JP2010172154A - Power supply control circuit, power supply control method, and electronic device - Google Patents
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Abstract
Description
本発明は、電源制御回路、電源制御方法及び電子機器に関するものである。 The present invention relates to a power supply control circuit, a power supply control method, and an electronic device.
従来、電子機器には駆動電源として二次電池(バッテリ)が搭載されているものがあり、このような電子機器には、外部電源から供給される充電電流により二次電池を充電する充電回路が備えられている(例えば、特許文献1,2参照)。この従来の充電回路の動作例を図10に従って説明する。
2. Description of the Related Art Conventionally, some electronic devices are equipped with a secondary battery (battery) as a driving power source. Such an electronic device has a charging circuit that charges the secondary battery with a charging current supplied from an external power source. Provided (for example, see
図10に示すように、電子機器に搭載された充電回路11には、該電子機器に接続された入力電力アダプタ12から直流のアダプタ電圧VACが供給されている。充電回路11はDC/DCコンバータであり、アダプタ電圧VACを電圧変換した電圧Voutを出力するとともに、出力電流Iout等に基づいて、出力電圧Voutを制御する。詳しくは、充電回路11は、出力電流Ioutを検出するための抵抗R1の両端が接続された電流増幅器13と、バッテリBTに供給する充電電流Ichgを検出するための抵抗R2の両端が接続された電流増幅器14とを備えている。各電流増幅器13,14の出力端子はそれぞれ誤差増幅器E1,E2に接続されている。また、バッテリBTの端子電圧であるバッテリ電圧(充電電圧)VBATTは誤差増幅器E3に入力され、抵抗R1の両端子電圧は乗算器15に入力され、その乗算器15は誤差増幅器E4に接続されている。そして、抵抗R1に流れる出力電流Ioutと、抵抗R2に流れる充電電流Ichgと、バッテリ電圧VBATTとに基づいて、誤差増幅器E1〜E4により制御電流Iscが流れる。この制御電流Iscに基づいてパルス幅変調器(PWM)17はMOSトランジスタT1,T2をオンオフするデューティサイクルを変更する。そのデューティサイクルに応じた出力電力がシステムDC/DCコンバータ18を介してシステム回路19に供給され、且つ同時に充電電流IchgによりバッテリBTが充電される。
As shown in FIG. 10, a DC adapter voltage VAC is supplied to the charging circuit 11 mounted on the electronic device from an
ところで、従来例の充電回路11において、システム側の負荷が急激に軽くなると、出力電流Ioutが急激に減少する。このとき、出力電圧Voutを制御する制御ループに大容量のコンデンサC1があるため、充電回路11は上記急激な変化に追従できず、出力電圧Voutが急激に上昇してしまう。これに伴って、バッテリ電圧VBATTが急激に上昇し、バッテリBTが満充電になったときの満充電電圧よりも高くなってオーバーシュートするという問題がある。例えば、近年多用されているリチウムイオンバッテリでは、その劣化が顕著であり問題となる。 By the way, in the charging circuit 11 of the conventional example, when the load on the system side is suddenly reduced, the output current Iout is rapidly reduced. At this time, since the large-capacitance capacitor C1 is in the control loop for controlling the output voltage Vout, the charging circuit 11 cannot follow the abrupt change, and the output voltage Vout rapidly increases. Along with this, there is a problem that the battery voltage VBATT rapidly rises and becomes overcharged because it becomes higher than the full charge voltage when the battery BT is fully charged. For example, in a lithium ion battery that has been frequently used in recent years, its deterioration is significant and becomes a problem.
本発明は上記問題点を解決するためになされたものであって、その目的は、充電電圧にオーバーシュートが発生しても、二次電池の劣化を抑制できる電源制御回路、電源制御方法及び電子機器を提供することにある。 The present invention has been made to solve the above-described problems, and its object is to provide a power supply control circuit, a power supply control method, and an electronic device capable of suppressing deterioration of a secondary battery even when an overshoot occurs in a charging voltage. To provide equipment.
開示の回路は、出力状態に基づいて印加される電池の充電電圧と基準電圧との差分に基づいて、前記充電電圧の供給経路に備えられる抵抗部の抵抗値を制御する制御回路を備える。 The disclosed circuit includes a control circuit that controls a resistance value of a resistance unit provided in the supply path of the charging voltage based on a difference between a charging voltage of the battery applied based on the output state and a reference voltage.
以上説明したように、開示の回路によれば、充電電圧にオーバーシュートが発生しても、二次電池の劣化を抑制できるという効果を奏する。 As described above, according to the disclosed circuit, even if an overshoot occurs in the charging voltage, there is an effect that deterioration of the secondary battery can be suppressed.
(第1実施形態)
以下、本発明を具体化した第1実施形態を図1〜図5に従って説明する。なお、本実施形態において、先の図10で示した従来と同様な構成部分については同一符号を付して説明する。
(First embodiment)
Hereinafter, a first embodiment of the present invention will be described with reference to FIGS. In the present embodiment, the same components as those shown in FIG. 10 will be described with the same reference numerals.
図1に示すように、電源システムは、外部電源としてのACアダプタ21と、そのACアダプタ21に接続された電子機器31とから構成されている。ACアダプタ21は、交流電源ACに接続される。この交流電源ACから供給される商用交流電圧は、ACアダプタ21の電圧変換回路22に入力される。電圧変換回路22は、交流電圧を交流−直流変換して直流電圧を生成し、その直流電圧を電圧制御回路23に出力する。電圧制御回路23は、制御電流Iscが入力され、その制御電流(制御信号)Iscに基づいて、直流電圧から制御したアダプタ電圧VACを生成する。そして、電圧制御回路23は、生成したアダプタ電圧(出力電圧)VACを電子機器31に供給する。
As shown in FIG. 1, the power supply system includes an
このアダプタ電圧VACは、抵抗R1を介してシステムDC/DCコンバータ32に供給される。システムDC/DCコンバータ32には、抵抗R2を介して二次電池(バッテリ)BTが接続されている。システムDC/DCコンバータ32は、アダプタ電圧VACとバッテリから供給されるバッテリ電圧VBATTとに基づいて、入力電圧を電圧変換して生成したシステム電圧VSをシステム回路33に供給する。これにより、システム回路33には、ACアダプタ21から供給される電力と、バッテリBTから供給される電力とのうちの少なくとも一方に基づく電力が供給される。なお、このシステム回路33は、電子機器31の各種機能を提供する回路である。
The adapter voltage VAC is supplied to the system DC /
上記抵抗R1及び抵抗R2と接続される検出回路(電源制御回路)34は、1つ又は複数の半導体装置を含んでもよい。半導体装置は、チップ、チップを内蔵するパッケージを含んでもよい。この検出回路34は、抵抗R1の両端子に接続されるとともに、抵抗R2とバッテリBTとの間に接続されている。この検出回路34は、抵抗R1の両端子間の電位差に基づいて、その抵抗R1に流れる出力電流Ioutを検出する。また、検出回路34は、抵抗R2の両端子間の電位差に基づいて、その抵抗R2に流れる充電電流Ichgを検出する。さらに、検出回路34は、システムDC/DCコンバータ32に供給される電圧(又はアダプタ電圧VAC)とバッテリBTの端子電圧であるバッテリ電圧(充電電圧)VBATTを検出する。そして、検出回路34は、検出した電流、電圧に基づいて制御電流Iscを生成し、その制御電流IscをACアダプタ21の電圧制御回路23に供給する。なお、上述したように、この電圧制御回路23は、検出回路34からの制御電流Iscに応じて、上記アダプタ電圧VACの電圧値を制御する。
The detection circuit (power supply control circuit) 34 connected to the resistors R1 and R2 may include one or more semiconductor devices. The semiconductor device may include a chip and a package incorporating the chip. The
次に、ACアダプタ21の構成例を図2にしたがって説明する。
図2に示すように、電圧変換回路22の出力端子は第1トランジスタT11の第1端子(例えばソース)に接続されている。この第1トランジスタT11の第2端子(例えばドレイン)はチョークコイルL1の第1端子に接続され、チョークコイルL1の第2端子は第1端子P1に接続されている。また、第1トランジスタT11の第2端子は第2トランジスタT12の第1端子(例えばドレイン)に接続され、その第2トランジスタT12の第2端子(例えばソース)はグランドに接続されている。第1トランジスタT11の制御端子(ゲート)と第2トランジスタT12の制御端子(ゲート)とは、パルス幅変調器(PWM)24に接続されている。なお、本実施形態では、第1トランジスタT11はPチャネルMOSトランジスタであり、第2トランジスタT12はNチャネルMOSトランジスタである。また、図2には、各トランジスタT11,T12のボディダイオードを示している。
Next, a configuration example of the
As shown in FIG. 2, the output terminal of the
上記チョークコイルL1の第1端子はダイオードD1のカソードに接続され、ダイオードD1のアノードはグランドに接続されている。また、第1端子P1は平滑用コンデンサC1の第1端子に接続され、その平滑用コンデンサC1の第2端子はグランド及び第2端子P2に接続されている。すなわち、第2端子P2はグランドに接続されている。 The first terminal of the choke coil L1 is connected to the cathode of the diode D1, and the anode of the diode D1 is connected to the ground. The first terminal P1 is connected to the first terminal of the smoothing capacitor C1, and the second terminal of the smoothing capacitor C1 is connected to the ground and the second terminal P2. That is, the second terminal P2 is connected to the ground.
上記パルス幅変調器24には、第3端子P3が接続され、その第3端子P3を介して上記制御電流Iscが入力される。このパルス幅変調器24は、所定のデューティサイクルにて第1トランジスタT11と第2トランジスタT12とを相補的にオンオフ制御する。第1トランジスタT11のスイッチング動作により、その第1トランジスタT11の出力電流は、チョークコイルL1及びコンデンサC1により平滑化される。詳しくは、第1トランジスタT11のオン時には、電圧変換回路22の出力電圧が該トランジスタT11を介してLC回路(チョークコイルL1と平滑用コンデンサC1を含む平滑回路)に供給される。第1トランジスタT11がオフされると、ダイオードD1を介して電流経路が形成される。このとき、第1トランジスタT11のオン時にチョークコイルL1に蓄積されたエネルギーが第1端子P1側へ放出される。
A third terminal P3 is connected to the
さらに、パルス幅変調器24は、制御電流Iscに応答してデューティサイクルを変更する。詳しくは、パルス幅変調器24は、制御電流Iscの電流値に応じて第1トランジスタT11をオンする期間を変化させるようにデューティサイクルを変更する。ACアダプタ21から出力されるアダプタ電圧VACは、第1トランジスタT11のオン期間に対応して変動する。第1トランジスタT11のオン期間が長いと、チョークコイルL1に蓄積されるエネルギーが多くなって高いアダプタ電圧VACが出力され、第1トランジスタT11のオフ期間が短いと、チョークコイルL1に蓄積されるエネルギーが少なくなって低いアダプタ電圧VACが出力される。
Further, the
このように、ACアダプタ21は、制御電流Iscに応じてアダプタ電圧VACを変更する。そして、制御電流Iscが供給されていないとき、ACアダプタ21は、例えば最低電圧のアダプタ電圧VACを出力する。このとき、交流電源ACに接続したACアダプタ21を電子機器31に接続した場合、制御電流Iscが0(ゼロ)であるため、最低電圧のアダプタ電圧VACが電子機器31に供給される。このため、電子機器31に搭載されたバッテリBTに対して大きな突入電流が流れるのを防ぐことができる。
Thus, the
上記第1端子P1、第2端子P2及び第3端子P3は各々、図3に示す第1端子P11、第2端子P12及び第3端子P13と接続される。
次に、電子機器31の構成を図3にしたがって説明する。
The first terminal P1, the second terminal P2, and the third terminal P3 are respectively connected to the first terminal P11, the second terminal P12, and the third terminal P13 shown in FIG.
Next, the configuration of the
図3に示すように、第1端子P11が第1スイッチSW1の第1端子(例えばソース)に接続され、第2端子P12がグランドに接続され、第3端子P13が検出回路34に接続されている。
As shown in FIG. 3, the first terminal P11 is connected to the first terminal (for example, the source) of the first switch SW1, the second terminal P12 is connected to the ground, and the third terminal P13 is connected to the
第1スイッチSW1はPチャネルMOSトランジスタであり、その第1スイッチSW1の第2端子(例えばドレイン)は抵抗R1の第1端子に接続されている。抵抗R1の第2端子はシステムDC/DCコンバータ32(図1参照)及び抵抗R2の第1端子に接続され、抵抗R2の第2端子は第2スイッチ(スイッチトランジスタ)SW2の第1端子(例えばソース)に接続されている。この第2スイッチSW2はPチャネルMOSトランジスタであり、その第2スイッチSW2の第2端子(例えばドレイン)はバッテリBTの正電極端子(プラス端子)に接続され、バッテリBTの負電極端子(マイナス端子)はグランドに接続されている。なお、第1スイッチSW1及び第2スイッチSW2の制御端子(ゲート)は、検出回路34に接続されている。
The first switch SW1 is a P-channel MOS transistor, and the second terminal (for example, drain) of the first switch SW1 is connected to the first terminal of the resistor R1. The second terminal of the resistor R1 is connected to the system DC / DC converter 32 (see FIG. 1) and the first terminal of the resistor R2, and the second terminal of the resistor R2 is the first terminal (for example, the switch transistor SW2) (for example, Source). The second switch SW2 is a P-channel MOS transistor, the second terminal (for example, drain) of the second switch SW2 is connected to the positive electrode terminal (plus terminal) of the battery BT, and the negative electrode terminal (minus terminal) of the battery BT. ) Is connected to ground. The control terminals (gates) of the first switch SW1 and the second switch SW2 are connected to the
上記抵抗R1の両端子は検出回路34の電流増幅器41の入力端子に接続されている。電流増幅器41は、抵抗R1に流れる電流、すなわちACアダプタ21の出力電流Ioutを検出し、その検出結果に応じた電流検出信号S1を誤差増幅器E11に出力する。また、上記抵抗R2の両端子は電流増幅器42の入力端子に接続されている。電流増幅器42は、抵抗R2に流れる電流、すなわちバッテリBTに対する充電電流Ichgを検出し、その電流量に応じた充電電流検出信号S2を誤差増幅器E11に出力する。
Both terminals of the resistor R1 are connected to the input terminal of the
誤差増幅器E11は、2つの反転入力端子と1つの非反転入力端子とを有している。誤差増幅器E11は、第1の反転入力端子に電流検出信号S1が入力され、第2の反転入力端子に充電電流検出信号S2が入力される。誤差増幅器E11の非反転入力端子には、電流基準信号IOUTM及び制限電流信号IDACに基づく基準信号が入力される。この誤差増幅器E11は、電流検出信号S1と充電電流検出信号S2のうちのいずれか高い方と基準信号とを比較し、その比較結果に応じた誤差電圧を生成する。なお、上記電流基準信号IOUTMは、電子機器31において使用される総電流量に応じて設定され、上記制限電流信号IDACは、バッテリBTの充電電流Ichgに応じて設定されている。
The error amplifier E11 has two inverting input terminals and one non-inverting input terminal. In the error amplifier E11, the current detection signal S1 is input to the first inverting input terminal, and the charging current detection signal S2 is input to the second inverting input terminal. A reference signal based on the current reference signal IOUTM and the limited current signal IDAC is input to the non-inverting input terminal of the error amplifier E11. The error amplifier E11 compares the higher one of the current detection signal S1 and the charging current detection signal S2 with the reference signal, and generates an error voltage according to the comparison result. The current reference signal IOUTM is set according to the total amount of current used in the
上記第2スイッチの第2端子とバッテリBTとの間の接続点は、誤差増幅器E12の反転入力端子に接続されている。これにより、誤差増幅器E12の反転入力端子には、バッテリ電圧VBATTが入力される。また、誤差増幅器E12の非反転入力端子には、電圧制限信号VDACが入力される。この誤差増幅器E12は、バッテリ電圧VBATTと電圧制限信号VDACとの差を増幅した誤差電圧を生成する。 A connection point between the second terminal of the second switch and the battery BT is connected to the inverting input terminal of the error amplifier E12. Thereby, the battery voltage VBATT is input to the inverting input terminal of the error amplifier E12. The voltage limit signal VDAC is input to the non-inverting input terminal of the error amplifier E12. The error amplifier E12 generates an error voltage obtained by amplifying the difference between the battery voltage VBATT and the voltage limit signal VDAC.
上記抵抗R1の両端子は、乗算器43に接続されている。乗算器43は、抵抗R1の端子電圧、すなわちアダプタ電圧VACを検出するとともに、抵抗R1の両端子間電圧により総電流量を検出する。そして、乗算器43は、アダプタ電圧VACと総電流量とを乗算した結果、すなわち総電力量に応じた電力検出信号PWROを誤差増幅器E13に出力する。誤差増幅器E13は、反転入力端子に電力検出信号PWROが入力され、非反転入力端子に電力制限信号PWRMが入力される。そして、誤差増幅器E13は、電力検出信号PWROと電力制限信号PWRMとの差を増幅することにより誤差電圧を生成する。
Both terminals of the resistor R1 are connected to the
このように、本実施形態の検出回路34は、従来例の充電回路11(図10参照)と同じ数(4つ)の検出対象に対する誤差電圧を、3つの誤差増幅器E11,E12,E13により生成している。より詳しくは、従来例では、抵抗R1に流れる電流Ioutと、抵抗R2に流れる電流Ichgに対する誤差電圧を2つの誤差増幅器E1,E2にて生成していたが、本実施形態では1つの誤差増幅器E11により生成している。このため、チップに対する外付け部品の数が少なくなる、すなわち外部端子が少なくなるため、チップやそのチップを封止したパッケージのサイズを小さくすることができる。
As described above, the
誤差増幅器E11,E12,E13の出力端子にはダイオードD11,D12,D13のカソードがそれぞれ接続されている。ダイオードD11〜D13のアノードは共通接続されるとともに、電流電圧変換回路44に接続されている。ダイオードD11〜D13は、各誤差増幅器E11,E12,E13から出力される誤差電圧のうち、最も大きな電圧に対応する電流(誤差電流)を電流電圧変換回路44に伝達する。これは、各検出値のうち、最も大きな誤差の検出値である。
The cathodes of the diodes D11, D12, and D13 are connected to the output terminals of the error amplifiers E11, E12, and E13, respectively. The anodes of the diodes D11 to D13 are connected in common and connected to the current-
電流電圧変換回路44の出力端子は、定電流源を構成するトランジスタT21の制御端子(ゲート)に接続されている。電流電圧変換回路44は、電流量に比例した電圧値の信号をトランジスタT21のゲートに供給する。このトランジスタT21は、本実施形態ではPチャネルMOSトランジスタであり、ソースにアダプタ電圧VACが供給され、ドレインが第3端子P13に接続されている。
The output terminal of the current-
トランジスタT21は、ゲートに供給される電圧に応じた抵抗体として動作し、その抵抗値に応じた制御電流Iscを流す。上述したように、トランジスタT21はPチャネルMOSトランジスタであるため、高いゲート電圧では抵抗値が大きく、低いゲート電圧では抵抗値が小さい。したがって、電流電圧変換回路44の出力電圧が高い、すなわち検出結果において誤差が大きい場合、トランジスタT21は少ない制御電流Iscを流すように動作する。逆に、電流電圧変換回路44の出力電圧が低い、すなわち検出結果において誤差が小さい場合、トランジスタT21は大きな制御電流Iscを流すように動作する。
The transistor T21 operates as a resistor corresponding to the voltage supplied to the gate, and flows a control current Isc corresponding to the resistance value. As described above, since the transistor T21 is a P-channel MOS transistor, the resistance value is large at a high gate voltage, and the resistance value is small at a low gate voltage. Therefore, when the output voltage of the current-
制御ロジック回路45には、上記電流増幅器41から出力される電流検出信号S1及び電流増幅器42から出力される充電電流検出信号S2が入力されるとともに、バッテリ電圧VBATTが入力される。この制御ロジック回路45は、上記第1スイッチSW1のゲートに接続されるとともに、アナログ制御回路46に接続されている。この制御ロジック回路45は、電流検出信号S1、充電電流検出信号S2及びバッテリ電圧VBATTに応じて制御信号SC1,SC2を生成する。そして、制御ロジック回路45は、生成した制御信号SC1を第1スイッチSW1のゲートに出力するとともに、生成した制御信号SC2をアナログ制御回路46に出力する。一例として、制御ロジック回路45は、バッテリ電圧VBATTに基づいて、バッテリ電圧VBATTに異常(例えば過電圧)が発生していることを検出したときに、第2スイッチSW2を完全にオフ(フルオフ)するための制御信号SC2を生成する。そして、この制御信号SC2は、アナログ制御回路46を介して第2スイッチSW2のゲートに供給される。これにより、第2スイッチSW2が完全にオフされる。したがって、バッテリBTに過電圧が印加されることを抑制することができる。
The
アナログ制御回路(制御回路)46には、制御ロジック回路45からの制御信号SC2と併せて、バッテリ電圧VBATTが入力される。このアナログ制御回路46は、バッテリ電圧VBATTに基づいて、バッテリ電圧VBATTにオーバーシュートが発生しているか否かを検出する。このオーバーシュートは、例えばバッテリ電圧VBATTに基づき図示しない比較回路により検出される。この比較回路は、例えばバッテリ電圧VBATTを分圧した分圧電圧と所定の基準電圧Vr1(図4参照)とを比較し、分圧電圧が基準電圧Vr1よりも大きくなったときに、バッテリ電圧VBATTにオーバーシュートが発生したことを検出する。なお、上記基準電圧Vr1(オーバーシュート基準電圧)は、バッテリBTが満充電になったときのバッテリ電圧VBATT、すなわち満充電電圧VBMよりも高く設定されている。
A battery voltage VBATT is input to the analog control circuit (control circuit) 46 together with the
アナログ制御回路46は、バッテリ電圧VBATTのオーバーシュートを検出すると、第2スイッチ(抵抗部)SW2のオン抵抗を制御する制御信号(アナログ制御信号)SC3を生成する。詳述すると、アナログ制御回路46は、オーバーシュートしたバッテリ電圧VBATTが予め設定された所定電圧(例えば、電圧制限信号VDAC)で一定となるように、第2スイッチSW2のオン抵抗を制御する制御信号SC3を生成する。このような制御信号SC3は、例えば図4に示すような低ドロップアウト電圧レギュレータLDOによって生成される。すなわち、制御信号SC3を出力する誤差増幅器47には、バッテリ電圧VBATTを抵抗R3,R4により分圧した分圧電圧が非反転入力端子に入力され、基準電圧Vref(例えば、VDAC×R4/(R3+R4))が反転入力端子に入力される。この誤差増幅器47は、バッテリ電圧VBATTの分圧電圧と基準電圧Vrefとの差を増幅した誤差電圧を制御信号SC3として第2スイッチSW2のゲートに出力し、第2スイッチSW2のオン抵抗を制御する。これにより、オーバーシュートしたバッテリ電圧VBATTが所定電圧に近づくように、第2スイッチSW2における電圧降下が制御される。
When the
なお、アナログ制御回路46は、バッテリ電圧VBATTのオーバーシュートを検出しないときには、制御ロジック回路45からの制御信号SC2を制御信号SC3として第2スイッチSW2のゲートに出力する。この制御信号SC3(制御信号SC2)に応じて、第2スイッチSW2がフルオンあるいはフルオフする。
The
つぎに、このアナログ制御回路46の作用について図5にしたがって説明する。
今、バッテリBTが満充電であり、バッテリ電圧VBATTが満充電電圧VBMであるときに、システム側の負荷が急変すると(具体的には、急激に負荷が軽くなると)、ACアダプタ21の出力電流Ioutが急激に低下する(時刻t1)。すると、ACアダプタ21のアダプタ電圧VACが急激に上昇し、それに伴ってバッテリ電圧VBATTが急激に上昇する。これにより、バッテリ電圧VBATTにオーバーシュートが発生することになる。このとき、アナログ制御回路46を備えていない従来の充電回路11では、オーバーシュートしたバッテリ電圧VBATTが過電圧検出用の基準電圧Vr2を超えない限り、第2スイッチSW2がオフされない。このため、図5の一点鎖線で示すように、バッテリ電圧VBATTが基準電圧Vr2を超えない範囲では、第2スイッチSW2がオフされず、オーバーシュートしたバッテリ電圧VBATTがバッテリBTに印加されてしまう。この過大な電圧の印加によってバッテリBTが劣化してしまうことは前述した。
Next, the operation of the
When the battery BT is fully charged and the battery voltage VBATT is the full charge voltage VBM, when the load on the system side changes suddenly (specifically, when the load is suddenly reduced), the output current of the
これに対して、アナログ制御回路46は、バッテリ電圧VBATTがオーバーシュート検出用の基準電圧Vr1よりも大きくなったときに、バッテリ電圧VBATTにオーバーシュートが発生したことを検出する。そして、アナログ制御回路46は、第2スイッチSW2のオン抵抗を制御する制御信号SC3を生成する回路(例えば図4の回路)を活性化する。すると、図5に示すように、オーバーシュートしたバッテリ電圧VBATTが所定電圧(電圧制限信号VDAC)一定となるように電圧値(ゲート電圧)が変動する制御信号SC3が生成され、その制御信号SC3が第2スイッチSW2のゲートに供給される。これにより、図5の実線で示すように、オーバーシュートしたバッテリ電圧VBATTを、従来の充電回路11(一点鎖線参照)よりも迅速に正常な電圧値に戻すことができる。ここで、図4に示すように、バッテリ電圧VBATTを所定電圧で一定にするためのフィードバック制御を行う回路は、大容量のコンデンサを必要としない回路である。このため、誤差増幅器E12から出力される誤差電圧に応じて、大容量のコンデンサC1を含むACアダプタ21を介してバッテリ電圧VBATTが制御される場合に比べて、応答速度を向上させることができる。なお、このときの制御信号SC3の電圧値は、第2スイッチSW2をフルオンさせる電圧とフルオフさせる電圧との間の中間電圧となる。
On the other hand, the
以上説明した本実施形態によれば、以下の効果を奏することができる。
(1)バッテリ電圧VBATTにオーバーシュートが発生したときに、バッテリ電圧VBATTが所定電圧で一定となるように、第2スイッチSW2のオン抵抗を制御するための制御信号SC3を生成するアナログ制御回路46を設けるようにした。これにより、バッテリ電圧VBATTにオーバーシュートが発生しても、バッテリ電圧VBATTが所定電圧一定となるように、第2スイッチSW2のオン抵抗が制御されるため、安定した電圧をバッテリBTに印加させることができる。したがって、過大な電圧がバッテリBTに印加されることが抑制されるため、バッテリの劣化を抑制することができる。
According to this embodiment described above, the following effects can be obtained.
(1) An
また、低ドロップアウト電圧レギュレータLDO(図4参照)によって、アダプタ電圧VACを制御する制御ループ(検出回路34及び電圧制御回路23を含むループ)とは別に、バッテリ電圧VBATTを所定電圧に近づけるための制御ループが形成される。このため、低ドロップアウト電圧レギュレータLDOにおける応答特性によって、バッテリ電圧VBATTを所定電圧に近づけるための応答速度が決定される。このとき、低ドロップアウト電圧レギュレータLDOは、図4に示すように、大容量のコンデンサを必要としないため、上記アダプタ電圧VACを制御する制御ループよりも応答速度が速い。したがって、アダプタ電圧VACを制御する制御ループに大容量のコンデンサC1が存在し応答速度が遅いとしても、その制御ループとは別に独立した制御ループ(低ドロップアウト電圧レギュレータLDO)によって、バッテリ電圧VBATTを迅速に所定電圧に近づけることができる。
In addition to the control loop (the loop including the
(第2実施形態)
以下、本発明を具体化した第2実施形態を図6に従って説明する。以下、第1実施形態との相違点を中心に説明する。なお、先の図1〜図5に示した部材と同一の部材にはそれぞれ同一の符号を付して示し、それら各要素についての詳細な説明は省略する。
(Second Embodiment)
Hereinafter, a second embodiment of the present invention will be described with reference to FIG. Hereinafter, the difference from the first embodiment will be mainly described. The same members as those shown in FIGS. 1 to 5 are denoted by the same reference numerals, and detailed description of these elements is omitted.
図6に示す検出回路34aでは、バッテリBTのバッテリ電圧VBATTが分圧回路50に入力される。この分圧回路50は、直列接続された3つの抵抗R11,R12,R13により構成されている。抵抗R11と抵抗R12との間の接続点は、オーバーシュート検出用の第1比較回路51の非反転入力端子に接続されている。これにより、バッテリ電圧VBATTを抵抗R11と抵抗R12,R13との抵抗値に応じて分圧した第1分圧電圧V1が第1比較回路51の非反転入力端子に入力される。また、抵抗R12と抵抗R13との間の接続点は、過電圧検出用の第2比較回路52の非反転入力端子に接続されている。これにより、バッテリ電圧VBATTを抵抗R11,R12と抵抗R13との抵抗値に応じて(第1分圧電圧V1を抵抗R12と抵抗R13との抵抗値に応じて)分圧した第2分圧電圧V2が第2比較回路52の非反転入力端子に入力される。
In the
第1比較回路51の反転入力端子には、基準電圧Vrが第1基準電圧Vr1として入力され、第2比較回路52の反転入力端子には、基準電圧Vrが第2基準電圧Vr2として入力される。すなわち、過電圧検出用の基準電圧Vr2は、オーバーシュート検出用の基準電圧Vr1よりも相対的に高く設定されている。この基準電圧Vr2は、バッテリBTの最大定格電圧に応じて設定される。
The reference voltage Vr is input as the first reference voltage Vr1 to the inverting input terminal of the
そして、第1比較回路51は、第1分圧電圧V1と第1基準電圧Vr1とを比較し、その比較結果に応じたレベルの出力信号S4を生成し、その出力信号S4を切替制御回路53に出力する。第2比較回路52は、第2分圧電圧V2と第2基準電圧Vr2とを比較し、その比較結果に応じたレベルの出力信号S5を生成し、その出力信号S5を切替制御回路53に出力する。具体的には、第1比較回路51は、第1分圧電圧V1が第1基準電圧Vr1よりも大きくなると、バッテリ電圧VBATTにオーバーシュートが発生したことを示すHレベルの出力信号S4を生成する。また、第2比較回路52は、第2分圧電圧V2が第2基準電圧Vr2よりも大きくなると、バッテリ電圧VBATTに過電圧が発生したことを示すHレベルの出力信号S5を生成する。なお、両比較回路51,52は、それぞれシュミット・トリガタイプの比較回路である。
The
切替制御回路53は、上記出力信号S4,S5に基づいて、アナログ制御回路46aを活性/不活性させるための制御信号SC4及び制御ロジック回路45aに出力する制御信号SC5を生成する。具体的には、切替制御回路53は、第1比較回路51からのHレベルの出力信号S4に応答して、アナログ制御回路46aを活性化させるための制御信号SC4を生成し、その制御信号SC4をアナログ制御回路46aに出力する。すると、アナログ制御回路46aにおいて、オーバーシュートしたバッテリ電圧VBATTが予め設定された所定電圧一定となるように、第2スイッチSW2のオン抵抗を制御する制御信号SC3が生成される。これにより、負荷の急変によってバッテリ電圧VBATTにオーバーシュートが発生したとしても、そのバッテリ電圧VBATTを迅速に正常な電圧値に戻すことができる。また、切替制御回路53は、第2比較回路52からのHレベルの出力信号S5に応答して、アナログ制御回路46aを不活性化させるための制御信号SC4を生成するとともに、制御ロジック回路45aからHレベルの制御信号SC2を出力させるための制御信号SC5を生成する。これにより、バッテリ電圧VBATTに過電圧が発生したときに、アナログ制御回路46aによるアナログ制御ではなく、制御ロジック回路45aからのHレベルの制御信号SC2によって第2スイッチSW2をフルオフさせることができる。
Based on the output signals S4 and S5, the switching
以上説明した本実施形態によれば、上記第1実施形態と同様の効果を奏する。
(第3実施形態)
以下、本発明を具体化した第3実施形態を図7に従って説明する。以下、第1実施形態との相違点を中心に説明する。なお、先の図1〜図6に示した部材と同一の部材にはそれぞれ同一の符号を付して示し、それら各要素についての詳細な説明は省略する。
According to this embodiment described above, the same effects as those of the first embodiment can be obtained.
(Third embodiment)
Hereinafter, a third embodiment of the present invention will be described with reference to FIG. Hereinafter, the difference from the first embodiment will be mainly described. The same members as those shown in FIGS. 1 to 6 are denoted by the same reference numerals, and detailed description of these elements is omitted.
図7に示す検出回路34bでは、バッテリ電圧VBATTと電圧制限信号VDACとが入力される誤差増幅器E12の誤差信号S6がダイオードD12に入力されるとともに、比較回路(切替回路)60の非反転入力端子に入力される。比較回路60の反転入力端子には、第3基準電圧Vr3が入力される。この比較回路60は、誤差増幅器E12からの誤差信号S6と基準電圧Vr3とを比較し、その比較結果に応じてアナログ制御回路46を活性/不活性化させる制御信号SC6を生成する。具体的には、比較回路60は、誤差信号S6が基準電圧Vr3よりも低いときには、アナログ制御回路46を不活性化させるLレベルの制御信号SC6を生成する。また、比較回路60は、誤差信号S6が基準電圧Vr3よりも高いときには、アナログ制御回路46を活性化させるHレベルの制御信号SC6を生成する。そして、比較回路60は、生成した制御信号SC6をアナログ制御回路46に出力する。なお、この比較回路60は、シュミット・トリガタイプの比較回路である。
In the
ここで、上記基準電圧Vr3は、アダプタ電圧VACを制御する制御ループ(検出回路34及び電圧制御回路23)のフィードバック制御が電流制御モードのときに、比較回路60にてLレベルの制御信号SC6が生成されるとともに、電圧制御モードのときに、比較回路60にてHレベルの制御信号SC6が生成されるように設定されている。この作用について図8にしたがって説明する。
Here, when the feedback control of the control loop (the
図8に示すように、バッテリBT充電中におけるバッテリ電圧VBATTが電圧制限信号VDACよりも低い期間では、誤差増幅器E11から出力される誤差電圧に応じてアダプタ電圧VACが制御される、いわゆる電流制御モードとなる。すなわち、上記期間では、ACアダプタ21の出力電流Ioutまたは充電電流Ichgの検出結果に応じてアダプタ電圧VACが制御される。このような電流制御モードでは、満充電電圧VBMに比してバッテリ電圧VBATTが低く、オーバーシュート検出用の基準電圧Vr1に対して大きなマージンが存在する。このため、電流制御モードにおいて、システム側の負荷が急変して出力電流Ioutが急激に低下し(時刻t2)、バッテリ電圧VBATTが急激に上昇したとしても、上記基準電圧Vr1を超えることはほとんどない。したがって、電流制御モードでは、アナログ制御回路46が動作する機会がほとんどなく、負荷が急変してもバッテリBTの劣化が起こる可能性が低い。そこで、本実施形態では、この電流制御モードにおいては、比較回路60にて生成されるLレベルの制御信号SC6によって予めアナログ制御回路46を不活性化するようにした。これにより、アナログ制御回路46で消費される不要な電力を低減することができる。
As shown in FIG. 8, in a period in which the battery voltage VBATT during charging of the battery BT is lower than the voltage limit signal VDAC, the adapter voltage VAC is controlled according to the error voltage output from the error amplifier E11. It becomes. That is, during the period, the adapter voltage VAC is controlled according to the detection result of the output current Iout or the charging current Ichg of the
一方、バッテリ電圧VBATTが電圧制限信号VDACよりも高い期間では、誤差増幅器E12から出力される誤差電圧(誤差信号S6)に応じてアダプタ電圧VACが制御される、いわゆる電圧制御モードになる。すなわち、上記期間では、バッテリ電圧VBATTの検出結果に応じてアダプタ電圧VACが制御される。このような電圧制御モードでは、負荷が急変して出力電流Ioutが急激に低下すると(時刻t3)、バッテリ電圧VBATTが基準電圧Vr1を超えてオーバーシュートが発生する。このため、この電圧制御モードにおいては、比較回路60にて生成されるHレベルの制御信号SC6によって予めアナログ制御回路46を活性化するようにしている。これにより、バッテリ電圧VBATTにオーバーシュートが発生しても、バッテリBTの劣化を好適に抑制することができる。
On the other hand, in a period in which the battery voltage VBATT is higher than the voltage limit signal VDAC, a so-called voltage control mode in which the adapter voltage VAC is controlled according to the error voltage (error signal S6) output from the error amplifier E12. That is, during the period, the adapter voltage VAC is controlled according to the detection result of the battery voltage VBATT. In such a voltage control mode, when the load changes suddenly and the output current Iout rapidly decreases (time t3), the battery voltage VBATT exceeds the reference voltage Vr1 and an overshoot occurs. Therefore, in this voltage control mode, the
以上説明した実施形態によれば、第1実施形態における作用効果に加えて以下の効果を奏する。
(1)負荷が急変してもバッテリBTの劣化が起こる可能性の低い電流制御モードにおいて、アナログ制御回路46を不活性化するようにした。これにより、アナログ制御回路46で消費される不要な電力を低減することができる。
According to the embodiment described above, the following effects can be obtained in addition to the operational effects of the first embodiment.
(1) The
なお、従来の電源システム(図10参照)であっても、オーバーシュートしたバッテリ電圧VBATTが過電圧検出用の基準電圧よりも高くなると、バッテリBTを充電回路11から切り離すなどの過電圧保護機能が働く。しかし、従来の電源システムでは、バッテリ電圧VBATTが上記基準電圧よりも低い場合には、オーバーシュートが発生しても何ら対策が行われず、そのオーバーシュートしたバッテリ電圧VBATTがそのままバッテリBTに印加されてしまう。このオーバーシュートしたバッテリ電圧VBATTは、負荷短絡などの異常が発生したときに印加される過電圧に比べればその電圧値は低いものの、満充電電圧よりも高い電圧値である。このため、そのバッテリ電圧VBATTがバッテリBTに印加されることは望ましくない。すなわち、オーバーシュートした過大なバッテリ電圧VBATTがバッテリBTに印加されると、バッテリBTを劣化させるという問題がある。 Even in the conventional power supply system (see FIG. 10), when the overshooted battery voltage VBATT becomes higher than the reference voltage for overvoltage detection, an overvoltage protection function such as disconnecting the battery BT from the charging circuit 11 works. However, in the conventional power supply system, when the battery voltage VBATT is lower than the reference voltage, no countermeasure is taken even if an overshoot occurs, and the overshooted battery voltage VBATT is directly applied to the battery BT. End up. The overshooted battery voltage VBATT is higher than the fully charged voltage although its voltage value is lower than the overvoltage applied when an abnormality such as a load short circuit occurs. For this reason, it is not desirable that the battery voltage VBATT is applied to the battery BT. That is, when the excessive battery voltage VBATT that is overshot is applied to the battery BT, there is a problem that the battery BT is deteriorated.
これに対し、上述する実施形態によれば、充電電圧にオーバーシュートが発生しても、そのオーバーシュートの発生が検出されると、外部電源から二次電池への経路上に設けられたスイッチトランジスタのオン抵抗が発生される。このオン抵抗によって、オーバーシュートした充電電圧を降下させることができる。このため、このスイッチトランジスタのオン抵抗を制御することにより充電電圧の上昇を抑制することができる。これによって、過大な電圧が2次電池に印加されることが抑制されるため、二次電池の劣化を抑制することができる。 On the other hand, according to the above-described embodiment, even if an overshoot occurs in the charging voltage, if the occurrence of the overshoot is detected, the switch transistor provided on the path from the external power source to the secondary battery On-resistance is generated. With this on-resistance, the overshooted charging voltage can be lowered. For this reason, an increase in the charging voltage can be suppressed by controlling the on-resistance of the switch transistor. Accordingly, application of an excessive voltage to the secondary battery is suppressed, so that deterioration of the secondary battery can be suppressed.
また、上述する実施形態によれば、充電電圧にオーバーシュートが発生しても、低ドロップアウト電圧レギュレータによって、充電電圧が所定電圧で一定となるように、スイッチトランジスタのオン抵抗が制御される。これによって、充電電圧にオーバーシュートが発生しても、安定した電圧を二次電池に印加させることができる。また、低ドロップアウト電圧レギュレータによって、外部電源からの出力電圧を制御する制御ループとは別に、充電電圧を所定電圧に近づけるための制御ループが形成される。このため、上記出力電圧を制御する制御ループに大容量のコンデンサが存在し応答速度が遅くても、その制御ループとは別に独立した制御ループ(低ドロップアウト電圧レギュレータ)によって、充電電圧を迅速に所定電圧に近づけることができる。 In addition, according to the above-described embodiment, even when an overshoot occurs in the charging voltage, the on resistance of the switch transistor is controlled by the low dropout voltage regulator so that the charging voltage becomes constant at the predetermined voltage. Thereby, even if an overshoot occurs in the charging voltage, a stable voltage can be applied to the secondary battery. In addition to the control loop for controlling the output voltage from the external power supply, a control loop for bringing the charging voltage close to a predetermined voltage is formed by the low dropout voltage regulator. For this reason, even if a large-capacitance capacitor exists in the control loop that controls the output voltage and the response speed is slow, the charging voltage can be quickly adjusted by a control loop (low dropout voltage regulator) that is independent of the control loop. It can be close to a predetermined voltage.
また、上述する実施形態によれば、充電電圧がオーバーシュート検出用の基準電圧と比較されることにより、該充電電圧にオーバーシュートが発生したことが検出される。このとき、上記基準電圧が過電圧検出用の基準電圧よりも低く設定されているため、過電圧検出用の基準電圧よりも低い範囲における過大な充電電圧を検出することができ、その過大な充電電圧が二次電池に印加されることを好適に抑制することができる。 Further, according to the embodiment described above, it is detected that an overshoot has occurred in the charging voltage by comparing the charging voltage with a reference voltage for detecting the overshoot. At this time, since the reference voltage is set lower than the reference voltage for overvoltage detection, an excessive charging voltage in a range lower than the reference voltage for overvoltage detection can be detected, and the excessive charging voltage is It can suppress suitably that it is applied to a secondary battery.
また、上述する実施形態によれば、二次電池が満充電のときの電圧(満充電電圧)に比して充電電圧が低く、充電電圧のオーバーシュートが発生しにくい電流制御モードのときには、予めアナログ制御回路が不活性化される。これにより、アナログ制御回路において不要に消費される電力を低減することができる。一方、充電電圧が満充電電圧に近づき、充電電圧にオーバーシュートが発生し得る電圧制御モードのときには、アナログ制御回路が活性化される。これにより、充電電圧にオーバーシュートが発生しても、そのアナログ制御回路によって安定した電圧を二次電池に印加させることができる。 Further, according to the above-described embodiment, when the secondary battery is in the current control mode in which the charging voltage is lower than the voltage when the secondary battery is fully charged (full charging voltage) and the charging voltage does not easily overshoot, The analog control circuit is deactivated. As a result, power consumed unnecessarily in the analog control circuit can be reduced. On the other hand, the analog control circuit is activated in the voltage control mode in which the charge voltage approaches the full charge voltage and overcharge can occur in the charge voltage. Thereby, even if an overshoot occurs in the charging voltage, a stable voltage can be applied to the secondary battery by the analog control circuit.
また、上述する実施形態によれば、二次電池に直接接続されるスイッチトランジスタのオン抵抗が制御されるため、そのオン抵抗を制御することによって、より確実に充電電圧を制御することができる。 Further, according to the above-described embodiment, the on-resistance of the switch transistor directly connected to the secondary battery is controlled. Therefore, the charging voltage can be controlled more reliably by controlling the on-resistance.
(他の実施形態)
なお、上記各実施形態は、これを適宜変更した以下の態様にて実施することもできる。
・上記各実施形態では、出力状態に基づいて印加されるバッテリ電圧VBATTのオーバーシュートを検出したときに、低ドロップアウト電圧レギュレータLDO(図4参照)から出力される制御信号SC3によって第2スイッチSW2のオン抵抗を制御する、というアナログ制御の一例を挙げた。これに限らず、例えばオーバーシュートを検出したときに、アナログ制御回路46において、フルオフ電圧とフルオン電圧との中間電圧をクランプして、その中間電圧を一定時間だけ第2スイッチSW2のゲートに供給して第2スイッチSW2のオン抵抗を制御するようにしてもよい。
(Other embodiments)
In addition, each said embodiment can also be implemented in the following aspects which changed this suitably.
In each of the above embodiments, the second switch SW2 is controlled by the control signal SC3 output from the low dropout voltage regulator LDO (see FIG. 4) when the overshoot of the battery voltage VBATT applied based on the output state is detected. An example of analog control that controls the on-resistance of the is given. For example, when an overshoot is detected, the
・上記各実施形態では、バッテリ電圧VBATTにオーバーシュートが発生したときに、バッテリBTに直接接続された第2スイッチSW2のオン抵抗を制御するようにした。これに限らず、ACアダプタ21からバッテリBTへの経路上に設けられた第1スイッチSW1のオン抵抗を制御するようにしてもよい。
In each of the above embodiments, when the overshoot occurs in the battery voltage VBATT, the on-resistance of the second switch SW2 directly connected to the battery BT is controlled. However, the on resistance of the first switch SW1 provided on the path from the
・上記各実施形態では、バッテリ電圧VBATTと所定の基準電圧Vr1とを比較することにより、バッテリ電圧VBATTにオーバーシュートが発生したことを検出するようにした。これに限らず、例えばバッテリ電圧VBATTの電圧値をA/D変換し、その変換後のデジタルコードの変化に基づいて、バッテリ電圧VBATTのオーバーシュートを検出するようにしてもよい。また、バッテリ電圧VBATTを監視するのではなく、例えばアダプタ電圧VACを監視することによって、バッテリ電圧VBATTのオーバーシュートを検出するようにしてもよい。 In each of the above embodiments, the battery voltage VBATT is compared with the predetermined reference voltage Vr1 to detect the occurrence of overshoot in the battery voltage VBATT. For example, the voltage value of the battery voltage VBATT may be A / D converted, and an overshoot of the battery voltage VBATT may be detected based on a change in the digital code after the conversion. Further, instead of monitoring the battery voltage VBATT, overshoot of the battery voltage VBATT may be detected by monitoring the adapter voltage VAC, for example.
・上記第3実施形態では、誤差増幅器E12の誤差信号S6と基準電圧Vr3とを比較して、その比較結果に応じてアナログ制御回路46を活性/不活性化するようにした。これに限らず、例えば図9に示すように、比較回路61にてバッテリ電圧VBATTと電圧制限信号VDACとを比較し、その比較結果SC6に応じてアナログ制御回路46を活性/不活性化するようにしてもよい。これによっても、アナログ制御回路46を、電流制御モードで不活性化し、電圧制御モードで活性化することができる。
In the third embodiment, the error signal S6 of the error amplifier E12 and the reference voltage Vr3 are compared, and the
・上記各実施形態では、2つの入力信号と基準電圧とを比較して誤差電圧を出力する誤差増幅器E11に具体化したが、3つ以上の入力信号と基準信号とを比較して誤差電圧を出力する誤差増幅器に具体化してもよい。また、端子の反転・非反転は、適宜変更してもよい。 In each of the above embodiments, the error amplifier E11 that compares two input signals with a reference voltage and outputs an error voltage is embodied. However, the error voltage is calculated by comparing three or more input signals with a reference signal. It may be embodied in an error amplifier that outputs. Further, inversion / non-inversion of the terminal may be changed as appropriate.
・上記各実施形態における誤差増幅器E11,E12,E13を差動増幅器に具体化してもよい。
・上記各実施形態では、4つの検出対象に対する誤差電圧を、3つの誤差増幅器E11,E12,E13により生成するようにしたが、従来例の充電回路11と同様に、4つの誤差増幅器E1,E2,E3,E4により生成するようにしてもよい。
The error amplifiers E11, E12, and E13 in the above embodiments may be embodied as differential amplifiers.
In each of the above embodiments, the error voltages for the four detection targets are generated by the three error amplifiers E11, E12, E13. However, as with the conventional charging circuit 11, the four error amplifiers E1, E2 are used. , E3, E4.
・上記各実施形態において、図3に示す検出回路34は、抵抗R1の出力側端子における電圧(出力電圧)を検出するようにしたが、これを省略してもよい。すなわち、乗算器43と誤差増幅器E13とダイオードD13とを省略した検出回路に具体化してもよい。
In each of the above embodiments, the
・上記各実施形態では、電子機器31の検出回路34からACアダプタ21に制御電流Iscを供給し、ACアダプタ21の電圧制御回路23は、制御電流Iscがゼロの場合にアダプタ電圧VACを最低電圧とするようにしたが、検出回路において、ACアダプタから制御電流Iscを流し込むようにしてもよい。
In each of the above embodiments, the control current Isc is supplied from the
・上記各実施形態では、制御電流Iscに対してアダプタ電圧VACを比例的に制御するようにしたが、制御電流Iscとアダプタ電圧VACとの関係は、適宜変更してもよい。 In each of the above embodiments, the adapter voltage VAC is controlled in proportion to the control current Isc. However, the relationship between the control current Isc and the adapter voltage VAC may be changed as appropriate.
・上記各実施形態において、ACアダプタと電子機器の回路の組み合わせは、これらに限定されない。また、ACアダプタと電子機器の回路構成は、上記各実施形態に限定されない。例えば、従来例の充電回路11と同様に、パルス幅変調器24及び該パルス幅変調器24が制御する素子と、検出回路34とを1つのチップ上に搭載した半導体集積回路装置に具体化してもよい。
-In each said embodiment, the combination of the circuit of an AC adapter and an electronic device is not limited to these. Further, the circuit configurations of the AC adapter and the electronic device are not limited to the above embodiments. For example, similar to the charging circuit 11 of the conventional example, the
・上記第3実施形態における比較回路60を、上記第2実施形態の検出回路34aに設けるようにしてもよい。
The
21 ACアダプタ(外部電源)
31 電子機器
34 検出回路(電源制御回路)
46 アナログ制御回路
51 第1比較回路
52 第2比較回路
60,61 比較回路(切替回路)
BT バッテリ
SW2 第2スイッチ(抵抗部)
R1,R2 抵抗
LDO 低ドロップアウト電圧レギュレータ
21 AC adapter (external power supply)
31
46
BT battery SW2 second switch (resistor)
R1, R2 Resistor LDO Low Dropout Voltage Regulator
Claims (7)
前記制御回路は、前記充電電圧が前記基準電圧以上の場合に、前記抵抗値を小さくする制御信号を生成することを特徴とする請求項1に記載の電源制御回路。 The reference voltage has a value set equal to or higher than a charging voltage when the battery is fully charged,
The power supply control circuit according to claim 1, wherein the control circuit generates a control signal for decreasing the resistance value when the charging voltage is equal to or higher than the reference voltage.
前記オーバーシュート基準電圧は、前記電池が満充電の場合の該電池の充電電圧よりも高く、且つ過電圧検出用の基準電圧よりも低く設定された電圧である、ことを特徴とする請求項1〜3のいずれか1つに記載の電源制御回路。 Comparing the charging voltage with an overshoot reference voltage for overshoot detection, and comprising a comparison circuit for detecting that an overshoot has occurred in the charging voltage,
The overshoot reference voltage is a voltage set higher than a charging voltage of the battery when the battery is fully charged and lower than a reference voltage for overvoltage detection. 4. The power supply control circuit according to any one of 3.
前記充電電圧と基準電圧との差分に基づいて、前記充電電圧の供給経路に備えられた抵抗部の抵抗値を制御することを特徴とする電源制御方法。 Detect the battery charging voltage applied based on the output state,
A power supply control method, comprising: controlling a resistance value of a resistance unit provided in a supply path of the charging voltage based on a difference between the charging voltage and a reference voltage.
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