JP2010165701A - Solid-state field capacitor element and method for manufacturing the same - Google Patents
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Abstract
Description
本発明は、固体電界コンデンサ素子およびこれらの製造方法に関する。 The present invention relates to a solid electrolytic capacitor element and a method for manufacturing the same.
一般に、固体電界コンデンサ素子はタンタル等の多孔質焼結体を備えている。多孔質焼結体からは同じくタンタル等の陽極ワイヤが突出している。多孔質焼結体の外表面および多孔質焼結体の孔の表面には五酸化タンタル等の誘電体層が形成されている。誘電体層上には二酸化マンガン等の固体電解質層が形成されている。固体電解質層はグラファイト層および銀ペースト層からなる陰極層が形成されている(たとえば特許文献1参照)。多孔質焼結体は樹脂パッケージで封止されている。固体電界コンデンサにおいては、多孔質焼結体の材料であるタンタル等の粉末の粒径を小さくすることにより、大容量化を図っている。 In general, the solid electric field capacitor element includes a porous sintered body such as tantalum. Similarly, an anode wire such as tantalum protrudes from the porous sintered body. A dielectric layer such as tantalum pentoxide is formed on the outer surface of the porous sintered body and the surface of the pores of the porous sintered body. A solid electrolyte layer such as manganese dioxide is formed on the dielectric layer. The solid electrolyte layer is formed with a cathode layer made of a graphite layer and a silver paste layer (see, for example, Patent Document 1). The porous sintered body is sealed with a resin package. In a solid electric field capacitor, the capacity is increased by reducing the particle size of a powder of tantalum or the like, which is a material of a porous sintered body.
固体電界コンデンサ素子のサイズを大きくすることなく大容量化を図るためには、CV値(μFV/g)を高める必要がある。CV値とは、単位質量あたりの静電容量Cと化成電圧との積であり、一般にμFV/gで表される。このCV値は、多孔質焼結体の材料であるタンタル等の微粉末の単位質量あたりの表面積に大きく左右される。微粉末の微細化を図るほど、単位質量あたりの表面積を増やすことができるため、CV値を高めることができる。 In order to increase the capacity without increasing the size of the solid electrolytic capacitor element, it is necessary to increase the CV value (μFV / g). The CV value is a product of the capacitance C per unit mass and the formation voltage, and is generally represented by μFV / g. This CV value greatly depends on the surface area per unit mass of fine powder such as tantalum which is a material of the porous sintered body. Since the surface area per unit mass can be increased as the finer powder is made finer, the CV value can be increased.
しかし、多孔質焼結体の材料であるタンタル等の微粉末の微細化を図るため、微粉末の粒径を小さくすると空隙率が低くなる。固体電界コンデンサ素子の製造工程においては、固体電解質層を形成するための硝酸マンガン水溶液等にタンタル等の多孔質焼結体を浸漬させる。空隙率が低いと、この浸透が十分に促進されず、多孔質焼結体の表面に固体電解質層が形成されない部分が残ることになる。これにより、静電容量の低下や、誘電損失の増大といった問題が発生する。 However, in order to refine the fine powder such as tantalum, which is a material of the porous sintered body, the porosity is lowered when the particle diameter of the fine powder is reduced. In the manufacturing process of the solid electric field capacitor element, a porous sintered body such as tantalum is immersed in a manganese nitrate aqueous solution or the like for forming a solid electrolyte layer. When the porosity is low, this penetration is not sufficiently promoted, and a portion where the solid electrolyte layer is not formed remains on the surface of the porous sintered body. This causes problems such as a decrease in capacitance and an increase in dielectric loss.
本発明は上記の事情のもとで考え出されたものであって、固体電界コンデンサ素子の含浸性を向上させ、静電容量や誘電損失といった電気的特性を向上させることが可能な多孔質焼結体を有する固体電界コンデンサ素子、およびこれらの製造方法を提供することをその課題とする。 The present invention has been conceived under the circumstances described above, and is a porous firing that can improve the impregnation property of a solid electric field capacitor element and improve electrical characteristics such as capacitance and dielectric loss. It is an object of the present invention to provide a solid electric field capacitor element having a bonded body and a method for manufacturing the same.
上記課題を達成するため、本発明では、次の技術的手段を講じている。 In order to achieve the above object, the present invention takes the following technical means.
本発明の第1の側面によって提供される個体電界コンデンサ素子は、弁作用金属で形成された陽極ワイヤと、弁作用金属の粉末で多孔質に形成され、かつ前記陽極ワイヤの一端を埋設した第1焼結体と、弁作用金属の粉末で多孔質に形成され、前記粉末の平均粒径が前記第1焼結体を形成した粉末の平均粒径より小さく、かつ前記陽極ワイヤの一端が埋設した側と対向する側において前記第1焼結体の少なくとも一部が露出するように前記第1焼結体の周りに形成された第2焼結体と、を含む多孔質焼結体と、前記多孔質焼結体の外表面および前記多孔質焼結体の孔の表面に形成された誘電体膜と、前記誘電体膜上に形成された固体電解質層と、前記多孔質焼結体の外表面に形成された固体電解質層の表面の少なくとも一部に形成された陰極膜と、を備えたことを特徴としている。 The solid electric field capacitor element provided by the first aspect of the present invention includes an anode wire formed of a valve action metal, a porous material made of a valve action metal powder, and one end of the anode wire embedded therein. 1 sintered body and valve action metal powder are formed porous, the average particle diameter of the powder is smaller than the average particle diameter of the powder forming the first sintered body, and one end of the anode wire is embedded A porous sintered body comprising: a second sintered body formed around the first sintered body so that at least a part of the first sintered body is exposed on a side opposite to the first sintered body; The dielectric film formed on the outer surface of the porous sintered body and the surface of the pores of the porous sintered body, the solid electrolyte layer formed on the dielectric film, and the porous sintered body Cathode formed on at least part of the surface of the solid electrolyte layer formed on the outer surface It is characterized by having a and.
通常、固体電解質層を形成するための陰極材料溶液は、焼結体の外表面から内部に向かって浸透していく。このような構成によれば、陰極材料溶液は焼結体(第1焼結体)の下側(陽極ワイヤの一端が埋設した側と対向する側)から焼結体内部に浸透し、さらに焼結体内部から粒径の小さい粉末で形成された第2焼結体に向かって浸透する。その結果、陰極材料溶液は、焼結体の外表面から内部に向かって浸透していくだけでなく、焼結体の内部から外表面に向かっても浸透していく。従って、陰極材料溶液の含浸性が大幅に向上するため、静電容量の低下や、誘電損失の増大といった問題を解決することができる。 Usually, the cathode material solution for forming the solid electrolyte layer penetrates from the outer surface of the sintered body toward the inside. According to such a configuration, the cathode material solution penetrates into the sintered body from the lower side of the sintered body (first sintered body) (the side facing the side where one end of the anode wire is embedded), and further fired. It penetrates from the inside of the bonded body toward the second sintered body formed of powder having a small particle diameter. As a result, the cathode material solution penetrates not only from the outer surface of the sintered body toward the inside, but also from the inside of the sintered body toward the outer surface. Therefore, since the impregnation property of the cathode material solution is greatly improved, problems such as a decrease in capacitance and an increase in dielectric loss can be solved.
次に、図面を参照して、本発明の実施の形態を説明する。以下の図面の記載において、同一または類似の部分には同一または類似の符号を付している。ただし、図面は模式的なものであり、現実のものとは異なる。また、図面相互間においても互いの寸法の関係や比率が異なる部分が含まれていることはもちろんである。 Next, embodiments of the present invention will be described with reference to the drawings. In the following description of the drawings, the same or similar parts are denoted by the same or similar reference numerals. However, the drawings are schematic and different from actual ones. Moreover, it is a matter of course that portions having different dimensional relationships and ratios are included between the drawings.
図1(a)および(b)は、本発明に係る固体電界コンデンサ素子の一例を示している。同図に示された固体電界コンデンサ素子は、陽極ワイヤ1、多孔質焼結体2、リング体3、誘電体膜4、固体電解質層5、陰極膜6を備えている。なお、図1(a)は多孔質焼結体の第1焼結体と第1焼結体の位置関係を示す概念図で、第1焼結体2Aは第2焼結体2Bに挟まれるように形成されている。図1(b)は、本発明に係る固体電界コンデンサ素子の縦断正面図を示している。
1 (a) and 1 (b) show an example of a solid electric field capacitor element according to the present invention. The solid electrolytic capacitor element shown in the figure includes an
陽極ワイヤ1はたとえばタンタル等の弁作用金属で形成される。陽極ワイヤの一端は多孔質焼結体に埋設されている。陽極ワイヤは燐、酸素、炭素、窒素、水素、鉄、ニッケル、シリコン等の少なくとも一つを含む焼結抑制物質を不純物として含んでいてもよい。
The
多孔質焼結体2は、陽極ワイヤを構成する金属と同種の金属、たとえばタンタル等の弁作用金属の粉末を、多孔質に固め形成した後、焼結したものからなる。前記多孔質焼結体2は前記粉末の平均粒径の異なる第1焼結体2Aと第2焼結体2Bからなる。第1焼結体2Aを形成する粉末の平均粒径は第2焼結体2Bを形成する粉末の平均粒径よりも大きい。焼結体を形成する粉末の平均粒径が大きいほど焼結体と陽極ワイヤとの密着力は上がるため、陽極ワイヤの抜け防止の効果を考慮して、第1焼結体2Aには前記陽極ワイヤの一端が埋設されている。また、前記陽極ワイヤの一端が埋設した側と対向する側において前記第1焼結体の少なくとも一部が露出し、さらに前記陽極ワイヤの一端が埋設した面と垂直な面においても前記第1焼結体の少なくとも一部が露出するように第1焼結体の周りに第2焼結体が形成されている。前記第1焼結体2Aはタンタル等の弁作用金属の粉末からなり、そのCV値はたとえば10万μFV/g以上〜15万μFV/g以下である。前記第2焼結体2Bはタンタル等の弁作用金属の粉末からなり、前記粉末の平均粒径が第1焼結体を形成した粉末の平均粒径より小さくなっている。前記第2焼結体を形成している粉末のCV値は、第1焼結体を形成する粉末のCV値よりも大きくなり、たとえば15万μFV/g以上〜20万μFV/g以下である。なお第1焼結体と第2焼結体との加圧成型後の密着性を考慮すると、お互いのCV値の差が5万μFV/g以下になるのが好ましい。
The porous sintered body 2 is made by sintering a powder of a metal of the same type as that of the metal constituting the anode wire, for example, a valve action metal powder such as tantalum, and the like. The porous sintered body 2 includes a first sintered
リング体3はたとえばフッ化エチレン重合体など、撥水性の樹脂で形成されており、陽極ワイヤ1の付け根部に形成されている。リング体の平面形状は円形状を呈しているが、この形状に限ることはなく、たとえば矩形状、ひし形状としてもよい。
The
誘電体層4はたとえば五酸化タンタルからなり、前記焼結体外表面および前記多孔質焼結体の孔の表面に形成されている。誘電体層4は、誘電体として機能するものであり、固体電界コンデンサの容量は、この誘電体の総面積および厚みによって決定される。
The
固体電解質層5はたとえば二酸化マンガンからなり、前記焼結体外表面を誘電体の上から覆うように、ならびに誘電体が形成された後も残存する前記多孔質焼結体の孔を埋めるように形成されている。なお、固体電解質層5としては、二酸化マンガンにかえてポリエチレンジオキシチオフェンまたはポリピロールなどの導電性ポリマを用いてもよい。 The solid electrolyte layer 5 is made of, for example, manganese dioxide, and is formed so as to cover the outer surface of the sintered body from above the dielectric, and to fill the pores of the porous sintered body remaining after the dielectric is formed. Has been. As the solid electrolyte layer 5, a conductive polymer such as polyethylenedioxythiophene or polypyrrole may be used instead of manganese dioxide.
陰極膜6はたとえばグラファイト層および金属層が積層されたものである。グラファイト層は固体電解質層と金属層との間の接触点抵抗が大きい場合に、これらの間の抵抗を小さくする目的で設けられる。金属層はたとえばメッキ処理を施して銀などの導体層を形成することにより設けられる。 The cathode film 6 is, for example, a laminate of a graphite layer and a metal layer. When the contact point resistance between the solid electrolyte layer and the metal layer is large, the graphite layer is provided for the purpose of reducing the resistance between them. The metal layer is provided, for example, by performing a plating process to form a conductor layer such as silver.
次に本発明に係る固体電界コンデンサ素子の製造方法について図を参照して説明する。 Next, a method for manufacturing a solid electric field capacitor element according to the present invention will be described with reference to the drawings.
まず、下金型、押し込み金型、上金型からなる金型M1を用意する。図2(a)に示すように、前記下金型10、押し込み金型11により形成された凹部内にタンタル等の弁作用金属からなる微粉末2aを充填する。前記微粉末のCV値はたとえば10万μFV/g以上〜15万μFV/g以下である。
First, a mold M1 including a lower mold, a push mold, and an upper mold is prepared. As shown in FIG. 2 (a), a fine powder 2a made of a valve metal such as tantalum is filled in the recess formed by the
次いで、図2(b)に示すように、前記陽極ワイヤ1を下端から突出するように保持した上金型12を、前記微粉末2aに向けて前進させる。前記陽極ワイヤ1のうち前記上金型12から突出する部分を前記微粉末2a内に挿入すると同時に、前記微粉末を固めるために前記押し込み金型10を内側に向けて移動させ、前記微粉末を固め成型する。
Next, as shown in FIG. 2B, the
次いで、図2(c)に示すように、前記押し込み金型11を外側に向けて移動させると同時に、前記上金型12を微粉末2aの成形体を保持した状態で、前記下金型10、押し込み金型11により形成された凹部から引き抜く。その後、前記微粉末の第1成型体を適宜温度に加熱して焼結することで、第1焼結体を得る。
Next, as shown in FIG. 2 (c), the
次いで、図3(a)に示すように、前記下金型10、押し込み金型11により形成された凹部内に前記微粉末2aの平均粒径よりも小さい平均粒径をもつタンタル等の弁作用金属からなる微粉末2bを充填する。前記微粉末2bのCV値はたとえば15万μFV/g以上〜20万μFV/g以下である。前記微粉末2bと前記微粉末2aとのCV値の差が5万μFV/g以下になるようにするのが好ましい。
Next, as shown in FIG. 3A, the valve action of tantalum or the like having an average particle size smaller than the average particle size of the fine powder 2a in the recess formed by the
次いで、図3(b)に示すように前記第1焼結体を保持した上金型12を、前記微粉末2bに向けて前進させる。前記第1燒結体を前記微粉末2b内に挿入すると同時に、前記微粉末2bを固めるために前記押し込み金型11を内側に向けて移動させる。この時、前記第1燒結体の底面、つまり前記陽極ワイヤの一端が埋設した側と対向する側を下金型10に接触させ、第1焼結体底面が前記微粉末2bに覆われないようにする。このように前記微粉末2bを固め成型することにより、陽極ワイヤの一端が埋設した側と対向する側を第1焼結体の少なくとも一部が露出するように前記第1焼結体の周りに前記微粉末2bの成型体を形成することができる。
Next, as shown in FIG. 3B, the
次いで、図3(c)に示すように、前記押し込み金型11を外側に向けて移動させると同時に、前記上金型12を前記第1焼結体の周りに微粉末2bの成形体を保持した状態で、前記下金型10、押し込み金型11により形成された凹部から引き抜く。その後、前記微粉末2bの第2成型体を適宜温度に加熱して焼結することで、第1焼結体、第2焼結体を有する多孔質焼結体を得る。なお、本実施形態においては2回に分けて焼結を行ったが、前記微粉末の成型体の周りに前記微粉末の成型体を形成した後に適宜温度に加熱して焼結することで、焼結回数を1回にしてもよい。
Next, as shown in FIG. 3C, the pressing mold 11 is moved outward, and at the same time, the
次いで、前記多孔質焼結体に誘電体膜を形成する。誘電体膜は多孔質焼結体を陽極酸化することで形成される。陰極として機能する金属容器内にリン酸水溶液等の化成液を保持し、この溶液内に多孔質焼結体を陽極として浸漬した状態で、多孔質焼結体と金属容器とを通電する。これにより多孔質焼結体におけるリン酸溶液と接する部分、すなわち多孔質焼結体の外表面および多孔質焼結体の孔の表面に、五酸化タンタルによる誘電体膜が形成される。また、前記多孔質焼結体の一端面から突出する陽極ワイヤの付け根部表面にも、五酸化タンタルによる誘電体膜が形成される。 Next, a dielectric film is formed on the porous sintered body. The dielectric film is formed by anodizing a porous sintered body. A chemical conversion solution such as a phosphoric acid aqueous solution is held in a metal container functioning as a cathode, and the porous sintered body and the metal container are energized in a state where the porous sintered body is immersed in the solution as an anode. As a result, a dielectric film made of tantalum pentoxide is formed on the portion of the porous sintered body in contact with the phosphoric acid solution, that is, on the outer surface of the porous sintered body and the surface of the pores of the porous sintered body. A dielectric film made of tantalum pentoxide is also formed on the surface of the base portion of the anode wire protruding from one end face of the porous sintered body.
次いで、陽極ワイヤの付け根部にフッ化エチレン重合体など、撥水性の樹脂で形成されたリング体を装着する。リング体の装着は、後述する固体電解質水溶液が、陽極ワイヤのうち誘電体膜を形成していない部分に染み上がり、陽極ワイヤに接触して電気的に導通するのを防止するためである。 Next, a ring body made of a water-repellent resin such as a fluorinated ethylene polymer is attached to the base of the anode wire. The mounting of the ring body is to prevent a solid electrolyte aqueous solution, which will be described later, from seeping into a portion of the anode wire where the dielectric film is not formed and coming into electrical contact with the anode wire.
次いで、前記誘電体膜が形成された多孔質焼結体に固体電解質層を形成する。前記誘電体膜が形成された多孔質焼結体を、たとえば硝酸マンガン水溶液等の固体電解質水溶液に浸漬させて引き上げる浸漬処理をおこなった後、加熱処理を行うといった一連の処理を複数回(例えば、10回程度)繰り返す。これにより、焼結体外表面を誘電体の上から覆うように、ならびに誘電体が形成された後も残存する多孔質焼結体の孔を埋めるように二酸化マンガンによる固体電解質層が形成される。ここで多孔質焼結体を固体電質水溶液に浸漬する際には、陽極ワイヤの付け根部のリング体が装着された部位よりも上方の部分が固体電解質溶液に漬からないようにするのが好ましい。 Next, a solid electrolyte layer is formed on the porous sintered body on which the dielectric film is formed. The porous sintered body on which the dielectric film is formed is immersed in a solid electrolyte aqueous solution such as a manganese nitrate aqueous solution and then pulled up, and then a series of processes such as a heat treatment are performed a plurality of times (for example, Repeat about 10 times). Thereby, a solid electrolyte layer made of manganese dioxide is formed so as to cover the outer surface of the sintered body from above the dielectric, and to fill the pores of the porous sintered body remaining after the dielectric is formed. Here, when the porous sintered body is immersed in the solid electrolyte aqueous solution, the portion above the portion where the ring body at the base of the anode wire is attached should not be immersed in the solid electrolyte solution. preferable.
次いで、前記固体電解質層の表面に、グラファイト層を下地として、銀等の金属層を上層とする陰極膜を形成することにより、上記固体電界コンデンサ素子が形成される。 Next, a cathode film having a graphite layer as a base and a metal layer such as silver as an upper layer is formed on the surface of the solid electrolyte layer, thereby forming the solid electrolytic capacitor element.
本実施形態によれば、通常の浸透に加えて、固体電解質水溶液等の陰極材料溶液は第1焼結体の下側(陽極ワイヤの一端が埋設した側と対向する側)から焼結体内部に向かって浸透し、さらに焼結体内部から粒径の小さい粉末で形成された第2焼結体に向かって浸透する。その結果、陰極材料溶液は、焼結体の外表面から内部に向かって浸透していくだけでなく、焼結体の内部から外表面に向かっても浸透していく。従って、陰極材料溶液の含浸性が大幅に向上するため、静電容量の低下や、誘電損失の増大といった問題を解決することができる。 According to the present embodiment, in addition to the normal infiltration, the cathode material solution such as the solid electrolyte aqueous solution is placed inside the sintered body from the lower side of the first sintered body (the side opposite to the side where one end of the anode wire is embedded). And penetrates from the inside of the sintered body toward the second sintered body formed of powder having a small particle diameter. As a result, the cathode material solution penetrates not only from the outer surface of the sintered body toward the inside, but also from the inside of the sintered body toward the outer surface. Therefore, since the impregnation property of the cathode material solution is greatly improved, problems such as a decrease in capacitance and an increase in dielectric loss can be solved.
本発明に係る固体電解コンデンサ素子およびその製造方法は上記の実施形態に限定されるものではない。本発明に係る固体電解コンデンサ素子およびその製造方法の具体的な構成は、種々に設計変更自在である。 The solid electrolytic capacitor element and the manufacturing method thereof according to the present invention are not limited to the above embodiment. The specific configuration of the solid electrolytic capacitor element and the method for manufacturing the same according to the present invention can be varied in design in various ways.
たとえば図4(a)に示すように、第1焼結体2Aおよび第2焼結体2Bは、前記陽極ワイヤ1と平行な側において複数積層してもよい。この場合、第1焼結体の下側から焼結体内部に向かって浸透し、さらに焼結体内部から粒径の小さい粉末で形成された第2焼結体に向かって浸透する。その結果、陰極材料溶液は、焼結体の外表面から内部に向かって浸透していくだけでなく、焼結体の内部から外表面に向かっても浸透していくが、各焼結体の厚みが薄くなるため、より一層、焼結体内部に浸透しやすくなる。
For example, as shown in FIG. 4A, a plurality of first
また図4(b)に示すように、第2焼結体2Bは、陽極ワイヤ1と平行な側において第1焼結体2Aの全周を覆うように形成してもよい。この場合、前記陽極ワイヤ1の一端が埋設した側と対向する側において前記第1焼結体2Aの少なくとも一部は露出している。このように、本発明はここでは記載していない様々な実施の形態などを含むことは勿論である。したがって、本発明の技術的範囲は上記の説明から妥当な特許請求の範囲に係る発明特定事項によってのみ定められるものである。
Further, as shown in FIG. 4B, the second
1 陽極ワイヤ
2 多孔質焼結体
3 リング体
4 誘電体層
5 固体電解質層
6 陰極膜
10 下金型
11 押し込み金型
12 上金型
DESCRIPTION OF
Claims (9)
弁作用金属の粉末で多孔質に形成され、かつ前記陽極ワイヤの一端を埋設した第1焼結体と、弁作用金属の粉末で多孔質に形成され、前記粉末の平均粒径が前記第1焼結体を形成した粉末の平均粒径より小さく、かつ前記陽極ワイヤの一端が埋設した側と対向する側において前記第1焼結体の少なくとも一部が露出するように前記第1焼結体の周りに形成された第2焼結体と、を含む多孔質焼結体と、
前記多孔質焼結体の外表面および前記多孔質焼結体の孔の表面に形成された誘電体膜と、
前記誘電体膜上に形成された固体電解質層と、
前記多孔質焼結体の外表面に形成された固体電解質層の表面の少なくとも一部に形成された陰極膜と、
を備えたことを特徴とする固体電界コンデンサ素子。 An anode wire formed of valve metal,
A first sintered body formed porous with valve action metal powder and having one end of the anode wire embedded therein, and formed porous with valve action metal powder, the average particle size of the powder being the first The first sintered body is smaller than the average particle size of the powder forming the sintered body and at least a part of the first sintered body is exposed on the side facing the side where one end of the anode wire is embedded. A second sintered body formed around the porous sintered body,
A dielectric film formed on the outer surface of the porous sintered body and the surface of the pores of the porous sintered body;
A solid electrolyte layer formed on the dielectric film;
A cathode film formed on at least a part of the surface of the solid electrolyte layer formed on the outer surface of the porous sintered body;
A solid-state electric field capacitor element comprising:
前記第1成型体を適宜温度に加熱して焼結することで多孔質の第1焼結体を形成する工程と、
前記第1焼結体のうち前記陽極ワイヤの一端が埋設した側と対向する側が露出するように、前記微粉末より平均粒径の小さい微粉末を固め成型し第2成型体を形成する工程と、
前記第1焼結体および第2成型体を適宜温度に加熱して焼結することで多孔質焼結体を形成する工程と、
前記多孔質焼結体の外表面および前記多孔質焼結体の孔の表面に誘電体膜を形成する工程と、
前記誘電体膜上に固体電解質層を形成する工程と、
前記多孔質焼結体の外表面に形成された固体電解質層の表面の少なくとも一部に陰極膜を形成する工程と、
を含むことを特徴とする固体電界コンデンサ素子の製造方法。 Inserting the anode wire formed of the valve metal into the fine powder of the valve metal, and simultaneously forming the first molded body by compacting and molding the fine powder;
Forming the porous first sintered body by heating the first molded body to an appropriate temperature and sintering;
A step of forming a second molded body by compacting and molding a fine powder having an average particle diameter smaller than that of the fine powder so as to expose a side of the first sintered body facing a side where one end of the anode wire is embedded; ,
Forming the porous sintered body by appropriately heating and sintering the first sintered body and the second molded body; and
Forming a dielectric film on the outer surface of the porous sintered body and the surface of the pores of the porous sintered body;
Forming a solid electrolyte layer on the dielectric film;
Forming a cathode film on at least part of the surface of the solid electrolyte layer formed on the outer surface of the porous sintered body;
A method for producing a solid electric field capacitor element, comprising:
前記第1成型体のうち前記陽極ワイヤの一端が埋設した側と対向する側が露出するように、前記微粉末より平均粒径の小さい微粉末を固め成型し第2成型体を形成する工程と、
前記第1成型体および第2成型体を適宜温度に加熱して焼結することで第1焼結体および第2成型体からなる多孔質焼結体を形成する工程と、
前記多孔質焼結体の外表面および前記多孔質焼結体の孔の表面に誘電体膜を形成する工程と、
前記誘電体膜上に固体電解質層を形成する工程と、
前記多孔質焼結体の外表面に形成された固体電解質層の表面の少なくとも一部に陰極膜を形成する工程と、
を含むことを特徴とする固体電界コンデンサ素子の製造方法。 Inserting the anode wire formed of the valve metal into the fine powder of the valve metal, and simultaneously forming the first molded body by compacting and molding the fine powder;
A step of forming a second molded body by compacting and molding a fine powder having an average particle size smaller than that of the fine powder so that a side of the first molded body facing a side where one end of the anode wire is embedded is exposed;
Forming a porous sintered body composed of the first sintered body and the second molded body by appropriately heating and sintering the first molded body and the second molded body; and
Forming a dielectric film on the outer surface of the porous sintered body and the surface of the pores of the porous sintered body;
Forming a solid electrolyte layer on the dielectric film;
Forming a cathode film on at least part of the surface of the solid electrolyte layer formed on the outer surface of the porous sintered body;
A method for producing a solid electric field capacitor element, comprising:
The method for manufacturing a solid electrolytic capacitor element according to claim 7, wherein the difference between the CV value of the first sintered body and the CV value of the second sintered body is 50,000 µFV / g.
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