JP2010153172A

JP2010153172A - Display device, electronic apparatus equipped with the same, and method of manufacturing the same

Info

Publication number: JP2010153172A
Application number: JP2008329377A
Authority: JP
Inventors: Masaaki Aota; 雅明青田; Nobuhiko Oda; 信彦小田; Yusaku Morimoto; 雄策森本
Original assignee: Seiko Epson Corp
Current assignee: Seiko Epson Corp
Priority date: 2008-12-25
Filing date: 2008-12-25
Publication date: 2010-07-08

Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a display device capable of suppressing complication of the structure and the manufacturing process thereof; and to provide a method of manufacturing the same. <P>SOLUTION: The EL device (display device) 100 includes a plurality of pixels 2, a reflective layer 23 provided in the pixel 2, a reflective layer oxide film 24 of a monolayer formed on the surface of the reflective layer 23 and made of an oxide of the reflective layer 23, and a counter electrode 28 formed through an organic light-emitting layer 27 in the upper part of an the reflective layer oxide film 24. The plurality of pixels 2 are formed so as to have the reflective layer oxide films 24 having different film thicknesses. <P>COPYRIGHT: (C)2010,JPO&INPIT

Description

本発明は、表示装置、表示装置を備える電子機器および表示装置の製造方法に関し、特に、反射層の上方に発光層を介して半反射層を備える表示装置、表示装置を備える電子機器および表示装置の製造方法に関する。 The present invention relates to a display device, an electronic device including the display device, and a method for manufacturing the display device, and in particular, a display device including a semi-reflective layer via a light emitting layer above the reflective layer, an electronic device including the display device, and a display device. It relates to the manufacturing method.

従来、反射層の上方に発光層を介して半反射層を備える表示装置および表示装置の製造方法が知られている（たとえば、特許文献１参照）。上記特許文献１に開示されている表示装置および表示装置の製造方法では、各画素に設けられた反射層（光反射層）の上方には透明電極を介して発光層（発光体）および半反射層（第２電極）が形成されている。また、各画素に設けられた反射層と半反射層との距離を調整するために、反射層と半反射層との間に１層〜３層に積層された透明電極（第１電極）を形成している。これにより、発光層から発光された光を反射層と半反射層との間で共振させ、光強度を強めた状態で半反射層側から光（Ｒ（赤色）、Ｇ（緑色）およびＢ（青色））を出射させる光共振構造が構成されている。 Conventionally, a display device including a semi-reflective layer via a light emitting layer above a reflective layer and a method for manufacturing the display device are known (see, for example, Patent Document 1). In the display device and the manufacturing method of the display device disclosed in Patent Document 1, a light emitting layer (light emitter) and a semi-reflective layer are disposed above a reflective layer (light reflective layer) provided in each pixel via a transparent electrode. A layer (second electrode) is formed. Further, in order to adjust the distance between the reflective layer and the semi-reflective layer provided in each pixel, a transparent electrode (first electrode) laminated in one to three layers between the reflective layer and the semi-reflective layer is provided. Forming. Thereby, the light emitted from the light emitting layer is resonated between the reflective layer and the semi-reflective layer, and light (R (red), G (green) and B ( An optical resonance structure for emitting blue)) is formed.

特開２００７−４８６４４号公報JP 2007-48644 A

しかしながら、上記特許文献１に記載の表示装置では、反射層と半反射層との距離の調整を行うために、１層〜３層の積層数の透明電極を形成しているため、表示装置の構造および製造プロセスが複雑化する。 However, in the display device described in Patent Document 1, the transparent electrode having the number of stacked layers of 1 to 3 is formed to adjust the distance between the reflective layer and the semi-reflective layer. The structure and manufacturing process are complicated.

この発明は、上記のような課題を解決するためになされたものであり、この発明の１つの目的は、表示装置の構造および製造プロセスが複雑化するのを抑制することが可能な表示装置および表示装置の製造方法を提供することである。 The present invention has been made to solve the above-described problems, and an object of the present invention is to provide a display device capable of suppressing the structure and manufacturing process of the display device from becoming complicated. It is to provide a method for manufacturing a display device.

上記目的を達成するために、この発明の第１の局面における表示装置は、複数の画素と、画素に設けられた反射層と、反射層と、反射層の表面上に形成され、反射層の酸化物からなる単層の反射層酸化膜と、反射層酸化膜の上方に発光層を介して形成された半反射層とを備え、複数の画素は、異なる膜厚の反射層酸化膜を有するように形成されている。 In order to achieve the above object, a display device according to a first aspect of the present invention includes a plurality of pixels, a reflective layer provided on the pixels, a reflective layer, and a surface of the reflective layer. A plurality of pixels each having a reflective layer oxide film having a different film thickness, comprising a single-layer reflective layer oxide film made of an oxide and a semi-reflective layer formed above the reflective layer oxide film via a light emitting layer; It is formed as follows.

この第１の局面による表示装置では、上記のように、反射層の表面上に形成された反射層の酸化物からなる単層の反射層酸化膜を、複数の画素が、異なる膜厚の反射層酸化膜を有するように形成することによって、反射層と半反射層との間の距離を単層の反射層酸化膜により調整することができるので、たとえば、透明電極（画素電極）の積層数を調整することにより反射層と半反射層との間の距離を調整する場合と比べて、表示装置の構造および製造プロセスが複雑化するのを抑制することができる。 In the display device according to the first aspect, as described above, a single-layer reflective layer oxide film made of an oxide of the reflective layer formed on the surface of the reflective layer is used as a plurality of pixels with different thicknesses of reflection. By forming a layer oxide film, the distance between the reflective layer and the semi-reflective layer can be adjusted by a single-layer reflective layer oxide film. For example, the number of laminated transparent electrodes (pixel electrodes) As compared with the case where the distance between the reflective layer and the semi-reflective layer is adjusted, it is possible to prevent the structure of the display device and the manufacturing process from becoming complicated.

上記第１の局面による表示装置において、好ましくは、複数の画素には、それぞれ、画素トランジスタが設けられており、反射層は、画素トランジスタのソース電極またはドレイン電極の一方と接続されている。このように構成すれば、たとえば、表示装置に設けられた画素トランジスタを用いて、反射層に電圧を印加することができるので、反射層の表面を陽極酸化して、反射層の表面に反射層酸化膜を形成することができる。これにより、反射層を陽極酸化する際に、別途、電圧を印加するための素子を表示装置に設けることなく反射層の表面に反射層酸化膜を形成することができる。 In the display device according to the first aspect, preferably, each of the plurality of pixels is provided with a pixel transistor, and the reflective layer is connected to one of a source electrode and a drain electrode of the pixel transistor. With this configuration, for example, a voltage can be applied to the reflective layer using a pixel transistor provided in the display device. Therefore, the surface of the reflective layer is anodized and the reflective layer is formed on the surface of the reflective layer. An oxide film can be formed. Thus, when the reflective layer is anodized, the reflective layer oxide film can be formed on the surface of the reflective layer without providing a separate element for applying a voltage to the display device.

上記第１の局面による表示装置において、好ましくは、反射層酸化膜は、平面的に見て、反射層の上面上の略全域に形成されている。このように構成すれば、たとえば、反射層酸化膜が反射層の上面上の一部に形成されている場合と異なり、反射層と半反射層との間の距離を反射層の上面の全域にわたって均一にすることができる。 In the display device according to the first aspect, preferably, the reflective layer oxide film is formed in substantially the entire region on the upper surface of the reflective layer as seen in a plan view. With this configuration, for example, unlike the case where the reflective layer oxide film is formed on a part of the upper surface of the reflective layer, the distance between the reflective layer and the semi-reflective layer is set over the entire upper surface of the reflective layer. It can be made uniform.

上記第１の局面による表示装置において、好ましくは、反射層酸化膜と発光層との間には、単層の画素電極が形成されている。このように構成すれば、たとえば、Ｒ（赤色）、Ｇ（緑色）およびＢ（青色）に対応して、反射層と半反射層との間の距離を調整するために透明電極（画素電極）を最大３層積層させる場合と比べて、画素電極の構造を簡素化することができる。 In the display device according to the first aspect, a single-layer pixel electrode is preferably formed between the reflective layer oxide film and the light emitting layer. If comprised in this way, in order to adjust the distance between a reflective layer and a semi-reflective layer, for example corresponding to R (red), G (green), and B (blue), a transparent electrode (pixel electrode) The structure of the pixel electrode can be simplified as compared with the case of stacking up to three layers.

上記第１の局面による表示装置において、好ましくは、複数の画素は、最大強度を有する波長が異なる光を発光するように構成されており、最大強度を有する波長が長い光を発光する画素に設けられた反射層酸化膜の膜厚は、最大強度を有する波長が短い光を発光する画素に設けられた反射層酸化膜の膜厚よりも大きく形成されている。このように構成すれば、反射層酸化膜が波長の長さに応じた膜厚に形成されているので、波長の長さに応じて反射層と半反射層との間の距離を調整することができる。 In the display device according to the first aspect, preferably, the plurality of pixels are configured to emit light having different wavelengths having the maximum intensity, and are provided in pixels that emit light having a long wavelength having the maximum intensity. The thickness of the reflection layer oxide film thus formed is larger than the thickness of the reflection layer oxide film provided in the pixel that emits light having a maximum intensity and a short wavelength. If comprised in this way, since the reflective layer oxide film is formed in the film thickness according to the length of a wavelength, adjusting the distance between a reflective layer and a semi-reflective layer according to the length of a wavelength Can do.

この場合、好ましくは、複数の画素は、それぞれ、赤色、緑色および青色のうち、１つの光の色で発光するように構成されており、赤色に発光する画素に設けられた反射層酸化膜の膜厚は、緑色に発光する画素に設けられた反射層酸化膜の膜厚よりも大きく形成され、青色に発光する画素には、反射層酸化膜は形成されていない。このように構成すれば、青色に発光する画素にも反射層酸化膜が形成されている場合と比べて、光共振構造をより簡素化させることができる。 In this case, preferably, each of the plurality of pixels is configured to emit light in one light color among red, green, and blue, and the reflective layer oxide film provided in the pixel that emits red light. The film thickness is larger than the film thickness of the reflective layer oxide film provided in the pixel that emits green light, and the reflective layer oxide film is not formed in the pixel that emits blue light. With this configuration, the optical resonance structure can be further simplified as compared with the case where the reflective layer oxide film is formed also on the pixel emitting blue light.

この第２の局面による電子機器は、上記のいずれかの構成を有する液晶表示装置を備える。このように構成すれば、表示装置の構造が複雑化するのを抑制することが可能な液晶表示装置を備える電子機器を得ることができる。 The electronic apparatus according to the second aspect includes a liquid crystal display device having any one of the above-described configurations. If comprised in this way, an electronic device provided with the liquid crystal display device which can suppress that the structure of a display apparatus will be complicated can be obtained.

この発明の第３の局面における表示装置の製造方法は、複数の画素に反射層を形成する工程と、反射層の表面上に、反射層の表面を酸化することにより反射層の酸化物からなるとともに、複数の画素において異なる膜厚を有する単層の反射層酸化膜を形成する工程と、反射層酸化膜の上方に発光層を介して半反射層を形成する工程とを備える。 According to a third aspect of the present invention, there is provided a method for manufacturing a display device, comprising: forming a reflective layer on a plurality of pixels; and oxidizing the surface of the reflective layer on the surface of the reflective layer by forming an oxide of the reflective layer. And a step of forming a single-layer reflective layer oxide film having different thicknesses in a plurality of pixels, and a step of forming a semi-reflective layer above the reflective layer oxide film via a light emitting layer.

この第３の局面による表示装置の製造方法では、上記のように、反射層の表面上に、反射層の表面を酸化することにより反射層の酸化物からなるとともに、複数の画素において異なる膜厚を有する単層の反射層酸化膜を形成する工程を備えることによって、反射層の表面を酸化することにより、容易に、単層の反射層酸化膜を形成するとともに、反射層と半反射層との間の距離を単層の反射層酸化膜により調整することができるので、たとえば、反射層と半反射層との間の距離を積層させて形成した透明電極により調整する場合と比べて、表示装置の構造および製造プロセスが複雑化するのを抑制することができる。 In the display device manufacturing method according to the third aspect, as described above, the surface of the reflective layer is formed by oxidizing the surface of the reflective layer, and the film thickness is different in a plurality of pixels. By forming a single-layer reflective layer oxide film having a step, the surface of the reflective layer is oxidized to easily form a single-layer reflective layer oxide film, and the reflective layer and the semi-reflective layer Can be adjusted by a single-layer reflective layer oxide film, for example, compared with the case of adjusting by a transparent electrode formed by stacking the distance between the reflective layer and the semi-reflective layer Complicating the structure of the apparatus and the manufacturing process can be suppressed.

この場合、好ましくは、反射層酸化膜を形成する工程は、反射層を陽極酸化することにより反射層の酸化物からなる単層の反射層酸化膜を形成する工程を含む。このように構成すれば、反射層を陽極酸化することにより、容易に、単層の反射層酸化膜を形成することができるので、透明電極を積層して形成する場合と比べて、製造工程数が増加するのを抑制することができる。 In this case, preferably, the step of forming the reflective layer oxide film includes a step of forming a single-layer reflective layer oxide film made of the oxide of the reflective layer by anodizing the reflective layer. With this configuration, a single-layer reflective layer oxide film can be easily formed by anodizing the reflective layer, so that the number of manufacturing steps can be increased compared to the case where transparent electrodes are stacked. Can be prevented from increasing.

上記陽極酸化する工程を含む反射層酸化膜を形成する工程を備える表示装置の製造方法において、好ましくは、画素トランジスタを形成する工程をさらに備え、反射層を形成する工程は、反射層と画素トランジスタのソース電極またはドレイン電極の一方とを接続するように反射層を形成する工程を含み、反射層酸化膜を形成する工程は、画素トランジスタから反射層に電圧を印加することにより反射層を陽極酸化することによって、反射層の表面上に反射層酸化膜を形成する工程を含む。このように構成すれば、表示装置に設けられた画素トランジスタを用いて容易に反射層酸化膜を陽極酸化により形成する際の電流を供給することができる。 In the method of manufacturing the display device including the step of forming the reflective layer oxide film including the step of anodizing, preferably, the method further includes the step of forming the pixel transistor, and the step of forming the reflective layer includes the step of forming the reflective layer and the pixel transistor. Including a step of forming a reflective layer so as to connect one of the source electrode and the drain electrode, and the step of forming the reflective layer oxide film comprises anodizing the reflective layer by applying a voltage from the pixel transistor to the reflective layer. Thus, a step of forming a reflective layer oxide film on the surface of the reflective layer is included. If comprised in this way, the electric current at the time of forming a reflecting layer oxide film by anodic oxidation easily can be supplied using the pixel transistor provided in the display apparatus.

上記反射層に電圧を印加する工程を含む反射層酸化膜を形成する工程を備える表示装置の製造方法において、好ましくは、反射層酸化膜を形成する工程は、複数の画素において、反射層に電圧を印加する時間を異ならせることにより異なる膜厚を有する単層の反射層酸化膜を形成する工程を含む。このように構成すれば、反射層に電圧を印加する時間を異ならせることにより、容易に、単層の反射層酸化膜を形成するとともに、反射層と半反射層との間の距離を単層の反射層酸化膜により調整することができるので、たとえば、反射層と半反射層との間の距離を積層させて形成した透明電極により調整する場合と比べて、製造プロセスが複雑化するのを抑制することができる。 In the method of manufacturing a display device including the step of forming a reflective layer oxide film including the step of applying a voltage to the reflective layer, preferably, the step of forming the reflective layer oxide film is performed by applying a voltage to the reflective layer in a plurality of pixels. A step of forming a single-layer reflective layer oxide film having different film thicknesses by varying the time during which the film is applied. With this configuration, the time for applying the voltage to the reflective layer is made different, so that a single-layer reflective layer oxide film can be easily formed, and the distance between the reflective layer and the semi-reflective layer can be set to a single layer. The reflective layer oxide film can be adjusted, so that, for example, the manufacturing process is complicated as compared with the case of adjusting with a transparent electrode formed by laminating the distance between the reflective layer and the semi-reflective layer. Can be suppressed.

以下、本発明の実施形態を図面に基づいて説明する。 Hereinafter, embodiments of the present invention will be described with reference to the drawings.

図１は、本発明の一実施形態によるＥＬ装置（エレクトロルミネッセンス装置）の平面図である。図２および図３は、本発明の一実施形態によるＥＬ装置の画素の平面図である。図４は、図３の１５０−１５０線に沿った断面図である。まず、図１〜図４を参照して、本発明の一実施形態によるＥＬ装置１００の構成について説明する。なお、本発明の一実施形態では、表示装置の一例としてトップエミッション型のＥＬ装置１００に本発明を適用した場合について説明する。 FIG. 1 is a plan view of an EL device (electroluminescence device) according to an embodiment of the present invention. 2 and 3 are plan views of pixels of an EL device according to an embodiment of the present invention. 4 is a cross-sectional view taken along line 150-150 in FIG. First, the configuration of an EL device 100 according to an embodiment of the present invention will be described with reference to FIGS. In the embodiment of the present invention, a case where the present invention is applied to a top emission type EL device 100 as an example of a display device will be described.

本発明の一実施形態によるＥＬ装置１００では、図１に示すように、基板１ａの表面上には、複数の画素２がマトリクス状に配置された表示領域１０１と、表示領域１０１を囲むように配置される非表示領域１０２とが設けられている。非表示領域１０２には、２つの走査線駆動回路３と、１つのデータ線駆動回路４とが設けられている。走査線駆動回路３には、複数のゲート線５が接続されるとともに、データ線駆動回路４には、複数の信号線６が接続されている。表示領域１０１に配置される複数の画素２は、ゲート線５と信号線６とが交差する位置に配置されている。 In the EL device 100 according to an embodiment of the present invention, as shown in FIG. 1, a display area 101 in which a plurality of pixels 2 are arranged in a matrix on a surface of a substrate 1 a and a display area 101 are surrounded. A non-display area 102 to be arranged is provided. In the non-display area 102, two scanning line driving circuits 3 and one data line driving circuit 4 are provided. A plurality of gate lines 5 are connected to the scanning line driving circuit 3, and a plurality of signal lines 6 are connected to the data line driving circuit 4. The plurality of pixels 2 arranged in the display area 101 are arranged at positions where the gate lines 5 and the signal lines 6 intersect.

画素２は、画素選択用のＴＦＴ（ＴｈｉｎＦｉｌｍＴｒａｎｓｉｓｔｏｒ）７と、駆動電流制御用のＴＦＴ８と、保持容量９と、有機ＥＬ素子１０とから構成されている。なお、ＴＦＴ８は、本発明の「画素トランジスタ」の一例である。ＴＦＴ７のゲートは、ゲート線５に接続されている。また、ＴＦＴ７のソース／ドレイン電極の一方は、信号線６に接続されるとともに、他方は、ＴＦＴ８のゲートに接続されている。また、ＴＦＴ８のソース／ドレイン電極の一方は、有機ＥＬ素子１０に接続されるとともに、他方は、共通給電線１１に接続されている。また、ＴＦＴ７のソース／ドレイン電極の他方（ＴＦＴ８のゲート）と共通給電線１１との間には、保持容量９が設けられている。 The pixel 2 includes a pixel selection TFT (Thin Film Transistor) 7, a drive current control TFT 8, a storage capacitor 9, and an organic EL element 10. The TFT 8 is an example of the “pixel transistor” in the present invention. The gate of the TFT 7 is connected to the gate line 5. One of the source / drain electrodes of the TFT 7 is connected to the signal line 6 and the other is connected to the gate of the TFT 8. One of the source / drain electrodes of the TFT 8 is connected to the organic EL element 10 and the other is connected to the common power supply line 11. Further, a storage capacitor 9 is provided between the other of the source / drain electrodes of the TFT 7 (the gate of the TFT 8) and the common power supply line 11.

次に、図２〜図４を参照して、本発明の一実施形態による画素２の詳細な構成について説明する。 Next, the detailed configuration of the pixel 2 according to the embodiment of the present invention will be described with reference to FIGS.

図４に示すように、ＥＬ装置１００の画素２では、基板１ａの表面上には、バッファ膜１２およびバッファ膜１３が形成されている。このバッファ膜１２は、シリコン窒化膜（ＳｉＮ膜）からなるとともに、バッファ膜１３は、シリコン酸化膜（ＳｉＯ_２膜）からなる。バッファ膜１３の表面上の画素選択用のＴＦＴ７、および、駆動電流制御用のＴＦＴ８が形成される領域には、それぞれ、ポリシリコンなどからなる能動層１４１、および、能動層１４２が形成されている。 As shown in FIG. 4, in the pixel 2 of the EL device 100, the buffer film 12 and the buffer film 13 are formed on the surface of the substrate 1a. The buffer film 12 is made of a silicon nitride film (SiN film), and the buffer film 13 is made of a silicon oxide film (SiO ₂ film). An active layer 141 and an active layer 142 made of polysilicon or the like are formed in regions where the pixel selection TFT 7 and the drive current control TFT 8 are formed on the surface of the buffer film 13, respectively. .

バッファ膜１３の表面上には、能動層１４１（１４２）を覆うように絶縁膜１５が形成されている。なお、絶縁膜１５の能動層１４１（１４２）上に位置する部分は、ゲート絶縁膜として機能する。この絶縁膜１５は、シリコン酸化膜やシリコン窒化膜からなる。ＴＦＴ７のゲート絶縁膜として機能する絶縁膜１５の表面上には、ゲート電極５１（ゲート線５）が形成されている。このゲート電極５１は、クロムやモリブデンなどからなる。ＴＦＴ８のゲート絶縁膜として機能する絶縁膜１５の表面上には、ゲート電極５２が形成されている。絶縁膜１５、ゲート電極５１およびゲート電極５２の表面上には、ＳｉＯ_２などからなる層間絶縁膜１６が形成されている。 An insulating film 15 is formed on the surface of the buffer film 13 so as to cover the active layer 141 (142). Note that a portion of the insulating film 15 located on the active layer 141 (142) functions as a gate insulating film. The insulating film 15 is made of a silicon oxide film or a silicon nitride film. A gate electrode 51 (gate line 5) is formed on the surface of the insulating film 15 functioning as a gate insulating film of the TFT 7. The gate electrode 51 is made of chromium, molybdenum, or the like. A gate electrode 52 is formed on the surface of the insulating film 15 functioning as a gate insulating film of the TFT 8. On the surfaces of the insulating film 15, the gate electrode 51 and the gate electrode 52, an interlayer insulating film 16 made of SiO ₂ or the like is formed.

また、図２に示すように、保持容量９は、能動層１４１（１４２）と同一層から形成されている活性層９１上に絶縁膜１５（図４参照）を介してゲート層９２が形成されることにより構成されている。 As shown in FIG. 2, in the storage capacitor 9, a gate layer 92 is formed on an active layer 91 formed of the same layer as the active layer 141 (142) via an insulating film 15 (see FIG. 4). It is constituted by.

また、図４に示すように、絶縁膜１５には、能動層１４１（１４２）のソース領域１４１ａ（１４２ａ）を露出するためのコンタクトホール１５１ａ（１５２ａ）、および、ドレイン領域１４１ｂ（１４２ｂ）を露出するためのコンタクトホール１５１ｂ（１５２ｂ）が形成されている。層間絶縁膜１６には、能動層１４１（１４２）のソース領域１４１ａ（１４２ａ）を露出するためのコンタクトホール１６１ａ（１６２ａ）、および、ドレイン領域１４１ｂ（１４２ｂ）を露出するためのコンタクトホール１６１ｂ（１６２ｂ）が形成されている。 As shown in FIG. 4, the insulating film 15 has a contact hole 151a (152a) for exposing the source region 141a (142a) of the active layer 141 (142) and a drain region 141b (142b) exposed. A contact hole 151b (152b) is formed. The interlayer insulating film 16 has a contact hole 161a (162a) for exposing the source region 141a (142a) of the active layer 141 (142) and a contact hole 161b (162b) for exposing the drain region 141b (142b). ) Is formed.

コンタクトホール１６１ａ（１６２ａ）には、能動層１４１（１４２）のソース領域１４１ａ（１４２ａ）に接続するようにソース電極１７（１８）が形成されるとともに、コンタクトホール１６１ｂ（１６２ｂ）には、能動層１４１（１４２）のドレイン領域１４１ｂ（１４２ｂ）に接続するようにドレイン電極１９（２０）が形成されている。 A source electrode 17 (18) is formed in the contact hole 161a (162a) so as to be connected to the source region 141a (142a) of the active layer 141 (142), and the contact hole 161b (162b) has an active layer. A drain electrode 19 (20) is formed so as to be connected to the drain region 141b (142b) of 141 (142).

また、図３に示すように、保持容量９の活性層９１と、ＴＦＴ７のソース電極１７（ソース領域１４１ａ）と、ＴＦＴ８のゲート電極５２とは、配線層９３により電気的に接続されている。また、保持容量９のゲート層９２と、ＴＦＴ８のドレイン電極２０（ドレイン領域１４２ｂ）と、共通給電線１１とは、電気的に接続されている。 As shown in FIG. 3, the active layer 91 of the storage capacitor 9, the source electrode 17 (source region 141 a) of the TFT 7, and the gate electrode 52 of the TFT 8 are electrically connected by a wiring layer 93. Further, the gate layer 92 of the storage capacitor 9, the drain electrode 20 (drain region 142 b) of the TFT 8, and the common power supply line 11 are electrically connected.

ソース電極１７（１８）、ドレイン電極１９（２０）および層間絶縁膜１６の表面上には、シリコン窒化膜（ＳｉＮ膜）からなり、約３００ｎｍの厚みを有するパッシベーション膜２１が形成されている。 On the surfaces of the source electrode 17 (18), the drain electrode 19 (20) and the interlayer insulating film 16, a passivation film 21 made of a silicon nitride film (SiN film) and having a thickness of about 300 nm is formed.

パッシベーション膜２１の表面上には、感光性のアクリル樹脂からなる有機平坦化膜２２が形成されている。パッシベーション膜２１および有機平坦化膜２２には、それぞれ、コンタクトホール２１ａおよびコンタクトホール２２ａが形成されている。このコンタクトホール２１ａおよび２２ａは、ＴＦＴ８のソース電極１８を露出させるために形成されている。また、有機平坦化膜２２の表面上の画素２（Ｒ（赤色）、Ｇ（緑色）およびＢ（青色））に対応する領域毎に、それぞれ、アルミニウム膜やアルミニウム合金膜からなる反射層２３が形成されている。 On the surface of the passivation film 21, an organic planarizing film 22 made of a photosensitive acrylic resin is formed. A contact hole 21a and a contact hole 22a are formed in the passivation film 21 and the organic planarizing film 22, respectively. The contact holes 21a and 22a are formed to expose the source electrode 18 of the TFT 8. Further, for each region corresponding to the pixel 2 (R (red), G (green), and B (blue)) on the surface of the organic planarizing film 22, a reflective layer 23 made of an aluminum film or an aluminum alloy film is formed. Is formed.

ここで、本実施形態では、反射層２３は、コンタクトホール２１ａおよび２２ａを介してＴＦＴ８のソース電極１８と電気的に接続されている。また、反射層２３の表面（上面および側面）上の略全領域には、平面的に見て、反射層２３が陽極酸化された酸化物からなる単層の反射層酸化膜２４が形成されている。また、反射層酸化膜２４は、画素２毎に設けられた、後述する有機発光層２７からパネル外部に出射される光の色（Ｒ（赤色）、Ｇ（緑色）およびＢ（青色））に対応するように異なる膜厚に形成されている。具体的には、有機発光層２７からパネル外部に出射される光の色がＲ（赤色）の画素２の領域では、反射層酸化膜２４１は、約４８ｎｍの膜厚ｔ１に形成されている。また、有機発光層２７からパネル外部に出射される光の色がＧ（緑色）の画素２の領域では、反射層酸化膜２４２は、約２４ｎｍの膜厚ｔ２に形成されている。なお、有機発光層２７からパネル外部に出射される光の色がＢ（青色）の画素２の領域では、反射層酸化膜２４は、０ｎｍの膜厚である（形成されていない）。このように、複数の画素２は、最大強度を有する波長が異なる光（Ｒ（赤色）、Ｇ（緑色）およびＢ（青色））を発光するように構成されており、最大強度を有する波長が長い光（たとえば、Ｒ（赤色））を発光する画素２に設けられた反射層酸化膜２４１の膜厚ｔ１は、最大強度を有する波長が短い光（たとえば、Ｇ（緑色））を発光する画素２に設けられた反射層酸化膜２４２の膜厚ｔ２よりも大きく形成されている。 Here, in the present embodiment, the reflective layer 23 is electrically connected to the source electrode 18 of the TFT 8 via the contact holes 21a and 22a. Further, in almost the entire region on the surface (upper surface and side surface) of the reflective layer 23, a single-layer reflective layer oxide film 24 made of an oxide obtained by anodizing the reflective layer 23 is formed in plan view. Yes. Further, the reflective layer oxide film 24 is provided for each color of light (R (red), G (green), and B (blue)) emitted from the organic light emitting layer 27 (described later) to the outside of the panel. The film thicknesses are different so as to correspond. Specifically, in the region of the pixel 2 in which the color of light emitted from the organic light emitting layer 27 to the outside of the panel is R (red), the reflective layer oxide film 241 is formed with a film thickness t1 of about 48 nm. In the region of the pixel 2 in which the color of light emitted from the organic light emitting layer 27 to the outside of the panel is G (green), the reflective layer oxide film 242 is formed with a film thickness t2 of about 24 nm. In the region of the pixel 2 where the color of light emitted from the organic light emitting layer 27 to the outside of the panel is B (blue), the reflective layer oxide film 24 has a thickness of 0 nm (not formed). Thus, the plurality of pixels 2 are configured to emit light (R (red), G (green), and B (blue)) having different wavelengths having the maximum intensity, and the wavelength having the maximum intensity is The thickness t1 of the reflective layer oxide film 241 provided in the pixel 2 that emits long light (for example, R (red)) is a pixel that emits light having a maximum intensity and a short wavelength (for example, G (green)). 2 is formed to be larger than the film thickness t2 of the reflection layer oxide film 242 provided on the surface 2.

このように、有機発光層２７からの光を対向電極２８（半反射層）と反射層２３との間で共振させ、光強度を強めた状態で対向電極２８（半反射層）側から光を出射させることが可能である。また、対向電極２８（半反射層）と反射層２３との間の距離は、反射層酸化膜２４の厚みにより調整され、対向電極２８（半反射層）と反射層２３との間の距離に対応した波長の光（Ｒ（赤色）Ｇ（緑色）およびＢ（青色））が対向電極２８（半反射層）側から出射される。 In this way, light from the organic light emitting layer 27 is resonated between the counter electrode 28 (semi-reflective layer) and the reflective layer 23, and light is increased from the counter electrode 28 (semi-reflective layer) side in a state where the light intensity is increased. It is possible to emit. Further, the distance between the counter electrode 28 (semi-reflective layer) and the reflective layer 23 is adjusted by the thickness of the reflective layer oxide film 24, and is the distance between the counter electrode 28 (semi-reflective layer) and the reflective layer 23. Corresponding wavelengths of light (R (red) G (green) and B (blue)) are emitted from the counter electrode 28 (semi-reflective layer) side.

また、ＴＦＴ８のソース電極１８、パッシベーション膜２１のコンタクトホール２１ａ、有機平坦化膜２２のコンタクトホール２２ａおよび反射層酸化膜２４の表面を覆うように、ＩＴＯ（酸化インジウムスズ）などの透明電極からなる画素電極２５が形成されている。この画素電極２５は、コンタクトホール２２ａおよび２１ａを介してソース電極１８と接続されている。この画素電極２５は、画素２毎に設けられており、表示信号に応じた電圧が印加されるように構成されている。 In addition, the source electrode 18 of the TFT 8, the contact hole 21a of the passivation film 21, the contact hole 22a of the organic planarization film 22, and the transparent layer oxide film 24 are made of a transparent electrode such as ITO (indium tin oxide). A pixel electrode 25 is formed. The pixel electrode 25 is connected to the source electrode 18 through contact holes 22a and 21a. The pixel electrode 25 is provided for each pixel 2 and is configured to be applied with a voltage corresponding to a display signal.

また、隣接する各画素２の間の領域には、画素電極２５の表面上を覆うように、それぞれ、隔壁２６が形成されている。 In addition, partition walls 26 are formed in regions between adjacent pixels 2 so as to cover the surface of the pixel electrode 25.

また、隔壁２６および画素電極２５を覆うように有機発光層２７が形成されている。なお、有機発光層２７は、本発明の「発光層」の一例である。また、有機発光層２７の表面上には、マグネシウムおよび銀などの金属からなり、半反射可能な対向電極２８が形成されている。なお、対向電極２８は、本発明の「半反射層」の一例である。また、画素電極２５、有機発光層２７および対向電極２８により、有機ＥＬ素子層（有機エレクトロルミネッセンス素子層）２９が構成される。有機ＥＬ素子層２９の対向電極２８上には、封止膜３０が形成されている。封止膜３０の表面上には、接着層３１を介して封止基板３２が貼り合わされている。 An organic light emitting layer 27 is formed so as to cover the partition wall 26 and the pixel electrode 25. The organic light emitting layer 27 is an example of the “light emitting layer” in the present invention. Further, on the surface of the organic light emitting layer 27, a counter electrode 28 made of a metal such as magnesium and silver and capable of semi-reflection is formed. The counter electrode 28 is an example of the “semi-reflective layer” in the present invention. The pixel electrode 25, the organic light emitting layer 27, and the counter electrode 28 constitute an organic EL element layer (organic electroluminescence element layer) 29. A sealing film 30 is formed on the counter electrode 28 of the organic EL element layer 29. On the surface of the sealing film 30, a sealing substrate 32 is bonded via an adhesive layer 31.

画素電極２５を陽極、対向電極２８を陰極とした場合には、共通給電線１１に正電源、対向電極２８に負電源を接続する。そして、ＴＦＴ７により選択された画素２は、信号線６からの信号に応じてＴＦＴ８により共通給電線１１からの駆動電流が制御されるとともに画素電極２５に印加される。これにより、有機発光層２７から光を出射させることが可能である。 When the pixel electrode 25 is an anode and the counter electrode 28 is a cathode, a positive power source is connected to the common feed line 11 and a negative power source is connected to the counter electrode 28. In the pixel 2 selected by the TFT 7, the drive current from the common power supply line 11 is controlled by the TFT 8 according to the signal from the signal line 6 and applied to the pixel electrode 25. Thereby, light can be emitted from the organic light emitting layer 27.

図５は、本発明の一実施形態によるＥＬ装置の製造プロセスを説明するためのフロー図である。図６〜図１０は、本発明の一実施形態によるＥＬ装置の製造プロセスを説明するための断面図である。図１１は、本発明の一実施形態によるＥＬ装置の陽極酸化を説明するための図である。図１２〜図１６は、本発明の一実施形態によるＥＬ装置の製造プロセスを説明するための断面図である。次に、図４および図５〜図１６を参照して、本発明の一実施形態によるＥＬ装置１００の製造プロセスについて説明する。 FIG. 5 is a flowchart for explaining a manufacturing process of an EL device according to an embodiment of the present invention. 6 to 10 are cross-sectional views for explaining a manufacturing process of an EL device according to an embodiment of the present invention. FIG. 11 is a diagram for explaining anodic oxidation of an EL device according to an embodiment of the present invention. 12 to 16 are cross-sectional views for explaining a manufacturing process of an EL device according to an embodiment of the present invention. Next, a manufacturing process of the EL device 100 according to the embodiment of the present invention will be described with reference to FIGS. 4 and 5 to 16.

まず、図５に示すように、本発明の一実施形態によるＥＬ装置１００の製造プロセスでは、工程Ｓ１において、図６に示すように、基板１ａの表面上に形成されたバッファ膜１２および１３の表面上に、ＴＦＴ７および８を形成する。 First, as shown in FIG. 5, in the manufacturing process of the EL device 100 according to the embodiment of the present invention, in step S1, the buffer films 12 and 13 formed on the surface of the substrate 1a as shown in FIG. TFTs 7 and 8 are formed on the surface.

次に、工程Ｓ２において、図７に示すように、ＴＦＴ７、ＴＦＴ８および層間絶縁膜１６の表面上に、ＣＶＤ（ＣｈｅｍｉｃａｌＶａｐｏｒＤｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）法により、シリコン窒化膜（ＳｉＮ膜）からなるパッシベーション膜２１を形成する。このパッシベーション膜２１は、保護膜としての機能を有する。 Next, in step S2, as shown in FIG. 7, a passivation film 21 made of a silicon nitride film (SiN film) is formed on the surfaces of TFT 7, TFT 8 and interlayer insulating film 16 by the CVD (Chemical Vapor Deposition) method. To do. The passivation film 21 has a function as a protective film.

次に、工程Ｓ３において、図８に示すように、パッシベーション膜２１の表面上に、塗布法により、感光性のアクリル樹脂を塗布することによって有機平坦化膜２２を形成する。 Next, in step S3, as shown in FIG. 8, an organic planarizing film 22 is formed on the surface of the passivation film 21 by applying a photosensitive acrylic resin by a coating method.

次に、工程Ｓ４において、図９に示すように、ＴＦＴ８のソース電極１８の上方に位置する有機平坦化膜２２およびパッシベーション膜２１をフォトリソグラフィ技術またはドライエッチングなどにより、コンタクトホール２２ａおよび２１ａを形成する。これにより、ソース電極１８の表面を露出させることができる。 Next, in step S4, as shown in FIG. 9, contact holes 22a and 21a are formed in the organic planarization film 22 and the passivation film 21 located above the source electrode 18 of the TFT 8 by photolithography or dry etching. To do. Thereby, the surface of the source electrode 18 can be exposed.

次に、工程Ｓ５において、図１０に示すように、有機平坦化膜２２の表面上およびＴＦＴ８のソース電極１８の表面上に、スパッタ法により、アルミニウム膜やアルミニウム合金膜などからなる金属層を形成する。その後、フォトリソグラフィ技術により、アルミニウム膜やアルミニウム合金膜の表面上にレジスト膜（図示せず）を形成した後、そのレジスト膜をマスクとしてエッチングすることによって反射層２３を形成する。そして、レジスト膜を除去する。反射層２３とＴＦＴ８のソース電極１８とが電気的に接続される。 Next, in step S5, as shown in FIG. 10, a metal layer made of an aluminum film, an aluminum alloy film, or the like is formed on the surface of the organic planarizing film 22 and the surface of the source electrode 18 of the TFT 8 by sputtering. To do. Thereafter, a resist film (not shown) is formed on the surface of the aluminum film or aluminum alloy film by a photolithography technique, and then the reflective layer 23 is formed by etching using the resist film as a mask. Then, the resist film is removed. The reflective layer 23 and the source electrode 18 of the TFT 8 are electrically connected.

次に、本実施形態では、工程Ｓ６において、アルミニウム膜やアルミニウム合金膜などからなる反射層２３を陽極酸化させることにより反射層酸化膜２４を形成する。この反射層酸化膜２４は、反射層２３の酸化物からなる単層のアルミナなどからなる。具体的には、図１１に示すように、複数のＴＦＴ基板１ａを含む大板ガラス基板１の状態で陽極酸化を行う。まず、それぞれのＴＦＴ基板１ａに形成されているゲート線５、信号線６および共通給電線１１に導通する引き出し配線３３を大板ガラス基板１のガラス端Ａまで形成するとともに、パネル駆動回路４０の一方に接続する。また、陰極４１をパネル駆動回路４０の他方に接続する。そして、大板ガラス基板１および陰極４１を硫酸などの溶液が設けられた槽４２内に配置する。 Next, in this embodiment, in step S6, the reflective layer oxide film 24 is formed by anodizing the reflective layer 23 made of an aluminum film, an aluminum alloy film, or the like. The reflective layer oxide film 24 is made of a single layer alumina made of the oxide of the reflective layer 23 or the like. Specifically, as shown in FIG. 11, anodization is performed in a state of a large glass substrate 1 including a plurality of TFT substrates 1a. First, the lead-out wiring 33 that is electrically connected to the gate line 5, the signal line 6, and the common power supply line 11 formed on each TFT substrate 1 a is formed up to the glass end A of the large glass substrate 1, and one of the panel drive circuits 40 is formed. Connect to. Further, the cathode 41 is connected to the other side of the panel drive circuit 40. And the large glass substrate 1 and the cathode 41 are arrange | positioned in the tank 42 in which solutions, such as a sulfuric acid, were provided.

この後、パネル駆動回路４０を駆動させることにより、パネル駆動回路４０から、図１に示す、各画素２のＴＦＴ７にデータ線６を介して信号が入力されるとともに、走査線５を介して信号が入力される。そして、信号が入力された画素２のＴＦＴ８が駆動され、共通給電線１１から、図１２に示す、各ＴＦＴ８のソース電極１８から各画素２のそれぞれの反射層２３に＋１５Ｖの電圧が印加される。また、陰極４１には、−１５Ｖの電圧が印加される。これにより、各画素２のそれぞれの反射層２３が陽極酸化され、反射層２３の表面上に反射層２３の酸化物からなる単層の反射層酸化膜２４が形成される。そして、反射層酸化膜２４が所望の膜厚に達した際には、印加されている電圧を＋１５Ｖから−１５Ｖに切り替えることにより、反射層２３の陽極酸化を停止させる。 Thereafter, by driving the panel drive circuit 40, a signal is input from the panel drive circuit 40 to the TFT 7 of each pixel 2 shown in FIG. Is entered. Then, the TFT 8 of the pixel 2 to which the signal is input is driven, and a voltage of +15 V is applied from the common power supply line 11 to the reflection layer 23 of each pixel 2 from the source electrode 18 of each TFT 8 shown in FIG. . Further, a voltage of −15 V is applied to the cathode 41. As a result, the reflective layer 23 of each pixel 2 is anodized, and a single-layer reflective layer oxide film 24 made of the oxide of the reflective layer 23 is formed on the surface of the reflective layer 23. When the reflective layer oxide film 24 reaches a desired film thickness, the applied voltage is switched from + 15V to −15V to stop the anodic oxidation of the reflective layer 23.

具体的な反射層酸化膜２６の製造プロセスとしては、まず、陰極４１に−１５Ｖの電圧を印加するとともに、有機発光層２７から出射される光の色がＲ（赤色）およびＧ（緑色）のそれぞれの画素２の反射層２３に＋１５Ｖの電圧を印加する。このとき、Ｂ（青色）の画素２の反射層２３には、−１５Ｖの電圧を印加する。これにより、Ｂ（青色）の画素２の反射層２３の表面上には、反射層酸化膜２４は形成されない。一方、Ｒ（赤色）およびＧ（緑色）の画素２の反射層２３の表面上には、反射層酸化膜２６が成長しながら形成される。 As a specific manufacturing process of the reflective layer oxide film 26, first, a voltage of −15 V is applied to the cathode 41, and the colors of light emitted from the organic light emitting layer 27 are R (red) and G (green). A voltage of +15 V is applied to the reflective layer 23 of each pixel 2. At this time, a voltage of −15 V is applied to the reflective layer 23 of the B (blue) pixel 2. Thus, the reflective layer oxide film 24 is not formed on the surface of the reflective layer 23 of the B (blue) pixel 2. On the other hand, a reflective layer oxide film 26 is formed on the surface of the reflective layer 23 of the R (red) and G (green) pixels 2 while growing.

次に、Ｇ（緑色）の画素２の反射層２３の表面上に、約２４ｎｍの膜厚の反射層酸化膜２４２が形成された時点で、Ｇ（緑色）の画素２の反射層２３に印加されている電圧を＋１５Ｖから−１５Ｖに切り替える。これにより、Ｇ（緑色）の画素２の反射層２３の表面上には、約２４ｎｍの膜厚の反射層酸化膜２４２が形成される。 Next, when a reflective layer oxide film 242 having a film thickness of about 24 nm is formed on the surface of the reflective layer 23 of the G (green) pixel 2, it is applied to the reflective layer 23 of the G (green) pixel 2. The voltage being switched is switched from + 15V to −15V. As a result, a reflective layer oxide film 242 having a thickness of about 24 nm is formed on the surface of the reflective layer 23 of the G (green) pixel 2.

次に、Ｒ（赤色）の画素２の反射層２３の表面上に、約４８ｎｍの膜厚の反射層酸化膜２４１が形成された時点で、Ｒ（赤色）の画素２の反射層２３に印加されている電圧を＋１５Ｖから−１５Ｖに切り替える。これにより、Ｒ（赤色）の画素２の反射層２３の表面上には、約４８ｎｍの膜厚の反射層酸化膜２４１が形成される。このように、反射層酸化膜２４は、画素２毎に発光されるＲ（赤色）、Ｇ（緑色）およびＢ（青色）の光の色に対応するように、反射層２３に電圧を印加する時間を異ならせることにより形成されている。この後、各画素２に形成された反射層酸化膜２４の封孔処理を沸騰水中で行う。 Next, when a reflective layer oxide film 241 having a film thickness of about 48 nm is formed on the surface of the reflective layer 23 of the R (red) pixel 2, it is applied to the reflective layer 23 of the R (red) pixel 2. The voltage being switched is switched from + 15V to −15V. As a result, a reflective layer oxide film 241 having a thickness of about 48 nm is formed on the surface of the reflective layer 23 of the R (red) pixel 2. Thus, the reflective layer oxide film 24 applies a voltage to the reflective layer 23 so as to correspond to the colors of R (red), G (green), and B (blue) light emitted for each pixel 2. It is formed by making time different. Thereafter, the reflection layer oxide film 24 formed in each pixel 2 is sealed in boiling water.

次に、工程Ｓ７において、図１３に示すように、反射層酸化膜２４の表面を覆うように、スパッタ法により、ＩＴＯなどの透明電極を形成する。その後、フォトリソグラフィ技術により、透明電極の表面上にレジスト膜（図示せず）を形成した後、そのレジスト膜をマスクとしてエッチングすることによって画素電極２５を形成する。そして、レジスト膜を除去する。これにより、画素電極２５とＴＦＴ８のソース電極１８とが電気的に接続される。 Next, in step S7, as shown in FIG. 13, a transparent electrode such as ITO is formed by sputtering so as to cover the surface of the reflective layer oxide film 24. Then, after forming a resist film (not shown) on the surface of the transparent electrode by photolithography, the pixel electrode 25 is formed by etching using the resist film as a mask. Then, the resist film is removed. Thereby, the pixel electrode 25 and the source electrode 18 of the TFT 8 are electrically connected.

次に、工程Ｓ８において、図１３に示すように、隣接する各画素２の間の領域に、有機平坦化膜２２および画素電極２５の表面上を覆うように、塗布法により、感光性のアクリル樹脂からなる隔壁２６を形成する。 Next, in step S8, as shown in FIG. 13, a photosensitive acrylic resin is coated by a coating method so as to cover the surface of the organic planarizing film 22 and the pixel electrode 25 in a region between adjacent pixels 2. A partition wall 26 made of resin is formed.

次に、工程Ｓ９において、隔壁２６を形成した後に、アニール処理（脱水処理）を行う。これにより、有機平坦化膜２２および隔壁２６が含んでいた水分を放出させることができる。 Next, in step S9, after forming the partition walls 26, annealing treatment (dehydration treatment) is performed. Thereby, the water contained in the organic planarizing film 22 and the partition wall 26 can be released.

次に、工程Ｓ１０において、図１４に示すように、隔壁２６および画素電極２５の表面上を覆うように、有機発光層２７を形成する。なお、有機発光層２７は、低分子材料または高分子材料のいずれか１つから形成してもよい。たとえば、高分子材料により有機発光層を形成する場合では、スピンコート法により液状組成物を塗布した後に、パターニングを行うことにより形成する方法がある。低分子材料により有機発光層を形成する場合では、低分子材料を選択的に蒸着することにより形成する方法や、低分子材料を蒸着した後に、パターニングを行うことにより形成する方法がある。また、有機発光層２７は、単層に形成してもよいし、複数の層から形成してもよい。 Next, in step S10, an organic light emitting layer 27 is formed so as to cover the surfaces of the partition walls 26 and the pixel electrodes 25 as shown in FIG. The organic light emitting layer 27 may be formed of any one of a low molecular material or a high molecular material. For example, when an organic light emitting layer is formed of a polymer material, there is a method of forming a liquid composition by spin coating and then patterning. In the case of forming an organic light emitting layer with a low molecular material, there are a method of forming by selectively depositing a low molecular material and a method of forming by patterning after depositing a low molecular material. The organic light emitting layer 27 may be formed as a single layer or a plurality of layers.

次に、工程Ｓ１１において、図１５に示すように、有機発光層２７の表面上に、蒸着法により、マグネシウムおよび銀などの金属からなるとともに、半反射可能な対向電極２８を形成する。これにより、有機ＥＬ素子層２９（画素電極２５、有機発光層２７および対向電極２８）が形成される。 Next, in step S11, as shown in FIG. 15, a counter electrode 28 made of a metal such as magnesium and silver and semi-reflective is formed on the surface of the organic light emitting layer 27 by vapor deposition. Thereby, the organic EL element layer 29 (the pixel electrode 25, the organic light emitting layer 27, and the counter electrode 28) is formed.

次に、工程Ｓ１２において、図１６に示すように、対向電極２８の表面上に、シリコン窒化膜（ＳｉＮ膜）からなる封止膜３０を形成する。その後、図４に示すように、封止膜３０の表面上に、接着層３１を形成し、封止基板３２を貼り合わせる。このようにして、本実施形態によるＥＬ装置１００が完成される。 Next, in step S12, as shown in FIG. 16, a sealing film 30 made of a silicon nitride film (SiN film) is formed on the surface of the counter electrode. Thereafter, as shown in FIG. 4, an adhesive layer 31 is formed on the surface of the sealing film 30, and the sealing substrate 32 is bonded thereto. In this way, the EL device 100 according to the present embodiment is completed.

本実施形態では、上記のように、反射層２３の表面上に形成された反射層２３の酸化物からなる単層の反射層酸化膜２４を、複数の画素２が、異なる膜厚の反射層酸化膜２４を有するように形成することによって、反射層２３と対向電極２８（半反射層）との間の距離を単層の反射層酸化膜２４により調整することができるので、透明電極（画素電極２５）の積層数を調整することにより、反射層２３と対向電極２８（半反射層）との間の距離を調整する場合と比べて、表示装置１００の構造および製造プロセスが複雑化するのを抑制することができる。 In the present embodiment, as described above, a single-layer reflective layer oxide film 24 made of an oxide of the reflective layer 23 formed on the surface of the reflective layer 23 is used as a reflective layer having a plurality of pixels 2 having different thicknesses. By forming the oxide film 24 so that the distance between the reflective layer 23 and the counter electrode 28 (semi-reflective layer) can be adjusted by the single-layer reflective layer oxide film 24, the transparent electrode (pixel By adjusting the number of stacked electrodes 25), the structure and manufacturing process of the display device 100 are complicated compared to the case of adjusting the distance between the reflective layer 23 and the counter electrode 28 (semi-reflective layer). Can be suppressed.

また、本実施形態では、上記のように、反射層２３を、ＴＦＴ８のソース電極１８と接続することによって、表示装置１００に設けられたＴＦＴ８を用いて、反射層２３に電圧を印加することができるので、反射層２３の表面を陽極酸化して、反射層２３の表面に反射層酸化膜２４を形成することができる。これにより、反射層２３を陽極酸化する際に、別途、電圧を印加するための素子を表示装置１００に設けることなく反射層２３の表面に反射層酸化膜２４を形成することができる。 In the present embodiment, as described above, by connecting the reflective layer 23 to the source electrode 18 of the TFT 8, a voltage can be applied to the reflective layer 23 using the TFT 8 provided in the display device 100. Thus, the surface of the reflective layer 23 can be anodized to form the reflective layer oxide film 24 on the surface of the reflective layer 23. Thereby, when the reflective layer 23 is anodized, the reflective layer oxide film 24 can be formed on the surface of the reflective layer 23 without providing a separate element for applying a voltage to the display device 100.

また、本実施形態では、上記のように、反射層酸化膜２４を、平面的に見て、反射層２３の上面上の略全域に形成することによって、たとえば、反射層酸化膜２４が反射層２３の上面上の一部に形成されている場合と異なり、反射層２３と対向電極２８（半反射層）との間の距離を反射層２３の上面上の全域にわたって均一にすることができる。 Further, in the present embodiment, as described above, the reflective layer oxide film 24 is formed over substantially the entire area on the upper surface of the reflective layer 23 as viewed in a plan view. Unlike the case where the reflective layer 23 and the counter electrode 28 (semi-reflective layer) are formed, the distance between the reflective layer 23 and the counter electrode 28 (semi-reflective layer) can be made uniform over the entire upper surface of the reflective layer 23.

また、本実施形態では、上記のように、反射層酸化膜２４と有機発光層２７との間に、単層の画素電極２５を形成することによって、たとえば、Ｒ（赤色）、Ｇ（緑色）およびＢ（青色）に対応して、反射層２３と対向電極２８（半反射層）との間の距離を調整するために画素電極２５を最大３層積層させる場合と比べて、画素電極２５の構造を簡素化することができる。 In the present embodiment, as described above, by forming the single-layer pixel electrode 25 between the reflective layer oxide film 24 and the organic light emitting layer 27, for example, R (red), G (green), for example. And B (blue) corresponding to the pixel electrode 25 as compared with the case of stacking up to three pixel electrodes 25 in order to adjust the distance between the reflective layer 23 and the counter electrode 28 (semi-reflective layer). The structure can be simplified.

また、本実施形態では、上記のように、最大強度を有する波長が長い光（たとえば、Ｒ（赤色））を発光する画素２に設けられた反射層酸化膜２４１の膜厚ｔ１を、最大強度を有する波長が短い光（Ｇ（緑色））を発光する画素２に設けられた反射層酸化膜２４２の膜厚ｔ２よりも大きく形成することによって、反射層酸化膜２４を波長の長さに応じた膜厚に形成されているので、波長の長さに応じて反射層２３と対向電極２８（半反射層）との間の距離を調整することができる。 In the present embodiment, as described above, the film thickness t1 of the reflective layer oxide film 241 provided in the pixel 2 that emits light having a maximum intensity and a long wavelength (for example, R (red)) is set to the maximum intensity. By forming the reflective layer oxide film 24 larger than the thickness t2 of the reflective layer oxide film 242 provided in the pixel 2 that emits light having a short wavelength (G (green)), the reflective layer oxide film 24 is formed according to the length of the wavelength. Therefore, the distance between the reflective layer 23 and the counter electrode 28 (semi-reflective layer) can be adjusted according to the length of the wavelength.

また、本実施形態では、上記のように、Ｒ（赤色）の光の色に発光する画素２に設けられた反射層酸化膜２４１の膜厚ｔ１を、Ｇ（緑色）の光の色に発光する画素２に設けられた反射層酸化膜２４２の膜厚ｔ２よりも大きく形成し、Ｂ（青色）の光の色に発光する画素２には、反射層酸化膜２４を形成しないことによって、Ｂ（青色）に発光する画素２にも反射層酸化膜２４が形成されている場合と比べて、光共振構造をより簡素化させることができる。 In the present embodiment, as described above, the film thickness t1 of the reflective layer oxide film 241 provided in the pixel 2 that emits light of R (red) light is emitted to the color of G (green) light. By forming the reflective layer oxide film 24 larger than the film thickness t2 of the reflective layer oxide film 242 provided in the pixel 2 to be emitted and emitting the B (blue) light color, the reflective layer oxide film 24 is not formed. Compared with the case where the reflective layer oxide film 24 is also formed in the pixel 2 that emits light in (blue), the optical resonance structure can be further simplified.

また、本実施形態では、上記のように、反射層２３の表面上に、反射層２３の表面を陽極酸化することにより反射層２３の酸化物からなるとともに、複数の画素２毎において異なる膜厚を有する単層の反射層酸化膜２４を形成することによって、反射層２３の表面を陽極酸化することにより、容易に、単層の反射層酸化膜２４を形成するとともに、反射層２３と対向電極２８（半反射層）との間の距離を単層の反射層酸化膜２４により調整することができるので、反射層と半反射層との間の距離を積層させて形成した透明電極により調整する場合と比べて、表示装置１００の構造および製造プロセスが複雑化することを抑制することができる。 In the present embodiment, as described above, the surface of the reflective layer 23 is made of an oxide of the reflective layer 23 by anodizing the surface of the reflective layer 23, and has a different thickness for each of the plurality of pixels 2. By forming a single-layer reflective layer oxide film 24 having an anodization on the surface of the reflective layer 23, a single-layer reflective layer oxide film 24 can be easily formed, and the reflective layer 23 and the counter electrode Since the distance between the reflective layer and the semi-reflective layer can be adjusted by the single-layer reflective layer oxide film 24, the distance between the reflective layer and the semi-reflective layer is adjusted by a transparent electrode. Compared to the case, it is possible to prevent the structure and manufacturing process of the display device 100 from becoming complicated.

また、本実施形態では、上記のように、ＴＦＴ８から反射層２３に電圧を印加することにより、反射層２３の表面上に反射層酸化膜２４を形成することによって、表示装置１００に設けられたＴＦＴ８を用いて容易に反射層酸化膜２４を陽極酸化により形成する際の電流を供給することができる。 In the present embodiment, as described above, the reflective layer oxide film 24 is formed on the surface of the reflective layer 23 by applying a voltage from the TFT 8 to the reflective layer 23, thereby providing the display device 100. It is possible to easily supply current when the reflective layer oxide film 24 is formed by anodic oxidation using the TFT 8.

また、本実施形態では、上記のように、画素２毎に発光されるＲ（赤色）Ｇ（緑色）およびＢ（青色）の光の色に対応するように、複数の画素２において、反射層２３に電圧を印加する時間を異ならせることにより異なる膜厚を有する単層の反射層酸化膜２４を形成することによって、反射層２３に電圧を印加する時間を異ならせることにより、容易に、単層の反射層酸化膜２４を形成するとともに、反射層２３と対向電極２８（半反射層）との間の距離を単層の反射層酸化膜２４により調整することができるので、たとえば、反射層２３と対向電極２８（半反射層）との間の距離を積層させて形成した透明電極により調整する場合と比べて、製造プロセスが複雑化するのを抑制することができる。 Further, in the present embodiment, as described above, in the plurality of pixels 2, the reflection layer is formed so as to correspond to the colors of R (red) G (green) and B (blue) light emitted for each pixel 2. By forming a single-layer reflective layer oxide film 24 having different film thicknesses by varying the time for applying a voltage to 23, it is possible to easily and simply change the time for applying a voltage to the reflective layer 23. For example, the reflective layer oxide film 24 can be formed and the distance between the reflective layer 23 and the counter electrode 28 (semi-reflective layer) can be adjusted by the single reflective layer oxide film 24. Compared with the case where adjustment is made by a transparent electrode formed by laminating the distance between the electrode 23 and the counter electrode 28 (semi-reflective layer), the manufacturing process can be suppressed from becoming complicated.

図１７および図１８は、それぞれ、本発明の一実施形態によるＥＬ装置を用いた電子機器の一例を説明するための図である。図１７および図１８を参照して、本発明の一実施形態によるＥＬ装置１００を用いた電子機器について説明する。 FIGS. 17 and 18 are diagrams for explaining an example of an electronic apparatus using the EL device according to the embodiment of the present invention. With reference to FIGS. 17 and 18, an electronic apparatus using the EL device 100 according to an embodiment of the present invention will be described.

本発明の一実施形態によるＥＬ装置１００は、図１７および図１８に示すように、携帯電話２００およびＰＣ（ＰｅｒｓｏｎａｌＣｏｍｐｕｔｅｒ）３００などに用いることが可能である。図１７の携帯電話２００においては、表示画面２００ａに本発明の一実施形態によるＥＬ装置１００が用いられる。また、図１８のＰＣ３００においては、キーボード３００ａなどの入力部および表示画面３００ｂなどに本発明の一実施形態によるＥＬ装置１００を用いることが可能である。 The EL device 100 according to an embodiment of the present invention can be used in a mobile phone 200 and a PC (Personal Computer) 300 as shown in FIGS. 17 and 18. In the mobile phone 200 of FIG. 17, the EL device 100 according to an embodiment of the present invention is used for the display screen 200a. In the PC 300 of FIG. 18, the EL device 100 according to an embodiment of the present invention can be used for an input unit such as a keyboard 300a and a display screen 300b.

なお、今回開示された実施形態は、すべての点で例示であって制限的なものではないと考えられるべきである。本発明の範囲は、上記した実施形態の説明ではなく特許請求の範囲によって示され、さらに特許請求の範囲と均等の意味および範囲内でのすべての変更が含まれる。 The embodiment disclosed this time should be considered as illustrative in all points and not restrictive. The scope of the present invention is shown not by the above description of the embodiments but by the scope of claims for patent, and further includes all modifications within the meaning and scope equivalent to the scope of claims for patent.

たとえば、上記実施形態では、表示装置の一例として、ＥＬ装置に本発明を適用する例を示したが、本発明はこれに限らず、ＥＬ装置以外の表示装置にも適用可能である。 For example, in the above-described embodiment, an example in which the present invention is applied to an EL device has been shown as an example of a display device. However, the present invention is not limited to this and can be applied to a display device other than an EL device.

また、上記実施形態では、ＥＬ装置の一例として、トップエミッション型のＥＬ装置に本発明を適用する例を示したが、本発明はこれに限らず、トップエミッション型のＥＬ装置以外のＥＬ装置にも適用可能である。 In the above embodiment, an example in which the present invention is applied to a top emission type EL device is shown as an example of an EL device. However, the present invention is not limited to this, and the present invention is applied to an EL device other than the top emission type EL device. Is also applicable.

また、上記実施形態では、反射層酸化膜の製造プロセスの一例として、画素トランジスタから反射層に電圧を印加する例を示したが、本発明はこれに限らず、反射層に別途電圧を印加するための引き出し配線を設け、引き出し配線から電圧を印加してもよい。 In the above embodiment, as an example of the manufacturing process of the reflective layer oxide film, an example in which a voltage is applied from the pixel transistor to the reflective layer has been described. However, the present invention is not limited thereto, and a separate voltage is applied to the reflective layer. For this purpose, a lead-out line may be provided, and a voltage may be applied from the lead-out line.

また、上記実施形態では、反射層酸化膜の一例として、Ｒ（赤色）、Ｇ（緑色）およびＢ（青色）に対応する反射層酸化膜の膜厚を、それぞれ、４８ｎｍ、２４ｎｍおよび０ｎｍの膜厚に形成する例を示したが、本発明はこれに限らず、Ｂ（青色）にも膜厚ｔ３の反射層酸化膜２４３を形成してもよい。この場合、Ｒ（赤色）、Ｇ（緑色）およびＢ（青色）がそれぞれ反射層と対向電極（半反射層）との間で共振可能な反射層酸化膜の膜厚に形成すればよい。たとえば、図１９に示すように、Ｒ（赤色）、Ｇ（緑色）およびＢ（青色）に対応する反射層酸化膜の膜厚を、それぞれ、１４８ｎｍ、１２４ｎｍおよび１００ｎｍのような膜厚に形成してもよい。 Moreover, in the said embodiment, as an example of a reflective layer oxide film, the film thickness of the reflective layer oxide film corresponding to R (red), G (green), and B (blue) is 48 nm, 24 nm, and 0 nm, respectively. Although an example in which the thickness is formed is shown, the present invention is not limited to this, and the reflective layer oxide film 243 having a film thickness t3 may be formed on B (blue). In this case, R (red), G (green), and B (blue) may be formed in the thickness of the reflective layer oxide film that can resonate between the reflective layer and the counter electrode (semi-reflective layer). For example, as shown in FIG. 19, the reflective layer oxide films corresponding to R (red), G (green), and B (blue) are formed to film thicknesses of 148 nm, 124 nm, and 100 nm, respectively. May be.

また、上記実施形態では、反射層が画素トランジスタのソース電極に接続されている例を示したが、本発明はこれに限らず、反射層を表示領域１０１から非表示領域１０２にまで引き延ばして外部と電気的に接続するようにしてもよい。 In the above embodiment, an example in which the reflective layer is connected to the source electrode of the pixel transistor has been described. However, the present invention is not limited to this, and the reflective layer is extended from the display region 101 to the non-display region 102 to externally. And may be electrically connected.

本発明の一実施形態によるＥＬ装置の平面図である。It is a top view of EL device by one embodiment of the present invention. 本発明の一実施形態によるＥＬ装置の画素の平面図である。It is a top view of the pixel of EL device by one embodiment of the present invention. 本発明の一実施形態によるＥＬ装置の画素の平面図である。It is a top view of the pixel of EL device by one embodiment of the present invention. 図３の１５０−１５０線に沿った断面図である。It is sectional drawing along the 150-150 line | wire of FIG. 本発明の一実施形態によるＥＬ装置の製造プロセスを説明するためのフロー図である。It is a flowchart for demonstrating the manufacturing process of EL apparatus by one Embodiment of this invention. 本発明の一実施形態によるＥＬ装置の製造プロセスを説明するための断面図である。It is sectional drawing for demonstrating the manufacturing process of EL apparatus by one Embodiment of this invention. 本発明の一実施形態によるＥＬ装置の製造プロセスを説明するための断面図である。It is sectional drawing for demonstrating the manufacturing process of EL apparatus by one Embodiment of this invention. 本発明の一実施形態によるＥＬ装置の製造プロセスを説明するための断面図である。It is sectional drawing for demonstrating the manufacturing process of EL apparatus by one Embodiment of this invention. 本発明の一実施形態によるＥＬ装置の製造プロセスを説明するための断面図である。It is sectional drawing for demonstrating the manufacturing process of EL apparatus by one Embodiment of this invention. 本発明の一実施形態によるＥＬ装置の製造プロセスを説明するための断面図である。It is sectional drawing for demonstrating the manufacturing process of EL apparatus by one Embodiment of this invention. 本発明の一実施形態によるＥＬ装置の陽極酸化を説明するための図である。It is a figure for demonstrating the anodic oxidation of the EL apparatus by one Embodiment of this invention. 本発明の一実施形態によるＥＬ装置の製造プロセスを説明するための断面図である。It is sectional drawing for demonstrating the manufacturing process of EL apparatus by one Embodiment of this invention. 本発明の一実施形態によるＥＬ装置の製造プロセスを説明するための断面図である。It is sectional drawing for demonstrating the manufacturing process of EL apparatus by one Embodiment of this invention. 本発明の一実施形態によるＥＬ装置の製造プロセスを説明するための断面図である。It is sectional drawing for demonstrating the manufacturing process of EL apparatus by one Embodiment of this invention. 本発明の一実施形態によるＥＬ装置の製造プロセスを説明するための断面図である。It is sectional drawing for demonstrating the manufacturing process of EL apparatus by one Embodiment of this invention. 本発明の一実施形態によるＥＬ装置の製造プロセスを説明するための断面図である。It is sectional drawing for demonstrating the manufacturing process of EL apparatus by one Embodiment of this invention. 本発明の一実施形態によるＥＬ装置を用いた電子機器の一例を説明するための図である。It is a figure for demonstrating an example of the electronic device using the EL apparatus by one Embodiment of this invention. 本発明の一実施形態によるＥＬ装置を用いた電子機器の一例を説明するための図である。It is a figure for demonstrating an example of the electronic device using the EL apparatus by one Embodiment of this invention. 本発明の一実施形態によるＥＬ装置の変形例を説明するための断面図である。It is sectional drawing for demonstrating the modification of the EL apparatus by one Embodiment of this invention.

Explanation of symbols

２画素
８ＴＦＴ（画素トランジスタ）
１８ソース電極
２０ドレイン電極
２３反射層
２４、２４１、２４２、２４３反射層酸化膜
２５画素電極
２７有機発光層（発光層）
２８対向電極（半反射層）
１００ＥＬ（エレクトロルミネッセンス）装置（表示装置）
２００携帯電話（電子機器）
３００ＰＣ（電子機器） 2 pixels 8 TFT (pixel transistor)
18 Source electrode 20 Drain electrode 23 Reflective layers 24, 241, 242, 243 Reflective layer oxide film 25 Pixel electrode 27 Organic light emitting layer (light emitting layer)
28 Counter electrode (semi-reflective layer)
100 EL (electroluminescence) device (display device)
200 Mobile phone (electronic equipment)
300 PC (electronic equipment)

Claims

A plurality of pixels;
A reflective layer provided on the pixel;
A single-layer reflective layer oxide film formed on the surface of the reflective layer and made of an oxide of the reflective layer;
A semi-reflective layer formed above the reflective layer oxide film via a light emitting layer,
The display device, wherein the plurality of pixels are formed to have the reflective layer oxide films having different thicknesses.

Each of the plurality of pixels is provided with a pixel transistor,
The display device according to claim 1, wherein the reflective layer is connected to one of a source electrode and a drain electrode of the pixel transistor.

The display device according to claim 1, wherein the reflective layer oxide film is formed over substantially the entire area of the upper surface of the reflective layer as viewed in a plan view.

The display device according to claim 1, wherein a single-layer pixel electrode is formed between the reflective layer oxide film and the light emitting layer.

The plurality of pixels are configured to emit light having different wavelengths with maximum intensity,
The film thickness of the reflective layer oxide film provided in the pixel that emits light with a long wavelength having the maximum intensity is the film thickness of the reflective layer oxide film provided in the pixel that emits light with a short wavelength having the maximum intensity. The display apparatus of any one of Claims 1-4 currently formed larger than a film thickness.

Each of the plurality of pixels is configured to emit light of one light color among red, green, and blue,
The thickness of the reflective layer oxide film provided on the pixel emitting red light is formed larger than the thickness of the reflective layer oxide film provided on the pixel emitting green light,
The display device according to claim 5, wherein the reflective layer oxide film is not formed in the pixel emitting blue light.

An electronic device comprising the display device according to claim 1.

Forming a reflective layer on a plurality of pixels;
Forming on the surface of the reflective layer a single-layer reflective layer oxide film made of the oxide of the reflective layer by oxidizing the surface of the reflective layer and having a different thickness in the plurality of pixels; ,
And a step of forming a semi-reflective layer above the reflective layer oxide film via a light emitting layer.

The display device according to claim 8, wherein the step of forming the reflective layer oxide film includes a step of forming a single-layer reflective layer oxide film made of an oxide of the reflective layer by anodizing the reflective layer. Manufacturing method.

Further comprising forming a pixel transistor;
The step of forming the reflective layer includes the step of forming the reflective layer so as to connect the reflective layer and one of a source electrode or a drain electrode of the pixel transistor,
The step of forming the reflective layer oxide film forms the reflective layer oxide film on the surface of the reflective layer by anodizing the reflective layer by applying a voltage from the pixel transistor to the reflective layer. The manufacturing method of the display apparatus of Claim 9 including a process.

The step of forming the reflective layer oxide film includes the step of forming a single layer of the reflective layer oxide film having different thicknesses by varying the time for applying a voltage to the reflective layer in the plurality of pixels. A method for manufacturing a display device according to claim 10.