JP2010157776A - Electrostatic chuck - Google Patents
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Description
本発明は、静電チャックに関する。 The present invention relates to an electrostatic chuck.
スパッタ装置等を用いてウエハ上に成膜する場合、堆積した薄膜の特性やエッチングレートは成膜時やエッチング処理時の基板温度に著しく依存することが知られている。従って、堆積する薄膜を基板内で均質にするため、又は被エッチング物を基板内で均等にエッチングするため、基板を均等に加熱することが要求される。また、基板間で再現性良く成膜等するためには、再現性良く設定温度に昇温できることが必要である。 In the case of forming a film on a wafer using a sputtering apparatus or the like, it is known that the characteristics and etching rate of the deposited thin film greatly depend on the substrate temperature during film formation and etching. Accordingly, it is required to heat the substrate evenly in order to make the deposited thin film uniform in the substrate or to etch the object to be etched uniformly in the substrate. Further, in order to form a film with good reproducibility between substrates, it is necessary to be able to raise the temperature to a set temperature with good reproducibility.
スパッタ装置に用いられる、被処理ウエハを載置して設定温度に加熱する従来のヒータ付き基板載置台の構成を図4(a),(b)に示す。図4(a)は全体の構成図を示す断面図であり、図4(b)は部分構成を示す断面図である。 4 (a) and 4 (b) show the configuration of a conventional substrate mounting table with a heater that is used in a sputtering apparatus and that heats a wafer to be processed to a set temperature. 4A is a cross-sectional view showing the overall configuration, and FIG. 4B is a cross-sectional view showing a partial configuration.
図4(a)に示すように、ヒータ付き基板載置台1は真空処理室内に設置され、基板載置台1内に熱源であるヒータ4と、基板11の温度をモニタする温度検出素子(熱電対)6が埋め込まれている。また、基板載置台1には加熱用ガス(アルゴン等)を基板載置面に導く通流路9が形成されており、通流路9は基板載置面に開口されたガス放出口13と基板載置台1の下の部分に開口されたガス導入口14とを結んでいる。そして、図4(b)に示すように、ガス放出口13から基板載置面に放出された加熱用ガスは基板11と基板載置面の間の隙間12を流れて、ヒータ4からの熱を効率よく基板11へ伝える。
As shown in FIG. 4A, the substrate mounting table 1 with a heater is installed in a vacuum processing chamber, and a
更に、温度検出素子6及びヒータと接続されたヒータ加熱制御手段8を有し、温度検出素子6により検出された基板11の温度をヒータ加熱制御手段8に取り込んで基板11が所定の温度になるようにヒータ4に加える電力を適当に調整する。これにより、基板11内での均等な加熱が行われる。
Furthermore, it has a heater heating control means 8 connected to the
更に、基板載置台1上の基板11はクランプ2で固定される。加熱用ガスの導入により基板11が定位置から外れないようにするためである。
Further, the
しかし、上記のヒータ付き基板載置台1では、基板11の裏面と基板載置面間に加熱用ガスを流し込むことにより、基板加熱を効率よく行おうとしているが、その間のガス移動が基板11全体に均等に行われず、その結果基板加熱が均等でなくなってしまう。
However, in the above-described substrate mounting table 1 with a heater, the heating gas is poured between the back surface of the
ところで、基板11裏面と基板載置面の間の隙間12を移動する加熱用ガスの流量はクランプ2の加重や基板11の押圧位置等により左右される。従って、基板11全体に均一にガス移動させること、及び基板11の装着毎に再現性良くガス移動させることが難しい。
By the way, the flow rate of the heating gas that moves through the
また、このガス移動をより均一にするため、基板載置面に放射状或いはらせん状の溝を設ける等の試みがなされているが、やはり溝部と溝部以外の部分において基板11への熱交換効率の相違が生じ、基板11の各位置において温度分布にムラができてしまう。
In addition, in order to make this gas movement more uniform, attempts have been made to provide radial or spiral grooves on the substrate mounting surface. However, the efficiency of heat exchange efficiency with respect to the
本発明は、上記の従来例の問題点に鑑みて創作されたものであり、均等な基板加熱を行うことができ、或いは均等で、かつ再現性のよい基板加熱を行うことができる静電チャックを提供するものである。 The present invention was created in view of the problems of the above-described conventional example, and can perform uniform substrate heating, or can perform uniform and reproducible substrate heating. Is to provide.
本発明の一観点によれば、基板が載置される基板載置面を有する基板載置台と、前記基板載置台にガスを送るガス導入手段と、前記基板載置台内に設けられ、前記基板載置面に熱を伝えるヒータと、前記基板載置台内に設けられ、前記基板載置面の温度を測定するセンサーと、前記センサーからの温度に基づいて前記ヒータに加える電力を調整するヒータ加熱制御手段とを有することを特徴とする静電チャックが提供される。 According to one aspect of the present invention, a substrate mounting table having a substrate mounting surface on which a substrate is mounted, gas introducing means for sending gas to the substrate mounting table, and the substrate mounting table are provided in the substrate mounting table. A heater that transfers heat to the mounting surface, a sensor that is provided in the substrate mounting table and that measures the temperature of the substrate mounting surface, and heater heating that adjusts the power applied to the heater based on the temperature from the sensor There is provided an electrostatic chuck having a control means.
本発明の一観点に係る静電チャックにおいては、基板載置台にガスを送るガス導入手段と基板載置面に熱を伝えるヒータのほかに、基板載置面の温度を測定するセンサーと、センサーからの温度に基づいてヒータに加える電力を調整するヒータ加熱制御手段とを有するので、ガスを基板載置面に送るとともに、基板の温度を調整することができ、これにより、均等な基板加熱を行うことができる。 In the electrostatic chuck according to one aspect of the present invention, in addition to the gas introducing means for sending gas to the substrate mounting table and the heater for transferring heat to the substrate mounting surface, a sensor for measuring the temperature of the substrate mounting surface, and a sensor Heater heating control means for adjusting the electric power applied to the heater based on the temperature from the substrate, so that the gas can be sent to the substrate mounting surface and the temperature of the substrate can be adjusted, thereby achieving uniform substrate heating. It can be carried out.
以下に、本発明の実施の形態について図面を参照しながら説明する。 Embodiments of the present invention will be described below with reference to the drawings.
(第1の実施の形態)
図1(a)〜(c)は、本発明の第1の実施の形態に係るヒータ付き基板載置台について示す断面図である。
(First embodiment)
FIGS. 1A to 1C are cross-sectional views showing a substrate mounting table with a heater according to the first embodiment of the present invention.
図1(a)に示すように、ヒータ付き基板載置台101は真空処理室内に設置されている。同図にはチャンバの仕切り壁23の一部が描かれている。基板載置台21はアルミニウムで作成されており、基板載置台21内には熱源であるヒータ24と、基板50の温度をモニタする温度検出素子(熱電対)26が埋め込まれている。
As shown in FIG. 1A, the substrate mounting table 101 with a heater is installed in a vacuum processing chamber. In the figure, a part of the
また、基板載置台21の中央部には加熱用ガス(アルゴン等不活性ガス)を基板載置面に導く通流路29が形成されており、通流路29は基板載置面に開口されたガス放出口33と基板載置台21の下の部分に開口されたガス導入口34とを結んでいる。そして、図1(b)に示すように、ガス放出口33から基板載置面に放出された加熱用ガスは基板50と基板載置面の間の隙間32を流れて、ヒータ24からの熱を効率よく基板50へ伝える。
In addition, a through-
更に、温度検出素子26及びヒータ24と接続されたヒータ加熱制御手段28を有し、温度検出素子26から基板50の温度をヒータ加熱制御手段28に取り込んで基板50が所定の温度になるようにヒータ24に加える電力を適当に調整する。これにより、基板50内での均等な加熱が行われる。
Furthermore, it has a heater heating control means 28 connected to the
また、基板載置台21上の基板50はクランプ22で固定される。加熱用ガスの導入により基板50が定位置から外れないようにするためである。
The
更に、基板載置面の全面には微小な凸部32a及び凸部32aの間の凹部32bが形成されている。基板50を基板載置面に載置したとき、通流路29から放出された加熱用ガスは凸部32aの間の凹部32b内を四方八方に自由に流れる。凹部32bはGBB法(グラスビーズブラスト法)等により均一な密度で形成されるので、基板50全体にわたり加熱用ガスは均等に行き渡る。また、基板50は凸部32aにより支えられるので、凸部32a間の凹部32bは基板50の装着毎に変化せず、基板50毎の基板加熱の再現性がよい。
Furthermore, minute convex
次に、基板載置面の凸部32a及び凹部32bの形成方法について説明する。GBB法(グラスビーズブラスト法)を用いた場合について説明する。
Next, the formation method of the
まず、粒径約80μmのガラスビーズを用意する。次いで、薬液にガラスビーズを混合させた研磨液を研磨装置の研磨面に塗布し、その上に基板載置面を研磨面に対向させて基板載置台を載せる。そして、研磨面及び基板載置台を同じ方向に回転させると、基板載置面と研磨面の間に挟まれたガラスビーズにより基板載置面が研磨される。基板載置面には直径約80μmの凸部32aが島状に分散して形成されるとともに、凸部32a間に凹部32bが形成される。
First, glass beads having a particle size of about 80 μm are prepared. Next, a polishing liquid in which glass beads are mixed with a chemical solution is applied to the polishing surface of the polishing apparatus, and a substrate mounting table is placed thereon with the substrate mounting surface facing the polishing surface. When the polishing surface and the substrate mounting table are rotated in the same direction, the substrate mounting surface is polished by the glass beads sandwiched between the substrate mounting surface and the polishing surface. Convex
以上のように、第1の実施の形態においては、基板載置台21の基板載置面の全面に微小な凹部32b及び凸部32aが形成されている。
As described above, in the first embodiment, minute
従って、基板50を基板載置面に載置したとき、基板載置面のガス放出口33から放出された加熱用ガスは凸部32aの間の凹部32b内を自由に流れる。凹部32bはGBB法等により均一な密度で形成されるので、基板50全体にわたり加熱用ガスは均等に行き渡る。これにより、均等な基板加熱を行うことができる。
Therefore, when the
また、基板50は凸部32aにより支えられるので、凸部32a間の凹部32bは基板50の装着毎に変化せず、基板毎の基板加熱の再現性がよい。
Further, since the
(第2の実施の形態)
図2(a)は第2の実施の形態に係るヒータ付き基板載置台101aについて示す上面図である。
(Second Embodiment)
FIG. 2A is a top view showing a substrate mounting table 101a with a heater according to the second embodiment.
第2の実施の形態に係るヒータ付き基板載置台101aは、図1(b)の基板載置台21aの基板載置面にさらに加熱用ガスのガス放出口33を中心とする放射状の溝41aを設けたことである。放射状の溝41aはガス放出口33とつながっており、ガス放出口33から放出された加熱用ガスは放射状の溝41aに沿って流れるとともに、凸部32aの間の凹部32b内を自由に流れる。
In the substrate mounting table 101a with a heater according to the second embodiment, a
尚、図中、図1(a)〜(c)と同じ符号で示すものは図1(a)〜(c)と同じものを示す。 In addition, what is shown with the same code | symbol as Fig.1 (a)-(c) in a figure shows the same thing as Fig.1 (a)-(c).
(第3の実施の形態)
図2(b)は第3の実施の形態に係るヒータ付き基板載置台101bについて示す上面図である。
(Third embodiment)
FIG. 2B is a top view showing a substrate mounting table 101b with a heater according to the third embodiment.
図2(a)の放射状の溝41aにさらに加熱用ガスのガス放出口33を中心とする同心円状の複数の溝41bを設けたことである。同心円状の溝41bは放射状の溝41aと交わるところで放射状の溝41aとつながっており、ガス放出口33から放出された加熱用ガスは放射状の溝41a及び同心円状の溝41bに沿って流れるとともに、凸部32aの間の凹部32b内を自由に流れる。
This is because a plurality of
尚、図中、図2(a)と同じ符号で示すものは図2(a)と同じものを示す。 In addition, what is shown with the same code | symbol as Fig.2 (a) in the figure shows the same thing as Fig.2 (a).
(第4の実施の形態)
図2(c)は第4の実施の形態に係るヒータ付き基板載置台101cについて示す上面図である。
(Fourth embodiment)
FIG. 2C is a top view showing a substrate mounting table 101c with a heater according to the fourth embodiment.
図2(a)や図2(b)と異なるところは、放射状の溝や同心円状の溝の代わりに、格子状の溝41cを設けたことである。格子状の溝41cは交差するところで相互につながっている。また、格子状の溝41cは加熱用ガスのガス放出口33ともつながっており、ガス放出口33から放出された加熱用ガスは格子状の溝41cに沿って縦横に流れるとともに、凸部32aの間の凹部32b内を自由に流れる。
The difference from FIG. 2A and FIG. 2B is that a lattice-
尚、図中、図2(a)と同じ符号で示すものは図2(a)と同じものを示す。 In addition, what is shown with the same code | symbol as Fig.2 (a) in the figure shows the same thing as Fig.2 (a).
以上のように、上記の第2〜第4の実施の形態においては、ガス放出口33を中心とする放射状の溝41aや同心円状の溝41b又はガス放出口33と繋がる格子状の溝41cを設けることにより、それらの溝41a,41b,41cを介して加熱用ガスを素早く基板載置面の周辺部まで行き渡らせ、さらに凹部を通して基板裏面全面に加熱用ガスを均等に流すことができる。従って、基板加熱の均等性が一層増すことになる。
As described above, in the second to fourth embodiments, the
更に、第1〜第4の実施の形態のヒータ付き基板載置台101,101a〜101cは、スパッタ装置或いはCVD装置等の成膜装置やドライエッチング装置等、常圧又は減圧状態で成膜やエッチングを行う装置に備えつけることが可能である。これにより、基板上に成膜し、基板上の膜をエッチングする際、基板を均一な温度に保持することができるので、均質な膜を成膜し、或いは均等なエッチングを行うことができる。 Furthermore, the substrate mounting tables 101, 101a to 101c with heaters of the first to fourth embodiments are used for film formation and etching under normal pressure or reduced pressure conditions such as a sputtering apparatus or a film forming apparatus such as a CVD apparatus or a dry etching apparatus. It is possible to equip with the apparatus which performs. Thus, when the film is formed on the substrate and the film on the substrate is etched, the substrate can be kept at a uniform temperature, so that a uniform film can be formed or uniform etching can be performed.
なお、上記の基板載置台101,101a〜101cではガス放出口33が一つであるが、図3に示すように、基板載置台101,101a〜101cの内部を通るガスの通流路29を分岐させて分岐通路29a〜29cを設け、分岐通路29a〜29cと繋がる2つ以上のガス放出口33a〜33cが形成されてもよい。これにより、複数のガス放出口33a〜33cから直接基板載置面に加熱用ガスを放出することができるので、加熱用ガスをなお一層均等にウエハ全面に行き渡らせることができる。
The substrate mounting tables 101, 101a to 101c have one
また、上記では特に加熱用ガスを加熱していないが、加熱用ガスの加熱手段を設けて基板載置台に流す前に予め加熱用ガスを基板加熱の温度に加熱しておいてもよい。 Further, although the heating gas is not particularly heated in the above, the heating gas may be heated to the substrate heating temperature in advance before the heating gas heating means is provided to flow to the substrate mounting table.
更に、基板50はクランプ22により固定されているが、静電チャックや真空チャック等により固定することも可能である。
Furthermore, although the
また、加熱用ガスとしてアルゴンの他、他の不活性ガスを用いてもよい。 In addition to argon, other inert gases may be used as the heating gas.
21,21a 基板載置台、
22 クランプ、
23 チャンバの仕切り壁、
24 ヒータ、
25,27 配線、
26 熱電対(温度検出手段)、
28 ヒータ加熱制御手段、
29 通流路、
30 ガス配管、
31 流量制御手段、
32 隙間、
32a 凸部、
32b 凹部、
33 ガス放出口、
34 ガス導入口、
41a,41b,41c 溝、
101,101a,101b,101c ヒータ付き基板載置台。
21, 21a substrate mounting table,
22 clamps,
23 chamber partition walls,
24 heater,
25, 27 wiring,
26 thermocouple (temperature detection means),
28 heater heating control means,
29 channels,
30 Gas piping,
31 Flow rate control means,
32 gap,
32a convex part,
32b recess,
33 Gas outlet
34 Gas inlet,
41a, 41b, 41c groove,
101, 101a, 101b, 101c A substrate mounting table with a heater.
Claims (4)
前記基板載置台にガスを送るガス導入手段と、
前記基板載置台内に設けられ、前記基板載置面に熱を伝えるヒータと、
前記基板載置台内に設けられ、前記基板載置面の温度を測定するセンサーと、
前記センサーからの温度に基づいて前記ヒータに加える電力を調整するヒータ加熱制御手段と
を有することを特徴とする静電チャック。 A substrate mounting table having a substrate mounting surface on which the substrate is mounted;
Gas introduction means for sending gas to the substrate mounting table;
A heater provided in the substrate mounting table, for transferring heat to the substrate mounting surface;
A sensor which is provided in the substrate mounting table and measures the temperature of the substrate mounting surface;
An electrostatic chuck comprising: heater heating control means for adjusting electric power applied to the heater based on a temperature from the sensor.
前記ガスを導入するガス導入口と、
前記基板載置面に設けられ、前記ガス導入口から導入されたガスを放出する複数のガス放出口と
を有することを特徴とする請求項1記載の静電チャック。 The substrate mounting table is
A gas inlet for introducing the gas;
The electrostatic chuck according to claim 1, further comprising: a plurality of gas discharge ports provided on the substrate mounting surface and configured to discharge a gas introduced from the gas introduction port.
前記ガス放出口につながり、かつ前記ガス放出口から前記基板載置面の端まで放射状に延びた複数の溝と、
前記複数の溝に隣接し、かつ前記凸部が島状に形成された面と
を有することを特徴とする請求項2記載の静電チャック。 The substrate mounting surface is
A plurality of grooves connected to the gas discharge port and extending radially from the gas discharge port to an end of the substrate mounting surface;
The electrostatic chuck according to claim 2, further comprising: a surface adjacent to the plurality of grooves, and the convex portion formed in an island shape.
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