JP2010179360A - Flux, solder paste, and joined part - Google Patents
Flux, solder paste, and joined part Download PDFInfo
- Publication number
- JP2010179360A JP2010179360A JP2009027623A JP2009027623A JP2010179360A JP 2010179360 A JP2010179360 A JP 2010179360A JP 2009027623 A JP2009027623 A JP 2009027623A JP 2009027623 A JP2009027623 A JP 2009027623A JP 2010179360 A JP2010179360 A JP 2010179360A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- flux
- solder paste
- substrate
- solder
- acid
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 230000004907 flux Effects 0.000 title claims abstract description 88
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 title claims abstract description 64
- -1 aromatic aldehyde compound Chemical class 0.000 claims abstract description 26
- 239000000843 powder Substances 0.000 claims abstract description 17
- 125000003172 aldehyde group Chemical group 0.000 claims abstract description 12
- 238000009835 boiling Methods 0.000 claims description 10
- 238000005476 soldering Methods 0.000 abstract description 24
- 238000005304 joining Methods 0.000 abstract description 11
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 38
- 150000002430 hydrocarbons Chemical group 0.000 description 19
- 150000001491 aromatic compounds Chemical class 0.000 description 18
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 18
- 150000007824 aliphatic compounds Chemical class 0.000 description 16
- LEQAOMBKQFMDFZ-UHFFFAOYSA-N glyoxal Chemical compound O=CC=O LEQAOMBKQFMDFZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 12
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 12
- 238000000034 method Methods 0.000 description 9
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 8
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 7
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- UHOVQNZJYSORNB-UHFFFAOYSA-N Benzene Chemical compound C1=CC=CC=C1 UHOVQNZJYSORNB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 6
- 229940015043 glyoxal Drugs 0.000 description 6
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 6
- 230000008569 process Effects 0.000 description 6
- 230000001603 reducing effect Effects 0.000 description 6
- QPLDLSVMHZLSFG-UHFFFAOYSA-N Copper oxide Chemical compound [Cu]=O QPLDLSVMHZLSFG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 239000005751 Copper oxide Substances 0.000 description 5
- LYCAIKOWRPUZTN-UHFFFAOYSA-N Ethylene glycol Chemical compound OCCO LYCAIKOWRPUZTN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- SXRSQZLOMIGNAQ-UHFFFAOYSA-N Glutaraldehyde Chemical compound O=CCCCC=O SXRSQZLOMIGNAQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 239000012190 activator Substances 0.000 description 5
- 239000004840 adhesive resin Substances 0.000 description 5
- 229920006223 adhesive resin Polymers 0.000 description 5
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 5
- 229910000431 copper oxide Inorganic materials 0.000 description 5
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 5
- XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N tin dioxide Chemical compound O=[Sn]=O XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 229910001887 tin oxide Inorganic materials 0.000 description 5
- DNIAPMSPPWPWGF-UHFFFAOYSA-N Propylene glycol Chemical compound CC(O)CO DNIAPMSPPWPWGF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 4
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 4
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 4
- 238000004898 kneading Methods 0.000 description 4
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 4
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 4
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 4
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 4
- 229930195735 unsaturated hydrocarbon Natural products 0.000 description 4
- KJPRLNWUNMBNBZ-QPJJXVBHSA-N (E)-cinnamaldehyde Chemical compound O=C\C=C\C1=CC=CC=C1 KJPRLNWUNMBNBZ-QPJJXVBHSA-N 0.000 description 3
- RSWGJHLUYNHPMX-UHFFFAOYSA-N Abietic-Saeure Natural products C12CCC(C(C)C)=CC2=CCC2C1(C)CCCC2(C)C(O)=O RSWGJHLUYNHPMX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N Hydrochloric acid Chemical class Cl VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- OFOBLEOULBTSOW-UHFFFAOYSA-N Malonic acid Chemical compound OC(=O)CC(O)=O OFOBLEOULBTSOW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- MUBZPKHOEPUJKR-UHFFFAOYSA-N Oxalic acid Chemical compound OC(=O)C(O)=O MUBZPKHOEPUJKR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- KHPCPRHQVVSZAH-HUOMCSJISA-N Rosin Natural products O(C/C=C/c1ccccc1)[C@H]1[C@H](O)[C@@H](O)[C@@H](O)[C@@H](CO)O1 KHPCPRHQVVSZAH-HUOMCSJISA-N 0.000 description 3
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N Toluene Chemical compound CC1=CC=CC=C1 YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- ZMANZCXQSJIPKH-UHFFFAOYSA-N Triethylamine Chemical compound CCN(CC)CC ZMANZCXQSJIPKH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000009471 action Effects 0.000 description 3
- 150000001298 alcohols Chemical class 0.000 description 3
- 239000007864 aqueous solution Substances 0.000 description 3
- HQABUPZFAYXKJW-UHFFFAOYSA-N butan-1-amine Chemical compound CCCCN HQABUPZFAYXKJW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229940117916 cinnamic aldehyde Drugs 0.000 description 3
- KJPRLNWUNMBNBZ-UHFFFAOYSA-N cinnamic aldehyde Natural products O=CC=CC1=CC=CC=C1 KJPRLNWUNMBNBZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- KRKNYBCHXYNGOX-UHFFFAOYSA-N citric acid Chemical compound OC(=O)CC(O)(C(O)=O)CC(O)=O KRKNYBCHXYNGOX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- MTHSVFCYNBDYFN-UHFFFAOYSA-N diethylene glycol Chemical compound OCCOCCO MTHSVFCYNBDYFN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- UAOMVDZJSHZZME-UHFFFAOYSA-N diisopropylamine Chemical compound CC(C)NC(C)C UAOMVDZJSHZZME-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000011256 inorganic filler Substances 0.000 description 3
- 229910003475 inorganic filler Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 3
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 3
- 229930195734 saturated hydrocarbon Natural products 0.000 description 3
- 239000013008 thixotropic agent Substances 0.000 description 3
- KHPCPRHQVVSZAH-UHFFFAOYSA-N trans-cinnamyl beta-D-glucopyranoside Natural products OC1C(O)C(O)C(CO)OC1OCC=CC1=CC=CC=C1 KHPCPRHQVVSZAH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- FZXRXKLUIMKDEL-UHFFFAOYSA-N 2-Methylpropyl propanoate Chemical compound CCC(=O)OCC(C)C FZXRXKLUIMKDEL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- YGCZTXZTJXYWCO-UHFFFAOYSA-N 3-phenylpropanal Chemical compound O=CCCC1=CC=CC=C1 YGCZTXZTJXYWCO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- HCFAJYNVAYBARA-UHFFFAOYSA-N 4-heptanone Chemical compound CCCC(=O)CCC HCFAJYNVAYBARA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- LCGLNKUTAGEVQW-UHFFFAOYSA-N Dimethyl ether Chemical compound COC LCGLNKUTAGEVQW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- ROSDSFDQCJNGOL-UHFFFAOYSA-N Dimethylamine Chemical compound CNC ROSDSFDQCJNGOL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- QUSNBJAOOMFDIB-UHFFFAOYSA-N Ethylamine Chemical compound CCN QUSNBJAOOMFDIB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- VZCYOOQTPOCHFL-OWOJBTEDSA-N Fumaric acid Chemical compound OC(=O)\C=C\C(O)=O VZCYOOQTPOCHFL-OWOJBTEDSA-N 0.000 description 2
- KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N Isopropanol Chemical compound CC(C)O KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- BAVYZALUXZFZLV-UHFFFAOYSA-N Methylamine Chemical compound NC BAVYZALUXZFZLV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- LRHPLDYGYMQRHN-UHFFFAOYSA-N N-Butanol Chemical compound CCCCO LRHPLDYGYMQRHN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- UFWIBTONFRDIAS-UHFFFAOYSA-N Naphthalene Chemical compound C1=CC=CC2=CC=CC=C21 UFWIBTONFRDIAS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 2
- WNLRTRBMVRJNCN-UHFFFAOYSA-N adipic acid Chemical compound OC(=O)CCCCC(O)=O WNLRTRBMVRJNCN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 150000007933 aliphatic carboxylic acids Chemical class 0.000 description 2
- 239000012298 atmosphere Substances 0.000 description 2
- HUMNYLRZRPPJDN-UHFFFAOYSA-N benzaldehyde Chemical compound O=CC1=CC=CC=C1 HUMNYLRZRPPJDN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- WPYMKLBDIGXBTP-UHFFFAOYSA-N benzoic acid Chemical compound OC(=O)C1=CC=CC=C1 WPYMKLBDIGXBTP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 2
- 229910052797 bismuth Inorganic materials 0.000 description 2
- DKPFZGUDAPQIHT-UHFFFAOYSA-N butyl acetate Chemical compound CCCCOC(C)=O DKPFZGUDAPQIHT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 125000004432 carbon atom Chemical group C* 0.000 description 2
- 150000001735 carboxylic acids Chemical class 0.000 description 2
- 238000013329 compounding Methods 0.000 description 2
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 2
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 2
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 2
- UKMSUNONTOPOIO-UHFFFAOYSA-N docosanoic acid Chemical compound CCCCCCCCCCCCCCCCCCCCCC(O)=O UKMSUNONTOPOIO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- POULHZVOKOAJMA-UHFFFAOYSA-N dodecanoic acid Chemical compound CCCCCCCCCCCC(O)=O POULHZVOKOAJMA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 2
- LZCLXQDLBQLTDK-UHFFFAOYSA-N ethyl 2-hydroxypropanoate Chemical compound CCOC(=O)C(C)O LZCLXQDLBQLTDK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XLLIQLLCWZCATF-UHFFFAOYSA-N ethylene glycol monomethyl ether acetate Natural products COCCOC(C)=O XLLIQLLCWZCATF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- CATSNJVOTSVZJV-UHFFFAOYSA-N heptan-2-one Chemical compound CCCCCC(C)=O CATSNJVOTSVZJV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- NGAZZOYFWWSOGK-UHFFFAOYSA-N heptan-3-one Chemical compound CCCCC(=O)CC NGAZZOYFWWSOGK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- IPCSVZSSVZVIGE-UHFFFAOYSA-N hexadecanoic acid Chemical compound CCCCCCCCCCCCCCCC(O)=O IPCSVZSSVZVIGE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- VKOBVWXKNCXXDE-UHFFFAOYSA-N icosanoic acid Chemical compound CCCCCCCCCCCCCCCCCCCC(O)=O VKOBVWXKNCXXDE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- MLFHJEHSLIIPHL-UHFFFAOYSA-N isoamyl acetate Chemical compound CC(C)CCOC(C)=O MLFHJEHSLIIPHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- JVTAAEKCZFNVCJ-UHFFFAOYSA-N lactic acid Chemical compound CC(O)C(O)=O JVTAAEKCZFNVCJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 2
- BDJRBEYXGGNYIS-UHFFFAOYSA-N nonanedioic acid Chemical compound OC(=O)CCCCCCCC(O)=O BDJRBEYXGGNYIS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000003960 organic solvent Substances 0.000 description 2
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 2
- PGMYKACGEOXYJE-UHFFFAOYSA-N pentyl acetate Chemical compound CCCCCOC(C)=O PGMYKACGEOXYJE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- WLJVNTCWHIRURA-UHFFFAOYSA-N pimelic acid Chemical compound OC(=O)CCCCCC(O)=O WLJVNTCWHIRURA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 2
- 229920000098 polyolefin Polymers 0.000 description 2
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 2
- WGYKZJWCGVVSQN-UHFFFAOYSA-N propylamine Chemical compound CCCN WGYKZJWCGVVSQN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 235000013772 propylene glycol Nutrition 0.000 description 2
- CXMXRPHRNRROMY-UHFFFAOYSA-N sebacic acid Chemical compound OC(=O)CCCCCCCCC(O)=O CXMXRPHRNRROMY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 2
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 2
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 2
- 229920001187 thermosetting polymer Polymers 0.000 description 2
- VZCYOOQTPOCHFL-UHFFFAOYSA-N trans-butenedioic acid Natural products OC(=O)C=CC(O)=O VZCYOOQTPOCHFL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- GETQZCLCWQTVFV-UHFFFAOYSA-N trimethylamine Chemical compound CN(C)C GETQZCLCWQTVFV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000001993 wax Substances 0.000 description 2
- LNAZSHAWQACDHT-XIYTZBAFSA-N (2r,3r,4s,5r,6s)-4,5-dimethoxy-2-(methoxymethyl)-3-[(2s,3r,4s,5r,6r)-3,4,5-trimethoxy-6-(methoxymethyl)oxan-2-yl]oxy-6-[(2r,3r,4s,5r,6r)-4,5,6-trimethoxy-2-(methoxymethyl)oxan-3-yl]oxyoxane Chemical compound CO[C@@H]1[C@@H](OC)[C@H](OC)[C@@H](COC)O[C@H]1O[C@H]1[C@H](OC)[C@@H](OC)[C@H](O[C@H]2[C@@H]([C@@H](OC)[C@H](OC)O[C@@H]2COC)OC)O[C@@H]1COC LNAZSHAWQACDHT-XIYTZBAFSA-N 0.000 description 1
- OYHQOLUKZRVURQ-NTGFUMLPSA-N (9Z,12Z)-9,10,12,13-tetratritiooctadeca-9,12-dienoic acid Chemical compound C(CCCCCCC\C(=C(/C\C(=C(/CCCCC)\[3H])\[3H])\[3H])\[3H])(=O)O OYHQOLUKZRVURQ-NTGFUMLPSA-N 0.000 description 1
- WRIDQFICGBMAFQ-UHFFFAOYSA-N (E)-8-Octadecenoic acid Natural products CCCCCCCCCC=CCCCCCCC(O)=O WRIDQFICGBMAFQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BJEPYKJPYRNKOW-REOHCLBHSA-N (S)-malic acid Chemical compound OC(=O)[C@@H](O)CC(O)=O BJEPYKJPYRNKOW-REOHCLBHSA-N 0.000 description 1
- RBNPOMFGQQGHHO-UHFFFAOYSA-N -2,3-Dihydroxypropanoic acid Natural products OCC(O)C(O)=O RBNPOMFGQQGHHO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VPBZZPOGZPKYKX-UHFFFAOYSA-N 1,2-diethoxypropane Chemical compound CCOCC(C)OCC VPBZZPOGZPKYKX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PVMMVWNXKOSPRB-UHFFFAOYSA-N 1,2-dipropoxypropane Chemical compound CCCOCC(C)OCCC PVMMVWNXKOSPRB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QMGJMGFZLXYHCR-UHFFFAOYSA-N 1-(2-butoxypropoxy)butane Chemical compound CCCCOCC(C)OCCCC QMGJMGFZLXYHCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DJQAMASGWPHRSZ-UHFFFAOYSA-N 1-butyl-3-octadecylurea Chemical compound CCCCCCCCCCCCCCCCCCNC(=O)NCCCC DJQAMASGWPHRSZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JOLQKTGDSGKSKJ-UHFFFAOYSA-N 1-ethoxypropan-2-ol Chemical compound CCOCC(C)O JOLQKTGDSGKSKJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LIPRQQHINVWJCH-UHFFFAOYSA-N 1-ethoxypropan-2-yl acetate Chemical compound CCOCC(C)OC(C)=O LIPRQQHINVWJCH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ARXJGSRGQADJSQ-UHFFFAOYSA-N 1-methoxypropan-2-ol Chemical compound COCC(C)O ARXJGSRGQADJSQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RTBFRGCFXZNCOE-UHFFFAOYSA-N 1-methylsulfonylpiperidin-4-one Chemical compound CS(=O)(=O)N1CCC(=O)CC1 RTBFRGCFXZNCOE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DMFAHCVITRDZQB-UHFFFAOYSA-N 1-propoxypropan-2-yl acetate Chemical compound CCCOCC(C)OC(C)=O DMFAHCVITRDZQB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PTBDIHRZYDMNKB-UHFFFAOYSA-N 2,2-Bis(hydroxymethyl)propionic acid Chemical compound OCC(C)(CO)C(O)=O PTBDIHRZYDMNKB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MWIQWRCANQOMBX-UHFFFAOYSA-N 2,2-diethylpentanedioic acid Chemical compound CCC(CC)(C(O)=O)CCC(O)=O MWIQWRCANQOMBX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WCOXQTXVACYMLM-UHFFFAOYSA-N 2,3-bis(12-hydroxyoctadecanoyloxy)propyl 12-hydroxyoctadecanoate Chemical compound CCCCCCC(O)CCCCCCCCCCC(=O)OCC(OC(=O)CCCCCCCCCCC(O)CCCCCC)COC(=O)CCCCCCCCCCC(O)CCCCCC WCOXQTXVACYMLM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OAYXUHPQHDHDDZ-UHFFFAOYSA-N 2-(2-butoxyethoxy)ethanol Chemical compound CCCCOCCOCCO OAYXUHPQHDHDDZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JTZWVKUZBNHSSW-UHFFFAOYSA-N 2-(4-methylphenyl)propanal Chemical compound O=CC(C)C1=CC=C(C)C=C1 JTZWVKUZBNHSSW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HZAXFHJVJLSVMW-UHFFFAOYSA-N 2-Aminoethan-1-ol Chemical compound NCCO HZAXFHJVJLSVMW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HMKKIXGYKWDQSV-SDNWHVSQSA-N 2-Pentyl-3-phenyl-2-propenal Chemical compound CCCCC\C(C=O)=C/C1=CC=CC=C1 HMKKIXGYKWDQSV-SDNWHVSQSA-N 0.000 description 1
- LCZVSXRMYJUNFX-UHFFFAOYSA-N 2-[2-(2-hydroxypropoxy)propoxy]propan-1-ol Chemical compound CC(O)COC(C)COC(C)CO LCZVSXRMYJUNFX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GFBCBQNBXRPRQD-UHFFFAOYSA-N 2-benzylidenehexanal Chemical compound CCCCC(C=O)=CC1=CC=CC=C1 GFBCBQNBXRPRQD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- POAOYUHQDCAZBD-UHFFFAOYSA-N 2-butoxyethanol Chemical compound CCCCOCCO POAOYUHQDCAZBD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZNQVEEAIQZEUHB-UHFFFAOYSA-N 2-ethoxyethanol Chemical compound CCOCCO ZNQVEEAIQZEUHB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SVONRAPFKPVNKG-UHFFFAOYSA-N 2-ethoxyethyl acetate Chemical compound CCOCCOC(C)=O SVONRAPFKPVNKG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LQJBNNIYVWPHFW-UHFFFAOYSA-N 20:1omega9c fatty acid Natural products CCCCCCCCCCC=CCCCCCCCC(O)=O LQJBNNIYVWPHFW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BMYNFMYTOJXKLE-UHFFFAOYSA-N 3-azaniumyl-2-hydroxypropanoate Chemical class NCC(O)C(O)=O BMYNFMYTOJXKLE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RDFQSFOGKVZWKF-UHFFFAOYSA-N 3-hydroxy-2,2-dimethylpropanoic acid Chemical compound OCC(C)(C)C(O)=O RDFQSFOGKVZWKF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LDMRLRNXHLPZJN-UHFFFAOYSA-N 3-propoxypropan-1-ol Chemical compound CCCOCCCO LDMRLRNXHLPZJN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LPEKGGXMPWTOCB-UHFFFAOYSA-N 8beta-(2,3-epoxy-2-methylbutyryloxy)-14-acetoxytithifolin Natural products COC(=O)C(C)O LPEKGGXMPWTOCB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QSBYPNXLFMSGKH-UHFFFAOYSA-N 9-Heptadecensaeure Natural products CCCCCCCC=CCCCCCCCC(O)=O QSBYPNXLFMSGKH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UMHJEEQLYBKSAN-UHFFFAOYSA-N Adipaldehyde Chemical compound O=CCCCCC=O UMHJEEQLYBKSAN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000005995 Aluminium silicate Substances 0.000 description 1
- BSYNRYMUTXBXSQ-UHFFFAOYSA-N Aspirin Chemical compound CC(=O)OC1=CC=CC=C1C(O)=O BSYNRYMUTXBXSQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 235000021357 Behenic acid Nutrition 0.000 description 1
- 239000005711 Benzoic acid Substances 0.000 description 1
- KAKZBPTYRLMSJV-UHFFFAOYSA-N Butadiene Chemical group C=CC=C KAKZBPTYRLMSJV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RBNPOMFGQQGHHO-UWTATZPHSA-N D-glyceric acid Chemical compound OC[C@@H](O)C(O)=O RBNPOMFGQQGHHO-UWTATZPHSA-N 0.000 description 1
- QEVGZEDELICMKH-UHFFFAOYSA-N Diglycolic acid Chemical compound OC(=O)COCC(O)=O QEVGZEDELICMKH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000001856 Ethyl cellulose Substances 0.000 description 1
- ZZSNKZQZMQGXPY-UHFFFAOYSA-N Ethyl cellulose Chemical compound CCOCC1OC(OC)C(OCC)C(OCC)C1OC1C(O)C(O)C(OC)C(CO)O1 ZZSNKZQZMQGXPY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XXRCUYVCPSWGCC-UHFFFAOYSA-N Ethyl pyruvate Chemical compound CCOC(=O)C(C)=O XXRCUYVCPSWGCC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000005977 Ethylene Substances 0.000 description 1
- CPELXLSAUQHCOX-UHFFFAOYSA-N Hydrogen bromide Chemical class Br CPELXLSAUQHCOX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920001479 Hydroxyethyl methyl cellulose Polymers 0.000 description 1
- IJMWOMHMDSDKGK-UHFFFAOYSA-N Isopropyl propionate Chemical compound CCC(=O)OC(C)C IJMWOMHMDSDKGK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000005639 Lauric acid Substances 0.000 description 1
- FXHOOIRPVKKKFG-UHFFFAOYSA-N N,N-Dimethylacetamide Chemical compound CN(C)C(C)=O FXHOOIRPVKKKFG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZMXDDKWLCZADIW-UHFFFAOYSA-N N,N-Dimethylformamide Chemical compound CN(C)C=O ZMXDDKWLCZADIW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SECXISVLQFMRJM-UHFFFAOYSA-N N-Methylpyrrolidone Chemical compound CN1CCCC1=O SECXISVLQFMRJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OHLUUHNLEMFGTQ-UHFFFAOYSA-N N-methylacetamide Chemical compound CNC(C)=O OHLUUHNLEMFGTQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CTQNGGLPUBDAKN-UHFFFAOYSA-N O-Xylene Chemical compound CC1=CC=CC=C1C CTQNGGLPUBDAKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000005642 Oleic acid Substances 0.000 description 1
- ZQPPMHVWECSIRJ-UHFFFAOYSA-N Oleic acid Natural products CCCCCCCCC=CCCCCCCCC(O)=O ZQPPMHVWECSIRJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 235000021314 Palmitic acid Nutrition 0.000 description 1
- 229910020174 Pb-In Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920003171 Poly (ethylene oxide) Polymers 0.000 description 1
- 229930182556 Polyacetal Natural products 0.000 description 1
- 239000004952 Polyamide Substances 0.000 description 1
- 239000002202 Polyethylene glycol Substances 0.000 description 1
- 229910020816 Sn Pb Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910020836 Sn-Ag Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910020922 Sn-Pb Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910020935 Sn-Sb Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910020994 Sn-Zn Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910020988 Sn—Ag Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910008783 Sn—Pb Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910008757 Sn—Sb Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910009069 Sn—Zn Inorganic materials 0.000 description 1
- 235000021355 Stearic acid Nutrition 0.000 description 1
- KDYFGRWQOYBRFD-UHFFFAOYSA-N Succinic acid Natural products OC(=O)CCC(O)=O KDYFGRWQOYBRFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PCSMJKASWLYICJ-UHFFFAOYSA-N Succinic aldehyde Chemical compound O=CCCC=O PCSMJKASWLYICJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GSEJCLTVZPLZKY-UHFFFAOYSA-N Triethanolamine Chemical compound OCCN(CCO)CCO GSEJCLTVZPLZKY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- AXMVYSVVTMKQSL-UHFFFAOYSA-N UNPD142122 Natural products OC1=CC=C(C=CC=O)C=C1O AXMVYSVVTMKQSL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CWRYPZZKDGJXCA-UHFFFAOYSA-N acenaphthene Chemical compound C1=CC(CC2)=C3C2=CC=CC3=C1 CWRYPZZKDGJXCA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000654 additive Substances 0.000 description 1
- 230000000996 additive effect Effects 0.000 description 1
- 239000001361 adipic acid Substances 0.000 description 1
- 235000011037 adipic acid Nutrition 0.000 description 1
- 125000002947 alkylene group Chemical group 0.000 description 1
- GUUHFMWKWLOQMM-NTCAYCPXSA-N alpha-hexylcinnamaldehyde Chemical compound CCCCCC\C(C=O)=C/C1=CC=CC=C1 GUUHFMWKWLOQMM-NTCAYCPXSA-N 0.000 description 1
- BJEPYKJPYRNKOW-UHFFFAOYSA-N alpha-hydroxysuccinic acid Natural products OC(=O)C(O)CC(O)=O BJEPYKJPYRNKOW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DTOSIQBPPRVQHS-PDBXOOCHSA-N alpha-linolenic acid Chemical compound CC\C=C/C\C=C/C\C=C/CCCCCCCC(O)=O DTOSIQBPPRVQHS-PDBXOOCHSA-N 0.000 description 1
- 235000020661 alpha-linolenic acid Nutrition 0.000 description 1
- GUUHFMWKWLOQMM-UHFFFAOYSA-N alpha-n-hexylcinnamic aldehyde Natural products CCCCCCC(C=O)=CC1=CC=CC=C1 GUUHFMWKWLOQMM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 235000012211 aluminium silicate Nutrition 0.000 description 1
- 150000001408 amides Chemical class 0.000 description 1
- JFCQEDHGNNZCLN-UHFFFAOYSA-N anhydrous glutaric acid Natural products OC(=O)CCCC(O)=O JFCQEDHGNNZCLN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 159000000032 aromatic acids Chemical class 0.000 description 1
- 150000004945 aromatic hydrocarbons Chemical class 0.000 description 1
- 229940116226 behenic acid Drugs 0.000 description 1
- 235000010233 benzoic acid Nutrition 0.000 description 1
- CDQSJQSWAWPGKG-UHFFFAOYSA-N butane-1,1-diol Chemical compound CCCC(O)O CDQSJQSWAWPGKG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KDYFGRWQOYBRFD-NUQCWPJISA-N butanedioic acid Chemical compound O[14C](=O)CC[14C](O)=O KDYFGRWQOYBRFD-NUQCWPJISA-N 0.000 description 1
- BTMVHUNTONAYDX-UHFFFAOYSA-N butyl propionate Chemical compound CCCCOC(=O)CC BTMVHUNTONAYDX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000005622 butynylene group Chemical group 0.000 description 1
- 239000004202 carbamide Substances 0.000 description 1
- 239000004359 castor oil Substances 0.000 description 1
- 235000019438 castor oil Nutrition 0.000 description 1
- 239000003985 ceramic capacitor Substances 0.000 description 1
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 1
- KYKAJFCTULSVSH-UHFFFAOYSA-N chloro(fluoro)methane Chemical compound F[C]Cl KYKAJFCTULSVSH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- JHIVVAPYMSGYDF-UHFFFAOYSA-N cyclohexyloxide Natural products O=C1CCCCC1 JHIVVAPYMSGYDF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 235000014113 dietary fatty acids Nutrition 0.000 description 1
- ZBCBWPMODOFKDW-UHFFFAOYSA-N diethanolamine Chemical compound OCCNCCO ZBCBWPMODOFKDW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HPNMFZURTQLUMO-UHFFFAOYSA-N diethylamine Chemical compound CCNCC HPNMFZURTQLUMO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229940043279 diisopropylamine Drugs 0.000 description 1
- WEHWNAOGRSTTBQ-UHFFFAOYSA-N dipropylamine Chemical compound CCCNCCC WEHWNAOGRSTTBQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SZXQTJUDPRGNJN-UHFFFAOYSA-N dipropylene glycol Chemical compound OCCCOCCCO SZXQTJUDPRGNJN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ODQWQRRAPPTVAG-GZTJUZNOSA-N doxepin Chemical compound C1OC2=CC=CC=C2C(=C/CCN(C)C)/C2=CC=CC=C21 ODQWQRRAPPTVAG-GZTJUZNOSA-N 0.000 description 1
- 238000003912 environmental pollution Methods 0.000 description 1
- 150000002148 esters Chemical class 0.000 description 1
- 125000005678 ethenylene group Chemical group [H]C([*:1])=C([H])[*:2] 0.000 description 1
- BHXIWUJLHYHGSJ-UHFFFAOYSA-N ethyl 3-ethoxypropanoate Chemical compound CCOCCC(=O)OCC BHXIWUJLHYHGSJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- IJUHLFUALMUWOM-UHFFFAOYSA-N ethyl 3-methoxypropanoate Chemical compound CCOC(=O)CCOC IJUHLFUALMUWOM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229940116333 ethyl lactate Drugs 0.000 description 1
- 235000010944 ethyl methyl cellulose Nutrition 0.000 description 1
- 229940117360 ethyl pyruvate Drugs 0.000 description 1
- 125000000816 ethylene group Chemical group [H]C([H])([*:1])C([H])([H])[*:2] 0.000 description 1
- 239000000194 fatty acid Substances 0.000 description 1
- 229930195729 fatty acid Natural products 0.000 description 1
- 150000004665 fatty acids Chemical class 0.000 description 1
- 239000001530 fumaric acid Substances 0.000 description 1
- ZEMPKEQAKRGZGQ-XOQCFJPHSA-N glycerol triricinoleate Natural products CCCCCC[C@@H](O)CC=CCCCCCCCC(=O)OC[C@@H](COC(=O)CCCCCCCC=CC[C@@H](O)CCCCCC)OC(=O)CCCCCCCC=CC[C@H](O)CCCCCC ZEMPKEQAKRGZGQ-XOQCFJPHSA-N 0.000 description 1
- 150000004820 halides Chemical class 0.000 description 1
- 150000002366 halogen compounds Chemical class 0.000 description 1
- 229910001385 heavy metal Inorganic materials 0.000 description 1
- ACCCMOQWYVYDOT-UHFFFAOYSA-N hexane-1,1-diol Chemical compound CCCCCC(O)O ACCCMOQWYVYDOT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000001261 hydroxy acids Chemical class 0.000 description 1
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052809 inorganic oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010954 inorganic particle Substances 0.000 description 1
- GJRQTCIYDGXPES-UHFFFAOYSA-N iso-butyl acetate Natural products CC(C)COC(C)=O GJRQTCIYDGXPES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229940117955 isoamyl acetate Drugs 0.000 description 1
- FGKJLKRYENPLQH-UHFFFAOYSA-M isocaproate Chemical compound CC(C)CCC([O-])=O FGKJLKRYENPLQH-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- QXJSBBXBKPUZAA-UHFFFAOYSA-N isooleic acid Natural products CCCCCCCC=CCCCCCCCCC(O)=O QXJSBBXBKPUZAA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JMMWKPVZQRWMSS-UHFFFAOYSA-N isopropanol acetate Natural products CC(C)OC(C)=O JMMWKPVZQRWMSS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229940011051 isopropyl acetate Drugs 0.000 description 1
- JJWLVOIRVHMVIS-UHFFFAOYSA-N isopropylamine Chemical compound CC(C)N JJWLVOIRVHMVIS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GWYFCOCPABKNJV-UHFFFAOYSA-M isovalerate Chemical compound CC(C)CC([O-])=O GWYFCOCPABKNJV-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- OQAGVSWESNCJJT-UHFFFAOYSA-N isovaleric acid methyl ester Natural products COC(=O)CC(C)C OQAGVSWESNCJJT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NLYAJNPCOHFWQQ-UHFFFAOYSA-N kaolin Chemical compound O.O.O=[Al]O[Si](=O)O[Si](=O)O[Al]=O NLYAJNPCOHFWQQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004310 lactic acid Substances 0.000 description 1
- 235000014655 lactic acid Nutrition 0.000 description 1
- 150000003903 lactic acid esters Chemical class 0.000 description 1
- 150000002596 lactones Chemical class 0.000 description 1
- 229960004488 linolenic acid Drugs 0.000 description 1
- KQQKGWQCNNTQJW-UHFFFAOYSA-N linolenic acid Natural products CC=CCCC=CCC=CCCCCCCCC(O)=O KQQKGWQCNNTQJW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 235000015250 liver sausages Nutrition 0.000 description 1
- VZCYOOQTPOCHFL-UPHRSURJSA-N maleic acid Chemical compound OC(=O)\C=C/C(O)=O VZCYOOQTPOCHFL-UPHRSURJSA-N 0.000 description 1
- 239000011976 maleic acid Substances 0.000 description 1
- 239000001630 malic acid Substances 0.000 description 1
- 235000011090 malic acid Nutrition 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 1
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 1
- YVWPDYFVVMNWDT-UHFFFAOYSA-N methyl 2-ethoxypropanoate Chemical compound CCOC(C)C(=O)OC YVWPDYFVVMNWDT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BDJSOPWXYLFTNW-UHFFFAOYSA-N methyl 3-methoxypropanoate Chemical compound COCCC(=O)OC BDJSOPWXYLFTNW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920000609 methyl cellulose Polymers 0.000 description 1
- 229940057867 methyl lactate Drugs 0.000 description 1
- CWKLZLBVOJRSOM-UHFFFAOYSA-N methyl pyruvate Chemical compound COC(=O)C(C)=O CWKLZLBVOJRSOM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000001923 methylcellulose Substances 0.000 description 1
- 235000010981 methylcellulose Nutrition 0.000 description 1
- 125000001570 methylene group Chemical group [H]C([H])([*:1])[*:2] 0.000 description 1
- 229920003087 methylethyl cellulose Polymers 0.000 description 1
- WQEPLUUGTLDZJY-UHFFFAOYSA-N n-Pentadecanoic acid Natural products CCCCCCCCCCCCCCC(O)=O WQEPLUUGTLDZJY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YKYONYBAUNKHLG-UHFFFAOYSA-N n-Propyl acetate Natural products CCCOC(C)=O YKYONYBAUNKHLG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BLAZSDHGLMGDRM-UHFFFAOYSA-N n-[[3-[(octadecanoylamino)methyl]phenyl]methyl]octadecanamide Chemical compound CCCCCCCCCCCCCCCCCC(=O)NCC1=CC=CC(CNC(=O)CCCCCCCCCCCCCCCCC)=C1 BLAZSDHGLMGDRM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000012299 nitrogen atmosphere Substances 0.000 description 1
- QIQXTHQIDYTFRH-UHFFFAOYSA-N octadecanoic acid Chemical compound CCCCCCCCCCCCCCCCCC(O)=O QIQXTHQIDYTFRH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OQCDKBAXFALNLD-UHFFFAOYSA-N octadecanoic acid Natural products CCCCCCCC(C)CCCCCCCCC(O)=O OQCDKBAXFALNLD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZQPPMHVWECSIRJ-KTKRTIGZSA-N oleic acid Chemical compound CCCCCCCC\C=C/CCCCCCCC(O)=O ZQPPMHVWECSIRJ-KTKRTIGZSA-N 0.000 description 1
- 235000021313 oleic acid Nutrition 0.000 description 1
- 150000007524 organic acids Chemical class 0.000 description 1
- 235000006408 oxalic acid Nutrition 0.000 description 1
- AHHWIHXENZJRFG-UHFFFAOYSA-N oxetane Chemical compound C1COC1 AHHWIHXENZJRFG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QNGNSVIICDLXHT-UHFFFAOYSA-N para-ethylbenzaldehyde Natural products CCC1=CC=C(C=O)C=C1 QNGNSVIICDLXHT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000004817 pentamethylene group Chemical group [H]C([H])([*:2])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])[*:1] 0.000 description 1
- UWJJYHHHVWZFEP-UHFFFAOYSA-N pentane-1,1-diol Chemical compound CCCCC(O)O UWJJYHHHVWZFEP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920002647 polyamide Polymers 0.000 description 1
- 229920001225 polyester resin Polymers 0.000 description 1
- 239000004645 polyester resin Substances 0.000 description 1
- 229920001223 polyethylene glycol Polymers 0.000 description 1
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 1
- 229920006324 polyoxymethylene Polymers 0.000 description 1
- 229920000915 polyvinyl chloride Polymers 0.000 description 1
- 239000004800 polyvinyl chloride Substances 0.000 description 1
- 150000003141 primary amines Chemical class 0.000 description 1
- KIWATKANDHUUOB-UHFFFAOYSA-N propan-2-yl 2-hydroxypropanoate Chemical compound CC(C)OC(=O)C(C)O KIWATKANDHUUOB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000006410 propenylene group Chemical group 0.000 description 1
- ILVGAIQLOCKNQA-UHFFFAOYSA-N propyl 2-hydroxypropanoate Chemical compound CCCOC(=O)C(C)O ILVGAIQLOCKNQA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LLHKCFNBLRBOGN-UHFFFAOYSA-N propylene glycol methyl ether acetate Chemical compound COCC(C)OC(C)=O LLHKCFNBLRBOGN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000004805 propylene group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([*:1])C([H])([H])[*:2] 0.000 description 1
- 229910001112 rose gold Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000003839 salts Chemical class 0.000 description 1
- 150000003335 secondary amines Chemical class 0.000 description 1
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 1
- 239000008117 stearic acid Substances 0.000 description 1
- 238000003756 stirring Methods 0.000 description 1
- 150000003512 tertiary amines Chemical class 0.000 description 1
- 125000000383 tetramethylene group Chemical group [H]C([H])([*:1])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])[*:2] 0.000 description 1
- 229920002803 thermoplastic polyurethane Polymers 0.000 description 1
- 229920005992 thermoplastic resin Polymers 0.000 description 1
- 230000009974 thixotropic effect Effects 0.000 description 1
- ZIBGPFATKBEMQZ-UHFFFAOYSA-N triethylene glycol Chemical compound OCCOCCOCCO ZIBGPFATKBEMQZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RKBCYCFRFCNLTO-UHFFFAOYSA-N triisopropylamine Chemical compound CC(C)N(C(C)C)C(C)C RKBCYCFRFCNLTO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YFTHZRPMJXBUME-UHFFFAOYSA-N tripropylamine Chemical compound CCCN(CCC)CCC YFTHZRPMJXBUME-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000003672 ureas Chemical class 0.000 description 1
- NQPDZGIKBAWPEJ-UHFFFAOYSA-M valerate Chemical compound CCCCC([O-])=O NQPDZGIKBAWPEJ-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 239000008096 xylene Substances 0.000 description 1
Images
Landscapes
- Electric Connection Of Electric Components To Printed Circuits (AREA)
Abstract
Description
本願発明は、電子部品等とのはんだ付けに利用されるフラックス、及びそれを含有するはんだペースト、並びにそれを用いた接合部品に関する。 The present invention relates to a flux used for soldering with an electronic component and the like, a solder paste containing the flux, and a joining component using the same.
従来、部品搭載基板に対する電子部品のはんだ付けにおいては、フラックスが使用されている。このフラックスには、基板上の酸化膜を除去する目的等で、ロジン等の有機酸やハロゲン化合物等が含有されている。このようなフラックスを含有するはんだペーストを用いてはんだ付けした後に、フラックスの残渣が残ると、そのフラックス残渣が有する腐食作用により、はんだ付けされた基板が徐々に腐食される等の問題がある。そこで、はんだ付け終了後に、はんだ付けされた基板は、フラックス残渣を除去する目的で、洗浄されることが必要となる。その洗浄には、一般にフロン溶剤が使用される。ところが近年、環境汚染の観点から、脱フロン化が進められており、水で洗浄を行う水系洗浄や、はんだ付け後に洗浄を要しない固形分の少ない低残渣の無洗浄フラックスが使用されている。
しかしながら、水系洗浄の場合、洗浄に水を使用することから、洗浄に用いた水が、重金属に汚染される問題がある。また、今後さらに微細化された接続ピッチ構造を持つ半導体素子に対して、水系洗浄では洗浄性が悪いという問題があることから、洗浄を必要としない低残渣の無洗浄フラックスが多く用いられている。
Conventionally, flux is used in soldering electronic components to a component mounting board. This flux contains an organic acid such as rosin or a halogen compound for the purpose of removing an oxide film on the substrate. If a flux residue remains after soldering using such a solder paste containing flux, there is a problem that the soldered substrate is gradually corroded by the corrosive action of the flux residue. Therefore, after the soldering is completed, the soldered substrate needs to be cleaned for the purpose of removing the flux residue. For the cleaning, a chlorofluorocarbon solvent is generally used. However, in recent years, from the viewpoint of environmental pollution, chlorofluorocarbons have been promoted, and water-based cleaning in which water is used for cleaning, and low-residue non-cleaning fluxes with low solid content that do not require cleaning after soldering are used.
However, in the case of water-based cleaning, since water is used for cleaning, there is a problem that the water used for cleaning is contaminated with heavy metals. In addition, for semiconductor elements having a connection pitch structure that has been further miniaturized in the future, there is a problem that water-based cleaning has poor cleaning properties, and therefore, a low-residue non-cleaning flux that does not require cleaning is often used. .
低残渣のフラックスとして、特許文献１には、はんだ付け前には実質的にほとんど蒸発せず、はんだ付け時に、熱分解してはんだ付け面の酸化皮膜を還元除去する活性を示す溶剤を用いたはんだ付け用フラックスが開示されている。この溶剤は、はんだ付け後に徐々に揮発するような溶剤であり、この溶剤を用いることにより低残渣のフラックスとしている。 As a low-residue flux, Patent Document 1 uses a solvent that substantially does not evaporate before soldering and exhibits an activity of thermally decomposing and reducing and removing the oxide film on the soldering surface during soldering. A soldering flux is disclosed. This solvent is a solvent that gradually evaporates after soldering, and a low residue flux is obtained by using this solvent.
はんだペーストにおいては、ペーストの材料構成が、はんだ粉、溶剤、固形分（ロジン、活性剤等）から成るのが一般的である。特許文献１に記載されている従来の無洗浄型フラックスは、固形分を減らし、ハロゲン化物を含有させない等の工夫は成されているが、はんだ付後、必ずロジン等の樹脂成分或いは活性剤成分等の残渣が発生する恐れがある。 In the solder paste, the material composition of the paste is generally composed of solder powder, a solvent, and a solid content (rosin, activator, etc.). The conventional non-cleaning flux described in Patent Document 1 has been devised such as reducing the solid content and not containing a halide, but after soldering, it must be a resin component such as rosin or an activator component. Residues such as these may be generated.
本願発明は、前記課題を解決するものであり、具体的には、はんだ付け後に残渣の発生しないフラックス、及びこのフラックスを含有するはんだペースト、及び、それを用いて構成部材を接合することにより形成された、はんだ付け信頼性の高い接合部品を提供することを目的とする。 The present invention solves the above-mentioned problems, and specifically, a flux that does not generate a residue after soldering, a solder paste containing this flux, and a component that is formed by joining the flux. An object of the present invention is to provide a bonded part with high soldering reliability.
１．アルデヒド基を有する芳香族アルデヒド化合物、及び／又は２つ以上のアルデヒド基を有する脂肪族アルデヒド化合物を含有することを特徴とするフラックス。
２．前記芳香族アルデヒド化合物の沸点が、１気圧下で、５０℃〜１８０℃であることを特徴とする上記１．に記載のフラックス。
３．前記脂肪族アルデヒド化合物の沸点が、１気圧下で、５０℃〜１００℃であることを特徴とする上記１．又は上記２．に記載のフラックス。
４．上記１．乃至３．のいずれかに記載のフラックスと、はんだ粉と、を含有することを特徴とするはんだペースト。
５．構成部材と他の構成部材とが、上記４．に記載のはんだペーストを用いてはんだ付けされていることを特徴とする接合部品。
1. A flux comprising an aromatic aldehyde compound having an aldehyde group and / or an aliphatic aldehyde compound having two or more aldehyde groups.
2. 1. The boiling point of the aromatic aldehyde compound is 50 ° C. to 180 ° C. under 1 atm. Flux described in
3. 1. The boiling point of the aliphatic aldehyde compound is 50 to 100 ° C. under 1 atm. Or 2. Flux described in
4). Above 1. To 3. A solder paste comprising the flux according to any one of the above and solder powder.
5). The constituent member and the other constituent members are the above-mentioned 4. Soldering using the solder paste as described in 1 above.
本発明のフラックスは、アルデヒド基を有する芳香族アルデヒド化合物、及び／又は２つ以上のアルデヒド基を有する脂肪族アルデヒド化合物を含有することにより、このフラックスは、還元性を有し、基板等に発生した酸化被膜を除去することができる。また、本発明のフラックスは、基板に電子部品等をはんだ付けした後のフラックスの残渣が抑制され、無洗浄フラックスとすることができる。
また、前記芳香族アルデヒド化合物の沸点が、１気圧下で、５０℃〜１８０℃である場合には、よりフラックス残渣が、残存され難いフラックスとすることができる。
また、前記脂肪族アルデヒド化合物の沸点が、１気圧下で、５０℃〜１００℃である場合には、よりフラックス残渣が、残存され難いフラックスとすることができる。
また、本発明のはんだペーストは、本発明のフラックスを含有することにより、基板に電子部品等をはんだ付けした後に、フラックス残渣が抑制され、はんだ付け後の洗浄工程を不要とすることができる。
また、本発明の接合部品は、少なくとも一部の構成部材どうしが、本発明のはんだペーストを用いてはんだ付けされていることにより、接合信頼性の高い接合部品とすることができる。
The flux of the present invention contains an aromatic aldehyde compound having an aldehyde group and / or an aliphatic aldehyde compound having two or more aldehyde groups, so that this flux has reducibility and is generated on a substrate or the like. The oxidized film can be removed. Further, the flux of the present invention can be made a non-cleaning flux because the residue of the flux after soldering electronic components or the like to the substrate is suppressed.
Moreover, when the boiling point of the aromatic aldehyde compound is 50 ° C. to 180 ° C. under 1 atm, a flux residue can be made more difficult to remain.
Moreover, when the boiling point of the aliphatic aldehyde compound is 50 ° C. to 100 ° C. under 1 atm, a flux residue can be made more difficult to remain.
Moreover, the solder paste of the present invention contains the flux of the present invention, so that after the electronic component or the like is soldered to the substrate, the flux residue is suppressed, and the cleaning step after soldering can be made unnecessary.
Moreover, the joining component of this invention can be made into a joining component with high joining reliability, when at least one part structural member is soldered using the solder paste of this invention.
［１］フラックス
本発明のフラックスは、アルデヒド基を有する芳香族アルデヒド化合物（以下、単に「芳香族化合物」という。）、及び／又は２つ以上のアルデヒド基を有する脂肪族アルデヒド化合物（以下、単に「脂肪族化合物」という。）を含有することを特徴とする。
[1] Flux The flux of the present invention is an aromatic aldehyde compound having an aldehyde group (hereinafter simply referred to as “aromatic compound”) and / or an aliphatic aldehyde compound having two or more aldehyde groups (hereinafter simply referred to as “aromatic compound”). It is characterized by containing “aliphatic compound”).
前記芳香族化合物は、アルデヒド基を有する。また、前記脂肪族化合物は、２つ以上のアルデヒド基を有する。本発明のフラックスは、この芳香族化合物及び／又はこの脂肪族化合物を含有することにより、このはんだ付けされる基板等の金属表面に形成された酸化被膜を還元し、酸化被膜を除去することができる。そして、これにより、所謂はんだの濡れ性が向上される。
更に、本発明のフラックスはこの芳香族化合物及び／又はこの脂肪族化合物を含むことにより、前記還元性に加えて、利用後に残渣として極めて残存され難く、従来必要であったフラックスの洗浄工程を行う必要がない。また、これらの化合物を併用すれば各々の長所が相乗的に得られる。
The aromatic compound has an aldehyde group. The aliphatic compound has two or more aldehyde groups. By containing this aromatic compound and / or this aliphatic compound, the flux of the present invention can reduce the oxide film formed on the metal surface such as the substrate to be soldered and remove the oxide film. it can. This improves the so-called solder wettability.
Further, the flux of the present invention contains this aromatic compound and / or this aliphatic compound, so that in addition to the reducibility, it is extremely difficult to remain as a residue after use, and a flux cleaning step that has been conventionally required is performed. There is no need. Further, when these compounds are used in combination, the respective advantages can be obtained synergistically.
前記芳香族化合物は、前記特性を有する限り、その構造は特に限定されない。芳香族化合物の骨格としては、ベンゼン、ナフタレン、又はアセナフテン等であることが好ましく、ベンゼンであることがより好ましい。とりわけ、下記一般式（１）で表される化合物であることが更に好ましい。
前記一般式（１）のＲ１が単結合の場合としては、ベンズアルデヒドである。
前記一般式（１）のＲ１における２価の炭化水素基の炭素数としては、１〜１０が好ましく、より好ましくは１〜８であり、更に好ましくは１〜５である。この炭化水素基の構造は特に限定はないが、好ましくは直鎖状又は分岐状であり、より好ましくは直鎖状である。また、この炭化水素基は、飽和炭化水素基でも不飽和炭化水素基でも構わないが、好ましくは不飽和炭化水素基であり、より好ましくはエチレン系二重結合を有する不飽和炭化水素基である。この炭化水素基としては、例えば、ビニレン基、ビニルエチレン基、プロペニレン基、ブチニレン基等が挙げられる。
A case where R 1 in the general formula (1) is a single bond is benzaldehyde.
The number of carbon atoms of the divalent hydrocarbon group for R 1 in the general formula (1) is 1 to 10, more preferably 1 to 8, more preferably from 1 to 5. The structure of the hydrocarbon group is not particularly limited, but is preferably linear or branched, and more preferably linear. Further, the hydrocarbon group may be a saturated hydrocarbon group or an unsaturated hydrocarbon group, but is preferably an unsaturated hydrocarbon group, more preferably an unsaturated hydrocarbon group having an ethylene double bond. . Examples of the hydrocarbon group include vinylene group, vinylethylene group, propenylene group, butynylene group and the like.
前記一般式（１）のＲ１における２価の炭化水素基の場合としては、具体的には、桂皮アルデヒド、アミルシンナムアルデヒド、ブチルシンナムアルデヒド、シンナムアルデヒド、ジヒドロシンナムアルデヒド、ヘキシルシンナムアルデヒド、メトキシシンナムアルデヒド、２−ｐ−トリルプロピオンアルデヒド等が挙げられる。これらは１種のみを用いてもよく２種以上を併用してもよい。これらの芳香族化合物のなかでは、桂皮アルデヒドが好ましい。これらの芳香族化合物は、他の芳香族化合物に比べて、残渣を低減することができる。 Specific examples of the divalent hydrocarbon group represented by R 1 in the general formula (1) include cinnamaldehyde, amylcinnamaldehyde, butylcinnamaldehyde, cinnamaldehyde, dihydrocinnamaldehyde, hexylcinnamaldehyde, methoxycinna Examples include mualdehyde and 2-p-tolylpropionaldehyde. These may use only 1 type and may use 2 or more types together. Of these aromatic compounds, cinnamic aldehyde is preferred. These aromatic compounds can reduce a residue compared with other aromatic compounds.
前記脂肪族化合物は、前記特性を有する限り、その構造は特に限定されないが、下記一般式（２）で表される化合物であることが好ましい。
前記一般式（２）のＲ２が単結合の場合としては、グリオキサールである。
前記一般式（２）のＲ２における２価の炭化水素基の炭素数としては、１〜１０が好ましく、より好ましくは１〜８であり、更に好ましくは１〜５である。この炭化水素基の構造は特に限定はないが、好ましくは直鎖状又は分岐状であり、より好ましくは直鎖状である。また、この炭化水素基は、飽和炭化水素基でも不飽和炭化水素基でも構わないが、好ましくは飽和炭化水素基である。この炭化水素基としては、例えば、メチレン基、エチレン基、プロピレン基、ブチレン基、ペンチレン基等のアルキレン基が挙げられる。
A case where R 2 in the general formula (2) is a single bond is glyoxal.
The number of carbon atoms of the divalent hydrocarbon group for R 2 in the general formula (2) is 1 to 10, more preferably 1 to 8, more preferably from 1 to 5. The structure of the hydrocarbon group is not particularly limited, but is preferably linear or branched, and more preferably linear. The hydrocarbon group may be either a saturated hydrocarbon group or an unsaturated hydrocarbon group, but is preferably a saturated hydrocarbon group. Examples of the hydrocarbon group include alkylene groups such as a methylene group, an ethylene group, a propylene group, a butylene group, and a pentylene group.
前記一般式（２）のＲ２における２価の炭化水素基の場合としては、具体的には、グルタルジアルデヒド、グリオキサール、ブタンジアルデヒド、ブテンジアルデヒド、アジプアルデヒド及びオクタンジアルデヒド等が挙げられる。これらは１種のみを用いてもよく２種以上を併用してもよい。これらの脂肪族化合物のなかでは、グルタルジアルデヒド及びグリオキサールが好ましい。これらの脂肪族化合物は、他の脂肪族化合物に比べて、低温でのフラックス効果（還元性及び基板濡れ性等）を発現することができる Specific examples of the divalent hydrocarbon group represented by R 2 in the general formula (2) include glutardialdehyde, glyoxal, butanedialdehyde, butenedialdehyde, adipaldehyde, and octanedialdehyde. It is done. These may use only 1 type and may use 2 or more types together. Of these aliphatic compounds, glutardialdehyde and glyoxal are preferred. These aliphatic compounds can exhibit a flux effect (reducibility, substrate wettability, etc.) at a lower temperature than other aliphatic compounds.
また、前記芳香族化合物の１気圧下における沸点は、５０℃〜１８０℃であることが好ましい。この温度が５０℃以上であることにより、ハンダ付けする際には、前記芳香族化合物は気化し、残渣が発生せず、無洗浄フラックスとすることができる。この１気圧下における沸点は、より好ましくは８０℃〜１８０℃であり、更に好ましくは１３０℃〜１８０℃ある。 Moreover, it is preferable that the boiling point in 1 atmosphere of the said aromatic compound is 50 to 180 degreeC. When this temperature is 50 ° C. or higher, when soldering, the aromatic compound is vaporized, no residue is generated, and a non-cleaning flux can be obtained. The boiling point under 1 atm is more preferably 80 ° C. to 180 ° C., and further preferably 130 ° C. to 180 ° C.
また、前記脂肪族化合物の１気圧下における沸点は、５０℃〜１００℃であることが好ましい。この温度が５０℃以上であることにより、ハンダ付けする際には、前記脂肪族化合物は気化するため、残渣が発生せず、無洗浄フラックスとすることができる。この１気圧下における沸点は、より好ましくは０℃〜１９０℃であり、更に好ましくは１５℃〜１９０℃ある。 Moreover, it is preferable that the boiling point under 1 atmosphere of the said aliphatic compound is 50 to 100 degreeC. When the temperature is 50 ° C. or higher, the aliphatic compound is vaporized when soldering, so that no residue is generated and a non-cleaning flux can be obtained. The boiling point under 1 atm is more preferably 0 ° C to 190 ° C, and further preferably 15 ° C to 190 ° C.
本発明のフラックスに含まれる前記芳香族化合物及び前記脂肪族化合の合計量は特に限定されず、フラックスの一部として含有されてもよく、フラックスの全量を構成してもよい。即ち、例えば、フラックス全体を１００質量％とした場合、前記芳香族化合物及び前記脂肪族化合の合計量は７０〜１００質量％と含有することができる。含有量がこの範囲であれば、還元性及び低残渣性に優れたフラックスとすることができる。含有量は８０〜１００質量％が好ましく、９０〜１００質量％がより好ましく、９５〜１００質量％が特に好ましい。 The total amount of the aromatic compound and the aliphatic compound contained in the flux of the present invention is not particularly limited, and may be contained as part of the flux or may constitute the total amount of the flux. That is, for example, when the entire flux is 100% by mass, the total amount of the aromatic compound and the aliphatic compound can be contained as 70 to 100% by mass. If content is this range, it can be set as the flux excellent in reducing property and low residue property. The content is preferably 80 to 100% by mass, more preferably 90 to 100% by mass, and particularly preferably 95 to 100% by mass.
本発明のフラックスは、本発明の目的が達成される限り、前記芳香族化合物及び前記脂肪族化合物に加えて、その他成分を含有できる。他の成分としては、溶剤、活性剤、チクソトロピー性付与剤等が挙げられる。これらは１種のみを用いてもよく２種以上を併用してもよい。 The flux of the present invention can contain other components in addition to the aromatic compound and the aliphatic compound as long as the object of the present invention is achieved. Examples of other components include a solvent, an activator, a thixotropic agent, and the like. These may use only 1 type and may use 2 or more types together.
前記溶剤としては、水及び有機溶剤が挙げられる。この有機溶剤としては、例えば、イソプロパノール、ブタノール等の１価アルコール類；エチレングリコール、ジエチレングリコール、トリエチレングリコール、プロピレングリコール、ジプロピレングリコール、トリプロピレングリコール、ブタンジオール、ペンタンジオール、ヘキサンジオール等の２価アルコール類；エチレングリコールモノメチルエーテルアセテート、エチレングリコールモノエチルエーテルアセテート等のエチレングリコールモノアルキルエーテルアセテート類；プロピレングリコールモノメチルエーテル、プロピレングリコールモノエチルエーテル、プロピレングリコールモノプロピルエーテル、プロピレングリコールモノブチルエーテル等のプロピレングリコールモノアルキルエーテル類；プロピレングリコールジメチルエーテル、プロピレングリコールジエチルエーテル、プロピレングリコールジプロピルエーテル、プロピレングリコールジブチルエーテル等のプロピレングリコールジアルキルエーテル類；プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、プロピレングリコールモノエチルエーテルアセテート、プロピレングリコールモノプロピルエーテルアセテート、プロピレングリコールモノブチルエーテルアセテート等のプロピレングリコールモノアルキルエーテルアセテート類；エチルセロソルブ、ブチルセロソルブ等のセロソルブ類；ブチルカルビトール等のカルビトール類；乳酸メチル、乳酸エチル、乳酸ｎ−プロピル、乳酸イソプロピル等の乳酸エステル類；酢酸エチル、酢酸ｎ−プロピル、酢酸イソプロピル、酢酸ｎ−ブチル、酢酸イソブチル、酢酸ｎ−アミル、酢酸イソアミル、プロピオン酸イソプロピル、プロピオン酸ｎ−ブチル、プロピオン酸イソブチル等の脂肪族カルボン酸エステル類；３−メトキシプロピオン酸メチル、３−メトキシプロピオン酸エチル、３−エトキシプロピオン酸メチル、３−エトキシプロピオン酸エチル、ピルビン酸メチル、ピルビン酸エチル等の他のエステル類；トルエン、キシレン等の芳香族炭化水素類；２−ヘプタノン、３−ヘプタノン、４−ヘプタノン、シクロヘキサノン等のケトン類；Ｎ−ジメチルホルムアミド、Ｎ−メチルアセトアミド、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド、Ｎ−メチルピロリドン等のアミド類；γ−ブチロラクン等のラクトン類が挙げられる。これらは１種のみを用いてもよく２種以上を併用してもよい。 Examples of the solvent include water and organic solvents. Examples of the organic solvent include monohydric alcohols such as isopropanol and butanol; divalent alcohols such as ethylene glycol, diethylene glycol, triethylene glycol, propylene glycol, dipropylene glycol, tripropylene glycol, butanediol, pentanediol, and hexanediol. Alcohols; ethylene glycol monoalkyl ether acetates such as ethylene glycol monomethyl ether acetate and ethylene glycol monoethyl ether acetate; propylene glycols such as propylene glycol monomethyl ether, propylene glycol monoethyl ether, propylene glycol monopropyl ether and propylene glycol monobutyl ether Monoalkyl ethers; propylene glycol Propylene glycol dialkyl ethers such as dimethyl ether, propylene glycol diethyl ether, propylene glycol dipropyl ether, propylene glycol dibutyl ether; propylene glycol monomethyl ether acetate, propylene glycol monoethyl ether acetate, propylene glycol monopropyl ether acetate, propylene glycol monobutyl ether acetate Propylene glycol monoalkyl ether acetates such as; cellosolves such as ethyl cellosolve and butyl cellosolve; carbitols such as butyl carbitol; lactic acid esters such as methyl lactate, ethyl lactate, n-propyl lactate and isopropyl lactate; N-propyl acetate, isopropyl acetate, n-butyl acetate , Aliphatic carboxylic acid esters such as isobutyl acetate, n-amyl acetate, isoamyl acetate, isopropyl propionate, n-butyl propionate, isobutyl propionate; methyl 3-methoxypropionate, ethyl 3-methoxypropionate, 3- Other esters such as methyl ethoxypropionate, ethyl 3-ethoxypropionate, methyl pyruvate, ethyl pyruvate; aromatic hydrocarbons such as toluene, xylene; 2-heptanone, 3-heptanone, 4-heptanone, cyclohexanone Ketones such as N-dimethylformamide, N-methylacetamide, N, N-dimethylacetamide, amides such as N-methylpyrrolidone, and lactones such as γ-butyrolacun. These may use only 1 type and may use 2 or more types together.
本発明のフラックスでは、溶剤を含有することができ、この溶剤の含有量によりフラックスの粘度を調製できる。即ち、フラックスの塗布方法に応じて適宜の粘度を選択でき、その粘度は上記範囲の溶剤量により調製できる。
この溶剤の配合量は特に限定されないが、芳香族化合物及び脂肪族化合物の合計を１００質量部とした場合に、０．１〜１０００００質量部を用いることができ、好ましくは１〜１００００質量部であり、更に好ましくは１０〜１０００質量部である。
The flux of the present invention can contain a solvent, and the viscosity of the flux can be adjusted by the content of the solvent. That is, an appropriate viscosity can be selected according to the flux application method, and the viscosity can be adjusted by the amount of solvent in the above range.
Although the compounding quantity of this solvent is not specifically limited, When the sum total of an aromatic compound and an aliphatic compound is 100 mass parts, 0.1-100,000 mass parts can be used, Preferably it is 1-10000 mass parts. Yes, more preferably 10 to 1000 parts by mass.
前記活性剤としては、塩化水素酸及び臭化水素酸のアミン塩、並びに、カルボン酸及びそのアミン塩が挙げられる。この活性剤としては、例えば、メチルアミン、エチルアミン、ｎ−プロピルアミン、イソプロピルアミン、ｎ−ブチルアミン等の第１級アミン類；ジメチルアミン、ジエチルアミン、ジ−ｎ−プロピルアミン、ジイソプロピルアミン、ジ−ｎ−ブチルアミン等の第２級アミン類；トリメチルアミン、トリエチルアミン、トリ−ｎ−プロピルアミン、トリイソプロピルアミン等の第３級アミン類；モノエタノールアミン、ジエタノールアミン、トリエタノールアミン等のアルカノールアミン類等の塩化水素酸塩及び臭化水素酸塩、並びに、シュウ酸、マロン酸、コハク酸、アジピン酸、グルタル酸、ジエチルグルタル酸、ピメリン酸、アゼライン酸、セバシン酸、マレイン酸、フマル酸、ジグリコール酸、カプリン酸、ラウリン酸、ミリスチン酸、パルミチン酸、リノール酸、オレイン酸、ステアリン酸、アラキン酸、べへニン酸、リノレン酸等の脂肪族カルボン酸；安息香酸等の芳香族酸；ヒドロキシピバリン酸、ジメチロールプロピオン酸、クエン酸、リンゴ酸、グリセリン酸、乳酸等のヒドロキシ酸、及び、これらカルボン酸のアミン塩等が挙げられる。これらは１種のみを用いてもよく２種以上を併用してもよい。 Examples of the activator include amine salts of hydrochloric acid and hydrobromic acid, and carboxylic acids and amine salts thereof. Examples of the activator include primary amines such as methylamine, ethylamine, n-propylamine, isopropylamine, n-butylamine; dimethylamine, diethylamine, di-n-propylamine, diisopropylamine, di-n. Secondary amines such as butylamine; Tertiary amines such as trimethylamine, triethylamine, tri-n-propylamine and triisopropylamine; Hydrogen chlorides such as alkanolamines such as monoethanolamine, diethanolamine and triethanolamine Acid salts and hydrobromides, as well as oxalic acid, malonic acid, succinic acid, adipic acid, glutaric acid, diethyl glutaric acid, pimelic acid, azelaic acid, sebacic acid, maleic acid, fumaric acid, diglycolic acid, caprin Acid, lauric acid, myristic , Palmitic acid, linoleic acid, oleic acid, stearic acid, arachidic acid, behenic acid, linolenic acid and other aliphatic carboxylic acids; benzoic acid and other aromatic acids; hydroxypivalic acid, dimethylolpropionic acid, citric acid, Examples thereof include hydroxy acids such as malic acid, glyceric acid, and lactic acid, and amine salts of these carboxylic acids. These may use only 1 type and may use 2 or more types together.
前記チクソトロピー性付与剤としては、例えば、カスターワックス（硬化ひまし油）等のポリオレフィン系ワックス；ｍ−キシリレンビスステアリン酸アミド等の脂肪酸アミド；Ｎ−ブチル−Ｎ’−ステアリル尿素等の置換尿素ワックス；ポリエチレングリコール、ポリエチレンオキサイド、メチルセルロース、エチルセルロース、ヒドロキシエチルセルロース等の高分子化合物；シリカ粒子、カオリン粒子等の無機粒子が挙げられる。これらは１種のみを用いてもよく２種以上を併用してもよい。 Examples of the thixotropic agent include polyolefin waxes such as castor wax (cured castor oil); fatty acid amides such as m-xylylene bis stearamide; substituted urea waxes such as N-butyl-N′-stearyl urea; Examples thereof include polymer compounds such as polyethylene glycol, polyethylene oxide, methyl cellulose, ethyl cellulose, and hydroxyethyl cellulose; inorganic particles such as silica particles and kaolin particles. These may use only 1 type and may use 2 or more types together.
本発明のフラックスでは、チクソトロピー性付与剤を含有することができる。
このチクソトロピー性付与剤の配合量は特に限定されないが、芳香族化合物及び脂肪族化合物の合計を１００質量部とした場合に、０．１〜３０質量部を用いることができ、好ましくは０．１〜２０質量部であり、更に好ましくは０．１〜１０質量部である。
The flux of the present invention can contain a thixotropic agent.
Although the compounding quantity of this thixotropic property imparting agent is not particularly limited, 0.1 to 30 parts by mass can be used, preferably 0.1 when the total of the aromatic compound and the aliphatic compound is 100 parts by mass. It is -20 mass parts, More preferably, it is 0.1-10 mass parts.
［２］はんだペースト
本発明のはんだペーストは、本発明における前記フラックスと、はんだ粉と、を含有する。
前記フラックスは、前述の本発明のフラックスをそのまま適用できる。本発明のはんだペーストに含有される前記フラックスの量は特に限定されないが、前記フラックスの含有量は、前記はんだペースト全体を１００質量％とした場合、好ましくは０．１〜３０質量％であり、より好ましくは１〜２０質量％であり、更に好ましくは５〜１０質量％である。前記フラックスの含有量が、上記範囲にあると、基板濡れ性に優れるはんだペーストとすることができる。
[2] Solder paste The solder paste of the present invention contains the flux according to the present invention and solder powder.
The flux of the present invention described above can be applied as it is as the flux. The amount of the flux contained in the solder paste of the present invention is not particularly limited, but the content of the flux is preferably 0.1 to 30% by mass when the entire solder paste is 100% by mass, More preferably, it is 1-20 mass%, More preferably, it is 5-10 mass%. When the content of the flux is in the above range, a solder paste having excellent substrate wettability can be obtained.
前記はんだ粉は、金属同士の接合化、又は電子回路等において各部材の基板への固定化等に使われる合金の粉であれば、特に限定されず、公知のはんだ粉を使用することができる。このはんだ粉としては、例えば、Ｓｎ−Ｐｂ、Ｓｎ−Ｐｂ−Ａｇ、Ｓｎ−Ｐｂ−Ｂｉ、Ｓｎ−Ｐｂ−Ｉｎ、Ｓｎ−Ｐｂ−Ｓｂ等のみならず、無鉛系のＳｎ−Ｓｂ系合金、Ｓｎ−Ｂｉ系合金、Ｓｎ−Ａｇ系合金、Ｓｎ−Ｚｎ系合金（Ａｇ、Ｃｕ、Ｂｉ、Ｉｎ、Ｎｉ、Ｐ等が添加されていてもよい）等が挙げられる。これらは１種のみを用いてもよく２種以上を併用してもよい。 The solder powder is not particularly limited as long as it is an alloy powder used for bonding between metals or fixing each member to a substrate in an electronic circuit or the like, and a known solder powder can be used. . Examples of the solder powder include Sn-Pb, Sn-Pb-Ag, Sn-Pb-Bi, Sn-Pb-In, Sn-Pb-Sb, etc., as well as lead-free Sn-Sb alloys, Sn -Bi-based alloy, Sn-Ag-based alloy, Sn-Zn-based alloy (Ag, Cu, Bi, In, Ni, P, etc. may be added) and the like. These may use only 1 type and may use 2 or more types together.
前記はんだ粉の形状は、球形、不定形、いずれでも良い。また、はんだ粉の粒径は、通常のものであればよく、球形の場合、直径５〜２００μｍが好ましく、より好ましくは５〜１００μｍであり、更に好ましくは５〜５０μｍである。
また、このはんだ粉の含有量は、はんだペースト全体を１００質量％とした場合、好ましくは７０〜９９．９質量％であり、より好ましくは８０〜９９質量％であり、更に好ましくは９０〜９５質量％である。前記はんだ粉の含有量が、前記範囲にあると、基板濡れ性に優れるはんだペーストとすることができる。
The solder powder may have a spherical shape or an indefinite shape. Moreover, the particle size of solder powder should just be a normal thing, and when spherical, 5-200 micrometers in diameter are preferable, More preferably, it is 5-100 micrometers, More preferably, it is 5-50 micrometers.
Further, the content of the solder powder is preferably 70 to 99.9% by mass, more preferably 80 to 99% by mass, and still more preferably 90 to 95% when the entire solder paste is 100% by mass. % By mass. When content of the said solder powder exists in the said range, it can be set as the solder paste which is excellent in board | substrate wettability.
また、本発明のはんだペーストにおいて、本発明の目的が達成される限り、前記芳香族化合物及び／又は前記脂肪族化合物を含有するフラックスと、はんだ粉と、に加えて、接着性樹脂及び無機フィラー等の添加剤を含有させることができる。 In the solder paste of the present invention, as long as the object of the present invention is achieved, in addition to the flux containing the aromatic compound and / or the aliphatic compound and the solder powder, an adhesive resin and an inorganic filler Etc. can be contained.
前記接着性樹脂は、熱や光により接着性が発現される樹脂であれば特に限定されない。例えば、ポリオレフィン、ポリ塩化ビニル、ポリアミド、ポリアセタール、等の熱可塑性樹；エポキシ樹脂、ウレタン樹脂、熱硬化性ポリエステル樹脂、等の熱硬化性樹脂：エポキシ樹脂、オキセタン樹脂等の光硬化性樹脂等が挙げられる。これらは１種のみを用いてもよく２種以上を併用してもよい。
本発明のはんだペーストでは、接着性樹脂を含有させることにより、はんだのクラックを防止することができる。前記接着性樹脂を含む場合、その含有量は、前記フラックスと前記はんだ粉との合計を１００質量部とした場合に、好ましくは０．１〜２００質量部であり、より好ましくは１０〜１００質量部であり、更に好ましくは１０〜８０質量部である。
The adhesive resin is not particularly limited as long as the adhesive resin is expressed by heat or light. For example, thermoplastic resin such as polyolefin, polyvinyl chloride, polyamide, polyacetal, etc .; thermosetting resin such as epoxy resin, urethane resin, thermosetting polyester resin, etc .: photocurable resin such as epoxy resin, oxetane resin, etc. Can be mentioned. These may use only 1 type and may use 2 or more types together.
In the solder paste of the present invention, solder cracks can be prevented by containing an adhesive resin. When the adhesive resin is included, the content is preferably 0.1 to 200 parts by mass, more preferably 10 to 100 parts by mass, when the total of the flux and the solder powder is 100 parts by mass. Part, more preferably 10 to 80 parts by weight.
前記無機フィラーとしては、シリカ、アルミナなどの無機酸化物等が挙げられる。
本発明のはんだペーストでは、無機フィラーを含有させることにより、はんだの強度を上げることができる。
Examples of the inorganic filler include inorganic oxides such as silica and alumina.
In the solder paste of this invention, the intensity | strength of solder can be raised by containing an inorganic filler.
本発明のはんだペーストの製造方法は、前記フラックス、及び前記はんだ粉、並びに必要に応じて添加される添加物を常法により、混練する方法が挙げられる。混練する機械としては、例えば、真空撹拌装置、混練装置、プラネタリ−ミキサー等が挙げられる。配合時の温度及び条件等は特に限定されないが、通常、５〜２５℃での混練が好ましい。
［３］接合部品
本発明の接合部品は、構成部材と他の構成部材とが、本発明における前記はんだペーストを用いてはんだ付けされている。
Examples of the method for producing the solder paste of the present invention include a method of kneading the flux, the solder powder, and an additive added as necessary, by a conventional method. Examples of the kneading machine include a vacuum stirring device, a kneading device, and a planetary mixer. The temperature and conditions at the time of blending are not particularly limited, but usually kneading at 5 to 25 ° C is preferable.
[3] Joined component In the joined component of the present invention, a component member and another component member are soldered using the solder paste according to the present invention.
上記構成部材及び他の構成部材は、はんだ付けにより接着される部材である限り、特に限定されない。この部材としては、例えば、部品搭載基板、チップ搭載基板等の各種基板、電子回路モジュール、フリップチップＩＣ、半導体チップ等の各種電子部品等が挙げられる。 The said structural member and another structural member are not specifically limited as long as it is the member adhere | attached by soldering. Examples of the member include various substrates such as a component mounting substrate and a chip mounting substrate, various electronic components such as an electronic circuit module, a flip chip IC, and a semiconductor chip.
本発明の接合部材は、上記構成部材どうしが、本発明のはんだペーストに由来するはんだを介して接合されている。
本発明の接合部品としては、例えば、図１に示される表面実装型電子基板（以下、「実装体」という。）が挙げられる。この実装体を例として、以下に説明する。
図１に示すように、この実装体においては、部品搭載用の基板１の部品接続用導体（以下、「ランド」という。）２ａ，２ｂ上に、積層セラミックコンデンサ４の外部電極５ａ，５ｂが、本発明のはんだペースト３ａ、３ｂに由来するはんだ１３ａ、１３ｂを介して接合されている。
As for the joining member of this invention, the said structural members are joined via the solder originating in the solder paste of this invention.
As the joining component of the present invention, for example, a surface mounting type electronic substrate (hereinafter referred to as “mounting body”) shown in FIG. This mounting body will be described below as an example.
As shown in FIG. 1, in this mounting body,
本発明の接合部品の製造方法（本発明のはんだペーストを使用した場合のはんだ付け方法）は、本発明のはんだペーストを用いて、前記構成部材がはんだ付けされる製造方法であれば、特に限定されない。例えば、はんだペースト塗布工程、部品搭載工程、リフロー工程を、この順序で備える通常の製造方法が挙げられる。 The manufacturing method of the joining component of the present invention (soldering method when the solder paste of the present invention is used) is particularly limited as long as the component member is soldered using the solder paste of the present invention. Not. For example, a normal manufacturing method including a solder paste application process, a component mounting process, and a reflow process in this order can be given.
前記の製造方法を、例として以下に説明する。
（１）はんだペースト塗布工程；図２（ａ）に示される部品接続用導体（以下、「ランド」という。）２ａ、２ｂを有する基板１に、ランド２ａ、２ｂ上にはんだペースト３ａ、３ｂを印刷又は塗布する〔図２（ｂ）参照〕。
（２）部品搭載工程；前記（１）の工程の後、はんだペースト３ａ、３ｂ上に、外部電極５ａ、５ｂを備えた電子部品４を搭載する〔図２（ｃ）参照〕。
（３）リフロー工程；前記予備加熱の後、リフロー炉等を通炉させる等により、加熱し、はんだペースト３ａ、３ｂに含有されるはんだを溶融させ、はんだ付けを行う。
The manufacturing method will be described below as an example.
(1) Solder paste application process: Solder pastes 3a and 3b are placed on the
(2) Component mounting step: After the step (1), the
(3) Reflow step: After the preheating, heating is performed by passing a reflow furnace or the like to melt the solder contained in the solder pastes 3a and 3b, and soldering is performed.
前記リフロー工程における加熱温度は、特に限定さないが、好ましくは８０〜２００℃であり、より好ましくは１００〜１８０℃である。このリフロー工程における加熱温度が上記範囲内にあると、前記はんだペーストに含有されるはんだ粉は溶融する。そして、基板と電子部品とを接合することができる。また、前記はんだペーストに含有されるフラックス等は揮発し、フラックス残渣は残存され難い。 Although the heating temperature in the said reflow process is not specifically limited, Preferably it is 80-200 degreeC, More preferably, it is 100-180 degreeC. When the heating temperature in the reflow process is within the above range, the solder powder contained in the solder paste is melted. And a board | substrate and an electronic component can be joined. Further, the flux and the like contained in the solder paste are volatilized and the flux residue hardly remains.
本発明の接合部品は、本発明のはんだペーストを用いてはんだ付けされていることから、はんだ付け後にフラックス残渣が残存され難い。従って、はんだ付け後の接合部品を洗浄する必要がなく、接合信頼性の高い接合部品とすることができる。 Since the joining component of the present invention is soldered using the solder paste of the present invention, it is difficult for the flux residue to remain after soldering. Therefore, it is not necessary to clean the soldered joint component, and a joint component with high joint reliability can be obtained.
以下、本発明について、実施例を挙げて具体的に説明する。尚、本発明は、これらの実施例に何ら制約されるものではない。また、実施例中の「部」は、特に断らない限り質量基準である。 Hereinafter, the present invention will be specifically described with reference to examples. In addition, this invention is not restrict | limited at all by these Examples. Further, “parts” in the examples are based on mass unless otherwise specified.
［１］固体状のフラックスの調製
＜実施例１〜４＞
表１に示す化合物１００部をフラックスとして用いた。
100 parts of the compound shown in Table 1 was used as a flux.
［２］液体状フラックスの調製
＜実施例５＞
表１に示すグルタルジアルデヒドの２５質量％水溶液２００ｇ（グルタルジアルデヒド５０ｇ）、及びグリオキサールの４０質量％水溶液１２５ｇ（グリオキサール５０ｇ）を混合して実施例５の液体状フラックスを得た。
＜比較例１＞
表１に示す化合物を、表１に示す配合量により混合して、その混合物を１００℃に加熱し、液状になるまで攪拌することにより、液体状フラックスを得た。
[2] Preparation of liquid flux <Example 5>
A liquid flux of Example 5 was obtained by mixing 200 g of a 25% by weight aqueous solution of glutardialdehyde shown in Table 1 (50 g of glutardialdehyde) and 125 g of a 40% by weight aqueous solution of glyoxal (50 g of glyoxal).
<Comparative Example 1>
The compounds shown in Table 1 were mixed according to the blending amounts shown in Table 1, and the mixture was heated to 100 ° C. and stirred until it became liquid to obtain a liquid flux.
［３］フラックスの評価
実施例１〜５及び比較例１により得られたフラックスについて、下記評価を行った。結果を表２に示す。
〔酸化膜（酸化銅）基板の作製〕
シリコンウエハ（厚さ１ｍｍ、直径２０ｃｍ）に、銅を１０μｍの厚さで蒸着した銅基板を作成した。その後、その銅基板を、１気圧、空気下で２００℃、６時間ホットプレートに置いて加熱し、片面が完全に酸化した酸化膜（酸化銅）基板を得た。
〔酸化膜（酸化スズ）基板の作製〕
シリコンウエハ（厚さ１ｍｍ、直径２０ｃｍ）に、スズを１０μｍの厚さで蒸着したスズ基板を作成した。その後、そのスズ基板を、１気圧、空気下で２００℃、６時間ホットプレートに置いて加熱し、片面が完全に酸化した酸化膜（酸化スズ）基板を得た。
[3] Evaluation of Flux The following evaluation was performed on the fluxes obtained in Examples 1 to 5 and Comparative Example 1. The results are shown in Table 2.
[Production of oxide film (copper oxide) substrate]
A copper substrate was prepared by depositing copper in a thickness of 10 μm on a silicon wafer (thickness 1 mm, diameter 20 cm). Thereafter, the copper substrate was placed on a hot plate at 200 ° C. for 6 hours under air at 1 atm and heated to obtain an oxide film (copper oxide) substrate in which one side was completely oxidized.
[Production of oxide film (tin oxide) substrate]
A tin substrate was prepared by depositing tin with a thickness of 10 μm on a silicon wafer (thickness 1 mm, diameter 20 cm). Thereafter, the tin substrate was placed on a hot plate at 1 ° C. under air at 200 ° C. for 6 hours and heated to obtain an oxide film (tin oxide) substrate having one surface completely oxidized.
（１）酸化膜（酸化銅）基板におけるフラックスの酸化膜還元性評価
実施例１〜５及び比較例１のフラックスを、酸化膜（酸化銅）基板の上（酸化膜形成面）に均等に塗布し、もう一枚の同じ種類の酸化膜基板を酸化膜形成面が、フラックスに接触するようにして重ね合わせ、隙間なく付着させた。この張り合わせ基板をホットプレート上で加熱し、還元作用が発現する温度を測定した。還元作用が発現する温度は、酸化銅の場合は黒から赤金色へ、に変色する温度を測定した。また、実施例５のフラックスに関しては、フラックスを、酸化膜形成面に均等に塗布した後、これを１２０℃に加熱し水分を除去した後の還元作用を評価した。
(1) Evaluation of oxide film reducing ability of flux on oxide film (copper oxide) substrate The fluxes of Examples 1 to 5 and Comparative Example 1 are evenly applied on the oxide film (copper oxide) substrate (oxide film formation surface). Then, another oxide film substrate of the same type was superposed so that the oxide film forming surface was in contact with the flux and adhered without gaps. This bonded substrate was heated on a hot plate, and the temperature at which the reducing action was exhibited was measured. In the case of copper oxide, the temperature at which the reduction action appears was measured as the temperature at which the color changes from black to red gold. In addition, regarding the flux of Example 5, after the flux was evenly applied to the oxide film forming surface, the reduction effect after removing the moisture by heating to 120 ° C. was evaluated.
（２）酸化膜（酸化スズ）基板におけるフラックスの酸化膜還元性評価
実施例１〜５及び比較例１のフラックスを、酸化膜（酸化スズ）基板の上（酸化膜形成面）に均等に塗布し、もう一枚の同じ種類の酸化膜基板を酸化膜形成面が、フラックスに接触するようにして重ね合わせ、隙間なく付着させた。この張り合わせ基板をホットプレート上で加熱し、還元作用が発現する温度を測定した。還元作用が発現する温度は、酸化膜が酸化スズの場合は、その酸化膜の色が紫黒から白色へ、変色する温度を測定した。また、実施例５のフラックスに関しては、フラックスを、酸化膜形成面に均等に塗布した後、これを１２０℃に加熱し水分を除去した後の還元作用を評価した。
(2) Oxide film reduction evaluation of flux on oxide film (tin oxide) substrate The fluxes of Examples 1 to 5 and Comparative Example 1 are evenly applied on the oxide film (tin oxide) substrate (oxide film formation surface). Then, another oxide film substrate of the same type was superposed so that the oxide film forming surface was in contact with the flux and adhered without gaps. This bonded substrate was heated on a hot plate, and the temperature at which the reducing action was exhibited was measured. The temperature at which the reduction action appears was the temperature at which the color of the oxide film changed from purple black to white when the oxide film was tin oxide. In addition, regarding the flux of Example 5, after the flux was evenly applied to the oxide film forming surface, the reduction effect after removing the moisture by heating to 120 ° C. was evaluated.
（３）フラックスの残渣評価
前記還元性評価後の基板を、窒素雰囲気下、ホットプレート上に置き、１２０分、ハンダ溶融温度に相等する２５０℃で加熱を行い、加熱後の酸化膜基板表面における残渣の有無について評価した。
残渣の評価は、前記加熱後の酸化膜基板を目視により観察し、全くシミや焦げが観察されなかった場合を、残渣がないとして「○」と評価し、シミや焦げが観察された場合を、残渣があるとして「×」と評価した。
(3) Flux residue evaluation The substrate after the reducibility evaluation is placed on a hot plate in a nitrogen atmosphere, heated at 250 ° C., which is equivalent to the solder melting temperature, for 120 minutes, and on the heated oxide film substrate surface. The presence or absence of residue was evaluated.
The evaluation of the residue was performed by visually observing the oxide film substrate after heating, and when no stain or scoring was observed, it was evaluated as `` ○ '' as there was no residue, and when the stain or scoring was observed The evaluation was “X” because there was a residue.
１；基板、２ａ，２ｂ；ランド、３ａ，３ｂ；はんだペート、４；電子部品、５ａ，５ｂ；外部電極、１３ａ，１３ｂ；はんだ。 DESCRIPTION OF SYMBOLS 1; Board | substrate, 2a, 2b; Land, 3a, 3b; Solder pate, 4; Electronic component, 5a, 5b; External electrode, 13a, 13b; Solder.
Claims (5)
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2009027623A JP5195486B2 (en) | 2009-02-09 | 2009-02-09 | Flux, solder paste and joined parts |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2009027623A JP5195486B2 (en) | 2009-02-09 | 2009-02-09 | Flux, solder paste and joined parts |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2010179360A true JP2010179360A (en) | 2010-08-19 |
| JP5195486B2 JP5195486B2 (en) | 2013-05-08 |
Family
ID=42761304
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2009027623A Active JP5195486B2 (en) | 2009-02-09 | 2009-02-09 | Flux, solder paste and joined parts |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP5195486B2 (en) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN103056560A (en) * | 2012-12-28 | 2013-04-24 | 深圳市美克科技有限公司 | Scaling flux for soldering |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2001517153A (en) * | 1995-08-11 | 2001-10-02 | カーストン・ケネス・ジェイ | Solder paste mainly composed of epoxy resin |
-
2009
- 2009-02-09 JP JP2009027623A patent/JP5195486B2/en active Active
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2001517153A (en) * | 1995-08-11 | 2001-10-02 | カーストン・ケネス・ジェイ | Solder paste mainly composed of epoxy resin |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN103056560A (en) * | 2012-12-28 | 2013-04-24 | 深圳市美克科技有限公司 | Scaling flux for soldering |
| CN103056560B (en) * | 2012-12-28 | 2015-03-11 | 深圳市美克科技有限公司 | Scaling flux for soldering |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP5195486B2 (en) | 2013-05-08 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US7767032B2 (en) | No-clean low-residue solder paste for semiconductor device applications | |
| JP5387732B2 (en) | Method for connecting connection object and method for manufacturing electronic device | |
| JP6402213B2 (en) | Solder composition and electronic substrate | |
| TWI700143B (en) | Water-soluble flux for solder paste and solder paste | |
| JP6138846B2 (en) | Solder composition and method for producing electronic substrate using the same | |
| WO2010041668A1 (en) | Flux, conductive paste, bonded component, and method for producing bonded component | |
| JP2004025305A (en) | Residue-free solder paste | |
| JP6824208B2 (en) | Flux and solder paste | |
| JP2015123472A (en) | Solder composition and print circuit board using the same | |
| JP2016150344A (en) | Water-soluble flux for solder paste, and solder paste | |
| JP6899173B2 (en) | Flux and solder paste | |
| KR960004341B1 (en) | Solder pastes having an drganic acids in low residue | |
| PH12016500487B1 (en) | Cleaning flux, cleaning solder paste, and solder joint | |
| JP5691598B2 (en) | Flux and method for forming electrical connection structure | |
| JP2008110392A (en) | Flux for soldering and solder paste composition | |
| JP2011083809A (en) | Flux, solder paste and joined part | |
| KR20200035208A (en) | Flux composition and solder paste | |
| JP2011104638A (en) | Water-soluble flux, conductive paste, and bonded component | |
| JP6101514B2 (en) | Solder composition and printed wiring board manufacturing method | |
| JPH0388386A (en) | Manufacture of printed board assembly | |
| JP6071378B2 (en) | Flux composition and soldering method | |
| JP5195486B2 (en) | Flux, solder paste and joined parts | |
| KR102525010B1 (en) | Flux and solder paste | |
| KR20130035946A (en) | Amine, carboxylic acid flux composition and method of soldering | |
| WO2019022193A1 (en) | Solder paste flux, solder paste, method for forming solder bump using solder paste, and method for producing joined body |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20110913 |
|
| RD04 | Notification of resignation of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7424 Effective date: 20111219 |
|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20121022 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20121030 |
|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20121212 |
|
| TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20130108 |
|
| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20130121 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20160215 Year of fee payment: 3 |
|
| R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 Ref document number: 5195486 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |