JP2010171230A - Electronic element, and polymer compound having bipyridinium skeleton useful for the same - Google Patents

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Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide an electronic element excelling in conversion efficiency. <P>SOLUTION: The electronic element includes: a first electrode; a second electrode; a luminescent layer or a charge separation layer arranged between the first electrode and second electrode; and a charge injection layer arranged between the luminescent layer or the charge separation layer and the first electrode or the second electrode, and containing a polymer compound having a structure represented by formula (I). In the formula (I), each of X<SP>1</SP>and X<SP>2</SP>is each independently an ion of F<SP>-</SP>, OH<SP>-</SP>, R<SP>a</SP>SO<SB>3</SB><SP>-</SP>, R<SP>a</SP>COO<SP>-</SP>, ClO<SP>-</SP>, SCN<SP>-</SP>, CN<SP>-</SP>, NO<SB>3</SB><SP>-</SP>, HSO<SB>4</SB><SP>-</SP>, H<SB>2</SB>PO<SB>4</SB><SP>-</SP>, BF<SB>4</SB><SP>-</SP>, BR<SP>a</SP><SB>4</SB><SP>-</SP>or PF<SB>6</SB><SP>-</SP>; R<SP>a</SP>is one group selected from a group comprising 1-30C alkyl group, 6-50C aryl group and 2-50C univalent heterocyclic group; the alkyl group, aryl group and univalent heterocyclic group may have each a substituted group; and * is a binding site to another structure. <P>COPYRIGHT: (C)2010,JPO&INPIT

Description

本発明は電子素子に関し、詳しくは、2個の電極と、発光層または電荷分離層と、電荷注入層とを備える電子素子に関する。   The present invention relates to an electronic device, and more particularly, to an electronic device including two electrodes, a light emitting layer or a charge separation layer, and a charge injection layer.

電界発光素子や光電変換素子などの電子素子の特性を向上させるため、電界発光素子の発光層と電極との間または光電変換素子の電荷分離層と電極との間に様々な層を挿入することが検討されている。   In order to improve the characteristics of an electronic device such as an electroluminescent device or a photoelectric conversion device, various layers are inserted between the light emitting layer and the electrode of the electroluminescent device or between the charge separation layer and the electrode of the photoelectric conversion device. Is being considered.

例えば、高分子化合物からなる層を挿入した電子素子として、特表2003−530676号公報(特許文献1)には、電極と発光層との間に、エーテル鎖と、Na、SO などのカウンターイオンとイオン結合を形成するCOO、(NH イオンを主鎖または側鎖に含む高分子からなる層を挿入した有機/高分子電気発光(EL)素子が開示されている。しかしながら、特許文献1に記載の有機/高分子電気発光(EL)素子においては、変換効率の点で未だ十分なものではなかった。 For example, as an electronic device in which a layer made of a polymer compound is inserted, Japanese Patent Publication No. 2003-530676 (Patent Document 1) discloses an ether chain, Na + , SO 3 −, and the like between an electrode and a light emitting layer. COO for forming a counter ion and ionic bonds - have been disclosed (NH 3) 4 + ions and the organic / polymer electroluminescent inserting a layer made of a polymer containing in the main chain or side chain (EL) element . However, the organic / polymer electroluminescent (EL) element described in Patent Document 1 has not been sufficient in terms of conversion efficiency.

特表2003−530676号公報Special table 2003-530676 gazette

本発明は、上記従来技術の有する課題に鑑みてなされたものであり、変換効率に優れた電子素子を提供することを目的とする。   The present invention has been made in view of the above-described problems of the prior art, and an object thereof is to provide an electronic device having excellent conversion efficiency.

本発明者らは、上記目的を達成すべく鋭意研究を重ねた結果、4,4’−ビピリジニウム骨格を有する高分子化合物が電荷注入性に優れることを見出し、さらに、2個の電極間に発光層または電荷分離層を備える電子素子において、前記電極と前記発光層または前記電荷分離層との間に、4,4’−ビピリジニウム骨格を有する高分子化合物を含む電荷注入層を挿入することにより変換効率に優れた電子素子が得られることを見出し、本発明を完成するに至った。   As a result of intensive studies to achieve the above object, the present inventors have found that a polymer compound having a 4,4′-bipyridinium skeleton is excellent in charge injection property, and further emits light between two electrodes. In an electronic device including a layer or a charge separation layer, conversion is performed by inserting a charge injection layer containing a polymer compound having a 4,4′-bipyridinium skeleton between the electrode and the light emitting layer or the charge separation layer. The inventors have found that an electronic device having excellent efficiency can be obtained, and have completed the present invention.

すなわち、本発明の電子素子は、第一の電極と、第二の電極と、該第一の電極と該第二の電極との間に配置された発光層または電荷分離層と、該発光層または該電荷分離層と前記第一の電極または前記第二の電極との間に配置され、下記式(I):   That is, the electronic device of the present invention includes a first electrode, a second electrode, a light emitting layer or a charge separation layer disposed between the first electrode and the second electrode, and the light emitting layer. Or disposed between the charge separation layer and the first electrode or the second electrode, and the following formula (I):

Figure 2010171230
Figure 2010171230

(式(I)中、XおよびXは、それぞれ独立にF、Cl、Br、I、OH、RSO 、RCOO、ClO、ClO 、ClO 、ClO 、SCN、CN、NO 、HSO 、HPO 、BF 、BR およびPF からなる群から選択される1種のイオンを表し、前記Rは炭素数1〜30のアルキル基、炭素数6〜50のアリール基および炭素数2〜50の1価の複素環基からなる群から選択される1種の基を表し、前記アルキル基、アリール基および1価の複素環基は置換基を有していてもよく、*は他の構造との結合部位を表す。)
で表される構造を有する高分子化合物を含む電荷注入層とを備えることを特徴とするものである。
(In the formula (I), X 1 and X 2 are each independently F , Cl , Br , I , OH , R a SO 3 , R a COO , ClO , ClO 2 , One selected from the group consisting of ClO 3 , ClO 4 , SCN , CN , NO 3 , HSO 4 , H 2 PO 4 , BF 4 , BR a 4 and PF 6 R a represents one group selected from the group consisting of an alkyl group having 1 to 30 carbon atoms, an aryl group having 6 to 50 carbon atoms, and a monovalent heterocyclic group having 2 to 50 carbon atoms. And the alkyl group, aryl group and monovalent heterocyclic group may have a substituent, and * represents a bonding site with another structure.)
And a charge injection layer including a polymer compound having a structure represented by the formula:

本発明の電子素子において前記高分子化合物としては、置換基を有していてもよい2価の芳香族基、置換基を有していてもよいアルキレン基、置換基を有していてもよいオキシアルキレン基および置換基を有していてもよいジオキシアルキレン基からなる群から選択される少なくとも1種の基をさらに有する化合物が好ましく、下記式(II):   In the electronic device of the present invention, the polymer compound may have a divalent aromatic group which may have a substituent, an alkylene group which may have a substituent, or a substituent. A compound further having at least one group selected from the group consisting of an oxyalkylene group and an optionally substituted dioxyalkylene group is preferred, and has the following formula (II):

Figure 2010171230
Figure 2010171230

(式(II)中、XおよびXは、それぞれ独立にF、Cl、Br、I、OH、RSO 、RCOO、ClO、ClO 、ClO 、ClO 、SCN、CN、NO 、HSO 、HPO 、BF 、BR およびPF からなる群から選択される1種のイオンを表し、前記Rは炭素数1〜30のアルキル基、炭素数6〜50のアリール基および炭素数2〜50の1価の複素環基からなる群から選択される1種の基を表し、前記アルキル基、アリール基および1価の複素環基は置換基を有していてもよく、Arは置換基を有していてもよい2価の芳香族基を表し、RおよびRはそれぞれ独立に炭素数1〜20のアルキレン基を表し、*は他の構造との結合部位を表し、nおよびnはそれぞれ独立に1〜20の整数である。)
で表される構造を有する化合物が特に好ましい。
(In the formula (II), X 3 and X 4 each independently represent F , Cl , Br , I , OH , R b SO 3 , R b COO , ClO , ClO 2 , One selected from the group consisting of ClO 3 , ClO 4 , SCN , CN , NO 3 , HSO 4 , H 2 PO 4 , BF 4 , BR b 4 and PF 6 Rb represents one group selected from the group consisting of an alkyl group having 1 to 30 carbon atoms, an aryl group having 6 to 50 carbon atoms, and a monovalent heterocyclic group having 2 to 50 carbon atoms. The alkyl group, aryl group and monovalent heterocyclic group each may have a substituent, Ar 1 represents a divalent aromatic group which may have a substituent, R 1 and R 2 each independently represents an alkylene group having 1 to 20 carbon atoms, * represents other And n 1 and n 2 are each independently an integer of 1 to 20.)
A compound having a structure represented by is particularly preferred.

また、前記高分子化合物の分子量としては1×10以上1×10以下が好ましい。 The molecular weight of the polymer compound is preferably 1 × 10 3 or more and 1 × 10 8 or less.

本発明の電界発光素子および光電変換素子は本発明の電子素子からなることを特徴とするものであり、前記第一の電極と前記第二の電極との間に、前者は発光層、後者は電荷分離層が配置されている。   The electroluminescent element and the photoelectric conversion element of the present invention are characterized by comprising the electronic element of the present invention, wherein the former is a light emitting layer and the latter is between the first electrode and the second electrode. A charge separation layer is disposed.

本発明の高分子化合物は、下記式(II):   The polymer compound of the present invention has the following formula (II):

Figure 2010171230
Figure 2010171230

(式(II)中、XおよびXは、それぞれ独立にF、Cl、Br、I、OH、RSO 、RCOO、ClO、ClO 、ClO 、ClO 、SCN、CN、NO 、HSO 、HPO 、BF 、BR およびPF からなる群から選択される1種のイオンを表し、前記Rは炭素数1〜30のアルキル基、炭素数6〜50のアリール基および炭素数2〜50の1価の複素環基からなる群から選択される1種の基を表し、前記アルキル基、アリール基および1価の複素環基は置換基を有していてもよく、Arは置換基を有していてもよい2価の芳香族基を表し、RおよびRはそれぞれ独立に炭素数1〜20のアルキレン基を表し、*は他の構造との結合部位を表し、nおよびnはそれぞれ独立に1〜20の整数である。)
で表される構造を有することを特徴とするものである。
(In the formula (II), X 3 and X 4 each independently represent F , Cl , Br , I , OH , R b SO 3 , R b COO , ClO , ClO 2 , One selected from the group consisting of ClO 3 , ClO 4 , SCN , CN , NO 3 , HSO 4 , H 2 PO 4 , BF 4 , BR b 4 and PF 6 Rb represents one group selected from the group consisting of an alkyl group having 1 to 30 carbon atoms, an aryl group having 6 to 50 carbon atoms, and a monovalent heterocyclic group having 2 to 50 carbon atoms. The alkyl group, aryl group and monovalent heterocyclic group each may have a substituent, Ar 1 represents a divalent aromatic group which may have a substituent, R 1 and R 2 each independently represents an alkylene group having 1 to 20 carbon atoms, * represents other And n 1 and n 2 are each independently an integer of 1 to 20.)
It has the structure represented by these.

本発明によれば、変換効率に優れた電子素子を得ることが可能となる。また、本発明の高分子化合物は、本発明の電子素子に有用である。   According to the present invention, an electronic device having excellent conversion efficiency can be obtained. The polymer compound of the present invention is useful for the electronic device of the present invention.

以下、本発明をその好適な実施形態に即して詳細に説明する。   Hereinafter, the present invention will be described in detail with reference to preferred embodiments thereof.

先ず、本発明の電子素子について説明する。本発明の電子素子は、第一の電極と第二の電極と、該第一の電極と該第二の電極との間に配置された発光層または電荷分離層と、該発光層または該電荷分離層と前記第一の電極または前記第二の電極との間に配置され、下記式(I):   First, the electronic device of the present invention will be described. The electronic device of the present invention includes a first electrode, a second electrode, a light emitting layer or a charge separation layer disposed between the first electrode and the second electrode, the light emitting layer or the charge. Arranged between the separation layer and the first electrode or the second electrode, the following formula (I):

Figure 2010171230
Figure 2010171230

で表される構造を有する高分子化合物を含む電荷注入層とを備えることを特徴とするものである。 And a charge injection layer including a polymer compound having a structure represented by the formula:

前記式(I)において、*は他の構造との結合部位を表す。前記高分子化合物において、前記式(I)中の芳香環中の水素原子はアルキル基、アリール基、アリールアルキル基、1価の複素環基などの置換基で置換されていてもよい。   In the formula (I), * represents a binding site with another structure. In the polymer compound, a hydrogen atom in the aromatic ring in the formula (I) may be substituted with a substituent such as an alkyl group, an aryl group, an arylalkyl group, or a monovalent heterocyclic group.

また、前記式(I)で表される構造が複数個存在する場合にはそれらは同一であっても異なっていてもよい。本発明の電子素子においては変換効率がより向上することから、前記高分子化合物としては前記式(I)で表される構造を複数個含有するものが好ましく、主鎖に複数個含有するものがより好ましい。   Further, when there are a plurality of structures represented by the formula (I), they may be the same or different. In the electronic device of the present invention, since the conversion efficiency is further improved, the polymer compound preferably contains a plurality of structures represented by the formula (I), and those containing a plurality in the main chain. More preferred.

前記式(I)中のXおよびXは、それぞれ独立にF、Cl、Br、I、OH、RSO 、RCOO、ClO、ClO 、ClO 、ClO 、SCN、CN、NO 、HSO 、HPO 、BF 、BR およびPF からなる群から選択される1種のイオンを表す。前記Rとしては、メチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、ノニル基、ドデシル基などの炭素数1〜30のアルキル基、フェニル基、1−ナフチル基、2−ナフチル基、1−アントラセニル基、2−アントラセニル基、9−アントラセニル基などの炭素数6〜50のアリール基、チエニル基、ピロリル基、フリル基、ピリジル基、ピペリジル基、キノリル基、イソキノリル基、イミダゾイル基などの炭素数2〜50の1価の複素環基を表す。これらのアルキル基、アリール基および1価の複素環基は置換基を有していてもよい。このような置換基としては、アルキル基、アルコキシ基、アルキルチオ基、アリール基、アリールオキシ基、アリールチオ基、アリールアルキル基、アリールアルコキシ基、アリールアルキルチオ基、アリールアルケニル基、アリールアルキニル基、アミノ基、置換アミノ基、シリル基、置換シリル基、ハロゲン原子、アシル基、アシルオキシ基、イミン残基、アミド基、酸イミド基、1価の複素環基、ヒドロキシ基、カルボキシル基、置換オキシカルボニル基、シアノ基、ニトロ基などが挙げられ、前記置換基が複数個存在する場合には、それらは同一であっても異なっていてもよい。 X 1 and X 2 in the formula (I) are each independently F , Cl , Br , I , OH , R a SO 3 , R a COO , ClO , ClO 2 , One selected from the group consisting of ClO 3 , ClO 4 , SCN , CN , NO 3 , HSO 4 , H 2 PO 4 , BF 4 , BR a 4 and PF 6 Represents an ion. As R a , an alkyl group having 1 to 30 carbon atoms such as a methyl group, an ethyl group, a propyl group, a butyl group, a pentyl group, a hexyl group, a nonyl group and a dodecyl group, a phenyl group, a 1-naphthyl group, C6-C50 aryl group such as naphthyl group, 1-anthracenyl group, 2-anthracenyl group, 9-anthracenyl group, thienyl group, pyrrolyl group, furyl group, pyridyl group, piperidyl group, quinolyl group, isoquinolyl group, imidazolyl group Represents a monovalent heterocyclic group having 2 to 50 carbon atoms such as a group; These alkyl group, aryl group and monovalent heterocyclic group may have a substituent. Examples of such substituents include alkyl groups, alkoxy groups, alkylthio groups, aryl groups, aryloxy groups, arylthio groups, arylalkyl groups, arylalkoxy groups, arylalkylthio groups, arylalkenyl groups, arylalkynyl groups, amino groups, Substituted amino group, silyl group, substituted silyl group, halogen atom, acyl group, acyloxy group, imine residue, amide group, acid imide group, monovalent heterocyclic group, hydroxy group, carboxyl group, substituted oxycarbonyl group, cyano A group, a nitro group, and the like, and when a plurality of the substituents are present, they may be the same or different.

前記置換基であるアルキル基は、直鎖状でも分岐状でもよく、シクロアルキル基でもよい。アルキル基の炭素数は通常1〜20であり、1〜10が好ましい。このようなアルキル基としては、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ブチル基、イソブチル基、s−ブチル基、t−ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、シクロヘキシル基、ヘプチル基、オクチル基、ノニル基、デシル基、ラウリル基などが挙げられる。前記アルキル基中の水素原子はフッ素原子などのハロゲン原子で置換されていてもよい。ハロゲン原子で置換されたアルキル基(ハロゲン化アルキル基)としては、トリフルオロメチル基、ペンタフルオロエチル基、パーフルオロブチル基、パーフルオロヘキシル基、パーフルオロオクチル基などが挙げられる。   The alkyl group as the substituent may be linear or branched, and may be a cycloalkyl group. Carbon number of an alkyl group is 1-20 normally, and 1-10 are preferable. Such alkyl groups include methyl, ethyl, propyl, isopropyl, butyl, isobutyl, s-butyl, t-butyl, pentyl, hexyl, cyclohexyl, heptyl, and octyl. , Nonyl group, decyl group, lauryl group and the like. A hydrogen atom in the alkyl group may be substituted with a halogen atom such as a fluorine atom. Examples of the alkyl group substituted with a halogen atom (halogenated alkyl group) include a trifluoromethyl group, a pentafluoroethyl group, a perfluorobutyl group, a perfluorohexyl group, and a perfluorooctyl group.

前記置換基であるアルコキシ基は、直鎖状でも分岐状でもよく、シクロアルキルオキシ基でもよい。また、置換基を有していてもよい。アルコキシ基の炭素数は通常1〜20であり、1〜10が好ましい。このようなアルコキシ基としては、メトキシ基、エトキシ基、プロポキシ基、イソプロポキシ基、ブトキシ基、イソブトキシ基、s−ブトキシ基、t−ブトキシ基、ペンチルオキシ基、ヘキシルオキシ基、シクロヘキシルオキシ基、ヘプチルオキシ基、オクチルオキシ基、ノニルオキシ基、デシルオキシ基、ラウリルオキシ基などが挙げられる。前記アルコキシ基中の水素原子はフッ素原子などのハロゲン原子で置換されていてもよい。ハロゲン原子で置換されたアルコキシ基(ハロゲン化アルコキシ基)としては、トリフルオロメトキシ基、ペンタフルオロエトキシ基、パーフルオロブトキシ基、パーフルオロヘキシルオキシ基、パーフルオロオクチルオキシ基などが挙げられる。また、前記アルコキシ基中の水素原子はアルコキシ基で置換されていてもよい。アルコキシ基で置換されたアルコキシ基としては、メトキシメチルオキシ基、2−メトキシエチルオキシ基などが挙げられる。   The alkoxy group as the substituent may be linear or branched, and may be a cycloalkyloxy group. Moreover, you may have a substituent. Carbon number of an alkoxy group is 1-20 normally, and 1-10 are preferable. Such alkoxy groups include methoxy, ethoxy, propoxy, isopropoxy, butoxy, isobutoxy, s-butoxy, t-butoxy, pentyloxy, hexyloxy, cyclohexyloxy, heptyl Examples thereof include an oxy group, an octyloxy group, a nonyloxy group, a decyloxy group, and a lauryloxy group. The hydrogen atom in the alkoxy group may be substituted with a halogen atom such as a fluorine atom. Examples of the alkoxy group substituted with a halogen atom (halogenated alkoxy group) include a trifluoromethoxy group, a pentafluoroethoxy group, a perfluorobutoxy group, a perfluorohexyloxy group, and a perfluorooctyloxy group. Moreover, the hydrogen atom in the alkoxy group may be substituted with an alkoxy group. Examples of the alkoxy group substituted with an alkoxy group include a methoxymethyloxy group and a 2-methoxyethyloxy group.

前記置換基であるアルキルチオ基は、直鎖状でも分岐状でもよく、シクロアルキルチオ基でもよい。また、置換基を有していてもよい。アルキルチオ基の炭素数は通常1〜20であり、1〜10が好ましい。このようなアルキルチオ基としては、メチルチオ基、エチルチオ基、プロピルチオ基、イソプロピルチオ基、ブチルチオ基、イソブチルチオ基、s−ブチルチオ基、t−ブチルチオ基、ペンチルチオ基、ヘキシルチオ基、シクロヘキシルチオ基、ヘプチルチオ基、オクチルチオ基、ノニルチオ基、デシルチオ基、ラウリルチオ基などが挙げられる。前記アルキルチオ基中の水素原子はフッ素原子などのハロゲン原子で置換されていてもよい。ハロゲン原子で置換されたアルキルチオ基(ハロゲン化アルキルチオ基)としては、トリフルオロメチルチオ基などが挙げられる。   The alkylthio group as the substituent may be linear or branched, and may be a cycloalkylthio group. Moreover, you may have a substituent. Carbon number of an alkylthio group is 1-20 normally, and 1-10 are preferable. Examples of such an alkylthio group include methylthio group, ethylthio group, propylthio group, isopropylthio group, butylthio group, isobutylthio group, s-butylthio group, t-butylthio group, pentylthio group, hexylthio group, cyclohexylthio group, heptylthio group. Octylthio group, nonylthio group, decylthio group, laurylthio group and the like. The hydrogen atom in the alkylthio group may be substituted with a halogen atom such as a fluorine atom. Examples of the alkylthio group substituted with a halogen atom (halogenated alkylthio group) include a trifluoromethylthio group.

前記置換基であるアリール基は、芳香族炭化水素から水素原子1個を除いた原子団であり、縮合環を持つもの、あるいは独立したベンゼン環もしくは縮合環2個以上が直接またはビニレンなどの基によって結合したものも含まれる。前記アリール基はアルコキシ基などの置換基を有していてもよい。アリール基の炭素数は通常6〜60であり、7〜48が好ましい。このようなアリール基としては、フェニル基、C〜C12アルコキシフェニル基(C〜C12は、炭素数1〜12であることを示す。以下も同様である。)、C〜C12アルキルフェニル基、1−ナフチル基、2−ナフチル基、1−アントラセニル基、2−アントラセニル基、9−アントラセニル基などが挙げられる。前記アリール基中の水素原子はフッ素原子などのハロゲン原子で置換されていてもよい。ハロゲン原子で置換されたアリール基(ハロゲン化アリール基)としては、ペンタフルオロフェニル基などが挙げられる。これらのアリール基の中では、C〜C12アルコキシフェニル基、C〜C12アルキルフェニル基が好ましい。 The aryl group as the substituent is an atomic group obtained by removing one hydrogen atom from an aromatic hydrocarbon and having a condensed ring, or two or more independent benzene rings or condensed rings are directly or a group such as vinylene. Also included are those combined by. The aryl group may have a substituent such as an alkoxy group. Carbon number of an aryl group is 6-60 normally, and 7-48 are preferable. Examples of such aryl groups include phenyl group, C 1 -C 12 alkoxyphenyl group (C 1 -C 12 is also shown. Hereinafter it is 1 to 12 carbon atoms.), C 1 -C 12 alkylphenyl group, 1-naphthyl group, 2-naphthyl group, 1-anthracenyl group, 2-anthracenyl group, 9-anthracenyl group and the like can be mentioned. The hydrogen atom in the aryl group may be substituted with a halogen atom such as a fluorine atom. Examples of the aryl group substituted with a halogen atom (halogenated aryl group) include a pentafluorophenyl group. Among these aryl groups, a C 1 to C 12 alkoxyphenyl group and a C 1 to C 12 alkylphenyl group are preferable.

前記アリール基であるC〜C12アルコキシフェニル基としては、メトキシフェニル基、エトキシフェニル基、プロポキシフェニル基、イソプロポキシフェニル基、ブトキシフェニル基、イソブトキシフェニル基、s−ブトキシフェニル基、t−ブトキシフェニル基、ペンチルオキシフェニル基、ヘキシルオキシフェニル基、シクロヘキシルオキシフェニル基、ヘプチルオキシフェニル基、オクチルオキシフェニル基、2−エチルヘキシルオキシフェニル基、ノニルオキシフェニル基、デシルオキシフェニル基、3,7−ジメチルオクチルオキシフェニル基、ラウリルオキシフェニル基などが挙げられる。 As the C 1 -C 12 alkoxyphenyl group is an aryl group, methoxyphenyl group, ethoxyphenyl group, propoxyphenyl group, isopropoxyphenyl group, butoxyphenyl group, isobutoxyphenyl group, s- butoxyphenyl, t- Butoxyphenyl group, pentyloxyphenyl group, hexyloxyphenyl group, cyclohexyloxyphenyl group, heptyloxyphenyl group, octyloxyphenyl group, 2-ethylhexyloxyphenyl group, nonyloxyphenyl group, decyloxyphenyl group, 3,7- Examples thereof include a dimethyloctyloxyphenyl group and a lauryloxyphenyl group.

前記アリール基であるC〜C12アルキルフェニル基としては、メチルフェニル基、エチルフェニル基、ジメチルフェニル基、プロピルフェニル基、トリメチルフェニル基、メチルエチルフェニル基、イソプロピルフェニル基、ブチルフェニル基、イソブチルフェニル基、t−ブチルフェニル基、ペンチルフェニル基、イソアミルフェニル基、ヘキシルフェニル基、ヘプチルフェニル基、オクチルフェニル基、ノニルフェニル基、デシルフェニル基、ドデシルフェニル基などが挙げられる。 The C 1 -C 12 alkylphenyl group are mentioned aryl group, methylphenyl group, ethylphenyl group, dimethylphenyl group, propylphenyl group, trimethylphenyl group, methylethylphenyl group, isopropylphenyl group, butylphenyl group, isobutyl Examples thereof include a phenyl group, a t-butylphenyl group, a pentylphenyl group, an isoamylphenyl group, a hexylphenyl group, a heptylphenyl group, an octylphenyl group, a nonylphenyl group, a decylphenyl group, and a dodecylphenyl group.

前記置換基であるアリールオキシ基は、オキシ基(−O−)に前述のアリール基が結合したものである。また、置換基を有していてもよい。アリールオキシ基の炭素数は通常6〜60であり、7〜48が好ましい。このようなアリールオキシ基としては、フェノキシ基、C〜C12アルコキシフェノキシ基、C〜C12アルキルフェノキシ基、1−ナフチルオキシ基、2−ナフチルオキシ基などが挙げられる。前記アリールオキシ基中の水素原子はフッ素原子などのハロゲン原子で置換されていてもよい。ハロゲン原子で置換されたアリールオキシ基(ハロゲン化アリールオキシ基)としては、ペンタフルオロフェニルオキシ基などが挙げられる。これらのアリールオキシ基の中では、C〜C12アルコキシフェノキシ基、C〜C12アルキルフェノキシ基が好ましい。 The aryloxy group as the substituent is a group in which the aforementioned aryl group is bonded to an oxy group (—O—). Moreover, you may have a substituent. The carbon number of the aryloxy group is usually 6 to 60, preferably 7 to 48. Such an aryloxy group, a phenoxy group, C 1 -C 12 alkoxy phenoxy group, C 1 -C 12 alkylphenoxy group, 1-naphthyloxy group, and a 2-naphthyloxy group. The hydrogen atom in the aryloxy group may be substituted with a halogen atom such as a fluorine atom. Examples of the aryloxy group (halogenated aryloxy group) substituted with a halogen atom include a pentafluorophenyloxy group. Of these aryloxy groups, C 1 -C 12 alkoxy phenoxy group, a C 1 -C 12 alkylphenoxy group are preferable.

前記アリールオキシ基であるC〜C12アルコキシフェノキシ基としては、メトキシフェノキシ基、エトキシフェノキシ基、プロポキシフェノキシ基、イソプロポキシフェノキシ基、ブトキシフェノキシ基、イソブトキシフェノキシ基、s−ブトキシフェノキシ基、t−ブトキシフェノキシ基、ペンチルオキシフェノキシ基、ヘキシルオキシフェノキシ基、シクロヘキシルオキシフェノキシ基、ヘプチルオキシフェノキシ基、オクチルオキシフェノキシ基、2−エチルヘキシルオキシフェノキシ基、ノニルオキシフェノキシ基、デシルオキシフェノキシ基、3,7−ジメチルオクチルオキシフェノキシ基、ラウリルオキシフェノキシ基などが挙げられる。 As the C 1 -C 12 alkoxy phenoxy group or an aryloxy group, methoxyphenoxy group, ethoxyphenoxy group, propoxy phenoxy group, isopropoxycarbonyl phenoxy group, butoxyphenoxy group, isobutoxyphenoxy phenoxy group, s- butoxyphenoxy group, t -Butoxyphenoxy group, pentyloxyphenoxy group, hexyloxyphenoxy group, cyclohexyloxyphenoxy group, heptyloxyphenoxy group, octyloxyphenoxy group, 2-ethylhexyloxyphenoxy group, nonyloxyphenoxy group, decyloxyphenoxy group, 3,7 -A dimethyloctyloxyphenoxy group, a lauryloxyphenoxy group, etc. are mentioned.

前記アリールオキシ基であるC〜C12アルキルフェノキシ基としては、メチルフェノキシ基、エチルフェノキシ基、ジメチルフェノキシ基、プロピルフェノキシ基、1,3,5−トリメチルフェノキシ基、メチルエチルフェノキシ基、イソプロピルフェノキシ基、ブチルフェノキシ基、イソブチルフェノキシ基、s−ブチルフェノキシ基、t−ブチルフェノキシ基、ペンチルフェノキシ基、イソアミルフェノキシ基、ヘキシルフェノキシ基、ヘプチルフェノキシ基、オクチルフェノキシ基、ノニルフェノキシ基、デシルフェノキシ基、ドデシルフェノキシ基などが挙げられる。 Examples of the C 1 -C 12 alkylphenoxy group as the aryloxy group include a methylphenoxy group, an ethylphenoxy group, a dimethylphenoxy group, a propylphenoxy group, a 1,3,5-trimethylphenoxy group, a methylethylphenoxy group, and an isopropylphenoxy group. Group, butylphenoxy group, isobutylphenoxy group, s-butylphenoxy group, t-butylphenoxy group, pentylphenoxy group, isoamylphenoxy group, hexylphenoxy group, heptylphenoxy group, octylphenoxy group, nonylphenoxy group, decylphenoxy group, And dodecylphenoxy group.

前記置換基であるアリールチオ基は、チオ基(−S−)に前述のアリール基が結合したものである。また、置換基を有していてもよい。アリールチオ基の炭素数は通常6〜60であり、6〜30が好ましい。このようなアリールチオ基としては、フェニルチオ基、C〜C12アルコキシフェニルチオ基、C〜C12アルキルフェニルチオ基、1−ナフチルチオ基、2−ナフチルチオ基などが挙げられる。前記アリールチオ基中の水素原子はフッ素原子などのハロゲン原子で置換されていてもよい。ハロゲン原子で置換されたアリールチオ基(ハロゲン化アリールチオ基)としては、ペンタフルオロフェニルチオ基などが挙げられる。 The arylthio group as the substituent is a group in which the above-mentioned aryl group is bonded to a thio group (—S—). Moreover, you may have a substituent. Carbon number of an arylthio group is 6-60 normally, and 6-30 are preferable. Such an arylthio group, a phenylthio group, C 1 -C 12 alkoxyphenyl-thio group, C 1 -C 12 alkyl phenylthio group, 1-naphthylthio group, 2-naphthylthio group. The hydrogen atom in the arylthio group may be substituted with a halogen atom such as a fluorine atom. Examples of the arylthio group (halogenated arylthio group) substituted with a halogen atom include a pentafluorophenylthio group.

前記置換基であるアリールアルキル基は、前述のアルキル基中の水素原子が前述のアリール基に置換されたものである。また、置換基を有していてもよい。アリールアルキル基の炭素数は通常7〜60であり、7〜30が好ましい。このようなアリールアルキル基としては、フェニル−C〜C12アルキル基、C〜C12アルコキシフェニル−C〜C12アルキル基、C〜C12アルキルフェニル−C〜C12アルキル基、1−ナフチル−C〜C12アルキル基、2−ナフチル−C〜C12アルキル基などが挙げられる。前記アリールアルキル基中の水素原子はフッ素原子などのハロゲン原子で置換されていてもよい。 The arylalkyl group as the substituent is a group in which a hydrogen atom in the alkyl group is substituted with the aryl group. Moreover, you may have a substituent. The carbon number of the arylalkyl group is usually 7 to 60, preferably 7 to 30. Examples of such aryl alkyl group, a phenyl -C 1 -C 12 alkyl group, C 1 -C 12 alkoxyphenyl -C 1 -C 12 alkyl group, C 1 -C 12 alkylphenyl -C 1 -C 12 alkyl group 1-naphthyl-C 1 -C 12 alkyl group, 2-naphthyl-C 1 -C 12 alkyl group, and the like. The hydrogen atom in the arylalkyl group may be substituted with a halogen atom such as a fluorine atom.

前記置換基であるアリールアルコキシ基は、前述のアルコキシ基中の水素原子が前述のアリール基に置換されたものである。また、置換基を有していてもよい。アリールアルコキシ基の炭素数は通常7〜60であり、7〜30が好ましい。このようなアリールアルコキシ基としては、フェニル−C〜C12アルコキシ基、C〜C12アルコキシフェニル−C〜C12アルコキシ基、C〜C12アルキルフェニル−C〜C12アルコキシ基、1−ナフチル−C〜C12アルコキシ基、2−ナフチル−C〜C12アルコキシ基などが挙げられる。前記アリールアルコキシ基中の水素原子はフッ素原子などのハロゲン原子で置換されていてもよい。 The arylalkoxy group as the substituent is a group in which a hydrogen atom in the aforementioned alkoxy group is substituted with the aforementioned aryl group. Moreover, you may have a substituent. The carbon number of the arylalkoxy group is usually 7 to 60, preferably 7 to 30. Such an arylalkoxy group, a phenyl -C 1 -C 12 alkoxy group, C 1 -C 12 alkoxyphenyl -C 1 -C 12 alkoxy group, C 1 -C 12 alkylphenyl -C 1 -C 12 alkoxy group 1-naphthyl-C 1 -C 12 alkoxy group, 2-naphthyl-C 1 -C 12 alkoxy group, and the like. The hydrogen atom in the arylalkoxy group may be substituted with a halogen atom such as a fluorine atom.

前記置換基であるアリールアルキルチオ基は、前述のアルキルチオ基中の水素原子が前述のアリール基に置換されたものである。また、置換基を有していてもよい。アリールアルキルチオ基の炭素数は通常7〜60であり、7〜30が好ましい。このようなアリールアルキルチオ基としては、フェニル−C〜C12アルキルチオ基、C〜C12アルコキシフェニル−C〜C12アルキルチオ基、C〜C12アルキルフェニル−C〜C12アルキルチオ基、1−ナフチル−C〜C12アルキルチオ基、2−ナフチル−C〜C12アルキルチオ基などが挙げられる。前記アリールアルキルチオ基中の水素原子はフッ素原子などのハロゲン原子で置換されていてもよい。 The arylalkylthio group as the substituent is a group in which a hydrogen atom in the alkylthio group is substituted with the aryl group. Moreover, you may have a substituent. The carbon number of the arylalkylthio group is usually 7 to 60, preferably 7 to 30. Such an arylalkylthio group, a phenyl -C 1 -C 12 alkylthio group, C 1 -C 12 alkoxyphenyl -C 1 -C 12 alkylthio group, C 1 -C 12 alkylphenyl -C 1 -C 12 alkylthio group 1-naphthyl-C 1 -C 12 alkylthio group, 2-naphthyl-C 1 -C 12 alkylthio group, and the like. A hydrogen atom in the arylalkylthio group may be substituted with a halogen atom such as a fluorine atom.

前記置換基であるアリールアルケニル基は、アルケニル基中の水素原子が前述のアリール基に置換されたものである。また、置換基を有していてもよい。アリールアルケニル基の炭素数は通常8〜60であり、8〜30が好ましい。このようなアリールアルケニル基としては、フェニル−C〜C12アルケニル基、C〜C12アルコキシフェニル−C〜C12アルケニル基、C〜C12アルキルフェニル−C〜C12アルケニル基、1−ナフチル−C〜C12アルケニル基、2−ナフチル−C〜C12アルケニル基などが挙げられる。前記アリールアルケニル基中の水素原子はフッ素原子などのハロゲン原子で置換されていてもよい。これらのアリールアルケニル基の中では、C〜C12アルコキシフェニル−C〜C12アルケニル基、C〜C12アルキルフェニル−C〜C12アルケニル基が好ましい。 The arylalkenyl group as the substituent is a group in which a hydrogen atom in the alkenyl group is substituted with the aforementioned aryl group. Moreover, you may have a substituent. Carbon number of an aryl alkenyl group is 8-60 normally, and 8-30 are preferable. Such an arylalkenyl group, a phenyl -C 2 -C 12 alkenyl group, C 1 -C 12 alkoxyphenyl -C 2 -C 12 alkenyl group, C 1 -C 12 alkylphenyl -C 2 -C 12 alkenyl group 1-naphthyl-C 2 -C 12 alkenyl group, 2-naphthyl-C 2 -C 12 alkenyl group, and the like. A hydrogen atom in the arylalkenyl group may be substituted with a halogen atom such as a fluorine atom. Among these arylalkenyl group, C 1 -C 12 alkoxyphenyl -C 2 -C 12 alkenyl group, a C 2 -C 12 alkylphenyl -C 2 -C 12 alkenyl group are preferred.

前記置換基であるアリールアルキニル基は、アルキニル基中の水素原子が前述のアリール基に置換されたものである。また、置換基を有していてもよい。アリールアルキニル基の炭素数は通常8〜60であり、8〜30が好ましい。このようなアリールアルキニル基としては、フェニル−C〜C12アルキニル基、C〜C12アルコキシフェニル−C〜C12アルキニル基、C〜C12アルキルフェニル−C〜C12アルキニル基、1−ナフチル−C〜C12アルキニル基、2−ナフチル−C〜C12アルキニル基などが挙げられる。前記アリールアルキニル基中の水素原子はフッ素原子などのハロゲン原子で置換されていてもよい。これらのアリールアルキニル基の中では、C〜C12アルコキシフェニル−C〜C12アルキニル基、C〜C12アルキルフェニル−C〜C12アルキニル基が好ましい。 The arylalkynyl group as the substituent is a group in which a hydrogen atom in the alkynyl group is substituted with the aforementioned aryl group. Moreover, you may have a substituent. Carbon number of an aryl alkynyl group is 8-60 normally, and 8-30 are preferable. Such an arylalkynyl group, a phenyl -C 2 -C 12 alkynyl group, C 1 -C 12 alkoxyphenyl -C 2 -C 12 alkynyl group, C 1 -C 12 alkylphenyl -C 2 -C 12 alkynyl group 1-naphthyl-C 2 -C 12 alkynyl group, 2-naphthyl-C 2 -C 12 alkynyl group, and the like. A hydrogen atom in the arylalkynyl group may be substituted with a halogen atom such as a fluorine atom. Among these arylalkynyl group, C 1 -C 12 alkoxyphenyl -C 2 -C 12 alkynyl group, a C 1 -C 12 alkylphenyl -C 2 -C 12 alkynyl group are preferred.

前記置換基である置換アミノ基としては、アルキル基、アリール基、アリールアルキル基および1価の複素環基からなる群から選択される1個または2個の基によって1個または2個の水素原子が置換されたアミノ基が好ましい。置換アミノ基の炭素数は通常1〜60であり、2〜48が好ましい。なお、前記アルキル基、アリール基、アリールアルキル基および1価の複素環基は置換基を有していてもよいが、前記炭素数にはこの置換基の炭素数を含めないものとする。このような置換アミノ基としては、メチルアミノ基、ジメチルアミノ基、エチルアミノ基、ジエチルアミノ基、プロピルアミノ基、ジプロピルアミノ基、イソプロピルアミノ基、ジイソプロピルアミノ基、ブチルアミノ基、イソブチルアミノ基、s−ブチルアミノ基、t−ブチルアミノ基、ペンチルアミノ基、ヘキシルアミノ基、シクロヘキシルアミノ基、ヘプチルアミノ基、オクチルアミノ基、2−エチルヘキシルアミノ基、ノニルアミノ基、デシルアミノ基、3,7−ジメチルオクチルアミノ基、ラウリルアミノ基、シクロペンチルアミノ基、ジシクロペンチルアミノ基、シクロヘキシルアミノ基、ジシクロヘキシルアミノ基、ピロリジル基、ピペリジル基、フェニルアミノ基、ジフェニルアミノ基、C〜C12アルコキシフェニルアミノ基、ジ(C〜C12アルコキシフェニル)アミノ基、ジ(C〜C12アルキルフェニル)アミノ基、1−ナフチルアミノ基、2−ナフチルアミノ基、ピリジルアミノ基、ピリダジニルアミノ基、ピリミジルアミノ基、ピラジルアミノ基、トリアジルアミノ基、フェニル−C〜C12アルキルアミノ基、C〜C12アルコキシフェニル−C〜C12アルキルアミノ基、C〜C12アルキルフェニル−C〜C12アルキルアミノ基、ジ(C〜C12アルコキシフェニル−C〜C12アルキル)アミノ基、ジ(C〜C12アルキルフェニル−C〜C12アルキル)アミノ基、1−ナフチル−C〜C12アルキルアミノ基、2−ナフチル−C〜C12アルキルアミノ基などが挙げられる。前記置換アミノ基中の水素原子はフッ素原子などのハロゲン原子で置換されていてもよい。ハロゲン原子で置換された置換アミノ基(ハロゲン化置換アミノ基)としては、ジトリフルオロメチルアミノ基、ペンタフルオロフェニルアミノ基などが挙げられる。 The substituted amino group as the substituent is one or two hydrogen atoms by one or two groups selected from the group consisting of an alkyl group, an aryl group, an arylalkyl group and a monovalent heterocyclic group. A substituted amino group is preferred. Carbon number of a substituted amino group is 1-60 normally, and 2-48 are preferable. The alkyl group, aryl group, arylalkyl group and monovalent heterocyclic group may have a substituent, but the carbon number does not include the carbon number of the substituent. Examples of such substituted amino groups include methylamino group, dimethylamino group, ethylamino group, diethylamino group, propylamino group, dipropylamino group, isopropylamino group, diisopropylamino group, butylamino group, isobutylamino group, s -Butylamino group, t-butylamino group, pentylamino group, hexylamino group, cyclohexylamino group, heptylamino group, octylamino group, 2-ethylhexylamino group, nonylamino group, decylamino group, 3,7-dimethyloctylamino group, lauryl group, a cyclopentylamino group, dicyclopentylamino group, cyclohexylamino group, dicyclohexylamino group, pyrrolidyl group, piperidyl group, phenylamino group, diphenylamino group, C 1 -C 12 alkoxyphenyl Amino group, di (C 1 -C 12 alkoxyphenyl) amino group, di (C 1 -C 12 alkylphenyl) amino groups, 1-naphthylamino group, 2-naphthylamino group, pyridylamino group, pyridazinylamino group , pyrimidylamino group, Pirajiruamino group, triazyl amino group, phenyl -C 1 -C 12 alkylamino group, C 1 -C 12 alkoxyphenyl -C 1 -C 12 alkylamino group, C 1 -C 12 alkylphenyl -C 1 -C 12 alkylamino group, di (C 1 -C 12 alkoxyphenyl -C 1 -C 12 alkyl) amino group, di (C 1 -C 12 alkylphenyl -C 1 -C 12 alkyl) amino groups, 1-naphthyl -C 1 -C 12 alkylamino group, and a 2-naphthyl -C 1 -C 12 alkylamino group The hydrogen atom in the substituted amino group may be substituted with a halogen atom such as a fluorine atom. Examples of the substituted amino group substituted with a halogen atom (halogenated substituted amino group) include a ditrifluoromethylamino group and a pentafluorophenylamino group.

前記置換基である置換シリル基としては、アルキル基、アリール基、アリールアルキル基および1価の複素環基からなる群から選択される1〜3個の基によって1〜3個の水素原子が置換されたシリル基が挙げられる。置換シリル基の炭素数は通常1〜60であり、3〜48が好ましい。なお、前記アルキル基、アリール基、アリールアルキル基および1価の複素環基は置換基を有していてもよいが、前記炭素数にはこの置換基の炭素数を含めないものとする。このような置換シリル基としては、トリメチルシリル基、トリエチルシリル基、トリプロピルシリル基、トリ−イソプロピルシリル基、ジメチル−イソプロピルシリル基、ジエチル−イソプロピルシリル基、t−ブチルジメチルシリル基、ペンチルジメチルシリル基、ヘキシルジメチルシリル基、ヘプチルジメチルシリル基、オクチルジメチルシリル基、2−エチルヘキシル−ジメチルシリル基、ノニルジメチルシリル基、デシルジメチルシリル基、3,7−ジメチルオクチル−ジメチルシリル基、ラウリルジメチルシリル基、フェニル−C〜C12アルキルシリル基、C〜C12アルコキシフェニル−C〜C12アルキルシリル基、C〜C12アルキルフェニル−C〜C12アルキルシリル基、1−ナフチル−C〜C12アルキルシリル基、2−ナフチル−C〜C12アルキルシリル基、フェニル−C〜C12アルキルジメチルシリル基、トリフェニルシリル基、トリ−p−キシリルシリル基、トリベンジルシリル基、ジフェニルメチルシリル基、t−ブチルジフェニルシリル基、ジメチルフェニルシリル基などが挙げられる。 The substituted silyl group as the substituent is substituted with 1 to 3 hydrogen atoms by 1 to 3 groups selected from the group consisting of alkyl groups, aryl groups, arylalkyl groups and monovalent heterocyclic groups. Silyl group formed. Carbon number of a substituted silyl group is 1-60 normally, and 3-48 are preferable. The alkyl group, aryl group, arylalkyl group and monovalent heterocyclic group may have a substituent, but the carbon number does not include the carbon number of the substituent. Examples of such substituted silyl groups include trimethylsilyl group, triethylsilyl group, tripropylsilyl group, tri-isopropylsilyl group, dimethyl-isopropylsilyl group, diethyl-isopropylsilyl group, t-butyldimethylsilyl group, pentyldimethylsilyl group. Hexyldimethylsilyl group, heptyldimethylsilyl group, octyldimethylsilyl group, 2-ethylhexyl-dimethylsilyl group, nonyldimethylsilyl group, decyldimethylsilyl group, 3,7-dimethyloctyl-dimethylsilyl group, lauryldimethylsilyl group, phenyl -C 1 -C 12 alkylsilyl group, C 1 -C 12 alkoxyphenyl -C 1 -C 12 alkylsilyl group, C 1 -C 12 alkylphenyl -C 1 -C 12 alkylsilyl group, 1-naphthyl -C 1 C 12 alkylsilyl group, 2-naphthyl -C 1 -C 12 alkylsilyl group, a phenyl -C 1 -C 12 alkyldimethylsilyl group, triphenylsilyl group, tri -p- Kishirirushiriru group, tribenzylsilyl group, diphenylmethyl Examples thereof include a silyl group, t-butyldiphenylsilyl group, and dimethylphenylsilyl group.

前記置換基であるハロゲン原子としては、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子が挙げられる。   Examples of the halogen atom as the substituent include a fluorine atom, a chlorine atom, a bromine atom, and an iodine atom.

前記置換基であるアシル基としては、炭素数が通常2〜20のものが挙げられ、炭素数が2〜18のものが好ましい。このようなアシル基としては、アセチル基、プロピオニル基、ブチリル基、イソブチリル基、ピバロイル基、ベンゾイル基などが挙げられる。前記アシル基中の水素原子はフッ素原子などのハロゲン原子で置換されていてもよい。ハロゲン原子で置換されたアシル基(ハロゲン化アシル基)としては、トリフルオロアセチル基、ペンタフルオロベンゾイル基などが挙げられる。   Examples of the acyl group as the substituent include those having 2 to 20 carbon atoms, and those having 2 to 18 carbon atoms are preferable. Examples of such an acyl group include an acetyl group, a propionyl group, a butyryl group, an isobutyryl group, a pivaloyl group, and a benzoyl group. The hydrogen atom in the acyl group may be substituted with a halogen atom such as a fluorine atom. Examples of the acyl group substituted with a halogen atom (halogenated acyl group) include a trifluoroacetyl group and a pentafluorobenzoyl group.

前記置換基であるアシルオキシ基としては、炭素数が通常2〜20のものが挙げられ、炭素数が2〜18のものが好ましい。このようなアシルオキシ基としては、アセトキシ基、プロピオニルオキシ基、ブチリルオキシ基、イソブチリルオキシ基、ピバロイルオキシ基、ベンゾイルオキシ基などが挙げられる。前記アシルオキシ基中の水素原子はフッ素原子などのハロゲン原子で置換されていてもよい。ハロゲン原子で置換されたアシルオキシ基(ハロゲン化アシルオキシ基)としては、トリフルオロアセチルオキシ基、ペンタフルオロベンゾイルオキシ基などが挙げられる。   Examples of the acyloxy group as the substituent include those having 2 to 20 carbon atoms, and those having 2 to 18 carbon atoms are preferable. Examples of such an acyloxy group include an acetoxy group, a propionyloxy group, a butyryloxy group, an isobutyryloxy group, a pivaloyloxy group, and a benzoyloxy group. A hydrogen atom in the acyloxy group may be substituted with a halogen atom such as a fluorine atom. Examples of the acyloxy group (halogenated acyloxy group) substituted with a halogen atom include a trifluoroacetyloxy group and a pentafluorobenzoyloxy group.

前記置換基であるイミン残基は、イミン化合物(分子内に式:−N=C−で示される基を有する有機化合物であり、アルジミン、ケチミン、およびこれらのN原子上の水素原子がアルキル基などで置換された化合物が挙げられる。)から水素原子1個を除いた残基である。イミン残基の炭素数は通常2〜20であり、2〜18が好ましい。このようなイミン残基としては、下記式(式中、*は他の構造との結合部位を表す。)で表されるものが挙げられる。   The imine residue as the substituent is an imine compound (an organic compound having a group represented by the formula: -N = C- in the molecule, and aldimine, ketimine, and hydrogen atoms on these N atoms are alkyl groups. And the like is a residue obtained by removing one hydrogen atom from the above. Carbon number of an imine residue is 2-20 normally, and 2-18 are preferable. Examples of such an imine residue include those represented by the following formula (wherein, * represents a binding site with another structure).

Figure 2010171230
Figure 2010171230

前記置換基であるアミド基としては、炭素数が通常2〜20のものが挙げられ、炭素数が2〜18のものが好ましい。このようなアミド基としては、ホルムアミド基、アセトアミド基、プロピオアミド基、ブチロアミド基、ベンズアミド基、ジホルムアミド基、ジアセトアミド基、ジプロピオアミド基、ジブチロアミド基、ジベンズアミド基などが挙げられる。前記アミド基中の水素原子はフッ素原子などのハロゲン原子で置換されていてもよい。ハロゲン原子で置換されたアミド基(ハロゲン化アミド基)としては、トリフルオロアセトアミド基、ペンタフルオロベンズアミド基、ジトリフルオロアセトアミド基、ジペンタフルオロベンズアミド基などが挙げられる。   As an amide group which is the said substituent, a C2-C20 thing is mentioned normally, A C2-C18 thing is preferable. Examples of such an amide group include a formamide group, an acetamide group, a propioamide group, a butyroamide group, a benzamide group, a diformamide group, a diacetamido group, a dipropioamide group, a dibutyroamide group, and a dibenzamide group. The hydrogen atom in the amide group may be substituted with a halogen atom such as a fluorine atom. Examples of the amide group (halogenated amide group) substituted with a halogen atom include a trifluoroacetamide group, a pentafluorobenzamide group, a ditrifluoroacetamide group, and a dipentafluorobenzamide group.

前記置換基である酸イミド基は、酸イミドから窒素原子に結合した水素原子を除いて得られる残基である。酸イミド基の炭素数は通常4〜20であり、4〜18が好ましい。このような酸イミド基としては、下記式(式中、*は他の構造との結合部位を表す。)で表されるものが挙げられる。   The acid imide group as the substituent is a residue obtained by removing a hydrogen atom bonded to a nitrogen atom from an acid imide. The acid imide group usually has 4 to 20 carbon atoms, preferably 4 to 18 carbon atoms. Examples of such acid imide groups include those represented by the following formula (wherein * represents a bonding site with another structure).

Figure 2010171230
Figure 2010171230

前記置換基である1価の複素環基は、複素環式化合物(環式構造をもつ有機化合物のうち、炭素原子だけでなく、酸素原子、硫黄原子、窒素原子、リン原子、ホウ素原子などのヘテロ原子を環内に含むもの)から水素原子1個を除いた残りの原子団である。1価の複素環基の炭素数は通常4〜60であり、4〜20が好ましい。なお、前記1価の複素環基は置換基を有していてもよいが、前記炭素数にはこの置換基の炭素数を含めないものとする。このような1価の複素環基としては、チエニル基、C〜C12アルキルチエニル基、ピロリル基、フリル基、ピリジル基、C〜C12アルキルピリジル基、ピペリジル基、キノリル基、イソキノリル基などが挙げられる。前記1価の複素環基中の水素原子はフッ素原子などのハロゲン原子で置換されていてもよい。これらの1価の複素環基の中では、チエニル基、C〜C12アルキルチエニル基、ピリジル基、C〜C12アルキルピリジル基が好ましい。 The monovalent heterocyclic group as the substituent is a heterocyclic compound (among organic compounds having a cyclic structure, not only a carbon atom but also an oxygen atom, a sulfur atom, a nitrogen atom, a phosphorus atom, a boron atom, etc. It is a remaining atomic group obtained by removing one hydrogen atom from a compound containing a heteroatom in the ring. The carbon number of the monovalent heterocyclic group is usually 4 to 60, and 4 to 20 is preferable. The monovalent heterocyclic group may have a substituent, but the carbon number does not include the carbon number of the substituent. Examples of such a monovalent heterocyclic group include a thienyl group, a C 1 to C 12 alkyl thienyl group, a pyrrolyl group, a furyl group, a pyridyl group, a C 1 to C 12 alkyl pyridyl group, a piperidyl group, a quinolyl group, and an isoquinolyl group. Etc. The hydrogen atom in the monovalent heterocyclic group may be substituted with a halogen atom such as a fluorine atom. Among these monovalent heterocyclic groups, a thienyl group, a C 1 to C 12 alkyl thienyl group, a pyridyl group, and a C 1 to C 12 alkyl pyridyl group are preferable.

前記置換基である置換オキシカルボニル基としては、アルキル基、アリール基、アリールアルキル基および1価の複素環基からなる群から選択される1個の基とオキシカルボニル基が結合したものが挙げられる。置換オキシカルボニル基の炭素数は通常2〜60であり、2〜48が好ましい。なお、前記アルキル基、アリール基、アリールアルキル基および1価の複素環基は置換基を有していてもよいが、前記炭素数にはこの置換基の炭素数を含めないものとする。このような置換オキシカルボニル基としては、メトキシカルボニル基、エトキシカルボニル基、プロポキシカルボニル基、イソプロポキシカルボニル基、ブトキシカルボニル基、イソブトキシカルボニル基、s−ブトキシカルボニル基、t−ブトキシカルボニル基、ペンチルオキシカルボニル基、ヘキシルオキシカルボニル基、シクロヘキシルオキシカルボニル基、ヘプチルオキシカルボニル基、オクチルオキシカルボニル基、2−エチルヘキシルオキシカルボニル基、ノニルオキシカルボニル基、デシルオキシカルボニル基、3,7−ジメチルオクチルオキシカルボニル基、ドデシルオキシカルボニル基、フェノキシカルボニル基、ナフトキシカルボニル基、ピリジルオキシカルボニル基などが挙げられる。前記置換オキシカルボニル基中の水素原子はフッ素原子などのハロゲン原子で置換されていてもよい。ハロゲン原子で置換された置換オキシカルボニル基としては、トリフルオロメトキシカルボニル基、ペンタフルオロエトキシカルボニル基、パーフルオロブトキシカルボニル基、パーフルオロヘキシルオキシカルボニル基、パーフルオロオクチルオキシカルボニル基などが挙げられる。   Examples of the substituted oxycarbonyl group as the substituent include those in which one group selected from the group consisting of an alkyl group, an aryl group, an arylalkyl group, and a monovalent heterocyclic group is bonded to an oxycarbonyl group. . Carbon number of a substituted oxycarbonyl group is 2-60 normally, and 2-48 are preferable. The alkyl group, aryl group, arylalkyl group and monovalent heterocyclic group may have a substituent, but the carbon number does not include the carbon number of the substituent. Examples of such a substituted oxycarbonyl group include a methoxycarbonyl group, an ethoxycarbonyl group, a propoxycarbonyl group, an isopropoxycarbonyl group, a butoxycarbonyl group, an isobutoxycarbonyl group, an s-butoxycarbonyl group, a t-butoxycarbonyl group, and pentyloxy. Carbonyl group, hexyloxycarbonyl group, cyclohexyloxycarbonyl group, heptyloxycarbonyl group, octyloxycarbonyl group, 2-ethylhexyloxycarbonyl group, nonyloxycarbonyl group, decyloxycarbonyl group, 3,7-dimethyloctyloxycarbonyl group, Examples include dodecyloxycarbonyl group, phenoxycarbonyl group, naphthoxycarbonyl group, and pyridyloxycarbonyl group. The hydrogen atom in the substituted oxycarbonyl group may be substituted with a halogen atom such as a fluorine atom. Examples of the substituted oxycarbonyl group substituted with a halogen atom include a trifluoromethoxycarbonyl group, a pentafluoroethoxycarbonyl group, a perfluorobutoxycarbonyl group, a perfluorohexyloxycarbonyl group, and a perfluorooctyloxycarbonyl group.

また、本発明にかかる前記高分子化合物は、置換基を有していてもよい2価の芳香族基、置換基を有していてもよいアルキレン基、置換基を有していてもよいオキシアルキレン基および置換基を有していてもよいジオキシアルキレン基からなる群から選択される少なくとも1種の基をさらに有するものであることが好ましい。   In addition, the polymer compound according to the present invention includes a divalent aromatic group which may have a substituent, an alkylene group which may have a substituent, and an oxy which may have a substituent. It is preferable to further have at least one group selected from the group consisting of an alkylene group and an optionally substituted dioxyalkylene group.

前記置換基を有していてもよい2価の芳香族基としては、2価の芳香族炭化水素基、2価の芳香族複素環基が挙げられる。このような2価の芳香族基としては、ベンゼン環、ピリジン環、1,2−ジアジン環、1,3−ジアジン環、1,4−ジアジン環、1,3,5−トリアジン環、フラン環、ピロール環、チオフェン環、ピラゾール環、イミダゾール環、オキサゾール環、オキサジアゾ−ル環、アザジザゾ−ル環などの単環式芳香環から水素原子を2個除いた2価の基、これらの単環式芳香環からなる群からそれぞれ独立に選択された2個以上の芳香環が縮合した縮合多環式芳香環から水素原子を2個除いた2価の基、前記単環式芳香環からなる群からそれぞれ独立に選択された2個以上の芳香環を、単結合、エテニレン基またはエチニレン基で連結した連結多環式芳香環から水素原子を2個除いた2価の基、前記単環式芳香環からなる群からそれぞれ独立に選択された2個の芳香環を、メチレン基、エチレン基、カルボニル基、イミノ基などの2価の基で橋かけした構造を有する有橋多環式芳香環から水素原子を2個除いた2価の基などが挙げられる。   Examples of the divalent aromatic group that may have a substituent include a divalent aromatic hydrocarbon group and a divalent aromatic heterocyclic group. Examples of such divalent aromatic groups include a benzene ring, a pyridine ring, a 1,2-diazine ring, a 1,3-diazine ring, a 1,4-diazine ring, a 1,3,5-triazine ring, and a furan ring. A divalent group obtained by removing two hydrogen atoms from a monocyclic aromatic ring such as a pyrrole ring, a thiophene ring, a pyrazole ring, an imidazole ring, an oxazole ring, an oxadiazol ring, an azadiazol ring, and the like. A divalent group obtained by removing two hydrogen atoms from a condensed polycyclic aromatic ring in which two or more aromatic rings each independently selected from the group consisting of aromatic rings are condensed, from the group consisting of the monocyclic aromatic rings A divalent group in which two hydrogen atoms are removed from a linked polycyclic aromatic ring in which two or more independently selected aromatic rings are connected by a single bond, ethenylene group or ethynylene group, the monocyclic aromatic ring Independently selected from the group consisting of The divalent aromatic ring in which two hydrogen atoms are removed from a bridged polycyclic aromatic ring having a structure in which the two aromatic rings are bridged with a divalent group such as a methylene group, an ethylene group, a carbonyl group, or an imino group. And the like.

前記縮合多環式芳香環において、縮合する単環式芳香環の数としては、高分子化合物の溶解性の観点から、2〜4が好ましく、2〜3がより好ましく、2がさらに好ましい。前記連結多環式芳香環において、連結される単環式芳香環の数としては、溶解性の観点から、2〜4が好ましく、2〜3がより好ましく、2がさらに好ましい。前記有橋多環式芳香環において、橋かけされる単環式芳香環の数としては、高分子化合物の溶解性の観点から、2〜4が好ましく、2〜3がより好ましく、2がさらに好ましい。   In the condensed polycyclic aromatic ring, the number of monocyclic aromatic rings to be condensed is preferably 2 to 4, more preferably 2 to 3, and still more preferably 2 from the viewpoint of the solubility of the polymer compound. In the linked polycyclic aromatic ring, the number of monocyclic aromatic rings to be linked is preferably 2 to 4, more preferably 2 to 3, and even more preferably 2 from the viewpoint of solubility. In the bridged polycyclic aromatic ring, the number of monocyclic aromatic rings to be bridged is preferably 2 to 4, more preferably 2 to 3, more preferably 2 from the viewpoint of the solubility of the polymer compound. preferable.

前記単環式芳香環としては、下記式(1)〜(16)で表されるものが挙げられる。   Examples of the monocyclic aromatic ring include those represented by the following formulas (1) to (16).

Figure 2010171230
Figure 2010171230

前記縮合多環式芳香環としては、下記式(17)〜(36)で表されるものが挙げられる。   Examples of the condensed polycyclic aromatic ring include those represented by the following formulas (17) to (36).

Figure 2010171230
Figure 2010171230

前記連結多環式芳香環としては、下記式(37)〜(47)で表されるものが挙げられる。   Examples of the linked polycyclic aromatic ring include those represented by the following formulas (37) to (47).

Figure 2010171230
Figure 2010171230

前記有橋多環式芳香環としては、下記式(48)〜(57)で表されるものが挙げられる。   Examples of the bridged polycyclic aromatic ring include those represented by the following formulas (48) to (57).

Figure 2010171230
Figure 2010171230

このような芳香環のうち、前記高分子化合物の電子および/またはホール受容性の観点から、前記式(1)〜(16)、前記式(17)〜(27)、前記式(33)〜(36)、前記式(47)〜(48)、前記式(50)〜(51)、前記式(53)で表されるものが好ましく、前記式(1)〜(6)、前記式(15)〜(16)、前記式(33)、前記式(36)、前記式(47)〜(48)、前記式(50)〜(51)で表されるものがより好ましい。   Among such aromatic rings, from the viewpoint of electron and / or hole acceptability of the polymer compound, the formulas (1) to (16), the formulas (17) to (27), and the formula (33) to (36), those represented by the formulas (47) to (48), the formulas (50) to (51), and the formula (53) are preferable, and the formulas (1) to (6), the formula ( 15) to (16), the formula (33), the formula (36), the formulas (47) to (48), and the formulas (50) to (51) are more preferable.

また、本発明にかかる前記高分子化合物に含まれるアルキレン基、オキシアルキレン基およびジオキシアルキレン基の炭素数としては、1〜50が好ましい。このようなアルキレン基としては、メチレン基、エチレン基、プロピレン基、ブチレン基、ペンチレン基、ヘキシレン基、へプタレン基、ノナレン基、デシレン基、ドデシレン基などが挙げられる。前記オキシアルキレン基としては、オキシメチレン基、オキシエチレン基、オキシプロピレン基、オキシブチレン基、オキシペンチレン基、オキシヘキシレン基、オキシへプタレン基、オキシノナレン基、オキシデシレン基、オキシドデシレン基などが挙げられる。前記ジオキシアルキレン基としては、ジオキシメチレン基、ジオキシエチレン基、ジオキシプロピレン基、ジオキシブチレン基、ジオキシペンチレン基、ジオキシヘキシレン基、ジオキシへプタレン基、ジオキシノナレン基、ジオキシデシレン基、ジオキシドデシレン基などが挙げられる。また、前記アルキレン基、オキシアルキレン基およびジオキシアルキレン基は置換基を有していてもよい。   Moreover, as carbon number of the alkylene group contained in the said high molecular compound concerning this invention, an oxyalkylene group, and a dioxyalkylene group, 1-50 are preferable. Examples of such an alkylene group include a methylene group, an ethylene group, a propylene group, a butylene group, a pentylene group, a hexylene group, a heptalene group, a nonalene group, a decylene group, and a dodecylene group. Examples of the oxyalkylene group include an oxymethylene group, an oxyethylene group, an oxypropylene group, an oxybutylene group, an oxypentylene group, an oxyhexylene group, an oxyheptalene group, an oxynonalene group, an oxydecylene group, and an oxide decylene group. Can be mentioned. Examples of the dioxyalkylene group include a dioxymethylene group, a dioxyethylene group, a dioxypropylene group, a dioxybutylene group, a dioxypentylene group, a dioxyhexylene group, a dioxyheptalene group, a dioxynonalene group, and a dioxydecylene group. And a dioxydecylene group. The alkylene group, oxyalkylene group and dioxyalkylene group may have a substituent.

このような高分子化合物のうち、本発明の電子素子においては、電荷注入性の観点から下記式(II):   Among such polymer compounds, in the electronic device of the present invention, the following formula (II):

Figure 2010171230
Figure 2010171230

で表される構造を有する化合物がより好ましい。前記式(II)中、XおよびXは、それぞれ独立にF、Cl、Br、I、OH、RSO 、RCOO、ClO、ClO 、ClO 、ClO 、SCN、CN、NO 、HSO 、HPO 、BF 、BR およびPF からなる群から選択される1種のイオンを表す。これらのイオンのうち、前記高分子化合物の合成の容易さの観点から、F、Cl、Br、I、OH、RSO 、RCOO、BF 、BR およびPF が好ましい。Rは前記式(I)中のRと同義である。Arは置換基を有していてもよい2価の芳香族基を表し、RおよびRはそれぞれ独立に炭素数1〜20のアルキレン基を表し、*は他の構造との結合部位を表し、nおよびnはそれぞれ独立に1〜20の整数である。前記nおよびnとしては、前記高分子化合物の合成の容易さの観点から、2〜10の整数が好ましい。 A compound having a structure represented by is more preferable. In the formula (II), X 3 and X 4 are each independently F , Cl , Br , I , OH , R b SO 3 , R b COO , ClO , ClO 2 , One selected from the group consisting of ClO 3 , ClO 4 , SCN , CN , NO 3 , HSO 4 , H 2 PO 4 , BF 4 , BR b 4 and PF 6 Represents an ion. Among these ions, F , Cl , Br , I , OH , R b SO 3 , R b COO , BF 4 , BR are used from the viewpoint of easy synthesis of the polymer compound. b 4 - and PF 6 - are preferred. R b has the same meaning as R a in formula (I). Ar 1 represents a divalent aromatic group which may have a substituent, R 1 and R 2 each independently represent an alkylene group having 1 to 20 carbon atoms, and * represents a bonding site with another structure N 1 and n 2 are each independently an integer of 1 to 20. As the n 1 and n 2, from the viewpoint of ease of synthesis of the polymer compound, preferably an integer of from 2 to 10.

前記式(II)中のArで表される置換基を有していてもよい2価の芳香族基としては、本発明にかかる前記高分子化合物においてさらに含まれていてもよい基として例示した前記2価の芳香族炭化水素基や2価の芳香族複素環基などの置換基を有していてもよい2価の芳香族基が挙げられる。これらの2価の芳香族基のうち、前記高分子化合物の電荷注入性の観点から、前記式(1)〜(36)、前記式(41)〜(44)、前記式(47)〜(51)、前記式(53)〜(54)で表されるものが特に好ましい。 The divalent aromatic group which may have a substituent represented by Ar 1 in the formula (II) is exemplified as a group which may be further contained in the polymer compound according to the present invention. And a divalent aromatic group which may have a substituent such as the divalent aromatic hydrocarbon group or the divalent aromatic heterocyclic group. Among these divalent aromatic groups, from the viewpoint of charge injection properties of the polymer compound, the formulas (1) to (36), the formulas (41) to (44), the formulas (47) to ( 51) and those represented by the formulas (53) to (54) are particularly preferable.

また、前記式(II)中のRおよびRで表されるアルキレン基としては、メチレン基、エチレン基、プロピレン基、ブチレン基、ペンチレン基、ヘキシレン基、へプタレン基などが挙げられる。RおよびRは同一であっても異なっていてもよい。これらのアルキレン基のうち、前記高分子化合物の溶解性の観点から、メチレン基、エチレン基、プロピレン基、ブチレン基が特に好ましい。 Examples of the alkylene group represented by R 1 and R 2 in the formula (II) include a methylene group, an ethylene group, a propylene group, a butylene group, a pentylene group, a hexylene group, and a heptalene group. R 1 and R 2 may be the same or different. Among these alkylene groups, a methylene group, an ethylene group, a propylene group, and a butylene group are particularly preferable from the viewpoint of solubility of the polymer compound.

本発明にかかる前記高分子化合物の分子量は、塗布による成膜性の観点から1×10以上1×10以下が好ましく、1×10以上1×10以下がより好ましく、1×10以上1×10以下がさらに好ましい。なお、前記高分子化合物の分子量は、H−NMR測定を行い、プロトン比(積分比)で換算することによって求めることができる。 The molecular weight of the polymer compound according to the present invention, 1 × preferably 10 3 or more 1 × 10 8 or less from the viewpoint of film forming property due to coating, more preferably 1 × 10 3 or more 1 × 10 7 or less, 1 × 10 3 or more and 1 × 10 6 or less are more preferable. In addition, the molecular weight of the polymer compound can be obtained by performing 1 H-NMR measurement and converting it with a proton ratio (integration ratio).

前記式(II)で表される構造としては、下記式(58)〜(65)で表される構造が挙げられる。また、本発明の高分子化合物としては、下記式(58)〜(65)で表される構造を繰り返し単位として含有する高分子化合物が挙げられる。   Examples of the structure represented by the formula (II) include structures represented by the following formulas (58) to (65). Moreover, as a high molecular compound of this invention, the high molecular compound which contains the structure represented by following formula (58)-(65) as a repeating unit is mentioned.

Figure 2010171230
Figure 2010171230

Figure 2010171230
Figure 2010171230

次に、本発明にかかる前記高分子化合物の製造方法について説明する。前記高分子化合物を製造するための好適な方法としては、下記式(III):   Next, the manufacturing method of the said high molecular compound concerning this invention is demonstrated. As a suitable method for producing the polymer compound, the following formula (III):

Figure 2010171230
Figure 2010171230

で表される4,4’−ビピリジル(芳香環の水素原子は置換基で置換されていてもよい。)を重合性化合物と縮合重合させる方法が挙げられる。前記重合性化合物としては、2個以上の重合性官能基を有するものであればよく、縮合重合の容易さの観点から下記式(IV):
−Q−Y (IV)
(式(IV)中、YおよびYは重合性官能基を表し、Qは単結合、または置換基を有していてもよい2価の芳香族基、置換基を有していてもよいアルキレン基、置換基を有していてもよいオキシアルキレン基および置換基を有していてもよいジオキシアルキレン基からなる群から選択される少なくとも1種を含有する基である。)
で表される化合物が好ましい。
And 4,4′-bipyridyl (wherein the hydrogen atom of the aromatic ring may be substituted with a substituent) is subjected to condensation polymerization with a polymerizable compound. The polymerizable compound may be any compound having two or more polymerizable functional groups, and from the viewpoint of ease of condensation polymerization, the following formula (IV):
Y 1 -Q 1 -Y 2 (IV)
(In Formula (IV), Y 1 and Y 2 represent a polymerizable functional group, and Q 1 has a single bond or a divalent aromatic group which may have a substituent, or a substituent. It is a group containing at least one selected from the group consisting of an alkylene group which may be substituted, an oxyalkylene group which may have a substituent, and a dioxyalkylene group which may have a substituent.
The compound represented by these is preferable.

前記重合性官能基としては、ハロゲン原子、アルキルスルホネート基、アリールスルホネート基、アリールアルキルスルホネート基、スルホニウムメチル基などが挙げられる。   Examples of the polymerizable functional group include a halogen atom, an alkyl sulfonate group, an aryl sulfonate group, an arylalkyl sulfonate group, and a sulfonium methyl group.

前記重合性官能基であるハロゲン原子としては、フッ素原子、塩素原子、臭素原子およびヨウ素原子が挙げられる。また、前記アルキルスルホネート基としては、メタンスルホネート基、エタンスルホネート基、トリフルオロメタンスルホネート基などが挙げられ、前記アリールスルホネート基としては、ベンゼンスルホネート基、p−トルエンスルホネート基などが挙げられ、前記アリールスルホネート基としては、ベンジルスルホネート基などが挙げられる。   Examples of the halogen atom that is the polymerizable functional group include a fluorine atom, a chlorine atom, a bromine atom, and an iodine atom. Examples of the alkyl sulfonate group include a methane sulfonate group, an ethane sulfonate group, and a trifluoromethane sulfonate group. Examples of the aryl sulfonate group include a benzene sulfonate group and a p-toluene sulfonate group. Examples of the group include a benzyl sulfonate group.

前記式(IV)中のQに含まれる置換基を有していてもよい2価の芳香族基としては、本発明にかかる前記高分子化合物においてさらに含まれていてもよい基として例示した前記2価の芳香族炭化水素基や2価の芳香族複素環基などの置換基を有していてもよい2価の芳香族基が挙げられる。これらの2価の芳香族基のうち、前記高分子化合物の電荷注入性の観点から、前記式(1)〜(36)、前記式(41)〜(44)、前記式(47)〜(51)、前記式(53)〜(54)で表されるものが特に好ましい。 Examples of the divalent aromatic group which may have a substituent contained in Q 1 in the formula (IV) are exemplified as groups which may be further contained in the polymer compound according to the present invention. Examples thereof include a divalent aromatic group which may have a substituent such as the divalent aromatic hydrocarbon group or the divalent aromatic heterocyclic group. Among these divalent aromatic groups, from the viewpoint of charge injection properties of the polymer compound, the formulas (1) to (36), the formulas (41) to (44), the formulas (47) to ( 51) and those represented by the formulas (53) to (54) are particularly preferable.

また、前記式(IV)中のQに含まれるアルキレン基、オキシアルキレン基およびジオキシアルキレン基としては、本発明にかかる前記高分子化合物においてさらに含まれていてもよい基として例示したアルキレン基、オキシアルキレン基およびジオキシアルキレン基が挙げられる。前記アルキレン基、オキシアルキレン基およびジオキシアルキレン基は置換基を有していてもよい。これらの2価の基のうち、前記高分子化合物の溶解性の観点からオキシアルキレン基およびジオキシアルキレン基が特に好ましい。 Further, an alkylene group, an oxy As the alkylene group and di- oxyalkylene group, exemplified alkylene group as the further included which may be based on the polymer compound of the present invention contained in to Q 1 in the formula (IV) , An oxyalkylene group and a dioxyalkylene group. The alkylene group, oxyalkylene group and dioxyalkylene group may have a substituent. Of these divalent groups, an oxyalkylene group and a dioxyalkylene group are particularly preferable from the viewpoint of solubility of the polymer compound.

本発明にかかる前記高分子化合物を製造する場合、例えば、4,4’−ビピリジルと前記重合性化合物とを、必要に応じて有機溶媒に溶解した後、アルカリや適当な触媒を適宜用いて、有機溶媒の融点以上沸点以下の温度で反応させる重合方法を採用することができる。また、このような重合方法としては、例えば、J.Polym.Sci.Part A:Polymer Chemistry、第40巻、659頁(2002年)、およびOrg.Biomol.Chem.、第1巻、2661頁(2003年)などに記載された公知の方法を適宜採用することができる。   In the case of producing the polymer compound according to the present invention, for example, 4,4′-bipyridyl and the polymerizable compound are dissolved in an organic solvent as necessary, and then an alkali or a suitable catalyst is used as appropriate. A polymerization method in which the reaction is carried out at a temperature not lower than the melting point of the organic solvent and not higher than the boiling point can be employed. Examples of such a polymerization method include J. Org. Polym. Sci. Part A: Polymer Chemistry, 40, 659 (2002), and Org. Biomol. Chem. , Volume 1, p. 2661 (2003), etc., can be appropriately employed.

前記重合方法において用いられる有機溶媒としては、例えば、ペンタン、ヘキサン、ヘプタン、オクタン、シクロヘキサンなどの飽和炭化水素、ベンゼン、トルエン、エチルベンゼン、キシレンなどの不飽和炭化水素、メタノール、エタノール、プロパノール、イソプロパノール、ブタノール、t−ブチルアルコールなどのアルコール類、蟻酸、酢酸、プロピオン酸などのカルボン酸類、ジメチルエーテル、ジエチルエーテル、メチル−t−ブチルエーテル、テトラヒドロフラン、テトラヒドロピラン、ジオキサンなどのエーテル類、トリメチルアミン、トリエチルアミン、N,N,N’,N’−テトラメチルエチレンジアミン、ピリジンなどのアミン類、N,N−ジメチルホルムアミド、N,N−ジメチルアセトアミド、N,N−ジエチルアセトアミド、N−メチルモルホリンオキシドなどのアミド類が挙げられる。これらの有機溶媒は1種を単独で用いても2種以上を混合して用いてもよい。これらの有機溶媒のうち、アミド類が好ましく、N,N−ジメチルホルムアミド、N,N−ジメチルアセトアミド、N,N−ジエチルアセトアミドがより好ましい。   Examples of the organic solvent used in the polymerization method include saturated hydrocarbons such as pentane, hexane, heptane, octane, and cyclohexane, unsaturated hydrocarbons such as benzene, toluene, ethylbenzene, and xylene, methanol, ethanol, propanol, isopropanol, Alcohols such as butanol and t-butyl alcohol, carboxylic acids such as formic acid, acetic acid and propionic acid, ethers such as dimethyl ether, diethyl ether, methyl-t-butyl ether, tetrahydrofuran, tetrahydropyran and dioxane, trimethylamine, triethylamine, N, N, N ′, N′-tetramethylethylenediamine, amines such as pyridine, N, N-dimethylformamide, N, N-dimethylacetamide, N, N-diethyl Acetamide, amides such as N- methylmorpholine oxide. These organic solvents may be used alone or in combination of two or more. Of these organic solvents, amides are preferable, and N, N-dimethylformamide, N, N-dimethylacetamide, and N, N-diethylacetamide are more preferable.

このような重合方法により得られた前記高分子化合物は、そのまま本発明の電子素子に用いてもよいし、金属塩によりイオン交換反応を行ってもよい。このとき用いられる金属塩としては、金属ハロゲン化物、金属水酸化物、スルホン酸金属塩、カルボン酸金属塩、次亜塩素酸金属塩、亜塩素酸金属塩、塩素酸金属塩、過塩素酸金属塩、チオシアン酸金属塩、金属シアン化物、硝酸金属塩、硫酸金属塩、リン酸金属塩、ホウ酸金属塩などが挙げられる。   The polymer compound obtained by such a polymerization method may be used as it is in the electronic device of the present invention, or may undergo an ion exchange reaction with a metal salt. The metal salts used at this time include metal halides, metal hydroxides, sulfonic acid metal salts, carboxylic acid metal salts, hypochlorite metal salts, chlorite metal salts, chlorate metal salts, and metal perchlorates. Salts, metal thiocyanate, metal cyanide, metal nitrate, metal sulfate, metal phosphate, metal borate and the like.

次に、前記高分子化合物を含む電荷注入層の形成方法について説明する。前記高分子化合物を含む電荷注入層の好適な形成方法としては、前記高分子化合物を含有する溶液を用いた成膜方法が挙げられる。   Next, a method for forming a charge injection layer containing the polymer compound will be described. A preferred method for forming the charge injection layer containing the polymer compound includes a film forming method using a solution containing the polymer compound.

前記高分子化合物を含有する溶液に用いる溶媒としては、水を除く、溶解度パラメーターが9.3以上の溶媒が好ましい。このような溶媒としては、メタノール(12.9)、エタノール(11.2)、2−プロパノール(11.5)、1−ブタノール(9.9)、t−ブチルアルコール(10.5)、アセトニトリル(11.8)、1,2−エタンジオール(14.7)、N,N−ジメチルホルムアミド(11.5)、ジメチルスルホキシド(12.8)、酢酸(12.4)、ニトロベンゼン(11.1)、ニトロメタン(11.0)、1,2−ジクロロエタン(9.7)、ジクロロメタン(9.6)、クロロベンゼン(9.6)、ブロモベンゼン(9.9)、ジオキサン(9.8)、炭酸プロピレン(13.3)、ピリジン(10.4)、二硫化炭素(10.0)、およびこれらの混合溶媒などが挙げられる。なお、前記括弧内の数値は当該溶媒の溶解度パラメーターの値を表す。また、例えば、溶媒1と溶媒2との混合溶媒の溶解度パラメーター(δ)は下記式:
δ=δ×φ+δ×φ
(式中、δは溶媒1の溶解度パラメーター、φは溶媒1の体積分率、δは溶媒2の溶解度パラメーター、φは溶媒2の体積分率を表す。)
により求めることができる。
As the solvent used in the solution containing the polymer compound, a solvent having a solubility parameter of 9.3 or more excluding water is preferable. Such solvents include methanol (12.9), ethanol (11.2), 2-propanol (11.5), 1-butanol (9.9), t-butyl alcohol (10.5), acetonitrile. (11.8), 1,2-ethanediol (14.7), N, N-dimethylformamide (11.5), dimethyl sulfoxide (12.8), acetic acid (12.4), nitrobenzene (11.1) ), Nitromethane (11.0), 1,2-dichloroethane (9.7), dichloromethane (9.6), chlorobenzene (9.6), bromobenzene (9.9), dioxane (9.8), carbonic acid Examples include propylene (13.3), pyridine (10.4), carbon disulfide (10.0), and mixed solvents thereof. In addition, the numerical value in the said parenthesis represents the value of the solubility parameter of the said solvent. For example, the solubility parameter (δ m ) of the mixed solvent of the solvent 1 and the solvent 2 is represented by the following formula:
δ m = δ 1 × φ 1 + δ 2 × φ 2
(In the formula, δ 1 represents the solubility parameter of solvent 1, φ 1 represents the volume fraction of solvent 1, δ 2 represents the solubility parameter of solvent 2, and φ 2 represents the volume fraction of solvent 2.)
It can ask for.

前記成膜方法としては、スピンコート法、キャスティング法、マイクログラビアコート法、グラビアコート法、バーコート法、ロールコート法、ワイアーバーコート法、ディップコート法、スリットコート法、キャップコート法、スプレーコート法、スクリーン印刷法、フレキソ印刷法、オフセット印刷法、インクジェットプリント法、ノズルコート法などが挙げられる。   Examples of the film forming method include spin coating, casting, micro gravure coating, gravure coating, bar coating, roll coating, wire bar coating, dip coating, slit coating, cap coating, and spray coating. Method, screen printing method, flexographic printing method, offset printing method, inkjet printing method, nozzle coating method and the like.

本発明の電子素子において、前記高分子化合物を含む電荷注入層の膜厚としては、ピンホールが発生しないような厚さは必要であるが、使用する高分子化合物によって最適値が異なるため、駆動電圧と発光効率が適度な値となるように適宜選択することが好ましい。このような膜厚としては、1nm〜1μmが好ましく、2nm〜500nmがより好ましく、2nm〜200nmがさらに好ましい。前記高分子化合物を含む電荷注入層の膜厚が前記下限未満になるとピンホールが発生しやすい傾向にあり、他方、前記上限を超えると電子素子の駆動電圧が高くなる傾向にある。   In the electronic device of the present invention, the charge injection layer containing the polymer compound needs to have a thickness that does not cause pinholes, but the optimum value differs depending on the polymer compound used. It is preferable to appropriately select the voltage and the light emission efficiency so as to have appropriate values. Such a film thickness is preferably 1 nm to 1 μm, more preferably 2 nm to 500 nm, and still more preferably 2 nm to 200 nm. When the thickness of the charge injection layer containing the polymer compound is less than the lower limit, pinholes tend to occur, and when the thickness exceeds the upper limit, the driving voltage of the electronic device tends to increase.

<電子素子>
次に、本発明の電子素子について説明する。本発明の電子素子は、第一の電極と、第二の電極と、該第一の電極と該第二の電極との間に配置された発光層または電荷分離層と、該発光層または該電荷分離層と前記第一の電極または前記第二の電極との間に配置された前記高分子化合物を含む電荷注入層とを備えるものである。
<Electronic element>
Next, the electronic device of the present invention will be described. The electronic device of the present invention includes a first electrode, a second electrode, a light emitting layer or a charge separation layer disposed between the first electrode and the second electrode, the light emitting layer or the light emitting layer. And a charge injection layer including the polymer compound disposed between the charge separation layer and the first electrode or the second electrode.

本発明の電子素子は、第一の電極と第二の電極との間に発光層を配置した場合には電界発光素子として使用することができ、第一の電極と第二の電極との間に電荷分離層を配置した場合には光電変換素子として用いることができる。   The electronic device of the present invention can be used as an electroluminescent device when a light emitting layer is disposed between the first electrode and the second electrode, and between the first electrode and the second electrode. In the case where a charge separation layer is disposed on the substrate, it can be used as a photoelectric conversion element.

本発明にかかる前記高分子化合物は電荷注入性に優れるため、このような高分子化合物を含む層を電荷注入層として用いることによって変換効率に優れた電子素子を形成することが可能となる。その結果、電子素子が電界発光素子である場合には、高輝度で発光する素子が得られ、光電変換素子である場合には、光電変換効率が高い素子が得られる。   Since the polymer compound according to the present invention is excellent in charge injection property, an electronic device having excellent conversion efficiency can be formed by using a layer containing such a polymer compound as a charge injection layer. As a result, when the electronic element is an electroluminescent element, an element that emits light with high luminance is obtained. When the electronic element is a photoelectric conversion element, an element with high photoelectric conversion efficiency is obtained.

<電界発光素子>
本発明の電子素子が電界発光素子である場合(以下、「本発明の電界発光素子」という。)について説明する。本発明の電界発光素子は、陰極と、陽極と、該陰極と該陽極との間に配置された発光層と、前記陰極と該発光層との間または前記陽極と該発光層との間に配置された本発明にかかる前記高分子化合物を含む電荷注入層とを備えるものである。本発明の電界発光素子は、基板をさらに備えていてもよく、この基板の上に、前記陰極、前記陽極、前記発光層、前記高分子化合物を含む電荷注入層、および必要に応じてその他の層が配置されたものである。
<Electroluminescent device>
The case where the electronic device of the present invention is an electroluminescent device (hereinafter referred to as “electroluminescent device of the present invention”) will be described. The electroluminescent device of the present invention includes a cathode, an anode, a light emitting layer disposed between the cathode and the anode, and between the cathode and the light emitting layer or between the anode and the light emitting layer. And a charge injection layer including the polymer compound according to the present invention. The electroluminescent device of the present invention may further comprise a substrate, on which the cathode, the anode, the light emitting layer, a charge injection layer containing the polymer compound, and other materials as necessary. Layers are arranged.

本発明の電界発光素子の一態様としては、基板上に配置された陽極と、その上に配置された発光層と、さらにその上に配置された陰極とを備え、前記陽極と前記発光層との間または前記陰極と前記発光層との間に前記高分子化合物を含む電荷注入層を備える素子が挙げられる。また、他の態様としては、基板上に配置された陰極と、その上に配置された発光層と、さらにその上に配置された陽極とを備え、前記陰極と前記発光層との間または前記陽極と前記発光層との間に前記高分子化合物を含む電荷注入層を備える素子が挙げられる。本発明の電界発光素子は、前記陰極と前記発光層との間または前記陽極と前記発光層との間に前記高分子化合物を含まない電荷注入層(以下、「その他の電荷注入層」という。)をさらに備えていてもよい。これらの電界発光素子において、陽極と発光層との間に配置された電荷注入層は正孔注入層として作用し、陰極と発光層との間に配置された電荷注入層は電子注入層として作用する。また、本発明の電界発光素子は、保護層、バッファー層、反射層などその他の機能を有する層を備えていてもよい。   An aspect of the electroluminescent device of the present invention includes an anode disposed on a substrate, a light emitting layer disposed thereon, and a cathode disposed thereon, and the anode, the light emitting layer, And a device having a charge injection layer containing the polymer compound between or between the cathode and the light emitting layer. Moreover, as another aspect, it is equipped with the cathode arrange | positioned on a board | substrate, the light emitting layer arrange | positioned on it, and the anode arrange | positioned on it further, Between the said cathode and the said light emitting layer, or the said Examples include a device including a charge injection layer containing the polymer compound between an anode and the light emitting layer. The electroluminescent device of the present invention is a charge injection layer (hereinafter referred to as “other charge injection layer”) that does not contain the polymer compound between the cathode and the light emitting layer or between the anode and the light emitting layer. ) May be further provided. In these electroluminescent devices, the charge injection layer disposed between the anode and the light emitting layer functions as a hole injection layer, and the charge injection layer disposed between the cathode and the light emitting layer functions as an electron injection layer. To do. Moreover, the electroluminescent element of this invention may be provided with the layer which has other functions, such as a protective layer, a buffer layer, and a reflection layer.

本発明の電界発光素子は、陽極と発光層との間に、さらにインターレイヤーおよび正孔輸送層のうちの1層以上を備えていてもよい。特に、正孔注入層が存在する場合には、発光層と正孔注入層との間にインターレイヤーおよび正孔輸送層のうちの1層以上が配置されていることが好ましい。   The electroluminescent element of the present invention may further include one or more layers of an interlayer and a hole transport layer between the anode and the light emitting layer. In particular, when a hole injection layer is present, it is preferable that one or more of an interlayer and a hole transport layer are disposed between the light emitting layer and the hole injection layer.

また、本発明の電界発光素子は、陰極と発光層との間に、さらに電子輸送層および正孔ブロック層のうちの1層以上を備えていてもよい。特に、電子注入層が存在する場合には、発光層と電子注入層との間に電子輸送層および正孔ブロック層のうちの1層以上が配置されていることが好ましい。   In addition, the electroluminescent device of the present invention may further include one or more of an electron transport layer and a hole blocking layer between the cathode and the light emitting layer. In particular, when an electron injection layer is present, it is preferable that one or more of an electron transport layer and a hole blocking layer be disposed between the light emitting layer and the electron injection layer.

ここで、陽極は、正孔注入層、正孔輸送層、インターレイヤー、発光層などに正孔を供給するものであり、陰極は、電子注入層、電子輸送層、正孔ブロック層、発光層などに電子を供給するものである。   Here, the anode supplies holes to a hole injection layer, a hole transport layer, an interlayer, a light emitting layer, etc., and the cathode serves as an electron injection layer, an electron transport layer, a hole blocking layer, a light emitting layer. To supply electrons.

発光層とは、電界を印加した際に、陽極側に隣接する層より正孔を受け取り且つ陰極側に隣接する層より電子を受け取る機能、受け取った電荷(電子と正孔)を電界の力で移動させる機能、電子と正孔の再結合の場を提供し且つこれを発光につなげる機能を有する層をいう。   The light-emitting layer has a function of receiving holes from a layer adjacent to the anode side and receiving electrons from a layer adjacent to the cathode side when an electric field is applied, and the received charges (electrons and holes) by the force of the electric field. A layer having a function of moving, a function of providing a field for recombination of electrons and holes and connecting it to light emission.

電子注入層とは、主として陰極から電子を受け取る機能を有し、さらに必要に応じて電子を輸送する機能または陽極から注入された正孔を障壁する機能を有する層をいう。電子輸送層とは、主として電子を輸送する機能を有し、さらに必要に応じて陰極から電子を受け取る機能または陽極から注入された正孔を障壁する機能を有する層をいう。正孔ブロック層とは、主として陽極から注入された正孔を障壁する機能を有し、さらに必要に応じて陰極から電子を受け取る機能または電子を輸送する機能を有する層をいう。   The electron injection layer is a layer mainly having a function of receiving electrons from the cathode and further having a function of transporting electrons as needed or a function of blocking holes injected from the anode. The electron transport layer refers to a layer mainly having a function of transporting electrons and further having a function of receiving electrons from the cathode or blocking holes injected from the anode as necessary. The hole blocking layer mainly refers to a layer having a function of blocking holes injected from the anode, and further having a function of receiving electrons from the cathode or a function of transporting electrons as necessary.

正孔注入層とは、主として陽極から正孔を受け取る機能を有し、さらに必要に応じて正孔を輸送する機能、発光層へ正孔を供給する機能または陰極から注入された電子を障壁する機能を有する層をいう。正孔輸送層とは、主として正孔を輸送する機能を有し、さらに必要に応じて陽極から正孔を受け取る機能、発光層へ正孔を供給する機能、または陰極から注入された電子を障壁する機能を有する層をいう。   The hole injection layer mainly has a function of receiving holes from the anode, and further transports holes as necessary, a function of supplying holes to the light emitting layer, or a barrier to electrons injected from the cathode. A layer having a function. The hole transport layer mainly has a function of transporting holes, and further receives holes from the anode as needed, functions to supply holes to the light emitting layer, or barriers electrons injected from the cathode. The layer which has the function to do.

インターレイヤーとは、陽極から正孔を受け取る機能、正孔を輸送する機能、発光層へ正孔を供給する機能および陰極から注入された電子を障壁する機能のうちの少なくとも1種の機能を有し、通常、発光層に隣接して配置され、発光層と陽極、または発光層と正孔注入層もしくは正孔輸送層とを隔離する役割を有する層をいう。   The interlayer has at least one of a function of receiving holes from the anode, a function of transporting holes, a function of supplying holes to the light emitting layer, and a function of blocking electrons injected from the cathode. In general, it is a layer that is disposed adjacent to the light emitting layer and has a role of separating the light emitting layer and the anode, or the light emitting layer and the hole injection layer or the hole transport layer.

なお、本発明においては、電子輸送層と正孔輸送層を総称して電荷輸送層と呼び、電子注入層と正孔注入層を総称して電荷注入層と呼ぶ。   In the present invention, the electron transport layer and the hole transport layer are collectively referred to as a charge transport layer, and the electron injection layer and the hole injection layer are collectively referred to as a charge injection layer.

このような電界発光素子の採光タイプとしては、基板側から採光するボトムエミッションタイプ、基板と反対側から採光するトップエミッションタイプ、両面採光型が挙げられる。   As the daylighting type of such an electroluminescent element, there are a bottom emission type for daylighting from the substrate side, a top emission type for daylighting from the opposite side of the substrate, and a double sided daylighting type.

また、このような電界発光素子を封止膜または封止基板で覆うことにより、電界発光素子が外気から遮断された発光装置を形成することができる。   Further, by covering such an electroluminescent element with a sealing film or a sealing substrate, a light emitting device in which the electroluminescent element is shielded from the outside air can be formed.

以下、本発明の電界発光素子の詳細な構成について説明する。   Hereinafter, a detailed configuration of the electroluminescent element of the present invention will be described.

本発明の電界発光素子の層構成としては下記の層構成(a)が挙げられる。この層構成(a)においては、正孔注入層または電子注入層が前記高分子化合物を含む層である。また、本発明の電界発光素子の層構成としては、前記高分子化合物を含む正孔注入層または電子注入層を備えるものであれば、この層構成(a)から、正孔注入層、正孔輸送層、インターレイヤー、正孔ブロック層、電子輸送層および電子注入層のうちの1層以上を省略した層構成も挙げられる。   The layer configuration of the electroluminescent element of the present invention includes the following layer configuration (a). In this layer configuration (a), the hole injection layer or the electron injection layer is a layer containing the polymer compound. Moreover, as a layer structure of the electroluminescent element of this invention, if it has a hole injection layer or an electron injection layer containing the said high molecular compound, from this layer structure (a), a hole injection layer, a hole A layer configuration in which one or more of the transport layer, the interlayer, the hole blocking layer, the electron transport layer, and the electron injection layer is omitted is also included.

(a)陽極−正孔注入層−(正孔輸送層および/またはインターレイヤー)−発光層−(正孔ブロック層および/または電子輸送層)−電子注入層−陰極 (A) Anode-hole injection layer- (hole transport layer and / or interlayer) -light emitting layer- (hole block layer and / or electron transport layer) -electron injection layer-cathode

ここで、符号「−」は各層が隣接して配置されていることを示す。   Here, the symbol “-” indicates that the layers are arranged adjacent to each other.

「(正孔輸送層および/またはインターレイヤー)」は、正孔輸送層のみからなる層、インターレイヤーのみからなる層、正孔輸送層−インターレイヤーの層構成、インターレイヤー−正孔輸送層の層構成、またはその他の、正孔輸送層およびインターレイヤーをそれぞれ1層以上含む任意の層構成を示す。   “(Hole transport layer and / or interlayer)” means a layer consisting of only a hole transport layer, a layer consisting only of an interlayer, a layer configuration of a hole transport layer-interlayer, an interlayer-hole transport layer A layer configuration or any other layer configuration including one or more hole transport layers and interlayers is shown.

「(正孔ブロック層および/または電子輸送層)」は、正孔ブロック層のみからなる層、電子輸送層のみからなる層、正孔ブロック層−電子輸送層の層構成、電子輸送層−正孔ブロック層の層構成、またはその他の、正孔ブロック層および電子輸送層をそれぞれ1層以上含む任意の層構成を示す。これらは、以下の層構成の説明においても同様である。   “(Hole blocking layer and / or electron transporting layer)” means a layer consisting of only a hole blocking layer, a layer consisting only of an electron transporting layer, a layer configuration of a hole blocking layer-electron transporting layer, an electron transporting layer—positive The layer configuration of the hole blocking layer, or any other layer configuration including at least one hole blocking layer and one electron transporting layer is shown. The same applies to the following description of the layer configuration.

また、本発明の電界発光素子は、1個の積層構造中に2層の発光層を備えていてもよい。この場合、電界発光素子の層構成としては下記の層構成(b)が挙げられる。この層構成(b)においては、陽極に隣接する正孔注入層または陰極に隣接する電子注入層が前記高分子化合物を含む層である。また、本発明の電界発光素子の層構成としては、前記高分子化合物を含む正孔注入層または電子注入層を備えるものであれば、この層構成(b)から、正孔注入層、正孔輸送層、インターレイヤー、正孔ブロック層、電子輸送層、電子注入層および電極のうちの1層以上を省略した層構成も挙げられる。   Moreover, the electroluminescent element of this invention may be equipped with the two light emitting layers in one laminated structure. In this case, the layer configuration of the electroluminescent element includes the following layer configuration (b). In this layer structure (b), the hole injection layer adjacent to the anode or the electron injection layer adjacent to the cathode is a layer containing the polymer compound. Moreover, as a layer structure of the electroluminescent element of this invention, if it has a hole injection layer or an electron injection layer containing the said high molecular compound, from this layer structure (b), a hole injection layer, a hole A layer configuration in which one or more of a transport layer, an interlayer, a hole blocking layer, an electron transport layer, an electron injection layer, and an electrode are omitted is also included.

(b)陽極−正孔注入層−(正孔輸送層および/またはインターレイヤー)−発光層−(正孔ブロック層および/または電子輸送層)−電子注入層−電極−正孔注入層−(正孔輸送層および/またはインターレイヤー)−発光層−(正孔ブロック層および/または電子輸送層)−電子注入層−陰極 (B) Anode-hole injection layer- (hole transport layer and / or interlayer) -light emitting layer- (hole block layer and / or electron transport layer) -electron injection layer-electrode-hole injection layer- ( Hole transport layer and / or interlayer) -light emitting layer- (hole block layer and / or electron transport layer) -electron injection layer-cathode

さらに、本発明の電界発光素子は、1個の積層構造中に3層以上の発光層を備えていてもよい。この場合、電界発光素子の層構成としては下記の層構成(c)が挙げられる。この層構成(c)においては、陽極に隣接する正孔注入層または陰極に隣接する電子注入層が前記高分子化合物を含む層である。また、本発明の電界発光素子の層構成としては、前記高分子化合物を含む正孔注入層または電子注入層を備えるものであれば、この層構成(c)から、正孔注入層、正孔輸送層、インターレイヤー、正孔ブロック層、電子輸送層、電子注入層および電極のうちの1層以上を省略した層構成も挙げられる。   Furthermore, the electroluminescent element of the present invention may include three or more light emitting layers in one laminated structure. In this case, the following layer structure (c) is mentioned as a layer structure of the electroluminescent element. In this layer configuration (c), the hole injection layer adjacent to the anode or the electron injection layer adjacent to the cathode is a layer containing the polymer compound. Moreover, as a layer structure of the electroluminescent element of this invention, if a hole injection layer or electron injection layer containing the said high molecular compound is provided, from this layer structure (c), a hole injection layer, a hole A layer configuration in which one or more of a transport layer, an interlayer, a hole blocking layer, an electron transport layer, an electron injection layer, and an electrode are omitted is also included.

(c)陽極−正孔注入層−(正孔輸送層および/またはインターレイヤー)−発光層−(正孔ブロック層および/または電子輸送層)−電子注入層−繰返し単位A−繰返し単位A・・・−陰極
ここで、「繰返し単位A」は、電極−正孔注入層−(正孔輸送層および/またはインターレイヤー)−発光層−(正孔ブロック層および/または電子輸送層)−電子注入層の層構成の単位を示す。
(C) Anode-hole injection layer- (hole transport layer and / or interlayer) -light emitting layer- (hole block layer and / or electron transport layer) -electron injection layer-repeating unit A-repeating unit A. Here, “Repeating unit A” is an electrode—a hole injection layer— (a hole transport layer and / or an interlayer) —a light emitting layer— (a hole block layer and / or an electron transport layer) —electrons The unit of the layer structure of the injection layer is shown.

本発明の電界発光素子の層構成の好ましい例としては、下記のものが挙げられる。
(d)陽極−電荷注入層−発光層−陰極
(e)陽極−発光層−電荷注入層−陰極
(f)陽極−電荷注入層−発光層−電荷注入層−陰極
(g)陽極−電荷注入層−正孔輸送層−発光層−陰極
(h)陽極−正孔輸送層−発光層−電荷注入層−陰極
(i)陽極−電荷注入層−正孔輸送層−発光層−電荷注入層−陰極
(j)陽極−電荷注入層−発光層−電子輸送層−陰極
(k)陽極−発光層−電子輸送層−電荷注入層−陰極
(l)陽極−電荷注入層−発光層−電子輸送層−電荷注入層−陰極
(m)陽極−電荷注入層−正孔輸送層−発光層−電子輸送層−陰極
(n)陽極−正孔輸送層−発光層−電子輸送層−電荷注入層−陰極
(o)陽極−電荷注入層−正孔輸送層−発光層−電子輸送層−電荷注入層−陰極
また、これら構造の各一について、発光層と陽極との間に、発光層に隣接してインターレイヤーを配置した構造も挙げられる。なお、この場合、インターレイヤーが正孔注入層および/または正孔輸送層を兼ねてもよい。
Preferable examples of the layer structure of the electroluminescent element of the present invention include the following.
(D) Anode-charge injection layer-light emitting layer-cathode (e) Anode-light emitting layer-charge injection layer-cathode (f) Anode-charge injection layer-light emitting layer-charge injection layer-cathode (g) anode-charge injection Layer-hole transport layer-light emitting layer-cathode (h) anode-hole transport layer-light emitting layer-charge injection layer-cathode (i) anode-charge injection layer-hole transport layer-light emitting layer-charge injection layer- Cathode (j) Anode-charge injection layer-light-emitting layer-electron transport layer-cathode (k) anode-light-emitting layer-electron transport layer-charge injection layer-cathode (l) anode-charge injection layer-light-emitting layer-electron transport layer -Charge injection layer-Cathode (m) anode-Charge injection layer-Hole transport layer-Light emitting layer-Electron transport layer-Cathode (n) Anode-Hole transport layer-Light emitting layer-Electron transport layer-Charge injection layer-Cathode (O) Anode-charge injection layer-hole transport layer-light-emitting layer-electron transport layer-charge injection layer-cathode For each one of these structures, the light-emitting layer and the positive layer There is also a structure in which an interlayer is disposed adjacent to the light emitting layer between the electrodes. In this case, the interlayer may also serve as a hole injection layer and / or a hole transport layer.

本発明の電界発光素子は、さらに電極との密着性向上や電極からの電荷(すなわち、正孔または電子)の注入性の改善のために、電極に隣接して絶縁層を設けてもよく、また、界面の密着性向上や混合の防止などのために電荷輸送層(すなわち、正孔輸送層もしくは電子輸送層)または発光層の界面に薄いバッファー層を挿入してもよい。積層する層の順番や数、および各層の厚さについては、発光効率や素子寿命を勘案して適宜設定することができる。   The electroluminescent device of the present invention may further be provided with an insulating layer adjacent to the electrode in order to improve the adhesion with the electrode and improve the injection of charges from the electrode (that is, holes or electrons), In addition, a thin buffer layer may be inserted at the interface of the charge transport layer (that is, the hole transport layer or the electron transport layer) or the light emitting layer in order to improve the adhesion at the interface or prevent mixing. The order and number of layers to be stacked, and the thickness of each layer can be appropriately set in consideration of the light emission efficiency and the element lifetime.

次に、本発明の電界発光素子を構成する各層の材料および形成方法について説明する。   Next, the material and forming method of each layer constituting the electroluminescent element of the present invention will be described.

<基板>
本発明の電界発光素子を構成する基板は、電極を形成し、有機物の層を形成する際に変化しないものであればよく、例えば、ガラス基板、プラスチック基板、高分子フィルム、金属フィルム、シリコン基板、これらを積層したものなどが用いられる。前記基板としては、市販のものが入手可能であり、または公知の方法により製造することができる。
<Board>
The substrate constituting the electroluminescent element of the present invention may be any substrate as long as it does not change when an electrode is formed and an organic layer is formed, for example, a glass substrate, a plastic substrate, a polymer film, a metal film, a silicon substrate. A laminate of these is used. A commercially available substrate is available as the substrate, or can be manufactured by a known method.

本発明の電界発光素子がディスプレイ装置の画素を構成する際には、当該基板上に画素駆動用の回路が設けられていてもよいし、当該駆動回路上に平坦化膜が設けられていてもよい。平坦化膜が設けられる場合には、この平坦化膜の中心線平均粗さ(Ra)がRa<10nmを満たすことが好ましい。なお、Raは、日本工業規格JISのJIS−B0601−2001に基づいて、JIS−B0651からJIS−B0656およびJIS−B0671−1などを参考に計測できる。   When the electroluminescent element of the present invention constitutes a pixel of a display device, a circuit for driving a pixel may be provided on the substrate, or a planarization film may be provided on the drive circuit. Good. When a planarizing film is provided, it is preferable that the center line average roughness (Ra) of the planarizing film satisfies Ra <10 nm. Ra can be measured with reference to JIS-B0651 to JIS-B0656 and JIS-B0671-1 based on JIS-B0601-2001 of Japanese Industrial Standards JIS.

<陽極>
本発明の電界発光素子を構成する陽極は、正孔注入層、正孔輸送層、インターレイヤー、発光層などへの正孔供給性の観点から、陽極の発光層側表面の仕事関数が4.0eV以上のものが好ましい。
<Anode>
The anode constituting the electroluminescent device of the present invention has a work function of 4 on the surface of the anode on the side of the light emitting layer from the viewpoint of supplying holes to the hole injection layer, hole transport layer, interlayer, light emitting layer and the like. The thing of 0 eV or more is preferable.

陽極の材料には、金属、合金、金属酸化物、金属硫化物などの電気伝導性化合物、およびこれらの混合物などを用いることができる。具体的には、酸化錫、酸化亜鉛、酸化インジウム、酸化インジウムスズ(ITO)、酸化インジウム亜鉛(IZO)、酸化モリブデンなどの導電性金属酸化物、金、銀、クロム、ニッケルなどの金属、およびこれらの導電性金属酸化物と金属との混合物などが挙げられる。   As the anode material, metals, alloys, metal oxides, electrically conductive compounds such as metal sulfides, and mixtures thereof can be used. Specifically, tin oxide, zinc oxide, indium oxide, indium tin oxide (ITO), indium zinc oxide (IZO), conductive metal oxides such as molybdenum oxide, metals such as gold, silver, chromium, nickel, and Examples thereof include a mixture of these conductive metal oxides and metals.

前記陽極は、これら材料の1種または2種以上からなる単層構造であってもよいし、同一組成または異種組成の複数層からなる多層構造であってもよい。多層構造である場合は、仕事関数が4.0eV以上である材料を発光層側の最表面層に用いることがより好ましい。   The anode may have a single layer structure composed of one or more of these materials, or may have a multilayer structure composed of a plurality of layers having the same composition or different compositions. In the case of a multilayer structure, it is more preferable to use a material having a work function of 4.0 eV or more for the outermost surface layer on the light emitting layer side.

陽極の作製方法としては、公知の方法が利用でき、真空蒸着法、スパッタリング法、イオンプレーティング法、メッキ法などが挙げられる。これらの方法により作製された陽極には、必要に応じてUVオゾン、シランカップリング剤、2,3,5,6−テトラフルオロ−7,7,8,8−テトラシアノキノジメタンなどの電子受容性化合物を含む溶液などで表面処理を施してもよい。表面処理によってこの陽極に接する有機層との電気的接続を改善することができる。   As a method for producing the anode, a known method can be used, and examples thereof include a vacuum deposition method, a sputtering method, an ion plating method, and a plating method. For the anode prepared by these methods, electrons such as UV ozone, silane coupling agent, 2,3,5,6-tetrafluoro-7,7,8,8-tetracyanoquinodimethane are used as necessary. The surface treatment may be performed with a solution containing a receptive compound. The surface treatment can improve the electrical connection with the organic layer in contact with the anode.

陽極の膜厚は、通常10nm〜10μmであり、好ましくは50nm〜500nmである。また、短絡などの電気的接続の不良を防止する観点から、陽極の発光層側表面の中心線平均粗さ(Ra)はRa<10nmを満たすことが好ましく、Ra<5nmを満たすことがより好ましい。   The film thickness of the anode is usually 10 nm to 10 μm, preferably 50 nm to 500 nm. Further, from the viewpoint of preventing poor electrical connection such as a short circuit, the center line average roughness (Ra) of the light emitting layer side surface of the anode preferably satisfies Ra <10 nm, and more preferably satisfies Ra <5 nm. .

本発明の電界発光素子において陽極を光反射電極として用いる場合には、この陽極は、高光反射性金属からなる光反射層と4.0eV以上の仕事関数を有する材料とを含む高仕事関数材料層を組み合わせた多層構造を有するものであることが好ましい。   When the anode is used as a light reflecting electrode in the electroluminescent element of the present invention, the anode includes a light reflecting layer made of a highly light reflecting metal and a material having a work function of 4.0 eV or higher. It is preferable to have a multilayer structure in which

このような陽極の構成例としては、
(i) Ag−MoO
(ii)(Ag−Pd−Cu合金)−(ITOおよび/またはIZO)
(iii)(Al−Nd合金)−(ITOおよび/またはIZO)
(iv)(Mo−Cr合金)−(ITOおよび/またはIZO)
(v)(Ag−Pd−Cu合金)−(ITOおよび/またはIZO)−MoO
などが挙げられる。十分な光反射率を得るためには、Al、Ag、Al合金、Ag合金、Cr合金などの高光反射性金属層の膜厚は50nm以上であることが好ましく、80nm以上であることがより好ましい。ITO、IZO、MoOなどの高仕事関数材料層の膜厚は、通常5nm〜500nmである。
As a configuration example of such an anode,
(I) Ag-MoO 3
(Ii) (Ag—Pd—Cu alloy) — (ITO and / or IZO)
(Iii) (Al—Nd alloy) — (ITO and / or IZO)
(Iv) (Mo—Cr alloy) — (ITO and / or IZO)
(V) (Ag—Pd—Cu alloy) — (ITO and / or IZO) —MoO 3
Etc. In order to obtain sufficient light reflectance, the film thickness of the highly light-reflective metal layer such as Al, Ag, Al alloy, Ag alloy, Cr alloy is preferably 50 nm or more, and more preferably 80 nm or more. . The film thickness of the high work function material layer such as ITO, IZO, MoO 3 is usually 5 nm to 500 nm.

<正孔注入層>
本発明の電界発光素子を構成する正孔注入層のうち、本発明にかかる前記高分子化合物を含まない正孔注入層、すなわち、その他の正孔注入層を形成する材料としては、カルバゾール誘導体、トリアゾール誘導体、オキサゾール誘導体、オキサジアゾール誘導体、イミダゾール誘導体、ポリアリールアルカン誘導体、ピラゾリン誘導体、ピラゾロン誘導体、フェニレンジアミン誘導体、アリールアミン誘導体、スターバースト型アミン、フタロシアニン誘導体、アミノ置換カルコン誘導体、スチリルアントラセン誘導体、フルオレノン誘導体、ヒドラゾン誘導体、スチルベン誘導体、シラザン誘導体、芳香族第三級アミン化合物、スチリルアミン化合物、芳香族ジメチリディン系化合物、ポルフィリン系化合物、ポリシラン系化合物、ポリ(N−ビニルカルバゾール)誘導体、有機シラン誘導体、およびこれらの構造を含む重合体が挙げられる。また、酸化バナジウム、酸化タンタル、酸化タングステン、酸化モリブデン、酸化ルテニウム、酸化アルミニウムなどの導電性金属酸化物、ポリアニリン、アニリン系共重合体、チオフェンオリゴマー、ポリチオフェンなどの導電性高分子およびオリゴマー、ポリ(3、4−エチレンジオキシチオフェン)・ポリスチレンスルフォン酸、ポリピロールなどの有機導電性材料およびこれらを含む重合体、アモルファスカーボンなどを挙げることができる。さらに、テトラシアノキノジメタン誘導体(例えば、2,3,5,6−テトラフルオロ−7,7,8,8−テトラシアノキノジメタン)、1,4−ナフトキノン誘導体、ジフェノキノン誘導体、ポリニトロ化合物などのアクセプター性有機化合物、オクタデシルトリメトキシシランなどのシランカップリング剤なども好適に使用できる。
<Hole injection layer>
Among the hole injection layers constituting the electroluminescent device of the present invention, the hole injection layer not containing the polymer compound according to the present invention, that is, the other hole injection layer forming material, carbazole derivative, Triazole derivatives, oxazole derivatives, oxadiazole derivatives, imidazole derivatives, polyarylalkane derivatives, pyrazoline derivatives, pyrazolone derivatives, phenylenediamine derivatives, arylamine derivatives, starburst amines, phthalocyanine derivatives, amino-substituted chalcone derivatives, styrylanthracene derivatives, Fluorenone derivatives, hydrazone derivatives, stilbene derivatives, silazane derivatives, aromatic tertiary amine compounds, styrylamine compounds, aromatic dimethylidin compounds, porphyrin compounds, polysilane compounds, poly ( - vinylcarbazole) derivatives, organic silane derivatives, and polymers containing these structures. In addition, conductive metal oxides such as vanadium oxide, tantalum oxide, tungsten oxide, molybdenum oxide, ruthenium oxide, and aluminum oxide, conductive polymers and oligomers such as polyaniline, aniline-based copolymers, thiophene oligomers, and polythiophenes, poly ( 3, 4-ethylenedioxythiophene) -polystyrene sulfonic acid, organic conductive materials such as polypyrrole, polymers containing these, and amorphous carbon. Furthermore, tetracyanoquinodimethane derivatives (for example, 2,3,5,6-tetrafluoro-7,7,8,8-tetracyanoquinodimethane), 1,4-naphthoquinone derivatives, diphenoquinone derivatives, polynitro compounds, etc. An acceptor organic compound, a silane coupling agent such as octadecyltrimethoxysilane, and the like can also be suitably used.

前記材料は単一の成分で用いても複数の成分からなる組成物として用いてもよい。また、前記その他の正孔注入層は、前記材料の1種または2種以上からなる単層構造であってもよいし、同一組成または異種組成の複数層からなる多層構造であってもよい。また、後述する正孔輸送層およびインターレイヤーで用いることができる材料として例示する材料も前記その他の正孔注入層で用いることができる。   The material may be used as a single component or as a composition comprising a plurality of components. In addition, the other hole injection layer may have a single layer structure composed of one or more of the materials, or may have a multilayer structure composed of a plurality of layers having the same composition or different compositions. Moreover, the material illustrated as a material which can be used with the positive hole transport layer and interlayer which are mentioned later can also be used with the said other hole injection layer.

前記その他の正孔注入層の成膜方法としては、公知の種々の方法が利用できる。無機化合物材料の場合は、真空蒸着法、スパッタリング法、イオンプレーティング法などが挙げられ、低分子有機材料の場合は、真空蒸着法、レーザー転写や熱転写などの転写法、溶液からの成膜による方法(高分子バインダーとの混合溶液を用いてもよい)などが挙げられる。また、高分子有機材料の場合は、溶液からの成膜による方法が挙げられる。   Various known methods can be used for forming the other hole injection layer. In the case of inorganic compound materials, examples include vacuum deposition, sputtering, and ion plating. In the case of low-molecular organic materials, vacuum deposition, transfer methods such as laser transfer and thermal transfer, and film formation from solution. And a method (a mixed solution with a polymer binder may be used). In the case of a polymer organic material, a method by film formation from a solution can be mentioned.

正孔注入材料が、ピラゾリン誘導体、アリールアミン誘導体、スチルベン誘導体、トリフェニルジアミン誘導体などの低分子化合物の場合には、真空蒸着法によりその他の正孔注入層を形成することができる。   When the hole injection material is a low molecular compound such as a pyrazoline derivative, an arylamine derivative, a stilbene derivative, or a triphenyldiamine derivative, another hole injection layer can be formed by a vacuum deposition method.

また、本発明にかかる前記高分子化合物以外の高分子化合物バインダーと前記低分子正孔注入材料を分散させた混合溶液を用いて前記その他の正孔注入層を形成することもできる。混合する前記高分子化合物バインダーとしては、電荷輸送を極度に阻害しないものが好ましく、また、可視光に対する吸収が強くないものが好適に用いられる。前記高分子化合物バインダーとしては、ポリ(N−ビニルカルバゾール)、ポリアニリンおよびその誘導体、ポリチオフェンおよびその誘導体、ポリ(p−フェニレンビニレン)およびその誘導体、ポリ(2,5−チエニレンビニレン)およびその誘導体、ポリカーボネート、ポリアクリレート、ポリメチルアクリレート、ポリメチルメタクリレート、ポリスチレン、ポリ塩化ビニル、ポリシロキサンなどが挙げられる。   In addition, the other hole injection layer may be formed using a mixed solution in which a polymer compound binder other than the polymer compound according to the present invention and the low molecular hole injection material are dispersed. As the polymer compound binder to be mixed, those that do not extremely inhibit charge transport are preferable, and those that do not strongly absorb visible light are suitably used. Examples of the polymer compound binder include poly (N-vinylcarbazole), polyaniline and derivatives thereof, polythiophene and derivatives thereof, poly (p-phenylene vinylene) and derivatives thereof, poly (2,5-thienylene vinylene) and derivatives thereof. , Polycarbonate, polyacrylate, polymethyl acrylate, polymethyl methacrylate, polystyrene, polyvinyl chloride, polysiloxane and the like.

溶液からの成膜に用いる溶媒としては、前記正孔注入材料を溶解させるものであればよい。このような溶媒としては、水、クロロホルム、塩化メチレン、ジクロロエタンなどの含塩素溶媒、テトラヒドロフランなどのエーテル溶媒、トルエン、キシレンなどの芳香族炭化水素溶媒、アセトン、メチルエチルケトンなどのケトン溶媒、酢酸エチル、酢酸ブチル、エチルセルソルブアセテートなどのエステル溶媒が挙げられる。   As a solvent used for film formation from a solution, any solvent that dissolves the hole injection material may be used. Examples of such solvents include water, chlorine-containing solvents such as chloroform, methylene chloride, and dichloroethane, ether solvents such as tetrahydrofuran, aromatic hydrocarbon solvents such as toluene and xylene, ketone solvents such as acetone and methyl ethyl ketone, ethyl acetate, and acetic acid. Examples include ester solvents such as butyl and ethyl cellosolve acetate.

溶液からの成膜方法としては、例えば、スピンコート法、キャスティング法、マイクログラビアコート法、グラビアコート法、バーコート法、ロールコート法、ワイアーバーコート法、ディップコート法、スリットコート法、キャピラリーコート法、スプレーコート法、ノズルコート法などのコート法、グラビア印刷法、スクリーン印刷法、フレキソ印刷法、オフセット印刷法、反転印刷法、インクジェットプリント法などの印刷法といった塗布法を用いることができるが、パターン形成が容易であるという点で、グラビア印刷法、スクリーン印刷法、フレキソ印刷法、オフセット印刷法、反転印刷法、インクジェットプリント法などの印刷法やノズルコート法が好ましい。   Examples of the film forming method from the solution include spin coating, casting, micro gravure coating, gravure coating, bar coating, roll coating, wire bar coating, dip coating, slit coating, and capillary coating. Coating methods such as coating methods such as coating, spray coating, nozzle coating, gravure printing, screen printing, flexographic printing, offset printing, reverse printing, and ink jet printing can be used. From the viewpoint of easy pattern formation, a printing method such as a gravure printing method, a screen printing method, a flexographic printing method, an offset printing method, a reverse printing method, an ink jet printing method, or a nozzle coating method is preferable.

前記その他の正孔注入層の膜厚としては、ピンホールが発生しないような厚さが必要であるが、使用する材料によって最適値が異なるため、駆動電圧と発光効率が適度な値となるように選択することが好ましい。このような膜厚としては、1nm〜1μmが好ましく、2nm〜500nmがより好ましく、10nm〜100nmがさらに好ましい。前記その他の正孔注入層の膜厚が前記下限未満になるとピンホールが発生しやすい傾向にあり、他方、前記上限を超えると電界発光素子の駆動電圧が高くなる傾向にある。   The thickness of the other hole injection layer needs to be a thickness that does not cause pinholes, but the optimum value differs depending on the material used, so that the drive voltage and the light emission efficiency are appropriate. It is preferable to select. Such a film thickness is preferably 1 nm to 1 μm, more preferably 2 nm to 500 nm, and still more preferably 10 nm to 100 nm. When the film thickness of the other hole injection layer is less than the lower limit, pinholes tend to be generated. On the other hand, when the film thickness exceeds the upper limit, the driving voltage of the electroluminescent element tends to increase.

本発明の電子発光素子において、本発明にかかる前記高分子化合物を含む正孔注入層や前記その他の正孔注入層に続いて、正孔輸送層、インターレイヤー、発光層などの有機層を形成する場合、特に、両方の層を塗布法によって形成する場合においては、先に塗布した層が後から塗布する層の溶液に含まれる溶媒に溶解して積層構造を形成できなくなることがある。この場合には、下層を溶媒に対して不溶化する方法を用いることが好ましい。溶媒に対して不溶化する方法としては、高分子化合物に架橋基を導入し、これを架橋させて不溶化する方法、芳香族ビスアジドに代表される芳香環を有する架橋基を持った低分子化合物を架橋剤として混合し、これを架橋させて不溶化する方法、アクリレート基に代表される芳香環を有しない架橋基を持った低分子化合物を架橋剤として混合し、これを架橋させて不溶化する方法、下層を紫外光に感光させて架橋させ、上層の形成に用いる溶媒に対して不溶化する方法、下層を加熱して架橋させ、上層の形成に用いる溶媒に対して不溶化する方法などが挙げられる。下層を加熱する場合の加熱の温度は通常100℃〜300℃であり、時間は通常1分〜1時間である。   In the electroluminescent device of the present invention, an organic layer such as a hole transport layer, an interlayer, or a light emitting layer is formed following the hole injection layer containing the polymer compound according to the present invention or the other hole injection layer. In particular, in the case where both layers are formed by a coating method, the previously applied layer may be dissolved in a solvent contained in the solution of the layer to be applied later, and a laminated structure may not be formed. In this case, it is preferable to use a method of insolubilizing the lower layer in the solvent. As a method for insolubilizing in a solvent, a crosslinking group is introduced into a polymer compound, and this is crosslinked to insolubilize, or a low molecular compound having a crosslinking group having an aromatic ring represented by aromatic bisazide is crosslinked. Mixing as an agent and cross-linking it to insolubilize, mixing a low-molecular compound with a cross-linking group that does not have an aromatic ring represented by an acrylate group as a cross-linking agent, cross-linking this to insolubilize, lower layer Are exposed to ultraviolet light to be crosslinked and insolubilized in a solvent used for forming an upper layer, and a method in which a lower layer is heated to be crosslinked and insolubilized in a solvent used for forming an upper layer. When heating the lower layer, the heating temperature is usually 100 ° C. to 300 ° C., and the time is usually 1 minute to 1 hour.

また、架橋以外の方法で下層を溶解させずに積層する方法としては、隣り合った層の形成に異なる極性の溶液を用いる方法が挙げられる。例えば、下層に水溶性の高分子化合物を用い、上層に油溶性の高分子化合物を用いて、上層用の溶液を塗布しても下層が溶解しないようにする方法などが挙げられる。   Moreover, as a method of laminating | stacking without dissolving a lower layer by methods other than bridge | crosslinking, the method of using a different polar solution for formation of an adjacent layer is mentioned. For example, there is a method in which a water-soluble polymer compound is used for the lower layer and an oil-soluble polymer compound is used for the upper layer so that the lower layer does not dissolve even when the upper layer solution is applied.

<正孔輸送層およびインターレイヤー>
本発明の電界発光素子を構成する正孔輸送層およびインターレイヤーを形成する材料としては、カルバゾール誘導体、トリアゾール誘導体、オキサゾール誘導体、オキサジアゾール誘導体、イミダゾール誘導体、ポリアリールアルカン誘導体、ピラゾリン誘導体、ピラゾロン誘導体、フェニレンジアミン誘導体、アリールアミン誘導体、アミノ置換カルコン誘導体、スチリルアントラセン誘導体、フルオレノン誘導体、ヒドラゾン誘導体、スチルベン誘導体、シラザン誘導体、芳香族第三級アミン化合物、スチリルアミン化合物、芳香族ジメチリディン系化合物、ポルフィリン系化合物、ポリシラン系化合物、ポリ(N−ビニルカルバゾール)誘導体、有機シラン誘導体、およびこれらの構造を含む重合体が挙げられる。また、アニリン系共重合体、チオフェンオリゴマー、ポリチオフェンなどの導電性高分子およびオリゴマー、ポリピロールなどの有機導電性材料も挙げられる。
<Hole transport layer and interlayer>
Materials for forming the hole transport layer and the interlayer constituting the electroluminescent device of the present invention include carbazole derivatives, triazole derivatives, oxazole derivatives, oxadiazole derivatives, imidazole derivatives, polyarylalkane derivatives, pyrazoline derivatives, pyrazolone derivatives. , Phenylenediamine derivatives, arylamine derivatives, amino-substituted chalcone derivatives, styrylanthracene derivatives, fluorenone derivatives, hydrazone derivatives, stilbene derivatives, silazane derivatives, aromatic tertiary amine compounds, styrylamine compounds, aromatic dimethylidin compounds, porphyrins Examples thereof include compounds, polysilane compounds, poly (N-vinylcarbazole) derivatives, organosilane derivatives, and polymers containing these structures. In addition, conductive polymers and oligomers such as aniline copolymers, thiophene oligomers, and polythiophenes, and organic conductive materials such as polypyrrole are also included.

前記材料は単一の成分で用いても複数の成分からなる組成物として用いてもよい。また、前記正孔輸送層および前記インターレイヤーは、前記材料の1種または2種以上からなる単層構造であってもよいし、同一組成または異種組成の複数層からなる多層構造であってもよい。また、前記その他の正孔注入層で用いることができる材料として例示した材料も正孔輸送層で用いることができる。   The material may be used as a single component or as a composition comprising a plurality of components. In addition, the hole transport layer and the interlayer may have a single layer structure composed of one or more of the materials, or a multilayer structure composed of a plurality of layers having the same composition or different compositions. Good. Moreover, the material illustrated as a material which can be used with the said other hole injection layer can also be used with a hole transport layer.

また、特開昭63−70257号公報、特開昭63−175860号公報、特開平2−135359号公報、特開平2−135361号公報、特開平2−209988号公報、特開平3−37992号公報、特開平3−152184号公報、特開平5−263073号公報、特開平6−1972号公報、国際公開第2005/52027号パンフレット、特開2006−295203号公報などに記載された化合物が正孔輸送層およびインターレイヤーの材料として使用できる。中でも、繰り返し単位として2価の芳香族アミン残基を含む重合体が好ましい。   JP-A-63-70257, JP-A-63-175860, JP-A-2-135359, JP-A-2-135361, JP-A-2-20988, JP-A-3-37992. JP-A-3-152184, JP-A-5-263073, JP-A-6-1972, WO2005 / 52027 pamphlet, JP-A-2006-295203, etc. are correct. Can be used as material for pore transport layer and interlayer. Among these, a polymer containing a divalent aromatic amine residue as a repeating unit is preferable.

前記2価の芳香族アミン残基としては、下記式(V)で表される基が挙げられる。   Examples of the divalent aromatic amine residue include groups represented by the following formula (V).

Figure 2010171230
Figure 2010171230

前記式(V)中、Ar、Ar、ArおよびArは、それぞれ独立に、置換基を有していてもよいアリーレン基または置換基を有していてもよい2価の複素環基を表し、Ar、ArおよびArは置換基を有していてもよいアリール基または置換基を有していてもよい1価の複素環基を表し、mおよびnは、それぞれ独立に、0または1を表す。 In the formula (V), Ar 2 , Ar 3 , Ar 4 and Ar 5 are each independently an arylene group which may have a substituent or a divalent heterocyclic ring which may have a substituent. Ar 6 , Ar 7 and Ar 8 represent an aryl group which may have a substituent or a monovalent heterocyclic group which may have a substituent, and m 1 and n 3 are Each independently represents 0 or 1.

前記アリーレン基、アリール基、2価の複素環基および1価の複素環基が有していてもよい置換基としては、ハロゲン原子、アルキル基、アルキルオキシ基、アルキルチオ基、アリール基、アリールオキシ基、アリールチオ基、アリールアルキル基、アリールアルキルオキシ基、アリールアルキルチオ基、アルケニル基、アルキニル基、アリールアルケニル基、アリールアルキニル基、アシル基、アシルオキシ基、アミド基、酸イミド基、イミン残基、置換アミノ基、置換シリル基、置換シリルオキシ基、置換シリルチオ基、置換シリルアミノ基、シアノ基、ニトロ基、1価の複素環基、ヘテロアリールオキシ基、ヘテロアリールチオ基、アルキルオキシカルボニル基、アリールオキシカルボニル基、アリールアルキルオキシカルボニル基、ヘテロアリールオキシカルボニル基、カルボキシル基などが挙げられる。前記置換基は、ビニル基、アセチレン基、ブテニル基、アクリル基、アクリレート基、アクリルアミド基、メタクリル基、メタクリレート基、メタクリルアミド基、ビニルエーテル基、ビニルアミノ基、シラノール基、小員環(シクロプロピル基、シクロブチル基、エポキシ基、オキセタン基、ジケテン基、エピスルフィド基など)を有する基、ラクトン基、ラクタム基、またはシロキサン誘導体の構造を含有する基などの架橋基であってもよい。   Examples of the substituent that the arylene group, aryl group, divalent heterocyclic group and monovalent heterocyclic group may have include a halogen atom, an alkyl group, an alkyloxy group, an alkylthio group, an aryl group, and an aryloxy group. Group, arylthio group, arylalkyl group, arylalkyloxy group, arylalkylthio group, alkenyl group, alkynyl group, arylalkenyl group, arylalkynyl group, acyl group, acyloxy group, amide group, acid imide group, imine residue, substitution Amino group, substituted silyl group, substituted silyloxy group, substituted silylthio group, substituted silylamino group, cyano group, nitro group, monovalent heterocyclic group, heteroaryloxy group, heteroarylthio group, alkyloxycarbonyl group, aryloxycarbonyl Group, arylalkyloxycarbonyl group, Hetero aryloxycarbonyl group, and a carboxyl group. The substituent is vinyl group, acetylene group, butenyl group, acrylic group, acrylate group, acrylamide group, methacryl group, methacrylate group, methacrylamide group, vinyl ether group, vinylamino group, silanol group, small ring (cyclopropyl group) , A group having a cyclobutyl group, an epoxy group, an oxetane group, a diketene group, an episulfide group, etc.), a lactone group, a lactam group, or a group containing a structure of a siloxane derivative.

繰り返し単位として2価の芳香族アミン残基を含む重合体は、さらに他の繰り返し単位を有していてもよい。他の繰り返し単位としては、フェニレン基、フルオレンジイル基などのアリーレン基などが挙げられる。なお、これらの重合体のうち、架橋基を含んでいるものがより好ましい。   The polymer containing a divalent aromatic amine residue as a repeating unit may further have another repeating unit. Other repeating units include arylene groups such as a phenylene group and a fluorenediyl group. Of these polymers, those containing a crosslinking group are more preferred.

正孔輸送層およびインターレイヤーの成膜方法としては、前記その他の正孔注入層の成膜方法と同様の方法が挙げられる。溶液からの成膜方法としては、スピンコート法、キャスティング法、バーコート法、スリットコート法、スプレーコート法、ノズルコート法などの塗布法、およびグラビア印刷法、スクリーン印刷法、フレキソ印刷法、インクジェットプリント法などの印刷法が挙げられ、昇華性化合物材料を用いる場合には、真空蒸着法、転写法などが挙げられる。溶液からの成膜に用いる溶媒としては、前記その他の正孔注入層の成膜方法で例示した溶媒が挙げられる。   Examples of the method for forming the hole transport layer and the interlayer include the same methods as those for forming the other hole injection layer. Film formation methods from solution include spin coating, casting, bar coating, slit coating, spray coating, nozzle coating, and other coating methods, as well as gravure printing, screen printing, flexographic printing, and inkjet. Examples of the printing method include a printing method, and in the case of using a sublimable compound material, a vacuum deposition method, a transfer method, and the like. Examples of the solvent used for film formation from a solution include the solvents exemplified above for the other hole injection layer film formation method.

正孔輸送層およびインターレイヤーに続いて、発光層などの有機層を塗布法にて形成する際に、下層が後から塗布する層の溶液に含まれる溶媒に溶解する場合は、正孔注入層の成膜方法において例示した方法と同様の方法で下層を溶媒に対して不溶化することが好ましい。   When an organic layer such as a light-emitting layer is formed by a coating method following the hole transport layer and the interlayer, if the lower layer dissolves in the solvent contained in the solution of the layer to be applied later, the hole injection layer It is preferable to insolubilize the lower layer with respect to the solvent by the same method as exemplified in the film forming method.

正孔輸送層およびインターレイヤーの膜厚は、ピンホールが発生しないような厚さが必要であるが、使用する材料によって最適値が異なるため、駆動電圧と発光効率が適度な値となるように選択することが好ましい。このような膜厚としては、1nm〜1μmが好ましく、2nm〜500nmがより好ましく、5nm〜100nmがさらに好ましい。前記正孔輸送層およびインターレイヤーの膜厚が前記下限未満になるとピンホールが発生しやすい傾向にあり、前記上限を超えると電界発光素子の駆動電圧が高くなる傾向にある。   The film thickness of the hole transport layer and the interlayer should be such that pinholes do not occur, but the optimum values differ depending on the materials used, so that the drive voltage and luminous efficiency are appropriate. It is preferable to select. Such a film thickness is preferably 1 nm to 1 μm, more preferably 2 nm to 500 nm, and still more preferably 5 nm to 100 nm. When the thickness of the hole transport layer and the interlayer is less than the lower limit, pinholes tend to be generated, and when the upper limit is exceeded, the driving voltage of the electroluminescent element tends to increase.

<発光層>
本発明の電界発光素子において発光層が高分子化合物材料を含むものである場合、この高分子化合物材料としては、ポリフルオレン誘導体、ポリパラフェニレンビニレン誘導体、ポリフェニレン誘導体、ポリパラフェニレン誘導体、ポリチオフェン誘導体、ポリジアルキルフルオレン、ポリフルオレンベンゾチアジアゾール、ポリアルキルチオフェンなどの共役高分子化合物が好ましい。
<Light emitting layer>
In the electroluminescent device of the present invention, when the light emitting layer contains a polymer compound material, the polymer compound material includes a polyfluorene derivative, a polyparaphenylene vinylene derivative, a polyphenylene derivative, a polyparaphenylene derivative, a polythiophene derivative, and a polydialkyl. Conjugated polymer compounds such as fluorene, polyfluorene benzothiadiazole and polyalkylthiophene are preferred.

また、これらの高分子化合物材料を含む発光層は、ペリレン系色素、クマリン系色素、ローダミン系色素などの高分子系色素化合物や、ルブレン、ペリレン、9,10−ジフェニルアントラセン、テトラフェニルブタジエン、ナイルレッド、クマリン6、キナクリドンなどの低分子色素化合物を含有していてもよい。また、ナフタレン誘導体、アントラセンおよびその誘導体、ペリレンおよびその誘導体、ポリメチン系、キサンテン系、クマリン系、シアニン系などの色素類、8−ヒドロキシキノリンおよびその誘導体の金属錯体、芳香族アミン、テトラフェニルシクロペンタジエンおよびその誘導体、またはテトラフェニルブタジエンおよびその誘導体、トリス(2−フェニルピリジン)イリジウムなどの燐光を発光する金属錯体を含有していてもよい。   In addition, the light emitting layer containing these polymer compound materials includes polymer dye compounds such as perylene dyes, coumarin dyes, rhodamine dyes, rubrene, perylene, 9,10-diphenylanthracene, tetraphenylbutadiene, and Nile. Low molecular dye compounds such as red, coumarin 6 and quinacridone may be contained. In addition, naphthalene derivatives, anthracene and derivatives thereof, perylene and derivatives thereof, polymethine, xanthene, coumarin, and cyanine dyes, metal complexes of 8-hydroxyquinoline and derivatives thereof, aromatic amines, tetraphenylcyclopentadiene And a derivative thereof, or a metal complex that emits phosphorescence, such as tetraphenylbutadiene and a derivative thereof, tris (2-phenylpyridine) iridium, and the like.

本発明の電界発光素子を構成する発光層は、前記有機色素や前記金属錯体などの発光性有機化合物と非共役高分子化合物とを含む組成物によって構成されていてもよい。このような非共役高分子化合物としては、ポリエチレン、ポリ塩化ビニル、ポリカーボネート、ポリスチレン、ポリメチルメタクリレート、ポリブチルメタクリレート、ポリエステル、ポリスルホン、ポリフェニレンオキシド、ポリブタジエン、ポリ(N−ビニルカルバゾール)、炭化水素樹脂、ケトン樹脂、フェノキシ樹脂、ポリアミド、エチルセルロース、酢酸ビニル、ABS樹脂、ポリウレタン、メラミン樹脂、不飽和ポリエステル樹脂、アルキド樹脂、エポキシ樹脂、シリコン樹脂が挙げられる。   The light emitting layer constituting the electroluminescent element of the present invention may be composed of a composition containing a light emitting organic compound such as the organic dye or the metal complex and a non-conjugated polymer compound. Examples of such non-conjugated polymer compounds include polyethylene, polyvinyl chloride, polycarbonate, polystyrene, polymethyl methacrylate, polybutyl methacrylate, polyester, polysulfone, polyphenylene oxide, polybutadiene, poly (N-vinylcarbazole), hydrocarbon resin, Examples include ketone resins, phenoxy resins, polyamides, ethyl cellulose, vinyl acetate, ABS resins, polyurethanes, melamine resins, unsaturated polyester resins, alkyd resins, epoxy resins, and silicon resins.

また、前記非共役高分子化合物は側鎖にカルバゾール誘導体、トリアゾール誘導体、オキサゾール誘導体、オキサジアゾール誘導体、イミダゾール誘導体、ポリアリールアルカン誘導体、ピラゾリン誘導体、ピラゾロン誘導体、フェニレンジアミン誘導体、アリールアミン誘導体、アミノ置換カルコン誘導体、スチリルアントラセン誘導体、フルオレノン誘導体、ヒドラゾン誘導体、スチルベン誘導体、シラザン誘導体、芳香族第三級アミン化合物、スチリルアミン化合物、芳香族ジメチリディン化合物、ポルフィリン化合物および有機シラン誘導体からなる群から選ばれる1種以上の誘導体または化合物から誘導される構造を有していてもよい。   The non-conjugated polymer compound is a carbazole derivative, triazole derivative, oxazole derivative, oxadiazole derivative, imidazole derivative, polyarylalkane derivative, pyrazoline derivative, pyrazolone derivative, phenylenediamine derivative, arylamine derivative, amino-substituted in the side chain. One selected from the group consisting of chalcone derivatives, styrylanthracene derivatives, fluorenone derivatives, hydrazone derivatives, stilbene derivatives, silazane derivatives, aromatic tertiary amine compounds, styrylamine compounds, aromatic dimethylidin compounds, porphyrin compounds, and organosilane derivatives It may have a structure derived from the above derivatives or compounds.

一方、発光層が低分子化合物材料を含むものである場合、この低分子化合物材料としては、ルブレン、ペリレン、9,10−ジフェニルアントラセン、テトラフェニルブタジエン、ナイルレッド、クマリン6、カルバゾール、キナクリドンなどの低分子色素化合物、ナフタレン誘導体、アントラセンおよびその誘導体、ペリレンおよびその誘導体、ポリメチン系、キサンテン系、クマリン系、シアニン系、インジゴ系などの色素類、8−ヒドロキシキノリンおよびその誘導体の金属錯体、フタロシアニンおよびその誘導体の金属錯体、芳香族アミン、テトラフェニルシクロペンタジエンおよびその誘導体、テトラフェニルブタジエンおよびその誘導体などが挙げられる。   On the other hand, when the light emitting layer contains a low molecular weight compound material, examples of the low molecular weight compound material include low molecular weight compounds such as rubrene, perylene, 9,10-diphenylanthracene, tetraphenylbutadiene, nile red, coumarin 6, carbazole, and quinacridone. Dye compounds, naphthalene derivatives, anthracene and derivatives thereof, perylene and derivatives thereof, polymethine, xanthene, coumarin, cyanine, indigo and other dyes, metal complexes of 8-hydroxyquinoline and derivatives thereof, phthalocyanine and derivatives thereof Metal complexes, aromatic amines, tetraphenylcyclopentadiene and derivatives thereof, tetraphenylbutadiene and derivatives thereof, and the like.

発光層が燐光を発光する金属錯体を含む場合、このような金属錯体としては、トリス(2−フェニルピリジン)イリジウム、チエニルピリジン配位子含有イリジウム錯体、フェニルキノリン配位子含有イリジウム錯体、トリアザシクロノナン骨格含有テルビウム錯体などが挙げられる。   When the light-emitting layer includes a metal complex that emits phosphorescence, such metal complexes include tris (2-phenylpyridine) iridium, thienylpyridine ligand-containing iridium complex, phenylquinoline ligand-containing iridium complex, triaza Examples thereof include a cyclononane skeleton-containing terbium complex.

発光層に用いられる高分子化合物材料としては、国際公開第97/09394号パンフレット、国際公開第98/27136号パンフレット、国際公開第99/54385号パンフレット、国際公開第00/22027号パンフレット、国際公開第01/19834号パンフレット、英国特許出願公開第2340304号明細書、英国特許第2348316号明細書、米国特許第573636号明細書、米国特許第5741921号明細書、米国特許第5777070号明細書、欧州特許第0707020号明細書、特開平9−111233号公報、特開平10−324870号公報、特開平2000−80167号公報、特開2001−123156号公報、特開2004−168999号公報、特開2007−162009号公報、「有機EL素子の開発と構成材料」(シーエムシー出版、2006年発行)などに開示されているポリフルオレン、その誘導体および共重合体、ポリアリーレン、その誘導体および共重合体、ポリアリーレンビニレン、その誘導体および共重合体、芳香族アミンおよびその誘導体の(共)重合体が挙げられる。   Examples of the polymer compound material used in the light emitting layer include International Publication No. 97/09394, International Publication No. 98/27136, International Publication No. 99/54385, International Publication No. 00/22027, and International Publication. No. 01/19834, British Patent Application No. 2340304, British Patent No. 2348316, US Pat. No. 5,736,636, US Pat. No. 5,741,921, US Pat. No. 5,777,070, European Japanese Patent No. 0707020, Japanese Patent Application Laid-Open No. 9-111233, Japanese Patent Application Laid-Open No. 10-324870, Japanese Patent Application Laid-Open No. 2000-80167, Japanese Patent Application Laid-Open No. 2001-123156, Japanese Patent Application Laid-Open No. 2004-168999, Japanese Patent Application Laid-Open No. 2007. -162009, “Yes Polyfluorenes, derivatives and copolymers thereof, polyarylenes, derivatives and copolymers thereof, polyarylene vinylenes, derivatives thereof, and the like disclosed in “EL Element Development and Constituent Materials” (CMC Publishing, 2006) Examples thereof include (co) polymers of copolymers, aromatic amines and derivatives thereof.

また、低分子化合物材料としては、特開昭57−51781号公報、「有機薄膜仕事関数データ集[第2版]」(シーエムシー出版、2006年発行)、「有機EL素子の開発と構成材料」(シーエムシー出版、2006年発行)などに記載されている化合物が挙げられる。   Further, as low molecular compound materials, JP-A-57-51781, “Organic thin film work function data collection [2nd edition]” (CMC Publishing, 2006), “Development of organic EL elements and constituent materials” (SMC Publishing Co., Ltd., published in 2006) and the like.

前記材料は単一の成分で用いても複数の成分からなる組成物として用いてもよい。また、前記発光層は、前記材料の1種または2種以上からなる単層構造であってもよいし、同一組成または異種組成の複数層からなる多層構造であってもよい。   The material may be used as a single component or as a composition comprising a plurality of components. In addition, the light emitting layer may have a single layer structure composed of one or more of the materials, or may have a multilayer structure composed of a plurality of layers having the same composition or different compositions.

発光層の成膜方法としては、前記その他の正孔注入層の成膜方法と同様の方法が挙げられる。溶液からの成膜方法としては、スピンコート法、キャスティング法、バーコート法、スリットコート法、スプレーコート法、ノズルコート法などの塗布法、グラビア印刷法、スクリーン印刷法、フレキソ印刷法、インクジェットプリント法などの印刷法が挙げられ、昇華性化合物材料を用いる場合には、真空蒸着法、転写法などが挙げられる。溶液からの成膜に用いる溶媒としては、前記その他の正孔注入層の成膜方法で例示した溶媒が挙げられる。   Examples of the method for forming the light emitting layer include the same methods as those for forming the other hole injection layer. Film formation methods from solution include spin coating, casting, bar coating, slit coating, spray coating, nozzle coating, and other coating methods, gravure printing, screen printing, flexographic printing, and inkjet printing. Examples of the printing method include a vacuum deposition method and a transfer method. Examples of the solvent used for film formation from a solution include the solvents exemplified above for the other hole injection layer film formation method.

発光層に続いて、電子輸送層などの有機層を塗布法にて形成する際に、下層が後から塗布する層の溶液に含まれる溶媒に溶解する場合は、正孔注入層の成膜方法において例示した方法と同様の方法で下層を溶媒に対して不溶化にすることが好ましい。   When an organic layer such as an electron transport layer is formed by a coating method following the light emitting layer, if the lower layer is dissolved in a solvent contained in a solution of a layer to be applied later, a method for forming a hole injection layer It is preferable that the lower layer is insolubilized with respect to the solvent by the same method as that exemplified in.

発光層の膜厚は、ピンホールが発生しないような厚さが必要であるが、使用する材料によって最適値が異なるため、駆動電圧と発光効率が適度な値となるように選択することが好ましい。このような膜厚としては、5nm〜1μmが好ましく、10nm〜500nmがより好ましく、30nm〜200nmがさらに好ましい。前記発光層の膜厚が前記下限未満になるとピンホールが発生しやすい傾向にあり、前記上限を超えると電界発光素子の駆動電圧が高くなる傾向にある。   The thickness of the light emitting layer needs to be such that pinholes do not occur. However, since the optimum value differs depending on the material used, it is preferable to select the driving voltage and the light emitting efficiency to be appropriate values. . Such a film thickness is preferably 5 nm to 1 μm, more preferably 10 nm to 500 nm, and further preferably 30 nm to 200 nm. When the film thickness of the light emitting layer is less than the lower limit, pinholes tend to occur, and when the film thickness exceeds the upper limit, the driving voltage of the electroluminescent element tends to increase.

<電子輸送層および正孔ブロック層>
本発明の電界発光素子を構成する電子輸送層および正孔ブロック層を形成する材料としては、公知のものが使用でき、トリアゾール誘導体、オキサゾール誘導体、オキサジアゾール誘導体、イミダゾール誘導体、フルオレノン誘導体、ベンゾキノンおよびその誘導体、ナフトキノンおよびその誘導体、アントラキノンおよびその誘導体、テトラシアノアンスラキノジメタンおよびその誘導体、フルオレノン誘導体、ジフェニルジシアノエチレンおよびその誘導体、ジフェノキノン誘導体、アントラキノジメタン誘導体、アントロン誘導体、チオピランジオキシド誘導体、カルボジイミド誘導体、フルオレニリデンメタン誘導体、ジスチリルピラジン誘導体、ナフタレン、ペリレンなどの芳香環テトラカルボン酸無水物、フタロシアニン誘導体、8−キノリノール誘導体の金属錯体やメタルフタロシアニン、ベンゾオキサゾールやベンゾチアゾールを配位子とする金属錯体に代表される各種金属錯体、有機シラン誘導体、8−ヒドロキシキノリンおよびその誘導体の金属錯体、ポリキノリンおよびその誘導体、ポリキノキサリンおよびその誘導体、ポリフルオレンおよびその誘導体などが挙げられる。これらのうち、トリアゾール誘導体、オキサジアゾール誘導体、ベンゾキノンおよびその誘導体、アントラキノンおよびその誘導体、または8−ヒドロキシキノリンおよびその誘導体の金属錯体、ポリキノリンおよびその誘導体、ポリキノキサリンおよびその誘導体、ポリフルオレンおよびその誘導体が好ましい。
<Electron transport layer and hole blocking layer>
As materials for forming the electron transport layer and the hole blocking layer constituting the electroluminescent device of the present invention, known materials can be used, and triazole derivatives, oxazole derivatives, oxadiazole derivatives, imidazole derivatives, fluorenone derivatives, benzoquinone and Its derivatives, naphthoquinone and its derivatives, anthraquinone and its derivatives, tetracyanoanthraquinodimethane and its derivatives, fluorenone derivatives, diphenyldicyanoethylene and its derivatives, diphenoquinone derivatives, anthraquinodimethane derivatives, anthrone derivatives, thiopyran dioxide derivatives , Carbodiimide derivatives, fluorenylidenemethane derivatives, distyrylpyrazine derivatives, aromatic tetracarboxylic anhydrides such as naphthalene and perylene, phthalocyanine derivatives Various metal complexes represented by metal complexes of 8-quinolinol derivatives, metal phthalocyanines, metal complexes having benzoxazole and benzothiazole as ligands, organosilane derivatives, metal complexes of 8-hydroxyquinoline and its derivatives, polyquinoline and its Derivatives, polyquinoxaline and derivatives thereof, polyfluorene and derivatives thereof, and the like. Among these, triazole derivatives, oxadiazole derivatives, benzoquinone and its derivatives, anthraquinone and its derivatives, or metal complexes of 8-hydroxyquinoline and its derivatives, polyquinoline and its derivatives, polyquinoxaline and its derivatives, polyfluorene and its derivatives Is preferred.

前記材料は単一の成分で用いても複数の成分からなる組成物として用いてもよい。また、前記電子輸送層および前記正孔ブロック層は、前記材料の1種または2種以上からなる単層構造であってもよいし、同一組成または異種組成の複数層からなる多層構造であってもよい。また、後述するその他の電子注入層で用いることができる材料として例示する材料も電子輸送層および正孔ブロック層で用いることができる。   The material may be used as a single component or as a composition comprising a plurality of components. Further, the electron transport layer and the hole blocking layer may have a single layer structure composed of one or more of the materials, or a multilayer structure composed of a plurality of layers having the same composition or different compositions. Also good. Moreover, the material illustrated as a material which can be used with the other electron injection layer mentioned later can also be used with an electron carrying layer and a hole block layer.

電子輸送層および正孔ブロック層の成膜方法としては、前記その他の正孔注入層の成膜方法と同様の方法が挙げられる。溶液からの成膜方法としては、スピンコート法、キャスティング法、バーコート法、スリットコート法、スプレーコート法、ノズルコート法などの塗布法、グラビア印刷法、スクリーン印刷法、フレキソ印刷法、インクジェットプリント法などの印刷法が挙げられ、昇華性化合物材料を用いる場合には、真空蒸着法、転写法などが挙げられる。溶液からの成膜に用いる溶媒としては、前記その他の正孔注入層の成膜方法で例示した溶媒が挙げられる。   Examples of the method for forming the electron transport layer and the hole blocking layer include the same methods as those for forming the other hole injection layers. Film formation methods from solution include spin coating, casting, bar coating, slit coating, spray coating, nozzle coating, and other coating methods, gravure printing, screen printing, flexographic printing, and inkjet printing. Examples of the printing method include a vacuum deposition method and a transfer method. Examples of the solvent used for film formation from a solution include the solvents exemplified above for the other hole injection layer film formation method.

電子輸送層および正孔ブロック層に続いて、電子注入層などの有機層を塗布法にて形成する際に、下層が後から塗布する層の溶液に含まれる溶媒に溶解する場合は、正孔注入層の成膜方法において例示した方法と同様の方法で下層を溶媒に対して不溶化することが好ましい。   When an organic layer such as an electron injection layer is formed by a coating method following the electron transport layer and the hole blocking layer, if the lower layer dissolves in the solvent contained in the solution of the layer to be applied later, It is preferable to insolubilize the lower layer in the solvent by the same method as exemplified in the method for forming the injection layer.

電子輸送層および正孔ブロック層の膜厚は、ピンホールが発生しないような厚さが必要であるが、使用する材料によって最適値が異なるため、駆動電圧と発光効率が適度な値となるように選択することが好ましい。このような膜厚としては、1nm〜1μmが好ましく、2nm〜500nmがより好ましく、5nm〜100nmがさらに好ましい。前記電子輸送層および正孔ブロック層の膜厚が前記下限未満になるとピンホールが発生しやすい傾向にあり、他方、前記上限を超えると電界発光素子の駆動電圧が高くなる傾向にある。   The film thickness of the electron transport layer and the hole blocking layer must be such that pinholes do not occur, but the optimum values differ depending on the materials used, so that the drive voltage and light emission efficiency are appropriate. It is preferable to select. Such a film thickness is preferably 1 nm to 1 μm, more preferably 2 nm to 500 nm, and still more preferably 5 nm to 100 nm. When the film thickness of the electron transport layer and the hole blocking layer is less than the lower limit, pinholes tend to be generated. On the other hand, when the film thickness exceeds the upper limit, the driving voltage of the electroluminescent element tends to increase.

<電子注入層>
本発明の電界発光素子を構成する電子注入層のうち、本発明にかかる前記高分子化合物を含まない電子注入層、すなわち、その他の電子注入層を形成する材料としては、公知のものが使用でき、トリアゾール誘導体、オキサゾール誘導体、オキサジアゾール誘導体、イミダゾール誘導体、フルオレノン誘導体、ベンゾキノンおよびその誘導体、ナフトキノンおよびその誘導体、アントラキノンおよびその誘導体、テトラシアノアンスラキノジメタンおよびその誘導体、フルオレノン誘導体、ジフェニルジシアノエチレンおよびその誘導体、ジフェノキノン誘導体、アントラキノジメタン誘導体、アントロン誘導体、チオピランジオキシド誘導体、カルボジイミド誘導体、フルオレニリデンメタン誘導体、ジスチリルピラジン誘導体、ナフタレン、ペリレンなどの芳香環テトラカルボン酸無水物、フタロシアニン誘導体、8−キノリノール誘導体の金属錯体やメタルフタロシアニン、ベンゾオキサゾールやベンゾチアゾールを配位子とする金属錯体に代表される各種金属錯体、有機シラン誘導体などが挙げられる。
<Electron injection layer>
Among the electron injection layers constituting the electroluminescent device of the present invention, known materials can be used as the material for forming the electron injection layer not containing the polymer compound according to the present invention, that is, other electron injection layers. , Triazole derivatives, oxazole derivatives, oxadiazole derivatives, imidazole derivatives, fluorenone derivatives, benzoquinone and its derivatives, naphthoquinone and its derivatives, anthraquinone and its derivatives, tetracyanoanthraquinodimethane and its derivatives, fluorenone derivatives, diphenyldicyanoethylene and Its derivatives, diphenoquinone derivatives, anthraquinodimethane derivatives, anthrone derivatives, thiopyran dioxide derivatives, carbodiimide derivatives, fluorenylidenemethane derivatives, distyrylpyrazine derivatives, naphthalene , Aromatic metal tetracarboxylic anhydrides such as perylene, phthalocyanine derivatives, metal complexes of 8-quinolinol derivatives, metal phthalocyanines, metal complexes represented by benzoxazole and benzothiazole ligands, organosilane derivatives Etc.

前記材料は単一の成分で用いても複数の成分からなる組成物として用いてもよい。また、前記その他の電子注入層は、前記材料の1種または2種以上からなる単層構造であってもよいし、同一組成または異種組成の複数層からなる多層構造であってもよい。また、前記電子輸送層および前記正孔ブロック層で用いることができる材料として例示した材料も前記その他の電子注入層で用いることができる。   The material may be used as a single component or as a composition comprising a plurality of components. In addition, the other electron injection layer may have a single layer structure composed of one or more of the materials, or may have a multilayer structure composed of a plurality of layers having the same composition or different compositions. In addition, materials exemplified as materials that can be used in the electron transport layer and the hole blocking layer can also be used in the other electron injection layers.

前記その他の電子注入層の成膜方法としては、前記その他の正孔注入層の成膜方法と同様の方法が挙げられる。溶液からの成膜方法としては、スピンコート法、キャスティング法、バーコート法、スリットコート法、スプレーコート法、ノズルコート法などの塗布法、グラビア印刷法、スクリーン印刷法、フレキソ印刷法、インクジェットプリント法などの印刷法が挙げられ、昇華性化合物材料を用いる場合には、真空蒸着法、転写法などが挙げられる。溶液からの成膜に用いる溶媒としては、前記その他の正孔注入層の成膜方法で例示した溶媒が挙げられる。   Examples of the method for forming the other electron injection layer include the same method as the method for forming the other hole injection layer. Film formation methods from solution include spin coating, casting, bar coating, slit coating, spray coating, nozzle coating, and other coating methods, gravure printing, screen printing, flexographic printing, and inkjet printing. Examples of the printing method include a vacuum deposition method and a transfer method. Examples of the solvent used for film formation from a solution include the solvents exemplified above for the other hole injection layer film formation method.

前記その他の電子注入層の膜厚は、ピンホールが発生しないような厚さが必要であるが、使用する材料によって最適値が異なるため、駆動電圧と発光効率が適度な値となるように選択することが好ましい。このような膜厚としては、1nm〜1μmが好ましく、2nm〜500nmがより好ましく、5nm〜100nmがさらに好ましい。前記その他の電子注入層の膜厚が前記下限未満になるとピンホールが発生しやすい傾向にあり、他方、前記上限を超えると電界発光素子の駆動電圧が高くなる傾向にある。   The film thickness of the other electron injection layer must be such that pinholes do not occur, but the optimum value differs depending on the material used, so the drive voltage and light emission efficiency are selected to be appropriate values. It is preferable to do. Such a film thickness is preferably 1 nm to 1 μm, more preferably 2 nm to 500 nm, and still more preferably 5 nm to 100 nm. When the film thickness of the other electron injection layer is less than the lower limit, pinholes tend to be generated. On the other hand, when the film thickness exceeds the upper limit, the driving voltage of the electroluminescent element tends to increase.

<陰極>
本発明の電界発光素子において、陰極は、発光層、電子輸送層、正孔ブロック層、電子注入層などに隣接して、これらの層へ電子を供給する機能を有するものである。陰極は、単一の材料または複数の材料からなる単層構造であってもよいし、複数層からなる多層構造であってもよい。多層構造である場合、第一陰極層とカバー陰極層の2層構造または第一陰極層、第二陰極層およびカバー陰極層の3層構造が好ましい。ここで、第一陰極層は、陰極の中で最も発光層側にある層をいい、カバー陰極層は2層構造の場合は第一陰極層を、3層構造の場合は第一陰極層と第二陰極層を覆う層をいう。
<Cathode>
In the electroluminescent device of the present invention, the cathode has a function of supplying electrons to these layers adjacent to the light emitting layer, the electron transport layer, the hole blocking layer, the electron injection layer, and the like. The cathode may have a single layer structure made of a single material or a plurality of materials, or may have a multilayer structure made of a plurality of layers. In the case of a multilayer structure, a two-layer structure of a first cathode layer and a cover cathode layer or a three-layer structure of a first cathode layer, a second cathode layer and a cover cathode layer is preferable. Here, the first cathode layer refers to the layer closest to the light emitting layer in the cathode, and the cover cathode layer is the first cathode layer in the case of a two-layer structure, and the first cathode layer in the case of a three-layer structure. A layer covering the second cathode layer.

前記陰極のうち、電子供給能の観点から、第一陰極層の材料の仕事関数が3.5eV以下のものが好ましい。第一陰極層の材料としては、仕事関数が3.5eV以下である、金属の酸化物、フッ化物、炭酸化物、複合酸化物などが好適に用いられる。また、カバー陰極層の材料には、抵抗率が低く、水分への耐腐食性が高い金属、金属酸化物などが好適に用いられる。   Among the cathodes, the material of the first cathode layer preferably has a work function of 3.5 eV or less from the viewpoint of electron supply capability. As the material for the first cathode layer, metal oxides, fluorides, carbonates, composite oxides, and the like having a work function of 3.5 eV or less are preferably used. As the material for the cover cathode layer, a metal, metal oxide, or the like having a low resistivity and high corrosion resistance to moisture is preferably used.

第一陰極層の材料としては、アルカリ金属やアルカリ土類金属、前記金属を1種類以上含む合金、前記金属の酸化物、ハロゲン化物、炭酸化物、複合酸化物、およびこれらの混合物などが挙げられる。前記アルカリ金属またはその酸化物、ハロゲン化物、炭酸化物、複合酸化物としては、リチウム、ナトリウム、カリウム、ルビジウム、セシウム、酸化リチウム、酸化ナトリウム、酸化カリウム、酸化ルビジウム、酸化セシウム、フッ化リチウム、フッ化ナトリウム、フッ化カリウム、フッ化ルビジウム、フッ化セシウム、炭酸リチウム、炭酸ナトリウム、炭酸カリウム、炭酸ルビジウム、炭酸セシウム、モリブデン酸カリウム、チタン酸カリウム、タングステン酸カリウム、モリブデン酸セシウムなどが挙げられる。前記アルカリ土類金属またはその酸化物、ハロゲン化物、炭酸化物、複合酸化物としては、マグネシウム、カルシウム、ストロンチウム、バリウム、酸化マグネシウム、酸化カルシウム、酸化ストロンチウム、酸化バリウム、フッ化マグネシウム、フッ化カルシウム、フッ化ストロンチウム、フッ化バリウム、炭酸マグネシウム、炭酸カルシウム、炭酸ストロンチウム、炭酸化バリウム、モリブデン酸バリウム、タングステン酸バリウムなどが挙げられる。前記アルカリ金属または前記アルカリ土類金属を1種類以上含む合金としては、Li−Al合金、Mg−Ag合金、Al−Ba合金、Mg−Ba合金、Ba−Ag合金、Ca−Bi−Pb−Sn合金などが挙げられる。また、第一陰極層の材料として例示した材料と電子注入層を構成する材料として例示した材料とを含む組成物も第一陰極層に使用できる。第二陰極層の材料としては、第一陰極層の材料と同様の材料が挙げられる。   Examples of the material for the first cathode layer include alkali metals and alkaline earth metals, alloys containing one or more of the metals, oxides of the metals, halides, carbonates, composite oxides, and mixtures thereof. . Examples of the alkali metal or its oxide, halide, carbonate and composite oxide include lithium, sodium, potassium, rubidium, cesium, lithium oxide, sodium oxide, potassium oxide, rubidium oxide, cesium oxide, lithium fluoride, fluorine. Examples thereof include sodium fluoride, potassium fluoride, rubidium fluoride, cesium fluoride, lithium carbonate, sodium carbonate, potassium carbonate, rubidium carbonate, cesium carbonate, potassium molybdate, potassium titanate, potassium tungstate, and cesium molybdate. Examples of the alkaline earth metal or its oxide, halide, carbonate and composite oxide include magnesium, calcium, strontium, barium, magnesium oxide, calcium oxide, strontium oxide, barium oxide, magnesium fluoride, calcium fluoride, Examples include strontium fluoride, barium fluoride, magnesium carbonate, calcium carbonate, strontium carbonate, barium carbonate, barium molybdate, and barium tungstate. Examples of the alloy containing at least one alkali metal or alkaline earth metal include Li—Al alloy, Mg—Ag alloy, Al—Ba alloy, Mg—Ba alloy, Ba—Ag alloy, and Ca—Bi—Pb—Sn. An alloy etc. are mentioned. Moreover, the composition containing the material illustrated as a material of a 1st cathode layer and the material illustrated as a material which comprises an electron injection layer can also be used for a 1st cathode layer. Examples of the material for the second cathode layer include the same materials as the material for the first cathode layer.

カバー陰極層材料としては、金、銀、銅、アルミニウム、クロム、スズ、鉛、ニッケル、チタンなどの低抵抗金属およびこれらを含む合金、酸化錫、酸化亜鉛、酸化インジウム、酸化インジウムスズ(ITO)、酸化インジウム亜鉛(IZO)、酸化モリブデンなどの導電性金属酸化物、さらにこれらの導電性金属酸化物と金属との混合物などが挙げられる。   Cover cathode layer materials include low resistance metals such as gold, silver, copper, aluminum, chromium, tin, lead, nickel, titanium and alloys containing these metals, tin oxide, zinc oxide, indium oxide, indium tin oxide (ITO) And conductive metal oxides such as indium zinc oxide (IZO) and molybdenum oxide, and a mixture of these conductive metal oxides and metals.

陰極が多層構造である場合の例としては、Mg/Al、Ca/Al、Ba/Al、NaF/Al、KF/Al、RbF/Al、CsF/Al、NaCO/Al、KCO/Al、CsCO/Alなどの第一陰極層/カバー陰極層の2層構造、LiF/Ca/Al、NaF/Ca/Al、KF/Ca/Al、RbF/Ca/Al、CsF/Ca/Al、Ba/Al/Ag、KF/Al/Ag、KF/Ca/Ag、KCO/Ca/Agなどの第一陰極層/第二陰極層/カバー陰極層の3層構造が挙げられる(ここで、符号「/」は各層が隣接している事を示す)。なお、第二陰極層の材料が第一陰極層の材料に対して還元作用を有することが好ましい。ここで、材料間の還元作用の有無・程度は、例えば、化合物間の結合解離エネルギー(ΔrH°)から見積もることができる。すなわち、第二陰極層を構成する材料による、第一陰極層を構成する材料に対する還元反応において、結合解離エネルギーが正であるような組み合わせである場合、第二陰極層の材料が第一陰極層の材料に対して還元作用を有するといえる。結合解離エネルギーは、例えば「電気化学便覧第5版」(丸善、2000年発行)、「熱力学データベースMALT」(科学技術社、1992年発行)などで参照できる。 Examples of when the cathode is a multilayer structure, Mg / Al, Ca / Al , Ba / Al, NaF / Al, KF / Al, RbF / Al, CsF / Al, Na 2 CO 3 / Al, K 2 CO 3 / Al, Cs 2 CO 3 / Al, etc., the first cathode layer / cover cathode layer two-layer structure, LiF / Ca / Al, NaF / Ca / Al, KF / Ca / Al, RbF / Ca / Al, CsF / Ca / Al, Ba / Al / Ag, KF / Al / Ag, KF / Ca / Ag, K 2 CO 3 / Ca / Ag, etc., three-layer structure of first cathode layer / second cathode layer / cover cathode layer (Here, the symbol “/” indicates that the layers are adjacent to each other). The material of the second cathode layer preferably has a reducing action on the material of the first cathode layer. Here, the presence / absence / degree of the reducing action between materials can be estimated from, for example, bond dissociation energy (ΔrH °) between compounds. That is, in a reduction reaction of the material constituting the second cathode layer to the material constituting the first cathode layer, when the combination is such that the bond dissociation energy is positive, the material of the second cathode layer is the first cathode layer It can be said that this material has a reducing action. The bond dissociation energy can be referred to, for example, in “Electrochemical Handbook 5th Edition” (Maruzen, published in 2000), “Thermodynamic Database MALT” (Science and Technology, published in 1992), and the like.

陰極の作製においては公知の種々の方法が利用でき、真空蒸着法、スパッタリング法、イオンプレーティング法などが挙げられる。金属、金属の酸化物、フッ化物、炭酸化物を用いる場合は真空蒸着法が多用され、高沸点の金属酸化物、金属複合酸化物や酸化インジウムスズ(ITO)などの導電性金属酸化物を用いる場合は、スパッタリング法、イオンプレーティング法が多用される。異種材料との組成物を成膜する場合には、共蒸着法、スパッタリング法、イオンプレーティング法などが用いられる。特に、低分子有機物と金属または金属の酸化物、フッ化物、炭酸化物とを含む組成物を成膜する場合には共蒸着法が適する。   Various known methods can be used for producing the cathode, and examples thereof include vacuum deposition, sputtering, and ion plating. When using metals, metal oxides, fluorides, and carbonates, vacuum evaporation is often used, and high-boiling metal oxides, metal composite oxides, and conductive metal oxides such as indium tin oxide (ITO) are used. In this case, sputtering and ion plating are frequently used. In the case of forming a composition with a different material, a co-evaporation method, a sputtering method, an ion plating method, or the like is used. In particular, a co-evaporation method is suitable for forming a film containing a low molecular organic substance and a metal or metal oxide, fluoride, or carbonate.

陰極の膜厚は、用いる材料、層構造によって最適値が異なり、駆動電圧、発光効率、素子寿命が適度な値となるように選択すればよい。通常、第一陰極層の膜厚は0.5nm〜20nmであり、カバー陰極層の膜厚は10nm〜1μmである。第一陰極層にBaまたはCa、カバー陰極層にAlを用いる場合、BaまたはCaの膜厚は2nm〜10nm、Alの膜厚は10nm〜500nmであることが好ましく、第一陰極層にNaFまたはKF、カバー陰極層にAlを用いる場合、NaFまたはKFの膜厚は1nm〜8nm、Alの膜厚は10nm〜500nmであることが好ましい。   The film thickness of the cathode varies depending on the material used and the layer structure, and may be selected so that the driving voltage, the light emission efficiency, and the element lifetime are appropriate. Usually, the film thickness of the first cathode layer is 0.5 nm to 20 nm, and the film thickness of the cover cathode layer is 10 nm to 1 μm. When Ba or Ca is used for the first cathode layer and Al is used for the cover cathode layer, the film thickness of Ba or Ca is preferably 2 nm to 10 nm, and the film thickness of Al is preferably 10 nm to 500 nm. When Al is used for KF and the cover cathode layer, the film thickness of NaF or KF is preferably 1 nm to 8 nm, and the film thickness of Al is preferably 10 nm to 500 nm.

本発明の電界発光素子において陰極を光透過性電極として用いる場合には、カバー陰極層の可視光透過率が40%以上、好ましくは50%以上であることが好ましい。この可視光透過率は、カバー陰極層材料として酸化インジウムスズ(ITO)、酸化インジウム亜鉛(IZO)、酸化モリブデンなどの透明導電性金属酸化物を用いるか、或いは、金、銀、銅、アルミニウム、クロム、スズ、鉛などの低抵抗金属およびこれらを含む合金を用いたカバー陰極層の膜厚を30nm以下にすることで達成することができる。第一陰極層にBaを5nm、第二陰極層にAlを1nm、カバー陰極層にAgを15nm積層させた陰極構造の場合、陰極の可視光透過率は50%となる。   When the cathode is used as the light transmissive electrode in the electroluminescent element of the present invention, the visible light transmittance of the cover cathode layer is preferably 40% or more, and preferably 50% or more. This visible light transmittance is obtained by using a transparent conductive metal oxide such as indium tin oxide (ITO), indium zinc oxide (IZO), and molybdenum oxide as a cover cathode layer material, or gold, silver, copper, aluminum, This can be achieved by setting the film thickness of the cover cathode layer using a low-resistance metal such as chromium, tin, or lead and an alloy containing these metals to 30 nm or less. In the case of a cathode structure in which 5 nm of Ba is laminated on the first cathode layer, 1 nm of Al is laminated on the second cathode layer, and 15 nm of Ag is laminated on the cover cathode layer, the visible light transmittance of the cathode is 50%.

また、陰極側からの光透過率を向上させるために、陰極のカバー陰極層上に反射防止層を設けてもよい。反射防止層に用いられる材料としては、屈折率が1.8〜3.0である材料が好ましく、ZnS、ZnSe、WOなどが挙げられる。反射防止層の膜厚は、材料の組み合せによって異なるが、通常10nm〜150nmである。第一陰極層としてBaを5nm、第二陰極層としてAlを1nm、カバー陰極層としてAgを15nm積層させた場合、カバー陰極層に接して反射防止層としてWOを21nm積層させると、発光層側からの光透過率は10%程度向上する。 Further, in order to improve the light transmittance from the cathode side, an antireflection layer may be provided on the cover cathode layer of the cathode. Examples of the material used for the antireflection layer, the refractive index is preferably the material is 1.8 to 3.0, ZnS, ZnSe, etc. WO 3 and the like. The film thickness of the antireflection layer varies depending on the combination of materials, but is usually 10 nm to 150 nm. When 5 nm of Ba is laminated as the first cathode layer, 1 nm of Al is laminated as the second cathode layer, and 15 nm of Ag is laminated as the cover cathode layer, 21 nm of WO 3 is laminated as the antireflection layer in contact with the cover cathode layer. The light transmittance from the side is improved by about 10%.

<絶縁層>
本発明の電界発光素子は、絶縁層を備えていてもよい。絶縁層の膜厚は5nm以下であり、このような絶縁層は、電極との密着性向上、電極からの電荷(即ち正孔または電子)注入改善、隣接層との混合防止などの機能を有するものである。前記絶縁層の材料としては、金属フッ化物、金属酸化物、有機絶縁材料(ポリメチルメタクリレートなど)などが挙げられる。膜厚5nm以下の絶縁層を設けた電界発光素子としては、陰極に隣接して膜厚5nm以下の絶縁層を設けたもの、陽極に隣接して膜厚5nm以下の絶縁層を設けたものが挙げられる。
<Insulating layer>
The electroluminescent element of the present invention may include an insulating layer. The thickness of the insulating layer is 5 nm or less, and such an insulating layer has functions such as improving adhesion with the electrode, improving charge injection from the electrode (ie, holes or electrons), and preventing mixing with adjacent layers. Is. Examples of the material for the insulating layer include metal fluorides, metal oxides, organic insulating materials (such as polymethyl methacrylate), and the like. As an electroluminescent element provided with an insulating layer having a thickness of 5 nm or less, an element having an insulating layer having a thickness of 5 nm or less adjacent to the cathode and an insulating layer having a thickness of 5 nm or less adjacent to the anode are provided. Can be mentioned.

本発明の電界発光素子は、例えば、基板上に各層を順次積層することにより製造することができる。具体的には、基板上に陽極を形成し、その上に正孔注入層を形成し、必要に応じてその上に正孔輸送層、インターレイヤーなどの層を形成し、その上に発光層を形成し、必要に応じてその上に電子輸送層、正孔ブロック層などの層を形成し、その上に電子注入層を形成し、さらにその上に陰極を形成することにより製造することができる。   The electroluminescent element of the present invention can be produced, for example, by sequentially laminating each layer on a substrate. Specifically, an anode is formed on a substrate, a hole injection layer is formed thereon, a layer such as a hole transport layer or an interlayer is formed thereon as necessary, and a light emitting layer is formed thereon. Can be manufactured by forming a layer such as an electron transport layer and a hole blocking layer thereon, forming an electron injection layer thereon, and further forming a cathode thereon. it can.

また、本発明の電界発光素子を用いることにより、高輝度のディスプレイ装置を製造することができる。このディスプレイ装置は、本発明の電界発光素子を1画素単位として備えるものである。画素単位の配列の態様は、テレビなどのディスプレイ装置で通常採られる配列とすることができ、多数の画素が共通の基板上に配列された態様とすることができる。このようなディスプレイ装置において、基板上に配列される画素は、バンクで規定される画素領域内に形成することができる。   In addition, by using the electroluminescent element of the present invention, a display device with high luminance can be manufactured. This display device is provided with the electroluminescent element of the present invention as a pixel unit. The arrangement form of the pixel unit can be an arrangement usually adopted in a display device such as a television, and can be an arrangement in which a large number of pixels are arranged on a common substrate. In such a display device, the pixels arranged on the substrate can be formed in a pixel region defined by the bank.

前記ディスプレイ装置は、発光層などを挟んで基板と反対側に、封止部材を備えることができる。また、カラーフィルターまたは蛍光変換フィルターなどのフィルター、画素の駆動に必要な回路および配線などの、ディスプレイ装置を構成するための任意の部材を備えることができる。   The display device may include a sealing member on the side opposite to the substrate with the light emitting layer or the like interposed therebetween. In addition, any member for constituting the display device such as a filter such as a color filter or a fluorescence conversion filter, a circuit and a wiring necessary for driving the pixel, and the like can be provided.

<光電変換素子>
次に、本発明の電子素子が光電変換素子である場合(以下、「本発明の光電変換素子」という。)について説明する。本発明の光電変換素子は、陰極と、陽極と、該陰極と該陽極との間に配置された電荷分離層と、前記陰極と該電荷分離層との間または前記陽極と該電荷分離層との間に配置された本発明にかかる前記高分子化合物を含む電荷注入層とを備えるものである。
<Photoelectric conversion element>
Next, the case where the electronic device of the present invention is a photoelectric conversion device (hereinafter referred to as “the photoelectric conversion device of the present invention”) will be described. The photoelectric conversion element of the present invention includes a cathode, an anode, a charge separation layer disposed between the cathode and the anode, and between the cathode and the charge separation layer or between the anode and the charge separation layer. And a charge injection layer containing the polymer compound according to the present invention disposed between the two.

本発明の光電変換素子の電荷分離層には、電子供与性化合物と電子受容性化合物とが含まれている。電子供与性化合物としては、共役高分子化合物が挙げられ、チオフェンジイル基を含む高分子化合物、フルオレンジイル基を含む高分子化合物などが好ましい。また、電子受容性化合物としては、フラーレンおよびフラーレン誘導体などが挙げられる。   The charge separation layer of the photoelectric conversion element of the present invention contains an electron donating compound and an electron accepting compound. Examples of the electron donating compound include a conjugated polymer compound, and a polymer compound containing a thiophenediyl group, a polymer compound containing a fluorenediyl group, and the like are preferable. Examples of the electron accepting compound include fullerene and fullerene derivatives.

本発明の光電変換素子は、通常は支持基板上に形成される。このような支持基板としては有機光電変換素子としての特性を阻害しないものであればよく、ガラス基板やフレキシブルなフィルム基板やプラスチック基板を用いることができる。   The photoelectric conversion element of the present invention is usually formed on a support substrate. Such a support substrate may be any substrate that does not impair the characteristics of the organic photoelectric conversion element, and a glass substrate, a flexible film substrate, or a plastic substrate can be used.

本発明の光電変換素子は、公知の方法、例えば、Synth.Met.,102,982(1999)やScience,270,1789(1995)に記載の方法により製造することができる。   The photoelectric conversion element of the present invention can be produced by a known method, for example, Synth. Met. , 102, 982 (1999) and Science, 270, 1789 (1995).

以下、実施例および比較例に基づいて本発明を説明する。なお、重合体の構造分析および分子量測定は以下の方法により実施した。   Hereinafter, the present invention will be described based on examples and comparative examples. The structural analysis and molecular weight measurement of the polymer were carried out by the following methods.

<重合体の構造分析>
重合体を20mg/mLの濃度になるように重メタノールに溶解し、NMRスペクトロメーター(実施例1:日本電子(JEOL)(株)製「EX−270」、調製例1:Varian社製「300MHzNMRスペクトロメーター」)を用いてH−NMR測定を行った。
<Structural analysis of polymer>
The polymer was dissolved in deuterated methanol to a concentration of 20 mg / mL, and an NMR spectrometer (Example 1: “EX-270” manufactured by JEOL Ltd., Preparation Example 1: “300 MHz NMR” manufactured by Varian Inc. 1 H-NMR measurement was performed using a spectrometer ”).

<重合体の分子量測定>
実施例1では、前記H−NMR測定において得られたNMRチャートから積分比を算出し、得られた積分比から重合体の分子量を求めた。調製例1では、重合体の濃度が約0.5質量%になるように重合体を含む溶液にテトラヒドロフランを添加して重合体を溶解させ、ゲルパーミエーションクロマトグラフィー(GPC)(東ソー(株)製「HLC−8220GPC」、カラム:TSKgel SuperMultipore HZ−M、TSKgel guard column Super MPHZ−M)を用いて標準ポリスチレン換算の数平均分子量および重量平均分子量を求めた。GPCにおけるサンプル注入量は50μlとし、GPCの移動相としてはテトラヒドロフラン(流速:0.5ml/min)を用いた。
<Measurement of molecular weight of polymer>
In Example 1, the calculating the integral ratio from the NMR chart obtained in the 1 H-NMR measurement, molecular weight was determined from the obtained integral ratio polymer. In Preparation Example 1, tetrahydrofuran was added to a solution containing the polymer so that the concentration of the polymer was about 0.5% by mass to dissolve the polymer, and gel permeation chromatography (GPC) (Tosoh Corporation) The number average molecular weight and weight average molecular weight in terms of standard polystyrene were determined using “HLC-8220GPC” manufactured by HLC-8220 GPC, column: TSKgel SuperMultipore HZ-M, TSKgel guard column super MPHZ-M). The sample injection volume in GPC was 50 μl, and tetrahydrofuran (flow rate: 0.5 ml / min) was used as the mobile phase of GPC.

(実施例1)
ポリビオロゲン(高分子化合物1)の合成
ジエチレングリコール(3.4g、32mmol)、トリエチルアミン(1.62g、16mmol)を100mLのナスフラスコに入れ、ジクロロメタン(40ml)に溶解した後、p−塩化トルエンスルホニル(1.53g、8mmol)のジクロロメタン(20ml)溶液を前記ナスフラスコに滴下した。得られた溶液を室温で20時間攪拌した後、反応溶液を1mol/Lの硫酸水素カリウム水溶液と5質量%の炭酸水素ナトリウム水溶液で分液抽出し、有機層を硫酸ナトリウムで乾燥した。得られた溶液を減圧濃縮した後、シリカゲルカラムクロマトグラフィー(溶離液として酢酸エチル:ヘキサン=9:1の混合液を使用)により精製し、カラム処理液を減圧濃縮することにより透明なオイル(1.31g)を得た。
Example 1
Synthesis of polyviologen (polymer compound 1) Diethylene glycol (3.4 g, 32 mmol) and triethylamine (1.62 g, 16 mmol) were placed in a 100 mL eggplant flask, dissolved in dichloromethane (40 ml), and then p-toluenesulfonyl chloride ( 1.53 g, 8 mmol) in dichloromethane (20 ml) was added dropwise to the eggplant flask. After stirring the obtained solution at room temperature for 20 hours, the reaction solution was subjected to liquid separation extraction with a 1 mol / L potassium hydrogen sulfate aqueous solution and a 5 mass% sodium hydrogen carbonate aqueous solution, and the organic layer was dried over sodium sulfate. The resulting solution was concentrated under reduced pressure, purified by silica gel column chromatography (using a mixed solution of ethyl acetate: hexane = 9: 1 as an eluent), and the column treatment liquid was concentrated under reduced pressure to obtain a clear oil (1 .31 g) was obtained.

次に、このオイル(1.31g)とアントラルフィン(0.41g、1.7mmol)、トリフェニルホスフィン(1.31g、5.0mmol)を50mLのシュレンクフラスコに入れ、フラスコ内をアルゴンで置換し、0℃に冷却した。このシュレンクフラスコにテトラヒドロフラン(10ml)を添加した後、テトラヒドロフラン5mlで希釈したアゾジカルボン酸ジエチルのトルエン溶液(2.2mol/l、2.3ml)を滴下し、1日間攪拌した。反応溶液を濃縮した後、ジクロロメタンを加えて水で分液抽出した。有機層を抽出後、抽出液を減圧濃縮し、シリカゲルカラムクロマトグラフィー(溶離液として酢酸エチル:ヘキサン=5:1の混合液を使用)により精製し、カラム処理液を減圧濃縮することにより黄色粉末(0.53g)を得た。   Next, this oil (1.31 g), anthralphine (0.41 g, 1.7 mmol) and triphenylphosphine (1.31 g, 5.0 mmol) were put into a 50 mL Schlenk flask, and the inside of the flask was replaced with argon. And cooled to 0 ° C. After adding tetrahydrofuran (10 ml) to the Schlenk flask, a toluene solution of diethyl azodicarboxylate (2.2 mol / l, 2.3 ml) diluted with 5 ml of tetrahydrofuran was added dropwise and stirred for 1 day. The reaction solution was concentrated, dichloromethane was added, and the mixture was extracted with water. After extracting the organic layer, the extract is concentrated under reduced pressure and purified by silica gel column chromatography (using a mixture of ethyl acetate: hexane = 5: 1 as the eluent), and the column treatment solution is concentrated under reduced pressure to give a yellow powder. (0.53 g) was obtained.

次に、この黄色粉末(0.53g、0.7mmol)と4,4’−ビピリジル(0.11g、0.7mmol)を20mLのナスフラスコに入れ、フラスコ内をアルゴンで置換した。このナスフラスコにN,N’−ジメチルホルムアミド(5ml)を添加し、80℃で5日間攪拌した。反応溶液を濃縮した後、濃縮液を酢酸エチルに添加した。生じた沈殿物を濾過により収集し、減圧乾燥することにより高分子化合物1(426mg)を得た。得られた高分子化合物1をH−NMR測定により同定し、下記式(P1): Next, this yellow powder (0.53 g, 0.7 mmol) and 4,4′-bipyridyl (0.11 g, 0.7 mmol) were placed in a 20 mL eggplant flask, and the inside of the flask was replaced with argon. N, N′-dimethylformamide (5 ml) was added to the eggplant flask and stirred at 80 ° C. for 5 days. After the reaction solution was concentrated, the concentrated solution was added to ethyl acetate. The resulting precipitate was collected by filtration and dried under reduced pressure to obtain polymer compound 1 (426 mg). The obtained polymer compound 1 was identified by 1 H-NMR measurement, and the following formula (P1):

Figure 2010171230
Figure 2010171230

で表される繰り返し単位を有することを確認した。その結果を以下に示す。
H−NMR(270MHz、溶媒:重メタノール):2.34、2.66、2.69、2.89、3.33、3.36、3.76、3.78、3.9〜4.0(br)、4.1〜4.4(br)、4.78、7.18、7.21、7.32、7.35、7.38〜7.42(br)、7.68、7.71、7.75〜7.82(br)、7.88、7.90、8.2〜8.3(br)、8.3〜8.5(br)、8.99、9.02、9.08〜9.13(br)、9.17〜9.26(br)
It was confirmed to have a repeating unit represented by The results are shown below.
1 H-NMR (270 MHz, solvent: deuterated methanol): 2.34, 2.66, 2.69, 2.89, 3.33, 3.36, 3.76, 3.78, 3.9-4 0.0 (br), 4.1-4.4 (br), 4.78, 7.18, 7.21, 7.32, 7.35, 7.38-7.42 (br), 7. 68, 7.71, 7.75 to 7.82 (br), 7.88, 7.90, 8.2 to 8.3 (br), 8.3 to 8.5 (br), 8.99 9.02, 9.08 to 9.13 (br), 9.17 to 9.26 (br)

また、得られたNMRチャートから高分子化合物1の分子量を算出したところ、1643であった。   Moreover, it was 1643 when the molecular weight of the high molecular compound 1 was computed from the obtained NMR chart.

(調製例1)
ポリウレタンナトリウム塩(高分子化合物2)の合成
1,3−ブタンジオール(1.0g)、ジブチルスズジラウレート(7.5mg)、ジメチルオールプロピオン酸(0.5g)を100mLのフラスコに入れ、ジメチルホルムアミド(50mL)を添加し、90℃で30分間撹拌した。得られた溶液にイソホロンジイソシアネート(3.3g)を添加し、90℃で3時間加熱した。この段階で、得られた重合体を含む溶液について前記方法に従ってGPC測定を行い、重合体の分子量を算出したところ、数平均分子量は1900であり、重量平均分子量は3000であった。その後、60℃に降温し、1mol/Lの水酸化ナトリウム水溶液を加えて中和した。さらに60℃で1時間撹拌した後、溶媒を留去することにより白色固体のポリウレタンナトリウム塩(2.0g)(以下、「高分子化合物2」という。)を得た。得られた高分子化合物2をH−NMR測定により同定し、下記式(P2):
(Preparation Example 1)
Synthesis of polyurethane sodium salt (polymer compound 2) 1,3-butanediol (1.0 g), dibutyltin dilaurate (7.5 mg) and dimethylolpropionic acid (0.5 g) were placed in a 100 mL flask, and dimethylformamide ( 50 mL) was added and stirred at 90 ° C. for 30 minutes. Isophorone diisocyanate (3.3 g) was added to the resulting solution and heated at 90 ° C. for 3 hours. At this stage, the obtained polymer-containing solution was subjected to GPC measurement according to the method described above, and the molecular weight of the polymer was calculated. The number average molecular weight was 1900 and the weight average molecular weight was 3000. Thereafter, the temperature was lowered to 60 ° C., and a 1 mol / L sodium hydroxide aqueous solution was added for neutralization. After further stirring at 60 ° C. for 1 hour, the solvent was distilled off to obtain a white solid polyurethane sodium salt (2.0 g) (hereinafter referred to as “polymer compound 2”). The obtained polymer compound 2 was identified by 1 H-NMR measurement, and the following formula (P2):

Figure 2010171230
で表される繰り返し単位を有することを確認した。その結果を以下に示す。
H−NMR(300MHz、溶媒:重メタノール):0.94、0.99、1.04、1.07、1.13、1.18、1.20、1.23、1.25、1.5〜1.7(br)、1.7〜1.8(br)、1.84、2.84、2.86、2.88、2.91、3.6〜3.8(br)、3.8〜3.9(br)、4.0〜4.2(br)、7.98、8.55
Figure 2010171230
It was confirmed to have a repeating unit represented by The results are shown below.
1 H-NMR (300MHz, solvent: methanol): 0.94,0.99,1.04,1.07,1.13,1.18,1.20,1.23,1.25,1 .5 to 1.7 (br), 1.7 to 1.8 (br), 1.84, 2.84, 2.86, 2.88, 2.91, 3.6 to 3.8 (br ), 3.8-3.9 (br), 4.0-4.2 (br), 7.98, 8.55

(実施例2)
電界発光素子の作製
陽極としてITOが成膜パターニングされたガラス基板のITO陽極上に、正孔注入材料溶液としてポリ(3,4‐エチレンジオキシチオフェン)・ポリスチレンスルフォン酸溶液(スタルクヴイテック(株)製「Baytron」)を用いて膜厚が60nmになるようにスピンコート法により塗布し、塗膜を形成した。この塗膜を形成した基板を空気中、200℃で10分間加熱して塗膜を不溶化させた。その後、基板を室温まで自然冷却させてITO陽極上に正孔注入層を形成した。
(Example 2)
Fabrication of electroluminescent device Poly (3,4-ethylenedioxythiophene) / polystyrene sulfonic acid solution (Stark Vitec Co., Ltd.) as the hole injection material solution on the ITO anode of the glass substrate on which ITO was formed and patterned as the anode ) “Baytron”) was applied by spin coating so as to have a film thickness of 60 nm to form a coating film. The substrate on which the coating film was formed was heated in air at 200 ° C. for 10 minutes to insolubilize the coating film. Thereafter, the substrate was naturally cooled to room temperature to form a hole injection layer on the ITO anode.

次に、正孔輸送性高分子材料である、繰り返し単位として2価の芳香族アミン残基および架橋基を含む重合体(国際公開第2005/052027号パンフレットの実施例1〜2に従って合成した重合体(P1))とキシレンとを混合し、正孔輸送性高分子材料を0.7質量%含有する正孔輸送層形成用組成物を得た。   Next, a polymer containing a divalent aromatic amine residue and a crosslinking group as a repeating unit, which is a hole transporting polymer material (a polymer synthesized according to Examples 1 and 2 of WO 2005/052027 pamphlet). The combination (P1)) and xylene were mixed to obtain a hole transport layer forming composition containing 0.7% by mass of the hole transporting polymer material.

正孔注入層を形成した前記基板の正孔注入層上に、この正孔輸送層形成用組成物をスピンコート法により塗布し、膜厚20nmの塗膜を形成した。この塗膜を形成した基板を不活性(窒素)ガス雰囲気下、190℃で20分間加熱し、塗膜を不溶化させた。その後、基板を室温まで自然冷却させて正孔注入層上に正孔輸送層を形成した。   On the hole injection layer of the substrate on which the hole injection layer was formed, this composition for forming a hole transport layer was applied by spin coating to form a coating film having a thickness of 20 nm. The substrate on which this coating film was formed was heated at 190 ° C. for 20 minutes in an inert (nitrogen) gas atmosphere to insolubilize the coating film. Thereafter, the substrate was naturally cooled to room temperature to form a hole transport layer on the hole injection layer.

次に、発光高分子材料(サメイション(株)製「BP361」)とキシレンとを混合し、発光高分子材料を1.4質量%含有する発光層形成用組成物を得た。   Next, a light emitting polymer material (“BP361” manufactured by Summation Co., Ltd.) and xylene were mixed to obtain a composition for forming a light emitting layer containing 1.4% by mass of the light emitting polymer material.

正孔輸送層を形成した前記基板の正孔輸送層上に、この発光層形成用組成物をスピンコート法により塗布し、膜厚80nmの塗膜を形成した。この塗膜を形成した基板を不活性(窒素)ガス雰囲気下、130℃で20分間加熱して溶媒を蒸発させた後、基板を室温まで自然冷却させて正孔輸送層上に発光層を形成した。   On the hole transport layer of the substrate on which the hole transport layer had been formed, this light emitting layer forming composition was applied by spin coating to form a coating film having a thickness of 80 nm. The substrate on which this coating film was formed was heated at 130 ° C. for 20 minutes in an inert (nitrogen) gas atmosphere to evaporate the solvent, and then the substrate was naturally cooled to room temperature to form a light emitting layer on the hole transport layer. did.

次に、電荷注入材料である前記高分子化合物1とメタノールとを混合し、高分子化合物1を0.2質量%含有する電荷注入層形成用組成物を得た。   Next, the polymer compound 1 as a charge injection material and methanol were mixed to obtain a composition for forming a charge injection layer containing 0.2% by mass of the polymer compound 1.

発光層を形成した前記基板の発光層上に、この電荷注入層形成用組成物をスピンコート法により塗布し、膜厚10nmの塗膜を形成した。この塗膜を形成した基板を不活性(窒素)ガス雰囲気下、100℃で10分間加熱して溶媒を蒸発させた後、基板を室温まで自然冷却させて発光層上に高分子化合物1を含む電荷注入層を形成した。   On the light emitting layer of the substrate on which the light emitting layer was formed, this charge injection layer forming composition was applied by spin coating to form a coating film having a thickness of 10 nm. The substrate on which this coating film was formed was heated at 100 ° C. for 10 minutes in an inert (nitrogen) gas atmosphere to evaporate the solvent, and then the substrate was naturally cooled to room temperature to contain the polymer compound 1 on the light emitting layer. A charge injection layer was formed.

高分子化合物1を含む電荷注入層を形成した前記基板を真空装置内に装入し、真空蒸着法によって膜厚80nmのアルミニウム膜を形成して電荷注入層上に陰極を作製し、電界発光素子1を得た。   The substrate on which the charge injection layer containing the polymer compound 1 is formed is placed in a vacuum apparatus, an aluminum film having a thickness of 80 nm is formed by a vacuum deposition method, and a cathode is formed on the charge injection layer. 1 was obtained.

得られた電界発光素子1を真空装置より取り出し、不活性(窒素)ガス雰囲気下で、封止ガラスと2液混合型エポキシ樹脂を用いて封止し、発光装置1を得た。   The obtained electroluminescent element 1 was taken out from the vacuum apparatus and sealed with sealing glass and a two-component mixed epoxy resin in an inert (nitrogen) gas atmosphere to obtain the light emitting apparatus 1.

(比較例1)
高分子化合物1の代わりに高分子化合物2を用いた以外は実施例2と同様にして電界発光素子2を作製し、これを封止して発光装置2を得た。
(Comparative Example 1)
An electroluminescent element 2 was produced in the same manner as in Example 2 except that the polymer compound 2 was used instead of the polymer compound 1, and this was sealed to obtain a light emitting device 2.

(比較例2)
高分子化合物1を含む電荷注入層を形成しなかった以外は実施例2と同様にして電界発光素子3を作製し、これを封止して発光装置3を得た。
(Comparative Example 2)
An electroluminescent element 3 was produced in the same manner as in Example 2 except that the charge injection layer containing the polymer compound 1 was not formed, and this was sealed to obtain a light emitting device 3.

(比較例3)
高分子化合物1の代わりに低分子化合物1として1,1’−ジ−n−オクチル−4,4’−ビピリジニウムジブロミド(東京化成(株)製)を用いた以外は実施例2と同様にして電界発光素子4を作製し、これを封止して発光装置4を得た。
(Comparative Example 3)
The same procedure as in Example 2 was conducted except that 1,1′-di-n-octyl-4,4′-bipyridinium dibromide (manufactured by Tokyo Chemical Industry Co., Ltd.) was used as the low molecular compound 1 instead of the polymer compound 1. Thus, an electroluminescent element 4 was produced and sealed to obtain a light emitting device 4.

<性能評価>
実施例2および比較例1〜3で得た発光装置1〜4にそれぞれ10Vの順方向電圧を印加し、発光輝度と発光効率を測定した。その結果を表1に示す。
<Performance evaluation>
A forward voltage of 10 V was applied to each of the light emitting devices 1 to 4 obtained in Example 2 and Comparative Examples 1 to 3, and the light emission luminance and the light emission efficiency were measured. The results are shown in Table 1.

Figure 2010171230
Figure 2010171230

表1に示した結果から明らかなように、本発明にかかる前記高分子化合物を含む層を備える電子素子(電界発光素子)(実施例2)は、従来の高分子化合物を含む層を備える電子素子(比較例1)および本発明にかかる前記高分子化合物を含む層が形成されていない電子素子(比較例2)に比べて発光輝度および発光効率ともに顕著に優れたものであった。このように、本発明の電子素子は発光効率に優れていることから、変換効率が優れたものであることが確認された。   As is clear from the results shown in Table 1, an electronic device (electroluminescent device) (Example 2) provided with a layer containing the polymer compound according to the present invention is an electron provided with a layer containing a conventional polymer compound. Compared with the device (Comparative Example 1) and the electronic device (Comparative Example 2) in which the layer containing the polymer compound according to the present invention was not formed, both the light emission luminance and the light emission efficiency were remarkably excellent. Thus, since the electronic device of this invention was excellent in luminous efficiency, it was confirmed that it is excellent in conversion efficiency.

以上説明したように、本発明によれば、電荷注入性に優れた高分子化合物を得ることができ、変換効率に優れた電子素子を得ることが可能となる。   As described above, according to the present invention, a polymer compound excellent in charge injection property can be obtained, and an electronic device excellent in conversion efficiency can be obtained.

したがって、本発明の電子素子である電界発光素子は、発光輝度が高く発光効率に優れているため、面状光源などの各種光源、セグメント表示装置およびドットマトリックス表示装置などの各種表示装置、液晶表示装置などのバックライト、各種照明などとして有用である。   Therefore, since the electroluminescent element which is the electronic element of the present invention has high emission luminance and excellent luminous efficiency, various light sources such as a planar light source, various display devices such as a segment display device and a dot matrix display device, and a liquid crystal display It is useful as a backlight for devices and various illuminations.

また、本発明の電子素子である光電変換素子は、光電変換効率に優れているため、太陽電池などとして有用である。   Moreover, since the photoelectric conversion element which is an electronic element of this invention is excellent in photoelectric conversion efficiency, it is useful as a solar cell etc.

Claims (7)

第一の電極と、第二の電極と、該第一の電極と該第二の電極との間に配置された発光層または電荷分離層と、該発光層または該電荷分離層と前記第一の電極または前記第二の電極との間に配置され、下記式(I):
Figure 2010171230
(式(I)中、XおよびXは、それぞれ独立にF、Cl、Br、I、OH、RSO 、RCOO、ClO、ClO 、ClO 、ClO 、SCN、CN、NO 、HSO 、HPO 、BF 、BR およびPF からなる群から選択される1種のイオンを表し、前記Rは炭素数1〜30のアルキル基、炭素数6〜50のアリール基および炭素数2〜50の1価の複素環基からなる群から選択される1種の基を表し、前記アルキル基、アリール基および1価の複素環基は置換基を有していてもよく、*は他の構造との結合部位を表す。)
で表される構造を有する高分子化合物を含む電荷注入層とを備えることを特徴とする電子素子。
A first electrode; a second electrode; a light-emitting layer or charge separation layer disposed between the first electrode and the second electrode; the light-emitting layer or charge separation layer; and the first electrode Or the second electrode, and the following formula (I):
Figure 2010171230
(In the formula (I), X 1 and X 2 are each independently F , Cl , Br , I , OH , R a SO 3 , R a COO , ClO , ClO 2 , One selected from the group consisting of ClO 3 , ClO 4 , SCN , CN , NO 3 , HSO 4 , H 2 PO 4 , BF 4 , BR a 4 and PF 6 R a represents one group selected from the group consisting of an alkyl group having 1 to 30 carbon atoms, an aryl group having 6 to 50 carbon atoms, and a monovalent heterocyclic group having 2 to 50 carbon atoms. And the alkyl group, aryl group and monovalent heterocyclic group may have a substituent, and * represents a bonding site with another structure.)
And an electric charge injection layer containing a polymer compound having a structure represented by:
前記高分子化合物が、置換基を有していてもよい2価の芳香族基、置換基を有していてもよいアルキレン基、置換基を有していてもよいオキシアルキレン基および置換基を有していてもよいジオキシアルキレン基からなる群から選択される少なくとも1種の基をさらに有する化合物であることを特徴とする請求項1に記載の電子素子。   The polymer compound has a divalent aromatic group which may have a substituent, an alkylene group which may have a substituent, an oxyalkylene group which may have a substituent, and a substituent. The electronic device according to claim 1, wherein the electronic device further comprises at least one group selected from the group consisting of dioxyalkylene groups which may be present. 前記高分子化合物が、下記式(II):
Figure 2010171230
(式(II)中、XおよびXは、それぞれ独立にF、Cl、Br、I、OH、RSO 、RCOO、ClO、ClO 、ClO 、ClO 、SCN、CN、NO 、HSO 、HPO 、BF 、BR およびPF からなる群から選択される1種のイオンを表し、前記Rは炭素数1〜30のアルキル基、炭素数6〜50のアリール基および炭素数2〜50の1価の複素環基からなる群から選択される1種の基を表し、前記アルキル基、アリール基および1価の複素環基は置換基を有していてもよく、Arは置換基を有していてもよい2価の芳香族基を表し、RおよびRはそれぞれ独立に炭素数1〜20のアルキレン基を表し、*は他の構造との結合部位を表し、nおよびnはそれぞれ独立に1〜20の整数である。)
で表される構造を有する化合物であることを特徴とする請求項2に記載の電子素子。
The polymer compound has the following formula (II):
Figure 2010171230
(In the formula (II), X 3 and X 4 each independently represent F , Cl , Br , I , OH , R b SO 3 , R b COO , ClO , ClO 2 , One selected from the group consisting of ClO 3 , ClO 4 , SCN , CN , NO 3 , HSO 4 , H 2 PO 4 , BF 4 , BR b 4 and PF 6 Rb represents one group selected from the group consisting of an alkyl group having 1 to 30 carbon atoms, an aryl group having 6 to 50 carbon atoms, and a monovalent heterocyclic group having 2 to 50 carbon atoms. The alkyl group, aryl group and monovalent heterocyclic group each may have a substituent, Ar 1 represents a divalent aromatic group which may have a substituent, R 1 and R 2 each independently represents an alkylene group having 1 to 20 carbon atoms, * represents other And n 1 and n 2 are each independently an integer of 1 to 20.)
The electronic device according to claim 2, wherein the electronic device is a compound having a structure represented by:
前記高分子化合物の分子量が1×10以上1×10以下であることを特徴とする請求項1〜3のうちのいずれか一項に記載の電子素子。 Electronic device according to any one of claims 1 to 3, wherein the molecular weight of the polymer compound is 1 × 10 8 or less 1 × 10 3 or more. 請求項1〜3のうちのいずれか一項に記載の電子素子からなり、前記第一の電極と前記第二の電極との間に発光層が配置されていることを特徴とする電界発光素子。   An electroluminescent device comprising the electronic device according to claim 1, wherein a light emitting layer is disposed between the first electrode and the second electrode. . 請求項1〜3のうちのいずれか一項に記載の電子素子からなり、前記第一の電極と前記第二の電極との間に電荷分離層が配置されていることを特徴とする光電変換素子。   A photoelectric conversion comprising the electronic device according to any one of claims 1 to 3, wherein a charge separation layer is disposed between the first electrode and the second electrode. element. 下記式(II):
Figure 2010171230
(式(II)中、XおよびXは、それぞれ独立にF、Cl、Br、I、OH、RSO 、RCOO、ClO、ClO 、ClO 、ClO 、SCN、CN、NO 、HSO 、HPO 、BF 、BR およびPF からなる群から選択される1種のイオンを表し、前記Rは炭素数1〜30のアルキル基、炭素数6〜50のアリール基および炭素数2〜50の1価の複素環基からなる群から選択される1種の基を表し、前記アルキル基、アリール基および1価の複素環基は置換基を有していてもよく、Arは置換基を有していてもよい2価の芳香族基を表し、RおよびRはそれぞれ独立に炭素数1〜20のアルキレン基を表し、*は他の構造との結合部位を表し、nおよびnはそれぞれ独立に1〜20の整数である。)
で表される構造を有することを特徴とする高分子化合物。
Formula (II) below:
Figure 2010171230
(In the formula (II), X 3 and X 4 each independently represent F , Cl , Br , I , OH , R b SO 3 , R b COO , ClO , ClO 2 , One selected from the group consisting of ClO 3 , ClO 4 , SCN , CN , NO 3 , HSO 4 , H 2 PO 4 , BF 4 , BR b 4 and PF 6 represents an ion, the R b is one group selected from the group consisting of an alkyl group, a monovalent heterocyclic group of aryl and 2 to 50 carbon atoms having 6 to 50 carbon atoms having 1 to 30 carbon atoms The alkyl group, aryl group and monovalent heterocyclic group each may have a substituent, Ar 1 represents a divalent aromatic group which may have a substituent, R 1 and R 2 each independently represents an alkylene group having 1 to 20 carbon atoms, * represents other And n 1 and n 2 are each independently an integer of 1 to 20.)
A polymer compound having a structure represented by:
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