JP2010160605A - 半導体記憶装置、ホスト機器及び半導体記憶システム - Google Patents
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- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 97
- 230000015654 memory Effects 0.000 claims description 136
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims description 37
- 238000001514 detection method Methods 0.000 claims description 5
- 230000006378 damage Effects 0.000 abstract description 6
- 238000000034 method Methods 0.000 description 17
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 15
- 230000008569 process Effects 0.000 description 11
- 230000007704 transition Effects 0.000 description 6
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 239000000284 extract Substances 0.000 description 3
- 230000000644 propagated effect Effects 0.000 description 3
- 238000009825 accumulation Methods 0.000 description 2
- 230000002776 aggregation Effects 0.000 description 2
- 238000004220 aggregation Methods 0.000 description 2
- 230000001174 ascending effect Effects 0.000 description 2
- 230000006870 function Effects 0.000 description 2
- 230000008859 change Effects 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 230000002950 deficient Effects 0.000 description 1
- 239000012212 insulator Substances 0.000 description 1
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 1
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- G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
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- G06F2212/72—Details relating to flash memory management
- G06F2212/7202—Allocation control and policies
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Abstract
【解決手段】ホスト機器200Aにデータバッファ250を備える。既に物理ブロックの一部にデータが書き込まれており、更にその物理ブロックにデータを書き込む際に、データバッファにその物理ブロックの書き込み済みのデータが保持されているかどうかを識別する。データが保持されている場合にはそのまま書き込み、エラーがあれば物理ブロック単位での再書き込みを行う。又データバッファにデータが保持されていない場合には、新物理ブロックの確保を要求した後にデータの書き込みを行う。こうすれば、書き込み途中に電源が遮断されたりエラーが生じても、以前に書き込みを完了していたデータが破壊されることはなくなる。
【選択図】図6A
Description
(a)データを消去した後は、メモリセルの状態は(1,1)
(b)第1ページへの書き込み後は、セルの状態は(1,1)又は(1,0)
(c)第2ページへの書き込み後は、セルの状態は(1,1),(1,0),(0,0)又は(0,1)
このように、多値のフラッシュメモリでは、閾値電圧Vthに複数の状態を設けてフラッシュメモリの電子の蓄積量を制御する多値記録を行い、大容量化を実現している。
(エラー1) Vth(1,0)が(0,0)に上昇しない。
(エラー2) Vth(1,1)が(0,1)に上昇しない。
場合がある。エラー1の場合は、Vth(1,0)とVth(0,0)が隣接しているが、エラー2の場合のVth(1,1)とVth(0,1)は間に2状態はさんでいる。特に、Vth(1,0)は第1ページの書き込み後の値であり、第2ページの書き込みによってVthが(1,0)にまでしか上昇しなかった場合は第2ページが書き込みエラーになるのみならず、第1ページのデータも破壊してしまうことになる。
以下第1の実施の形態について、図面を参照しながら説明する。図6A,図6Bは、本発明の第1の実施の形態における半導体記憶システムの構成図である。半導体記憶システムは、半導体記憶装置100Aと、ホスト機器200Aとを含んで構成される。半導体記憶装置100Aはホスト機器200Aから書き込みコマンドに従ってデータを記憶すると共に、読み出しコマンドに従ってデータを読み出し、ホスト機器200Aに対して送出するものである。ホスト機器200Aは半導体記憶装置100Aを制御すると共にデータの書き込みと読み出しを行うものである。
(a)書き込み済みのページに上書きすることはできない。
(b)フラッシュメモリには書き換え回数寿命がある。
といった特徴がある。このため、論理ブロック番号と物理ブロック番号の対応表である論物変換テーブル171を作成し、ブロック管理手段170により管理している。
次に本発明の第2の実施の形態について説明する。図19Aはこの実施の形態の半導体記憶装置100Bの構成であり、図19Bはホスト機器200Bの構成を示す。半導体記憶装置100Bは図19Aに示すようにデータ書き込み手段130にエラー伝搬検出手段190が接続される。エラー伝搬検出手段190はデータの書き込みがフラッシュメモリの第2ページに書き込まれ、伝搬の可能性が生じる書き込みかどうかを判別し、実際にエラーが生じればエラーによる伝搬の可能性を外部インターフェイス手段110を介してホスト機器200Bに伝えるものである。又ホスト機器200Bのコマンド発行手段280は外部インターフェイス手段210を介してエラーによる伝搬の可能性が伝えられた場合に、物理ブロックの単位で再書き込みをするコマンドを発行するものである。その他の動作についてはコマンド発行手段220と同様である。
110 外部インターフェイス手段
120 アドレス変換手段
130 データ書き込み手段
140 フラッシュメモリ
150 データ読み出し手段
160 コマンド解析手段
170 ブロック管理手段
171 論物変換テーブル
171a 論物変換主テーブル
171b 論物変換補助テーブル
172 空きブロック管理テーブル
180 メモリ情報通知手段
190 エラー伝搬検出手段
200A,200B ホスト機器
210 外部インターフェイス手段
220,280 コマンド発行手段
230 新ブロック書き込み要求手段
240 コマンド分割手段
250 データバッファ
260 ブロック境界管理手段
270 データ解放判断手段
Claims (14)
- ホスト機器と半導体記憶装置とを具備する半導体記憶システムであって、
前記半導体記憶装置は、
複数の物理ブロックにより構成される不揮発性メモリと、
前記ホスト機器より与えられる論理アドレスを前記不揮発性メモリの物理アドレスに変換するアドレス変換手段と、
前記不揮発性メモリへデータの書き込みを行うデータ書き込み手段と、
前記不揮発性メモリからデータの読み出しを行うデータ読み出し手段と、
ホスト機器が発行するコマンドにかかる論理ブロックと前記不揮発性メモリの物理ブロックとの対応を記録してアドレス管理を行う論物変換テーブルを備えたブロック管理手段と、
前記不揮発性メモリのメモリ情報を通知するメモリ情報通知手段と、を備え、
前記ホスト機器は、
前記半導体記憶装置のメモリ情報通知手段から通知されたメモリ情報に基づいて書き込み単位となる物理ブロックの境界を管理するブロック境界管理手段と、
前記ブロック境界管理手段からの物理ブロックへのアクセス単位をもとに書き込むべきデータと書き込みコマンドを分割するコマンド分割手段と、
書き込みコマンドの発行時に書き込むべきデータを保存するデータバッファと、
前記半導体記憶装置に書き込みコマンドを発行すると共に、半導体記憶装置への書き込み時に書き込みエラーが発生した場合には、書き込みエラーが発生したブロックに書き込むべきデータを前記データバッファより読み出して書き込みコマンドを再発行するコマンド発行手段と、
前記データバッファに保存しているデータを開放するかどうかを書き込みエラーが伝搬する範囲に基づいて判断するデータ解放判断手段と、を備える半導体記憶システム。 - 前記データ解放判断手段は、
物理ブロック単位でデータの転送が完了した時点で前記データバッファのデータを解放すると判断する請求項1記載の半導体記憶システム。 - 前記コマンド発行手段は、
エラーが発生したときに、前記データバッファに物理ブロック単位のデータがあれば物理ブロック全体の書き込みコマンドを再発行し、前記データバッファに物理ブロック単位のデータがなければエラーになった当該コマンドを再発行する請求項1又は2記載の半導体記憶システム。 - 前記ホスト機器は、
データの書き込み時に、前記半導体記憶装置にそのデータが書き込まれるブロックの記録済みデータを前記データバッファに保持していないときに、新ブロックへの書き込みを要求する新ブロック書き込み要求手段をさらに備えた請求項1〜3のいずれか1項記載の半導体記憶システム。 - 前記新ブロック書き込み要求手段は、
電源投入後の最初の書き込みコマンドを発行する際に新ブロックへの書き込みを要求する請求項4記載の半導体記憶システム。 - 前記半導体記憶装置は、
書き込みコマンドが書き込みエラーになった場合に、当該コマンドのアドレス領域以外に影響が及ぶかを判断してエラーステータスとして前記ホスト機器に通知するエラー伝搬検出手段を備え、
前記コマンド発行手段は、
エラーステータスが当該コマンドのアドレス領域以外に影響が及ぶ場合には所定の物理ブロック全体の書き込みコマンドを再発行し、
エラーステータスが当該コマンドのアドレス領域以外に影響が及ばない場合にはエラーになった当該コマンドを再発行する請求項1又は2記載の半導体記憶システム。 - 前記不揮発性メモリは多値のフラッシュメモリであり、メモリセルを共有する単位をグループとすると前記物理ブロックは少なくとも1つのグループを含むものである請求項1〜6のいずれか1項記載の半導体記憶装置。
- 前記物理ブロックは、
前記メモリの最小の消去単位及びその整数倍の消去単位のいずれかである請求項1〜7のいずれか1項記載の半導体記憶装置。 - 半導体記憶装置に接続されるホスト機器であって、
前記半導体記憶装置のメモリ情報に基づいて書き込み単位となる物理ブロックの境界を管理するブロック境界管理手段と、
前記ブロック境界管理手段からの物理ブロックへのアクセス単位をもとに書き込むべきデータと書き込みコマンドを分割するコマンド分割手段と、
書き込みコマンドの発行時に書き込むべきデータを保存するデータバッファと、
前記半導体記憶装置に書き込みコマンドを発行すると共に、半導体記憶装置への書き込み時に書き込みエラーが発生した場合には、書き込みエラーが発生したブロックに書き込むべきデータを前記データバッファより読み出して書き込みコマンドを再発行するコマンド発行手段と、
前記データバッファに保存しているデータを開放するかどうかを書き込みエラーが伝搬する範囲に基づいて判断するデータ解放判断手段と、を具備するホスト機器。 - 前記データ解放判断手段は、
物理ブロック単位でデータの転送が完了した時点で前記データバッファのデータを解放すると判断する請求項9記載のホスト機器。 - 前記コマンド発行手段は、
エラーが発生したときに、前記データバッファに物理ブロック単位のデータがあれば物理ブロック全体の書き込みコマンドを再発行し、前記データバッファに物理ブロック単位のデータがなければエラーになった当該コマンドを再発行する請求項9又は10記載のホスト機器。 - 前記ホスト機器は、
データの書き込み時に、前記半導体記憶装置にそのデータが書き込まれるブロックの記録済みデータを前記データバッファに保持していないときに、新ブロックへの書き込みを要求する新ブロック書き込み要求手段をさらに備えた請求項9〜11のいずれか1項記載のホスト機器。 - 前記新ブロック書き込み要求手段は、
電源投入後の最初の書き込みコマンドを発行する際に新ブロックへの書き込みを要求する請求項12記載のホスト機器。 - ホスト機器に接続される半導体記憶装置であって、
複数の物理ブロックにより構成される不揮発性メモリと、
前記ホスト機器より与えられる論理アドレスを前記不揮発性メモリの物理アドレスに変換するアドレス変換手段と、
前記不揮発性メモリへデータの書き込みを行うデータ書き込み手段と、
前記不揮発性メモリからデータの読み出しを行うデータ読み出し手段と、
ホスト機器が発行するコマンドにかかる論理ブロックと前記不揮発性メモリの物理ブロックとの対応を記録してアドレス管理を行う論物変換テーブルを備えたブロック管理手段と、
前記不揮発性メモリのメモリ情報を通知するメモリ情報通知手段と、を具備する半導体記憶装置。
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2009001442A JP5300496B2 (ja) | 2009-01-07 | 2009-01-07 | 半導体記憶装置、ホスト機器及び半導体記憶システム |
US12/652,790 US8352807B2 (en) | 2009-01-07 | 2010-01-06 | Semiconductor memory device, host device and semiconductor memory system |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2009001442A JP5300496B2 (ja) | 2009-01-07 | 2009-01-07 | 半導体記憶装置、ホスト機器及び半導体記憶システム |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2010160605A true JP2010160605A (ja) | 2010-07-22 |
JP5300496B2 JP5300496B2 (ja) | 2013-09-25 |
Family
ID=42312489
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2009001442A Active JP5300496B2 (ja) | 2009-01-07 | 2009-01-07 | 半導体記憶装置、ホスト機器及び半導体記憶システム |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US8352807B2 (ja) |
JP (1) | JP5300496B2 (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2019191863A (ja) * | 2018-04-24 | 2019-10-31 | 富士通株式会社 | 記憶装置,情報処理プログラムおよび情報処理システム |
JP7484633B2 (ja) | 2020-09-30 | 2024-05-16 | 株式会社デンソー | 共用ストレージ管理装置及び共用ストレージ管理方法 |
Families Citing this family (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR101178562B1 (ko) * | 2010-11-02 | 2012-09-03 | 에스케이하이닉스 주식회사 | 커맨드 제어회로 및 이를 포함하는 반도체 메모리 장치 및 커맨드 제어방법 |
JP2013052556A (ja) * | 2011-09-02 | 2013-03-21 | Canon Inc | 画像形成装置、画像形成装置の制御方法、及びプログラム |
US9971522B2 (en) | 2014-07-21 | 2018-05-15 | Toshiba Memory Corporation | Memory system and method |
US20160054943A1 (en) * | 2014-08-22 | 2016-02-25 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Information processing apparatus |
JP2019106056A (ja) | 2017-12-13 | 2019-06-27 | 東芝メモリ株式会社 | メモリシステム及びメモリデバイス |
CN112948217B (zh) * | 2021-03-29 | 2023-01-13 | 腾讯科技(深圳)有限公司 | 服务器修复查验方法和装置、存储介质及电子设备 |
Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH06139123A (ja) * | 1992-10-29 | 1994-05-20 | Toshiba Corp | ファイル記憶装置 |
JPH1091539A (ja) * | 1996-09-12 | 1998-04-10 | Sony Corp | データ記憶装置 |
JP2000267941A (ja) * | 1999-03-19 | 2000-09-29 | Fujitsu Ltd | ストアエラー補償装置 |
WO2005096220A1 (ja) * | 2004-03-31 | 2005-10-13 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | メモリカード及びメモリカードシステム |
JP2006318366A (ja) * | 2005-05-16 | 2006-11-24 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | メモリコントローラ、不揮発性記憶装置、不揮発性記憶システム、及びデータ書き込み方法 |
Family Cites Families (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5937434A (en) * | 1997-02-14 | 1999-08-10 | Intel Corporation | Method of managing a symmetrically blocked nonvolatile memory having a bifurcated storage architecture |
JP3618529B2 (ja) * | 1997-11-04 | 2005-02-09 | 富士通株式会社 | ディスクアレイ装置 |
US6205548B1 (en) * | 1998-07-31 | 2001-03-20 | Intel Corporation | Methods and apparatus for updating a nonvolatile memory |
JP2000100156A (ja) * | 1998-09-25 | 2000-04-07 | Fujitsu Ltd | 半導体記憶装置のセル情報書き込み方法及び半導体記憶装置 |
US7020758B2 (en) * | 2002-09-18 | 2006-03-28 | Ortera Inc. | Context sensitive storage management |
JP2004288283A (ja) * | 2003-03-20 | 2004-10-14 | Hitachi Ltd | 情報記録フォーマット、情報記録再生符号化方法・回路およびこれを用いた磁気ディスク記録再生装置、情報記録再生装置、並びに情報通信装置 |
US20100082878A1 (en) * | 2005-06-24 | 2010-04-01 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Memory controller, nonvolatile storage device, nonvolatile storage system, and data writing method |
DE102008022831B4 (de) * | 2008-05-08 | 2015-09-10 | Fujitsu Technology Solutions Intellectual Property Gmbh | Arbeitsverfahren für ein Speichersubsystem und Vorrichtungen zur Durchführung des Arbeitsverfahrens |
US8327062B2 (en) * | 2008-12-09 | 2012-12-04 | Infineon Technologies Ag | Memory circuit and method for programming in parallel a number of bits within data blocks |
-
2009
- 2009-01-07 JP JP2009001442A patent/JP5300496B2/ja active Active
-
2010
- 2010-01-06 US US12/652,790 patent/US8352807B2/en active Active
Patent Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH06139123A (ja) * | 1992-10-29 | 1994-05-20 | Toshiba Corp | ファイル記憶装置 |
JPH1091539A (ja) * | 1996-09-12 | 1998-04-10 | Sony Corp | データ記憶装置 |
JP2000267941A (ja) * | 1999-03-19 | 2000-09-29 | Fujitsu Ltd | ストアエラー補償装置 |
WO2005096220A1 (ja) * | 2004-03-31 | 2005-10-13 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | メモリカード及びメモリカードシステム |
JP2006318366A (ja) * | 2005-05-16 | 2006-11-24 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | メモリコントローラ、不揮発性記憶装置、不揮発性記憶システム、及びデータ書き込み方法 |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2019191863A (ja) * | 2018-04-24 | 2019-10-31 | 富士通株式会社 | 記憶装置,情報処理プログラムおよび情報処理システム |
US11074012B2 (en) | 2018-04-24 | 2021-07-27 | Fujitsu Limited | Storage device, information processing system, and non-transitory computer-readable storage medium for storing program |
JP7131053B2 (ja) | 2018-04-24 | 2022-09-06 | 富士通株式会社 | 記憶装置,情報処理プログラムおよび情報処理システム |
JP7484633B2 (ja) | 2020-09-30 | 2024-05-16 | 株式会社デンソー | 共用ストレージ管理装置及び共用ストレージ管理方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US8352807B2 (en) | 2013-01-08 |
US20100174951A1 (en) | 2010-07-08 |
JP5300496B2 (ja) | 2013-09-25 |
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A621 | Written request for application examination |
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|
A977 | Report on retrieval |
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|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20130416 |
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