JP2010141179A

JP2010141179A - Collet for chucking semiconductor

Info

Publication number: JP2010141179A
Application number: JP2008316802A
Authority: JP
Inventors: Kazuyuki Kumada; 和行熊田; Akio Kofune; 昭夫小船; Masami Kurihara; 雅美栗原
Original assignee: Akebono Brake Industry Co Ltd
Current assignee: Akebono Brake Industry Co Ltd
Priority date: 2008-12-12
Filing date: 2008-12-12
Publication date: 2010-06-24

Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a collet for chucking a semiconductor that regularly controls the direction during die bonding or conveyance of a semiconductor chip and reduce an damage to the semiconductor chip. <P>SOLUTION: The collet 1 for chucking the semiconductor, which chucks a semiconductor chip, is provided with reference surfaces 31 and 32 that adjusts the direction of a semiconductor chip by bringing them into abutment with at least the upper surface and the side surface of the semiconductor chip when chucking the semiconductor chip. Furthermore, it is provided with a chucking hole 41 for chucking it onto the reference surface 31 by vacuum. <P>COPYRIGHT: (C)2010,JPO&INPIT

Description

本発明は、半導体吸着用コレットに関し、特に、半導体チップをダイボンドする際や半導体チップを運搬する際に向きを一定に制御でき半導体チップへのダメージを軽減する半導体吸着用コレットに関する。 The present invention relates to a semiconductor adsorbing collet, and more particularly, to a semiconductor adsorbing collet that can control the orientation to be constant when die-bonding a semiconductor chip or transporting a semiconductor chip and reduce damage to the semiconductor chip.

図２５に示されるように、コレット２０１による半導体チップ２０２のダイボンドは、切断された半導体チップ２０２をＣＣＤカメラ２０３等で位置を確認しながらピックアップし、運搬し、リードフレーム２０４上にマウントして行う。 As shown in FIG. 25, the die bonding of the semiconductor chip 202 by the collet 201 is performed by picking up and transporting the cut semiconductor chip 202 while confirming the position with the CCD camera 203 or the like, and mounting it on the lead frame 204. .

従来の半導体吸着用コレットとして、図２６に示されるような角錐コレットの場合、半導体チップ２０２のエッジ（端）と点で接触させることにより、リードフレーム等に半導体チップをダイボンドする際や基台間を運搬する際に半導体チップの向きを一定に制御することができる。 In the case of a pyramid collet as shown in FIG. 26 as a conventional semiconductor adsorption collet, the semiconductor chip 202 is brought into contact with the edge (end) at a point so that the semiconductor chip is die-bonded to the lead frame or between the bases. When transporting the semiconductor chip, the orientation of the semiconductor chip can be controlled to be constant.

一方、上記に対し、図２７や図２８に示されるラバーコレット（平コレット）の場合、リードフレーム等に半導体チップをダイボンドする際や基台間を運搬する際に上面（Ｚ面）を吸着する。ラバーコレットは樹脂製である為、半導体チップに対し、ダメージが軽減出来る。 On the other hand, in the case of the rubber collet (flat collet) shown in FIGS. 27 and 28, the upper surface (Z surface) is adsorbed when the semiconductor chip is die-bonded to the lead frame or when it is transported between the bases. . Since the rubber collet is made of resin, damage to the semiconductor chip can be reduced.

また、特許文献１と２には、それぞれ半導体吸着用コレットを使用したダイピックアップ方法やボンディング装置が記載されている。
特開平１０−２７５８４９号公報特開２００７−１９３３７号公報 Further, Patent Documents 1 and 2 describe a die pick-up method and a bonding apparatus using a semiconductor adsorption collet, respectively.
Japanese Patent Laid-Open No. 10-275849 JP 2007-19337 A

しかし、図２６に示されるような角錐コレットの場合、半導体チップエッジ（端）と点で接触するため、負荷により半導体チップにダメージが加わる。また、図２７や図２８に示されるようなラバーコレット（平コレット）の場合、上面（Ｚ面）のみの吸着であるため、半導体チップの向きを一定に制御する事が困難である。そして、特許文献１や２に記載のダイピックアップ方法やボンディング装置では、このような問題は解決されない。 However, in the case of a pyramid collet as shown in FIG. 26, the semiconductor chip edge (end) is contacted by a point, so that the semiconductor chip is damaged by a load. Further, in the case of a rubber collet (flat collet) as shown in FIG. 27 or FIG. 28, it is difficult to control the orientation of the semiconductor chip to be constant because only the upper surface (Z surface) is attracted. And the die pick-up method and the bonding apparatus described in Patent Documents 1 and 2 cannot solve such a problem.

そこで、本発明は、上記課題に鑑みて、半導体チップをダイボンドする際や半導体チップを運搬する際に向きを一定に制御でき半導体チップへのダメージを軽減する半導体吸着用コレットを提供することを目的とする。 Therefore, in view of the above problems, the present invention has an object to provide a semiconductor suction collet that can control the orientation to be constant when die-bonding a semiconductor chip or transporting a semiconductor chip and reduce damage to the semiconductor chip. And

上記目的を達成するため、本発明の半導体吸着用コレットは、半導体チップを吸着する半導体吸着用コレットにおいて、半導体チップの吸着時において少なくとも半導体チップの上面及び側面に当接させて半導体チップの向きを整える基準面を設けたことを特徴とする。 In order to achieve the above object, a semiconductor adsorption collet according to the present invention is a semiconductor adsorption collet for adsorbing a semiconductor chip. It is characterized by the provision of a reference surface to be arranged.

さらに本発明の半導体吸着用コレットは、前記上面の基準面に真空により吸着させる吸着孔を設けたことを特徴とする。
さらに本発明の半導体吸着用コレットは、前記側面の基準面に真空により吸着させる吸着孔を設けたことを特徴とする。
さらに本発明の半導体吸着用コレットは、前記上面及び側面の各基準面に真空により吸着させる吸着孔をそれぞれ設けたことを特徴とする。
さらに本発明の半導体吸着用コレットは、前記それぞれの吸着孔は当該半導体吸着用コレット内で１つに合流して形成されていることを特徴とする。 Furthermore, the semiconductor adsorption collet of the present invention is characterized in that an adsorption hole for adsorption by vacuum is provided on the reference surface of the upper surface.
Furthermore, the collet for semiconductor adsorption according to the present invention is characterized in that an adsorption hole for adsorption by vacuum is provided on the reference surface of the side surface.
Furthermore, the collet for semiconductor adsorption of the present invention is characterized in that adsorption holes for adsorption by vacuum are provided on the reference surfaces of the upper surface and the side surface, respectively.
Furthermore, the semiconductor adsorption collet of the present invention is characterized in that the respective adsorption holes are formed by joining together in the semiconductor adsorption collet.

本発明によれば、半導体吸着用コレットにおいて、半導体チップをダイボンドする際や半導体チップを運搬する際に向きを一定に制御でき半導体チップへのダメージを軽減することができる。 According to the present invention, in the collet for semiconductor adsorption, the orientation can be controlled to be constant when the semiconductor chip is die-bonded or the semiconductor chip is transported, and damage to the semiconductor chip can be reduced.

本発明を実施するための最良の形態を説明する。 The best mode for carrying out the present invention will be described.

図１は、実施例１の半導体吸着用コレットを示す斜視図である。図２は、実施例１の半導体吸着用コレットによるダイの吸着を示す側面図である。図３は、実施例１の半導体吸着用コレットによるダイの吸着を示す正面図である。 FIG. 1 is a perspective view showing a semiconductor adsorption collet of Example 1. FIG. FIG. 2 is a side view showing die adsorption by the semiconductor adsorption collet of the first embodiment. FIG. 3 is a front view showing die adsorption by the semiconductor adsorption collet of the first embodiment.

実施例１のコレット１は、上面部２１と側面部２２を有しており、上面部２１には第１の基準面３１を有しており、側面部２２は第２の基準面３２を有している。第１の基準面３１と第２の基準面３２は互いに内向きに直交しており、半導体チップであるダイ１０１の上面（Ｚ面）と一側面（ＸもしくはＹ面）の２面に当接させる。また、第２の基準面３２の下部には、面取り部２４を有している。コレット１の上部２３は（図示しない）従来の装置に接続する。 The collet 1 of the first embodiment has an upper surface portion 21 and a side surface portion 22, the upper surface portion 21 has a first reference surface 31, and the side surface portion 22 has a second reference surface 32. is doing. The first reference surface 31 and the second reference surface 32 are inwardly orthogonal to each other, and are in contact with two surfaces of the upper surface (Z surface) and one side surface (X or Y surface) of the die 101 which is a semiconductor chip. Let In addition, a chamfered portion 24 is provided below the second reference surface 32. The upper part 23 of the collet 1 is connected to a conventional device (not shown).

一方、上面部２１には、上部２３から第１の基準面３１まで貫通する吸着孔４１が形成されており、この吸着孔４１に上部２３に有する装置で負圧をかけて真空にしてダイ１０１を第１の基準面３１側へ（真空）吸着する。これにより、ダイ１０１の上面が、第１の基準面３１に吸着する。そして、ダイ１０１の側面を、第２の基準面３２に当接させれば、２方向の基準が定まり、ダイ１０１の角度がずれることがなく（θずれがなく）、運搬やダイボンドが可能になる。このとき、第２の基準面３２による基準は、ピックアップ時の横移動で合わせることができるが、さらに精度を確保するためにマウント時に設備側でスクラブもしくはスライド等のマウント制御により位置を安定させることが可能となる。 On the other hand, a suction hole 41 penetrating from the upper part 23 to the first reference surface 31 is formed in the upper surface part 21, and the die 101 is evacuated by applying a negative pressure to the suction hole 41 with a device provided in the upper part 23. Is adsorbed (vacuum) to the first reference surface 31 side. Thereby, the upper surface of the die 101 is attracted to the first reference surface 31. When the side surface of the die 101 is brought into contact with the second reference surface 32, the reference in two directions is determined, the angle of the die 101 is not shifted (there is no θ deviation), and transportation and die bonding are possible. Become. At this time, the reference by the second reference surface 32 can be adjusted by lateral movement at the time of pickup, but in order to secure further accuracy, the position should be stabilized by mounting control such as scrub or slide on the equipment side during mounting. Is possible.

ダイ１０１は、半導体チップであるが、とりわけダイボンドする際の方向の精度が必要なダイである場合に本発明が特に有効となる。例えば、圧力センサや、加速度センサや、ジャイロセンサ等は、実装精度が必要なセンサであり、その取り付け角度の精度はセンサによる検知精度そのものに大きく影響する。例えば、センサによって計測する以外の軸方向の感度である他軸感度が一定以内であることが必要とされ、この場合、実装する際の角度の正確性が求められる。一方、センサによるダイは、高さ方向に厚みがあるものも多く、側面部による基準が取りやすい。 Although the die 101 is a semiconductor chip, the present invention is particularly effective when it is a die that requires accuracy in the direction of die bonding. For example, a pressure sensor, an acceleration sensor, a gyro sensor, and the like are sensors that require mounting accuracy, and the accuracy of the mounting angle greatly affects the detection accuracy of the sensor itself. For example, the other-axis sensitivity that is the sensitivity in the axial direction other than that measured by the sensor is required to be within a certain range, and in this case, the accuracy of the angle at the time of mounting is required. On the other hand, many dies with a sensor have a thickness in the height direction, and it is easy to take a reference by a side surface portion.

図４は、実施例２の半導体吸着用コレットによるダイの吸着を示す側面図である。図５は、実施例２の半導体吸着用コレットによるダイの吸着を示す正面図である。実施例２では実施例１と異なる点について説明し、同一の箇所には同一の符号を付してある。 FIG. 4 is a side view showing die adsorption by the semiconductor adsorption collet of the second embodiment. FIG. 5 is a front view showing die adsorption by the semiconductor adsorption collet of the second embodiment. In the second embodiment, differences from the first embodiment will be described, and the same portions are denoted by the same reference numerals.

実施例２のコレット２は、第１の基準面３１ではなく側面部２２に有する第２の基準面３２から、上部まで貫通する吸着孔４２を有している。この吸着孔４２に上部２３に有する装置で負圧をかけて真空にしてダイ１０１を吸着する。これにより、１０１の一側面が、第２の基準面３２に吸着する。そして、ダイ１０１の上面を、第２の基準面３２に当接させれば、２方向の基準が定まり、ダイ１０１の角度がずれることがなく、運搬やダイボンドが可能になる。このとき、第１の基準面３１による基準は、ピックアップ時の縦移動で合わせることができるが、高さ方向はピックアップ及びマウント時は加重が加わる為、加重制御や位置制御を用いることで安定させることができる。また、吸着孔４２の吸着口４２ａは、広く開口しており、横方向に長い長方形である。これにより吸着力を上げる効果を有している。 The collet 2 according to the second embodiment includes the suction hole 42 penetrating from the second reference surface 32 provided on the side surface portion 22 instead of the first reference surface 31 to the upper part. A vacuum is applied to the suction hole 42 by means of a device in the upper part 23 to suck the die 101. As a result, one side surface 101 is adsorbed to the second reference surface 32. When the upper surface of the die 101 is brought into contact with the second reference surface 32, the reference in two directions is determined, and the angle of the die 101 is not shifted, and transportation and die bonding are possible. At this time, the reference by the first reference surface 31 can be adjusted by vertical movement at the time of pickup, but the height direction is stabilized by using weight control and position control because weight is applied at the time of pickup and mounting. be able to. Further, the suction port 42a of the suction hole 42 is wide open and has a rectangular shape that is long in the lateral direction. This has the effect of increasing the adsorption power.

図６は、実施例３の半導体吸着用コレットによるダイの吸着を示す側面図である。図７は、実施例３の半導体吸着用コレットによるダイの吸着を示す正面図である。実施例３では実施例１や２と異なる点について説明し、同一の箇所には同一の符号を付してある。 6 is a side view showing die adsorption by the semiconductor adsorption collet of Example 3. FIG. FIG. 7 is a front view showing die adsorption by the semiconductor adsorption collet of the third embodiment. In the third embodiment, differences from the first and second embodiments will be described, and the same portions are denoted by the same reference numerals.

実施例３のコレット３は、上部２３から第１の基準面３１へ貫通する吸着孔４１に加えて側面部２２に有する第２の基準面３２から上部まで貫通する吸着孔４２を有している。各基準面３１、３２からの吸着孔４１、４２はコレット３内で合流し上部２３へ連通ことでコンパクトな構成を可能としている。これらの吸着孔４１、４２に上部２３に有する装置で負圧をかけて真空にしてダイ１０１を吸着する。これにより、ダイ１０１の上面と一側面が、第１の基準面３１と第２の基準面３２にそれぞれ吸着し、２方向の基準が定まり、ダイ１０１の角度がずれることがなく、運搬やダイボンドが可能になる。実施例３では、２方向から吸着していることでより確実にダイ１０１を吸着できる。なお、さらに精度を確保するためにマウント時に設備側でスクラブもしくはスライド等のマウント制御により位置を安定させることができる。 The collet 3 of the third embodiment has a suction hole 42 penetrating from the second reference surface 32 of the side surface portion 22 to the upper portion in addition to the suction hole 41 penetrating from the upper portion 23 to the first reference surface 31. . The suction holes 41 and 42 from the respective reference surfaces 31 and 32 merge in the collet 3 and communicate with the upper portion 23, thereby enabling a compact configuration. A vacuum is applied by applying a negative pressure to the suction holes 41 and 42 in the upper part 23 to suck the die 101. As a result, the upper surface and one side surface of the die 101 are attracted to the first reference surface 31 and the second reference surface 32, respectively, so that the reference in two directions is determined, the angle of the die 101 is not shifted, and conveyance and die bonding are performed. Is possible. In Example 3, the die 101 can be more reliably adsorbed by adsorbing from two directions. In order to secure further accuracy, the position can be stabilized by mounting control such as scrub or slide on the equipment side during mounting.

図８は、実施例４の半導体吸着用コレットを示す斜視図である。図９は、実施例４の半導体吸着用コレットによるダイの吸着を示す側面図である。図１０は、実施例４の半導体吸着用コレットによるダイの吸着を示す正面図である。 FIG. 8 is a perspective view showing a semiconductor adsorption collet of Example 4. FIG. 9 is a side view showing die adsorption by the semiconductor adsorption collet of Example 4. FIG. FIG. 10 is a front view showing die adsorption by the semiconductor adsorption collet of the fourth embodiment.

実施例４のコレット４は、上面部２６と第１側面部２７と第２側面部２８とを有しており、上面部２６には第１基準面３６を有しており、第１側面部２７には第２基準面３７を、第２側面部２８には第３基準面３８を有している。第１基準面３６と第２基準面３７と第３基準面３８は互いに内向きに直交しており、半導体チップであるダイ１０１の上面（Ｚ面）と直交する２側面（Ｘ面とＹ面）の３面に当接させる。また、第２基準面３７、第３基準面３８の下部にはそれぞれ、面取り部２９、面取り部３０を有している。コレット４の上部２３は（図示しない）従来の装置に接続する。 The collet 4 according to the fourth embodiment includes an upper surface portion 26, a first side surface portion 27, and a second side surface portion 28. The upper surface portion 26 includes a first reference surface 36, and the first side surface portion. 27 has a second reference surface 37, and the second side surface portion 28 has a third reference surface 38. The first reference surface 36, the second reference surface 37, and the third reference surface 38 are orthogonal to each other inward, and two side surfaces (X surface and Y surface) orthogonal to the upper surface (Z surface) of the die 101 that is a semiconductor chip. 3). Further, a chamfered portion 29 and a chamfered portion 30 are provided below the second reference surface 37 and the third reference surface 38, respectively. The upper part 23 of the collet 4 is connected to a conventional device (not shown).

一方、上面部２６には、上部２３から第１基準面３６まで貫通する吸着孔４６が形成されており、この吸着孔４６に上部２３に有する装置で負圧をかけて真空にしてダイ１０１を吸着する。これにより、ダイ１０１の上面が、第１基準面３６に吸着する。そして、ダイ１０１の側面を、第２基準面３７と第３基準面３８にそれぞれ当接させれば、３方向の基準が定まり、ダイ１０１の角度がずれることがなく（θずれがなく）、運搬やダイボンドが可能になる。このとき、第２基準面３７及び第３基準面３８による基準は、ピックアップ時の横移動で合わせることができるが、さらに精度を確保するためにマウント時に設備側でスクラブもしくはスライド等のマウント制御により位置を安定させることができる。 On the other hand, a suction hole 46 penetrating from the upper portion 23 to the first reference surface 36 is formed in the upper surface portion 26, and a vacuum is applied to the suction hole 46 by applying a negative pressure to the suction hole 46 using an apparatus in the upper portion 23. Adsorb. As a result, the upper surface of the die 101 is attracted to the first reference surface 36. Then, if the side surfaces of the die 101 are brought into contact with the second reference surface 37 and the third reference surface 38, the reference in three directions is determined, the angle of the die 101 is not shifted (there is no θ deviation), Transport and die bonding are possible. At this time, the reference by the second reference surface 37 and the third reference surface 38 can be adjusted by lateral movement at the time of pick-up, but in order to ensure further accuracy, the equipment side by mounting control such as scrub or slide at the time of mounting. The position can be stabilized.

実施例４では、ダイ１０１の上面（Ｚ面）と二側面（Ｘ面とＹ面）の３面に各基準面を当接させるため、確実かつ精度よく吸着させることができる。なお、ダイ１０１は実施例１と同様である。 In the fourth embodiment, the reference surfaces are brought into contact with the three surfaces of the upper surface (Z surface) and the two side surfaces (X surface and Y surface) of the die 101, so that it can be reliably and accurately adsorbed. The die 101 is the same as that in the first embodiment.

図１１は、実施例５の半導体吸着用コレットによるダイの吸着を示す側面図である。図１２は、実施例５の半導体吸着用コレットによるダイの吸着を示す正面図である。実施例５では実施例４と異なる点について説明し、同一の箇所には同一の符号を付してある。 FIG. 11 is a side view showing die adsorption by the semiconductor adsorption collet of the fifth embodiment. FIG. 12 is a front view showing die adsorption by the semiconductor adsorption collet of the fifth embodiment. In the fifth embodiment, differences from the fourth embodiment will be described, and the same portions are denoted by the same reference numerals.

実施例５のコレット５は、第１基準面３６ではなく第１側面部２７に有する第２基準面３７（基準面Ｘ）から、上部まで貫通する吸着孔４７を有している。この吸着孔４７に上部２３に有する装置で負圧をかけて真空にしてダイ１０１を吸着する。これにより、ダイ１０１の一側面が、第２基準面３７に吸着する。そして、ダイ１０１の上面を第１基準面３６に、ダイ１０１の他側面を第３基準面３８に当接させれば、３方向の基準が定まり、ダイ１０１の角度がずれることがなく、確実な運搬やダイボンドが可能になる。このとき、第１基準面３６による基準は、ピックアップ時の縦移動で合わせることができるが、高さ方向はピックアップ及びマウント時は加重が加わる為、加重制御や位置制御を用いることで安定させることができる。さらに、第３基準面３８による基準は、ピックアップ時の横移動で合わせることができるが、さらに精度を確保するためにマウント時に設備側でスクラブもしくはスライド等のマウント制御により位置を安定させることができる。また、吸着孔４７の吸着口４７ａは、広く開口しており、横方向に長い長方形である。これにより吸着力を上げる効果を有している。 The collet 5 of the fifth embodiment has the suction hole 47 penetrating from the second reference surface 37 (reference surface X) included in the first side surface portion 27 instead of the first reference surface 36 to the upper part. A vacuum is applied by applying a negative pressure to the suction hole 47 in the upper part 23 to suck the die 101. Thereby, one side surface of the die 101 is attracted to the second reference surface 37. Then, if the upper surface of the die 101 is brought into contact with the first reference surface 36 and the other side surface of the die 101 is brought into contact with the third reference surface 38, the reference in three directions is determined, and the angle of the die 101 is not shifted. Transport and die bonding become possible. At this time, the reference by the first reference surface 36 can be adjusted by vertical movement at the time of pickup, but the height direction is stabilized by using weight control or position control because weight is applied at the time of pickup and mounting. Can do. Further, the reference by the third reference plane 38 can be adjusted by lateral movement at the time of pickup, but the position can be stabilized by mounting control such as scrub or slide on the equipment side at the time of mounting in order to ensure further accuracy. . Further, the suction port 47a of the suction hole 47 is wide open and has a rectangular shape that is long in the lateral direction. This has the effect of increasing the adsorption power.

図１３は、実施例６の半導体吸着用コレットによるダイの吸着を示す側面図である。図１４は、実施例６の半導体吸着用コレットによるダイの吸着を示す正面図である。実施例６では実施例５と異なる点について説明し、同一の箇所には同一の符号を付してある。 FIG. 13 is a side view showing die adsorption by the semiconductor adsorption collet of the sixth embodiment. 14 is a front view showing die adsorption by the semiconductor adsorption collet of Example 6. FIG. In the sixth embodiment, differences from the fifth embodiment will be described, and the same portions are denoted by the same reference numerals.

実施例６のコレット６は、実施例５のコレット５における第２基準面３７（基準面Ｘ）の吸着孔４７を、第３基準面３８（基準面Ｙ）に吸着孔４８として設けたものである。 The collet 6 of Example 6 is provided with the suction holes 47 of the second reference surface 37 (reference surface X) in the collet 5 of Example 5 as suction holes 48 on the third reference surface 38 (reference surface Y). is there.

図１５は、実施例７の半導体吸着用コレットによるダイの吸着を示す側面図である。図１６は、実施例７の半導体吸着用コレットによるダイの吸着を示す正面図である。実施例７では、実施例４〜６と異なる点について説明し、同一の箇所には同一の符号を付してある。 FIG. 15 is a side view showing die adsorption by the semiconductor adsorption collet of the seventh embodiment. FIG. 16 is a front view showing die adsorption by the semiconductor adsorption collet of the seventh embodiment. In the seventh embodiment, differences from the fourth to sixth embodiments will be described, and the same portions are denoted by the same reference numerals.

実施例７のコレット７は、第２基準面３７に吸着孔４７と、第３基準面３８に吸着孔４８とを有している。各基準面３７、３８からの吸着孔４７、４８はコレット７内で合流し上部２３へ連通することでコンパクトな構成を可能としている。これらの吸着孔４７、４８に上部２３に有する装置で負圧をかけて真空にしてダイ１０１を吸着する。これにより、ダイ１０１の直交する二側面（Ｘ，Ｙ）が、第２基準面３７と第３基準面３８にそれぞれ吸着する。そして、ダイ１０１の上面を第１基準面３６に当接させれば、３方向の基準が定まり、ダイ１０１の角度がずれることがなく、確実な運搬やダイボンドが可能になる。このとき、第１基準面３６による基準は、ピックアップ時の縦移動で合わせることができるが、高さ方向はピックアップ及びマウント時は加重が加わる為、加重制御や位置制御を用いることで安定させることができる。実施例７では、側面の２方向から吸着するので１方向からの吸着にくらべ確実性が向上する。 The collet 7 of the seventh embodiment has a suction hole 47 on the second reference surface 37 and a suction hole 48 on the third reference surface 38. The suction holes 47 and 48 from the respective reference surfaces 37 and 38 merge in the collet 7 and communicate with the upper portion 23, thereby enabling a compact configuration. A vacuum is applied by applying a negative pressure to the suction holes 47 and 48 in the apparatus in the upper portion 23 to suck the die 101. Thereby, two orthogonal side surfaces (X, Y) of the die 101 are adsorbed to the second reference surface 37 and the third reference surface 38, respectively. If the upper surface of the die 101 is brought into contact with the first reference surface 36, the reference in three directions is determined, the angle of the die 101 is not shifted, and reliable transport and die bonding are possible. At this time, the reference by the first reference surface 36 can be adjusted by vertical movement at the time of pickup, but the height direction is stabilized by using weight control or position control because weight is applied at the time of pickup and mounting. Can do. In Example 7, since the suction is performed from the two directions on the side surface, the reliability is improved as compared with the suction from the one direction.

図１７は、実施例８の半導体吸着用コレットによるダイの吸着を示す側面図である。図１８は、実施例８の半導体吸着用コレットによるダイの吸着を示す正面図である。実施例８では、実施例４〜６と異なる点について説明し、同一の箇所には同一の符号を付してある。 FIG. 17 is a side view showing die adsorption by the semiconductor adsorption collet of the eighth embodiment. 18 is a front view showing die adsorption by the semiconductor adsorption collet of Example 8. FIG. In the eighth embodiment, differences from the fourth to sixth embodiments will be described, and the same portions are denoted by the same reference numerals.

実施例８のコレット８は、第１基準面３６に吸着孔４６と、第２基準面３７に吸着孔４７とを有している。各基準面３６、３７からの吸着孔４６、４７はコレット８内で合流し上部２３へ連通することでコンパクトな構成を可能としている。これらの吸着孔４７、４８に上部２３に有する装置で負圧をかけて真空にしてダイ１０１を吸着する。これにより、ダイ１０１の上面（Ｚ）と一側面（Ｘ）が、第１基準面３６と第２基準面３７にそれぞれ吸着する。そして、ダイ１０１の他側面を第３基準面３８に当接させれば、３方向の基準が定まり、ダイ１０１の角度がずれることがなく、確実な運搬やダイボンドが可能になる。このとき、第３基準面３８による基準は、ピックアップ時の横移動で合わせることができるが、さらに精度を確保するためにマウント時に設備側でスクラブもしくはスライド等のマウント制御により位置を安定させることができる。実施例８では、上面と一側面の２方向から吸着するので１方向からの吸着にくらべ確実性が向上する。 The collet 8 of the eighth embodiment has a suction hole 46 on the first reference surface 36 and a suction hole 47 on the second reference surface 37. The suction holes 46 and 47 from the respective reference surfaces 36 and 37 merge in the collet 8 and communicate with the upper portion 23, thereby enabling a compact configuration. A vacuum is applied by applying a negative pressure to the suction holes 47 and 48 in the apparatus in the upper portion 23 to suck the die 101. Thereby, the upper surface (Z) and one side surface (X) of the die 101 are attracted to the first reference surface 36 and the second reference surface 37, respectively. If the other side surface of the die 101 is brought into contact with the third reference surface 38, the reference in the three directions is determined, and the angle of the die 101 is not shifted, and reliable transportation and die bonding are possible. At this time, the reference by the third reference plane 38 can be adjusted by lateral movement at the time of pick-up, but in order to ensure further accuracy, the position can be stabilized by mounting control such as scrub or slide on the equipment side during mounting. it can. In the eighth embodiment, since the suction is performed from two directions of the upper surface and one side surface, the certainty is improved as compared with the suction from one direction.

図１９は、実施例９の半導体吸着用コレットによるダイの吸着を示す側面図である。図２０は、実施例９の半導体吸着用コレットによるダイの吸着を示す正面図である。実施例９では実施例８と異なる点について説明し、同一の箇所には同一の符号を付してある。 FIG. 19 is a side view showing die adsorption by the semiconductor adsorption collet of the ninth embodiment. 20 is a front view showing die adsorption by the semiconductor adsorption collet of Example 9. FIG. In the ninth embodiment, differences from the eighth embodiment will be described, and the same portions are denoted by the same reference numerals.

実施例９のコレット９は、実施例８のコレット８における第２基準面３７（基準面Ｘ）の吸着孔４７を、第３基準面３８（基準面Ｙ）に吸着孔４８として設けたものである。 The collet 9 of the ninth embodiment is provided with the suction holes 47 of the second reference surface 37 (reference surface X) in the collet 8 of the eighth embodiment as suction holes 48 on the third reference surface 38 (reference surface Y). is there.

図２１は、実施例１０の半導体吸着用コレットによるダイの吸着を示す側面図である。図２２は、実施例１０の半導体吸着用コレットによるダイの吸着を示す正面図である。実施例１０では、実施例４〜６と異なる点について説明し、同一の箇所には同一の符号を付してある。 FIG. 21 is a side view showing die adsorption by the semiconductor adsorption collet of the tenth embodiment. 22 is a front view showing die adsorption by the semiconductor adsorption collet of Example 10. FIG. In the tenth embodiment, differences from the fourth to sixth embodiments will be described, and the same portions are denoted by the same reference numerals.

実施例１０のコレット１０は、第１基準面３６に吸着孔４６と、第２基準面３７に吸着孔４７と、第３基準面３８に吸着孔４８とをそれぞれ有している。各基準面３６、３７、３８からの吸着孔４６、４７、４８はコレット１０内で合流し上部２３へ連通することでコンパクトな構成を可能としている。これらの吸着孔４６、４７、４８に上部２３に有する装置で負圧をかけて真空にしてダイ１０１を吸着する。これにより、ダイ１０１の上面（Ｚ）及び直交する２側面（Ｘ、Ｙ）が、第１基準面３６、第２基準面３７及び第３基準面３８にそれぞれ吸着し、３方向の基準が定まり、ダイ１０１の角度がずれることがなく、確実な運搬やダイボンドが可能になる。実施例１０では、上面と二側面の３方向から吸着するので２方向からの吸着にくらべさらに確実性が向上する。なお、マウント時にスクラブもしくはスライド等のマウント制御により位置を安定させることができる。 The collet 10 of Example 10 has a suction hole 46 on the first reference surface 36, a suction hole 47 on the second reference surface 37, and a suction hole 48 on the third reference surface 38. The suction holes 46, 47, 48 from the respective reference surfaces 36, 37, 38 merge in the collet 10 and communicate with the upper part 23, thereby enabling a compact configuration. A vacuum is applied to the suction holes 46, 47, and 48 using a device provided in the upper portion 23 to suck the die 101. As a result, the upper surface (Z) and the two orthogonal side surfaces (X, Y) of the die 101 are attracted to the first reference surface 36, the second reference surface 37, and the third reference surface 38, respectively, and the three-direction reference is determined. As a result, the angle of the die 101 does not shift, and reliable transport and die bonding are possible. In Example 10, since the suction is performed from the three directions of the upper surface and the two side surfaces, the certainty is further improved as compared with the suction from the two directions. Note that the position can be stabilized by mounting control such as scrubbing or sliding at the time of mounting.

図２３は、実施例１１の半導体吸着用コレットを示す斜視図である。実施例１１では、実施例４と異なる点について説明し、同一の箇所には同一の符号を付してある。 FIG. 23 is a perspective view showing a semiconductor adsorption collet of Example 11. FIG. In the eleventh embodiment, differences from the fourth embodiment will be described, and the same portions are denoted by the same reference numerals.

実施例１１のコレット１１は、第２基準面３７と第３基準面３８の交点縦方向にスリット５１を設けている。これにより、ダイ１０１の２つ（Ｘ、Ｙ）の側面によるエッジ部が直接に第２基準面３７と第３基準面３８の交点に干渉することを避け、このエッジ部へのダメージを防止する。さらにダイ１０１のエッジ部がふれないため、各基準面による確実な位置決めができ位置ずれを防止できる。スリット５１の形状としては、例えば、交点の角度以下である先端が４５度となるような切込みによって形成される。このスリット５１は上記の各実施例にも適用できることは明らかである。 The collet 11 of Example 11 is provided with slits 51 in the longitudinal direction of the intersection of the second reference surface 37 and the third reference surface 38. This prevents the edge portion by the two (X, Y) side surfaces of the die 101 from directly interfering with the intersection of the second reference surface 37 and the third reference surface 38, and prevents damage to the edge portion. . Further, since the edge portion of the die 101 is not touched, it is possible to perform reliable positioning by each reference surface and to prevent positional deviation. As the shape of the slit 51, for example, it is formed by cutting so that the tip which is equal to or smaller than the angle of the intersection is 45 degrees. It is obvious that the slit 51 can be applied to each of the above embodiments.

図２４は、実施例１２の半導体吸着用コレットによるダイの吸着を示す図である。 FIG. 24 is a view showing die adsorption by the semiconductor adsorption collet of Example 12. FIG.

図２４で示されるように、基準面３９に吸着孔４９の吸着口４９ａより外側に軸方向に連続した突起状のリブであるガイド６１を設けダイが基準面に沿うようにする。これにより、ダイと各基準面との滑りをよくし、吸着時の位置修正が容易に行える。さらに、軸方向以外の部分からリークしており、このときのリフト力は真空力と吸着面積の積に比例するため、真空力の調整によりダイの保持力を調整することができる。そして、ガイドで囲まれる吸着面積が大きいため、吸着における真空力の調整によりダイの保持力を強くすることもできる。また、図２４（ｂ）のように上面の基準面３９’にガイド６１を設ける場合は、真空力は側面の半分程度とできる。この構成は上記の実施例で示した各吸着孔の吸着口に適用することができる。 As shown in FIG. 24, a guide 61 which is a protruding rib continuous in the axial direction is provided on the reference surface 39 outside the suction port 49a of the suction hole 49 so that the die follows the reference surface. As a result, sliding between the die and each reference surface is improved, and the position correction at the time of suction can be easily performed. Further, leakage occurs from a portion other than the axial direction, and the lift force at this time is proportional to the product of the vacuum force and the adsorption area, so that the holding force of the die can be adjusted by adjusting the vacuum force. And since the adsorption | suction area enclosed with a guide is large, the holding | maintenance force of die | dye can also be strengthened by adjustment of the vacuum force in adsorption | suction. When the guide 61 is provided on the upper reference surface 39 'as shown in FIG. 24B, the vacuum force can be about half of the side surface. This configuration can be applied to the suction port of each suction hole shown in the above embodiment.

以上、実施例１から１２では吸着孔４０、４１、４２、４６〜４８について述べたが、各吸着孔は各コレット内部に配設される配管による構成であってもよい。また、実施例１から１２の各コレットは金属系、樹脂系、ゴム系等の材質を用いることができる。 As described above, in the first to twelfth embodiments, the suction holes 40, 41, 42, and 46 to 48 are described. However, each suction hole may be configured by a pipe disposed inside each collet. In addition, each collet of Examples 1 to 12 can be made of metal, resin, rubber or the like.

また、上記の各実施例は、吸着孔からの真空によりダイ１０１を吸着する半導体吸着用コレットを示したが、これ以外に静電気を帯電させてクーロン力により吸着させる半導体吸着用コレットにも適用できる。この場合、吸着孔は必要ないが、実施例１等に示した上面部２１の第１の基準面３１と側面部２２の第２の基準面３２や、実施例４等に示した上面部２６の第１基準面３６と第１側面部２７の第２基準面３７と第２側面部２８の第３基準面３８によりダイ１０１の位置を安定させθずれを防止することができる。また、面同士の接触であるため、上記の実施例同様に半導体チップへのダメージを軽減することができる。 Moreover, although each said embodiment showed the semiconductor adsorption collet which adsorb | sucks the die | dye 101 with the vacuum from an adsorption | suction hole, it can apply also to the semiconductor adsorption collet which charges static electricity and adsorb | sucks by Coulomb force. . In this case, suction holes are not necessary, but the first reference surface 31 of the upper surface portion 21 and the second reference surface 32 of the side surface portion 22 shown in the first embodiment and the upper surface portion 26 shown in the fourth embodiment. The first reference surface 36, the second reference surface 37 of the first side surface portion 27, and the third reference surface 38 of the second side surface portion 28 can stabilize the position of the die 101 and prevent the θ deviation. Further, since the contact is made between the surfaces, damage to the semiconductor chip can be reduced as in the above embodiment.

実施例１の半導体吸着用コレットを示す斜視図である。1 is a perspective view showing a semiconductor adsorbing collet of Example 1. FIG. 実施例１の半導体吸着用コレットによるダイの吸着を示す側面図である。It is a side view which shows adsorption | suction of the die | dye by the collet for semiconductor adsorption | suction of Example 1. FIG. 実施例１の半導体吸着用コレットによるダイの吸着を示す正面図である。It is a front view which shows adsorption | suction of the die | dye by the collet for semiconductor adsorption | suction of Example 1. FIG. 実施例２の半導体吸着用コレットによるダイの吸着を示す側面図である。It is a side view which shows adsorption | suction of die | dye by the collet for semiconductor adsorption | suction of Example 2. FIG. 実施例２の半導体吸着用コレットによるダイの吸着を示す正面図である。It is a front view which shows adsorption | suction of the die | dye by the collet for semiconductor adsorption of Example 2. FIG. 実施例３の半導体吸着用コレットによるダイの吸着を示す側面図である。It is a side view which shows adsorption | suction of the die | dye by the collet for semiconductor adsorption | suction of Example 3. FIG. 実施例３の半導体吸着用コレットによるダイの吸着を示す正面図である。It is a front view which shows adsorption | suction of the die | dye by the collet for semiconductor adsorption | suction of Example 3. FIG. 実施例４の半導体吸着用コレットを示す斜視図である。It is a perspective view which shows the collet for semiconductor adsorption of Example 4. 実施例４の半導体吸着用コレットによるダイの吸着を示す側面図である。It is a side view which shows adsorption | suction of die | dye by the collet for semiconductor adsorption | suction of Example 4. FIG. 実施例４の半導体吸着用コレットによるダイの吸着を示す正面図である。It is a front view which shows adsorption | suction of the die | dye by the collet for semiconductor adsorption | suction of Example 4. FIG. 実施例５の半導体吸着用コレットによるダイの吸着を示す側面図である。It is a side view which shows adsorption | suction of die | dye with the collet for semiconductor adsorption | suction of Example 5. FIG. 実施例５の半導体吸着用コレットによるダイの吸着を示す正面図である。It is a front view which shows adsorption | suction of the die | dye by the collet for semiconductor adsorption | suction of Example 5. FIG. 実施例６の半導体吸着用コレットによるダイの吸着を示す側面図である。It is a side view which shows adsorption | suction of die | dye by the collet for semiconductor adsorption | suction of Example 6. FIG. 実施例６の半導体吸着用コレットによるダイの吸着を示す正面図である。It is a front view which shows adsorption | suction of die | dye by the collet for semiconductor adsorption of Example 6. FIG. 実施例７の半導体吸着用コレットによるダイの吸着を示す側面図である。It is a side view which shows adsorption | suction of die | dye by the collet for semiconductor adsorption | suction of Example 7. FIG. 実施例７の半導体吸着用コレットによるダイの吸着を示す正面図である。It is a front view which shows adsorption | suction of die | dye by the collet for semiconductor adsorption | suction of Example 7. FIG. 実施例８の半導体吸着用コレットによるダイの吸着を示す側面図である。It is a side view which shows adsorption | suction of die | dye by the collet for semiconductor adsorption | suction of Example 8. 実施例８の半導体吸着用コレットによるダイの吸着を示す正面図である。It is a front view which shows adsorption | suction of die | dye by the collet for semiconductor adsorption | suction of Example 8. FIG. 実施例９の半導体吸着用コレットによるダイの吸着を示す側面図である。It is a side view which shows adsorption | suction of the die | dye by the collet for semiconductor adsorption of Example 9. FIG. 実施例９の半導体吸着用コレットによるダイの吸着を示す正面図である。It is a front view which shows adsorption | suction of die | dye by the collet for semiconductor adsorption of Example 9. FIG. 実施例１０の半導体吸着用コレットによるダイの吸着を示す側面図である。It is a side view which shows adsorption | suction of the die | dye by the collet for semiconductor adsorption of Example 10. FIG. 実施例１０の半導体吸着用コレットによるダイの吸着を示す正面図である。It is a front view which shows adsorption | suction of the die | dye by the collet for semiconductor adsorption | suction of Example 10. FIG. 実施例１１の半導体吸着用コレットを示す斜視図である。It is a perspective view which shows the collet for semiconductor adsorption of Example 11. FIG. 実施例１２の半導体吸着用コレットによるダイの吸着を示す図であり、（ａ）は上面断面図、（ｂ）は上面にガイドを設けた場合の図、（ｃ）側面断面図、（ｄ）正面図を示す。It is a figure which shows adsorption | suction of the die | dye by the semiconductor adsorption collet of Example 12, (a) is top surface sectional drawing, (b) is a figure when a guide is provided in the upper surface, (c) Side surface sectional view, (d) A front view is shown. 従来例であるコレットによるダイボンドの一例を示す説明図である。It is explanatory drawing which shows an example of the die bond by the collet which is a prior art example. 従来例である角錐コレットの一例を示す説明図である。It is explanatory drawing which shows an example of the pyramid collet which is a prior art example. 従来例である平コレットの第１の例を示す説明図である。It is explanatory drawing which shows the 1st example of the flat collet which is a prior art example. 従来例である平コレットの第２の例を示す説明図である。It is explanatory drawing which shows the 2nd example of the flat collet which is a prior art example.

Explanation of symbols

１〜１１コレット
２１、２６上面部
２２側面部
２３上部
２４、２９、３０面取り部
２７第１側面部
２８第２側面部
３１第１の基準面
３２第２の基準面
３６第１基準面
３７第２基準面
３８第３基準面
３９、３９’ 基準面
４１、４２、４６〜４８、４９、４９’ 吸着孔
４２ａ、４７ａ、４８ａ、４９ａ、４９ａ’ 吸着口
５１スリット
６１ガイド
１０１ダイ 1-11 Collet 21, 26 Upper surface portion 22 Side surface portion 23 Upper portion 24, 29, 30 Chamfered portion 27 First side surface portion 28 Second side surface portion 31 First reference surface 32 Second reference surface 36 First reference surface 37 First 2 reference surface 38 3rd reference surface 39, 39 'reference surface 41, 42, 46-48, 49, 49' suction hole 42a, 47a, 48a, 49a, 49a 'suction port 51 slit 61 guide 101 die

Claims

In the semiconductor adsorption collet that adsorbs semiconductor chips,
A collet for adsorbing a semiconductor, comprising a reference surface for adjusting the orientation of the semiconductor chip by contacting at least an upper surface and a side surface of the semiconductor chip when adsorbing the semiconductor chip.

The collet for semiconductor adsorption according to claim 1,
A semiconductor adsorption collet, characterized in that an adsorption hole for adsorption by vacuum is provided on the reference surface of the upper surface.

The collet for semiconductor adsorption according to claim 1,
A semiconductor adsorbing collet, characterized in that an adsorbing hole for adsorbing by vacuum is provided on the reference surface of the side surface.

The collet for semiconductor adsorption according to claim 1,
A collet for semiconductor adsorption, wherein adsorption holes to be adsorbed by vacuum are provided on the reference surfaces of the upper surface and the side surface.

In the collet for semiconductor adsorption according to claim 4,
Each of the adsorbing holes is formed by joining together in the semiconductor adsorbing collet.