JP2010176868A - Manufacturing method of organic el element, and organic el element - Google Patents

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Shinjiro Aono
伸二郎 青野
Masaaki Kawamura
雅明 川村
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Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a manufacturing method of an organic EL element including an auxiliary electrode that suppresses the occurrence of peeling-off or cracking. <P>SOLUTION: The manufacturing method of the organic EL element includes a step of forming each groove 11a in the surface of an insulating substrate 11, a step in which a conductive paste is coated on the surface of the insulating substrate 11 so as to fill the conductive paste into each groove 11a, a step of forming an auxiliary electrode 12 whose surface is substantially on the same plane as the surface of the insulating substrate 11 by firing the insulating substrate 11, a step of forming a first electrode 13a on the auxiliary electrode 12, a step of forming an organic layer 13b on the first electrode 13a, and a step of forming a second electrode 13c on the organic layer 13b. <P>COPYRIGHT: (C)2010,JPO&INPIT

Description

本発明は、液晶テレビなどのバックライト光源や照明に用いられる有機EL
(Organic Light Emitting Diode、OLED)素子の製造方法および有機EL素子に関する。
The present invention relates to an organic EL used for backlight light sources such as liquid crystal televisions and illumination.
(Organic Light Emitting Diode, OLED) It is related with the manufacturing method of an element, and an organic EL element.

従来、大面積を有する有機EL素子が知られているが、有機EL素子に用いられている透明電極はシート抵抗が高いため、電圧降下によって有機EL素子の中央と端部とで輝度が大きく異なり、結果均斉度などの発光特性が低下する。この現象を回避するために、例えば、特開2003−108029公報(以下、特許文献1)のように、有機EL素子の基板に溝を形成し、スパッタリング法により溝に補助電極を形成する試みがなされている。   Conventionally, an organic EL element having a large area is known. However, since the transparent electrode used in the organic EL element has a high sheet resistance, the luminance differs greatly between the center and the end of the organic EL element due to a voltage drop. As a result, light emission characteristics such as uniformity are deteriorated. In order to avoid this phenomenon, for example, as disclosed in Japanese Patent Application Laid-Open No. 2003-108029 (hereinafter referred to as Patent Document 1), an attempt is made to form a groove in a substrate of an organic EL element and form an auxiliary electrode in the groove by a sputtering method. Has been made.

特開2003−108029公報JP 2003-108029 A

しかしながら、上記従来の製造方法では、補助電極を有する有機EL素子を製作するのが困難であることが判明した。これは、スパッタリング法でマイクロメートル単位の膜厚を有する補助電極を製作するためには多数の時間がかかるためである。また、スパッタリング法で補助電極を製作した有機EL素子は内部応力が強くなり、素子の剥がれやクラックが発生するおそれがあるためである。   However, it has been found that it is difficult to produce an organic EL element having an auxiliary electrode by the conventional manufacturing method. This is because it takes a lot of time to produce an auxiliary electrode having a film thickness of micrometer by sputtering. In addition, the organic EL element in which the auxiliary electrode is manufactured by the sputtering method has high internal stress, and the element may peel off or crack.

本発明の目的は、容易に補助電極を有する有機EL素子の製造方法を提供することにある。   The objective of this invention is providing the manufacturing method of the organic EL element which has an auxiliary electrode easily.

本発明に係る有機EL素子の製造方法は、絶縁基板の表面に溝を形成する工程と、前記絶縁基板の表面に導電ペーストを塗布し、前記溝内に前記導電ペーストを埋める工程と、前記絶縁基板を焼成することにより、その表面が前記絶縁基板の表面と実質的に同一平面となる補助電極を形成する工程と、前記補助電極の上に第1電極を形成する工程と、前記第1電極の上に有機層を形成する工程と、前記有機層の上に第2電極を形成する工程とを具備することを特徴とする。   The organic EL device manufacturing method according to the present invention includes a step of forming a groove on a surface of an insulating substrate, a step of applying a conductive paste on the surface of the insulating substrate, and filling the conductive paste in the groove, and the insulating Firing the substrate to form an auxiliary electrode whose surface is substantially flush with the surface of the insulating substrate; forming the first electrode on the auxiliary electrode; and the first electrode A step of forming an organic layer on the substrate, and a step of forming a second electrode on the organic layer.

また、本発明に係る有機EL素子は、表面に溝が形成された絶縁基板と、前記溝内にその表面が前記絶縁基板の表面と実質的に同一平面となるように形成された、表面粗さRaが10nm以下である補助電極と、前記絶縁基板および前記補助電極の上に形成された第1電極と、前記第1電極の上に形成された有機層と、前記有機層の上に形成された第2電極とを具備することを特徴とする。   The organic EL device according to the present invention includes an insulating substrate having a groove formed on a surface thereof, and a surface roughness formed in the groove so that the surface thereof is substantially flush with the surface of the insulating substrate. An auxiliary electrode having a thickness Ra of 10 nm or less, a first electrode formed on the insulating substrate and the auxiliary electrode, an organic layer formed on the first electrode, and formed on the organic layer The second electrode is provided.

本発明によれば、容易に補助電極を有する有機EL素子の製造方法を提供することができる。また、容易に補助電極を有する有機EL素子を提供することができる。   ADVANTAGE OF THE INVENTION According to this invention, the manufacturing method of the organic EL element which has an auxiliary electrode can be provided easily. In addition, an organic EL element having an auxiliary electrode can be easily provided.

本発明の第1の実施形態を示す有機EL素子の斜視図。The perspective view of the organic EL element which shows the 1st Embodiment of this invention. 図1の一点鎖線A−A’の断面図。Sectional drawing of the dashed-dotted line A-A 'of FIG. 本発明の第1の実施の形態の絶縁基板形成工程を示す説明図。Explanatory drawing which shows the insulated substrate formation process of the 1st Embodiment of this invention. 本発明の第1の実施の形態の有機EL素子の製造工程を示す説明図。Explanatory drawing which shows the manufacturing process of the organic EL element of the 1st Embodiment of this invention. 本発明の第2の実施の形態の有機EL素子の製造工程を示す説明図。Explanatory drawing which shows the manufacturing process of the organic EL element of the 2nd Embodiment of this invention. 本発明の第3の実施の形態の有機EL素子の製造工程を示す説明図。Explanatory drawing which shows the manufacturing process of the organic EL element of the 3rd Embodiment of this invention.

(第1の実施の形態)
図1は、本発明の第1の実施の形態を示した斜視図である。図2は、図1に示す一点鎖線A−A’の断面図である。
(First embodiment)
FIG. 1 is a perspective view showing a first embodiment of the present invention. 2 is a cross-sectional view taken along one-dot chain line AA ′ shown in FIG.

有機EL素子1は、絶縁基板11の表面に形成された溝11a内に補助電極12が形成され、この補助電極12上に有機EL層13が形成されている。この補助電極12は溝11aを埋めるように形成され、補助電極12の表面は絶縁基板11の表面と実質的に同一平面となるように形成されている。   In the organic EL element 1, an auxiliary electrode 12 is formed in a groove 11 a formed on the surface of the insulating substrate 11, and an organic EL layer 13 is formed on the auxiliary electrode 12. The auxiliary electrode 12 is formed so as to fill the groove 11 a, and the surface of the auxiliary electrode 12 is formed to be substantially flush with the surface of the insulating substrate 11.

絶縁基板11は、格子状に溝11aが形成されており、その材料は、例えば、透光性のガラス板である。   The insulating substrate 11 has grooves 11a formed in a lattice shape, and the material thereof is, for example, a translucent glass plate.

補助電極12は、有機EL層13内の後述する第1電極13aのシート抵抗値を下げることにより、有機EL素子1の発光特性を良くする。補助電極12は、例えば格子状に形成されており、絶縁基板11に設けられた溝11aに導電ペーストを塗布することによって形成される。この導電ペーストとは、例えば金属が70〜80wt%で構成されたペーストで、金属は例えば銀などである。また、導電ペーストは粘度が100〜200Pa・sであるのが望ましい。粘度が100Pa・sよりも小さいと粘性がないために膜が形成されず、また粘度が200Pa・sよりも大きいと粘性が高すぎて所望の位置に導電ペーストを滴下することができない。   The auxiliary electrode 12 improves the light emission characteristics of the organic EL element 1 by lowering the sheet resistance value of a first electrode 13a described later in the organic EL layer 13. The auxiliary electrode 12 is formed, for example, in a lattice shape, and is formed by applying a conductive paste to the groove 11 a provided in the insulating substrate 11. This conductive paste is, for example, a paste composed of 70 to 80 wt% of metal, and the metal is, for example, silver. The conductive paste preferably has a viscosity of 100 to 200 Pa · s. If the viscosity is less than 100 Pa · s, the film is not formed because there is no viscosity. If the viscosity is more than 200 Pa · s, the viscosity is too high and the conductive paste cannot be dropped at a desired position.

有機EL層13は、第1電極13a、有機層13b、第2電極13c、封止層13などからなる。   The organic EL layer 13 includes a first electrode 13a, an organic layer 13b, a second electrode 13c, a sealing layer 13, and the like.

第1電極13aは、後述する有機層13bに正孔を提供する。第1電極13aは、透明電極で構成されており、例えばITOである。第1電極13aはスパッタリング法により形成される。また、第1電極13aは補助電極12が形成された絶縁基板11上に、図2に示すように有機EL素子1の外部および補助電極12と電気的に接続されるように形成される。   The first electrode 13a provides holes to the organic layer 13b described later. The 1st electrode 13a is comprised with the transparent electrode, for example, is ITO. The first electrode 13a is formed by a sputtering method. The first electrode 13a is formed on the insulating substrate 11 on which the auxiliary electrode 12 is formed so as to be electrically connected to the outside of the organic EL element 1 and the auxiliary electrode 12 as shown in FIG.

有機層13bは、第1電極13a、後述する第2電極13cより電界が生じることにより発光する。有機層13bは、有機物を蒸着することで形成され、例えばαNPD、Alq3などの有機物などで構成される。   The organic layer 13b emits light when an electric field is generated from the first electrode 13a and a second electrode 13c described later. The organic layer 13b is formed by vapor-depositing an organic substance, and is made of an organic substance such as αNPD or Alq3.

第2電極13cは、有機層13bに電子を提供する。第2電極13cは導電性であり、有機層13bが発光したときに効率よく光線を放射するために反射する物質が望ましく、例えばアルミニウムなどにより構成される。第2電極13cは真空蒸着法により、有機層13bの上に、図2に示すように有機EL素子1の外部と電気的に接続されるように形成される。   The second electrode 13c provides electrons to the organic layer 13b. The second electrode 13c is conductive, and is preferably a substance that reflects in order to efficiently emit light when the organic layer 13b emits light, and is made of, for example, aluminum. The second electrode 13c is formed on the organic layer 13b by vacuum deposition so as to be electrically connected to the outside of the organic EL element 1 as shown in FIG.

封止層13dは、第1電極13a、有機層13b、第2電極13cを外気の水分や酸素の暴露から守り、気密に封止するために設けられる。封止層13dは、例えばガラスやステンレスなどの封止缶により構成される。なお、封止層13dは第1電極13a、第2電極13cが有機EL素子1の外部と電気的に接続するように構成されるのが望ましい。   The sealing layer 13d is provided to protect the first electrode 13a, the organic layer 13b, and the second electrode 13c from exposure to moisture and oxygen from the outside air and to hermetically seal them. The sealing layer 13d is formed of a sealing can such as glass or stainless steel. The sealing layer 13d is preferably configured so that the first electrode 13a and the second electrode 13c are electrically connected to the outside of the organic EL element 1.

ここで、補助電極12について、さらに詳しく説明する。   Here, the auxiliary electrode 12 will be described in more detail.

補助電極12の表面粗さRaは10nm以下であることが望ましい。これは、補助電極12の上に形成される第1電極13a、有機層13b、第2電極13cの膜厚が10〜100nmで形成されるためである。補助電極12の表面粗さRaが10nmよりも大きくなると、第1電極13a、有機層13b、第2電極13cの膜厚よりも補助電極12の表面の凹凸が大きくなり、有機層13bから放射され、有機EL素子1の外部に放出される光の明るさにムラが生じる。   The surface roughness Ra of the auxiliary electrode 12 is desirably 10 nm or less. This is because the first electrode 13a, the organic layer 13b, and the second electrode 13c formed on the auxiliary electrode 12 have a thickness of 10 to 100 nm. When the surface roughness Ra of the auxiliary electrode 12 is larger than 10 nm, the unevenness of the surface of the auxiliary electrode 12 becomes larger than the film thickness of the first electrode 13a, the organic layer 13b, and the second electrode 13c, and is emitted from the organic layer 13b. The brightness of the light emitted to the outside of the organic EL element 1 is uneven.

また、補助電極12は、光を反射する性質を有することが望ましく、具体的には反射率90%以上であることが望ましい。これは、有機EL素子1に用いられる材料の光学特性、具体的には光線取り出し効率を向上させるためである。   The auxiliary electrode 12 desirably has a property of reflecting light, and specifically has a reflectance of 90% or more. This is to improve the optical characteristics of the material used for the organic EL element 1, specifically, the light extraction efficiency.

有機EL素子1に用いられる材料の内、第1電極13aと絶縁基板11、絶縁基板11と有機EL素子1外部とでは屈折率に違いがある。有機層13bから放射される光が第1電極13a、絶縁基板11と屈折率の異なる物質を通るたびに物質界面での入射角度が大きくなるためである。入射角度が大きくなった光、すなわち、界面に対する角が鋭角となった光は、物質の界面で全反射するため、光が有機EL素子1内に留まり、有機EL素子1の外部に光線が取り出せなくなる。その結果、有機EL素子1の発光効率が低下する。そこで、補助電極12が光線を反射することで、入射角度が大きい光の入射角度を小さくする、すなわち、光を物質界面に対してより垂直にすることができるため、全反射を抑制することができ、結果有機EL素子1自体の光線取り出し効率を高めることができる。   Among the materials used for the organic EL element 1, there are differences in refractive index between the first electrode 13a and the insulating substrate 11, and between the insulating substrate 11 and the outside of the organic EL element 1. This is because the incident angle at the material interface increases every time light emitted from the organic layer 13b passes through a material having a refractive index different from that of the first electrode 13a and the insulating substrate 11. Light having an increased incident angle, that is, light having an acute angle with respect to the interface is totally reflected at the interface of the substance, so that the light stays in the organic EL element 1 and a light beam can be extracted outside the organic EL element 1. Disappear. As a result, the light emission efficiency of the organic EL element 1 is lowered. Therefore, the auxiliary electrode 12 reflects the light beam, so that the incident angle of light having a large incident angle can be reduced, that is, the light can be made more perpendicular to the material interface, so that total reflection is suppressed. As a result, the light extraction efficiency of the organic EL element 1 itself can be increased.

補助電極12の抵抗率は第2電極12cの抵抗率と同等であるのが望ましく、具体的には3μΩ・cm以下であればよい。その理由は、補助電極12の抵抗率が第2電極12cの抵抗率と比べて大きいと、補助電極12内で起電力が発生し、電力ロスとなって有機EL素子1の発光強度が低下するからである。   The resistivity of the auxiliary electrode 12 is preferably equal to the resistivity of the second electrode 12c, and specifically, it may be 3 μΩ · cm or less. The reason is that if the resistivity of the auxiliary electrode 12 is larger than the resistivity of the second electrode 12 c, an electromotive force is generated in the auxiliary electrode 12, resulting in a power loss and a decrease in the light emission intensity of the organic EL element 1. Because.

ここで、有機EL素子の形成方法について、図3、4を用いて更に詳しく説明する。図3は絶縁基板11に溝11aを形成する工程を、図4は補助電極12を有する有機EL素子1を形成する工程を示す。   Here, the method for forming the organic EL element will be described in more detail with reference to FIGS. FIG. 3 shows a step of forming the groove 11 a in the insulating substrate 11, and FIG. 4 shows a step of forming the organic EL element 1 having the auxiliary electrode 12.

図3(a)に示す透光性の絶縁基板11に、図3(b)に示すように、レジスト2を、溝11aを形成する面に塗布する。次に、図3(c)に示すように、溝11aを形成する位置を幅Wで露光することで、露光箇所2aが形成される。次に、露光箇所2aを除去したあと、図3(d)に示すようにレジスト2をマスクとしてフッ酸で所望の深さDだけエッチングし、溝11aを形成する。この後レジスト2を除去することで、図3(e)に示すように溝11aを有する絶縁基板11が得られる。ここで、DとWの寸法は、例えば、D:3〜5μm、W:50μm、である。また、溝11aの表面粗さRaは1μm以下であることが望ましい。   As shown in FIG. 3B, the resist 2 is applied to the light-transmitting insulating substrate 11 shown in FIG. Next, as illustrated in FIG. 3C, the exposed portion 2 a is formed by exposing the position where the groove 11 a is formed with a width W. Next, after removing the exposed portion 2a, as shown in FIG. 3 (d), the resist 2 is used as a mask and etched to a desired depth D with hydrofluoric acid to form a groove 11a. Thereafter, the resist 2 is removed to obtain the insulating substrate 11 having the grooves 11a as shown in FIG. Here, the dimensions of D and W are, for example, D: 3 to 5 μm and W: 50 μm. Further, the surface roughness Ra of the groove 11a is desirably 1 μm or less.

溝11aを形成した後、溝11aを有する絶縁基板11に、例えばディスペンサーにより溝11aの容積と同量の導電ペーストを滴下することで、図4(a)に示すように、溝11aに導電ペーストを印刷する。この後、絶縁基板11に例えば超音波を照射させることで溝11aに隙間なく導電ペーストを充填し、焼成することで、図4(b)に示すように補助電極12が形成される。   After the groove 11a is formed, the conductive paste having the same volume as the groove 11a is dropped onto the insulating substrate 11 having the groove 11a by, for example, a dispenser, so that the conductive paste is formed in the groove 11a as shown in FIG. To print. Thereafter, the insulating substrate 11 is irradiated with ultrasonic waves, for example, so that the groove 11a is filled with a conductive paste without gaps, and baked, whereby the auxiliary electrode 12 is formed as shown in FIG.

次に、図4(c)に示すように、第1電極13aを補助電極12と電気的に接続されるよう、スパッタリング法により成膜する。次に、図4(d)に示すように、有機層13b、次いで図4(e)に示すように、第2電極13cを、図4(f)に示すように、封止膜13dを真空蒸着法により成膜する。これにより、補助電極12を有する有機EL素子1が形成される。   Next, as shown in FIG. 4C, a film is formed by a sputtering method so that the first electrode 13 a is electrically connected to the auxiliary electrode 12. Next, as shown in FIG. 4D, the organic layer 13b, then the second electrode 13c as shown in FIG. 4E, and the sealing film 13d as shown in FIG. A film is formed by vapor deposition. Thereby, the organic EL element 1 having the auxiliary electrode 12 is formed.

ここで、特許文献1には、補助電極を形成する際、スパッタリング法を用いることで補助電極を形成することが記載されている。ところが、特許文献1の製造方法では、マイクロメートル単位の膜厚を有する補助電極を製作するためには多くの時間がかかる。また、スパッタリング法で補助電極を製作したとき、有機EL素子の内部応力が強くなり、有機EL素子の剥がれやクラックが発生する。   Here, Patent Document 1 describes that when forming the auxiliary electrode, the auxiliary electrode is formed by using a sputtering method. However, in the manufacturing method of Patent Document 1, it takes a lot of time to manufacture an auxiliary electrode having a film thickness of a micrometer unit. Further, when the auxiliary electrode is manufactured by the sputtering method, the internal stress of the organic EL element becomes strong, and the organic EL element is peeled off or cracked.

また、スパッタリング法では基板の溝のみを目標として製膜することができず、基板全体、さらには基板外部にまで補助電極の元となるターゲット材が飛散するため、ターゲット材の使用効率が悪い。また、補助電極形成後に不要となる補助電極が多量に発生し、不要の補助電極を取り除く工程が必要であるため、製造時間が余計にかかる。   Further, in the sputtering method, it is not possible to form a film only with respect to the groove of the substrate, and the target material that is the source of the auxiliary electrode is scattered to the entire substrate and further to the outside of the substrate, so that the use efficiency of the target material is poor. In addition, a large amount of auxiliary electrodes that are unnecessary after the formation of the auxiliary electrodes are generated, and a process for removing unnecessary auxiliary electrodes is required, which requires extra manufacturing time.

また、基板が大型化した場合、スパッタリング法で補助電極を製作するにはより困難となる。なぜならば、基板が大型化した場合に補助電極を製作するスパッタリング装置も大型化しなければならず、スパッタリングを行う処理室の真空度などを維持するための機構が複雑となり、結果ランニングコストが高くなるためである。よって、補助電極を形成するとき、スパッタリング法を用いることは困難である。   Further, when the substrate is enlarged, it becomes more difficult to manufacture the auxiliary electrode by the sputtering method. This is because when the substrate is enlarged, the sputtering apparatus for manufacturing the auxiliary electrode must be enlarged, and the mechanism for maintaining the vacuum degree of the processing chamber for performing sputtering becomes complicated, resulting in an increase in running cost. Because. Therefore, it is difficult to use the sputtering method when forming the auxiliary electrode.

しかしながら、上記方法によれば、導電ペーストを塗布することで補助電極12を形成すると、補助電極12の寸法は塗布条件を変えることで容易に制御することが可能である。また、導体は粒子として形成されず、溝11aの形状に合わせて形成されるため、スパッタリング法により形成される場合と異なり隙間がなくなるため、有機EL素子内部に発生する補助電極に由来する内部応力を軽減することができる。よって、有機EL素子の剥がれやクラックの発生を抑制することが可能である。   However, according to the above method, when the auxiliary electrode 12 is formed by applying a conductive paste, the dimensions of the auxiliary electrode 12 can be easily controlled by changing the application conditions. In addition, since the conductor is not formed as a particle but is formed in accordance with the shape of the groove 11a, there is no gap unlike the case where it is formed by the sputtering method, so that the internal stress derived from the auxiliary electrode generated inside the organic EL element Can be reduced. Therefore, it is possible to suppress peeling and cracking of the organic EL element.

また、上記方法では基板の溝のみに導電ペーストを塗布することが可能であるため、スパッタリング法に比べて導電ペーストの使用効率が格段によくなる。また、不要となる補助電極がほとんど発生しないため、不要の補助電極を取り除く工程をなくすことができる。   Further, in the above method, since the conductive paste can be applied only to the groove of the substrate, the use efficiency of the conductive paste is markedly improved compared to the sputtering method. In addition, since unnecessary auxiliary electrodes are hardly generated, the step of removing unnecessary auxiliary electrodes can be eliminated.

更に、基板が大型化しても、上記方法では容易に対応することが可能である。なぜならば、上記方法では導電ペーストを塗布する機構のみを大型化すればよいため、スパッタリング法のように装置の機構が複雑となることがなく、結果ランニングコストの上昇を抑えることができるためである。   Furthermore, even if the substrate is enlarged, the above method can easily cope with it. This is because, in the above method, only the mechanism for applying the conductive paste needs to be enlarged, so that the mechanism of the apparatus is not complicated as in the sputtering method, and as a result, an increase in running cost can be suppressed. .

したがって、上記方法では、容易に補助電極を有する有機EL素子を得ることが可能である。   Therefore, with the above method, it is possible to easily obtain an organic EL element having an auxiliary electrode.

(第2の実施の形態)
図5は本発明の第2の実施の形態の有機EL素子の製造方法を示す図である。同図においては図1乃至図4に示した構成部分と同一の構成部分には同一符号で示し、その説明を省略する。
(Second Embodiment)
FIG. 5 is a diagram showing a method for manufacturing an organic EL element according to the second embodiment of the present invention. In the figure, the same components as those shown in FIGS. 1 to 4 are denoted by the same reference numerals, and the description thereof is omitted.

本実施の形態では、図5(a)に示すように、例えばディスペンサーにより溝11aの容量よりも多量の導電ペーストを滴下し、焼成することで、補助電極12が形成される。次に、補助電極12の表面のみを研磨することで、図5(b)に示すように、補助電極12が形成された絶縁基板11を得る。以降は第1の実施の形態と同様にして、補助電極12を有する有機EL素子1を得ることができる。   In the present embodiment, as shown in FIG. 5A, the auxiliary electrode 12 is formed by dropping and baking a larger amount of conductive paste than the capacity of the groove 11a with a dispenser, for example. Next, only the surface of the auxiliary electrode 12 is polished to obtain the insulating substrate 11 on which the auxiliary electrode 12 is formed, as shown in FIG. Thereafter, the organic EL element 1 having the auxiliary electrode 12 can be obtained in the same manner as in the first embodiment.

従って、本実施の形態でも、第1の実施の形態と同様の効果を得ることができる。   Therefore, the present embodiment can provide the same effects as those of the first embodiment.

また、本実施の形態は、補助電極12の研磨加工を短時間で実現することが可能である。なぜならば、補助電極12が形成された絶縁基板11の表面のみを研磨することで、補助電極12が形成されていない絶縁基板11の表面を研磨する必要がないためである。   Further, according to the present embodiment, the polishing of the auxiliary electrode 12 can be realized in a short time. This is because by polishing only the surface of the insulating substrate 11 on which the auxiliary electrode 12 is formed, it is not necessary to polish the surface of the insulating substrate 11 on which the auxiliary electrode 12 is not formed.

(第3の実施の形態)
図6は本発明の第3の実施の形態の有機EL素子の製造方法を示す図である。同図においては図1乃至図4に示した構成部分と同一の構成部分には同一符号で示し、その説明を省略する。
(Third embodiment)
FIG. 6 is a diagram showing a method for manufacturing an organic EL element according to the third embodiment of the present invention. In the figure, the same components as those shown in FIGS. 1 to 4 are denoted by the same reference numerals, and the description thereof is omitted.

本実施の形態では、図6(a)に示すように、例えばスクリーン印刷により絶縁基板11の溝11aが形成された面の所望の範囲に多量の導電ペーストを印刷し、焼成することで、補助電極12が形成される。次に、絶縁基板11の表面を研磨することで、図6(b)に示すように、補助電極12が形成された絶縁基板11を得る。以降は第1の実施の形態と同様にして、補助電極12を有する有機EL素子1を得ることができる。   In this embodiment, as shown in FIG. 6A, a large amount of conductive paste is printed and baked in a desired range of the surface on which the groove 11a of the insulating substrate 11 is formed, for example, by screen printing. Electrode 12 is formed. Next, the surface of the insulating substrate 11 is polished to obtain the insulating substrate 11 on which the auxiliary electrode 12 is formed as shown in FIG. Thereafter, the organic EL element 1 having the auxiliary electrode 12 can be obtained in the same manner as in the first embodiment.

従って、本実施の形態でも、第1の実施の形態と同様の効果を得ることができる。   Therefore, the present embodiment can provide the same effects as those of the first embodiment.

また、本実施の形態は、あらかじめ絶縁基板11を形成する工程において、絶縁基板11の表面を研磨する工程を省略できる。なぜならば、上記のとおり、補助電極12を研磨するときに、絶縁基板11もあわせて研磨されるからである。   In the present embodiment, the step of polishing the surface of the insulating substrate 11 in the step of forming the insulating substrate 11 in advance can be omitted. This is because, as described above, when the auxiliary electrode 12 is polished, the insulating substrate 11 is also polished.

なお、本発明は上記構成に限定されるものではなく、例えば以下の通りにしてもよい。   In addition, this invention is not limited to the said structure, For example, you may be as follows.

絶縁基板11と補助電極12の密着度を向上させるため、溝11aに例えばパラジウムなどの金属を成膜してもよい。   In order to improve the adhesion between the insulating substrate 11 and the auxiliary electrode 12, a metal such as palladium may be formed in the groove 11a.

また、封止膜13dの内部に、乾燥剤を封入してもよい。   Further, a desiccant may be sealed inside the sealing film 13d.

また、溝11aを有する基板形成工程は上記に限定されない。例えば、切削加工により溝11aを形成する基板形成工程としてもよい。   Moreover, the board | substrate formation process which has the groove | channel 11a is not limited above. For example, it is good also as a board | substrate formation process which forms the groove | channel 11a by cutting.

また、溝11aのパターンは格子状に限定されず、例えば波線や直線としてもよいし、それらを複数組み合わせた任意の形状でもよい。   Moreover, the pattern of the groove | channel 11a is not limited to a grid | lattice form, For example, it may be a wavy line or a straight line, and the arbitrary shapes which combined those two or more may be sufficient.

また、溝11aの形状は限定されず、例えば半楕円形状や多角形状でもよいし、それらを複数組み合わせた任意の形状でもよい。   Moreover, the shape of the groove | channel 11a is not limited, For example, a semi-elliptical shape and a polygonal shape may be sufficient, and the arbitrary shapes which combined those two or more may be sufficient.

1 有機EL素子
11 絶縁基板
12 補助電極
13 有機EL層
13a 第1電極
13b 有機層
13c 第2電極
13d 封止層
2 レジスト
DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Organic EL element 11 Insulating substrate 12 Auxiliary electrode 13 Organic EL layer 13a First electrode 13b Organic layer 13c Second electrode 13d Sealing layer 2 Resist

Claims (2)

絶縁基板の表面に溝を形成する工程と、
前記絶縁基板の表面に導電ペーストを塗布し、前記溝内に前記導電ペーストを埋める工程と、
前記絶縁基板を焼成することにより、その表面が前記絶縁基板の表面と実質的に同一平面となる補助電極を形成する工程と、
前記補助電極の上に第1電極を形成する工程と、
前記第1電極の上に有機層を形成する工程と、
前記有機層の上に第2電極を形成する工程と、を具備することを特徴とする有機EL素子の製造方法。
Forming a groove on the surface of the insulating substrate;
Applying a conductive paste to the surface of the insulating substrate and filling the conductive paste in the groove;
Firing the insulating substrate to form an auxiliary electrode whose surface is substantially flush with the surface of the insulating substrate;
Forming a first electrode on the auxiliary electrode;
Forming an organic layer on the first electrode;
And a step of forming a second electrode on the organic layer.
表面に溝が形成された絶縁基板と、
前記溝内にその表面が前記絶縁基板の表面と実質的に同一平面となるように形成された、表面粗さRaが10nm以下である補助電極と、
前記絶縁基板および前記補助電極の上に形成された第1電極と、
前記第1電極の上に形成された有機層と、
前記有機層の上に形成された第2電極と、を具備することを特徴とする有機EL素子。
An insulating substrate having grooves formed on the surface;
An auxiliary electrode having a surface roughness Ra of 10 nm or less, formed in the groove so that the surface thereof is substantially flush with the surface of the insulating substrate;
A first electrode formed on the insulating substrate and the auxiliary electrode;
An organic layer formed on the first electrode;
An organic EL device comprising: a second electrode formed on the organic layer.
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