JP2010181054A - Device and method for heating - Google Patents

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JP2010181054A JP2009023013A JP2009023013A JP2010181054A JP 2010181054 A JP2010181054 A JP 2010181054A JP 2009023013 A JP2009023013 A JP 2009023013A JP 2009023013 A JP2009023013 A JP 2009023013A JP 2010181054 A JP2010181054 A JP 2010181054A
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Mitsuhiro Toyoda
光啓 豊田
Katsushi Kishimoto
克史 岸本
Yutaka Nishi
豊 西
Tomoaki Ozaki
友亮 尾崎
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Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a heating device and method capable of shortening a time necessary for heating a heated object in a vacuum container. <P>SOLUTION: This heating device has the vacuum container 30, and a first gas passage 21a. The vacuum container 30 receives the heated object 11. The first gas passage 21a has a jetting section 22 for directly applying the heated gas to the heated object 11. <P>COPYRIGHT: (C)2010,JPO&amp;INPIT

Description

本発明は、加熱装置および加熱方法に関し、特に、真空容器を有する加熱装置、および真空容器を用いた加熱方法に関するものである。   The present invention relates to a heating device and a heating method, and particularly relates to a heating device having a vacuum vessel and a heating method using the vacuum vessel.

被加熱物を高温状態としつつ低圧下に保持する必要があることがある。このような低圧下では熱伝導が生じにくくなるので、被加熱物が真空中で加熱される場合、加熱に要する時間が長くなってしまう。このため、より短時間で被加熱物を昇温するための技術が提案されている。   It may be necessary to keep the object to be heated under a low pressure while maintaining a high temperature. Since heat conduction is less likely to occur under such a low pressure, when the object to be heated is heated in a vacuum, the time required for heating becomes long. For this reason, the technique for heating up a to-be-heated object in a shorter time is proposed.

たとえば、特開平5−125457号公報(特許文献1)によれば、まず被処理物が投入された炉内が真空にされる。次に所定の温度に昇温された不活性ガスが炉内に供給されて被処理物が不活性ガスの対流により加熱昇温される。次に不活性ガスの供給が中止されて炉内が真空にされる。   For example, according to Japanese Patent Laid-Open No. 5-125457 (Patent Document 1), first, the inside of the furnace into which the workpiece is put is evacuated. Next, the inert gas heated to a predetermined temperature is supplied into the furnace, and the workpiece is heated and heated by convection of the inert gas. Next, the supply of the inert gas is stopped and the inside of the furnace is evacuated.

特開平5−125457号公報JP-A-5-125457

上記の方法では、加熱に要する時間が不活性ガスの対流によって短くなるものの、その効果が不十分なことがあるという問題がある。   In the above method, although the time required for heating is shortened by the convection of the inert gas, there is a problem that the effect may be insufficient.

それゆえ本発明の目的は、真空容器中において被加熱物を加熱するのに要する時間を短くすることができる加熱装置および加熱方法を提供することである。   Therefore, an object of the present invention is to provide a heating apparatus and a heating method that can shorten the time required to heat an object to be heated in a vacuum vessel.

本発明の加熱装置は、真空容器と、第1のガス経路とを有する。真空容器は被加熱物を収納するためのものである。第1のガス経路は、加熱されたガスを被加熱物に直接吹き付けるための噴出部を有する。   The heating device of the present invention has a vacuum vessel and a first gas path. The vacuum container is for storing an object to be heated. The first gas path has an ejection part for directly blowing the heated gas onto the object to be heated.

本発明の加熱装置によれば、加熱されたガスが被加熱物に直接吹き付けられるので、被加熱物を効率的に加熱することができる。よって被加熱物を加熱するのに要する時間を短くすることができる。   According to the heating device of the present invention, since the heated gas is directly blown onto the object to be heated, the object to be heated can be efficiently heated. Therefore, the time required to heat the article to be heated can be shortened.

好ましくは、被加熱物は基板を含む。これにより基板を加熱することができる。
好ましくは、被加熱物は、基板を載せるためのトレイを含む。これにより基板の搬送にトレイを用いることができる。
Preferably, the article to be heated includes a substrate. Thereby, the substrate can be heated.
Preferably, the object to be heated includes a tray on which the substrate is placed. Thereby, a tray can be used for conveyance of a board | substrate.

好ましくは、噴出部は複数の噴出口を有する。これにより被加熱物をより均等に加熱することができる。   Preferably, the ejection part has a plurality of ejection ports. Thereby, a to-be-heated material can be heated more uniformly.

好ましくは、加熱装置は、真空容器の中に被加熱物を支持するための支持面を有する支持部をさらに有する。これにより被加熱物を保持することができる。   Preferably, the heating device further includes a support portion having a support surface for supporting an object to be heated in the vacuum vessel. Thereby, an object to be heated can be held.

好ましくは、支持部は複数の段を有する。これにより1回の加熱で複数の被加熱物を加熱することができる。   Preferably, the support part has a plurality of steps. Thus, a plurality of objects to be heated can be heated by one heating.

好ましくは、噴出部は支持面上に配置されている。これによりガスを被加熱物の支持される面に直接吹き付けることができる。   Preferably, the ejection portion is disposed on the support surface. Thereby, gas can be sprayed directly on the surface by which a to-be-heated material is supported.

好ましくは、支持部は、被加熱物および第1ガス経路の両方を加熱するためのヒータを含む。これにより被加熱物を、ガスにより加熱するだけでなく、ガスが介在しない熱伝導によっても加熱することができる。   Preferably, the support portion includes a heater for heating both the object to be heated and the first gas path. Thus, the object to be heated can be heated not only by the gas but also by heat conduction without gas.

好ましくは、加熱装置は、ガスを加熱するためのヒータを真空容器の外にさらに有する。これによりヒータを真空容器の外に設けることができる。   Preferably, the heating device further includes a heater for heating the gas outside the vacuum vessel. Thus, the heater can be provided outside the vacuum container.

好ましくは、加熱装置は、真空容器の中に拡散されたガスを第1のガス経路に戻すための第2のガス経路をさらに有する。これによりガスを再利用することができる。   Preferably, the heating device further includes a second gas path for returning the gas diffused into the vacuum vessel to the first gas path. Thereby, gas can be reused.

本発明の加熱方法は、以下の工程を有する。
真空容器に被加熱物が収納される。加熱されたガスを被加熱物に直接吹き付けることにより被加熱物が加熱される。
The heating method of the present invention includes the following steps.
An object to be heated is stored in the vacuum container. The heated object is heated by directly spraying the heated gas onto the heated object.

本発明の加熱方法によれば、加熱されたガスが被加熱物に直接吹き付けられるので、被加熱物を効率的に加熱することができる。これにより、被加熱物を加熱するのに要する時間を短くすることができる。   According to the heating method of the present invention, since the heated gas is directly sprayed on the object to be heated, the object to be heated can be efficiently heated. Thereby, the time required to heat the article to be heated can be shortened.

好ましくは、被加熱物が加熱された後に、真空容器が真空引きされる。これにより加熱された被加熱物を真空中に保持することができる。   Preferably, the vacuum container is evacuated after the object to be heated is heated. Thus, the heated object to be heated can be held in a vacuum.

好ましくは、真空容器の圧力が保持されながら、被加熱物が加熱される。これにより減圧され続ける場合に比して真空容器中の圧力を高く保持することができるので、被加熱物をより効率的に加熱することができる。よって被加熱物を加熱するのに要する時間をより短くすることができる。   Preferably, the object to be heated is heated while the pressure in the vacuum vessel is maintained. As a result, the pressure in the vacuum vessel can be kept high as compared with the case where the pressure is continuously reduced, so that the heated object can be heated more efficiently. Therefore, the time required to heat the object to be heated can be further shortened.

好ましくは、被加熱物が加熱される際、真空容器から回収されたガスが被加熱物に再度吹き付けられる。これによりガスを再利用することができる。   Preferably, when the object to be heated is heated, the gas recovered from the vacuum vessel is sprayed again on the object to be heated. Thereby, gas can be reused.

以上説明したように、本発明によれば、被加熱物を加熱するのに要する時間を短くすることができる。   As described above, according to the present invention, the time required to heat the object to be heated can be shortened.

本発明の一実施の形態における加熱装置の構成を概略的に示す断面図である。It is sectional drawing which shows schematically the structure of the heating apparatus in one embodiment of this invention. 図1の支持部の支持面を概略的に示す平面図である。It is a top view which shows schematically the support surface of the support part of FIG. 比較例の加熱装置の構成を概略的に示す断面図である。It is sectional drawing which shows the structure of the heating apparatus of a comparative example roughly. 表1の測定点を概略的に示す平面図である。FIG. 2 is a plan view schematically showing measurement points in Table 1.

以下、本発明の実施の形態について図に基づいて説明する。
図1および図2を参照して、本実施の形態の加熱装置100は、真空容器30と、ガス導入管21a(第1のガス経路)と、ガス回収管21b(第2のガス経路)と、ステージ20(支持部)と、ヒータ23と、ロータリーポンプ41と、メカニカルブースタポンプ(MBP)42と、バルブ43と、ガス循環機50とを有する。
Hereinafter, embodiments of the present invention will be described with reference to the drawings.
Referring to FIGS. 1 and 2, heating device 100 of the present embodiment includes a vacuum vessel 30, a gas introduction pipe 21a (first gas path), a gas recovery pipe 21b (second gas path), and , Stage 20 (support part), heater 23, rotary pump 41, mechanical booster pump (MBP) 42, valve 43, and gas circulator 50.

真空容器30は被加熱物を収納するためのものである。被加熱物は、基板10と、基板10を載せるためのトレイ(セッター)11とを含む。   The vacuum container 30 is for storing an object to be heated. The object to be heated includes a substrate 10 and a tray (setter) 11 on which the substrate 10 is placed.

ステージ20は、真空容器30の中にトレイ11を支持するための支持面(図1における上面)を有する。またステージ20は、トレイ11およびガス導入管21aの両方を加熱するためのヒータ23を含む。またステージ20は、複数の段(図1における上段および下段)を有する。   The stage 20 has a support surface (upper surface in FIG. 1) for supporting the tray 11 in the vacuum container 30. The stage 20 includes a heater 23 for heating both the tray 11 and the gas introduction pipe 21a. The stage 20 has a plurality of stages (upper and lower stages in FIG. 1).

ガス導入管21aは、加熱されたガスをトレイ11に直接吹き付けるための噴出部として、複数の噴出口22を有する。噴出口22はステージ20の支持面上に配置されている。またガス導入管21aの一部はステージ20内を通っている。   The gas introduction pipe 21 a has a plurality of jet outlets 22 as jet parts for blowing the heated gas directly onto the tray 11. The jet port 22 is disposed on the support surface of the stage 20. A part of the gas introduction pipe 21 a passes through the stage 20.

ガス回収管21bは、真空容器30の中に拡散されたガスをガス導入管21aに戻すためのものである。ガス循環機50は、ガス導入管21a、真空容器30およびガス回収管21bからなる経路において矢印(図1)で示すようにガスを循環させるためのものである。   The gas recovery pipe 21b is for returning the gas diffused into the vacuum vessel 30 to the gas introduction pipe 21a. The gas circulator 50 is for circulating gas as shown by an arrow (FIG. 1) in a path including the gas introduction pipe 21a, the vacuum vessel 30 and the gas recovery pipe 21b.

次に本実施の形態における加熱方法について説明する。
まず基板10を載せたトレイ11が真空容器30に収納される。次にバルブ43が開けられた状態でロータリーポンプ41とメカニカルブースタポンプ42とを用いて真空容器30が真空引きされる。真空容器30が所定の圧力まで減圧された時点で、バルブ43が閉じられる。
Next, the heating method in this Embodiment is demonstrated.
First, the tray 11 on which the substrate 10 is placed is stored in the vacuum container 30. Next, the vacuum vessel 30 is evacuated using the rotary pump 41 and the mechanical booster pump 42 with the valve 43 opened. When the vacuum vessel 30 is depressurized to a predetermined pressure, the valve 43 is closed.

次にガス導入管21aのうちステージ20内に位置する部分がヒータ23によって加熱される。そしてガス導入管21aにガスが通される。このガスは、高い熱伝導率を有するものであることが好ましく、たとえば水素またはヘリウムである。ガス導入管21aのヒータ23によって加熱された部分をガスが通ることで、ガスが加熱される。加熱されたガスは、噴出口22から噴出され、トレイ11に直接吹き付けられる。これによりトレイ11が加熱される。   Next, a portion of the gas introduction pipe 21 a located in the stage 20 is heated by the heater 23. Then, gas is passed through the gas introduction pipe 21a. This gas preferably has a high thermal conductivity, for example hydrogen or helium. The gas is heated by passing the gas through the portion heated by the heater 23 of the gas introduction pipe 21a. The heated gas is ejected from the ejection port 22 and blown directly onto the tray 11. Thereby, the tray 11 is heated.

吹き付けられたガスは真空容器30内を拡散する。拡散されたガスは、ガス循環機50の作用によって、真空容器30からガス回収管21bへと回収された後、ガス導入管21aに戻される。戻されたガスは、上記と同様に、再び加熱された後にトレイ11に再び吹き付けられる。よってガスは、ガス導入管21a、真空容器30およびガス回収管21bからなる経路を循環する。この際、バルブ43が閉じられているので、真空容器30内の圧力は所定の圧力に保持される。この圧力は、たとえば100Pa以上、大気圧以下である。   The sprayed gas diffuses in the vacuum container 30. The diffused gas is recovered from the vacuum vessel 30 to the gas recovery pipe 21b by the action of the gas circulator 50, and then returned to the gas introduction pipe 21a. The returned gas is again heated and then blown again onto the tray 11 as described above. Therefore, the gas circulates through a path including the gas introduction pipe 21a, the vacuum vessel 30, and the gas recovery pipe 21b. At this time, since the valve 43 is closed, the pressure in the vacuum vessel 30 is maintained at a predetermined pressure. This pressure is, for example, 100 Pa or more and atmospheric pressure or less.

上記のようにトレイ11が加熱されると、トレイ11からの熱伝導によって基板10が加熱される。基板10が所定の温度に達した時点でガス循環機50が停止される。そしてバルブ43が開けられることで真空容器30が真空引きされる。   When the tray 11 is heated as described above, the substrate 10 is heated by heat conduction from the tray 11. When the substrate 10 reaches a predetermined temperature, the gas circulator 50 is stopped. Then, the vacuum container 30 is evacuated by opening the valve 43.

以上により、基板10が高温状態とされ、かつ低圧下に保持される。
次に比較例の加熱装置900(図3)を用いた加熱方法について説明する。
As described above, the substrate 10 is brought into a high temperature state and kept under a low pressure.
Next, a heating method using the heating apparatus 900 (FIG. 3) of the comparative example will be described.

まず基板10を載せたトレイ11が真空容器30に収納される。次にバルブ43が開けられた状態でロータリーポンプ41とメカニカルブースタポンプ42とを用いて真空容器30が真空引きされる。真空容器30が所定の圧力まで減圧された時点でバルブ43が閉じられる。この圧力は、たとえば1〜20Paである。   First, the tray 11 on which the substrate 10 is placed is stored in the vacuum container 30. Next, the vacuum vessel 30 is evacuated using the rotary pump 41 and the mechanical booster pump 42 with the valve 43 opened. When the vacuum vessel 30 is depressurized to a predetermined pressure, the valve 43 is closed. This pressure is, for example, 1 to 20 Pa.

次にヒータ23によってステージ20が加熱される。そしてトレイ11が、主にステージ20からの熱伝導によって加熱される。この熱伝導は真空容器30内が減圧されていることによって抑制されるので、トレイ11の加熱効率は低くなる。同様にトレイ11と基板10との間の熱伝導も抑制されるので、トレイ11による基板10の加熱の効率も低くなる。この結果、基板10を加熱するのに要する時間が長くなってしまう。   Next, the stage 20 is heated by the heater 23. The tray 11 is heated mainly by heat conduction from the stage 20. Since this heat conduction is suppressed by reducing the pressure in the vacuum container 30, the heating efficiency of the tray 11 is lowered. Similarly, since heat conduction between the tray 11 and the substrate 10 is suppressed, the efficiency of heating the substrate 10 by the tray 11 is also reduced. As a result, the time required to heat the substrate 10 becomes long.

これに対して本実施の形態によれば、加熱されたガスがトレイ11に直接吹き付けられるので、トレイ11を効率的に加熱することができる。これによりトレイ11に載せられた基板10も効率的に加熱される。よって基板10を加熱するのに要する時間を短くすることができる。   On the other hand, according to this Embodiment, since the heated gas is sprayed directly on the tray 11, the tray 11 can be heated efficiently. Thereby, the substrate 10 placed on the tray 11 is also efficiently heated. Therefore, the time required for heating the substrate 10 can be shortened.

また噴出されたガスの一部はトレイ11と基板10との間へ拡散する。このガスは、トレイ11から基板10への熱伝導を促進する。これにより基板10を加熱するのに要する時間を短くすることができる。   A part of the ejected gas diffuses between the tray 11 and the substrate 10. This gas promotes heat conduction from the tray 11 to the substrate 10. As a result, the time required to heat the substrate 10 can be shortened.

また複数の噴出口22が設けられることで、噴出口が1つしか設けられない場合に比して、トレイ11をより均等に加熱することができる。よって基板10をより均等に加熱することができる。   Further, the provision of the plurality of ejection ports 22 makes it possible to heat the tray 11 more evenly than when only one ejection port is provided. Therefore, the substrate 10 can be heated more evenly.

またステージ20は複数の段を有するので、1回の加熱で複数の基板10を加熱することができる。   Moreover, since the stage 20 has a plurality of stages, the plurality of substrates 10 can be heated by one heating.

またガス回収管21bが設けられることで、真空容器30内に拡散したガスを基板10の加熱のために再利用することができる。   Further, by providing the gas recovery pipe 21 b, the gas diffused in the vacuum container 30 can be reused for heating the substrate 10.

またガスを用いた加熱の際に、真空容器30内の圧力は所定の圧力に保持される。これにより、真空容器30が減圧され続ける場合に比して、真空容器30中の圧力を高く保持することができる。よってトレイ11をより効率的に加熱することができ、かつトレイ11と基板10との間の熱伝導を促進することができる。よって基板10を加熱するのに要する時間をより短くすることができる。   Further, the pressure in the vacuum vessel 30 is maintained at a predetermined pressure during the heating using the gas. Thereby, the pressure in the vacuum vessel 30 can be kept high compared with the case where the vacuum vessel 30 is continuously decompressed. Therefore, the tray 11 can be heated more efficiently and heat conduction between the tray 11 and the substrate 10 can be promoted. Therefore, the time required for heating the substrate 10 can be further shortened.

以上説明したように、本実施の形態によれば、基板10を加熱するのに要する時間を短くすることができる。その検証結果について、本実施の形態の実施例を比較例と対照しつつ、以下に説明する。   As described above, according to the present embodiment, the time required for heating the substrate 10 can be shortened. The verification result will be described below while comparing the example of the present embodiment with the comparative example.

本実施の形態の実施例として、上記ガスとして窒素ガスが使用され、また基板10の目標温度が200℃とされて、基板10の加熱が行なわれた。加熱開始から2時間後に、基板10の測定点A〜I(図4)の各々の温度が測定された。また比較例についても同様の測定が行なわれた。この結果を表1に示す。   As an example of the present embodiment, nitrogen gas was used as the gas, and the substrate 10 was heated at a target temperature of 200 ° C. Two hours after the start of heating, the temperatures of the measurement points A to I (FIG. 4) of the substrate 10 were measured. The same measurement was performed for the comparative example. The results are shown in Table 1.

Figure 2010181054
Figure 2010181054

比較例では、基板10の温度は130〜190℃の分布を有していた。すなわち、基板10の温度は未だ目標温度には達しておらず、かつ温度分布の均一性は低かった。一方、本実施例によれば、基板10の温度は199〜201℃の分布を有していた。すなわち、基板10の温度は目標温度に達しており、かつ温度分布の均一性は高かった。   In the comparative example, the temperature of the substrate 10 had a distribution of 130 to 190 ° C. That is, the temperature of the substrate 10 has not yet reached the target temperature, and the uniformity of the temperature distribution is low. On the other hand, according to the present Example, the temperature of the board | substrate 10 had distribution of 199-201 degreeC. That is, the temperature of the substrate 10 reached the target temperature, and the uniformity of the temperature distribution was high.

この結果から、本実施の形態によれば基板10を、短時間で均一に加熱することができることがわかった。   From this result, it was found that the substrate 10 can be heated uniformly in a short time according to the present embodiment.

なお本実施の形態においては基板10はステージ20にトレイ11を介して支持されるが、本発明はこれに限定されるものではなく、たとえば基板10がステージ20に直接支持されてもよい。この場合、加熱されたガスは基板10に直接吹き付けられる。   In the present embodiment, the substrate 10 is supported on the stage 20 via the tray 11, but the present invention is not limited to this. For example, the substrate 10 may be directly supported on the stage 20. In this case, the heated gas is blown directly onto the substrate 10.

また本実施の形態においてはガスを加熱するためのヒータが真空容器30内に設けられているが、本発明はこれに限定されるものではなく、たとえばガスを加熱するためのヒータが真空容器30の外に設けられてもよい。   In the present embodiment, the heater for heating the gas is provided in the vacuum container 30, but the present invention is not limited to this, and for example, the heater for heating the gas is the vacuum container 30. It may be provided outside.

今回開示された実施の形態はすべての点で例示であって制限的なものではないと考えられるべきである。本発明の範囲は上記した説明ではなくて特許請求の範囲によって示され、特許請求の範囲と均等の意味および範囲内でのすべての変更が含まれることが意図される。   The embodiment disclosed this time should be considered as illustrative in all points and not restrictive. The scope of the present invention is defined by the terms of the claims, rather than the description above, and is intended to include any modifications within the scope and meaning equivalent to the terms of the claims.

本発明は、真空容器を有する加熱装置、および真空容器を用いた加熱方法に特に有利に適用することができる。   The present invention can be applied particularly advantageously to a heating apparatus having a vacuum vessel and a heating method using the vacuum vessel.

10 基板、11 トレイ(被加熱物)、20 ステージ(支持部)、21a ガス導入管(第1のガス経路)、21b ガス回収管(第2のガス経路)、22 噴出口、23 ヒータ、30 真空容器、41 ロータリーポンプ、42 メカニカルブースタポンプ、43 バルブ、50 ガス循環機、100 加熱装置。   DESCRIPTION OF SYMBOLS 10 Substrate, 11 Tray (object to be heated), 20 Stage (support part), 21a Gas introduction pipe (first gas path), 21b Gas recovery pipe (second gas path), 22 Jet port, 23 Heater, 30 Vacuum container, 41 rotary pump, 42 mechanical booster pump, 43 valve, 50 gas circulator, 100 heating device.

Claims (14)

被加熱物を収納するための真空容器と、
加熱されたガスを前記被加熱物に直接吹き付けるための噴出部を有する第1のガス経路とを備えた、加熱装置。
A vacuum container for storing an object to be heated;
A heating device comprising: a first gas path having a jetting part for directly blowing heated gas onto the object to be heated.
前記被加熱物は基板を含む、請求項1に記載の加熱装置。   The heating apparatus according to claim 1, wherein the object to be heated includes a substrate. 前記被加熱物は、前記基板を載せるためのトレイを含む、請求項2に記載の加熱装置。   The heating apparatus according to claim 2, wherein the object to be heated includes a tray on which the substrate is placed. 前記噴出部は複数の噴出口を有する、請求項1〜3のいずれかに記載の加熱装置。   The heating device according to claim 1, wherein the ejection portion has a plurality of ejection ports. 前記真空容器の中に前記被加熱物を支持するための支持面を有する支持部をさらに備えた、請求項1〜4のいずれかに記載の加熱装置。   The heating apparatus according to any one of claims 1 to 4, further comprising a support portion having a support surface for supporting the object to be heated in the vacuum vessel. 前記支持部は複数の段を有する、請求項5に記載の加熱装置。   The heating device according to claim 5, wherein the support portion has a plurality of steps. 前記噴出部は前記支持面上に配置されている、請求項5または6に記載の加熱装置。   The heating device according to claim 5 or 6, wherein the ejection portion is disposed on the support surface. 前記支持部は、前記被加熱物および前記第1ガス経路の両方を加熱するためのヒータを含む、請求項5〜7のいずれかに記載の加熱装置。   The said support part is a heating apparatus in any one of Claims 5-7 containing the heater for heating both the said to-be-heated material and the said 1st gas path | route. 前記ガスを加熱するためのヒータを前記真空容器の外にさらに備えた、請求項1〜7のいずれかに記載の加熱装置。   The heating apparatus according to any one of claims 1 to 7, further comprising a heater for heating the gas outside the vacuum vessel. 前記真空容器の中に拡散された前記ガスを前記第1のガス経路に戻すための第2のガス経路をさらに備えた、請求項1〜9のいずれかに記載の加熱装置。   The heating apparatus according to any one of claims 1 to 9, further comprising a second gas path for returning the gas diffused into the vacuum vessel to the first gas path. 真空容器に被加熱物を収納する工程と、
加熱されたガスを前記被加熱物に直接吹き付けることにより前記被加熱物を加熱する工程とを備えた、加熱方法。
Storing the object to be heated in a vacuum vessel;
Heating the heated object by directly blowing heated gas onto the heated object.
前記加熱する工程の後に、前記真空容器を真空引きする工程をさらに備えた、請求項11に記載の加熱方法。   The heating method according to claim 11, further comprising a step of evacuating the vacuum vessel after the heating step. 前記加熱する工程は、前記真空容器の圧力を保持しながら行なわれる、請求項11または12に記載の加熱方法。   The heating method according to claim 11 or 12, wherein the heating step is performed while maintaining a pressure of the vacuum vessel. 前記加熱する工程は、前記真空容器から回収された前記ガスを前記被加熱物に再度吹き付ける工程を含む、請求項11〜13のいずれかに記載の加熱方法。   The heating method according to any one of claims 11 to 13, wherein the heating step includes a step of spraying the gas recovered from the vacuum vessel again on the object to be heated.
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Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH11506821A (en) * 1995-06-07 1999-06-15 ブルックス オートメーション インコーポレイテッド Inert gas substrate temperature control apparatus and method
JP2002222804A (en) * 2001-01-25 2002-08-09 Tokyo Electron Ltd Heat treatment method and device thereof

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH11506821A (en) * 1995-06-07 1999-06-15 ブルックス オートメーション インコーポレイテッド Inert gas substrate temperature control apparatus and method
JP2002222804A (en) * 2001-01-25 2002-08-09 Tokyo Electron Ltd Heat treatment method and device thereof

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