所定距離離間されて配置されている。対向電極403と液体吐出ヘッド402との離間距離は、0.1mm〜3mm程度の範囲内で適宜設定される。   Below the liquid discharge head 402, a plate-like counter electrode 403 that supports the substrate K is disposed in parallel to the discharge surface 412 of the liquid discharge head 402 and spaced apart by a predetermined distance. The separation distance between the counter electrode 403 and the liquid ejection head 402 is appropriately set within a range of about 0.1 mm to 3 mm.

本実施形態では、対向電極403は接地されており、常時接地電位に維持されている。そのため、前記帯電電圧電源418から帯電用電極416に静電電圧が印加されると、ノズル410の吐出孔413の液体Lと対向電極403の液体吐出ヘッド402に対向する対向面との間に電界が生じるようになっている。また、帯電した液滴Dが基材Kに着弾すると、対向電極403はその電荷を接地により逃がすようになっている。また、これとは逆に、基材側の電極403に静電電圧を印加し、液体Lに接している電極416を接地ささせるような構成にしても良い。   In this embodiment, the counter electrode 403 is grounded and is always maintained at the ground potential. Therefore, when an electrostatic voltage is applied to the charging electrode 416 from the charging voltage power source 418, an electric field is generated between the liquid L in the ejection hole 413 of the nozzle 410 and the opposing surface of the counter electrode 403 facing the liquid ejection head 402. Has come to occur. Further, when the charged droplet D lands on the substrate K, the counter electrode 403 releases the electric charge by grounding. On the contrary, a configuration may be adopted in which an electrostatic voltage is applied to the electrode 403 on the substrate side and the electrode 416 in contact with the liquid L is grounded.

なお、対向電極403または液体吐出ヘッド402には、液体吐出ヘッド402と基材Kとを相対的に移動させて位置決めするための図示しない位置決め手段が取り付けられており、これにより液体吐出ヘッド402の各ノズル410から吐出された液滴Dは、基材Kの表面に任意の位置に着弾させることが可能とされている。   The counter electrode 403 or the liquid ejection head 402 is provided with positioning means (not shown) for positioning the liquid ejection head 402 and the substrate K by relatively moving them. The droplet D discharged from each nozzle 410 can be landed on the surface of the substrate K at an arbitrary position.

次に、以下、図面を参照しながら本発明に好ましく用いられるインクジェットヘッド(液滴吐出ヘッド)の好ましい一態様について説明する。但し、本発明はこれらに限定されない。   Next, a preferred embodiment of the ink jet head (droplet discharge head) preferably used in the present invention will be described below with reference to the drawings. However, the present invention is not limited to these.

本発明に用いられるインクジェットヘッドの一例として、マルチノズルヘッド500が図3に示されている。マルチノズルヘッド500はノズルプレート531、ボディプレート532および圧電素子533を有している。ノズルプレート531は150μm〜300μm程度の厚みを有したシリコン基材また酸化シリコン基材である。ノズルプレート531には複数のノズル501が形成されており、これら複数のノズル501が1列に配列されている。   As an example of the ink jet head used in the present invention, a multi-nozzle head 500 is shown in FIG. The multi-nozzle head 500 includes a nozzle plate 531, a body plate 532, and a piezoelectric element 533. The nozzle plate 531 is a silicon substrate or a silicon oxide substrate having a thickness of about 150 μm to 300 μm. A plurality of nozzles 501 are formed on the nozzle plate 531, and the plurality of nozzles 501 are arranged in a line.

ボディプレート532は、200μm〜500μm程度の厚みを有したシリコン基材である。ボディプレート532にはインク供給口601、インク貯留室602、複数のインク供給路603および複数の圧力室604が形成されている。   The body plate 532 is a silicon substrate having a thickness of about 200 μm to 500 μm. An ink supply port 601, an ink storage chamber 602, a plurality of ink supply paths 603, and a plurality of pressure chambers 604 are formed in the body plate 532.

インク供給口601は直径が400μm〜1500μm程度の円形状の貫通孔である。   The ink supply port 601 is a circular through hole having a diameter of about 400 μm to 1500 μm.

インク貯留室602は幅が400μm〜1000μm程度で深さが50μm〜200μm程度の溝である。   The ink storage chamber 602 is a groove having a width of about 400 μm to 1000 μm and a depth of about 50 μm to 200 μm.

インク供給路603は幅が50μm〜150μm程度で深さが30μm〜150μm程度の溝である。圧力室604は幅が150μm〜350μm程度で深さが50μm〜200μm程度の溝である。   The ink supply path 603 is a groove having a width of about 50 μm to 150 μm and a depth of about 30 μm to 150 μm. The pressure chamber 604 is a groove having a width of about 150 μm to 350 μm and a depth of about 50 μm to 200 μm.

ノズルプレート531とボディプレート532とは互いに接合されるようになっており、接合した状態ではノズルプレート531のノズル501とボディプレート532の圧力室604とが1対1で対応するようになっている。   The nozzle plate 531 and the body plate 532 are joined to each other, and in the joined state, the nozzle 501 of the nozzle plate 531 and the pressure chamber 604 of the body plate 532 are in a one-to-one correspondence. .

ノズルプレート531とボディプレート532とが接合された状態でインク供給口601にインクが供給されると、当該インクはインク貯留室602に一時的に貯留され、その後にインク貯留室602から各インク供給路603を通じて各圧力室604に供給されるようになっている。   When ink is supplied to the ink supply port 601 in a state where the nozzle plate 531 and the body plate 532 are joined, the ink is temporarily stored in the ink storage chamber 602, and then each ink supply from the ink storage chamber 602. Each pressure chamber 604 is supplied through a passage 603.

圧電素子533はボディプレート532の圧力室604に対応した位置に接着されるようになっている。圧電素子533はPZTと電極からなるアクチュエータであり、電圧の印加を受けると変形して圧力室604の内部のインクをノズル501から吐出させるようになっている。   The piezoelectric element 533 is bonded to a position corresponding to the pressure chamber 604 of the body plate 532. The piezoelectric element 533 is an actuator composed of PZT and an electrode, and is deformed when a voltage is applied to discharge ink inside the pressure chamber 604 from the nozzle 501.

次に、マルチノズルヘッド500の断面図の一例を図4に示す。図3では図示しないが、ノズルプレート531とボディプレート532と間には硼珪酸ガラスプレート534(図4参照)が介在している。また、ノズル内部の液体に静電電圧を印加するための図示しない帯電用電極が設けられている。   Next, an example of a cross-sectional view of the multi-nozzle head 500 is shown in FIG. Although not shown in FIG. 3, a borosilicate glass plate 534 (see FIG. 4) is interposed between the nozzle plate 531 and the body plate 532. Further, a charging electrode (not shown) for applying an electrostatic voltage to the liquid inside the nozzle is provided.

図4に示す通り、1つの圧電素子に対応してノズル501と圧力室604とが1つずつ構成されている。   As shown in FIG. 4, one nozzle 501 and one pressure chamber 604 are formed corresponding to one piezoelectric element.

ノズルプレート531においてノズル501には段が形成されており、ノズル501は下段部501aと上段部501bとで構成されている。下段部501aと上段部501bとは共に円筒形状を呈しており、下段部501aの直径D1(図4中左右方向の距離)が上段部501bの直径D2(図3中左右方向の距離)より小さくなっている。   In the nozzle plate 531, a step is formed in the nozzle 501, and the nozzle 501 includes a lower step portion 501a and an upper step portion 501b. Both the lower step 501a and the upper step 501b have a cylindrical shape, and the diameter D1 (the distance in the left-right direction in FIG. 4) of the lower step 501a is smaller than the diameter D2 (the distance in the left-right direction in FIG. 3) of the upper step 501b. It has become.

ノズル501の下段部501aは上段部501bから流通してきたインクを直接的に吐出する部位である。下段部501aは直径D1が1μm〜10μmで、長さL(図4中上下方向の距離)が1.0μm〜5.0μmとなっている。下段部501aの長さLを1.0μm〜5.0μmの範囲に限定するのは、インクの着弾精度を飛躍的に向上させることができるからである。   The lower part 501a of the nozzle 501 is a part that directly ejects ink circulated from the upper part 501b. The lower step portion 501a has a diameter D1 of 1 μm to 10 μm and a length L (a distance in the vertical direction in FIG. 4) of 1.0 μm to 5.0 μm. The reason why the length L of the lower step portion 501a is limited to the range of 1.0 μm to 5.0 μm is that the ink landing accuracy can be remarkably improved.

他方、ノズル501の上段部501bは圧力室604から流通してきたインクを下段部501aに流通させる部位であり、その直径D2が10μm〜60μmとなっている。   On the other hand, the upper portion 501b of the nozzle 501 is a portion for allowing the ink flowing from the pressure chamber 604 to flow to the lower portion 501a, and its diameter D2 is 10 μm to 60 μm.

上段部501bの直径D2の下限を10μm以上に限定するのは、10μmを下回ると、ノズル501全体(下段部501aと上段部501b)の流路抵抗に対し上段部501bの流路抵抗が無視できない値となり、インクの吐出効率が低下しやすいからである。   The lower limit of the diameter D2 of the upper part 501b is limited to 10 μm or more. If the diameter D2 is less than 10 μm, the flow resistance of the upper part 501b cannot be ignored with respect to the flow resistance of the entire nozzle 501 (the lower part 501a and the upper part 501b). This is because the ink ejection efficiency tends to decrease.

逆に、上段部501bの直径D2の上限を60μm以下に限定するのは、上段部501bの直径D2が大きくなるほど、インクの吐出部位としての下段部501aが薄弱化して(下段部501aが面積増大して機械的強度が小さくなる。)、インクの吐出時に変形し易くなり、その結果インクの着弾精度が低下するからである。すなわち、上段部501bの直径D2の上限が60μmを上回ると、接着剤液の吐出に伴い下段部501aの変形が非常に大きくなり、着弾精度を規定値(=0.5°)以内に抑えることができなくなる可能性があるからである。   On the other hand, the upper limit of the diameter D2 of the upper step 501b is limited to 60 μm or less. The larger the diameter D2 of the upper step 501b, the weaker the lower step 501a as the ink ejection site (the lower step 501a increases in area). This is because the mechanical strength is reduced), and the ink is easily deformed when ejected, and as a result, the ink landing accuracy is lowered. That is, when the upper limit of the diameter D2 of the upper step portion 501b exceeds 60 μm, the deformation of the lower step portion 501a becomes very large as the adhesive liquid is discharged, and the landing accuracy is suppressed within a specified value (= 0.5 °). This is because there is a possibility that it will not be possible.

ノズルプレート531とボディプレート532との間には数百μm程度の厚みを有した硼珪酸ガラスプレート534が設けられており、硼珪酸ガラスプレート534にはノズル501と圧力室604とを連通させる開口部534aが形成されている。開口部534aは、圧力室604とノズル501の上段部501bとに通じる貫通孔であり、圧力室604からノズル501に向けてインクを流通させる流路として機能する部位である。圧力室604は、圧電素子533の変形を受けて当該圧力室604の内部のインクに圧力を与える部位である。   A borosilicate glass plate 534 having a thickness of about several hundred μm is provided between the nozzle plate 531 and the body plate 532, and the borosilicate glass plate 534 has an opening for communicating the nozzle 501 and the pressure chamber 604. A portion 534a is formed. The opening 534 a is a through-hole that communicates with the pressure chamber 604 and the upper portion 501 b of the nozzle 501, and is a part that functions as a flow path through which ink flows from the pressure chamber 604 toward the nozzle 501. The pressure chamber 604 is a portion that applies pressure to ink inside the pressure chamber 604 in response to deformation of the piezoelectric element 533.

以上の構成を具備するマルチノズルヘッド500では、圧電素子533が変形すると、圧力室604の内部のインクに圧力を与え、当該インクは圧力室604から硼珪酸ガラスプレート534の開口部534aを流通してノズル501に至り、最終的にノズル501の下段部501aから吐出されるようになっている。   In the multi-nozzle head 500 having the above configuration, when the piezoelectric element 533 is deformed, pressure is applied to the ink inside the pressure chamber 604, and the ink flows from the pressure chamber 604 through the opening 534 a of the borosilicate glass plate 534. Thus, the nozzle 501 is reached and finally discharged from the lower step portion 501a of the nozzle 501.

なお、本発明に係るインクジェット記録装置の一態様としては、マルチノズルヘッド500のノズルプレート531に対向する位置に基材電極が設けられており(図示略)、ノズル501と当該基材電極との間に静電電圧を印加できるようになっている。   As an aspect of the ink jet recording apparatus according to the present invention, a base electrode is provided at a position facing the nozzle plate 531 of the multi-nozzle head 500 (not shown), and the nozzle 501 and the base electrode An electrostatic voltage can be applied between them.

従って、圧電素子による液体への圧力付与と帯電用電極による液体への静電吸引力との相乗効果により効率的に液滴を吐出できる液滴吐出ヘッドとすることが出来る。換言すると、静電吸引力が働かない場合には飛翔中の空気抵抗の影響により飛翔速度が低下して正規の着弾位置まで到達できないような微小な液滴を吐出する場合においても、静電吸引力の作用により正規の着弾位置に高い精度で着弾させることができ、良好な形状のパターンを形成することができる。   Therefore, a liquid droplet ejection head capable of efficiently ejecting liquid droplets can be obtained by a synergistic effect between the application of pressure to the liquid by the piezoelectric element and the electrostatic attraction force to the liquid by the charging electrode. In other words, when the electrostatic attraction force does not work, electrostatic attraction is effective even when ejecting minute droplets that cannot reach the normal landing position due to the flight speed being reduced due to the air resistance during flight. Due to the action of force, it is possible to land at a regular landing position with high accuracy, and a pattern having a good shape can be formed.

本発明において、インクジェット装置により線状のパターンを形成する際には、いわゆる間引き描画(まず、互いに接触しない間隔で液滴を配置し、その後に間隔を埋めることにより線状パターンを形成する方法)を行わず、液滴を連続的に配置することにより線状パターンを形成する方法が好ましく用いられる。この方法を用いると、線状パターンを形成する際に断線(線の途切れ)や、パターンからのインクの溢れなどがしばしば発生するといわれているが、本発明の如く基材の表面物性を所望の物性になるよう制御し、さらに使用するインク物性に応じて表面物性を変化させることにより、複雑な制御が必要となる間引き描画を行わずとも、前記のような問題の発生を解消できる。   In the present invention, when a linear pattern is formed by an inkjet apparatus, so-called thinning drawing (a method of forming a linear pattern by first arranging droplets at intervals that do not contact each other and then filling the intervals) A method of forming a linear pattern by continuously arranging droplets without performing the above is preferably used. When this method is used, it is said that disconnection (interruption of the line) or overflow of ink from the pattern often occurs when forming a linear pattern. By controlling the physical properties and changing the surface physical properties in accordance with the ink physical properties to be used, the above-described problems can be solved without performing thinning drawing that requires complicated control.

以下、実施例を挙げて本発明を詳細に説明するが、本発明はこれらに限定されない。   EXAMPLES Hereinafter, although an Example is given and this invention is demonstrated in detail, this invention is not limited to these.

実施例1
エポキシ系接着剤であるエポテック330(エポキシテクノロジー社製)の主剤とγ−ブチロラクトンを質量比で1:3となるように混合した後、エポテック330の硬化剤を全体の2.5質量%になるように添加した。得られた溶液を0.45μmのフィルターでろ過することにより、絶縁性インクを調整した。
Example 1
After mixing the main component of EPOTEC 330 (manufactured by Epoxy Technology), which is an epoxy adhesive, and γ-butyrolactone so as to have a mass ratio of 1: 3, the curing agent of EPOTECH 330 becomes 2.5% by mass of the total. Was added as follows. The obtained ink was filtered through a 0.45 μm filter to prepare an insulating ink.

シリコン基材に、酸素プラズマ処理を施すことにより表面洗浄を行った後、絶縁インクをスピンコート法により塗布し、150℃に設定した恒温槽内で60分間乾燥することにより、基材上に絶縁層を形成した。   After performing surface cleaning by performing oxygen plasma treatment on a silicon substrate, insulating ink is applied by a spin coat method and dried in a thermostat set at 150 ° C. for 60 minutes to insulate on the substrate. A layer was formed.

カップリング剤を溶媒で希釈した溶液を準備した。下表に、カップリング剤の種類と、溶媒種を示す(カップリング剤の濃度は、全て0.5質量%とした)。   A solution in which the coupling agent was diluted with a solvent was prepared. The types of coupling agents and solvent types are shown in the following table (coupling agent concentrations are all 0.5% by mass).

Figure 2010182776
Figure 2010182776

T1770:トリエトキシ−1H,1H,2H,2H−トリデカフルオロ−n−オクチルシラン(東京化成工業社製)   T1770: triethoxy-1H, 1H, 2H, 2H-tridecafluoro-n-octylsilane (manufactured by Tokyo Chemical Industry Co., Ltd.)

Figure 2010182776
Figure 2010182776

KBM−7103:トリフルオロプロピルトリメトキシシラン(信越シリコーン社製)
CFCHCHSi(OCH
KBM−202SS:ジフェニルジメトキシシラン(信越シリコーン社製)
KBM-7103: trifluoropropyltrimethoxysilane (manufactured by Shin-Etsu Silicone)
CF 3 CH 2 CH 2 Si (OCH 3 ) 3
KBM-202SS: Diphenyldimethoxysilane (manufactured by Shin-Etsu Silicone)

Figure 2010182776
Figure 2010182776

KBM−3063:ヘキシルトリメトキシシラン(信越シリコーン社製)
CH(CHSi(OCH
KBM−602:N−2−(アミノエチル)−3−アミノプロピルメチルジメトキシシラン(信越シリコーン社製)
KBM-3063: Hexyltrimethoxysilane (manufactured by Shin-Etsu Silicone)
CH 3 (CH 2 ) 5 Si (OCH 3 ) 3
KBM-602: N-2- (aminoethyl) -3-aminopropylmethyldimethoxysilane (manufactured by Shin-Etsu Silicone)

Figure 2010182776
Figure 2010182776

KBM−573:N−フェニル−3−アミノプロピルトリメトキシシラン(信越シリコーン社製)   KBM-573: N-phenyl-3-aminopropyltrimethoxysilane (manufactured by Shin-Etsu Silicone)

Figure 2010182776
Figure 2010182776

KBM−803:3−メルカプトプロピルトリメトキシシラン(信越シリコーン社製)
(CHOSiCSH
KBM−3103:デシルトリメトキシシラン(信越シリコーン社製)
CH(CHSi(OCH
KR 44:イソプロピル−トリ(N−アミノエチル−アミノエチル)チタネート(味の素ファインテクノ社製)
i−CO−Ti[−O−(CH−NH−(CH−NH
KR 41B:(味の素ファインテクノ社製)
(i−CO−)Ti[(P(OC17OH)
KR 46B:(味の素ファインテクノ社製)
(C17O−)Ti[(P(OC1327OH)
KR 55:(味の素ファインテクノ社製)
KBM-803: 3-mercaptopropyltrimethoxysilane (manufactured by Shin-Etsu Silicone)
(CHO 3 ) 3 SiC 3 H 6 SH
KBM-3103: Decyltrimethoxysilane (manufactured by Shin-Etsu Silicone)
CH 3 (CH 2 ) 9 Si (OCH 3 ) 3
KR 44: isopropyl-tri (N-aminoethyl-aminoethyl) titanate (manufactured by Ajinomoto Fine Techno Co., Ltd.)
i-C 3 H 7 O- Ti [-O- (CH 2) 2 -NH- (CH 2) 2 -NH 2] 3
KR 41B: (Ajinomoto Fine Techno Co., Ltd.)
(I-C 3 H 7 O- ) 4 Ti [(P (OC 8 H 17) 2 OH) 2]
KR 46B: (Ajinomoto Fine Techno Co., Ltd.)
(C 8 H 17 O—) 4 Ti [(P (OC 13 H 27 ) 2 OH) 2 ]
KR 55: (Ajinomoto Fine Techno Co., Ltd.)

Figure 2010182776
Figure 2010182776

KR 9SA:(味の素ファインテクノ社製)   KR 9SA: (Ajinomoto Fine Techno Co., Ltd.)

Figure 2010182776
Figure 2010182776

KR TTS:(味の素ファインテクノ社製)   KR TTS: (Ajinomoto Fine Techno Co., Ltd.)

Figure 2010182776
Figure 2010182776

PC−605:チタンオリゴマー化合物(オルガチックスPC−605)(マツモトファインケミカル社製)
TC−750:チタンジイソプロポキシビス(エチルアセトアセテート)(マツモトファインケミカル社製)
(i−CO)Ti(C
TC−200:チタンジオクチロキシビス(オクチレングリコレート)(マツモトファインケミカル社製)
(C17O)Ti(O17
TPHS:ポリヒドロキシチタンステアレート(マツモトファインケミカル社製)
PC-605: Titanium oligomer compound (Orgatics PC-605) (Matsumoto Fine Chemical Co., Ltd.)
TC-750: Titanium diisopropoxybis (ethyl acetoacetate) (manufactured by Matsumoto Fine Chemical Co., Ltd.)
(I-C 3 H 7 O ) 2 Ti (C 6 H 9 O 3) 2
TC-200: Titanium dioctyloxybis (octylene glycolate) (manufactured by Matsumoto Fine Chemical Co., Ltd.)
(C 8 H 17 O) 2 Ti (O 2 C 8 H 17 ) 2
TPHS: Polyhydroxytitanium stearate (Matsumoto Fine Chemical Co., Ltd.)

Figure 2010182776
Figure 2010182776

ZC−580:ジルコニウムジブトキシビス(エチルアセトアセテート)(マツモトファインケミカル社製)、
Zr(O−n−C(C
ZB−320:ジルコニウムトリブトキシモノステアレート(マツモトファインケミカル社製)
Zr(O−n−C(OCOC1735
AL−M:アルキルアセトアセテートアルミニウムジイソプロピレート(味の素ファインテクノ社製)
ZC-580: zirconium dibutoxybis (ethyl acetoacetate) (manufactured by Matsumoto Fine Chemical Co., Ltd.)
Zr (O-n-C 4 H 9) 2 (C 6 H 9 O 3) 2
ZB-320: zirconium tributoxy monostearate (Matsumoto Fine Chemical Co., Ltd.)
Zr (O-n-C 4 H 9) 3 (OCOC 17 H 35)
AL-M: Alkyl acetoacetate aluminum diisopropylate (manufactured by Ajinomoto Fine Techno Co., Ltd.)

Figure 2010182776
Figure 2010182776

これらカップリング剤溶液に、絶縁層を形成したシリコン基板を浸漬させた後、100℃に設定した恒温槽内で20分間乾燥させることにより、絶縁層上に各種カップリング剤膜を形成した。   After immersing the silicon substrate on which the insulating layer was formed in these coupling agent solutions, various coupling agent films were formed on the insulating layer by drying for 20 minutes in a thermostatic bath set at 100 ° C.

次に、銀ナノ粒子含有インク(住友電工製 AGIN−W4A)に純水及びエチレングリコールを添加して25℃における粘度が5mPa・s、表面張力が30mN/mとなるように調製したものをインクジェット用銀インクとして準備した。この銀インクを、図1〜4に記載したインクジェット装置(静電・圧電によるインクジェット装置)を用いて、ヘッド(ノズル径10μm)から吐出することにより、絶縁層基材上に銀インクのパターンを形成した。パターン形状が線幅30μm、長さ1mmの線状パターンを50μm間隔で20本並ぶ形状になるように、装置の射出周波数や吐出電圧、ヘッドと基材の相対移動速度を適宜調整した。   Next, an ink prepared by adding pure water and ethylene glycol to a silver nanoparticle-containing ink (AGIN-W4A manufactured by Sumitomo Electric Industries) to have a viscosity at 25 ° C. of 5 mPa · s and a surface tension of 30 mN / m is inkjet. It was prepared as a silver ink. The silver ink pattern is ejected from the head (nozzle diameter 10 μm) using the ink jet apparatus (electrostatic / piezoelectric ink jet apparatus) described in FIGS. Formed. The injection frequency and discharge voltage of the apparatus, and the relative movement speed of the head and the substrate were appropriately adjusted so that the pattern shape was a shape in which 20 linear patterns having a line width of 30 μm and a length of 1 mm were arranged at intervals of 50 μm.

パターンを形成した基材は、150℃の恒温槽内で30分間焼成させて、導電膜パターンを形成した試料を得た(図5)。   The substrate on which the pattern was formed was baked for 30 minutes in a thermostat at 150 ° C. to obtain a sample on which a conductive film pattern was formed (FIG. 5).

導電膜パターンを形成した試料について、下記の評価を行った。   The following evaluation was performed about the sample in which the electrically conductive film pattern was formed.

(導電パターン形状)
導電膜パターンを形成した試料を顕微鏡で観察し、導電パターン(導電層のパターン)の形状を下記基準に則り○△×の三段階で評価した。
○:線幅のばらつきは少なく、形成されたパターン形状は良好であった。
△:線幅のばらつきはあるものの、断線したり、濡れ広がりすぎて隣接する線と短絡する部分は見られなかった。
×:導電インクが大きく濡れ広がって隣接する線と短絡したり、線が途切れてしまう部分が多く見られた。
(Conductive pattern shape)
The sample on which the conductive film pattern was formed was observed with a microscope, and the shape of the conductive pattern (the pattern of the conductive layer) was evaluated in three stages according to the following criteria.
A: The variation in line width was small, and the formed pattern shape was good.
Δ: Although there was a variation in line width, there was no disconnection or a portion that was too wet and shorted with an adjacent line.
X: Many portions where the conductive ink was greatly wetted and short-circuited with adjacent lines or where the lines were interrupted were observed.

(密着性)
日本工業規格JIS K 5600−5−6に示されるクロスカット法に準じたテープ剥離試験により密着性を下記基準に則り評価し、結果を○△×の三段階で示した。
○:密着性は良好(クロスカット法の試験結果分類0に相当する)
△:密着性は中程度(クロスカット法の試験結果分類1〜2に相当する)
×:密着性は悪い(クロスカット法の試験結果分類3に相当するか、さらに悪い)
結果を表2に示す。
(Adhesion)
The adhesion was evaluated according to the following criteria by a tape peeling test in accordance with the cross-cut method shown in Japanese Industrial Standard JIS K 5600-5-6, and the results were shown in three stages of ◯ Δ ×.
○: Adhesiveness is good (corresponding to cross-cut test result classification 0)
Δ: Medium adhesion (corresponding to cross-cut test result classification 1-2)
X: Adhesion is poor (corresponds to test result classification 3 of the cross-cut method or worse)
The results are shown in Table 2.

Figure 2010182776
Figure 2010182776

表2に示した結果から明らかなように、本発明のカップリング剤膜を基材に形成することにより、導電性インクの配置によって形成される導電層のパターンがパターン形状の良好な状態で得られ、さらに絶縁層と導電層の密着性も良好なものにすることが可能となることがわかる。   As is apparent from the results shown in Table 2, by forming the coupling agent film of the present invention on the base material, the pattern of the conductive layer formed by the arrangement of the conductive ink can be obtained with a good pattern shape. Further, it can be seen that the adhesion between the insulating layer and the conductive layer can be improved.

実施例2
(絶縁性インクのパターン形成)
実施例1で作製した絶縁性インクを、実施例1と同様にインクジェット装置によりシリコン基材上に吐出した後、150℃で60分間乾燥させることにより、基材上に絶縁層のパターンを形成した。
Example 2
(Insulating ink pattern formation)
The insulating ink produced in Example 1 was ejected onto a silicon substrate by an inkjet apparatus in the same manner as in Example 1, and then dried at 150 ° C. for 60 minutes to form an insulating layer pattern on the substrate. .

(カップリング剤処理)
次に、実施例1と同様にカップリング剤溶液への浸漬処理及び乾燥を行うことにより、絶縁層形成基材上に各種カップリング剤膜を形成した。
(Coupling agent treatment)
Next, various coupling agent films were formed on the insulating layer forming substrate by performing immersion treatment in a coupling agent solution and drying in the same manner as in Example 1.

次に、実施例1と同様にインクジェット装置により基材のカップリング剤膜を形成された絶縁層のパターン上に銀インクのパターンを形成し、乾燥させ、図6に示すような線状のパターンを形成した。銀インクの線状パターンの形状は良好であり、密着性も良好であった。   Next, in the same manner as in Example 1, a silver ink pattern was formed on the insulating layer pattern on which the base material coupling agent film was formed by an ink jet apparatus, dried, and a linear pattern as shown in FIG. Formed. The shape of the linear pattern of the silver ink was good, and the adhesion was also good.

また、比較として、カップリング剤処理を行わなかった絶縁層形成基材上に同様の銀インクのパターンの形成を試みたが、線状パターンが途切れたり、広く濡れ広がったりする部分が多数見られ、良好な形状の線状パターンは形成できなかった。   For comparison, an attempt was made to form a similar silver ink pattern on an insulating layer-formed substrate that was not treated with a coupling agent. However, there were many portions where the linear pattern was interrupted or widely spread. A linear pattern having a good shape could not be formed.

実施例3
下記の工程により、図7に示すような、導電性パターンが2層積層されたパターンを形成した(工程の内容は、実施例1及び2に記載の方法に準ずる)。
1)シリコン基材に、絶縁性インクを配置、乾燥させて第1絶縁層を形成
2)第1絶縁層表面にカップリング層を形成、乾燥
3)導電性インクをインクジェット法により配置
4)焼成、乾燥させて第1導電層を形成
5)絶縁性インクを配置、乾燥させて第2絶縁層を形成
6)第2絶縁層表面にカップリング層を形成、乾燥
7)導電性インクをインクジェット法により配置
8)焼成、乾燥させて第2導電層を形成
上記の工程により形成された導電性パターンは、密着性が良好であり、隣接する配線間の絶縁性、さらに第1導電層と第2導電層の間の絶縁性も確保されていた。
Example 3
A pattern in which two conductive patterns were laminated as shown in FIG. 7 was formed by the following steps (the contents of the steps are in accordance with the methods described in Examples 1 and 2).
1) Insulating ink is placed on a silicon substrate and dried to form a first insulating layer 2) A coupling layer is formed on the surface of the first insulating layer and dried 3) Conductive ink is placed by an inkjet method 4) Firing And drying to form the first conductive layer 5) disposing the insulating ink and drying to form the second insulating layer 6) forming a coupling layer on the surface of the second insulating layer, and drying 7) inkjetting the conductive ink 8) Firing and drying to form the second conductive layer The conductive pattern formed by the above steps has good adhesion, insulation between adjacent wiring lines, and further, the first conductive layer and the second conductive layer. Insulation between the conductive layers was also ensured.

一方、上記の工程から2)、6)(カップリング層の形成工程)を省略した他は同様にして2層積層パターンを形成したものについては、導電層が途切れることによる断線(導通不良)、隣接する線間のリーク(短絡)、密着性不良による配線の剥がれ、が随所で観察された。   On the other hand, in the case of forming the two-layer laminated pattern in the same manner except that 2) and 6) (coupling layer forming step) are omitted from the above steps, disconnection due to disconnection of the conductive layer (conductivity failure), Leakage (short circuit) between adjacent lines and peeling of wiring due to poor adhesion were observed everywhere.

1 底板
2 水平ガイドレール
3 ガイドレール支持台
4 基材を支持する支持台
5 メンテナンス装置
6 垂直ガイドレール
7 キャリッジ
8、11、402 インクジェット記録ヘッド
401 液滴吐出装置
403 対向電極
410、501 ノズル
416 帯電用電極
500 マルチノズルヘッド
533 圧電素子
604 圧力室
5001 基材(シリコン基材)
5002 絶縁層
5003 カップリング剤層
5004 導電層(パターン)
6001 基材(シリコン基材)
6002 絶縁層(パターン)
6003 カップリング剤層
6004 導電層(パターン)
7001 基材(シリコン基材)
7002 第1絶縁層
7003 第1カップリング剤層
7004 第1導電層(パターン)
7012 第2絶縁層
7013 第2カップリング剤層
7014 第2導電層(パターン)
DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Bottom plate 2 Horizontal guide rail 3 Guide rail support stand 4 Support stand which supports a base material 5 Maintenance apparatus 6 Vertical guide rail 7 Carriage 8, 11, 402 Inkjet recording head 401 Droplet discharge apparatus 403 Counter electrode 410, 501 Nozzle 416 Charging Electrode 500 Multi-nozzle head 533 Piezoelectric element 604 Pressure chamber 5001 Base material (silicon base material)
5002 Insulating layer 5003 Coupling agent layer 5004 Conductive layer (pattern)
6001 Base material (silicon base material)
6002 Insulating layer (pattern)
6003 Coupling agent layer 6004 Conductive layer (pattern)
7001 Base material (silicon base material)
7002 First insulating layer 7003 First coupling agent layer 7004 First conductive layer (pattern)
7012 2nd insulating layer 7013 2nd coupling agent layer 7014 2nd conductive layer (pattern)

Claims (15)

基材と、
前記基材上に絶縁性インクを配置することにより形成された絶縁層と、
前記絶縁層上に、インクジェット装置によって導電性のインクを所定のパターンに配置することにより形成された導電層と、
を少なくとも有する導電膜パターンにおいて、
前記絶縁層上に、フッ素原子を含有しないシランカップリング剤、チタンカップリング剤、ジルコニアカップリング剤、およびアルミニウムカップリング剤から選択される少なくとも一種のカップリング剤により形成されたカップリング剤膜を有することを特徴とする導電膜パターン。
A substrate;
An insulating layer formed by disposing an insulating ink on the substrate;
On the insulating layer, a conductive layer formed by disposing conductive ink in a predetermined pattern by an inkjet device;
In the conductive film pattern having at least
A coupling agent film formed on the insulating layer by at least one coupling agent selected from a silane coupling agent not containing a fluorine atom, a titanium coupling agent, a zirconia coupling agent, and an aluminum coupling agent. A conductive film pattern comprising:
前記絶縁層が、前記基材上の全面に配置されていることを特徴とする請求項1に記載の導電膜パターン。   The conductive film pattern according to claim 1, wherein the insulating layer is disposed on the entire surface of the base material. 前記絶縁層が、インクジェット装置により絶縁性インクが所定のパターンに配置されることで形成されていることを特徴とする請求項1に記載の導電膜パターン。   The conductive film pattern according to claim 1, wherein the insulating layer is formed by disposing insulating ink in a predetermined pattern by an ink jet apparatus. 前記基材が複数の電極領域を所有する半導体基板であり、
前記導電膜パターンは前記複数の電極領域間を接続することを特徴とする請求項3に記載の導電膜パターン。
The substrate is a semiconductor substrate having a plurality of electrode regions;
The conductive film pattern according to claim 3, wherein the conductive film pattern connects the plurality of electrode regions.
前記基材は導電性領域と非導電性領域とを有することを特徴とする請求項1〜3のいずれか1項に記載の導電膜パターン。   The conductive film pattern according to claim 1, wherein the base material has a conductive region and a non-conductive region. 前記基材は導電性インクによる所定のパターンが形成された基材であることを特徴とする請求項5に記載の導電膜パターン。   The conductive film pattern according to claim 5, wherein the base material is a base material on which a predetermined pattern is formed using a conductive ink. 前記インクジェット装置が、吐出孔を有するノズルプレート、吐出孔に連通する圧力室、圧力室内の液体に圧力変動を生じさせる圧力発生素子、及び圧力発生素子に電圧を印加する駆動電圧印加手段、を具備する液滴吐出ヘッドから液滴を吐出させる装置であることを特徴とする請求項1〜6のいずれか1項に記載の導電膜パターン。   The inkjet apparatus includes a nozzle plate having discharge holes, a pressure chamber communicating with the discharge holes, a pressure generating element that causes a pressure fluctuation in the liquid in the pressure chamber, and a driving voltage applying unit that applies a voltage to the pressure generating element. The conductive film pattern according to claim 1, wherein the conductive film pattern is a device that discharges droplets from a droplet discharge head. 前記インクジェット装置が、さらに静電電圧印加手段を有し、前記圧力変動に加えて静電力を利用して液滴を飛翔させる装置であることを特徴とする請求項7に記載の導電膜パターン。   The conductive film pattern according to claim 7, wherein the ink jet apparatus further includes an electrostatic voltage applying unit, and the liquid droplets are ejected using an electrostatic force in addition to the pressure fluctuation. 前記導電性インクは、無電解めっきの触媒能を有することを特徴とする請求項1〜8のいずれか1項に記載の導電膜パターン。   The conductive film pattern according to claim 1, wherein the conductive ink has a catalytic ability for electroless plating. 前記カップリング剤が、チタンカップリング剤、ジルコニアカップリング剤、およびアルミニウムカップリング剤、から選択される少なくとも一種のカップリング剤であることを特徴とする請求項1〜9のいずれか1項に記載の導電膜パターン。   10. The coupling agent according to claim 1, wherein the coupling agent is at least one coupling agent selected from a titanium coupling agent, a zirconia coupling agent, and an aluminum coupling agent. The electrically conductive film pattern of description. 基材の上に、絶縁性インクを配置することにより絶縁層を形成する工程と、
前記絶縁層の上に、フッ素原子を含有しないシランカップリング剤、チタンカップリング剤、ジルコニアカップリング剤、およびアルミニウムカップリング剤から選択される少なくとも一種のカップリング剤によりカップリング剤膜を形成する工程と、
前記カップリング剤膜の上に、インクジェット法により導電性インクを所定のパターンに配置することにより導電層を形成する工程と、を有することを特徴とする導電膜パターンの形成方法。
Forming an insulating layer by disposing an insulating ink on the substrate;
On the insulating layer, a coupling agent film is formed with at least one coupling agent selected from a silane coupling agent not containing a fluorine atom, a titanium coupling agent, a zirconia coupling agent, and an aluminum coupling agent. Process,
Forming a conductive layer on the coupling agent film by disposing a conductive ink in a predetermined pattern by an ink-jet method.
前記絶縁層を形成する工程が、インクジェット法により絶縁性インクを基材の上に配置する工程であることを特徴とする請求項11に記載の導電膜パターンの形成方法。   The method for forming a conductive film pattern according to claim 11, wherein the step of forming the insulating layer is a step of disposing an insulating ink on a substrate by an inkjet method. 前記インクジェット法が、吐出孔を有するノズルプレート、吐出孔に連通する圧力室、圧力室内の液体に圧力変動を生じさせる圧力発生素子、及び圧力発生素子に電圧を印加する駆動電圧印加手段、を具備する液滴吐出ヘッドから液滴を吐出させるインクジェット法であることを特徴とする請求項11または12に記載の導電膜パターンの形成方法。   The inkjet method includes a nozzle plate having discharge holes, a pressure chamber communicating with the discharge holes, a pressure generating element that causes a pressure fluctuation in the liquid in the pressure chamber, and a driving voltage applying unit that applies a voltage to the pressure generating element. The method for forming a conductive film pattern according to claim 11, wherein the method is an inkjet method in which droplets are ejected from a droplet ejection head. 前記インクジェット法が、さらに静電電圧印加手段を有し、前記圧力変動に加えて静電力を利用して液滴を飛翔させるインクジェット法であることを特徴とする請求項13に記載の導電膜パターンの形成方法。   The conductive film pattern according to claim 13, wherein the inkjet method further includes an electrostatic voltage applying unit, and the droplets are ejected using an electrostatic force in addition to the pressure fluctuation. Forming method. 前記カップリング剤が、チタンカップリング剤、ジルコニアカップリング剤、およびアルミニウムカップリング剤から選択される少なくとも一種のカップリング剤であることを特徴とする請求項11〜14のいずれか1項に記載の導電膜パターンの形成方法。   15. The coupling agent according to any one of claims 11 to 14, wherein the coupling agent is at least one coupling agent selected from a titanium coupling agent, a zirconia coupling agent, and an aluminum coupling agent. Forming a conductive film pattern.
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