JP2010147435A - Nanoimprint device and method for manufacturing memory media using the device - Google Patents

Nanoimprint device and method for manufacturing memory media using the device Download PDF

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Hiroki Kodama
宏喜 児玉
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Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To form a fine pattern eliminating a residue of a resist layer when imprinting by a nanoimprint device and to manufacture a bit patterned medium of a high density. <P>SOLUTION: The nanoimprint device, which transfers an unevenness on a surface of a resist with a protrusion portion 47 on a mold 41 by pressing a mold 41 which has a minute unevenness pattern, is constructed in a manner such that continuous grooves 48 are positioned on the top surface of the protrusion portion 47 of the mold 41, and when pressing the mold 41 to the resist, the residue of the resist is reduced so that a part of the resist are held in the grooves 48. <P>COPYRIGHT: (C)2010,JPO&INPIT

Description

この出願は、微細なパターンを樹脂によって形成するナノインプリント装置に関する。特に、インプリント時にレジストの残渣が発生しないモールドを使用するナノインプリント装置の構造、及びこのナノインプリント装置を用いて製作した、ハードディスク装置などの情報記録再生装置で使用する記憶媒体の製造方法に関する。   This application relates to a nanoimprint apparatus that forms a fine pattern with a resin. In particular, the present invention relates to a structure of a nanoimprint apparatus that uses a mold that does not generate a resist residue during imprinting, and a method of manufacturing a storage medium that is manufactured using the nanoimprint apparatus and that is used in an information recording / reproducing apparatus such as a hard disk apparatus.

近年、磁気記録再生装置(HDD)の小型・大容量化は急速に進んでいる。本出願の1年前の時点では、市場に供給されているHDDの磁気記憶媒体は、スパッタ法等により、ガラスもしくは、アルミ合金基板に磁性材料が積層された構造をとっていた。記録磁性材料は、磁性粒子を小さくするためにさまざまな工夫がなされ、磁気粒子単位は、大凡8nm程度まで小さくなっている。この磁気粒子の微細化は、記憶媒体の低ノイズ化に寄与するところが大きい。ところが、この微細化にも製膜プロセスや熱揺らぎの観点から限界がある。この打開策として、所謂ディスクリートトラック媒体、ビットパターンド媒体と呼ばれる媒体が考えられている。これらの媒体は、記録磁性材料の膜をパターンニングすることが特徴である。ディスクリートトラック媒体の場合は、半径方向のトラックがパターンニングされている。また、ビットパターンド媒体は、円周方向、径方向ともにパターンニングされている(特許文献1参照)。   In recent years, magnetic recording / reproducing devices (HDDs) have been rapidly reduced in size and capacity. At one year before the present application, HDD magnetic storage media supplied to the market had a structure in which a magnetic material was laminated on a glass or aluminum alloy substrate by sputtering or the like. The recording magnetic material has been devised in various ways to make the magnetic particles small, and the magnetic particle unit has been reduced to about 8 nm. This miniaturization of the magnetic particles greatly contributes to the reduction in noise of the storage medium. However, this miniaturization has a limit from the viewpoint of the film forming process and thermal fluctuation. As a breakthrough, a medium called a so-called discrete track medium or a bit patterned medium is considered. These media are characterized by patterning a film of a recording magnetic material. In the case of a discrete track medium, the track in the radial direction is patterned. The bit patterned medium is patterned in both the circumferential direction and the radial direction (see Patent Document 1).

このようなビットパターンド媒体の製造は、半導体のリソグラフィ技術を記憶媒体に適用することにより製造される。ビットパターンド媒体の量産手法のひとつに、ナノインプリントと呼ばれる手法がある(非特許文献1参照)。これは、微細な押し型を媒体に塗布した被転写成型材である樹脂に転写し、その樹脂をマスクとして、磁性材料を削る手法である。ナノインプリント装置の押し型は、一般に、モールド、原盤、テンプレートなどと呼ばれ、紫外線硬化型(UV硬化型)の樹脂を用いる場合は、ガラスの押し型になる。また、熱硬化型樹脂を用いる場合もある。一般的に、UV硬化型の樹脂を用いるほうが、熱膨張によるパターンへの影響を無視できるため、微細なパターンに適している。   Such a bit patterned medium is manufactured by applying a semiconductor lithography technique to a storage medium. One of mass production techniques for bit patterned media is a technique called nanoimprint (see Non-Patent Document 1). This is a technique in which a fine stamping die is transferred to a resin, which is a transfer molding material applied to a medium, and the magnetic material is shaved using the resin as a mask. The pressing mold of the nanoimprint apparatus is generally called a mold, a master, a template or the like, and becomes a glass pressing mold when using an ultraviolet curable resin. In some cases, a thermosetting resin is used. In general, the use of a UV curable resin is suitable for a fine pattern because the influence of the thermal expansion on the pattern can be ignored.

特開平3−022211号公報(第1図)Japanese Patent Laid-Open No. 3-022211 (FIG. 1)

論文 S. Y. Chou, et all. Appl.Phys. Vol.76,6673(1994)Paper S. Y. Chou, et all. Appl. Phys. Vol. 76, 6673 (1994)

ところが、UV硬化型の樹脂によりナノインプリントしたパターンには、押し型のために樹脂に必ず「押し残り」が存在する。この「押し残り」はレジスト残渣と呼ばれる。レジスト残渣は、レジスト直下の材料をエッチングする場合に邪魔になる。そこで一般的には、パターンニングの前に、残渣抜き、底出し等と呼ばれる、残渣を取り去るプロセスが行われるが、このプロセスが製造プロセスの工程、コスト、環境負荷等の増大を招くという課題があった。   However, a pattern imprinted with a UV curable resin always has a “push residue” due to the pressing mold. This “push residue” is called a resist residue. The resist residue becomes an obstacle when the material immediately under the resist is etched. Therefore, generally, before patterning, a process of removing residues called residue removal, bottoming out, etc. is performed, but there is a problem that this process causes an increase in manufacturing process steps, cost, environmental burden, etc. there were.

そこでこの出願は、UV硬化型の樹脂によりナノインプリントしたパターンに残渣を無くす、或いは残渣を限りなく無くすことにより、ナノインプリント装置における残渣を取り去るプロセスを省略して製造プロセスの工程の削減、コストの削減、環境負荷の低減を図ることを目的としている。
更に、この出願は、UV硬化型の樹脂によりナノインプリントしたパターンに残渣を無くす、或いは残渣を限りなく無くすことによるレジストパターンの変形(エッジの丸み)を小さくし、忠実な転写を行い、高密度化も図ることも目的としている。
Therefore, this application eliminates the residue in the nanoimprinted pattern with the UV curable resin, or eliminates the residue as much as possible, thereby omitting the process of removing the residue in the nanoimprint apparatus, reducing the manufacturing process steps, and reducing the cost. The purpose is to reduce environmental impact.
In addition, this application eliminates residues in nanoimprinted patterns with UV curable resins, or reduces resist pattern deformation (edge roundness) by eliminating residues as much as possible, faithfully transfers, and increases density. The purpose is also to plan.

前記目的を達成するこの出願のナノインプリント装置は、被転写成型材の表面に微小な凹凸パターンを有するモールドを押し当てることによって、モールド上の凹凸を被転写成型材の表面に転写するナノインプリント装置において、モールドの凸部の頂面に、モールドの被転写成型材への押し当て時に、被転写成型材の一部を収容可能な溝部を設けたことを特徴としている。   The nanoimprint apparatus of this application that achieves the above-described object is a nanoimprint apparatus that transfers the unevenness on the mold to the surface of the transfer molding material by pressing a mold having a fine unevenness pattern on the surface of the transfer molding material. The top surface of the convex portion of the mold is provided with a groove portion that can accommodate a part of the transfer molding material when the mold is pressed against the transfer molding material.

また、前記目的を達成するナノインプリント装置を用いた記憶媒体の製造方法は、ディスク状の基板の両面に、軟磁性裏打ち層、中間層、磁性層、下地層、及び被転写成型材を積層してディスク媒体を製造し、ナノインプリント装置に備えられた微小な凹凸パターンを有するモールドを、紫外線透過部材で構成すると共に、その凸部の頂面に被転写成型材の一部を収容可能な溝部を設け、各ディスク媒体の両面にモールドを押し当てることによって、モールド上の凹凸を被転写成型材の表面に転写すると共に、溝部に凸部によって押し退けられた被転写成型材の一部を収容し、モールドの裏面側から紫外線を照射して被転写成型材を硬化させ、モールドを取り外した後のディスク状媒体に対して、酸素ガスを導入したアッシングを行って、溝部によって形成されたダミーパターンを除去すると共に、被転写成型材と下地層を除去して磁性層にモールド上の凹部のパターンを形成して記憶媒体を製造することを特徴としている。   In addition, a method of manufacturing a storage medium using a nanoimprint apparatus that achieves the above object includes laminating a soft magnetic backing layer, an intermediate layer, a magnetic layer, an underlayer, and a transfer molding material on both sides of a disk-shaped substrate. A mold that manufactures a disk medium and has a minute uneven pattern provided in a nanoimprint apparatus is made of an ultraviolet transmitting member, and a groove that can accommodate a part of a molding material to be transferred is provided on the top surface of the protrusion. The mold is pressed against both sides of each disk medium to transfer the irregularities on the mold to the surface of the transfer molding material, and at the same time, a part of the molding material to be transferred pushed away by the projection is accommodated in the groove portion. Irradiate ultraviolet rays from the back side of the disk to cure the material to be transferred, perform ashing with oxygen gas on the disk-shaped medium after removing the mold, and To remove the dummy pattern formed by, it is characterized in that to produce a storage medium to form a pattern of recesses on the mold in a magnetic layer by removing the transferred molded material and the underlayer.

この出願によれば、UV硬化型の樹脂によりナノインプリントしたパターンに残渣が無くなる、或いは殆ど無くなるので、残渣を取り去るプロセスを省略して製造プロセスの工程の削減、コストの削減、環境負荷の低減を図ることができる。また、UV硬化型の樹脂によりナノインプリントしたパターンの残渣を無くすことにより、レジストパターンの変形(エッジの丸み)を小さくでき、忠実な転写、高密度化も図ることができる。   According to this application, the residue imprinted in the nano-imprinted pattern with the UV curable resin disappears or almost disappears. Therefore, the process of removing the residue is omitted, thereby reducing the manufacturing process steps, the cost, and the environmental load. be able to. Further, by eliminating the residue of the nano-imprinted pattern using a UV curable resin, the deformation (edge roundness) of the resist pattern can be reduced, and faithful transfer and higher density can be achieved.

以下、添付図面を用いてこの出願の実施の形態を、具体的な実施例に基づいて詳細に説明するが、その前に、従来技術の問題点について図を用いて説明する。   Hereinafter, embodiments of this application will be described in detail based on specific examples with reference to the accompanying drawings, but before that, problems of the prior art will be described with reference to the drawings.

図1(a)は、従来のビットパターンド媒体1(以後、ディスク1と言う)の外形と、そのビットパターンの一例を拡大して示すものである。ディスク1を構成する非磁性基板(ディスク基板)2の上には、磁性体から構成される単磁区微粒子(ドット)が円周方向に並んでトラック数だけ設けられている。このようなディスク1は、図1(b)から(d)に示すような工程で製造される。   FIG. 1A is an enlarged view of an outline of a conventional bit patterned medium 1 (hereinafter referred to as a disk 1) and an example of the bit pattern. On the nonmagnetic substrate (disk substrate) 2 constituting the disk 1, single domain fine particles (dots) made of a magnetic material are provided in the circumferential direction by the number of tracks. Such a disc 1 is manufactured by processes as shown in FIGS.

図1(b)はビットパターンが形成される前のディスク1と、ディスク1にビットパターンを形成する押し型である従来のモールド9の構成を示すものであるが、ディスク1の構成は簡略化して記載してある。この例では、磁性層5の上面にレジスト層7が設けられた構成を示している。一方、モールド9は局部断面を示してあるが、実際には略格子状の突起部47がモールド9には形成されている。   FIG. 1B shows the configuration of the disk 1 before the bit pattern is formed and the conventional mold 9 which is a pressing mold for forming the bit pattern on the disk 1, but the configuration of the disk 1 is simplified. It is described. In this example, a configuration in which a resist layer 7 is provided on the upper surface of the magnetic layer 5 is shown. On the other hand, although the mold 9 shows a local cross section, actually, a substantially lattice-like projection 47 is formed on the mold 9.

図1(c)は、図1(b)の状態からモールド9をレジストに押し付けた後に、元の位置に戻した状態を示すものである。モールド9の突起部47により押された部分のレジスト7には溝部57が形成されるが、モールド9の突起部47の先端部は磁性層5まで届かないので、ディスク1の上にはレジスト7の押し残り17が発生する。この押し残り17はレジスト残渣と呼ばれる。このレジスト残渣は、レジスト直下の磁性層5をエッチングする際に邪魔になるため、磁性層5のパターニング前に残渣抜きと呼ばれる処理が施される。   FIG. 1C shows a state where the mold 9 is pressed against the resist from the state of FIG. 1B and then returned to the original position. A groove 57 is formed in the resist 7 at the portion pressed by the protrusion 47 of the mold 9, but the tip of the protrusion 47 of the mold 9 does not reach the magnetic layer 5. The remaining 17 is generated. This pushing residue 17 is called a resist residue. Since this resist residue becomes an obstacle when the magnetic layer 5 directly under the resist is etched, a process called residue removal is performed before the patterning of the magnetic layer 5.

図1(d)は、磁性層5のパターニング前に残渣抜き処理が施された状態を示すものである。残渣抜き処理が行われると、レジスト7の頂面のエッジが垂直に切り立たず、エッジに丸みが生じてしまい、この後に行われる磁性層5のパターニングにおいて、磁性層5のパターンのエッジ部が鈍り、高密度化が図れなくなる虞があった。この出願は、このような課題を解消するためになされたものである。   FIG. 1 (d) shows a state where a residue removal process has been performed before patterning of the magnetic layer 5. When the residue removing process is performed, the edge of the top surface of the resist 7 is not vertically cut and the edge is rounded. In the patterning of the magnetic layer 5 performed thereafter, the edge portion of the pattern of the magnetic layer 5 is There was a possibility that it was dull and density could not be increased. This application has been made to solve such problems.

図2は、この出願に係るナノインプリント装置10の概略構成を示すものである。ナノインプリント装置10には洗浄部12、検査部14、密着層形成部16、樹脂部形成部18、インプリント部20、及び制御部22がある。24は、後にその構造を詳述するディスクホルダであり、複数枚のディスク1、例えば20数枚のディスク1を保持できるようになっている。ナノインプリント装置10は、ディスクホルダ24に保持された複数枚のディスク1を入口部11から受け入れ、洗浄からインプリントまでインライン式に処理して出口部13から排出する。   FIG. 2 shows a schematic configuration of the nanoimprint apparatus 10 according to this application. The nanoimprint apparatus 10 includes a cleaning unit 12, an inspection unit 14, an adhesion layer forming unit 16, a resin unit forming unit 18, an imprint unit 20, and a control unit 22. Reference numeral 24 denotes a disk holder whose structure will be described in detail later, and can hold a plurality of disks 1, for example, 20 or more disks 1. The nanoimprint apparatus 10 receives a plurality of discs 1 held by a disc holder 24 from the inlet 11, processes them in-line from cleaning to imprinting, and discharges them from the outlet 13.

洗浄部12では、ディスクホルダ24に保持されたディスク1に、インプリント部20で欠陥が生じないようにゴミの除去を行う。ディスクの洗浄にはドライ方式とウェット方式があるが、どちらの方式でなければならないということはない。検査部14では、パーティクルの検査を光学的に行う。密着層形成部16では、ディスク基板と紫外線硬化型レジストの密着性を向上させる密着層の形成処理を行う。そして、樹脂部形成部18では、ディスク基板に紫外線硬化型レジストを塗布する処理を行う。   In the cleaning unit 12, dust is removed so that the imprint unit 20 does not have a defect in the disc 1 held by the disc holder 24. There are two methods for cleaning discs, the dry method and the wet method. The inspection unit 14 optically inspects particles. The adhesion layer forming unit 16 performs an adhesion layer forming process for improving the adhesion between the disk substrate and the ultraviolet curable resist. Then, the resin part forming part 18 performs a process of applying an ultraviolet curable resist to the disk substrate.

図3(a)は、図2に示したナノインプリント装置10のインプリント部20の構造の一例を示すものである。インプリント部20には、制御装置21、ホルダ移動機構22、昇降ロッド25を備えたディスクリフタ23、ディスクホルダ24、2台の紫外線照射装置26、真空吸引装置27、2つのモールド装置30L,30Rがある。制御装置21はホルダ移動機構22、ディスクリフタ23、ディスクホルダ24、紫外線照射装置26、真空吸引装置27、及びモールド装置30L,30Rの動作を制御する。制御装置21はこの実施例のようにインプリント部20内に設けてもよいが、図2に示した制御部22が制御装置21の代わりをすることも可能である。   FIG. 3A shows an example of the structure of the imprint unit 20 of the nanoimprint apparatus 10 shown in FIG. The imprint unit 20 includes a control device 21, a holder moving mechanism 22, a disc lifter 23 provided with a lifting rod 25, a disc holder 24, two ultraviolet irradiation devices 26, a vacuum suction device 27, and two molding devices 30L and 30R. There is. The control device 21 controls operations of the holder moving mechanism 22, the disc lifter 23, the disc holder 24, the ultraviolet irradiation device 26, the vacuum suction device 27, and the molding devices 30L and 30R. The control device 21 may be provided in the imprint unit 20 as in this embodiment, but the control unit 22 shown in FIG. 2 can replace the control device 21.

ホルダ移動機構22は、複数枚のディスク1を保持するディスクホルダ24を移動させるものであり、ディスクホルダ24に保持されたディスク1を順番にディスクリフタ23の真上に位置させる。ディスクリフタ23は、昇降ロッド25を上昇させてディスクホルダ24に保持されたディスク1を1枚ずつモールド装置30L,30Rの間の空間まで押し上げてインプリント処理を行わせる。また、ディスクリフタ23は、インプリント処理の終了したディスクをディスクホルダ24に戻す動作も行う。モールド装置30L,30Rは、ディスク1の両面に後述するモールドを用いてインプリント処理を施す。モールドは紫外線を透過する部材から構成されており、紫外線照射装置26はモールドを透過させて紫外線をディスク1の両面に照射することにより、ディスク基板に塗布されたレジストを硬化させる。真空吸引装置27は、モールド装置30L,30Rの動作時に発生する余分なレジストを吸引して余分なレジストをなくす。   The holder moving mechanism 22 moves a disk holder 24 that holds a plurality of disks 1, and sequentially positions the disks 1 held by the disk holder 24 directly above the disk lifter 23. The disc lifter 23 raises the elevating rod 25 to push up the discs 1 held by the disc holder 24 one by one to the space between the molding devices 30L and 30R to perform imprint processing. The disc lifter 23 also performs an operation of returning the disc on which the imprint process has been completed to the disc holder 24. The molding devices 30L and 30R perform imprint processing on both surfaces of the disk 1 using a mold described later. The mold is composed of a member that transmits ultraviolet light, and the ultraviolet irradiation device 26 transmits the mold and irradiates the both surfaces of the disk 1 with ultraviolet light, thereby curing the resist applied to the disk substrate. The vacuum suction device 27 suctions excess resist generated during operation of the molding devices 30L and 30R to eliminate the excess resist.

図3(b)は(a)のモールド装置30L,30Rの一方の構成の一実施例を示すものである。モールド装置30L,30Rの構造は同じであるので、1つのモールド装置30の構成について説明する。モールド装置30は、円筒状の本体31の先端部に円筒状のピエゾ素子32が取り付けられており、本体31の後端部にはモータ36の回転軸37に取り付けられた制御弁38が設けられている。本体31の回転軸37が取り付けられる部位は、金属筒とすることができる。本体31の後端部は、制御弁38を介して図示しない管路で真空吸引装置27の真空ポンプ27Pに接続されている。   FIG. 3B shows an embodiment of one configuration of the molding apparatuses 30L and 30R in FIG. Since the mold apparatuses 30L and 30R have the same structure, the configuration of one mold apparatus 30 will be described. The molding device 30 has a cylindrical piezo element 32 attached to the tip of a cylindrical main body 31, and a control valve 38 attached to a rotating shaft 37 of a motor 36 at the rear end of the main body 31. ing. The part to which the rotating shaft 37 of the main body 31 is attached can be a metal cylinder. A rear end portion of the main body 31 is connected to a vacuum pump 27P of the vacuum suction device 27 through a control valve 38 through a conduit (not shown).

制御弁38は制御装置21からの開閉信号VSによって開閉し、制御弁38が開いた時にビエゾ素子32側が吸引される。ピエゾ素子32の両端部には電極33,34があり、一方の電極は接地されているが、他方の電極34はスイッチ35を介して電源+Bに接続されている。そして、制御装置21からの信号Sによってスイッチ35が閉じると、ピエゾ素子32の両端部に印加された電圧によってビエゾ素子32が伸張し、例えば図の破線の位置までピエゾ素子32の先端部が移動する。ピエゾ素子32の先端部の移動距離は、例えば0.4mm程度である。   The control valve 38 is opened and closed by an open / close signal VS from the control device 21, and when the control valve 38 is opened, the piezo element 32 side is sucked. There are electrodes 33 and 34 at both ends of the piezo element 32, and one electrode is grounded, while the other electrode 34 is connected to a power source + B via a switch 35. When the switch 35 is closed by the signal S from the control device 21, the piezo element 32 is expanded by the voltage applied to both ends of the piezo element 32. For example, the tip of the piezo element 32 moves to the position of the broken line in the figure. To do. The moving distance of the tip of the piezo element 32 is, for example, about 0.4 mm.

図4(a)は、図2に示したナノインプリント装置10のインプリント部20で使用する第1の実施例のモールド41の構成を示す部分的に拡大して示すものであり、(b)は(a)のA‐A線における局部断面を示すものである。第1の実施例のモールド41は、ベース板46と、このベース板46の上に格子壁状に突設された突起部47、及び突起部47の頂面に設けられた溝部48とから構成される。溝部48はこの実施例では、断面が矩形であり、突起部47の頂面に連続して設けられているが、溝部48は不連続でも構わない。   4A is a partially enlarged view showing the configuration of the mold 41 of the first embodiment used in the imprint unit 20 of the nanoimprint apparatus 10 shown in FIG. 2, and FIG. The local cross section in the AA of (a) is shown. The mold 41 according to the first embodiment includes a base plate 46, protrusions 47 protruding in a lattice wall shape on the base plate 46, and a groove 48 provided on the top surface of the protrusion 47. Is done. In this embodiment, the groove 48 has a rectangular cross section and is provided continuously on the top surface of the protrusion 47. However, the groove 48 may be discontinuous.

なお、図4(a)では、ベース板46の上に突設された突起部47の形状を格子壁状として説明したが、実際にはディスクの半径方向の突起部47は放射状に延伸されており、ディスクの円周方向の突起部は47は、円弧状に延伸されている。   In FIG. 4A, the shape of the protrusions 47 protruding from the base plate 46 has been described as a lattice wall, but in reality, the protrusions 47 in the radial direction of the disk are radially extended. The circumferential protrusion 47 of the disk extends in an arc shape.

溝部48は、後述するレジストの余分な部分が全てこの溝部48に収容されるようにするものである。溝部48の深さは突起部47のベース板46からの高さよりも小さく、溝部48に入り込んだレジストによって残るパターンが、本来のパターニングの妨げにならないようにする。例えば、ディスク基板/軟磁性裏打ち層/中間層/磁性膜/カーボン層(下地層)/紫外線硬化レジスト層の構造のディスクに、紫外線レジスト層とカーボン層の2層マスクにより磁性膜をパターンニングする場合を考える。この場合は、紫外線レジスト層とカーボン層の選択比を、カーボン層を1としたときにレジスト層を1.2にした場合、カーボン層よりレジスト層の方が早く削れるため、溝部48の深さはカーボンの厚さと同じにしておけば良い。また、溝部48の配置は突起部47の中央の位置に配置しておくことが望ましい。   The groove portion 48 is configured to accommodate all excess portions of the resist described later in the groove portion 48. The depth of the groove 48 is smaller than the height of the protrusion 47 from the base plate 46 so that the pattern remaining by the resist that has entered the groove 48 does not interfere with the original patterning. For example, a magnetic film is patterned on a disk having a structure of a disk substrate / soft magnetic backing layer / intermediate layer / magnetic film / carbon layer (underlayer) / ultraviolet curable resist layer with a two-layer mask of an ultraviolet resist layer and a carbon layer. Think about the case. In this case, when the selectivity ratio between the ultraviolet resist layer and the carbon layer is set to 1.2 when the carbon layer is 1, the resist layer is scraped faster than the carbon layer. Should be the same as the carbon thickness. Further, it is desirable that the groove 48 be arranged at the center position of the protrusion 47.

なお、磁性層をエッチングする際に、レジストマスクのみで行うか、もしくはメタルマスクを用いるかで下地層の構成が異なる。前述のカーボンは、レジストマスクのみで行う場合に、ダミー高さを吸収する目的で用いられるものである。なお、後述する実施例ではメタルマスクのプロセスが記載されるので、下地層としてクロムが記載される。   Note that when the magnetic layer is etched, the structure of the underlayer differs depending on whether the etching is performed using only a resist mask or a metal mask. The carbon described above is used for the purpose of absorbing the dummy height when the resist mask is used alone. In addition, since the process of a metal mask is described in the Example mentioned later, chromium is described as a base layer.

また、突起部47の頂面には、図4(c)に示す第2の実施例のモールド42のように、断面が半円のような溝部48Aを設けるようにしても良い。なお、第1、第2の実施例のモールド41,42は、紫外線を透過する材料、例えばガラスから構成されており、この場合には、その厚さは200μm程度で良い。また、第1、第2の実施例のモールド41,42は、ビットパターンを形成するので格子状の突起部47を備えているが、ディスクリートトラック媒体の場合は、突起部47の形状は同心円状になる。   Further, a groove 48A having a semicircular cross section may be provided on the top surface of the protrusion 47 as in the mold 42 of the second embodiment shown in FIG. The molds 41 and 42 of the first and second embodiments are made of a material that transmits ultraviolet rays, for example, glass. In this case, the thickness may be about 200 μm. In addition, the molds 41 and 42 of the first and second embodiments are provided with lattice-like protrusions 47 because they form a bit pattern, but in the case of a discrete track medium, the shape of the protrusions 47 is concentric. become.

図5(a)は、図2に示したナノインプリント装置10のインプリント部20で使用する第3の実施例のモールド43の構成を示す部分的に拡大して示すものであり、構造を分かり易くするために、一部を切り欠いてある。また、(b)は(a)のB‐B線における局部断面を示すものである。第3の実施例のモールド43は第1の実施例のモールド41と同様に、ベース板46と、このベース板46の上に格子壁状に突設された突起部47、及び突起部47の頂面に設けられた溝部48とから構成される。   FIG. 5A is a partially enlarged view showing the configuration of the mold 43 of the third embodiment used in the imprint unit 20 of the nanoimprint apparatus 10 shown in FIG. 2, and the structure is easy to understand. In order to do so, a part is cut out. Moreover, (b) shows the local cross section in the BB line of (a). Similar to the mold 41 of the first embodiment, the mold 43 of the third embodiment includes a base plate 46, protrusions 47 protruding in a lattice wall shape on the base plate 46, and protrusions 47. It is comprised from the groove part 48 provided in the top surface.

第3の実施例のモールド43が第1の実施例のモールド41と異なる点は、溝部48の底面に、ベース板46を貫通する貫通孔49が設けられている点である。貫通孔49は溝部48の底面全面に設ける必要はなく、例えば所定間隔毎に設ければ良い。この貫通孔49は、溝48に侵入したレジストをベース板46の裏面側に逃がす働きをする。ベース板46の裏面側に逃げたレジストは、図3で説明した真空吸引装置27で吸引される。また、貫通孔49、溝部48内のレジストも真空吸引装置27で吸引されるので、第3の実施例では、モールド43を外した後にダミーパターンが発生しない。   The mold 43 of the third embodiment is different from the mold 41 of the first embodiment in that a through hole 49 that penetrates the base plate 46 is provided on the bottom surface of the groove portion 48. The through holes 49 do not need to be provided on the entire bottom surface of the groove portion 48, and may be provided at predetermined intervals, for example. The through hole 49 serves to release the resist that has entered the groove 48 to the back side of the base plate 46. The resist that has escaped to the back side of the base plate 46 is sucked by the vacuum suction device 27 described with reference to FIG. Further, since the resist in the through hole 49 and the groove 48 is also sucked by the vacuum suction device 27, in the third embodiment, no dummy pattern is generated after the mold 43 is removed.

図6は、図3(b)に示したモールド装置30のピエゾ素子32の先端部に、図4に示した第1の実施例のモールド41を取り付ける構成を示すものである。モールド装置30には、前述した円筒状の本体31、その先端部に取り付けられたピエゾ素子32、後端部に設けられた制御弁38に加えて、モールド40がピエゾ素子32の端部に設けられている。本体31の後端部は、制御弁38を介して図示しない管路で真空吸引装置27の真空ポンプ27Pに接続されている。   FIG. 6 shows a configuration in which the mold 41 of the first embodiment shown in FIG. 4 is attached to the tip of the piezo element 32 of the molding apparatus 30 shown in FIG. The molding apparatus 30 includes a cylindrical body 31, a piezo element 32 attached to the front end portion thereof, a control valve 38 provided at the rear end portion, and a mold 40 provided at the end portion of the piezo element 32. It has been. A rear end portion of the main body 31 is connected to a vacuum pump 27P of the vacuum suction device 27 through a control valve 38 through a conduit (not shown).

この実施例のモールド40には、ピエゾ素子32の端面に取り付けるためのフランジ部40Fがある。このフランジ部40Fの直径はピエゾ素子32の外径よりも小さく、このフランジ部40Fがリング状のモールド抑え39によってピエゾ素子32の端面に固定される。この図にはピエゾ素子32の電極の図示は省略してある。また、この実施例のモールド40の直径は、ディスク1の直径と略同じであり、モールド抑え39に設けられた孔39Aの内径はディスク1とモールド40を収容できる大きさである。   The mold 40 of this embodiment has a flange portion 40F for attaching to the end face of the piezo element 32. The diameter of the flange portion 40F is smaller than the outer diameter of the piezo element 32, and the flange portion 40F is fixed to the end face of the piezo element 32 by a ring-shaped mold retainer 39. In this figure, illustration of the electrodes of the piezo element 32 is omitted. In addition, the diameter of the mold 40 in this embodiment is substantially the same as the diameter of the disk 1, and the inner diameter of the hole 39 </ b> A provided in the mold retainer 39 is large enough to accommodate the disk 1 and the mold 40.

ここで、以上のように構成されたナノインプリント装置10のインプリント部20の動作を、図7及び図8を用いて説明する。   Here, the operation of the imprint unit 20 of the nanoimprint apparatus 10 configured as described above will be described with reference to FIGS. 7 and 8.

図7(a)は、図3(a)に示したディスクホルダ24の構造の一例を示しており、ディスクホルダ24の長手方向の断面図である。また、図7(b)は(a)に示したディスクホルダ24の短手方向の断面図である。ディスクホルダ24には複数枚のディスク1を立てた状態で保持する保持溝24Bが設けられており、ディスク1はこの保持溝24Bに保持されており、保持溝24Bの下部には貫通孔24Aが設けられている。ここでは説明を簡単にするために、ディスク1にはディスク基板2の上にレジスト層7が形成されたものを図示してある。ディスクホルダ24は、図3(a)で説明したホルダ移動機構22により、貫通孔24Aがディスクリフタ23の昇降ロッド25の真上に来るように、インプリント部内で移動させられる。昇降ロッド25の先端部には、ディスク1を保持するための保持部25Aが設けられている。   FIG. 7A shows an example of the structure of the disc holder 24 shown in FIG. 3A, and is a longitudinal sectional view of the disc holder 24. FIG. 7B is a cross-sectional view of the disc holder 24 shown in FIG. The disk holder 24 is provided with a holding groove 24B that holds a plurality of disks 1 in an upright state. The disk 1 is held in the holding groove 24B, and a through hole 24A is formed below the holding groove 24B. Is provided. Here, for the sake of simplicity, the disk 1 is shown with a resist layer 7 formed on a disk substrate 2. The disc holder 24 is moved in the imprint portion by the holder moving mechanism 22 described with reference to FIG. 3A so that the through hole 24 </ b> A is directly above the lifting rod 25 of the disc lifter 23. A holding portion 25 </ b> A for holding the disk 1 is provided at the tip of the lifting rod 25.

図7(c)は、昇降ロッド25が上昇して、ディスクホルダ24内のディスク1をインプリント位置まで引き上げる様子を示すものである。そして、インプリント位置まで引き上げられたディスク1は、図7(d)に示すように、両側からモールド装置30L,30Rによって挟まれる。このとき、図3(b)で説明した制御弁38は半開状態(開度約20%)となっている。これは、レジストの揮発を促進するために、制御弁38は常時少しだけ(開度20%)開けてあり、真空引きを行っているからである。モールド装置30L,30Rのモールド40は、上側からディスク1に接触してゆき、ディスク1は図6で説明したリング状のモールド抑え39の孔39Aにはめ込まれる。   FIG. 7 (c) shows a state in which the elevating rod 25 is raised and the disk 1 in the disk holder 24 is pulled up to the imprint position. Then, the disc 1 pulled up to the imprint position is sandwiched between the mold devices 30L and 30R from both sides as shown in FIG. 7 (d). At this time, the control valve 38 described in FIG. 3B is in a half-open state (opening degree: about 20%). This is because the control valve 38 is always slightly opened (opening 20%) in order to promote the volatilization of the resist, and evacuation is performed. The mold 40 of the molding devices 30L and 30R comes into contact with the disk 1 from above, and the disk 1 is fitted into the hole 39A of the ring-shaped mold retainer 39 described with reference to FIG.

図8(a)は、ディスク1が両側からモールド装置30L,30Rのモールド40によって完全に挟まれた状態を示すものである。この状態で、図3(b)で説明したスイッチ35がオンにされるのでピエゾ素子32が伸張し、モールド40によってディスク1のレジスト層がインプリントされる。この時、ドットにならないレジスト層のレジストは、モールド40の溝部に収容される。レジストが完全にパターン化されるために、この状態は一定時間保持され、この時制御弁38は全開状態になり、残渣が吸引される。制御弁38は、レジストを広げる時間と同じ時間全開として残渣を吸引するのである。   FIG. 8A shows a state in which the disk 1 is completely sandwiched between the molds 40 of the molding devices 30L and 30R from both sides. In this state, since the switch 35 described with reference to FIG. 3B is turned on, the piezo element 32 expands, and the resist layer of the disk 1 is imprinted by the mold 40. At this time, the resist of the resist layer that does not become dots is accommodated in the groove portion of the mold 40. Since the resist is completely patterned, this state is maintained for a certain period of time, at which time the control valve 38 is fully opened and the residue is sucked. The control valve 38 sucks the residue while being fully opened for the same time as the time for spreading the resist.

この後、制御弁38が半開状態(開度約20%)にされ、紫外線照射装置26から紫外線照射が行われ、紫外線(UV光)がモールド40を透過してレジスト層に当たり、レジストが硬化する。UV光の照射時間は、例えば5秒程度である。この結果、ディスク1のレジスト層に、モールド40による凹凸パターンが形成される。   Thereafter, the control valve 38 is brought into a half-open state (opening degree: about 20%), ultraviolet irradiation is performed from the ultraviolet irradiation device 26, and ultraviolet (UV light) passes through the mold 40 and hits the resist layer, so that the resist is cured. . The irradiation time of UV light is, for example, about 5 seconds. As a result, a concavo-convex pattern by the mold 40 is formed in the resist layer of the disk 1.

ディスク1のレジスト層に凹凸パターンが形成されると、図8(b)に示すように、モールド装置30L,30Rのモールド40がディスク1を下側から開放し、ディスク1は再び昇降ロッド25に保持される。この後、昇降ロッド25は降下し、ディスクホルダ24の保持溝24Bに凹凸パターンの形成されたディスク1を戻す。ディスク1がディスクホルダ24に戻ると、ホルダ移動機構22(図3(a)参照)によりディスクホルダ24が移動し、隣のディスク1がディスクリフタ25の真上に位置するようになる。   When the concavo-convex pattern is formed on the resist layer of the disk 1, as shown in FIG. 8B, the mold 40 of the molding devices 30L and 30R releases the disk 1 from the lower side, and the disk 1 is again attached to the lifting rod 25. Retained. Thereafter, the elevating rod 25 is lowered, and the disk 1 with the uneven pattern is returned to the holding groove 24B of the disk holder 24. When the disc 1 returns to the disc holder 24, the disc holder 24 is moved by the holder moving mechanism 22 (see FIG. 3A), and the adjacent disc 1 is positioned immediately above the disc lifter 25.

図8(c)に示される状態は、図7(a)に示した状態からディスク1が1枚分ずれた状態と同じであり、この後、次のディスク1に対して、図7(c)、(d)、図8(a)〜(c)で説明した動作が繰り返し実行される。この動作は、ディスクホルダ24に保持された全てのディスク1に対して行われ、全てのディスク1に凹凸パターンが形成されると、ディスクホルダ24がインプリント部20から排出される。   The state shown in FIG. 8C is the same as the state where the disk 1 is shifted by one sheet from the state shown in FIG. 7A. Thereafter, the state shown in FIG. ), (D), and the operations described in FIGS. 8A to 8C are repeatedly executed. This operation is performed on all the disks 1 held by the disk holder 24, and when the uneven pattern is formed on all the disks 1, the disk holder 24 is ejected from the imprint unit 20.

以上、インプリント部20におけるホルダ移動機構22、ディスクリフタ23、ディスクホルダ24、モールド装置30L,30R、及び紫外線照射装置26の動作について説明した。次に、以上説明したディスク1に凹凸パターンを形成するディスクの製造工程を、ディスク1側から見た処理として、図9及び図10を用いて説明する。   The operations of the holder moving mechanism 22, the disc lifter 23, the disc holder 24, the molding devices 30L and 30R, and the ultraviolet irradiation device 26 in the imprint unit 20 have been described above. Next, the manufacturing process of the disc for forming the uneven pattern on the disc 1 described above will be described with reference to FIGS. 9 and 10 as a process viewed from the disc 1 side.

図9(a)はディスク1が、図4(a)、(b)で説明した第1の実施例のモールド41によって押される前の状態を示すものである。ディスク1は、内径20mm、外径65mm、厚さ0.7mmのガラスで構成されたディスク基板2を備える。ガラス基板2の上には下から順に、軟磁性裏打ち葬3、中間層4、磁性層5、エッチングのマスク層のクロム(又はカーボン)6、レジスト層7が、図示しないスパッタ装置を用いて成膜されている。そして、成膜したディスク1に、第1の実施例のモールド41によってインプリントを行う。   FIG. 9A shows a state before the disk 1 is pushed by the mold 41 of the first embodiment described with reference to FIGS. 4A and 4B. The disk 1 includes a disk substrate 2 made of glass having an inner diameter of 20 mm, an outer diameter of 65 mm, and a thickness of 0.7 mm. On the glass substrate 2, the soft magnetic underlay 3, the intermediate layer 4, the magnetic layer 5, the etching mask layer chromium (or carbon) 6, and the resist layer 7 are formed in this order using a sputtering apparatus (not shown). It is a membrane. Then, imprinting is performed on the formed disk 1 by the mold 41 of the first embodiment.

第1の実施例のモールド41は、ディスク1のデータトラックが、例えば100nmピッチで形成されている場合に、データトラックに対応する突起部47と突起部47の間の距離Tが70nm、磁性体をエッチングする突起部47の幅Eが30nmとすれば良い。また、インプリントした際の残渣を収容するモールド41の溝部48の深さは、クロム6の厚さと同程度にしておけば良い。これは、レジスト層7とカーボン6の選択比を、カーボンを1、レジスト層を1.2とした場合、カーボン6よりレジスト層7の方が早く削れるためである。カーボン6よりレジスト層7の方が早く削れると、溝部48によって形成された残渣パターン(ダミーのパターン)が先になくなり、カーボン6のエッチングに影響を与えない。   In the mold 41 of the first embodiment, when the data track of the disk 1 is formed with a pitch of, for example, 100 nm, the distance T between the protrusion 47 corresponding to the data track is 70 nm, the magnetic material The width E of the protrusion 47 for etching the substrate may be 30 nm. Further, the depth of the groove portion 48 of the mold 41 that accommodates the residue after imprinting may be set to the same level as the thickness of the chromium 6. This is because the resist layer 7 is scraped faster than the carbon 6 when the selection ratio of the resist layer 7 and the carbon 6 is 1 for carbon and 1.2 for the resist layer. If the resist layer 7 is cut faster than the carbon 6, the residue pattern (dummy pattern) formed by the groove portion 48 is removed first, and the etching of the carbon 6 is not affected.

図9(b)は、(a)の状態からモールド41をレジスト層7に押し付けた状態を示すものである。この時、モールド41の突起部47に押されたレジスト層7のレジストは、モールド41の溝部48に収容される。この状態で、モールド41の背面から前述のように紫外線照射が行われ、モールド層7が硬化する。この後、モールド41をディスク1から引き離せば、図9(c)に示す状態になる。レジスト層7には溝部57が形成され、溝部57の中にモールド41によってインプリントされたダミーパターン58が残る。なお、前述の第3の実施例のモールド43を使用した場合には、ダミーパターン58は発生しない。   FIG. 9B shows a state in which the mold 41 is pressed against the resist layer 7 from the state of FIG. At this time, the resist of the resist layer 7 pushed by the protrusion 47 of the mold 41 is accommodated in the groove 48 of the mold 41. In this state, ultraviolet irradiation is performed from the back surface of the mold 41 as described above, and the mold layer 7 is cured. Thereafter, when the mold 41 is pulled away from the disk 1, the state shown in FIG. A groove 57 is formed in the resist layer 7, and a dummy pattern 58 imprinted by the mold 41 remains in the groove 57. Note that when the mold 43 of the third embodiment is used, the dummy pattern 58 is not generated.

酸素ガスに対する下層のクロム6は、酸素で削られない。よって、図9(c)の状態から酸素ガスを導入したアッシングを行うと、図10(a)に示すように、ダミーパターン58は消失し、アッシングを続けることにより、図10(b)に示すようにレジスト層7が剥離されて磁性層5とクロム6からなるドットパターンが形成される。   The lower chromium 6 with respect to oxygen gas is not scraped by oxygen. Therefore, when ashing is performed by introducing oxygen gas from the state of FIG. 9C, the dummy pattern 58 disappears as shown in FIG. 10A, and the ashing is continued, as shown in FIG. 10B. In this way, the resist layer 7 is peeled off to form a dot pattern composed of the magnetic layer 5 and the chromium 6.

なお、以上説明した実施例では、ダミーパターンをトラック間に配置したが、ハードディスク装置では、ディスクが区画に分けられているので、モールドによってその区画毎にダミーパターンを配置するようにしても良い。また、ダミーパターンは、ハードディスク装置のディスクの最外周部、及び最内周部に配置することもできる。   In the embodiment described above, the dummy pattern is arranged between the tracks. However, in the hard disk device, since the disk is divided into sections, the dummy pattern may be arranged for each section by molding. In addition, the dummy pattern can be arranged on the outermost periphery and the innermost periphery of the disk of the hard disk device.

更に、以上説明した実施例において残ったダミーパターンは、揮発性であり、その後のプロセスで特に意識しなくてもなくなる。一方、図3(a)、(b)に示したインプリント部20の構成のように、インプリント直後にモールドに収容されたレジストを、真空吸引装置で真空吸引することにより、気化させてなくすこともできる。よって、モールドによって形成されたダミーパターンが、インプリントされることはない。真空吸引により気化しきれなかったレジストは裏面に吸い出されるが、この時に、窒素ガスによるブローを行うことにより、レジストを完全に気化させることができる。   Furthermore, the remaining dummy pattern in the embodiment described above is volatile and does not need to be noticed in subsequent processes. On the other hand, as in the configuration of the imprint unit 20 shown in FIGS. 3A and 3B, the resist accommodated in the mold immediately after imprinting is eliminated by being vacuumed by a vacuum suction device. You can also. Therefore, the dummy pattern formed by the mold is not imprinted. The resist that could not be vaporized by vacuum suction is sucked out to the back surface. At this time, the resist can be completely vaporized by blowing with nitrogen gas.

以上のようなディスクの製造方法により、レジスト残渣は極力薄くすることができるので、ディスク製造工程の負荷が減る。また、レジスト残渣によるレジストパターンの形状の変形(エッジの丸み)も少なくすることができる。更に、モールドとして第3の実施例のモールド43を使用し、モールド43の裏面から真空吸引することにより、モールドの裏面に染みだした余分なレジストを吸引することができる。こうすることで、ダミーパターンを設けなくても、残渣をなくすことができる。また、モールドの裏面に染みだした余分なレジストは、窒素ガスのブローによっても揮発させることができる。   According to the disk manufacturing method as described above, the resist residue can be made as thin as possible, thereby reducing the load on the disk manufacturing process. In addition, deformation of the resist pattern due to the resist residue (edge roundness) can be reduced. Furthermore, by using the mold 43 of the third embodiment as a mold and vacuum suction from the back surface of the mold 43, it is possible to suck excess resist that has oozed out on the back surface of the mold. By doing so, the residue can be eliminated without providing a dummy pattern. In addition, excess resist that has oozed out on the back surface of the mold can be volatilized by blowing nitrogen gas.

図11(a)は、図2に示したナノインプリント装置10のインプリント部20で使用する、従来の別の構成のモールド19と、モールドされたレジスト7の形状を示すものである。この例のモールド19に設けられる凹部51と突起部53のピッチは大きい。このような場合、この出願では、隣接する凹部51の間のモールド19の部分に、図11(b)に示す第4の実施例のように、レジスト溜り52を形成してモールド44とする。第4の実施例のモールド44では、インプリント時に余分なレジストをレジスト溜り52に引き込むことができるので、インプリント時にレジスト残渣が発生しない。   FIG. 11A shows the shape of the mold 19 and the molded resist 7 of another conventional configuration used in the imprint unit 20 of the nanoimprint apparatus 10 shown in FIG. The pitch of the recessed part 51 and the projection part 53 provided in the mold 19 of this example is large. In such a case, in this application, a resist pool 52 is formed in the portion of the mold 19 between the adjacent recesses 51 as in the fourth embodiment shown in FIG. In the mold 44 of the fourth embodiment, excess resist can be drawn into the resist reservoir 52 during imprinting, so that no resist residue is generated during imprinting.

図11(c)は、(b)に示した第4の実施例のモールド44の変形実施例である、この出願の第5の実施例のモールド45の構成を示すものである。第5の実施例のモールド45が第4の実施例のモールド44と異なる点は、突起部53の先端部に、第1の実施例と同様の溝部54が形成されている点である。第5の実施例のモールド45では、インプリント時に余分なレジストをレジスト溜り52に引き込むことができると共に、溝部54によってダミーパターン58をディスク基板2の上に形成することができる。ダミーパターン58の除去方法は、第1の実施例と同じである。   FIG. 11C shows a configuration of the mold 45 of the fifth embodiment of this application, which is a modified embodiment of the mold 44 of the fourth embodiment shown in FIG. The difference between the mold 45 of the fifth embodiment and the mold 44 of the fourth embodiment is that a groove 54 similar to that of the first embodiment is formed at the tip of the protrusion 53. In the mold 45 of the fifth embodiment, excess resist can be drawn into the resist reservoir 52 during imprinting, and a dummy pattern 58 can be formed on the disk substrate 2 by the groove 54. The method for removing the dummy pattern 58 is the same as in the first embodiment.

本出願のモールド、及びこのモールドを用いたディスクの製造方法では、インプリントしてパターンニングした際の残渣を限りなく少なくすることができ、パターンの高精度・微細化が可能になるだけでなく、工程への負荷が減ることによるコストダウンの効果も期待できる。   In the mold of the present application and the manufacturing method of the disk using this mold, not only the residue when imprinted and patterned can be reduced as much as possible, but also the pattern can be highly accurate and miniaturized. Also, it can be expected to reduce costs by reducing the load on the process.

以上、この出願のナノインプリント装置を、HDDに使用するパターンドメディアの製造について説明した。一方、この出願のナノインプリント装置におけるナノインプリント技術は、バイオチップにおける抽出する分子の寸法に合わせた柱の形成や、LSIのゲート寸法の決定にも応用することができる。   The nanoimprint apparatus of this application has been described above for the manufacture of patterned media used in HDDs. On the other hand, the nanoimprint technology in the nanoimprint apparatus of this application can also be applied to the formation of columns in accordance with the size of molecules to be extracted in a biochip and the determination of the gate size of an LSI.

以上、本出願を特にその好ましい実施の形態を参照して詳細に説明した。本出願の容易な理解のために、本出願の具体的な形態を以下に付記する。   The present application has been described in detail with particular reference to preferred embodiments thereof. For easy understanding of the present application, specific forms of the present application are appended below.

(付記1) 被転写成型材の表面に微小な凹凸パターンを有するモールドを押し当てることによって、前記モールド上の凹凸を前記被転写成型材の表面に転写するナノインプリント装置において、
前記モールドの凸部の頂面に、前記モールドの前記被転写成型材への押し当て時に、前記被転写成型材の一部を収容可能な溝部を設けたことを特徴とするナノインプリント装置。
(付記2) 前記モールドの凸部が格子状をしていることを特徴とする付記1に記載のナノインプリント装置。
(付記3) 前記モールドの凸部が同心円状をしていることを特徴とする付記1に記載のナノインプリント装置。
(付記4) 前記溝部が、前記凸部の頂面に連続して設けられていることを特徴とする付記1から3の何れかに記載のナノインプリント装置。
(付記5) 前記溝部が、前記凸部の頂面に断続して設けられていることを特徴とする付記1から3の何れかに記載のナノインプリント装置。
(Additional remark 1) In the nanoimprint apparatus which transfers the unevenness | corrugation on the said mold to the surface of the said to-be-transferred molding material by pressing the mold which has a micro unevenness | corrugation pattern on the surface of the to-be-transferred molding material,
A nanoimprint apparatus, wherein a groove portion is provided on a top surface of a convex portion of the mold to accommodate a part of the transfer molding material when the mold is pressed against the transfer molding material.
(Additional remark 2) The nanoimprint apparatus of Additional remark 1 characterized by the convex part of the said mold having a grid | lattice form.
(Additional remark 3) The nanoimprint apparatus of Additional remark 1 characterized by the convex part of the said mold being concentric.
(Supplementary note 4) The nanoimprint apparatus according to any one of Supplementary notes 1 to 3, wherein the groove is provided continuously on a top surface of the convex portion.
(Supplementary note 5) The nanoimprint apparatus according to any one of supplementary notes 1 to 3, wherein the groove portion is provided intermittently on a top surface of the convex portion.

(付記6) 前記溝部の底面の所定位置に、前記モールドの裏面側に連通する貫通孔が設けられていることを特徴とする付記1から5の何れかに記載のナノインプリント装置。
(付記7) 前記モールドが紫外線透過部材から構成されており、前記モールドの裏面側に、紫外線照射装置が設けられていることを特徴とする付記1から6の何れかに記載のナノインプリント装置。
(付記8) 前記モールドの裏面側を吸引手段に接続し、前記モールドの前記被転写成型材への押し当て時に、前記モールドによって押し出された前記被転写成型材を、前記吸引手段によって吸引するようにしたことを特徴とする付記6に記載のナノインプリント装置。
(付記9) 前記ナノインプリント装置が、ディスク状の基板の上に、軟磁性裏打ち層、中間層、磁性層、下地層、及び前記被転写成型材が積層されたディスク媒体に対して転写を行うように構成されていることを特徴とする付記1から8の何れかに記載のナノインプリント装置。
(付記10) 前記前記溝部の深さが、前記下地層の厚さとほぼ等しいことを特徴とする付記9に記載のナノインプリント装置。
(Appendix 6) The nanoimprint apparatus according to any one of appendices 1 to 5, wherein a through-hole communicating with the back surface side of the mold is provided at a predetermined position on the bottom surface of the groove.
(Supplementary note 7) The nanoimprint apparatus according to any one of supplementary notes 1 to 6, wherein the mold is made of an ultraviolet transmitting member, and an ultraviolet irradiation device is provided on the back side of the mold.
(Supplementary Note 8) The back side of the mold is connected to a suction means, and the transferred molding material extruded by the mold is sucked by the suction means when the mold is pressed against the transferred molding material. The nanoimprint apparatus according to appendix 6, wherein the nanoimprint apparatus is configured as described above.
(Supplementary Note 9) The nanoimprint apparatus performs transfer on a disk medium in which a soft magnetic backing layer, an intermediate layer, a magnetic layer, an underlayer, and the material to be transferred are laminated on a disk-shaped substrate. The nanoimprint apparatus according to any one of appendices 1 to 8, wherein the nanoimprint apparatus is configured as follows.
(Additional remark 10) The nanoimprint apparatus of Additional remark 9 characterized by the depth of the said groove part being substantially equal to the thickness of the said base layer.

(付記11) 前記モールドの凸部の割合が凹部に対して大きい場合に、前記溝部を、前記凹部よりも容積が大きく転写パターンに関与しない大型の溝部としたことを特徴とする付記1に記載のナノインプリント装置。
(付記12) 前記ナノインプリント装置が、ディスク状の基板の上に、軟磁性裏打ち層、中間層、磁性層、下地層、及び前記被転写成型材が積層されたディスク媒体に対して転写を行うように構成されていることを特徴とする付記11に記載のナノインプリント装置。
(付記13) 被転写成型材の表面に微小な凹凸パターンを有するモールドを押し当てることによって、前記モールド上の凹凸を前記被転写成型材の表面に転写するナノインプリント装置に使用するモールドであって、
前記モールドの凸部の頂面に、前記モールドの前記被転写成型材への押し当て時に、前記被転写成型材の一部を収容可能な溝部を設けたことを特徴とするモールド。
(付記14) 前記モールドの凸部が格子状をしていることを特徴とする付記13に記載のモールド。
(付記15) 前記モールドの凸部が同心円状をしていることを特徴とする付記13に記載のモールド装置。
(Additional remark 11) When the ratio of the convex part of the said mold is large with respect to a recessed part, the said groove part was made into the large-sized groove part which has a volume larger than the said recessed part and is not concerned with a transfer pattern, It is characterized by the above-mentioned. Nanoimprint device.
(Supplementary Note 12) The nanoimprint apparatus performs transfer on a disk medium in which a soft magnetic backing layer, an intermediate layer, a magnetic layer, an underlayer, and the transfer target material are laminated on a disk-shaped substrate. The nanoimprint apparatus according to appendix 11, which is configured as follows.
(Additional remark 13) It is a mold used for the nanoimprint apparatus which transfers the unevenness | corrugation on the said mold to the surface of the said to-be-transferred molding material by pressing the mold which has a micro unevenness | corrugation pattern on the surface of a to-be-transferred molding material,
A mold having a groove on the top surface of a convex portion of the mold that can accommodate a part of the material to be transferred when the mold is pressed against the material to be transferred.
(Additional remark 14) The mold of Additional remark 13 characterized by the convex part of the said mold being a grid | lattice form.
(Additional remark 15) The mold apparatus of Additional remark 13 characterized by the convex part of the said mold being concentric.

(付記16) 前記溝部が、前記凸部の頂面に連続して設けられていることを特徴とする付記13から15の何れかに記載のモールド。
(付記17) 前記溝部が、前記凸部の頂面に断続して設けられていることを特徴とする付記13から15の何れかに記載のモールド。
(付記18) 前記溝部の底面の所定位置に、前記モールドの裏面側に連通する貫通孔が設けられていることを特徴とする付記13ら17の何れかに記載のモールド。
(付記19) 前記モールドが紫外線透過部材から構成されていることを特徴とする付記13ら18の何れかに記載のモールド。
(付記20) ナノインプリント装置を用いた記憶媒体の製造方法であって、
ディスク状の基板の両面に、軟磁性裏打ち層、中間層、磁性層、下地層、及び前記被転写成型材を積層してディスク媒体を製造し、
前記ナノインプリント装置に備えられた微小な凹凸パターンを有するモールドを、紫外線透過部材で構成すると共に、その凸部の頂面に前記被転写成型材の一部を収容可能な溝部を設け、
各ディスク媒体の両面に前記モールドを押し当てることによって、前記モールド上の凹凸を前記被転写成型材の表面に転写すると共に、前記溝部に前記凸部によって押し退けられた前記被転写成型材の一部を収容し、
前記モールドの裏面側から紫外線を照射して前記被転写成型材を硬化させ、
前記モールドを取り外した後の前記ディスク状媒体に対して、アッシングを行って、前記溝部によって形成されたダミーパターンを除去すると共に、前記被転写成型材と下地層を除去して前記磁性層に前記モールド上の凹部のパターンを形成して記憶媒体を製造することを特徴とする記憶媒体の製造方法。
(Supplementary Note 16) The mold according to any one of Supplementary Notes 13 to 15, wherein the groove portion is provided continuously on a top surface of the convex portion.
(Supplementary Note 17) The mold according to any one of Supplementary Notes 13 to 15, wherein the groove portion is provided intermittently on a top surface of the convex portion.
(Supplementary note 18) The mold according to any one of supplementary notes 13 and 17, wherein a through-hole communicating with the back side of the mold is provided at a predetermined position on the bottom surface of the groove.
(Additional remark 19) The mold according to any one of Additional remarks 13 and 18 characterized in that the mold is composed of an ultraviolet transmitting member.
(Supplementary note 20) A method of manufacturing a storage medium using a nanoimprint apparatus,
A disk medium is manufactured by laminating a soft magnetic backing layer, an intermediate layer, a magnetic layer, an underlayer, and the transferred material on both sides of a disk-shaped substrate,
The mold having a micro uneven pattern provided in the nanoimprint apparatus is composed of an ultraviolet ray transmitting member, and a groove part capable of accommodating a part of the transfer molding material is provided on the top surface of the convex part.
By pressing the mold against both sides of each disk medium, the unevenness on the mold is transferred to the surface of the transfer molding material, and a part of the molding material to be transferred that is pushed away by the projection into the groove Contain
Irradiate ultraviolet rays from the back side of the mold to cure the transferred molding material,
Ashing is performed on the disk-shaped medium after the mold is removed, and the dummy pattern formed by the groove is removed, and the transfer molding material and the underlayer are removed to form the magnetic layer on the magnetic layer. A method of manufacturing a storage medium, wherein a storage medium is manufactured by forming a pattern of recesses on a mold.

(a)は従来のビットパターン媒体の外形とそのビットパターンの一例を示す斜視図、(b)から(d)は従来のビットパターンド媒体の作成方法の初期段階を示す工程図である。(A) is a perspective view showing an example of an external shape of a conventional bit pattern medium and an example of the bit pattern, and (b) to (d) are process diagrams showing an initial stage of a conventional method for producing a bit patterned medium. この出願に係るナノインプリント装置の概略構成を示すブロック構成図である。It is a block block diagram which shows schematic structure of the nanoimprint apparatus which concerns on this application. (a)は図2に示したナノインプリント装置のインプリント部の構造の一例を示すブロック構成図、(b)は(a)のモールド装置の内部構成の一例を示す構成図である。(A) is a block block diagram which shows an example of the structure of the imprint part of the nanoimprint apparatus shown in FIG. 2, (b) is a block diagram which shows an example of an internal structure of the molding apparatus of (a). (a)は図2に示したナノインプリント装置のインプリント部で使用するモールドの第1の実施例の構成を示す部分拡大斜視図、(b)は(a)のA‐A線における局部断面図、(c)は図2に示したナノインプリント装置のインプリント部で使用するモールドの第2の実施例の、図3(b)と同じ部位の局部断面図である。(A) is the elements on larger scale which show the structure of the 1st Example of the mold used in the imprint part of the nanoimprint apparatus shown in FIG. 2, (b) is local sectional drawing in the AA of (a). (C) is a local sectional view of the same part as Drawing 3 (b) of the 2nd example of a mold used in the imprint part of the nanoimprint apparatus shown in Drawing 2. (a)は図2に示したナノインプリント装置のインプリント部で使用するモールドの第3の実施例の構成を示す部分拡大斜視図、(b)は(a)のB‐B線における局部断面図である。(A) is the elements on larger scale which show the structure of the 3rd Example of the mold used in the imprint part of the nanoimprint apparatus shown in FIG. 2, (b) is local sectional drawing in the BB line of (a). It is. 図3(b)に示したモールド装置に、図4に示した第1の実施例のモールドを取り付ける構成を示す組立斜視図である。FIG. 5 is an assembly perspective view showing a configuration in which the mold of the first embodiment shown in FIG. 4 is attached to the molding apparatus shown in FIG. (a)は図3(a)に示したカセットの構造の一例を示すディスクホルダの長手方向の断面図、(b)は(a)に示したディスクホルダの短手方向の断面図、(c)は図3(a)に示した昇降ロッドがディスクホルダから1枚のディスクをリフトする状態を示す断面図、(d)はリフトされたディスクが両側からモールド装置によって挟まれる状態を説明する図である。(A) is a longitudinal sectional view of the disc holder showing an example of the structure of the cassette shown in FIG. 3 (a), (b) is a sectional view in the short direction of the disc holder shown in (a), (c) FIG. 3A is a cross-sectional view showing a state where the lifting rod shown in FIG. 3A lifts one disc from the disc holder, and FIG. 3D is a diagram for explaining a state where the lifted disc is sandwiched by the molding apparatus from both sides. It is. (a)はリフトされたディスクが両側からモールド装置によって挟まれてモールドされ、紫外線がモールドの裏面側から照射される状態を示す図、(b)は(a)の状態からモールド装置がディスクを開放する状態を示す図、(c)はカセット移動機構によってカセットが次のディスクをディスクリフタの動作位置に移動させる状態を示す図である。(A) is a diagram showing a state in which a lifted disc is sandwiched and molded from both sides by a molding device, and ultraviolet rays are irradiated from the back side of the mold, and (b) is a state in which the molding device removes the disc from the state of (a). FIG. 6C is a diagram showing a state in which the cassette is released, and FIG. 8C is a diagram showing a state in which the cassette moves the next disk to the operating position of the disk lifter by the cassette moving mechanism. ディスク媒体の製造工程を示すものであり、(a)はディスク媒体がモールドによって押される前の状態を示す図、(b)はディスク媒体がモールドによって成型されている状態を示す図、(c)はモールドが元の位置に戻った状態を示す図である。FIGS. 2A and 2B show a manufacturing process of a disk medium, where FIG. 1A shows a state before the disk medium is pressed by a mold, FIG. 2B shows a state where the disk medium is molded by a mold, and FIG. FIG. 4 is a view showing a state where the mold is returned to the original position. ディスク媒体の製造工程を示すものであり、(a)は図9(c)の状態からアッシングによってレジストが剥離されていく状態を示す図、(b)はレジストが薄利されてドットパターンが形成された状態を示す図である。FIGS. 9A and 9B show a disk medium manufacturing process, where FIG. 9A shows a state where the resist is peeled off by ashing from the state of FIG. 9C, and FIG. 9B shows a dot pattern formed by thinning the resist. FIG. (a)は図2に示したナノインプリント装置のインプリント部で使用するモールドの従来の構成とモールドされたレジストの形状を示す断面図、(b)は図2に示したナノインプリント装置のインプリント部で使用するモールドのこの出願の第4の実施例の構成とモールドされたレジストの形状を示す断面図、(c)は図2に示したナノインプリント装置のインプリント部で使用するモールドのこの出願の第5の実施例の構成とモールドされたレジストの形状を示す断面図である。(A) is sectional drawing which shows the conventional structure of the mold used in the imprint part of the nanoimprint apparatus shown in FIG. 2, and the shape of the molded resist, (b) is the imprint part of the nanoimprint apparatus shown in FIG. Sectional drawing which shows the structure of the 4th Example of this application of the mold used for this invention, and the shape of the molded resist, (c) is the mold of this application of the mold used in the imprint part of the nanoimprint apparatus shown in FIG. It is sectional drawing which shows the structure of the 5th Example, and the shape of the molded resist.

符号の説明Explanation of symbols

1 ビットパターンド媒体
2 ディスク基板
3 裏打ち層
7 レジスト層
9 従来のモールド
10 ナノインプリント装置
20 インプリント部
21 制御装置
22 ホルダ移動機構
23 ディスクリフタ
24 ディスクホルダ
25 昇降ロッド
26 紫外線照射装置
27 真空吸引装置
30 モールド装置
32 ピエゾ素子
33,34 電極
38 制御弁
40 モールド
41 第1実施例のモールド
42 第2実施例のモールド
43 第3実施例のモールド
44 第4実施例のモールド
45 第5実施例のモールド
47、53 突起部
48、54,57 溝部
49 貫通孔
51 凹部
58 ダミーパターン
DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Bit patterned medium 2 Disk substrate 3 Backing layer 7 Resist layer 9 Conventional mold 10 Nanoimprint apparatus 20 Imprint part 21 Control apparatus 22 Holder moving mechanism 23 Disk lifter 24 Disk holder 25 Lifting rod 26 Ultraviolet irradiation apparatus 27 Vacuum suction apparatus 30 Mold device 32 Piezo element 33, 34 Electrode 38 Control valve 40 Mold 41 Mold of the first embodiment 42 Mold of the second embodiment 43 Mold of the third embodiment 44 Mold of the fourth embodiment 45 Mold of the fifth embodiment 47 53 Projection 48, 54, 57 Groove 49 Through-hole 51 Recess 58 Dummy pattern

Claims (5)

被転写成型材の表面に微小な凹凸パターンを有するモールドを押し当てることによって、前記モールド上の凹凸を前記被転写成型材の表面に転写するナノインプリント装置において、
前記モールドの凸部の頂面に、前記モールドの前記被転写成型材への押し当て時に、前記被転写成型材の一部を収容可能な溝部を設けたことを特徴とするナノインプリント装置。
In the nanoimprint apparatus for transferring the unevenness on the mold to the surface of the transfer molding material by pressing a mold having a minute uneven pattern on the surface of the transfer molding material,
A nanoimprint apparatus, wherein a groove portion is provided on a top surface of a convex portion of the mold to accommodate a part of the transfer molding material when the mold is pressed against the transfer molding material.
前記溝部が、前記凸部の頂面に連続して設けられていることを特徴とする請求項1に記載のナノインプリント装置。   The nanoimprint apparatus according to claim 1, wherein the groove is continuously provided on a top surface of the convex portion. 前記モールドの裏面側を吸引手段に接続し、前記モールドの前記被転写成型材への押し当て時に、前記モールドによって押し出された前記被転写成型材を、前記吸引手段によって吸引するようにしたことを特徴とする請求項1又は2に記載のナノインプリント装置。   The back side of the mold is connected to a suction means, and when the mold is pressed against the transfer molding material, the transfer molding material extruded by the mold is sucked by the suction means. The nanoimprint apparatus according to claim 1, wherein the nanoimprint apparatus is characterized. 前記ナノインプリント装置が、ディスク状の基板の上に、軟磁性裏打ち層、中間層、磁性層、下地層、及び前記被転写成型材が積層されたディスク媒体に対して転写を行うように構成されていることを特徴とする請求項1から3の何れかに記載のナノインプリント装置。   The nanoimprint apparatus is configured to perform transfer to a disk medium in which a soft magnetic backing layer, an intermediate layer, a magnetic layer, an underlayer, and the transfer molding material are laminated on a disk-shaped substrate. The nanoimprint apparatus according to any one of claims 1 to 3, wherein the nanoimprint apparatus is provided. ナノインプリント装置を用いた記憶媒体の製造方法であって、
ディスク状の基板の両面に、軟磁性裏打ち層、中間層、磁性層、下地層、及び前記被転写成型材を積層してディスク媒体を製造し、
前記ナノインプリント装置に備えられた微小な凹凸パターンを有するモールドを、紫外線透過部材で構成すると共に、その凸部の頂面に前記被転写成型材の一部を収容可能な溝部を設け、
各ディスク媒体の両面に前記モールドを押し当てることによって、前記モールド上の凹凸を前記被転写成型材の表面に転写すると共に、前記溝部に前記凸部によって押し退けられた前記被転写成型材の一部を収容し、
前記モールドの裏面側から紫外線を照射して前記被転写成型材を硬化させ、
前記モールドを取り外した後の前記ディスク状媒体に対して、アッシングを行って、前記溝部によって形成されたダミーパターンを除去すると共に、前記被転写成型材と下地層を除去して前記磁性層に前記モールド上の凹部のパターンを形成して記憶媒体を製造することを特徴とする記憶媒体の製造方法。
A method of manufacturing a storage medium using a nanoimprint apparatus,
A disk medium is manufactured by laminating a soft magnetic backing layer, an intermediate layer, a magnetic layer, an underlayer, and the transferred material on both sides of a disk-shaped substrate,
The mold having a micro uneven pattern provided in the nanoimprint apparatus is composed of an ultraviolet ray transmitting member, and a groove part capable of accommodating a part of the transfer molding material is provided on the top surface of the convex part,
By pressing the mold against both sides of each disk medium, the unevenness on the mold is transferred to the surface of the transfer molding material, and a part of the molding material to be transferred that is pushed away by the convex portion into the groove portion. Contain
Irradiate ultraviolet rays from the back side of the mold to cure the transferred molding material,
Ashing is performed on the disk-shaped medium after the mold is removed, and the dummy pattern formed by the groove is removed, and the transfer molding material and the underlayer are removed to form the magnetic layer on the magnetic layer. A method of manufacturing a storage medium, wherein a storage medium is manufactured by forming a concave pattern on a mold.
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* Cited by examiner, † Cited by third party
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