JP2010171297A - Wafer protecting member and protecting method - Google Patents

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Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a wafer protecting member which can be manufactured inexpensively to be disposable for every wafer, and to provide a protecting method of protecting a semiconductor wafer using the wafer protecting member. <P>SOLUTION: The wafer protecting member 2 is formed of a thermally curable resin to be thermally cured, and has flexibility. The wafer protecting member 2 has a long-sized groove 4 formed along the length such that a peripheral edge of the semiconductor wafer is fitted therein. The wafer protecting member 2 is fitted while the peripheral edge of the semiconductor wafer is fitted in the groove 4, and then the wafer protecting member 2 is thermally cured thereafter. Consequently, the semiconductor wafer can be protected. The wafer protecting member 2 is formed of a resin material, so it can be manufactured inexpensively and is disposable for each semiconductor wafer. <P>COPYRIGHT: (C)2010,JPO&INPIT

Description

本発明は、半導体ウェハを保護するウェハ保護部材に関する。また、そのウェハ保護部材を用いて半導体ウェハを保護する方法に関する。   The present invention relates to a wafer protection member for protecting a semiconductor wafer. The present invention also relates to a method for protecting a semiconductor wafer using the wafer protection member.

厚みの小さい半導体素子を製造するために、薄板化された半導体ウェハを取り扱う技術が重要になってきている。薄板化された半導体ウェハは、半導体ウェハの表面側にウェハ処理(回路などのパターンを形成する処理をいう)を施した後、半導体ウェハの裏面側を研磨することにより半導体ウェハを薄板化することが多い。なお、以下では簡単のため、「半導体ウェハ」を単に「ウェハ」と称する。   In order to manufacture a semiconductor element having a small thickness, a technique for handling a thinned semiconductor wafer has become important. The thinned semiconductor wafer is subjected to wafer processing (referred to as a process for forming a pattern such as a circuit) on the front side of the semiconductor wafer, and then the semiconductor wafer is thinned by polishing the back side of the semiconductor wafer. There are many. Hereinafter, for simplicity, the “semiconductor wafer” is simply referred to as “wafer”.

薄板化されたウェハは、ウェハ処理や搬送等の際に割れや反り、撓みを生じやすく、作業性や製品歩留まりが低下しがちである。このため、一般的には、薄板化されたウェハのいずれかの面にテープを貼り付けてウェハを取り扱う(搬送やダイシング等を行う)ことにより、ウェハの割れや反り、撓みを防止する。しかしながら、このようなテープは形状維持性に乏しいため、ウェハの割れや反り、撓みを十分に抑えることが困難である。   Thinned wafers are likely to be cracked, warped or bent during wafer processing or conveyance, and workability and product yield tend to be reduced. For this reason, in general, the wafer is handled by carrying a wafer by attaching a tape to any surface of the thinned wafer (conveying, dicing, etc.), thereby preventing the wafer from cracking, warping, and bending. However, since such a tape has poor shape maintenance, it is difficult to sufficiently suppress cracking, warping, and bending of the wafer.

特許文献1、2に、ウェハを割れや反り、撓みから保護するためのウェハ保護部材が開示されている。特許文献1のウェハ保護部材は、溝が付いた帯状体をウェハの周縁部に沿って嵌め込んで取り付け、帯状体の両末端を帯状体支持体で支持することによりウェハを保護する。特許文献2のウェハ保護部材は、開閉自在に形成されている環状の梱包ケースを開いてウェハの周縁部に嵌め込んで取り付け、梱包ケースを閉じることによりウェハを保護する。   Patent Documents 1 and 2 disclose a wafer protection member for protecting a wafer from cracking, warping, and bending. The wafer protection member of Patent Document 1 protects a wafer by fitting and attaching a grooved belt-like body along the peripheral edge of the wafer, and supporting both ends of the belt-like body with a belt-like body support. The wafer protection member disclosed in Patent Document 2 protects a wafer by opening an annular packing case that is formed to be openable and closing, fitting the wafer into the peripheral edge of the wafer, and closing the packing case.

実開平4−55140号公報Japanese Utility Model Publication No. 4-55140 特開2003−318253号公報JP 2003-318253 A

特許文献1、2のウェハ保護部材は、いずれもウェハのサイズに合わせて予め金属等で形成されている。このため、ウェハ毎に新しいウェハ保護部材を用いると(ウェハ毎にウェハ保護部材を使い捨てると)、ウェハ保護部材の製造コストが嵩んでしまう。一方で、複数のウェハに対して同じウェハ保護部材を繰返し用いると、使用するにつれてウェハ保護部材の形状が歪んでしまい、ウェハのサイズに合わなくなってしまうことがある。また、ウェハ保護部材の保管中にウェハ保護部材に汚染物が付着してしまい、ウェハ保護部材をウェハに取り付けたときにウェハが汚染されてしまうことがある。   The wafer protection members disclosed in Patent Documents 1 and 2 are all formed of metal or the like in advance according to the size of the wafer. For this reason, if a new wafer protection member is used for each wafer (if the wafer protection member is disposable for each wafer), the manufacturing cost of the wafer protection member increases. On the other hand, if the same wafer protection member is repeatedly used for a plurality of wafers, the shape of the wafer protection member may be distorted as it is used, and the wafer size may not be matched. In addition, contaminants may adhere to the wafer protection member during storage of the wafer protection member, and the wafer may be contaminated when the wafer protection member is attached to the wafer.

本発明は、上記の課題を解決する。本発明は、ウェハ毎に使い捨てることができるように低コストで製造することができるウェハ保護部材と、そのウェハ保護部材を用いてウェハを保護する方法を提供することを目的とする。   The present invention solves the above problems. An object of this invention is to provide the wafer protection member which can be manufactured at low cost so that it may be disposable for every wafer, and the method of protecting a wafer using the wafer protection member.

本発明のウェハ保護部材は、熱硬化性樹脂で長尺に形成されており、長手方向に沿ってウェハの周縁部に嵌め込む溝が形成されている。なお、使用前のウェハ保護部材は、硬化前の熱硬化性樹脂で形成されており、柔軟性を有している。
このようなウェハ保護部材は、溝をウェハの周縁部に沿って嵌め込むことで、容易にウェハに取り付けることができる。ウェハに取り付けた後に、ウェハ保護部材を熱硬化する。熱硬化後の熱硬化性樹脂は硬いため、ウェハの周縁部に沿って取り付けられ後に硬化したウェハ保護部材は、ウェハを割れや反り、撓みから保護することができる。ウェハ保護部材は、熱硬化性樹脂材料で単純な形状に形成されるため、低コストで製造することができ、ウェハ毎に使い捨てることができる。また、ウェハ保護部材は樹脂材料で形成されるため、ウェハに取り付けたウェハ保護部材は容易に取り外すことができる。
The wafer protection member of the present invention is formed in a long length with a thermosetting resin, and a groove to be fitted into the peripheral edge of the wafer is formed along the longitudinal direction. In addition, the wafer protection member before use is formed with the thermosetting resin before hardening, and has a softness | flexibility.
Such a wafer protection member can be easily attached to the wafer by fitting the groove along the peripheral edge of the wafer. After being attached to the wafer, the wafer protection member is thermally cured. Since the thermosetting resin after thermosetting is hard, the wafer protection member attached along the peripheral edge of the wafer and cured afterwards can protect the wafer from cracking, warping, and bending. Since the wafer protection member is formed of a thermosetting resin material in a simple shape, the wafer protection member can be manufactured at a low cost and can be disposable for each wafer. Further, since the wafer protection member is formed of a resin material, the wafer protection member attached to the wafer can be easily removed.

本発明のウェハ保護部材は、硬化前の熱硬化性樹脂で形成されており、柔軟性を有している。そのようなウェハ保護部材は、ウェハ保護部材とウェハの間に隙間を作ることなく、ウェハ保護部材をウェハの周縁部に沿って嵌め込むことができる。このため、ウェハのサイズに関らず、ウェハのサイズに合わせてウェハ保護部材を取り付けることができる。   The wafer protection member of the present invention is formed of a thermosetting resin before curing and has flexibility. Such a wafer protection member can fit the wafer protection member along the peripheral edge of the wafer without creating a gap between the wafer protection member and the wafer. For this reason, regardless of the size of the wafer, the wafer protection member can be attached according to the size of the wafer.

本発明のウェハ保護部材は、溝を断面視したときの輪郭の形状が、裏面研磨後のウェハ周縁部を断面視したときの輪郭の形状と略一致していることが好ましい。裏面研磨後のウェハ周縁部は、通常、鋭利な形状となっている。このため、従来は、裏面研磨後にウェハ周縁部を研磨して(ベベル研磨工程)ウェハ周縁部を滑らかな面にした後に、ウェハを取り扱うことが多かった。上記のウェハ保護部材は、溝の輪郭の形状が裏面研磨後のウェハ周縁部の輪郭の形状と略一致しているため、裏面研磨後のウェハ周縁部に隙間無く嵌め込むことができる。上記のウェハ保護部材は、裏面研磨後のウェハの周縁部に隙間無く嵌め込んで鋭利な形状をカバーすることができるので、ウェハの裏面研磨後にベベル研磨工程を行う必要がない。半導体素子の製造工程を短縮することができる。   In the wafer protection member of the present invention, it is preferable that the shape of the contour when the groove is viewed in cross-section is substantially the same as the shape of the contour when the peripheral edge of the wafer after backside polishing is viewed in cross-section. The peripheral edge of the wafer after the backside polishing is usually sharp. For this reason, conventionally, a wafer is often handled after polishing the wafer peripheral portion after the back surface polishing (bevel polishing step) to make the wafer peripheral portion a smooth surface. The above-mentioned wafer protection member can be fitted into the peripheral edge of the wafer after the backside polishing without any gap since the outline shape of the groove substantially matches the outline shape of the peripheral edge of the wafer after the backside polishing. Since the above-mentioned wafer protection member can be fitted into the peripheral edge of the wafer after the backside polishing without any gap to cover a sharp shape, it is not necessary to perform a bevel polishing step after the backside polishing of the wafer. The manufacturing process of the semiconductor element can be shortened.

本発明のウェハ保護部材を用いてウェハを保護する方法は、取り付け工程と、熱硬化工程を備えている。取り付け工程では、熱硬化性樹脂で長尺に形成されており、長手方向に沿って溝が形成されているウェハ保護部材を、溝にウェハの周縁部を嵌合させながらウェハの半周以上に亘って取り付ける。熱硬化工程では、ウェハに取り付けた保護部材を熱硬化させる。   The method for protecting a wafer using the wafer protection member of the present invention includes an attaching step and a thermosetting step. In the attaching process, the wafer protection member, which is formed in a long length with a thermosetting resin and has a groove formed along the longitudinal direction, extends over a half circumference of the wafer while fitting the peripheral edge of the wafer into the groove. And attach. In the thermosetting process, the protective member attached to the wafer is thermoset.

本方法では、取り付け工程でウェハに取り付けたウェハ保護部材を熱硬化工程で熱硬化させる。ウェハ保護部材はウェハの半周以上に亘ってその周縁部に取り付けられるため、ウェハを割れや反り、撓みから保護することができる。ウェハ保護部材を低コストで製造することができ、ウェハ毎に使い捨てることができる。また、ウェハに取り付けたウェハ保護部材は容易に取り外すことができる。   In this method, the wafer protection member attached to the wafer in the attaching step is thermally cured in the thermosetting step. Since the wafer protection member is attached to the periphery of the wafer over a half circumference, the wafer can be protected from cracking, warping, and bending. The wafer protection member can be manufactured at low cost and can be disposable for each wafer. Further, the wafer protection member attached to the wafer can be easily removed.

本発明によると、ウェハ毎に使い捨てることができるように低コストで製造することができるウェハ保護部材を提供することができる。また、そのようなウェハ保護部材を用いてウェハを保護する方法を提供することができる。   ADVANTAGE OF THE INVENTION According to this invention, the wafer protection member which can be manufactured at low cost so that it can be disposable for every wafer can be provided. Moreover, the method of protecting a wafer using such a wafer protection member can be provided.

実施例1に係るウェハ保護部材の斜視図を示す。1 is a perspective view of a wafer protection member according to Example 1. FIG. ウェハ保護部材を用いてウェハを保護する方法の工程(1)を示す。Process (1) of the method of protecting a wafer using a wafer protection member is shown. ウェハ保護部材を用いてウェハを保護する方法の工程(2)を示す。Process (2) of the method of protecting a wafer using a wafer protection member is shown. ウェハ保護部材をウェハに取り付けたときの断面図を示す。Sectional drawing when a wafer protection member is attached to a wafer is shown. (a)は、実施例2に係るウェハ保護部材の断面の拡大図と裏面研磨後のウェハ周縁部断面の拡大図を示す。(b)は、実施例2に係るウェハ保護部材を裏面研磨後のウェハに取り付けたときの断面図を示す。(A) shows the enlarged view of the cross section of the wafer protection member which concerns on Example 2, and the enlarged view of the wafer peripheral part cross section after back surface grinding | polishing. (B) shows sectional drawing when the wafer protection member which concerns on Example 2 is attached to the wafer after back surface grinding | polishing. (a)は、実施例3に係るウェハ保護部材の断面を拡大した図を示す。(b)は、実施例3に係るウェハ保護部材をウェハに取り付けたときの断面図を示す。(A) shows the figure which expanded the cross section of the wafer protection member which concerns on Example 3. FIG. (B) shows sectional drawing when the wafer protection member concerning Example 3 is attached to a wafer.

以下、本発明の実施形態の特徴をいくつか説明する。
(形態1)ウェハ保護部材が、硬化収縮率が小さい熱硬化性樹脂で形成されている。この形態によると、ウェハに取り付けたウェハ保護部材が熱硬化後に収縮して、ウェハの周縁部に応力が加わることを抑制することができる。
(形態2)ウェハ保護部材の熱硬化温度は、40℃〜200℃が好適である。この形態によると、ウェハに形成されている半導体素子構造に影響を与えることなく、ウェハ保護部材を熱硬化させることができる。
(形態3)複数のウェハを保持できるように、ウェハ保護部材に複数の溝が形成されている。この形態によると、ウェハ保護部材を取り付けた状態で、一度に複数のウェハを搬送することができる。
Hereinafter, some features of the embodiment of the present invention will be described.
(Mode 1) The wafer protection member is formed of a thermosetting resin having a small curing shrinkage rate. According to this embodiment, it is possible to prevent the wafer protective member attached to the wafer from shrinking after thermosetting and applying stress to the peripheral edge of the wafer.
(Mode 2) The thermosetting temperature of the wafer protection member is preferably 40 ° C to 200 ° C. According to this embodiment, the wafer protection member can be thermally cured without affecting the semiconductor element structure formed on the wafer.
(Mode 3) A plurality of grooves are formed in the wafer protection member so that a plurality of wafers can be held. According to this embodiment, a plurality of wafers can be transferred at a time with the wafer protection member attached.

図1に、実施例1に係るウェハ保護部材2の斜視図を示す。ウェハ保護部材2は、熱硬化前の熱硬化性樹脂で形成されており、柔軟性を有している。熱硬化性樹脂の材料としては、例えば、フェノール系樹脂、メラミン系樹脂。エポキシ樹脂、不飽和ポリエステル系樹脂、ウレタン系樹脂を用いることができる。ウェハ保護部材2は、長手方向Aに伸びる長尺に形成されている。長手方向Aに沿って、ウェハ6の周縁部に嵌め込む溝4が形成されている。なお、ウェハ保護部材2は、硬化収縮率が小さい熱硬化性樹脂で形成されていることが好ましい。この場合、ウェハに取り付けたウェハ保護部材2が熱硬化後に収縮して、ウェハの周縁部に応力が加わることを抑制することができる。   FIG. 1 is a perspective view of a wafer protection member 2 according to the first embodiment. The wafer protection member 2 is formed of a thermosetting resin before thermosetting and has flexibility. Examples of thermosetting resin materials include phenolic resins and melamine resins. Epoxy resins, unsaturated polyester resins, and urethane resins can be used. The wafer protection member 2 is formed in a long shape extending in the longitudinal direction A. Along the longitudinal direction A, a groove 4 that fits into the peripheral edge of the wafer 6 is formed. The wafer protection member 2 is preferably formed of a thermosetting resin having a low curing shrinkage rate. In this case, it is possible to prevent the wafer protection member 2 attached to the wafer from shrinking after thermosetting and applying stress to the peripheral edge of the wafer.

図2と図3に、ウェハ保護部材2を用いてウェハ6を保護する方法を示す。ウェハ保護部材2は、ウェハ6に取り付けたときにウェハ6の半周以上を保護する長さに予め切断されている。まず、図2に示すように、ウェハ保護部材2を、溝4にウェハ6の周縁部に嵌合させながら、ウェハ保護部材2の一端から他端に向かって取り付ける(取り付け工程)。図2は、ウェハ保護部材2の半分長をウェハ6に取り付けたときの状態を示している。なお、本実施例では予め切断されたウェハ保護部材2を用いているが、ウェハ保護部材2を予め長めに形成しておき、ウェハ保護部材2をウェハ6の半周以上に亘って取り付けた後にウェハ保護部材2を切断してもよい。   2 and 3 show a method for protecting the wafer 6 by using the wafer protection member 2. The wafer protection member 2 is cut in advance to a length that protects more than half of the circumference of the wafer 6 when attached to the wafer 6. First, as shown in FIG. 2, the wafer protection member 2 is attached from one end to the other end of the wafer protection member 2 while fitting the peripheral portion of the wafer 6 in the groove 4 (attachment process). FIG. 2 shows a state where the half length of the wafer protection member 2 is attached to the wafer 6. In this embodiment, the wafer protection member 2 cut in advance is used. However, the wafer protection member 2 is formed long in advance, and the wafer protection member 2 is attached over a half circumference of the wafer 6 before the wafer. The protective member 2 may be cut.

次いで、図3に示すように、ウェハ保護部材2をウェハ6の半周以上に亘って取り付ける。ウェハ保護部材2を取り付ける長さはウェハ6の半周以上であればよい。好ましくは、ウェハ保護部材2は、ウェハ6の全周に亘って取り付けてもよい。ウェハ6の全周に亘ってウェハ保護部材2を取り付けた場合、ウェハ6をより効果的に保護することができる。次いで、ウェハ保護部材2を熱硬化させる。これによって、ウェハ保護部材2はウェハ6の周縁に密着し、ウェハ6が保護される。ここで、熱硬化温度は40℃〜200℃であることが好ましい。半導体素子の製造工程で不純物の熱拡散等のために用いる温度は200℃〜1400℃である。このため、熱硬化温度が40℃〜200℃の熱硬化性樹脂を用いることによって、熱硬化時にウェハ6に形成されている半導体素子構造に影響を与えることなく、ウェハ保護部材2を熱硬化させることができる。   Next, as shown in FIG. 3, the wafer protection member 2 is attached over a half circumference of the wafer 6. The length for attaching the wafer protection member 2 may be not less than a half circumference of the wafer 6. Preferably, the wafer protection member 2 may be attached over the entire circumference of the wafer 6. When the wafer protection member 2 is attached over the entire circumference of the wafer 6, the wafer 6 can be protected more effectively. Next, the wafer protection member 2 is thermally cured. As a result, the wafer protection member 2 is in close contact with the periphery of the wafer 6 and the wafer 6 is protected. Here, the thermosetting temperature is preferably 40 ° C to 200 ° C. The temperature used for thermal diffusion of impurities in the manufacturing process of the semiconductor element is 200 ° C. to 1400 ° C. For this reason, by using a thermosetting resin having a thermosetting temperature of 40 ° C. to 200 ° C., the wafer protection member 2 is thermoset without affecting the semiconductor element structure formed on the wafer 6 at the time of thermosetting. be able to.

ウェハ保護部材2は樹脂材料で形成されているため、図3に示すように、ウェハに取り付けたウェハ保護部材2の両末端を図示B方向に引くことによって、ウェハ保護部材2をウェハ6から容易に取り外すことができる。または、ウェハ保護部材2を割ることで(破壊することで)、ウェハ保護部材2をウェハ6から取り外すこともできる。   Since the wafer protection member 2 is formed of a resin material, the wafer protection member 2 can be easily removed from the wafer 6 by pulling both ends of the wafer protection member 2 attached to the wafer in the direction B as shown in FIG. Can be removed. Alternatively, the wafer protection member 2 can be detached from the wafer 6 by breaking (breaking) the wafer protection member 2.

図4に、図3のIV−IV線の断面図を示す。図4は、ウェハ保護部材2をウェハ6に取り付けたときのウェハ保護部材2とウェハ6の断面を示している。図4に示すように、ウェハ2の周縁部を溝4に嵌め込むことで、ウェハ保護部材2をウェハ6に取り付けることができる。   FIG. 4 is a cross-sectional view taken along the line IV-IV in FIG. FIG. 4 shows a cross section of the wafer protection member 2 and the wafer 6 when the wafer protection member 2 is attached to the wafer 6. As shown in FIG. 4, the wafer protection member 2 can be attached to the wafer 6 by fitting the peripheral edge of the wafer 2 into the groove 4.

実施例1のウェハ保護部材2によると、ウェハ保護部材2が樹脂材料で形成されているため、ウェハ保護部材2を低コストで製造することができる。従って、半導体装置の製造費用を大きく増大することなく、ウェハ保護部材をウェハ毎に使い捨てることができる。新たなウェハを保護する場合には、新たなウェハ保護部材を用いてウェハを保護すればよい。ウェハ6に取り付ける前のウェハ保護部材2は熱硬化前の熱硬化性樹脂で形成されているため、ウェハ6のサイズに関らずウェハ6のサイズに合わせてウェハ6に取り付けることができる。ウェハ保護部材2をウェハ6に取り付けた後で熱硬化させることで、ウェハ6を割れや反り、撓みから保護することができる。   According to the wafer protection member 2 of Example 1, since the wafer protection member 2 is formed of a resin material, the wafer protection member 2 can be manufactured at low cost. Therefore, the wafer protection member can be disposable for each wafer without greatly increasing the manufacturing cost of the semiconductor device. When protecting a new wafer, the wafer may be protected using a new wafer protection member. Since the wafer protection member 2 before being attached to the wafer 6 is formed of a thermosetting resin before thermosetting, it can be attached to the wafer 6 according to the size of the wafer 6 regardless of the size of the wafer 6. The wafer 6 can be protected from cracking, warping, and bending by thermosetting after the wafer protection member 2 is attached to the wafer 6.

図5(a)に、実施例2に係るウェハ保護部材12の断面の拡大図と、裏面研磨後のウェハ16の周縁部断面の拡大図を示す。図5(a)に示すように、裏面研磨後のウェハ16の周縁部は鋭利な形状となっている。ウェハ保護部材12の溝14を断面視したときの輪郭14aの形状は、裏面研磨後のウェハ16の周縁部を断面視したときの輪郭16aの形状と一致する形状に形成されている。   FIG. 5A shows an enlarged view of a cross section of the wafer protection member 12 according to the second embodiment and an enlarged view of a peripheral section of the wafer 16 after back surface polishing. As shown in FIG. 5A, the peripheral edge of the wafer 16 after the back surface polishing has a sharp shape. The shape of the contour 14a when the groove 14 of the wafer protection member 12 is viewed in cross section is formed in a shape that matches the shape of the contour 16a when the peripheral edge of the wafer 16 after back surface polishing is viewed in cross section.

図5(b)に、ウェハ保護部材12をウェハ16に取り付けたときの断面図を示す。図5(b)に示すように、ウェハ保護部材12は、裏面研磨後のウェハ16の周縁部に隙間無く嵌め込むことができる。ウェハ保護部材12は、鋭利な形状の周縁部をカバーするので、ウェハの裏面研磨後にベベル研磨工程を行う必要がない。このため、半導体素子の製造工程を短縮することができる。また、ベベル研磨工程を省略することができるため、ベベル研磨を行うことでウェハ16のサイズが変わってしまうことがない。   FIG. 5B shows a cross-sectional view when the wafer protection member 12 is attached to the wafer 16. As shown in FIG. 5B, the wafer protection member 12 can be fitted into the peripheral edge of the wafer 16 after the backside polishing without any gap. Since the wafer protection member 12 covers the sharp peripheral edge, it is not necessary to perform a bevel polishing step after the backside polishing of the wafer. For this reason, the manufacturing process of a semiconductor element can be shortened. Further, since the bevel polishing step can be omitted, the size of the wafer 16 is not changed by performing the bevel polishing.

図6(a)に、実施例3に係るウェハ保護部材22の断面の拡大図を示す。図6(a)に示すように、ウェハ保護部材22には、上下に2つの溝24a、24bが形成されている。2つの溝24a、24bは、ウェハ保護部材22の長手方向に沿って伸びている。図6(b)に、ウェハ保護部材22を2枚のウェハ26a、26bに取り付けたときのウェハ保護部材22とウェハ26a、26bの断面図を示す。図6(b)に示すように、ウェハ保護部材22は、2つの溝24a、24bの各々に2枚のウェハ26a、26bの周縁部を嵌め込むことで、ウェハ26a、26bに取り付けることができる。これによって、1つのウェハ保護部材22で、2枚のウェハ26a、26bを割れや反り、撓みから保護することができる。また、1つのウェハ保護部材22を2枚のウェハ26a、26bに取り付けることができるため、一度に2枚のウェハを搬送することができ、ウェハの搬送効率を高めることができる。さらに、2枚のウェハ26a、26bの各々の表面を向かい合わせた状態でウェハ保護部材22を取り付けることによって、ウェハ保護部材22を取り付けた状態で2枚のウェハ26a、26bの各々の裏面に別の処理を施すことができる。また、2枚のウェハ26a、26bの各々の裏面を向かい合わせた状態でウェハ保護部材22を取り付けてもよい。その場合、ウェハ保護部材22を取り付けた状態で2枚のウェハ26a、26bの各々の表面に他の処理を施すことができる。なお、実施例3では、ウェハ保護部材22に2つの溝24a、24bが形成されているが、ウェハ保護部材22に3つ以上の溝が形成されていてもよい。この場合、一度に複数のウェハを保護することができるとともに、一度に複数のウェハを搬送することができる。   FIG. 6A is an enlarged view of a cross section of the wafer protection member 22 according to the third embodiment. As shown in FIG. 6A, the wafer protection member 22 is formed with two grooves 24a and 24b in the vertical direction. The two grooves 24 a and 24 b extend along the longitudinal direction of the wafer protection member 22. FIG. 6B shows a cross-sectional view of the wafer protection member 22 and the wafers 26a and 26b when the wafer protection member 22 is attached to the two wafers 26a and 26b. As shown in FIG. 6B, the wafer protection member 22 can be attached to the wafers 26a and 26b by fitting the peripheral portions of the two wafers 26a and 26b into the two grooves 24a and 24b, respectively. . Accordingly, the two wafers 26a and 26b can be protected from cracking, warping, and bending with the single wafer protection member 22. In addition, since one wafer protection member 22 can be attached to two wafers 26a and 26b, two wafers can be transferred at a time, and the wafer transfer efficiency can be improved. Further, by attaching the wafer protection member 22 with the front surfaces of the two wafers 26a and 26b facing each other, the wafer protection member 22 is attached to the back surface of each of the two wafers 26a and 26b. Can be applied. Further, the wafer protection member 22 may be attached with the back surfaces of the two wafers 26a and 26b facing each other. In that case, the surface of each of the two wafers 26a and 26b can be subjected to other processing with the wafer protection member 22 attached. In Example 3, two grooves 24 a and 24 b are formed in the wafer protection member 22, but three or more grooves may be formed in the wafer protection member 22. In this case, a plurality of wafers can be protected at a time and a plurality of wafers can be transferred at a time.

以上、本発明の実施例について詳細に説明したが、これらは例示に過ぎず、特許請求の範囲を限定するものではない。特許請求の範囲に記載の技術には、以上に例示した具体例を様々に変形、変更したものが含まれる。
本明細書または図面に説明した技術要素は、単独であるいは各種の組合せによって技術的有用性を発揮するものであり、出願時請求項記載の組合せに限定されるものではない。また、本明細書または図面に例示した技術は複数目的を同時に達成し得るものであり、そのうちの一つの目的を達成すること自体で技術的有用性を持つものである。
As mentioned above, although the Example of this invention was described in detail, these are only illustrations and do not limit a claim. The technology described in the claims includes various modifications and changes of the specific examples illustrated above.
The technical elements described in this specification or the drawings exhibit technical usefulness alone or in various combinations, and are not limited to the combinations described in the claims at the time of filing. In addition, the technology exemplified in this specification or the drawings can achieve a plurality of objects at the same time, and has technical usefulness by achieving one of the objects.

2、12、22:ウェハ保護部材
4、14、24a、24b:溝
6、16、26a、26b:半導体ウェハ
14a:溝を断面視したときの輪郭
16a:裏面研磨後のウェハの周縁部を断面視したときの輪郭
2, 12, 22: Wafer protection members 4, 14, 24a, 24b: Grooves 6, 16, 26a, 26b: Semiconductor wafer 14a: Contour when groove is viewed in cross section 16a: Cross section of peripheral edge of wafer after back surface polishing Contour when viewed

Claims (3)

熱硬化性樹脂で長尺に形成されており、長手方向に沿って半導体ウェハの周縁部に嵌め込む溝が形成されているウェハ保護部材。   A wafer protection member which is formed in a long length with a thermosetting resin and has a groove which is fitted in a peripheral portion of the semiconductor wafer along the longitudinal direction. 前記溝を断面視したときの輪郭の形状が、裏面研磨後の前記半導体ウェハの周縁部を断面視したときの輪郭の形状と略一致していることを特徴とする請求項1のウェハ保護部材。   2. The wafer protection member according to claim 1, wherein a shape of the contour when the groove is viewed in cross section substantially coincides with a shape of the contour when the peripheral portion of the semiconductor wafer after back surface polishing is viewed in cross section. . 熱硬化性樹脂で長尺に形成されており、長手方向に沿って溝が形成されているウェハ保護部材を、溝に半導体ウェハの周縁部を嵌合させながら半導体ウェハの半周以上に亘って取り付ける取り付け工程と、
半導体ウェハに取り付けた保護部材を熱硬化させる熱硬化工程と、
を備えることを特徴とするウェハの保護方法。
A wafer protection member that is formed in a long length with a thermosetting resin and has a groove formed along the longitudinal direction is attached over a half circumference of the semiconductor wafer while fitting the peripheral edge of the semiconductor wafer into the groove. Installation process;
A thermosetting process for thermosetting the protective member attached to the semiconductor wafer;
A method for protecting a wafer, comprising:
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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN107735856A (en) * 2015-07-03 2018-02-23 未来儿株式会社 Substrate accommodation container

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