JP2010157141A - メモリシステム - Google Patents
メモリシステム Download PDFInfo
- Publication number
- JP2010157141A JP2010157141A JP2008335567A JP2008335567A JP2010157141A JP 2010157141 A JP2010157141 A JP 2010157141A JP 2008335567 A JP2008335567 A JP 2008335567A JP 2008335567 A JP2008335567 A JP 2008335567A JP 2010157141 A JP2010157141 A JP 2010157141A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- data
- cluster
- log
- storage unit
- stored
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 238000003860 storage Methods 0.000 claims description 71
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims description 50
- 238000012546 transfer Methods 0.000 claims description 12
- 238000013500 data storage Methods 0.000 abstract description 7
- 238000013519 translation Methods 0.000 abstract description 6
- 238000007726 management method Methods 0.000 description 72
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 28
- 238000000034 method Methods 0.000 description 25
- 238000013523 data management Methods 0.000 description 21
- 230000008569 process Effects 0.000 description 19
- 230000006870 function Effects 0.000 description 15
- 238000005056 compaction Methods 0.000 description 14
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 11
- 230000008859 change Effects 0.000 description 10
- 238000012937 correction Methods 0.000 description 9
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 8
- 230000002457 bidirectional effect Effects 0.000 description 6
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 6
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 5
- 238000007667 floating Methods 0.000 description 4
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 4
- 230000004044 response Effects 0.000 description 4
- 238000009825 accumulation Methods 0.000 description 2
- 238000013461 design Methods 0.000 description 2
- 230000005669 field effect Effects 0.000 description 2
- 239000012634 fragment Substances 0.000 description 2
- 238000012432 intermediate storage Methods 0.000 description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 2
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 2
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 2
- 230000002159 abnormal effect Effects 0.000 description 1
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 1
- 239000012141 concentrate Substances 0.000 description 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 238000006731 degradation reaction Methods 0.000 description 1
- 238000011161 development Methods 0.000 description 1
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 238000005429 filling process Methods 0.000 description 1
- 238000007689 inspection Methods 0.000 description 1
- 230000007257 malfunction Effects 0.000 description 1
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 1
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 230000002123 temporal effect Effects 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
- G06F—ELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
- G06F12/00—Accessing, addressing or allocating within memory systems or architectures
-
- G—PHYSICS
- G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
- G06F—ELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
- G06F12/00—Accessing, addressing or allocating within memory systems or architectures
- G06F12/02—Addressing or allocation; Relocation
- G06F12/0223—User address space allocation, e.g. contiguous or non contiguous base addressing
- G06F12/023—Free address space management
- G06F12/0238—Memory management in non-volatile memory, e.g. resistive RAM or ferroelectric memory
- G06F12/0246—Memory management in non-volatile memory, e.g. resistive RAM or ferroelectric memory in block erasable memory, e.g. flash memory
-
- G—PHYSICS
- G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
- G06F—ELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
- G06F12/00—Accessing, addressing or allocating within memory systems or architectures
- G06F12/16—Protection against loss of memory contents
-
- G—PHYSICS
- G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
- G06F—ELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
- G06F9/00—Arrangements for program control, e.g. control units
- G06F9/06—Arrangements for program control, e.g. control units using stored programs, i.e. using an internal store of processing equipment to receive or retain programs
- G06F9/30—Arrangements for executing machine instructions, e.g. instruction decode
- G06F9/34—Addressing or accessing the instruction operand or the result ; Formation of operand address; Addressing modes
- G06F9/35—Indirect addressing
-
- G—PHYSICS
- G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
- G06F—ELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
- G06F2212/00—Indexing scheme relating to accessing, addressing or allocation within memory systems or architectures
- G06F2212/72—Details relating to flash memory management
- G06F2212/7201—Logical to physical mapping or translation of blocks or pages
Abstract
【解決手段】NANDメモリ10に記憶された正引き(論理アドレス→データの記憶位置)、逆引き(データの記憶位置→論理アドレス)のアドレス変換テーブル202を起動時にマスターテーブル204としてDRAM20に転送し、マスターテーブル204を更新すべき事象が発生した際、逆引きのアドレス変換テーブルについての更新前後の差分情報をログとしてDRAM20に記録する。
【選択図】 図14
Description
・物理ページ:NAND型フラッシュメモリ内部において一括して書き込み/読み出しが可能な単位のこと。
・論理ページ:SSD内部で設定される書き込み/読み出し単位であり、1以上の物理ページを組み合わせて構成される。
・物理ブロック:NAND型フラッシュメモリ内部において独立して消去可能な最小単位のことであり、複数の物理ページから構成される。
・論理ブロック:SSD内部で設定される消去単位であり、1以上の物理ブロックを組み合わせて構成される。論理ブロックは、複数の論理ページから構成される。
・セクタ:ホストからの最小アクセス単位のこと。セクタサイズは、例えば512B。
・クラスタ:SSD内部で「小さなデータ」を管理する管理単位。クラスタサイズはセクタサイズ以上であり、ホストのOSが採用するファイルシステムのデータ管理単位、または、論理ページサイズと等しくなるように定められる。例えば、クラスタサイズの2以上の自然数倍が論理ページサイズとなるように定められてもよい。
・トラック:SSD内部で「大きなデータ」を管理する管理単位。クラスタサイズの2以上の自然数倍がトラックサイズとなるように定められる。例えば、トラックサイズが論理ブロックサイズと等しくなるように定められてもよい。
・フリーブロック(FB):内部に有効データを含まない、用途未割り当ての論理ブロックのこと。以下の、CFB、FFBの2種類がある。
・コンプリートフリーブロック(CFB):再利用のために消去動作を行う必要があるFBのこと。消去動作の実行後は、論理ブロックの先頭に位置する論理ページから書き込むことが可能である。
・フラグメントフリーブロック(FFB):未書き込みの論理ページが残っており、消去動作を実行することなく再利用が可能なFBのこと。残りの未書き込み状態のままの論理ページに書き込むことが可能である。
・バッドブロック(BB):NAND型フラッシュメモリ上の、誤りが多いなど記憶領域として使用できない物理ブロックのこと。例えば、消去動作が正常に終了しなかった物理ブロックがバッドブロックBBとして登録される。
・書き込み効率:所定期間内における、ホストから書き込んだデータ量に対する、論理ブロックの消去量の統計値のこと。小さいほどNAND型フラッシュメモリの消耗度が小さい。
・有効クラスタ:論理アドレスに対応するクラスタサイズの最新データ。
・無効クラスタ:同一論理アドレスのデータが他の場所に書きこまれ、参照されることがなくなったクラスタサイズのデータ。
・有効トラック:論理アドレスに対応するトラックサイズの最新データ。
・無効トラック:同一論理アドレスのデータが他の場所に書きこまれ、参照されることがなくなったトラックサイズのデータ。
・MLC(Multi Level Cell)モード:多値記憶が可能なNAND型フラッシュメモリにおいて、通常通り、上位ページおよび下位ページを使用して書き込みを行うモード。MLCモードで使用する1以上の物理ブロックを組み合わせて、MLCモードの論理ブロックが構成される。
・擬似SLC(Single Level Cell)モード:多値記憶が可能なNAND型フラッシュメモリにおいて、下位ページのみを使用して書き込みを行うモード。擬似SLCモードで使用する1以上の物理ブロックを組み合わせて、擬似SLCモードの論理ブロックが構成される。一度擬似SLCモードで使用した物理ブロックであっても、消去動作後はMLCモードで使用することが可能である。
[第1の実施形態]
RC22は、ホスト1からのRead要求に対して、NANDメモリ10(FS12、IS13、MS11)からのReadデータを一時的に保存するための領域である。ホスト1へのデータ転送は、基本的に、RC22から行う。なお、WC21からNANDメモリ10へのデータの書き込みを行う際には、同一論理アドレスのR22上のデータを無効にする。
WC21は、ホスト1からのWrite要求に対して、ホスト1からのWriteデータを一時的に保存するための領域である。WC21上のデータは、クラスタ単位で管理し、書き込みと有効データの管理はセクタ単位で行う。WC21のリソースが不足した場合、WC21の記憶データをNAND10に追い出す。ホスト1からRC22上のデータと同一の論理アドレスに対する書き込みが行われた場合、その最新データはWC21上に保存される。そのため、同一の論理アドレスに対応するデータが、WC21、RC22、NANDメモリ10上にある場合には、データの新しさは、WC21、RC22、NANDメモリ10の順となるため、ホスト1に返すデータもWC21上のデータを優先する。
MS11はトラック単位でデータの管理が行われ、ほとんどのユーザデータが格納される。WC21上で有効クラスタの多いトラック(高密度トラック)は、WC12から直接MS11に書き込まれる。その他、MS11には、FS12、IS13で管理しきれなくなったデータが入力される。MS11に入力されたトラックと同一LBAのトラックについては、論理ブロック内で無効化し、この論理ブロックを解放する。MS11に入力されたトラックと同一LBAのトラックに属するクラスタついては、論理ブロック内で無効化し、論理ブロック内の全クラスタが無効になった論理ブロックは解放する。MS11は、MLCモードの複数の論理ブロックで構成される。この実施の形態では、トラックと論理ブロックのサイズは同じとしているので、FS12やIS13で行われる追記処理や、IS13で行われるコンパクション(有効クラスタのみを集めて新しい論理ブロックを作り、無効なクラスタ部分を解放する処理)は不要となる。もしトラックサイズが論理ブロックサイズよりも小さい場合は、FS12やIS13で行われる追記処理や、IS13で行われるコンパクションを適用してもよい。
FS12はクラスタ単位でデータを管理されるFIFO構造のバッファであり、入力は複数のクラスタをまとめた論理ページ単位で行われる。FS12には、WC21上で有効クラスタ数の少ないトラック(低密度トラック)が最初に書き込まれる。データの書き込み順序で論理ブロックが並んだFIFO構造となっている。FS12に存在するクラスタと同一LBAのクラスタがFS12に入力された場合、FS12内のクラスタを無効化するだけでよく、書き換え動作を伴わない。FS12に入力されたクラスタと同一LBAのクラスタについては、論理ブロック内で無効化し、論理ブロック内の全クラスタが無効になった論理ブロックは解放する。FS11のFIFO構造の最後まで到達した論理ブロックに格納されたクラスタは、ホスト1から再書き込みされる可能性の低いクラスタとみなし、論理ブロックごとIS13の管理下に移動する。FS12は、この実施の形態では、書き込みの高速化を図るため擬似SLCモードの複数の論理ブロックで構成される。なお、FS12は、MLCモードの複数の論理ブロックで構成されてもよい。更新頻度の高いデータはFS12を通過している最中に無効化され、更新頻度の低いデータだけがFS12から溢れていくため、更新頻度の高いデータと低いデータとをFS12で選り分けることができる。これにより、後段のIS13でコンパクションが頻繁に発生する可能性を低減させることが可能である。
IS13は、再書き込みされる可能性の低いクラスタを格納するためのバッファであり、FS13と同様にクラスタ単位でデータの管理が行われる。IS13に存在するクラスタと同一LBAのクラスタがFS12、IS13に入力された場合、IS13内のクラスタを無効化するだけでよく、書き換え動作を伴わない。IS13においては、FS12と同様、データの書き込まれた順序(FS12から移動された順序)が古い論理ブロックから並んだリスト構造をとるが、コンパクションを行う点がFS12と異なる。IS13の容量や管理テーブルの都合で飽和した場合は、コンパクション(IS13から有効クラスタを集めてIS13へ書き戻すこと)やデフラグ(FS12およびIS13のクラスタをトラックに統合して、MS11へ追い出すこと)を行う。IS13は、この実施の形態では、MLCモードの論理ブロックと擬似SLCモードの論理ブロックの混在で構成される。すなわち、FS12からIS13に移動されるブロックは擬似SLCモードの論理ブロックであるが、IS13内でコンパクションする際に、MLCモードの論理ブロックに書き直す。なお、FS12がMLCモードの論理ブロックで構成される場合は、IS13もMLCモードの論理ブロックのみで構成されることになる。
RC管理テーブル23は、NANDメモリ10からRC22に転送されたデータを管理するためのものである。
WC21上に記憶されたデータに関するWCトラック情報をLBAからルックアップするためのハッシュテーブルであり、LBAのトラックアドレスのLSB数ビットをインデックスとし、インデックス毎に複数のエントリ(タグ)を有する。各タグには、LBAトラックアドレスと該トラックアドレスに対応するWCトラック情報へのポインタが記憶されている。
WCトラック情報テーブル25には、アクセスのあったWCトラック情報の新旧の順序をLRU(Least Recently used)で双方向リストで管理するためのWCトラックLRU情報テーブル25aと、空いているWCトラック情報の番号を管理するWCトラック空き情報テーブル25bとがある。WC21からNANDにデータを追い出すときに、WCトラックLRU情報テーブル25aを用いて最も古くにアクセスされたトラックを取り出す。
WCトラック情報には、
(1)WC21内に存在するトラックアドレス、トラック内のWC21上の有効クラスタの個数、各クラスタが有効であるかどうかの情報、各クラスタがWC21のどこに存在するかを示すWC内クラスタ位置情報、
(2)1クラスタに含まれる複数のセクタのうちのどのセクタに有効なデータを保持しているかを示す情報(セクタビットマップ)、
(3)トラックの状態情報(有効、無効、ATAからのデータ転送中、NANDに書き込み中など)
などが含まれている。なお、上記のWCトラック情報では、有効クラスタが存在する記憶位置で自トラック内に存在するクラスタアドレスのLSB(t)ビットを管理するようにしたが、クラスタアドレスの管理方法は任意であり、例えば、自トラック内に存在するクラスタアドレスのLSB(t)ビット自体を管理するようにしてもよい(図6参照)。
MS11に書き込むことになる高密度(トラック内で有効クラスタ数が所定パーセント以上)のトラック情報を管理するためのもので、高密度トラックに関するWCトラック情報とその個数を管理している。
FS12に書き込むことになる低密度(トラック内で有効クラスタ数が所定パーセント未満)のトラック情報を管理するためのもので、低密度トラックのクラスタ数の合計を管理している。
LBAのトラックアドレスからトラック情報を取得するためのテーブルである。トラック情報としては、
(1)論理ブロックアドレス(トラックのデータが記憶されている論理ブロックを示す情報である)
(2)クラスタディレクトリ番号(トラック内のデータの少なくとも一部がFS12またはIS13に記憶されている場合に有効となる情報であり、トラック内のデータがFS12またはIS13に記憶されている場合に、トラック毎に存在するクラスタディレクトリテーブルのテーブル番号を示す情報である)
(3)FS/ISクラスタ数(このトラック内のクラスタが、いくつFS12またはIS13に記憶されているかを示す情報であり、デフラグするかどうかを決めるために使用する)。
トラック内のデータがFS12またはIS13に記憶されている場合に、その論理ブロックまでたどるための中間的なテーブルであり、トラック別に備えられている。各クラスタディレクトリテーブル31に登録されるクラスタディレクトリ情報は、クラスタテーブル32のテーブル番号を示す情報(クラスタテーブル番号情報)の配列からなる。LBAのクラスタアドレスのLSB(t)ビット中の上位数ビットで、1つのクラスタディレクトリテーブル31中に配列されている複数のクラスタテーブル番号情報からひとつの情報を選択する。
クラスタディレクトリテーブル31と関連し、トラック内のデータがFS12またはIS13に記憶されている場合に、どの論理ブロックのどのクラスタ位置にデータが記憶されているかを管理するテーブルである。トラックテーブル30からクラスタディレクトリテーブル31を経由して間接参照される。実体は、複数クラスタ分の論理ブロックアドレス+クラスタ位置の配列である。LBAのクラスタアドレスのLSB(t)ビット中の下位数ビットで、1つのクラスタテーブル32中に配列されている複数の(論理ブロックアドレス+クラスタ位置)からひとつの情報を選択する。後述のクラスタブロック情報の番号とその中のクラスタ位置の情報も配列としてもつ。
クラスタブロックとは、論理ブロックのうちクラスタ単位でデータを記憶するものをいう。クラスタブロック情報は、FS12、IS13の論理ブロックを管理するための情報であり、論理ブロック内にどのようなクラスタが入っているかを示す情報である。クラスタブロック情報同士を双方向リストとしてFS12、IS13内のFIFOの順序で連結される。
クラスタブロック情報は、
(1)論理ブロックアドレス
(2)有効クラスタ数
(3)当該論理ブロックに含まれるクラスタのLBA
を有する。
クラスタブロック情報テーブル33は、使われていないクラスタブロック情報を管理する空き情報管理用のクラスタブロック情報テーブル33a、FS12に含まれるクラスタブロック情報を管理するFS用のクラスタブロック情報テーブル33b、IS13に含まれるクラスタブロック情報を管理するIS用のクラスタブロック情報テーブル33cを有し、各テーブル33a〜33cは、双方向リストとして管理されている。逆引きアドレス変換の主な用途はIS13のコンパクションであり、コンパクション対象の論理ブロックにどのようなクラスタが記憶されているかを調べ、データを他の場所へ書き直すために使用する。よって、本実施の形態では、逆引きアドレス変換はクラスタ単位でデータを記憶しているFS12、IS13のみを対象としている。
論物変換テーブル40は、論理ブロックアドレスと物理ブロックアドレスとの変換、寿命に関する情報を管理するためのテーブルである。論理ブロックアドレス毎に、当該論理ブロックに所属する複数の物理ブロックアドレスを示す情報、当該論理ブロックアドレスの消去回数を示す消去回数情報、クラスタブロック情報の番号などの情報を有している。あるLBAのデータを他の場所に書き直すには、元のクラスタブロック内のLBAを無効にする必要があり、LBAからクラスタブロックをたどる必要がある。そのために、論物変換テーブル40で管理する論理ブロックの管理情報に、クラスタブロック情報の識別子を記憶している。
上記各管理テーブルで管理される管理情報によって、ホスト1で使用されるLBAと、SSD100で使用される論理NANDアドレス(論理ブロックアドレス+オフセット)と、NANDメモリ10で使用される物理NANDアドレス(物理ブロックアドレス+オフセット)との間を対応付けることができ、ホスト1とNANDメモリ10との間のデータのやり取りを行うことが可能となる。
つぎに、読み出し処理の概要について説明する。ATAコマンド処理部121から、Readコマンドおよび読み出しアドレスとしてのLBAが入力されると、データ管理部120は、RC管理テーブル23とWCトラックテーブル24を検索することで、WC21またはRC22にLBAに対応するデータが存在しているか否かを探査し、キャッシュヒットの場合は、該当LBAに対応するWC21またはRC22のデータを読み出して、ATAコマンド処理部121に送る。
(WC21での処理)
つぎに、書き込み処理の概要について説明する。書き込み処理では、ATAコマンド処理部121からWriteコマンドおよび書き込みアドレスとしてのLBAが入力されると、LBAで指定されたデータをWC21に書き込む。WC21に空き領域がない場合は、DRAM管理用の各種管理テーブルを参照してWC21からデータを追い出して、NANDメモリ10に書き込み、空き領域を作成する。トラック内の有効クラスタ数が所定パーセント未満のトラックは低密度トラックとし、クラスタサイズデータとしてFS12を追い出し先とする。FS12が追い出し先の場合は、トラック内の有効クラスタを論理ページ単位で書き込む。
MS11への書き込みは、図9に示すように、次の手順で実行される。
1.DRAM20上にトラックのデータイメージを作成(穴埋め処理)する。すなわち、WC21に存在しないクラスタ、WC21に全セクタを保持していないクラスタに関しては、NANDメモリ10から読み出して、WC21のデータと統合する。
2.MS11用に、論理ブロック(トラックブロック)をCFBから確保する。トラックブロックとは、論理ブロックのうちトラック単位でデータを記憶するものをいう。
3.作成したトラックのデータイメージを確保した論理ブロックに書き込む。
4.トラックのLBAからトラック情報を調べ、トラック情報と書き込んだ論理ブロックに対応する論理ブロックアドレスとを関連付け、NAND管理用の所要のテーブルに登録する。
5.WC21,NANDメモリ10の古いデータを無効化する。
FS12への書き込みは、DRAM20上にクラスタのデータイメージを作成(穴埋め処理)し、新たに確保する論理ブロック(クラスタブロック)に対し論理ページ単位の書き込みを、擬似SLCモードを使用して行う。確保する論理ブロックは、書き込むデータイメージ以上の書き込み可能な論理ページをもつフラグメントフリーブロック(FFB)を優先し、ない場合はコンプリートフリーブロック(CFB)を使用する。FS12への書き込みは、図10に示すように、以下の手順で実行する。
1.WC21から入力された低密度トラック内の総データ量が小さい場合、すなわち有効クラスタ数が所定の閾値よりも少ない場合には、それを書き込めるFFBを確保し、FSIBとする。
2.WC21から渡された低密度トラック内の総データ量が大きい場合、すなわち有効クラスタ数が所定の閾値以上の場合には、CFBを確保し、FSIBとする。このとき、並列で書き込むことが出来る複数の論理ブロックを確保し、FSIBとする。
3.DRAM20上で、書き込むクラスタのデータイメージを作成する。すなわち、WC21に全セクタを保持していないクラスタに関しては、WC21上に存在しないセクタのデータをNANDメモリ10から読み出し、WC21上のセクタのデータと統合する。
4.WC21上のクラスタと、作業領域上に作ったクラスタイメージをFSIBに書き込む。
5.FSIBをFS12のリストに追加する。
6.書き込んだトラックを、クラスタディレクトリLRUテーブル31aの末尾に挿入しなおす。
FS12管理下の論理ブロック数が所定の最大論理ブロック数を越えている場合は、図11に示すように、FS12から溢れた論理ブロックをそのままIS13に移動する。一度の処理単位で移動する論理ブロック数は、溢れた論理ブロック内の有効クラスタ数に応じて、以下のルールで決定する。
・溢れた論理ブロック内のクラスタ数がMLCモードの1論理ブロック分の境界に近くなるように、FS12の最も古い論理ブロックから移動する論理ブロックを追加する。MLCモードの1論理ブロック分の境界に近くするのは、コンパクション後の論理ブロックに、なるべく多くの有効クラスタを収容することを目的とする。
・クラスタ数がIS13で同時にコンパクションできるクラスタ数を超える場合は、IS13で同時にコンパクションできるクラスタ数以下になるようなブロック数とする。
・移動ブロック数には、上限値を設ける。
IS13では、IS管理下の論理ブロック数が最大論理ブロック数を越えた場合に、MS11へのデータ移動(デフラグ処理)と、コンパクション処理によって、管理下の論理ブロック数を最大数以下に抑える。データの消去単位(論理ブロック)と、データの管理単位(クラスタ)が異なる場合、NANDメモリ10の書き換えが進むと、無効なデータによって、論理ブロックは穴あき状態になる。このような穴あき状態の論理ブロックが増えると、実質的に使用可能な論理ブロックが少なくなり、NANDメモリ10の記憶領域を有効利用できないので、有効クラスタを集めて、違う論理ブロックに書き直すことをコンパクションという。デフラグ処理とは、FS12,IS13のクラスタをトラックに統合して、MS11に追い出す処理をいう。
正引きアドレス変換とは、LBAから、実際にデータが記録されている論理NANDクラスタアドレス(論理ブロック番号とオフセット)を求めることである。正引きアドレス変換の主な用途は、NANDメモリ10からDRAM20へのデータの読み出しである。より具体的には、ATAコマンド処理部121から要求されたデータの読み出しと、NANDへの書き込みおよびNANDの整理の際の穴埋めデータの読み出しである。正引きアドレス変換を行うには、LBA→トラックテーブル30→クラスタディレクトリテーブル31→クラスタテーブル32→論理NANDアドレスというように、トラックテーブル30から2段階のテーブルをたどって論理NANDアドレスを求める。
逆引きアドレス変換とは、データが記録されている論理NANDクラスタアドレス(論理ブロック番号とオフセット)から、データのLBAを求めることである。逆引きアドレス変換の主な用途は、IS13のコンパクション処理である。コンパクション対象の論理ブロック内にどのようなデータ(トラック、クラスタ)が記憶されているかを調べ、データを他の論理ブロックに書き直すために使用する。その他に、データをNANDに書き込んだり、NANDを整理したりするときには、逆引きの管理情報も更新する。
1.IS13に所属するクラスタブロック情報テーブル33のリストからたどる。IS13のコンパクションは、IS13に所属するクラスタブロックの中から、あるルールに従ってクラスタブロックを選択する。IS13に所属するクラスタブロックは、クラスタブロック情報テーブル33において双方向リンクの構造で管理するため、リンクをたどることによって、クラスタブロック情報にたどり着くことが出来る。
2.前述したように、クラスタテーブル32には、クラスタブロック情報の番号とその中のクラスタ位置の情報(オフセット)も配列としてもっており、このクラスタテーブル32から取得したクラスタ位置の情報(オフセット)をインデックスとし、クラスタブロック情報内のクラスタアドレスを得る。
(1)DRAMログ205上のクラスタブロック情報と対応するマスターテーブル204の、論理ブロック内のクラスタアドレスを比較し、無効から有効になったクラスタアドレスを正引きアドレス変換テーブル(トラックテーブル30,クラスタディレクトリテーブル31,クラスタテーブル32)に反映する。
・トラック情報にクラスタディレクトリテーブル31、クラスタテーブル32が割り当てられていなければ、確保する。
・クラスタテーブル32に、クラスタブロック情報に対応する論理ブロックアドレスとクラスタ位置を設定する。
(2)対応するマスターテーブル204にDRAMログ205上のクラスタブロック情報をコピーする。
(1)DRAMログ205上のトラックブロック情報内のトラックアドレスに対応するトラック情報内のクラスタディレクトリテーブル31とクラスタテーブル32を解放する。
(2)対応するトラック情報にトラックブロック情報内の論理ブロックアドレスを設定する。
図16は、SSD100を搭載したパーソナルコンピュータ1200の一例を示す斜視図である。パーソナルコンピュータ1200は、本体1201、及び表示ユニット1202を備えている。表示ユニット1202は、ディスプレイハウジング1203と、このディスプレイハウジング1203に収容された表示装置1204とを備えている。
Claims (3)
- 揮発性の第1の記憶部と、
不揮発性の第2の記憶部と、
前記第1の記憶部を介してホスト装置と前記第2の記憶部との間のデータ転送を行うコントローラとを備えるメモリシステムにおいて、
前記第2の記憶部には、
ホスト装置から指定された論理アドレスを前記第2の記憶部での記憶位置に対応付ける正引き情報を管理するため第1のアドレス変換テーブルと、
前記第2の記憶部での記憶位置を前記論理アドレスに対応付ける逆引き情報を管理するための第2のアドレス変換テーブルと、
が記憶され、
前記コントローラは、
前記第2の記憶部に記憶された第1および第2のアドレス変換テーブルを起動時にマスターテーブルとして前記第1の記憶部に転送するテーブル転送手段と、
前記マスターテーブルを更新すべき事象が発生した際、第1の記憶部に記憶されている前記第1および第2のアドレス変換テーブルのうちの何れか一方についての更新前後の差分情報をログとして第1の記憶部に記憶するログ制御手段と、
所定の条件が成立したときに前記第1の記憶部に記憶されたログを前記第2の記憶部に保存するとともに前記第1の記憶部に記憶されたログの内容を前記第1の記憶部に記憶されている前記マスターテーブルとしての第1および第2のアドレス変換テーブルに反映するログ反映手段と、
前記第1の記憶部に記憶されているマスターテーブルおよびログを用いて前記データ転送制御を行う読み書き制御部と、
を備えることを特徴とするメモリシステム。 - ログ制御手段は、所定の第2の条件が成立したときに、前記マスターテーブルを前記第2の記憶部にスナップショットとして保存し、
前記ログ反映手段は、起動時、第2の記憶部に記憶されたログが、前記第2の記憶部に記憶されたスナップショットよりも新しい場合、第2の記憶部に記憶されたログの内容を用いて前記第1の記憶部に記憶されている前記マスターテーブルとしての第1および第2のアドレス変換テーブルを復元することを特徴とする請求項1に記載のメモリシステム。 - 前記ログ制御手段が第1の記憶部に記憶するログは、第2のアドレス変換テーブルによって管理される逆引き情報についての更新前後の差分情報であることを特徴とする請求項1または2に記載のメモリシステム。
Priority Applications (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2008335567A JP5198245B2 (ja) | 2008-12-27 | 2008-12-27 | メモリシステム |
KR1020090084089A KR101095765B1 (ko) | 2008-12-27 | 2009-09-07 | 메모리 시스템 및 그 제어 방법 |
US12/563,856 US8352706B2 (en) | 2008-12-27 | 2009-09-21 | Memory system managing address translation table and method of controlling thereof |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2008335567A JP5198245B2 (ja) | 2008-12-27 | 2008-12-27 | メモリシステム |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2010157141A true JP2010157141A (ja) | 2010-07-15 |
JP5198245B2 JP5198245B2 (ja) | 2013-05-15 |
Family
ID=42286283
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2008335567A Expired - Fee Related JP5198245B2 (ja) | 2008-12-27 | 2008-12-27 | メモリシステム |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US8352706B2 (ja) |
JP (1) | JP5198245B2 (ja) |
KR (1) | KR101095765B1 (ja) |
Cited By (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2013174972A (ja) * | 2012-02-23 | 2013-09-05 | Toshiba Corp | メモリシステム、コントローラ、メモリシステムの制御方法 |
JP2014021622A (ja) * | 2012-07-13 | 2014-02-03 | Toshiba Corp | メモリシステムおよびその制御方法 |
JP2014517412A (ja) * | 2011-10-05 | 2014-07-17 | 株式会社日立製作所 | ストレージシステム及びストレージ方法 |
EP2816483A1 (en) | 2013-06-17 | 2014-12-24 | Fujitsu Limited | Information processing apparatus, control circuit, and control method |
US9170929B2 (en) | 2011-01-31 | 2015-10-27 | Mitsubishi Electric Corporation | Memory controller |
US9870170B2 (en) | 2015-09-10 | 2018-01-16 | Toshiba Memory Corporation | Memory controller, memory system and memory control method |
US10019326B2 (en) | 2015-07-15 | 2018-07-10 | Toshiba Memory Corporation | Memory system |
JP2019049876A (ja) * | 2017-09-11 | 2019-03-28 | 大日本印刷株式会社 | 電子情報記憶媒体、icカード、電子情報記憶媒体によるテーブル管理方法及びテーブル管理プログラム |
Families Citing this family (68)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2004034427A2 (en) | 2002-10-08 | 2004-04-22 | Honeywell International Inc. | Semiconductor packages, lead-containing solders and anodes and methods of removing alpha-emitters from materials |
JP4461170B2 (ja) | 2007-12-28 | 2010-05-12 | 株式会社東芝 | メモリシステム |
CN101632068B (zh) | 2007-12-28 | 2015-01-14 | 株式会社东芝 | 半导体存储装置 |
JP2009205555A (ja) * | 2008-02-28 | 2009-09-10 | Toshiba Corp | メモリシステム |
WO2009110303A1 (en) * | 2008-03-01 | 2009-09-11 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Memory system |
JP4439569B2 (ja) * | 2008-04-24 | 2010-03-24 | 株式会社東芝 | メモリシステム |
JP2010152514A (ja) * | 2008-12-24 | 2010-07-08 | Toshiba Corp | メモリシステム |
JP5376983B2 (ja) * | 2009-02-12 | 2013-12-25 | 株式会社東芝 | メモリシステム |
US8443167B1 (en) | 2009-12-16 | 2013-05-14 | Western Digital Technologies, Inc. | Data storage device employing a run-length mapping table and a single address mapping table |
JP2011128998A (ja) | 2009-12-18 | 2011-06-30 | Toshiba Corp | 半導体記憶装置 |
JP5404483B2 (ja) | 2010-03-17 | 2014-01-29 | 株式会社東芝 | メモリシステム |
US8194340B1 (en) | 2010-03-18 | 2012-06-05 | Western Digital Technologies, Inc. | Disk drive framing write data with in-line mapping data during write operations |
US8693133B1 (en) | 2010-03-22 | 2014-04-08 | Western Digital Technologies, Inc. | Systems and methods for improving sequential data rate performance using sorted data zones for butterfly format |
US8856438B1 (en) | 2011-12-09 | 2014-10-07 | Western Digital Technologies, Inc. | Disk drive with reduced-size translation table |
US8699185B1 (en) | 2012-12-10 | 2014-04-15 | Western Digital Technologies, Inc. | Disk drive defining guard bands to support zone sequentiality when butterfly writing shingled data tracks |
US8687306B1 (en) | 2010-03-22 | 2014-04-01 | Western Digital Technologies, Inc. | Systems and methods for improving sequential data rate performance using sorted data zones |
US9330715B1 (en) | 2010-03-22 | 2016-05-03 | Western Digital Technologies, Inc. | Mapping of shingled magnetic recording media |
US8806134B2 (en) * | 2010-04-16 | 2014-08-12 | Pmc-Sierra Us, Inc. | Mirrored cache protection |
JP2012008651A (ja) | 2010-06-22 | 2012-01-12 | Toshiba Corp | 半導体記憶装置、その制御方法および情報処理装置 |
US8713067B1 (en) * | 2010-07-09 | 2014-04-29 | Open Invention Network, Llc | Stable file system |
KR101058155B1 (ko) | 2010-09-13 | 2011-08-24 | 양순옥 | 센서 네트워크에서 측정값의 편차만 메모리의 별도 저장영역에 저장하는 센서의 측정값 저장 방법 및 센서 장치 |
KR101736384B1 (ko) * | 2010-09-29 | 2017-05-16 | 삼성전자주식회사 | 비휘발성 메모리 시스템 |
IL208641A0 (en) * | 2010-10-12 | 2010-12-30 | Eci Telecom Ltd | Method for accelerating start up of a computerized system |
JP2012128643A (ja) | 2010-12-15 | 2012-07-05 | Toshiba Corp | メモリシステム |
JP2012128645A (ja) | 2010-12-15 | 2012-07-05 | Toshiba Corp | メモリシステム |
JP2012128644A (ja) | 2010-12-15 | 2012-07-05 | Toshiba Corp | メモリシステム |
JP2012128816A (ja) * | 2010-12-17 | 2012-07-05 | Toshiba Corp | メモリシステム |
US9324433B2 (en) | 2011-04-25 | 2016-04-26 | Microsoft Technology Licensing, Llc | Intelligent flash reprogramming |
US8793429B1 (en) | 2011-06-03 | 2014-07-29 | Western Digital Technologies, Inc. | Solid-state drive with reduced power up time |
CN102314490B (zh) * | 2011-08-16 | 2013-07-10 | 晨星软件研发(深圳)有限公司 | 一种Linux FAT文件系统修复方法及装置 |
US8832524B2 (en) | 2011-09-22 | 2014-09-09 | Violin Memory, Inc. | System and method for correcting errors in data using a compound code |
US9213493B1 (en) | 2011-12-16 | 2015-12-15 | Western Digital Technologies, Inc. | Sorted serpentine mapping for storage drives |
US9251055B2 (en) * | 2012-02-23 | 2016-02-02 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Memory system and control method of memory system |
US8924636B2 (en) | 2012-02-23 | 2014-12-30 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Management information generating method, logical block constructing method, and semiconductor memory device |
US9330117B2 (en) * | 2012-06-08 | 2016-05-03 | 24/7 Customer, Inc. | Business rules manager |
JP6056453B2 (ja) * | 2012-12-20 | 2017-01-11 | 富士通株式会社 | プログラム、データ管理方法および情報処理装置 |
CN103970675A (zh) | 2013-01-29 | 2014-08-06 | Lsi公司 | 用于使引导操作系统加速的快速引导列表 |
US20140250277A1 (en) * | 2013-03-04 | 2014-09-04 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Memory system |
US20140281160A1 (en) * | 2013-03-14 | 2014-09-18 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Non-volatile semiconductor storage apparatus |
CN105144185B (zh) | 2013-04-23 | 2018-06-05 | 惠普发展公司,有限责任合伙企业 | 验证控制器代码和系统启动代码 |
CN105308609B (zh) | 2013-04-23 | 2017-12-29 | 惠普发展公司,有限责任合伙企业 | 存储事件数据的系统和方法 |
US9645894B2 (en) * | 2013-12-26 | 2017-05-09 | Silicon Motion, Inc. | Data storage device and flash memory control method |
US20150339069A1 (en) * | 2014-05-22 | 2015-11-26 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Memory system and method |
US8953269B1 (en) | 2014-07-18 | 2015-02-10 | Western Digital Technologies, Inc. | Management of data objects in a data object zone |
US9875055B1 (en) | 2014-08-04 | 2018-01-23 | Western Digital Technologies, Inc. | Check-pointing of metadata |
US9747041B2 (en) | 2015-12-23 | 2017-08-29 | Intel Corporation | Apparatus and method for a non-power-of-2 size cache in a first level memory device to cache data present in a second level memory device |
US20170199687A1 (en) * | 2016-01-12 | 2017-07-13 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Memory system and control method |
US10353813B2 (en) | 2016-06-29 | 2019-07-16 | Western Digital Technologies, Inc. | Checkpoint based technique for bootstrapping forward map under constrained memory for flash devices |
US10235287B2 (en) | 2016-06-29 | 2019-03-19 | Western Digital Technologies, Inc. | Efficient management of paged translation maps in memory and flash |
US11216361B2 (en) | 2016-06-29 | 2022-01-04 | Western Digital Technologies, Inc. | Translation lookup and garbage collection optimizations on storage system with paged translation table |
US10229048B2 (en) | 2016-06-29 | 2019-03-12 | Western Digital Technologies, Inc. | Unified paging scheme for dense and sparse translation tables on flash storage systems |
US10175896B2 (en) | 2016-06-29 | 2019-01-08 | Western Digital Technologies, Inc. | Incremental snapshot based technique on paged translation systems |
KR20180064588A (ko) * | 2016-12-05 | 2018-06-15 | 에스케이하이닉스 주식회사 | 메모리 제어 장치 및 방법 |
US10289421B2 (en) * | 2017-02-17 | 2019-05-14 | Dell Products, L.P. | Booting of IHS from SSD using PCIe |
US11112970B2 (en) * | 2017-06-12 | 2021-09-07 | Sap Se | Software system logging based on runtime analysis |
JP2019057172A (ja) * | 2017-09-21 | 2019-04-11 | 東芝メモリ株式会社 | メモリシステムおよび制御方法 |
JP2019057178A (ja) * | 2017-09-21 | 2019-04-11 | 東芝メモリ株式会社 | メモリシステムおよび制御方法 |
US11599403B2 (en) * | 2018-10-03 | 2023-03-07 | SK Hynix Inc. | Logging mechanism for memory system |
KR102553261B1 (ko) | 2018-10-10 | 2023-07-07 | 삼성전자 주식회사 | 메모리 컨트롤러, 상기 메모리 컨트롤러를 포함하는 스토리지 장치, 및 상기 메모리 컨트롤러의 동작 방법 |
WO2020159533A1 (en) | 2019-02-01 | 2020-08-06 | Hewlett-Packard Development Company, L.P. | Security credential derivation |
US11520662B2 (en) | 2019-02-11 | 2022-12-06 | Hewlett-Packard Development Company, L.P. | Recovery from corruption |
KR20210027563A (ko) * | 2019-08-28 | 2021-03-11 | 에스케이하이닉스 주식회사 | 저장 장치 및 그 동작 방법 |
US11132140B1 (en) | 2020-04-24 | 2021-09-28 | Seagate Technology, Llc | Processing map metadata updates to reduce client I/O variability and device time to ready (TTR) |
CN113870916B (zh) * | 2020-06-30 | 2024-03-26 | 长鑫存储技术有限公司 | 半导体装置 |
US20200363998A1 (en) * | 2020-08-07 | 2020-11-19 | Intel Corporation | Controller and persistent memory shared between multiple storage devices |
CN112379833A (zh) * | 2020-11-12 | 2021-02-19 | 阿米华晟数据科技(江苏)有限公司 | 文件缓存装置、文件缓存、闲置空间回收及故障恢复方法 |
US11775382B2 (en) * | 2020-12-09 | 2023-10-03 | Micron Technology, Inc. | Modified parity data using a poison data unit |
CN115877113A (zh) * | 2023-01-12 | 2023-03-31 | 北京得瑞领新科技有限公司 | Ssd供电抗干扰能力测试方法、装置、存储介质及系统 |
Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO1999032977A1 (fr) * | 1997-12-22 | 1999-07-01 | Tdk Corporation | Systeme de memoire flash |
JP2005115857A (ja) * | 2003-10-10 | 2005-04-28 | Sony Corp | ファイル記憶装置 |
JP2005242897A (ja) * | 2004-02-27 | 2005-09-08 | Oki Electric Ind Co Ltd | フラッシュディスク装置 |
JP2006107379A (ja) * | 2004-10-08 | 2006-04-20 | Sony Corp | 情報処理装置及び情報処理方法、並びにコンピュータ・プログラム |
JP2006350572A (ja) * | 2005-06-14 | 2006-12-28 | Ricoh Co Ltd | 記憶装置、画像形成装置及びシステムデータ管理方法 |
JP2009020986A (ja) * | 2007-07-15 | 2009-01-29 | Hitachi Global Storage Technologies Netherlands Bv | ディスク・ドライブ装置及びディスク・ドライブ装置において不揮発性半導体メモリ領域上のデータを管理するテーブルを保存する方法 |
Family Cites Families (13)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP3935139B2 (ja) | 2002-11-29 | 2007-06-20 | 株式会社東芝 | 半導体記憶装置 |
JP2005222202A (ja) | 2004-02-04 | 2005-08-18 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 不揮発性記憶装置のデータ保護方法 |
US7814057B2 (en) | 2005-04-05 | 2010-10-12 | Microsoft Corporation | Page recovery using volume snapshots and logs |
US7554855B2 (en) | 2006-12-20 | 2009-06-30 | Mosaid Technologies Incorporated | Hybrid solid-state memory system having volatile and non-volatile memory |
JP4967680B2 (ja) | 2007-01-23 | 2012-07-04 | ソニー株式会社 | 記憶装置およびコンピュータシステム、並びに記憶装置の管理方法 |
JP4675984B2 (ja) | 2008-02-29 | 2011-04-27 | 株式会社東芝 | メモリシステム |
US8706950B2 (en) | 2008-03-01 | 2014-04-22 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Memory system |
JP4643667B2 (ja) | 2008-03-01 | 2011-03-02 | 株式会社東芝 | メモリシステム |
JP4551940B2 (ja) | 2008-03-01 | 2010-09-29 | 株式会社東芝 | メモリシステム |
JP4691123B2 (ja) | 2008-03-01 | 2011-06-01 | 株式会社東芝 | メモリシステム |
JP4653817B2 (ja) | 2008-03-01 | 2011-03-16 | 株式会社東芝 | メモリシステム |
US8484432B2 (en) | 2008-03-11 | 2013-07-09 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Memory system |
JP4762261B2 (ja) | 2008-03-12 | 2011-08-31 | 株式会社東芝 | メモリシステム |
-
2008
- 2008-12-27 JP JP2008335567A patent/JP5198245B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
2009
- 2009-09-07 KR KR1020090084089A patent/KR101095765B1/ko not_active IP Right Cessation
- 2009-09-21 US US12/563,856 patent/US8352706B2/en active Active
Patent Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO1999032977A1 (fr) * | 1997-12-22 | 1999-07-01 | Tdk Corporation | Systeme de memoire flash |
JP2005115857A (ja) * | 2003-10-10 | 2005-04-28 | Sony Corp | ファイル記憶装置 |
JP2005242897A (ja) * | 2004-02-27 | 2005-09-08 | Oki Electric Ind Co Ltd | フラッシュディスク装置 |
JP2006107379A (ja) * | 2004-10-08 | 2006-04-20 | Sony Corp | 情報処理装置及び情報処理方法、並びにコンピュータ・プログラム |
JP2006350572A (ja) * | 2005-06-14 | 2006-12-28 | Ricoh Co Ltd | 記憶装置、画像形成装置及びシステムデータ管理方法 |
JP2009020986A (ja) * | 2007-07-15 | 2009-01-29 | Hitachi Global Storage Technologies Netherlands Bv | ディスク・ドライブ装置及びディスク・ドライブ装置において不揮発性半導体メモリ領域上のデータを管理するテーブルを保存する方法 |
Cited By (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US9170929B2 (en) | 2011-01-31 | 2015-10-27 | Mitsubishi Electric Corporation | Memory controller |
JP2014517412A (ja) * | 2011-10-05 | 2014-07-17 | 株式会社日立製作所 | ストレージシステム及びストレージ方法 |
US8972651B2 (en) | 2011-10-05 | 2015-03-03 | Hitachi, Ltd. | Storage system and storage method |
US9529537B2 (en) | 2011-10-05 | 2016-12-27 | Hitachi, Ltd. | Storage system and storage method |
JP2013174972A (ja) * | 2012-02-23 | 2013-09-05 | Toshiba Corp | メモリシステム、コントローラ、メモリシステムの制御方法 |
JP2014021622A (ja) * | 2012-07-13 | 2014-02-03 | Toshiba Corp | メモリシステムおよびその制御方法 |
EP2816483A1 (en) | 2013-06-17 | 2014-12-24 | Fujitsu Limited | Information processing apparatus, control circuit, and control method |
US10019326B2 (en) | 2015-07-15 | 2018-07-10 | Toshiba Memory Corporation | Memory system |
US9870170B2 (en) | 2015-09-10 | 2018-01-16 | Toshiba Memory Corporation | Memory controller, memory system and memory control method |
JP2019049876A (ja) * | 2017-09-11 | 2019-03-28 | 大日本印刷株式会社 | 電子情報記憶媒体、icカード、電子情報記憶媒体によるテーブル管理方法及びテーブル管理プログラム |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US8352706B2 (en) | 2013-01-08 |
KR20100077117A (ko) | 2010-07-07 |
US20100169551A1 (en) | 2010-07-01 |
KR101095765B1 (ko) | 2011-12-21 |
JP5198245B2 (ja) | 2013-05-15 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP5198245B2 (ja) | メモリシステム | |
JP5317689B2 (ja) | メモリシステム | |
JP5317690B2 (ja) | メモリシステム | |
US8868842B2 (en) | Memory system, method of controlling memory system, and information processing apparatus | |
JP5376983B2 (ja) | メモリシステム | |
US9201717B2 (en) | Memory system | |
US9021190B2 (en) | Memory system | |
KR101079890B1 (ko) | 메모리 시스템 | |
US8527727B2 (en) | Semiconductor storage device, with organizing-state notify processing | |
JP4691123B2 (ja) | メモリシステム |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20110318 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20130115 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20130206 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20160215 Year of fee payment: 3 |
|
R151 | Written notification of patent or utility model registration |
Ref document number: 5198245 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R151 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20160215 Year of fee payment: 3 |
|
S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313111 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313111 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |