JP4904752B2 - Polymer compound and polymer light emitting device using the same - Google Patents

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Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a polymer compound useful as a light-emitting material, a charge transporting material or the like and excellent in heat resistance. <P>SOLUTION: The polymer compound has as a recurring unit a structure obtained by fusing a tetralin ring with an indene ring, the five-membered ring of the indene ring and the benzene ring in the tetralin ring holding two adjacent carbon atoms in the five-membered ring in common in the structure, and has a number-average molecular weight of 10<SP>3</SP>-10<SP>8</SP>in terms of polystyrene. The polymer light-emitting element has an organic layer between electrodes comprising an anode and a cathode, where the organic layer comprises the polymer compound. <P>COPYRIGHT: (C)2006,JPO&amp;NCIPI

Description

本発明は、高分子化合物およびそれを用いた高分子発光素子(高分子LED)に関するものである。   The present invention relates to a polymer compound and a polymer light emitting device (polymer LED) using the polymer compound.

高分子量の発光材料や電荷輸送材料等は溶媒に可溶で塗布法により発光素子における有機層を形成できることから種々検討されており、その例として、繰り返し単位として、インデン環にベンゼン環が縮合した、下の構造を有する高分子化合物が知られている(例えば、非特許文献1、特許文献1)。

Figure 0004904752
High-molecular-weight light-emitting materials and charge transport materials have been studied in various ways because they are soluble in solvents and can form an organic layer in a light-emitting element by a coating method. A polymer compound having the following structure is known (for example, Non-Patent Document 1 and Patent Document 1).
Figure 0004904752

Advanced Materials 1997年9巻10号 798頁Advanced Materials 1997, Vol. 9, No. 10, 798 国際公開第99/54385号パンフレットInternational Publication No. 99/54385 Pamphlet

しかしながら上記の高分子化合物は、その耐熱性が必ずしも十分でないという問題があった。
本発明の目的は、発光材料や電荷輸送材料等として有用で、耐熱性に優れた高分子化合物を提供することにある。
However, the polymer compound has a problem that its heat resistance is not always sufficient.
An object of the present invention is to provide a polymer compound that is useful as a light-emitting material, a charge transport material, and the like and has excellent heat resistance.

本発明者等は、上記課題を解決すべく鋭意検討した結果、繰り返し単位としてインデン環にテトラリン環が縮合した構造を有する高分子化合物が発光材料や電荷輸送材料として有用で、耐熱性にすぐれることを見出し、本発明を完成した。   As a result of intensive studies to solve the above problems, the present inventors have found that a polymer compound having a structure in which a tetralin ring is condensed with an indene ring as a repeating unit is useful as a light-emitting material or a charge transport material and has excellent heat resistance. As a result, the present invention has been completed.

即ち本発明は、繰り返し単位として、インデン環にテトラリン環が縮合してなる構造を有し、当該構造において、該インデン環の5員環と該テトラリン環のベンゼン環とが、該5員環の隣接する2個の炭素原子を共有し、ポリスチレン換算の数平均分子量が103〜108であることを特徴とする高分子化合物を提供するものである。 That is, the present invention has a structure in which a tetralin ring is condensed to an indene ring as a repeating unit, and in this structure, the 5-membered ring of the indene ring and the benzene ring of the tetralin ring are The present invention provides a polymer compound that shares two adjacent carbon atoms and has a polystyrene-equivalent number average molecular weight of 10 3 to 10 8 .

本発明の高分子化合物は、発光材料や電荷輸送材料等として有用で、耐熱性にすぐれる。したがって、本発明の高分子化合物を含む高分子LEDは、液晶ディスプレイのバックライトまたは照明用としての曲面状や平面状の光源、セグメントタイプの表示素子、ドットマトリックスのフラットパネルディスプレイなどに使用できる。   The polymer compound of the present invention is useful as a light emitting material, a charge transporting material and the like, and has excellent heat resistance. Therefore, the polymer LED containing the polymer compound of the present invention can be used for a curved or flat light source, a segment type display element, a dot matrix flat panel display, etc. for backlight or illumination of a liquid crystal display.

本発明の高分子化合物は繰り返し単位として、インデン環にテトラリン環が縮合してなる構造を有し、当該構造において、該インデン環の5員環と該テトラリン環のベンゼン環とが、該5員環の隣接する2個の炭素原子を共有する高分子化合物であるが、
この繰り返し単位(以下、繰り返し単位(A)ということがある。)としては、下記式(1)で示される繰り返し単位が好ましい。

Figure 0004904752

〔式中、R1およびR2はそれぞれ独立にアルキル基、アルコキシ基、アルキルチオ基、アリール基、アリールオキシ基、アリールチオ基、アリールアルキル基、アリールアルコキシ基、アリールアルキルチオ基、アリールアルケニル基、アリールアルキニル基、アミノ基、置換アミノ基、シリル基、置換シリル基、ハロゲン原子、アシル基、アシルオキシ基、イミン残基、アミド基、酸イミド基、1価の複素環基、カルボキシル基、置換カルボキシル基またはシアノ基を表す。aは0〜3の整数を表し、bは0〜5の整数を表す。R1およびR2が複数個存在する場合、それらは同一でも異なっていてもよい。R3およびR4はそれぞれ独立に水素原子、アルキル基、アルコキシ基、アルキルチオ基、アリール基、アリールオキシ基、アリールチオ基、アリールアルキル基、アリールアルコキシ基、アリールアルキルチオ基、アリールアルケニル基、アリールアルキニル基、アミノ基、置換アミノ基、シリル基、置換シリル基、ハロゲン原子、アシル基、アシルオキシ基、イミン残基、アミド基、酸イミド基、1価の複素環基、カルボキシル基、置換カルボキシル基またはシアノ基を表し、R3とR4は互いに結合して環を形成していてもよい。〕 The polymer compound of the present invention has a structure in which a tetralin ring is condensed to an indene ring as a repeating unit, in which the 5-membered ring of the indene ring and the benzene ring of the tetralin ring are the 5-membered Although it is a polymer compound that shares two adjacent carbon atoms in the ring,
As this repeating unit (hereinafter sometimes referred to as a repeating unit (A)), a repeating unit represented by the following formula (1) is preferred.
Figure 0004904752

Wherein R 1 and R 2 are each independently an alkyl group, alkoxy group, alkylthio group, aryl group, aryloxy group, arylthio group, arylalkyl group, arylalkoxy group, arylalkylthio group, arylalkenyl group, arylalkynyl Group, amino group, substituted amino group, silyl group, substituted silyl group, halogen atom, acyl group, acyloxy group, imine residue, amide group, acid imide group, monovalent heterocyclic group, carboxyl group, substituted carboxyl group or Represents a cyano group. a represents an integer of 0 to 3, and b represents an integer of 0 to 5. When a plurality of R 1 and R 2 are present, they may be the same or different. R 3 and R 4 are each independently a hydrogen atom, alkyl group, alkoxy group, alkylthio group, aryl group, aryloxy group, arylthio group, arylalkyl group, arylalkoxy group, arylalkylthio group, arylalkenyl group, arylalkynyl group , Amino group, substituted amino group, silyl group, substituted silyl group, halogen atom, acyl group, acyloxy group, imine residue, amide group, acid imide group, monovalent heterocyclic group, carboxyl group, substituted carboxyl group or cyano Represents a group, and R 3 and R 4 may be bonded to each other to form a ring. ]

上記式(1)において、R3、R4としてはアルキル基、アルコキシ基、アルキルチオ基、アリール基、アリールオキシ基、アリールチオ基、アリールアルキル基、アリールアルコキシ基、アリールアルキルチオ基、置換アミノ基、置換シリル基、フッ素原子、アシル基、アシルオキシ基、アミド基、酸イミド基、1価の複素環基、カルボキシル基、置換カルボキシル基およびシアノ基が好ましく、アルキル基、アルコキシ基、アリール基、アリールオキシ基、アリールアルキル基、アリールアルコキシ基、アリールアルキルチオ基がさらに好ましい。 In the above formula (1), R 3 and R 4 are alkyl group, alkoxy group, alkylthio group, aryl group, aryloxy group, arylthio group, arylalkyl group, arylalkoxy group, arylalkylthio group, substituted amino group, substituted Silyl group, fluorine atom, acyl group, acyloxy group, amide group, acid imide group, monovalent heterocyclic group, carboxyl group, substituted carboxyl group and cyano group are preferred, alkyl group, alkoxy group, aryl group, aryloxy group More preferred are an arylalkyl group, an arylalkoxy group and an arylalkylthio group.

ここに、アルキル基は、直鎖、分岐または環状のいずれでもよく、炭素数が通常1〜20程度であり、好ましくは炭素数3〜20であり、その具体例としては、メチル基、エチル基、プロピル基、i−プロピル基、ブチル基、 i−ブチル基、t−ブチル基、ペンチル基、イソアミル基、ヘキシル基、シクロヘキシル基、ヘプチル基、オクチル基、2−エチルヘキシル基、ノニル基、デシル基、3,7−ジメチルオクチル基、ラウリル基、トリフルオロメチル基、ペンタフルオロエチル基、パーフルオロブチル基、パーフルオロヘキシル基、パーフルオロオクチル基などが挙げられ、ペンチル基、イソアミル基、ヘキシル基、オクチル基、2−エチルヘキシル基、デシル基、3,7−ジメチルオクチル基が好ましい。   Here, the alkyl group may be linear, branched or cyclic, and usually has about 1 to 20 carbon atoms, preferably 3 to 20 carbon atoms. Specific examples thereof include a methyl group and an ethyl group. Propyl group, i-propyl group, butyl group, i-butyl group, t-butyl group, pentyl group, isoamyl group, hexyl group, cyclohexyl group, heptyl group, octyl group, 2-ethylhexyl group, nonyl group, decyl group 3,7-dimethyloctyl group, lauryl group, trifluoromethyl group, pentafluoroethyl group, perfluorobutyl group, perfluorohexyl group, perfluorooctyl group, and the like, such as pentyl group, isoamyl group, hexyl group, An octyl group, 2-ethylhexyl group, decyl group, and 3,7-dimethyloctyl group are preferred.

アルコキシ基は、直鎖、分岐または環状のいずれでもよく、炭素数が通常1〜20程度であり、好ましくは炭素数3〜20であり、その具体例としては、メトキシ基、エトキシ基、プロピルオキシ基、i−プロピルオキシ基、ブトキシ基、 i−ブトキシ基、t−ブトキシ基、ペンチルオキシ基、ヘキシルオキシ基、シクロヘキシルオキシ基、ヘプチルオキシ基、オクチルオキシ基、2−エチルヘキシルオキシ基、ノニルオキシ基、デシルオキシ基、3,7−ジメチルオクチルオキシ基、ラウリルオキシ基、トリフルオロメトキシ基、ペンタフルオロエトキシ基、パーフルオロブトキシ基、パーフルオロヘキシル基、パーフルオロオクチル基、メトキシメチルオキシ基、2−メトキシエチルオキシ基などが挙げられ、ペンチルオキシ基、ヘキシルオキシ基、オクチルオキシ基、2−エチルヘキシルオキシ基、デシルオキシ基、3,7−ジメチルオクチルオキシ基が好ましい。   The alkoxy group may be linear, branched or cyclic, and usually has about 1 to 20 carbon atoms, preferably 3 to 20 carbon atoms. Specific examples thereof include a methoxy group, an ethoxy group, and propyloxy. Group, i-propyloxy group, butoxy group, i-butoxy group, t-butoxy group, pentyloxy group, hexyloxy group, cyclohexyloxy group, heptyloxy group, octyloxy group, 2-ethylhexyloxy group, nonyloxy group, Decyloxy group, 3,7-dimethyloctyloxy group, lauryloxy group, trifluoromethoxy group, pentafluoroethoxy group, perfluorobutoxy group, perfluorohexyl group, perfluorooctyl group, methoxymethyloxy group, 2-methoxyethyl Examples include oxy group, pentyloxy group, Aryloxy group, octyloxy group, 2-ethylhexyl group, decyloxy group, 3,7-dimethyl octyloxy group are preferable.

アルキルチオ基は、直鎖、分岐または環状のいずれでもよく、炭素数が通常1〜20程度であり、好ましくは炭素数3〜20であり、その具体例としては、メチルチオ基、エチルチオ基、プロピルチオ基、 i−プロピルチオ基、ブチルチオ基、 i−ブチルチオ基、t−ブチルチオ基、ペンチルチオ基、ヘキシルチオ基、シクロヘキシルチオ基、ヘプチルチオ基、オクチルチオ基、2−エチルヘキシルチオ基、ノニルチオ基、デシルチオ基、3,7−ジメチルオクチルチオ基、ラウリルチオ基、トリフルオロメチルチオ基などが挙げられ、ペンチルチオ基、ヘキシルチオ基、オクチルチオ基、2−エチルヘキシルチオ基、デシルチオ基、3,7−ジメチルオクチルチオ基が好ましい。   The alkylthio group may be linear, branched or cyclic, and usually has about 1 to 20 carbon atoms, preferably 3 to 20 carbon atoms. Specific examples thereof include a methylthio group, an ethylthio group, and a propylthio group. I-propylthio group, butylthio group, i-butylthio group, t-butylthio group, pentylthio group, hexylthio group, cyclohexylthio group, heptylthio group, octylthio group, 2-ethylhexylthio group, nonylthio group, decylthio group, 3,7 -A dimethyloctylthio group, a laurylthio group, a trifluoromethylthio group etc. are mentioned, A pentylthio group, a hexylthio group, an octylthio group, 2-ethylhexylthio group, a decylthio group, and a 3,7- dimethyloctylthio group are preferable.

アリール基は、芳香族炭化水素から、水素原子1個を除いた原子団であり、縮合環をもつもの、独立したベンゼン環または縮合環2個以上が直接またはビニレン等の基を介して結合したものも含まれる。アリール基は、炭素数が通常6〜60程度であり、好ましくは7〜48であり、その具体例としては、フェニル基、C1〜C12アルコキシフェニル基(C1〜C12は、炭素数1〜12であることを示す。以下も同様である。)、C1〜C12アルキルフェニル基、1−ナフチル基、2−ナフチル基、1−アントラセニル基、2−アントラセニル基、9−アントラセニル基、ペンタフルオロフェニル基などが例示され、C1〜C12アルコキシフェニル基、C1〜C12アルキルフェニル基が好ましい。C1〜C12アルコキシとして具体的には、メトキシ、エトキシ、プロピルオキシ、i−プロピルオキシ、ブトキシ、i−ブトキシ、t−ブトキシ、ペンチルオキシ、ヘキシルオキシ、シクロヘキシルオキシ、ヘプチルオキシ、オクチルオキシ、2−エチルヘキシルオキシ、ノニルオキシ、デシルオキシ、3,7−ジメチルオクチルオキシ、ラウリルオキシなどが例示される。
1〜C12アルキルフェニル基として具体的にはメチルフェニル基、エチルフェニル基、ジメチルフェニル基、プロピルフェニル基、メシチル基、メチルエチルフェニル基、i−プロピルフェニル基、ブチルフェニル基、i−ブチルフェニル基、t−ブチルフェニル基、ペンチルフェニル基、イソアミルフェニル基、ヘキシルフェニル基、ヘプチルフェニル基、オクチルフェニル基、ノニルフェニル基、デシルフェニル基、ドデシルフェニル基などが例示される。
An aryl group is an atomic group obtained by removing one hydrogen atom from an aromatic hydrocarbon, and having a condensed ring, two or more independent benzene rings or condensed rings bonded directly or through a group such as vinylene. Also included. The aryl group usually has about 6 to 60 carbon atoms, preferably 7 to 48 carbon atoms. Specific examples thereof include phenyl groups, C 1 to C 12 alkoxyphenyl groups (C 1 to C 12 are carbon numbers). indicates that 1-12. the same applies is less.), C 1 -C 12 alkylphenyl group, 1-naphthyl, 2-naphthyl, 1-anthracenyl group, 9-anthracenyl group , pentafluorophenyl group and the like, C 1 -C 12 alkoxyphenyl group, is C 1 -C 12 alkylphenyl group are preferable. Specific examples of C 1 -C 12 alkoxy include methoxy, ethoxy, propyloxy, i-propyloxy, butoxy, i-butoxy, t-butoxy, pentyloxy, hexyloxy, cyclohexyloxy, heptyloxy, octyloxy, 2 -Ethylhexyloxy, nonyloxy, decyloxy, 3,7-dimethyloctyloxy, lauryloxy and the like are exemplified.
C 1 -C 12 alkylphenyl group as specifically methylphenyl group, ethylphenyl group, dimethylphenyl group, propylphenyl group, mesityl group, methylethylphenyl group, i- propylphenyl group, butylphenyl group, i- butyl Examples include phenyl group, t-butylphenyl group, pentylphenyl group, isoamylphenyl group, hexylphenyl group, heptylphenyl group, octylphenyl group, nonylphenyl group, decylphenyl group, dodecylphenyl group and the like.

アリールオキシ基は、炭素数が通常6〜60程度であり、好ましくは7〜48であり、その具体例としては、フェノキシ基、C1〜C12アルコキシフェノキシ基、C1〜C12アルキルフェノキシ基、1−ナフチルオキシ基、2−ナフチルオキシ基、ペンタフルオロフェニルオキシ基などが例示され、C1〜C12アルコキシフェノキシ基、C1〜C12アルキルフェノキシ基が好ましい。
1〜C12アルコキシとして具体的には、メトキシ、エトキシ、プロピルオキシ、i−プロピルオキシ、ブトキシ、i−ブトキシ、t−ブトキシ、ペンチルオキシ、ヘキシルオキシ、シクロヘキシルオキシ、ヘプチルオキシ、オクチルオキシ、2−エチルヘキシルオキシ、ノニルオキシ、デシルオキシ、3,7−ジメチルオクチルオキシ、ラウリルオキシなどが例示される。
1〜C12アルキルフェノキシ基として具体的にはメチルフェノキシ基、エチルフェノキシ基、ジメチルフェノキシ基、プロピルフェノキシ基、1,3,5−トリメチルフェノキシ基、メチルエチルフェノキシ基、i−プロピルフェノキシ基、ブチルフェノキシ基、i−ブチルフェノキシ基、t−ブチルフェノキシ基、ペンチルフェノキシ基、イソアミルフェノキシ基、ヘキシルフェノキシ基、ヘプチルフェノキシ基、オクチルフェノキシ基、ノニルフェノキシ基、デシルフェノキシ基、ドデシルフェノキシ基などが例示される。
The aryloxy group usually has about 6 to 60 carbon atoms, preferably 7 to 48, and specific examples thereof include a phenoxy group, a C 1 to C 12 alkoxyphenoxy group, and a C 1 to C 12 alkylphenoxy group. , 1-naphthyloxy group, 2-naphthyloxy group, pentafluorophenyloxy group and the like, and C 1 -C 12 alkoxyphenoxy group, C 1 -C 12 alkylphenoxy group are preferable.
Specific examples of C 1 -C 12 alkoxy include methoxy, ethoxy, propyloxy, i-propyloxy, butoxy, i-butoxy, t-butoxy, pentyloxy, hexyloxy, cyclohexyloxy, heptyloxy, octyloxy, 2 -Ethylhexyloxy, nonyloxy, decyloxy, 3,7-dimethyloctyloxy, lauryloxy and the like are exemplified.
C 1 -C 12 alkylphenoxy such as methyl phenoxy groups as group, ethylphenoxy group, dimethylphenoxy group, propylphenoxy group, 1,3,5-methylphenoxy group, methylethylphenoxy group, i- propyl phenoxy group, Examples include butylphenoxy, i-butylphenoxy, t-butylphenoxy, pentylphenoxy, isoamylphenoxy, hexylphenoxy, heptylphenoxy, octylphenoxy, nonylphenoxy, decylphenoxy, dodecylphenoxy Is done.

アリールチオ基は、炭素数が通常3〜60程度であり、その具体例としては、フェニルチオ基、C1〜C12アルコキシフェニルチオ基、C1〜C12アルキルフェニルチオ基、1−ナフチルチオ基、2−ナフチルチオ基、ペンタフルオロフェニルチオ基などが例示され、C1〜C12アルコキシフェニルチオ基、C1〜C12アルキルフェニルチオ基が好ましい。 Arylthio group has a carbon number of usually about 3 to 60, and specific examples thereof include a phenylthio group, C 1 -C 12 alkoxyphenyl-thio group, C 1 -C 12 alkyl phenylthio group, 1-naphthylthio group, 2 - naphthylthio group, pentafluorophenylthio group and the like, C 1 -C 12 alkoxyphenyl-thio group, a C 1 -C 12 alkyl phenylthio group are preferable.

アリールアルキル基は、炭素数が通常7〜60程度であり、好ましくは7〜48であり、その具体例としては、フェニル−C1〜C12アルキル基、C1〜C12アルコキシフェニル−C1〜C12アルキル基、C1〜C12アルキルフェニル−C1〜C12アルキル基、1−ナフチル−C1〜C12アルキル基、2−ナフチル−C1〜C12アルキル基などが例示され、C1〜C12アルコキシフェニル−C1〜C12アルキル基、C1〜C12アルキルフェニル−C1〜C12アルキル基が好ましい。 Arylalkyl group is usually about 7 to 60 carbon atoms, preferably 7 to 48, and examples thereof include phenyl -C 1 -C 12 alkyl group, C 1 -C 12 alkoxyphenyl -C 1 -C 12 alkyl group, C 1 -C 12 alkylphenyl -C 1 -C 12 alkyl group, 1-naphthyl -C 1 -C 12 alkyl group, 2-naphthyl -C 1 -C 12 alkyl groups and the like, C 1 -C 12 alkoxyphenyl -C 1 -C 12 alkyl group, C 1 -C 12 alkylphenyl -C 1 -C 12 alkyl group are preferable.

アリールアルコキシ基は、炭素数が通常7〜60程度であり、好ましくは炭素数7〜48であり、その具体例としては、フェニルメトキシ基、フェニルエトキシ基、フェニルブトキシ基、フェニルペンチロキシ基、フェニルヘキシロキシ基、フェニルヘプチロキシ基、フェニルオクチロキシ基などのフェニル−C1〜C12アルコキシ基、C1〜C12アルコキシフェニル−C1〜C12アルコキシ基、C1〜C12アルキルフェニル−C1〜C12アルコキシ基、1−ナフチル−C1〜C12アルコキシ基、2−ナフチル−C1〜C12アルコキシ基などが例示され、C1〜C12アルコキシフェニル−C1〜C12アルコキシ基、C1〜C12アルキルフェニル−C1〜C12アルコキシ基が好ましい。 The arylalkoxy group usually has about 7 to 60 carbon atoms, preferably 7 to 48 carbon atoms. Specific examples thereof include a phenylmethoxy group, a phenylethoxy group, a phenylbutoxy group, a phenylpentyloxy group, a phenyl group. hexyloxy group, a phenyl heptene Ciro alkoxy group, a phenyl -C 1 -C 12 alkoxy groups such as phenyl Ok Ciro alkoxy group, C 1 -C 12 alkoxyphenyl -C 1 -C 12 alkoxy group, C 1 -C 12 alkylphenyl - C 1 -C 12 alkoxy group, 1-naphthyl-C 1 -C 12 alkoxy group, 2-naphthyl-C 1 -C 12 alkoxy group and the like are exemplified, and C 1 -C 12 alkoxyphenyl-C 1 -C 12 alkoxy The group C 1 -C 12 alkylphenyl-C 1 -C 12 alkoxy is preferred.

アリールアルキルチオ基は、炭素数が通常7〜60程度であり、好ましくは炭素数7〜48であり、その具体的としては、フェニル−C1〜C12アルキルチオ基、C1〜C12アルコキシフェニル−C1〜C12アルキルチオ基、C1〜C12アルキルフェニル−C1〜C12アルキルチオ基、1−ナフチル−C1〜C12アルキルチオ基、2−ナフチル−C1〜C12アルキルチオ基などが例示され、C1〜C12アルコキシフェニル−C1〜C12アルキルチオ基、C1〜C12アルキルフェニル−C1〜C12アルキルチオ基が好ましい。 The arylalkylthio group usually has about 7 to 60 carbon atoms, preferably 7 to 48 carbon atoms. Specific examples thereof include phenyl-C 1 -C 12 alkylthio groups, C 1 -C 12 alkoxyphenyl- C 1 -C 12 alkylthio group, C 1 -C 12 alkylphenyl -C 1 -C 12 alkylthio group, 1-naphthyl -C 1 -C 12 alkylthio group, 2-naphthyl -C 1 -C 12 alkylthio group are exemplified is, C 1 -C 12 alkoxyphenyl -C 1 -C 12 alkylthio group, a C 1 -C 12 alkylphenyl -C 1 -C 12 alkylthio group are preferred.

アリールアルケニル基は、炭素数が通常8〜60程度であり、その具体的としては、フェニル−C2〜C12アルケニル基、C1〜C12アルコキシフェニル−C2〜C12アルケニル基、C1〜C12アルキルフェニル−C2〜C12アルケニル基、1−ナフチル−C2〜C12アルケニル基、2−ナフチル−C2〜C12アルケニル基などが例示され、C1〜C12アルコキシフェニル−C2〜C12アルケニル基、C2〜C12アルキルフェニル−C1〜C12アルケニル基が好ましい。 Arylalkenyl group has a carbon number of usually about 8 to 60, and examples thereof include phenyl -C 2 -C 12 alkenyl group, C 1 -C 12 alkoxyphenyl -C 2 -C 12 alkenyl group, C 1 -C 12 alkylphenyl -C 2 -C 12 alkenyl group, 1-naphthyl -C 2 -C 12 alkenyl group, 2-naphthyl -C 2 -C 12 alkenyl groups and the like, C 1 -C 12 alkoxyphenyl - C 2 -C 12 alkenyl group, C 2 -C 12 alkylphenyl -C 1 -C 12 alkenyl groups are preferred.

アリールアルキニル基は、炭素数が通常8〜60程度であり、その具体的としては、フェニル−C2〜C12アルキニル基、C1〜C12アルコキシフェニル−C2〜C12アルキニル基、C1〜C12アルキルフェニル−C2〜C12アルキニル基、1−ナフチル−C2〜C12アルキニル基、2−ナフチル−C2〜C12アルキニル基などが例示され、C1〜C12アルコキシフェニル−C2〜C12アルキニル基、C1〜C12アルキルフェニル−C2〜C12アルキニル基が好ましい。 Arylalkynyl group has a carbon number of usually about 8 to 60, and examples thereof include phenyl -C 2 -C 12 alkynyl group, C 1 -C 12 alkoxyphenyl -C 2 -C 12 alkynyl group, C 1 -C 12 alkylphenyl -C 2 -C 12 alkynyl group, 1-naphthyl -C 2 -C 12 alkynyl group, 2-naphthyl -C 2 -C 12 alkynyl groups and the like, C 1 -C 12 alkoxyphenyl - C 2 -C 12 alkynyl group, C 1 -C 12 alkylphenyl -C 2 -C 12 alkynyl group are preferable.

置換アミノ基としては、アルキル基、アリール基、アリールアルキル基または1価の複素環基から選ばれる1または2個の基で置換されたアミノ基があげられ、該アルキル基、アリール基、アリールアルキル基または1価の複素環基は置換基を有していてもよい。置換アミノ基の炭素数は該置換基の炭素数を含めないで通常1〜60程度であり、好ましくは炭素数2〜48である。
具体的には、メチルアミノ基、ジメチルアミノ基、エチルアミノ基、ジエチルアミノ基、プロピルアミノ基、ジプロピルアミノ基、i−プロピルアミノ基、ジイソプロピルアミノ基、ブチルアミノ基、i−ブチルアミノ基、t−ブチルアミノ基、ペンチルアミノ基、ヘキシルアミノ基、シクロヘキシルアミノ基、ヘプチルアミノ基、オクチルアミノ基、2−エチルヘキシルアミノ基、ノニルアミノ基、デシルアミノ基、3,7−ジメチルオクチルアミノ基、ラウリルアミノ基、シクロペンチルアミノ基、ジシクロペンチルアミノ基、シクロヘキシルアミノ基、ジシクロヘキシルアミノ基、ピロリジル基、ピペリジル基、ジトリフルオロメチルアミノ基フェニルアミノ基、ジフェニルアミノ基、C1〜C12アルコキシフェニルアミノ基、ジ(C1〜C12アルコキシフェニル)アミノ基、ジ(C1〜C12アルキルフェニル)アミノ基、1−ナフチルアミノ基、2−ナフチルアミノ基、ペンタフルオロフェニルアミノ基、ピリジルアミノ基、ピリダジニルアミノ基、ピリミジルアミノ基、ピラジルアミノ基、トリアジルアミノ基フェニル−C1〜C12アルキルアミノ基、C1〜C12アルコキシフェニル−C1〜C12アルキルアミノ基、C1〜C12アルキルフェニル−C1〜C12アルキルアミノ基、ジ(C1〜C12アルコキシフェニル−C1〜C12アルキル)アミノ基、ジ(C1〜C12アルキルフェニル−C1〜C12アルキル)アミノ基、1−ナフチル−C1〜C12アルキルアミノ基、2−ナフチル−C1〜C12アルキルアミノ基などが例示される。
Examples of the substituted amino group include an amino group substituted with one or two groups selected from an alkyl group, an aryl group, an arylalkyl group or a monovalent heterocyclic group, and the alkyl group, aryl group, arylalkyl The group or the monovalent heterocyclic group may have a substituent. The carbon number of the substituted amino group is usually about 1 to 60 without including the carbon number of the substituent, and preferably has 2 to 48 carbon atoms.
Specifically, methylamino group, dimethylamino group, ethylamino group, diethylamino group, propylamino group, dipropylamino group, i-propylamino group, diisopropylamino group, butylamino group, i-butylamino group, t -Butylamino group, pentylamino group, hexylamino group, cyclohexylamino group, heptylamino group, octylamino group, 2-ethylhexylamino group, nonylamino group, decylamino group, 3,7-dimethyloctylamino group, laurylamino group, cyclopentylamino group, dicyclopentylamino group, cyclohexylamino group, dicyclohexylamino group, pyrrolidyl group, piperidyl group, ditrifluoromethylamino group, phenylamino group, diphenylamino group, C 1 -C 12 alkoxyphenyl amino group, di (C 1 -C 12 alkoxyphenyl) amino group, di (C 1 -C 12 alkylphenyl) amino groups, 1-naphthylamino group, 2-naphthylamino group, pentafluorophenylamino group, pyridylamino group, pyridazinylamino group , pyrimidylamino group, Pirajiruamino group, triazyl amino group phenyl -C 1 -C 12 alkylamino group, C 1 -C 12 alkoxyphenyl -C 1 -C 12 alkylamino group, C 1 -C 12 alkylphenyl -C 1 ~ C 12 alkylamino groups, di (C 1 -C 12 alkoxyphenyl -C 1 -C 12 alkyl) amino group, di (C 1 -C 12 alkylphenyl -C 1 -C 12 alkyl) amino groups, 1-naphthyl - C 1 -C 12 alkylamino group, 2-naphthyl -C 1 -C 12 alkylamino groups.

置換シリル基としては、アルキル基、アリール基、アリールアルキル基または1価の複素環基から選ばれる1、2または3個の基で置換されたシリル基があげられる。置換シリル基の炭素数は通常1〜60程度であり、好ましくは炭素数3〜48である。なお該アルキル基、アリール基、アリールアルキル基または1価の複素環基は置換基を有していてもよい。
具体的には、トリメチルシリル基、トリエチルシリル基、トリプロピルシリル基、トリ−i−プロピルシリル基、ジメチル−i−プロピリシリル基、ジエチル−i−プロピルシリル基、t−ブチルシリルジメチルシリル基、ペンチルジメチルシリル基、ヘキシルジメチルシリル基、ヘプチルジメチルシリル基、オクチルジメチルシリル基、2−エチルヘキシル−ジメチルシリル基、ノニルジメチルシリル基、デシルジメチルシリル基、3,7−ジメチルオクチル−ジメチルシリル基、ラウリルジメチルシリル基、フェニル−C1〜C12アルキルシリル基、C1〜C12アルコキシフェニル−C1〜C12アルキルシリル基、C1〜C12アルキルフェニル−C1〜C12アルキルシリル基、1−ナフチル−C1〜C12アルキルシリル基、2−ナフチル−C1〜C12アルキルシリル基、フェニル−C1〜C12アルキルジメチルシリル基、トリフェニルシリル基、トリ−p−キシリルシリル基、トリベンジルシリル基、ジフェニルメチルシリル基、t−ブチルジフェニルシリル基、ジメチルフェニルシリル基などが例示される。
Examples of the substituted silyl group include a silyl group substituted with 1, 2 or 3 groups selected from an alkyl group, an aryl group, an arylalkyl group or a monovalent heterocyclic group. The substituted silyl group usually has about 1 to 60 carbon atoms, preferably 3 to 48 carbon atoms. The alkyl group, aryl group, arylalkyl group or monovalent heterocyclic group may have a substituent.
Specifically, trimethylsilyl group, triethylsilyl group, tripropylsilyl group, tri-i-propylsilyl group, dimethyl-i-propylsilyl group, diethyl-i-propylsilyl group, t-butylsilyldimethylsilyl group, pentyldimethyl Silyl group, hexyldimethylsilyl group, heptyldimethylsilyl group, octyldimethylsilyl group, 2-ethylhexyl-dimethylsilyl group, nonyldimethylsilyl group, decyldimethylsilyl group, 3,7-dimethyloctyl-dimethylsilyl group, lauryldimethylsilyl group, a phenyl -C 1 -C 12 alkylsilyl group, C 1 -C 12 alkoxyphenyl -C 1 -C 12 alkylsilyl group, C 1 -C 12 alkylphenyl -C 1 -C 12 alkylsilyl group, 1-naphthyl -C 1 -C 12 alkylsilyl group, 2-naphthyl C 1 -C 12 alkylsilyl group, a phenyl -C 1 -C 12 alkyldimethylsilyl group, triphenylsilyl group, tri -p- Kishirirushiriru group, tribenzylsilyl group, diphenylmethylsilyl group, t- butyl diphenyl silyl group, Examples thereof include a dimethylphenylsilyl group.

ハロゲン原子としては、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子が例示される。   Examples of the halogen atom include a fluorine atom, a chlorine atom, a bromine atom, and an iodine atom.

アシル基は、炭素数が通常2〜20程度であり、好ましくは炭素数2〜18であり、その具体例としては、アセチル基、プロピオニル基、ブチリル基、イソブチリル基、ピバロイル基、ベンゾイル基、トリフルオロアセチル基、ペンタフルオロベンゾイル基などが例示される。   The acyl group usually has about 2 to 20 carbon atoms, preferably 2 to 18 carbon atoms. Specific examples thereof include acetyl group, propionyl group, butyryl group, isobutyryl group, pivaloyl group, benzoyl group, Examples include a fluoroacetyl group and a pentafluorobenzoyl group.

アシルオキシ基は、炭素数が通常2〜20程度であり、好ましくは炭素数2〜18であり、その具体例としては、アセトキシ基、プロピオニルオキシ基、ブチリルオキシ基、イソブチリルオキシ基、ピバロイルオキシ基、ベンゾイルオキシ基、トリフルオロアセチルオキシ基、ペンタフルオロベンゾイルオキシ基などが例示される。   The acyloxy group usually has about 2 to 20 carbon atoms, preferably 2 to 18 carbon atoms. Specific examples thereof include an acetoxy group, a propionyloxy group, a butyryloxy group, an isobutyryloxy group, a pivaloyloxy group, Examples include benzoyloxy group, trifluoroacetyloxy group, pentafluorobenzoyloxy group and the like.

イミン残基は、炭素数2〜20程度であり、好ましくは炭素数2〜18であり、その具体例としては、以下の構造式で示される基などが例示される。

Figure 0004904752
The imine residue has about 2 to 20 carbon atoms, preferably 2 to 18 carbon atoms. Specific examples thereof include groups represented by the following structural formulas.
Figure 0004904752

アミド基は、炭素数が通常2〜20程度であり、好ましくは炭素数2〜18であり、その具体例としては、ホルムアミド基、アセトアミド基、プロピオアミド基、ブチロアミド基、ベンズアミド基、トリフルオロアセトアミド基、ペンタフルオロベンズアミド基、ジホルムアミド基、ジアセトアミド基、ジプロピオアミド基、ジブチロアミド基、ジベンズアミド基、ジトリフルオロアセトアミド基、ジペンタフルオロベンズアミド基、などが例示される。   The amide group usually has about 2 to 20 carbon atoms, preferably 2 to 18 carbon atoms. Specific examples thereof include formamide group, acetamide group, propioamide group, butyroamide group, benzamide group, trifluoroacetamide group. And pentafluorobenzamide group, diformamide group, diacetamide group, dipropioamide group, dibutyroamide group, dibenzamide group, ditrifluoroacetamide group, dipentafluorobenzamide group, and the like.

酸イミド基は、酸イミドからその窒素原子に結合した水素原子を除いて得られる残基が挙げられ、炭素数が4〜20程度であり、具体的には以下に示す基などが例示される。

Figure 0004904752
The acid imide group includes a residue obtained by removing a hydrogen atom bonded to the nitrogen atom from an acid imide, and has about 4 to 20 carbon atoms. Specific examples include the groups shown below. .
Figure 0004904752

1価の複素環基とは、複素環化合物から水素原子1個を除いた残りの原子団をいい、炭素数は通常4〜60程度であり、好ましくは4〜20である。なお、複素環基の炭素数には、置換基の炭素数は含まれない。ここに複素環化合物とは、環式構造をもつ有機化合物のうち、環を構成する元素が炭素原子だけでなく、酸素、硫黄、窒素、燐、硼素などのヘテロ原子を環内に含むものをいう。具体的には、チエニル基、C1〜C12アルキルチエニル基、ピロリル基、フリル基、ピリジル基、C1〜C12アルキルピリジル基、ピペリジル基、キノリル基、イソキノリル基などが例示され、チエニル基、C1〜C12アルキルチエニル基、ピリジル基、C1〜C12アルキルピリジル基が好ましい。 The monovalent heterocyclic group refers to a remaining atomic group obtained by removing one hydrogen atom from a heterocyclic compound, and usually has about 4 to 60 carbon atoms, preferably 4 to 20 carbon atoms. The carbon number of the heterocyclic group does not include the carbon number of the substituent. Here, the heterocyclic compound is an organic compound having a cyclic structure in which the elements constituting the ring include not only carbon atoms but also hetero atoms such as oxygen, sulfur, nitrogen, phosphorus, boron, etc. in the ring. Say. Specifically, a thienyl group, C 1 -C 12 alkyl thienyl group, a pyrrolyl group, a furyl group, a pyridyl group, C 1 -C 12 alkyl pyridyl group, piperidyl group, quinolyl group, isoquinolyl group and the like, a thienyl group , C 1 -C 12 alkyl thienyl group, a pyridyl group, a C 1 -C 12 alkyl pyridyl group are preferable.

置換カルボキシル基は、アルキル基、アリール基、アリールアルキル基または1価の複素環基で置換されたカルボキシル基をいい、炭素数が通常2〜60程度であり、好ましくは炭素数2〜48であり、その具体例としては、メトキシカルボニル基、エトキシカルボニル基、プロポキシカルボニル基、i−プロポキシカルボニル基、ブトキシカルボニル基、i−ブトキシカルボニル基、t−ブトキシカルボニル基、ペンチルオキシカルボニル基、ヘキシロキシカルボニル基、シクロヘキシロキシカルボニル基、ヘプチルオキシカルボニル基、オクチルオキシカルボニル基、2−エチルヘキシロキシカルボニル基、ノニルオキシカルボニル基、デシロキシカルボニル基、3,7−ジメチルオクチルオキシカルボニル基、ドデシルオキシカルボニル基、トリフルオロメトキシカルボニル基、ペンタフルオロエトキシカルボニル基、パーフルオロブトキシカルボニル基、パーフルオロヘキシルオキシカルボニル基、パーフルオロオクチルオキシカルボニル基、フェノキシカルボニル基、ナフトキシカルボニル基、ピリジルオキシカルボニル基、などが挙げられる。なお該アルキル基、アリール基、アリールアルキル基または1価の複素環基は置換基を有していてもよい。置換カルボキシル基の炭素数には該置換基の炭素数は含まれない。   The substituted carboxyl group means a carboxyl group substituted with an alkyl group, an aryl group, an arylalkyl group or a monovalent heterocyclic group, and usually has about 2 to 60 carbon atoms, preferably 2 to 48 carbon atoms. Specific examples thereof include methoxycarbonyl group, ethoxycarbonyl group, propoxycarbonyl group, i-propoxycarbonyl group, butoxycarbonyl group, i-butoxycarbonyl group, t-butoxycarbonyl group, pentyloxycarbonyl group, hexyloxycarbonyl group. , Cyclohexyloxycarbonyl group, heptyloxycarbonyl group, octyloxycarbonyl group, 2-ethylhexyloxycarbonyl group, nonyloxycarbonyl group, decyloxycarbonyl group, 3,7-dimethyloctyloxycarbonyl group, dodecyloxycarbonyl Group, trifluoromethoxycarbonyl group, pentafluoroethoxycarbonyl group, perfluorobutoxycarbonyl group, perfluorohexyloxycarbonyl group, perfluorooctyloxycarbonyl group, phenoxycarbonyl group, naphthoxycarbonyl group, pyridyloxycarbonyl group, etc. Can be mentioned. The alkyl group, aryl group, arylalkyl group or monovalent heterocyclic group may have a substituent. The carbon number of the substituted carboxyl group does not include the carbon number of the substituent.

上記式(1)において、R3とR4がそれぞれ結合して環を形成する場合、その環としては、置換基を有していてもよいC4〜C10シクロアルキル環、C4−C10シクロアルケニル環、C6〜C10芳香族炭化水素環、C4〜C10複素環が例示される。 In the above formula (1), when R 3 and R 4 are each bonded to form a ring, the ring may be a C 4 to C 10 cycloalkyl ring optionally having a substituent, C 4 -C. 10 cycloalkenyl ring, C6~C 10 aromatic hydrocarbon ring, C 4 -C 10 heterocyclic are exemplified.

シクロアルキル環としては、シクロブタン、シクロペンタン、シクロヘキサン、シクロヘプタン、シクロオクタン、シクロノナン、シクロデカンなどが例示される。   Examples of the cycloalkyl ring include cyclobutane, cyclopentane, cyclohexane, cycloheptane, cyclooctane, cyclononane, cyclodecane and the like.

シクロアルケニル環としては、シクロヘキサジエン環、シクロオクタトリエン環などが例示される。   Examples of the cycloalkenyl ring include a cyclohexadiene ring and a cyclooctatriene ring.

芳香族炭化水素環としては、シクロペンタトリエン環などが例示される。 Examples of the aromatic hydrocarbon ring include a cyclopentatriene ring.

複素環としては、テトラヒドロフラン環、テトラヒドロチオフェン環、テトラヒドロインドール環、テトラヒドロキノリン環、ヘキサヒドロピリジン環、テトラヒドロイソキノリン環、ジュロリディン環などが例示される。 Examples of the heterocyclic ring include a tetrahydrofuran ring, a tetrahydrothiophene ring, a tetrahydroindole ring, a tetrahydroquinoline ring, a hexahydropyridine ring, a tetrahydroisoquinoline ring, and a julolidin ring.

上記式(1)で示される繰り返し単位の具体例としては、

Figure 0004904752
As a specific example of the repeating unit represented by the above formula (1),
Figure 0004904752

Figure 0004904752
Figure 0004904752

Figure 0004904752
Figure 0004904752


Figure 0004904752



Figure 0004904752


Figure 0004904752
Figure 0004904752

Figure 0004904752


が挙げられる。



Figure 0004904752


Is mentioned.



上記式(1)において、a=b=0であることが、高分子量化の観点および耐熱性向上の観点から好ましい。   In the above formula (1), a = b = 0 is preferable from the viewpoint of increasing the molecular weight and improving the heat resistance.

本発明の高分子化合物が有する繰り返し単位(A)の量の合計は、本発明の高分子化合物が有する全繰り返し単位の合計の通常1モル%以上100モル%以下であり、20モル%以上であることが好ましく、30モル%以上100モル%以下であることがさらに好ましい。   The total amount of the repeating unit (A) possessed by the polymer compound of the present invention is usually 1 mol% or more and 100 mol% or less, and 20 mol% or more of the total of all repeating units possessed by the polymer compound of the present invention. It is preferable that it is 30 mol% or more and 100 mol% or less.

本発明の高分子化合物は、発光波長を変化させる観点、発光効率を高める観点、耐熱性を向上させる観点等から、本発明の高分子化合物が有する繰り返し単位(A)に加え、それ以外の繰り返し単位を1種類以上含む共重合体が好ましい。繰り返し単位(A)以外の繰り返し単位としては、下記式(3)、式(4)、式(5)または式(6)で示される繰り返し単位が好ましい。
−Ar1− (3)

Figure 0004904752
−Ar4−X2− (5)
−X3− (6)

式中、Ar1、Ar2、Ar3およびAr4はそれぞれ独立にアリーレン基、2価の複素環基または金属錯体構造を有する2価の基を示す。X1、X2およびX3はそれぞれ独立に−CR9=CR10−、−C≡C−、−N(R11)−、または−(SiR1213m−を示す。R9およびR10は、それぞれ独立に水素原子、アルキル基、アリール基、1価の複素環基、カルボキシル基、置換カルボキシル基またはシアノ基を示す。R11、R12およびR13は、それぞれ独立に水素原子、アルキル基、アリール基、1価の複素環基、アリールアルキル基または置換アミノ基を示す。ffは0〜2の整数を示す。mは1〜12の整数を示す。R9、R10、R11、R12およびR12がそれぞれ複数存在する場合、それらは同一でも異なっていてもよい。 The polymer compound of the present invention is not limited to the repeating unit (A) of the polymer compound of the present invention, from the viewpoint of changing the emission wavelength, increasing the luminous efficiency, improving the heat resistance, etc. A copolymer containing one or more types of units is preferred. The repeating unit other than the repeating unit (A) is preferably a repeating unit represented by the following formula (3), formula (4), formula (5) or formula (6).
-Ar 1- (3)

Figure 0004904752
—Ar 4 —X 2 — (5)
-X 3- (6)

In the formula, Ar 1 , Ar 2 , Ar 3 and Ar 4 each independently represent an arylene group, a divalent heterocyclic group or a divalent group having a metal complex structure. X 1 , X 2 and X 3 each independently represent —CR 9 ═CR 10 —, —C≡C—, —N (R 11 ) —, or — (SiR 12 R 13 ) m —. R 9 and R 10 each independently represent a hydrogen atom, an alkyl group, an aryl group, a monovalent heterocyclic group, a carboxyl group, a substituted carboxyl group or a cyano group. R 11 , R 12 and R 13 each independently represent a hydrogen atom, an alkyl group, an aryl group, a monovalent heterocyclic group, an arylalkyl group or a substituted amino group. ff represents an integer of 0 to 2. m represents an integer of 1 to 12. When a plurality of R 9 , R 10 , R 11 , R 12 and R 12 are present, they may be the same or different.

ここでアリーレン基とは、芳香族炭化水素から、水素原子2個を除いた原子団であり、縮合環をもつもの、独立したベンゼン環または縮合環2個以上が直接またはビニレン等の基を介して結合したものが含まれる。アリーレン基は置換基を有していてもよい。
置換基としては、アルキル基、アルコキシ基、アルキルチオ基、アリール基、アリールオキシ基、アリールチオ基、アリールアルキル基、アリールアルコキシ基、アリールアルキルチオ基、アリールアルケニル基、アリールアルキニル基、アミノ基、置換アミノ基、シリル基、置換シリル基、ハロゲン原子、アシル基、アシルオキシ基、イミン残基、アミド基、酸イミド基、1価の複素環基、カルボキシル基、置換カルボキシル基、シアノ基が挙げられる。

アリーレン基における置換基を除いた部分の炭素数は通常6〜60程度であり、好ましくは6〜20である。また、アリーレン基の置換基を含めた全炭素数は、通常6〜100程度である。

アリーレン基としては、フェニレン基(例えば、下図の式1〜3)、ナフタレンジイル基(下図の式4〜13)、アントラセン−ジイル基(下図の式14〜19)、ビフェニル−ジイル基(下図の式20〜25)、フルオレン−ジイル基(下図の式36〜38)、ターフェニル−ジイル基(下図の式26〜28)、縮合環化合物基(下図の式29〜35)、スチルベン−ジイル(下図の式A〜D), ジスチルベン−ジイル (下図の式E,F)などが例示される。中でもフェニレン基、ビフェニレン基、フルオレン−ジイル基、スチルベン−ジイル基が好ましい。
Here, an arylene group is an atomic group obtained by removing two hydrogen atoms from an aromatic hydrocarbon, and those having a condensed ring, two or more independent benzene rings or condensed rings are directly or via a group such as vinylene. Are combined. The arylene group may have a substituent.
Examples of the substituent include an alkyl group, an alkoxy group, an alkylthio group, an aryl group, an aryloxy group, an arylthio group, an arylalkyl group, an arylalkoxy group, an arylalkylthio group, an arylalkenyl group, an arylalkynyl group, an amino group, and a substituted amino group. Silyl group, substituted silyl group, halogen atom, acyl group, acyloxy group, imine residue, amide group, acid imide group, monovalent heterocyclic group, carboxyl group, substituted carboxyl group, and cyano group.

Carbon number of the part except the substituent in an arylene group is about 6-60 normally, Preferably it is 6-20. Moreover, the total carbon number including the substituent of an arylene group is about 6-100 normally.

Examples of the arylene group include a phenylene group (for example, Formulas 1 to 3 in the following figure), a naphthalenediyl group (Formulas 4 to 13 in the following figure), an anthracene-diyl group (Formulas 14 to 19 in the following figure), and a biphenyl-diyl group ( Formulas 20 to 25), fluorene-diyl groups (formulas 36 to 38 in the following diagram), terphenyl-diyl groups (formulas 26 to 28 in the diagram below), condensed ring compound groups (formulas 29 to 35 in the diagram below), stilbene-diyl ( Examples are formulas A to D) and distilben-diyl (formulas E and F below). Of these, a phenylene group, a biphenylene group, a fluorene-diyl group, and a stilbene-diyl group are preferable.

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また、Ar1、Ar2、Ar3およびAr4における2価の複素環基とは、複素環化合物から水素原子2個を除いた残りの原子団をいい、該基は置換基を有していてもよい。
ここに複素環化合物とは、環式構造をもつ有機化合物のうち、環を構成する元素が炭素原子だけでなく、酸素、硫黄、窒素、リン、ホウ素、ヒ素などのヘテロ原子を環内に含むものをいう。2価の複素環基の中では、芳香族複素環基が好ましい。
置換基としては、アルキル基、アルコキシ基、アルキルチオ基、アリール基、アリールオキシ基、アリールチオ基、アリールアルキル基、アリールアルコキシ基、アリールアルキルチオ基、アリールアルケニル基、アリールアルキニル基、アミノ基、置換アミノ基、シリル基、置換シリル基、ハロゲン原子、アシル基、アシルオキシ基、イミン残基、アミド基、酸イミド基、1価の複素環基、カルボキシル基、置換カルボキシル基、シアノ基が挙げられる。
2価の複素環基における置換基を除いた部分の炭素数は通常3〜60程度である。また、2価の複素環基の置換基を含めた全炭素数は、通常3〜100程度である。
The divalent heterocyclic group in Ar 1 , Ar 2 , Ar 3, and Ar 4 refers to the remaining atomic group obtained by removing two hydrogen atoms from the heterocyclic compound, and the group has a substituent. May be.
Here, the heterocyclic compound is an organic compound having a cyclic structure, and the elements constituting the ring include not only carbon atoms but also hetero atoms such as oxygen, sulfur, nitrogen, phosphorus, boron, and arsenic in the ring. Say things. Of the divalent heterocyclic groups, an aromatic heterocyclic group is preferable.
Examples of the substituent include an alkyl group, an alkoxy group, an alkylthio group, an aryl group, an aryloxy group, an arylthio group, an arylalkyl group, an arylalkoxy group, an arylalkylthio group, an arylalkenyl group, an arylalkynyl group, an amino group, and a substituted amino group. Silyl group, substituted silyl group, halogen atom, acyl group, acyloxy group, imine residue, amide group, acid imide group, monovalent heterocyclic group, carboxyl group, substituted carboxyl group, and cyano group.
Carbon number of the part except the substituent in a bivalent heterocyclic group is about 3-60 normally. Moreover, the total carbon number including the substituent of a bivalent heterocyclic group is about 3-100 normally.

2価の複素環基としては、例えば以下のものが挙げられる。
ヘテロ原子として、窒素を含む2価の複素環基;ピリジンージイル基(下図の式39〜44)、ジアザフェニレン基(下図の式45〜48)、キノリンジイル基(下図の式49〜63)、キノキサリンジイル基(下図の式64〜68)、アクリジンジイル基(下図の式69〜72)、ビピリジルジイル基(下図の式73〜75)、フェナントロリンジイル基(下図の式76〜78)、など。
ヘテロ原子としてけい素、窒素、セレンなどを含みフルオレン構造を有する基(下図の式79〜93)。
ヘテロ原子としてけい素、窒素、硫黄、セレンなどを含む5員環複素環基:(下図の式94〜98)が挙げられる。
ヘテロ原子としてけい素、窒素、セレンなどを含む5員環縮合複素基:(下図の式99〜108)が挙げられる。
ヘテロ原子としてけい素、窒素、硫黄、セレンなどを含む5員環複素環基でそのヘテロ原子のα位で結合し2量体やオリゴマーになっている基:(下図の式109〜113)が挙げられる。
ヘテロ原子としてけい素、窒素、硫黄、セレンなどを含む5員環複素環基でそのヘテロ原子のα位でフェニル基に結合している基:(下図の式113〜119)が挙げられる。
ヘテロ原子として酸素、窒素、硫黄、などを含む5員環縮合複素環基にフェニル基やフリル基、チエニル基が置換した基:(下図の式120〜125)が挙げられる。
Examples of the divalent heterocyclic group include the following.
Divalent heterocyclic group containing nitrogen as a hetero atom; pyridine-diyl group (formula 39 to 44 in the following figure), diazaphenylene group (formula 45 to 48 in the figure below), quinoline diyl group (formula 49 to 63 in the figure below), quinoxaline Diyl groups (formulas 64 to 68 in the lower figure), acridine diyl groups (formulas 69 to 72 in the lower figure), bipyridyldiyl groups (formulas 73 to 75 in the lower figure), phenanthroline diyl groups (formulas 76 to 78 in the lower figure), and the like.
Groups containing silicon, nitrogen, selenium and the like as a hetero atom and having a fluorene structure (formulas 79 to 93 in the following figure).
5-membered heterocyclic groups containing silicon, nitrogen, sulfur, selenium and the like as a hetero atom: (formulae 94 to 98 in the following figure)
5-membered ring condensed hetero groups containing silicon, nitrogen, selenium and the like as a hetero atom: (Formulas 99 to 108 in the following figure)
A 5-membered ring heterocyclic group containing silicon, nitrogen, sulfur, selenium, etc. as a heteroatom, and bonded to the α-position of the heteroatom to form a dimer or oligomer: (Formulas 109 to 113 in the figure below) Can be mentioned.
Examples include 5-membered ring heterocyclic groups containing silicon, nitrogen, sulfur, selenium and the like as a hetero atom and bonded to a phenyl group at the α-position of the hetero atom (formulas 113 to 119 in the following figure).
Examples include groups in which a phenyl group, a furyl group, or a thienyl group is substituted on a 5-membered condensed heterocyclic group containing oxygen, nitrogen, sulfur, and the like as a hetero atom (formulas 120 to 125 in the following figure).

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また、Ar1、Ar2、Ar3およびAr4における金属錯体構造を有する2価の基とは、有機配位子を有する金属錯体の有機配位子から水素原子を2個除いた残りの2価の基である。
該有機配位子の炭素数は、通常4〜60程度であり、例えば、8−キノリノールおよびその誘導体、ベンゾキノリノールおよびその誘導体、2−フェニル−ピリジンおよびその誘導体、2−フェニル−ベンゾチアゾールおよびその誘導体、2−フェニル−ベンゾキサゾールおよびその誘導体、ポルフィリンおよびその誘導体などが挙げられる。
また、該錯体の中心金属としては、例えば、アルミニウム、亜鉛、ベリリウム、イリジウム、白金、金、ユーロピウム、テルビウムなどが挙げられる。
有機配位子を有する金属錯体としては、低分子の蛍光材料、燐光材料として公知の金属錯体、三重項発光錯体などが挙げられる。
The divalent group having a metal complex structure in Ar 1 , Ar 2 , Ar 3 and Ar 4 is the remaining 2 obtained by removing two hydrogen atoms from the organic ligand of the metal complex having an organic ligand. Is a valent group.
The carbon number of the organic ligand is usually about 4 to 60. For example, 8-quinolinol and derivatives thereof, benzoquinolinol and derivatives thereof, 2-phenyl-pyridine and derivatives thereof, 2-phenyl-benzothiazole and derivatives thereof. Derivatives, 2-phenyl-benzoxazole and its derivatives, porphyrin and its derivatives and the like.
Examples of the central metal of the complex include aluminum, zinc, beryllium, iridium, platinum, gold, europium, and terbium.
Examples of the metal complex having an organic ligand include a low-molecular fluorescent material, a metal complex known as a phosphorescent material, and a triplet light-emitting complex.

金属錯体構造を有する2価の基としては、具体的には、以下の(126〜132)が例示される。

Figure 0004904752

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Specific examples of the divalent group having a metal complex structure include the following (126 to 132).

Figure 0004904752

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上記の式1〜132において、Rはそれぞれ独立に水素原子、アルキル基、アルコキシ基、アルキルチオ基、アリール基、アリールオキシ基、アリールチオ基、アリールアルキル基、アリールアルコキシ基、アリールアルキルチオ基、アリールアルケニル基、アリールアルキニル基、アミノ基、置換アミノ基、シリル基、置換シリル基、ハロゲン原子、アシル基、アシルオキシ基、イミン残基、アミド基、酸イミド基、1価の複素環基、カルボキシル基、置換カルボキシル基またはシアノ基を示す。また、式1〜132の基が有する炭素原子は、窒素原子、酸素原子または硫黄原子と置き換えられていてもよく、水素原子はフッ素原子に置換されていてもよい。   In the above formulas 1 to 132, each R is independently a hydrogen atom, alkyl group, alkoxy group, alkylthio group, aryl group, aryloxy group, arylthio group, arylalkyl group, arylalkoxy group, arylalkylthio group, arylalkenyl group. , Arylalkynyl group, amino group, substituted amino group, silyl group, substituted silyl group, halogen atom, acyl group, acyloxy group, imine residue, amide group, acid imide group, monovalent heterocyclic group, carboxyl group, substitution A carboxyl group or a cyano group is shown. Moreover, the carbon atom which the group of Formula 1-132 has may be substituted with the nitrogen atom, the oxygen atom, or the sulfur atom, and the hydrogen atom may be substituted with the fluorine atom.

上記式(3)で示される繰り返し単位の中では、下記式(7)、式(8)、式(9)、式(10)、式(11)、または式(12)で示される繰り返し単位が好ましい。

Figure 0004904752
〔式中、R14は、アルキル基、アルコキシ基、アルキルチオ基、アリール基、アリールオキシ基、アリールチオ基、アリールアルキル基、アリールアルコキシ基、アリールアルキルチオ基、アリールアルケニル基、アリールアルキニル基、アミノ基、置換アミノ基、シリル基、置換シリル基、ハロゲン原子、アシル基、アシルオキシ基、イミン残基、アミド基、酸イミド基、1価の複素環基、カルボキシル基、置換カルボキシル基またはシアノ基を示す。nは0〜4の整数を示す。R14が複数存在する場合、それらは同一でも異なっていてもよい。〕
Figure 0004904752
〔式中、R15およびR16は、それぞれ独立にアルキル基、アルコキシ基、アルキルチオ基、アリール基、アリールオキシ基、アリールチオ基、アリールアルキル基、アリールアルコキシ基、アリールアルキルチオ基、アリールアルケニル基、アリールアルキニル基、アミノ基、置換アミノ基、シリル基、置換シリル基、ハロゲン原子、アシル基、アシルオキシ基、イミン残基、アミド基、酸イミド基、1価の複素環基、カルボキシル基、置換カルボキシル基またはシアノ基を示す。oおよびpはそれぞれ独立に0〜3の整数を示す。R15およびR16がそれぞれ複数存在する場合、それらは同一でも異なっていてもよい。〕

Figure 0004904752
〔式中、R17およびR20は、それぞれ独立にアルキル基、アルコキシ基、アルキルチオ基、アリール基、アリールオキシ基、アリールチオ基、アリールアルキル基、アリールアルコキシ基、アリールアルキルチオ基、アリールアルケニル基、アリールアルキニル基、アミノ基、置換アミノ基、シリル基、置換シリル基、ハロゲン原子、アシル基、アシルオキシ基、イミン残基、アミド基、酸イミド基、1価の複素環基、カルボキシル基、置換カルボキシル基またはシアノ基を示す。qおよびrはそれぞれ独立に0〜4の整数を示す。R18およびR19は、それぞれ独立に水素原子、アルキル基、アリール基、1価の複素環基、カルボキシル基、置換カルボキシル基またはシアノ基を示す。R17およびR20が複数存在する場合、それらは同一でも異なっていてもよい。〕

Figure 0004904752
〔式中、R21は、アルキル基、アルコキシ基、アルキルチオ基、アリール基、アリールオキシ基、アリールチオ基、アリールアルキル基、アリールアルコキシ基、アリールアルキルチオ基、アリールアルケニル基、アリールアルキニル基、アミノ基、置換アミノ基、シリル基、置換シリル基、ハロゲン原子、アシル基、アシルオキシ基、イミン残基、アミド基、酸イミド基、1価の複素環基、カルボキシル基、置換カルボキシル基またはシアノ基を示す。sは0〜2の整数を示す。Ar13およびAr14はそれぞれ独立にアリーレン基、2価の複素環基または金属錯体構造を有する2価の基を示す。ssおよびttはそれぞれ独立に0または1を示す。
4は、O、S、SO、SO2、Se,またはTeを示す。R21が複数存在する場合、それらは同一でも異なっていてもよい。〕

Figure 0004904752

〔式中、R22およびR25は、それぞれ独立にアルキル基、アルコキシ基、アルキルチオ基、アリール基、アリールオキシ基、アリールチオ基、アリールアルキル基、アリールアルコキシ基、アリールアルキルチオ基、アリールアルケニル基、アリールアルキニル基、アミノ基、置換アミノ基、シリル基、置換シリル基、ハロゲン原子、アシル基、アシルオキシ基、イミン残基、アミド基、酸イミド基、1価の複素環基、カルボキシル基、置換カルボキシル基またはシアノ基を示す。tおよびuはそれぞれ独立に0〜4の整数を示す。X5は、O、S、SO2、Se,Te、N−R24、またはSiR2526を示す。X6およびX7は、それぞれ独立にNまたはC−R27を示す。R24、R25、26およびR27はそれぞれ独立に水素原子、アルキル基、アリール基、アリールアルキル基または1価の複素環基を示す。R22、R23およびR27が複数存在する場合、それらは同一でも異なっていてもよい。〕
式(11)で示される繰り返し単位の中央の5員環の例としては、チアジアゾール、オキサジアゾール、トリアゾール、チオフェン、フラン、シロールなどが挙げられる。 Among the repeating units represented by the above formula (3), the repeating units represented by the following formula (7), formula (8), formula (9), formula (10), formula (11), or formula (12) Is preferred.

Figure 0004904752
[Wherein, R 14 represents an alkyl group, an alkoxy group, an alkylthio group, an aryl group, an aryloxy group, an arylthio group, an arylalkyl group, an arylalkoxy group, an arylalkylthio group, an arylalkenyl group, an arylalkynyl group, an amino group, A substituted amino group, silyl group, substituted silyl group, halogen atom, acyl group, acyloxy group, imine residue, amide group, acid imide group, monovalent heterocyclic group, carboxyl group, substituted carboxyl group or cyano group are shown. n represents an integer of 0 to 4. When a plurality of R 14 are present, they may be the same or different. ]
Figure 0004904752
Wherein R 15 and R 16 are each independently an alkyl group, alkoxy group, alkylthio group, aryl group, aryloxy group, arylthio group, arylalkyl group, arylalkoxy group, arylalkylthio group, arylalkenyl group, aryl Alkynyl group, amino group, substituted amino group, silyl group, substituted silyl group, halogen atom, acyl group, acyloxy group, imine residue, amide group, acid imide group, monovalent heterocyclic group, carboxyl group, substituted carboxyl group Or a cyano group is shown. o and p each independently represent an integer of 0 to 3. When a plurality of R 15 and R 16 are present, they may be the same or different. ]

Figure 0004904752
[Wherein, R 17 and R 20 are each independently an alkyl group, an alkoxy group, an alkylthio group, an aryl group, an aryloxy group, an arylthio group, an arylalkyl group, an arylalkoxy group, an arylalkylthio group, an arylalkenyl group, an aryl group. Alkynyl group, amino group, substituted amino group, silyl group, substituted silyl group, halogen atom, acyl group, acyloxy group, imine residue, amide group, acid imide group, monovalent heterocyclic group, carboxyl group, substituted carboxyl group Or a cyano group is shown. q and r each independently represents an integer of 0 to 4. R 18 and R 19 each independently represent a hydrogen atom, an alkyl group, an aryl group, a monovalent heterocyclic group, a carboxyl group, a substituted carboxyl group or a cyano group. When a plurality of R 17 and R 20 are present, they may be the same or different. ]

Figure 0004904752
[Wherein, R 21 represents an alkyl group, an alkoxy group, an alkylthio group, an aryl group, an aryloxy group, an arylthio group, an arylalkyl group, an arylalkoxy group, an arylalkylthio group, an arylalkenyl group, an arylalkynyl group, an amino group, A substituted amino group, silyl group, substituted silyl group, halogen atom, acyl group, acyloxy group, imine residue, amide group, acid imide group, monovalent heterocyclic group, carboxyl group, substituted carboxyl group or cyano group are shown. s shows the integer of 0-2. Ar 13 and Ar 14 each independently represent an arylene group, a divalent heterocyclic group or a divalent group having a metal complex structure. ss and tt each independently represent 0 or 1.
X 4 represents O, S, SO, SO 2 , Se, or Te. When a plurality of R 21 are present, they may be the same or different. ]

Figure 0004904752

[Wherein R 22 and R 25 are each independently an alkyl group, alkoxy group, alkylthio group, aryl group, aryloxy group, arylthio group, arylalkyl group, arylalkoxy group, arylalkylthio group, arylalkenyl group, aryl Alkynyl group, amino group, substituted amino group, silyl group, substituted silyl group, halogen atom, acyl group, acyloxy group, imine residue, amide group, acid imide group, monovalent heterocyclic group, carboxyl group, substituted carboxyl group Or a cyano group is shown. t and u each independently represents an integer of 0 to 4. X 5 represents O, S, SO 2 , Se, Te, N—R 24 , or SiR 25 R 26 . X 6 and X 7 each independently represent N or C—R 27 . R 24 , R 25, R 26 and R 27 each independently represent a hydrogen atom, an alkyl group, an aryl group, an arylalkyl group or a monovalent heterocyclic group. When a plurality of R 22 , R 23 and R 27 are present, they may be the same or different. ]
Examples of the central 5-membered ring of the repeating unit represented by the formula (11) include thiadiazole, oxadiazole, triazole, thiophene, furan, silole and the like.


Figure 0004904752

〔式中、R28およびR33は、それぞれ独立にアルキル基、アルコキシ基、アルキルチオ基、アリール基、アリールオキシ基、アリールチオ基、アリールアルキル基、アリールアルコキシ基、アリールアルキルチオ基、アリールアルケニル基、アリールアルキニル基、アミノ基、置換アミノ基、シリル基、置換シリル基、ハロゲン原子、アシル基、アシルオキシ基、イミン残基、アミド基、酸イミド基、1価の複素環基、カルボキシル基、置換カルボキシル基またはシアノ基を示す。vおよびwはそれぞれ独立に0〜4の整数を示す。R29、R30、R31およびR36は、それぞれ独立に水素原子、アルキル基、アリール基、1価の複素環基、カルボキシル基、置換カルボキシル基またはシアノ基を示す。Ar5はアリーレン基、2価の複素環基または金属錯体構造を有する2価の基を示す。R28およびR33が複数存在する場合、それらは同一でも異なっていてもよい。〕

また上記式(4)で示される繰り返し単位の中で、下記式(13)で示される繰り返し単位が、発光波長を変化させる観点、発光効率を高める観点、耐熱性を向上させる観点からも好ましい。

Figure 0004904752


〔式中、Ar6、Ar7、Ar8およびAr9はそれぞれ独立にアリーレン基または2価の複素環基を示す。Ar10、Ar11およびAr12はそれぞれ独立にアリール基、または1価の複素環基を示す。Ar6、Ar7、Ar8、Ar9、およびAr10は置換基を有していてもよい。xおよびyはそれぞれ独立に0または1を示し、0≦x+y≦1である。〕
Figure 0004904752

Wherein R 28 and R 33 are each independently an alkyl group, alkoxy group, alkylthio group, aryl group, aryloxy group, arylthio group, arylalkyl group, arylalkoxy group, arylalkylthio group, arylalkenyl group, aryl Alkynyl group, amino group, substituted amino group, silyl group, substituted silyl group, halogen atom, acyl group, acyloxy group, imine residue, amide group, acid imide group, monovalent heterocyclic group, carboxyl group, substituted carboxyl group Or a cyano group is shown. v and w each independently represent an integer of 0 to 4. R 29 , R 30 , R 31 and R 36 each independently represent a hydrogen atom, an alkyl group, an aryl group, a monovalent heterocyclic group, a carboxyl group, a substituted carboxyl group or a cyano group. Ar 5 represents an arylene group, a divalent heterocyclic group or a divalent group having a metal complex structure. When a plurality of R 28 and R 33 are present, they may be the same or different. ]

Of the repeating units represented by the above formula (4), the repeating unit represented by the following formula (13) is also preferable from the viewpoint of changing the emission wavelength, increasing the luminous efficiency, and improving the heat resistance.

Figure 0004904752


[Wherein, Ar 6 , Ar 7 , Ar 8 and Ar 9 each independently represent an arylene group or a divalent heterocyclic group. Ar 10 , Ar 11 and Ar 12 each independently represent an aryl group or a monovalent heterocyclic group. Ar 6 , Ar 7 , Ar 8 , Ar 9 , and Ar 10 may have a substituent. x and y each independently represents 0 or 1, and 0 ≦ x + y ≦ 1. ]

上記式(13)で示される繰り返し単位の具体例としては、以下の(式133〜140)で示されるものが挙げられる。


Figure 0004904752

Specific examples of the repeating unit represented by the above formula (13) include those represented by the following (formulas 133 to 140).


Figure 0004904752

Figure 0004904752

Figure 0004904752


Figure 0004904752

Figure 0004904752

上記式においてRは、前記式1〜132のそれと同じである。溶媒への溶解性を高めるためには、水素原子以外を1つ以上有していることが好ましく、また置換基を含めた繰り返し単位の形状の対称性が少ないことが好ましい。
上記式においてRがアルキル鎖を含む置換基においては、高分子化合物の溶媒への溶解性を高めるために、1つ以上に環状または分岐のあるアルキル鎖が含まれることが好ましい。
さらに、上記式においてRがアリール基や複素環基をその一部に含む場合は、それらがさらに1つ以上の置換基を有していてもよい。
In the above formula, R is the same as that in formulas 1-132. In order to increase the solubility in a solvent, it is preferable to have at least one other than a hydrogen atom, and it is preferable that the symmetry of the shape of the repeating unit including a substituent is small.
In the above formula, in the substituent in which R contains an alkyl chain, it is preferable that one or more alkyl chains having a cyclic or branched structure are included in order to enhance the solubility of the polymer compound in the solvent.
Furthermore, in the above formula, when R contains an aryl group or a heterocyclic group as a part thereof, they may further have one or more substituents.

下記式(13)の中では、下記式(13−2)で示される繰り返し単位が好ましい。

Figure 0004904752

〔式中、R42、R43およびR44は、それぞれ独立にアルキル基、アルコキシ基、アルキルチオ基、アリール基、アリールオキシ基、アリールチオ基、アリールアルキル基、アリールアルコキシ基、アリールアルキルチオ基、アリールアルケニル基、アリールアルキニル基、アミノ基、置換アミノ基、シリル基、置換シリル基、ハロゲン原子、アシル基、アシルオキシ基、イミン残基、アミド基、酸イミド基、1価の複素環基、カルボキシル基、置換カルボキシル基またはシアノ基を示す。hh、iiおよびjjはそれぞれ独立に0〜4の整数を示す。zは1〜2の整数を示す。R42、R43およびR44が複数ある場合、それらは同一でも異なっていてもよい。〕 In the following formula (13), a repeating unit represented by the following formula (13-2) is preferable.
Figure 0004904752

Wherein R 42 , R 43 and R 44 are each independently an alkyl group, alkoxy group, alkylthio group, aryl group, aryloxy group, arylthio group, arylalkyl group, arylalkoxy group, arylalkylthio group, arylalkenyl group Group, arylalkynyl group, amino group, substituted amino group, silyl group, substituted silyl group, halogen atom, acyl group, acyloxy group, imine residue, amide group, acid imide group, monovalent heterocyclic group, carboxyl group, A substituted carboxyl group or a cyano group is shown. hh, ii and jj each independently represent an integer of 0 to 4. z shows the integer of 1-2. When there are a plurality of R 42 , R 43 and R 44 , they may be the same or different. ]

なお、本発明の高分子化合物は、発光特性や電荷輸送特性を損なわない範囲で、上記式(1)、式(3)〜式(13)で示される繰り返し単位以外の繰り返し単位を含んでいてもよい。また、これらの繰り返し単位や他の繰り返し単位が、非共役の単位で連結されていてもよいし、繰り返し単位にそれらの非共役部分が含まれていてもよい。結合構造としては、以下に示すもの、および以下に示すもののうち2つ以上を組み合わせたものなどが例示される。ここで、Rは前記のものと同じ置換基から選ばれる基であり、Arは炭素数6〜60個の炭化水素基を示す。

Figure 0004904752
In addition, the polymer compound of the present invention includes a repeating unit other than the repeating units represented by the above formulas (1) and (3) to (13) as long as the light emission characteristics and the charge transport characteristics are not impaired. Also good. In addition, these repeating units and other repeating units may be linked by non-conjugated units, or the repeating units may contain those non-conjugated parts. Examples of the binding structure include those shown below and combinations of two or more of the following. Here, R is a group selected from the same substituents as described above, and Ar represents a hydrocarbon group having 6 to 60 carbon atoms.

Figure 0004904752

本発明の高分子化合物の中では、上記式(1−1)で示される繰り返し単位のみからなるもの、および/または(1−2)で示される繰り返し単位のみからなるもの、実質的に上記式(1−1)および/または(1−2)と上記式(3)〜(13)で示される繰り返し単位の1以上とからなるものが好ましい。   Among the polymer compounds of the present invention, those comprising only the repeating unit represented by the above formula (1-1) and / or comprising only the repeating unit represented by (1-2), substantially the above formula Those consisting of (1-1) and / or (1-2) and one or more repeating units represented by the above formulas (3) to (13) are preferred.

また、本発明の高分子化合物は、ランダム、ブロックまたはグラフト共重合体であってもよいし、それらの中間的な構造を有する高分子、例えばブロック性を帯びたランダム共重合体であってもよい。蛍光またはりん光の量子収率の高い高分子発光体を得る観点からは完全なランダム共重合体よりブロック性を帯びたランダム共重合体やブロックまたはグラフト共重合体が好ましい。主鎖に枝分かれがあり、末端部が3つ以上ある場合やデンドリマーも含まれる。   The polymer compound of the present invention may be a random, block or graft copolymer, or may be a polymer having an intermediate structure thereof, such as a random copolymer having a block property. Good. From the viewpoint of obtaining a polymer light emitter having a high quantum yield of fluorescence or phosphorescence, a random copolymer having a block property and a block or graft copolymer are preferable to a complete random copolymer. A case in which the main chain is branched and there are three or more terminal portions and dendrimers are also included.

また、本発明の高分子化合物の末端基は、重合活性基がそのまま残っていると、素子にしたときの発光特性や寿命が低下する可能性があるので、安定な基で保護されていてよい。主鎖の共役構造と連続した共役結合を有しているものが好ましく、例えば、炭素―炭素結合を介してアリール基または複素環基と結合している構造が例示される。具体的には、特開平9−45478号公報の化10に記載の置換基等が例示される。   In addition, the terminal group of the polymer compound of the present invention may be protected with a stable group, because if the polymerization active group remains as it is, there is a possibility that the light emission characteristics and lifetime when the device is made will be reduced. . Those having a conjugated bond continuous with the conjugated structure of the main chain are preferable, and examples thereof include a structure in which an aryl group or a heterocyclic group is bonded via a carbon-carbon bond. Specific examples include substituents described in Chemical formula 10 of JP-A-9-45478.

本発明の高分子化合物のポリスチレン換算の数平均分子量は通常103〜108程度であり、好ましくは104〜106である。また、ポリスチレン換算の重量平均分子量は103〜108であり、好ましくは5×104〜5×106である。 The number average molecular weight in terms of polystyrene of the polymer compound of the present invention is usually about 10 3 to 10 8 , preferably 10 4 to 10 6 . The weight average molecular weight in terms of polystyrene is 10 3 to 10 8, preferably a 5 × 10 4 ~5 × 10 6 .

本発明の高分子化合物に対する良溶媒としては、クロロホルム、塩化メチレン、ジクロロエタン、テトラヒドロフラン、トルエン、キシレン、メシチレン、テトラリン、デカリン、n−ブチルベンゼンなどが例示される。高分子化合物の構造や分子量にもよるが、通常はこれらの溶媒に0.1重量%以上溶解させることができる。   Examples of the good solvent for the polymer compound of the present invention include chloroform, methylene chloride, dichloroethane, tetrahydrofuran, toluene, xylene, mesitylene, tetralin, decalin, and n-butylbenzene. Although depending on the structure and molecular weight of the polymer compound, it can usually be dissolved in these solvents in an amount of 0.1% by weight or more.

次に本発明の高分子化合物の製造方法について説明する。
本発明の高分子化合物のなかで、例えば、式(1)で示される繰り返し単位を有するものは、
式(14)

Figure 0004904752
〔式中、R34、R35はそれぞれ独立にアルキル基、アルコキシ基、アルキルチオ基、アリール基、アリールオキシ基、アリールチオ基、アリールアルキル基、アリールアルコキシ基、アリールアルキルチオ基、アリールアルケニル基、アリールアルキニル基、アミノ基、置換アミノ基、シリル基、置換シリル基、ハロゲン原子、アシル基、アシルオキシ基、イミン残基、アミド基、酸イミド基、1価の複素環基、カルボキシル基、置換カルボキシル基およびシアノ基からなる群から選ばれる置換基を示す。aは0〜3の整数を表し、bは0〜5の整数を表す。R34、R35が複数存在する場合、それらは同一でも異なっていてもよい。R36、R37はそれぞれ独立に水素原子、アルキル基、アルコキシ基、アルキルチオ基、アリール基、アリールオキシ基、アリールチオ基、アリールアルキル基、アリールアルコキシ基、アリールアルキルチオ基、アリールアルケニル基、アリールアルキニル基、アミノ基、置換アミノ基、シリル基、置換シリル基、ハロゲン原子、アシル基、アシルオキシ基、イミン残基、アミド基、酸イミド基、1価の複素環基、カルボキシル基、置換カルボキシル基またはシアノ基を表す。R36とR37、R40とR41はそれぞれ互いに結合して環を形成していてもよい。Y1、Y2、Y3、Y4はそれぞれ独立に縮合重合に関与する置換基を表す。〕
で示される化合物を原料の一つとして用いて縮合重合させることにより製造することができる。 Next, the manufacturing method of the high molecular compound of this invention is demonstrated.
Among the polymer compounds of the present invention, for example, those having a repeating unit represented by the formula (1)
Formula (14)
Figure 0004904752
[Wherein, R 34 and R 35 are each independently an alkyl group, alkoxy group, alkylthio group, aryl group, aryloxy group, arylthio group, arylalkyl group, arylalkoxy group, arylalkylthio group, arylalkenyl group, arylalkynyl. Group, amino group, substituted amino group, silyl group, substituted silyl group, halogen atom, acyl group, acyloxy group, imine residue, amide group, acid imide group, monovalent heterocyclic group, carboxyl group, substituted carboxyl group and A substituent selected from the group consisting of a cyano group is shown. a represents an integer of 0 to 3, and b represents an integer of 0 to 5. When a plurality of R 34 and R 35 are present, they may be the same or different. R 36 and R 37 are each independently a hydrogen atom, alkyl group, alkoxy group, alkylthio group, aryl group, aryloxy group, arylthio group, arylalkyl group, arylalkoxy group, arylalkylthio group, arylalkenyl group, arylalkynyl group , Amino group, substituted amino group, silyl group, substituted silyl group, halogen atom, acyl group, acyloxy group, imine residue, amide group, acid imide group, monovalent heterocyclic group, carboxyl group, substituted carboxyl group or cyano Represents a group. R 36 and R 37 , R 40 and R 41 may be bonded to each other to form a ring. Y 1 , Y 2 , Y 3 and Y 4 each independently represent a substituent involved in condensation polymerization. ]
It can manufacture by carrying out condensation polymerization using the compound shown by one as a raw material.

本発明の製造方法において、縮合重合に関与する置換基としては、ハロゲン原子、アルキルスルホネート基、アリールスルホネート基、アリールアルキルスルホネート基、ホウ酸エステル基、スルホニウムメチル基、ホスホニウムメチル基、ホスホネートメチル基、モノハロゲン化メチル基、−B(OH)2、ホルミル基、シアノ基、ビニル基等があげられる。 In the production method of the present invention, the substituent involved in the condensation polymerization includes a halogen atom, an alkyl sulfonate group, an aryl sulfonate group, an aryl alkyl sulfonate group, a borate ester group, a sulfonium methyl group, a phosphonium methyl group, a phosphonate methyl group, Examples thereof include a monohalogenated methyl group, —B (OH) 2 , formyl group, cyano group, vinyl group and the like.

ここに、ハロゲン原子としては、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子があげられる。 Here, examples of the halogen atom include a fluorine atom, a chlorine atom, a bromine atom, and an iodine atom.

アルキルスルホネート基としては、メタンスルホネート基、エタンスルホネート基、トリフルオロメタンスルホネート基などが例示され、アリールスルホネート基としては、ベンゼンスルホネート基、p−トルエンスルホネート基などが例示され、アリールスルホネート基としては、ベンジルスルホネート基などが例示される。   Examples of the alkyl sulfonate group include a methane sulfonate group, an ethane sulfonate group, and a trifluoromethane sulfonate group. Examples of the aryl sulfonate group include a benzene sulfonate group and a p-toluene sulfonate group. Examples of the aryl sulfonate group include benzyl. Examples include sulfonate groups.

ホウ酸エステル基としては、下記式で示される基が例示される。

Figure 0004904752
式中、Meはメチル基を、Etはエチル基を示す。 Examples of the borate group include groups represented by the following formula.

Figure 0004904752
In the formula, Me represents a methyl group, and Et represents an ethyl group.

スルホニウムメチル基としては、下記式で示される基が例示される。
−CH2+Me2-、−CH2+Ph2-
(Xはハロゲン原子を示し、Phはフェニル基を示す。)
Examples of the sulfonium methyl group include groups represented by the following formula.
-CH 2 S + Me 2 X - , -CH 2 S + Ph 2 X -
(X represents a halogen atom, and Ph represents a phenyl group.)

ホスホニウムメチル基としては、下記式で示される基が例示される。
−CH2+Ph3- (Xはハロゲン原子を示す。)
Examples of the phosphonium methyl group include groups represented by the following formula.
-CH 2 P + Ph 3 X - (X represents a halogen atom.)

ホスホネートメチル基としては、下記式で示される基が例示される。
−CH2PO(OR’)2 (Xはハロゲン原子を示し、R’はアルキル基、アリール基、アリールアルキル基を示す。)
Examples of the phosphonate methyl group include groups represented by the following formula.
—CH 2 PO (OR ′) 2 (X represents a halogen atom, R ′ represents an alkyl group, an aryl group, or an arylalkyl group.)

モノハロゲン化メチル基としては、フッ化メチル基、塩化メチル基、臭化メチル基、ヨウ化メチル基が例示される。   Examples of the monohalogenated methyl group include a methyl fluoride group, a methyl chloride group, a methyl bromide group, and a methyl iodide group.

縮合重合に関与する置換基として好ましい置換基は重合反応の種類によって異なるが、例えばYamamotoカップリング反応など0価ニッケル錯体を用いる場合には、ハロゲン原子、アルキルスルホネート基、アリールスルホネート基またはアリールアルキルスルホネート基が挙げられる。またSuzukiカップリング反応などニッケル触媒あるいはパラジウム触媒を用いる場合には、アルキルスルホネート基、ハロゲン原子、ホウ酸エステル基、-B(OH)2などが挙げられる。 The preferred substituents involved in the condensation polymerization vary depending on the type of polymerization reaction. For example, when using a zerovalent nickel complex such as a Yamamoto coupling reaction, a halogen atom, an alkyl sulfonate group, an aryl sulfonate group, or an aryl alkyl sulfonate. Groups. In the case of using a nickel catalyst or a palladium catalyst such as a Suzuki coupling reaction, an alkyl sulfonate group, a halogen atom, a borate group, -B (OH) 2 and the like can be mentioned.

また、本発明の高分子化合物が、式(1)以外の繰り返し単位を有する場合には、式(1)以外の繰り返し単位となる、2個の縮合重合に関与する置換基を有する化合物を共存させて縮合重合させればよい。   In addition, when the polymer compound of the present invention has a repeating unit other than the formula (1), the compound having two substituents involved in the condensation polymerization, which becomes a repeating unit other than the formula (1), coexists. And may be subjected to condensation polymerization.

上記式(1)で示される繰り返し単位以外の繰り返し単位となる、2個の縮合重合可能な置換基を有する化合物としては、下記式(15)〜(18)の化合物が例示される。
上記式(14)で示される化合物に加えて、下記式(15)〜(18)のいずれかで示される化合物を縮合重合させることにより
式(15)
5−Ar1−Y6

式(16)

Figure 0004904752

式(17)
9−Ar4−X2−Y10

式(18)
11−X3−Y12
〔式中、Ar1、Ar2、Ar3、Ar4、ff、X1、X2およびX3は前記と同じである。Y5、Y6、Y7、Y8、Y9、Y10、Y11、およびY12はそれぞれ独立に縮合重合可能な置換基を示す。〕
上記式(1)で示される単位に加えて、順に(3)、(4)、(5)または(6)の単位を1つ以上有する高分子化合物を製造することができる。 Examples of the compound having two condensation-polymerizable substituents that are repeating units other than the repeating unit represented by the formula (1) include compounds represented by the following formulas (15) to (18).
In addition to the compound represented by the above formula (14), a compound represented by any one of the following formulas (15) to (18) is subjected to condensation polymerization to thereby formula (15)
Y 5 —Ar 1 —Y 6

Formula (16)
Figure 0004904752

Formula (17)
Y 9 -Ar 4 -X 2 -Y 10

Formula (18)
Y 11 -X 3 -Y 12
[Wherein, Ar 1 , Ar 2 , Ar 3 , Ar 4 ff, X 1 , X 2 and X 3 are the same as described above. Y 5 , Y 6 , Y 7 , Y 8 , Y 9 , Y 10 , Y 11 , and Y 12 each independently represent a substituent capable of condensation polymerization. ]
In addition to the unit represented by the above formula (1), a polymer compound having one or more units of (3), (4), (5) or (6) in order can be produced.

また、上記式(1)で示される繰り返し単位以外の繰り返し単位となる、上記式(13)に対応する2個の縮合に関与する置換基を有する化合物としては、下記式(15−1)で示される化合物があげられる。

Figure 0004904752
〔式中、Ar6、Ar7、Ar8、Ar9、Ar10、Ar11、Ar12、xおよびyは前記と同じ。Y13およびY14はそれぞれ独立に縮合重合に関与する置換基を示す。〕
さらに好ましくは、式(15−2)で示される化合物である。
Figure 0004904752

〔式中、R42、R43、R44、hh、ii、jj、およびzは前記と同じ。Y15およびY16はそれぞれ独立に縮合重合に関与する置換基を示す。〕 Moreover, as a compound which has a substituent which participates in two condensation corresponding to the said Formula (13) which becomes repeating units other than the repeating unit shown by the said Formula (1), following formula (15-1) is shown. And the compounds shown.
Figure 0004904752
[Wherein, Ar 6 , Ar 7 , Ar 8 , Ar 9 , Ar 10 , Ar 11 , Ar 12 , x and y are the same as described above. Y 13 and Y 14 each independently represent a substituent involved in condensation polymerization. ]
More preferably, it is a compound shown by Formula (15-2).
Figure 0004904752

[Wherein, R 42 , R 43 , R 44 , hh, ii, jj, and z are the same as described above. Y 15 and Y 16 each independently represent a substituent involved in condensation polymerization. ]

本発明の製造方法は、具体的には、モノマーとなる、縮合重合に関与する置換基を複数有する化合物を、必要に応じ、有機溶媒に溶解し、例えばアルカリや適当な触媒を用い、有機溶媒の融点以上沸点以下で行うことができる。例えば、“オルガニック リアクションズ(Organic Reactions)”,第14巻,270−490頁,ジョンワイリー アンド サンズ(John Wiley&Sons,Inc.),1965年、 “オルガニック シンセシス(Organic Syntheses)”,コレクティブ第6巻(Collective Volume VI),407−411頁,ジョンワイリー アンド サンズ(John Wiley&Sons,Inc.),1988年、ケミカル レビュー(Chem.Rev.),第95巻,2457頁(1995年)、ジャーナル オブ オルガノメタリック ケミストリー(J.Organomet.Chem.),第576巻,147頁(1999年)、マクロモレキュラー ケミストリー マクロモレキュラー シンポジウム(Makromol.Chem.,Macromol.Symp.),第12巻,229頁(1987年)などに記載の公知の方法を用いることができる。   Specifically, in the production method of the present invention, a compound having a plurality of substituents involved in condensation polymerization, which is a monomer, is dissolved in an organic solvent as necessary. For example, using an alkali or a suitable catalyst, Can be carried out at a melting point or higher and a boiling point or lower. For example, “Organic Reactions”, Vol. 14, pp. 270-490, John Wiley & Sons, Inc., 1965, “Organic Synthesis”, Collective Vol. (Collective Volume VI), 407-411, John Wiley & Sons, Inc., 1988, Chemical Review (Chem. Rev.), 95, 2457 (1995), Journal of Organometallic. Chemistry (J. Organomet. Chem.), 576, 147 (1999), Macromolecular Chemistry Mac Molecular Symposium (Makromol., Macromol.Symp.), Vol. 12, page 229 (1987) may be a known method described, for example.

本発明の高分子化合物の製造方法において、縮合重合させる方法としては、上記式(14)〜(15−2)で表される化合物の縮合重合に関与する置換基に応じて、既知の縮合反応を用いることにより製造できる。
本発明の高分子化合物が縮合重合において、二重結合を生成する場合は、例えば特開平5−202355号公報に記載の方法が挙げられる。すなわち、ホルミル基を有する化合物とホスホニウムメチル基を有する化合物との、もしくはホルミル基とホスホニウムメチル基とを有する化合物のWittig反応による重合、ビニル基を有する化合物とハロゲン原子を有する化合物とのHeck反応による重合、モノハロゲン化メチル基を2つあるいは2つ以上有する化合物の脱ハロゲン化水素法による重縮合、スルホニウムメチル基を2つあるいは2つ以上有する化合物のスルホニウム塩分解法による重縮合、ホルミル基を有する化合物とシアノ基を有する化合物とのKnoevenagel反応による重合などの方法、ホルミル基を2つあるいは2つ以上有する化合物のMcMurry反応による重合などの方法が例示される。
本発明の高分子化合物が縮合重合によって主鎖に三重結合を生成する場合には、例えば、Heck反応、Sonogashira反応が利用できる。
In the method for producing a polymer compound of the present invention, a condensation polymerization method is a known condensation reaction depending on the substituents involved in the condensation polymerization of the compounds represented by the above formulas (14) to (15-2). It can manufacture by using.
When the polymer compound of the present invention forms a double bond in condensation polymerization, for example, a method described in JP-A-5-202355 can be mentioned. That is, polymerization by Wittig reaction of a compound having a formyl group and a compound having a phosphonium methyl group, or a compound having a formyl group and a phosphonium methyl group, by Heck reaction between a compound having a vinyl group and a compound having a halogen atom. Polymerization, polycondensation of compounds having two or more monohalogenated methyl groups by dehydrohalogenation method, polycondensation of compounds having two or more sulfonium methyl groups by decomposing sulfonium salt, having a formyl group Examples include a method such as polymerization by a Knoevenagel reaction between a compound and a compound having a cyano group, and a method such as polymerization by a McMurry reaction of a compound having two or more formyl groups.
When the polymer compound of the present invention forms a triple bond in the main chain by condensation polymerization, for example, Heck reaction and Sonogashira reaction can be used.

また、二重結合や三重結合を生成しない場合には、例えば該当するモノマーからSuzukiカップリング反応により重合する方法、Grignard反応により重合する方法、Ni(0)錯体により重合する方法、FeCl3等の酸化剤により重合する方法、電気化学的に酸化重合する方法、あるいは適当な脱離基を有する中間体高分子の分解による方法などが例示される。 Further, when a double bond or triple bond is not generated, for example, a method of polymerizing from a corresponding monomer by a Suzuki coupling reaction, a method of polymerizing by a Grignard reaction, a method of polymerizing by a Ni (0) complex, FeCl 3 or the like Examples thereof include a method of polymerizing with an oxidizing agent, a method of electrochemically oxidatively polymerizing, a method of decomposing an intermediate polymer having an appropriate leaving group, and the like.

これらのうち、Wittig反応による重合、Heck反応による重合、Knoevenagel反応による重合、およびSuzukiカップリング反応により重合する方法、Grignard反応により重合する方法、ニッケルゼロ価錯体により重合する方法が、構造制御がしやすいので好ましい。   Among these, the structure is controlled by polymerization by Wittig reaction, polymerization by Heck reaction, polymerization by Knoevenagel reaction, polymerization by Suzuki coupling reaction, polymerization by Grignard reaction, and polymerization by nickel zero-valent complex. It is preferable because it is easy.

本発明の製造方法の中で、 Y1、Y2、Y3、4、5、6、7、8、9、10、11、およびY12がそれぞれ独立にハロゲン原子、アルキルスルホネート基、アリールスルホネート基またはアリールアルキルスルホネート基であり、ニッケルゼロ価錯体存在下で縮合重合する製造方法が好ましい。
原料化合物としては、ジハロゲン化化合物、ビス(アルキルスルホネート)化合物、ビス(アリールスルホネート)化合物、ビス(アリールアルキルスルホネート)化合物あるいはハロゲン−アルキルスルホネート化合物、ハロゲン−アリールスルホネート化合物、ハロゲン−アリールアルキルスルホネート化合物、アルキルスルホネート−アリールスルホネート化合物、アルキルスルホネート−アリールアルキルスルホネート化合物、アリールスルホネート−アリールアルキルスルホネート化合物が挙げられる。
In the production method of the present invention, Y 1 , Y 2 , Y 3, Y 4, Y 5, Y 6, Y 7, Y 8, Y 9, Y 10, Y 11, and Y 12 are each independently halogen. The production method is preferably an atom, an alkyl sulfonate group, an aryl sulfonate group, or an aryl alkyl sulfonate group, in which condensation polymerization is performed in the presence of a nickel zero-valent complex.
As raw material compounds, dihalogenated compounds, bis (alkyl sulfonate) compounds, bis (aryl sulfonate) compounds, bis (aryl alkyl sulfonate) compounds or halogen-alkyl sulfonate compounds, halogen-aryl sulfonate compounds, halogen-aryl alkyl sulfonate compounds, Examples include alkyl sulfonate-aryl sulfonate compounds, alkyl sulfonate-aryl alkyl sulfonate compounds, and aryl sulfonate-aryl alkyl sulfonate compounds.

また、本発明の製造方法の中で、Y1、Y2、3、4、5、6、7、8、9、10、11、およびY12がそれぞれ独立にハロゲン原子、アルキルスルホネート基、アリールスルホネート基、アリールアルキルスルホネート基、ホウ酸基、またはホウ酸エステル基であり、ハロゲン原子、アルキルスルホネート基、アリールスルホネート基およびアリールアルキルスルホネート基のモル数の合計(J)と、ホウ酸基およびホウ酸エステル基のモル数の合計(K)の比が実質的に1(通常 K/J は0.7〜1.2の範囲)であり、ニッケル触媒またはパラジウム触媒を用いて縮合重合する製造方法が好ましい。
具体的な原料化合物の組み合わせとしては、ジハロゲン化化合物、ビス(アルキルスルホネート)化合物、ビス(アリールスルホネート)化合物またはビス(アリールアルキルスルホネート)化合物とジホウ酸化合物またはジホウ酸エステル化合物との組み合わせが挙げられる。
また、ハロゲン−ホウ酸化合物、ハロゲン−ホウ酸エステル化合物、アルキルスルホネート−ホウ酸化合物、アルキルスルホネート−ホウ酸エステル化合物、アリールスルホネート−ホウ酸化合物、アリールスルホネート−ホウ酸エステル化合物、アリールアルキルスルホネート−ホウ酸化合物、アリールアルキルスルホネート−ホウ酸化合物、アリールアルキルスルホネート−ホウ酸エステル化合物挙げられる。
Further, in the manufacturing method of the present invention, Y 1, Y 2, Y 3, Y 4, Y 5, Y 6, Y 7, Y 8, Y 9, Y 10, Y 11, and Y 12 are each independently Are a halogen atom, an alkyl sulfonate group, an aryl sulfonate group, an aryl alkyl sulfonate group, a boric acid group, or a boric acid ester group, and the total number of moles of the halogen atom, the alkyl sulfonate group, the aryl sulfonate group, and the arylalkyl sulfonate group ( J) and the total number of moles of boric acid groups and boric acid ester groups (K) is substantially 1 (usually K / J is in the range of 0.7 to 1.2) and nickel catalyst or palladium A production method in which condensation polymerization is performed using a catalyst is preferred.
Specific combinations of raw material compounds include a combination of a dihalogenated compound, a bis (alkyl sulfonate) compound, a bis (aryl sulfonate) compound or a bis (aryl alkyl sulfonate) compound and a diboric acid compound or a diboric acid ester compound. .
Also, halogen-boric acid compounds, halogen-boric acid ester compounds, alkyl sulfonate-boric acid compounds, alkyl sulfonate-boric acid ester compounds, aryl sulfonate-boric acid compounds, aryl sulfonate-boric acid ester compounds, arylalkyl sulfonate-borates Examples include acid compounds, arylalkyl sulfonate-boric acid compounds, and arylalkyl sulfonate-boric acid ester compounds.

有機溶媒としては、用いる化合物や反応によっても異なるが、一般に副反応を抑制するために、用いる溶媒は十分に脱酸素処理を施し、不活性雰囲気化で反応を進行させることが好ましい。また、同様に脱水処理を行うことが好ましい。但し、Suzukiカップリング反応のような水との2相系での反応の場合にはその限りではない。   The organic solvent varies depending on the compound and reaction to be used, but it is generally preferable that the solvent to be used is sufficiently deoxygenated and the reaction proceeds in an inert atmosphere in order to suppress side reactions. Similarly, it is preferable to perform a dehydration treatment. However, this is not the case in the case of a two-phase reaction with water, such as the Suzuki coupling reaction.

溶媒としては、ペンタン、ヘキサン、ヘプタン、オクタン、シクロヘキサンなどの飽和炭化水素、ベンゼン、トルエン、エチルベンゼン、キシレンなどの不飽和炭化水素、四塩化炭素、クロロホルム、ジクロロメタン、クロロブタン、ブロモブタン、クロロペンタン、ブロモペンタン、クロロヘキサン、ブロモヘキサン、クロロシクロヘキサン、ブロモシクロヘキサンなどのハロゲン化飽和炭化水素、クロロベンゼン、ジクロロベンゼン、トリクロロベンゼンなどのハロゲン化不飽和炭化水素、メタノール、エタノール、プロパノール、イソプロパノール、ブタノール、t−ブチルアルコールなどのアルコール類、蟻酸、酢酸、プロピオン酸などのカルボン酸類、ジメチルエーテル、ジエチルエーテル、メチル−t−ブチルエーテル、テトラヒドロフラン、テトラヒドロピラン、ジオキサンなどのエーテル類、トリメチルアミン、トリエチルアミン、N,N, N‘,N’−テトラメチルエチレンジアミン、ピリジンなどのアミン類、N,N−ジメチルホルムアミド、N,N−ジメチルアセトアミド、N,N−ジエチルアセトアミド、N−メチルモルホリンオキシドなどのアミド類などが例示され、単一溶媒、またはこれらの混合溶媒を用いてもよい。これらの中で、エーテル類が好ましく、テトラヒドロフラン、ジエチルエーテルがさらに好ましい。   Solvents include saturated hydrocarbons such as pentane, hexane, heptane, octane and cyclohexane, unsaturated hydrocarbons such as benzene, toluene, ethylbenzene and xylene, carbon tetrachloride, chloroform, dichloromethane, chlorobutane, bromobutane, chloropentane and bromopentane. Halogenated saturated hydrocarbons such as chlorohexane, bromohexane, chlorocyclohexane and bromocyclohexane, halogenated unsaturated hydrocarbons such as chlorobenzene, dichlorobenzene and trichlorobenzene, methanol, ethanol, propanol, isopropanol, butanol, t-butyl alcohol Alcohols such as formic acid, acetic acid, propionic acid, dimethyl ether, diethyl ether, methyl-t-butyl ether, tetra Ethers such as drofuran, tetrahydropyran, dioxane, trimethylamine, triethylamine, N, N, N ′, N′-tetramethylethylenediamine, amines such as pyridine, N, N-dimethylformamide, N, N-dimethylacetamide, N , N-diethylacetamide, amides such as N-methylmorpholine oxide, etc. are exemplified, and a single solvent or a mixed solvent thereof may be used. Of these, ethers are preferable, and tetrahydrofuran and diethyl ether are more preferable.

反応させるために適宜アルカリや適当な触媒を添加する。これらは用いる反応に応じて選択すればよい。該アルカリまたは触媒は、反応に用いる溶媒に十分に溶解するものが好ましい。アルカリまたは触媒を混合する方法としては、反応液をアルゴンや窒素などの不活性雰囲気下で攪拌しながらゆっくりとアルカリまたは触媒の溶液を添加するか、逆にアルカリまたは触媒の溶液に反応液をゆっくりと添加する方法が例示される。   In order to make it react, an alkali and a suitable catalyst are added suitably. These may be selected according to the reaction used. The alkali or catalyst is preferably one that is sufficiently dissolved in the solvent used in the reaction. As a method of mixing the alkali or catalyst, slowly add the alkali or catalyst solution while stirring the reaction solution under an inert atmosphere such as argon or nitrogen, or conversely, slowly add the reaction solution to the alkali or catalyst solution. And the method of adding.

本発明の高分子化合物を高分子LED等に用いる場合、その純度が発光特性等の素子の性能に影響を与えるため、重合前のモノマーを蒸留、昇華精製、再結晶等の方法で精製したのちに重合することが好ましい。また重合後、再沈精製、クロマトグラフィーによる分別等の純化処理をすることが好ましい。   When the polymer compound of the present invention is used for a polymer LED or the like, its purity affects the performance of the device such as light emission characteristics. Therefore, after the monomer before polymerization is purified by a method such as distillation, sublimation purification, recrystallization, etc. It is preferable to polymerize. Further, after the polymerization, it is preferable to carry out a purification treatment such as reprecipitation purification and fractionation by chromatography.

本発明の高分子化合物の原料として有用な(14)は、(14)のY1およびY2を水素原子に置き換えた構造の化合物を臭素化することによって得られる。 (14) useful as a starting material for the polymer compound of the present invention can be obtained by brominating a compound having a structure in which Y 1 and Y 2 in (14) are replaced with hydrogen atoms.

次に本発明の高分子化合物の用途について説明する。
本発明の高分子化合物は、通常は、固体状態で蛍光または燐光を発し、高分子発光体(高分子量の発光材料)として用いることができる。
また、該高分子化合物は優れた電荷輸送能を有しており、高分子LED用材料や電荷輸送材料として好適に用いることができる。該高分子発光体を用いた高分子LEDは低電圧、高効率で駆動できる高性能の高分子LEDである。従って、該高分子LEDは液晶ディスプレイのバックライト、または照明用としての曲面状や平面状の光源、セグメントタイプの表示素子、ドットマトリックスのフラットパネルディスプレイ等の装置に好ましく使用できる。
また、本発明の高分子化合物はレーザー用色素、有機太陽電池用材料、有機トランジスタ用の有機半導体、導電性薄膜、有機半導体薄膜などの伝導性薄膜用材料としても用いることができる。
さらに、蛍光や燐光を発する発光性薄膜材料としても用いることができる。
Next, the use of the polymer compound of the present invention will be described.
The polymer compound of the present invention usually emits fluorescence or phosphorescence in a solid state and can be used as a polymer light emitter (high molecular weight light emitting material).
Further, the polymer compound has an excellent charge transport ability, and can be suitably used as a polymer LED material or a charge transport material. The polymer LED using the polymer light emitter is a high-performance polymer LED that can be driven with low voltage and high efficiency. Therefore, the polymer LED can be preferably used for a backlight of a liquid crystal display, or a device such as a curved or flat light source for illumination, a segment type display element, a dot matrix flat panel display.
The polymer compound of the present invention can also be used as a material for conductive thin films such as laser dyes, organic solar cell materials, organic semiconductors for organic transistors, conductive thin films, and organic semiconductor thin films.
Furthermore, it can also be used as a light-emitting thin film material that emits fluorescence or phosphorescence.

次に、本発明の高分子LEDについて説明する。
本発明の高分子LEDは、陽極および陰極からなる電極間に、有機層を有し、該有機層が本発明の高分子化合物を含むことを特徴とする。
有機層は、発光層、正孔輸送層、電子輸送層等のいずれであってもよいが、有機層が発光層であることが好ましい。
Next, the polymer LED of the present invention will be described.
The polymer LED of the present invention has an organic layer between electrodes composed of an anode and a cathode, and the organic layer contains the polymer compound of the present invention.
The organic layer may be any of a light emitting layer, a hole transport layer, an electron transport layer, and the like, but the organic layer is preferably a light emitting layer.

ここに、発光層とは、発光する機能を有する層をいい、正孔輸送層とは、正孔を輸送する機能を有する層をいい、電子輸送層とは、電子を輸送する機能を有する層をいう。なお、電子輸送層と正孔輸送層を総称して電荷輸送層と呼ぶ。発光層、正孔輸送層、電子輸送層は、それぞれ独立に2層以上用いてもよい。   Here, the light emitting layer refers to a layer having a function of emitting light, the hole transporting layer refers to a layer having a function of transporting holes, and the electron transporting layer is a layer having a function of transporting electrons. Say. The electron transport layer and the hole transport layer are collectively referred to as a charge transport layer. Two or more light emitting layers, hole transport layers, and electron transport layers may be used independently.

有機層が発光層である場合、有機層である発光層がさらに正孔輸送性材料、電子輸送性材料または発光性材料を含んでいてもよい。ここで、発光性材料とは、蛍光および/または燐光を示す材料のことをさす。
本発明の高分子化合物と正孔輸送性材料と混合する場合には、その混合物全体
に対して、正孔輸送性材料の混合割合は1wt%〜80wt%であり、好ましくは5wt%〜60wt%である。本発明の高分子材料と電子輸送性材料を混合する場合には、その混合物全体に対して電子輸送性材料の混合割合は1wt%〜80wt%であり、好ましくは5wt%〜60wt%である。さらに、本発明の高分子化合物と発光性材料を混合する場合にはその混合物全体に対して発光性材料の混合割合は1wt%〜80wt%であり、好ましくは5wt%〜60wt%である。本発明の高分子化合物と発光性材料、正孔輸送性材料および/または電子輸送性材料を混合する場合にはその混合物全体に対して発光性材料の混合割合は1wt%〜50wt%であり、好ましくは5wt%〜40wt%であり、正孔輸送性材料と電子輸送性材料はそれらの合計で1wt%〜50wt%であり、好ましくは5wt%〜40wt%であり、本発明の高分子化合物の含有量は99wt%〜20wt%である。
When the organic layer is a light emitting layer, the light emitting layer that is an organic layer may further contain a hole transporting material, an electron transporting material, or a light emitting material. Here, the light-emitting material refers to a material that exhibits fluorescence and / or phosphorescence.
When the polymer compound of the present invention and the hole transporting material are mixed, the mixing ratio of the hole transporting material is 1 wt% to 80 wt%, preferably 5 wt% to 60 wt% with respect to the entire mixture. It is. When the polymer material of the present invention and the electron transporting material are mixed, the mixing ratio of the electron transporting material is 1 wt% to 80 wt%, preferably 5 wt% to 60 wt% with respect to the entire mixture. Further, when the polymer compound of the present invention and the luminescent material are mixed, the mixing ratio of the luminescent material is 1 wt% to 80 wt%, preferably 5 wt% to 60 wt% with respect to the entire mixture. When the polymer compound of the present invention is mixed with a luminescent material, a hole transport material and / or an electron transport material, the mixing ratio of the luminescent material is 1 wt% to 50 wt% with respect to the entire mixture, Preferably, it is 5 wt% to 40 wt%, and the total amount of the hole transporting material and the electron transporting material is 1 wt% to 50 wt%, preferably 5 wt% to 40 wt%. The content is 99 wt% to 20 wt%.

混合する正孔輸送性材料、電子輸送性材料、発光性材料は公知の低分子化合物、三重項発光錯体、または高分子化合物が使用できるが、高分子化合物を用いることが好ましい。 高分子化合物の正孔輸送性材料、電子輸送性材料および発光性材料としては、WO99/13692、WO99/48160、GB2340304A、WO00/53656、WO01/19834、WO00/55927、GB2348316、WO00/46321、WO00/06665、WO99/54943、WO99/54385、US5777070、WO98/06773、WO97/05184、WO00/35987、WO00/53655、WO01/34722、WO99/24526、WO00/22027、WO00/22026、WO98/27136、US573636、WO98/21262、US5741921、WO97/09394、WO96/29356、WO96/10617、EP0707020、WO95/07955、特開平2001−181618、特開平2001−123156、特開平2001−3045、特開平2000−351967、特開平2000−303066、特開平2000−299189、特開平2000−252065、特開平2000−136379、特開平2000−104057、特開平2000−80167、特開平10−324870、特開平10−114891、特開平9−111233、特開平9−45478等に開示されているポリフルオレン、その誘導体および共重合体、ポリアリーレン、その誘導体および共重合体、ポリアリーレンビニレン、その誘導体および共重合体、芳香族アミンおよびその誘導体の(共)重合体が例示される。
低分子化合物の蛍光性材料としでは、例えば、ナフタレン誘導体、アントラセンもしくはその誘導体、ペリレンもしくはその誘導体、ポリメチン系、キサンテン系、クマリン系、シアニン系などの色素類、8−ヒドロキシキノリンもしくはその誘導体の金属錯体、芳香族アミン、テトラフェニルシクロペンタジエンもしくはその誘導体、またはテトラフェニルブタジエンもしくはその誘導体などを用いることができる。
具体的には、例えば特開昭57−51781号、同59−194393号公報に記載されているもの等、公知のものが使用可能である。
As the hole-transporting material, electron-transporting material, and light-emitting material to be mixed, a known low-molecular compound, triplet light-emitting complex, or polymer compound can be used, but a polymer compound is preferably used. As the hole transporting material, electron transporting material and light emitting material of the polymer compound, WO99 / 13692, WO99 / 48160, GB2340304A, WO00 / 53656, WO01 / 19834, WO00 / 55927, GB23448316, WO00 / 46321, WO00 / 06665, WO99 / 54943, WO99 / 54385, US5777070, WO98 / 06773, WO97 / 05184, WO00 / 35987, WO00 / 53655, WO01 / 34722, WO99 / 24526, WO00 / 22027, WO00 / 22026, WO98 / 27136, US573636 , WO98 / 21262, US5741921, WO97 / 09394, WO96 / 29356, WO96 / 10617, EP0707. 20, WO 95/07955, JP 2001-181618, JP 2001-123156, JP 2001-3045, JP 2000-351967, JP 2000-303066, JP 2000-299189, JP 2000-252065, JP 2000-136379, JP 2000-104057, JP 2000-80167, JP 10-324870, JP 10-114891, JP 9-111233, JP 9-45478, and the like, and derivatives thereof And copolymers, polyarylenes, derivatives and copolymers thereof, polyarylene vinylenes, derivatives and copolymers thereof, (co) polymers of aromatic amines and derivatives thereof.
Examples of low molecular weight fluorescent materials include naphthalene derivatives, anthracene or derivatives thereof, perylene or derivatives thereof, polymethine-based, xanthene-based, coumarin-based, cyanine-based pigments, 8-hydroxyquinoline or its derivatives of metals. A complex, an aromatic amine, tetraphenylcyclopentadiene or a derivative thereof, or tetraphenylbutadiene or a derivative thereof can be used.
Specifically, for example, known ones such as those described in JP-A-57-51781 and 59-194393 can be used.

三重項発光錯体としては、例えば、イリジウムを中心金属とするIr(ppy)3、Btp2Ir(acac)、白金を中心金属とするPtOEP、ユーロピウムを中心金属とするEu(TTA)3phen等が挙げられる。 Examples of triplet light-emitting complexes include Ir (ppy) 3, Btp 2 Ir (acac) with iridium as the central metal, PtOEP with platinum as the central metal, and Eu (TTA) 3phen with europium as the central metal. It is done.

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三重項発光錯体として具体的には、例えばNature, (1998), 395, 151、Appl. Phys. Lett. (1999), 75(1), 4、Proc. SPIE-Int. Soc. Opt. Eng. (2001), 4105(Organic Light-Emitting Materials and DevicesIV), 119、J. Am. Chem. Soc., (2001), 123, 4304、Appl. Phys. Lett., (1997), 71(18), 2596、Syn. Met., (1998), 94(1), 103、Syn. Met., (1999), 99(2), 1361、Adv. Mater., (1999), 11(10), 852 、Jpn.J.Appl.Phys.,34, 1883 (1995)などに記載されている。
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Specific examples of triplet light emitting complexes include Nature, (1998), 395, 151, Appl. Phys. Lett. (1999), 75 (1), 4, Proc. SPIE-Int. Soc. Opt. Eng. (2001), 4105 (Organic Light-Emitting Materials and Devices IV), 119, J. Am. Chem. Soc., (2001), 123, 4304, Appl. Phys. Lett., (1997), 71 (18), 2596, Syn. Met., (1998), 94 (1), 103, Syn. Met., (1999), 99 (2), 1361, Adv. Mater., (1999), 11 (10), 852, Jpn. J. Appl. Phys., 34, 1883 (1995).

三重項発光錯体を発光材料として用いる場合には、通常はホスト材料と混合して用いる。この場合、ホスト材料は高い励起三重項エネルギーを持つことが好ましい。
〔有機ELハンドブック(リアライズ理工センター2004年6月30日発行)、198ページ〕
本発明の高分子化合物は、高い励起三重項エネルギーを持つため、三重項発光錯体のホスト材料としても優れている。
When a triplet light emitting complex is used as a light emitting material, it is usually used by mixing with a host material. In this case, the host material preferably has a high excited triplet energy.
[Organic EL handbook (Realize Science and Technology Center, issued on June 30, 2004), 198 pages]
Since the polymer compound of the present invention has high excited triplet energy, it is excellent as a host material for a triplet light-emitting complex.

本発明の組成物は、正孔輸送材料、電子輸送材料、発光材料から選ばれる少なくとも1種類の材料と本発明の高分子化合物を含有し、発光材料や電荷輸送材料として用いることができる。
その正孔輸送材料、電子輸送材料、発光材料から選ばれる少なくとも1種類の材料と本発明の高分子化合物の含有比率は、用途に応じて決めればよいが、発光材料の用途の場合は、上記の発光層におけると同じ含有比率が好ましい。
The composition of the present invention contains at least one material selected from a hole transport material, an electron transport material, and a light emitting material and the polymer compound of the present invention, and can be used as a light emitting material or a charge transport material.
The content ratio of the polymer compound of the present invention and at least one material selected from the hole transport material, electron transport material, and light emitting material may be determined according to the use. The same content ratio as in the light emitting layer is preferable.

本発明の高分子LEDが有する発光層の膜厚としては、用いる材料によって最適値が異なり、駆動電圧と発光効率が適度な値となるように選択すればよいが、例えば1nmから1μmであり、好ましくは2nm〜500nmであり、さらに好ましくは5nm〜200nmである。   As the film thickness of the light emitting layer of the polymer LED of the present invention, the optimum value varies depending on the material to be used, and it may be selected so that the driving voltage and the light emission efficiency are appropriate values, for example, 1 nm to 1 μm, Preferably it is 2 nm-500 nm, More preferably, it is 5 nm-200 nm.

発光層の形成方法としては、例えば、溶液からの成膜による方法が例示される。溶液からの成膜方法としては、スピンコート法、キャスティング法、マイクログラビアコート法、グラビアコート法、バーコート法、ロールコート法、ワイアーバーコート法、ディップコート法、スプレーコート法、スクリーン印刷法、フレキソ印刷法、オフセット印刷法、インクジェットプリント法等の塗布法を用いることができる。パターン形成や多色の塗分けが容易であるという点で、スクリーン印刷法、フレキソ印刷法、オフセット印刷法、インクジェットプリント法等の印刷法が好ましい。   Examples of the method for forming the light emitting layer include a method by film formation from a solution. As a film forming method from a solution, a spin coating method, a casting method, a micro gravure coating method, a gravure coating method, a bar coating method, a roll coating method, a wire bar coating method, a dip coating method, a spray coating method, a screen printing method, Application methods such as a flexographic printing method, an offset printing method, and an ink jet printing method can be used. Printing methods such as a screen printing method, a flexographic printing method, an offset printing method, and an ink jet printing method are preferable in that pattern formation and multicolor coating are easy.

印刷法等で用いるインク組成物としては、少なくとも1種類の本発明の高分子化合物が含有されていればよく、また本発明の高分子化合物以外に正孔輸送材料、電子輸送材料、発光材料、溶媒、安定剤などの添加剤を含んでいてもよい。
該インク組成物中における本発明の高分子化合物の割合は、溶媒を除いた組成物の全重量に対して通常は20wt%〜100wt%であり、好ましくは40wt%〜100wt%である。
またインク組成物中に溶媒が含まれる場合の溶媒の割合は、組成物の全重量に対して1wt%〜99.9wt%であり、好ましくは60wt%〜99.5wt%であり、さらに好ましく80wt%〜99.0wt%である。
インク組成物の粘度は印刷法によって異なるが、インクジェットプリント法などインク組成物中が吐出装置を経由するもの場合には、吐出時の目づまりや飛行曲がりを防止するために粘度が25℃において1〜20mPa・sの範囲であることが好ましい。
The ink composition used in the printing method or the like only needs to contain at least one polymer compound of the present invention. Besides the polymer compound of the present invention, a hole transport material, an electron transport material, a light emitting material, Additives such as solvents and stabilizers may be included.
The ratio of the polymer compound of the present invention in the ink composition is usually 20 wt% to 100 wt%, preferably 40 wt% to 100 wt%, based on the total weight of the composition excluding the solvent.
When the ink composition contains a solvent, the ratio of the solvent is 1 wt% to 99.9 wt%, preferably 60 wt% to 99.5 wt%, and more preferably 80 wt% with respect to the total weight of the composition. % To 99.0 wt%.
The viscosity of the ink composition varies depending on the printing method. However, when the ink composition passes through a discharge device such as an ink jet printing method, the viscosity is 1 at 25 ° C. in order to prevent clogging at the time of discharge and flight bending. It is preferably in the range of ˜20 mPa · s.

インク組成物として用いる溶媒としては特に制限はないが、該インク組成物を構成する溶媒以外の材料を溶解または均一に分散できるものが好ましい。該インク組成物を構成する材料が非極性溶媒に可溶なものである場合に、該溶媒としてクロロホルム、塩化メチレン、ジクロロエタン等の塩素系溶媒、テトラヒドロフラン等のエーテル系溶媒、トルエン、キシレン等の芳香族炭化水素系溶媒、アセトン、メチルエチルケトン等のケトン系溶媒、酢酸エチル、酢酸ブチル、エチルセルソルブアセテート等のエステル系溶媒が例示される。   Although there is no restriction | limiting in particular as a solvent used as an ink composition, The thing which can melt | dissolve or disperse | distribute materials other than the solvent which comprises this ink composition is preferable. When the material constituting the ink composition is soluble in a nonpolar solvent, the solvent is a chlorinated solvent such as chloroform, methylene chloride or dichloroethane, an ether solvent such as tetrahydrofuran, or an aromatic such as toluene or xylene. Examples include aromatic hydrocarbon solvents, ketone solvents such as acetone and methyl ethyl ketone, and ester solvents such as ethyl acetate, butyl acetate, and ethyl cellosolve acetate.

また、本発明の高分子LEDとしては、陰極と発光層との間に、電子輸送層を設けた高分子LED、陽極と発光層との間に、正孔輸送層を設けた高分子LED、陰極と発光層との間に、電子輸送層を設け、かつ陽極と発光層との間に、正孔輸送層を設けた高分子LED等が挙げられる。   In addition, as the polymer LED of the present invention, a polymer LED having an electron transport layer provided between the cathode and the light emitting layer, a polymer LED having a hole transport layer provided between the anode and the light emitting layer, Examples include a polymer LED in which an electron transport layer is provided between the cathode and the light emitting layer, and a hole transport layer is provided between the anode and the light emitting layer.

例えば、具体的には、以下のa)〜d)の構造が例示される。
a)陽極/発光層/陰極
b)陽極/正孔輸送層/発光層/陰極
c)陽極/発光層/電子輸送層/陰極
d)陽極/正孔輸送層/発光層/電子輸送層/陰極
(ここで、/は各層が隣接して積層されていることを示す。以下同じ。)
For example, the following structures a) to d) are specifically exemplified.
a) Anode / light emitting layer / cathode b) Anode / hole transport layer / light emitting layer / cathode c) Anode / light emitting layer / electron transport layer / cathode d) Anode / hole transport layer / light emitting layer / electron transport layer / cathode (Here, / indicates that each layer is laminated adjacently. The same shall apply hereinafter.)

本発明の高分子LEDが正孔輸送層を有する場合、使用される正孔輸送性材料としては、ポリビニルカルバゾールもしくはその誘導体、ポリシランもしくはその誘導体、側鎖もしくは主鎖に芳香族アミンを有するポリシロキサン誘導体、ピラゾリン誘導体、アリールアミン誘導体、スチルベン誘導体、トリフェニルジアミン誘導体、ポリアニリンもしくはその誘導体、ポリチオフェンもしくはその誘導体、ポリピロールもしくはその誘導体、ポリ(p−フェニレンビニレン)もしくはその誘導体、またはポリ(2,5−チエニレンビニレン)もしくはその誘導体などが例示される。   When the polymer LED of the present invention has a hole transport layer, the hole transport material used is polyvinyl carbazole or a derivative thereof, polysilane or a derivative thereof, polysiloxane having an aromatic amine in a side chain or a main chain. Derivatives, pyrazoline derivatives, arylamine derivatives, stilbene derivatives, triphenyldiamine derivatives, polyaniline or derivatives thereof, polythiophene or derivatives thereof, polypyrrole or derivatives thereof, poly (p-phenylene vinylene) or derivatives thereof, or poly (2,5- Thienylene vinylene) or a derivative thereof.

具体的には、該正孔輸送性材料として、特開昭63−70257号公報、同63−175860号公報、特開平2−135359号公報、同2−135361号公報、同2−209988号公報、同3−37992号公報、同3−152184号公報に記載されているもの等が例示される。   Specifically, as the hole transporting material, JP-A-63-70257, JP-A-63-175860, JP-A-2-135359, JP-A-2-135361, and JP-A-2-209988 are disclosed. Examples described in JP-A-3-37992 and JP-A-3-152184 are exemplified.

これらの中で、正孔輸送層に用いる正孔輸送性材料として、ポリビニルカルバゾールもしくはその誘導体、ポリシランもしくはその誘導体、側鎖もしくは主鎖に芳香族アミン化合物基を有するポリシロキサン誘導体、ポリアニリンもしくはその誘導体、ポリチオフェンもしくはその誘導体、ポリ(p−フェニレンビニレン)もしくはその誘導体、またはポリ(2,5−チエニレンビニレン)もしくはその誘導体等の高分子正孔輸送性材料が好ましく、さらに好ましくはポリビニルカルバゾールもしくはその誘導体、ポリシランもしくはその誘導体、側鎖もしくは主鎖に芳香族アミンを有するポリシロキサン誘導体である。   Among these, as a hole transporting material used for the hole transport layer, polyvinyl carbazole or a derivative thereof, polysilane or a derivative thereof, a polysiloxane derivative having an aromatic amine compound group in a side chain or a main chain, a polyaniline or a derivative thereof , Polythiophene or a derivative thereof, poly (p-phenylene vinylene) or a derivative thereof, or a polymer hole transporting material such as poly (2,5-thienylene vinylene) or a derivative thereof is preferable, and polyvinyl carbazole or a derivative thereof is more preferable Derivatives, polysilanes or derivatives thereof, and polysiloxane derivatives having an aromatic amine in the side chain or main chain.

また、低分子化合物の正孔輸送性材料としてはピラゾリン誘導体、アリールアミン誘導体、スチルベン誘導体、トリフェニルジアミン誘導体が例示される。低分子の正孔輸送性材料の場合には、高分子バインダーに分散させて用いることが好ましい。 Examples of the hole transport material of the low molecular weight compound include pyrazoline derivatives, arylamine derivatives, stilbene derivatives, and triphenyldiamine derivatives. In the case of a low molecular weight hole transporting material, it is preferably used by being dispersed in a polymer binder.

混合する高分子バインダーとしては、電荷輸送を極度に阻害しないものが好ましく、また可視光に対する吸収が強くないものが好適に用いられる。該高分子バインダーとして、ポリ(N−ビニルカルバゾール)、ポリアニリンもしくはその誘導体、ポリチオフェンもしくはその誘導体、ポリ(p−フェニレンビニレン)もしくはその誘導体、ポリ(2,5−チエニレンビニレン)もしくはその誘導体、ポリカーボネート、ポリアクリレート、ポリメチルアクリレート、ポリメチルメタクリレート、ポリスチレン、ポリ塩化ビニル、ポリシロキサン等が例示される。   As the polymer binder to be mixed, those not extremely disturbing charge transport are preferable, and those showing no strong absorption against visible light are suitably used. As the polymer binder, poly (N-vinylcarbazole), polyaniline or a derivative thereof, polythiophene or a derivative thereof, poly (p-phenylenevinylene) or a derivative thereof, poly (2,5-thienylenevinylene) or a derivative thereof, polycarbonate , Polyacrylate, polymethyl acrylate, polymethyl methacrylate, polystyrene, polyvinyl chloride, polysiloxane and the like.

ポリビニルカルバゾールもしくはその誘導体は、例えばビニルモノマーからカチオン重合またはラジカル重合によって得られる。   Polyvinylcarbazole or a derivative thereof is obtained, for example, from a vinyl monomer by cation polymerization or radical polymerization.

ポリシランもしくはその誘導体としては、ケミカル・レビュー(Chem.Rev.)第89巻、1359頁(1989年)、英国特許GB2300196号公開明細書に記載の化合物等が例示される。合成方法もこれらに記載の方法を用いることができるが、特にキッピング法が好適に用いられる。   Examples of polysilane or derivatives thereof include compounds described in Chem. Rev. 89, 1359 (1989) and GB 2300196 published specification. As the synthesis method, the methods described in these can be used, but the Kipping method is particularly preferably used.

ポリシロキサンもしくはその誘導体は、シロキサン骨格構造には正孔輸送性がほとんどないので、側鎖または主鎖に上記低分子正孔輸送性材料の構造を有するものが好適に用いられる。特に正孔輸送性の芳香族アミンを側鎖または主鎖に有するものが例示される。   Since polysiloxane or a derivative thereof has almost no hole transporting property in the siloxane skeleton structure, those having the structure of the low molecular hole transporting material in the side chain or main chain are preferably used. Particularly, those having a hole transporting aromatic amine in the side chain or main chain are exemplified.

正孔輸送層の成膜の方法に制限はないが、低分子正孔輸送性材料では、高分子バインダーとの混合溶液からの成膜による方法が例示される。また、高分子正孔輸送性材料では、溶液からの成膜による方法が例示される。   Although there is no restriction | limiting in the film-forming method of a positive hole transport layer, The method by the film-forming from a mixed solution with a polymer binder is illustrated with a low molecular hole transport material. In the case of a polymer hole transporting material, a method by film formation from a solution is exemplified.

溶液からの成膜に用いる溶媒としては、正孔輸送性材料を溶解させるものであれば特に制限はない。該溶媒として、クロロホルム、塩化メチレン、ジクロロエタン等の塩素系溶媒、テトラヒドロフラン等のエーテル系溶媒、トルエン、キシレン等の芳香族炭化水素系溶媒、アセトン、メチルエチルケトン等のケトン系溶媒、酢酸エチル、酢酸ブチル、エチルセルソルブアセテート等のエステル系溶媒が例示される。   The solvent used for film formation from a solution is not particularly limited as long as it can dissolve a hole transporting material. Examples of the solvent include chlorine solvents such as chloroform, methylene chloride, and dichloroethane; ether solvents such as tetrahydrofuran; aromatic hydrocarbon solvents such as toluene and xylene; ketone solvents such as acetone and methyl ethyl ketone; ethyl acetate, butyl acetate, An ester solvent such as ethyl cellosolve acetate is exemplified.

溶液からの成膜方法としては、溶液からのスピンコート法、キャスティング法、マイクログラビアコート法、グラビアコート法、バーコート法、ロールコート法、ワイアーバーコート法、ディップコート法、スプレーコート法、スクリーン印刷法、フレキソ印刷法、オフセット印刷法、インクジェットプリント法等の塗布法を用いることができる。   Examples of film formation methods from solution include spin coating from solution, casting method, micro gravure coating method, gravure coating method, bar coating method, roll coating method, wire bar coating method, dip coating method, spray coating method, screen Coating methods such as a printing method, a flexographic printing method, an offset printing method, and an inkjet printing method can be used.

正孔輸送層の膜厚としては、用いる材料によって最適値が異なり、駆動電圧と発光効率が適度な値となるように選択すればよいが、少なくともピンホールが発生しないような厚さが必要であり、あまり厚いと、素子の駆動電圧が高くなり好ましくない。従って、該正孔輸送層の膜厚としては、例えば1nmから1μmであり、好ましくは2nm〜500nmであり、さらに好ましくは5nm〜200nmである。   The film thickness of the hole transport layer differs depending on the material used, and may be selected so that the drive voltage and the light emission efficiency are appropriate. However, at least a thickness that does not cause pinholes is required. If it is too thick, the driving voltage of the element becomes high, which is not preferable. Therefore, the film thickness of the hole transport layer is, for example, 1 nm to 1 μm, preferably 2 nm to 500 nm, and more preferably 5 nm to 200 nm.

本発明の高分子LEDが電子輸送層を有する場合、使用される電子輸送性材料としては公知のものが使用でき、オキサジアゾール誘導体、アントラキノジメタンもしくはその誘導体、ベンゾキノンもしくはその誘導体、ナフトキノンもしくはその誘導体、アントラキノンもしくはその誘導体、テトラシアノアンスラキノジメタンもしくはその誘導体、フルオレノン誘導体、ジフェニルジシアノエチレンもしくはその誘導体、ジフェノキノン誘導体、または8−ヒドロキシキノリンもしくはその誘導体の金属錯体、ポリキノリンもしくはその誘導体、ポリキノキサリンもしくはその誘導体、ポリフルオレンもしくはその誘導体等が例示される。   When the polymer LED of the present invention has an electron transport layer, known materials can be used as the electron transport material used, such as oxadiazole derivatives, anthraquinodimethane or derivatives thereof, benzoquinone or derivatives thereof, naphthoquinone or Derivatives thereof, anthraquinone or derivatives thereof, tetracyanoanthraquinodimethane or derivatives thereof, fluorenone derivatives, diphenyldicyanoethylene or derivatives thereof, diphenoquinone derivatives, or metal complexes of 8-hydroxyquinoline or derivatives thereof, polyquinoline or derivatives thereof, polyquinoxaline Alternatively, derivatives thereof, polyfluorene or derivatives thereof, and the like are exemplified.

具体的には、特開昭63−70257号公報、同63−175860号公報、特開平2−135359号公報、同2−135361号公報、同2−209988号公報、同3−37992号公報、同3−152184号公報に記載されているもの等が例示される。   Specifically, JP-A-63-70257, JP-A-63-175860, JP-A-2-135359, JP-A-2-135361, JP-A-2-20988, JP-A-3-37992, The thing etc. which are described in the same 3-152184 gazette are illustrated.

これらのうち、オキサジアゾール誘導体、ベンゾキノンもしくはその誘導体、アントラキノンもしくはその誘導体、または8−ヒドロキシキノリンもしくはその誘導体の金属錯体、ポリキノリンもしくはその誘導体、ポリキノキサリンもしくはその誘導体、ポリフルオレンもしくはその誘導体が好ましく、2−(4−ビフェニリル)−5−(4−t−ブチルフェニル)−1,3,4−オキサジアゾール、ベンゾキノン、アントラキノン、トリス(8−キノリノール)アルミニウム、ポリキノリンがさらに好ましい。   Of these, oxadiazole derivatives, benzoquinone or derivatives thereof, anthraquinones or derivatives thereof, or metal complexes of 8-hydroxyquinoline or derivatives thereof, polyquinoline or derivatives thereof, polyquinoxaline or derivatives thereof, polyfluorene or derivatives thereof are preferred, 2- (4-biphenylyl) -5- (4-t-butylphenyl) -1,3,4-oxadiazole, benzoquinone, anthraquinone, tris (8-quinolinol) aluminum, and polyquinoline are more preferable.

電子輸送層の成膜法としては特に制限はないが、低分子電子輸送性材料では、粉末からの真空蒸着法、または溶液もしくは溶融状態からの成膜による方法が、高分子電子輸送材料では溶液または溶融状態からの成膜による方法がそれぞれ例示される。溶液または溶融状態からの成膜時には、上記の高分子バインダーを併用してもよい。   There are no particular restrictions on the method of forming the electron transport layer, but for low molecular weight electron transport materials, vacuum deposition from powder, or by film formation from a solution or molten state, solution for polymer electron transport materials is possible. Or the method by the film-forming from a molten state is illustrated, respectively. When forming a film from a solution or a molten state, the above polymer binder may be used in combination.

溶液からの成膜に用いる溶媒としては、電子輸送材料および/または高分子バインダーを溶解させるものであれば特に制限はない。該溶媒として、クロロホルム、塩化メチレン、ジクロロエタン等の塩素系溶媒、テトラヒドロフラン等のエーテル系溶媒、トルエン、キシレン等の芳香族炭化水素系溶媒、アセトン、メチルエチルケトン等のケトン系溶媒、酢酸エチル、酢酸ブチル、エチルセルソルブアセテート等のエステル系溶媒が例示される。   The solvent used for film formation from a solution is not particularly limited as long as it can dissolve an electron transport material and / or a polymer binder. Examples of the solvent include chlorine solvents such as chloroform, methylene chloride, and dichloroethane; ether solvents such as tetrahydrofuran; aromatic hydrocarbon solvents such as toluene and xylene; ketone solvents such as acetone and methyl ethyl ketone; ethyl acetate, butyl acetate, An ester solvent such as ethyl cellosolve acetate is exemplified.

溶液または溶融状態からの成膜方法としては、スピンコート法、キャスティング法、マイクログラビアコート法、グラビアコート法、バーコート法、ロールコート法、ワイアーバーコート法、ディップコート法、スプレーコート法、スクリーン印刷法、フレキソ印刷法、オフセット印刷法、インクジェットプリント法等の塗布法を用いることができる。   Examples of film formation methods from a solution or a molten state include spin coating, casting, micro gravure coating, gravure coating, bar coating, roll coating, wire bar coating, dip coating, spray coating, and screen. Coating methods such as a printing method, a flexographic printing method, an offset printing method, and an inkjet printing method can be used.

電子輸送層の膜厚としては、用いる材料によって最適値が異なり、駆動電圧と発光効率が適度な値となるように選択すればよいが、少なくともピンホールが発生しないような厚さが必要であり、あまり厚いと、素子の駆動電圧が高くなり好ましくない。従って、該電子輸送層の膜厚としては、例えば1nmから1μmであり、好ましくは2nm〜500nmであり、さらに好ましくは5nm〜200nmである。   The film thickness of the electron transport layer differs depending on the material used, and may be selected so that the drive voltage and the light emission efficiency are appropriate. However, at least a thickness that does not cause pinholes is required. If the thickness is too thick, the driving voltage of the element increases, which is not preferable. Therefore, the thickness of the electron transport layer is, for example, 1 nm to 1 μm, preferably 2 nm to 500 nm, and more preferably 5 nm to 200 nm.

また、電極に隣接して設けた電荷輸送層のうち、電極からの電荷注入効率を改善する機能を有し、素子の駆動電圧を下げる効果を有するものは、特に電荷注入層(正孔注入層、電子注入層)と一般に呼ばれることがある。   Further, among the charge transport layers provided adjacent to the electrodes, those having a function of improving the charge injection efficiency from the electrodes and having the effect of lowering the driving voltage of the element are particularly charge injection layers (hole injection layers). , An electron injection layer).

さらに電極との密着性向上や電極からの電荷注入の改善のために、電極に隣接して前記の電荷注入層又は膜厚2nm以下の絶縁層を設けてもよく、また、界面の密着性向上や混合の防止等のために電荷輸送層や発光層の界面に薄いバッファー層を挿入してもよい。
積層する層の順番や数、および各層の厚さについては、発光効率や素子寿命を勘案して適宜用いることができる。
Further, in order to improve adhesion with the electrode and charge injection from the electrode, the charge injection layer or an insulating layer having a thickness of 2 nm or less may be provided adjacent to the electrode, and the adhesion at the interface may be improved. In order to prevent mixing, a thin buffer layer may be inserted at the interface between the charge transport layer and the light emitting layer.
The order and number of layers to be laminated, and the thickness of each layer can be appropriately used in consideration of light emission efficiency and element lifetime.

本発明において、電荷注入層(電子注入層、正孔注入層)を設けた高分子LEDとしては、陰極に隣接して電荷注入層を設けた高分子LED、陽極に隣接して電荷注入層を設けた高分子LEDが挙げられる。
例えば、具体的には、以下のe)〜p)の構造が挙げられる。
e)陽極/電荷注入層/発光層/陰極
f)陽極/発光層/電荷注入層/陰極
g)陽極/電荷注入層/発光層/電荷注入層/陰極
h)陽極/電荷注入層/正孔輸送層/発光層/陰極
i)陽極/正孔輸送層/発光層/電荷注入層/陰極
j)陽極/電荷注入層/正孔輸送層/発光層/電荷注入層/陰極
k)陽極/電荷注入層/発光層/電子輸送層/陰極
l)陽極/発光層/電子輸送層/電荷注入層/陰極
m)陽極/電荷注入層/発光層/電子輸送層/電荷注入層/陰極
n)陽極/電荷注入層/正孔輸送層/発光層/電子輸送層/陰極
o)陽極/正孔輸送層/発光層/電子輸送層/電荷注入層/陰極
p)陽極/電荷注入層/正孔輸送層/発光層/電子輸送層/電荷注入層/陰極
In the present invention, a polymer LED provided with a charge injection layer (electron injection layer, hole injection layer) includes a polymer LED provided with a charge injection layer adjacent to the cathode, and a charge injection layer adjacent to the anode. The provided polymer LED is mentioned.
For example, the following structures e) to p) are specifically mentioned.
e) Anode / charge injection layer / light emitting layer / cathode f) Anode / light emitting layer / charge injection layer / cathode g) Anode / charge injection layer / light emitting layer / charge injection layer / cathode h) Anode / charge injection layer / hole Transport layer / light emitting layer / cathode i) anode / hole transport layer / light emitting layer / charge injection layer / cathode j) anode / charge injection layer / hole transport layer / light emitting layer / charge injection layer / cathode k) anode / charge Injection layer / light emitting layer / electron transport layer / cathode l) anode / light emitting layer / electron transport layer / charge injection layer / cathode m) anode / charge injection layer / light emitting layer / electron transport layer / charge injection layer / cathode n) anode / Charge injection layer / hole transport layer / light emitting layer / electron transport layer / cathode o) anode / hole transport layer / light emitting layer / electron transport layer / charge injection layer / cathode p) anode / charge injection layer / hole transport Layer / light emitting layer / electron transport layer / charge injection layer / cathode

電荷注入層の具体的な例としては、導電性高分子を含む層、陽極と正孔輸送層との間に設けられ、陽極材料と正孔輸送層に含まれる正孔輸送性材料との中間の値のイオン化ポテンシャルを有する材料を含む層、陰極と電子輸送層との間に設けられ、陰極材料と電子輸送層に含まれる電子輸送性材料との中間の値の電子親和力を有する材料を含む層などが例示される。   Specific examples of the charge injection layer include a layer containing a conductive polymer, an intermediate between the anode material and the hole transporting material included in the hole transporting layer, provided between the anode and the hole transporting layer. A layer containing a material having an ionization potential of the value, a material provided between the cathode and the electron transport layer, and a material having an electron affinity of an intermediate value between the cathode material and the electron transport material contained in the electron transport layer Examples include layers.

上記電荷注入層が導電性高分子を含む層の場合、該導電性高分子の電気伝導度は、10-5S/cm以上103以下であることが好ましく、発光画素間のリーク電流を小さくするためには、10-5S/cm以上102以下がより好ましく、10-5S/cm以上101以下がさらに好ましい。 When the charge injection layer is a layer containing a conductive polymer, the electrical conductivity of the conductive polymer is preferably 10 −5 S / cm or more and 10 3 or less, and the leakage current between the light emitting pixels is reduced. In order to achieve this, 10 −5 S / cm to 10 2 is more preferable, and 10 −5 S / cm to 10 1 is more preferable.

上記電荷注入層が導電性高分子を含む層の場合、該導電性高分子の電気伝導度は、10-5S/cm以上103S/cm以下であることが好ましく、発光画素間のリーク電流を小さくするためには、10-5S/cm以上102S/cm以下がより好ましく、10-5S/cm以上101S/cm以下がさらに好ましい。
通常は該導電性高分子の電気伝導度を10-5S/cm以上103以下とするために、該導電性高分子に適量のイオンをドープする。
When the charge injection layer is a layer containing a conductive polymer, the electrical conductivity of the conductive polymer is preferably 10 −5 S / cm or more and 10 3 S / cm or less. in order to reduce the current, more preferably less 10 -5 S / cm or more and 10 2 S / cm, more preferably less 10 -5 S / cm or more and 10 1 S / cm.
Usually, in order to make the electric conductivity of the conductive polymer 10 −5 S / cm or more and 10 3 or less, the conductive polymer is doped with an appropriate amount of ions.

ドープするイオンの種類は、正孔注入層であればアニオン、電子注入層であればカチオンである。アニオンの例としては、ポリスチレンスルホン酸イオン、アルキルベンゼンスルホン酸イオン、樟脳スルホン酸イオンなどが例示され、カチオンの例としては、リチウムイオン、ナトリウムイオン、カリウムイオン、テトラブチルアンモニウムイオンなどが例示される。
電荷注入層の膜厚としては、例えば1nm〜100nmであり、2nm〜50nmが好ましい。
The type of ions to be doped is an anion for the hole injection layer and a cation for the electron injection layer. Examples of anions include polystyrene sulfonate ions, alkylbenzene sulfonate ions, camphor sulfonate ions, and examples of cations include lithium ions, sodium ions, potassium ions, tetrabutylammonium ions, and the like.
The thickness of the charge injection layer is, for example, 1 nm to 100 nm, and preferably 2 nm to 50 nm.

電荷注入層に用いる材料は、電極や隣接する層の材料との関係で適宜選択すればよく、ポリアニリンおよびその誘導体、ポリチオフェンおよびその誘導体、ポリピロールおよびその誘導体、ポリフェニレンビニレンおよびその誘導体、ポリチエニレンビニレンおよびその誘導体、ポリキノリンおよびその誘導体、ポリキノキサリンおよびその誘導体、芳香族アミン構造を主鎖または側鎖に含む重合体などの導電性高分子、金属フタロシアニン(銅フタロシアニンなど)、カーボンなどが例示される。   The material used for the charge injection layer may be appropriately selected in relation to the material of the electrode and the adjacent layer. Polyaniline and its derivatives, polythiophene and its derivatives, polypyrrole and its derivatives, polyphenylene vinylene and its derivatives, polythienylene vinylene And derivatives thereof, polyquinoline and derivatives thereof, polyquinoxaline and derivatives thereof, conductive polymers such as polymers containing an aromatic amine structure in the main chain or side chain, metal phthalocyanines (such as copper phthalocyanine), and carbon .

膜厚2nm以下の絶縁層は電荷注入を容易にする機能を有するものである。上記絶縁層の材料としては、金属フッ化物、金属酸化物、有機絶縁材料等が挙げられる。膜厚2nm以下の絶縁層を設けた高分子LEDとしては、陰極に隣接して膜厚2nm以下の絶縁層を設けた高分子LED、陽極に隣接して膜厚2nm以下の絶縁層を設けた高分子LEDが挙げられる。   An insulating layer having a thickness of 2 nm or less has a function of facilitating charge injection. Examples of the material for the insulating layer include metal fluorides, metal oxides, and organic insulating materials. As the polymer LED provided with the insulating layer having a thickness of 2 nm or less, the polymer LED provided with the insulating layer having a thickness of 2 nm or less adjacent to the cathode, or the insulating layer having a thickness of 2 nm or less provided adjacent to the anode. Polymer LED is mentioned.

具体的には、例えば、以下のq)〜ab)の構造が挙げられる。
q)陽極/膜厚2nm以下の絶縁層/発光層/陰極
r)陽極/発光層/膜厚2nm以下の絶縁層/陰極
s)陽極/膜厚2nm以下の絶縁層/発光層/膜厚2nm以下の絶縁層/陰極
t)陽極/膜厚2nm以下の絶縁層/正孔輸送層/発光層/陰極
u)陽極/正孔輸送層/発光層/膜厚2nm以下の絶縁層/陰極
v)陽極/膜厚2nm以下の絶縁層/正孔輸送層/発光層/膜厚2nm以下の絶縁層/陰極
w)陽極/膜厚2nm以下の絶縁層/発光層/電子輸送層/陰極
x)陽極/発光層/電子輸送層/膜厚2nm以下の絶縁層/陰極
y)陽極/膜厚2nm以下の絶縁層/発光層/電子輸送層/膜厚2nm以下の絶縁層/陰極
z)陽極/膜厚2nm以下の絶縁層/正孔輸送層/発光層/電子輸送層/陰極
aa)陽極/正孔輸送層/発光層/電子輸送層/膜厚2nm以下の絶縁層/陰極
ab)陽極/膜厚2nm以下の絶縁層/正孔輸送層/発光層/電子輸送層/膜厚2nm以下の絶縁層/陰極
Specific examples include the following structures q) to ab).
q) Anode / insulating layer with a thickness of 2 nm or less / light emitting layer / cathode r) Anode / light emitting layer / insulating layer with a thickness of 2 nm or less / cathode s) Anode / insulating layer with a thickness of 2 nm or less / light emitting layer / film thickness 2 nm Insulating layer / cathode t) Anode / insulating layer with a thickness of 2 nm or less / hole transport layer / light emitting layer / cathode u) Anode / hole transporting layer / light emitting layer / insulating layer with a thickness of 2 nm or less / cathode v) Anode / insulating layer with a thickness of 2 nm or less / hole transport layer / light emitting layer / insulating layer with a thickness of 2 nm or less / cathode w) anode / insulating layer with a thickness of 2 nm or less / light emitting layer / electron transport layer / cathode x) anode / Light emitting layer / electron transport layer / insulating layer with a thickness of 2 nm or less / cathode y) anode / insulating layer with a thickness of 2 nm or less / light emitting layer / electron transport layer / insulating layer with a thickness of 2 nm or less / cathode z) anode / film Insulating layer with a thickness of 2 nm or less / hole transport layer / light emitting layer / electron transport layer / cathode aa) anode / hole transport layer / light emitting layer / electron transport Layer / thickness 2nm or less of the insulating layer / cathode ab) anode / thickness 2nm or less of the insulating layer / hole transport layer / light emitting layer / electron transporting layer / thickness 2nm or less of the insulating layer / cathode

本発明の高分子LEDを形成する基板は、電極を形成し、有機物の層を形成する際に変化しないものであればよく、例えばガラス、プラスチック、高分子フィルム、シリコン基板などが例示される。不透明な基板の場合には、反対の電極が透明または半透明であることが好ましい。   The substrate on which the polymer LED of the present invention is formed may be any substrate that does not change when the electrode is formed and the organic layer is formed, and examples thereof include glass, plastic, polymer film, and silicon substrate. In the case of an opaque substrate, the opposite electrode is preferably transparent or translucent.

通常本発明の高分子LEDが有する陽極および陰極の少なくとも一方が透明または半透明である。陽極側が透明または半透明であることが好ましい。
該陽極の材料としては、導電性の金属酸化物膜、半透明の金属薄膜等が用いられる。具体的には、酸化インジウム、酸化亜鉛、酸化スズ、およびそれらの複合体であるインジウム・スズ・オキサイド(ITO)、インジウム・亜鉛・オキサイド等からなる導電性ガラスを用いて作成された膜(NESAなど)や、金、白金、銀、銅等が用いられ、ITO、インジウム・亜鉛・オキサイド、酸化スズが好ましい。作製方法としては、真空蒸着法、スパッタリング法、イオンプレーティング法、メッキ法等が挙げられる。また、該陽極として、ポリアニリンもしくはその誘導体、ポリチオフェンもしくはその誘導体などの有機の透明導電膜を用いてもよい。
陽極の膜厚は、光の透過性と電気伝導度とを考慮して、適宜選択することができるが、例えば10nmから10μmであり、好ましくは20nm〜1μmであり、さらに好ましくは50nm〜500nmである。
また、陽極上に、電荷注入を容易にするために、フタロシアニン誘導体、導電性高分子、カーボンなどからなる層、あるいは金属酸化物や金属フッ化物、有機絶縁材料等からなる平均膜厚2nm以下の層を設けてもよい。
Usually, at least one of the anode and the cathode of the polymer LED of the present invention is transparent or translucent. The anode side is preferably transparent or translucent.
As the material of the anode, a conductive metal oxide film, a translucent metal thin film, or the like is used. Specifically, indium oxide, zinc oxide, tin oxide, and a composite film made of conductive glass made of indium / tin / oxide (ITO), indium / zinc / oxide, etc. (NESA) Etc.), gold, platinum, silver, copper and the like are used, and ITO, indium / zinc / oxide, and tin oxide are preferable. Examples of the production method include a vacuum deposition method, a sputtering method, an ion plating method, a plating method, and the like. Further, an organic transparent conductive film such as polyaniline or a derivative thereof, polythiophene or a derivative thereof may be used as the anode.
The film thickness of the anode can be appropriately selected in consideration of light transmittance and electric conductivity, and is, for example, 10 nm to 10 μm, preferably 20 nm to 1 μm, more preferably 50 nm to 500 nm. is there.
Further, in order to facilitate charge injection on the anode, a layer made of a phthalocyanine derivative, a conductive polymer, carbon or the like, or an average film thickness of 2 nm or less made of a metal oxide, a metal fluoride, an organic insulating material, or the like. A layer may be provided.

本発明の高分子LEDで用いる陰極の材料としては、仕事関数の小さい材料が好ましい。例えば、リチウム、ナトリウム、カリウム、ルビジウム、セシウム、ベリリウム、マグネシウム、カルシウム、ストロンチウム、バリウム、アルミニウム、スカンジウム、バナジウム、亜鉛、イットリウム、インジウム、セリウム、サマリウム、ユーロピウム、テルビウム、イッテルビウムなどの金属、およびそれらのうち2つ以上の合金、あるいはそれらのうち1つ以上と、金、銀、白金、銅、マンガン、チタン、コバルト、ニッケル、タングステン、錫のうち1つ以上との合金、グラファイトまたはグラファイト層間化合物等が用いられる。合金の例としては、マグネシウム−銀合金、マグネシウム−インジウム合金、マグネシウム−アルミニウム合金、インジウム−銀合金、リチウム−アルミニウム合金、リチウム−マグネシウム合金、リチウム−インジウム合金、カルシウム−アルミニウム合金などが挙げられる。陰極を2層以上の積層構造としてもよい。
陰極の膜厚は、電気伝導度や耐久性を考慮して、適宜選択することができるが、例えば10nmから10μmであり、好ましくは20nm〜1μmであり、さらに好ましくは50nm〜500nmである。
As a material of the cathode used in the polymer LED of the present invention, a material having a small work function is preferable. For example, metals such as lithium, sodium, potassium, rubidium, cesium, beryllium, magnesium, calcium, strontium, barium, aluminum, scandium, vanadium, zinc, yttrium, indium, cerium, samarium, europium, terbium, ytterbium, and their Two or more of these alloys, or an alloy of one or more of them and one or more of gold, silver, platinum, copper, manganese, titanium, cobalt, nickel, tungsten, tin, graphite or graphite intercalation compound, etc. Is used. Examples of the alloy include magnesium-silver alloy, magnesium-indium alloy, magnesium-aluminum alloy, indium-silver alloy, lithium-aluminum alloy, lithium-magnesium alloy, lithium-indium alloy, calcium-aluminum alloy, and the like. The cathode may have a laminated structure of two or more layers.
The thickness of the cathode can be appropriately selected in consideration of electric conductivity and durability, but is, for example, 10 nm to 10 μm, preferably 20 nm to 1 μm, and more preferably 50 nm to 500 nm.

陰極の作製方法としては、真空蒸着法、スパッタリング法、また金属薄膜を熱圧着するラミネート法等が用いられる。また、陰極と有機物層との間に、導電性高分子からなる層、あるいは金属酸化物や金属フッ化物、有機絶縁材料等からなる平均膜厚2nm以下の層を設けてもよく、陰極作製後、該高分子LEDを保護する保護層を装着していてもよい。該高分子LEDを長期安定的に用いるためには、素子を外部から保護するために、保護層および/または保護カバーを装着することが好ましい。   As a method for producing the cathode, a vacuum deposition method, a sputtering method, a laminating method in which a metal thin film is thermocompression bonded, or the like is used. Further, a layer made of a conductive polymer or a layer made of a metal oxide, a metal fluoride, an organic insulating material or the like having an average film thickness of 2 nm or less may be provided between the cathode and the organic material layer. A protective layer for protecting the polymer LED may be attached. In order to use the polymer LED stably for a long period of time, it is preferable to attach a protective layer and / or protective cover in order to protect the element from the outside.

該保護層としては、高分子化合物、金属酸化物、金属フッ化物、金属ホウ化物などを用いることができる。また、保護カバーとしては、ガラス板、表面に低透水率処理を施したプラスチック板などを用いることができ、該カバーを熱効果樹脂や光硬化樹脂で素子基板と貼り合わせて密閉する方法が好適に用いられる。スペーサーを用いて空間を維持すれば、素子がキズつくのを防ぐことが容易である。該空間に窒素やアルゴンのような不活性なガスを封入すれば、陰極の酸化を防止することができ、さらに酸化バリウム等の乾燥剤を該空間内に設置することにより製造工程で吸着した水分が素子にタメージを与えるのを抑制することが容易となる。これらのうち、いずれか1つ以上の方策をとることが好ましい。   As the protective layer, a polymer compound, metal oxide, metal fluoride, metal boride and the like can be used. Further, as the protective cover, a glass plate, a plastic plate having a low water permeability treatment on the surface, or the like can be used, and a method of sealing the cover by bonding it to the element substrate with a heat effect resin or a photo-curing resin is preferable. Used for. If a space is maintained using a spacer, it is easy to prevent the element from being damaged. If an inert gas such as nitrogen or argon is sealed in the space, the cathode can be prevented from being oxidized, and moisture adsorbed in the manufacturing process by installing a desiccant such as barium oxide in the space. It becomes easy to suppress giving an image to an element. Among these, it is preferable to take any one or more measures.

本発明の高分子LEDは面状光源、セグメント表示装置、ドットマトリックス表示装置、液晶表示装置のバックライトとして用いることができる。
本発明の高分子LEDを用いて面状の発光を得るためには、面状の陽極と陰極が重なり合うように配置すればよい。また、パターン状の発光を得るためには、前記面状の発光素子の表面にパターン状の窓を設けたマスクを設置する方法、非発光部の有機物層を極端に厚く形成し実質的に非発光とする方法、陽極または陰極のいずれか一方、または両方の電極をパターン状に形成する方法がある。これらのいずれかの方法でパターンを形成し、いくつかの電極を独立にOn/OFFできるように配置することにより、数字や文字、簡単な記号などを表示できるセグメントタイプの表示素子が得られる。更に、ドットマトリックス素子とするためには、陽極と陰極をともにストライプ状に形成して直交するように配置すればよい。複数の種類の発光色の異なる高分子蛍光体を塗り分ける方法や、カラーフィルターまたは蛍光変換フィルターを用いる方法により、部分カラー表示、マルチカラー表示が可能となる。ドットマトリックス素子は、パッシブ駆動も可能であるし、TFTなどと組み合わせてアクティブ駆動してもよい。これらの表示素子は、コンピュータ、テレビ、携帯端末、携帯電話、カーナビゲーション、ビデオカメラのビューファインダーなどの表示装置として用いることができる。
The polymer LED of the present invention can be used as a backlight for a planar light source, a segment display device, a dot matrix display device, and a liquid crystal display device.
In order to obtain planar light emission using the polymer LED of the present invention, the planar anode and cathode may be arranged so as to overlap each other. In addition, in order to obtain pattern-like light emission, a method of installing a mask provided with a pattern-like window on the surface of the planar light-emitting element, an organic material layer of a non-light-emitting portion is formed extremely thick and substantially non- There are a method of emitting light and a method of forming either one of the anode or the cathode or both electrodes in a pattern. By forming a pattern by any of these methods and arranging some electrodes so that they can be turned on / off independently, a segment type display element capable of displaying numbers, letters, simple symbols and the like can be obtained. Further, in order to obtain a dot matrix element, both the anode and the cathode may be formed in a stripe shape and arranged so as to be orthogonal to each other. Partial color display and multi-color display are possible by a method of separately coating a plurality of types of polymeric fluorescent substances having different emission colors or a method using a color filter or a fluorescence conversion filter. The dot matrix element can be driven passively or may be driven actively in combination with TFTs. These display elements can be used as display devices for computers, televisions, mobile terminals, mobile phones, car navigation systems, video camera viewfinders, and the like.

さらに、前記面状の発光素子は、自発光薄型であり、液晶表示装置のバックライト用の面状光源、あるいは面状の照明用光源として好適に用いることができる。また、フレキシブルな基板を用いれば、曲面状の光源や表示装置としても使用できる。   Furthermore, the planar light-emitting element is a self-luminous thin type, and can be suitably used as a planar light source for a backlight of a liquid crystal display device or a planar illumination light source. If a flexible substrate is used, it can be used as a curved light source or display device.

以下、本発明をさらに詳細に説明するために実施例を示すが、本発明はこれらに限定されるものではない。
ここで、数平均分子量については、クロロホルムを溶媒として、ゲルパーミエーションクロマトグラフィー(GPC)によりポリスチレン換算の数平均分子量を求めた。
Examples will be shown below for illustrating the present invention in more detail, but the present invention is not limited to these examples.
Here, for the number average molecular weight, the number average molecular weight in terms of polystyrene was determined by gel permeation chromatography (GPC) using chloroform as a solvent.

合成例1
(化合物Aの合成)

Figure 0004904752

化合物A
不活性雰囲気下で、500mlの3つ口フラスコに酢酸225gを入れ、5−t−ブチル−m−キシレン24.3gを加えた。続いて臭素31.2gを加えた後、15〜20℃で3時間反応させた。
反応液を水500mlに加え析出した沈殿をろ過した。水250mlで2回洗浄し、白色の固体34.2gを得た。
1H−NMR(300MHz/CDCl3):
δ(ppm) = 1.3〔s,9H〕、2.4〔s,6H〕、7.1〔s,2H〕
MS(FD+)M+ 241 Synthesis example 1
(Synthesis of Compound A)

Figure 0004904752

Compound A
Under an inert atmosphere, 225 g of acetic acid was placed in a 500 ml three-necked flask, and 24.3 g of 5-t-butyl-m-xylene was added. Then, after adding 31.2 g of bromine, it was made to react at 15-20 degreeC for 3 hours.
The reaction solution was added to 500 ml of water, and the deposited precipitate was filtered. This was washed twice with 250 ml of water to obtain 34.2 g of a white solid.
1H-NMR (300 MHz / CDCl3):
δ (ppm) = 1.3 [s, 9H], 2.4 [s, 6H], 7.1 [s, 2H]
MS (FD +) M + 241

(化合物Bの合成)

Figure 0004904752

化合物B

不活性雰囲気下で、100mlの3つ口フラスコに脱気した脱水トルエン36mlを入れ、トリ(t−ブチル)ホスフィン0.63gを加えた。続いてトリス(ジベンジリデンアセトン)ジパラジウム0.41g、化合物A9.6g、t−ブトキシナトリウム5.2g、N,N’−ジフェニル−1,4−フェニレンジアミン4.7gを加えた後、100℃で3時間反応させた。
反応液を飽和食塩水300mlに加え、約50℃に温めたクロロホルム300mlで抽出した。溶媒を留去した後、トルエン100mlを加えて、固体が溶解するまで加熱、放冷した後、沈殿をろ過し、白色の固体9.9gを得た。 (Synthesis of Compound B)

Figure 0004904752

Compound B

Under an inert atmosphere, 36 ml of degassed dehydrated toluene was placed in a 100 ml three-necked flask, and 0.63 g of tri (t-butyl) phosphine was added. Subsequently, 0.41 g of tris (dibenzylideneacetone) dipalladium, 9.6 g of compound A, 5.2 g of sodium t-butoxy, and 4.7 g of N, N′-diphenyl-1,4-phenylenediamine were added, and then 100 ° C. For 3 hours.
The reaction solution was added to 300 ml of saturated brine and extracted with 300 ml of chloroform warmed to about 50 ° C. After the solvent was distilled off, 100 ml of toluene was added, and the mixture was heated and allowed to cool until the solid was dissolved, and then the precipitate was filtered to obtain 9.9 g of a white solid.

(化合物Cの合成)

Figure 0004904752
化合物C

不活性雰囲気下で、1000mlの3つ口フラスコに脱水N,N−ジメチルホルムアミド350mlを入れ、化合物B5.2gを溶解した後、氷浴下でN−ブロモスクシンイミド3.5g/N,N−ジメチルホルムアミド溶液を滴下し、一昼夜反応させた。
反応液に水150mlを加え、析出した沈殿をろ過し、メタノール50mlで2回洗浄し白色の固体4.4gを得た。
1H−NMR(300MHz/THF−d8):
δ(ppm) = 1.3〔s,18H〕、2.0〔s,12H〕、6.6〜6.7〔d,4H〕、6.8〜6.9〔br,4H〕、7.1〔s,4H〕、7.2〜7.3〔d,4H〕
MS(FD+)M+ 738
(Synthesis of Compound C)

Figure 0004904752
Compound C

Under an inert atmosphere, 350 ml of dehydrated N, N-dimethylformamide was placed in a 1000 ml three-necked flask to dissolve 5.2 g of Compound B, and then 3.5 g of N-bromosuccinimide / N, N-dimethyl under an ice bath. A formamide solution was added dropwise to react overnight.
150 ml of water was added to the reaction solution, and the deposited precipitate was filtered and washed twice with 50 ml of methanol to obtain 4.4 g of a white solid.
1 H-NMR (300 MHz / THF-d8):
δ (ppm) = 1.3 [s, 18H], 2.0 [s, 12H], 6.6 to 6.7 [d, 4H], 6.8 to 6.9 [br, 4H], 7 .1 [s, 4H], 7.2 to 7.3 [d, 4H]
MS (FD + ) M + 738

合成例2
(化合物Dの合成)

Figure 0004904752
化合物D
不活性雰囲気下、300ml三つ口フラスコに1‐ナフタレンボロン酸5.00g(29mmol)、2−ブロモベンズアルデヒド6.46g(35mmol)、炭酸カリウム10.0g(73mmol)、トルエン36ml、イオン交換水36mlを入れ、室温で撹拌しつつ20分間アルゴンバブリングした。続いてテトラキス(トリフェニルホスフィン)パラジウム16.8mg(0.15mmol)を入れ、さらに室温で撹拌しつつ10分間アルゴンバブリングした。100℃に昇温し、25時間反応させた。室温まで冷却後、トルエンで有機層を抽出、硫酸ナトリウムで乾燥後、溶媒を留去した。トルエン:シクロヘキサン=1:2混合溶媒を展開溶媒としたシリカゲルカラムで生成することにより、化合物D5.18g(収率86%)を白色結晶として得た。
1H−NMR(300MHz/CDCl3):
δ7.39〜7.62(m、5H)、7.70(m、2H)、7.94(d、2H)、8.12(dd、2H)、9.63(s、1H)
MS(APCI(+)):(M+H)+ 233 Synthesis example 2
(Synthesis of Compound D)
Figure 0004904752
Compound D
Under an inert atmosphere, in a 300 ml three-necked flask, 5.00 g (29 mmol) of 1-naphthaleneboronic acid, 6.46 g (35 mmol) of 2-bromobenzaldehyde, 10.0 g (73 mmol) of potassium carbonate, 36 ml of toluene, 36 ml of ion-exchanged water And argon bubbling was performed for 20 minutes with stirring at room temperature. Subsequently, 16.8 mg (0.15 mmol) of tetrakis (triphenylphosphine) palladium was added, and argon was bubbled for 10 minutes while stirring at room temperature. The temperature was raised to 100 ° C. and reacted for 25 hours. After cooling to room temperature, the organic layer was extracted with toluene, dried over sodium sulfate, and the solvent was distilled off. By producing with a silica gel column using a mixed solvent of toluene: cyclohexane = 1: 2 as a developing solvent, 5.18 g (yield 86%) of Compound D was obtained as white crystals.
1 H-NMR (300 MHz / CDCl 3 ):
δ 7.39-7.62 (m, 5H), 7.70 (m, 2H), 7.94 (d, 2H), 8.12 (dd, 2H), 9.63 (s, 1H)
MS (APCI (+)): (M + H) <+> 233

Figure 0004904752
(化合物Eの合成)
化合物E
不活性雰囲気下で300mlの三つ口フラスコに化合物D 8.00g(34.4mmol)と脱水THF46mlを入れ、−78℃まで冷却した。続いてn−オクチルマグネシウムブロミド(1.0mol/lTHF溶液)52mlを30分かけて滴下した。滴下終了後0℃まで昇温し、1時間撹拌後、室温まで昇温して45分間撹拌した。氷浴して1N塩酸20mlを加えて反応を終了させ、酢酸エチルで有機層を抽出、硫酸ナトリウムで乾燥した。溶媒を留去した後トルエン:ヘキサン=10:1混合溶媒を展開溶媒とするシリカゲルカラムで精製することにより、化合物E7.64g(収率64%)を淡黄色のオイルとして得た。HPLC測定では2本のピークが見られたが、LC−MS測定では同一の質量数であることから、異性体の混合物であると判断した。
Figure 0004904752
(Synthesis of Compound E)
Compound E
Under an inert atmosphere, 8.00 g (34.4 mmol) of Compound D and 46 ml of dehydrated THF were placed in a 300 ml three-necked flask and cooled to -78 ° C. Subsequently, 52 ml of n-octylmagnesium bromide (1.0 mol / l THF solution) was added dropwise over 30 minutes. After completion of dropping, the temperature was raised to 0 ° C., stirred for 1 hour, then warmed to room temperature and stirred for 45 minutes. The reaction was terminated by adding 20 ml of 1N hydrochloric acid in an ice bath, and the organic layer was extracted with ethyl acetate and dried over sodium sulfate. After the solvent was distilled off, the residue was purified by a silica gel column using a mixed solvent of toluene: hexane = 10: 1 as a developing solvent to obtain 7.64 g (yield: 64%) of Compound E as a pale yellow oil. Although two peaks were observed in the HPLC measurement, they were determined to be a mixture of isomers because they were the same mass number in the LC-MS measurement.

(化合物Fの合成)

Figure 0004904752
化合物F
不活性雰囲気下、500ml三つ口フラスコに化合物E(異性体の混合物)5.00g(14.4mmol)と脱水ジクロロメタン74mlを入れ、室温で撹拌、溶解させた。続いて、三フッ化ホウ素のエーテラート錯体を室温で1時間かけて滴下し、的か終了後室温で4時間撹拌した。撹拌しながらエタノール125mlをゆっくりと加え、発熱がおさまったらクロロホルムで有機層を抽出、2回水洗し、硫酸マグネシウムで乾燥した。溶媒を留去後、ヘキサンを展開溶媒とするシリカゲルカラムで精製することにより、化合物F3.22g(収率68%)を無色のオイルとして得た。
1H−NMR(300MHz/CDCl3):
δ0.90(t、3H)、1.03〜1.26(m、14H)、2.13(m、2H)、4.05(t、1H)、7.35(dd、1H)、7.46〜7.50(m、2H)、7.59〜7.65(m、3H)、7.82(d、1H)、7.94(d、1H)、8.35(d、1H)、8.75(d、1H)
MS(APCI(+)):(M+H)+ 329 (Synthesis of Compound F)
Figure 0004904752
Compound F
Under an inert atmosphere, 5.00 g (14.4 mmol) of Compound E (mixture of isomers) and 74 ml of dehydrated dichloromethane were placed in a 500 ml three-necked flask, and stirred and dissolved at room temperature. Subsequently, boron ether trifluoride etherate complex was added dropwise at room temperature over 1 hour, and after completion, the mixture was stirred at room temperature for 4 hours. While stirring, 125 ml of ethanol was slowly added. When the exotherm subsided, the organic layer was extracted with chloroform, washed twice with water, and dried over magnesium sulfate. After distilling off the solvent, the residue was purified by a silica gel column using hexane as a developing solvent to obtain 3.22 g (yield 68%) of Compound F as a colorless oil.
1 H-NMR (300 MHz / CDCl 3 ):
δ 0.90 (t, 3H), 1.03-1.26 (m, 14H), 2.13 (m, 2H), 4.05 (t, 1H), 7.35 (dd, 1H), 7 .46-7.50 (m, 2H), 7.59-7.65 (m, 3H), 7.82 (d, 1H), 7.94 (d, 1H), 8.35 (d, 1H) ), 8.75 (d, 1H)
MS (APCI (+)): (M + H) <+> 329

(化合物Gの合成)

Figure 0004904752
化合物G
不活性雰囲気下200ml三つ口フラスコにイオン交換水20mlをいれ、撹拌しながら水酸化ナトリウム18.9g(0.47mol)を少量ずつ加え、溶解させた。水溶液が室温まで冷却した後、トルエン20ml、化合物F5.17g(15.7mmol)、臭化トリブチルアンモニウム1.52g(4.72mmol)を加え、50℃に昇温した。臭化n−オクチルを滴下し、滴下終了後50℃で9時間反応させた。反応終了後トルエンで有機層を抽出し、2回水洗し、硫酸ナトリウムで乾燥した。ヘキサンを展開溶媒とするシリカゲルカラムで精製することにより、化合物G5.13g(収率74%)を黄色のオイルとして得た。
1H−NMR(300MHz/CDCl3):
δ0.52(m、2H)、0.79(t、6H)、1.00〜1.20(m、22H)、2.05(t、4H)、7.34(d、1H)、7.40〜7.53(m、2H)、7.63(m、3H)、7.83(d、1H)、7.94(d、1H)、8.31(d、1H)、8.75(d、1H)
MS(APCI(+)):(M+H)+ 441 (Synthesis of Compound G)
Figure 0004904752
Compound G
Under an inert atmosphere, 20 ml of ion-exchanged water was placed in a 200 ml three-necked flask, and 18.9 g (0.47 mol) of sodium hydroxide was added little by little with stirring to dissolve. After the aqueous solution was cooled to room temperature, 20 ml of toluene, 5.17 g (15.7 mmol) of Compound F and 1.52 g (4.72 mmol) of tributylammonium bromide were added, and the temperature was raised to 50 ° C. N-Octyl bromide was added dropwise, and after completion of the addition, the mixture was reacted at 50 ° C. for 9 hours. After completion of the reaction, the organic layer was extracted with toluene, washed twice with water, and dried over sodium sulfate. Purification by a silica gel column using hexane as a developing solvent gave 5.13 g (yield 74%) of Compound G as a yellow oil.
1 H-NMR (300 MHz / CDCl 3 ):
δ 0.52 (m, 2H), 0.79 (t, 6H), 1.00-1.20 (m, 22H), 2.05 (t, 4H), 7.34 (d, 1H), 7 40 to 7.53 (m, 2H), 7.63 (m, 3H), 7.83 (d, 1H), 7.94 (d, 1H), 8.31 (d, 1H), 8. 75 (d, 1H)
MS (APCI (+)): (M + H) <+> 441

化合物Hの合成

Figure 0004904752

化合物G 化合物H
1Lオートクレーブに化合物Gを16.33g(37.05mmol)、トリエチルボランの1.0Mヘキサン溶液18.5ml(18.5mmol)およびヘプタン370mlを加えた後、水素圧を100kg/cm2に調整した。200℃まで昇温し、24時間保温した。室温まで冷却し、不溶物をろ過した後、溶媒を留去した。ヘキサンを展開溶媒としたシリカゲルカラムで精製することにより、化合物Hを9.81g得た。


1H−NMR(270MHz/CDCl3):
δ0.61(t、6H)、0.92〜1.21(m、24H)、1.90(m、8H)、2.86(t、2H)、3.18(t、2H)、6.99〜7.09(m、2H)、7.23〜7.35(m、3H)、7.85(dd、1H) Synthesis of Compound H
Figure 0004904752

Compound G Compound H
After adding 16.33 g (37.05 mmol) of Compound G, 18.5 ml (18.5 mmol) of 1.0 M hexane solution of triethylborane and 370 ml of heptane to a 1 L autoclave, the hydrogen pressure was adjusted to 100 kg / cm2. The temperature was raised to 200 ° C. and kept warm for 24 hours. After cooling to room temperature and filtering insolubles, the solvent was distilled off. Purification by a silica gel column using hexane as a developing solvent gave 9.81 g of Compound H.


1 H-NMR (270 MHz / CDCl 3 ):
δ 0.61 (t, 6H), 0.92-1.21 (m, 24H), 1.90 (m, 8H), 2.86 (t, 2H), 3.18 (t, 2H), 6 .99 to 7.09 (m, 2H), 7.23 to 7.35 (m, 3H), 7.85 (dd, 1H)

実施例1 (化合物Iの合成)

Figure 0004904752
化合物H 化合物I
化合物Hを8.67g(19.5mmol)、ジクロロメタン(脱水)74.53g、塩化亜鉛7.97g(58.5mmol)および酢酸57.96gを4つ口フラスコに加え、45℃に昇温した。40〜45℃でベンジルトリメチルアンモニウムトリブロミド15.97g(40.95mmol)を添加し、50℃で1.5時間保温した。室温に冷却し、クロロホルム80mlと水120mlを加えて攪拌し、分液した。水層をクロロホルム80mlで2回抽出し、先に分液したクロロホルム層と合わせて5%チオ硫酸ナトリウム水溶液80mlで洗浄した。さらに順次水80ml、5%炭酸カリウム水溶液80ml×2回、水80ml×2回洗浄した。硫酸マグネシウムでクロロホルム層を乾燥した後、溶媒を留去した。ヘキサンを展開溶媒としたシリカゲルカラムで精製することにより、化合物Iを7.40g得た。

1H−NMR(270MHz/CDCl3):
δ0.57(t、6H)、0.79〜1.20(m、24H)、1.86(m、8H)、2.82(t、2H)、3.10(t、2H)、7.32(s、1H)、7.35(s、1H)、7.42(dd、1H)7.67(d、1H)
Example 1 (Synthesis of Compound I)
Figure 0004904752
Compound H Compound I
8.67 g (19.5 mmol) of Compound H, 74.53 g of dichloromethane (dehydrated), 7.97 g (58.5 mmol) of zinc chloride and 57.96 g of acetic acid were added to a four-necked flask, and the temperature was raised to 45 ° C. Benzyltrimethylammonium tribromide 15.97g (40.95mmol) was added at 40-45 degreeC, and it heat-retained at 50 degreeC for 1.5 hours. After cooling to room temperature, 80 ml of chloroform and 120 ml of water were added and stirred for liquid separation. The aqueous layer was extracted twice with 80 ml of chloroform, combined with the previously separated chloroform layer, and washed with 80 ml of 5% aqueous sodium thiosulfate solution. Further, 80 ml of water, 80 ml of 5% aqueous potassium carbonate solution was washed twice and 80 ml of water was washed twice. After drying the chloroform layer with magnesium sulfate, the solvent was distilled off. Purification by a silica gel column using hexane as a developing solvent gave 7.40 g of Compound I.

1 H-NMR (270 MHz / CDCl 3 ):
δ 0.57 (t, 6H), 0.79 to 1.20 (m, 24H), 1.86 (m, 8H), 2.82 (t, 2H), 3.10 (t, 2H), 7 .32 (s, 1H), 7.35 (s, 1H), 7.42 (dd, 1H) 7.67 (d, 1H)

実施例2 (高分子化合物1の合成)
化合物Iを2.7gと2,2’―ビピリジル1.68gとを反応容器に仕込んだ後、反応系内を窒素ガスで置換した。これに、あらかじめアルゴンガスでバブリングして、脱気したテトラヒドロフラン(脱水溶媒)150gを加えた。次に、この混合溶液に、ビス(1,5−シクロオクタジエン)ニッケル(0)を3.0gを加え、室温で10分間攪拌した後、60℃で3時間反応した。なお、反応は、窒素ガス雰囲気中で行った。
反応後、この反応溶液を冷却した後、この溶液に、メタノール150ml/イオン交換水150ml混合溶液をそそぎ込み、約1時間攪拌した。次に、生成した沈殿を濾過し、回収した。この沈殿を減圧乾燥した後、トルエンに溶解した。このトルエン溶液を濾過し、不溶物を除去した後、このトルエン溶液を、アルミナを充填したカラムを通すことで精製した。次に、このトルエン溶液を、約1規定塩酸で洗浄し、静置、分液した後、トルエン溶液を回収した。次に、このトルエン溶液を、約3%アンモニア水で洗浄し、静置、分液した後、トルエン溶液を回収した。次に、このトルエン溶液を水洗し、静置、分液した後、トルエン溶液を回収した。次に、このトルエン溶液を、メタノール中にそそぎ込み、再沈生成した。ろ過により、沈殿を回収することが困難であったので、減圧で溶媒を留去して、重合体を回収した。次に、この沈殿をメタノールで洗浄した後、減圧乾燥して、重合体0.9gを得た。この重合体を高分子化合物1 と呼ぶ。得られた高分子化合物1のポリスチレン換算重量平均分子量は、2.5x104であり、数平均分子量は、1.3x104であった。
Example 2 (Synthesis of Polymer Compound 1)
2.7 g of Compound I and 1.68 g of 2,2′-bipyridyl were charged into a reaction vessel, and the inside of the reaction system was replaced with nitrogen gas. To this, 150 g of tetrahydrofuran (dehydrated solvent) deaerated previously by bubbling with argon gas was added. Next, 3.0 g of bis (1,5-cyclooctadiene) nickel (0) was added to this mixed solution, and the mixture was stirred at room temperature for 10 minutes and then reacted at 60 ° C. for 3 hours. The reaction was performed in a nitrogen gas atmosphere.
After the reaction, this reaction solution was cooled, and then a mixed solution of 150 ml of methanol / 150 ml of ion-exchanged water was poured into this solution and stirred for about 1 hour. Next, the produced precipitate was filtered and collected. This precipitate was dried under reduced pressure and then dissolved in toluene. The toluene solution was filtered to remove insoluble matters, and the toluene solution was purified by passing through a column packed with alumina. Next, this toluene solution was washed with about 1 N hydrochloric acid, allowed to stand and separated, and then the toluene solution was recovered. Next, this toluene solution was washed with about 3% aqueous ammonia, allowed to stand and separated, and then the toluene solution was recovered. Next, this toluene solution was washed with water, allowed to stand and separated, and then the toluene solution was recovered. Next, this toluene solution was poured into methanol and re-precipitated. Since it was difficult to recover the precipitate by filtration, the solvent was distilled off under reduced pressure to recover the polymer. Next, this precipitate was washed with methanol and then dried under reduced pressure to obtain 0.9 g of a polymer. This polymer is referred to as polymer compound 1. The obtained polymer compound 1 had a polystyrene equivalent weight average molecular weight of 2.5 × 10 4 and a number average molecular weight of 1.3 × 10 4 .

実施例3 (高分子化合物2の合成)
化合物Iを1.9gと化合物Cを1.0gと2,2’―ビピリジル1.68gとを反応容器に仕込んだ後、反応系内を窒素ガスで置換した。これに、あらかじめアルゴンガスでバブリングして、脱気したテトラヒドロフラン(脱水溶媒)150gを加えた。次に、この混合溶液に、ビス(1,5−シクロオクタジエン)ニッケル(0)を3.0gを加え、室温で10分間攪拌した後、60℃で3時間反応した。なお、反応は、窒素ガス雰囲気中で行った。
反応後、この反応溶液を冷却した後、この溶液に、メタノール150ml/イオン交換水150ml混合溶液をそそぎ込み、約1時間攪拌した。次に、生成した沈殿を濾過し、回収した。この沈殿を減圧乾燥した後、トルエンに溶解した。このトルエン溶液を濾過し、不溶物を除去した後、このトルエン溶液を、アルミナを充填したカラムを通すことで精製した。次に、このトルエン溶液を、約1規定塩酸で洗浄し、静置、分液した後、トルエン溶液を回収した。次に、このトルエン溶液を、約3%アンモニア水で洗浄し、静置、分液した後、トルエン溶液を回収した。次に、このトルエン溶液を水洗し、静置、分液した後、トルエン溶液を回収した。次に、このトルエン溶液を、メタノール中にそそぎ込み、再沈生成した。
次に、生成した沈殿を回収し、この沈殿を減圧乾燥して、重合体1.0gを得た。この重合体を高分子化合物2 と呼ぶ。得られた高分子化合物2 のポリスチレン換算重量平均分子量は、1.7x104であり、数平均分子量は、8.6x103であった。
Example 3 (Synthesis of Polymer Compound 2)
After charging 1.9 g of Compound I, 1.0 g of Compound C, and 1.68 g of 2,2′-bipyridyl in a reaction vessel, the inside of the reaction system was replaced with nitrogen gas. To this, 150 g of tetrahydrofuran (dehydrated solvent) deaerated previously by bubbling with argon gas was added. Next, 3.0 g of bis (1,5-cyclooctadiene) nickel (0) was added to this mixed solution, and the mixture was stirred at room temperature for 10 minutes and then reacted at 60 ° C. for 3 hours. The reaction was performed in a nitrogen gas atmosphere.
After the reaction, this reaction solution was cooled, and then a mixed solution of 150 ml of methanol / 150 ml of ion-exchanged water was poured into this solution and stirred for about 1 hour. Next, the produced precipitate was filtered and collected. This precipitate was dried under reduced pressure and then dissolved in toluene. The toluene solution was filtered to remove insoluble matters, and the toluene solution was purified by passing through a column packed with alumina. Next, this toluene solution was washed with about 1 N hydrochloric acid, allowed to stand and separated, and then the toluene solution was recovered. Next, this toluene solution was washed with about 3% aqueous ammonia, allowed to stand and separated, and then the toluene solution was recovered. Next, this toluene solution was washed with water, allowed to stand and separated, and then the toluene solution was recovered. Next, this toluene solution was poured into methanol and re-precipitated.
Next, the produced precipitate was recovered, and this precipitate was dried under reduced pressure to obtain 1.0 g of a polymer. This polymer is referred to as polymer compound 2. The obtained polymer compound 2 had a polystyrene equivalent weight average molecular weight of 1.7 × 10 4 and a number average molecular weight of 8.6 × 10 3 .

比較例1 (高分子化合物3の合成)
不活性雰囲気下にて2,7−ジブロモ−9,9−ジオクチルフルオレン(287mg、0.523mmol)、2,7−(9,9−ジオクチル)フルオレンジボロン酸エチレングリコール環状エステル (305mg、0.575mmol)、アリコート336(15mg)をトルエン(4.3g)に溶解させ、これに炭酸カリウム(231mg、1.67mmol)を約1gの水溶液とし加えた。さらにテトラキス(トリフェニルホスフィン)パラジウム(0.39mg、0.00034mmol)を加え、20時間加熱還流した。続いてブロモベンゼン (11.5mg)を加え、更に5時間加熱還流した。加熱完了後、反応マスをメタノール(40ml)と1N塩酸水(2.2ml)の混合液に滴下し、析出した沈殿を濾別した。得られた沈殿は、メタノールと水で洗浄し、減圧乾燥を行い、固形物を得た。つづいて固形物をトルエン50mlに溶解させ、シリカカラムで通液後、20mlまで濃縮した。濃縮液をメタノールに滴下、析出した沈殿を濾別し、減圧乾燥を行い高分子化合物3を得た。収量340mg。
得られた高分子化合物3のポリスチレン換算の分子量は、Mn=1.2×103、Mw=3.2×103であった。
Comparative Example 1 (Synthesis of Polymer Compound 3)
2,7-dibromo-9,9-dioctylfluorene (287 mg, 0.523 mmol), 2,7- (9,9-dioctyl) fluorenediboronic acid ethylene glycol cyclic ester (305 mg, 0. 0) under inert atmosphere. 575 mmol), aliquot 336 (15 mg) was dissolved in toluene (4.3 g), and potassium carbonate (231 mg, 1.67 mmol) was added to this as an approximately 1 g aqueous solution. Further, tetrakis (triphenylphosphine) palladium (0.39 mg, 0.00034 mmol) was added, and the mixture was heated to reflux for 20 hours. Subsequently, bromobenzene (11.5 mg) was added, and the mixture was further heated to reflux for 5 hours. After completion of heating, the reaction mass was added dropwise to a mixed solution of methanol (40 ml) and 1N aqueous hydrochloric acid (2.2 ml), and the deposited precipitate was separated by filtration. The resulting precipitate was washed with methanol and water and dried under reduced pressure to obtain a solid. Subsequently, the solid was dissolved in 50 ml of toluene, passed through a silica column, and concentrated to 20 ml. The concentrated solution was added dropwise to methanol, and the deposited precipitate was filtered off and dried under reduced pressure to obtain polymer compound 3. Yield 340 mg.
The obtained polymer compound 3 had a molecular weight in terms of polystyrene of Mn = 1.2 × 10 3 and Mw = 3.2 × 10 3 .

実施例4 (ガラス転移温度測定)
ガラス転移温度の測定は、DSC(DSC2920、TA Instruments製)により行なった。サンプルを200℃で5分間保持した後、−50℃まで急冷して30分間保持した。30℃まで温度を上げた後、毎分5℃の昇温速度で300℃まで測定を行なった。
得られたガラス転移点を下表1に示す。本発明の高分子化合物1、2はガラス転移温度が高く、耐熱性に優れることがわかる。
Example 4 (Glass transition temperature measurement)
The glass transition temperature was measured by DSC (DSC2920, manufactured by TA Instruments). The sample was held at 200 ° C. for 5 minutes, then rapidly cooled to −50 ° C. and held for 30 minutes. After raising the temperature to 30 ° C., the measurement was carried out to 300 ° C. at a rate of 5 ° C. per minute.
The obtained glass transition points are shown in Table 1 below. It can be seen that the polymer compounds 1 and 2 of the present invention have a high glass transition temperature and excellent heat resistance.

Figure 0004904752
Figure 0004904752

参考例(高分子化合物の励起三重項エネルギーの計算)
計算機化学的手法としては、半経験的手法及び非経験的手法に基づいた分子軌道法や密度汎関数法等が知られている。例えば、励起エネルギーを求めるには、Hartree-Fock(HF)法、あるいは密度汎関数法を用いても良い。本発明においては、量子化学計算プログラムGaussian98を用い、共役系高分子化合物の三重項励起エネルギーを求めた。共役系高分子化合物に対する励起三重項エネルギーの計算は、単量体(n=1)、2量体(n=2)及び3量体(n=3)に対して行い、共役系高分子における励起エネルギーは、n=1〜3における結果を1/nの関数E(1/n)(ここで、Eは励起三重項エネルギー)とし、線形的にn=0に外挿する事により算出する手法を用いる。
(計算例)

Figure 0004904752
高分子化合物4 高分子化合物5

高分子化合物4及び高分子化合物5に対して、Hatree-Fock(HF)法により構造最適化した。その際、基底関数としては6-31g*を用いた。さらに、最適化された構造に対し、構造最適化と同一の基底を使用し、b3p86レベルの時間依存型密度汎関数(TDDFT)法により、励起三重項エネルギーを求めた。その結果、高分子化合物4及び高分子化合物5の励起三重項エネルギーは、各々、約2.93eV及び約2.54eVであり、本発明に含まれる高分子化合物4の励起三重項エネルギーは、本発明に含まれない高分子化合物5の励起三重項エネルギーよりも大きい値であった。従って高分子化合物4は、三重項錯体発光材料のホスト材料として、より好ましい。
Reference example (calculation of excited triplet energy of polymer compound)
As computer chemistry methods, molecular orbital methods and density functional methods based on semi-empirical methods and non-empirical methods are known. For example, to obtain the excitation energy, the Hartree-Fock (HF) method or the density functional method may be used. In the present invention, the triplet excitation energy of the conjugated polymer compound was determined using the quantum chemical calculation program Gaussian 98. Calculation of the excited triplet energy for the conjugated polymer compound is performed for the monomer (n = 1), dimer (n = 2), and trimer (n = 3). The excitation energy is calculated by linearly extrapolating n = 0 with the result at n = 1 to 3 as 1 / n function E (1 / n) (where E is the excitation triplet energy). Use the technique.
(Calculation example)
Figure 0004904752
Polymer compound 4 Polymer compound 5

The structures of the polymer compound 4 and the polymer compound 5 were optimized by the Hatree-Fock (HF) method. At that time, 6-31 g * was used as a basis function. Furthermore, the excited triplet energy was calculated for the optimized structure by the time-dependent density functional (TDDFT) method at the b3p86 level, using the same basis as the structure optimization. As a result, the excited triplet energies of the polymer compound 4 and the polymer compound 5 are about 2.93 eV and about 2.54 eV, respectively, and the excited triplet energy of the polymer compound 4 included in the present invention is The value was larger than the excited triplet energy of the polymer compound 5 not included in the invention. Therefore, the polymer compound 4 is more preferable as a host material of the triplet complex light-emitting material.

三重項錯体発光材料ドープ薄膜発光強度の測定。
高分子化合物100重量部に対し、下記式に示される黄緑色三重項錯体発光材料(American Dye Source製 ADS078GE)を2重量部添加し、トルエンに溶解させた。溶液をスピンコートによりガラス基板に塗布して風乾した。触針式膜厚計で測定した膜厚は100nmであった。

Figure 0004904752

東京システム開発(株)製有機ELテストシステムST−Pを用いて、塗布薄膜のUV光励起の発光スペクトルを測定した。励起光の波長は375nmであった。塗布薄膜の発光スペクトルのピーク波長555nmにおける発光強度を表2に示した。 Measurement of emission intensity of thin film doped with triplet complex luminescent material.
To 100 parts by weight of the polymer compound, 2 parts by weight of a yellow-green triplet complex luminescent material (ADS078GE manufactured by American Dye Source) represented by the following formula was added and dissolved in toluene. The solution was applied to a glass substrate by spin coating and air-dried. The film thickness measured with a stylus film thickness meter was 100 nm.

Figure 0004904752

Using an organic EL test system ST-P manufactured by Tokyo System Development Co., Ltd., the emission spectrum of UV light excitation of the coated thin film was measured. The wavelength of the excitation light was 375 nm. The emission intensity at the peak wavelength of 555 nm of the emission spectrum of the coated thin film is shown in Table 2.

Figure 0004904752
Figure 0004904752

高分子化合物1を黄緑色三重項錯体発光材料のホスト材料に用いた場合に、三重項錯体発光材料から得られる発光強度が大きく、三重項錯体発光材料のホスト材料として優れていることが示された。

When the polymer compound 1 is used as a host material for a yellow-green triplet complex light-emitting material, the emission intensity obtained from the triplet complex light-emitting material is large, indicating that it is excellent as a host material for a triplet complex light-emitting material. It was.

Claims (26)

繰り返し単位として、インデン環にテトラリン環が縮合してなる構造を有し、当該構造において、該インデン環の5員環と該テトラリン環のベンゼン環とが、該5員環の隣接する2個の炭素原子を共有し、ポリスチレン換算の数平均分子量が103〜108であることを特徴とする高分子化合物。 The repeating unit has a structure in which a tetralin ring is condensed to an indene ring. A polymer compound which shares carbon atoms and has a polystyrene-equivalent number average molecular weight of 10 3 to 10 8 . 繰り返し単位が、下記式(1)で示される構造であることを特徴とする請求項1記載の高分子化合物。

Figure 0004904752


〔式中、R1およびR2はそれぞれ独立にアルキル基、アルコキシ基、アルキルチオ基、アリール基、アリールオキシ基、アリールチオ基、アリールアルキル基、アリールアルコキシ基、アリールアルキルチオ基、アリールアルケニル基、アリールアルキニル基、アミノ基、置換アミノ基、シリル基、置換シリル基、ハロゲン原子、アシル基、アシルオキシ基、イミン残基、アミド基、酸イミド基、1価の複素環基、カルボキシル基、置換カルボキシル基またはシアノ基を表す。aは0〜3の整数を表し、bは0〜5の整数を表す。R1およびR2がそれぞれ複数個存在する場合、それらは同一でも異なっていてもよい。R3およびR4はそれぞれ独立に水素原子、アルキル基、アルコキシ基、アルキルチオ基、アリール基、アリールオキシ基、アリールチオ基、アリールアルキル基、アリールアルコキシ基、アリールアルキルチオ基、アリールアルケニル基、アリールアルキニル基、アミノ基、置換アミノ基、シリル基、置換シリル基、ハロゲン原子、アシル基、アシルオキシ基、イミン残基、アミド基、酸イミド基、1価の複素環基、カルボキシル基、置換カルボキシル基またはシアノ基を表し、R3とR4は互いに結合して環を形成していてもよい。〕
The polymer compound according to claim 1, wherein the repeating unit has a structure represented by the following formula (1).

Figure 0004904752


Wherein R 1 and R 2 are each independently an alkyl group, alkoxy group, alkylthio group, aryl group, aryloxy group, arylthio group, arylalkyl group, arylalkoxy group, arylalkylthio group, arylalkenyl group, arylalkynyl Group, amino group, substituted amino group, silyl group, substituted silyl group, halogen atom, acyl group, acyloxy group, imine residue, amide group, acid imide group, monovalent heterocyclic group, carboxyl group, substituted carboxyl group or Represents a cyano group. a represents an integer of 0 to 3, and b represents an integer of 0 to 5. When a plurality of R 1 and R 2 are present, they may be the same or different. R 3 and R 4 are each independently a hydrogen atom, alkyl group, alkoxy group, alkylthio group, aryl group, aryloxy group, arylthio group, arylalkyl group, arylalkoxy group, arylalkylthio group, arylalkenyl group, arylalkynyl group , Amino group, substituted amino group, silyl group, substituted silyl group, halogen atom, acyl group, acyloxy group, imine residue, amide group, acid imide group, monovalent heterocyclic group, carboxyl group, substituted carboxyl group or cyano Represents a group, and R 3 and R 4 may be bonded to each other to form a ring. ]
上記式(1)において、a=b=0であることを特徴とする請求項2記載の高分子化合物。 3. The polymer compound according to claim 2, wherein a = b = 0 in the formula (1). さらに、下記式(3)、式(4)、式(5)または式(6)で示される繰り返し単位を含むことを特徴とする請求項1〜3のいずれかに記載の高分子化合物。
−Ar1− (3)

Figure 0004904752
−Ar4−X2− (5)
−X3− (6)

〔式中、Ar1、Ar2、Ar3およびAr4はそれぞれ独立にアリーレン基、2価の複素環基または金属錯体構造を有する2価の基を表す。X1、X2およびX3はそれぞれ独立に−CR9=CR10−、−C≡C−、−N(R11)−、または−(SiR1213m−を表す。
9およびR10は、それぞれ独立に水素原子、アルキル基、アリール基、1価の複素環基、カルボキシル基、置換カルボキシル基またはシアノ基を表す。R11、R12およびR13は、それぞれ独立に水素原子、アルキル基、アリール基、1価の複素環基、アリールアルキル基または置換アミノ基を示す。ffは0〜2の整数を表す。mは1〜12の整数を表す。R9、R10、R11、R12およびR13がそれぞれ複数存在する場合、それらは同一でも異なっていてもよい。〕
Furthermore, the high molecular compound in any one of Claims 1-3 containing the repeating unit shown by following formula (3), Formula (4), Formula (5), or Formula (6).
-Ar 1- (3)

Figure 0004904752
—Ar 4 —X 2 — (5)
-X 3- (6)

[Wherein, Ar 1 , Ar 2 , Ar 3 and Ar 4 each independently represent an arylene group, a divalent heterocyclic group or a divalent group having a metal complex structure. X 1 , X 2 and X 3 each independently represent —CR 9 ═CR 10 —, —C≡C—, —N (R 11 ) —, or — (SiR 12 R 13 ) m —.
R 9 and R 10 each independently represents a hydrogen atom, an alkyl group, an aryl group, a monovalent heterocyclic group, a carboxyl group, a substituted carboxyl group or a cyano group. R 11 , R 12 and R 13 each independently represent a hydrogen atom, an alkyl group, an aryl group, a monovalent heterocyclic group, an arylalkyl group or a substituted amino group. ff represents an integer of 0-2. m represents an integer of 1 to 12. When there are a plurality of R 9 , R 10 , R 11 , R 12 and R 13 , they may be the same or different. ]
上記式(3)で示される繰り返し単位が、下記式(7)、(8)、(9)、(10)、(11)または(12)で示される繰り返し単位であることを特徴とする請求項1〜4のいずれかに記載の高分子化合物。
Figure 0004904752
〔式中、R14は、アルキル基、アルコキシ基、アルキルチオ基、アリール基、アリールオキシ基、アリールチオ基、アリールアルキル基、アリールアルコキシ基、アリールアルキルチオ基、アリールアルケニル基、アリールアルキニル基、アミノ基、置換アミノ基、シリル基、置換シリル基、ハロゲン原子、アシル基、アシルオキシ基、イミン残基、アミド基、酸イミド基、1価の複素環基、カルボキシル基、置換カルボキシル基またはシアノ基を表す。nは0〜4の整数を表す。R14が複数存在する場合、それらは同一でも異なっていてもよい。〕

Figure 0004904752

〔式中、R15およびR16は、それぞれ独立にアルキル基、アルコキシ基、アルキルチオ基、アリール基、アリールオキシ基、アリールチオ基、アリールアルキル基、アリールアルコキシ基、アリールアルキルチオ基、アリールアルケニル基、アリールアルキニル基、アミノ基、置換アミノ基、シリル基、置換シリル基、ハロゲン原子、アシル基、アシルオキシ基、イミン残基、アミド基、酸イミド基、1価の複素環基、カルボキシル基、置換カルボキシル基またはシアノ基を表す。oおよびpはそれぞれ独立に0〜3の整数を表す。R15およびR16がそれぞれ複数存在する場合、それらは同一でも異なっていてもよい。〕

Figure 0004904752

〔式中、R17およびR20は、それぞれ独立にアルキル基、アルコキシ基、アルキルチオ基、アリール基、アリールオキシ基、アリールチオ基、アリールアルキル基、アリールアルコキシ基、アリールアルキルチオ基、アリールアルケニル基、アリールアルキニル基、アミノ基、置換アミノ基、シリル基、置換シリル基、ハロゲン原子、アシル基、アシルオキシ基、イミン残基、アミド基、酸イミド基、1価の複素環基、カルボキシル基、置換カルボキシル基またはシアノ基を表す。qおよびrはそれぞれ独立に0〜4の整数を表す。R18およびR19は、それぞれ独立に水素原子、アルキル基、アリール基、1価の複素環基、カルボキシル基、置換カルボキシル基またはシアノ基を表す。R17およびR20が複数存在する場合、それらは同一でも異なっていてもよい。〕

Figure 0004904752
〔式中、R21は、アルキル基、アルコキシ基、アルキルチオ基、アリール基、アリールオキシ基、アリールチオ基、アリールアルキル基、アリールアルコキシ基、アリールアルキルチオ基、アリールアルケニル基、アリールアルキニル基、アミノ基、置換アミノ基、シリル基、置換シリル基、ハロゲン原子、アシル基、アシルオキシ基、イミン残基、アミド基、酸イミド基、1価の複素環基、カルボキシル基、置換カルボキシル基またはシアノ基を表す。sは0〜2の整数を表す。Ar13およびAr14はそれぞれ独立にアリーレン基、2価の複素環基または金属錯体構造を有する2価の基を表す。ssおよびttはそれぞれ独立に0または1を表す。X4は、O、S、SO、SO2、Se,またはTeを表す。R21が複数存在する場合、それらは同一でも異なっていてもよい。〕

Figure 0004904752

〔式中、R22およびR23は、それぞれ独立にアルキル基、アルコキシ基、アルキルチオ基、アリール基、アリールオキシ基、アリールチオ基、アリールアルキル基、アリールアルコキシ基、アリールアルキルチオ基、アリールアルケニル基、アリールアルキニル基、アミノ基、置換アミノ基、シリル基、置換シリル基、ハロゲン原子、アシル基、アシルオキシ基、イミン残基、アミド基、酸イミド基、1価の複素環基、カルボキシル基、置換カルボキシル基またはシアノ基を表す。tおよびuはそれぞれ独立に0〜4の整数を表す。X5は、O、S、SO2、Se,Te、N−R24、またはSiR2526を表す。X6およびX7は、それぞれ独立にNまたはC−R27を表す。R24、R25、R26およびR27はそれぞれ独立に水素原子、アルキル基、アリール基、アリールアルキル基または1価の複素環基を表す。R25、R26およびR27が複数存在する場合、それらは同一でも異なっていてもよい。


Figure 0004904752
〔式中、R28およびR33は、それぞれ独立にアルキル基、アルコキシ基、アルキルチオ基、アリール基、アリールオキシ基、アリールチオ基、アリールアルキル基、アリールアルコキシ基、アリールアルキルチオ基、アリールアルケニル基、アリールアルキニル基、アミノ基、置換アミノ基、シリル基、置換シリル基、ハロゲン原子、アシル基、アシルオキシ基、イミン残基、アミド基、酸イミド基、1価の複素環基、カルボキシル基、置換カルボキシル基またはシアノ基を表す。vおよびwはそれぞれ独立に0〜4の整数を表す。R29、R30、R31およびR32は、それぞれ独立に水素原子、アルキル基、アリール基、1価の複素環基、カルボキシル基、置換カルボキシル基またはシアノ基を表す。Ar5はアリーレン基、2価の複素環基または金属錯体構造を有する2価の基を表す。R28およびR33が複数存在する場合、それらは同一でも異なっていてもよい。〕
The repeating unit represented by the above formula (3) is a repeating unit represented by the following formula (7), (8), (9), (10), (11) or (12): Item 5. The polymer compound according to any one of Items 1 to 4.
Figure 0004904752
[Wherein, R 14 represents an alkyl group, an alkoxy group, an alkylthio group, an aryl group, an aryloxy group, an arylthio group, an arylalkyl group, an arylalkoxy group, an arylalkylthio group, an arylalkenyl group, an arylalkynyl group, an amino group, It represents a substituted amino group, silyl group, substituted silyl group, halogen atom, acyl group, acyloxy group, imine residue, amide group, acid imide group, monovalent heterocyclic group, carboxyl group, substituted carboxyl group or cyano group. n represents an integer of 0 to 4. When a plurality of R 14 are present, they may be the same or different. ]

Figure 0004904752

Wherein R 15 and R 16 are each independently an alkyl group, alkoxy group, alkylthio group, aryl group, aryloxy group, arylthio group, arylalkyl group, arylalkoxy group, arylalkylthio group, arylalkenyl group, aryl Alkynyl group, amino group, substituted amino group, silyl group, substituted silyl group, halogen atom, acyl group, acyloxy group, imine residue, amide group, acid imide group, monovalent heterocyclic group, carboxyl group, substituted carboxyl group Or represents a cyano group. o and p each independently represent an integer of 0 to 3. When a plurality of R 15 and R 16 are present, they may be the same or different. ]

Figure 0004904752

[Wherein, R 17 and R 20 are each independently an alkyl group, an alkoxy group, an alkylthio group, an aryl group, an aryloxy group, an arylthio group, an arylalkyl group, an arylalkoxy group, an arylalkylthio group, an arylalkenyl group, an aryl group. Alkynyl group, amino group, substituted amino group, silyl group, substituted silyl group, halogen atom, acyl group, acyloxy group, imine residue, amide group, acid imide group, monovalent heterocyclic group, carboxyl group, substituted carboxyl group Or represents a cyano group. q and r each independently represents an integer of 0 to 4. R 18 and R 19 each independently represent a hydrogen atom, an alkyl group, an aryl group, a monovalent heterocyclic group, a carboxyl group, a substituted carboxyl group or a cyano group. When a plurality of R 17 and R 20 are present, they may be the same or different. ]

Figure 0004904752
[Wherein, R 21 represents an alkyl group, an alkoxy group, an alkylthio group, an aryl group, an aryloxy group, an arylthio group, an arylalkyl group, an arylalkoxy group, an arylalkylthio group, an arylalkenyl group, an arylalkynyl group, an amino group, It represents a substituted amino group, silyl group, substituted silyl group, halogen atom, acyl group, acyloxy group, imine residue, amide group, acid imide group, monovalent heterocyclic group, carboxyl group, substituted carboxyl group or cyano group. s represents the integer of 0-2. Ar 13 and Ar 14 each independently represent an arylene group, a divalent heterocyclic group or a divalent group having a metal complex structure. ss and tt each independently represent 0 or 1. X 4 represents O, S, SO, SO 2 , Se, or Te. When a plurality of R 21 are present, they may be the same or different. ]

Figure 0004904752

[Wherein R 22 and R 23 are each independently an alkyl group, alkoxy group, alkylthio group, aryl group, aryloxy group, arylthio group, arylalkyl group, arylalkoxy group, arylalkylthio group, arylalkenyl group, aryl Alkynyl group, amino group, substituted amino group, silyl group, substituted silyl group, halogen atom, acyl group, acyloxy group, imine residue, amide group, acid imide group, monovalent heterocyclic group, carboxyl group, substituted carboxyl group Or represents a cyano group. t and u each independently represents an integer of 0 to 4. X 5 represents O, S, SO 2 , Se, Te, N—R 24 , or SiR 25 R 26 . X 6 and X 7 each independently represent N or C—R 27 . R 24 , R 25 , R 26 and R 27 each independently represent a hydrogen atom, an alkyl group, an aryl group, an arylalkyl group or a monovalent heterocyclic group. When a plurality of R 25 , R 26 and R 27 are present, they may be the same or different.
]

Figure 0004904752
Wherein R 28 and R 33 are each independently an alkyl group, alkoxy group, alkylthio group, aryl group, aryloxy group, arylthio group, arylalkyl group, arylalkoxy group, arylalkylthio group, arylalkenyl group, aryl Alkynyl group, amino group, substituted amino group, silyl group, substituted silyl group, halogen atom, acyl group, acyloxy group, imine residue, amide group, acid imide group, monovalent heterocyclic group, carboxyl group, substituted carboxyl group Or represents a cyano group. v and w each independently represent an integer of 0 to 4. R 29 , R 30 , R 31 and R 32 each independently represents a hydrogen atom, an alkyl group, an aryl group, a monovalent heterocyclic group, a carboxyl group, a substituted carboxyl group or a cyano group. Ar 5 represents an arylene group, a divalent heterocyclic group or a divalent group having a metal complex structure. When a plurality of R 28 and R 33 are present, they may be the same or different. ]
上記式(4)で示される繰り返し単位が、下記式(13)で示される繰り返し単位であることを特徴とする請求項5記載の高分子化合物。

Figure 0004904752

〔式中、Ar6、Ar7、Ar8およびAr9はそれぞれ独立にアリーレン基または2価の複素環基を表す。Ar10、Ar11およびAr12はそれぞれ独立にアリール基、または1価の複素環基を表す。Ar6、Ar7、Ar8、Ar9、およびAr10は置換基を有していてもよい。xおよびyはそれぞれ独立に0または1を表し、0≦x+y≦1である。〕
6. The polymer compound according to claim 5, wherein the repeating unit represented by the formula (4) is a repeating unit represented by the following formula (13).

Figure 0004904752

[Wherein, Ar 6 , Ar 7 , Ar 8 and Ar 9 each independently represent an arylene group or a divalent heterocyclic group. Ar 10 , Ar 11 and Ar 12 each independently represent an aryl group or a monovalent heterocyclic group. Ar 6 , Ar 7 , Ar 8 , Ar 9 , and Ar 10 may have a substituent. x and y each independently represents 0 or 1, and 0 ≦ x + y ≦ 1. ]
下記式(14)
Figure 0004904752
〔式中、R34 およびR 35 それぞれ独立にアルキル基、アルコキシ基、アルキルチオ基、アリール基、アリールオキシ基、アリールチオ基、アリールアルキル基、アリールアルコキシ基、アリールアルキルチオ基、アリールアルケニル基、アリールアルキニル基、アミノ基、置換アミノ基、シリル基、置換シリル基、ハロゲン原子、アシル基、アシルオキシ基、イミン残基、アミド基、酸イミド基、1価の複素環基、カルボキシル基、置換カルボキシル基またはシアノ基を表す。aは0〜3の整数を表し、bは0〜5の整数を表す。R34 およびR 35 複数存在する場合、それらは同一でも異なっていてもよい。R36 およびR 37 それぞれ独立に水素原子、アルキル基、アルコキシ基、アルキルチオ基、アリール基、アリールオキシ基、アリールチオ基、アリールアルキル基、アリールアルコキシ基、アリールアルキルチオ基、アリールアルケニル基、アリールアルキニル基、アミノ基、置換アミノ基、シリル基、置換シリル基、ハロゲン原子、アシル基、アシルオキシ基、イミン残基、アミド基、酸イミド基、1価の複素環基、カルボキシル基、置換カルボキシル基またはシアノ基を表す。R36 37 は互いに結合して環を形成していてもよい。Y1 およびY 2 それぞれ独立に縮合重合に関与する置換基を表す。〕
で示される化合物を原料の一つとして用いて縮合重合させることを特徴とする請求項1〜6のいずれかに記載の高分子化合物の製造方法。
Following formula (14 )
Figure 0004904752
[Wherein R 34 and R 35 are each independently an alkyl group, alkoxy group, alkylthio group, aryl group, aryloxy group, arylthio group, arylalkyl group, arylalkoxy group, arylalkylthio group, arylalkenyl group, arylalkynyl. Group, amino group, substituted amino group, silyl group, substituted silyl group, halogen atom, acyl group, acyloxy group, imine residue, amide group, acid imide group, monovalent heterocyclic group, carboxyl group, substituted carboxyl group or Represents a cyano group. a represents an integer of 0 to 3, and b represents an integer of 0 to 5. When a plurality of R 34 and R 35 are present, they may be the same or different. R 36 and R 37 are each independently a hydrogen atom, alkyl group, alkoxy group, alkylthio group, aryl group, aryloxy group, arylthio group, arylalkyl group, arylalkoxy group, arylalkylthio group, arylalkenyl group, arylalkynyl group , Amino group, substituted amino group, silyl group, substituted silyl group, halogen atom, acyl group, acyloxy group, imine residue, amide group, acid imide group, monovalent heterocyclic group, carboxyl group, substituted carboxyl group or cyano Represents a group. R 36 and R 37 may form a ring bonded to physicians each other. Y 1 and Y 2 represent a substituent involved in condensation polymerization are each independently. ]
The method for producing a polymer compound according to any one of claims 1 to 6, wherein the compound represented by the above is used as one of raw materials for condensation polymerization.
1 およびY 2 それぞれ独立にハロゲン原子、アルキルスルホネート基、アリールスルホネート基またはアリールアルキルスルホネート基であり、ニッケルゼロ価錯体存在下で縮合重合することを特徴とする請求項7に記載の製造方法。 The production method according to claim 7, wherein Y 1 and Y 2 are each independently a halogen atom, an alkyl sulfonate group, an aryl sulfonate group or an aryl alkyl sulfonate group, and condensation polymerization is performed in the presence of a nickel zero-valent complex. . 1 およびY 2 それぞれ独立にハロゲン原子、アルキルスルホネート基、アリールスルホネート基、アリールアルキルスルホネート基、−B(OH)2、またはホウ酸エステル基であり、ハロゲン原子、アルキルスルホネート基アリールスルホネート基およびアリールアルキルスルホネート基のモル数の合計と、−B(OH)2およびホウ酸エステル基のモル数の合計の比が実質的に1であり、ニッケルまたはパラジウム触媒を用いて縮合重合することを特徴とする請求項7に記載の製造方法。 Y 1 and Y 2 are each independently a halogen atom, an alkyl sulfonate group, an aryl sulfonate group, an aryl alkyl sulfonate group, —B (OH) 2 , or a borate group, a halogen atom, an alkyl sulfonate group, an aryl sulfonate group, and The ratio of the total number of moles of arylalkyl sulfonate groups to the total number of moles of —B (OH) 2 and borate group is substantially 1, and is characterized by condensation polymerization using a nickel or palladium catalyst. The manufacturing method according to claim 7. (14)で示される化合物。

Figure 0004904752

〔式中、R 34 およびR 35 はそれぞれ独立にアルキル基、アルコキシ基、アルキルチオ基、アリール基、アリールオキシ基、アリールチオ基、アリールアルキル基、アリールアルコキシ基、アリールアルキルチオ基、アリールアルケニル基、アリールアルキニル基、アミノ基、置換アミノ基、シリル基、置換シリル基、ハロゲン原子、アシル基、アシルオキシ基、イミン残基、アミド基、酸イミド基、1価の複素環基、カルボキシル基、置換カルボキシル基またはシアノ基を表す。aは0〜3の整数を表し、bは0〜5の整数を表す。R 34 およびR 35 が複数存在する場合、それらは同一でも異なっていてもよい。R 36 およびR 37 はそれぞれ独立に水素原子、アルキル基、アルコキシ基、アルキルチオ基、アリール基、アリールオキシ基、アリールチオ基、アリールアルキル基、アリールアルコキシ基、アリールアルキルチオ基、アリールアルケニル基、アリールアルキニル基、アミノ基、置換アミノ基、シリル基、置換シリル基、ハロゲン原子、アシル基、アシルオキシ基、イミン残基、アミド基、酸イミド基、1価の複素環基、カルボキシル基、置換カルボキシル基またはシアノ基を表す。R 36 とR 37 は、互いに結合して環を形成していてもよい。Y 1 およびY 2 はそれぞれ独立に縮合重合に関与する置換基を表す。〕
A compound represented by formula (14 ):

Figure 0004904752

[Wherein R 34 and R 35 are each independently an alkyl group, alkoxy group, alkylthio group, aryl group, aryloxy group, arylthio group, arylalkyl group, arylalkoxy group, arylalkylthio group, arylalkenyl group, arylalkynyl. Group, amino group, substituted amino group, silyl group, substituted silyl group, halogen atom, acyl group, acyloxy group, imine residue, amide group, acid imide group, monovalent heterocyclic group, carboxyl group, substituted carboxyl group or Represents a cyano group. a represents an integer of 0 to 3, and b represents an integer of 0 to 5. When a plurality of R 34 and R 35 are present, they may be the same or different. R 36 and R 37 are each independently a hydrogen atom, alkyl group, alkoxy group, alkylthio group, aryl group, aryloxy group, arylthio group, arylalkyl group, arylalkoxy group, arylalkylthio group, arylalkenyl group, arylalkynyl group , Amino group, substituted amino group, silyl group, substituted silyl group, halogen atom, acyl group, acyloxy group, imine residue, amide group, acid imide group, monovalent heterocyclic group, carboxyl group, substituted carboxyl group or cyano Represents a group. R 36 and R 37 may be bonded to each other to form a ring. Y 1 and Y 2 each independently represent a substituent involved in condensation polymerization. ]
上記式(14)で示される化合物に加えて、下記式(15)〜(18)のいずれかで示される化合物を原料として用いて縮合重合させることを特徴とする請求項7〜9のいずれかに記載の製造方法。

5−Ar1−Y6 (15)

Figure 0004904752
9−Ar4−X2−Y10 (17)
11−X3−Y12 (18)

〔式中、Ar1、Ar2、Ar3、Ar4、ff、X1、X2およびX3は前記と同じ意味を表す。Y5、Y6、Y7、Y8、Y9、Y10、Y11およびY12はそれぞれ独立に縮合重合に関与する置換基を表す。〕
In addition to the compound represented by the above formula (14), the compound represented by any one of the following formulas (15) to (18) is subjected to condensation polymerization as a raw material. The manufacturing method as described in.

Y 5 -Ar 1 -Y 6 (15 )

Figure 0004904752
Y 9 -Ar 4 -X 2 -Y 10 (17)
Y 11 -X 3 -Y 12 (18 )

[Wherein, Ar 1 , Ar 2 , Ar 3 , Ar 4 ff, X 1 , X 2 and X 3 represent the same meaning as described above. Y 5 , Y 6 , Y 7 , Y 8 , Y 9 , Y 10 , Y 11 and Y 12 each independently represent a substituent involved in condensation polymerization. ]
5、Y6、Y7、Y8、Y9、Y10、Y11およびY12がそれぞれ独立にハロゲン原子、アルキルスルホネート基、アリールスルホネート基またはアリールアルキルスルホネート基であり、ニッケルゼロ価錯体存在下で縮合重合することを特徴とする請求項11に記載の製造方法。 Y 5 , Y 6 , Y 7 , Y 8 , Y 9 , Y 10 , Y 11 and Y 12 are each independently a halogen atom, an alkyl sulfonate group, an aryl sulfonate group or an aryl alkyl sulfonate group, and a nickel zero-valent complex exists. The production method according to claim 11, wherein the condensation polymerization is performed under. 5、Y6、Y7、Y8、Y9、Y10、Y11およびY12がそれぞれ独立にハロゲン原子、アルキルスルホネート基、アリールスルホネート基、アリールアルキルスルホネート基、−B(OH)2、またはホウ酸エステル基であり、ハロゲン原子、アルキルスルホネート基アリールスルホネート基およびアリールアルキルスルホネート基のモル数の合計と、−B(OH)2およびホウ酸エステル基のモル数の合計の比が実質的に1であり、ニッケルまたはパラジウム触媒を用いて縮合重合することを特徴とする請求項11に記載の製造方法。 Y 5 , Y 6 , Y 7 , Y 8 , Y 9 , Y 10 , Y 11 and Y 12 are each independently a halogen atom, an alkyl sulfonate group, an aryl sulfonate group, an aryl alkyl sulfonate group, —B (OH) 2 , Or a borate group, and the ratio of the total number of moles of halogen atom, alkyl sulfonate group, aryl sulfonate group, and arylalkyl sulfonate group to the total number of moles of —B (OH) 2 and borate group is substantially The production method according to claim 11, wherein condensation polymerization is performed using a nickel or palladium catalyst. 正孔輸送材料、電子輸送材料および発光材料から選ばれる少なくとも1種類の材料と請求項1〜6のいずれかに記載の高分子化合物とを含有することを特徴とする組成物。   A composition comprising at least one material selected from a hole transport material, an electron transport material, and a light emitting material, and the polymer compound according to any one of claims 1 to 6. 請求項1〜6のいずれかに記載の高分子化合物を含有することを特徴とするインク組成物。   An ink composition comprising the polymer compound according to claim 1. 粘度が25℃において1〜20mPa・sであることを特徴とする請求項15記載のインク組成物。   The ink composition according to claim 15, wherein the viscosity is 1 to 20 mPa · s at 25 ° C. 請求項1〜6のいずれかに記載の高分子化合物を含有する発光性薄膜。   The luminescent thin film containing the polymer compound in any one of Claims 1-6. 請求項1〜6のいずれかに記載の高分子化合物を含有する導電性薄膜。   The electroconductive thin film containing the high molecular compound in any one of Claims 1-6. 請求項1〜6のいずれかに記載の高分子化合物を含有する有機半導体薄膜。   The organic-semiconductor thin film containing the high molecular compound in any one of Claims 1-6. 陽極および陰極からなる電極間に、有機層を有し、該有機層が請求項1〜6のいずれかに記載の高分子化合物を含むことを特徴とする高分子発光素子。   A polymer light emitting device comprising an organic layer between electrodes composed of an anode and a cathode, wherein the organic layer contains the polymer compound according to any one of claims 1 to 6. 有機層が発光層であることを特徴とする請求項20記載の高分子発光素子。   21. The polymer light emitting device according to claim 20, wherein the organic layer is a light emitting layer. 発光層がさらに正孔輸送材料、電子輸送材料または発光材料を含むことを特徴とする請求項21記載の高分子発光素子。   The polymer light emitting device according to claim 21, wherein the light emitting layer further contains a hole transport material, an electron transport material or a light emitting material. 請求項20〜22のいずれかに記載の高分子発光素子を用いたことを特徴とする面状光源。   A planar light source comprising the polymer light-emitting device according to claim 20. 請求項20〜22のいずれかに記載の高分子発光素子を用いたことを特徴とするセグメント表示装置。   A segment display device using the polymer light-emitting device according to any one of claims 20 to 22. 請求項20〜22のいずれかに記載の高分子発光素子を用いたことを特徴とするドットマトリックス表示装置。   A dot matrix display using the polymer light-emitting device according to claim 20. 請求項20〜22のいずれかに記載の高分子発光素子をバックライトとすることを特徴とする液晶表示装置。   23. A liquid crystal display device comprising the polymer light-emitting device according to claim 20 as a backlight.
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