JP2010147243A - Organic electroluminescent element and method of manufacturing the same - Google Patents

Organic electroluminescent element and method of manufacturing the same Download PDF

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Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide an organic EL element capable of forming layers by a simple method without requiring a vacuum atmosphere and having good luminescent characteristics and life characteristics, and to provide a method of manufacturing the same, an illumination device, a planar light source, and a display device. <P>SOLUTION: An organic EL element 1 is formed by stacking a substrate 6, an anode 2, a metal-doped molybdenum oxide layer 7, a light emitting layer 4, an electron injection layer 5 and a cathode layer 3 in this order. The electron injection layer 5 is deposited by applying a layer formation coating liquid with an alkali metal salt dissolved therein to the surface of the light-emitting layer 4. The metal-doped molybdenum oxide layer 7 is obtained by depositing oxide molybdenum and dopant metal at the same time. <P>COPYRIGHT: (C)2010,JPO&INPIT

Description

本発明は、有機エレクトロルミネッセンス素子(以下、有機EL素子ということがある。)及びその製造方法、照明装置、面状光源及び表示装置に関する。   The present invention relates to an organic electroluminescence element (hereinafter sometimes referred to as an organic EL element), a manufacturing method thereof, an illumination device, a planar light source, and a display device.

有機EL素子は、例えば有機物を含む発光層と、この発光層を挟む一対の電極(陽極及び陰極)とを備え、当該一対の電極に電圧を印加することによって、陽極から正孔が注入されるとともに陰極から電子が注入され、これら正孔と電子とが発光層において結合することで発光する。   An organic EL element includes, for example, a light emitting layer containing an organic substance and a pair of electrodes (anode and cathode) sandwiching the light emitting layer, and holes are injected from the anode by applying a voltage to the pair of electrodes. At the same time, electrons are injected from the cathode, and these holes and electrons combine in the light emitting layer to emit light.

有機EL素子における駆動電圧の低電圧化や、有機EL素子の長寿命化などを目的として、電極と発光層との間に発光層とは異なる層を設けている。このような層としては、例えば電子注入層、正孔注入層、正孔輸送層及び電子輸送層などがある(例えば特許文献1又は2参照)。   A layer different from the light emitting layer is provided between the electrode and the light emitting layer for the purpose of lowering the driving voltage in the organic EL element and extending the life of the organic EL element. Examples of such a layer include an electron injection layer, a hole injection layer, a hole transport layer, and an electron transport layer (see, for example, Patent Document 1 or 2).

電子注入層は、例えば電子ビーム(Electron Beam:略称EB)蒸着法、又は抵抗加熱蒸着法などの蒸着法によって形成されている。このような方法では、真空雰囲気を作り出すために真空装置が必要となるので、装置及び工程が複雑になり、素子の製造コストが高くなるという問題がある。   The electron injection layer is formed by, for example, an evaporation method such as an electron beam (abbreviation EB) evaporation method or a resistance heating evaporation method. In such a method, since a vacuum apparatus is required to create a vacuum atmosphere, the apparatus and the process are complicated, and there is a problem that the manufacturing cost of the element increases.

また、例えば特許文献3には、高効率な電子注入層として、発光層と電子注入電極との間に酸化モリブデン等の無機酸化物層を設けることが記載されている。有機EL素子の製造には、工程の容易さからウェットプロセスが用いられている。例えば発光層を塗布法によって形成したり、表示装置の画素間の有機EL素子を区画する隔壁をフォトリソグラフィ法によって形成したりしている。しかしながら、酸化モリブデン層はウェットプロセスに対して耐性が低く、ウェットプロセスにより有機EL素子を形成する工程において、酸化モリブデン層がダメージを受けたり、場合によっては溶出してしまうことがある。したがって、結果として工程が簡易なウエットプロセスを用いることが困難であり、且つ得られる有機EL素子の発光特性及び寿命特性を向上させ難いという問題がある。   For example, Patent Document 3 describes providing an inorganic oxide layer such as molybdenum oxide between a light emitting layer and an electron injection electrode as a highly efficient electron injection layer. In manufacturing an organic EL element, a wet process is used for ease of process. For example, a light emitting layer is formed by a coating method, and a partition that partitions an organic EL element between pixels of a display device is formed by a photolithography method. However, the molybdenum oxide layer has low resistance to the wet process, and in the step of forming the organic EL element by the wet process, the molybdenum oxide layer may be damaged or may be eluted in some cases. Therefore, as a result, there is a problem that it is difficult to use a wet process with a simple process, and it is difficult to improve the light emission characteristics and life characteristics of the obtained organic EL element.

特開平9−17574号公報JP-A-9-17574 特開2000−243569号公報Japanese Patent Laid-Open No. 2000-24369 特開2002−367784号公報JP 2002-367784 A

従って本発明は、上記に鑑みてなされたものであって、簡易な方法で有機EL素子を形成することができ、且つ発光特性及び寿命特性が良好な有機EL素子及びその製造方法、照明装置、面状光源及び表示装置を提供することを課題とする。   Accordingly, the present invention has been made in view of the above, and an organic EL element that can form an organic EL element by a simple method and has good light emission characteristics and lifetime characteristics, a manufacturing method thereof, a lighting device, It is an object to provide a planar light source and a display device.

上記課題を解決するために本発明者らは、真空雰囲気を必要としない塗布法で層を形成する方法を検討し、当該塗布法に使用可能な層形成塗布液で層を形成すると共に、モリブデン酸化物に金属をドープすることにより、ウェットプロセス等の成膜プロセスに対する耐久性を向上させ、ひいては素子の発光特性及び寿命特性を向上させ得ることを見出し、本発明に至った。   In order to solve the above-mentioned problems, the present inventors have studied a method of forming a layer by a coating method that does not require a vacuum atmosphere, and formed a layer with a layer-forming coating solution that can be used for the coating method. It has been found that by doping a metal with an oxide, durability against a film forming process such as a wet process can be improved, and as a result, the light emission characteristics and lifetime characteristics of the element can be improved.

本発明による有機エレクトロルミネッセンス素子は、陽極と、陰極と、前記陽極及び前記陰極の間に介在する発光層とを有する有機エレクトロルミネッセンス素子であって、前記陽極と前記発光層との間に、金属ドープモリブデン酸化物から成る金属ドープモリブデン酸化物層を有し、前記発光層と前記陰極との間に、アルカリ金属塩を溶解した層形成塗布液を用いる塗布法により形成されて成る層を有することを特徴とする。   An organic electroluminescence device according to the present invention is an organic electroluminescence device having an anode, a cathode, and a light emitting layer interposed between the anode and the cathode, and a metal between the anode and the light emitting layer. A metal-doped molybdenum oxide layer made of doped molybdenum oxide, and a layer formed by a coating method using a layer-forming coating solution in which an alkali metal salt is dissolved, between the light emitting layer and the cathode; It is characterized by.

また、本発明による有機エレクトロルミネッセンス素子にあっては、前記金属ドープモリブデン酸化物層の可視光透過率が、50%以上であることが好ましい。   Moreover, in the organic electroluminescent element by this invention, it is preferable that the visible light transmittance | permeability of the said metal dope molybdenum oxide layer is 50% or more.

また、本発明による有機エレクトロルミネッセンス素子にあっては、前記金属ドープモリブデン酸化物に含まれるドーパント金属が、遷移金属、周期表の13族金属及びこれらの混合物からなる群より選択されることが好ましい。   In the organic electroluminescence device according to the present invention, the dopant metal contained in the metal-doped molybdenum oxide is preferably selected from the group consisting of transition metals, Group 13 metals of the periodic table, and mixtures thereof. .

また、本発明による有機エレクトロルミネッセンス素子にあっては、前記ドーパント金属が、アルミニウムであることが好ましい。   Moreover, in the organic electroluminescent element by this invention, it is preferable that the said dopant metal is aluminum.

また、本発明による有機エレクトロルミネッセンス素子にあっては、前記金属ドープモリブデン酸化物におけるドーパント金属の割合が、0.1〜20.0molモル%であることが好ましい。   Moreover, in the organic electroluminescent element by this invention, it is preferable that the ratio of the dopant metal in the said metal dope molybdenum oxide is 0.1-20.0 mol%.

また、本発明による有機エレクトロルミネッセンス素子にあっては、前記金属ドープモリブデン酸化物層に接して高分子化合物を含む層を有することが好ましい。   Moreover, in the organic electroluminescent element by this invention, it is preferable to have a layer containing a high molecular compound in contact with the said metal dope molybdenum oxide layer.

本発明による有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法は、陽極、陰極、並びに前記陽極及び前記陰極間に介在する発光層を形成する工程と、前記陽極と前記発光層との間に、酸化モリブデン及びドーパント金属を同時に堆積して成る金属ドープモリブデン酸化物層を形成する工程と、前記発光層と前記陰極との間に、アルカリ金属塩を溶解した層形成塗布液を用いる塗布法により層を形成する工程とを含むことを特徴とする。   The method of manufacturing an organic electroluminescence device according to the present invention includes a step of forming an anode, a cathode, and a light emitting layer interposed between the anode and the cathode, and a molybdenum oxide and a dopant metal between the anode and the light emitting layer. Forming a metal-doped molybdenum oxide layer formed by simultaneously depositing layers, and forming a layer by a coating method using a layer-forming coating solution in which an alkali metal salt is dissolved between the light emitting layer and the cathode; It is characterized by including.

また、本発明による有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法にあっては、前記金属ドープモリブデン酸化物層を形成する工程を、真空蒸着、スパッタリング又はイオンプレーティングにより行うことが好ましい。   Moreover, in the manufacturing method of the organic electroluminescent element by this invention, it is preferable to perform the process of forming the said metal dope molybdenum oxide layer by vacuum evaporation, sputtering, or ion plating.

また、本発明による有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法にあっては、前記金属ドープモリブデン酸化物層を形成する工程が、酸化モリブデン及びドーパント金属を同時に堆積した層を加熱する工程をさらに含むことが好ましい。   In the method for manufacturing an organic electroluminescence device according to the present invention, it is preferable that the step of forming the metal-doped molybdenum oxide layer further includes a step of heating a layer in which molybdenum oxide and a dopant metal are simultaneously deposited. .

また、本発明による有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法にあっては、前記アルカリ金属塩が、モリブデン酸、タングステン酸、タンタル酸、ニオブ酸、バナジウム酸、チタン酸及び亜鉛酸から成る群から選択される少なくとも1種の塩であることが好ましい。   In the method for producing an organic electroluminescence device according to the present invention, the alkali metal salt is selected from the group consisting of molybdic acid, tungstic acid, tantalic acid, niobic acid, vanadate acid, titanic acid, and zinc acid. Preferably it is at least one salt.

また、本発明による有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法にあっては、前記アルカリ金属塩が、リチウム、ナトリウム、カリウム、ルビジウム及びセシウムから成る群から選択される少なくとも1種の塩であることが好ましい。   Moreover, in the manufacturing method of the organic electroluminescent element by this invention, it is preferable that the said alkali metal salt is at least 1 sort (s) of salt selected from the group which consists of lithium, sodium, potassium, rubidium, and a cesium.

また、本発明による有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法にあっては、前記アルカリ金属塩が、セシウム塩であることが好ましい。   Moreover, in the manufacturing method of the organic electroluminescent element by this invention, it is preferable that the said alkali metal salt is a cesium salt.

また、本発明による有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法にあっては、前記アルカリ金属塩が、モリブデン酸セシウムであることが好ましい。   Moreover, in the manufacturing method of the organic electroluminescent element by this invention, it is preferable that the said alkali metal salt is a cesium molybdate.

また、本発明による有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法にあっては、前記層形成塗布液が、アルコール及び/又は水を含むことが好ましい。   Moreover, in the manufacturing method of the organic electroluminescent element by this invention, it is preferable that the said layer formation coating liquid contains alcohol and / or water.

また、本発明による有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法にあっては、前記層形成塗布液が、界面活性剤を含むことが好ましい。   Moreover, in the manufacturing method of the organic electroluminescent element by this invention, it is preferable that the said layer formation coating liquid contains surfactant.

また、本発明による有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法にあっては、ポリエチレンナフタレートから成る基板に対する前記層形成塗布液の接触角が、60°以下であることが好ましい。   In the method for producing an organic electroluminescent element according to the present invention, it is preferable that a contact angle of the layer forming coating solution with respect to a substrate made of polyethylene naphthalate is 60 ° or less.

また、本発明による有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法にあっては、前記層形成塗布液の水素イオン指数が、7以上13以下であることが好ましい。   Moreover, in the manufacturing method of the organic electroluminescent element by this invention, it is preferable that the hydrogen ion index | exponent of the said layer formation coating liquid is 7 or more and 13 or less.

本発明による照明装置は、前記有機エレクトロルミネッセンス素子を備えることを特徴とする。   The illuminating device by this invention is equipped with the said organic electroluminescent element, It is characterized by the above-mentioned.

本発明による面状光源は、前記有機エレクトロルミネッセンス素子を備えることを特徴とする。   The planar light source according to the present invention includes the organic electroluminescence element.

本発明による表示装置は、前記有機エレクトロルミネッセンス素子を備えることを特徴とする。   A display device according to the present invention includes the organic electroluminescence element.

本発明によれば、層形成塗布液を用いることによって、真空雰囲気を作り出すことなく塗布法で層を容易に形成することができる。また、ウェットプロセスに耐性のある金属ドープモリブデン酸化物層を形成することにより、金属ドープモリブデン酸化物層が形成された後にウェットプロセスにより各層を形成したとしても、金属ドープモリブデン酸化物層に与える損傷を抑制することができるので、信頼性の高い有機EL素子を簡易なウェットプロセスにより容易に製造することができ、且つその発光特性及び寿命特性が良好である。従って、本発明による有機EL素子は、照明装置、バックライトおよびスキャナなどに用いられる面状光源、フラットパネルディスプレイ等の表示装置として好ましく使用できる。   According to the present invention, by using the layer forming coating solution, a layer can be easily formed by a coating method without creating a vacuum atmosphere. In addition, by forming a metal-doped molybdenum oxide layer that is resistant to a wet process, even if each layer is formed by a wet process after the metal-doped molybdenum oxide layer is formed, damage to the metal-doped molybdenum oxide layer Therefore, a highly reliable organic EL device can be easily manufactured by a simple wet process, and its light emission characteristics and lifetime characteristics are good. Therefore, the organic EL device according to the present invention can be preferably used as a display device such as a planar light source used in a lighting device, a backlight, a scanner, or the like, or a flat panel display.

以下、本発明の実施形態について、図面を参照しつつ説明する。なお、理解の容易のため、図面における各部材の縮尺は実際とは異なる場合がある。また、本発明は以下の記述によって限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲において適宜変更可能である。有機EL装置においては、電極のリード線等の部材も存在するが、本発明の説明にあっては直接的に要しないため記載を省略している。層構造等の説明の便宜上、下記例においては基板を下に配置した図と共に説明がなされるが、本実施の形態の有機EL素子及びこれを搭載した有機EL装置が、必ずしもこの配置で製造または使用等がなされるわけではない。また基板の厚み方向の一方を上方または上といい、基板の厚み方向の他方を下という場合がある。   Embodiments of the present invention will be described below with reference to the drawings. For ease of understanding, the scale of each member in the drawings may be different from the actual scale. Further, the present invention is not limited by the following description, and can be appropriately changed without departing from the gist of the present invention. In the organic EL device, there are members such as electrode lead wires. However, in the explanation of the present invention, the description is omitted because it is not required directly. For convenience of explanation of the layer structure and the like, in the following example, the explanation will be made together with a diagram in which the substrate is arranged below. It is not used. In some cases, one side in the thickness direction of the substrate is referred to as the upper side or the upper side, and the other side in the thickness direction of the substrate is referred to as the lower side.

図1は、本発明の実施の形態の有機EL素子1を示す正面図である。本実施の形態の有機EL素子1は、例えばフルカラー表示装置、エリアカラー表示装置などの表示装置の光源、及び液晶表示装置のバックライトおよびスキャナなどに用いられる面状光源、並びに照明装置などに用いられる。   FIG. 1 is a front view showing an organic EL element 1 according to an embodiment of the present invention. The organic EL element 1 of the present embodiment is used for, for example, a light source of a display device such as a full-color display device or an area color display device, a planar light source used for a backlight or a scanner of a liquid crystal display device, an illumination device, or the like. It is done.

本実施の形態の有機EL素子1は、陽極2と、陰極3と、これら陽極2及び陰極3の間に設けられる発光層4と、陰極3及び発光層4の間に設けられる電子注入層5と、発光層4及び陽極2の間に設けられる金属ドープモリブデン酸化物から成る金属ドープモリブデン酸化物層7とを備えている。本実施の形態の有機EL素子1は、基板6上に、陽極2、金属ドープモリブデン酸化物層7、発光層4、電子注入層5及び陰極3がこの順に積層されて構成され、それぞれを成膜することで製造される。電子注入層5は、後述する層形成塗布液を用いて塗布法によって形成される。金属ドープモリブデン酸化物層7は、モリブデン酸化物及びドーパント金属を含むものであり、好ましくはモリブデン酸化物及びドーパント金属から実質的に成り、本実施の形態では正孔注入層として機能する。   The organic EL element 1 of the present embodiment includes an anode 2, a cathode 3, a light emitting layer 4 provided between the anode 2 and the cathode 3, and an electron injection layer 5 provided between the cathode 3 and the light emitting layer 4. And a metal-doped molybdenum oxide layer 7 made of a metal-doped molybdenum oxide provided between the light emitting layer 4 and the anode 2. The organic EL element 1 of the present embodiment is configured by laminating an anode 2, a metal-doped molybdenum oxide layer 7, a light emitting layer 4, an electron injection layer 5 and a cathode 3 in this order on a substrate 6. Manufactured by filming. The electron injection layer 5 is formed by a coating method using a layer forming coating solution described later. The metal-doped molybdenum oxide layer 7 contains molybdenum oxide and a dopant metal, and preferably consists essentially of molybdenum oxide and a dopant metal, and functions as a hole injection layer in the present embodiment.

本実施の形態の有機EL素子1は、発光層4からの光を基板6側から取出すいわゆるボトムエミッション型の素子であり、可視光領域の光に対する透過率の高い基板6が好適に用いられる。また基板6としては有機EL素子1を形成する工程において変化しないものが好適に用いられ、リジッド基板でも、フレキシブル基板でもよく、例えばガラス、プラスチック、高分子フィルム、シリコン基板、金属板、これらを積層したものなどが好適に用いられる。さらに、プラスチック、高分子フィルムなどに低透水化処理を施したものを用いることもできる。前記基板6としては、市販のものを使用可能である。また、基板6は公知の方法により製造することができる。なお、陰極3側から光を取出すいわゆるトップエミッション型の有機EL素子では、基板は不透光性のものであってもよい。   The organic EL element 1 of the present embodiment is a so-called bottom emission type element that extracts light from the light emitting layer 4 from the substrate 6 side, and a substrate 6 having a high transmittance for light in the visible light region is preferably used. Further, as the substrate 6, a substrate that does not change in the process of forming the organic EL element 1 is preferably used, and may be a rigid substrate or a flexible substrate. For example, glass, plastic, polymer film, silicon substrate, metal plate, and these are laminated. And the like are preferably used. Further, a plastic, a polymer film or the like that has been subjected to a low water permeability treatment can be used. A commercially available substrate can be used as the substrate 6. The substrate 6 can be manufactured by a known method. In the so-called top emission type organic EL element that extracts light from the cathode 3 side, the substrate may be opaque.

陽極2には、電気抵抗の低い薄膜が好適に用いられる。陽極2及び陰極3のうちの少なくともいずれか一方は、透光性を示し、例えばボトムエミッション型の有機EL素子では、基板6側に配置される陽極2は、可視光領域の光に対する透過率が高いものが好適に用いられる。陽極2の材料等については、後述する。   A thin film with low electrical resistance is preferably used for the anode 2. At least one of the anode 2 and the cathode 3 exhibits translucency. For example, in a bottom emission type organic EL element, the anode 2 disposed on the substrate 6 side has a transmittance for light in the visible light region. Higher ones are preferably used. The material of the anode 2 will be described later.

ドープモリブデン酸化物から成る金属ドープモリブデン酸化物層7は、モリブデン酸化物及びドーパント金属を含む。より具体的には、金属ドープモリブデン酸化物層を構成する物質全量中における、モリブデン酸化物及びドーパント金属の合計が占める割合は、好ましくは98質量%以上、より好ましくは99質量%以上、さらに好ましくは99.9質量%以上である。   The metal-doped molybdenum oxide layer 7 made of doped molybdenum oxide contains molybdenum oxide and a dopant metal. More specifically, the proportion of the total of the molybdenum oxide and the dopant metal in the total amount of the material constituting the metal-doped molybdenum oxide layer is preferably 98% by mass or more, more preferably 99% by mass or more, and still more preferably Is 99.9% by mass or more.

素子特性の観点からは、金属ドープモリブデン酸化物層7に接して高分子化合物を含む層を設けることが好ましい。高分子化合物を含む層は、金属ドープモリブデン酸化物層7の上下何れの表面に設けることも可能であるが、特に、金属ドープモリブデン酸化物層7上に高分子化合物を含む層を有することがより好ましい。すなわち、金属ドープモリブデン酸化物層7の陰極3側の表面上に、高分子化合物を含む層が設けられることが好ましい。   From the viewpoint of device characteristics, it is preferable to provide a layer containing a polymer compound in contact with the metal-doped molybdenum oxide layer 7. The layer containing the polymer compound can be provided on either the upper or lower surface of the metal-doped molybdenum oxide layer 7, and in particular, the layer containing the polymer compound may be provided on the metal-doped molybdenum oxide layer 7. More preferred. That is, a layer containing a polymer compound is preferably provided on the surface of the metal-doped molybdenum oxide layer 7 on the cathode 3 side.

前記金属ドープモリブデン酸化物層7の可視光透過率は、50%以上であることが好ましい。50%以上の可視光透過率を有することにより、金属ドープモリブデン酸化物層7を透過して発光する形式の有機EL素子に好適に用いることができる。   The visible light transmittance of the metal-doped molybdenum oxide layer 7 is preferably 50% or more. By having a visible light transmittance of 50% or more, it can be suitably used for an organic EL element that emits light through the metal-doped molybdenum oxide layer 7.

金属ドープモリブデン酸化物層7に含まれるドーパント金属は、好ましくは遷移金属、周期表の13族金属又はこれらの混合物であり、より好ましくはアルミニウム、ニッケル、銅、クロム、チタン、銀、ガリウム、亜鉛、ネオジム、ユーロピウム、ホルミウム、セリウムであり、さらに好ましくはアルミニウムである。また、モリブデン酸化物としてはMoOを採用することが好ましい。MoOを真空蒸着等の蒸着法により成膜する場合、蒸着された膜においてMoとOとの化学量論的な組成比が保たれない場合もありうるが、その場合でも本発明に好ましく用いることができる。 The dopant metal contained in the metal-doped molybdenum oxide layer 7 is preferably a transition metal, a Group 13 metal of the periodic table, or a mixture thereof, more preferably aluminum, nickel, copper, chromium, titanium, silver, gallium, zinc. , Neodymium, europium, holmium, cerium, and more preferably aluminum. Moreover, it is preferable to employ MoO 3 as the molybdenum oxide. When MoO 3 is formed by a vapor deposition method such as vacuum vapor deposition, the stoichiometric composition ratio of Mo and O may not be maintained in the deposited film, but even in that case, it is preferably used in the present invention. be able to.

前記金属ドープモリブデン酸化物中におけるモリブデン酸化物に対するドーパント金属の含有割合は、0.1〜20.0mol%であることが好ましい。ドーパント金属の含有割合が上記範囲内であることにより、良好な耐プロセス性を得ることができる。   It is preferable that the content rate of the dopant metal with respect to the molybdenum oxide in the said metal dope molybdenum oxide is 0.1-20.0 mol%. When the content of the dopant metal is within the above range, good process resistance can be obtained.

前記金属ドープモリブデン酸化物層の厚さは、特に限定されないが10〜1000Åであることが好ましい。   The thickness of the metal-doped molybdenum oxide layer is not particularly limited, but is preferably 10 to 1000 mm.

金属ドープモリブデン酸化物層7を形成する方法としては、特に限定されないが、有機EL素子において金属ドープモリブデン酸化物層7の下に接して配置される下層(本実施の形態では陽極2)上に、酸化モリブデン及びドーパント金属を同時に堆積し、金属ドープモリブデン酸化物層7を得る方法が好ましい。ここで、有機EL素子1において金属ドープモリブデン酸化物層7の下に接して配置される下層は、製造工程及び得られる有機EL素子1の積層構造に応じて適宜選択することができる。例えば、基板上に設けられた陽極2の層上に堆積を行ない、陽極2に直接接した金属ドープモリブデン酸化物層7を得ることができる。堆積は、真空蒸着、分子線蒸着、スパッタリング又はイオンプレーティング、イオンビーム蒸着等により行うことができる。成膜チャンバー内にプラズマを導入することによって、反応性や成膜性を向上させたプラズマアシスト真空蒸着法なども用いることができる。   A method for forming the metal-doped molybdenum oxide layer 7 is not particularly limited, but on the lower layer (in this embodiment, the anode 2) disposed in contact with the metal-doped molybdenum oxide layer 7 in the organic EL element. A method in which molybdenum oxide and a dopant metal are simultaneously deposited to obtain a metal-doped molybdenum oxide layer 7 is preferable. Here, the lower layer disposed in contact with the metal-doped molybdenum oxide layer 7 in the organic EL element 1 can be appropriately selected according to the manufacturing process and the laminated structure of the organic EL element 1 to be obtained. For example, deposition can be performed on the layer of the anode 2 provided on the substrate, and the metal-doped molybdenum oxide layer 7 in direct contact with the anode 2 can be obtained. Deposition can be performed by vacuum evaporation, molecular beam evaporation, sputtering or ion plating, ion beam evaporation, or the like. By introducing plasma into the film formation chamber, a plasma assisted vacuum deposition method with improved reactivity and film formability can be used.

真空蒸着法の蒸発源としては、抵抗加熱、電子ビーム加熱、高周波誘導加熱、レーザビーム加熱などが上げられる。より簡便な方法として、抵抗加熱、電子ビーム加熱、高周波誘導加熱が好ましい。スパッタ法にはDCスパッタ法、RFスパッタ法、ECRスパッタ法、コンベンショナル・スパッタリング法、マグネトロンスパッタ法、イオンビーム・スパッタ法、対向ターゲットスパッタ法などがありいずれの方式も用いることができる。下層にダメージを与えないためにもマグネトロンスパッタ法、イオンビーム・スパッタ法、対向ターゲットスパッタ法を用いることが好ましい。なお、成膜時において、雰囲気中に酸素や酸素元素を含むガスを導入して蒸着を行うこともできる。金属ドープモリブデン酸化物層7を形成する際に用いる材料の組合わせとして、MoOとドープする金属の単体とが通常用いられるが、モリブデンそのものやMoOとドーパント金属の酸化物との組合わせも有り得る。さらにドーパント金属とモリブデンとの合金あるいはこれらの混合物を材料として用いて金属ドープモリブデン酸化物層7を形成してもよい。 Examples of the evaporation source of the vacuum deposition method include resistance heating, electron beam heating, high frequency induction heating, and laser beam heating. As a simpler method, resistance heating, electron beam heating, and high frequency induction heating are preferable. The sputtering method includes a DC sputtering method, an RF sputtering method, an ECR sputtering method, a conventional sputtering method, a magnetron sputtering method, an ion beam sputtering method, an opposed target sputtering method, and any method can be used. In order not to damage the lower layer, it is preferable to use magnetron sputtering, ion beam sputtering, or counter target sputtering. Note that during film formation, vapor deposition can be performed by introducing a gas containing oxygen or an oxygen element into the atmosphere. As a combination of materials used for forming the metal-doped molybdenum oxide layer 7, MoO 3 and a single metal to be doped are usually used, but a combination of molybdenum itself or MoO 2 and an oxide of a dopant metal is also possible. It is possible. Further, the metal-doped molybdenum oxide layer 7 may be formed using an alloy of dopant metal and molybdenum or a mixture thereof as a material.

堆積された金属ドープモリブデン酸化物層は、さらに任意の工程として、加熱処理、UV−O処理、大気曝露処理等を施すことが好ましく、これらの処理のなかでも加熱処理を施すことが好ましい。これらの処理を施すことにより、金属ドープモリブデン酸化物のウエットプロセスに対する耐性及び寿命特性をより強化することができる。 The deposited metal-doped molybdenum oxide layer is preferably subjected to heat treatment, UV-O 3 treatment, air exposure treatment, and the like as optional steps, and among these treatments, heat treatment is preferably performed. By performing these treatments, the resistance to the wet process and the life characteristics of the metal-doped molybdenum oxide can be further enhanced.

前記加熱は、50〜350℃で1〜120分間の条件で行うことができる。前記UV−O処理は、紫外線を1〜100mW/cmの強度で5秒〜30分間照射し、オゾン濃度0.001〜99%の雰囲気下で処理することにより行うことができる。前記大気曝露は、湿度40〜95%、温度20〜50℃の大気中に、1〜20日間放置することにより行うことができる。 The heating can be performed at 50 to 350 ° C. for 1 to 120 minutes. The UV-O 3 treatment can be performed by irradiating with ultraviolet rays at an intensity of 1 to 100 mW / cm 2 for 5 seconds to 30 minutes and in an atmosphere having an ozone concentration of 0.001 to 99%. The exposure to the atmosphere can be performed by leaving it in the atmosphere at a humidity of 40 to 95% and a temperature of 20 to 50 ° C. for 1 to 20 days.

発光層4は、蛍光、及び/又はりん光を発する有機物が含んで構成され、ドーパントをさらに含んでもよい。ドーパントは、たとえば発光効率の向上や発光波長を変化させるなどの目的で付加される。発光層4に用いられる発光材料等は、後述する。前述したように金属ドープモリブデン酸化物層には、高分子化合物を含む層が接して設けられることが好ましく、本実施の形態では、金属ドープモリブデン酸化物層に接して設けられるる高分子化合物を含む層に発光層4が相当する。   The light emitting layer 4 includes an organic substance that emits fluorescence and / or phosphorescence, and may further include a dopant. The dopant is added for the purpose of, for example, improving luminous efficiency or changing the emission wavelength. The light emitting material used for the light emitting layer 4 will be described later. As described above, the metal-doped molybdenum oxide layer is preferably provided in contact with the layer containing a polymer compound. In this embodiment, the polymer compound provided in contact with the metal-doped molybdenum oxide layer is The light emitting layer 4 corresponds to the layer to be included.

電子注入層5は、主に陰極3からの電子の注入効率を改善するために設けられ、層形成塗布液を発光層4の表面上に塗布した後に乾燥させることによって形成することができる。電子注入層5を形成するときに用いられる層形成塗布液は、アルカリ金属塩を溶解して得られる。すなわち層形成塗布液を用いて形成される電子注入層5は、アルカリ金属塩を含んで構成される。なお、層形成塗布液は、少なくともアルカリ金属塩を含むが、アルカリ金属塩とは異なる材料を含んでいてもよい。層形成塗布液に含まれるアルカリ金属塩とは異なる材料としては、例えば、導電性有機化合物、増粘安定剤などを挙げることができる。なお、電子注入層5は実質的にアルカリ金属塩のみによって構成されてもよい。   The electron injection layer 5 is provided mainly for improving the efficiency of electron injection from the cathode 3, and can be formed by applying a layer forming coating solution on the surface of the light emitting layer 4 and then drying it. The layer-forming coating solution used when forming the electron injection layer 5 is obtained by dissolving an alkali metal salt. That is, the electron injection layer 5 formed using the layer forming coating solution is configured to contain an alkali metal salt. The layer forming coating solution contains at least an alkali metal salt, but may contain a material different from the alkali metal salt. Examples of the material different from the alkali metal salt contained in the layer forming coating solution include a conductive organic compound and a thickening stabilizer. In addition, the electron injection layer 5 may be substantially composed only of an alkali metal salt.

アルカリ金属塩は、リチウム、ナトリウム、カリウム、ルビジウム、及びセシウムから成る群から選択される少なくとも1種の塩であり、これらの中でも好ましくはナトリウム、カリウム、セシウム、リチウムから成る群から選択される少なくとも1種の塩であり、セシウム塩が最も好ましい。アルカリ金属の仕事関数は低いので、層形成塗布液を用いて形成される電子注入層5は陰極3からの電子注入を容易にする。これによって、有機EL素子1の駆動電圧の低電圧化を図ることができる。   The alkali metal salt is at least one salt selected from the group consisting of lithium, sodium, potassium, rubidium, and cesium, and among these, at least selected from the group consisting of sodium, potassium, cesium, lithium is preferable. One type of salt, most preferably a cesium salt. Since the work function of the alkali metal is low, the electron injection layer 5 formed using the layer forming coating solution facilitates electron injection from the cathode 3. Thereby, the drive voltage of the organic EL element 1 can be lowered.

アルカリ金属塩は、好ましくはモリブデン酸、タングステン酸、タンタル酸、ニオブ酸、バナジウム酸、チタン酸、及び亜鉛酸から成る群から選択される少なくとも1種の塩である。アルカリ金属塩としては、例えば一般式M2MoO4、M2WO4、M2Ta26、M2Nb26、M3VO4、M226、M2TiO3、M2ZnO2で表される塩を挙げることができる(式中、Mはアルカリ金属を表す。)。具体的には、モリブデン酸リチウム、タングステン酸リチウム、バナジウム酸リチウム、ニオブ酸リチウムタンタル酸リチウム、チタン酸リチウム、亜鉛酸リチウム、モリブデン酸ナトリウム、タングステン酸ナトリウム、バナジウム酸ナトリウム、ニオブ酸ナトリウム、タンタル酸ナトリウム、チタン酸ナトリウム、亜鉛酸ナトリウム、モリブデン酸カリウム、タングステン酸カリウム、バナジウム酸カリウム、ニオブ酸カリウム、タンタル酸カリウム、チタン酸カリウム、亜鉛酸カリウム、モリブデン酸ルビジウム、タングステン酸ルビジウム、バナジウム酸ルビジウム、ニオブ酸ルビジウム、タンタル酸ルビジウム、チタン酸ルビジウム、亜鉛酸ルビジウム、モリブデン酸セシウム、タングステン酸セシウム、バナジウム酸セシウム、ニオブ酸セシウム、タンタル酸セシウム、チタン酸セシウム、亜鉛酸セシウムが挙げられる。またアルカリ金属塩としては、1又は複数の種類のアルカリ金属と、1又は複数の種類の酸との塩でもよく、モリブテン酸タングステン酸リチウムナトリウム、モリブテン酸ニオブ酸ナトリウムセシウム、バナジウム酸タンタル酸セシウムなどを挙げることができる。さらにアルカリ金属塩としては、セシウム塩であることが好ましく、たとえばモリブデン酸、タングステン酸、タンタル酸、ニオブ酸、バナジウム酸、及びチタン酸から成る群から選択される少なくとも1種のセシウム塩を挙げることができる。アルカリ金属塩としては、これらの中でもモリブデン酸セシウム(Cs2MoO4)が好ましく、モリブデン酸セシウムを含む電子注入層5を形成することによって、有機EL素子1の駆動電圧を効果的に低化することができる。またアルカリ金属塩はアルカリ金属単体よりも反応性に乏しいので、層形成塗布液を用いることによって経時変化の小さい電子注入層5を形成することができる。 The alkali metal salt is preferably at least one salt selected from the group consisting of molybdic acid, tungstic acid, tantalum acid, niobic acid, vanadate acid, titanic acid, and zinc acid. Examples of the alkali metal salt include general formulas M 2 MoO 4 , M 2 WO 4 , M 2 Ta 2 O 6 , M 2 Nb 2 O 6 , M 3 VO 4 , M 2 V 2 O 6 , M 2 TiO 3 , Mention may be made of salts represented by M 2 ZnO 2 (wherein M represents an alkali metal). Specifically, lithium molybdate, lithium tungstate, lithium vanadate, lithium niobate, lithium tantalate, lithium titanate, lithium zincate, sodium molybdate, sodium tungstate, sodium vanadate, sodium niobate, tantalate Sodium, sodium titanate, sodium zincate, potassium molybdate, potassium tungstate, potassium vanadate, potassium niobate, potassium tantalate, potassium titanate, potassium zincate, rubidium molybdate, rubidium tungstate, rubidium vanadate, Rubidium niobate, rubidium tantalate, rubidium titanate, rubidium zincate, cesium molybdate, cesium tungstate, cesium vanadate, Obusan cesium, tantalum cesium, cesium titanate, zinc cesium. The alkali metal salt may be a salt of one or more kinds of alkali metals and one or more kinds of acids, such as lithium sodium tungstate molybdate, sodium cesium niobate molybdate, cesium vanadate tantalate, etc. Can be mentioned. Further, the alkali metal salt is preferably a cesium salt, for example, at least one cesium salt selected from the group consisting of molybdic acid, tungstic acid, tantalic acid, niobic acid, vanadium acid, and titanic acid. Can do. Among these, cesium molybdate (Cs 2 MoO 4 ) is preferable as the alkali metal salt. By forming the electron injection layer 5 containing cesium molybdate, the driving voltage of the organic EL element 1 is effectively reduced. be able to. Further, since the alkali metal salt is less reactive than the alkali metal alone, it is possible to form the electron injection layer 5 having a small change with time by using the layer forming coating solution.

層形成塗布液の溶媒としては、前述したアルカリ金属塩を溶解するものであればよく、アルコール及び/又は水を含むことが好ましい。   The solvent for the layer-forming coating solution may be any solvent that dissolves the alkali metal salt described above, and preferably contains alcohol and / or water.

層形成塗布液は、界面活性剤をさらに含むことが好ましい。この界面活性剤によって層形成塗布液の表面張力が低下するので、層形成塗布液が塗布される層(本実施の形態では発光層4)に対する濡れ性が向上し、層形成塗布液を用いて形成される層(本実施の形態では電子注入層5)の層厚を均一にすることができる。このような界面活性剤としては、例えばアニオン性界面活性剤、カチオン性界面活性剤、双性(両性)界面活性剤、及び非イオン性界面活性剤などを挙げることができ、具体的には、多価アルコールのアルキルエーテル、多価アルコールのアルキルエステル、ポリオキシエチレンアルキルエーテル、ポリオキシエチレンアルキルエステル、ポリオキシプロピレンアルキルエーテル、ポリオキシプロピレンンアルキルエステル、及びアセチレングリコール、又はこれらのアルキル基の水素原子の少なくとも一部がフッ素原子に置き換わったフッ素系非イオン性界面活性剤を挙げることができる。塗布される層(本実施の形態では発光層4)に対する層形成塗布液の濡れ性が高いほど、層の層厚を均一にすることができるので好ましく、ポリエチレンナフタレートから成る基板(以下、PET基板という場合がある)に対する層形成塗布液の接触角が、60°以下であることが好ましい。このようなPET基板に対する接触角を示す層形成塗布液を用いることによって、表面粗さの小さい平坦な層(本実施の形態では電子注入層5)を形成することができる。   The layer forming coating solution preferably further contains a surfactant. Since the surface tension of the layer-forming coating solution is reduced by this surfactant, the wettability with respect to the layer to which the layer-forming coating solution is applied (in this embodiment, the light emitting layer 4) is improved, and the layer-forming coating solution is used. The layer thickness of the formed layer (in this embodiment, the electron injection layer 5) can be made uniform. Examples of such surfactants include anionic surfactants, cationic surfactants, zwitterionic (amphoteric) surfactants, and nonionic surfactants. Specifically, Polyalkyl alcohol alkyl ether, polyhydric alcohol alkyl ester, polyoxyethylene alkyl ether, polyoxyethylene alkyl ester, polyoxypropylene alkyl ether, polyoxypropylene alkyl ester, and acetylene glycol, or hydrogen of these alkyl groups Mention may be made of fluorine-based nonionic surfactants in which at least some of the atoms are replaced by fluorine atoms. The higher the wettability of the layer-forming coating solution with respect to the layer to be applied (in this embodiment, the light emitting layer 4), the more uniform the layer thickness is, and it is preferable that the substrate (hereinafter referred to as PET) made of polyethylene naphthalate. It is preferable that the contact angle of the layer forming coating solution with respect to the substrate) is 60 ° or less. By using such a layer-forming coating solution that exhibits a contact angle with respect to the PET substrate, a flat layer (in the present embodiment, the electron injection layer 5) having a small surface roughness can be formed.

層形成塗布液は、前述したアルコール及び/又は水などの溶媒に前述したアルカリ金属塩を溶解させることによって得られる。なお、前述したように界面活性剤をさらに添加してもよい。また層形成塗布液としては、当該層形成塗布液を乾燥したときにアルカリ金属塩が析出する液体であればよく、アルカリ金属塩を溶解させて得る必要はない。   The layer-forming coating solution is obtained by dissolving the alkali metal salt described above in a solvent such as the alcohol and / or water described above. As described above, a surfactant may be further added. The layer-forming coating solution may be any liquid that deposits an alkali metal salt when the layer-forming coating solution is dried, and need not be obtained by dissolving the alkali metal salt.

層形成塗布液を発光層4の表面上に塗布する方法としては、スピンコート法、キャスティング法、マイクログラビアコート法、グラビアコート法、バーコート法、ロールコート法、ワイアーバーコート法、ディップコート法、スリットコート法、キャピラリーコート法、スプレーコート法、ノズルコート法などのコート法、グラビア印刷法、スクリーン印刷法、フレキソ印刷法、オフセット印刷法、反転印刷法、インクジェットプリント法などの塗布法を用いることができる。パターン形成や多色の塗分けが容易であるという点で、グラビア印刷法、スクリーン印刷法、フレキソ印刷法、オフセット印刷法、反転印刷法、インクジェットプリント法が好ましい。   As a method of applying the layer forming coating solution on the surface of the light emitting layer 4, a spin coating method, a casting method, a micro gravure coating method, a gravure coating method, a bar coating method, a roll coating method, a wire bar coating method, a dip coating method. Coating methods such as slit coating, capillary coating, spray coating, nozzle coating, etc., gravure printing, screen printing, flexographic printing, offset printing, reverse printing, inkjet printing, etc. are used. be able to. The gravure printing method, the screen printing method, the flexographic printing method, the offset printing method, the reverse printing method, and the ink jet printing method are preferable in that pattern formation and multicolor coating are easy.

電子注入層5の層厚としては、用いる材料によって最適値が異なり、駆動電圧と発光効率が適度な値となるように選択され、少なくともピンホールが発生しないような厚さが必要であり、厚すぎると素子の駆動電圧が高くなるので好ましくない。従って、電子注入層5の膜厚は、通常1nm〜1μmである。好ましくは2nm〜500nmであり、さらに好ましくは3nm〜200nmである。   The layer thickness of the electron injection layer 5 varies depending on the material used, and is selected so that the driving voltage and the light emission efficiency are appropriate values. At least a thickness that does not cause pinholes is required. Too much is not preferable because the driving voltage of the element increases. Therefore, the film thickness of the electron injection layer 5 is usually 1 nm to 1 μm. Preferably it is 2 nm-500 nm, More preferably, it is 3 nm-200 nm.

なお層形成塗布液によって形成されるのは、前述した電子注入層5だけでなく、陰極を形成するための塗布液として用いられてもよい。電子注入層5は、陰極3に接して設けられる必要はなく、電子注入層5と陰極3との間に電子注入層5とは異なる層が挿入されていてもよく、また上述したように電子注入層5と発光層4との間に、電子注入層5とは異なる層が挿入されていてもよい。さらに、層形成塗布液によって形成される層は電荷の注入性を向上することから、有機太陽電池及び有機トランジスタなどの電極あるいは電極と有機材料との間の層として用いることができる。   The layer forming coating solution may be used not only as the electron injection layer 5 described above but also as a coating solution for forming the cathode. The electron injection layer 5 does not need to be provided in contact with the cathode 3, and a layer different from the electron injection layer 5 may be inserted between the electron injection layer 5 and the cathode 3. A layer different from the electron injection layer 5 may be inserted between the injection layer 5 and the light emitting layer 4. Furthermore, since the layer formed by the layer-forming coating solution improves the charge injection property, it can be used as an electrode such as an organic solar cell and an organic transistor, or a layer between the electrode and the organic material.

また層形成塗布液は、水素イオン指数が7以上13以下であることが好ましい。このような層形成塗布液を用いれば、例えば酸性を示す溶液に溶解しやすい膜上に層形成塗布液を塗布してアルカリ金属塩を含む層を形成することができる。例えば酸性を示す溶液に溶解しやすいITOから成る電極上にアルカリ金属塩を含む層を形成する場合に、層形成塗布液を好適に用いることができる。   The layer forming coating solution preferably has a hydrogen ion index of 7 or more and 13 or less. If such a layer-forming coating solution is used, for example, a layer containing an alkali metal salt can be formed by coating the layer-forming coating solution on a film that is easily dissolved in an acidic solution. For example, when a layer containing an alkali metal salt is formed on an electrode made of ITO that is easily dissolved in an acidic solution, a layer-forming coating solution can be suitably used.

陰極3としては、仕事関数が小さく、発光層4への電子注入が容易なものが好ましく、また電気伝導度の高いものが好ましい。また陽極2側から光を取出す場合には、発光層4からの光を陽極2側に反射するために、可視光反射率の高いものが好ましい。陰極3の材料については、後述する。   The cathode 3 preferably has a small work function and can easily inject electrons into the light emitting layer 4, and has a high electrical conductivity. In addition, when light is extracted from the anode 2 side, a material having a high visible light reflectance is preferable in order to reflect light from the light emitting layer 4 to the anode 2 side. The material of the cathode 3 will be described later.

本実施の形態の有機EL素子は、図1に示す層構成を有するが、本発明を適用可能な有機EL素子の層構成は、図1に示す層構成には限られない。本発明を適用可能な有機EL素子のとりうる層構成について以下に説明する。   The organic EL element of the present embodiment has the layer configuration shown in FIG. 1, but the layer configuration of the organic EL element to which the present invention is applicable is not limited to the layer configuration shown in FIG. The layer structure that the organic EL element to which the present invention can be applied will be described below.

本実施の形態の有機EL素子は、陽極、金属ドープモリブデン酸化物層、発光層、アルカリ金属塩を溶解した層形成塗布液を用いて塗布法により形成されて成る層及び陰極を必須に有するのに加えて、前記陽極と前記発光層との間、及び/又は前記発光層と前記陰極との間にさらに他の層を有することができる。   The organic EL element of this embodiment has an anode, a metal-doped molybdenum oxide layer, a light emitting layer, a layer formed by a coating method using a layer-forming coating solution in which an alkali metal salt is dissolved, and a cathode. In addition, another layer may be provided between the anode and the light emitting layer and / or between the light emitting layer and the cathode.

陰極と発光層の間に設けられる層としては、電子注入層、電子輸送層、正孔ブロック層等が挙げられる。陰極と発光層との間に電子注入層及び電子輸送層の両方が設けられる場合、陰極に近い層が電子注入層となり、発光層に近い層が電子輸送層となる。   Examples of the layer provided between the cathode and the light emitting layer include an electron injection layer, an electron transport layer, and a hole blocking layer. When both the electron injection layer and the electron transport layer are provided between the cathode and the light emitting layer, the layer close to the cathode becomes the electron injection layer, and the layer close to the light emitting layer becomes the electron transport layer.

電子注入層は、陰極からの電子注入効率を改善する機能を有する層であり、電子輸送層は、陰極、電子注入層又は陰極により近い電子輸送層からの電子注入を改善する機能を有する層である。正孔ブロック層は、電子注入層、若しくは電子輸送層が正孔の輸送を堰き止める機能を有する層である。なお、電子注入層又は電子輸送層が、正孔ブロック層を兼ねる場合がある。正孔の輸送を堰き止める機能を有することは、例えば、ホール電流のみを流す素子を作製し、その電流値の減少で堰き止める効果を確認することが可能である。
なお本実施の形態では、アルカリ金属塩を溶解した層形成塗布液を用いる塗布法により形成されて成る層を電子注入層として説明したが、他の実施の形態としては、アルカリ金属塩を溶解した層形成塗布液を用いる塗布法により形成されて成る層とは異なる電子注入層を設け、該電子注入層と発光層との間に正孔輸送層として機能するアルカリ金属塩を溶解した層形成塗布液を用いる塗布法により形成されて成る層を設けてもよい。
The electron injection layer is a layer having a function of improving electron injection efficiency from the cathode, and the electron transport layer is a layer having a function of improving electron injection from the cathode, the electron injection layer or the electron transport layer closer to the cathode. is there. The hole blocking layer is an electron injection layer or a layer having a function of blocking the hole transport by the electron transport layer. Note that the electron injection layer or the electron transport layer may also serve as the hole blocking layer. Having the function of blocking hole transport makes it possible, for example, to produce an element that allows only hole current to flow, and confirm the blocking effect by reducing the current value.
In the present embodiment, the layer formed by the coating method using the layer forming coating solution in which the alkali metal salt is dissolved is described as the electron injection layer. However, in another embodiment, the alkali metal salt is dissolved. A layer-forming coating in which an electron injection layer different from the layer formed by a coating method using a layer-forming coating solution is provided, and an alkali metal salt that functions as a hole transport layer is dissolved between the electron injection layer and the light-emitting layer A layer formed by a coating method using a liquid may be provided.

陽極と発光層の間に設けられる層としては、正孔注入層、正孔輸送層、電子ブロック層等が挙げられる。正孔注入層及び正孔輸送層の両方が設けられる場合、陽極に近い層が正孔注入層となり、発光層に近い層が正孔輸送層となる。   Examples of the layer provided between the anode and the light emitting layer include a hole injection layer, a hole transport layer, and an electron block layer. When both the hole injection layer and the hole transport layer are provided, the layer close to the anode is the hole injection layer, and the layer close to the light emitting layer is the hole transport layer.

正孔注入層は、陽極からの正孔注入効率を改善する機能を有する層であり、正孔輸送層とは、陽極、正孔注入層又は陽極により近い正孔輸送層からの正孔注入を改善する機能を有する層である。電子ブロック層は、正孔注入層、又は正孔輸送層が電子の輸送を堰き止める機能を有する層である。正孔注入層又は正孔輸送層が、電子ブロック層を兼ねることがある。電子の輸送を堰き止める機能を有することは、例えば、電子電流のみを流す素子を作製し、その電流値の減少で堰き止める効果を確認することが可能である。   The hole injection layer is a layer having a function of improving the hole injection efficiency from the anode, and the hole transport layer is a hole injection layer from the anode, the hole injection layer or the hole transport layer closer to the anode. It is a layer having a function of improving. The electron blocking layer is a hole injection layer or a layer having a function of blocking the electron transport by the hole transport layer. The hole injection layer or the hole transport layer may also serve as the electron blocking layer. Having the function of blocking electron transport makes it possible, for example, to manufacture an element that allows only electron current to flow and to confirm the blocking effect by reducing the current value.

本実施の形態の有機EL素子において、陽極2と陰極3との間の層構成は、前述した有機EL素子1の層構成に限られない。発光層は、通常1層設けられるが、これに限らず2層以上の発光層を設けることもできる。その場合、2層以上の発光層は、直接接して積層することもでき、かかる層の間に本実施の形態の金属ドープモリブデン酸化物層等を設けることができる。   In the organic EL element of the present embodiment, the layer configuration between the anode 2 and the cathode 3 is not limited to the layer configuration of the organic EL element 1 described above. Although one light emitting layer is usually provided, the present invention is not limited to this, and two or more light emitting layers may be provided. In that case, two or more light-emitting layers can be stacked in direct contact with each other, and the metal-doped molybdenum oxide layer of this embodiment can be provided between the layers.

なお、電子注入層及び正孔注入層を総称して電荷注入層と呼ぶことがあり、電子輸送層及び正孔輸送層を総称して電荷輸送層と呼ぶことがある。また、電子ブロック層及び正孔ブロック層を総称して電荷ブロック層と呼ぶことがある。   Note that the electron injection layer and the hole injection layer may be collectively referred to as a charge injection layer, and the electron transport layer and the hole transport layer may be collectively referred to as a charge transport layer. In addition, the electron block layer and the hole block layer may be collectively referred to as a charge block layer.

本発明を適用可能な有機EL素子のとりうる層構成の一例を以下に示す。
a)陽極/正孔注入層/発光層/電子注入層/陰極
b)陽極/正孔注入層/発光層/電子輸送層/陰極
c)陽極/正孔注入層/発光層/電子輸送層/電子注入層/陰極
d)陽極/正孔輸送層/発光層/電子注入層/陰極
e)陽極/正孔輸送層/発光層/電子輸送層/陰極
f)陽極/正孔輸送層/発光層/電子輸送層/電子注入層/陰極
g)陽極/正孔注入層/正孔輸送層/発光層/電子注入層/陰極
h)陽極/正孔注入層/正孔輸送層/発光層/電子輸送層/陰極
i)陽極/正孔注入層/正孔輸送層/発光層/電子輸送層/電子注入層/陰極
(ここで、記号「/」は、この記号「/」を挟む2つの層が隣接して積層されることを示す。以下同じ。)
An example of the layer structure that can be taken by the organic EL element to which the present invention can be applied is shown below.
a) Anode / hole injection layer / emission layer / electron injection layer / cathode b) Anode / hole injection layer / emission layer / electron transport layer / cathode c) Anode / hole injection layer / emission layer / electron transport layer / Electron injection layer / cathode d) anode / hole transport layer / light emitting layer / electron injection layer / cathode e) anode / hole transport layer / light emitting layer / electron transport layer / cathode f) anode / hole transport layer / light emitting layer / Electron transport layer / electron injection layer / cathode g) anode / hole injection layer / hole transport layer / light emitting layer / electron injection layer / cathode h) anode / hole injection layer / hole transport layer / light emitting layer / electron Transport layer / cathode i) Anode / hole injection layer / hole transport layer / light emitting layer / electron transport layer / electron injection layer / cathode (here, the symbol “/” is the two layers sandwiching the symbol “/”) Are adjacent to each other, and so on.

上記層構成の各例において、前記金属ドープモリブデン酸化物層は、電荷注入層および正孔輸送層のうちの少なくとも1層として設けられる。前記層形成塗布液を用いて形成される層は、電子注入層および電子輸送層のうちの少なくとも1層として設けられる。   In each example of the layer configuration, the metal-doped molybdenum oxide layer is provided as at least one of a charge injection layer and a hole transport layer. The layer formed using the layer forming coating solution is provided as at least one of an electron injection layer and an electron transport layer.

さらに有機EL素子は、2層以上の発光層を有していてもよい。2層の発光層を有する有機EL素子としては、上記a)〜i)の層構成のうちのいずれか1つにおいて、陽極と陰極とに挟持された積層体を「繰り返し単位A」とすると、以下のj)に示す層構成を挙げることができる。
j)陽極/(繰り返し単位A)/電荷注入層/(繰り返し単位A)/陰極
また、3層以上の発光層を有する有機EL素子としては、「(繰り返し単位A)/電荷注入層」を「繰り返し単位B」とすると、以下のk)に示す層構成を挙げることができる。
k)陽極/(繰り返し単位B)x/(繰り返し単位A)/陰極
なお記号「x」は、2以上の整数を表し、(繰り返し単位B)xは、繰り返し単位Bがx段積層された積層体を表す。
ここで、電荷発生層とは電界を印加することにより、正孔と電子を発生する層である。電荷発生層としては、例えば酸化バナジウム、インジウムスズ酸化物(Indium Tin Oxide:略称ITO)、酸化モリブデンなどから成る薄膜を挙げることができる。
Furthermore, the organic EL element may have two or more light emitting layers. As an organic EL element having two light emitting layers, in any one of the layer configurations of the above a) to i), when a laminate sandwiched between an anode and a cathode is referred to as “repeating unit A”, The layer configuration shown in j) below can be given.
j) Anode / (Repeating Unit A) / Charge Injection Layer / (Repeating Unit A) / Cathode As an organic EL device having three or more light emitting layers, “(Repeating Unit A) / Charge Injection Layer” As the “repeating unit B”, the layer structure shown in the following k) can be exemplified.
k) Anode / (Repeating unit B) x / (Repeating unit A) / Cathode The symbol “x” represents an integer of 2 or more, and (Repeating unit B) x is a laminate in which the repeating unit B is laminated in x stages. Represents the body.
Here, the charge generation layer is a layer that generates holes and electrons by applying an electric field. Examples of the charge generation layer include a thin film made of vanadium oxide, indium tin oxide (abbreviated as ITO), molybdenum oxide, or the like.

本実施の形態の有機EL素子は、さらに基板に設けられてもよく、当該基板の上に前記各層を設けることができる。本実施の形態の有機EL素子はさらに、基板とともに有機EL素子を挟持する封止のための部材が設けられてもよい。基板及び前記層構成を有する有機EL素子は、通常陽極側に基板を有するが、本発明においてはこれに限られず、陽極及び陰極のどちら側に基板を有していてもよい。   The organic EL element of the present embodiment may be further provided on a substrate, and the respective layers can be provided on the substrate. The organic EL element of the present embodiment may further be provided with a sealing member that sandwiches the organic EL element together with the substrate. The organic EL device having the substrate and the above layer structure usually has a substrate on the anode side, but the present invention is not limited to this, and the substrate may be on either the anode or cathode side.

本実施の形態の有機EL素子は、発光層からの光を放出するために、通常、発光層のいずれか一方側の層を全て光透過性を有する層とする。具体的には例えば、基板/陽極/電荷注入層/正孔輸送層/発光層/電子輸送層/電荷注入層/陰極/封止部材という構成を有する有機EL素子の場合、基板、陽極、電荷注入層及び正孔輸送層の全てを透明なものとし、所謂ボトムエミッション型の素子とするか、又は電子輸送層、電荷注入層、陰極及び封止部材の全てを光透過性を有する層とし、所謂トップエミッション型の素子とすることができる。また、基板/陰極/電荷注入層/電子輸送層/発光層/正孔輸送層/電荷注入層/陽極/封止部材という構成を有する有機EL素子の場合、基板、陰極、電荷注入層及び電子輸送層の全てを透明なものとし、所謂ボトムエミッション型の素子とするか、又は正孔輸送層、電荷注入層、陽極及び封止部材の全てを透明なものとし、所謂トップエミッション型の素子とすることができる。ここで透明とは、発光層から光を放出する層までの可視光透過率が40%以上のものが好ましい。紫外領域又は赤外領域の発光が求められる素子の場合は、当該領域において40%以上の透過率を有するものが好ましい。   In the organic EL element of the present embodiment, in order to emit light from the light emitting layer, generally, either one of the light emitting layers is a light transmissive layer. Specifically, for example, in the case of an organic EL device having a configuration of substrate / anode / charge injection layer / hole transport layer / light emitting layer / electron transport layer / charge injection layer / cathode / sealing member, the substrate, anode, charge All of the injection layer and the hole transport layer are transparent, so as to be a so-called bottom emission type device, or all of the electron transport layer, the charge injection layer, the cathode and the sealing member are light-transmitting layers, A so-called top emission type element can be obtained. In the case of an organic EL device having the structure of substrate / cathode / charge injection layer / electron transport layer / light emitting layer / hole transport layer / charge injection layer / anode / sealing member, the substrate, cathode, charge injection layer and electrons All of the transport layers are transparent, so-called bottom emission type elements, or the hole transport layer, the charge injection layer, the anode and the sealing member are all transparent, so-called top emission type elements. can do. Here, the term “transparent” means that the visible light transmittance from the light emitting layer to the light emitting layer is 40% or more. In the case of an element that requires light emission in the ultraviolet region or infrared region, a device having a transmittance of 40% or more in the region is preferable.

本実施の形態の有機EL素子は、さらに電荷発生層との密着性向上や電荷発生層からの電荷注入の改善のために、電荷発生層に隣接して前記の電荷注入層又は膜厚2nm以下の絶縁層を設けてもよく、また、界面の密着性向上や混合の防止等のために電荷輸送層や発光層の界面に薄いバッファー層を挿入してもよい。
積層する層の順番や数、及び各層の厚さについては、発光効率や素子寿命を勘案して適宜用いることができる。
The organic EL device of the present embodiment further includes the charge injection layer or a film thickness of 2 nm or less adjacent to the charge generation layer in order to improve adhesion to the charge generation layer or to improve charge injection from the charge generation layer. An insulating layer may be provided, and a thin buffer layer may be inserted at the interface between the charge transport layer and the light emitting layer in order to improve adhesion at the interface or prevent mixing.
The order and number of layers to be laminated, and the thickness of each layer can be appropriately used in consideration of light emission efficiency and element lifetime.

次に、有機EL素子を構成する各層の材料及び形成方法について、より具体的に説明する。   Next, the material and forming method of each layer constituting the organic EL element will be described more specifically.

<基板>
本実施の形態の有機EL素子に用いられる基板は、電極を形成し、有機物の層を形成する際に変化しないものであればよく、例えばガラス、プラスチック、高分子フィルム、シリコン基板、これらを積層したものなどが用いられる。前記基板としては、市販のものが入手可能であり、又は公知の方法により製造することができる。
<Board>
The substrate used in the organic EL element of this embodiment may be any substrate that does not change when an electrode is formed and an organic layer is formed. For example, glass, plastic, polymer film, silicon substrate, and these are laminated. Used. A commercially available substrate is available as the substrate, or can be manufactured by a known method.

<陽極>
本実施の形態の有機EL素子における陽極としては、透明又は半透明の電極を用いることが、陽極を通して発光する素子を構成しうるため好ましい。かかる透明電極又は半透明電極としては、電気伝導度の高い金属酸化物、金属硫化物や金属の薄膜を用いることができ、透過率が高いものが好適に利用でき、用いる有機層により適宜、選択して用いる。具体的には、酸化インジウム、酸化亜鉛、酸化スズ、ITO、インジウム亜鉛酸化物(IZO)や、金、白金、銀、銅等が用いられ、ITO、IZO、酸化スズが好ましい。作製方法としては、真空蒸着法、スパッタリング法、イオンプレーティング法、メッキ法等が挙げられる。また、該陽極として、ポリアニリンもしくはその誘導体、ポリチオフェンもしくはその誘導体などの有機の透明導電膜を用いてもよい。
陽極には、光を反射させる材料を用いてもよく、該材料としては、仕事関数3.0eV以上の金属、金属酸化物、金属硫化物が好ましい。例えば、光を反射する程度の膜厚の金属薄膜が用いられる。
<Anode>
As the anode in the organic EL element of the present embodiment, it is preferable to use a transparent or translucent electrode because an element that emits light through the anode can be configured. As such a transparent electrode or a semi-transparent electrode, a metal oxide, metal sulfide or metal thin film having high electrical conductivity can be used, and a high transmittance can be suitably used. And use. Specifically, indium oxide, zinc oxide, tin oxide, ITO, indium zinc oxide (IZO), gold, platinum, silver, copper, and the like are used, and ITO, IZO, and tin oxide are preferable. Examples of the production method include a vacuum deposition method, a sputtering method, an ion plating method, a plating method, and the like. Further, an organic transparent conductive film such as polyaniline or a derivative thereof, polythiophene or a derivative thereof may be used as the anode.
A material that reflects light may be used for the anode, and the material is preferably a metal, metal oxide, or metal sulfide having a work function of 3.0 eV or more. For example, a metal thin film having a thickness that reflects light is used.

陽極の作製方法としては、真空蒸着法、スパッタリング法、イオンプレーティング法、メッキ法等を挙げることができる。また、陽極2として、ポリアニリン若しくはその誘導体、ポリチオフェン若しくはその誘導体などの有機の透明導電膜を用いてもよい。また、前記有機の透明導電膜に用いられる材料などや金属酸化物、金属硫化物や金属などカーボンナノチューブなどの炭素材料の少なくとも1種類以上が含まれる混合物を用いても良い。   Examples of a method for producing the anode include a vacuum deposition method, a sputtering method, an ion plating method, and a plating method. Further, as the anode 2, an organic transparent conductive film such as polyaniline or a derivative thereof, polythiophene or a derivative thereof may be used. Moreover, you may use the mixture containing at least 1 or more types of carbon materials, such as the material used for the said organic transparent conductive film, carbon nanotubes, such as a metal oxide, a metal sulfide, and a metal.

陽極の膜厚は、光の透過性と電気伝導度とを考慮して、適宜選択することができるが、例えば10nm〜10μmであり、好ましくは20nm〜1μmであり、さらに好ましくは50nm〜500nmである。   The film thickness of the anode can be appropriately selected in consideration of light transmittance and electrical conductivity, and is, for example, 10 nm to 10 μm, preferably 20 nm to 1 μm, more preferably 50 nm to 500 nm. is there.

<正孔注入層>
本発明の特に好ましい態様においては、正孔注入層として、前記金属ドープモリブデン酸化物層を用いることができ、前述した方法で形成することができるが、金属ドープモリブデン酸化物層とは異なる層で正孔注入層を構成する場合、該正孔注入層を形成する材料としては、フェニルアミン系、スターバースト型アミン系、フタロシアニン系、酸化バナジウム、酸化タンタル、酸化タングステン、酸化モリブデン、酸化ルテニウム、酸化アルミニウム等の酸化物、アモルファスカーボン、ポリアニリン、ポリチオフェン誘導体等が挙げられる。
正孔注入層の成膜方法としては、例えば正孔注入材料を含む溶液からの成膜を挙げることができる。溶液からの成膜に用いられる溶媒としては、正孔注入材料を溶解させるものであれば特に制限はなく、クロロホルム、塩化メチレン、ジクロロエタンなどの塩素系溶媒、テトラヒドロフランなどのエーテル系溶媒、トルエン、キシレンなどの芳香族炭化水素系溶媒、アセトン、メチルエチルケトンなどのケトン系溶媒、酢酸エチル、酢酸ブチル、エチルセルソルブアセテートなどのエステル系溶媒、および水を挙げることができる。
溶液からの成膜方法としては、スピンコート法、キャスティング法、マイクログラビアコート法、グラビアコート法、バーコート法、ロールコート法、ワイアーバーコート法、ディップコート法、スプレーコート法、スクリーン印刷法、フレキソ印刷法、オフセット印刷法、インクジェットプリント法などの塗布法を挙げることができる。
正孔注入層の膜厚は、用いる材料によって最適値が異なり、駆動電圧と発光効率が適度な値となるように適宜設定され、少なくともピンホールが発生しないような厚さが必要であり、あまり厚いと、素子の駆動電圧が高くなるので好ましくない。従って正孔注入層の膜厚は、例えば1nm〜1μmであり、好ましくは2nm〜500nmであり、さらに好ましくは5nm〜200nmである。
<Hole injection layer>
In a particularly preferred embodiment of the present invention, the metal-doped molybdenum oxide layer can be used as the hole injection layer, and can be formed by the above-described method, but the layer is different from the metal-doped molybdenum oxide layer. When forming a hole injection layer, the material for forming the hole injection layer includes phenylamine, starburst amine, phthalocyanine, vanadium oxide, tantalum oxide, tungsten oxide, molybdenum oxide, ruthenium oxide, and oxide. Examples thereof include oxides such as aluminum, amorphous carbon, polyaniline, and polythiophene derivatives.
Examples of the method for forming the hole injection layer include film formation from a solution containing a hole injection material. The solvent used for film formation from a solution is not particularly limited as long as it dissolves the hole injection material. Chlorine solvents such as chloroform, methylene chloride, dichloroethane, ether solvents such as tetrahydrofuran, toluene, xylene And aromatic hydrocarbon solvents such as acetone, ketone solvents such as acetone and methyl ethyl ketone, ester solvents such as ethyl acetate, butyl acetate and ethyl cellosolve acetate, and water.
As a film forming method from a solution, a spin coating method, a casting method, a micro gravure coating method, a gravure coating method, a bar coating method, a roll coating method, a wire bar coating method, a dip coating method, a spray coating method, a screen printing method, Examples of the application method include a flexographic printing method, an offset printing method, and an ink jet printing method.
The film thickness of the hole injection layer varies depending on the material used, and is set as appropriate so that the drive voltage and light emission efficiency are appropriate. If it is thick, the driving voltage of the element increases, which is not preferable. Therefore, the film thickness of the hole injection layer is, for example, 1 nm to 1 μm, preferably 2 nm to 500 nm, and more preferably 5 nm to 200 nm.

<正孔輸送層>
金属ドープモリブデン酸化物層を正孔輸送層として用いることもでき、前述した方法で形成することができるが、金属ドープモリブデン酸化物層とは異なる層で正孔輸送層を構成する場合、該正孔輸送層を構成する材料としては、例えばN,N’−ジフェニル−N,N’−ジ(3−メチルフェニル)4,4’−ジアミノビフェニル(TPD)、NPB(4,4'−bis[N−(1−naphthyl)−N−phenylamino]biphenyl)等の芳香族アミン誘導体、ポリビニルカルバゾール若しくはその誘導体、ポリシラン若しくはその誘導体、側鎖若しくは主鎖に芳香族アミンを有するポリシロキサン誘導体、ピラゾリン誘導体、アリールアミン誘導体、スチルベン誘導体、トリフェニルジアミン誘導体、ポリアニリン若しくはその誘導体、ポリチオフェン若しくはその誘導体、ポリアリールアミン若しくはその誘導体、ポリピロール若しくはその誘導体、ポリ(p−フェニレンビニレン)若しくはその誘導体、又はポリ(2,5−チエニレンビニレン)若しくはその誘導体などが例示される。
<Hole transport layer>
A metal-doped molybdenum oxide layer can also be used as the hole transport layer and can be formed by the above-described method. However, when the hole transport layer is formed of a layer different from the metal-doped molybdenum oxide layer, Examples of the material constituting the hole transport layer include N, N′-diphenyl-N, N′-di (3-methylphenyl) 4,4′-diaminobiphenyl (TPD), NPB (4,4′-bis [ Aromatic amine derivatives such as N- (1-naphthyl) -N-phenylamino] biphenyl), polyvinylcarbazole or derivatives thereof, polysilane or derivatives thereof, polysiloxane derivatives having aromatic amines in the side chain or main chain, pyrazoline derivatives, Arylamine derivatives, stilbene derivatives, triphenyldiamine derivatives, polyaniline or Examples thereof include polythiophene or a derivative thereof, polyarylamine or a derivative thereof, polypyrrole or a derivative thereof, poly (p-phenylene vinylene) or a derivative thereof, or poly (2,5-thienylene vinylene) or a derivative thereof. .

これらの中で、正孔輸送層に用いる正孔輸送材料として、ポリビニルカルバゾール若しくはその誘導体、ポリシラン若しくはその誘導体、側鎖若しくは主鎖に芳香族アミン化合物基を有するポリシロキサン誘導体、ポリアニリン若しくはその誘導体、ポリチオフェン若しくはその誘導体、ポリアリールアミン若しくはその誘導体、ポリ(p−フェニレンビニレン)若しくはその誘導体、又はポリ(2,5−チエニレンビニレン)若しくはその誘導体等の高分子正孔輸送材料が好ましく、さらに好ましくはポリビニルカルバゾール若しくはその誘導体、ポリシラン若しくはその誘導体、側鎖若しくは主鎖に芳香族アミンを有するポリシロキサン誘導体である。低分子の正孔輸送材料の場合には、高分子バインダーに分散させて用いることが好ましい。   Among these, as a hole transport material used for the hole transport layer, polyvinyl carbazole or a derivative thereof, polysilane or a derivative thereof, a polysiloxane derivative having an aromatic amine compound group in a side chain or a main chain, polyaniline or a derivative thereof, Polymeric hole transport materials such as polythiophene or derivatives thereof, polyarylamine or derivatives thereof, poly (p-phenylene vinylene) or derivatives thereof, or poly (2,5-thienylene vinylene) or derivatives thereof are preferred, and more preferred Is polyvinyl carbazole or a derivative thereof, polysilane or a derivative thereof, and a polysiloxane derivative having an aromatic amine in a side chain or a main chain. In the case of a low-molecular hole transport material, it is preferably used by being dispersed in a polymer binder.

正孔輸送層の成膜の方法に制限はないが、低分子正孔輸送材料では、高分子バインダーとの混合溶液からの成膜による方法が例示される。また、高分子正孔輸送材料では、溶液からの成膜による方法が例示される。   Although there is no restriction | limiting in the film-forming method of a positive hole transport layer, In the low molecular hole transport material, the method by the film-forming from a mixed solution with a polymer binder is illustrated. In the case of a polymer hole transport material, a method of film formation from a solution is exemplified.

溶液からの成膜に用いる溶媒としては、正孔輸送材料を溶解させるものであれば特に制限はない。該溶媒として、クロロホルム、塩化メチレン、ジクロロエタン等の塩素系溶媒、テトラヒドロフラン等のエーテル系溶媒、トルエン、キシレン等の芳香族炭化水素系溶媒、アセトン、メチルエチルケトン等のケトン系溶媒、酢酸エチル、酢酸ブチル、エチルセルソルブアセテート等のエステル系溶媒が例示される。   The solvent used for film formation from a solution is not particularly limited as long as it can dissolve a hole transport material. Examples of the solvent include chlorine solvents such as chloroform, methylene chloride, and dichloroethane; ether solvents such as tetrahydrofuran; aromatic hydrocarbon solvents such as toluene and xylene; ketone solvents such as acetone and methyl ethyl ketone; ethyl acetate, butyl acetate, An ester solvent such as ethyl cellosolve acetate is exemplified.

溶液からの成膜方法としては、溶液からのスピンコート法、キャスティング法、マイクログラビアコート法、グラビアコート法、バーコート法、ロールコート法、ワイアーバーコート法、ディップコート法、スリットコート法、キャピラリーコート法、スプレーコート法、ノズルコート法などのコート法、グラビア印刷法、スクリーン印刷法、フレキソ印刷法、オフセット印刷法、反転印刷法、インクジェットプリント法等の印刷法等の塗布法を用いることができる。パターン形成が容易であるという点で、グラビア印刷法、スクリーン印刷法、フレキソ印刷法、オフセット印刷法、反転印刷法、インクジェットプリント法等の印刷法が好ましい。   Examples of film formation methods from solution include spin coating from solution, casting method, micro gravure coating method, gravure coating method, bar coating method, roll coating method, wire bar coating method, dip coating method, slit coating method, capillary Coating methods such as coating methods, spray coating methods, nozzle coating methods, etc., gravure printing methods, screen printing methods, flexographic printing methods, offset printing methods, reverse printing methods, printing methods such as inkjet printing methods, etc. may be used. it can. A printing method such as a gravure printing method, a screen printing method, a flexographic printing method, an offset printing method, a reversal printing method, and an inkjet printing method is preferable in that the pattern formation is easy.

混合する高分子バインダーとしては、電荷輸送を極度に阻害しないものが好ましく、また可視光に対する吸収が強くないものが好適に用いられる。該高分子バインダーとして、ポリカーボネート、ポリアクリレート、ポリメチルアクリレート、ポリメチルメタクリレート、ポリスチレン、ポリ塩化ビニル、ポリシロキサン等が例示される。   As the polymer binder to be mixed, those not extremely disturbing charge transport are preferable, and those showing no strong absorption against visible light are suitably used. Examples of the polymer binder include polycarbonate, polyacrylate, polymethyl acrylate, polymethyl methacrylate, polystyrene, polyvinyl chloride, and polysiloxane.

正孔輸送層の膜厚としては、用いる材料によって最適値が異なり、駆動電圧と発光効率が適度な値となるように選択すればよいが、少なくともピンホールが発生しないような厚さが必要であり、あまり厚いと、素子の駆動電圧が高くなり好ましくない。従って、該正孔輸送層の膜厚としては、例えば1nmから1μmであり、好ましくは2nm〜500nmであり、さらに好ましくは5nm〜200nmである。   The film thickness of the hole transport layer differs depending on the material used, and may be selected so that the drive voltage and the light emission efficiency are appropriate. However, at least a thickness that does not cause pinholes is required. If it is too thick, the driving voltage of the element becomes high, which is not preferable. Therefore, the film thickness of the hole transport layer is, for example, 1 nm to 1 μm, preferably 2 nm to 500 nm, and more preferably 5 nm to 200 nm.

<発光層>
発光層は、本発明においては有機発光層であることが好ましく、通常、主として蛍光又はりん光を発光する有機物を有する。なお、さらにドーパント材料を含んでいてもよい。本発明において用いることができる発光層を形成する材料としては、例えば以下のものが挙げられる。なお、有機物は、低分子化合物でも高分子化合物でもよく、発光層は、ポリスチレン換算の数平均分子量が、10〜10である高分子化合物を含むことが好ましい。
<Light emitting layer>
In the present invention, the light emitting layer is preferably an organic light emitting layer, and usually contains an organic substance that mainly emits fluorescence or phosphorescence. Further, a dopant material may be further included. Examples of the material for forming the light emitting layer that can be used in the present invention include the following. The organic substance may be a low molecular compound or a high molecular compound, and the light emitting layer preferably contains a high molecular compound having a polystyrene-equivalent number average molecular weight of 10 3 to 10 8 .

(色素系材料)
色素系材料としては、例えば、シクロペンダミン誘導体、テトラフェニルブタジエン誘導体化合物、トリフェニルアミン誘導体、オキサジアゾール誘導体、ピラゾロキノリン誘導体、ジスチリルベンゼン誘導体、ジスチリルアリーレン誘導体、ピロール誘導体、チオフェン環化合物、ピリジン環化合物、ペリノン誘導体、ペリレン誘導体、オリゴチオフェン誘導体、トリフマニルアミン誘導体、オキサジアゾールダイマー、ピラゾリンダイマーなどが挙げられる。
(Dye material)
Examples of dye-based materials include cyclopentamine derivatives, tetraphenylbutadiene derivative compounds, triphenylamine derivatives, oxadiazole derivatives, pyrazoloquinoline derivatives, distyrylbenzene derivatives, distyrylarylene derivatives, pyrrole derivatives, thiophene ring compounds. Pyridine ring compounds, perinone derivatives, perylene derivatives, oligothiophene derivatives, trifumanylamine derivatives, oxadiazole dimers, pyrazoline dimers, and the like.

(金属錯体系材料)
金属錯体系材料としては、例えば、イリジウム錯体、白金錯体等の三重項励起状態からの発光を有する金属錯体、アルミキノリノール錯体、ベンゾキノリノールベリリウム錯体、ベンゾオキサゾリル亜鉛錯体、ベンゾチアゾール亜鉛錯体、アゾメチル亜鉛錯体、ポルフィリン亜鉛錯体、ユーロピウム錯体など、中心金属に、Al、Zn、Beなど又はTb、Eu、Dyなどの希土類金属を有し、配位子にオキサジアゾール、チアジアゾール、フェニルピリジン、フェニルベンゾイミダゾール、キノリン構造などを有する金属錯体などを挙げることができる。
(Metal complex materials)
Examples of the metal complex material include metal complexes that emit light from triplet excited states such as iridium complexes and platinum complexes, aluminum quinolinol complexes, benzoquinolinol beryllium complexes, benzoxazolyl zinc complexes, benzothiazole zinc complexes, azomethyls. Zinc complex, porphyrin zinc complex, europium complex, etc., which has Al, Zn, Be, etc. as the central metal or rare earth metals such as Tb, Eu, Dy, etc., and oxadiazole, thiadiazole, phenylpyridine, phenylbenzo as ligands Examples thereof include metal complexes having an imidazole or quinoline structure.

(高分子系材料)
高分子系材料としては、ポリパラフェニレンビニレン誘導体、ポリチオフェン誘導体、ポリパラフェニレン誘導体、ポリシラン誘導体、ポリアセチレン誘導体、ポリフルオレン誘導体、ポリビニルカルバゾール誘導体、上記色素体や金属錯体系発光材料を高分子化したものなどが挙げられる。
上記発光性材料のうち、青色に発光する材料としては、ジスチリルアリーレン誘導体、オキサジアゾール誘導体、及びそれらの重合体、ポリビニルカルバゾール誘導体、ポリパラフェニレン誘導体、ポリフルオレン誘導体などを挙げることができる。なかでも高分子材料のポリビニルカルバゾール誘導体、ポリパラフェニレン誘導体やポリフルオレン誘導体などが好ましい。
また、緑色に発光する材料としては、キナクリドン誘導体、クマリン誘導体、及びそれらの重合体、ポリパラフェニレンビニレン誘導体、ポリフルオレン誘導体などを挙げることができる。なかでも高分子材料のポリパラフェニレンビニレン誘導体、ポリフルオレン誘導体などが好ましい。
また、赤色に発光する材料としては、クマリン誘導体、チオフェン環化合物、及びそれらの重合体、ポリパラフェニレンビニレン誘導体、ポリチオフェン誘導体、ポリフルオレン誘導体などを挙げることができる。なかでも高分子材料のポリパラフェニレンビニレン誘導体、ポリチオフェン誘導体、ポリフルオレン誘導体などが好ましい。
(Polymer material)
Polymeric materials include polyparaphenylene vinylene derivatives, polythiophene derivatives, polyparaphenylene derivatives, polysilane derivatives, polyacetylene derivatives, polyfluorene derivatives, polyvinylcarbazole derivatives, and polymerized chromophores and metal complex light emitting materials. Etc.
Among the light-emitting materials, examples of materials that emit blue light include distyrylarylene derivatives, oxadiazole derivatives, and polymers thereof, polyvinylcarbazole derivatives, polyparaphenylene derivatives, and polyfluorene derivatives. Of these, polymer materials such as polyvinyl carbazole derivatives, polyparaphenylene derivatives, and polyfluorene derivatives are preferred.
Examples of materials that emit green light include quinacridone derivatives, coumarin derivatives, and polymers thereof, polyparaphenylene vinylene derivatives, polyfluorene derivatives, and the like. Of these, polymer materials such as polyparaphenylene vinylene derivatives and polyfluorene derivatives are preferred.
Examples of materials that emit red light include coumarin derivatives, thiophene ring compounds, and polymers thereof, polyparaphenylene vinylene derivatives, polythiophene derivatives, and polyfluorene derivatives. Among these, polymer materials such as polyparaphenylene vinylene derivatives, polythiophene derivatives, and polyfluorene derivatives are preferable.

(ドーパント材料)
発光層中に発光効率の向上や発光波長を変化させるなどの目的で、ドーパントを添加することができる。このようなドーパントとしては、例えば、ペリレン誘導体、クマリン誘導体、ルブレン誘導体、キナクリドン誘導体、スクアリウム誘導体、ポルフィリン誘導体、スチリル系色素、テトラセン誘導体、ピラゾロン誘導体、デカシクレン、フェノキサゾンなどを挙げることができる。なお、このような発光層の厚さは、通常約20〜2000Åである。
(Dopant material)
A dopant can be added to the light emitting layer for the purpose of improving the light emission efficiency and changing the light emission wavelength. Examples of such dopants include perylene derivatives, coumarin derivatives, rubrene derivatives, quinacridone derivatives, squalium derivatives, porphyrin derivatives, styryl dyes, tetracene derivatives, pyrazolone derivatives, decacyclene, phenoxazone, and the like. In addition, the thickness of such a light emitting layer is about 20-2000 mm normally.

<発光層の成膜方法>
有機物を含む発光層の成膜方法としては、発光材料を含む溶液を基体の上又は上方に塗布する方法、真空蒸着法、転写法などを用いることができる。溶液からの成膜に用いる溶媒の具体例としては、前述の溶液から正孔輸送層を成膜する際に正孔輸送材料を溶解させる溶媒と同様の溶媒が挙げられる。
発光材料を含む溶液を基体上に塗布する方法としては、スピンコート法、キャスティング法、マイクログラビアコート法、グラビアコート法、バーコート法、ロールコート法、ワイアーバーコート法、ディップコート法、スリットコート法、キャピラリーコート法、スプレーコート法、ノズルコート法などのコート法、グラビア印刷法、スクリーン印刷法、フレキソ印刷法、オフセット印刷法、反転印刷法、インクジェットプリント法等の印刷法等の塗布法を用いることができる。パターン形成や多色の色分けが容易であるという点で、グラビア印刷法、スクリーン印刷法、フレキソ印刷法、オフセット印刷法、反転印刷法、インクジェットプリント法等の印刷法が好ましい。また、昇華性の低分子化合物の場合は、真空蒸着法を用いることができる。さらには、レーザーによる転写や熱転写により、所望のところのみに発光層を形成する方法も用いることができる。
<Method for forming light emitting layer>
As a method for forming a light emitting layer containing an organic substance, a method of applying a solution containing a light emitting material on or above a substrate, a vacuum deposition method, a transfer method, or the like can be used. Specific examples of the solvent used for the film formation from the solution include the same solvents as those for dissolving the hole transport material when forming the hole transport layer from the above solution.
As a method for applying a solution containing a light emitting material on a substrate, a spin coating method, a casting method, a micro gravure coating method, a gravure coating method, a bar coating method, a roll coating method, a wire bar coating method, a dip coating method, a slit coating method. Coating methods such as coating methods such as coating methods, capillary coating methods, spray coating methods, nozzle coating methods, gravure printing methods, screen printing methods, flexographic printing methods, offset printing methods, reverse printing methods, inkjet printing methods, etc. Can be used. A printing method such as a gravure printing method, a screen printing method, a flexographic printing method, an offset printing method, a reversal printing method, and an ink jet printing method is preferable in that pattern formation and multi-coloring are easy. In the case of a sublimable low-molecular compound, a vacuum deposition method can be used. Furthermore, a method of forming a light emitting layer only at a desired place by laser transfer or thermal transfer can be used.

<電子輸送層>
前述したアルカリ金属塩を溶解した層形成塗布液を用いる塗布法により形成されて成る層を電子輸送層として用いることもでき、前述した方法で形成できるが、アルカリ金属塩を溶解した層形成塗布液を用いる塗布法により形成されて成る層とは異なる層で電子輸送層を構成する場合、該電子輸送層を構成する材料としては公知のものが使用でき、オキサジアゾール誘導体、アントラキノジメタン若しくはその誘導体、ベンゾキノン若しくはその誘導体、ナフトキノン若しくはその誘導体、アントラキノン若しくはその誘導体、テトラシアノアンスラキノジメタン若しくはその誘導体、フルオレノン誘導体、ジフェニルジシアノエチレン若しくはその誘導体、ジフェノキノン誘導体、又は8−ヒドロキシキノリン若しくはその誘導体の金属錯体、ポリキノリン若しくはその誘導体、ポリキノキサリン若しくはその誘導体、ポリフルオレン若しくはその誘導体等が例示される。
<Electron transport layer>
A layer formed by the above-described coating method using a layer-forming coating solution in which an alkali metal salt is dissolved can be used as the electron transport layer, and the layer-forming coating solution in which an alkali metal salt is dissolved can be formed by the method described above. In the case where the electron transport layer is composed of a layer different from the layer formed by the coating method using, a known material can be used as the material of the electron transport layer, and an oxadiazole derivative, anthraquinodimethane or Derivatives thereof, benzoquinone or derivatives thereof, naphthoquinone or derivatives thereof, anthraquinones or derivatives thereof, tetracyanoanthraquinodimethane or derivatives thereof, fluorenone derivatives, diphenyldicyanoethylene or derivatives thereof, diphenoquinone derivatives, or 8-hydroxyquinoline or derivatives thereof Metal complex , Polyquinoline or derivatives thereof, polyquinoxaline or derivatives thereof, polyfluorene or derivatives thereof, and the like.

これらのうち、オキサジアゾール誘導体、ベンゾキノン若しくはその誘導体、アントラキノン若しくはその誘導体、又は8−ヒドロキシキノリン若しくはその誘導体の金属錯体、ポリキノリン若しくはその誘導体、ポリキノキサリン若しくはその誘導体、ポリフルオレン若しくはその誘導体が好ましく、2−(4−ビフェニリル)−5−(4−t−ブチルフェニル)−1,3,4−オキサジアゾール、ベンゾキノン、アントラキノン、トリス(8−キノリノール)アルミニウム、ポリキノリンがさらに好ましい。   Of these, oxadiazole derivatives, benzoquinone or derivatives thereof, anthraquinones or derivatives thereof, or metal complexes of 8-hydroxyquinoline or derivatives thereof, polyquinoline or derivatives thereof, polyquinoxaline or derivatives thereof, polyfluorene or derivatives thereof are preferred, 2- (4-biphenylyl) -5- (4-t-butylphenyl) -1,3,4-oxadiazole, benzoquinone, anthraquinone, tris (8-quinolinol) aluminum, and polyquinoline are more preferable.

電子輸送層の成膜法としては特に制限はないが、低分子電子輸送材料では、粉末からの真空蒸着法、又は溶液若しくは溶融状態からの成膜による方法が、高分子電子輸送材料では溶液又は溶融状態からの成膜による方法がそれぞれ例示される。溶液又は溶融状態からの成膜時には、高分子バインダーを併用してもよい。溶液から電子輸送層を成膜する方法としては、前述の溶液から正孔輸送層を成膜する方法と同様の成膜法が挙げられる。   There are no particular restrictions on the method of forming the electron transport layer, but in the case of a low molecular electron transport material, a vacuum deposition method from powder or a method by film formation from a solution or a molten state is used. Each method is exemplified by film formation from a molten state. When forming a film from a solution or a molten state, a polymer binder may be used in combination. Examples of the method for forming the electron transport layer from the solution include the same film formation method as the method for forming the hole transport layer from the above-described solution.

電子輸送層の膜厚としては、用いる材料によって最適値が異なり、駆動電圧と発光効率が適度な値となるように選択すればよいが、少なくともピンホールが発しないような厚さが必要であり、あまり厚いと、素子の駆動電圧が高くなり好ましくない。従って、当該電子輸送層の膜厚としては、例えば1nmから1μmであり、好ましくは2nm〜500nmであり、さらに好ましくは5nm〜200nmである。   The film thickness of the electron transport layer varies depending on the material used, and may be selected so that the drive voltage and the light emission efficiency are appropriate. However, at least a thickness that does not cause pinholes is required. If the thickness is too thick, the driving voltage of the element increases, which is not preferable. Therefore, the film thickness of the electron transport layer is, for example, 1 nm to 1 μm, preferably 2 nm to 500 nm, and more preferably 5 nm to 200 nm.

<電子注入層>
前述したアルカリ金属塩を溶解した層形成塗布液を用いる塗布法により形成されて成る層を電子注入層として用いることもでき、前述した方法で形成できるるが、アルカリ金属塩を溶解した層形成塗布液を用いる塗布法により形成されて成る層とは異なる層で電子注入層を構成する場合、該電子注入層を構成する材料としては、発光層の種類に応じて、アルカリ金属やアルカリ土類金属、或いは前記金属を1種類以上含む合金、或いは前記金属の酸化物、ハロゲン化物及び炭酸化物、或いは前記物質の混合物などが挙げられる。アルカリ金属又はその酸化物、ハロゲン化物、炭酸化物の例としては、リチウム、ナトリウム、カリウム、ルビジウム、セシウム、酸化リチウム、フッ化リチウム、酸化ナトリウム、フッ化ナトリウム、酸化カリウム、フッ化カリウム、酸化ルビジウム、フッ化ルビジウム、酸化セシウム、フッ化セシウム、炭酸リチウム等が挙げられる。また、アルカリ土類金属又はその酸化物、ハロゲン化物、炭酸化物の例としては、マグネシウム、カルシウム、バリウム、ストロンチウム、酸化マグネシウム、フッ化マグネシウム、酸化カルシウム、フッ化カルシウム、酸化バリウム、フッ化バリウム、酸化ストロンチウム、フッ化ストロンチウム、炭酸マグネシウム等が挙げられる。電子注入層は、2層以上を積層したものであってもよい。具体的には、LiF/Caなどが挙げられる。電子注入層は、蒸着法、スパッタリング法、印刷法等により形成される。電子注入層の膜厚としては、1nm〜1μm程度が好ましい。
<Electron injection layer>
A layer formed by the above-described coating method using a layer-forming coating solution in which an alkali metal salt is dissolved can also be used as the electron injection layer, and can be formed by the above-described method, but a layer-forming coating in which an alkali metal salt is dissolved When the electron injection layer is composed of a layer different from the layer formed by a coating method using a liquid, the material constituting the electron injection layer is an alkali metal or alkaline earth metal depending on the type of the light emitting layer. Or an alloy containing one or more kinds of the metals, oxides, halides and carbonates of the metals, or mixtures of the substances. Examples of alkali metals or oxides, halides, and carbonates thereof include lithium, sodium, potassium, rubidium, cesium, lithium oxide, lithium fluoride, sodium oxide, sodium fluoride, potassium oxide, potassium fluoride, and rubidium oxide. , Rubidium fluoride, cesium oxide, cesium fluoride, lithium carbonate and the like. Examples of alkaline earth metals or oxides, halides and carbonates thereof include magnesium, calcium, barium, strontium, magnesium oxide, magnesium fluoride, calcium oxide, calcium fluoride, barium oxide, barium fluoride, Examples include strontium oxide, strontium fluoride, and magnesium carbonate. The electron injection layer may be a laminate of two or more layers. Specifically, LiF / Ca etc. are mentioned. The electron injection layer is formed by vapor deposition, sputtering, printing, or the like. The thickness of the electron injection layer is preferably about 1 nm to 1 μm.

<陰極>
陰極の材料としては、仕事関数の小さく発光層への電子注入が容易な材料であり、電気伝導度が高く、可視光反射率の高い材料が好ましい。金属では、アルカリ金属やアルカリ土類金属、遷移金属や周期表の13族金属を用いることができる。例えば、リチウム、ナトリウム、カリウム、ルビジウム、セシウム、ベリリウム、マグネシウム、カルシウム、ストロンチウム、バリウム、アルミニウム、スカンジウム、バナジウム、亜鉛、イットリウム、インジウム、セリウム、サマリウム、ユーロピウム、テルビウム、イッテルビウムなどの金属、又は上記金属のうち2つ以上の合金、又はそれらのうち1つ以上と、金、銀、白金、銅、マンガン、チタン、コバルト、ニッケル、タングステン、錫のうち1つ以上との合金、又はグラファイト若しくはグラファイト層間化合物等が用いられる。合金の例としては、マグネシウム−銀合金、マグネシウム−インジウム合金、マグネシウム−アルミニウム合金、インジウム−銀合金、リチウム−アルミニウム合金、リチウム−マグネシウム合金、リチウム−インジウム合金、カルシウム−アルミニウム合金などが挙げられる。また、陰極として透明導電性電極を用いることができ、例えば導電性金属酸化物や導電性有機物などを用いることができる。具体的には、導電性金属酸化物として酸化インジウム、酸化亜鉛、酸化スズ、及びそれらの複合体であるITOやIZO、導電性有機物としてポリアニリンもしくはその誘導体、ポリチオフェンもしくはその誘導体などの有機の透明導電膜を用いてもよい。なお、陰極を2層以上の積層構造としてもよい。なお、電子注入層が陰極として用いられる場合もある。
<Cathode>
As a material for the cathode, a material having a small work function and easy electron injection into the light emitting layer, a material having high electric conductivity and high visible light reflectance is preferable. As the metal, an alkali metal, an alkaline earth metal, a transition metal, or a group 13 metal in the periodic table can be used. For example, a metal such as lithium, sodium, potassium, rubidium, cesium, beryllium, magnesium, calcium, strontium, barium, aluminum, scandium, vanadium, zinc, yttrium, indium, cerium, samarium, europium, terbium, ytterbium, or the above metal Or an alloy of one or more of them with one or more of gold, silver, platinum, copper, manganese, titanium, cobalt, nickel, tungsten, tin, or a graphite or graphite layer A compound or the like is used. Examples of the alloy include magnesium-silver alloy, magnesium-indium alloy, magnesium-aluminum alloy, indium-silver alloy, lithium-aluminum alloy, lithium-magnesium alloy, lithium-indium alloy, calcium-aluminum alloy, and the like. Moreover, a transparent conductive electrode can be used as a cathode, for example, a conductive metal oxide, a conductive organic substance, etc. can be used. Specifically, indium oxide, zinc oxide and tin oxide as conductive metal oxides, and ITO and IZO which are composites thereof, and organic transparent conductive materials such as polyaniline or derivatives thereof, polythiophene or derivatives thereof as conductive organic substances. A membrane may be used. Note that the cathode may have a laminated structure of two or more layers. In some cases, the electron injection layer is used as a cathode.

陰極の膜厚は、電気伝導度や耐久性を考慮して、適宜選択することができるが、例えば10nmから10μmであり、好ましくは20nm〜1μmであり、さらに好ましくは50nm〜500nmである。   The thickness of the cathode can be appropriately selected in consideration of electric conductivity and durability, but is, for example, 10 nm to 10 μm, preferably 20 nm to 1 μm, and more preferably 50 nm to 500 nm.

陰極の作製方法としては、真空蒸着法、スパッタリング法、また金属薄膜を圧着するラミネート法等が用いられる。   As a method for producing the cathode, a vacuum deposition method, a sputtering method, a laminating method for bonding a metal thin film, or the like is used.

<絶縁層>
本実施の形態の有機EL素子が任意に有しうる、膜厚2nm以下の絶縁層は電荷注入を容易にする機能を有するものである。上記絶縁層の材料としては、金属フッ化物、金属酸化物、有機絶縁材料等が挙げられる。膜厚2nm以下の絶縁層を設けた有機EL素子としては、陰極に隣接して膜厚2nm以下の絶縁層を設けたもの、陽極に隣接して膜厚2nm以下の絶縁層を設けたものが挙げられる。
<Insulating layer>
An insulating layer having a thickness of 2 nm or less that the organic EL element of this embodiment can optionally have has a function of facilitating charge injection. Examples of the material for the insulating layer include metal fluorides, metal oxides, and organic insulating materials. Organic EL elements having an insulating layer having a thickness of 2 nm or less are provided with an insulating layer having a thickness of 2 nm or less adjacent to the cathode, and those having an insulating layer having a thickness of 2 nm or less adjacent to the anode. Can be mentioned.

本実施の形態の有機EL素子は面状光源、セグメント表示装置、ドットマトリックス表示装置、液晶表示装置などの表示装置、ならびに照明装置に用いることができ、面状光源としては液晶表示装置のバックライトおよびスキャナの光源として用いることができる。   The organic EL element of this embodiment can be used for a planar light source, a display device such as a segment display device, a dot matrix display device, a liquid crystal display device, and an illumination device. It can also be used as a light source for a scanner.

本実施の形態の有機EL素子を用いて面状の発光を得るためには、面状の陽極と陰極が重なり合うように配置すればよい。また、パターン状の発光を得るためには、前記面状の発光素子の表面にパターン状の窓を設けたマスクを設置する方法、非発光部の有機物層を極端に厚く形成し実質的に非発光とする方法、陽極又は陰極のいずれか一方、又は両方の電極をパターン状に形成する方法がある。これらのいずれかの方法でパターンを形成し、いくつかの電極を独立にOn/OFFできるように配置することにより、数字や文字、簡単な記号などを表示できるセグメントタイプの表示素子が得られる。更に、ドットマトリックス素子とするためには、陽極と陰極をともにストライプ状に形成して直交するように配置すればよい。複数の種類の発光色の異なる発光材料を塗り分ける方法や、カラーフィルター又は蛍光変換フィルターを用いる方法により、部分カラー表示、マルチカラー表示が可能となる。ドットマトリックス素子は、パッシブ駆動も可能であるし、TFTなどと組み合わせてアクティブ駆動してもよい。これらの表示素子は、コンピュータ、テレビ、携帯端末、携帯電話、カーナビゲーション、ビデオカメラのビューファインダーなどの表示装置として用いることができる。   In order to obtain planar light emission using the organic EL element of the present embodiment, the planar anode and cathode may be arranged so as to overlap each other. In addition, in order to obtain pattern-like light emission, a method of installing a mask provided with a pattern-like window on the surface of the planar light-emitting element, an organic material layer of a non-light-emitting portion is formed extremely thick and substantially non- There are a method of emitting light and a method of forming either one of the anode or the cathode or both electrodes in a pattern. By forming a pattern by any of these methods and arranging some electrodes so that they can be turned on / off independently, a segment type display element capable of displaying numbers, letters, simple symbols and the like can be obtained. Furthermore, in order to obtain a dot matrix element, both the anode and the cathode may be formed in stripes and arranged so as to be orthogonal to each other. Partial color display and multicolor display are possible by a method of separately coating a plurality of types of light emitting materials having different emission colors or a method using a color filter or a fluorescence conversion filter. The dot matrix element can be driven passively or may be driven actively in combination with TFTs. These display elements can be used as display devices for computers, televisions, mobile terminals, mobile phones, car navigation systems, video camera viewfinders, and the like.

さらに、前記面状の発光素子は、自発光薄型であり、液晶表示装置のバックライト用の面状光源、あるいは面状の照明用装置として好適に用いることができる。また、フレキシブルな基板を用いれば、曲面状の光源や表示装置としても使用できる。   Furthermore, the planar light emitting element is a self-luminous thin type, and can be suitably used as a planar light source for a backlight of a liquid crystal display device or a planar illumination device. If a flexible substrate is used, it can be used as a curved light source or display device.

以上のように、本発明による有機EL素子は、アルカリ金属塩を溶解した層形成塗布液を用いて塗布法により層を形成するので、蒸着法などのように真空雰囲気で層を形成する従来の技術に比べて、真空雰囲気を作り出す必要がなくなり、層を簡易に形成することができ、有機EL素子の製造コストを下げることができる。特に、アルカリ金属塩を溶解して得られる層形成塗布液を用いて陰極に接する電子注入層を形成する場合、有機EL素子の駆動電圧を下げることができる。   As described above, the organic EL device according to the present invention forms a layer by a coating method using a layer forming coating solution in which an alkali metal salt is dissolved. Compared to the technology, it is not necessary to create a vacuum atmosphere, the layer can be formed easily, and the manufacturing cost of the organic EL element can be reduced. In particular, when an electron injection layer in contact with the cathode is formed using a layer forming coating solution obtained by dissolving an alkali metal salt, the driving voltage of the organic EL element can be lowered.

また、金属ドープモリブデン酸化物層がウェットプロセスに対する耐性が高いため、その上層に発光層及び電子注入層をウェットプロセスで形成しても、金属ドープモリブデン酸化物層はダメージをあまり受けないので、簡易な工程のウェットプロセスによって簡易に信頼性の高い有機EL素子を製造することができ、その発光特性及び寿命特性は良好である。   In addition, since the metal-doped molybdenum oxide layer has high resistance to wet processes, even if a light emitting layer and an electron injection layer are formed thereon by a wet process, the metal-doped molybdenum oxide layer is not damaged so easily. A highly reliable organic EL device can be easily manufactured by a wet process of a simple process, and its light emission characteristics and lifetime characteristics are good.

以下において、本発明を実施例及び比較例を参照してより詳細に説明するが、本発明はこれらに限定されない。実施例1〜11及び比較例1では、発光層及び陰極の間に層を形成するための層形成塗布液を調製し、この層形成塗布液により電子注入層を形成した有機EL素子を製造して、発光することを確認した。また実施例12〜17及び比較例2〜3では、金属ドープモリブデン酸化物層を有する有機EL素子を製造し、その効果を確認した。   Hereinafter, the present invention will be described in more detail with reference to Examples and Comparative Examples, but the present invention is not limited thereto. In Examples 1 to 11 and Comparative Example 1, a layer-forming coating solution for forming a layer between the light-emitting layer and the cathode was prepared, and an organic EL device in which an electron injection layer was formed with this layer-forming coating solution was produced. It was confirmed that light was emitted. Moreover, in Examples 12-17 and Comparative Examples 2-3, the organic EL element which has a metal dope molybdenum oxide layer was manufactured, and the effect was confirmed.

<実施例1>
Cs2MoO4粉末(純度99.9%、フルウチ化学株式会社製)と超純水(電気抵抗率が15MΩ・cm以上)とを重量比で10:90になるように秤量し、スクリュー管に入れ攪拌して層形成塗布液を作製した。Cs2MoO4粉末が完全に溶解していることを目視において確認した。この層形成塗布液の表面張力は58.3mN/mであった。作製した層形成塗布液と、複数の種類の基板との接触角をそれぞれ測定した結果を下記の表1に示す。pH試験紙を用いてpH(水素イオン指数)を測定したところ約7を示した。
<実施例2>
<Example 1>
Cs 2 MoO 4 powder (purity 99.9%, manufactured by Furuuchi Chemical Co., Ltd.) and ultrapure water (electric resistivity is 15 MΩ · cm or more) are weighed to a weight ratio of 10:90 and put into a screw tube. The mixture was stirred and a layer forming coating solution was prepared. It was visually confirmed that the Cs 2 MoO 4 powder was completely dissolved. The surface tension of this layer forming coating solution was 58.3 mN / m. Table 1 below shows the results of measuring the contact angles between the prepared layer-forming coating solution and a plurality of types of substrates. When pH (hydrogen ion index) was measured using a pH test paper, it was about 7.
<Example 2>

Cs2MoO4粉末(純度99.9%、フルウチ化学株式会社製)と超純水(電気抵抗率が15MΩ・cm以上)とエタノール(純度99.5%、鹿1級、関東化学株式会社製)とを重量比で10:26:63になるように秤量し、Cs2MoO4粉末、超純水の順にスクリュー管に入れ攪拌し、その後エタノールを混合し層形成塗布液を作製した。Cs2MoO4粉末が完全に溶解していることを目視において確認した。この層形成塗布液の表面張力は22.6mN/mであった。作製した層形成塗布液と、複数の種類の基板との接触角をそれぞれ測定した結果を下記の表1に示す。pH試験紙を用いてpHを測定したところ約8〜9を示した。
<実施例3>
Cs 2 MoO 4 powder (purity 99.9%, manufactured by Furuuchi Chemical Co., Ltd.), ultrapure water (electric resistivity is 15 MΩ · cm or more) and ethanol (purity 99.5%, deer grade 1, manufactured by Kanto Chemical Co., Inc.) ) In a weight ratio of 10:26:63, stirred in a screw tube in the order of Cs 2 MoO 4 powder and ultrapure water, and then mixed with ethanol to prepare a layer-forming coating solution. It was visually confirmed that the Cs 2 MoO 4 powder was completely dissolved. The surface tension of this layer forming coating solution was 22.6 mN / m. Table 1 below shows the results of measuring the contact angles between the prepared layer-forming coating solution and a plurality of types of substrates. When pH was measured using pH test paper, it was about 8-9.
<Example 3>

Cs2MoO4粉末(純度99.9%、フルウチ化学株式会社製)と超純水(電気抵抗率が15MΩ・cm以上)とエタノール(純度99.5%、鹿1級、関東化学株式会社製)と界面活性剤(サーフィノール(登録商標)104A:日信化学社製)を重量比で10:25:61:4になるように秤量し、Cs2MoO4粉末、超純水の順にスクリュー管に入れ攪拌し、その後エタノールを混合し、その後界面活性剤を混合して層形成塗布液を作製した。Cs2MoO4粉末が完全に溶解していることを目視において確認した。この層形成塗布液の表面張力は26.6mN/mであった。作製した層形成塗布液と、複数の種類の基板との接触角を測定した結果を表1に示す。pH試験紙を用いてpHを測定したところ約8〜9を示した。
<実施例4>
Cs 2 MoO 4 powder (purity 99.9%, manufactured by Furuuchi Chemical Co., Ltd.), ultrapure water (electric resistivity is 15 MΩ · cm or more) and ethanol (purity 99.5%, deer grade 1, manufactured by Kanto Chemical Co., Inc.) ) And a surfactant (Surfinol (registered trademark) 104A: manufactured by Nissin Chemical Co., Ltd.) are weighed to a weight ratio of 10: 25: 61: 4, and screwed in the order of Cs 2 MoO 4 powder and ultrapure water. It stirred in the pipe | tube, ethanol was mixed after that, surfactant was mixed after that, and the layer formation coating liquid was produced. It was visually confirmed that the Cs 2 MoO 4 powder was completely dissolved. The surface tension of this layer forming coating solution was 26.6 mN / m. Table 1 shows the results of measuring contact angles between the prepared layer-forming coating solution and a plurality of types of substrates. When pH was measured using pH test paper, it was about 8-9.
<Example 4>

Cs3VO4粉末(純度99.9%、Aldrich製)と超純水(電気抵抗率が15MΩ・cm以上)とを重量比で1:99になるように秤量しスクリュー管に入れ攪拌し層形成塗布液を作製した。目視において完全に溶解していることを確認した。pH試験紙を用いてpHを測定したところ約7を示した。
<実施例5>
Cs 3 VO 4 powder (purity 99.9%, manufactured by Aldrich) and ultrapure water (electric resistivity is 15 MΩ · cm or more) are weighed to a weight ratio of 1:99, put in a screw tube and stirred. A forming coating solution was prepared. It was confirmed by visual observation that it was completely dissolved. When pH was measured using pH test paper, it was about 7.
<Example 5>

CsVO3粉末(純度99.9%、Aldrich製)と超純水(電気抵抗率が15MΩ・cm以上)とを重量比で1:99になるように秤量し、スクリュー管に入れ攪拌して層形成塗布液を作製した。CsVO3粉末が完全に溶解していることを目視において確認した。pH試験紙を用いてpHを測定したところ約12を示した。
<実施例6>
CsVO 3 powder (purity 99.9%, made by Aldrich) and ultrapure water (electric resistivity is 15 MΩ · cm or more) are weighed to a weight ratio of 1:99, put in a screw tube and stirred to form a layer A forming coating solution was prepared. It was visually confirmed that the CsVO 3 powder was completely dissolved. When pH was measured using pH test paper, it was about 12.
<Example 6>

CsVO3粉末(純度99.9%、Aldrich製)と超純水(電気抵抗率が15MΩ・cm以上)とを重量比で30:70になるように秤量し、スクリュー管に入れ攪拌し層形成塗布液を作製した。pH試験紙を用いて上澄み液のpHを測定したところ約13を示した。
<実施例7>
CsVO 3 powder (purity 99.9%, manufactured by Aldrich) and ultrapure water (electric resistivity is 15 MΩ · cm or more) are weighed to a weight ratio of 30:70, and placed in a screw tube and stirred to form a layer. A coating solution was prepared. When the pH of the supernatant was measured using a pH test paper, it was about 13.
<Example 7>

2MoO4粉末(純度98%、Aldrich製)と超純水(電気抵抗率が15MΩ・cm以上)とを重量比で1:99になるように秤量し、スクリュー管に入れ攪拌し層形成塗布液を作製した。目視において完全に溶解していることを確認した。pH試験紙を用いてpHを測定したところ約7.5を示した。
<実施例8>
K 2 MoO 4 powder (purity 98%, manufactured by Aldrich) and ultrapure water (electrical resistivity of 15 MΩ · cm or more) are weighed to a weight ratio of 1:99, and placed in a screw tube and stirred to form a layer. A coating solution was prepared. It was confirmed by visual observation that it was completely dissolved. When the pH was measured using a pH test paper, it was about 7.5.
<Example 8>

2MoO4粉末(純度98%、Aldrich製)と超純水(電気抵抗率が15MΩ・cm以上)とを重量比で30:70になるように秤量し、スクリュー管に入れ攪拌し、層形成塗布液を作製した。pH試験紙を用いて上澄み液のpHを測定したところ約9を示した。
<実施例9>
K 2 MoO 4 powder (purity 98%, manufactured by Aldrich) and ultrapure water (electric resistivity is 15 MΩ · cm or more) are weighed to a weight ratio of 30:70, put in a screw tube and stirred, A forming coating solution was prepared. When the pH of the supernatant was measured using pH test paper, it was about 9.
<Example 9>

Na2MoO4粉末(純度>98%、Aldrich製)と超純水(電気抵抗率が15MΩ・cm以上)とを重量比で1:99になるように秤量し、スクリュー管に入れ攪拌し、層形成塗布液を作製した。目視において完全に溶解していることを確認した。pH試験紙を用いてpHを測定したところ約7を示した。
<実施例10>
Na 2 MoO 4 powder (purity> 98%, manufactured by Aldrich) and ultrapure water (electric resistivity is 15 MΩ · cm or more) are weighed to a weight ratio of 1:99, put in a screw tube, and stirred. A layer forming coating solution was prepared. It was confirmed by visual observation that it was completely dissolved. When pH was measured using pH test paper, it was about 7.
<Example 10>

Na2MoO4粉末(純度>98%、Aldrich製)と超純水(電気抵抗率が15MΩ・cm以上)とを重量比で30:70になるように秤量し、スクリュー管に入れ攪拌し層形成塗布液を作製した。pH試験紙を用いて上澄み液のpHを測定したところ約8を示した。 Na 2 MoO 4 powder (purity> 98%, manufactured by Aldrich) and ultrapure water (electrical resistivity of 15 MΩ · cm or more) are weighed to a weight ratio of 30:70, placed in a screw tube and stirred. A forming coating solution was prepared. When the pH of the supernatant was measured using pH test paper, it was about 8.

<比較例1>
BaMoO4粉末(純度>99.9%、Aldrich製)と超純水(電気抵抗率が15MΩ・cm以上)を重量比で1:99になるように秤量し、スクリュー管に入れ攪拌し溶液を作製した。目視においてBaMoO4粉末がほとんど溶解していないことを確認した。pH試験紙を用いてpHを測定したところ約7を示した。
<Comparative Example 1>
BaMoO 4 powder (purity> 99.9%, manufactured by Aldrich) and ultrapure water (electrical resistivity of 15 MΩ · cm or more) are weighed to a weight ratio of 1:99, put in a screw tube and stirred to prepare a solution. Produced. It was confirmed by visual observation that the BaMoO 4 powder was hardly dissolved. When pH was measured using pH test paper, it was about 7.

(表面張力及び接触角の測定方法)
データフィジックス社(独)社製の型番OCA−20の測定装置を測定に用いた。表面張力の測定は、まずシリンジに溶液を充填して、外径1.4mmの金属針をシリンジに装着し、該金属針から溶液を出し、溶液が金属針から離れる直前の形状を画像解析することによって行った。
(Measurement method of surface tension and contact angle)
A measuring device of model number OCA-20 manufactured by Data Physics (Germany) was used for the measurement. Surface tension is measured by first filling the syringe with a solution, attaching a metal needle with an outer diameter of 1.4 mm to the syringe, removing the solution from the metal needle, and analyzing the image of the shape immediately before the solution leaves the metal needle. Was done by.

接触角は、基板に溶液を接液して付着させ、付着した溶液の液面と基板の表面とが接する位置での液面と、基板の表面とのなす角度を測定して求めた。基板としては、(1)UV−O3洗浄を行っていない未処理の無アルカリガラス基板と、(2)テクノビジョン社製の装置でUV−O3洗浄処理(表1では、「UV洗浄」と記載)を10分間行なった無アルカリガラス基板、(3)スパッタリング法によって厚みが150nmの膜厚のITO薄膜をガラス基板上に成膜したITO基板で、UV−O3洗浄処理を行っていない未処理のITO基板、(4)テクノビジョン社製の装置でUV−O3洗浄処理を10分間行なったガラス基板に、スパッタリング法によって厚みが150nmの膜厚のITO薄膜を成膜したITO基板、(5)EB法によって300nmの膜厚のアルミニウム薄膜をガラス基板上に形成したAl蒸着基板、(6)高分子発光有機材料(SCB670、サメイション社製)をスピンコート法によってガラス基板上に成膜し、80nmの膜厚のポリマーが成膜されたポリマースピン成膜基板、(7)ポリエチレンナフタレート(PEN)から成るPEN基板の7種類を用い、各基板に対して、実施例1〜3で作製した層形成塗布液との接触角を測定した。 The contact angle was determined by measuring the angle between the surface of the substrate and the surface of the substrate at which the liquid surface of the attached solution was in contact with the surface of the substrate. As the substrate, (1) an untreated non-alkali glass substrate that has not been subjected to UV-O 3 cleaning, and (2) UV-O 3 cleaning treatment (equipped with “UV cleaning” in Table 1) using an apparatus manufactured by Technovision. And a non-alkali glass substrate subjected to 10 minutes, and (3) an ITO substrate in which an ITO thin film having a thickness of 150 nm is formed on a glass substrate by a sputtering method, and UV-O 3 cleaning treatment is not performed. An untreated ITO substrate, (4) an ITO substrate in which an ITO thin film having a thickness of 150 nm is formed by sputtering on a glass substrate that has been subjected to UV-O 3 cleaning treatment for 10 minutes by an apparatus manufactured by Technovision, (5) Al vapor deposition substrate in which an aluminum thin film having a film thickness of 300 nm is formed on a glass substrate by EB method, (6) Polymer light emitting organic material (SCB670, manufactured by Summation) Each of the substrates was formed using a spin coating method on a glass substrate and a polymer spin film formation substrate on which a polymer with a film thickness of 80 nm was formed, and (7) a PEN substrate made of polyethylene naphthalate (PEN). On the other hand, the contact angle with the layer formation coating liquid produced in Examples 1-3 was measured.

表1に、実施例1〜3の層形成塗布液と、複数の種類の基板との接触角の測定結果を示す。   Table 1 shows the measurement results of contact angles between the layer-forming coating solutions of Examples 1 to 3 and a plurality of types of substrates.

Figure 2010147243
Figure 2010147243

実施例1〜10に示すように、アルカリ金属塩が溶解した層形成塗布液を調製することができた。また実施例2,3に示すように、超純水にアルコール又は界面活性剤を加えることによって表面張力が低く、接触角の小さい層形成塗布液を得ることができた。
<実施例11>
As shown in Examples 1 to 10, a layer-forming coating solution in which an alkali metal salt was dissolved could be prepared. Further, as shown in Examples 2 and 3, a layer-forming coating solution having a low surface tension and a small contact angle could be obtained by adding alcohol or a surfactant to ultrapure water.
<Example 11>

実施例3で作製した層形成塗布液を用いて有機EL素子を作製した。実施例で作製した有機EL素子の構成は、ガラス基板/ITO薄膜から成る陽極/正孔注入層/電子ブロック層/発光層/電子注入層/陰極であり、これをさらに封止ガラスによって封止した。なお、電子注入層を実施例3で作製した層形成塗布液を用いて形成した。   An organic EL element was produced using the layer-forming coating solution produced in Example 3. The configuration of the organic EL device produced in the examples is glass substrate / anode made of ITO thin film / hole injection layer / electron blocking layer / light emitting layer / electron injection layer / cathode, and this is further sealed with sealing glass did. The electron injection layer was formed using the layer forming coating solution prepared in Example 3.

(合成例1)
上記電子ブロック層となる高分子化合物1を合成した。まず攪拌翼、バッフル、長さ調整可能な窒素導入管、冷却管、及び温度計を備えるセパラブルフラスコに2,7−ビス(1,3,2−ジオキサボロラン−2−イル)−9,9−ジオクチルフルオレン158.29重量部と、ビス−(4−ブロモフェニル)−4−(1−メチルプロピル)−ベンゼンアミン136.11重量部と、トリカプリルメチルアンモニウムクロリド(ヘンケル社製 Aliquat 336)27重量部と、トルエン1800重量部とを仕込み、窒素導入管から窒素を導入しながら、攪拌下90℃まで昇温した。酢酸パラジウム(II)0.066重量部と、トリ(o−トルイル)ホスフィン0.45重量部とを加えた後、17.5%炭酸ナトリウム水溶液573重量部を1時間かけて滴下した。滴下終了後、窒素導入管を液面より引き上げ、還流下7時間保温した後、フェニルホウ酸3.6重量部を加え、14時間還流下保温し、室温まで冷却した。反応液水層を除いた後、反応液油層をトルエンで希釈し、3%酢酸水溶液、イオン交換水で洗浄した。分液油層にN,N−ジエチルジチオカルバミド酸ナトリウム三水和物13重量部を加え4時間攪拌した後、活性アルミナとシリカゲルとの混合カラムに通液し、トルエンを通液してカラムを洗浄した。濾液及び洗液を混合した後、メタノールに滴下して、ポリマーを沈殿させた。得られたポリマー沈殿を濾別し、メタノールで沈殿を洗浄した後、真空乾燥機でポリマーを乾燥させ、ポリマー192重量部を得た。得られたポリマーを高分子化合物1とよぶ。高分子化合物1のポリスチレン換算重量平均分子量は、3.7×105であり、数平均分子量は8.9×104であった。
(Synthesis Example 1)
The polymer compound 1 to be the electron blocking layer was synthesized. First, 2,7-bis (1,3,2-dioxaborolan-2-yl) -9,9- was added to a separable flask equipped with a stirring blade, baffle, length-adjustable nitrogen inlet tube, cooling tube, and thermometer. 158.29 parts by weight of dioctylfluorene, 136.11 parts by weight of bis- (4-bromophenyl) -4- (1-methylpropyl) -benzenamine, 27 weights of tricaprylmethylammonium chloride (Aliquat 336 manufactured by Henkel) And 1800 parts by weight of toluene were added, and the temperature was raised to 90 ° C. with stirring while introducing nitrogen from a nitrogen introduction tube. After adding 0.066 parts by weight of palladium (II) acetate and 0.45 parts by weight of tri (o-toluyl) phosphine, 573 parts by weight of a 17.5% aqueous sodium carbonate solution was added dropwise over 1 hour. After completion of the dropwise addition, the nitrogen inlet tube was lifted from the liquid surface and kept under reflux for 7 hours, then 3.6 parts by weight of phenylboric acid was added, kept under reflux for 14 hours, and cooled to room temperature. After removing the reaction solution aqueous layer, the reaction solution oil layer was diluted with toluene and washed with 3% acetic acid aqueous solution and ion-exchanged water. After adding 13 parts by weight of sodium N, N-diethyldithiocarbamate trihydrate to the separated oil layer and stirring for 4 hours, the solution was passed through a mixed column of activated alumina and silica gel, and toluene was passed through to wash the column. did. The filtrate and washings were mixed and then added dropwise to methanol to precipitate the polymer. The obtained polymer precipitate was separated by filtration, washed with methanol, and then dried with a vacuum dryer to obtain 192 parts by weight of polymer. The resulting polymer is referred to as polymer compound 1. The polymer compound 1 had a polystyrene equivalent weight average molecular weight of 3.7 × 10 5 and a number average molecular weight of 8.9 × 10 4 .

(GPC分析法)
ポリスチレン換算重量平均分子量及び数平均分子量は、ゲルパーミエーションクロマトグラフィー(GPC)により求めた。GPCの検量線の作成にはポリマーラボラトリーズ社製標準ポリスチレンを使用した。測定する重合体は、約0.02重量%の濃度になるようテトラヒドロフランに溶解させ、GPCに10μL注入した。GPC装置は島津製作所製LC−10ADvpを用いた。カラムは、ポリマーラボラトリーズ社製PLgel 10μm MIXED−Bカラム(300×7.5mm)を2本直列に接続して用い、移動相としてテトラヒドロフランを25℃、1.0mL/minの流速で流した。検出器にUV検出器を用い、228nmの吸光度を測定した。
(GPC analysis method)
The polystyrene equivalent weight average molecular weight and number average molecular weight were determined by gel permeation chromatography (GPC). Standard polystyrene made by Polymer Laboratories was used to prepare a GPC calibration curve. The polymer to be measured was dissolved in tetrahydrofuran to a concentration of about 0.02% by weight, and 10 μL was injected into GPC. The GPC apparatus used was LC-10ADvp manufactured by Shimadzu Corporation. As the column, two PLgel 10 μm MIXED-B columns (300 × 7.5 mm) manufactured by Polymer Laboratories were used in series, and tetrahydrofuran was flowed at 25 ° C. and a flow rate of 1.0 mL / min as a mobile phase. Absorbance at 228 nm was measured using a UV detector as the detector.

基板にはガラス基板を用いた。このガラス基板の表面上にスパッタリング法によって成膜され、さらに所定の形状にパターニングされたITO薄膜を陽極として用いた。ITO薄膜の膜厚は、約150nmであった。   A glass substrate was used as the substrate. An ITO thin film formed on the surface of the glass substrate by sputtering and patterned into a predetermined shape was used as the anode. The thickness of the ITO thin film was about 150 nm.

ポリ(3,4)エチレンジオキシチオフェン/ポリスチレンスルフォン酸(HCスタルクビーテック社製、商品名:Bytron P/TP AI 4083)の懸濁液を0.5μm径のフィルターでろ過し、ITO薄膜が形成されたガラス基板上にろ過した液をスピンコート法により塗布し、膜厚60nmで成膜した。次に取出し電極部分や封止エリアに形成された膜を拭き取って除去し、さらに大気下にてホットプレートを用いて約200℃で10分間乾燥させ、正孔注入層を形成した。   A suspension of poly (3,4) ethylenedioxythiophene / polystyrene sulfonic acid (manufactured by HC Starck B-Tech, trade name: Bytron P / TP AI 4083) is filtered through a 0.5 μm filter to form an ITO thin film. The liquid filtered on the glass substrate was applied by spin coating to form a film with a thickness of 60 nm. Next, the film formed on the extraction electrode portion and the sealing area was wiped off and further dried at about 200 ° C. for 10 minutes using a hot plate in the atmosphere to form a hole injection layer.

次に正孔注入層が形成された基板に前記高分子化合物1を含む塗布液をスピンコート法により塗布し、膜厚約20nmで成膜した。次に取出し電極部分や封止エリアに形成された膜を拭き取って除去し、さらに窒素雰囲気にてホットプレートを用いて200℃で20分間ベイク処理を行い、電子ブロック層を形成した。   Next, the coating liquid containing the polymer compound 1 was applied to the substrate on which the hole injection layer was formed by a spin coating method to form a film with a thickness of about 20 nm. Next, the film formed on the extraction electrode portion and the sealing area was wiped off and further baked at 200 ° C. for 20 minutes using a hot plate in a nitrogen atmosphere to form an electronic block layer.

次に電子ブロック層が形成された基板に、高分子発光有機材料(BP361:サメイション社製)をスピンコート法により塗布し、膜厚約70nmで成膜した。次に取出し電極部分や封止エリアに形成された膜を拭き取って除去し、ベイク処理を施して発光層を形成した。   Next, a polymer light-emitting organic material (BP361: manufactured by Summation Co., Ltd.) was applied to the substrate on which the electron blocking layer was formed by spin coating to form a film with a thickness of about 70 nm. Next, the film | membrane formed in the extraction electrode part and the sealing area was wiped off and baked, and the light emitting layer was formed.

次に発光層が形成された基板に、実施例3で作製した層形成塗布液をスピンコート法により塗布し、膜厚2nmで成膜して、電子注入層を形成した。次に、取出し電極部分や封止エリアに形成された膜を拭き取って除去し、この基板をトッキ株式会社製 真空蒸着機(Small−ELVESS)の加熱チャンバーに移した。(以後、真空中或いは窒素中でプロセスを行い、プロセス中に素子が大気に曝されることはない。)次に、真空度1×10-4Pa以下の真空中で基板を基板温度約80〜120℃で20分間加熱した。 Next, the layer-forming coating solution prepared in Example 3 was applied to the substrate on which the light-emitting layer had been formed by spin coating, and the film was formed to a thickness of 2 nm to form an electron injection layer. Next, the film | membrane formed in the extraction electrode part and the sealing area was wiped off and removed, and this board | substrate was moved to the heating chamber of the vacuum evaporation machine (Small-ELVESS) by Tokki Co., Ltd. (After that, the process is performed in vacuum or in nitrogen, and the device is not exposed to the atmosphere during the process.) Next, the substrate is heated to a substrate temperature of about 80 in a vacuum with a degree of vacuum of 1 × 10 −4 Pa or less. Heated at ˜120 ° C. for 20 minutes.

その後、蒸着チャンバーに基板を移し、発光部及び取出し電極部に陰極が成膜されるように陰極用のメタルマスクを位置合わせし、さらにメタルマスクと基板との相対位置を変えずに両者を回転させながら陰極を蒸着した。蒸着開始前のチャンバー内の真空度は3×10-5Pa以下であった。蒸着法としては電子ビーム蒸着法を用い、Alを蒸着速度約10Å/secで成膜し、膜厚が100nmの陰極を形成した。その後、表面の周縁部にUV(紫外線)硬化樹脂が塗布された封止ガラスを、不活性ガス中において減圧下で基板に貼り合わせた。その後大気圧に戻し、UVを照射することでUV(紫外線)硬化樹脂を光硬化させることで封止ガラスを基板に固定し、高分子有機EL素子を作製した。なお1画素の発光領域は2mm×2mmである。 After that, the substrate is moved to the vapor deposition chamber, the metal mask for the cathode is aligned so that the cathode is formed on the light emitting part and the extraction electrode part, and both are rotated without changing the relative position of the metal mask and the substrate. The cathode was deposited while The degree of vacuum in the chamber before the start of vapor deposition was 3 × 10 −5 Pa or less. As a vapor deposition method, an electron beam vapor deposition method was used, and Al was formed at a vapor deposition rate of about 10 Å / sec to form a cathode having a thickness of 100 nm. Thereafter, a sealing glass in which a UV (ultraviolet) curable resin was applied to the peripheral portion of the surface was bonded to the substrate in an inert gas under reduced pressure. Thereafter, the pressure was returned to atmospheric pressure, and UV (ultraviolet) curable resin was photocured by irradiating UV, thereby fixing the sealing glass to the substrate, and a polymer organic EL device was produced. The light emitting area of one pixel is 2 mm × 2 mm.

(有機EL素子の評価)
東京システム開発社製の有機EL測定装置を用いて電流‐電圧‐輝度、発光スペクトルの測定を行なった。本実施例で作製した有機EL素子に約12Vの電圧を印加したところ、正面輝度が1000cd/m2となった。このときの電流密度は0.088A/cm2であり、EL発光スペクトルは460nmにピークを示した。このように、層形成塗布液を用いて塗布法によって形成された電子注入層を備える有機EL素子が発光することを確認した。
(Evaluation of organic EL elements)
Current-voltage-luminance and emission spectrum were measured using an organic EL measuring device manufactured by Tokyo System Development. When a voltage of about 12 V was applied to the organic EL device produced in this example, the front luminance was 1000 cd / m 2 . The current density at this time was 0.088 A / cm 2 , and the EL emission spectrum showed a peak at 460 nm. As described above, it was confirmed that the organic EL device including the electron injection layer formed by the coating method using the layer forming coating solution emits light.

<実施例12>
(1−1:真空蒸着法による、ガラス基板へのAlドープMoOの蒸着)
複数のガラス基板を用意し、その片面を蒸着マスクを用いて部分的に被覆し、蒸着チャンバー内に基板ホルダーを用い取り付けた。
MoO粉末(アルドリッチ社製、純度99.99%)を、ボックスタイプの昇華物質用のタングステンボードに詰め、材料が飛び散らないように穴の開いたカバーで覆い、蒸着チャンバー内にセットした。Al(高純度化学社製、純度99.999%)は坩堝に入れ、蒸着チャンバー内にセットした。
蒸着チャンバー内の真空度を3×10−5Pa以下とし、MoOは抵抗加熱法により徐々に加熱し十分に脱ガスを行い、Alは電子ビームにより坩堝内で溶かし込みを行い十分に脱ガスを行なってから蒸着に供した。蒸着中の真空度は9×10−5Pa以下とした。膜厚及び蒸着速度は水晶振動子で常時モニターした。MoOの蒸着速度が約2.8Å/秒、Alの蒸着速度が約0.1Å/秒となった時点でメインシャッターを開き、基板への成膜を開始した。蒸着中は基板を回転させ、膜厚が均一になるようにした。蒸着速度を上記速度に制御して約36秒間成膜を行ない、膜厚約100Åの共蒸着膜が設けられた基板を得た。膜中のMoO及びAlの合計に対するAlの組成比は約3.5mol%であった。
<Example 12>
(1-1: Deposition of Al-doped MoO 3 on a glass substrate by vacuum deposition)
A plurality of glass substrates were prepared, one side of which was partially covered with a vapor deposition mask, and attached to the vapor deposition chamber using a substrate holder.
MoO 3 powder (manufactured by Aldrich, purity 99.99%) was packed in a tungsten board for a box-type sublimation substance, covered with a cover with holes so that the material would not scatter, and set in a vapor deposition chamber. Al (manufactured by Koyo Chemical Co., Ltd., purity 99.999%) was put in a crucible and set in a vapor deposition chamber.
The degree of vacuum in the vapor deposition chamber is set to 3 × 10 −5 Pa or less, MoO 3 is gradually heated by a resistance heating method and sufficiently degassed, and Al is dissolved in a crucible by an electron beam and sufficiently degassed. After performing, it used for vapor deposition. The degree of vacuum during vapor deposition was 9 × 10 −5 Pa or less. The film thickness and the deposition rate were constantly monitored with a crystal resonator. When the deposition rate of MoO 3 reached about 2.8 約 / sec and the deposition rate of Al reached about 0.1 Å / sec, the main shutter was opened and film formation on the substrate was started. During deposition, the substrate was rotated so that the film thickness was uniform. Film formation was carried out for about 36 seconds while controlling the vapor deposition rate to the above speed, and a substrate provided with a co-deposited film having a film thickness of about 100 mm was obtained. The composition ratio of Al to the total of MoO 3 and Al in the film was about 3.5 mol%.

(1−2:耐久性試験)
成膜後、得られた基板を大気中に取り出し、光学顕微鏡(500倍)で膜表面を観察したところ、結晶構造が認められずアモルファス状態であることが確認された。
得られた基板を純水に1分間曝し、光学顕微鏡で再び観察したところ変化は無く、表面は溶けていなかった。この基板をさらに純水に3分間曝し続けるか、又は純水を含ませた不織布(商品名「ベンコット」、小津産業株式会社製)で膜を拭いた後、目視で観察したところ、いずれの場合も膜は変化無く残っていた。
別の得られた基板をアセトンに1分間曝し、光学顕微鏡で観察したところ変化は無く、表面が溶けていなかった。この基板をさらにアセトンに3分間曝し続けるか、又はアセトンを含ませた不織布で膜を拭いた後、目視で確認したところ、いずれの場合も膜は変化無く残っていた。
(1-2: Durability test)
After film formation, the obtained substrate was taken out into the atmosphere and the film surface was observed with an optical microscope (500 times). As a result, it was confirmed that the crystal structure was not observed and the film was in an amorphous state.
When the obtained substrate was exposed to pure water for 1 minute and observed again with an optical microscope, there was no change and the surface was not dissolved. In either case, the substrate was further exposed to pure water for 3 minutes, or the film was wiped with a non-woven fabric (trade name “Bencot”, manufactured by Ozu Sangyo Co., Ltd.) containing pure water and then visually observed. The membrane remained unchanged.
When another substrate obtained was exposed to acetone for 1 minute and observed with an optical microscope, there was no change and the surface was not dissolved. The substrate was further exposed to acetone for 3 minutes, or the film was wiped with a non-woven fabric containing acetone and visually confirmed. In either case, the film remained unchanged.

(1−3:透過率の測定)
また、成膜後の蒸着膜の透過率を、透過率・反射率測定装置FilmTek 3000(商品名、Scientific Computing International社製)を用いて測定した。結果を表2に示す。光の波長約300nmぐらいから透過スペクトルが立ち上がり、波長320nmにおける透過率が21.6%、360nmにおける透過率が56.6%であった。後述する比較例2と比較して、320nmにおいて3.6倍、360nmにおいて1.6倍の透過率を有していた。
(1-3: Measurement of transmittance)
Further, the transmittance of the deposited film after film formation was measured using a transmittance / reflectance measuring apparatus FilmTek 3000 (trade name, manufactured by Scientific Computing International). The results are shown in Table 2. The transmission spectrum rose from a wavelength of about 300 nm. The transmittance at a wavelength of 320 nm was 21.6%, and the transmittance at 360 nm was 56.6%. Compared to Comparative Example 2 described later, the transmittance was 3.6 times at 320 nm and 1.6 times at 360 nm.

<実施例13>
蒸着中に、チャンバーに酸素を導入した他は実施例12の(1−1)と同様に操作し、共蒸着膜が設けられた基板を得た。酸素量はマスフローコントローラーにより15sccmに制御した。蒸着中の真空度は約2.3×10−3Paであった。得られた共蒸着膜の膜厚は約100Åであり、膜中のMoO及びAlの合計に対するAlの組成比は約3.5mol%であった。
<Example 13>
A substrate on which a co-deposited film was provided was obtained in the same manner as in Example 1-1 (1-1) except that oxygen was introduced into the chamber during the deposition. The amount of oxygen was controlled to 15 sccm by a mass flow controller. The degree of vacuum during vapor deposition was about 2.3 × 10 −3 Pa. The thickness of the obtained co-deposited film was about 100 mm, and the composition ratio of Al to the total of MoO 3 and Al in the film was about 3.5 mol%.

成膜後、得られた基板の耐久性を実施例12の(1−2)と同様に評価した。純水及びアセトンのいずれに曝した場合においても変化は観察されなかった。   After film formation, the durability of the obtained substrate was evaluated in the same manner as in Example 12 (1-2). No change was observed when exposed to either pure water or acetone.

<実施例14>
蒸着速度を、MoOについては約3.7Å/秒、Alについては約0.01Å/秒に制御した他は実施例12の(1−1)と同様に操作し、共蒸着膜が設けられた基板を得た。得られた共蒸着膜の膜厚は約100Åであり、膜中のMoO及びAlの合計に対するAlの組成比は約1.3mol%であった。
<Example 14>
The vapor deposition rate was controlled in the same manner as in (1-1) of Example 12 except that the deposition rate was controlled to about 3.7 Å / sec for MoO 3 and about 0.01 Å / sec for Al, and a co-deposition film was provided. Obtained substrate. The thickness of the obtained co-deposited film was about 100 mm, and the composition ratio of Al to the total of MoO 3 and Al in the film was about 1.3 mol%.

成膜後、得られた基板の耐久性を実施例12の(1−2)と同様に評価した。純水及びアセトンのいずれに曝した場合においても変化は観察されなかった。   After film formation, the durability of the obtained substrate was evaluated in the same manner as in Example 12 (1-2). No change was observed when exposed to either pure water or acetone.

<実施例15>
実施例12の(1−1)で得られた基板を、大気雰囲気のクリーンオーブンに入れ、250℃で60分間加熱処理した。冷却後、蒸着膜の透過率を実施例1の(1−3)と同様に測定した。結果を表2に示す。波長320nmにおける透過率が28.9%、360nmにおける透過率が76.2%であった。後述する比較例1と比較して、320nmにおいて4.7倍、360nmにおいて2.2倍の透過率を有していた。
<Example 15>
The substrate obtained in (1-1) of Example 12 was placed in a clean oven in an air atmosphere and heat-treated at 250 ° C. for 60 minutes. After cooling, the transmittance of the deposited film was measured in the same manner as in Example 1-3 (1-3). The results are shown in Table 2. The transmittance at a wavelength of 320 nm was 28.9%, and the transmittance at 360 nm was 76.2%. Compared to Comparative Example 1 described later, the transmittance was 4.7 times at 320 nm and 2.2 times at 360 nm.

<比較例2>
Alを蒸着せず、MoOのみを約2.8Å/秒で蒸着した他は実施例12と同様に操作し、膜厚約100Åの蒸着膜が設けられた基板を得た。
成膜後、得られた基板を大気中に取り出し、光学顕微鏡(500倍)で膜表面を観察したところ、結晶構造が認められずアモルファス状態であることが確認された。
得られた基板を純水に1分間曝し、光学顕微鏡で再び観察したところ、にじみ模様が認められ、表面が溶けていることが観察された。この基板をさらに純水に3分間曝し続けるか、又は純水を含ませた不織布で膜を拭いた後、目視で観察したところ、いずれの場合も膜が消失していた。
別の得られた基板をアセトンに1分間曝し、光学顕微鏡で観察したところ、にじみ模様が認められ、表面が溶けていることが観察された。この基板をさらにアセトンに3分間曝し続けるか、又はアセトンを含ませた不織布で膜を拭いた後、目視で確認したところ、いずれの場合も膜は消失していた。
また、成膜後の蒸着膜の透過率を、実施例12の(1−3)と同様に測定した。結果を表2に示す。波長320nmにおける透過率が6.1%、360nmにおける透過率が35.4%であり、透過率が低いことが認められた。
<Comparative example 2>
The same operation as in Example 12 was carried out except that only MoO 3 was deposited at a rate of about 2.8 liters / second without depositing Al to obtain a substrate provided with a deposited film having a thickness of about 100 liters.
After film formation, the obtained substrate was taken out into the atmosphere and the film surface was observed with an optical microscope (500 times). As a result, it was confirmed that the crystal structure was not observed and the film was in an amorphous state.
When the obtained substrate was exposed to pure water for 1 minute and observed again with an optical microscope, it was observed that a bleeding pattern was observed and the surface was melted. The substrate was further exposed to pure water for 3 minutes, or the film was wiped with a non-woven fabric soaked with pure water and visually observed. In all cases, the film disappeared.
Another obtained substrate was exposed to acetone for 1 minute and observed with an optical microscope. As a result, a bleeding pattern was observed and the surface was melted. The substrate was further exposed to acetone for 3 minutes, or the film was wiped with a non-woven fabric containing acetone and then visually confirmed. In all cases, the film was lost.
Moreover, the transmittance | permeability of the vapor deposition film after film-forming was measured similarly to (1-3) of Example 12. FIG. The results are shown in Table 2. The transmittance at a wavelength of 320 nm was 6.1%, the transmittance at 360 nm was 35.4%, and it was confirmed that the transmittance was low.

Figure 2010147243
Figure 2010147243

(合成例2)
攪拌翼、バッフル、長さ調整可能な窒素導入管、冷却管、温度計をつけたセパラブルフラスコに 2,7−ビス(1,3,2−ジオキサボロラン−2−イル)−9,9−ジオクチルフルオレン158.29重量部、ビス−(4−ブロモフェニル)−4−(1−メチルプロピル)−ベンゼンアミン 136.11重量部、トリカプリルメチルアンモニウムクロリド(ヘンケル社製 Aliquat 336) 27重量部、トルエン1800重量部を仕込み、窒素導入管より窒素を流しながら、攪拌下90℃まで昇温した。酢酸パラジウム(II) 0.066重量部、トリ(o−トルイル)ホスフィン0.45重量部を加えた後、17.5%炭酸ナトリウム水溶液573重量部を1時間かけて滴下した。滴下終了後、窒素導入管を液面より引き上げ、還流下7時間保温した後、フェニルホウ酸3.6重量部を加え、14時間還流下保温し、室温まで冷却した。反応液水層を除いた後、反応液油層をトルエンで希釈し、3%酢酸水溶液、イオン交換水で洗浄した。分液油層にN,N−ジエチルジチオカルバミド酸ナトリウム三水和物13重量部を加え4時間攪拌した後、活性アルミナとシリカゲルの混合カラムに通液し、トルエンを通液してカラムを洗浄した。濾液及び洗液を混合した後、メタノールに滴下して、ポリマーを沈殿させた。得られたポリマー沈殿を濾別し、メタノールで沈殿を洗浄した後、真空乾燥機でポリマーを乾燥させ、ポリマー192重量部を得た。得られたポリマーを高分子化合物1とよぶ。高分子化合物1のポリスチレン換算重量平均分子量及び数平均分子量を下記のGPC分析法により求めたところ、ポリスチレン換算重量平均分子量は、3.7x10であり、数平均分子量は8.9x10であった。
(Synthesis Example 2)
2,7-bis (1,3,2-dioxaborolan-2-yl) -9,9-dioctyl was added to a separable flask equipped with a stirring blade, baffle, length-adjustable nitrogen inlet tube, cooling tube, and thermometer. 158.29 parts by weight of fluorene, 136.11 parts by weight of bis- (4-bromophenyl) -4- (1-methylpropyl) -benzenamine, 27 parts by weight of tricaprylmethylammonium chloride (Aliquat 336 manufactured by Henkel), toluene 1800 parts by weight were charged, and the temperature was raised to 90 ° C. with stirring while flowing nitrogen from the nitrogen introduction tube. After adding 0.066 parts by weight of palladium (II) acetate and 0.45 parts by weight of tri (o-toluyl) phosphine, 573 parts by weight of a 17.5% aqueous sodium carbonate solution was added dropwise over 1 hour. After completion of the dropwise addition, the nitrogen inlet tube was lifted from the liquid surface and kept under reflux for 7 hours, then 3.6 parts by weight of phenylboric acid was added, kept under reflux for 14 hours, and cooled to room temperature. After removing the reaction solution aqueous layer, the reaction solution oil layer was diluted with toluene and washed with 3% acetic acid aqueous solution and ion-exchanged water. 13 parts by weight of sodium N, N-diethyldithiocarbamate trihydrate was added to the separated oil layer, stirred for 4 hours, and then passed through a mixed column of activated alumina and silica gel, and toluene was passed through to wash the column. . The filtrate and washings were mixed and then added dropwise to methanol to precipitate the polymer. The obtained polymer precipitate was separated by filtration, washed with methanol, and then dried with a vacuum dryer to obtain 192 parts by weight of polymer. The resulting polymer is referred to as polymer compound 1. When the polystyrene equivalent weight average molecular weight and number average molecular weight of the polymer compound 1 were determined by the following GPC analysis method, the polystyrene equivalent weight average molecular weight was 3.7 × 10 5 and the number average molecular weight was 8.9 × 10 4 . .

(GPC分析法)
ポリスチレン換算重量平均分子量及び数平均分子量は、ゲルパーミエーションクロマトグラフィー(GPC)により求めた。GPCの検量線の作成にはポリマーラボラトリーズ社製標準ポリスチレンを使用した。測定する重合体は、約0.02重量%の濃度になるようテトラヒドロフランに溶解させ、GPC装置に10μL注入した。
GPC装置は島津製作所製LC−10ADvpを用いた。カラムは、ポリマーラボラトリーズ社製 PLgel 10μm MIXED−B カラム (300 x 7.5mm)を2本直列に接続して用い、移動相としてテトラヒドロフランを25℃、1.0mL/minの流速で流した。検出器はUV検出器を用い228nmの吸光度を測定した。
(GPC analysis method)
The polystyrene equivalent weight average molecular weight and number average molecular weight were determined by gel permeation chromatography (GPC). Standard polystyrene made by Polymer Laboratories was used to prepare a GPC calibration curve. The polymer to be measured was dissolved in tetrahydrofuran to a concentration of about 0.02% by weight, and 10 μL was injected into the GPC apparatus.
The GPC apparatus used was LC-10ADvp manufactured by Shimadzu Corporation. As the column, two PLgel 10 μm MIXED-B columns (300 × 7.5 mm) manufactured by Polymer Laboratories were used in series, and tetrahydrofuran was flowed at 25 ° C. and a flow rate of 1.0 mL / min as a mobile phase. The detector used a UV detector to measure the absorbance at 228 nm.

<実施例16>
(有機EL素子の作製)
基板としてITOの薄膜が表面にパターニングされたガラス基板を用い、このITO薄膜上に、実施例13と同様の手順で、膜厚100ÅのAlドープMoO層を真空蒸着法により蒸着した。
成膜後、基板を大気中に取り出し、その蒸着膜上にスピンコート法により、合成例1で得た高分子化合物1を成膜し、膜厚20nmのインターレイヤー層を形成した。取り出し電極部分及び封止エリアに成膜されたインターレイヤー層を除去し、ホットプレートで200℃、20分間ベイクを行った。
<Example 16>
(Production of organic EL element)
A glass substrate having an ITO thin film patterned on the surface was used as the substrate, and an Al-doped MoO 3 layer having a thickness of 100 mm was deposited on the ITO thin film by a vacuum deposition method in the same manner as in Example 13.
After the film formation, the substrate was taken out into the atmosphere, and the polymer compound 1 obtained in Synthesis Example 1 was formed on the deposited film by spin coating to form an interlayer layer having a thickness of 20 nm. The interlayer layer formed on the extraction electrode portion and the sealing area was removed, and baking was performed at 200 ° C. for 20 minutes on a hot plate.

その後、インターレイヤー層上に、高分子発光有機材料(RP158 サメイション社製)をスピンコート法により成膜し、膜厚90nmの発光層を形成した。取り出し電極部分及び封止エリアに成膜された発光層を除去した。
これ以降封止までのプロセスは、真空中あるいは窒素中で行い、プロセス中の素子が大気に曝されないようにした。
Thereafter, a polymer light-emitting organic material (manufactured by RP158 Summation Co., Ltd.) was formed on the interlayer layer by a spin coating method to form a light-emitting layer having a thickness of 90 nm. The light emitting layer formed on the extraction electrode portion and the sealing area was removed.
The subsequent processes up to the sealing were performed in vacuum or nitrogen so that the elements in the process were not exposed to the atmosphere.

真空の加熱室において、基板を基板温度約100℃で60分間加熱した。その後蒸着チャンバーに基板を移し、発光部及び取り出し電極部に陰極が成膜されるように、発光層面上に陰極マスクをアライメントした。さらにマスクと基板を回転させながら陰極を蒸着した。陰極として、金属Baを抵抗加熱法にて加熱し蒸着速度約2Å/秒、膜厚50Åにて蒸着し、その上に電子ビーム蒸着法を用いてAlを蒸着速度約2Å/秒、膜厚150nmにて蒸着した。   The substrate was heated at a substrate temperature of about 100 ° C. for 60 minutes in a vacuum heating chamber. Thereafter, the substrate was transferred to a vapor deposition chamber, and a cathode mask was aligned on the surface of the light emitting layer so that a cathode was formed on the light emitting portion and the extraction electrode portion. Further, the cathode was deposited while rotating the mask and the substrate. As a cathode, metal Ba is heated by a resistance heating method and evaporated at a deposition rate of about 2 mm / second and a film thickness of 50 mm, and Al is deposited thereon by an electron beam deposition method at an evaporation rate of about 2 mm / second and a film thickness of 150 nm. Vapor deposition.

その後、基板を、予め用意しておいた、UV硬化樹脂が周辺に塗布されている封止ガラスと貼り合わせ、真空に保ち、その後大気圧に戻し、UVを照射することで固定し、発光領域が2×2mmの有機EL素子を作製した。得られた有機EL素子は、ガラス基板/ITO膜/AlドープMoO層/インターレイヤー層/発光層/Ba層/Al層/封止ガラスの層構成を有していた。 Thereafter, the substrate is bonded to a prepared sealing glass coated with UV curable resin around the substrate, kept in vacuum, then returned to atmospheric pressure, fixed by irradiation with UV, and light emitting region Produced a 2 × 2 mm organic EL device. The obtained organic EL device had a layer structure of glass substrate / ITO film / Al-doped MoO 3 layer / interlayer layer / light emitting layer / Ba layer / Al layer / sealing glass.

(有機EL素子の評価)
作製した素子に、輝度が1000cd/mとなるよう通電し、電流−電圧特性を測定した。また、10mAで定電流駆動し、初期輝度約2000cd/mで発光を開始させてからそのまま発光を持続させ、発光寿命を測定した。結果を表2及び表3に示す。後述する比較例2と比較して、最大電力効率が若干高く、1000cd/m発光時の駆動電圧が低下し、寿命が約1.6倍延長している。
(Evaluation of organic EL elements)
The manufactured element was energized so that the luminance was 1000 cd / m 2, and current-voltage characteristics were measured. In addition, the device was driven at a constant current at 10 mA, light emission was started at an initial luminance of about 2000 cd / m 2 , the light emission was continued as it was, and the light emission lifetime was measured. The results are shown in Tables 2 and 3. Compared to Comparative Example 2 described later, the maximum power efficiency is slightly higher, the driving voltage at the time of 1000 cd / m 2 emission is reduced, and the life is extended by about 1.6 times.

<実施例17>
AlドープMoO層を、実施例14と同様の手順で成膜した他は、実施例16と同様に操作し、有機EL素子を作製し、電流−電圧特性及び発光寿命を測定した。発光寿命は、10mAで定電流駆動し、初期輝度約2000cd/mで発光を開始させてからそのまま発光を持続させて測定した。結果を表3及び表4に示す。後述する比較例2と比較して、最大電力効率が若干高く、1000cd/m発光時の駆動電圧が低下し、寿命が約2.4倍延長している。
<Example 17>
An organic EL device was prepared in the same manner as in Example 16 except that an Al-doped MoO 3 layer was formed in the same procedure as in Example 14, and current-voltage characteristics and emission lifetime were measured. The emission lifetime was measured by driving at a constant current of 10 mA, starting emission at an initial luminance of about 2000 cd / m 2 , and then continuing emission. The results are shown in Tables 3 and 4. Compared to Comparative Example 2 described later, the maximum power efficiency is slightly higher, the driving voltage at the time of 1000 cd / m 2 emission is reduced, and the life is extended about 2.4 times.

<比較例3>
AlドープMoO層を成膜する代わりに、比較例2と同様の手順でMoO層を成膜した他は、実施例16と同様に操作し、有機EL素子を作製し、電流−電圧特性及び発光寿命を測定した。発光寿命は、10mAで定電流駆動し、初期輝度約2000cd/mで発光を開始させてからそのまま発光を持続させて測定した。結果を表3及び表4に示す。
<Comparative Example 3>
Instead of forming the Al-doped MoO 3 layer, the same procedure as in Comparative Example 2 was followed, except that the MoO 3 layer was formed in the same manner as in Example 16 to produce an organic EL element, and the current-voltage characteristics The emission lifetime was measured. The emission lifetime was measured by driving at a constant current of 10 mA, starting emission at an initial luminance of about 2000 cd / m 2 , and then continuing emission. The results are shown in Tables 3 and 4.

Figure 2010147243
Figure 2010147243

Figure 2010147243
Figure 2010147243

以上のように、実施例1〜11及び比較例1では、発光層及び陰極の間に層を形成するための層形成塗布液を調製し、この層形成塗布液により形成された層を有する有機EL素子を製造してその効果を確認した。実施例12〜17及び比較例2〜3では、金属ドープモリブデン酸化物層を有する有機EL素子を製造し、その効果を確認した。
層形成塗布液により形成された層を有する有機EL素子の効果と、金属ドープモリブデン酸化物層を有する有機EL素子の効果とは、互いに排除する関係にはないことは明らかであり、一つの有機EL素子において、層形成塗布液により形成された層を設け、かつ金属ドープモリブデン酸化物層を備えた場合には、層形成塗布液により形成された層を有する有機EL素子の効果と、金属ドープモリブデン酸化物層を有する有機EL素子の効果とを、同時に得ることができる。
As described above, in Examples 1 to 11 and Comparative Example 1, a layer forming coating solution for forming a layer between the light emitting layer and the cathode was prepared, and an organic layer having a layer formed by this layer forming coating solution was prepared. An EL element was manufactured and its effect was confirmed. In Examples 12 to 17 and Comparative Examples 2 to 3, organic EL elements having a metal-doped molybdenum oxide layer were produced, and the effects were confirmed.
It is clear that the effect of the organic EL element having the layer formed by the layer forming coating solution and the effect of the organic EL element having the metal-doped molybdenum oxide layer are not mutually exclusive, and one organic In the EL element, when the layer formed by the layer forming coating liquid is provided and the metal doped molybdenum oxide layer is provided, the effect of the organic EL element having the layer formed by the layer forming coating liquid, and the metal doping The effect of the organic EL element having a molybdenum oxide layer can be obtained at the same time.

本発明の実施の形態による有機EL素子を示す正面図である。It is a front view which shows the organic EL element by embodiment of this invention.

符号の説明Explanation of symbols

1 有機EL素子
2 陽極
3 陰極
4 発光層
5 電子注入層
6 基板
7 金属ドープモリブデン酸化物層
DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Organic EL element 2 Anode 3 Cathode 4 Light emitting layer 5 Electron injection layer 6 Substrate 7 Metal dope molybdenum oxide layer

Claims (20)

陽極と、陰極と、前記陽極及び前記陰極の間に介在する発光層とを有する有機エレクトロルミネッセンス素子であって、
前記陽極と前記発光層との間に、金属ドープモリブデン酸化物から成る金属ドープモリブデン酸化物層を有し、
前記発光層と前記陰極との間に、アルカリ金属塩を溶解した層形成塗布液を用いる塗布法により形成されて成る層を有する、有機エレクトロルミネッセンス素子。
An organic electroluminescence device having an anode, a cathode, and a light emitting layer interposed between the anode and the cathode,
Between the anode and the light emitting layer, a metal doped molybdenum oxide layer made of metal doped molybdenum oxide,
An organic electroluminescence device having a layer formed by a coating method using a layer forming coating solution in which an alkali metal salt is dissolved between the light emitting layer and the cathode.
前記金属ドープモリブデン酸化物層の可視光透過率が、50%以上である、請求項1に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。   The organic electroluminescence device according to claim 1, wherein the metal-doped molybdenum oxide layer has a visible light transmittance of 50% or more. 前記金属ドープモリブデン酸化物に含まれるドーパント金属が、遷移金属、周期表の13族金属及びこれらの混合物からなる群より選択される、請求項1又は請求項2に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。   The organic electroluminescent device according to claim 1 or 2, wherein the dopant metal contained in the metal-doped molybdenum oxide is selected from the group consisting of a transition metal, a group 13 metal of the periodic table, and a mixture thereof. 前記ドーパント金属が、アルミニウムである、請求項3に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。   The organic electroluminescent element according to claim 3, wherein the dopant metal is aluminum. 前記金属ドープモリブデン酸化物におけるドーパント金属の割合が、0.1〜20.0molモル%である、請求項1から請求項4のうち、いずれか1項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。   The organic electroluminescent element of any one of Claims 1-4 whose ratio of the dopant metal in the said metal dope molybdenum oxide is 0.1-20.0 mol%. 前記金属ドープモリブデン酸化物層に接して高分子化合物を含む層を有する、請求項1から請求項5のうち、いずれか1項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。   The organic electroluminescent element according to any one of claims 1 to 5, further comprising a layer containing a polymer compound in contact with the metal-doped molybdenum oxide layer. 陽極、陰極、並びに前記陽極及び前記陰極間に介在する発光層を形成する工程と、
前記陽極と前記発光層との間に、酸化モリブデン及びドーパント金属を同時に堆積して成る金属ドープモリブデン酸化物層を形成する工程と、
前記発光層と前記陰極との間に、アルカリ金属塩を溶解した層形成塗布液を用いる塗布法により層を形成する工程と
を含む、有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法。
Forming an anode, a cathode, and a light emitting layer interposed between the anode and the cathode;
Forming a metal-doped molybdenum oxide layer formed by simultaneously depositing molybdenum oxide and a dopant metal between the anode and the light-emitting layer;
Forming a layer by a coating method using a layer-forming coating solution in which an alkali metal salt is dissolved between the light emitting layer and the cathode. A method for producing an organic electroluminescent element.
前記金属ドープモリブデン酸化物層を形成する工程を、真空蒸着、スパッタリング又はイオンプレーティングにより行う、請求項7に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法。   The manufacturing method of the organic electroluminescent element of Claim 7 which performs the process of forming the said metal dope molybdenum oxide layer by vacuum evaporation, sputtering, or ion plating. 前記金属ドープモリブデン酸化物層を形成する工程は、酸化モリブデン及びドーパント金属を同時に堆積した層を加熱する工程をさらに含む、請求項8に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法。   9. The method of manufacturing an organic electroluminescence device according to claim 8, wherein the step of forming the metal-doped molybdenum oxide layer further includes a step of heating a layer in which molybdenum oxide and a dopant metal are simultaneously deposited. 前記アルカリ金属塩が、モリブデン酸、タングステン酸、タンタル酸、ニオブ酸、バナジウム酸、チタン酸及び亜鉛酸から成る群から選択される少なくとも1種の塩である、請求項7から請求項9のうち、いずれか1項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法。   The said alkali metal salt is at least 1 sort (s) selected from the group which consists of molybdic acid, tungstic acid, tantalum acid, niobic acid, vanadate acid, titanic acid, and zinc acid among Claim 7-9 The manufacturing method of the organic electroluminescent element of any one. 前記アルカリ金属塩が、リチウム、ナトリウム、カリウム、ルビジウム及びセシウムから成る群から選択される少なくとも1種の塩であること特徴とする請求項7から請求項10のうち、いずれか1項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法。   The alkali metal salt according to any one of claims 7 to 10, wherein the alkali metal salt is at least one salt selected from the group consisting of lithium, sodium, potassium, rubidium, and cesium. Manufacturing method of organic electroluminescent element. 前記アルカリ金属塩が、セシウム塩である、請求項7から請求項11のうち、いずれか1項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法。   The manufacturing method of the organic electroluminescent element of any one of Claims 7-11 whose said alkali metal salt is a cesium salt. 前記アルカリ金属塩が、モリブデン酸セシウムである、請求項7から請求項12のうち、いずれか1項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法。   The manufacturing method of the organic electroluminescent element of any one of Claims 7-12 whose said alkali metal salt is a cesium molybdate. 前記層形成塗布液が、アルコール及び/又は水を含む、請求項7から請求項13のうち、いずれか1項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法。   The manufacturing method of the organic electroluminescent element of any one of Claims 7-13 in which the said layer formation coating liquid contains alcohol and / or water. 前記層形成塗布液が、界面活性剤を含む、請求項7から請求項14のうち、いずれか1項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法。   The manufacturing method of the organic electroluminescent element of any one of Claims 7-14 in which the said layer formation coating liquid contains surfactant. ポリエチレンナフタレートから成る基板に対する前記層形成塗布液の接触角が、60°以下である、請求項7から請求項15のうち、いずれか1項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法。   The method for producing an organic electroluminescent element according to any one of claims 7 to 15, wherein a contact angle of the layer forming coating solution with respect to a substrate made of polyethylene naphthalate is 60 ° or less. 前記層形成塗布液の水素イオン指数が、7以上13以下である、請求項7から請求項16のうち、いずれか1項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法。   The method for producing an organic electroluminescent element according to any one of claims 7 to 16, wherein a hydrogen ion index of the layer forming coating solution is 7 or more and 13 or less. 請求項1から請求項6のうち、いずれか1項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子を備える、照明装置。   An illuminating device provided with the organic electroluminescent element of any one of Claims 1-6. 請求項1から請求項6のうち、いずれか1項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子を備える、面状光源。   A planar light source comprising the organic electroluminescence element according to any one of claims 1 to 6. 請求項1から請求項6のうち、いずれか1項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子を備える、表示装置。   A display apparatus provided with the organic electroluminescent element of any one of Claims 1-6.
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